JP2018072541A - Pattern formation method, positioning method of substrate, positioning device, pattern formation device and manufacturing method of article - Google Patents

Pattern formation method, positioning method of substrate, positioning device, pattern formation device and manufacturing method of article Download PDF

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Takahiro Senda
高弘 千田
靖 雨宮
Yasushi Amamiya
靖 雨宮
啓介 大手
Keisuke Ote
啓介 大手
山口 聖二
Seiji Yamaguchi
聖二 山口
良昭 黒澤
Yoshiaki Kurosawa
良昭 黒澤
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Nobuyuki Kawabata
宣幸 川端
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To position a substrate at high accuracy even when an outer shape of the substrate is changed.SOLUTION: A first process for forming a pattern including an alignment mark on a substrate by positioning the substrate based on a measured value of a position of reference side of the substrate arranged on a stage and a second process for forming a pattern on the substrate on which the pattern including the alignment mark is formed are included, in the first process, a position of an opposite side to the reference side of the substrate is measured and a relative position of the opposite side and the alignment mark based on the measured value of the position of the reference side and the position of the opposite side measured in the first process are calculated, in the second process, the substrate on which the pattern was formed is arranged on the stage, the position of the opposite side of the substrate on which the pattern was formed is measured, the substrate on which the pattern was formed is positioned based on the measured value of the position of the opposite side of the substrate on which the patter was formed and the relative position to form a pattern on the substrate on which the pattern was formed.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、パターン形成方法、基板の位置決め方法、位置決め装置、パターン形成装置、及び、物品の製造方法に関する。   The present invention relates to a pattern forming method, a substrate positioning method, a positioning device, a pattern forming device, and an article manufacturing method.

半導体デバイスや液晶表示装置等を製造するために基板上にパターンを形成するリソグラフィ工程が行われる。この工程では、例えば、照明光学系によりマスク(レチクル)を照明して、感光性のレジスト層が塗布された基板に投影光学系を介してマスクのパターンの像を投影する露光装置が用いられる。露光装置では、基板の処理、例えば、基板を露光する露光処理或いは基板を検査する検査処理に先だって基板の位置決めを行うプリアライメントと呼ばれる工程がある。プリアライメント工程は、基板ステージ上で基板を処理する前に、基板ステージ上に載置される基板の位置ずれ量が所定の範囲内に収まるように粗い精度で基板の位置決めを行う工程である。その後、狭い視野のスコープを用いてアライメントマークを計測して高い精度で基板の位置決めを行って、基板の処理が行われる。プリアライメント工程では、基板の外周の基準部位、例えば、基板のエッジの位置を計測して、計測結果に基づいて粗い位置決めを行う(例えば、特許文献1)。   In order to manufacture a semiconductor device, a liquid crystal display device, etc., a lithography process for forming a pattern on a substrate is performed. In this step, for example, an exposure apparatus that illuminates a mask (reticle) with an illumination optical system and projects an image of the mask pattern onto the substrate coated with a photosensitive resist layer via the projection optical system is used. In the exposure apparatus, there is a process called pre-alignment for positioning the substrate prior to substrate processing, for example, exposure processing for exposing the substrate or inspection processing for inspecting the substrate. The pre-alignment step is a step of positioning the substrate with coarse accuracy so that the amount of positional deviation of the substrate placed on the substrate stage is within a predetermined range before processing the substrate on the substrate stage. Thereafter, the substrate is processed by measuring the alignment mark using a scope with a narrow field of view and positioning the substrate with high accuracy. In the pre-alignment process, a reference portion on the outer periphery of the substrate, for example, the position of the edge of the substrate is measured, and rough positioning is performed based on the measurement result (for example, Patent Document 1).

特開2005−116779号公報Japanese Patent Laying-Open No. 2005-116777

従来のプリアライメント工程では、基板の特定の端辺を基準辺として、基準辺の位置の計測値を用いて、基板の第一のレイヤを露光する際の露光位置や第二のレイヤを露光するための基板の目標位置を算出している。従来、複数のレイヤの各々で基板の目標位置を求めるにあたり、共通の基準辺からの相対位置で管理していた。   In the conventional pre-alignment process, the exposure position when exposing the first layer of the substrate and the second layer are exposed using the measurement value of the position of the reference side with the specific edge of the substrate as the reference side. Therefore, the target position of the substrate is calculated. Conventionally, when determining the target position of the substrate in each of the plurality of layers, the relative position from the common reference side has been managed.

しかし、例えば、基板の加工や変形により基板の外形が変わると、基準辺から基板上の所定の位置、例えばアライメントマークまでの相対距離が変動する。そのため、従来のように、複数のレイヤで共通の基準辺の位置の計測値を用いてプリアライメントを行うと、基板の位置がずれてしまったり、アライメントマークの計測エラーが生じたりする。例えば、基板に形成されたアライメントマークがスコープの視野内に収まらず、アライメントマークを検出できないため、基板を高精度に位置決めすることができない場合がある。   However, for example, when the outer shape of the substrate changes due to processing or deformation of the substrate, the relative distance from a reference side to a predetermined position on the substrate, for example, an alignment mark, varies. Therefore, if the pre-alignment is performed using the measurement value of the position of the reference side common to a plurality of layers as in the prior art, the position of the substrate is shifted or an alignment mark measurement error occurs. For example, the alignment mark formed on the substrate may not fit within the scope's field of view and the alignment mark cannot be detected, and thus the substrate may not be positioned with high accuracy.

そこで本発明は、基板の外形が変わっても基板を高精度に位置決めすることを目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to position a substrate with high accuracy even when the outer shape of the substrate changes.

上記課題を解決する本発明の一側面としての、基板上にパターンを形成する形成方法は、ステージ上に配置された基板の基準辺の位置の計測値に基づいて前記基板を位置決めすることよって、前記基板上にアライメントマークを含むパターンを形成する第1工程と、前記アライメントマークを含むパターンが形成された基板上にパターンを形成する第2工程と、を有し、前記第1工程において前記基板の基準辺に対する対辺の位置を計測し、前記第1工程において計測された前記基準辺の位置と前記対辺の位置の計測値に基づいて、前記対辺と前記アライメントマークとの相対位置を求め、前記第2工程において、前記パターンが形成された基板をステージ上に配置して、前記パターンが形成された基板の前記対辺の位置を計測して、前記パターンが形成された基板の前記対辺の位置の計測値と前記相対位置に基づいて前記パターンが形成された基板を位置決めすることによって、前記パターンが形成された基板上にパターンを形成する、ことを特徴とする。   A forming method for forming a pattern on a substrate as one aspect of the present invention that solves the above-described problem is to position the substrate based on a measurement value of a position of a reference side of the substrate disposed on the stage. A first step of forming a pattern including an alignment mark on the substrate; and a second step of forming a pattern on the substrate on which the pattern including the alignment mark is formed. In the first step, the substrate Measure the position of the opposite side with respect to the reference side, and based on the measured value of the position of the reference side and the position of the opposite side measured in the first step, to determine the relative position of the opposite side and the alignment mark, In the second step, the substrate on which the pattern is formed is placed on a stage, the position of the opposite side of the substrate on which the pattern is formed is measured, and the pattern is measured. Forming a pattern on the substrate on which the pattern is formed by positioning the substrate on which the pattern is formed based on a measured value of the position of the opposite side of the substrate on which the pattern is formed and the relative position; It is characterized by.

本発明によれば、基板の外形が変わっても基板を高精度に位置決めすることができる。   According to the present invention, the substrate can be positioned with high accuracy even if the outer shape of the substrate changes.

露光装置100を示す概略図である。1 is a schematic view showing an exposure apparatus 100. FIG. パターン形成方法のフローチャートである。It is a flowchart of a pattern formation method. 第1プリアライメント工程における位置決めの様子を示す図である。It is a figure which shows the mode of the positioning in a 1st pre-alignment process. 第2工程における位置決めの様子を示す図である。It is a figure which shows the mode of the positioning in a 2nd process. 位置決め方法のフローチャートを示す図である。It is a figure which shows the flowchart of the positioning method. 基板を分割する例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the example which divides | segments a board | substrate.

以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。   Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.

(実施形態1)
本実施形態では、基板にパターンを形成するパターン形成装置(リソグラフィ装置)の一例として、原版および投影光学系を介して感光性の基板を露光する露光装置について説明する。本実施形態の露光装置100について、図1を参照しながら説明する。図1は、本実施形態の露光装置100を示す概略図である。第1実施形態の露光装置100は、一例として、液晶表示デバイス(液晶パネル)の製造工程におけるリソグラフィ工程に採用されるものとする。露光装置100はステップ・アンド・スキャン方式にて、マスク1に形成されているパターンを、投影光学系4を介して表面にレジスト(感光剤)層が形成された基板である基板(ガラスプレート)5上に露光する走査型投影露光装置である。なお、図1では、鉛直方向であるZ軸に垂直な平面内で露光時のマスク1および基板5の走査(移動)方向にY軸をとり、Y軸に直交する非走査方向にX軸をとっている。露光装置100は、マスクステージ2と、照明光学系3と、投影光学系4と、基板ステージ6と、アライメントスコープ(マーク検出装置)7と、制御部8とを有する。また、マスク1はマスクステージ2に、基板5は基板ステージ6に保持されている。
(Embodiment 1)
In this embodiment, an exposure apparatus that exposes a photosensitive substrate through an original and a projection optical system will be described as an example of a pattern forming apparatus (lithography apparatus) that forms a pattern on a substrate. An exposure apparatus 100 according to this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic view showing an exposure apparatus 100 of the present embodiment. The exposure apparatus 100 of 1st Embodiment shall be employ | adopted for the lithography process in the manufacturing process of a liquid crystal display device (liquid crystal panel) as an example. The exposure apparatus 100 is a substrate (glass plate) that is a substrate on which a resist (photosensitive agent) layer is formed on the surface of the pattern formed on the mask 1 via the projection optical system 4 by a step-and-scan method. 5 is a scanning projection exposure apparatus that exposes the upper surface 5. In FIG. 1, the Y axis is taken in the scanning (moving) direction of the mask 1 and the substrate 5 at the time of exposure in a plane perpendicular to the Z axis, which is the vertical direction, and the X axis is taken in the non-scanning direction orthogonal to the Y axis. I'm taking it. The exposure apparatus 100 includes a mask stage 2, an illumination optical system 3, a projection optical system 4, a substrate stage 6, an alignment scope (mark detection apparatus) 7, and a control unit 8. The mask 1 is held on the mask stage 2 and the substrate 5 is held on the substrate stage 6.

照明光学系3は、例えば、Hgランプなどの光源3aから発せられた光を受けて、マスク1に対してスリット状に形成された照明光を照射する。マスク1は、例えば、露光されるべき微細なパターン(例えば回路パターン)が描画されたガラス製の原版である。マスクステージ2は、例えば真空吸着によりマスク1を保持しつつ、少なくともY軸方向に可動である。投影光学系4は、マスク1と、基板ステージ6に保持された基板5とを光学的に共役な関係に維持し、基板5上に等倍でパターン像を投影する。   For example, the illumination optical system 3 receives light emitted from a light source 3a such as an Hg lamp and irradiates the mask 1 with illumination light formed in a slit shape. The mask 1 is, for example, a glass original plate on which a fine pattern to be exposed (for example, a circuit pattern) is drawn. The mask stage 2 is movable at least in the Y-axis direction while holding the mask 1 by, for example, vacuum suction. The projection optical system 4 maintains a mask 1 and the substrate 5 held on the substrate stage 6 in an optically conjugate relationship, and projects a pattern image on the substrate 5 at an equal magnification.

アライメントスコープ7は、マスク1のアライメントマークと基板5のアライメントマークとを、投影光学系4を介して検出する。制御部8は、CPUやメモリを含み、露光装置100の各部構成を制御する。メモリは、CPUによって実行される制御プログラムや各種データを記憶している。制御部8は、例えば、マルチコアCPUやGPU、FPGAを搭載した制御ボード等でも実現されうる。ただし、その構成はこれらに限定するものではない。制御部8は、マスク1のパターンを基板5に転写する処理(基板5を走査露光する処理)を制御する。   The alignment scope 7 detects the alignment mark of the mask 1 and the alignment mark of the substrate 5 via the projection optical system 4. The control unit 8 includes a CPU and a memory, and controls each unit configuration of the exposure apparatus 100. The memory stores a control program executed by the CPU and various data. For example, the control unit 8 can be realized by a control board equipped with a multi-core CPU, GPU, or FPGA. However, the configuration is not limited to these. The control unit 8 controls processing for transferring the pattern of the mask 1 to the substrate 5 (processing for scanning and exposing the substrate 5).

次に、基板上にパターンを形成する方法を説明する。図2に、パターン形成方法のフローチャートを示す。まず、基板上の第1層にパターンを形成する(第1工程S301)。第1工程S301では、まず、未露光の基板の位置を計測し、その計測結果を用いて粗い精度で位置決め(プリアライメント)を行う(第1プリアライメント工程S303)。次に、位置決めされた基板の第1層上の感光剤にパターンを露光する(1st露光工程S304)。1st露光工程S304において、露光装置100は、マスク1と基板5とを同期走査させ、マスク1の照明範囲に存在するパターンの像を基板5上のあるショット領域に露光する。そして、パターンが露光された基板上の感光剤を現像し、エッチング等を行うことによって基板上の第1層にパターンが形成される。   Next, a method for forming a pattern on the substrate will be described. FIG. 2 shows a flowchart of the pattern forming method. First, a pattern is formed on the first layer on the substrate (first step S301). In the first step S301, first, the position of an unexposed substrate is measured, and positioning (prealignment) is performed with rough accuracy using the measurement result (first prealignment step S303). Next, the pattern is exposed to the photosensitive agent on the first layer of the positioned substrate (1st exposure step S304). In the first exposure step S304, the exposure apparatus 100 synchronously scans the mask 1 and the substrate 5, and exposes a pattern image existing in the illumination range of the mask 1 to a certain shot area on the substrate 5. Then, the pattern is formed on the first layer on the substrate by developing the photosensitizer on the substrate on which the pattern is exposed and performing etching or the like.

次に、基板の第1層の上の第2層にパターンを形成する(第2工程S302)。第2工程S302では、まず、第1層にパターンが形成された基板の位置を計測し、その計測結果を用いて粗い精度で位置決めを行う(第2プリアライメント工程S305)。次に、基板の第1層にデバイスの回路用パターンと一緒に形成されたアライメントマークをマスク1のアライメントマークと同時にアライメントスコープ7で検出して、アライメントマークの位置情報を得る。そして、アライメントマークの位置に基づいて精度よくパターンが重なり合って形成されるように基板を位置決めする(アライメント工程S306)。次に、照明光学系3と投影光学系4を含むパターン形成部を有する露光装置100を用いて、位置決めされた基板の第2層の上の感光剤にマスクのパターンを露光する。そして、パターンが露光された感光剤を現像し、エッチング等を行うことによって基板上の第2層にパターンが形成される(2nd露光工程S307)。   Next, a pattern is formed on the second layer on the first layer of the substrate (second step S302). In the second step S302, first, the position of the substrate on which the pattern is formed on the first layer is measured, and positioning is performed with rough accuracy using the measurement result (second pre-alignment step S305). Next, the alignment mark formed together with the circuit pattern of the device on the first layer of the substrate is detected by the alignment scope 7 simultaneously with the alignment mark of the mask 1 to obtain position information of the alignment mark. Then, the substrate is positioned so that the patterns are accurately overlapped and formed based on the position of the alignment mark (alignment step S306). Next, using the exposure apparatus 100 having a pattern forming unit including the illumination optical system 3 and the projection optical system 4, the mask pattern is exposed to the photosensitive agent on the second layer of the positioned substrate. Then, the photosensitizer exposed to the pattern is developed and etched to form a pattern on the second layer on the substrate (2nd exposure step S307).

次に、プリアライメント工程で用いられる位置決め装置を説明する。図3に、位置決め装置とともに、第1プリアライメント工程における位置決めの様子を示す。位置決め装置200は、露光装置100内に構成され、基板5を保持して移動する基板ステージ6と、制御部8の一部を構成する。基板ステージ6には、基板5を真空吸着により保持するチャック208と、バーミラー214、215と、基板の端辺(エッジ)の位置を計測する計測部230、231と、が設けられている。干渉計211、212は、バーミラー215のY方向の位置、干渉計213はバーミラー214のX方向の位置を計測する。干渉計211、212によるバーミラー215の2か所のY方向の位置から基板ステージ6のZ軸回りの角度を求めることができる。また、位置決め装置200は、計測部230、231の計測値に基づいて基板ステージ6の目標位置を算出する算出部216と、算出部216の算出結果をもとに基板ステージ6の制御を行うステージ制御部217を有する。また、位置決め装置200は、干渉計による計測値を取得して干渉計を制御する干渉計制御部218と、基板5の位置情報などを記憶する記憶部219とを有する。なお、記憶部219は、メモリ等で構成され、位置決め装置200とは異なる装置に設置されてもよい。   Next, a positioning device used in the pre-alignment process will be described. FIG. 3 shows the positioning in the first pre-alignment step together with the positioning device. The positioning apparatus 200 is configured in the exposure apparatus 100 and constitutes a part of the control unit 8 and a substrate stage 6 that holds and moves the substrate 5. The substrate stage 6 is provided with a chuck 208 that holds the substrate 5 by vacuum suction, bar mirrors 214 and 215, and measuring units 230 and 231 that measure the positions of the edges of the substrate. Interferometers 211 and 212 measure the position of the bar mirror 215 in the Y direction, and the interferometer 213 measures the position of the bar mirror 214 in the X direction. The angle around the Z axis of the substrate stage 6 can be obtained from two Y-direction positions of the bar mirror 215 by the interferometers 211 and 212. The positioning device 200 calculates a target position of the substrate stage 6 based on the measurement values of the measurement units 230 and 231 and a stage that controls the substrate stage 6 based on the calculation result of the calculation unit 216. A control unit 217 is included. The positioning apparatus 200 includes an interferometer control unit 218 that acquires a measurement value obtained by the interferometer and controls the interferometer, and a storage unit 219 that stores position information of the substrate 5 and the like. Note that the storage unit 219 may be configured by a memory or the like and installed in a device different from the positioning device 200.

図3に示すように、基板5は長方形形状である。基板5の各辺を、第一の基準辺201、第一の基準辺201に対して垂直な端辺である第二の基準辺202、第一の基準辺201に対する対辺である第一の対辺203、第二の基準辺202に対する対辺である第二の対辺204、と称する。計測部230は、不図示の基板搬送ロボットにより基板ステージ6上に搬送された基板5の第一の基準辺201と第二の基準辺202の位置を計測する。計測部231は、第一の対辺203の位置を計測する。算出部216は、計測部230と計測部231で計測された計測値を取得する。ステージ制御部217は、算出部216から得られる目標位置と、干渉計によって計測され、干渉計制御部218を介して得られる基板ステージ6の実際の位置情報と、にもとづき、基板ステージ6の位置や角度を制御する。   As shown in FIG. 3, the substrate 5 has a rectangular shape. Each side of the substrate 5 is divided into a first reference side 201, a second reference side 202 that is an end perpendicular to the first reference side 201, and a first opposite side that is the opposite side to the first reference side 201. Reference numeral 203 denotes a second opposite side 204 that is opposite to the second reference side 202. The measuring unit 230 measures the positions of the first reference side 201 and the second reference side 202 of the substrate 5 transferred onto the substrate stage 6 by a substrate transfer robot (not shown). The measurement unit 231 measures the position of the first opposite side 203. The calculation unit 216 acquires measurement values measured by the measurement unit 230 and the measurement unit 231. The stage control unit 217 determines the position of the substrate stage 6 based on the target position obtained from the calculation unit 216 and the actual position information of the substrate stage 6 measured by the interferometer and obtained through the interferometer control unit 218. And control the angle.

次に、パターンを形成する工程の詳細について説明する。第1プリアライメント工程S303では、基板ステージ6上に置かれた基板5の第一の基準辺201と第二の基準辺202の位置を計測部230により計測する。そして、第一の基準辺201と第二の基準辺202の位置の計測値に基づいて、1st露光工程S304において基板上にアライメントマークを含むパターンを形成するための基板ステージ6の第1目標位置を算出する。なお、目標位置は、X、Y方向の位置、Z軸回りの回転角度を含む。そして、算出された第1目標位置に基づいて基板ステージ6の位置や角度を制御して基板5を位置決めする(プリアライメント)。この工程S303では、第一の対辺203の位置を計測部231により計測しておき、算出部216が第一の対辺203の位置の計測値を取得する。工程S303で計測部230により計測された第一の基準辺201の計測値と、工程S303で計測部231により計測された第一の対辺203の計測値を用いて、算出部216が第一の基準辺201と第一の対辺203の相対位置を算出する。算出された第一の基準辺201と第一の対辺203の相対位置は、記憶部219に送信され、記憶部219に記憶される。1st露光工程S304では、第一の基準辺201と第二の基準辺202の位置の計測値に基づいて位置決めされた基板5の第1層上の感光剤にパターンを露光する際、アライメントマークも露光する。そして、基板5の第1層にアライメントマーク205を形成する。また、算出された第一の基準辺201と第一の対辺203の相対位置に基づいて、アライメントマーク205の位置と第一の対辺203の位置と相対関係を求め、それらの相対関係の情報を記憶部219に送信し、記憶部219に記憶する。   Next, details of the process of forming a pattern will be described. In the first pre-alignment step S303, the measurement unit 230 measures the positions of the first reference side 201 and the second reference side 202 of the substrate 5 placed on the substrate stage 6. Then, based on the measured values of the positions of the first reference side 201 and the second reference side 202, the first target position of the substrate stage 6 for forming a pattern including alignment marks on the substrate in the first exposure step S304. Is calculated. The target position includes a position in the X and Y directions and a rotation angle around the Z axis. Then, the substrate 5 is positioned by controlling the position and angle of the substrate stage 6 based on the calculated first target position (pre-alignment). In step S <b> 303, the position of the first opposite side 203 is measured by the measurement unit 231, and the calculation unit 216 acquires a measurement value of the position of the first opposite side 203. Using the measurement value of the first reference side 201 measured by the measurement unit 230 in step S303 and the measurement value of the first opposite side 203 measured by the measurement unit 231 in step S303, the calculation unit 216 uses the first measurement value. The relative position between the reference side 201 and the first opposite side 203 is calculated. The calculated relative position between the first reference side 201 and the first opposite side 203 is transmitted to the storage unit 219 and stored in the storage unit 219. In the first exposure step S304, when the pattern is exposed to the photosensitive agent on the first layer of the substrate 5 positioned based on the measured values of the positions of the first reference side 201 and the second reference side 202, the alignment mark is also used. Exposure. Then, an alignment mark 205 is formed on the first layer of the substrate 5. Further, based on the calculated relative position of the first reference side 201 and the first opposite side 203, the relative relationship between the position of the alignment mark 205 and the position of the first opposite side 203 is obtained, and information on the relative relationship is obtained. The data is transmitted to the storage unit 219 and stored in the storage unit 219.

ここで、第1工程(第1プリアライメント工程)と第2工程(第2プリアライメント工程)の間において基板の加工や変形によって、基板の外形が変わってしまう場合がある。例えば、第1工程と第2工程の間において基板が熱変形をしてしまう場合が想定される。また、第2プリアライメント工程のときに、第2プリアライメント工程を行う位置決め装置において、第一の基準辺201の位置を計測することができない場合も想定される。   Here, the outer shape of the substrate may change between the first step (first pre-alignment step) and the second step (second pre-alignment step) due to processing or deformation of the substrate. For example, it is assumed that the substrate is thermally deformed between the first step and the second step. In addition, there may be a case where the position of the first reference side 201 cannot be measured in the positioning device that performs the second pre-alignment step during the second pre-alignment step.

図4に、位置決め装置とともに、第2工程における位置決めの様子を示す。第2プリアライメント工程S305では、基板ステージ6上に置かれ、第1層にパターンが形成された基板5の第一の対辺203の位置を計測部231により計測し、算出部216が第一の対辺203の位置の計測値を取得する。また、基板5の第二の基準辺202を計測部230により計測する。第2プリアライメント工程S305において、第一の基準辺201の位置を計測していない。算出部216は、第1工程S301で記憶部219に記憶された、アライメントマーク205の位置と第一の対辺203の位置の相対関係を取得する。算出部216は、第2プリアライメント工程S305において計測された第一の対辺203の位置と、取得したアライメントマーク205の位置と第一の対辺203の位置の相対関係に基づいて、基板ステージ6の第2目標位置を算出する。第2目標位置は、アライメントスコープ220でアライメントマーク205を検出可能な位置であって、検出後に基板のアライメントを行って、基板上にパターンを形成するための位置でもある。そして、ステージ制御部217は、算出された第2目標位置を用いて目標位置に基板ステージ6を移動させることにより、第1層にパターンが形成された基板5のプリアライメントを行う。   FIG. 4 shows the positioning in the second step together with the positioning device. In the second pre-alignment step S305, the position of the first opposite side 203 of the substrate 5 placed on the substrate stage 6 and having the pattern formed on the first layer is measured by the measuring unit 231, and the calculating unit 216 A measurement value of the position of the opposite side 203 is acquired. Further, the second reference side 202 of the substrate 5 is measured by the measuring unit 230. In the second pre-alignment step S305, the position of the first reference side 201 is not measured. The calculation unit 216 acquires the relative relationship between the position of the alignment mark 205 and the position of the first opposite side 203 stored in the storage unit 219 in the first step S301. The calculation unit 216 determines the position of the substrate stage 6 based on the position of the first opposite side 203 measured in the second pre-alignment step S305 and the relative relationship between the acquired position of the alignment mark 205 and the position of the first opposite side 203. A second target position is calculated. The second target position is a position where the alignment mark 205 can be detected by the alignment scope 220, and is also a position for performing alignment of the substrate after detection and forming a pattern on the substrate. Then, the stage control unit 217 performs pre-alignment of the substrate 5 on which the pattern is formed on the first layer by moving the substrate stage 6 to the target position using the calculated second target position.

アライメント工程S306では、アライメントスコープ220でマーク205を検出して、マーク205の位置から算出部216が基板ステージ6の目標位置を算出する。そして、基板ステージ6を制御し、2nd露光工程S307のために要求される高い精度で基板5を位置決めする。   In the alignment step S306, the mark 205 is detected by the alignment scope 220, and the calculation unit 216 calculates the target position of the substrate stage 6 from the position of the mark 205. Then, the substrate stage 6 is controlled to position the substrate 5 with high accuracy required for the 2nd exposure step S307.

以上のように、第1工程S301において、ステージ上に配置された基板の基準辺の位置の計測値に基づいて基板を位置決めすることよって、基板上にアライメントマークを含むパターンを形成する。そして、第2工程S302において、アライメントマークを含むパターンが形成された基板上にパターンを形成する。なお、第1工程において基板の基準辺に対する対辺の位置を計測し、第1工程において計測された基準辺の位置と対辺の位置の計測値に基づいて、対辺とアライメントマークとの相対位置を求める。また、第2工程において、パターンが形成された基板をステージ上に配置して、パターンが形成された基板の対辺の位置を計測する。そして、パターンが形成された基板の対辺の位置の計測値と相対位置に基づいてパターンが形成された基板を位置決めすることによって、パターンが形成された基板上にパターンを形成する。   As described above, in the first step S301, a pattern including alignment marks is formed on the substrate by positioning the substrate based on the measured value of the position of the reference side of the substrate placed on the stage. In the second step S302, a pattern is formed on the substrate on which the pattern including the alignment mark is formed. The position of the opposite side with respect to the reference side of the substrate is measured in the first step, and the relative position between the opposite side and the alignment mark is obtained based on the measured value of the position of the reference side and the position of the opposite side measured in the first step. . In the second step, the substrate on which the pattern is formed is placed on the stage, and the position of the opposite side of the substrate on which the pattern is formed is measured. Then, the pattern is formed on the substrate on which the pattern is formed by positioning the substrate on which the pattern is formed based on the measured value of the position of the opposite side of the substrate on which the pattern is formed and the relative position.

なお、基板を位置決めする位置決め方法に着目したフローチャートを図5に示す。本実施形態の位置決め方法では、ステージ上に配置された第1基板の基準辺の位置及び基板の基準辺に対する対辺の位置の計測値を取得する(取得工程S401)。次に、基板上にアライメントマークを含むパターンを形成するためのステージの第1目標位置を基準辺の位置の計測値に基づいて算出し、算出された第1目標位置に基づいてステージの位置や角度を制御して基板を位置決めする(第1位置決め工程S402)。次に、取得工程において取得された基準辺の位置と対辺の位置の計測値に基づいて、対辺とアライメントマークとの相対位置を求める(S403)。ステージ上に配置され、パターンが形成された第2基板の対辺の位置の計測値を取得する。そして、第2基板の対辺の位置の計測値と、S403で求めた相対位置に基づいて、第2基板上にパターンを形成するためのステージの第2目標位置を算出する。そして、算出された第2目標位置に基づいてステージの位置や角度を制御して、第2基板を位置決めする(第2位置決め工程S404)。また、位置決め方法は、その機能を実現するソフトウェア(プログラム)を、ネットワークや記憶媒体を介してシステムや装置に供給し、システムや装置のコンピュータ(制御部、CPUやMPU等)がプログラムを読み出して実行する処理によっても実現される。   FIG. 5 shows a flowchart focusing on the positioning method for positioning the substrate. In the positioning method of this embodiment, the measurement values of the position of the reference side of the first substrate placed on the stage and the position of the opposite side with respect to the reference side of the substrate are acquired (acquisition step S401). Next, the first target position of the stage for forming the pattern including the alignment mark on the substrate is calculated based on the measured value of the position of the reference side, and the position of the stage or the like is calculated based on the calculated first target position. The substrate is positioned by controlling the angle (first positioning step S402). Next, a relative position between the opposite side and the alignment mark is obtained based on the measurement values of the position of the reference side and the position of the opposite side acquired in the acquisition step (S403). The measurement value of the position of the opposite side of the second substrate which is arranged on the stage and on which the pattern is formed is acquired. Then, the second target position of the stage for forming the pattern on the second substrate is calculated based on the measured value of the position of the opposite side of the second substrate and the relative position obtained in S403. Then, the second substrate is positioned by controlling the position and angle of the stage based on the calculated second target position (second positioning step S404). In the positioning method, software (program) for realizing the function is supplied to the system or apparatus via a network or a storage medium, and the computer (control unit, CPU, MPU, etc.) of the system or apparatus reads the program. It is also realized by processing to be executed.

本実施形態によれば、基板の加工や変形によって基板の外形が変わってしまう場合でも、第2工程において基板のプリアライメントを精度良く行うことができ、基板を高精度に位置決めすることができる。   According to this embodiment, even when the outer shape of the substrate changes due to processing or deformation of the substrate, the substrate can be pre-aligned with high accuracy in the second step, and the substrate can be positioned with high accuracy.

なお、基板5の第一の基準辺201と第一の対辺203の位置関係を計測する場合、計測部231は2個以上配置されることが望ましい。計測部231が単数だった場合、第一の基準辺と第一の対辺の位置関係のうち回転成分を算出することができない。そのため、1つの辺の複数の箇所の位置を計測するように複数の計測部を設けることで、第一の基準辺201と第一の対辺203の位置関係を算出する際、その回転成分を算出することが可能となる。そして、不図示の回転機構において基板5の回転成分を調整することで、プリアライメントの精度を向上させることができる。   When measuring the positional relationship between the first reference side 201 and the first opposite side 203 of the substrate 5, it is desirable that two or more measurement units 231 are arranged. When there is a single measuring unit 231, a rotation component cannot be calculated from the positional relationship between the first reference side and the first opposite side. Therefore, by providing a plurality of measuring units so as to measure the positions of a plurality of locations on one side, the rotation component is calculated when calculating the positional relationship between the first reference side 201 and the first opposite side 203. It becomes possible to do. And the precision of pre-alignment can be improved by adjusting the rotation component of the board | substrate 5 in a rotation mechanism not shown.

なお、第1プリアライメント工程S303において、第一の基準辺201と第二の基準辺202を計測したが、計測対象となる基準辺とそれに直交する2つ目の基準辺の組み合わせはこれに限らない。例えば、辺202を第一の基準辺、辺203を第二の基準辺とする場合、辺203を第一の基準辺、辺204を第二の基準辺とする場合、或いは辺204を第一の基準辺、辺201を第二の基準辺とする場合、の何れかでもよい。   In the first pre-alignment step S303, the first reference side 201 and the second reference side 202 are measured, but the combination of the reference side to be measured and the second reference side orthogonal thereto is not limited thereto. Absent. For example, when the side 202 is the first reference side and the side 203 is the second reference side, the side 203 is the first reference side and the side 204 is the second reference side, or the side 204 is the first reference side. In the case where the reference side and the side 201 are used as the second reference side, either of them may be used.

また、第2工程S302では、第1工程と同じ露光装置を用いて露光することを前提として説明したが、第1工程S301で用いた露光装置とは別の露光装置を用いてもよい。つまり、第2プリアライメント工程S305において、第1プリアライメント工程S303で用いた位置決め装置とは別の位置決め装置を用いてもよい。   In the second step S302, the description has been made on the assumption that the exposure is performed using the same exposure apparatus as that in the first step. However, an exposure apparatus different from the exposure apparatus used in the first step S301 may be used. That is, in the second pre-alignment step S305, a positioning device different from the positioning device used in the first pre-alignment step S303 may be used.

(実施形態2)
本実施形態では、基板の外形が変わってしまう場合の例として、第1工程S301の後に基板を2つに分割して、分割された各基板に対して第2工程S302を行う場合を挙げる。図6に基板を分割する例を示す。第1プリアライメント工程S303において、図6(a)のように、基板ステージ6上で計測部230により基板5の第一の基準辺201の位置を計測する。そして、第一の基準辺201を基準として、1st露光工程S304を行うことによって、基板5上にアライメントマーク205a、205bが形成される。そして、第1工程S301の後に基板5を2つに分割する。次に、図6(b)のように、第2プリアライメント工程S305において、基板ステージ6上に分割された2つの基板5a(第1基板)、基板5b(第2基板)を配置する。基板5aには、第一の対辺203とアライメントマーク205aがあり、基板5bには、第一の基準辺201とアライメントマーク205bがある。図6(b)に示すように、基板5を分割した後は、第一の基準辺201の位置とアライメントマーク205aの位置との相対関係が、基板5を分割する前の状態(図6(a))とは異なってしまう。ただし、アライメントマーク205aは第一の対辺203に近く形成されており、基板5を分割しても第一の対辺203の位置とアライメントマーク205aの位置との相対関係がずれていない場合がある。
(Embodiment 2)
In the present embodiment, as an example of the case where the outer shape of the substrate changes, a case where the substrate is divided into two after the first step S301 and the second step S302 is performed on each of the divided substrates. FIG. 6 shows an example of dividing the substrate. In the first pre-alignment step S303, as shown in FIG. 6A, the position of the first reference side 201 of the substrate 5 is measured by the measurement unit 230 on the substrate stage 6. Then, by performing the first exposure step S304 with the first reference side 201 as a reference, alignment marks 205a and 205b are formed on the substrate 5. Then, the substrate 5 is divided into two after the first step S301. Next, as shown in FIG. 6B, in the second pre-alignment step S305, the two substrates 5a (first substrate) and the substrate 5b (second substrate) divided on the substrate stage 6 are arranged. The substrate 5a has a first opposite side 203 and an alignment mark 205a, and the substrate 5b has a first reference side 201 and an alignment mark 205b. As shown in FIG. 6B, after the substrate 5 is divided, the relative relationship between the position of the first reference side 201 and the position of the alignment mark 205a is a state before dividing the substrate 5 (FIG. 6B). It is different from a)). However, the alignment mark 205a is formed close to the first opposite side 203, and the relative relationship between the position of the first opposite side 203 and the position of the alignment mark 205a may not be shifted even if the substrate 5 is divided.

そこで、第2プリアライメント工程S305において、基板5aの第一の対辺203の位置を計測部231により計測する。以下、詳細を説明する。第2プリアライメント工程S305では、基板ステージ6上に置かれ、第1層にパターンが形成された基板5aの第一の対辺203の位置を計測部231により計測し、算出部216が第一の対辺203の位置の計測値を取得する。算出部216は、第1工程S301で記憶部219に記憶された、アライメントマーク205aの位置と第一の対辺203の位置の相対関係を取得する。算出部216は、第2プリアライメント工程S305で計測された第一の対辺203の位置と、取得したアライメントマーク205aの位置と第一の対辺203の位置の相対関係に基づいて、基板ステージ6の第2目標位置を算出する。第2目標位置は、アライメントスコープ220でアライメントマーク205aを検出可能な位置であって、検出後に基板5aのアライメントを行って、基板5a上にパターンを形成するための位置でもある。そして、ステージ制御部217は、算出された第2目標位置を用いて目標位置に基板ステージ6を移動させることにより、第1層にパターンが形成された基板5aのプリアライメントを行う。   Therefore, in the second pre-alignment step S305, the position of the first opposite side 203 of the substrate 5a is measured by the measuring unit 231. Details will be described below. In the second pre-alignment step S305, the measurement unit 231 measures the position of the first opposite side 203 of the substrate 5a placed on the substrate stage 6 and having the pattern formed on the first layer, and the calculation unit 216 performs the first calculation. A measurement value of the position of the opposite side 203 is acquired. The calculation unit 216 acquires the relative relationship between the position of the alignment mark 205a and the position of the first opposite side 203, which is stored in the storage unit 219 in the first step S301. The calculation unit 216 determines the position of the substrate stage 6 based on the position of the first opposite side 203 measured in the second pre-alignment step S305 and the relative relationship between the acquired position of the alignment mark 205a and the position of the first opposite side 203. A second target position is calculated. The second target position is a position where the alignment mark 205a can be detected by the alignment scope 220, and is also a position for performing alignment of the substrate 5a after detection and forming a pattern on the substrate 5a. Then, the stage control unit 217 performs pre-alignment of the substrate 5a on which the pattern is formed on the first layer by moving the substrate stage 6 to the target position using the calculated second target position.

アライメント工程S306では、アライメントスコープ220でマーク205aを検出して、マーク205aの位置から算出部216が基板ステージ6の目標位置を算出する。そして、基板ステージ6を制御し、2nd露光工程S307で要求される高い精度で基板5aを位置決めする。2nd露光工程では、照明光学系3と投影光学系4を含むパターン形成部を有する露光装置100を用いて、位置決めされた基板5aの第2層の上の感光剤にマスクのパターンを露光する。   In the alignment step S306, the alignment scope 220 detects the mark 205a, and the calculation unit 216 calculates the target position of the substrate stage 6 from the position of the mark 205a. Then, the substrate stage 6 is controlled to position the substrate 5a with high accuracy required in the 2nd exposure step S307. In the 2nd exposure step, the mask pattern is exposed to the photosensitive agent on the second layer of the positioned substrate 5a using the exposure apparatus 100 having the pattern forming unit including the illumination optical system 3 and the projection optical system 4.

次に、基板5bを露光する工程を説明する。第2プリアライメント工程S305において、基板5bの第一の基準辺201の位置を計測部230により計測する。算出部216は、工程S305で計測された第一の基準辺201の位置に基づいて、基板ステージ6の目標位置を算出する。目標位置は、スコープ220でマーク205bを検出可能な位置であって、検出後に基板5bのアライメントを行って、基板5b上にパターンを形成するための位置でもある。そして、ステージ制御部217は、算出された目標位置を用いて目標位置に基板ステージ6を移動させて、第1層にパターンが形成された基板5bのプリアライメントを行う。アライメント工程S306では、スコープ220でマーク205bを検出して、マーク205bの位置から算出部216が基板ステージ6の目標位置を算出する。そして、基板ステージ6を制御し、2nd露光工程S307で要求される高い精度で基板5bを位置決めする。2nd露光工程では、照明光学系3と投影光学系4を含むパターン形成部を有する露光装置100を用いて、位置決めされた基板5bの第2層の上の感光剤にマスクのパターンを露光する。   Next, the process of exposing the substrate 5b will be described. In the second pre-alignment step S305, the measurement unit 230 measures the position of the first reference side 201 of the substrate 5b. The calculating unit 216 calculates the target position of the substrate stage 6 based on the position of the first reference side 201 measured in step S305. The target position is a position at which the mark 205b can be detected by the scope 220, and is also a position for aligning the substrate 5b after detection and forming a pattern on the substrate 5b. Then, the stage control unit 217 moves the substrate stage 6 to the target position using the calculated target position, and performs pre-alignment of the substrate 5b on which the pattern is formed on the first layer. In the alignment step S306, the mark 205b is detected by the scope 220, and the calculation unit 216 calculates the target position of the substrate stage 6 from the position of the mark 205b. Then, the substrate stage 6 is controlled to position the substrate 5b with high accuracy required in the 2nd exposure step S307. In the 2nd exposure step, the mask pattern is exposed to the photosensitive agent on the second layer of the positioned substrate 5b by using the exposure apparatus 100 having the pattern forming unit including the illumination optical system 3 and the projection optical system 4.

本実施形態によれば、基板を分割することによって基板の外形が変わってしまう場合でも、第2工程において基板のプリアライメントを精度良く行うことができ、基板を高精度に位置決めすることができる。   According to this embodiment, even when the outer shape of the substrate is changed by dividing the substrate, the pre-alignment of the substrate can be accurately performed in the second step, and the substrate can be positioned with high accuracy.

(物品の製造方法)
次に、前述の露光装置を利用した物品(半導体IC素子、液晶表示素子、カラーフィルタ、MEMS等)の製造方法を説明する。物品は、前述の露光装置を使用して、感光剤が塗布された基板(ウェハ、ガラス基板等)を露光する工程と、その基板(感光剤)を現像する工程と、現像された基板を他の周知の工程で処理することにより製造される。他の周知の工程には、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等が含まれる。本デバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
(Product manufacturing method)
Next, a method for manufacturing an article (semiconductor IC element, liquid crystal display element, color filter, MEMS, etc.) using the above-described exposure apparatus will be described. For the article, the above-described exposure apparatus is used to expose a substrate (wafer, glass substrate, etc.) coated with a photosensitive agent, a step of developing the substrate (photosensitive agent), and the developed substrate. It is manufactured by processing in the known process. Other known processes include etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, and the like. According to this device manufacturing method, it is possible to manufacture a higher quality device than before.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。   As mentioned above, although preferable embodiment of this invention was described, this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.

基板にパターンを形成するリソグラフィ装置として露光装置を説明したが、これに限らず、型と基板上のインプリント材(樹脂等)を接触させてパターンを形成するインプリント装置や電子線描画装置にも適用することができる。インプリント装置を利用した物品の製造方法では、型と基板上のインプリント材を接触させてパターンを形成する基板上にパターンを形成し、パターンが形成された基板をエッチング、ダイシング等で加工することによって物品を製造する。   The exposure apparatus has been described as a lithography apparatus for forming a pattern on a substrate. However, the present invention is not limited to this. For example, an imprint apparatus or an electron beam drawing apparatus that forms a pattern by bringing a mold and an imprint material (resin, etc.) Can also be applied. In a method for manufacturing an article using an imprint apparatus, a pattern is formed on a substrate on which a pattern is formed by contacting a mold and an imprint material on the substrate, and the substrate on which the pattern is formed is processed by etching, dicing, or the like. To produce an article.

Claims (12)

基板上にパターンを形成する形成方法において、
ステージ上に配置された基板の基準辺の位置の計測値に基づいて前記基板を位置決めすることよって、前記基板上にアライメントマークを含むパターンを形成する第1工程と、
前記アライメントマークを含むパターンが形成された基板上にパターンを形成する第2工程と、を有し、
前記第1工程において前記基板の基準辺に対する対辺の位置を計測し、
前記第1工程において計測された前記基準辺の位置と前記対辺の位置の計測値に基づいて、前記対辺と前記アライメントマークとの相対位置を求め、
前記第2工程において、前記パターンが形成された基板をステージ上に配置して、前記パターンが形成された基板の前記対辺の位置を計測して、前記パターンが形成された基板の前記対辺の位置の計測値と前記相対位置に基づいて前記パターンが形成された基板を位置決めすることによって、前記パターンが形成された基板上にパターンを形成する、ことを特徴とする形成方法。
In a forming method for forming a pattern on a substrate,
A first step of forming a pattern including alignment marks on the substrate by positioning the substrate based on a measurement value of a position of a reference side of the substrate disposed on the stage;
Forming a pattern on a substrate on which a pattern including the alignment mark is formed, and
Measuring the position of the opposite side relative to the reference side of the substrate in the first step;
Based on the measured value of the position of the reference side and the position of the opposite side measured in the first step, to determine the relative position of the opposite side and the alignment mark,
In the second step, the substrate on which the pattern is formed is placed on a stage, the position of the opposite side of the substrate on which the pattern is formed is measured, and the position of the opposite side of the substrate on which the pattern is formed A pattern is formed on the substrate on which the pattern is formed by positioning the substrate on which the pattern is formed based on the measured value and the relative position.
基板を保持して移動させるステージを制御して前記基板を位置決めする位置決め方法において、
前記ステージ上に配置された基板の基準辺の位置及び前記基板の基準辺に対する対辺の位置の計測値を取得する取得工程と、
前記基板上にアライメントマークを含むパターンを形成するための前記ステージの第1目標位置を前記基準辺の位置の計測値に基づいて算出し、算出された前記第1目標位置に基づいて前記ステージを制御して前記基板を位置決めする第1位置決め工程と、
前記第1位置決め工程で位置決めされて前記アライメントマークを含むパターンが形成された基板を前記ステージ上に配置して、前記ステージを制御して前記パターンが形成された基板を位置決めする第2位置決め工程と、を有し、
前記取得工程において取得された前記基準辺の位置と前記対辺の位置の計測値に基づいて、前記対辺と前記アライメントマークとの相対位置を求め、
前記第2位置決め工程において、前記ステージ上に配置された前記パターンが形成された基板の前記対辺の位置の計測値を取得し、前記パターンが形成された基板の前記対辺の位置の計測値と前記相対位置に基づいて前記パターンが形成された基板上にパターンを形成するための前記ステージの第2目標位置を算出し、算出された前記第2目標位置に基づいて前記ステージを制御して前記パターンが形成された基板を位置決めする、ことを特徴とする位置決め方法。
In a positioning method for positioning the substrate by controlling a stage that holds and moves the substrate,
An acquisition step of acquiring a measurement value of the position of the reference side of the substrate disposed on the stage and the position of the opposite side with respect to the reference side of the substrate;
A first target position of the stage for forming a pattern including an alignment mark on the substrate is calculated based on a measurement value of the position of the reference side, and the stage is moved based on the calculated first target position. A first positioning step for controlling and positioning the substrate;
A second positioning step in which the substrate on which the pattern including the alignment mark is formed by positioning in the first positioning step is arranged on the stage, and the substrate on which the pattern is formed is positioned by controlling the stage; Have
Based on the measured value of the position of the reference side and the position of the opposite side acquired in the acquisition step, to determine the relative position of the opposite side and the alignment mark,
In the second positioning step, a measurement value of the position of the opposite side of the substrate on which the pattern arranged on the stage is formed, and a measurement value of the position of the opposite side of the substrate on which the pattern is formed A second target position of the stage for forming a pattern on the substrate on which the pattern is formed is calculated based on a relative position, and the stage is controlled based on the calculated second target position. A positioning method characterized by positioning a substrate on which is formed.
前記基板は長方形形状であり、
前記基板の基準辺は、前記長方形の第一の基準辺と、前記第一の基準辺に対して垂直な第二の基準辺を含む、ことを特徴とする請求項2に記載の位置決め方法。
The substrate has a rectangular shape;
The positioning method according to claim 2, wherein the reference side of the substrate includes a first reference side of the rectangle and a second reference side perpendicular to the first reference side.
前記取得工程において、前記基板の基準辺における複数の箇所の位置を計測し、前記基板の回転成分を求める、ことを特徴とする請求項2又は3に記載の位置決め方法。   4. The positioning method according to claim 2, wherein, in the obtaining step, the position of a plurality of locations on a reference side of the substrate is measured to obtain a rotation component of the substrate. 前記第1位置決め工程と前記第2位置決め工程との間において、前記パターンが形成された基板を複数に分割し、
前記第2位置決め工程において、分割された基板を位置決めすることを特徴とする、請求項2乃至4の何れか1項に記載の位置決め方法。
Between the first positioning step and the second positioning step, the substrate on which the pattern is formed is divided into a plurality of portions,
The positioning method according to any one of claims 2 to 4, wherein the divided substrate is positioned in the second positioning step.
分割された基板は、前記対辺を含む第1基板と、前記基準辺を含む第2基板を含み、
前記第2位置決め工程において、
前記ステージ上に配置された前記第1基板の前記対辺の位置の計測値を取得し、前記第1基板の前記対辺の位置の計測値と前記相対位置に基づいて前記第1基板上にパターンを形成するための前記ステージの目標位置を算出し、前記ステージを制御して前記第1基板を位置決めし、
前記ステージ上に配置された前記第2基板の前記基準辺の位置の計測値を取得し、前記第2基板の前記基準辺の位置の計測値に基づいて前記第2基板上にパターンを形成するための前記ステージの目標位置を算出し、前記ステージを制御して前記第2基板を位置決めする、ことを特徴とする請求項5に記載の位置決め方法。
The divided substrate includes a first substrate including the opposite side and a second substrate including the reference side,
In the second positioning step,
A measurement value of the position of the opposite side of the first substrate arranged on the stage is acquired, and a pattern is formed on the first substrate based on the measurement value of the position of the opposite side of the first substrate and the relative position. Calculating a target position of the stage for forming, positioning the first substrate by controlling the stage,
A measurement value of the position of the reference side of the second substrate arranged on the stage is acquired, and a pattern is formed on the second substrate based on the measurement value of the position of the reference side of the second substrate. 6. The positioning method according to claim 5, further comprising: calculating a target position of the stage for positioning and controlling the stage to position the second substrate.
前記第2位置決め工程の後、前記基板のアライメントマークを検出し、前記アライメントマークの位置に基づいて前記基板を位置決めする、ことを特徴とする請求項2乃至4の何れか1項に記載の位置決め方法。   5. The positioning according to claim 2, wherein after the second positioning step, an alignment mark on the substrate is detected, and the substrate is positioned based on the position of the alignment mark. 6. Method. 前記基板のアライメントマークは、前記基板の基準辺よりも前記対辺に近い、ことを特徴とする請求項7に記載の位置決め方法。   The positioning method according to claim 7, wherein an alignment mark of the substrate is closer to the opposite side than a reference side of the substrate. 前記第2位置決め工程において前記第1基板を位置決めした後、前記第1基板のアライメントマークを検出し、前記第1基板のアライメントマークの位置に基づいて前記第1基板を位置決めし、
前記第2位置決め工程において前記第2基板を位置決めした後、前記第2基板のアライメントマークを検出し、前記第2基板のアライメントマークの位置に基づいて前記第2基板を位置決めする、ことを特徴とする請求項6に記載の位置決め方法。
After positioning the first substrate in the second positioning step, the alignment mark of the first substrate is detected, and the first substrate is positioned based on the position of the alignment mark of the first substrate,
After the second substrate is positioned in the second positioning step, an alignment mark on the second substrate is detected, and the second substrate is positioned based on the position of the alignment mark on the second substrate. The positioning method according to claim 6.
基板を位置決めする位置決め装置において、
前記基板を保持して移動させるステージと、
前記ステージを制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記ステージ上に配置された基板の基準辺の位置及び前記基板の基準辺に対する対辺の位置の計測値を取得し、
前記基板上にアライメントマークを含むパターンを形成するための前記ステージの第1目標位置を前記基準辺の位置の計測値に基づいて算出し、算出された前記第1目標位置に基づいて前記ステージを制御して前記基板を位置決めし、
取得された前記基準辺の位置と前記対辺の位置の計測値に基づいて、前記対辺と前記アライメントマークとの相対位置を求め、
前記ステージ上に配置された前記パターンが形成された基板の前記対辺の位置の計測値を取得し、前記パターンが形成された基板の前記対辺の位置の計測値と前記相対位置に基づいて前記パターンが形成された基板上にパターンを形成するための前記ステージの第2目標位置を算出し、算出された前記第2目標位置に基づいて前記ステージを制御して前記パターンが形成された基板を位置決めする、ことを特徴とする位置決め装置。
In a positioning device for positioning a substrate,
A stage for holding and moving the substrate;
A control unit for controlling the stage,
The controller is
Obtain the measurement value of the position of the reference side of the substrate placed on the stage and the position of the opposite side to the reference side of the substrate,
A first target position of the stage for forming a pattern including an alignment mark on the substrate is calculated based on a measurement value of the position of the reference side, and the stage is moved based on the calculated first target position. Control to position the substrate,
Based on the obtained measurement value of the position of the reference side and the position of the opposite side, to determine the relative position of the opposite side and the alignment mark,
The measured value of the position of the opposite side of the substrate on which the pattern arranged on the stage is formed, and the pattern based on the measured value of the position of the opposite side of the substrate on which the pattern is formed and the relative position A second target position of the stage for forming a pattern on the substrate on which the pattern is formed is calculated, and the substrate on which the pattern is formed is positioned by controlling the stage based on the calculated second target position. A positioning device characterized by that.
基板上にパターンを形成するパターン形成装置において、
請求項10に記載の、基板を位置決めする位置決め装置と、
前記位置決め装置によって位置決めされた基板上にパターンを形成する形成部と、を有することを特徴とするパターン形成装置。
In a pattern forming apparatus for forming a pattern on a substrate,
A positioning device for positioning a substrate according to claim 10,
And a forming unit that forms a pattern on the substrate positioned by the positioning device.
請求項11に記載のパターン形成装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された基板を加工して物品を製造する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。
Forming a pattern on a substrate using the pattern forming apparatus according to claim 11;
And a step of manufacturing the article by processing the substrate on which the pattern is formed.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111378925A (en) * 2018-12-27 2020-07-07 佳能特机株式会社 Alignment system, film forming apparatus, film forming method, and method for manufacturing electronic device
JP2020194891A (en) * 2019-05-28 2020-12-03 キヤノン株式会社 Lithographic apparatus and manufacturing method of goods
CN112147857A (en) * 2019-06-27 2020-12-29 佳能株式会社 Pattern forming method and article manufacturing method
CN113846305A (en) * 2020-06-26 2021-12-28 佳能特机株式会社 Alignment apparatus, film forming apparatus, alignment method, method for manufacturing electronic device, and storage medium
KR20220000821A (en) * 2020-06-26 2022-01-04 캐논 톡키 가부시키가이샤 Alignment apparatus, film forming apparatus, alignment method, manufacturing method of electronic device, program, and storage medium
KR20220000831A (en) * 2020-06-26 2022-01-04 캐논 톡키 가부시키가이샤 Alignment apparatus, film forming apparatus, alignment method, electronic device production method, program and storage medium
KR20220000820A (en) * 2020-06-26 2022-01-04 캐논 톡키 가부시키가이샤 Alignment apparatus, film forming apparatus, alignment method, manufacturing method of electronic device, program, and storage medium
CN114540758A (en) * 2020-11-25 2022-05-27 佳能特机株式会社 Alignment apparatus, film forming apparatus, alignment method, film forming method, and method for manufacturing electronic device
KR102657735B1 (en) * 2020-06-26 2024-04-15 캐논 톡키 가부시키가이샤 Substrate conveyance device, substrate processing system, substrate conveying method, electronic device production method, program and storage medium

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111378925B (en) * 2018-12-27 2023-09-29 佳能特机株式会社 Alignment system, film forming apparatus, film forming method, and method for manufacturing electronic device
CN111378925A (en) * 2018-12-27 2020-07-07 佳能特机株式会社 Alignment system, film forming apparatus, film forming method, and method for manufacturing electronic device
US11681237B2 (en) 2019-05-28 2023-06-20 Canon Kabushiki Kaisha Lithography apparatus and method of manufacturing article
JP2020194891A (en) * 2019-05-28 2020-12-03 キヤノン株式会社 Lithographic apparatus and manufacturing method of goods
JP7324051B2 (en) 2019-05-28 2023-08-09 キヤノン株式会社 Lithographic apparatus, method of manufacturing and control of article
CN112147857A (en) * 2019-06-27 2020-12-29 佳能株式会社 Pattern forming method and article manufacturing method
KR102582584B1 (en) * 2020-06-26 2023-09-25 캐논 톡키 가부시키가이샤 Alignment apparatus, film forming apparatus, alignment method, manufacturing method of electronic device, program, and storage medium
KR20220000820A (en) * 2020-06-26 2022-01-04 캐논 톡키 가부시키가이샤 Alignment apparatus, film forming apparatus, alignment method, manufacturing method of electronic device, program, and storage medium
KR20220000831A (en) * 2020-06-26 2022-01-04 캐논 톡키 가부시키가이샤 Alignment apparatus, film forming apparatus, alignment method, electronic device production method, program and storage medium
CN113846305B (en) * 2020-06-26 2023-08-08 佳能特机株式会社 Alignment device, film forming device, alignment method, method for manufacturing electronic device, and storage medium
KR20220000819A (en) * 2020-06-26 2022-01-04 캐논 톡키 가부시키가이샤 Alignment apparatus, film forming apparatus, alignment method, manufacturing method of electronic device, program, and storage medium
KR20220000821A (en) * 2020-06-26 2022-01-04 캐논 톡키 가부시키가이샤 Alignment apparatus, film forming apparatus, alignment method, manufacturing method of electronic device, program, and storage medium
KR102582574B1 (en) * 2020-06-26 2023-09-26 캐논 톡키 가부시키가이샤 Alignment apparatus, film forming apparatus, alignment method, manufacturing method of electronic device, program, and storage medium
CN113846305A (en) * 2020-06-26 2021-12-28 佳能特机株式会社 Alignment apparatus, film forming apparatus, alignment method, method for manufacturing electronic device, and storage medium
KR102625055B1 (en) * 2020-06-26 2024-01-12 캐논 톡키 가부시키가이샤 Alignment apparatus, film forming apparatus, alignment method, electronic device production method, program and storage medium
KR102625048B1 (en) * 2020-06-26 2024-01-15 캐논 톡키 가부시키가이샤 Alignment apparatus, film forming apparatus, alignment method, manufacturing method of electronic device, program, and storage medium
KR102657735B1 (en) * 2020-06-26 2024-04-15 캐논 톡키 가부시키가이샤 Substrate conveyance device, substrate processing system, substrate conveying method, electronic device production method, program and storage medium
CN114540758A (en) * 2020-11-25 2022-05-27 佳能特机株式会社 Alignment apparatus, film forming apparatus, alignment method, film forming method, and method for manufacturing electronic device

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