KR102646732B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 내부에 기판을 수용하는 챔버; 상기 기판으로 광을 조사하는 광원; 조사된 광의 적어도 일부를 차단하도록, 조사된 광의 경로에 배치되는 커터; 상기 기판에서 반사된 광 또는 상기 커터에서 반사된 광을 내부로 입사하여 소멸시키기 위한 덤프; 및 상기 기판 및 상기 커터 중 적어도 어느 하나에서 반사된 광을 상기 덤프로 입사시키고, 상기 광의 경로와 상기 덤프 사이에 제공되는 미러블록;을 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for substrating treatment}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 기판을 향해 조사되는 광으로 덤프에서 발생된 열기가 전달되는 것을 억제할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
액정디스플레이 장치, 태양광 장치 등을 제조하는데 있어서, 비정질 다결정 박막(예컨대, 비정질 다결정 실리콘 박막)을 결정화시키기 위해 열처리 공정이 수행된다. 이때, 기판으로 유리(glass)를 사용할 경우, 레이저를 이용하여 비정질 다결정 박막을 결정화시킨다.
보다 구체적으로, 기판 처리 장치는 내부에 기판이 처리되는 공간을 가지는 챔버, 챔버 내부에 설치되어 상부에 기판이 안치되며, 공정이 진행되는 방향으로 이동하는 스테이지, 챔버의 상측에서 기판을 향해 레이저를 출력하는 광원, 기판으로부터 반사되어반사광을 흡수하여 소멸시키는 덤프를 포함한다.
종래에는, 기판으로 조사된 레이저가 반사되어 덤프로 유입되고, 덤프의 내부에서 레이저가 복수회 반사되며 소멸될 수 있다. 이때, 레이저가 소멸되는 과정에서, 덤프의 내부에 열이 발생할 수 있다. 덤프에서 발생된 열은 덤프의 외부, 예컨데, 기판으로 조사되는 레이저로 전달될 수 있다. 이에, 기판으로 조사되는 레이저에 무라(mura)가 발생하는 문제가 있다. 기판으로 조사되는 레이저에 무라가 발생하면, 기판이 원활하게 어닐링되지 못하게 된다. 따라서, 덤프에서 발생된 열이 기판으로 조사되는 레이저로 전달되는 것을 억제할 수 있는 기판 처리 장치가 필요한 실정이다.
KR 10-2011-0071591 A
본 발명은 기판으로 조사된 광의 경로로부터 덤프를 이격시킬 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판으로 조사된 광의 경로와 덤프 사이의 공간을 냉각시킬 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
본 발명은 내부에 기판을 수용하는 챔버; 상기 기판으로 광을 조사하는 광원; 조사된 광의 적어도 일부를 차단하도록, 조사된 광의 경로에 배치되는 커터;
상기 기판에서 반사된 광 또는 상기 커터에서 반사된 광을 내부로 입사하여 소멸시키기 위한 덤프; 및 상기 기판 및 상기 커터 중 적어도 어느 하나에서 반사된 광을 상기 덤프로 입사시키고, 상기 광의 경로와 상기 덤프 사이에 제공되는 미러블록;을 포함한다.
상기 미러블록은, 상기 덤프와 이격 배치된다.
상기 미러블록은, 상기 광의 경로와 상기 덤프가 이격된 방향으로 연장되고, 상기 미러블록의 연장된 길이는, 상기 기판에서 반사된 광이 산란되는 범위보다 길게 형성된다.
상기 미러블록은, 하부면이 상기 덤프를 향해 경사진 경사면으로 형성되고, 상기 경사면에 코팅층을 구비한다.
상기 미러블록은, 상기 경사면이 라운드 혹은 테이퍼로 형성되고, 상기 경사면의 각도는, 상기 기판에서 반사되는 광의 반사각보다 작게 형성된다.
상기 미러블록은, 상기 미러블록의 내부에서 상기 광의 경로에 인접하게 설치되고, 상기 미러블록을 냉각시키기 위한 냉각부;를 더 포함한다.
상기 냉각부는, 내부에 냉각유체가 순환 가능한 냉각부재; 상기 냉각부재의 온도를 측정하기 위한 온도센서; 및 상기 온도센서에서 측정된 온도에 따라, 상기 냉각유체의 공급량을 제어하기 위한 냉각 제어부재;를 포함한다.
상기 미러블록과 상기 덤프가 이격된 방향으로 상기 미러블록과 상기 덤프 중 적어도 어느 하나를 이동시키기 위한 구동부;를 더 포함한다.
상기 구동부는, 상기 미러블록에 연결되고, 전후진 이동 가능하게 상기 챔버에 결합되는 제1 구동부재; 및 상기 덤프에 연결되고, 상기 제1 구동부재의 이동에 연동하여 전후진 이동 가능한 제2 구동부재;를 포함한다.
상기 덤프는, 내부공간을 갖고, 상기 미러블록과 마주보는 일측에 광의 투과가 가능한 투과창을 구비하는 덤프바디; 및 상기 덤프바디의 내부로 투과된 광을 복수회 반사시켜 광을 소멸시키는 소멸 유도부;를 포함한다.
상기 소멸 유도부는, 상기 내부공간의 상부에 제공되고, 투과된 광을 상기 덤프바디의 타측 내벽으로 반사시키는 유도부재; 상기 덤프바디의 타측 내벽에 제공되는 제1 소멸부재; 및 상기 제1 소멸부재와 마주보게 배치되고, 내부에 광을 가둬 복수회 반사시키는 제2 소멸부재;를 포함한다.
상기 제1 소멸부재 및 상기 제2 소멸부재는, 서로 마주보는 일면에 각각 요철이 마련된다.
상기 덤프는, 상기 내부공간의 유체를 상기 덤프바디의 외부로 배출시키는 배기 포트; 및 상기 내부공간의 유체를 냉각시키기 위한 보조냉각부;를 더 포함한다.
상기 덤프로 입사된 광을 모니터링할 수 있도록, 적어도 일부가 상기 덤프의 내부에 제공되는 광 검출부;를 더 포함한다.
부착력을 발생시켜 상기 기판을 지지하는 기판 지지대; 상기 광 검출부에서 검출된 상기 기판에서 반사된 광의 에너지값이 기 설정된 설정범위일 경우, 상기 기판 지지대의 부착력을 조절하는 조절부;를 더 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 기판으로 조사된 광의 경로로부터 덤프를 이격시켜, 덤프에서 발생된 열이 조사된 광으로 전달되는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다. 이에, 기판으로 조사된 광에 무라가 발생하는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다.
또한, 미러블록이 광의 경로와 덤프 사이의 공간을 차단하여 덤프의 열기가 광으로 전도되는 것을 차단할 수 있다. 이에, 광에 무라가 발생하는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다.
또한, 기판으로 조사된 광의 경로와 덤프 사이의 공간을 냉각시킬 수 있다. 이에, 덤프의 열이 조사된 광으로 전달되는 억제하여 광에 무라가 발생하는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다.
또한, 덤프로 유입된 광을 실시간으로 모니터링하여 기판이 원활하게 어닐링되는지 확인할 수 있다. 즉, 기판의 평탄도가 일정한지 확인할 수 있다. 이에, 기판의 평탄도가 특정 부분에서 상이할 경우, 기판에 더 강한 부착력을 가하여 기판의 평탄도를 일정하게 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 단면도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 덤프 및 미러블록의 분해사시도.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 덤프 및 미러블록을 확대한 도면.
도 4는 기판으로 조사된 광이 덤프로 유입되는 모습을 도시한 도면.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 발명을 상세하게 설명하기 위해 도면은 과장될 수 있고, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판을 어닐링하는 어닐링 공정을 진행할 수 있는 장치에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 단면도이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 덤프 및 미러블록의 분해사시도이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 덤프 및 미러블록을 확대한 도면이고, 도 4는 기판으로 조사된 광이 덤프로 유입되는 모습을 도시한 도면이다.
하기에서는, 도 1 내지 도 4를 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(100)의 구조를 설명한다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 내부에 기판(S)을 수용하는 챔버(110), 기판(S)으로 광을 조사하는 광원(130), 조사된 광의 적어도 일부를 차단하도록 조사된 광의 경로에 배치되는 커터(140), 기판(S)에서 반사된 광 및 커터(140)에서 반사된 광을 내부로 입사하여 소멸시키기 위한 덤프(150) 및 기판(S) 및 커터(140) 중 적어도 어느 하나에서 반사된 광을 덤프(150)로 입사시키고 광의 경로(P)와 덤프(150) 사이에 제공되는 미러블록(160)을 포함한다.
미러블록(160)이 광의 경로(P)와 덤프(150) 사이에 제공됨에 따라, 미러블록(160)을 통해 덤프(150)가 이격될 수 있다. 즉, 광의 경로(P)로부터 덤프(150)를 이격시킬 수 있다. 이에, 덤프(150)의 열기가 미러블록(160)으로 전달되는 것을 억제할 수 있다. 이에, 기판(S)을 조사되는 광에 무라가 발생되는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다.
또한, 미러블록(160)이 덤프(150)와 광의 경로(P) 사이에서 덤프(150)와 광의 경로(P)를 차단할 수 있다. 따라서, 덤프(150)의 열기가 미러블록(160)으로 전도되는 것을 억제할 수 있다. 이에, 기판(S)을 조사되는 광에 무라가 발생되는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다.
또한, 기판 처리 장치(100)는 챔버(110)의 내부에서 기판(S)이 안치되는 기판 지지대(120), 덤프(150)와 미러블록(160) 중 적어도 어느 하나를 이동시킬 수 있는 구동부(170), 광의 에너지값을 검출하는 광 검출부(180) 및 조절부(190)를 더 포함할 수 있다.
한편, 상술한 기판(S)은 예컨대, 디스플레이 장치의 제조에 사용될 수 있는 사각판 형상의 대면적의 유리 기판 혹은 원형 형상의 웨이퍼를 포함할 수 있다. 즉, 기판(S)은 반도체 칩과 태양전지 혹은 대면적의 유리 기판 등의 각종 전자 장치를 제조하는 공정에 적용되는 기판을 포함하여 다양할 수 있고, 그 형상도 사각판 혹은 원형 외에 다양할 수 있다. 본 발명의 실시 예에서는, 기판(S)이 사각판 형상의 대면적 기판인 경우를 예시적으로 설명한다.
챔버(110)는 기판(S)이 기판(S)이 처리될 수 있도록, 내부에 공간을 가질 수 있다. 여기서, 챔버(110)의 공간은 기판(S)에 처리공정이 수행되는 영역 및 기판(S)이 이동하는 영역을 지칭하는 것일 수 있다. 예를 들어, 기판 처리 공정은 기판(S)에 증착, 식각, 애싱(ashing), 에칭(etching) 등의 제조(FAB: fabrication) 공정을 포함할 수 있고, 챔버(110)는 상기 공정들을 수행할 수 있는 공정 챔버를 포함할 수 있다. 즉, 챔버(110)의 공간으로 기판(S)이 유입되고, 챔버(110) 내에서 기판 처리 공정이 진행될 수 있다. 예를 들어, 챔버는 단면이 사각형인 통 형상으로 마련될 수 있다. 하지만, 챔버(110)의 구조 및 형상은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.
기판 지지대(120)는 챔버(110) 내부에 설치되어 상부에 기판(S)이 안치되고, 기판(S)을 공정 진행 방향(이하, 이송방향이라 함)으로 수평 이동시킬 수 있다. 보다 구체적으로, 기판 지지대(120)는 챔버(110)의 공간에 제공되며, 중심부에 기판(S)이 안착될 수 있다. 예를 들어, 기판 지지대(120)는 직사각형의 판형상 혹은 원판 형상으로 형성될 수 있다. 이에, 기판 지지대(120)에 사각판 형상의 기판이 반입되거나 혹은 원형 웨이퍼 형상의 기판이 반입되더라도 각각의 기판의 형상에 맞추어 기판을 기판 지지대(120)에 안착시킬 수 있다. 하지만, 기판 지지대(120)의 구조와 형상은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다. 하기에서는 기판 지지대(120)가 직사각형의 판형상으로 제공되는 경우를 예시적으로 설명한다.
또한, 기판 지지대(120)는 부착력을 발생시켜 안치된 기판(S)을 지지할 수 있다. 즉, 상하방향을 기준으로, 기판 지지대(120)의 상면과 기판(S)의 하면 사이에 소정의 간격을 가지며, 기판(S)이 기판 지지대(120)에 안착 및 고정될 수 있다. 여기서, 상하방향은 이송방향에 대하여 수직하게 직교하는 방향일 수 있다. 예를 들어, 기판 지지대(120)는 공기를 흡인하여 부착력을 발생시키거나, 혹은 정전기를 통해 부착력을 발생시킬 수 있다. 이에, 기판 지지대(120)에 안치된 기판(S)이 지지될 수 있다.
광원(130)은 챔버(110)의 외부에 배치되어 기판(S)을 처리하기 위한 광을 출력할 수 있다. 광원(130)은 광을 조사하는 부분이 커터(140) 및 기판(S)을 향하도록 조사될 수 있다. 여기서, 광원(130)이 조사하는 광은 예컨대 레이저 빔(laser beam)일 수 있다. 즉, 광은 광원(130)에서 이송방향에 대하여 수평하게 교차하는 교차방향으로 연장된 라인 형태로 조사되는 레이저일 수 있다. 물론, 광은 라인 형태의 레이저에 한정되지 않고, 제조하고자 하는 제품, 공정 조건, 공정 분야 등에 따라 다양한 종류의 광으로 변경될 수 있다. 예를 들어, 광은 라인 형태의 레이저 가 아닌, 점(즉, 스팟(Spot) 형태의) 형태의 레이저로 변경될 수도 있다.
한편, 광원(130)으로부터 기판(S)까지 광이 조사되는 경로가 상술한 광의 경로(P)일 수 있다. 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 광의 경로(P)는 상하방향에 대하여 비스듬히 경사지게 형성될 수 있다.
커터(140)는 광원(130)으로부터 조사된 광의 적어도 일부를 차단하도록 조사된 광의 경로에 배치될 수 있다. 커터(140)는 광의 일부를 덤프(150)를 향해 반사시킬 수 있(P)도록, 이송방향에 대하여 하향 경사지게 배치될 수 있다. 커터(140)는 교차방향으로 연장된 판 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 커터(140)는 복수개로 마련되며, 복수의 커터(140)가 교차방향으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 이에, 복수의 커터(140) 사이에 소정의 틈이 형성될 수 있다. 상술한 바와 같이, 광은 라인 형태로 조사될 수 있다. 이에, 복수의 커터(140) 사이의 틈으로 광의 일부를 통과시켜 기판(S)으로 광을 조사하고, 복수의 커터(140)로 광의 일부를 덤프(150)로 반사시킬 수 있다.
한편, 복수의 커터(140)를 각각 교차방향으로 이동시켜 복수의 커터(140) 사이에 형성된 틈의 길이를 조절할 수 있다. 이에, 틈의 길이가 조절되며, 기판(S)으로 조사되는 광의 길이를 조절할 수 있다. 여기서, 광의 길이는 교차방향에 대한 광의 길이일 수 있다.
도 2 내지 도 3을 참조하면, 덤프(150)는 기판(S)에서 반사된 광 및 커터(140)로부터 각각 반사된 광을 내부로 입사하여 소멸시킬 수 있다. 덤프(150)는 이송방향을 기준으로 커터(140) 및 광의 경로(P)로부터 이격되고, 상하방향을 기준으로 광원(130)과 커터(140)의 사이에 배치될 수 있다. 또한, 덤프(150)는 커터(140)를 향하는 일면이 광이 투과될 수 있는 투광성 재질로 마련될 수 있다. 또한, 덤프(150)는 내부로 입사된 광이 이동할 있는 공간(즉, 내부공간)을 가지며, 입사된 광을 복수회 반사시켜 소멸시킬 수 있다. 또한, 덤프(150)는 덤프바디(151) 및 소멸 유도부(152)를 포함할 수 있다. 이에 더하여, 덤프(150)는 배기 포트(153) 및 보조냉각부(154)를 더 포함할 수 있다.
덤프바디(151)는 이송방향 및 교차방향으로 연장된 박스형상으로 형성될 수 있다. 덤프바디(151)는 내부공간을 가지며, 광을 내부공간으로 입사시킬 수 있다. 이를 위해, 덤프바디(151)는 광이 유입되는 일측에 투과창(151a)을 구비할 수 있다. 여기서, 덤프바디(151)의 일측은 이송방향을 기준으로 광원(130)에 인접한 위치에 배치되는 부분이 일측이고, 그 반대 부분이 타측일 수 있다. 또한, 투과창(151a)은 광이 투과될 수 있는 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 투과창(151a)은 쿼츠(quartz)로 마련될 수 있다. 하지만, 투과창(151a)은 이에 한정되지 않고 광의 투과 가능한 다양한 재료의 적용이 가능하다.
한편, 덤프바디(151)는 투과창(151a)을 통해 입사된 광이 외부로 유출되지 못하도록 내부가 밀폐될 수 있다. 이에, 덤프바디(151)의 내부공간으로 입사된 광은 덤프바디(151) 내에서 복수회 반사되고, 반사되는 과정에 후술되는 소멸 유도부(152)에 의해 소멸될 수 있다.
또한, 덤프바디(151)는 내부에 불활성 기체를 공급할 수 있는, 기체배관(151b)을 구비할 수 있다. 기체배관(151b)은 덤프바디(151)의 내부공간과 연통되며, 덤프바디(151)의 내부공간으로 불활성 가스를 공급할 수 있다. 이에, 덤프바디(151)의 내부공간을 불활성 가스 분위기로 조성할 수 있다. 즉, 덤프바디(151) 내부공간의 공기 중 산소(O2)의 비율(즉, 농도)를 감소시킬 수 있다. 이에, 후술되는 배기 포트(153)에 의해 내부공간의 공기가 챔버(110) 내부의 공간으로 배출되더라도, 기판(S)에 산화가 발생하고, 기판(S)으로 조사되는 광에 무라가 발생되는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다. 예를 들어, 기체배관(151b)이 공급하는 불활성 가스는, 질소(N2)를 포함할 수 있다.
소멸 유도부(152)는 덤프바디(151)의 내부로 투과된 광을 복수회 반사시켜 광을 소멸시킬 수 있다. 여기서, 덤프바디(151)의 내부로 투과된 광은 기판(S)으로부터 반사된 광 또는 커터(140)로부터 반사된 광을 모두 포함할 수 있다. 예를 들어, 소멸 유도부(152)는 광을 소멸시킬 수 있도록, 덤프바디(151)의 내벽면 중 적어도 어느 한 곳에 설치될 수 있다. 소멸 유도부(152)는 유도부재(152a), 제1 소멸부재(152b) 및 제2 소멸부재(152c)를 포함할 수 있다.
유도부재(152a)는 덤프바디(151)의 내벽 상부에 설치될 수 있다. 유도부재(152a)는 이송방향으로 연장된 판 형상으로 형성될 수 있다. 유도부재(152a)는 투과창(151a)으로 입사된 광이 제1 소멸부재(152b)를 향하도록 입사된 광을 반사시킬 수 있다.
한편, 유도부재(152a)의 상면은 덤프바디(151)의 상부 내벽과 면접촉하고, 유도부재(152a)의 측면 및 하면은 덤프바디(151)의 내부공간에 노출될 수 있다. 여기서, 유도부재(152a)의 측면 및 하면에는 코팅층이 형성될 수 있다. 여기서, 코팅층은 예컨데 UV 코팅층일 수 있다. 이에, 유도부재(152a)가 덤프바디(151)로 유입된 광을 더 효과적으로 제1 소멸부재(152b)로 반사시킬 수 있다.
제1 소멸부재(152b)는 유도부재(152a)로부터 반사된 광을 1차로 상쇄 및 소멸시킬 수 있다. 제1 소멸부재(152b)는 덤프바디(151)의 타측 내벽에 설치될 수 있다. 여기서, 제1 소멸부재(152b)는 일측면에 요철이 마련될 수 있다. 요철은 제1 소멸부재(152b)의 일측면에 복수개로 마련될 수 있고, 하나의 요철이 수 ㎛ 내지 수십 ㎛의 폭을 가질 수 있다. 이에, 제1 소멸부재(152b)의 요철을 통해, 유도부재(152a)에서 반사된 광이 접촉하는 면적을 증대시킬 수 있고, 광이 가지고 있는 에너지를 열로 더 효과적으로 전환시켜 광을 상쇄 및 소멸시킬 수 있다. 이때, 제1 소멸부재(152b)에 마련되는 복수의 요철은 샌드블라스트(sand blast) 공정을 통해 마련될 수 있으며, 폭은 예컨대, 3㎛ 내지 4㎛이다.
제2 소멸부재(152c)는 제1 소멸부재(152b)와 마주보게 배치되고, 제1 소멸부재(152b)와 함께 광을 가두고, 갇힌 광을 복수회 반사시킬 수 있다. 제2 소멸부재(152c)는 덤프바디(151)의 내벽 하부에 결합되고, 상하방향의 길이가 제1 소멸부재(152b)의 상하방향 길이보다 짧게 형성될 수 있다. 이에, 제2 소멸부재(152c)의 상면과 덤프바디(151)의 내벽 상부 사이의 틈으로 유도부재(152a)에서 반사된 광을 제1 소멸부재(152b)와 제2 소멸부재(152c) 사이의 공간으로 유입시킬 수 있고, 유입된 광을 제1 소멸부재(152b) 및 제2 소멸부재(152c) 사이에 가둬 복수회 반사시킬 수 있다.
또한, 제2 소멸부재(152c)는 일측면 및 타측면에 요철이 마련될 수 있다. 요철은 제2 소멸부재(152c)의 일측면 및 타측면에 복수개로 마련될 수 있고, 하나의 요철이 수 ㎛ 내지 수십 ㎛의 폭을 가질 수 있다. 이에, 제2 소멸부재(152c)의 요철을 통해, 제1 소멸부재(152b)에서 반사된 광이 접촉하는 면적을 증대시킬 수 있고, 광이 가지고 있는 에너지를 열로 더 효과적으로 전환시켜 광을 상쇄 및 소멸시킬 수 있다. 이때, 제2 소멸부재(152c)에 마련되는 복수의 요철은 샌드블라스트(sand blast) 공정을 통해 마련될 수 있으며, 폭은 예컨대, 3㎛ 내지 4㎛이다.
배기 포트(153)는 덤프바디(151)의 내부공간의 유체를 덤프바디(151)의 외부로 배출시킬 수 있다. 즉, 배기 포트(153)는 덤프바디(151) 내부공간에서 광이 소멸되며 발생시킨 열에 의해 가열된 공기를 덤프바디(151)의 외부로 배출시킬 수 있다. 여기서, 배기 포트(153)는 내부공간의 유체를 챔버(110)의 외부로 배출할 수 있다. 배기 포트(153)는 덤프바디(151)의 내부공간과 연통되도록, 덤프바디(151)의 타측에 설치될 수 있다. 즉, 배기 포트(153)는 덤프바디(151)로 광이 입사되는 위치와 정반대의 위치(즉, 덤프바디(151)의 타측)에 설치되고, 덤프바디(151)의 타측으로 유체를 배출시킬 수 있다. 이에, 광원(130)에서 기판(S)으로 조사되는 위치와 상대적으로 이격된 위치로 가열된 유체를 배출하므로, 광의 경로(P)에 열기가 전달되는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다.
보조냉각부(154)는 광을 소멸시키면서 가열된 덤프바디(151) 내부공간의 공기를 냉각시킬 수 있다. 보조냉각부(154)는 덤프바디(151)의 상부에 설치되며, 내부로 냉각유체(즉, 냉매)가 순환될 수 있다. 즉, 보조냉각부(154)는 덤프바디(151)를 쿨링시켜, 덤프바디(151)의 온도 상승을 방지할 수 있다. 예를 들어, 보조냉각부(154)는 냉각 자켓 구조로 마련될 수 있다.
보다 구체적으로, 보조냉각부(154)는 덤프바디(151)의 상부에 설치된 보조냉각부재(154a), 보조냉각부재(154a) 내에 설치되어 내부에 냉각유체(예컨대, 냉각수)가 순환되는 보조냉매순환관(154b)을 포함할 수 있다. 여기서, 보조냉매순환관(154b)의 일단은 보조냉매공급관(미도시)과 연결될 수 있다. 이에, 광이 덤프바디(151)로 입사되어, 덤프바디(151)에서 상쇄 및 소멸되는 동안, 덤프바디(151)가 광이 소멸되는 과정에서 발생되는 열에 의해 가열되더라도, 보조냉매순환관(154b)을 통해 순환되는 냉각유체에 의해 냉각될 수 있다. 따라서,광 소멸에 의한 덤프바디(151)의 온도 상승 및 온도 불균일로 인한 열변형을 방지할 수 있다.
한편, 보조냉각부(154)는 보조냉각부재(154a)의 온도를 측정할 수 있는 보조온도센서(미도시) 및 보조제어부재(미도시)를 더 포함할 수 있다. 보조냉각부(154)는 보조온도센서를 통해 보조냉각부재(154a)의 온도를 측정하고, 보조온도센서에서 측정된 온도를 이용하여 보조제어부재가 보조냉각부재(154a)의 온도를 제어할 수 있다. 즉, 보조제어부재는 보조냉매순환관(154b)으로 공급되는 냉각유체의 공급량을 제어하여 보조냉각부재(154a)의 온도를 조절할 수 있다.
미러블록(160)은 기판(S) 및 커터(140) 중 적어도 어느 하나에서 반사된 광을 덤프(150)로 입사시키고, 덤프(150)를 광의 경로(P)로부터 이격시킬 수 있도록, 광의 경로(P)와 덤프(150) 사이에 제공될 수 있다. 즉, 이송방향을 기준으로 미러블록(160)의 일측은 광의 경로(P)로부터 이격되고, 이송방향을 기준으로 미러블록(160)의 타측은 덤프(150)와 이격될 수 있다. 또한, 미러블록(160)은 덤프(150)와 광의 경로(P) 사이에 배치되기 때문에, 덤프(150)의 열기가 광의 경로(P)로 전도되는 것을 차단하는 역할을 할 수도 있다.
한편, 미러블록(160)의 일측은 미러블록(160) 중 광의 경로(P)에 인접하게 배치되는 부분일 수 있고, 타측은 미러블록(160)의 일측과 반대의 위치, 즉 미러블록(160) 중 덤프(150)에 인접하게 배치되는 부분일 수 있다. 이에, 미러블록(160)을 통해 덤프(150)와 광의 경로(P)가 이격될 수 있고, 덤프(150)에서 발생되는 열기가 광의 경로(P)로 전달되는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다.
미러블록(160)은 덤프(150)와 이격 배치될 수 있다. 이에, 덤프(150)의 열기가 미러블록(160)으로 전도되는 것을 방지할 수 있다. 만일, 미러블록(160)이 덤프(150)와 이격되지 않을 경우, 덤프(150)에서 발생된 열이 미러블록(160)으로 전도될 수 있다. 전도된 열은 광의 경로(P)로 전달되 광에 무라를 발생시킬 수 있다. 이에, 미러블록(160)을 덤프(150)로부터 이격시켜, 열이 전도되는 것을 방지할 수있다. 따라서, 덤프(150)의 열기가 미러블록(160)으로 전도되는 것이 억제됨에 따라, 광의 경로(P)에 열기로 인한 영향을 주지 않을 수 있다.
또한, 미러블록(160)이 타측에 대하여 덤프(150)와 이격되고, 일측에 대하여 광의 경로(P)와 이격되므로, 덤프(150)를 광의 경로(P)로부터 더 멀리 이격시킬 수 있다. 또한, 미러블록(160)이 덤프와 이격 배치되므로, 덤프(150)와 광의 경로(P) 사이의 이격된 공간을 차단할 수도 있다. 이에, 덤프(150)의 열기가 광의 경로(P)로 전도되는 것을 억제할 수 있다.
보다 구체적으로, 미러블록(160)은 이송방향 및 교차방향으로 연장될 수 있다. 즉, 미러블록(160)은 광의 경로(P)와 덤프(150)가 이격된 방향(즉, 이송방향)으로 연장될 수 있다. 여기서, 미러블록(160)의 이송방향 길이는 기판(S)에서 반사된 광이 산란되는 범위보다 길게 형성될 수 있다. 즉, 미러블록(160)의 이송방향 길이는, 산란된 광을 모두 덤프(150)로 반사시킬 수 있도록, 광이 산란되는 범위보다 길게 형성될 수 있다. 이에, 기판(S)으로부터 반사된 광이 이송방향에 대하여 미러블록(160)의 전측 혹은 후측으로 유출되지 못하고 모두 덤프(150)로 입사시킬 수 있다.
또한, 미러블록(160)은 상하방향으로 소정의 길이를 갖을 수 있다. 이에, 미러블록(160)이 덤프(150)와 광의 경로(P) 사이를 차단하여 덤프(150)의 열기가 광의 경로(P)로 전달되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 미러블록(160)의 상하방향 길이는 일측에서 타측으로 갈수록 점점 짧아지게 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 미러블록(160)의 하면이 이송방향을 기준으로 상향 경사지게 형성될 수 있다. 즉, 미러블록(160)의 하면은 덤프(150)를 향하여 상향 경사진 경사면으로 형성될 수 있다. 여기서, 미러블록(160)의 경사면의 각도는 기판에서 반사되는 광의 반사각보다 작게 형성될 수 있다. 이에, 기판(S)에서 반사된 광을 모두 덤프바디(151)의 내부공간으로 유입시킬 수 있다. 예를 들어, 미러블록(160)의 경사면은 라운드 혹은 테이퍼로 형성될 수 있다.
또한, 미러블록(160)의 경사면에는 코팅층(161)이 형성될 수 있다. 여기서, 코팅층은 예컨데 UV 코팅층 혹은 산화방지 코팅층으로 마련될 수 있다. 이에, 유도부재(152a)가 덤프바디(151)로 유입된 광을 더 효과적으로 제1 소멸부재(152b)로 반사시킬 수 있다. 또한, 기판 처리 과정 중 발생된 산소로 인해 미러블록(160)의 경사면이 산화되는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다.
미러블록(160)은 미러블록(160)을 냉각시킬 수 있는 냉각부(162)를 더 포함할 수 있다. 냉각부(162)는 미러블록(160)의 내부에서 광의 경로(P)에 인접하게 설치되고 미러블록(160)을 냉각시킬 수 있다. 즉, 냉각부(162)는 미러블록(160)을 냉각시켜, 광의 경로(P)와 덤프(150) 사이의 공간의 온도를 낮출 수 있고, 덤프(150)의 열기가 광의 경로(P)로 전달되는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다. 냉각부(162)는 냉각부재(162a) 및 냉매순환관(162b)을 포함할 수 있다.
냉각부재(162a)는 미러블록(160)의 내부 중 일측에 설치되며, 내부에 냉각유체가 순환될 수 있다. 즉, 냉각부(162)는 냉각부재(162a)를 쿨링시켜, 미러블록(160)의 온도 상승을 방지할 수 있다. 냉각부재(162a)는 내부로 냉각유체(예컨대, 냉각수)가 순환되는 냉매순환관(162b)을 포함할 수 있다. 여기서, 냉매순환관(162b)의 일단은 냉매공급관(미도시)과 연결될 수 있다. 이에, 미러블록(160)이 덤프바디(151)에서 유출되는 열에 의해 가열되더라도, 냉매순환관(162b)을 통해 순환되는 냉각유체에 의해 냉각될 수 있다. 따라서, 덤프바디(151)에서 전달되는 열기에 관계없이, 미러블록(160)의 온도를 낮게 유지시킬 수 있다.
한편, 냉각부(162)는 냉각부재(162a)의 온도를 측정할 수 있는 온도센서(162c) 및 제어부재(162d)를 더 포함할 수 있다. 냉각부(162)는 온도센서(162c)를 통해 냉각부재(162a)의 온도를 측정하고, 측정된 온도를 통해 제어부재(162d)에서 냉각부재(162a)의 온도를 제어할 수 있다. 즉, 제어부재(162d)는 냉매순환관(162b)으로 공급되는 냉각유체의 공급량을 제어하여 냉각부재(162a)의 온도를 조절할 수 있다.
구동부(170)는 미러블록(160)과 덤프(150) 중 적어도 어느 하나를 이송방향으로 이동시킬 수 있다. 하기에서는 구동부(170)가 미러블록(160)과 덤프(150) 모두를 이송방향으로 이동시키는 경우를 예시적으로 설명한다. 구동부(170)는 제1 구동부재(171) 및 제2 구동부재(172)를 포함할 수 있다.
제1 구동부재(171)는 미러블록(160)에 연결되고, 이송방향으로 전후진 이동 가능하게 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 구동부재(171)는 자기 부상 방식을 이용하여 전후진 이동할 수 있다. 즉, 챔버(110)의 내측벽에는 이송방향으로 연장되고, 이송방향으로 자석의 극성이 교번되어 배치된 가이드 레일이 형성될 수 있고, 제1 구동부재(171)는 가이드 레일을 따라 전진 혹은 후진 이동할 수 있다. 제1 구동부재(171)가 전진 혹은 후진 이동함에 따라, 이송방향에 대한 미러블록(160)의 위치가 변경될 수 있고, 기판(S)에서 반사되는 광을 덤프(150)로 재반사하는 각도를 소정 변경시킬 수 있다.
일반적으로, 기판(S)은 기판 지지대(120)의 상태에 따라, 평탄도가 달라질 수 있다. 여기서, 기판(S)의 평탄도가 달라질 경우, 기판(S)에서 반사되는 광의 반사각도가 소정 각도 변경될 수 있다. 이에, 변경된 광의 반사각도에 따라, 제1 구동부재(171)를 전진 혹은 후진 이동시켜 기판(S)에서 반사된 광이 모두 덤프(150)로 유입되게 할 수 있다. 또한, 제1 구동부재(171)를 도면상 광의 경로(P)로부터 멀어지도록 이동시켜, 광의 경로(P)와 덤프(150)를 추가로 이격시킬 수도 있다. 이에, 덤프(150)에서 발생된 열이 광의 경로(P)로 전달되는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다.
제2 구동부재(172)는 덤프(150)에 연결되고, 이송방향으로 전후진 이동 가능하게 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 구동부재(172)는 자기 부상 방식을 이용하여 전후진 이동할 수 있다. 즉, 챔버(110)의 내측벽에는 이송방향으로 연장되고, 이송방향으로 자석의 극성이 교번되어 배치된 가이드 레일이 형성될 수 있고, 제2 구동부재(172)는 가이드 레일을 따라 전진 혹은 후진 이동할 수 있다. 제2 구동부재(172)가 전진 혹은 후진 이동함에 따라, 이송방향에 대한 덤프(150)의 위치 변경될 수 있고, 광의 경로(P)로부터 소정길이 이격될 수 있다. 따라서, 광의 경로(P)로 덤프(150)의 열기가 전달되는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다.
광 검출부(180)는 덤프(150)로 입사된 광을 모니터링할 수 있도록, 적어도 일부가 덤프(150)의 내부에 제공될 수 있다. 즉, 광 검출부(180)는 덤프바디(151)로 입사된 광 중 기판(S)으로부터 반사된 광의 에너지값을 검출할 수 있다. 이에, 광 검출부(180)가 덤프(150)의 내부에 형성됨에 따라, 광이 최종적으로 도착하는 위치에서 광을 검출하게 되므로, 광 검출부(180)가 반사되어 유입되는 모든 광을 효과적으로 검출할 수 있다. 예를 들어, 광 검출부(180)는 덤프바디(151)의 타측 단부에 설치될 수 있다. 또한, 광 검출부(180)는 에너지미터(Energy meter)를 포함할 수 있다.
한편, 광 검출부(180)가 검출하는 에너지값은 기판(S)의 평탄도에 따라 달라질 수 있다. 즉, 기판(S) 중 평탄도가 다른 부분과 다르게 돌출된 부분이 있을 경우, 광의 흡수율 및 광의 반사율(즉, 반사각)이 달라질 수 있다. 이에, 광 검출부(180)에서 검출되는 광의 에너지값이 크게 달라질 수 있다. 따라서, 기판(S) 중 평탄도가 다른 부분으로부터 반사된 광은 광 검출부(180)에서 검출되는 에너지값이 평탄도가 일정한 부분으로부터 반된 광의 에너지값과 다를 수 있다. 이에, 광 검출부(180)에서 검출되는 에너지값이 다를 경우, 후술하는 조절부(190)를 통해 기판(S)의 평탄도를 조절할 수 있다.
조절부(190)는 광 검출부(180)에 연결되며, 광 검출부(180)가 검출한 광의 에너지값에 따라, 기판 지지대(120)의 부착력을 조절할 수 있다. 즉, 조절부는 광 검출부(180)에서 검출된 기판(S)에서 반사된 광의 에너지값이 기 설정된 설정값 범위이거나 혹은 초과일 경우, 기판 지지대(120)의 부착력을 조절할 수 있다. 여기서, 조절부(190)는 기판 지지대(120)의 부착력을 조절함에 있어서, 기판 지지대(120)가 흡인하는 압력을 증가시켜 기판(S)의 평탄도를 조절할 수 있다. 또한,기판 지지대(120)에 전류를 흘려 기판 지지대(120)에 정전기를 유도하고, 유도된 정전기에 의해 기판(S)을 기판 지지대(120) 쪽으로 당겨 평탄도를 조절할 수 있다.
일반적으로, 기판 지지대(120)의 부착력에 의해 기판(S)이 기판 지지대(120)에 지지되면서, 기판(S)과 기판 지지대(120)의 상면 사이에 기포가 낄 수 있다. 이 경우, 기판(S)의 평탄도가 달라질 수 있다. 또는, 기판(S)의 공정 처리 과정 중 기판(S) 처리에 이상이 발생하여 기판(S)의 평탄도가 소정 다른 부분이 발생할 수 있다. 예컨데, 기판(S)에 미세한 주름이 발생할 수 있다. 평탄도가 달라진 기판(S)에 광이 반사될 경우, 광 검출부(180)에서 검출되는 광의 에너지값은 달라질 수 있다. 즉, 평탄도가 다른(즉, 기판(S)의 돌출된) 부분은 광 흡수율 및 광 광 반사율이 평탄한 부분과 다르므로, 반사된 후 검출되는 에너지값이 다를 수 있다.
이에, 조절부(190)는 광 검출부(180)로부터 검출된 에너지값이 기 설정된 설정값 범위이거나 초과라는 정보를 전송받을 경우, 기판 지지대(120)의 부착력을 조절하여, 기판(S) 중 평탄도가 달라진 부분의 평탄도를 다른 부분과 동일하게 형성할 수 있다. 즉, 기판 지지대(120)가 흡인하는 압력을 증가시켜 기판(S)의 평탄도를 조절하거나, 기판 지지대(120)에 전류를 흘려 기판 지지대(120)에 정전기를 유도하고, 유도된 정전기에 의해 기판(S)을 기판 지지대(120) 쪽으로 당겨 평탄도를 조절할 수 있다.
이에, 기판(S)의 평탄도를 다른 부분과 동일하게 형성할 수 있다. 즉, 기판(S)에서 특정 부분이 돌출되어 튀어나오지 않게, 전체적으로 평평한 상태를 이루게 할 수 있다. 따라서, 기판(S)의 평탄도가 전체적으로 일정하게 형성되면, 기판(S)에 전체적으로 광의 반사율 및 광의 흡수율이 유사하게 형성되므로, 광 검출부(180)에서 검출되는 광의 에너지값도 전체적으로 유사하게 형성될 수 있다.
하기에서는, 도 4를 참조하여, 광원(130)에 발진된 광이 덤프(150)로 유입되어 소멸되는 과정을 설명한다.
도 4(a)를 참조하면, 광원(130)에서 기판(S)으로 광을 발진할 수 있다. 여기서, 광은 광원(130)에서 라인 형태의 광으로 발진될 수 있다. 이에, 라인 형태의 광이 일부는 복수의 커터(140)에 반사되고, 일부는 복수의 커터(140) 사이의 틈을 통과할 수 있다. 도 4(a)에 도시된 바와 같이, 복수의 커터(140) 사이의 틈을 통과한 광이 기판(S)으로 조사될 수 있다.
이후, 기판(S)에서 반사된 광이 미러블록(160)의 경사면에 접촉될 수 있다. 미러블록(160)의 경사면에 접촉한 광은 반사되어 덤프바디(151)의 투과창(151a)을 향할 수 있다. 이후, 광은 투과창(151a)을 통과하여 덤프바디(151)의 내부로 유입되고, 유도부재(152a)에 반사되어 광 검출부(180)로 일부가 유입되고, 일부가 제1 소멸부재(152b)에 접촉될 수 있다. 이때, 접촉한 광의 일부가 소멸될 수 있다. 즉, 광이 1차로 소멸될 수 있다. 이후, 제1 소멸부재(152b)에 의해 소멸되지 않은 광은 반사되어 제2 소멸부재(152c)를 향해 반사될 수 있다. 이에, 제2 소멸부재(152c)를 통해 광이 2차로 소멸될 수 있다. 이후, 제2 소멸부재(152c)에 의해 소멸되지 않은 광은 다시 제1 소멸부재(152b)로 재반사될 수 있고, 이와 같은 과정이 반복되며 제1 소멸부재(152b)와 제2 소멸부재(152c) 사이에서 광이 모두 소멸될 수 있다.
도 4(b)를 참조하면, 도 4(a)를 참조하면, 광원(130)에서 기판(S)으로 광을 발진할 수 있다. 상술한 바와 같이, 광은 광원(130)에서 라인 형태의 광으로 발진될 수 있다. 이에, 라인 형태의 광이 일부는 복수의 커터(140)에 반사되고, 일부는 복수의 커터(140) 사이의 틈을 통과할 수 있다. 도 4(b)에 도시된 바와 같이, 복수의 커터(140)에서 반사된 광이 투과창(151a)을 향할 수 있다.
투과창(151a)을 통과한 광은 덤프바디(151)의 내부로 유입되고, 유도부재(152a)에 의해 반사될 수 있다. 이후, 일부가 제1 소멸부재(152b)에 접촉될 수 있다. 이때, 접촉한 광의 일부가 소멸될 수 있다. 즉, 광이 1차로 소멸될 수 있다. 이후, 제1 소멸부재(152b)에 의해 소멸되지 않은 광은 반사되어 제2 소멸부재(152c)를 향해 반사될 수 있다. 이에, 제2 소멸부재(152c)를 통해 광이 2차로 소멸될 수 있다. 이후, 제2 소멸부재(152c)에 의해 소멸되지 않은 광은 다시 제1 소멸부재(152b)로 재반사될 수 있고, 이와 같은 과정이 반복되며 제1 소멸부재(152b)와 제2 소멸부재(152c) 사이에서 광이 모두 소멸될 수 있다.
이처럼, 기판으로 조사된 광의 경로와 덤프를 이격시켜 덤프에서 발생된 열이 조사된 광으로 전달되는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다. 이에, 기판으로 조사된 광에 무라가 발생되는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다. 또한, 기판으로 조사된 광의 경로와 덤프 사이의 공간을 냉각시킬 수 있다. 이에, 덤프의 열이 조사된 광으로 전달되는 억제하여 광에 무라가 발생되는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다. 또한, 덤프로 유입된 광을 실시간으로 모니터링하여 기판이 효과적으로 어닐링되는지 확인할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 아래에 기재될 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 기판 처리 장치 110: 챔버
120: 기판 지지대 130: 광원
140: 커터 150: 덤프
160: 미러블록 160: 구동부
170: 구동부 180: 광 검출부
P: 광의 경로 S: 기판

Claims (15)

  1. 내부에 기판을 수용하는 챔버;
    상기 기판으로 광을 조사하는 광원;
    조사된 광의 적어도 일부를 차단하도록, 조사된 광의 경로에 배치되는 커터;
    상기 기판에서 반사된 광 또는 상기 커터에서 반사된 광을 내부로 입사하여 소멸시키기 위한 덤프; 및
    상기 기판 및 상기 커터 중 적어도 어느 하나에서 반사된 광을 상기 덤프로 입사시키고, 상기 광의 경로와 상기 덤프 사이에 제공되는 미러블록;을 포함하고,
    상기 미러블록은, 상기 광의 경로와 상기 덤프가 이격된 방향으로 연장되고,
    상기 미러블록의 연장된 길이는, 상기 기판에서 반사된 광이 산란되는 범위보다 길게 형성되는 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 미러블록은, 상기 덤프와 이격 배치되는 기판 처리 장치.
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 미러블록은, 하부면이 상기 덤프를 향해 경사진 경사면으로 형성되고, 상기 경사면에 코팅층을 구비하는 기판 처리 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 미러블록은, 상기 경사면이 라운드 혹은 테이퍼로 형성되고,
    상기 경사면의 각도는, 상기 기판에서 반사되는 광의 반사각보다 작게 형성되는 기판 처리 장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 미러블록은, 상기 미러블록의 내부에서 상기 광의 경로에 인접하게 설치되고, 상기 미러블록을 냉각시키기 위한 냉각부;를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 냉각부는,
    내부에 냉각유체가 순환 가능한 냉각부재;
    상기 냉각부재의 온도를 측정하기 위한 온도센서; 및
    상기 온도센서에서 측정된 온도에 따라, 상기 냉각유체의 공급량을 제어하기 위한 냉각 제어부재;를 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 내부에 기판을 수용하는 챔버;
    상기 기판으로 광을 조사하는 광원;
    조사된 광의 적어도 일부를 차단하도록, 조사된 광의 경로에 배치되는 커터;
    상기 기판에서 반사된 광 또는 상기 커터에서 반사된 광을 내부로 입사하여 소멸시키기 위한 덤프; 및
    상기 기판 및 상기 커터 중 적어도 어느 하나에서 반사된 광을 상기 덤프로 입사시키고, 상기 광의 경로와 상기 덤프 사이에 제공되는 미러블록;을 포함하고,
    상기 미러블록과 상기 덤프가 이격된 방향으로 상기 미러블록과 상기 덤프 중 적어도 어느 하나를 이동시키기 위한 구동부;를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 구동부는,
    상기 미러블록에 연결되고, 전후진 이동 가능하게 상기 챔버에 결합되는 제1 구동부재; 및
    상기 덤프에 연결되고, 상기 제1 구동부재의 이동에 연동하여 전후진 이동 가능한 제2 구동부재;를 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 덤프는,
    내부공간을 갖고, 상기 미러블록과 마주보는 일측에 광의 투과가 가능한 투과창을 구비하는 덤프바디; 및
    상기 덤프바디의 내부로 투과된 광을 복수회 반사시켜 광을 소멸시키는 소멸 유도부;를 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 소멸 유도부는,
    상기 내부공간의 상부에 제공되고, 투과된 광을 상기 덤프바디의 타측 내벽으로 반사시키는 유도부재;
    상기 덤프바디의 타측 내벽에 제공되는 제1 소멸부재; 및
    상기 제1 소멸부재와 마주보게 배치되고, 내부에 광을 가둬 복수회 반사시키는 제2 소멸부재;를 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 제1 소멸부재 및 상기 제2 소멸부재는, 서로 마주보는 일면에 각각 요철이 마련되는 기판 처리 장치.
  13. 청구항 10에 있어서,
    상기 덤프는,
    상기 내부공간의 유체를 상기 덤프바디의 외부로 배출시키는 배기 포트; 및
    상기 내부공간의 유체를 냉각시키기 위한 보조냉각부;를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  14. 내부에 기판을 수용하는 챔버;
    상기 기판으로 광을 조사하는 광원;
    조사된 광의 적어도 일부를 차단하도록, 조사된 광의 경로에 배치되는 커터;
    상기 기판에서 반사된 광 또는 상기 커터에서 반사된 광을 내부로 입사하여 소멸시키기 위한 덤프; 및
    상기 기판 및 상기 커터 중 적어도 어느 하나에서 반사된 광을 상기 덤프로 입사시키고, 상기 광의 경로와 상기 덤프 사이에 제공되는 미러블록;을 포함하고,
    상기 덤프로 입사된 광을 모니터링할 수 있도록, 적어도 일부가 상기 덤프의 내부에 제공되는 광 검출부;를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  15. 청구항 14에 있어서,
    부착력을 발생시켜 상기 기판을 지지하는 기판 지지대;
    상기 광 검출부에서 검출된 상기 기판에서 반사된 광의 에너지값이 기 설정된 설정범위일 경우, 상기 기판 지지대의 부착력을 조절하는 조절부;를 더 포함하는 기판 처리 장치.
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