TW202240953A - 基板處理設備 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種基板處理設備，所述基板處理設備包括：腔室，被配置成在所述腔室中容置基板；光源，被配置成向基板照射光；截止器，設置在所照射的光的路徑中，以阻擋所照射的光的至少一部分；捕集器，被配置成使從基板反射的光或從截止器反射的光進入捕集器中且消除所反射的光；以及鏡阻擋件，設置在所照射的光的路徑與捕集器之間，以使從基板及截止器中的至少一者反射的光進入捕集器中。

Description

基板處理設備

本發明是有關於一種基板處理設備，且更具體來說是有關於一種能夠抑制在捕集器（dump）中產生的熱量傳遞到朝向基板照射的光的基板處理設備。

在製造液晶顯示裝置、太陽能裝置及類似裝置時，執行熱處置製程以使非晶的多晶薄膜（例如非晶的多晶矽薄膜）結晶。在此種情形中，當使用玻璃作為基板時，使用雷射使非晶的多晶薄膜結晶。

更具體來說，一種基板處理設備包括：具有內空間的腔室，在所述內空間中對基板進行處理；平臺，安裝在所述腔室內部以將基板放置在所述平臺上，所述平臺在執行製程的方向上移動；光源，從腔室的上側朝向基板發射雷射；捕集器，吸收並消除從基板反射的反射光。

傳統上，照射到基板的雷射被反射並進入捕集器中，且然後使雷射在捕集器內部重複反射，從而消除雷射。然而，在消除雷射的同時，可能會在捕集器內部產生熱量。在捕集器中產生的熱量可能會傳遞到捕集器的外部，例如照射基板的雷射。也就是說，存在照射基板的雷射具有色斑（mura）的問題。如果照射基板的雷射具有色斑，則基板無法被平穩地退火。因此，需要一種能夠抑制在捕集器中產生的熱量傳遞到照射基板的雷射的基板處理設備。

[現有技術]

[專利文獻]KR 10-2011-0071591 A

發明所要解決的問題

本發明涉及一種能夠將捕集器與照射到基板的光的路徑隔開的基板處理設備。

本發明還涉及一種能夠使照射到基板的光的路徑與捕集器之間的空間冷卻的基板處理設備。

解決問題的技術手段

本發明包括：腔室，被配置成在所述腔室中容置基板；光源，被配置成向所述基板照射光；截止器，設置在所照射的所述光的路徑中，以阻擋所照射的所述光的至少一部分；捕集器，被配置成使從所述基板反射的光或從所述截止器反射的光進入所述捕集器中且消除所反射的所述光；以及鏡阻擋件（mirror block），設置在所照射的所述光的所述路徑與所述捕集器之間，以使從所述基板及所述截止器中的至少一者反射的所述光進入所述捕集器中。

所述鏡阻擋件被設置成與所述捕集器間隔開。

所述鏡阻擋件在所述捕集器與所照射的所述光的所述路徑隔開的方向上延伸，且所述鏡阻擋件的延伸長度長於從所述基板反射的所述光被散射的範圍。

所述鏡阻擋件具有下表面，所述下表面被形成為朝向所述捕集器傾斜的傾斜表面，且在所述傾斜表面上設置有塗布層。

所述鏡阻擋件的所述傾斜表面被形成為圓形形狀或錐形形狀，且所述傾斜表面具有比從所述基板反射的所述光的反射角度小的角度。

所述鏡阻擋件還包括冷卻單元，所述冷卻單元在所述鏡阻擋件內部被安裝成與所照射的所述光的所述路徑相鄰且被配置成使所述鏡阻擋件冷卻。

所述冷卻單元包括：冷卻構件，被配置成使冷卻流體在所述冷卻構件中循環；溫度感測器，被配置成對所述冷卻構件的溫度進行測量；以及冷卻控制構件，被配置成依據由所述溫度感測器測量的溫度來對所供應的所述冷卻流體的量進行控制。

本發明還包括驅動單元，所述驅動單元被配置成使所述鏡阻擋件及所述捕集器中的至少一者在所述捕集器與所述鏡阻擋件隔開的方向上移動。

所述驅動單元包括：第一驅動構件，連接到所述鏡阻擋件且耦合到所述腔室以能夠向前移動及向後移動；以及第二驅動構件，連接到所述捕集器且被配置成依據所述第一驅動構件的移動而向前移動及向後移動。

所述捕集器包括：捕集器本體，具有內空間且設置有透射視窗（transmission window），光可在面對所述鏡阻擋件的一側上通過所述透射視窗；以及消光感應單元（extinction-inducing unit），被配置成使透射到所述捕集器本體的內部中的光反射多次且消除所透射的所述光。

所述消光感應單元包括：感應構件，設置在所述內空間的頂部上且被配置成使透射到所述捕集器本體的另一側的內壁的光反射；第一消光構件，設置在所述捕集器本體的所述另一側的所述內壁上；以及第二消光構件，被設置成面對所述第一消光構件且被配置成使所述光陷獲在所述第二消光構件中且使所述光反射多次。

所述第一消光構件及所述第二消光構件在所述第一消光構件與所述第二消光構件的面對彼此的各表面上具有不規則特徵（irregularity）。

所述捕集器還包括：排出口（exhaust port），被配置成將所述內空間中的流體排放到所述捕集器本體的外部；以及輔助冷卻單元，被配置成使所述內空間中的所述流體冷卻。

本發明還包括光檢測單元，所述光檢測單元的至少一部分設置在所述捕集器內部，以對進入所述捕集器中的光進行監測。

本發明還包括：基板支撐單元，被配置成通過黏合力對所述基板進行支撐；以及調整單元，被配置成當由所述光檢測單元檢測到的從所述基板反射的所述光的能量值處於預先設定的範圍內時對所述基板支撐單元的所述黏合力進行調整。

發明的效果

根據本發明的實施例，通過將捕集器與照射到基板的光的路徑隔開，可抑制或防止在捕集器中產生的熱量傳遞到所照射的光。因此，還可抑制或防止照射到基板的光的色斑。

此外，通過由鏡阻擋件阻擋照射到基板的光的路徑與捕集器之間的空間，可阻擋在捕集器中產生的熱量傳遞到光。因此，也可抑制或防止光的色斑。

此外，可使照射到基板的光的路徑與捕集器之間的空間冷卻。因此，可抑制在捕集器中產生的熱量傳遞到照射到基板的光，從而抑制或防止光的色斑。

最後，可即時對進入捕集器中的光進行監測且檢查基板是否被平穩地退火（即，基板的平整度（flatness）是否恆定）。因此，當基板的平整度在特定部分中不同時，可向基板施加更強的黏合力，以使基板的平整度恆定。

在下文中，將參照附圖詳細闡述本發明的實施例。然而，本發明並不僅限於以下公開的這些實施例且將以各種形式實施。僅提供本發明的實施例來完成對本發明的公開且完全告知所屬領域中的普通技術人員本發明的範圍。圖式的大小可被誇大以準確地闡述本發明，且圖式中相同的參考編號指代相同的元件。

根據本發明的實施例，基板處理設備是能夠執行用於對基板進行退火的退火製程的設備。

圖1是示出根據本發明實施例的基板處理設備的剖視圖；圖2是根據本發明實施例的捕集器及鏡阻擋件的分解透視圖；圖3是根據本發明實施例的捕集器及鏡阻擋件的放大圖；且圖4是示出照射到基板的光進入捕集器中的視圖。

在下文中，將參照圖1到圖4而基於基板處理設備100的配置來闡述根據本發明實施例的基板處理設備100。

參照圖1，基板處理設備100包括：腔室110，被配置成在腔室110中容置基板S；光源130，被配置成向基板S照射光；截止器140，設置在所照射的光的路徑中，以阻擋所照射的光的至少一部分；捕集器150，被配置成使從基板S反射的光及從截止器140反射的光進入捕集器150中且消除所反射的光；以及鏡阻擋件160，設置在所照射的光的路徑與捕集器150之間，以使從基板S及截止器140中的至少一者反射的光進入捕集器150中。

由於鏡阻擋件160設置在所照射的光的路徑（在下文中被稱為光路徑P）與捕集器150之間，因此捕集器150可被鏡阻擋件160間隔開。也就是說，捕集器150可與光路徑P間隔開。因此，可抑制在捕集器150中產生的熱量傳遞到鏡阻擋件160，因此可抑制或防止照射到基板S的光的色斑。

此外，捕集器150與光路徑P可被位於捕集器150與光路徑P之間的鏡阻擋件160阻擋開。因此，可抑制在捕集器150中產生的熱量傳遞到鏡阻擋件160，因此可抑制或防止照射到基板S的光的色斑。

此外，基板處理設備100還可包括：基板支撐單元120，被配置成在腔室110內部對基板S進行支撐；驅動單元170，被配置成使捕集器150及鏡阻擋件160中的至少一者移動；光檢測單元，被配置成對光的能量值進行檢測；以及調整單元190。

同時，上述基板S可包括例如呈正方形板或圓形形狀晶片（其可用於製造顯示裝置）的形式的大面積玻璃基板。也就是說，基板S可包括應用於製造各種電子裝置（例如半導體晶片、太陽能電池或大面積玻璃基板）的製程的各種基板，且所述形狀也可包括除正方形板或圓形之外的各種形狀。在本發明的實施例中，將示例性地闡述基板S是呈正方形板的形式的大面積基板的情形。

腔室110可具有內空間，可在所述內空間中對基板S進行處理。此處，腔室110的空間可為其中對基板S進行處理的區以及其中使基板S移動的區。舉例來說，用於對基板進行處理的製程可包括製造製程（fabrication processes，FAB）（例如對基板S進行的沉積、刻蝕及灰化），且所述腔室可包括用於執行此類製程的製程腔室。也就是說，可將基板S引入腔室110的空間中，且可在腔室110內部執行基板處理製程。舉例來說，所述腔室可被設置成具有矩形橫截面的桶（barrel）的形式。然而，腔室110並不僅限於此且可具有各種結構及形狀。

基板支撐單元120安裝在腔室110內部，且基板S放置在基板支撐單元120的頂部上。此處，基板S可在製程前進方向（在下文中被稱為傳送方向（conveying direction））上水平移動。更具體來說，基板支撐單元120可設置在腔室110的空間中，且基板S可放置在基板支撐單元120的中心部分中。舉例來說，基板支撐單元120可被塑形成矩形板或圓形板的形式。因此，即使呈正方形板或圓形形狀晶片的形式的基板被裝載到基板支撐單元120中，基板也可針對基板的每一形狀而被放置在基板支撐單元120上。然而，基板支撐單元120並不僅限於此且可具有各種結構及形狀。在下文中，將示例性地闡述被設置成矩形板的形式的基板支撐單元120的情形。

另外，基板支撐單元120可通過黏合力對放置在基板支撐單元120上的基板S進行支撐。也就是說，在基板支撐單元120的上表面與基板S的下表面之間在垂直方向上存在預定間隙，使得基板S可被放置並固定到基板支撐單元120。此處，垂直方向可為與傳送方向正交的方向。舉例來說，基板支撐單元120可通過對空氣進行抽吸或通過靜電來產生黏合力。因此，放置在基板支撐單元120上的基板S可得到支撐。

光源130可設置在腔室110外部，以發射用於對基板S進行處理的光。光源130可被照射成使得光照射部分被朝向截止器140及基板S引導。此處，由光源130照射的光可為例如雷射光束。也就是說，所述光可為以在與傳送方向水平交叉的方向上延伸的線的形式而從光源130照射的雷射。當然，所述光並不僅限於線型雷射且可依據所期望的產品、製程條件、製程領域及類似物而被改變成各種類型的光。舉例來說，所述光可被改變成呈點（即，斑點）形式的雷射而不是線型雷射。

同時，光從光源130照射到基板S的路徑可為所述光路徑P。如圖3及圖4中所示，光路徑P可被形成為在垂直方向上傾斜。

截止器140可設置在所照射的光的路徑上，以阻擋從光源130照射的光的至少一部分。光路徑P可被設置成相對於傳送方向向下傾斜，使得截止器140可使光的一部分朝向捕集器150反射。截止器140可被形成為在橫向方向上延伸的板形狀。另外，截止器140可被設置為多個截止器140，所述多個截止器140可被設置成在橫向方向上彼此間隔開。因此，可在所述多個截止器140之間形成預定間隙。如上所述，由於光可以線的形式照射，因此光的一部分可通過所述多個截止器140之間的間隙以將光照射到基板S，且光的一部分可由所述多個截止器140反射到捕集器150。

同時，所述多個截止器140可分別在橫向方向上移動，因此可對在所述多個截止器140之間形成的間隙的長度進行調整。因此，當間隙的長度被調整時，照射到基板S的光的長度可被調整。此處，光的長度可為光相對於橫向方向的長度。

參照圖2及圖3，捕集器150可使從基板S反射的光以及從每一截止器140反射的光進入捕集器150中且被消除。捕集器150可在傳送方向上與截止器140及光路徑P間隔開且可在垂直方向上設置在光源130與截止器140之間。另外，捕集器150可在面對截止器140的一個表面上具有透光材料（light-transparent material）。

另外，捕集器150具有進入其中的光可移動的空間（即，內空間）且能夠通過使進入的光反射多次來消除光。捕集器150還可包括捕集器本體151及消光感應單元152。捕集器150還可包括排出口153及輔助冷卻單元154。

捕集器本體151可被形成為在傳送方向及橫向方向上延伸的箱形狀（box shape）。捕集器本體151具有內空間且光可進入所述內空間中。為此，捕集器本體151可在光進入的一側上設置有透射視窗151a。此處，捕集器本體151的所述一側可為基於傳送方向設置在與光源130相鄰的位置處的部分，且相對的部分可為另一側。透射視窗151a可由光可透射穿過的材料形成。舉例來說，透射視窗151a可由石英製成。然而，透射視窗151a並不僅限於此，且可使用能夠使光透射的各種材料。

同時，捕集器本體151的內空間可被密封，以防止通過透射視窗151a進入的光洩漏到外部。因此，進入捕集器本體151的內空間中的光可在捕集器本體151內被反射多次，且可在光反射期間被消光感應單元152消除，如下所述。

另外，捕集器本體151可具有氣體管道（gas pipe）151b以在捕集器本體151中供應惰性氣體。氣體管道151b與捕集器本體151的內空間連通，使得惰性氣體可被供應到捕集器本體151的內空間。因此，捕集器本體151的內空間可處於惰性氣體氣氛下。也就是說，可減小捕集器本體151的內空間中的空氣中的氧氣（O ₂）的比率（即，濃度）。因此，即使內空間中的空氣如下所述般通過排出口153被排放到腔室110的內空間，也可抑制或防止基板S的氧化及照射到基板S的光的色斑。舉例來說，由氣體管道151b供應的惰性氣體可包括氮氣（N ₂）。

消光感應單元152可使透射到捕集器本體151的內部中的光反射多次且消除所透射的光。此處，透射到捕集器本體151中的光可包括從基板S反射的光及從截止器140反射的光二者。舉例來說，消光感應單元152可安裝在捕集器本體151的內壁中的至少一者上以消除光。消光感應單元152可包括感應構件152a、第一消光構件152b及第二消光構件152c。

感應構件152a可安裝在捕集器本體151的內壁的上部部分上。感應構件152a可被形成為在傳送方向上延伸的板形狀。感應構件152a可使所透射的光反射，使得透射穿過透射視窗151a的光被朝向第一消光構件152b引導。

同時，感應構件152a的上表面可與捕集器本體151的內壁的上部部分進行表面接觸，且感應構件152a的側表面及下表面可暴露於捕集器本體151的內空間。此處，在感應構件152a的側表面及下表面上可形成有塗布層。此處，塗布層可為例如紫外（ultra-violet，UV）塗布層。因此，感應構件152a可使進入捕集器本體151中的光更有效地反射到第一消光構件152b。

第一消光構件152b可初次抵消及消除從感應構件152a反射的光。第一消光構件152b可安裝在捕集器本體151的另一側的內壁上。此處，第一消光構件152b可在一側上具有不規則特徵。不規則特徵可被設置為位於第一消光構件152b的一側上的多個不規則特徵，且一個不規則特徵可具有幾微米（μm）到幾十微米的寬度。因此，從感應構件152a反射的光的接觸面積可通過第一消光構件152b的不規則特徵而增大，且光的能量可被更有效地轉換成熱量以抵消及消除光。在此種情形中，可通過噴砂製程（sand blast process）在第一消光構件152b上設置所述多個不規則特徵，且寬度可為例如3 μm到4 μm。

第二消光構件152c可被設置成面對第一消光構件152b，由此與第一消光構件152b協作使光陷獲且使所陷獲的光反射多次。第二消光構件152c可耦合到捕集器本體151的內壁的下部部分且可在垂直方向上具有比第一消光構件152b的長度短的長度。因此，通過第二消光構件152c的上表面與捕集器本體151的內壁的上部部分之間的間隙從感應構件152a反射的光可進入第一消光構件152b與第二消光構件152c之間的空間中，且進入的光可被陷獲在第一消光構件152b與第二消光構件152c之間且在第一消光構件152b及第二消光構件152c中被反射多次。

另外，第二消光構件152c可在一側及另一側上具有不規則特徵。不規則特徵可被設置為位於第二消光構件152c的一側及另一側上的多個不規則特徵，且一個不規則特徵可具有幾微米到幾十微米的寬度。因此，從第一消光構件152b反射的光的接觸面積可通過第二消光構件152c的不規則特徵而增大，且光的能量可被更有效地轉換成熱量以抵消及消除光。在此種情形中，可通過噴砂製程在第二消光構件152c上設置所述多個不規則特徵，且寬度可為例如3 μm到4 μm。

排出口153可將捕集器本體151的內空間中的流體排放到捕集器本體151的外部。也就是說，排出口153可將由當在捕集器本體151的內空間中消除光時產生的熱量進行加熱的空氣排放到捕集器本體151的外部。此處，排出口153可將內空間中的流體排放到腔室110的外部。排出口153可安裝在捕集器本體151的另一側上，以與捕集器本體151的內空間連通。也就是說，排出口153安裝在與光進入捕集器本體151中的位置相對的位置（即，捕集器本體151的另一側）處，使得流體可被排放到捕集器本體151的另一側。因此，由於被加熱的流體被排放到與光從光源130照射到基板S的位置間隔開的位置，因此可抑制或防止熱量傳遞到光路徑P。

輔助冷卻單元154可使捕集器本體151的內空間中的空氣冷卻，所述空氣在消光（light extinction）期間被加熱。輔助冷卻單元154安裝在捕集器本體151的上部部分上，且冷卻流體（即，冷卻劑）可在輔助冷卻單元154中循環。也就是說，輔助冷卻單元154使捕集器本體151冷卻以防止捕集器本體151的溫度升高。舉例來說，輔助冷卻單元154可被設置成冷卻護套（cooling jacket）的形式。

更具體來說，輔助冷卻單元154可安裝在輔助冷卻構件154a中且可包括輔助冷卻劑循環管道154b，輔助冷卻構件154a安裝在捕集器本體151的上部部分上，冷卻流體（例如，冷卻水）在輔助冷卻劑循環管道154b中循環。此處，輔助冷卻劑循環管道154b的一個端部可連接到輔助冷卻劑供應管道（未示出）。因此，當光進入捕集器本體151中且在捕集器本體151中被抵消及消除時，即使捕集器本體151由消光期間產生的熱量加熱，捕集器本體151也可被通過輔助冷卻劑循環管道154b循環的冷卻流體冷卻。因此，可防止捕集器本體151的溫度升高及由於溫度不均勻性引起的熱變形。

同時，輔助冷卻單元154還可包括用於對輔助冷卻構件154a的溫度進行測量的輔助溫度感測器（未示出）以及輔助控制構件（未示出）。輔助冷卻單元154可使用輔助溫度感測器來對輔助冷卻構件154a的溫度進行測量，且輔助控制構件可基於由輔助溫度感測器測量的溫度來對輔助冷卻構件154a的溫度進行控制。也就是說，輔助控制構件可通過對供應到輔助冷卻劑循環管道154b的冷卻流體的量進行控制來對輔助冷卻構件154a的溫度進行控制。

鏡阻擋件160可設置在光路徑P與捕集器150之間，以使從基板S及截止器140中的至少一者反射的光進入捕集器150中且將捕集器150與光路徑P間隔開。也就是說，鏡阻擋件160的一側可在傳送方向上與光路徑P間隔開，且鏡阻擋件160的另一側可在傳送方向上與捕集器150間隔開。另外，由於鏡阻擋件160設置在捕集器150與光路徑P之間，因此鏡阻擋件160可用於阻擋熱量從捕集器150傳遞到光路徑P。

同時，鏡阻擋件160的一側可為鏡阻擋件160的與光路徑P相鄰的一部分，且鏡阻擋件160的另一側可被定位成與鏡阻擋件160的一側（即，鏡阻擋件160的與捕集器150相鄰的一部分）相對。因此，捕集器150可通過鏡阻擋件160而與光路徑P隔開且可抑制或防止從捕集器150產生的熱量傳遞到光路徑P。

鏡阻擋件160可被設置成與捕集器150間隔開。因此，可防止熱量從捕集器150傳遞到鏡阻擋件160。如果鏡阻擋件160沒有與捕集器150間隔開，則在捕集器150中產生的熱量可能會傳遞到鏡阻擋件160。傳遞的熱量被傳遞到光路徑P以形成光的色斑。因此，通過將鏡阻擋件160與捕集器150隔開，可防止熱量的傳遞。因此，由於來自捕集器150的熱量被抑制傳遞到鏡阻擋件160，因此熱量可不對光路徑P造成影響。

另外，由於鏡阻擋件160的一側與光路徑P間隔開且另一側與捕集器150間隔開，因此捕集器150可進一步與光路徑P間隔開。另外，由於鏡阻擋件160被設置成與捕集器間隔開，因此捕集器150與光路徑P之間的空間可被阻擋。因此，可抑制熱量從捕集器150傳遞到光路徑P。

更具體來說，鏡阻擋件160可在傳送方向及橫向方向上延伸。也就是說，鏡阻擋件160可在捕集器150與光路徑P隔開的方向（即，傳送方向）上延伸。此處，鏡阻擋件160在傳送方向上的長度可長於從基板S反射的光被散射的範圍。也就是說，鏡阻擋件160在傳送方向上的長度可長於從基板S反射的光被散射的範圍，使得所有散射的光可被反射到捕集器150。因此，從基板S反射的所有光可在不在傳送方向上滑入到鏡阻擋件160的前側或後側中的情況下進入捕集器150中。

鏡阻擋件160可在垂直方向上具有預定長度。因此，鏡阻擋件160可阻擋捕集器150與光路徑P之間的間隙，由此抑制熱量從捕集器150傳遞到光路徑P。

另外，鏡阻擋件160在垂直方向上的長度可從一側到另一側逐漸減小。更具體來說，鏡阻擋件160的下表面可被形成為相對於傳送方向向上傾斜。也就是說，鏡阻擋件160的下表面可被形成為朝向捕集器150向上傾斜的傾斜表面。此處，鏡阻擋件160的傾斜表面可具有比從基板反射的光的反射角度小的角度。因此，從基板S反射的所有光可進入捕集器本體151的內空間中。舉例來說，鏡阻擋件160的傾斜表面可被形成為圓形形狀或錐形形狀。

另外，在鏡阻擋件160的傾斜表面上可形成有塗布層161。此處，塗布層可為例如UV塗布層或抗氧化塗布層。因此，感應構件152a可使進入捕集器本體151的光更有效地反射到第一消光構件152b。另外，可抑制或防止鏡阻擋件160的傾斜表面由於在基板處理製程期間產生的氧氣而氧化。

鏡阻擋件160還可包括冷卻單元162，以使鏡阻擋件160冷卻。冷卻單元162可在鏡阻擋件160內部被安裝成與光路徑P相鄰，以使鏡阻擋件160冷卻。也就是說，冷卻單元162可使鏡阻擋件160冷卻，以降低光路徑P與捕集器150之間的空間的溫度，由此抑制或防止熱量從捕集器150傳遞到光路徑P。冷卻單元162可包括冷卻構件162a及冷卻劑循環管道162b。

冷卻構件162a在鏡阻擋件160內部安裝在一側上，且冷卻流體可在冷卻構件162a中循環。也就是說，冷卻單元162使冷卻構件162a冷卻，以防止鏡阻擋件160的溫度升高。冷卻構件162a可包括冷卻劑循環管道162b，冷卻流體（例如，冷卻水）在冷卻劑循環管道162b中循環。此處，冷卻劑循環管道162b的一個端部可連接到冷卻劑供應管道（未示出）。因此，即使鏡阻擋件160被從捕集器本體151洩漏的熱量加熱，鏡阻擋件160也可由通過冷卻劑循環管道162b循環的冷卻流體冷卻。因此，不論從捕集器本體151傳遞的熱量如何，均可保持鏡阻擋件160的低溫度。

同時，冷卻單元162還可包括用於對冷卻構件162a的溫度進行測量的溫度感測器162c以及控制構件162d。冷卻單元162可使用溫度感測器162c對冷卻構件162a的溫度進行測量，且控制構件162d可基於所測量的溫度對冷卻構件162a的溫度進行控制。也就是說，控制構件162d可通過對供應到冷卻劑循環管道162b的冷卻流體的量進行控制來對冷卻構件162a的溫度進行控制。

驅動單元170可使鏡阻擋件160及捕集器150中的至少一者在捕集器150與鏡阻擋件160隔開的方向（即，傳送方向）上移動。在下文中，將示例性地闡述驅動單元170使鏡阻擋件160及捕集器150二者在傳送方向上移動的情形。驅動單元170可包括第一驅動構件171及第二驅動構件172。

第一驅動構件171連接到鏡阻擋件160，且第一驅動構件171可被形成為可在傳送方向上向前移動及向後移動。舉例來說，第一驅動構件171可使用磁懸浮方法（magnetic levitation method）向前移動及向後移動。也就是說，可在腔室110的內側壁上形成導軌，並且導軌在傳送方向上延伸且具有在傳送方向上交替佈置的具有相反極性的磁體。第一驅動構件171可沿著導軌向前移動或向後移動。隨著第一驅動構件171向前移動或向後移動，鏡阻擋件160的位置可相對於傳送方向而發生改變，使得從基板S反射的光被再次反射到捕集器150的角度可改變一定的量。

一般來說，基板S的平整度可依據基板支撐單元120的狀態而發生變化。此處，當基板S的平整度發生改變時，從基板S反射的光的反射角度可改變一定的量。因此，通過依據改變的光反射角度使第一驅動構件171向前移動或向後移動，從基板S反射的所有光可進入捕集器150中。另外，通過使第一驅動構件171遠離圖式中的光路徑P移動，光路徑P與捕集器150可進一步間隔開。因此，可抑制或防止在捕集器150中產生的熱量傳遞到光路徑P。

第二驅動構件172連接到捕集器150，且第二驅動構件172可被形成為可在傳送方向上向前移動及向後移動。舉例來說，第二驅動構件172可使用磁懸浮方法向前移動及向後移動。也就是說，可在腔室110的內側壁上形成導軌，並且導軌在傳送方向上延伸且具有在傳送方向上交替佈置的具有相反極性的磁體。第二驅動構件172可沿著導軌向前移動或向後移動。隨著第二驅動構件172向前移動或向後移動，捕集器150的位置可相對於傳送方向發生改變，使得可抑制或防止熱量從捕集器150傳遞到光路徑P。

光檢測單元180可至少局部地設置在捕集器150內部，以對進入捕集器150中的光進行監測。也就是說，光檢測單元180可對進入捕集器本體151的光之中從基板S反射的光的能量值進行檢測。因此，由於光檢測單元形成在捕集器150內部且在光最終到達的位置處對光進行檢測，因此光檢測單元可有效地對所有所反射的光及輸入的光進行檢測。舉例來說，光檢測單元180可安裝在捕集器本體151的另一側的端部處。另外，光檢測單元180可包括能量計。

同時，由光檢測單元180檢測到的能量值可依據基板S的平整度而發生變化。也就是說，當存在基板S的具有不同平整度的突出部分時，光吸收率及反射率（即，反射角度）可有所變更。因此，由光檢測單元180檢測到的光的能量值也可大大變更。也就是說，由光檢測單元180針對從基板S的具有不同平整度的部分反射的光檢測到的能量值可不同於從具有恆定平整度的部分反射的光的能量值。因此，當光檢測單元180檢測到的能量值不同時，可通過調整單元190對基板S的平整度進行調整，如下所述。

調整單元190連接到光檢測單元180，且調整單元190可依據由光檢測單元180檢測到的光的能量值來對基板支撐單元120的黏合力進行調整。也就是說，當由光檢測單元180檢測到的從基板S反射的光的能量值處於預先設定的值或超過預先設定的值時，調整單元可對基板支撐單元120的黏合力進行調整。此處，為對基板支撐單元120的黏合力進行調整，調整單元190可通過使由基板支撐單元120抽吸的壓力增大來對基板S的平整度進行調整。另外，調整單元190可通過以下方式對平整度進行調整：使電流流動到基板支撐單元120以在基板支撐單元120中感應出靜電且通過所感應出的靜電將基板S朝向基板支撐單元120拉動。

一般來說，當基板S通過基板支撐單元120的黏合力被支撐在基板支撐單元120上時，在基板S與基板支撐單元120的上表面之間可能會產生氣泡。在此種情形中，基板S的平整度可發生改變。作為另外一種選擇，由於基板S處理製程期間的異常，可能會出現基板S的具有不同平整度的一部分。舉例來說，在基板S上可能會出現細小的褶皺（wrinkles）。當光由基板S的具有不同平整度的一部分反射時，由光檢測單元180檢測到的光的能量值可有所變更。也就是說，由於具有不同平整度的部分（即，基板S的突出部分）具有與平整部分不同的光吸收率及反射率（即，反射角度），因此在反射之後檢測到的能量值也可不同於平整部分。

因此，當接收到從光檢測單元180檢測到的能量值處於預先設定的值或超過預先設定的值的資訊時，調整單元190將基板支撐單元120的黏合力調整成使得基板S的具有不同平整度的部分具有與其他部分相同的平整度。也就是說，可通過以下方式對基板S的平整度進行調整：使由基板支撐單元120抽吸的壓力增大，或者作為另外一種選擇通過使電流流動到基板支撐單元120以在基板支撐單元120中感應出靜電且通過所感應出的靜電將基板S朝向基板支撐單元120拉動。

因此，基板S的平整度可完全均勻。也就是說，可實現特定部分不從基板S突出的完全平整狀態。因此，如果基板S的平整度完全均勻，則基板S可具有總體上相似的光反射率及吸收率，且因此由光檢測單元180檢測到的光的能量值可總體上恆定。

在下文中，將參照圖4闡述由光源130發射的光進入捕集器150中且在捕集器150中被消除的過程。

參照圖4所示（a），光可從光源130發射到基板S。此處，光可以線的形式從光源130發射。因此，線型光的一部分被多個截止器140反射，且一部分可通過所述多個截止器140之間的間隙。如圖4的（a）中所示，通過所述多個截止器140之間的間隙的光可照射到基板S。

此後，從基板S反射的光可與鏡阻擋件160的傾斜表面接觸。與鏡阻擋件160的傾斜表面接觸的光可被反射並被朝向捕集器本體151的透射窗口151a引導。然後，通過透射視窗151a的光進入捕集器本體151中。然後，光被感應構件152a反射。然後，光的一部分可輸入到光檢測單元180中，且一部分可與第一消光構件152b接觸。此時，可對接觸的光的一部分進行消光。也就是說，可對光進行初次消光。然後，未被第一消光構件152b進行消光的光可朝向第二消光構件152c反射。因此，可由第二消光構件152c對光進行二次消光。然後，未被第二消光構件152c進行消光的光可被再次反射到第一消光構件152b，且可重複進行相同的過程，使得可在第一消光構件152b與第二消光構件152c之間消除所有的光。

參照圖4所示（b），光可從光源130發射到基板S。如前面所闡述，光可以線的形式從光源130發射。因此，線型光的一部分被多個截止器140反射，且一部分可通過所述多個截止器140之間的間隙。如圖4的（b）中所示，從所述多個截止器140反射的光可被朝向透射窗口151a引導。

通過透射視窗151a的光可進入捕集器本體151中且被感應構件152a反射。然後，所述光的一部分可與第一消光構件152b接觸。此時，可對接觸的光的一部分進行消光。也就是說，可對光進行初次消光。然後，未被第一消光構件152b進行消光的光可朝向第二消光構件152c反射。因此，可由第二消光構件152c對光進行二次消光。然後，未被第二消光構件152c進行消光的光可被再次反射到第一消光構件152b，且可重複進行相同的過程，使得可在第一消光構件152b與第二消光構件152c之間消除所有的光。

根據本發明，通過將捕集器與照射到基板的光的路徑隔開，可抑制或防止在捕集器中產生的熱量傳遞到所照射的光。因此，可抑制或防止照射到基板的光的色斑。另外，可使照射到基板的光的路徑與捕集器之間的空間冷卻。因此，還可通過抑制熱量從捕集器傳遞到所照射的光來抑制或防止光的色斑。另外，可通過即時對進入捕集器中的光進行監測來檢查基板是否被有效地退火。

這樣一來，儘管在詳細說明中已闡述了本發明的具體實施例，然而可在不背離本發明的範圍的條件下對本發明進行各種修改。據以，本發明的範圍不應僅限於本文中闡述的實施例，而是應僅由以下申請專利範圍及其等效內容來界定。

100:基板處理設備 110:腔室 120:基板支撐單元 130:光源 140:截止器 150:捕集器 151:捕集器本體 151a:透射視窗 151b:氣體管道 152a:感應構件 152b:第一消光構件 152c:第二消光構件 153:排出口 154:輔助冷卻單元 154a:輔助冷卻構件 154b:輔助冷卻劑循環管道 160:鏡阻擋件 161:塗布層 162:冷卻單元 162a:冷卻構件 162b:冷卻劑循環管道 162c:溫度感測器 162d:控制構件 170:驅動單元 171:第一驅動構件 172:第二驅動構件 180:光檢測單元 190:調整單元 P:光路徑 S:基板

圖1是示出根據本發明實施例的基板處理設備的剖視圖。 圖2是根據本發明實施例的捕集器及鏡阻擋件的分解透視圖。 圖3是根據本發明實施例的捕集器及鏡阻擋件的放大圖。 圖4是示出照射到基板的光進入捕集器中的視圖。

100:基板處理設備

110:腔室

120:基板支撐單元

130:光源

140:截止器

150:捕集器

160:鏡阻擋件

170:驅動單元

180:光檢測單元

190:調整單元

P:光路徑

S:基板

Claims (15)

1. 一種基板處理設備，包括： 腔室，被配置成在所述腔室中容置基板； 光源，被配置成向所述基板照射光； 截止器，設置在所照射的所述光的路徑中，以阻擋所照射的所述光的至少一部分； 捕集器，被配置成使從所述基板反射的光或從所述截止器反射的光進入所述捕集器中且消除所反射的所述光；以及 鏡阻擋件，設置在所照射的所述光的所述路徑與所述捕集器之間，以使從所述基板及所述截止器中的至少一者反射的所述光進入所述捕集器中。
2. 如請求項1所述的基板處理設備，其中所述鏡阻所述鏡阻擋件被設置成與所述捕集器間隔開。
3. 如請求項1所述的基板處理設備，其中所述鏡阻擋件在所述捕集器與所照射的所述光的所述路徑隔開的方向上延伸，且所述鏡阻擋件的延伸長度長於從所述基板反射的所述光被散射的範圍。
4. 如請求項1所述的基板處理設備，其中所述鏡阻擋件具有下表面，所述下表面被形成為朝向所述捕集器傾斜的傾斜表面，且在所述傾斜表面上設置有塗布層。
5. 如請求項4所述的基板處理設備，其中所述鏡阻擋件的所述傾斜表面被形成為圓形形狀或錐形形狀，且所述傾斜表面具有比從所述基板反射的所述光的反射角度小的角度。
6. 如請求項1所述的基板處理設備，其中所述鏡阻擋件還包括冷卻單元，所述冷卻單元在所述鏡阻擋件內部被安裝成與所照射的所述光的所述路徑相鄰且被配置成使所述鏡阻擋件冷卻。
7. 如請求項6所述的基板處理設備，其中所述冷卻單元包括： 冷卻構件，被配置成使冷卻流體在所述冷卻構件中循環； 溫度感測器，被配置成對所述冷卻構件的溫度進行測量；以及 冷卻控制構件，被配置成依據由所述溫度感測器測量的溫度來對所供應的所述冷卻流體的量進行控制。
8. 如請求項1所述的基板處理設備，其還包括驅動單元，所述驅動單元被配置成使所述鏡阻擋件及所述捕集器中的至少一者在所述捕集器與所述鏡阻擋件隔開的方向上移動。
9. 如請求項8所述的基板處理設備，其中所述驅動單元包括： 第一驅動構件，連接到所述鏡阻擋件且耦合到所述腔室以能夠向前移動及向後移動；以及 第二驅動構件，連接到所述捕集器且被配置成依據所述第一驅動構件的移動而向前移動及向後移動。
10. 如請求項1所述的基板處理設備，其中所述捕集器包括： 捕集器本體，具有內空間且設置有透射視窗，光能夠在面對所述鏡阻擋件的一側上通過所述透射視窗；以及 消光感應單元，被配置成使透射到所述捕集器本體的內部中的光反射多次且消除所透射的所述光。
11. 如請求項10所述的基板處理設備，其中所述消光感應單元包括： 感應構件，設置在所述內空間的頂部上且被配置成使透射到所述捕集器本體的另一側的內壁的光反射； 第一消光構件，設置在所述捕集器本體的所述另一側的所述內壁上；以及 第二消光構件，被設置成面對所述第一消光構件且被配置成使所述光陷獲在所述第二消光構件中且使所述光反射多次。
12. 如請求項11所述的基板處理設備，其中所述第一消光構件及所述第二消光構件在所述第一消光構件與所述第二消光構件的面對彼此的各表面上具有不規則特徵。
13. 如請求項10所述的基板處理設備，其中所述捕集器還包括： 排出口，被配置成將所述內空間中的流體排放到所述捕集器本體的外部；以及 輔助冷卻單元，被配置成使所述內空間中的所述流體冷卻。
14. 如請求項1所述的基板處理設備，其還包括： 光檢測單元，所述光檢測單元的至少一部分設置在所述捕集器內部，以對進入所述捕集器中的光進行監測。
15. 如請求項14所述的基板處理設備，其還包括： 基板支撐單元，被配置成通過黏合力對所述基板進行支撐；以及 調整單元，被配置成當由所述光檢測單元檢測到的從所述基板反射的所述光的能量值處於預先設定的範圍內時對所述基板支撐單元的所述黏合力進行調整。

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