TW202239903A - 積層體、樹脂組成物、及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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越野美加
荒木斉
富川真佐夫
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Abstract

本發明提供一種積層體，其中可無殘膠或對元件的損傷地以寬廣的加工裕度實施使用各種波長的雷射的半導體元件的轉印。一種積層體，為依序積層有具有雷射透過性的基板1、樹脂膜、以及半導體元件的積層體，該樹脂膜於248 nm、266 nm及355 nm中的任一波長下的換算為膜厚1.0 μm時的吸光度為0.4以上且5.0以下，進而該樹脂膜與該半導體元件的接著強度為0.02 N/cm以上且0.3 N/cm以下。

Description

積層體、樹脂組成物、及半導體裝置的製造方法
本發明是有關於一種積層體、樹脂組成物、及半導體裝置的製造方法。更詳細而言，是有關於一種於藉由雷射轉印安裝半導體元件時適宜地使用的積層體、以及使用其的半導體裝置的製造方法。
通常，被組入至半導體裝置中的元件是藉由使用倒裝晶片接合器（flip chip bonder）等的取-放（pick and place）法而移載並安裝於電路基板等上。近年來，半導體裝置的高性能化、小型化不斷發展，伴隨於此，被組入至半導體裝置內的元件亦小型化、薄型化，另外所安裝的數量正逐漸增加。近年來，將作為半導體元件的一種的發光二極體（Light-Emitting Diode，LED）排列於各畫素的顯示器由於為高亮度、低消耗電力、高畫質，因此受到矚目。安裝於各畫素的LED使用被稱為微型LED且一邊為幾百微米～十幾微米左右的小LED。於製造該微型LED顯示器時，所述安裝方式過於耗費時間，因此正在研究新的方法。
作為安裝大量小型半導體元件的方法，有藉由由矽酮樹脂等獲得的黏著壓模，自晶圓將晶片配置至電路基板的方法（專利文獻1、專利文獻2）。於該方法中，黏著壓模可保持多個微型LED晶片，因此於一次取-放步驟中可將晶片大量配置至電路基板上。另外，提出有於自晶圓將晶片轉印至具有黏著層的轉印用基板後，藉由雷射剝離（Laser Lift Off，LLO）轉印並安裝至電路基板等上的方法（專利文獻3、專利文獻4、專利文獻5）。該方法具有位置精度良好、可高速地轉印的優點。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特表2017-531915號公報 [專利文獻2]日本專利特開2020-129638號公報 [專利文獻3]日本專利特開2020-188037號公報 [專利文獻4]日本專利特開2010-251359號公報 [專利文獻5]日本專利特表2014-515883號公報
[發明所欲解決之課題] 於專利文獻1及專利文獻2中記載的發明中，壓模的大小依存於晶圓尺寸，因此同時轉印的半導體元件數量有極限。另外，於專利文獻1及專利文獻2中記載的發明中，存在需要每次製成與電路基板的設計相符的壓模等課題。另一方面，於LLO方式中，沒有面積的制約或無需製作不同的設計的壓模，雖可期待進一步的低成本化，但例如於專利文獻3及專利文獻4中記載的發明中，藉由雷射剝蝕（laser ablation）去除黏著層，但需要形成非常薄的黏著層，有由面內均勻性惡化引起的良率降低的擔憂。另外，於專利文獻3及專利文獻4中記載的發明中，為了避免半導體元件表面的黏著層的殘渣，需要照射過剩的雷射光，並藉由剝蝕將黏著層全部去除，存在由黏著層的飛散引起的基板的污損、或半導體元件破損等損傷的課題（以後，有時將半導體元件表面的黏著層的殘渣稱為殘膠，將飛散的黏著層的殘渣稱為碎屑（debris））。於專利文獻5中，藉由將黏著層與雷射吸收層分離，可以低能量進行轉印，亦可減少對半導體元件的損傷，但因形成兩層而步驟變得繁雜、以及可位置精度良好地轉印的雷射的能量範圍狹窄，於實現實用性的轉印時在加工裕度方面有課題。 [解決課題之手段]
解決所述課題的本發明為一種積層體，為依序積層有具有雷射透過性的基板1、與樹脂膜的積層體，該樹脂膜於200 nm～1100 nm中的任一波長下的換算為膜厚1.0 μm時的吸光度為0.4以上且5.0以下，進而和基板1與該樹脂膜相接的面為相反側的該樹脂膜的表面的接著強度為0.02 N/cm以上且0.3 N/cm以下。 [發明的效果]
根據本發明的積層體，可無殘膠或對元件的損傷地以寬廣的加工裕度實施使用各種波長的雷射的半導體元件的轉印。
本發明的積層體為如下積層體：為依序積層有具有雷射透過性的基板1、與樹脂膜的積層體，該樹脂膜於200 nm～1100 nm中的任一波長下的換算為膜厚1.0 μm時的吸光度為0.4以上且5.0以下，進而和基板1與該樹脂膜相接的面為相反側的該樹脂膜的表面的接著強度為0.02 N/cm以上且0.3 N/cm以下。以後，將本態樣的積層體稱為積層體1。本發明的積層體1、以及本發明的積層體2有時簡稱為本發明的積層體。
以下，對本發明的積層體1的各構成成分進行說明。
所謂具有雷射透過性的基板1，是指至少200 nm～1100 nm中的任一波長下的吸光度為0.1以下的基板。作為具有此種吸光度的基板，可列舉：石英、藍寶石、鹼玻璃、無鹼玻璃、硼矽酸玻璃等無機基板。基板的厚度可於不損及所述吸光度的範圍內選擇，較佳為0.1 mm～5.0 mm。就基板的處理的觀點而言，基板的厚度較佳為0.3 mm以上，就獲取通用性的觀點而言，基板的厚度更佳為2.0 mm以下。
具有雷射透過性的基板1亦能夠使用聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET）或聚芳醯胺、聚酯、聚丙烯、環烯烴等有機基板。使用有機基板時的基板的厚度可於不損及所述吸光度的範圍內選擇，較佳為0.05 mm～3.0 mm。就基板的處理的觀點而言，基板的厚度較佳為0.1 mm以上，就可抑制雷射照射時的光散射的方面而言，基板的厚度更佳為1.0 mm以下。
接下來，對樹脂膜進行說明。
樹脂膜為至少含有樹脂的膜，且為200 nm～1100 nm中的任一波長下的換算為膜厚1.0 μm時的吸光度為0.4以上且5.0以下的樹脂膜。藉由所述吸光度為0.4以上，而於自具有雷射透過性的基板1側向樹脂膜側照射雷射光並將半導體元件轉印至相向基板時，可於樹脂膜集中吸收所照射的雷射光。進而佳為所述吸光度為0.6以上，從而可於尤其是樹脂膜與具有雷射透過性的基板1的界面附近吸收雷射光，因此能夠利用更低的能量進行轉印。另外，就材料設計的觀點而言，所述吸光度較佳為5.0以下，就可使用具有通用性的樹脂的方面而言，進而佳為4.0以下。
作為樹脂膜中所含的樹脂，可列舉：聚醯亞胺、聚醯亞胺前驅物、聚苯並噁唑、聚苯並噁唑前驅物、胺基甲酸酯樹脂、酚醛清漆樹脂、聚羥基苯乙烯、聚酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚芳醯胺樹脂、聚矽氧烷、聚醯亞胺矽氧烷等在200 nm～1100 nm中的任一波長下具有吸收的樹脂，但並不限於此。
該些樹脂較佳為於結構中具有共軛結構。藉由所述樹脂具有共軛結構，可將200 nm～1100 nm的換算為膜厚1.0 μm時的吸光度調整為0.4以上且5.0以下的範圍。作為具有共軛結構的結構，可列舉芳香族結構，其中，較佳為具有聯苯、醯亞胺、苯並噁唑、二苯甲酮等結構。所述吸光度可藉由相對於所有單體殘基100莫耳%而將單體殘基的60莫耳%以上設為具有共軛結構的單體殘基來達成。該些樹脂可於樹脂膜中含有單獨一種，亦可含有多種。
藉由在樹脂膜中含有紫外線吸收劑或色素、染料、顏料等添加劑，亦能夠達成所述吸光度。作為樹脂膜中所含的添加劑的例子，可列舉：帝奴彬（Tinuvin）PS、帝奴彬（Tinuvin）99-2、帝奴彬（Tinuvin）326、帝奴彬（Tinuvin）328、帝奴彬（Tinuvin）384-2、帝奴彬（Tinuvin）400、帝奴彬（Tinuvin）405、帝奴彬（Tinuvin）460、帝奴彬（Tinuvin）477、帝奴彬（Tinuvin）479、帝奴彬（Tinuvin）900、帝奴彬（Tinuvin）928、帝奴彬（Tinuvin）1130（以上為商品名，巴斯夫（BASF）（股）製造），戴恩索博（DAINSORB）T-0、戴恩索博（DAINSORB）T-7、戴恩索博（DAINSORB）T-31、戴恩索博（DAINSORB）T-52、戴恩索博（DAINSORB）T-53、戴恩索博（DAINSORB）T-84、戴恩索博（DAINSORB）P-6、戴恩索博（DAINSORB）P-7（以上為商品名，大和化學（股）製造）等紫外線吸收劑；溶劑黃（Solvent Yellow）93、溶劑黃（Solvent Yellow）33、溶劑橙（Solvent Orange）60、溶劑紅（Solvent Red）111、溶劑紅（Solvent Red）135、溶劑紅（Solvent Red）168、溶劑紅（Solvent Red）207、溶劑紅（Solvent Red）52、溶劑紅（Solvent Red）179、溶劑藍（Solvent Blue）36、溶劑藍（Solvent Blue）94、溶劑藍（Solvent Blue）63、溶劑藍（Solvent Blue）104、溶劑藍（Solvent Blue）97、溶劑綠（Solvent Green）20、溶劑紫（Solvent Violet）13、溶劑紫（Solvent Violet）36（以上為商品名，東京化成工業（股）製造）、碳黑、苝黑、花青黑、苯胺黑等色素、染料及顏料等。
該些可於樹脂膜中含有單獨一種，亦可含有多種。相對於樹脂膜100重量份，用於將吸光度設為所述範圍的所述添加劑的含量較佳為0.1重量份以上，另外，就形成積層體之前的清漆狀態下的穩定性的觀點而言，較佳為50重量份以下。
關於樹脂膜，和基板1與該樹脂膜相接的面為相反側的該樹脂膜表面的接著強度為0.02 N/cm以上且0.3 N/cm以下。所謂此處列舉的接著強度，表示根據樹脂膜的表面與凱通（kapton）膜的90°剝離試驗而獲得的值。具體的測定方法是利用真空層壓機於0.1 MPa、25℃的條件下將切成1 cm×9 cm的凱通（kapton）膜壓接於樹脂膜上，利用拉伸試驗機於相對於樹脂膜垂直的方向上以2 mm/秒的恆定速度撕下所壓接的凱通（kapton）膜來進行試驗。
藉由所述接著強度為0.02 N/cm以上，於將半導體元件積層於樹脂膜上時可穩定地保持。另外，藉由所述接著強度為0.3 N/cm以下，可於轉印時利用低的雷射光能量密度轉印半導體元件。進而佳為所述接著強度為0.2 N/cm以下。藉由設為該範圍，可抑制自具有雷射透過性的基板1側照射雷射並轉印半導體元件時的半導體元件上的殘膠。
為了將樹脂膜的接著強度設為所述範圍，較佳為樹脂膜中含有柔軟的成分或屈曲後的成分。藉由導入柔軟成分或屈曲成分，玻璃轉移溫度下降，可提高接著強度。作為提高柔軟性或屈曲性的成分，可列舉：伸烷基、矽氧烷等源自脂肪族或矽烷的柔軟結構、烷二醇或聯苯基醚等源自醚基的柔軟結構、脂環式結構、烯烴等屈曲結構等。藉由相對於構成樹脂膜中所含的樹脂的所有單體殘基100莫耳%，含有20莫耳%以上的具有該些賦予柔軟性的結構的單體殘基，可將接著強度設為0.02 N/cm以上。另外，藉由設為70莫耳%以下，可將接著強度設為0.3 N/cm以下。
本發明的積層體中的樹脂膜較佳為含有交聯劑。藉由添加交聯劑，而使結構的一部分交聯，使樹脂膜的表面硬質化，可調整接著強度。進而，藉由樹脂膜的表面被交聯而變得牢固，從而提高殘膠的抑制效果。
關於交聯劑的例子，作為具有烷氧基甲基或羥甲基的化合物，例如可列舉：DML-PC、DML-PEP、DML-OC、DML-OEP、DML-34X、DML-PTBP、DML-PCHP、DML-OCHP、DML-PFP、DML-PSBP、DML-POP、DML-MBOC、DML-MBPC、DML-MTrisPC、DML-BisOC-Z、DMLBisOCHP-Z、DML-BPC、DML-BisOC-P、DMOM-PC、DMOM-PTBP、DMOM-MBPC、TriML-P、TriML-35XL、TML-HQ、TML-BP、TML-pp-BPF、TML-BPE、TML-BPA、TML-BPAF、TML-BPAP、TMOM-BP、TMOM-BPE、TMOM-BPA、TMOM-BPAF、TMOM-BPAP、HML-TPPHBA、HML-TPHAP、HMOM-TPPHBA、HMOM-TPHAP（以上為商品名，本州化學工業（股）製造），「尼卡拉庫（NIKALAC）（註冊商標）」MX-290、尼卡拉庫（NIKALAC）MX-280、尼卡拉庫（NIKALAC）MX-270、尼卡拉庫（NIKALAC）MX-279、尼卡拉庫（NIKALAC）MW-100LM、尼卡拉庫（NIKALAC）MX-750LM（以上為商品名，三和化學（股）製造）。
另外，亦較佳為含有具有環氧基的交聯劑。作為具有環氧基的化合物，例如可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、丙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、聚甲基(縮水甘油氧基丙基)矽氧烷等含有環氧基的矽酮、二聚酸改質環氧樹脂等，但本發明並不限定於該些。具體而言，可列舉：艾匹庫隆（Epiclon）850-S、艾匹庫隆（Epiclon）HP-4032、艾匹庫隆（Epiclon）HP-7200、艾匹庫隆（Epiclon）HP-820、艾匹庫隆（Epiclon）HP-4700、艾匹庫隆（Epiclon）EXA-4710、艾匹庫隆（Epiclon）HP-4770、艾匹庫隆（Epiclon）EXA-859CRP、艾匹庫隆（Epiclon）EXA-1514、艾匹庫隆（Epiclon）EXA-4880、艾匹庫隆（Epiclon）EXA-4850-150、艾匹庫隆（Epiclon）EXA-4850-1000、艾匹庫隆（Epiclon）EXA-4816、艾匹庫隆（Epiclon）EXA-4822（以上為商品名，大日本油墨化學工業（股）製造），理化樹脂（Rika resin）BEO-60E（以上為商品名，新日本理化（股）製造），EP-4003S、EP-4000S（以上為商品名，艾迪科（ADEKA）（股）製造），JER871、JER872、YX-4000、YX-4000H（以上為商品名，三菱化學（股）製造），賽羅西德（Celloxide）2021P（以上為商品名，大賽璐（Daicel）（股）製造），修弗利（Shofree）PETG、修弗利（Shofree）CDMGB、修弗利（Shofree）BATG（以上為商品名，昭和電工（股）製造），戴納考魯（Denacol）EX-201-IM（以上為商品名，長瀨化成（Nagase ChemteX）（股）製造），TEPIC-VL（以上為商品名，日產化學（股）製造）等。
另外，亦較佳為含有具有氧雜環丁基的交聯劑，作為具體例，可列舉：OXT-121、OXT-221、OX-SQ-H、OXT-191、PNOX-1009、RSOX（以上為商品名，東亞合成（股）製造），「艾塔納考魯（Eternacoll）（註冊商標）」OXBP、「艾塔納考魯（Eternacoll）」OXTP（以上為商品名，宇部興產（股）製造）等。
交聯劑可於樹脂膜中含有兩種以上，藉由在樹脂膜100重量份中較佳為含有1重量份以上，可減少殘膠。進而佳為於樹脂膜100重量份中含有5重量份以上，藉此可獲得高的殘膠抑制效果。另外，交聯劑於樹脂膜100重量份中較佳為含有300重量份以下。若為該範圍，則樹脂膜保持一定的柔軟性，於轉印半導體元件時樹脂膜不會破裂。另外，就形成積層體之前的清漆的狀態下的保存穩定性的觀點而言，更佳為200重量份以下。
尤其是，於樹脂自身的接著強度超過0.3 N/cm的情況下，交聯劑的較佳的含量於樹脂膜100重量份中為5重量份以上且300重量份以下。藉由包含5重量份以上的交聯劑，可將接著強度為0.3 N/cm以上的樹脂的接著強度設為0.3 N/cm以下。若為300重量份以下，則保持樹脂膜的柔軟性。進而，就亦可獲得殘膠的抑制效果的方面而言，較佳為10重量份以上，就保存穩定性亦提高的方面而言，較佳為200重量份以下。
另外，出於促進利用交聯劑進行的硬化的目的，亦可含有硬化促進劑。作為硬化促進劑，可列舉咪唑類、三級胺類或其鹽、有機硼鹽化合物等，其中較佳為咪唑類。作為咪唑類的具體例，可列舉：咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-異丙基咪唑、2-正丙基咪唑、2-十一基-1H-咪唑、2-十七基-1H-咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基-1H-咪唑、4-甲基-2-苯基-1H-咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑鎓偏苯三甲酸酯、1-氰基乙基-2-十一基咪唑鎓偏苯三甲酸酯、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三甲酸酯、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三嗪、2,4-二胺基-6-[2'-十一基咪唑基-(1')]-乙基-均三嗪、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三嗪、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三嗪異氰脲酸加成物、2-苯基咪唑異氰脲酸加成物、2-甲基咪唑異氰脲酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基-4,5-二(2-氰基乙氧基)甲基咪唑、1-十二基-2-甲基-3-苄基咪唑鎓氯化物、1-苄基-2-苯基咪唑鹽酸鹽、1-苄基-2-苯基咪唑鎓偏苯三甲酸酯等。另外，若例示較佳的咪唑類的市售品，則可列舉固唑（curezol）C17Z、固唑（curezol）2MZ、固唑（curezol）1B2MZ、固唑（curezol）2E4MZ、固唑（curezol）2E4MZ-CN、固唑（curezol）2MZ-AZINE、固唑（curezol）2MZ-OK（以上，四國化成工業（股）製造 商品名）等。
相對於樹脂膜100重量份，樹脂膜中的硬化促進劑的較佳的含量為0.1重量份以上且5.0重量份以下。藉由處於該範圍，可獲得充分的交聯促進效果。另外，就可保持形成積層體之前的清漆的狀態下的穩定性的觀點而言，進而佳為樹脂膜中的硬化促進劑的含量為0.5重量份～2.0重量份。
另外，樹脂膜視需要可進而含有矽烷化合物。藉由含有矽烷化合物，可調整樹脂膜與具有雷射透過性的基板1的密接性。藉此，可防止雷射光未照射部分的樹脂膜自具有雷射透過性的基板1剝離。作為矽烷化合物的具體例，可列舉：N-苯基胺基乙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基乙基三乙氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三乙氧基矽烷、N-苯基胺基丁基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丁基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三氯矽烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、對苯乙烯基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。相對於樹脂膜100重量份，所述矽烷化合物的含量較佳為0.01重量份以上且15重量份以下。
進而，出於在成膜時提高與具有雷射透過性的基板1的塗敷性而形成均勻的膜厚的樹脂膜的目的，樹脂膜亦可視需要含有界面活性劑。
本發明的積層體為如下積層體：為依序積層有具有雷射透過性的基板1、樹脂膜、以及半導體元件的積層體，該樹脂膜於200 nm～1100 nm中的任一波長下的換算為膜厚1.0 μm時的吸光度為0.4以上且5.0以下，進而該樹脂膜與該半導體元件相接的面的接著強度為0.02 N/cm以上且0.3 N/cm以下。
積層體2中的具有雷射透過性的基板1、及樹脂膜的說明與積層體1中的說明相同。
接下來，對本發明中的半導體元件進行說明。
所謂本發明中的半導體元件，可列舉將GaN、AlN、InN、InP、GaAs、Si、SiC等半導體加以元件化而成者。該些半導體元件亦進而包括：積層有不同種類的半導體的元件、或者積層有電極材料、藍寶石基板或玻璃基板、配線等的元件。半導體元件的大小較佳為一邊為5 μm以上且5.0 mm以下。進而佳為3.0 mm以下，從而可將雷射聚光並減小光點徑來進行照射，因此能夠位置精度良好地進行轉印。
搭載於本發明的積層體2的半導體元件的數量以每單位面積計而較佳為5個/cm 2以上，進而佳為50個/cm 2以上。藉由將半導體元件的數量設為該數量以上，而利用雷射轉印帶來的產量（throughput）提高的效果變大。另外，就可正確地對每個半導體元件照射雷射的方面而言，較佳為50萬個/cm 2以下，進而佳為10萬個/cm 2以下。
本發明的積層體2的積層順序若為具有雷射透過性的基板1、樹脂膜、半導體元件的順序，則其間亦可具有其他層。其中，半導體元件形成於樹脂膜的正上方，且具有雷射透過性的基板1及半導體元件位於積層體2的最表面。
本發明中的樹脂膜滿足所述吸光度的波長較佳為248 nm、266 nm、308 nm、355 nm、532 nm及1064 nm中的任一波長。該樹脂膜滿足所述吸光度的波長進而佳為248 nm、266 nm及355 nm中的任一者。
較佳為該樹脂膜於248 nm、266 nm、308 nm、532 nm及1064 nm中的任一波長下的換算為膜厚1.0 μm時的吸光度為0.4以上且5.0以下，進而佳為該樹脂膜於248 nm、266 nm及355 nm中的任一波長下的換算為膜厚1.0 μm時的吸光度為0.4以上且5.0以下。藉由在該些波長下該樹脂膜的吸光度滿足所述範圍，可效率良好地吸收雷射能量。
本發明的積層體較佳為樹脂膜的膜厚為0.7 μm以上且30 μm以下。藉由為0.7 μm以上，而減少照射雷射光時所產生的熱傳遞至半導體元件的情況，可抑制對半導體元件的損傷，進而可防止樹脂膜斷裂並成為碎屑而污損相向基板的情況。
另外，若為30 μm以下，則因藉由自具有雷射透過性的基板1側的雷射光照射而樹脂膜受到剝蝕的情況而產生的變形效率良好地傳遞至半導體元件的界面，結果，可轉印半導體元件。進而佳為20 μm以下，藉此可將半導體元件位置精度良好地轉印至相向基板。
本發明的積層體較佳為藉由自所述樹脂膜側向所述具有雷射透過性的基板1側壓入而測定的壓入硬度為2 MPa以上且500 MPa以下。於積層有半導體元件的積層體2的情況下，在自積層體2除去了半導體元件的狀態下，藉由自所述樹脂膜側向所述基板1側壓入而測定的壓入硬度較佳為2 MPa以上且500 MPa以下。
壓入硬度為將半導體元件積層於樹脂膜上時成為指標的物性，藉由設定為適當的範圍，可容易地將半導體元件積層於樹脂膜上，可提高其後的利用雷射光照射進行的半導體元件的轉印的精度。壓入硬度的測定可藉由利用奈米壓痕儀（nano indenter）進行測定來實施。於積層體2的情況下，可將硬度測定所需的範圍的半導體元件物理性除去，使樹脂膜表面露出，藉此進行測定。半導體元件的去除方法可列舉：直接利用鑷子等除去的方法、將切割帶（dicing tape）等接著強度強的基板或膜重合於半導體元件上表面並剝取的方法等。壓入硬度的測定是藉由壓入負荷/卸荷試驗來實施，所述試驗中，使用玻氏（Berkovich）壓頭（三角錐金剛石壓頭），於室溫、大氣下，自樹脂膜的表面向具有雷射透過性的基板1側垂直地壓入後，進行卸荷。此時，使用連續剛性測定法，以測定頻率100 Hz進行測定。根據所獲得的載荷-壓入深度線圖，由沒有基底基板的影響的範圍的壓入區域的值算出壓入硬度。
藉由自積層體除去了半導體元件的狀態下的壓入硬度為2 MPa以上，而於將半導體元件積層於樹脂膜上時，即便使用真空層壓機或晶圓接合器等壓接元件來進行積層，半導體元件亦不會埋沒於樹脂膜中。由於樹脂膜不附著於半導體元件的側面，因此能夠利用低能量的雷射進行轉印。另外，藉由所述壓入硬度為500 MPa以下，即便於積層半導體元件時施加壓力，亦可不使半導體元件破損地積層半導體元件。進而佳為壓入硬度為300 MPa以下。藉由壓入硬度為300 MPa以下，而提高將半導體元件積層於樹脂膜時的產率。
本發明的積層體中的樹脂膜的斷裂伸長率較佳為100%以上且1000%以下。藉由斷裂伸長率為100%以上，於照射雷射光時，樹脂膜不會破裂。藉此，可抑制轉印時樹脂膜的碎屑的產生，防止相向基板的污損。另外，藉由斷裂伸長率為1000%以下，可防止雷射光未照射部分的樹脂膜於雷射光照射部分的樹脂膜的變形時受到影響而變形的情況。進而佳為斷裂伸長率為200%以上且800%以下。藉由設為該範圍，可使可照射的雷射光的能量密度具有寬度，結果，加工裕度提高。
斷裂伸長率為100%以上且1000%以下的樹脂膜可藉由樹脂膜中所含的樹脂含有具有柔軟性的結構來達成。作為具有柔軟性的結構，可列舉伸烷基結構、矽氧烷結構、烷二醇結構等結構。具體而言，藉由在樹脂膜中所含的樹脂中，相對於構成樹脂的所有單體殘基100莫耳%將單體殘基的20莫耳%以上設為具有柔軟結構的單體殘基來達成。更佳為相對於構成樹脂的所有單體殘基100莫耳%，將單體殘基的30莫耳%以上設為具有柔軟結構的單體殘基。
本發明的積層體較佳為所述樹脂膜含有選自由具有式（1）的結構的聚醯亞胺、具有式（2）的結構的聚醯亞胺前驅物、具有式（3）的結構的聚苯並噁唑、具有式（4）的結構的聚苯並噁唑前驅物、及該些的共聚物所組成的群組中的一種以上的樹脂（A）。
[化1]
Figure 02_image001
式（1）～式（4）中，R 1、R 3、R 7及R 9分別獨立地表示碳數6～40的四價有機基，R 2、R 4、R 6及R 8分別獨立地表示碳數2～40的二價有機基。R 5表示氫原子或碳數1～20的一價有機基。
聚醯亞胺及聚苯並噁唑為於主鏈結構內具有醯亞胺環或噁唑環的環狀結構的樹脂。另外，作為該些的前驅物的聚醯亞胺前驅物及聚苯並噁唑前驅物為藉由進行脫水閉環而形成醯亞胺環及苯並噁唑環結構的樹脂。式（1）～式（4）所表示的結構較佳為以重複單元的形式而於樹脂中包含10個～100,000個。若為該範圍，則可以適當的膜厚塗佈樹脂膜。
聚醯亞胺可藉由使四羧酸或對應的四羧酸二酐、四羧酸二酯二氯化物等、與二胺或對應的二異氰酸酯化合物、三甲基矽烷基化二胺等進行反應而獲得，且具有四羧酸殘基與二胺殘基。例如，可藉由利用加熱處理對使四羧酸二酐與二胺進行反應而獲得的作為聚醯亞胺前驅物之一的聚醯胺酸進行脫水閉環來獲得。於該加熱處理時，亦可加入間二甲苯等與水共沸的溶媒。或者，亦可藉由加入羧酸酐或二環己基碳二醯亞胺等脫水縮合劑或三乙基胺等鹼等閉環觸媒並利用化學熱處理進行脫水閉環來獲得。或者，亦可藉由加入弱酸性的羧酸化合物並於100℃以下的低溫下利用加熱處理進行脫水閉環來獲得。
聚苯並噁唑可使雙胺基苯酚化合物與二羧酸或對應的二羧酸氯化物、二羧酸活性酯等進行反應而獲得，且具有二羧酸殘基與雙胺基苯酚殘基。例如，可藉由利用加熱處理對使雙胺基苯酚化合物與二羧酸進行反應而獲得的作為聚苯並噁唑前驅物之一的聚羥基醯胺進行脫水閉環來獲得。或者，亦可藉由加入磷酸酐、鹼、碳二醯亞胺化合物等並利用化學處理進行脫水閉環來獲得。
式（1）及式（2）中，R 1及R 3(COOR 5)表示四羧酸殘基。作為構成R 1或R 3(COOR 5)的四羧酸殘基的例子，可列舉：均苯四甲酸、3,3',4,4'-聯苯基四羧酸、2,3,3',4'-聯苯基四羧酸、2,2',3,3'-聯苯基四羧酸、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸、2,2',3,3'-二苯甲酮四羧酸、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)六氟丙烷、1,1-雙(3,4-二羧基苯基)乙烷、1,1-雙(2,3-二羧基苯基)乙烷、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷、雙(2,3-二羧基苯基)甲烷、雙(3,4-二羧基苯基)碸、雙(3,4-二羧基苯基)醚、1,2,5,6-萘四羧酸、2,3,6,7-萘四羧酸、2,3,5,6-吡啶四羧酸、3,4,9,10-苝四羧酸等的芳香族四羧酸殘基，或丁烷四羧酸、1,2,3,4-環戊烷四羧酸等的脂肪族四羧酸殘基等。另外，亦可含有該些兩種以上的四羧酸殘基。作為四羧酸殘基，就吸光度的觀點而言，較佳為具有芳香族。
式（1）及式（2）中，R 2及R 4表示二胺殘基。作為構成R 2及R 4的二胺殘基的例子，可列舉：2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷、雙(3-胺基-4-羥基苯基)碸、2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)丙烷、雙(3-胺基-4-羥基苯基)甲烷、雙(3-胺基-4-羥基苯基)醚、3,3'-二胺基-4,4'-聯苯酚、9,9-雙(3-胺基-4-羥基苯基)芴等的含有羥基的二胺殘基，3-磺酸-4,4'-二胺基二苯基醚等的含有磺酸基的二胺殘基，二巰基苯二胺等的含有硫醇基的二胺殘基，3,4'-二胺基二苯基醚、4,4'-二胺基二苯基醚、3,4'-二胺基二苯基甲烷、4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,4'-二胺基二苯基碸、4,4'-二胺基二苯基碸、3,4'-二胺基二苯基硫醚、4,4'-二胺基二苯基硫醚、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、聯苯胺、間苯二胺、對苯二胺、1,5-萘二胺、2,6-萘二胺、雙(4-胺基苯氧基苯基)碸、雙(3-胺基苯氧基苯基)碸、雙(4-胺基苯氧基)聯苯、雙{4-(4-胺基苯氧基)苯基}醚、2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、2,2'-二乙基-4,4'-二胺基聯苯、3,3'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、3,3'-二乙基-4,4'-二胺基聯苯、2,2',3,3'-四甲基-4,4'-二胺基聯苯、3,3',4,4'-四甲基-4,4'-二胺基聯苯、2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二胺基聯苯等的芳香族二胺殘基、或者該些的芳香族環的氫原子的一部分經碳數1～10的烷基或氟烷基、鹵素原子等取代而成的化合物，環己基二胺、亞甲基雙環己基胺等的脂環式二胺殘基等。另外，亦可組合含有該些兩種以上的二胺殘基。就吸光度的觀點而言，較佳為於樹脂膜中含有二胺殘基整體的30莫耳%以上的芳香族二胺殘基。
式（2）中，R 5表示氫原子或碳數1～20的一價有機基。作為碳數1～20的有機基，表示甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、戊基、己基、環己基、辛基、十二基、苯基等。就聚合用的原料的獲取容易性而言，較佳為甲基、乙基。
式（3）及式（4）中，R 6及R 8表示二羧酸殘基、三羧酸殘基、或四羧酸殘基。
作為二羧酸殘基的例子，可列舉：對苯二甲酸、間苯二甲酸、二苯基醚二羧酸、雙(羧基苯基)六氟丙烷、聯苯基二羧酸、二苯甲酮二羧酸、三苯基二羧酸等的殘基，作為三羧酸殘基的例子，可列舉：偏苯三甲酸、均苯三甲酸、二苯基醚三羧酸、聯苯基三羧酸等的殘基。作為四羧酸殘基的例子，與作為R 1及R 3的例子列舉的殘基相同。可使用該些的兩種以上。
式（3）及式（4）中，R 7及R 9(OH) 2表示雙胺基苯酚衍生物殘基。作為雙胺基苯酚衍生物殘基的具體例，可列舉：3,3'-二胺基-4,4'-二羥基聯苯、4,4'-二胺基-3,3'-二羥基聯苯、雙(3-胺基-4-羥基苯基)丙烷、雙(4-胺基-3-羥基苯基)丙烷、雙(3-胺基-4-羥基苯基)碸、雙(4-胺基-3-羥基苯基)碸、2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2,2-雙(4-胺基-3-羥基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷等的殘基，但並不限定於該些。該些化合物可含有單獨一種，或者亦可組合含有兩種以上。
另外，藉由具有酸性基的單胺、酸酐、醯氯、單羧酸對式（1）～式（4）所表示的樹脂的末端進行密封因可獲得於主鏈末端具有酸性基的樹脂而較佳。
作為此種單胺的較佳的例子，可列舉：2-胺基苯酚、3-胺基苯酚、4-胺基苯酚等。可使用該些的兩種以上。
另外，作為此種酸酐、醯氯、單羧酸的較佳的例子，可列舉：鄰苯二甲酸酐、馬來酸酐、納迪克酸酐（nadic anhydride）等公知者。另外，作為反應性末端，亦較佳地使用二碳酸二-第三丁酯等。可使用該些的兩種以上。
所述樹脂（A）較佳為具有選自由式（5）所表示的二甲基矽氧烷結構、式（6）所表示的二苯基矽氧烷結構、式（7）所表示的烷二醇結構、及式（8）所表示的伸烷基結構所組成的群組中的任一種以上的結構。
[化2]
Figure 02_image003
式（5）～式（8）中，R 10～R 13分別獨立地表示氫原子或碳數1～20的一價有機基。l、m、n分別獨立地表示4～40的整數。p表示10～40的整數。o表示1～16的整數。
藉由在樹脂的結構中具有式（5）～式（8）所表示的結構，而有樹脂膜的柔軟性與接著強度提高的效果，因此較佳。R 10～R 13與R 5的說明相同。
作為此種結構，具體而言，關於脂肪族二胺殘基，作為含有聚環氧乙烷基的二胺殘基，可列舉：傑法敏（Jeffamine）KH-511、傑法敏（Jeffamine）ED-600、傑法敏（Jeffamine）ED-900、傑法敏（Jeffamine）ED-2003、傑法敏（Jeffamine）EDR-148、傑法敏（Jeffamine）EDR-176、聚氧伸丙基二胺的D-200、D-400、D-2000、D-4000（以上為商品名，亨斯邁（HUNTSMAN）（股）製造）等的二胺殘基，作為具有聚環氧烷基的二胺殘基，可列舉：埃拉斯瑪（elasmer）250P、埃拉斯瑪（elasmer）650P、埃拉斯瑪（elasmer）1000P、寶萊雅（porea）SL100A（以上為商品名，組合化學工業（Kumiai Chemical Industry）（股）製造）等的殘基。進而，作為矽氧烷二胺殘基，例如可列舉：作為丙基胺末端的矽氧烷二胺的、LP-7100、KF-8010、KF-8012、X22-161A（以上為商品名，信越化學（股）公司製造）等的殘基。另外，亦可組合使用該些兩種以上的二胺殘基。
進而，所述樹脂（A）更佳為聚醯亞胺矽氧烷。聚醯亞胺矽氧烷為於聚醯亞胺的重複結構中具有矽氧烷結構的樹脂，本發明中的聚醯亞胺矽氧烷特佳為於結構中具有式（9）所表示的矽氧烷二胺殘基。
[化3]
Figure 02_image005
式（9）中，q為1～50的自然數。R 14及R 15可分別相同亦可不同，表示碳數1～30的伸烷基或伸苯基。R 16～R 19可分別相同亦可不同，表示碳數1～30的烷基、苯基或苯氧基。
作為式（9）所表示的矽氧烷二胺殘基，可列舉源自以下二胺者。具體而言，可列舉：α,ω-雙(3-胺基丙基)聚二甲基矽氧烷、α,ω-雙(3-胺基丙基)聚二乙基矽氧烷、α,ω-雙(3-胺基丙基)聚二丙基矽氧烷、α,ω-雙(3-胺基丙基)聚二丁基矽氧烷、α,ω-雙(3-胺基丙基)聚二苯氧基矽氧烷、α,ω-雙(2-胺基乙基)聚二甲基矽氧烷、α,ω-雙(2-胺基乙基)聚二苯氧基矽氧烷、α,ω-雙(4-胺基丁基)聚二甲基矽氧烷、α,ω-雙(4-胺基丁基)聚二苯氧基矽氧烷、α,ω-雙(5-胺基戊基)聚二甲基矽氧烷、α,ω-雙(5-胺基戊基)聚二苯氧基矽氧烷、α,ω-雙(4-胺基苯基)聚二甲基矽氧烷、α,ω-雙(4-胺基苯基)聚二苯氧基矽氧烷等的殘基。所述矽氧烷二胺的殘基可含有單獨一種，亦可含有兩種以上。聚醯亞胺矽氧烷的特徵在於接著強度高且源自聚醯亞胺的吸光度高，尤其是可提高355 nm等下的吸光度。
本發明的積層體較佳為所述樹脂膜的1%重量減少溫度為300℃以上。此處，所謂樹脂膜的1%重量減少溫度，表示與將樹脂膜於250℃下加熱處理30分鐘後而得者相關的值。關於樹脂膜已經完成熱處理者，亦可根據於250℃下進行30分鐘熱處理後而得者來進行確認。藉由1%重量減少溫度為300℃以上，可抑制由雷射光照射時產生的熱引起的樹脂膜整體的劣化，可防止由樹脂膜的劣化引起的碎屑的產生。
為了將1%重量減少溫度設為300℃以上，較佳為於樹脂膜中具有熱穩定性高的成分。具體的熱穩定性高的成分是指芳香環等剛直的成分、柔軟結構中熱穩定性比較高的矽氧烷、或者該些組合而成的成分等。藉由相對於構成樹脂的所有單體殘基100莫耳%，單體殘基的50%以上為所述熱穩定性高的單體殘基，可將1%重量減少溫度設為300℃以上。就聚合物的通用性的觀點而言，1%重量減少溫度較佳為600℃以下。
接下來，對本發明的樹脂組成物進行說明。
本發明的樹脂組成物為包含（B）樹脂、（C）紫外線吸收劑及/或色素、以及（D）溶劑的樹脂組成物， 所述（B）樹脂含有選自由具有式（1）的結構的聚醯亞胺、具有式（2）的結構的聚醯亞胺前驅物、具有式（3）的結構的聚苯並噁唑、具有式（4）的結構的聚苯並噁唑前驅物、及該些的共聚物所組成的群組中的一種以上，進而具有式（1）的結構的聚醯亞胺、具有式（2）的結構的聚醯亞胺前驅物、具有式（3）的結構的聚苯並噁唑、具有式（4）的結構的聚苯並噁唑前驅物及該些的共聚物具有選自由式（5）所表示的二甲基矽氧烷結構、式（6）所表示的二苯基矽氧烷結構、式（7）所表示的烷二醇結構、及式（8）所表示的伸烷基結構所組成的群組中的一種以上的結構。
[化4]
Figure 02_image007
式（1）～式（4）中，R 1、R 3、R 7及R 9分別獨立地表示碳數6～40的四價有機基，R 2、R 4、R 6及R 8分別獨立地表示碳數2～40的二價有機基。R 5表示氫原子或碳數1～20的一價有機基。
[化5]
Figure 02_image009
式（5）～式（8）中，R 10～R 13分別獨立地表示氫原子或碳數1～20的一價有機基。l、m、n分別獨立地表示4～40的整數。p表示10～40的整數。o表示1～16的整數。
（B）樹脂中的式（1）～式（8）的說明與所述樹脂（A）中的式（1）～式（8）的說明相同。
本發明的樹脂組成物中的（B）樹脂較佳為含有聚醯亞胺矽氧烷。聚醯亞胺矽氧烷為於聚醯亞胺的重複結構中具有矽氧烷結構的樹脂，（B）樹脂中所含的聚醯亞胺矽氧烷特佳為於結構中具有式（9）所表示的矽氧烷二胺殘基。
[化6]
Figure 02_image011
式（9）中，q為1～50的自然數。R 14及R 15可分別相同亦可不同，表示碳數1～30的伸烷基或伸苯基。R 16～R 19可分別相同亦可不同，表示碳數1～30的烷基、苯基或苯氧基。
（B）樹脂中的式（9）的說明與樹脂（A）中的式（9）的說明相同。
本發明的樹脂組成物含有（D）溶劑，作為（D）溶劑的較佳的例子，可列舉：N-甲基-2-吡咯啶酮、γ-丁內酯、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、二甲基亞碸等極性非質子性溶媒，乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇二丁醚、二丙二醇二甲醚等醚類，乙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙基乙酸酯、丁基乙酸酯、異丁基乙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲氧基-3-甲基-1-丁基乙酸酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯等乙酸酯類，乙醯丙酮、甲基丙基酮、甲基丁基酮、甲基異丁基酮、環戊酮、環己酮、2-庚酮等酮類，丁基醇、異丁基醇、戊醇、4-甲基-2-戊醇、3-甲基-2-丁醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、二丙酮醇等醇類，甲苯、二甲苯等芳香族烴類等，但並不限定於該些。該些可單獨使用，亦可使用兩種以上。
關於（D）溶劑的較佳的添加量，相對於（B）樹脂100重量份，為30重量份至3000重量份，於由樹脂組成物製作樹脂膜時，較佳為於成為容易成膜的濃度黏度的範圍中進行調整。
該樹脂組成物含有（C）紫外線吸收劑及/或色素。藉由含有（C）紫外線吸收劑及/或色素，而容易控制（B）樹脂的吸光度，於轉印半導體元件時，能夠使用各種波長的雷射。
作為樹脂膜中所含的（C）成分的例子，可使用與於所述樹脂（A）中所例示的紫外線吸收劑、色素相同的成分，該些可於樹脂膜中含有單獨一種，亦可含有多種。
其中，（C）成分較佳為含有選自由苯並三唑系化合物、三嗪系化合物、二苯甲酮系化合物、及苯甲酸酯系化合物所組成的群組中的一種以上。該些化合物的耐熱性高，因此可抑制雷射照射時的碎屑的產生。另外，由於對200 nm～300 nm區間的波長具有吸收，因此容易進行使用200 nm～300 nm區間的比較短的波長的雷射的半導體元件的轉印。於該區域的波長的雷射的情況下，（C）成分所吸收的雷射能量亦可有助於（B）樹脂的分解，因此能夠利用更低的能量轉印半導體元件，因此較佳。
於本發明的樹脂組成物中，相對於（B）樹脂100重量份，（C）成分較佳為10重量份～50重量份。若相對於（B）樹脂100重量份而（C）成分為10重量份以上，則即便於（B）樹脂自身的吸光度低的情況下，當在以後的步驟中雷射轉印半導體元件時，亦可轉印半導體元件。另外，藉由相對於（B）樹脂100重量份而（C）成分的含量為50重量份以下，可防止（C）成分於樹脂組成物中的分離或沈澱。進而，更佳為相對於（B）樹脂100重量份而（C）成分為30重量份以下，從而可防止於塗佈樹脂組成物製作樹脂膜時樹脂膜表面的異物的產生或以樹脂膜的狀態保存時（C）成分向塗佈膜表面析出的情況。
本發明的樹脂組成物較佳為進而含有（E）交聯劑。藉由含有交聯劑，而於製作樹脂膜的情況下，樹脂膜的表面經交聯而變得牢固。藉此，於在其後的步驟中雷射轉印半導體元件時，可減少半導體元件的殘膠。另外，膜強度提高，藉此可抑制由雷射照射引起的樹脂膜的斷裂，可減少碎屑。
作為（E）交聯劑的較佳的例子，可使用與樹脂（A）的說明中所列舉的交聯劑相同的交聯劑。交聯劑較佳為具有選自由環氧基、氧雜環丁基、烷氧基甲基、及羥甲基所組成的群組中的至少一種基的化合物。藉由使用該些交聯劑，不會損及樹脂組成物的保存穩定性，且可製成可形成強度高的樹脂膜的樹脂組成物。
（E）交聯劑可於樹脂組成物中含有兩種以上。關於（E）交聯劑的較佳的含量，相對於（B）樹脂100重量份，（E）交聯劑為0.5重量份～30重量份。藉由相對於（B）樹脂100重量份而包含0.5重量份以上的（E）交聯劑，而由該樹脂組成物製成的樹脂膜可藉由樹脂膜的表面經交聯的效果，於其後的步驟中雷射轉印半導體元件時，減少半導體元件上的殘膠。另外，藉由為30重量份以下，可保持由樹脂組成物製成的樹脂膜的柔軟性，因此有容易保持半導體元件的效果。
本發明為依序積層有具有雷射透過性的基板1、含有所述樹脂組成物的樹脂膜、以及半導體元件的積層體。藉由製成積層有半導體元件的狀態的積層體，可與所述積層體2同樣地作為用於製造後述的半導體裝置的積層體來使用。
接下來，對本發明的積層體的製造方法進行說明。
積層體1可藉由在具有雷射透過性的基板1上形成樹脂膜而製成。說明積層體1的製成方法的一例。於具有雷射透過性的基板1上，塗佈使樹脂膜的成分溶解於溶媒中而成的清漆，並進行加熱硬化，藉此製作樹脂膜。於利用塗佈法製作樹脂膜的情況下，可選擇任意的塗佈方法，可列舉使用旋轉器的旋轉塗佈、噴霧塗佈、輥塗佈、狹縫模塗佈等方法。塗佈後的樹脂膜較佳為使用加熱板、乾燥烘箱、紅外線等在50℃～150℃的範圍內乾燥1分鐘～幾十分鐘。進而，其後，視需要，於100℃～500℃的範圍內加熱硬化幾分鐘至幾小時。此時的樹脂膜的膜厚較佳為0.7 μm以上且30 μm以下。膜厚可利用掃描式電子顯微鏡或光學式膜厚計、階差計等進行測定。
接下來，使用圖式對積層半導體元件並製作積層體2的方法的一例進行說明。
於圖1中示出製成積層體2（120）的方法。將半導體元件（14）直接排佈於在具有雷射透過性的基板1（11）上積層樹脂膜（12）而成的積層體1（110）的樹脂膜（12）上，利用真空層壓機或晶圓接合器、壓製機等壓接裝置（41）進行壓接，藉此進行積層。或者，可如圖2所示，準備於其他支撐體（15）上經由臨時接著劑（16）而臨時接著有半導體元件（14）的半導體元件臨時接著基板（130），將臨時接著劑（16）上的半導體元件（14）與積層體1（110）的樹脂膜（12）面重合，利用所述壓接裝置（41）進行壓接；其後，自半導體元件（14）去除臨時接著劑（16）與支撐體（15），製作積層體2（120）。進而，可列舉如下方法等：如圖3所示，對於在藍寶石等結晶成長用基板（17）上直接製成半導體元件（14）而成的帶半導體元件的基板（140），使半導體元件（14）面與樹脂膜（12）面相向並重合，利用所述裝置（41）進行壓接；其後，自結晶成長用基板（17）側照射雷射光（31），自結晶成長用基板（17）將半導體元件（14）雷射剝離至積層體1（110）側。積層半導體元件時的壓力可根據樹脂膜的接著強度來選擇最佳的值，且是於0.05 MPa～5.0 MPa的範圍內選擇。就可避免對半導體元件的破損、抑制向樹脂膜的埋沒的方面而言，較佳為2.0 MPa以下。另外，於積層半導體元件時，視需要亦能夠一邊進行加熱一邊施加壓力。藉由進行加熱而樹脂膜的柔軟性提高，藉此可以更低的壓力將半導體元件壓接。
另外，藉由在積層體預先標記對準標記，而以後的操作中的轉印位置的調整變容易。
進而，使用圖4對製作積層體2的其他方法進行說明。於其他支撐體（15）上經由臨時接著劑（16）貼合進行單片化之前的狀態的半導體基板（18）。進而，於該經單片化之前的半導體基板（18）上塗佈樹脂膜的清漆，進行加熱硬化。於該狀態下，將具有雷射透過性的基板1與帶樹脂膜的支撐體面對面地接著。將支撐體（15）與支撐體（15）所鄰接的臨時接著劑（16）剝離、去除，其後將半導體基板（18）單片化，製成半導體元件（14），藉此可製作積層體2（120）。
於由樹脂組成物製作與積層體2相當的積層體的情況下，亦可利用相同的方法來製成。
接下來，對半導體裝置的製造方法進行說明。
本發明的半導體裝置的製造方法為如下半導體裝置的製造方法：為使用所述積層體2的半導體裝置的製造方法，該方法具有：使所述積層體2的半導體元件面與基板2相向的步驟；以及繼而，自積層體2的具有雷射透過性的基板1側照射雷射光，將半導體元件轉印至基板2的步驟。
使用圖式對使所述積層體2的半導體元件面與基板2相向的步驟進行說明。於圖5中示出半導體裝置的製造方法。
所謂半導體元件面，是指積層體2（120）的表面中存在半導體元件（14）的面。
對於利用所述方法製成的積層體2（120）與基板2（21），使積層體2（120）的保持有半導體元件（14）的面與基板2（21）面對面，以積層體2（120）與基板2（21）平行的方式固定基板。為了防止轉印時的半導體元件（14）的由自重引起的位置偏移，面對面的積層體2（120）與基板2（21）是以積層體2（120）為上的方式配置。積層體2與基板2以具有一定間隔的方式進行配置，半導體元件面與基板2的間隔可根據半導體元件的大小、厚度來選擇，且是於幾微米至幾百微米的範圍中選擇。
基板2可使用玻璃基板或樹脂基板、金屬基板、已經形成配線的電路基板等任意的基板。另外，為了保持轉印後的半導體元件，亦可具有黏著層。黏著層可選擇聚矽氧烷樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、各向異性導電膜（Anisotropic Conductive Film，ACF）樹脂、導電性銀糊、本發明中的樹脂膜等具有黏著性的材料。黏著層的厚度是於0.5 μm～100 μm的範圍內，根據半導體元件的大小或半導體元件與基板2的間隔來選擇。
另外，為了對準轉印位置，於基板2側亦可存在對準標記。
接下來，使用圖式對繼而自積層體2的具有雷射透過性的基板1側照射雷射光、將半導體元件轉印至基板2的步驟進行說明。於圖6的6a中示出轉印步驟的一例。
於利用所述方法配置的積層體2（120）與基板2（21）中，自積層體2（120）的具有雷射透過性的基板1（11）側經由具有雷射透過性的基板1（11）將雷射光（31）照射至半導體元件。作為雷射光的種類，可列舉：釔鋁石榴石（yttrium aluminum garnet，YAG）雷射、YVO 4雷射、光纖雷射、半導體雷射等固體雷射、碳酸雷射、準分子雷射、氬氣雷射等氣體雷射等，可根據使用的波長來選擇。進行照射的雷射光的光束形狀並無限定，另外雷射光光點尺寸可小於半導體元件的大小。其中，設為雷射光不會照射到與要轉印的半導體元件所鄰接的半導體元件的大小。 另外，於雷射光的光點尺寸為亦照射到鄰接的半導體元件的大小的情況下，如圖6的6b所示，亦能夠通過光罩（51）照射雷射光（31）。雷射光可選擇任意的能量密度。關於雷射光的能量密度，就雷射光的能量密度的穩定性的觀點而言，較佳為1 mJ/cm 2以上，就防止對半導體元件的損傷、縮短處理時間的觀點而言，較佳為1000 mJ/cm 2以下。進而佳為雷射光的能量密度為10 mJ/cm 2以上且500 mJ/cm 2以下。
藉由使用本發明的積層體2，即便為低的能量亦能夠進行轉印，進而即便於改變雷射光的能量密度的情況下，亦可減小對位置精度或碎屑、殘膠的影響。進行照射的雷射光的能量密度有時存在輸出的不均，為了減小由輸出不均引起的對轉印性的影響，較佳為無論雷射光的能量密度如何，積層體2均具有相同程度的轉印性。作為具有相同程度的轉印性的雷射光的能量密度的範圍，更佳為具有30 mJ/cm 2以上的裕度，就實用性的觀點而言，特佳為50 μm/cm 2以上。
另外，於轉印半導體元件時，亦能夠對基板2進行加熱。尤其是，於在基板2上形成有黏著層的情況下，所轉印的半導體元件的保持性提高。於對基板2進行加熱的情況下，就防止基板2的由熱引起的翹曲、可位置精度良好地進行轉印的方面而言，較佳為100℃以下。
半導體元件的轉印是於根據要製作的半導體裝置中的半導體元件的實際安裝地點調整位置的同時進行。例如，於製作LED基板的情況下，根據LED的畫素尺寸及紅綠藍（Red-Green-Blue，RGB）的配置，錯開LED元件的間距，同時進行轉印。接下來，使轉印有LED元件的基板2與電路基板面對面，並壓接至電路基板，藉此可製作安裝有LED元件的電路基板。於使用本發明的積層體進行轉印的情況下，可以高的位置精度進行轉印，因此可沒有自最終安裝的基板的電路的偏移地轉印半導體元件，可減少由位置偏移引起的安裝不良。
所述雷射光較佳為具有248 nm、266 nm、308 nm、355 nm、532 nm、1064 nm中的任一波長的雷射光，特佳為使用樹脂膜的吸光度為0.4以上的波長。藉由使用該些雷射光，可減少半導體元件的破損。
於本發明的半導體裝置的製造方法中，所述雷射光更佳為具有248 nm、266 nm、355 nm中的任一波長的雷射光，亦可正確地轉印μLED般的微小的半導體元件。作為248 nm、266 nm、355 nm的雷射光，特佳為準分子雷射、YAG雷射。
再者，本發明的半導體裝置的製造方法較佳為所述基板2為電路基板。若基板2為電路基板，則可將利用所述方法轉印的基板直接加以半導體裝置化。不用擔憂轉印後的基板的操作所致的位置偏移，可進一步提高位置精度。作為電路基板，可使用薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT）基板或印刷配線基板等公知者。
以下，基於實施例對本發明進行具體說明。 [實施例]
以下，列舉實施例來說明本發明，但本發明不受該些例子的限定。首先，對各實施例及比較例中的評價方法進行說明。
（1）積層體的製成方法 於厚度0.5 mm的帶對準標記的4英吋玻璃基板（康寧（Corning）製造，益格（Eagle）XG，355 nm下的吸光度為0.01）上，使用旋轉器塗佈利用後述的方法製成的樹脂膜用清漆，利用加熱板於120℃下預烘烤3分鐘，進而繼續以規定的溫度與時間進行加熱硬化，於玻璃基板上製作樹脂膜，從製作積層體1。
樹脂膜的膜厚是藉由如下方式確認：割斷積層體，利用掃描式電子顯微鏡（日立高新技術（Hitachi High-Technologies）（股）製造，S-4800）觀察剖面。
另行將以矽晶圓的厚度成為100 μm的方式進行了背面研磨的矽晶圓貼附於切割帶（電化（Denka）（股）製造，UDC-1025MC）上，利用切割裝置（迪斯科（DISCO）（股）製造，DAD300）加工成100 μm×200 μm的尺寸，製作半導體元件的虛擬晶片。晶片間的距離為150 μm，此時的虛擬晶片的每單位面積的個數為1100個/cm 2。
對切割帶照射紫外光（ultraviolet light，UV光），使切割帶的黏著性降低。以10行×10列殘留100個虛擬晶片，利用鑷子將周圍的虛擬晶片去除。於所述玻璃基板、樹脂膜的積層體的樹脂膜側，以使晶片面相向的狀態重疊切割帶上的虛擬晶片。接下來，利用真空層壓機將虛擬晶片壓接於樹脂膜上。其後剝離切割帶，製作積層體2。利用光學顯微鏡目視觀察積層於樹脂膜上的虛擬晶片的表面，測量樹脂膜上積層好的晶片的個數、及其中未破損地積層好的晶片的個數。將結果記載於表3～表6中。
（2）樹脂膜的吸光度的測定 利用與所述（1）的方法相同的方法將樹脂膜用清漆塗佈於石英基板上，進行預烘烤、加熱硬化，製作吸光度測定用的帶樹脂膜的石英基板。膜厚亦同樣地進行測定。使用紫外可見分光光度計（日立製作所（股）製造，U-2910）連續測定200 nm至1100 nm的吸光度。自其中，讀取248 nm、266 nm、308 nm、355 nm、532 nm、1064 nm下的值，根據以下關係式，算出每1 μm的各自的吸光度。 每1 μm的吸光度=測定中所獲得的實際的吸光度/測定膜厚（μm） （3）樹脂膜的接著強度的測定 （3）-1 積層體1的樹脂膜的表面的接著強度的測定 對於利用所述方法製成的積層體1，使用真空層壓機於0.1 MPa、25℃下將切成1 cm×9 cm的長條狀的凱通（kapton）膜壓接於樹脂膜的表面。將樣品放置於拉伸試驗機（日本電產新寶（NIDEC Shimpo）（股）製造，FGS-VC）上，以2 mm/秒的恆定速度，於垂直方向上剝離所壓接的凱通（kapton）膜。利用數位測力計（日本電產新寶（NIDEC Shimpo）（股）製造，FGJN-5）測定此時的剝離強度。改變樣品進行3次測定，將其平均值設為接著強度。
（3）-2 積層體2的樹脂膜與半導體元件相接的面的接著強度的測定 於利用所述方法製成的積層體2中，於虛擬晶片面上貼附切割帶（UDC-1025MC），並撕下，藉此自樹脂膜剝取虛擬晶片。於剝離了虛擬晶片的樹脂膜的表面上，利用與（3）-1相同的方法壓接凱通（kapton）膜，並利用與（3）-1相同的方法測定接著強度。
（4）壓入硬度測定 壓入硬度是使用奈米壓痕儀（海思創（Hysitron）公司製造，特力博壓痕儀（Triboindenter）TI950）進行測定。
利用與所述（3）的樹脂膜的接著強度的測定相同的方法，自積層體2剝取虛擬晶片，製作使樹脂膜露出的樣品，進而切成10 mm×10 mm的大小。
將所製作的樣品經由接著劑（東亞合成（股）製造，亞倫阿爾法（Aron Alpha） 速效多用途）固定於專用的樣品固定台上，藉由壓入負荷/卸荷試驗測定壓入硬度，所述試驗中，使用玻氏（Berkovich）壓頭（三角錐金剛石壓頭）自樹脂膜的表面向玻璃基板1側壓入後，進行卸荷。以下示出測定條件。 [測定條件] 測定時的環境：25±2℃，大氣 測定頻率：100 Hz 測定方法：連續剛性測定法 根據所獲得的載荷-壓入深度線圖，由沒有基底基板的影響的範圍的壓入區域的值來算出壓入硬度。
（5）膜厚的測定 割斷積層體2，利用掃描式電子顯微鏡（日立高新技術（Hitachi High-Technologies）（股）製造，S-4800）觀察剖面，測定樹脂膜的膜厚。
（6）斷裂伸長率的測定 利用棒塗機將樹脂膜用清漆塗佈於銅箔上，利用加熱板於120℃下預烘烤3分鐘，進而以後述的表2所示的溫度與時間進行加熱硬化，於銅箔上製作膜厚10 μm的樹脂膜。接下來，利用氯化鐵溶液對所獲得的樹脂膜的積層銅箔的銅箔進行全面蝕刻，獲得樹脂膜的單膜。將所獲得的單膜切斷成寬度1.5 cm、長度2 cm的長條狀，製作伸長率測定用的樣品。對於樣品，使用滕喜龍（tensilon）RTM-100（奧力恩泰科（Orientec）（股）製造），於室溫23.0℃、濕度45.0%RH下以拉伸速度50 mm/分鐘進行拉伸，進行室溫23.0℃下的斷裂伸長率的測定。針對1個被檢體，對10片長條進行測定，求出各結果中的前5分的平均值。
（7）熱分解溫度的測定 對伸長率的測定中使用的樹脂膜的單膜於250℃下熱處理30分鐘，然後將約15 mg裝入至鋁製標準容器中，使用熱重量分析裝置（島津製作所（股）製造，TGA-50）進行測定。測定條件是於120℃下保持30分鐘後，以升溫速度5℃/分鐘升溫至500℃。自所獲得的重量減少曲線讀出重量減少1%的溫度，將該溫度設為1%重量減少溫度。
（8）半導體晶片的轉印試驗 （8）-1 轉印用相向基板的製作 於厚度0.5 mm的帶對準標記的4英吋無鹼玻璃基板（康寧（Corning）製造的益格（Eagle）XG）上，使用旋轉器塗佈利用甲苯對聚二甲基矽氧烷進行稀釋並以聚二甲基矽氧烷與甲苯的重量比成為1：9的方式進行調整而成的稀釋液，利用加熱板於120℃下加熱硬化3分鐘，於玻璃基板上形成黏著層。熱硬化後的黏著層的膜厚是利用光學式膜厚計（大日本網屏製造，拉姆達艾斯（lambda ace），折射率=1.543）進行測定，製作黏著層的膜厚為20 μm的相向基板。
（8）-2 半導體元件的轉印 繼而，依序配置雷射光源、利用所述方法製成的積層體2、相向基板。此時，將積層體2的保持有虛擬晶片的面、與相向基板的形成有黏著層的面以虛擬晶片表面與黏著層表面的間隔為50 μm的方式面對面地加以保持。積層體2與相向基板利用各自的對準標記進行對位。雷射光的光點尺寸為120 μm×220 μm的方形，以於雷射光的光點的中央配置有1個虛擬晶片的方式調整雷射光源與積層體的位置，從而使雷射光不會照射至鄰接的虛擬晶片。
對於配置於雷射光照射位置的虛擬晶片，使波長355 nm、266 nm、248 nm、532 nm或1064 nm的雷射光於150 mJ/cm 2～400 mJ/cm 2之間、以50 mJ/cm 2為單位改變能量密度，同時進行照射。於各能量密度下，實施3個虛擬晶片的轉印試驗。
（8）-3 轉印性的評價 觀察雷射光照射後的相向基板，對3個虛擬晶片中的可確認到轉印至基板2的虛擬晶片的個數進行測量。另外，利用顯微鏡對轉印至相向基板上的虛擬晶片進行確認，於各雷射光的能量密度中，將沒有一個晶片破損的情況評價為無晶片破損，將觀察到即便一個存在裂痕、缺口、裂紋的晶片的情況評價為有晶片破損。
（8）-4 位置精度的評價 根據相向基板的對準標記算出轉印後的相向基板上的半導體元件的位置，並與積層體2中的位置進行比較。對於在各雷射光的能量密度下分別實施以3個為單位的轉印的過程中，位置偏移最大的晶片，如以下般判斷位置精度。於在X軸方向上小於±5 μm且在Y軸方向上小於±5 μm的範圍中的位置偏移的情況下，將位置精度設為A，於在X軸方向上為±10 μm以上、或者在Y軸方向上為±10 μm以上的範圍的情況下，將位置精度設為C，於偏移處於其間的範圍的情況下，將位置精度設為B。
（8）-5 殘膠的評價 不對雷射光照射後的所轉印的晶片進行清洗而進行觀察，對於虛擬晶片的與樹脂膜的接觸面，對樹脂膜的殘膠的面積進行確認。算出將每1個晶片的與樹脂膜的接觸面的表面積設為100%時的、於各能量密度下轉印好的晶片的與樹脂膜的接觸面中的殘膠的面積的平均值。結果，於殘膠面積的平均值為0%以上且小於1%的情況下，將殘膠設為A，於1%以上且小於30%的情況下，將殘膠設為B，於30%以上的情況下，將殘膠設為C。
（8）-6 碎屑的評價 不對雷射光照射後的相向基板進行清洗而進行觀察，對在所轉印的虛擬晶片周邊的黏著層表面上所觀察到的1 μm以上的異物進行測量。於各能量密度下，算出轉印好的晶片的平均值，於小於10個的情況下，將碎屑設為A，於10個以上且小於50個的情況下，將碎屑設為B，於50個以上的情況下，將碎屑設為C。另外，於包含50 μm以上的大小的碎屑的情況下，無論碎屑的個數如何，均設為C。
（8）-7 加工裕度的評價 對於在所述（8）-3～（8）-6的評價中，可將3個虛擬晶片轉印至基板2的晶片中的、無晶片破損、且轉印的位置精度、殘膠、碎屑的評價為A或B者，判斷為該能量密度下的轉印良好，評價可良好地進行轉印的能量密度的範圍。若能量範圍為100 mJ/cm 2以上，則將加工裕度設為A，若為50 mJ/cm 2以上且小於100 mJ/cm 2的範圍，則將加工裕度設為B，若小於50 mJ/cm 2，則將加工裕度設為C。
（9）樹脂溶液的固體成分的測定方法 將利用後述的方法製造的樹脂溶液於鋁杯中量取約1 g，載置於120℃的加熱板上並加熱3分鐘，繼而升溫至250℃，到達250℃後加熱30分鐘。測定加熱後殘留的樹脂的重量，由以下式子算出固體成分。 固體成分（重量%）=加熱後的樹脂的重量（g）/加熱前的樹脂溶液的重量（g）×100。
以下的製造例中所示的酸二酐、二胺、添加劑及溶媒的簡略符號的名稱為如下所述。 PMDA：均苯四甲酸酐（大賽璐（Daicel）（股）製造） BPDA：3,3',4,4'-聯苯基四羧酸酐（三菱化學（股）製造） BTDA：3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸酐（富士軟片和光純藥（股）製造） DIBOC：二碳酸二-第三丁酯（東京化成工業（股）製造） PA：鄰苯二甲酸酐（東京化成工業（股）製造） PDA：對苯二胺（東京化成工業（股）製造） BAHF：4,4'-二羥基-3,3'-二胺基苯基六氟丙烷（默克（merck）（股）製造） APPS2：α,ω-雙(3-胺基丙基)聚二甲基矽氧烷（平均分子量：860，q=9（平均值））（信越化學工業（股）製造） APPS3：α,ω-雙(3-胺基丙基)聚二甲基矽氧烷（平均分子量：1600，q=19（平均值））（信越化學工業（股）製造） 埃拉斯瑪（elasmer）650P：聚四亞甲基氧化物-二-對胺基苯甲酸酯（分子量：888，組合化學工業（Kumiai Chemical Industry）（股）製造） 埃拉斯瑪（elasmer）1000P：聚四亞甲基氧化物-二-對胺基苯甲酸酯（分子量：1238，組合化學工業（Kumiai Chemical Industry）（股）製造） NMP：2-甲基-1-吡咯啶酮（三菱化學（股）製造） DMIB：N,N-二甲基異丁基醯胺（三菱化學（股）製造） CHN：環己酮（東洋合成工業（股）製造） PETG：季戊四醇系骨架環氧樹脂（昭和電工（股）製造） 2E4MZ：2-乙基-4-甲基咪唑（四國化成工業（股）製造） 帝奴彬（Tinuvin）477：羥基苯基三嗪系紫外線吸收劑（巴斯夫（BASF）（股）製造） 100LM：以下結構所表示的具有烷氧基甲基的交聯劑（三和化學（股）製造）
[化7]
Figure 02_image013
製造例1（樹脂膜中所含的樹脂的聚合） 於帶溫度計、乾燥氮氣導入口、利用溫水/冷卻水的加熱/冷卻裝置、以及攪拌裝置的反應釜中，一同投入PDA 11.79 g（0.109 mol）、DMIB 195.8 g，並加以溶解。於其中，在攪拌的同時滴加將DIBOC 0.48 g（2.19 mmol）、DMIB 26.1 g混合而成的溶液，於40℃下攪拌1小時。接下來，添加BPDA 12.87 g（0.437 mol）、DMIB 13.05 g，於60℃下攪拌30分鐘。繼而，添加PMDA 13.83 g（0.063 mol）、與DMIB 13.05 g，於60℃下攪拌4小時，獲得固體成分為13重量%的聚醯亞胺前驅物PAA-1溶液。PAA-1中的具有芳香環結構的單體殘基於所有單體殘基100莫耳%中為99.5莫耳%。PAA-1為具有式（2）的結構的樹脂。
製造例2（樹脂膜中所含的樹脂的聚合） 於帶溫度計、乾燥氮氣導入口、利用溫水/冷卻水的加熱/冷卻裝置、以及攪拌裝置的反應釜中，於40℃下，一同投入APPS2 27.80 g（0.033 mol）、NMP 129.4 g，並加以溶解。於其中，加入PDA 8.25 g（0.076 mol）與NMP 16.17 g並加以溶解。接下來，將BPDA 15.87 g（0.054 mol）與BTDA 17.39 g（0.054 mol）和NMP 16.17 g一起加入。於60℃下反應4小時，獲得固體成分為30重量%的聚醯亞胺前驅物PAA-2溶液。PAA-2中的具有芳香環結構的單體殘基於所有單體殘基100莫耳%中為84.9莫耳%。PAA-2為具有式（2）以及式（5）的結構的樹脂。
製造例3（樹脂膜中所含的樹脂的聚合） 於帶溫度計、乾燥氮氣導入口、利用溫水/冷卻水的加熱/冷卻裝置、以及攪拌裝置的反應釜中，與CHN 481.4 g一起投入APPS2 344.0 g（0.40 mol）、APPS3 37.50 g（0.025 mol）、BAHF 27.47 g（0.075 mol），並加以溶解後，添加PA 14.81 g（0.10 mol）與CHN 20.00 g，於60℃下攪拌15分鐘。繼而，添加PMDA 97.61 g（0.45 mol）與CHN 20.00 g，於60℃下攪拌1小時，繼而升溫至145℃並反應4小時，獲得固體成分為50重量%的聚醯亞胺矽氧烷PIS-1溶液。PIS-1為具有式（1）以及式（5）的結構的樹脂。
製造例4（樹脂膜中所含的樹脂的聚合） 於帶溫度計、乾燥氮氣導入口、利用溫水/冷卻水的加熱/冷卻裝置、以及攪拌裝置的反應釜中，於40℃下，一同投入埃拉斯瑪（elasmer）650P 39.04 g（0.033 mol）、NMP 131.69 g，並加以溶解。於其中，加入PDA 8.25 g（0.076 mol）與NMP 16.42 g，並加以溶解。接下來，將BPDA 15.87 g（0.054 mol）與BTDA 17.39 g（0.054 mol）和NMP 16.42 g一起加入。於60℃下反應4小時，獲得固體成分為30重量%的聚醯亞胺前驅物PAA-3溶液。PAA-3中的具有芳香環結構的單體殘基於所有單體殘基100莫耳%中為84.9莫耳%。PAA-3為具有式（2）以及式（7）的結構的樹脂。
製造例5（樹脂膜中所含的樹脂的聚合） 於帶溫度計、乾燥氮氣導入口、利用溫水/冷卻水的加熱/冷卻裝置、以及攪拌裝置的反應釜中，於40℃下，一同投入埃拉斯瑪（elasmer）1000P 134.94 g（0.109 mol）與NMP 353.23 g，並加以溶解。接下來，將BPDA 15.87 g（0.054 mol）與BTDA 17.39 g（0.054 mol）和NMP 39.25 g一起加入。於60℃下反應4小時，獲得固體成分為30重量%的聚醯亞胺前驅物PAA-4溶液。PAA-4中的具有芳香環結構的單體殘基於所有單體殘基100莫耳%中為50.0莫耳%。PAA-4為具有式（2）以及式（7）的結構的樹脂。
製造例6（樹脂膜中所含的樹脂的聚合） 於帶溫度計、乾燥氮氣導入口、利用溫水/冷卻水的加熱/冷卻裝置、以及攪拌裝置的反應釜中，一同投入PDA 11.79 g（0.109 mol）、DMIB 204.1 g，並加以溶解。於其中，在攪拌的同時滴加將DIBOC 1.90 g（8.72 mmol）、DMIB 27.2 g混合而成的溶液，於40℃下攪拌1小時。接下來，添加BPDA 12.83 g（0.44 mol）、DMIB 13.61 g，於60℃下攪拌30分鐘。繼而，添加PMDA 14.15 g（0.065 mol）、與DMIB 13.61 g，於60℃下攪拌4小時，獲得固體成分為13重量%的聚醯亞胺前驅物PAA-5溶液。PAA-5中的具有芳香環結構的單體殘基於所有單體殘基100莫耳%中為96.3莫耳%。PAA-5為具有式（2）的結構的樹脂。
製造例7（樹脂膜中所含的樹脂的聚合） 於帶溫度計、乾燥氮氣導入口、利用溫水/冷卻水的加熱/冷卻裝置、以及攪拌裝置的反應釜中，於40℃下，一同投入APPS2 27.80 g（0.033 mol）、NMP 128.1 g，並加以溶解。於其中，加入PDA 8.25 g（0.076 mol）與NMP 16.01 g並加以溶解。接下來，將BPDA 15.55 g（0.053 mol）與BTDA 17.03 g（0.053 mol）和NMP 16.01 g一起加入。於60℃下反應4小時，獲得固體成分為30重量%的聚醯亞胺前驅物PAA-6溶液。PAA-6中的具有芳香環結構的單體殘基於所有單體殘基100莫耳%中為84.5莫耳%。PAA-6為具有式（2）以及式（5）的結構的樹脂。
製造例8（丙烯酸聚合物（P-1）的合成） 利用文獻（日本專利第3120476號公報；實施例1）記載的方法，合成甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸/苯乙烯共聚物（重量比30/40/30）後，追加甲基丙烯酸縮水甘油酯40重量份，進行利用精製水的再沈澱、過濾、乾燥，藉此獲得平均分子量（Mw）為40,000、酸價為110（mgKOH/g）的丙烯酸聚合物（P-1）粉末。
製造例9（碳黑分散液的製作） 於槽（tank）中向碳黑（TPX1291；卡博特（CABOT）製造）400 g中投入丙烯酸聚合物（P-1）的丙二醇單甲醚乙酸酯40重量%溶液187.5 g、高分子分散劑（BYK21116；畢克化學（BYK-Chemie）公司製造）62.5 g及丙二醇單乙醚乙酸酯890 g，利用均質混合器（特殊機化製造）攪拌1小時，獲得預分散液。其後，向包括填充有70%的0.10 mmϕ氧化鋯珠粒（東麗（Toray）製造）的離心分離分離器的超級頂端磨機（Ultra Apex Mill）（壽工業製造）供給預分散液，以旋轉速度8 m/s進行2小時分散，獲得固體成分濃度為25重量%、顏料/樹脂（重量比）=80/20的碳黑顏料分散液Bk-2。 實施例1～實施例24、比較例1～比較例2 於製造例1～製造例7中所獲得的樹脂溶液中，依照表1～表2的內容混合製造例9中所獲得的碳黑分散液或添加劑及溶劑並攪拌，製成樹脂膜用的清漆。清漆是利用孔徑0.2 μm的聚四氟乙烯（Polytetrafluoroethylene，PTFE）過濾器進行過濾。使用該些清漆，利用所述方法製作積層體。關於所製成的積層體的詳細情況與各種評價結果，彙總於表3～表9中。
[表1]
用途 清漆名稱 樹脂溶液 添加劑 溶劑
種類 重量 樹脂中含有的 特定結構 種類 重量 種類 重量 種類 重量 種類 重量 種類 重量
樹脂膜 形成用清漆 清漆1 PAA-1 3.85 g 式（2） - - - - DMIB 6.15 g
清漆2 PAA-2 5.00 g 式（2） 式（5） - - - - NMP 5.00 g
清漆3 PIS-1 6.67 g 式（1） 式（5） - - - 帝奴彬（Tinuvin）477 0.67 g CHN 2.67 g
清漆4 PIS-1 5.64 g 式（1） 式（5） PETG 0.56 g 100LM 0.03 g 2E4MZ 0.03 g 帝奴彬（Tinuvin）477 0.56 g CHN 3.18 g
清漆5 PIS-1 2.82 g 式（1） 式（5） PETG 0.28 g 100LM 0.01 g 2E4MZ 0.01 g 帝奴彬（Tinuvin）477 0.28 g CHN 6.59 g
清漆6 PAA-3 1.67 g 式（2） 式（7） - - - - NMP 8.33 g
清漆7 PAA-4 6.67 g 式（2） 式（7） - - - - NMP 3.33 g
清漆8 PAA-5 6.15 g 式（2） - - - - DMIB 3.85 g
清漆9 PAA-6 6.67 g 式（2） 式（5） - - - - NMP 3.33 g
清漆10 PIS-1 6.67 g 式（1） 式（5） - - - Bk-2 0.34 g CHN 2.99 g
清漆11 PAA-6 6.67 g 式（2） 式（5） - 100LM 0.02 g - - NMP 3.31 g
清漆12 PAA-6 6.67 g 式（2） 式（5） - 100LM 0.02 g - 帝奴彬（Tinuvin）477 0.10 g NMP 3.03 g
清漆13 PAA-2 5.00 g 式（2） 式（5） - 100LM 0.15 g - 帝奴彬（Tinuvin）477 0.08 g NMP 3.11 g
[表2]
用途 清漆名稱 樹脂溶液 添加劑 溶劑
種類 重量 樹脂中含有的 特定結構 種類 重量 種類 重量 種類 重量 種類 重量 種類 重量
樹脂膜 形成用清漆 清漆14 PAA-4 6.67 g 式（2） 式（7） - - - Bk-2 0.34 g NMP 3.33 g
清漆15 PIS-1 6.67 g 式（1） 式（5） - - - 帝奴彬（Tinuvin）477 0.17 g CHN 3.16 g
清漆16 PIS-1 6.67 g 式（1） 式（5） - - - 帝奴彬（Tinuvin）477 1.83 g CHN 1.49 g
清漆17 PIS-1 6.67 g 式（1） 式（5） - - - 帝奴彬（Tinuvin）477 1.50 g CHN 1.82 g
清漆18 PIS-1 5.64 g 式（1） 式（5） PETG 0.96 g 100LM 0.03 g 2E4MZ 0.03 g 帝奴彬（Tinuvin）477 0.56 g CHN 2.78 g
清漆19 PIS-1 5.64 g 式（1） 式（5） PETG 0.68 g 100LM 0.03 g 2E4MZ 0.03 g 帝奴彬（Tinuvin）477 0.56 g CHN 3.06 g
清漆20 PIS-1 5.64 g 式（1） 式（5） PETG 0.03 g 100LM 0.03 g 2E4MZ 0.03 g 帝奴彬（Tinuvin）477 0.56 g CHN 3.71 g
[表3]
項目 單位 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6
雷射透過性基板1 種類 - 無鹼玻璃 無鹼玻璃 石英基板 無鹼玻璃 無鹼玻璃 無鹼玻璃
樹脂膜 清漆 - 清漆8 清漆3 清漆3 清漆10 清漆10 清漆8
樹脂膜的煆燒條件 ℃/分鐘 180/10 220/10 220/10 220/10 220/10 180/10
248 nm的吸光度/μm - 4.50 2.38 2.38 2.20 2.20 4.50
266 nm的吸光度/μm - 4.79 2.66 2.66 0.77 0.77 4.79
308 nm的吸光度/μm 3.09 0.56 0.56 0.56 0.56 3.09
355 nm的吸光度/μm - 1.88 0.59 0.59 0.50 0.50 1.88
532 nm的吸光度/μm 0.04 0.01 0.01 0.46 0.46 0.04
1064 nm的吸光度/μm 0.00 0.00 0.00 0.42 0.42 0.00
積層體1中的 樹脂膜表面的接著強度 N/cm 0.02 0.26 0.26 0.26 0.26 0.02
積層體2中的樹脂膜與半導體元件 相接的面的接著強度 N/cm 0.02 0.26 0.26 0.26 0.26 0.02
膜厚 μm 0.50 33.0 33.0 33.0 33.0 1.0
壓入硬度 MPa 525 1.6 1.6 1.6 1.6 525
斷裂伸長率 % 7 1100 1100 1050 1050 7
1%重量減少溫度 ℃ 290 280 280 285 285 290
晶片的 積層結果 積層好的晶片的個數 個 75 100 100 100 100 78
積層好的晶片中 未破損的晶片的個數 個 68 100 100 100 100 71
[表4]
項目 單位 實施例7 實施例8 實施例9 實施例10 實施例11 實施例12 實施例13
雷射透過性基板1 種類 - 無鹼玻璃 無鹼玻璃 無鹼玻璃 無鹼玻璃 無鹼玻璃 無鹼玻璃 無鹼玻璃
樹脂膜 清漆 - 清漆4 清漆5 清漆6 清漆6 清漆7 清漆9 清漆11
樹脂膜的煆燒條件 ℃/分鐘 180/10 220/10 180/10 250/10 200/10 200/10 200/10
248 nm的吸光度/μm - 2.38 2.38 2.45 2.52 2.31 2.44 2.44
266 nm的吸光度/μm - 2.88 3.88 2.60 2.73 2.57 2.01 2.01
308 nm的吸光度/μm 0.56 0.56 2.55 2.62 2.38 2.61 2.61
355 nm的吸光度/μm - 0.61 0.61 0.77 0.90 0.45 1.64 1.64
532 nm的吸光度/μm 0.01 0.01 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00
1064 nm的吸光度/μm 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00
積層體1中的 樹脂膜表面的接著強度 N/cm 0.18 0.03 0.03 0.02 0.03 0.03 0.04
積層體2中的樹脂膜與半導體元件 相接的面的接著強度 N/cm 0.18 0.03 0.03 0.02 0.03 0.03 0.04
膜厚 μm 25.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0
壓入硬度 MPa 1.6 2.6 400 150 80 85 90
斷裂伸長率 % 1100 1200 80 120 700 110 105
1%重量減少溫度 ℃ 275 275 285 285 280 254 254
晶片的 積層結果 積層好的晶片的個數 個 100 97 85 80 90 97 97
積層好的晶片中 未破損的晶片的個數 個 100 97 85 80 90 97 97
[表5]
項目 單位 實施例14 實施例15 實施例16 實施例17 實施例18 實施例19 實施例20
雷射透過性基板1 種類 - 無鹼玻璃 無鹼玻璃 無鹼玻璃 石英 無鹼玻璃 無鹼玻璃 無鹼玻璃
樹脂膜 清漆 - 清漆12 清漆2 清漆13 清漆2 清漆14 清漆15 清漆16
樹脂膜的煆燒條件 ℃/分鐘 200/10 250/10 250/10 250/10 200/10 220/10 220/10
248 nm的吸光度/μm - 2.48 2.45 2.44 2.45 2.45 2.18 2.79
266 nm的吸光度/μm - 2.40 2.09 2.01 2.09 2.73 2.33 2.93
308 nm的吸光度/μm 2.78 2.63 2.61 2.63 2.79 0.44 0.95
355 nm的吸光度/μm - 1.82 1.68 1.64 1.68 0.77 0.48 0.77
532 nm的吸光度/μm 0.00 0.00 0.00 0.00 0.46 0.11 0.11
1064 nm的吸光度/μm 0.00 0.00 0.00 0.00 0.42 0.00 0.00
積層體1中的 樹脂膜表面的接著強度 N/cm 0.04 0.02 0.03 0.02 0.02 0.26 0.26
積層體2中的樹脂膜與半導體元件 相接的面的接著強度 N/cm 0.04 0.02 0.03 0.02 0.02 0.26 0.26
膜厚 μm 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 33.0 33.0
壓入硬度 MPa 90 100 110 100 80 1.3 1.3
斷裂伸長率 % 105 150 150 150 700 1100 1100
1%重量減少溫度 ℃ 250 360 355 360 270 285 265
晶片的 積層結果 積層好的晶片的個數 個 97 95 98 95 95 100 100
積層好的晶片中 未破損的晶片的個數 個 97 95 98 95 95 100 100
[表6]
項目 單位 實施例21 實施例22 實施例23 實施例24 比較例1 比較例2
雷射透過性基板1 種類 - 無鹼玻璃 無鹼玻璃 無鹼玻璃 無鹼玻璃 無鹼玻璃 無鹼玻璃
樹脂膜 清漆 - 清漆17 清漆18 清漆19 清漆20 清漆1 清漆3
樹脂膜的煆燒條件 ℃/分鐘 220/10 220/10 220/10 220/10 200/10 180/10
248 nm的吸光度/μm - 2.78 2.38 2.38 2.38 4.53 2.38
266 nm的吸光度/μm - 2.88 2.66 2.66 2.66 4.79 2.66
308 nm的吸光度/μm 0.89 0.56 0.56 0.56 3.09 0.56
355 nm的吸光度/μm - 1.00 0.59 0.59 0.59 1.90 0.59
532 nm的吸光度/μm 0.11 0.11 0.11 0.11 0.04 0.01
1064 nm的吸光度/μm 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00
積層體1中的 樹脂膜表面的接著強度 N/cm 0.26 0.02 0.03 0.08 0.01 0.35
積層體2中的樹脂膜與半導體元件 相接的面的接著強度 N/cm 0.26 0.02 0.03 0.08 0.01 0.35
膜厚 μm 33.0 33.0 33.0 33.0 0.50 33.0
壓入硬度 MPa 1.3 5.5 4.0 2.1 550 1.0
斷裂伸長率 % 1100 700 800 1050 12 1200
1%重量減少溫度 ℃ 270 285 285 285 340 280
晶片的 積層結果 積層好的晶片的個數 個 100 87 93 99 0 99
積層好的晶片中 未破損的晶片的個數 個 100 87 93 99 0 99
[表7]
實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8 實施例9
晶片 轉印結果 雷射光的波長 nm 355 355 248 532 1,064 355 355 355 355
雷射光的 照射能量 密度 mJ/cm 2 150 轉印晶片個數 0 0 1 0 0 1 1 2 1
晶片破損 未評價 未評價 無 未評價 未評價 無 無 無 無
位置精度 C B B B B
殘膠 C C C C B
碎屑 B B B B B
200 轉印晶片個數 2 1 3 0 0 2 2 3 2
晶片破損 無 無 無 未評價 未評價 無 無 無 無
位置精度 B B B B B A B
殘膠 B B B B B B B
碎屑 B B B B B B B
250 轉印晶片個數 3 1 3 1 1 3 3 3 3
晶片破損 無 無 無 無 無 無 無 無 無
位置精度 B B B C C B B A B
殘膠 B B B B B B B B B
碎屑 B B B A A B B B B
300 轉印晶片個數 3 2 3 1 1 3 3 3 3
晶片破損 有 無 有 無 無 無 無 無 無
位置精度 B C B C B B B A B
殘膠 B B B B B B B B B
碎屑 C C C B B C B B B
350 轉印晶片個數 3 3 3 2 1 3 3 3 3
晶片破損 有 有 有 無 無 無 無 無 無
位置精度 B B B B B B B A B
殘膠 B B B B B B B B B
碎屑 C C C B B C C B B
400 轉印晶片個數 3 3 3 3 3 3 3 3 3
晶片破損 有 有 有 無 無 有 無 無 有
位置精度 B B C B B B B A B
殘膠 B C C B B B C C B
碎屑 C C C C C C C C C
加工裕度 mJ/cm 2 200～250 200～250 200～250 300～350 300～350 200～250 200～300 200～350 150～350
評價 B B B B B B A A A
[表8]
實施例10 實施例11 實施例12 實施例13 實施例14 實施例15 實施例16 實施例17 實施例18
晶片 轉印結果 雷射光的波長 nm 355 355 355 355 355 355 355 266 532
雷射光的 照射能量 密度 mJ/cm 2 150 轉印晶片個數 1 3 3 3 3 3 3 3 0
晶片破損 無 無 無 無 無 無 無 無 未評價
位置精度 B B A A A A A A
殘膠 B B A A A A A A
碎屑 B B A A A A A A
200 轉印晶片個數 2 3 3 3 3 3 3 3 0
晶片破損 無 無 無 無 無 無 無 無 未評價
位置精度 B A A A A A A A
殘膠 B B A A A A A A
碎屑 B B A A A A A A
250 轉印晶片個數 3 3 3 3 3 3 3 3 1
晶片破損 無 無 無 無 無 無 無 無 無
位置精度 B A A A A A A A C
殘膠 B B A A A A A A B
碎屑 B B A A A A A A A
300 轉印晶片個數 3 3 3 3 3 3 3 3 1
晶片破損 無 無 無 無 無 無 無 無 無
位置精度 B A A A A A A A B
殘膠 B B A A A A A A B
碎屑 B B A A A A A A B
350 轉印晶片個數 3 3 3 3 3 3 3 3 2
晶片破損 無 無 無 無 無 無 無 無 無
位置精度 B A A A A A A A B
殘膠 B B A A A A A A B
碎屑 B B B A A A A A B
400 轉印晶片個數 3 3 3 3 3 3 3 3 3
晶片破損 無 無 無 無 無 無 無 無 有
位置精度 A A A A A A A A B
殘膠 A B A A A A A A B
碎屑 A B B B B A A B C
加工裕度 mJ/cm 2 150～400 150～400 150～400 150～400 150～400 150～400 150～400 150～400 300～350
評價 A A A A A A A A C
[表9]
實施例19 實施例20 實施例21 實施例22 實施例23 實施例24 比較例1 比較例2
晶片 轉印結果 雷射光的波長 nm 355 355 355 355 355 355 355 355
雷射光的 照射能量 密度 mJ/cm 2 150 轉印晶片個數 0 3 3 3 3 3 無法將虛擬晶片 積層於樹脂膜上 未評價 0
晶片破損 未評價 無 無 無 無 無 無法轉印 因此未評價
位置精度 B △ A A A
殘膠 B △ A A A
碎屑 B △ A A A
200 轉印晶片個數 1 3 3 3 3 3 0
晶片破損 無 無 無 無 無 無 無法轉印 因此未評價
位置精度 B B △ A A A
殘膠 B B △ A A A
碎屑 B B △ A A A
250 轉印晶片個數 1 3 3 3 3 3 0
晶片破損 A 無 無 無 無 無 無法轉印 因此未評價
位置精度 B △ △ A A A
殘膠 B △ △ A A A
碎屑 B C △ A A A
300 轉印晶片個數 1 3 3 2 3 3 0
晶片破損 有 無 無 無 無 無 無法轉印 因此未評價
位置精度 C C C A A A
殘膠 B B B A A A
碎屑 B C C A A A
350 轉印晶片個數 2 3 3 3 3 3 1
晶片破損 有 無 無 無 無 無 無
位置精度 B B △ A A A B
殘膠 B B △ A A A C
碎屑 C C × B A A C
400 轉印晶片個數 3 3 3 3 3 3 2
晶片破損 有 有 有 無 無 無 有
位置精度 B B B A A A B
殘膠 C C C A A A C
碎屑 C C C C A B C
加工裕度 mJ/cm 2 200～250 150～200 150～250 150～350 150～400 150～400 未評價 ＜50
評價 C B A A A A C C
11:具有雷射透過性的基板1 12:樹脂膜 14:半導體元件 15:支撐體 16:臨時接著劑 17:結晶成長用基板 18:半導體基板 21:基板2 31:雷射光 41:壓接裝置 51:光罩 110:積層體1 120:積層體2 130:臨時接著有半導體元件的基板（半導體元件臨時接著基板） 140:帶半導體元件的基板
圖1是表示積層體2的製成方法的圖。以後，有時將積層有半導體元件的積層體稱為積層體2。 圖2是表示利用臨時接著劑的積層體2的製成方法的圖。 圖3是表示利用雷射剝離的積層體2的製成方法的圖。 圖4是表示利用半導體基板的積層體2的其他製成方法的圖。 圖5是表示半導體裝置的製造方法中的、使積層體2的半導體元件面與基板2相向的步驟的圖。 圖6的6a、圖6的6b是表示照射雷射光並將半導體元件轉印至基板2的步驟的圖。

Claims (24)

  1. 一種積層體，為依序積層有具有雷射透過性的基板1、以及樹脂膜的積層體， 所述樹脂膜於200 nm～1100 nm中的任一波長下的換算為膜厚1.0 μm時的吸光度為0.4以上且5.0以下， 進而和基板1與所述樹脂膜相接的面為相反側的所述樹脂膜的表面的接著強度為0.02 N/cm以上且0.3 N/cm以下。
  2. 一種積層體，為依序積層有具有雷射透過性的基板1、樹脂膜、以及半導體元件的積層體， 所述樹脂膜於200 nm～1100 nm中的任一波長下的換算為膜厚1.0 μm時的吸光度為0.4以上且5.0以下， 進而所述樹脂膜與所述半導體元件相接的面的接著強度為0.02 N/cm以上且0.3 N/cm以下。
  3. 如請求項1或請求項2所述的積層體，其中所述樹脂膜於248 nm、266 nm、308 nm、532 nm及1064 nm中的任一波長下的換算為膜厚1.0 μm時的吸光度為0.4以上且5.0以下。
  4. 如請求項1至請求項3中任一項所述的積層體，其中所述樹脂膜於248 nm、266 nm及355 nm中的任一波長下的換算為膜厚1.0 μm時的吸光度為0.4以上且5.0以下。
  5. 如請求項1至請求項4中任一項所述的積層體，其中所述樹脂膜的膜厚為0.7 μm以上且30 μm以下。
  6. 如請求項1至請求項5中任一項所述的積層體，其中藉由自所述樹脂膜側向所述具有雷射透過性的基板1側壓入而測定的壓入硬度為2 MPa以上且500 MPa以下。
  7. 如請求項1至請求項6中任一項所述的積層體，其中所述樹脂膜的斷裂伸長率為100%以上且1000%以下。
  8. 如請求項1至請求項7中任一項所述的積層體，其中所述樹脂膜含有選自由具有式（1）的結構的聚醯亞胺、具有式（2）的結構的聚醯亞胺前驅物、具有式（3）的結構的聚苯並噁唑、具有式（4）的結構的聚苯並噁唑前驅物、及該些的共聚物所組成的群組中的一種以上的樹脂（A），
    Figure 03_image015
    （式（1）～式（4）中，R 1、R 3、R 7及R 9分別獨立地表示碳數6～40的四價有機基，R 2、R 4、R 6及R 8分別獨立地表示碳數2～40的二價有機基；R 5表示氫原子或碳數1～20的一價有機基）。
  9. 如請求項8所述的積層體，其中所述樹脂（A）具有選自由式（5）所表示的二甲基矽氧烷結構、式（6）所表示的二苯基矽氧烷結構、式（7）所表示的烷二醇結構、及式（8）所表示的伸烷基結構所組成的群組中的一種以上的結構，
    Figure 03_image017
    （式（5）～式（8）中，R 10～R 13分別獨立地表示氫原子或碳數1～20的一價有機基；l、m、n分別獨立地表示4～40的整數；p表示10～40的整數；o表示1～16的整數）。
  10. 如請求項9所述的積層體，其中所述樹脂（A）為聚醯亞胺矽氧烷。
  11. 如請求項1至請求項10中任一項所述的積層體，其中所述樹脂膜含有交聯劑。
  12. 如請求項1至請求項11中任一項所述的積層體，其中所述樹脂膜含有紫外線吸收劑及/或色素。
  13. 如請求項1至請求項12中任一項所述的積層體，其中所述樹脂膜的1%重量減少溫度為300℃以上。
  14. 一種樹脂組成物，為包含以下成分的組成物： （B）樹脂； （C）紫外線吸收劑及/或色素；以及 （D）溶劑， 所述（B）樹脂含有選自由具有式（1）的結構的聚醯亞胺、具有式（2）的結構的聚醯亞胺前驅物、具有式（3）的結構的聚苯並噁唑、具有式（4）的結構的聚苯並噁唑前驅物、及該些的共聚物所組成的群組中的一種以上， 進而，具有式（1）的結構的聚醯亞胺、具有式（2）的結構的聚醯亞胺前驅物、具有式（3）的結構的聚苯並噁唑、具有式（4）的結構的聚苯並噁唑前驅物、及該些的共聚物具有選自由式（5）所表示的二甲基矽氧烷結構、式（6）所表示的二苯基矽氧烷結構、式（7）所表示的烷二醇結構、及式（8）所表示的伸烷基結構所組成的群組中的一種以上的結構，
    Figure 03_image019
    （式（1）～式（4）中，R 1、R 3、R 7及R 9分別獨立地表示碳數6～40的四價有機基，R 2、R 4、R 6及R 8分別獨立地表示碳數2～40的二價有機基；R 5表示氫原子或碳數1～20的一價有機基），
    Figure 03_image021
    （式（5）～式（8）中，R 10～R 13分別獨立地表示氫原子或碳數1～20的一價有機基；l、m、n分別獨立地表示4～40的整數；p表示10～40的整數；o表示1～16的整數）。
  15. 如請求項14所述的樹脂組成物，其中（B）樹脂含有聚醯亞胺矽氧烷。
  16. 如請求項14或請求項15所述的樹脂組成物，其中所述（C）成分含有選自由苯並三唑系化合物、三嗪系化合物、二苯甲酮系化合物、及苯甲酸酯系化合物所組成的群組中的一種以上。
  17. 如請求項14至請求項16中任一項所述的樹脂組成物，其中相對於所述（B）樹脂100重量份，（C）成分為10重量份～50重量份。
  18. 如請求項14至請求項17中任一項所述的樹脂組成物，進而包含（E）交聯劑。
  19. 如請求項18所述的樹脂組成物，其中所述（E）交聯劑為具有選自由環氧基、氧雜環丁基、烷氧基甲基、及羥甲基所組成的群組中的至少一種基的化合物。
  20. 如請求項18或請求項19所述的樹脂組成物，其中相對於所述（B）樹脂100重量份，所述（E）交聯劑為0.5重量份～30重量份。
  21. 一種積層體，依序積層有具有雷射透過性的基板1、含有如請求項14至請求項20中任一項所述的樹脂組成物的樹脂膜、以及半導體元件。
  22. 一種半導體裝置的製造方法，使用如請求項2或請求項21所述的積層體，所述半導體裝置的製造方法具有： 使所述積層體的半導體元件面與基板2相向的步驟；以及 繼而自積層體的具有雷射透過性的基板1側照射雷射光，將半導體元件轉印至基板2的步驟。
  23. 如請求項22所述的半導體裝置的製造方法，其中所述雷射光具有248 nm、266 nm、355 nm中的任一波長的雷射光。
  24. 如請求項22或請求項23所述的半導體裝置的製造方法，其中所述基板2為電路基板。
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