TW202231922A - 真空泵及控制裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之目的在於提供一種真空泵及控制裝置，其藉由於泵側進行用以抑制來自製程氣體之堆積物析出所進行之配管之加熱器控制、及去除堆積物所進行之沉積阱之冷卻控制，而謀求成本降低及節省空間，且藉由進行與製程氣體之狀況相應之加熱器控制及冷卻控制而有助於節能。 於導入管3H之外周、或內周配設溫度感測器，由該溫度感測器檢測之溫度資訊31被輸入至控制裝置200。自沉積阱7之內部檢測之溫度資訊33亦被輸入至控制裝置200。於控制裝置200中，以基於輸入之溫度資訊31，使導入管3H之溫度成為特定之溫度值之方式，控制加熱器4B之開啟關閉。於控制裝置200中，以基於輸入之溫度資訊33，使沉積阱7之內部之溫度成為特定之冷卻溫度值之方式，控制閥13之開啟關閉。

Description

真空泵及控制裝置

本發明係關於一種真空泵及控制裝置，尤其關於一種藉由於泵側進行用以抑制來自製程氣體之堆積物析出之配管之加熱器控制、及去除堆積物之沉積阱之冷卻控制，而謀求成本降低及節省空間，且藉由進行與製程氣體之狀況相應之加熱器控制及冷卻控制而有助於節能之真空泵及控制裝置。

隨著近年之電子之發展，記憶體或積體電路等半導體之需要急劇增大。 該等半導體係於純度極高之半導體基板摻雜雜質而賦予電性性質，或藉由蝕刻於半導體基板上形成微細之電路等而製造。

且，該等作業為避免空氣中之塵埃等之影響而必須於高真空狀態之腔室內進行。對於該腔室之排氣，一般使用真空泵，但自殘留氣體特別少，且容易保養等方面而言，經常使用真空泵中之一者即渦輪分子泵。 又，於半導體之製造步驟中，使各種製程氣體作用於半導體之基板之步驟數較多，渦輪分子泵除將腔室內設為真空外，亦於自腔室內排出該等製程氣體時使用。

然而，有時製程氣體為提高反應性而以高溫之狀態被導入至腔室。且，有時該等製程氣體於排氣時被冷卻至某溫度而成為固體，於排氣系統中析出生成物。且，有時此種製程氣體於通向渦輪分子泵或除害裝置之配管內溫度變低而成為固體狀，從而附著堆積於渦輪分子泵內部或配管中。

若製程氣體之析出物堆積於渦輪分子泵內部或配管，則該堆積物使泵流道變窄，成為使渦輪分子泵之性能降低、或使配管堵塞之原因。 為解決該問題，渦輪分子泵如後所述，對基座部周圍進行加熱管之加熱或水冷管之冷卻的控制。 另一方面，例如，如圖4所示，設法對渦輪分子泵之下游至除害裝置的配管進行溫度管理，而使堆積物不附著。

於圖4中，於腔室1連接有渦輪分子泵100，對腔室1之內部進行真空處理。且，該渦輪分子泵100藉由控制裝置200控制。於渦輪分子泵100之排氣口連接有配管3A之一端。且，於配管3A之另一端連接閥5之一端，於該閥5之另一端經由配管3B配設有沉積阱7。

又，於沉積阱7之下游，經由配管3C、閥9、配管3D連接有後泵11。再者，於後泵11之下游經由配管3E連接有未圖示之除害裝置。於配管3A、3B、3C、3D、3E之外周分別卷繞有加熱器4A、4B、4C、4D、4E。 於沉積阱7內經由配管3F、閥13、配管3G連接有冷媒裝置15。於沉積阱7之內部配設未圖示之溫度感測器，並將由該溫度感測器檢測之溫度資訊輸入至冷媒導入控制用控制器17。且，於冷媒導入控制用控制器17中，以基於輸入之溫度資訊使沉積阱7之內部之溫度成為特定之冷卻溫度值之方式，控制閥13開閉，藉此調整自冷媒裝置15流向沉積阱7之冷媒之流量。

又，於配管3B配設未圖示之溫度感測器，由該溫度感測器檢測之溫度資訊被輸入至配管加熱器控制用控制器19。且，於配管加熱器控制用控制器19中，以基於輸入之溫度資訊使配管3B之溫度成為特定之溫度值之方式，控制加熱器4B之開啟關閉。如此，有限定對加熱器4B等特定之區間進行開啟關閉控制之情形，亦有對全部加熱器4A、4B、4C、4D、4E一併進行開啟關閉控制之情形。

於該構成中，自腔室1藉由渦輪分子泵100及後泵11吸引製程氣體。後泵11用於輔助渦輪分子泵100之吸引。 藉由配管加熱器控制用控制器19與加熱器4B之作用，使配管內部被設為特定之高溫度值，藉此因製程氣體維持汽化之狀態，故堆積物不易堆積。又，藉由冷媒導入控制用控制器17與閥13之作用，使沉積阱7之內部被冷卻為特定之低溫度值，藉此，自製程氣體析出堆積物並於沉積阱7之內部被捕獲。於沉積阱7之內部作為堆積物堆積(析出)之氣體成分被捕獲(去除)之製程氣體向除害裝置輸送，且被無害化。此處，於專利文獻1顯示外置型阱之基本構造之例。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2000-249058號公報

[發明所欲解決之問題]

然而，為進行先前之配管3B之加熱器控制及沉積阱7之冷卻控制，必須將配管加熱器控制用控制器19與冷媒導入控制用控制器17分別配設於配置有配管3B或沉積阱7之現場。 又，因無關於製程氣體之流入狀況而進行加熱器控制及冷卻控制，故為設想製程氣體之流入量始終接近最大化之控制。因此，有於製程氣體之流入量較少時或腔室1為休止狀態時等，亦不考慮負荷變動而始終進行過量運轉控制之虞。

本發明係鑑於此種先前之問題而完成者，且目的在於提供一種藉由於泵側進行用以抑制來自製程氣體之堆積物析出之配管之加熱器控制、及去除堆積物之沉積阱之冷卻控制，而謀求成本降低及節省空間，且藉由進行與製程氣體之狀況相應之加熱器控制及冷卻控制而有助於節能之真空泵及控制裝置。 [解決問題之技術手段]

因此，本發明(技術方案1)係一種真空泵，其具備將腔室內之氣體排出之真空泵本體、及控制該真空泵本體之控制裝置；且上述控制裝置構成為具備：溫度控制機構，其對將連接於上述真空泵本體之後段之配管加熱之加熱機構、及連接於上述配管，使上述腔室內排出之上述氣體產生堆積物，且除去該堆積物之阱裝置中至少任一者進行溫度控制。

於控制裝置外減配用以控制加熱配管之加熱機構或阱裝置之溫度控制機器，可相應地節省空間且不妨礙保養作業等，亦有助於成本降低。即便於溫度控制機構具備控制加熱機構或阱裝置之功能，控制裝置之大小亦可不變，且能量消耗亦幾乎不變。

又，本發明(技術方案2)之真空泵之特徵在於，上述溫度控制機構對上述阱裝置之上述溫度控制藉由調整冷媒對上述阱裝置之導入量或設定溫度而進行。

藉由調整冷媒向阱裝置之導入量或設定溫度，可將製程氣體冷卻並以阱裝置高效地捕獲生成物。

再者，本發明(技術方案3)之真空泵之特徵在於，上述溫度控制機構對上述加熱機構之上述溫度控制，對連接於上述阱裝置之上述配管之通往上述阱裝置之導入部進行。

對連接於阱裝置之配管之通往阱裝置之導入部進行對加熱機構之溫度控制。藉此，導入部可由加熱機構加熱，使生成物不堆積於阱裝置之前之導入部。因此，阱裝置之保養作業變得輕鬆。又，藉由使生成物不堆積於導入部而於阱裝置之內部確實地堆積，可提高阱效率。

再者，本發明(技術方案4)之真空泵之特徵在於，上述溫度控制根據上述真空泵本體之狀態而進行。

對加熱機構或阱裝置之溫度控制，基本僅於製程氣體流動時運轉即可。因此，以真空泵本體之狀態確認該製程氣體流動之情況。且，根據該確認後之狀態進行對加熱機構或阱裝置之溫度控制。 藉此，可設置溫度控制之休止時間，或進行與氣體流量較少之期間相應之控制，而可有助於節能。

再者，本發明(技術方案5)之真空泵之特徵在於，根據上述真空泵本體之狀態進行上述加熱機構及上述阱裝置之起動停止或輸出調整。

藉由根據真空泵本體之狀態進行加熱機構及阱裝置之起動停止或輸出調整，而可高效地進行節能。

再者，本發明(技術方案6)之真空泵構成為，於上述溫度控制機構，具備進行上述真空泵本體之基座部之溫度控制之基座部溫度控制功能。

對加熱機構之溫度控制功能、與對阱裝置之溫度控制功能可與基座部溫度控制功能一同整合至溫度控制機構之一處，因而容易進行保養管理。又，亦可節省空間地構成。

再者，本發明(技術方案7)係一種控制裝置，其控制將腔室內之氣體排出之真空泵本體；且上述控制裝置構成為，具備：溫度控制機構，其對將連接於上述真空泵本體之後段之配管加熱之加熱機構、及連接於上述配管，使上述腔室內排出之上述氣體產生堆積物，且除去該堆積物之阱裝置中至少任一者進行溫度控制。 [發明之效果]

如以上所說明，根據本發明，控制裝置構成為，具備：溫度控制機構，其對將連接於真空泵本體之後段之配管加熱之加熱機構、及連接於配管，使腔室內排出之氣體產生堆積物，且除去堆積物之阱裝置中至少任一者進行溫度控制；因而可於控制裝置外減配用以控制將配管加熱之加熱機構或阱裝置之溫度控制機器。因此，節省空間且不妨礙保養作業等，亦有助於成本降低。

以下，對本發明之實施形態進行說明。於圖1顯示本發明之實施形態中使用之渦輪分子泵之構成圖。於圖1中，相當於真空泵本體之渦輪分子泵100於圓筒狀之外筒127之上端形成有吸氣口101。且，於外筒127之內側，具備於周部放射狀且多段地形成用以對氣體進行吸引排出之渦輪葉片即複數個旋轉葉片102(102a、102b、102c…)之旋轉體103。於該旋轉體103之中心安裝有轉子軸113，且該轉子軸113例如藉由5軸控制之磁性軸承而被漂浮支持且位置控制於空中。旋轉體103一般而言，由鋁或鋁合金等金屬構成。

上側徑向電磁石104之4個電磁石成對配置於X軸與Y軸上。接近該上側徑向電磁石104，且與上側徑向電磁石104各者對應地具備4個上側徑向感測器107。 上側徑向感測器107例如使用具有傳導捲線之電感感測器或渦電流感測器等，基於根據轉子軸113之位置變化之該傳導捲線之電感之變化檢測轉子軸113之位置。該上側徑向感測器107構成為檢測轉子軸113即固定於其上之旋轉體103之徑向位移，並發送至控制裝置200。

於該控制裝置200中，例如，具有PID(Proportional Integral Derivative：比例積分微分)調節功能之補償電路基於藉由上側徑向感測器107檢測之位置信號，產生上側徑向電磁石104之激磁控制指令信號，並基於該激磁控制指令信號，激磁控制上側徑向電磁石104，藉此調整轉子軸113之上側之徑向位置。

且，該轉子軸113由高磁導率材料(鐵、不鏽鋼等)等形成，且由上側徑向電磁石104之磁力吸引。該調整係於X軸方向與Y軸方向上各自獨立進行。又，將下側徑向電磁石105及下側徑向感測器108配置為與上側徑向電磁石104及上側徑向感測器107同樣，並將轉子軸113之下側之徑向位置調整為與上側之徑向位置同樣。

再者，軸向電磁石106A、106B上下夾著轉子軸113之下部所具備之圓板狀之金屬碟111而配置。金屬碟111由鐵等高磁導率材料構成。為檢測轉子軸113之軸向位移而具備軸向感測器109，並構成為將其軸向位置信號發送至控制裝置200。

且，於控制裝置200中，例如，具有PID調節功能之補償電路基於藉由軸向感測器109檢測之軸向位置信號，產生軸向電磁石106A與軸向電磁石106B各者之激磁控制指令信號，且未圖示之放大器電路基於該等激磁控制指令信號，分別激磁控制軸向電磁石106A與軸向電磁石106B，藉此，軸向電磁石106A藉由磁力將金屬碟111吸引至上方，軸向電磁石106B將金屬碟111吸引至下方，而調整轉子軸113之軸向位置。

如此，控制裝置200適當調節該軸向電磁石106A、106B施加至金屬碟111之磁力，並使轉子軸113磁性漂浮於軸向上，且非接觸地保持於空間中。

另一方面，馬達121具備以包圍轉子軸113之方式周狀配置之複數個磁極。各磁極以經由作用於與轉子軸113之間之電磁力旋轉驅動轉子軸113之方式，由控制裝置200控制。又，於馬達121組入有未圖示之例如霍爾元件、解析器、編碼器等之旋轉速度感測器，並藉由該旋轉速度感測器之檢測信號檢測轉子軸113之旋轉速度。

再者，例如，於下側徑向感測器108附近安裝有未圖示之相位感測器，檢測轉子軸113之旋轉之相位。於控制裝置200中，一起使用該相位感測器與旋轉速度感測器之檢測信號，檢測磁極之位置。

與旋轉葉片102(102a、102b、102c…)隔開微小之空隙而配設有複數片固定葉片123(123a、123b、123c…)。由於旋轉葉片102(102a、102b、102c…)分別藉由碰撞而將排出氣體之分子移送至下方，故自垂直於轉子軸113之軸線之平面傾斜特定角度而形成。固定葉片123(123a、123b、123c…)例如由鋁、鐵、不鏽鋼、銅等金屬、或包含該等金屬作為成分之合金等之金屬構成。

又，固定葉片123亦同樣自垂直於轉子軸113之軸線之平面傾斜特定角度而形成，且朝向外筒127之內側與旋轉葉片102之段彼此錯開而配設。且，固定葉片123之外周端以嵌插於複數層疊之固定葉片間隔件125(125a、125b、125c…)之間之狀態受支持。

固定葉片間隔件125為環狀之構件，例如由鋁、鐵、不鏽鋼、銅等金屬、或包含該等金屬作為成分之合金等之金屬構成。於固定葉片間隔件125之外周，隔開微小之空隙固定有外筒127。於外筒127之底部配設有基座部129。於基座部129形成有排氣口133，且與外部連通。於基座部129形成排氣口133，且與外部連通。將自腔室(真空腔室)側進入吸氣口101並被移送至基座部129之排出氣體輸送向排氣口133。

再者，根據渦輪分子泵100之用途，於固定葉片間隔件125之下部與基座部129之間，配設附螺紋間隔件131。附螺紋間隔件131為由鋁、銅、不鏽鋼、鐵、或包含該等金屬作為成分之合金等之金屬構成之圓筒狀之構件，且於其內周面刻設有複數條螺旋狀之螺紋槽131a。螺紋槽131a之螺旋之方向係於排出氣體之分子於旋轉體103之旋轉方向移動時，將該分子移送向排氣口133側之方向。於接續於旋轉體103之旋轉葉片102(102a、102b、102c…)之最下部垂下有圓筒部102d。該圓筒部102d之外周面為圓筒狀，且朝附螺紋間隔件131之內周面突出，與該附螺紋間隔件131之內周面隔開特定之間隙而接近。由旋轉葉片102及固定葉片123移送至螺紋槽131a之排出氣體由螺紋槽131a引導且被輸送向基座部129。

基座部129為構成渦輪分子泵100之基底部之圓盤狀之構件，一般由鐵、鋁、不鏽鋼等金屬構成。由於基座部129物理性保持渦輪分子泵100，且兼備熱傳導路之功能，故期望使用具有鐵、鋁、或銅等之剛性，且熱傳導率亦較高之金屬。

於該構成中，於旋轉葉片102與轉子軸113一起藉由馬達121旋轉驅動時，藉由旋轉葉片102與固定葉片123之作用，而通過吸氣口101自腔室抽吸排出氣體。旋轉葉片102之旋轉速度通常為20000 rpm～90000 rpm，於旋轉葉片102之前端之周速度達到200 m/s～400 m/s。將自吸氣口101抽吸之排出氣體通過旋轉葉片102與固定葉片123之間，向基座部129移送。此時，藉由於排出氣體接觸旋轉葉片102時產生之摩擦熱、或於馬達121中產生之熱之傳導等，旋轉葉片102之溫度上升，但該熱藉由輻射或排出氣體之氣體分子等之傳導而被傳遞至固定葉片123側。

固定葉片間隔件125於外周部互相接合，且固定葉片123將自旋轉葉片102接收之熱或於排氣氣體接觸固定葉片123時產生之摩擦熱等向外部傳遞。

然而，於半導體之製造步驟中，於導入至腔室之製程氣體中，有具有當其壓力較特定值高、或其溫度較特定值低時，成為固體之性質者。於渦輪分子泵100內部，排出氣體之壓力於吸氣口101中最低而於排氣口133中最高。於將製程氣體自吸氣口101向排氣口133移送之中途，當其壓力較特定值高，或其溫度較特定值低時，製程氣體成為固體狀，附著並堆積於渦輪分子泵100內部。

例如，於對Al蝕刻裝置使用SiCl ₄作為製程氣體之情形時，於低真空(760[torr]～10-2[torr])且低溫(約20[℃])時，析出固體生成物(例如，AlCl ₃)，附著並堆積於渦輪分子泵100內部。 藉此，若於渦輪分子泵100內部堆積製程氣體之析出物，則該堆積物成為使泵流道變窄，並使渦輪分子泵100之性能降低之原因。且，上述之生成物處於在排氣口133附近或附螺紋間隔件131附近之壓力較高之部分中易凝固、附著之狀況。

因此，為解決該問題，而於基座部129等之外周卷繞未圖示之加熱器或環狀之水冷管149，且例如於基座部129埋入未圖示之溫度感測器(例如，熱敏電阻)，並以基於該溫度感測器之信號將基座部129之溫度保持於特定之較高溫度(設定溫度)之方式藉由TMS控制(Temperature Management System：溫度管理系統)進行加熱器之加熱或利用水冷管149之冷卻。

接著，於圖2顯示本發明之實施形態之整體方塊構成圖。另，對與圖4相同要件者標註相同符號並省略說明。 於圖2中，省略圖4中所配設之冷媒導入控制用控制器17及配管加熱器控制用控制器19。又，於圖3顯示沉積阱7周圍之放大圖。於配管3B之右端安裝有凸緣23a，且該凸緣23a相對於安裝在與沉積阱7之導入部相當之導入管3H之左端之凸緣23b固定。

於導入管3H之外周、或內周配設未圖示之溫度感測器，並將由該溫度感測器檢測之溫度資訊31輸入至控制裝置200。期望加熱器4B以覆蓋導入管3H之外周部分之方式配設。 且，於控制裝置200中，以基於輸入之溫度資訊31而使導入管3H之溫度成為特定之溫度值之方式，控制加熱器4B之開啟關閉。但，溫度感測器亦可配設於配管3B之外周、或內周。該情形時，由於溫度檢測之位置較溫度控制對象部分即導入管3H部分更偏離，故溫度控制之精度些許降低，但仍可控制。

另一方面，沉積阱7以冷媒將其內部空間內冷卻。且，藉由使製程氣體通過阱部21並通過該空間內被冷卻，而使製程氣體中所包含之氣體中以蒸氣壓曲線成為固體區域之氣體作為析出物產生堆積物並附著於裝置內。將自沉積阱7之內部檢測之溫度資訊33亦輸入至控制裝置200。於控制裝置200中，以基於輸入之溫度資訊33而使沉積阱7之內部之溫度成為特定之冷卻溫度值之方式，控制閥13之開啟關閉，藉此，調整自冷媒裝置15流出之冷媒之流量。

接著，對本發明之實施形態之作用進行說明。 先前，如圖4所示，無關於渦輪分子泵100之控制，而藉由個別之控制器即配管加熱器控制用控制器19進行加熱器4B之溫度控制，或藉由冷媒導入控制用控制器17實施對沉積阱7之溫度控制。 因此，於配管之溫度控制中需要一個溫度控制機器，於沉積阱之控制中需要另一個溫度控制機器。於對每個區塊進行分隔而進行溫度控制之情形時，亦有需要根據其區塊數之複數台溫度控制機器之情形。

於本發明中，如圖2、圖3所示，減配該等溫度控制機器，並將於導入管3H之外周、或內周檢測之溫度資訊31、及於沉積阱7之內部檢測之溫度資訊33對渦輪分子泵100之控制裝置200輸入。渦輪分子泵100與控制裝置200可為一體構造，亦可為分別獨立之單體之裝置。 於控制裝置200內之未圖示之溫度控制部中，具備配管加熱器控制用功能與冷媒導入控制用功能。該溫度控制部相當於溫度控制機構。但，於該溫度控制部內亦可具備TMS控制。

於配管加熱器控制用功能中，以基於輸入之溫度資訊31使導入管3H之溫度成為特定溫度值之方式，控制加熱器4B之開啟關閉。可限定對加熱器4B等特定之區間進行開啟關閉控制，亦可對全部加熱器4A、4B、4C、4D、4E一併進行開啟關閉控制。又，對於閥5、9亦配設未圖示之加熱器，且可對該加熱器同樣進行開啟關閉控制。

藉此，可使導入管3H由加熱器4B加熱，且不於沉積阱7之正前方之導入管部分堆積生成物。假設於導入管3H部分中溫度較低之情形，於該部位堆積生成物。該情形時，導入管3H之管路內堵塞，沉積阱7之保養作業變得麻煩。但，如本實施形態所示，藉由設為於導入管3H部分不堆積生成物，可輕鬆地進行沉積阱7之保養作業。又，不使生成物於導入管部分堆積，而於阱裝置7之內部確實地堆積，藉此可提高阱效率。

另，關於對配管3A、3C、3D、3E進行加熱器4A、4C、4D、4E之控制之情形亦同樣，期望將自各個配管3A、3C、3D、3E之外周、或內周檢測之溫度資訊輸入至控制裝置200並對各者進行溫度調整，而自該控制裝置200對各加熱器4A、4C、4D、4E輸出開啟關閉控制信號。 另一方面，於冷媒導入控制用功能中，以基於輸入之溫度資訊33使沉積阱7之內部之溫度成為特定之冷卻溫度值之方式，控制閥13之開啟關閉，藉此，調整自冷媒裝置15流出之冷媒之流量。

該溫度控制部雖可以類比信號直接進行控制，但亦可設為各個溫度資訊於類比/數位轉換後，例如藉由數位/信號/處理器(DSP：Digital Signal Processor)而進行運算。即便為以類比信號直接進行控制之情形，亦可節省空間地構成。但，於藉由數位進行運算之情形時，可直接使用先前以來進行TMS控制之DSP裝置，並組入配管加熱器控制用功能與冷媒導入控制用功能之邏輯。又，溫度資訊31、33之輸入端子、與溫度控制用之輸出端子可使用先前之TMS控制之空閒端子等。配管加熱器控制用功能、冷媒導入控制用功能、及TMS控制之纜線端子可總稱為溫度控制系統。因此，控制裝置200之大小不變，且能量消耗亦幾乎不變。於現場減配溫度控制機器，可節省空間且不妨礙保養作業等，此外，有助於成本降低。 再者，由於溫度控制之功能或端子整合於一處，故容易進行保養管理。溫度控制用之操作面板亦可於相同部位共通化。

接著，對一邊考慮渦輪分子泵之運轉狀況一邊進行配管加熱器控制與冷媒導入控制之方法進行說明。 認為沉積阱7基本僅於製程氣體到達時運轉即可。於製程氣體未至之狀態下持續運轉沉積阱7之情況浪費能量。因此，期望判斷製程氣體是否於配管中流動，僅於製程氣體流動時運轉沉積阱7。關於製程氣體是否於配管中流動如以下所示進行判斷。 即，若渦輪分子泵100為進行額定運轉之狀態，則可判斷為製程氣體始終流動之狀況。於該狀態時，預先設為使沉積阱7起動，隨時去除堆積物或作為堆積物析出之氣體成分。

另一方面，渦輪分子泵100於馬達121之起動、停止、或使用上側徑向電磁石104及上側徑向感測器107、下側徑向電磁石105及下側徑向感測器108、軸向電磁石106A、106B及軸向感測器109且旋轉體103處於靜止漂浮中時，使沉積阱7之輸出降低、或停止。該停止可設為使驅動冷媒裝置15之未圖示之壓縮機停止。

又，可根據於馬達121流動之馬達電流之大小調整沉積阱7之輸出。該情形時，可以馬達電流之大小推測於配管中流動之製程氣體之量。此時，溫度控制部例如基於檢測之馬達電流之大小，自預先由實驗等規定之2維表格讀取於配管中流動之製程氣體之量。且，可設為根據該推測之製程氣體之量，控制閥13之開啟關閉而決定自冷媒裝置15流出之冷媒氣體之量。 即，藉由於腔室1停止或製程氣體維持幾乎不流動之狀態時，以閥13減少自冷媒裝置15流向沉積阱7之冷媒氣體之量，或使沉積阱7停止，藉此有助於節能。

同樣，對於導入管3H等之溫度，若渦輪分子泵100為進行額定運轉之狀態，則可開啟加熱器4B，且設為高溫度，並於馬達121之起動、停止、與旋轉體103之靜止漂浮中時，降低溫度，或關閉加熱器4B等。又，亦可設為根據於馬達121流動之馬達電流之大小，控制流動於加熱器4B之電流之大小。於該情形時亦有助於節能。 或，可將冷媒裝置15設為冷卻器構造，基於溫度資訊33控制於配管3G流動之冷媒氣體或冷卻水等之溫度，而非冷媒氣體之流量。但，亦可設為控制冷媒氣體之流量與溫度之兩者。 又，沉積阱7之構成並非限定於上述者。例如，可設為於阱部21之附近，具備捕捉由該阱部21冷卻而析出之生成物之濾波器。或，該濾波器亦可與阱部21分開構成。再者，亦可不具備冷媒裝置15，而代替沉積阱7由濾波器構成。即便於沉積阱7不具備冷媒裝置15等之溫度控制機器之情形時，亦可藉由進行與配管3A、3B、3C、3D、3E或閥5、9及沉積阱7相關聯之輸出機器之控制而發揮發明之效果。 另，本發明係只要不脫離本發明之精神則可進行各種變更，且當然本發明亦涉及該變更者。

1:腔室 3A,3B,3C,3D,3E,3F,3G:配管 3H:導入管 4A,4B,4C,4D,4E:加熱器 5,9,13:閥 7:沉積阱 11:後泵 15:冷媒裝置 17:冷媒導入控制用控制器 19:配管加熱器控制用控制器 21:阱部 23a,23b:凸緣 31,33:溫度資訊 100:渦輪分子泵 101:吸氣口 102a,102b,102c:旋轉葉片 102d:圓筒部 103:旋轉體 104:上側徑向電磁石 105:下側徑向電磁石 106A,106B:軸向電磁石 107:上側徑向感測器 108:下側徑向感測器 109:軸向感測器 111:金屬碟 113:轉子軸 121:馬達 123a,123b,123c:固定葉片 125a,125b,125c:固定葉片間隔件 127:外筒 129:基座部 131:附螺紋間隔件 131a:螺紋槽 133:排氣口 149:水冷管 200:控制裝置

圖1係本發明之實施形態中使用之渦輪分子泵之構成圖。 圖2係本發明之實施形態之整體方塊構成圖。 圖3係沉積阱周圍之放大圖。 圖4係先前之整體方塊構成圖。

1:腔室

3A,3B,3C,3D,3E,3F,3G:配管

4A,4B,4C,4D,4E:加熱器

5,9,13:閥

7:沉積阱

11:後泵

15:冷媒裝置

31,33:溫度資訊

100:渦輪分子泵

200:控制裝置

Claims (10)

1. 一種真空泵，其特徵在於，其係具備將腔室內之氣體排出之真空泵本體、及控制該真空泵本體之控制裝置者；且 於上述控制裝置，具備：溫度控制機構，其對將連接於上述真空泵本體之後段之配管加熱之加熱機構、及連接於上述配管，使上述腔室內排出之上述氣體產生堆積物，且除去該堆積物之阱裝置中至少任一者進行溫度控制。
2. 如請求項1之真空泵，其中上述溫度控制機構對上述阱裝置之上述溫度控制藉由調整冷媒對上述阱裝置之導入量或設定溫度而進行。
3. 如請求項1之真空泵，其中上述溫度控制機構對上述加熱機構之上述溫度控制，係對連接於上述阱裝置之上述配管之通往上述阱裝置之導入部進行。
4. 如請求項1、2或3之真空泵，其中上述溫度控制係根據上述真空泵本體之狀態而進行。
5. 如請求項1至3中任一項之真空泵，其中根據上述真空泵本體之狀態進行上述加熱機構及上述阱裝置之起動停止或輸出調整。
6. 如請求項4之真空泵，其中根據上述真空泵本體之狀態進行上述加熱機構及上述阱裝置之起動停止或輸出調整。
7. 如請求項1至3中任一項之真空泵，其中於上述溫度控制機構中，具備進行上述真空泵本體之基座部之溫度控制之基座部溫度控制功能。
8. 如請求項4之真空泵，其中於上述溫度控制機構中，具備進行上述真空泵本體之基座部之溫度控制之基座部溫度控制功能。
9. 如請求項5之真空泵，其中於上述溫度控制機構中，具備進行上述真空泵本體之基座部之溫度控制之基座部溫度控制功能。
10. 一種控制裝置，其特徵在於，其係控制將腔室內之氣體排出之真空泵本體者；且 於上述控制裝置中，具備：溫度控制機構，其對將連接於上述真空泵本體之後段之配管加熱之加熱機構、及連接於上述配管，使上述腔室內排出之上述氣體產生堆積物，且除去該堆積物之阱裝置中至少任一者進行溫度控制。

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