TW202232591A - Daf分割確認方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種DAF分割確認方法，前述DAF分割確認方法可以容易地確認是否已將配設於晶圓的背面之DAF按每個晶片來適當地分割。 [解決手段]一種DAF分割確認方法，確認是否已將配設於晶圓的背面之DAF按每個晶片來適當地分割，前述DAF分割確認方法至少由以下步驟所構成：分割步驟，在已沿著分割預定線(14)分割成複數個晶片(12’)之晶圓(10)、或沿著分割預定線(14)形成有分割起點(110)之晶圓10的背面(10b)配設DAF(18)的一面(18a)，並且將晶圓(10)定位在具備有容置晶圓(10)之開口(Fa)的環狀的框架(F)的開口(Fa)，且在DAF(18)的另一面(18b)貼附切割膠帶(T2)，而透過切割膠帶(T2)將DAF(18)以及晶圓(10)支撐於框架(F)；DAF分割步驟，對處於晶圓(10)與框架(F)之間的切割膠帶(T2)進行擴張來將相鄰的晶片(12’)彼此的間隔擴張，並且將DAF(18)對應於晶片(12’)來分割；皺縮步驟，對處於晶圓(10)與框架(F)之間的切割膠帶(T2)加熱來讓鬆弛皺縮；切割膠帶剝離步驟，在晶圓(10)的正面(10a)配設支撐構件(T3、T4)並將切割膠帶(T2)從DAF(18)剝離；及DAF分割確認步驟，確認是否已將DAF(18)對應於各晶片(12’)來分割。

Description

DAF分割確認方法
本發明是有關於一種DAF分割確認方法，前述DAF分割確認方法是確認是否已將配設於晶圓的背面之DAF按每個晶片來適當地分割。
將IC、LSI等複數個器件以分割預定線區劃並形成於正面之晶圓，是在藉由磨削裝置來磨削背面而形成所期望的厚度之後，藉由切割裝置、雷射加工裝置來分割成一個個的器件晶片，而利用於行動電話、個人電腦等電氣機器上。
又，已有以下之技術方案被提出：從晶圓的正面沿著分割預定線形成未到達背面側之半切溝，之後，在晶圓的正面貼附保護膠帶來磨削晶圓的背面，使半切溝之底露出於背面，藉此將晶圓分割成一個個的器件晶片(參照例如專利文獻1)。
此外，已有以下之技術方案被提出：從晶圓的正面、或從背面將對晶圓具有穿透性之波長的雷射光線的聚光點定位在分割預定線的內部來照射，並沿著分割預定線在晶圓的內部形成改質層，之後，在晶圓的正面貼附保護膠帶，並藉由磨削晶圓的背面來將晶圓形成為所期望的厚度，並且藉由在該磨削時所賦與之外力，來將晶圓分割成一個個的器件晶片(參照例如專利文獻2)。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2004-193241號公報 專利文獻2：日本特開2014-007333號公報
在藉由上述之專利文獻1、2所記載之技術而被分割成一個個的器件晶片的背面側會配設DAF(黏晶薄膜，Die Attach Film)，前述DAF是在將該器件晶片組裝、積層於基板等時使用。在將DAF配設於器件晶片的情況下，是藉由以下的作法將該DAF對應於一個個的器件晶片來分割：將DAF配設於晶圓的整個背面，且將切割膠帶重疊於該DAF來配設，並以具備有容置晶圓之開口部之環狀的框架來支撐該切割膠帶的外周，而對該切割膠帶進行擴張。
發明欲解決之課題
不過，由於在實施將DAF對應於一個個的器件晶片來分割之DAF分割步驟時，有時候會因為對切割膠帶進行擴張時之擴張速度、擴張量、器件晶片的大小等，而使DAF未能對應於器件晶片良好地被分割，因此在以往，在實施了該DAF分割步驟之後，會以顯微鏡從形成於晶圓的正面的分割預定線之分割溝側來確認DAF的分割狀態，並因應於需要來調整對切割膠帶進行擴張時之擴張速度、擴張量等之分割條件。但是，由於要從形成於晶圓的正面的分割溝側來確認已配設於晶圓的背面側的DAF的分割狀態並不容易，且在確認該DAF的分割狀態時會較花費時間，因此有生產性差之問題。
本發明是有鑒於上述事實而作成之發明，其主要的技術課題在於提供一種DAF分割確認方法，前述DAF分割確認方法可以容易地確認是否已將配設於晶圓的背面之DAF按每個晶片來適當地分割。 用以解決課題之手段
為了解決上述主要的技術課題，根據本發明，可提供一種DAF分割確認方法，前述DAF分割確認方法是確認是否已將配設於晶圓的背面之DAF按每個晶片來適當地分割，前述DAF分割確認方法至少由以下步驟所構成： 支撐步驟，在已沿著分割預定線分割成複數個晶片之晶圓、或沿著分割預定線形成有分割起點之晶圓的背面配設DAF的一面，並且將晶圓定位在具備有容置該晶圓之開口的環狀的框架的該開口，且在DAF的另一面貼附切割膠帶，而透過該切割膠帶將DAF以及晶圓支撐於該框架； DAF分割步驟，對處於晶圓與框架之間的切割膠帶進行擴張來將相鄰的晶片彼此的間隔擴張，並且將DAF對應於該晶片來分割； 皺縮(shrink)步驟，對處於晶圓與框架之間的切割膠帶加熱來讓鬆弛皺縮； 切割膠帶剝離步驟，在晶圓的正面配設支撐構件並將切割膠帶從DAF剝離；及 DAF分割確認步驟，確認是否已將DAF對應於各晶片來分割。
較佳的是，在該DAF分割確認步驟中，在DAF並未對應於各晶片被分割的情況下，會在該DAF分割步驟中，調整對切割膠帶進行擴張時之擴張速度、擴張量。 發明效果
本發明之DAF分割確認方法至少由以下步驟所構成：支撐步驟，在已沿著分割預定線分割成複數個晶片之晶圓、或沿著分割預定線形成有分割起點之晶圓的背面配設DAF的一面，並且將晶圓定位在具備有容置該晶圓之開口的環狀的框架的該開口，且在DAF的另一面貼附切割膠帶，而透過該切割膠帶讓DAF以及晶圓支撐於該框架；DAF分割步驟，對處於晶圓與框架之間的切割膠帶進行擴張來將相鄰的晶片彼此的間隔擴張，並且將DAF對應於該晶片來分割；皺縮步驟，對處於晶圓與框架之間的切割膠帶加熱來讓鬆弛皺縮；切割膠帶剝離步驟，在晶圓的正面配設支撐構件並將切割膠帶從DAF剝離；及DAF分割確認步驟，確認是否已將DAF對應於各晶片來分割，由於可以利用支撐構件來支撐晶圓以及DAF，並將DAF側朝向上表面，所以可以從配設有DAF之側，容易地且確實地確認是否已將DAF對應於晶片恰當地分割，藉此，變得也可適當地實施在DAF分割步驟中的分割組件的調整。
用以實施發明之形態
以下，一邊參照附加圖式一邊詳細地說明依據本發明所構成之DAF分割確認方法的實施形態。
在實施本實施形態之DAF分割確認方法時，準備已沿著分割預定線分割成複數個晶片之晶圓、或是沿著分割預定線形成有分割起點之晶圓。首先，一邊參照圖1~3一邊說明準備已沿著分割預定線分割成複數個晶片之晶圓的程序。圖1的上段所顯示的是本實施形態之被加工物即加工前的晶圓10。此晶圓10是在經分割預定線14所區劃之正面10a形成有複數個器件12之構成。
為了將上述之加工前的晶圓10沿著分割預定線14分割成一個個的器件晶片，而例如，如圖1的左方側所示，將加工前的晶圓10搬送到具備有切削刀片22之切削裝置20(僅顯示一部分)。切削裝置20具備保持晶圓10之保持組件、使該保持組件移動之移動組件、對已被該保持組件所保持之晶圓10進行拍攝之拍攝組件(皆省略圖示)，切削刀片22是藉由省略圖示之馬達而被旋轉驅動。將晶圓10保持於該保持組件，並作動該移動組件，將該保持組件定位到該拍攝組件的正下方，且藉由該拍攝組件拍攝晶圓10來實施校準。依據藉由該校準所檢測出之分割預定線14的位置資訊，使分割預定線14對齊於圖中X方向。接著，將切削刀片22定位成沿著晶圓10的正面10a側之預定的分割預定線14，並藉由該移動組件，使該保持組件與切削刀片22在X方向上相對地移動來加工進給，而沿著分割預定線14形成切削溝100。如圖所示，切削溝100是未到達晶圓10的背面10b之深度的半切溝。切削溝100的深度是設定成如下之深度：在稍後說明之晶圓分割步驟中，於已將背面10b側磨削到成為成品厚度為止的情況下，切削溝100會從背面10b露出。藉由使上述之切削刀片22與該移動組件作動，使保持有晶圓10之保持組件與切削刀片22在X方向、和X方向正交之Y方向、以及旋轉方向上合宜且相對地移動，而如圖1的左下側所示，沿著晶圓10上的全部的分割預定線14來形成切削溝100。
接著，如圖2之左側所示，將BG(晶背研磨(back grinding))膠帶T1貼附於晶圓10的正面10a來形成為一體。若已將晶圓10與BG膠帶T1形成為一體，即可搬送到圖2的下方所示之磨削裝置30，並且將BG膠帶T1側朝向下方且將晶圓10的背面10b側朝向上方來載置到由保持面32與圍繞保持面32之框體34所構成之工作夾台31。工作夾台31的保持面32是藉由具有通氣性之構件所構成，且連接於省略圖示之吸引組件，並藉由該吸引組件的作用，而吸引保持已載置在工作夾台31之晶圓10。
如圖3(a)所示，磨削裝置30具備有磨削組件36。磨削組件36是用於對已吸引保持在工作夾台31上之晶圓10的背面10b磨削來進行薄化之組件，且具備有藉由未圖示之旋轉驅動機構而使其旋轉之旋轉主軸362、裝設於旋轉主軸362的下端之輪座364、安裝在輪座364的下表面之磨削輪366、與環狀地配設在磨削輪366的下表面之複數個磨削磨石368。
若已將晶圓10吸引保持在工作夾台31上，即可使磨削組件36的旋轉主軸362朝圖3(a)中以箭頭R1表示之方向以例如6000rpm來旋轉，並且使工作夾台31朝以箭頭R2表示之方向以例如300rpm來旋轉。然後，藉由省略圖示之磨削水供給組件，一面將磨削水供給到晶圓10的背面10b上，一面作動省略圖示之磨削進給組件來使磨削組件36朝圖中以箭頭R3表示之方向下降，並使磨削磨石368接觸於晶圓10的背面10b，且將磨削輪366以例如1μm/秒的速度來磨削進給。此時，可以一邊藉由未圖示之接觸式的測定儀來測定晶圓10的厚度一邊進行磨削，直到晶圓10的厚度成為成品厚度為止，而將背面10b側磨削預定量。如上述，由於在晶圓10的正面10a，已沿著分割預定線14形成有相當於成品厚度之深度的切削溝100，所以可藉由將背面10b側磨削該預定量，而如圖3(b)所示，使切削溝100露出於晶圓10的背面10b側，並將晶圓10分割成一個個的器件晶片12’(晶圓分割步驟)。若已將晶圓10分割成一個個的器件晶片12’後，即停止磨削組件36並使其朝上方退避。
再者，本發明並不限定於如上述，在晶圓10的正面10a側形成切削溝100，並磨削背面10b側來將晶圓10分割成一個個的器件晶片12’之作法，亦可設成例如實施藉由雷射加工來沿著晶圓10的分割預定線14形成分割起點之分割起點形成步驟，並藉由對該分割起點賦與外力來實施晶圓分割步驟。以下，一邊參照圖1~3，一邊說明實施分割起點形成步驟並實施晶圓分割步驟之實施態樣。
將圖1的上方所示之加工前的晶圓10於準備好後，搬送至圖1的右側所示之雷射加工裝置40。雷射加工裝置40具備有保持晶圓10之保持組件、使該保持組件在圖中朝X方向、Y方向以及旋轉方向移動之移動組件、以及對晶圓10進行拍攝之拍攝組件(皆省略圖示)、與照射對晶圓10具有穿透性之波長的雷射光線LB之雷射光線照射組件41。
已被搬送至雷射加工裝置40之晶圓10是讓背面10b側朝向上方來吸引保持於該保持組件。再者，雖然省略圖示，但將晶圓10保持於該保持組件時，為了保護器件12，宜在晶圓10的正面10a貼附保護膠帶。可將已保持在該保持組件之晶圓10定位到該拍攝組件的正下方，來實施校準步驟。該拍攝組件會照射紅外線並且將反射之紅外線捕捉而轉換成電氣訊號，並輸出至省略圖示之控制組件。藉由實施該校準步驟，可從晶圓10的背面10b側檢測已形成於正面10a之分割預定線14的位置，並且藉由該移動組件來旋轉晶圓10，使預定方向的分割預定線14對齊於X方向。
接著，作動該移動組件，將分割預定線14的加工開始位置定位到雷射光線照射組件41的聚光器42的正下方，且將雷射光線LB的聚光點定位到晶圓10的分割預定線14的內部來照射，並且將晶圓10朝X方向加工進給。藉此，如圖1所示，在晶圓10的內部沿著預定之分割預定線14形成由改質層所構成之分割起點110。再者，在本實施形態中，如圖所示，是沿著分割預定線14分成3個階段地變更聚光點的深度來照射雷射光線LB，而形成由3層改質層所構成之分割起點110。如此，已沿著預定的分割預定線14形成分割起點110後，即可將晶圓10朝Y方向分度進給相當於分割預定線14的間隔，而將在Y方向上相鄰之未加工的分割預定線14定位到聚光器42的正下方。然後，與上述同樣地進行，將雷射光線LB的聚光點定位在晶圓10的分割預定線14的內部來照射，且將晶圓10朝X方向加工進給來形成分割起點110。如此，將晶圓10朝X方向、以及Y方向加工進給，而沿著所有的沿著X方向之分割預定線14形成分割起點110。接著，使晶圓10和工作夾台31一起旋轉90度，而使和已形成分割起點110之分割預定線14正交之方向的未加工的分割預定線14對齊於X方向。然後，對其餘之分割預定線14，也是和上述同樣地進行來定位雷射光線LB的聚光點並進行照射，而如圖1的右下所示，沿著晶圓10的全部的分割預定線14形成分割起點110(分割起點形成步驟)。又，在沿著晶圓10的分割預定線14形成改質層時，並不一定限定為從晶圓10的背面10b側照射雷射光線LB，只要是在分割預定線14上沒有測試用電極等的情況等，亦可設成從晶圓10的正面10a側照射。
如上述，只要沿著全部的分割預定線14在晶圓10的內部形成分割起點110，即可如圖2的右方側所示，於形成有分割起點110之晶圓10的正面10a貼附BG膠帶T1，並搬送到磨削裝置30，且將BG膠帶T1側朝向下方來載置並吸引保持於磨削裝置30的工作夾台31。之後，藉由和上述之晶圓分割步驟同樣的程序，而藉由圖3所示之磨削組件36來磨削晶圓10的背面10b側。可從晶圓10的背面10b側，藉由磨削組件36施行磨削加工來將晶圓10薄化至成為所期望的成品厚度為止，藉此可對分割起點110賦與外力，而將晶圓10沿著分割起點110斷裂來分割成一個個的器件晶片12’。再者，本發明並不限定於藉由上述之雷射加工在晶圓10的分割預定線14的內部形成改質層來形成分割起點110之作法，亦可設成從晶圓10的正面10a側照射具有吸收性之波長的雷射光線來沿著分割預定線14實施燒蝕加工，而形成成為分割起點之雷射加工溝。
接著，如圖4所示，實施將晶圓10支撐於框架之支撐步驟。在實施該支撐步驟時，首先，如圖4的下方側所示，準備和晶圓10相同尺寸之圓形的片狀之DAF18、切割膠帶T2、以及具備有可容置晶圓10之開口Fa的環狀的框架F。在圖4的左上方是顯示已藉由上述之晶圓分割步驟將晶圓10分割成一個個的器件晶片12’之晶圓10，針對以下將說明之支撐步驟、DAF分割步驟、皺縮步驟、以及切割膠帶剝離步驟，是形成為將已分割成一個個的器件晶片12’之晶圓10支撐於框架F之構成來說明。
準備了已分割成一個個的器件晶片12’之晶圓10後，即可在晶圓10的背面10b配設DAF18的一面18a(在圖中為上表面)。將晶圓10的背面10b側定位到框架F的開口Fa，並將切割膠帶T2貼附於DAF18的另一面18b，來透過切割膠帶T2將DAF18以及晶圓10支撐於框架F而完成支撐步驟。再者，已貼附於晶圓10的正面10a側之BG膠帶T1，會在實施該支撐步驟之後先剝離。
已實施上述之支撐步驟後，即可實施DAF分割步驟，前述DAF分割步驟是對處於已保持在框架F之晶圓10與框架F之間的切割膠帶T2進行擴張而將相鄰的器件晶片12’彼此的間隔擴張，並且將DAF18對應於器件晶片12’來分割。一邊參照圖5一邊說明適合於實施本實施形態之DAF分割步驟的分割裝置50。分割裝置50具備有框架保持組件51與分割組件52，前述框架保持組件51是保持透過切割膠帶T2、DAF18來支撐晶圓10之框架F，前述分割組件52是對已貼附在被框架保持組件51所保持的框架F之切割膠帶T2進行擴張，而將配設於晶圓10的DAF18對應於一個個的器件晶片12’來分割。
框架保持組件51具備有用來保持上述之環狀的框架F之形成為環狀的框架保持構件51a、與在框架保持構件51a的外周以均等的間隔來配設之作為固定組件的複數個夾具51b(在圖示的實施形態中為4個)。框架保持構件51a的上表面呈平坦地形成，且可載置框架F。並且，已載置於框架保持構件51a的上表面之框架F可藉由夾具51b來固定在框架保持構件51a的上表面。
在上述框架保持構件51a的內側配設有下端被固定在圓板形狀的基台54之擴張圓筒53。在平面視角下，擴張圓筒53形成得比框架F的開口Fa的內徑更小，且比透過DAF18被支撐於切割膠帶T2之晶圓10的外徑更大。圖示之實施形態中的分割組件52具備氣缸52a與活塞桿52b，前述氣缸52a是在擴張圓筒53的周圍配置複數個(例如4個)，且固定於基台54，前述活塞桿52b是從氣缸52a朝上方延伸，且將上端連結於框架保持構件51a的下表面。在氣缸52a可透過省略圖示之連通路來供給控制用空氣，並藉由氣缸52a的作用，使活塞桿52b朝上下方向進退，藉此讓框架保持構件51a朝上下方向進退。
本實施形態之分割裝置50具備有大致如上述之構成，除了圖5以外，還一邊參照圖6一邊更具體地說明本實施形態之DAF分割步驟。
在實施本實施形態之DAF分割步驟時，如圖5所示，是將已分割成一個個的器件晶片12’之晶圓10的正面10a側朝向上方，來將框架F載置於分割裝置50的框架保持構件51a的上表面，並以夾具51b來固定。此時，如圖6所示，是將擴張圓筒53的上端定位在和框架保持構件51a的上表面成為大致相同高度之基準位置(以實線表示)。接著，作動已連接於框架保持構件51a之複數個分割組件52的氣缸52a，使活塞桿52b朝氣缸52a內退避，而使框架保持構件51a朝箭頭R4表示之方向下降。藉此，框架F也會和框架保持構件51a一起下降，而可將被框架F所支撐的切割膠帶T2藉由相對於框架保持構件51a呈相對地上升之擴張圓筒53來擴張預定量(以2點鏈線表示)，且放射狀的拉伸力會作用於切割膠帶T2。藉此，如圖6所示，可將在晶圓10中相鄰之器件晶片12’彼此的間隔擴張，並將DAF18對應於該器件晶片12’來分割，而完成DAF分割步驟。再者，在圖6中，雖然為了方便說明，而在分割DAF18的前後，將晶圓10的上下方向的位置改變來顯示，但在實際的DAF分割步驟中，晶圓10的上下方向的位置是不變的，而是框架保持構件51a的上下方向的位置會變動。又，投入氣缸52a之控制用空氣的壓力可藉由省略圖示之空氣供給源來調整，而可將擴張切割膠帶T2時的擴張速度調整為所期望的擴張速度。又，活塞桿52b的伸長量也可進行調整，藉此，可將切割膠帶T2的擴張量也調整成形成所期望之量。
已實施上述之DAF分割步驟後，即可從上述之分割裝置50將支撐有晶圓10之框架F搬出。此時，支撐晶圓10的切割膠帶T2會因為實施上述之DAF分割步驟而成為已鬆弛之狀態。於是，如圖7所示，將加熱組件60定位到於晶圓10與框架F之間露出之切割膠帶T2的附近。該加熱組件60是例如具備有加熱器與送風組件，且從前端朝外部噴射暖風之組件。已如圖7所示地定位此加熱組件60後，即可從加熱組件60噴射暖風，並且使框架F朝以箭頭R5表示之方向旋轉來對支撐晶圓10的切割膠帶T2的整個區域加熱。藉此，切割膠帶T2之處於晶圓10與框架F之間的鬆弛會被皺縮(收縮)，並返回到和實施上述之DAF分割步驟以前的狀態大致同樣的狀態，而完成皺縮步驟。
如上述，若已實施皺縮步驟後，如圖7所示，可在晶圓10的正面10a側配設以和晶圓10相同尺寸來形成之支撐構件T3。該支撐構件T3可從例如玻璃板、PET等的樹脂板、或樹脂膠帶等中合宜選擇。在將支撐構件T3配設於晶圓10的正面10a時，可對支撐構件T3側的支撐面塗佈接著劑。如此進行而在晶圓10的正面10a配設支撐構件T3後，即可從配設於晶圓10的背面10b側之DAF18將切割膠帶T2剝離，而完成切割膠帶剝離步驟。
再者，上述之支撐步驟、DAF分割步驟、皺縮步驟以及切割膠帶剝離步驟，雖然是形成為將已分割成一個個的器件晶片12’之晶圓10支撐於框架F之構成來說明，但本發明並不限定於此。例如，在支撐步驟中，亦可如圖4的右上方所示，設成將雖然已沿著分割預定線14形成有分割起點110但尚未被分割成一個個的器件晶片12’之晶圓10的背面10b配設於DAF18的一面18a上，並透過切割膠帶T2來將DAF18以及晶圓10支撐於框架F。在該情況下，可藉由實施上述之DAF分割步驟，而在將晶圓10分割成一個個的器件晶片12’的同時，將DAF18對應於器件晶片12’來分割。據此，在該情況下，可以省略上述之晶圓分割步驟來實施DAF分割步驟，且可以在實施DAF分割步驟後，與上述同樣地實施皺縮步驟、切割膠帶剝離步驟。
如上述，已實施切割膠帶剝離步驟之後，就可以將被DAF18以及支撐構件T3所夾住之晶圓10如圖8中以箭頭R6所示地翻轉，而將配設有DAF18之面朝向上方，來從DAF18側確認是否已將DAF18對應於器件晶片12’恰當地分割。再者，在圖8中，雖然顯示有藉由目視來確認之態樣，但並不一定限定於藉由目視來確認之作法，亦可設成定位到省略圖示之拍攝組件的正下方，並確認藉由拍攝組件所拍攝到的圖像、或進一步對所拍攝到的圖像資料進行運算處理，藉此來確認是否已將DAF18對應於器件晶片12’恰當地分割。藉由以上，DAF分割確認步驟即完成。
在此，根據上述之DAF分割步驟的實施條件之不同，在DAF分割確認步驟中，如圖8所示，可確認到DAF18並未對應於各器件晶片12’完全地被分割，而未適當地實施DAF分割步驟之情形。在這樣的情況下，可考慮為：在上述之DAF分割步驟中，將切割膠帶T2擴張時的擴張速度，擴張量並非恰當。從而，可鑒於藉由上述DAF分割確認步驟所確認到的DAF18的分割結果，來合宜調整藉由分割裝置50對切割膠帶T2進行擴張時之擴張速度、擴張量。更具體而言，是調整成：將投入分割組件52的氣缸52a之控制用空氣的壓力提高、或將活塞桿52b的伸長量設得較長。
根據上述之實施形態，由於可以在DAF分割確認步驟中，以支撐構件T3來支撐晶圓10以及DAF18，而使DAF18側朝向上表面，所以變得可從DAF18側容易地且確實地確認是否已將DAF18對應於器件晶片12’恰當地分割，藉此，變得也可適當地實施DAF分割步驟中的分割組件的調整。
再者，在上述之實施形態中，如圖7所示，實施了切割膠帶剝離步驟，前述切割膠帶剝離步驟是在晶圓10的正面10a側配設以和晶圓10相同尺寸所形成之支撐構件T3，並於之後將切割膠帶T2從已配設於晶圓10的背面10b側之DAF18剝離，但本發明並非限定於此。例如，如圖9(a)所示，亦可設成在已完成DAF分割步驟之晶圓10的正面10a側配設支撐構件T4，前述支撐構件T4是藉由比框架F的開口Fa更大，且比框架F的外形更小之樹脂的膠帶所構成。更具體而言，是準備圖9(a)所示之支撐構件T4，並使滾輪70一邊朝以箭頭R7表示之方向旋轉，一邊朝以箭頭R8表示之方向移動，來將支撐構件T4朝晶圓10的正面10a以及框架F壓接。然後，如圖9(b)所示，將框架F翻轉，使切割膠帶T2側朝向上方，並將切割膠帶T2朝以箭頭R9表示之方向拉開並剝離。藉此，晶圓10會被支撐構件T4所支撐，且配設於晶圓10的背面10b之DAF18會露出，而可和上述同樣地實施從DAF18側確認是否已將DAF18對應於器件晶片12’恰當地分割之DAF分割確認步驟。
再者，在上述之實施形態中，雖然在實施本實施形態的DAF分割確認方法時，準備了已將複數個器件12以分割預定線14來區劃並形成在正面10a之晶圓10，但本發明並非限定於此。本發明也包含例如以下情況：使用於正面未形成有器件12之所謂的假晶圓(dummy wafer)來作為被加工物，而準備沿著設想為假設在正面形成有複數個器件12的情況下之分割預定線而分割成複數個晶片之假晶圓、或沿著該分割預定線形成有分割起點之假晶圓，來實施上述之支撐步驟、DAF分割步驟、皺縮步驟以及DAF分割確認步驟。藉由如此地使用假晶圓，並實施本發明之DAF分割確認方法，而在DAF分割步驟中恰當地調整對切割膠帶進行擴張時之擴張速度、擴張量，可以避免使用了正規的晶圓10之DAF分割步驟的失敗，而讓經濟上的損失形成在最小限度。
10:晶圓 10a:正面 10b:背面 12:器件 12’:器件晶片 14:分割預定線 18:DAF 18a:一面 18b:另一面 100:切削溝 110:分割起點 120:DAF18的分割線 20:切削裝置 22:切削刀片 30:磨削裝置 31:工作夾台 32:保持面 34:框體 36:磨削組件 362:旋轉主軸 364:輪座 366:磨削輪 368:磨削磨石 40:雷射加工裝置 41:雷射光線照射組件 42:聚光器 50:分割裝置 51:框架保持組件 51a:框架保持構件 51b:夾具 52:分割組件 52a:氣缸 52b:活塞桿 53:擴張圓筒 54:基台 60:加熱組件 70:滾輪 F:框架 Fa:開口 LB:雷射光線 R1~R9:箭頭 T1:BG膠帶 T2:切割膠帶 T3,T4:支撐構件 X,Y:方向
圖1是顯示對可在本實施形態中被加工之晶圓形成切削溝或分割起點之態樣的立體圖。 圖2是顯示將形成有切削溝或分割起點之晶圓載置於磨削裝置的工作夾台之態樣的立體圖。 圖3(a)是顯示藉由磨削裝置將晶圓分割成一個個的晶片之態樣的立體圖，(b)是已分割成一個個的晶片之晶圓的立體圖。 圖4是顯示支撐步驟之實施態樣的立體圖。 圖5是分割裝置的立體圖。 圖6是顯示藉由圖5所示之分割裝置所實施之DAF分割步驟之實施態樣的局部放大剖面圖。 圖7是顯示皺縮步驟之實施態樣的立體圖。 圖8是顯示DAF分割確認步驟之實施態樣的立體圖。 圖9(a)是顯示切割膠帶剝離步驟之其他的實施形態的立體圖，(b)是顯示DAF分割確認步驟之其他的實施形態的立體圖。
10:晶圓
12’:器件晶片
18:DAF
50:分割裝置
51:框架保持組件
51a:框架保持構件
51b:夾具
52:分割組件
52a:氣缸
52b:活塞桿
53:擴張圓筒
100:切削溝
F:框架
T2:切割膠帶
R4:箭頭

Claims (2)

  1. 一種DAF分割確認方法，確認是否已將配設於晶圓的背面之DAF按每個晶片來適當地分割，前述DAF分割確認方法至少由以下步驟所構成： 支撐步驟，在已沿著分割預定線分割成複數個晶片之晶圓、或沿著分割預定線形成有分割起點之晶圓的背面配設DAF的一面，並且將晶圓定位在具備有容置該晶圓之開口的環狀的框架的該開口，且在DAF的另一面貼附切割膠帶，而透過該切割膠帶將DAF以及晶圓支撐於該框架； DAF分割步驟，對處於晶圓與框架之間的切割膠帶進行擴張來將相鄰的晶片彼此的間隔擴張，並且將DAF對應於該晶片來分割； 皺縮步驟，將處於晶圓與框架之間的切割膠帶加熱來讓鬆弛皺縮； 切割膠帶剝離步驟，在晶圓的正面配設支撐構件並將切割膠帶從DAF剝離；及 DAF分割確認步驟，確認是否已將DAF對應於各晶片來分割。
  2. 如請求項1之DAF分割確認方法，其中在該DAF分割確認步驟中，在DAF並未對應於各晶片被分割的情況下，會在該DAF分割步驟中，調整對切割膠帶進行擴張時之擴張速度、擴張量。
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