TW202234171A - Exposure apparatus, method thereof, and method of manufacturing article Provide an exposure apparatus, which exposes a substrate through an original. - Google Patents
Exposure apparatus, method thereof, and method of manufacturing article Provide an exposure apparatus, which exposes a substrate through an original. Download PDFInfo
- Publication number
- TW202234171A TW202234171A TW110148453A TW110148453A TW202234171A TW 202234171 A TW202234171 A TW 202234171A TW 110148453 A TW110148453 A TW 110148453A TW 110148453 A TW110148453 A TW 110148453A TW 202234171 A TW202234171 A TW 202234171A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- stage
- exposure apparatus
- exposure
- period
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
- G03F9/7053—Non-optical, e.g. mechanical, capacitive, using an electron beam, acoustic or thermal waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
Abstract
Description
本發明涉及曝光裝置、曝光方法及物品之製造方法。The present invention relates to an exposure apparatus, an exposure method, and a method of manufacturing an article.
在製造半導體元件等的裝置的光刻程序,一般而言使用經由原版(遮罩或倍縮光罩)對基板進行曝光從而將原版的圖案轉印於基板的曝光裝置。如此的曝光裝置方面,一般而言已知採用了步進重複式的曝光裝置(步進曝光機)與採用了步進掃描式的曝光裝置(掃描曝光機)。 步進曝光機方面,比起掃描曝光機,為低成本的裝置,在不需要解析度、高精度的重疊的程序中被使用。在步進曝光機,將保持了基板的基板台驅動至投影光學系統之下(曝光位置)後,以對焦感測器對基板的高度方向的位置(與投影光學系統的距離)進行計測,依該計測值驅動基板台從而相對於投影光學系統使基板對焦。涉及如此的基板的高度方向的位置的計測之技術已提出於日本特開平11-87233號公報。 In the lithography process of the apparatus which manufactures a semiconductor element etc., the exposure apparatus which exposes a board|substrate via an original plate (mask or a reticle) generally, and transfers the pattern of an original plate to a board|substrate is used. As such an exposure apparatus, a step-and-repeat-type exposure apparatus (stepper) and an exposure apparatus (scanner) using a step-and-scan type are generally known. The stepper exposure machine is a low-cost device compared to the scanning exposure machine, and is used in a process that does not require high resolution and high-precision overlapping. In the stepper exposure machine, after driving the substrate stage holding the substrate to below the projection optical system (exposure position), the position of the substrate in the height direction (the distance from the projection optical system) is measured with the focus sensor, and the The measured value drives the substrate stage to focus the substrate with respect to the projection optical system. A technique related to the measurement of the position in the height direction of such a substrate has been proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-87233.
[發明所欲解決之課題] 然而,於步進曝光機,在對焦感測器的計測值中,會包含因保持作為計測對象的基板的基板台的振動而產生的誤差。該誤差之中,雖基板台的控制偏差可從計測值進行除去從而校正,惟載置基板台的平板的振動等的不可觀測成分無法校正,故導致散焦。步進曝光機需要實現為低成本的裝置,故設置用於就平板的振動進行計測的感測器而實時地進行控制不符現實。 於是,本發明提供在為了減低平板的振動的影響而實現高精度的曝光方面有利的曝光裝置。 [用於解決課題之手段] 作為本發明的一方案的曝光裝置為一種曝光裝置,其經由原版進行基板的曝光,前述曝光裝置具有:載台,其保持前述基板而移動;平板,其被載置前述載台;投影光學系統,其將前述原版的圖案投影於前述基板;計測部,其就被保持於前述載台的前述基板的高度方向的位置進行計測;以及控制部;前述控制部:在設定為因前述載台的移動而振動的前述平板的振動週期的整數倍的計測期間將前述高度方向的位置透過前述計測部予以計測;以及基於透過前述計測部而計測出的前述基板的高度方向的位置,控制前述投影光學系統與保持了被曝光的前述基板的前述載台之間的距離。 本發明的進一步之目的或其他方案在以下將透過參照圖式進行說明的實施方式而明朗化。 [對照先前技術之功效] 依本發明時,例如可提供在為了減低平板的振動的影響而實現高精度的曝光方面有利的曝光裝置。 [The problem to be solved by the invention] However, in the stepper, the measurement value of the focus sensor includes an error due to vibration of the substrate table holding the substrate to be measured. Among these errors, the control deviation of the substrate stage can be corrected by removing the measured value, but unobservable components such as vibration of the plate on which the substrate stage is placed cannot be corrected, resulting in defocusing. Since the stepper exposure machine needs to be implemented as a low-cost device, it is not realistic to provide a sensor for measuring the vibration of the flat panel and to perform control in real time. Accordingly, the present invention provides an exposure apparatus that is advantageous in that the influence of the vibration of the flat plate is reduced and high-precision exposure is realized. [Means for solving problems] An exposure apparatus according to an aspect of the present invention is an exposure apparatus that exposes a substrate through an original plate, and the exposure apparatus includes a stage that moves while holding the substrate, a flat plate on which the stage is placed, and a projection optical system , which projects the pattern of the original plate on the substrate; a measuring unit that measures the position in the height direction of the substrate held on the stage; and a control unit; Measuring the position in the height direction through the measurement unit during a measurement period that is an integral multiple of the vibration period of the plate that moves and vibrates; and controlling the projection optics based on the position in the height direction of the substrate measured through the measurement unit The distance between the system and the aforementioned stage that maintains the aforementioned substrate to be exposed. Further objects and other aspects of the present invention will be made clear by the embodiments described below with reference to the drawings. [Compared to the efficacy of the prior art] According to the present invention, for example, it is possible to provide an exposure apparatus which is advantageous in realizing high-precision exposure by reducing the influence of vibration of the flat plate.
以下,參照圖式詳細說明實施方式。另外,以下的實施方式非限定申請專利範圍的發明者。於實施方式雖記載複數個特徵,惟不限於此等複數個特徵的全部為發明必須者,此外複數個特徵亦可任意進行組合。再者,圖式中,對相同或同樣的構成標注相同的參考符號,重複之說明省略。
圖1為就本發明的一方案方面的曝光裝置1的構成進行繪示的示意圖。曝光裝置1用於半導體元件等的裝置的製程,為經由原版進行基板的曝光從而在基板上形成圖案的光刻裝置。曝光裝置1在本實施方式為步進重複式的曝光裝置(步進曝光機)。此處,步進重複式為按基板的照射區域的一次性曝光使基板進行步進移動而使下個照射區域移動至曝光位置(曝光區域)的曝光方式。
曝光裝置1具有照明光學系統102、投影光學系統104、保持基板S而移動的載台105、計測部106、構造體107、平板間感測器108、控制部109、載置載台105的平板110。此外,在本說明書及圖式中,以使平行於基板S的表面的方向為XY平面之XYZ座標系表示方向。使平行於XYZ座標系中的X軸、Y軸及Z軸的方向分別為X方向、Y方向及Z方向,使繞X軸的旋轉、繞Y軸的旋轉及繞Z軸的旋轉分別為θX、θY及θZ。
照明光學系統102導引來自光源101的光而對原版103進行照明。光源101例如包含i射線水銀燈、準分子雷射等。於原版103,描繪有應轉印於基板S的圖案。投影光學系統104將原版103的圖案(圖案像)投影於基板S。
於曝光裝置1,通過原版103的光經由投影光學系統104在保持於載台105的基板上成像。投影於基板S的圖案像使塗佈於基板S的抗蝕層等的感光性材料發生反應,故透過使該基板S顯影,從而在基板上形成圖案。此外,如上述般,使保持基板S的載台105步進移動而對基板S的照射區域依序曝光(亦即,重複步進移動與曝光),從而可對基板S的全部的照射區域進行曝光。
載台105的位置、姿勢被透過包含干涉計、編碼器等的位置計測裝置從而計測,並被基於該計測值而在控制部109的控制下高精度地進行管理。如此般,對載台105的位置、姿勢進行管理,從而可實現高精度的重疊。
計測部106對被保持於載台105的基板S的高度方向(Z方向)的位置(以下,稱為「基板S的高度位置」)進行計測。在對基板S進行曝光之際,需要相對於從投影光學系統104投影的圖案像的位置而使基板S的高度位置、傾斜相稱,亦即需要相對於投影光學系統104的成像面使基板S對焦。因此,以計測部106就基板S的高度位置進行計測,基於該計測值,以基板S相對於投影光學系統104的成像面會對焦的方式,在控制部109的控制下,對保持基板S的載台105的位置及姿勢中的至少一者進行控制。
計測部106方面,在本實施方式,雖被以進行光學式的檢測的對焦感測器而構成,惟不限定於此,亦可採用使用了電容感測器、壓力感測器等的其他檢測方式。此外,為了除基板S的高度以外亦取得基板S的傾斜,在基板上的曝光區域,設置被透過計測部106而計測高度位置的複數個計測點(計測處)。
投影光學系統104及計測部106方面,為了不受干擾振動的影響,被保持於經由除振裝置而上浮的構造體107。平板間感測器108例如包含位移感測器,並就構造體107與平板110之間的距離進行計測。此處,投影光學系統104相對於構造體107的位置被保證,載台105相對於平板110的位置被保證。因此,以平板間感測器108就構造體107與平板110之間的距離進行計測,從而可獲得投影光學系統104與載台105之間的距離。
控制部109被以包含CPU、記憶體等的電腦而構成,例如依記憶於記憶部的程式總體地控制曝光裝置1的各部分而使曝光裝置1動作。控制部109基於以計測部106獲得的和基板S的高度、傾斜有關的資訊、以平板間感測器108獲得的和投影光學系統104與載台105之間的距離(的變動)有關的資訊而控制載台105(的移動)。控制部109例如控制為以一面使載台105步進移動一面重複基板上的照射區域的曝光從而對基板S的全區進行曝光的所謂步進重複式進行曝光。
參照圖2,就曝光裝置1的動作進行說明,具體而言就將經由原版103對基板S進行曝光而將原版103的圖案轉印於基板S的曝光處理(曝光方法)進行說明。該曝光處理由控制部109總體地控制曝光裝置1的各部分從而被進行。
在S201,將基板S搬入至曝光裝置1。具體而言,經由基板搬送部(未圖示),將基板S搬入至曝光裝置1,將該基板S以載台105進行保持。
在S202,使保持了基板S的載台105移動至曝光位置。例如,為了使基板上的照射區域(接下來進行曝光的照射區域)位於投影光學系統104之下的曝光位置,使保持了基板S的載台105移動。
在S203,透過計測部106,就被保持於位於投影光學系統104之下的曝光位置的載台105的基板S的高度位置進行計測。
在S204,進行基板S的高度方向的位置對準(對焦)。具體而言,基於在S203進行了計測的基板S的高度位置,以基板S相對於投影光學系統104的成像面而對焦的方式,控制保持基板S的載台105的位置及姿勢中的至少一者。換言之,使載台105移動而以基板S相對於投影光學系統104的成像面而對焦的方式,控制投影光學系統104與載台105之間的距離。
在S205,經由原版103而進行在S204進行了對焦的基板S的曝光。
在S206,判定基板S的全區是否進行了曝光,亦即判定是否對於基板上的全部的照射區域進行了曝光。未對於基板S的全區進行曝光的情況下,為了進行基板上的未曝光的照射區域的曝光,移至S202。另一方面,已對基板S的全區進行曝光的情況下,結束曝光處理。
此處,說明有關來自曝光裝置1被設置的底面的振動、保持基板S的載台105的移動對於如此的曝光處理造成的影響。載台105如上述般被載置於平板110。平板110承受從曝光裝置1被設置的底面的振動、載台105的移動的反作用力等的影響而主要以基於了平板110的固有值的頻率而振動。因此,於S203,以計測部106獲得的計測值(基板S的高度位置)中,含有因經由平板110而傳播的載台105的振動而產生的誤差。同樣地,於對基板S進行曝光的期間(S205),亦承受載台105的振動的影響。載台105被為了進行對焦而透過控制部109進行控制,惟平板110的振動方面為不可觀測,故因該影響而發生散焦。
參照圖3就因平板110的振動而發生的散焦而具體進行說明。圖3為就使載台105移動至曝光位置後的基板S的高度位置的變動進行繪示的圖。參照圖3時可得知,承受因載台105的移動而發生的反作用力、來自地面的振動,基板S的高度位置(載台105)跨長期間而以平板110的固有振動頻率的頻率f進行變動(振動)。Mt為計測部106就基板S的高度位置進行計測的計測期間。使載台105移動至曝光位置後,計測部106在因來自平板110的振動使得被保持於載台105的基板S的高度位置發生變動的狀態下就基板S的高度位置進行計測。Et為在基於以計測部106計測的基板S的高度位置而進行基板S的對焦後對基板S進行曝光的曝光期間。於曝光期間Et,亦如同計測期間Mt,在因來自平板110的振動使得被保持於載台105的基板S的高度位置發生變動的狀態下對基板S進行曝光。
圖4為就一計測誤差量進行繪示的圖,該計測誤差量為與在平板110亦即基板S的高度位置以振幅A、頻率f進行振動的情況下將計測期間Mt設定為0.4×(1/f)時的各計測開始時序對應者。另外,計測開始時序為計測部106開始基板S的高度位置的計測的計測期間Mt的開始時序。參照圖4時,在基板S的高度位置以振幅A而振動的情況下,將與為該頻率f的倒數之振動週期(1/f)不一致的期間設定為計測期間Mt時,計測誤差量依計測開始時序而變化。因此,以計測部106就基板S的高度位置進行計測而獲得的計測值中,包含如示於圖4的計測誤差,故於基板S的對焦成為散焦的因素。
於是,在本實施方式,預先取得載置載台105的平板110的振動週期、頻率,將計測期間Mt依平板110的振動週期、頻率而設定,從而減低計測部106的計測值中含有的計測誤差的影響。換言之,將計測部106的計測值中含有的計測誤差進行平均化(彼此消除),基於其而進行基板S的對焦,從而減低屬不可觀測的平板110的振動的影響。
圖5為就一計測誤差量進行繪示的圖,該計測誤差量為與將計測期間Mt設定為t1(與振動週期(1/f)不一致)、t2(與振動週期(1/f)不一致)及t3(與振動週期(1/f)一致)時的各計測開始時序對應者。參照圖5時可得知,將計測期間Mt設定為平板110的振動週期1/f的整數倍,使得無關計測開始時序,計測誤差量被平均化而變小(成為零)。因此,在本實施方式,將計測期間Mt設定為平板110的振動週期1/f的整數倍(t3)。
此外,進行基板S的曝光之際(S205),亦將曝光期間Et設定為平板110的振動週期1/f的整數倍,使得因平板110的振動而發生的基板S的高度位置的變動的影響亦被平均化(減低),可實現進一步的精度提升。此時,依設定為平板110的振動週期1/f的整數倍的曝光期間Et以在基板S之曝光量成為目標曝光量的方式控制對基板S進行曝光的光的強度即可。
接著,參照圖6而說明有關取得平板110的振動週期而設定計測部106就基板S的高度位置進行計測的計測期間Mt的處理的一例。該處理例如在進行示於圖2的曝光處理的本曝光期間之前(進行基板S的曝光前)的準備期間被進行。平板110為大的構造體,故該振動的頻率一般而言為100Hz以下。另一方面,本實施方式中,被構成為計測部106的對焦感測器例如具有2kHz以上的計測頻寬,故可比可能因平板110而產生的振動的最大頻率的2倍充分地高速地進行計測。
在S601,如同S201,將基板S搬入至曝光裝置1。在S602,如同S202,使保持了基板S的載台105移動至曝光位置。
在S603,取得因平板110的振動而發生的基板S的高度位置的變動。具體而言,使載台105移動為基板S位於投影光學系統104之下的期間或使載台105移動後,既定期間透過計測部106高速且連續地就被保持於載台105的基板S的高度位置進行計測。據此,可取得因承受了從曝光裝置1被設置的底面的振動、載台105的移動的反作用力等的影響的因平板110的振動而發生的基板S的高度位置的變動。
在S604,從在S603取得的基板S的高度位置的變動求出平板110的振動週期1/f(或平板110的振動的頻率f)。
在S605,將計測部106就基板S的高度位置進行計測的計測期間Mt設定為在S604求出的平板110的振動週期的整數倍((1/f)×n(n=1、2、3、…))。另外,從處理量的觀點而言,顯然將計測期間Mt設定為平板110的振動週期的1週期(1倍)為有利。然而,取決於被構成為計測部106的對焦感測器的響應性等,有時存在計測速度比平板110的振動週期慢的情況。如此的情況下,以符合計測速度且計測期間Mt成為最短的方式將計測期間Mt設定為平板110的振動週期的整數倍即可。
在本實施方式,雖使用計測部106而取得平板110的振動週期(振動的頻率(主要頻率)),惟不限定於此。例如,亦可基於載台105、平板間感測器108的振動頻率,從經由連接曝光裝置1的各部分的連接部而傳播的振動將平板110的特有的主要頻率成分進行分離,從而求出平板110的振動週期。此外,亦可基於載台105的設計值及平板110的設計值推定平板110的振動從而求出平板110的振動週期。
此外,在本實施方式,於本曝光期間的準備期間,雖就求出平板110的振動週期的情況進行了說明,惟求出平板110的振動週期的時序不受限定。例如,亦可在將含於批次中的複數個基板之中的起始的基板搬入至曝光裝置1後對該起始的基板進行曝光前的期間(例如,S202與S203之間的期間)求出平板110的振動週期。此情況下,直到對起始的基板進行曝光前的期間(例如,進行S201及S202的程序的期間)視為準備期間,用於對起始的基板實際進行曝光的期間(例如,進行S203至S205的程序的期間)視為本曝光期間。
此外,從計測部106的計測值推定為預先求出的平板110的振動週期發生歷時變化的情況下,作成為依該歷時變化而調整計測期間Mt即可。
如此般,依本實施方式的曝光裝置1時,將計測期間Mt、曝光期間Et設定為平板110的振動週期的整數倍,從而可減低平板110的振動的影響,可實現高精度的曝光。
另外,平板110的振動方面,載台105的移動的反作用力為主因,故使載台105移動至曝光位置後的平板110的振動的頻率透過基板S的照射區域的佈局(曝光布局)而求出唯一值。考量如示於圖7般使載台105移動為位於曝光位置的照射區域從照射區域Sa變成照射區域Sb的情況。圖8為就使載台105移動為位於曝光位置的照射區域從照射區域Sa變成照射區域Sb後的基板S的高度位置的變動進行繪示的圖。使位於曝光位置的照射區域從照射區域Sa變成照射區域Sb所需的載台105的移動時間T0方面,成為從照射區域的尺寸(載台105的移動距離)及載台105的移動速度透過曝光布局而決定的時間。平板110的振動因載台105的移動的反作用力被激振,故透過按照射區域求出平板110的振動,從而亦可求出使載台105移動後的平板110的振動相位。
如上述般,可從基板S的高度位置的變動、載台105的移動距離及移動速度求出平板110的振動相位。求出平板110的振動相位,使得可將從載台105移動至曝光位置後至開始基板S的高度位置的計測為止的時間T1設定為平板110的振動的振幅成為最大或最小的時序(相位角90度或270度)。據此,變得可將計測部106就基板S的高度位置進行計測的計測期間Mt設定為平板110的振動週期(1/f)的1/2,可縮短計測期間Mt。圖9為就與相對於平板110的振動(振幅A、頻率f)將計測期間Mt設定為1/2f時的各計測開始時序對應的計測誤差量進行繪示的圖。圖9中,901、902、903、904、905及906表示平板110的振動的振幅成為最大或最小的時序。將計測部106開始基板S的高度位置的計測的計測期間Mt的開始時序設定為時序901、902、903、904、905或906,從而可將計測部106的計測值中含有的計測誤差進行平均化而減小。
如此般,亦可將計測期間Mt設定為平板110的振動週期的1/2且將計測期間Mt的開始時序設定為平板110的振動振幅成為最大或最小的時序。此情況下,可一面縮短計測期間Mt一面將計測部106的計測值中含有的計測誤差進行平均化減低屬不可觀測的平板110的振動的影響。
本發明的實施方式中的物品之製造方法例如適於製造平板顯示器、液晶顯示元件、半導體元件、MEMS等的物品。該製造方法包含:使用上述的曝光裝置1對塗佈有感光劑的基板進行曝光的程序;以及將被曝光的感光劑進行顯影的程序。此外,以被顯影的感光劑的圖案作為遮罩對基板進行蝕刻程序、離子植入程序等,在基板上形成電路圖案。重複此等曝光、顯影、蝕刻等的程序,在基板上形成由複數個層所成的電路圖案。在後程序,對形成有電路圖案的基板進行切割(加工),進行晶片的安裝、接合、檢查程序。此外,該製造方法可包含其他周知的程序(氧化、成膜、蒸鍍、摻雜、平坦化、抗蝕層剝離等)。本實施方式下的物品之製造方法比起歷來有利於物品之性能、品質、生產性及生產成本中的至少一者。
發明不限於前述實施方式,在不背離發明的精神及範圍下,可進行各種的變更及變形。因此,撰寫申請專利範圍以公開發明的範圍。
Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the following embodiments do not limit the scope of the claims of the inventors. Although a plurality of features are described in the embodiments, all of these features are not necessarily required for the invention, and a plurality of features may be arbitrarily combined. In addition, in the drawings, the same or the same components are denoted by the same reference numerals, and repeated descriptions are omitted. FIG. 1 is a schematic diagram illustrating the configuration of an
1:曝光裝置 101:光源 102:照明光學系統 103:原版 104:投影光學系統 105:載台 106:計測部 107:構造體 108:平板間感測器 109:控制部 110:平板 S:基板 Sa:照射區域 Sb:照射區域 1: Exposure device 101: Light source 102: Illumination Optical System 103: Original 104: Projection Optical System 105: Stage 106: Measurement Department 107: Construct 108: Sensor between plates 109: Control Department 110: Flat S: substrate Sa: Irradiated area Sb: Irradiated area
[圖1]為就本發明的一方案方面的曝光裝置的構成進行繪示的示意圖。 [圖2]為用於說明透過了示於圖1的曝光裝置之曝光處理的流程圖。 [圖3]為就基板的高度位置的變動的一例進行繪示的圖。 [圖4]為就含於計測部的計測值中的計測誤差量的一例進行繪示的圖。 [圖5]為就含於計測部的計測值中的計測誤差量的一例進行繪示的圖。 [圖6]為用於說明設定計測部的計測期間的處理的流程圖。 [圖7]為就曝光布局的一例進行繪示的圖。 [圖8]為就基板的高度位置的變動的一例進行繪示的圖。 [圖9]為就含於計測部的計測值中的計測誤差量的一例進行繪示的圖。 FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of an exposure apparatus according to an aspect of the present invention. [ Fig. 2] Fig. 2 is a flowchart for explaining exposure processing through the exposure apparatus shown in Fig. 1 . [ Fig. 3] Fig. 3 is a diagram illustrating an example of variation in the height position of the substrate. [ Fig. 4] Fig. 4 is a diagram illustrating an example of the measurement error amount included in the measurement value of the measurement unit. [ Fig. 5] Fig. 5 is a diagram illustrating an example of a measurement error amount included in a measurement value of a measurement unit. [ Fig. 6] Fig. 6 is a flowchart for explaining the process of setting the measurement period of the measurement unit. [ Fig. 7] Fig. 7 is a diagram illustrating an example of an exposure layout. [ Fig. 8] Fig. 8 is a diagram illustrating an example of variation in the height position of the substrate. [ Fig. 9] Fig. 9 is a diagram illustrating an example of the measurement error amount included in the measurement value of the measurement unit.
Claims (17)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021-028980 | 2021-02-25 | ||
JP2021028980A JP2022130036A (en) | 2021-02-25 | 2021-02-25 | Exposure device, exposure method, and article manufacturing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202234171A true TW202234171A (en) | 2022-09-01 |
Family
ID=83151021
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110148453A TW202234171A (en) | 2021-02-25 | 2021-12-23 | Exposure apparatus, method thereof, and method of manufacturing article Provide an exposure apparatus, which exposes a substrate through an original. |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2022130036A (en) |
KR (1) | KR20220121707A (en) |
TW (1) | TW202234171A (en) |
-
2021
- 2021-02-25 JP JP2021028980A patent/JP2022130036A/en active Pending
- 2021-12-23 TW TW110148453A patent/TW202234171A/en unknown
-
2022
- 2022-02-15 KR KR1020220019235A patent/KR20220121707A/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220121707A (en) | 2022-09-01 |
JP2022130036A (en) | 2022-09-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4264676B2 (en) | Exposure apparatus and exposure method | |
WO1999034255A1 (en) | Method and apparatus for manufacturing photomask and method of fabricating device | |
TWI244717B (en) | Method of characterizing a process step and device manufacturing method | |
JP4792285B2 (en) | Method and system for performing automatic process correction using model parameters, and lithographic apparatus using such method and system | |
US6654096B1 (en) | Exposure apparatus, and device manufacturing method | |
TW512428B (en) | Stage apparatus, measurement apparatus and measurement method, and exposure apparatus and exposure method | |
JP2018072541A (en) | Pattern formation method, positioning method of substrate, positioning device, pattern formation device and manufacturing method of article | |
TWI645266B (en) | Exposure device, exposure method, and manufacturing method of semiconductor package | |
JP2005525548A5 (en) | ||
JP2015106606A (en) | Positioning device, lithographic apparatus, and method of manufacturing article | |
JP3466893B2 (en) | Positioning apparatus and projection exposure apparatus using the same | |
JP2023164945A (en) | Exposure apparatus and alignment method | |
TW202234171A (en) | Exposure apparatus, method thereof, and method of manufacturing article Provide an exposure apparatus, which exposes a substrate through an original. | |
JP3651630B2 (en) | Projection exposure method and projection exposure apparatus | |
JP2000267732A (en) | Stage device, exposing apparatus, and manufacture of device | |
JP2006030021A (en) | Position detection apparatus and position detection method | |
JPH09330862A (en) | Method for adjusting aligner | |
JP2006228890A (en) | Alignment method and exposure device | |
JPH11233424A (en) | Projection optical device, aberration measuring method, projection method, and manufacture of device | |
JPH1187233A (en) | Projection aligner | |
JP4072981B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
KR20180085353A (en) | Estimation method, article manufacturing method, and program | |
JP2002203773A (en) | Aligner | |
JP2012235065A (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
JP2019035813A (en) | Exposure device, exposure method and method for manufacturing article |