CN116583673A - 真空泵及控制装置 - Google Patents

Abstract

提供通过在泵侧进行为了抑制堆积物从工艺气体的析出所进行的配管的加热器控制以及进行堆积物的除去的沉积物捕集器的冷却控制而实现成本降低及节省空间、并且通过进行与工艺气体的状况对应的加热器控制及冷却控制而带来节能的真空泵及控制装置。在导入管(3H)的外周或内周配设有温度传感器，由该温度传感器检测到的温度信息(31)被输入到控制装置(200)。从沉积物捕集器(7)的内部检测到的温度信息(33)也被输入到控制装置(200)。在控制装置(200)中，基于被输入的温度信息(31)对加热器(4B)进行开启关闭控制，以使导入管(3H)的温度成为规定的温度值。在控制装置(200)中，基于被输入的温度信息(33)对阀(13)进行开闭控制，以使沉积物捕集器(7)的内部的温度成为规定的冷却温度值。

Description

真空泵及控制装置

技术领域

本发明涉及真空泵及控制装置，特别涉及通过在泵侧进行为了抑制堆积物从工艺气体(process gas)的析出所进行的配管的加热器控制以及进行堆积物的除去的沉积物捕集器(deposit trap)的冷却控制而实现成本降低及节省空间、并且通过进行与工艺气体的状况对应的加热器控制及冷却控制而带来节能的真空泵及控制装置。

背景技术

随着近年来的电子学的发展，存储器、集成电路这样的半导体的需求急剧地增大。

这些半导体对纯度极高的半导体基板掺杂杂质而赋予电性质或借助蚀刻在半导体基板上形成微细的电路等而被制造。

而且，这些作业为了避免由空气中的灰尘等带来的影响而需要在高真空状态的腔室内进行。在该腔室的排气中一般使用真空泵，但特别是从残留气体较少、维护容易等方面而较多使用作为真空泵中的一种的涡轮分子泵。

此外，在半导体的制造工序中，有数量较多的使各种各样的工艺气体作用于半导体的基板的工序，涡轮分子泵不仅用于使腔室内成为真空，还用于将这些工艺气体从腔室内排出。

可是，有工艺气体为了提高反应性而在高温的状态下被导入到腔室的情况。而且，有这些工艺气体如果在排出时被冷却而成为某个温度则成为固体、使生成物析出于排气系统的情况。而且，有该种工艺气体如果在涡轮分子泵、通向除害装置的配管内成为低温而成为固体状、附着堆积在涡轮分子泵内部、配管的情况。

如果工艺气体的析出物堆积在涡轮分子泵内部、配管，则该堆积物使泵流路变窄，成为使涡轮分子泵的性能下降或使配管闭塞的原因。

为了解决该问题，关于涡轮分子泵如后述那样对于基座部周围进行加热器的加热、由水冷管进行的冷却的控制。

另一方面，关于从涡轮分子泵的下游到除害装置的配管，例如如图4所示那样被进行温度管理，设法使得堆积物不附着。

在图4中，在腔室1连接着涡轮分子泵100，将腔室1的内部抽真空。而且，该涡轮分子泵100被控制装置200控制。在涡轮分子泵100的排气口连接着配管3A的一端。而且，在配管3A的另一端连接着阀5的一端，在该阀5的另一端经由配管3B而配设有沉积物捕集器7。

此外，在沉积物捕集器7的下游，经由配管3C、阀9、配管3D连接着后泵(back pump)11。进而，在后泵11的下游经由配管3E而连接着未图示的除害装置。在配管3A、3B、3C、3D、3E的外周分别卷装着加热器4A、4B、4C、4D、4E。

在沉积物捕集器7内经由配管3F、阀13、配管3G而连接着制冷剂装置15。在沉积物捕集器7的内部配设有未图示的温度传感器，由该温度传感器检测到的温度信息被输入到制冷剂导入控制用控制器17。而且，在制冷剂导入控制用控制器17中，通过基于被输入的温度信息对阀13进行开闭控制，来调整从制冷剂装置15向沉积物捕集器7流动的制冷剂的流量，以使沉积物捕集器7的内部的温度成为规定的冷却温度值。

此外，在配管3B配设有未图示的温度传感器，由该温度传感器检测到的温度信息被输入到配管加热器控制用控制器19。而且，在配管加热器控制用控制器19中，基于被输入的温度信息对加热器4B进行开启关闭控制，以使配管3B的温度成为规定的温度值。这样，既有仅限定于加热器4B等特定的区间进行开启关闭控制的情况，也有对于加热器4A、4B、4C、4D、4E的全部一并进行开启关闭控制的情况。

在这样的结构中，从腔室1用涡轮分子泵100及后泵11抽吸工艺气体。后泵11被用于辅助涡轮分子泵100的抽吸。

借助配管加热器控制用控制器19和加热器4B的作用，使配管内部成为规定的高温度值，由此工艺气体被维持气化的状态，所以堆积物变得难以堆积。此外，借助制冷剂导入控制用控制器17和阀1 3的作用，将沉积物捕集器7的内部冷却为规定的低温度值，由此堆积物从工艺气体析出而在沉积物捕集器7的内部被捕获。在沉积物捕集器7的内部作为堆积物堆积(析出)的气体成分被捕获(除去)后的工艺气体被向除害装置输送并被无害化。这里，在专利文献1中表示分置型捕集器的基本构造的例子。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-249058号公报

发明内容

发明要解决的课题

可是，为了进行以往的配管3B的加热器控制及沉积物捕集器7的冷却控制，需要将配管加热器控制用控制器19和制冷剂导入控制用控制器17分别配设在放置有配管3B、沉积物捕集器7的现场。

此外，由于与工艺气体的流入的状况无关地进行加热器控制及冷却控制，所以成为设想了总是大致最大附近的工艺气体的流入量的控制。因而，有可能在工艺气体的流入量较少时、腔室1为休止状态时等也不考虑负荷变动而总是进行过剩的运转控制。

本发明是鉴于这样的以往的课题而做出的，目的是提供通过在泵侧进行为了抑制堆积物从工艺气体的析出所进行的配管的加热器控制以及进行堆积物的除去的沉积物捕集器的冷却控制而实现成本降低及节省空间、并且通过进行与工艺气体的状况对应的加热器控制及冷却控制而带来节能的真空泵及控制装置。

用来解决课题的手段

因此，本发明(技术方案1)是一种真空泵，具备：真空泵主体，将腔室内的气体排出；以及控制装置，对该真空泵主体进行控制；在前述控制装置，具备对加热机构及捕集装置的至少某一方进行温度控制的温度控制机构而构成，所述加热机构将与前述真空泵主体的后段连接的配管加热，所述捕集装置与前述配管连接，由从前述腔室内排出的前述气体生成堆积物，并将该堆积物去除。

相应于在控制装置外将用来对加热配管的加热机构、捕集装置进行控制的温度控制设备去掉，不成为维护作业等的妨碍而为节省空间的，此外还带来成本降低。即使在温度控制机构具备对加热机构、捕集装置进行控制的功能，控制装置的大小也不变，能够使得能量消耗也几乎不变。

此外，作为本发明(技术方案2)的真空泵的特征在于，通过调整制冷剂向前述捕集装置的导入量或设定温度，进行由前述温度控制机构对于前述捕集装置的前述温度控制。

通过调整制冷剂向捕集装置的导入量或设定温度，能够将工艺气体冷却而用捕集装置将生成物效率良好地捕获。

进而，作为本发明(技术方案3)的真空泵的特征在于，对与前述捕集装置连接的前述配管向前述捕集装置的导入部，进行由前述温度控制机构对于前述加热机构的前述温度控制。

对与捕集装置连接的配管向捕集装置的导入部，进行对于加热机构的温度控制。由此，导入部被加热机构加热，能够使得在即将到捕集装置之前的导入部处生成物不堆积。因此，捕集装置的维护作业变得轻松。此外，通过在导入部不使生成物堆积而使其在捕集装置的内部可靠地堆积，能够提高捕集效率。

进而，作为本发明(技术方案4)的真空泵的特征在于，根据前述真空泵主体的状态，进行前述温度控制。

对于加热机构、捕集装置的温度控制基本上只要仅在工艺气体流动时运转即可。所以，以真空泵主体的状态确认该工艺气体流动的情况。而且，根据该确认的状态，进行对于加热机构、捕集装置的温度的控制。

由此，能够设置温度控制的休止期间，或进行与气体流量较少的期间对应的控制，能够带来节能。

进而，作为本发明(技术方案5)的真空泵的特征在于，根据前述真空泵主体的状态，进行前述加热机构及前述捕集装置的起动停止或输出调整。

通过根据真空泵主体的状态进行加热机构及捕集装置的起动停止或输出调整，能够效率良好地进行节能。

进而，作为本发明(技术方案6)的真空泵，在前述温度控制机构，具备进行前述真空泵主体的基座部的温度控制的基座部温度控制功能而构成。

对于加热机构的温度控制功能、对于捕集装置的温度控制功能由于能够与基座部温度控制功能一起合并在温度控制机构的一处，所以容易进行维护管理。此外，能够节省空间地构成。

进而，本发明(技术方案7)是一种控制装置，对将腔室内的气体排出的真空泵主体进行控制，在前述控制装置，具备对加热机构及捕集装置的至少某一方进行温度控制的温度控制机构而构成，所述加热机构将与前述真空泵主体的后段连接的配管加热，所述捕集装置与前述配管连接，由从前述腔室内排出的前述气体生成堆积物，并将该堆积物去除。

发明效果

如以上说明，根据本发明，由于在控制装置具备对加热机构及捕集装置的至少某一方进行温度控制的温度控制机构而构成，所述加热机构将与真空泵主体的后段连接的配管加热，所述捕集装置与配管连接，由从腔室内排出的气体生成堆积物，并将堆积物去除；所以，能够在控制装置外将用来对加热配管的加热机构、捕集装置进行控制的温度控制设备去掉。因此，不成为维护作业等的障碍而为节省空间的，此外还带来成本降低。

附图说明

图1是在本发明的实施方式中使用的涡轮分子泵的结构图。

图2是本发明的实施方式的整体块结构图。

图3是沉积物捕集器周围的放大图。

图4是以往的整体块结构图。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式进行说明。在图1中表示在本发明的实施方式中使用的涡轮分子泵的结构图。在图1中，相当于真空泵主体的涡轮分子泵100在圆筒状的外筒127的上端形成有吸气口101。而且，在外筒127的内方具备旋转体103，所述旋转体103在周部以放射状且多层地形成有用来将气体抽吸排出的作为涡轮叶片的多个旋转叶片102(102a、102b、102c……)。在该旋转体103的中心，安装有转子轴113，该转子轴113例如被5轴控制的磁轴承悬浮支承在空中并被进行位置控制。旋转体103一般由铝或铝合金等金属构成。

上侧径向电磁铁1 04在X轴和Y轴成对地配置有4个电磁铁。与该上侧径向电磁铁104接近且与上侧径向电磁铁1 04分别对应而具备4个上侧径向传感器107。

上侧径向传感器107使用例如具有传导绕线的电感传感器、涡电流传感器等，基于与转子轴113的位置对应而变化的该传导绕线的电感的变化来检测转子轴113的位置。该上侧径向传感器107构成为，检测转子轴113即固定于其上的旋转体103的径向变位，发送到控制装置200。

在该控制装置200中，例如具有PID调节功能的补偿电路基于由上侧径向传感器107检测到的位置信号，生成上侧径向电磁铁104的励磁控制指令信号，基于该励磁控制指令信号对上侧径向电磁铁104进行励磁控制，由此，调整转子轴113的上侧的径向位置。

而且，该转子轴113由高导磁率材料(铁、不锈钢等)等形成，被上侧径向电磁铁104的磁力吸引。将这样的调整在X轴方向和Y轴方向上分别独立地进行。此外，将下侧径向电磁铁105及下侧径向传感器108与上侧径向电磁铁104及上侧径向传感器107同样地配置，将转子轴113的下侧的径向位置与上侧的径向位置同样地调整。

进而，上下夹着装备于转子轴113的下部的圆板状的金属盘111而配置有轴向电磁铁106A、106B。金属盘111由铁等高导磁率材料构成。为了检测转子轴113的轴向变位而具备轴向传感器109，构成为，将其轴向位置信号发送到控制装置200。

而且，在控制装置200中，例如具有PID调节功能的补偿电路基于由轴向传感器109检测到的轴向位置信号，生成轴向电磁铁106A和轴向电磁铁106B各自的励磁控制指令信号，未图示的放大电路基于这些励磁控制指令信号对轴向电磁铁106A和轴向电磁铁106B分别进行励磁控制，由此，轴向电磁铁106A借助磁力将金属盘111向上方吸引，轴向电磁铁106B将金属盘111向下方吸引，调整转子轴113的轴向位置。

这样，控制装置200适当地调节该轴向电磁铁106A、106B施加给金属盘111的磁力，使转子轴113在轴向上磁悬浮，在空间上非接触地保持。

另一方面，马达121具备以将转子轴113包围的方式配置为周状的多个磁极。各磁极被控制装置200控制，以经由作用在与转子轴113之间的电磁力将转子轴113旋转驱动。此外，在马达121中装入有未图示的例如霍尔元件、分解器(resolver)、编码器等旋转速度传感器，根据该旋转速度传感器的检测信号来检测转子轴113的旋转速度。

进而，例如在下侧径向传感器108附近，安装有未图示的相位传感器，检测转子轴113的旋转的相位。在控制装置200中，一起使用该相位传感器和旋转速度传感器的检测信号来检测磁极的位置。

与旋转叶片102(102a、102b、102c……)隔开稍稍的空隙而配设有多片固定叶片123(123a、123b、123c……)。旋转叶片102(102a、102b、102c……)为了分别借助碰撞将排气气体的分子向下方移送，从与转子轴113的轴线垂直的平面倾斜规定的角度而形成。固定叶片123(123a、123b、123c……)例如由铝、铁、不锈钢、铜等金属或包含这些金属作为成分的合金等金属构成。

此外，固定叶片123也同样从与转子轴113的轴线垂直的平面以规定的角度倾斜而形成，且朝向外筒127的内方与旋转叶片102的层交错地配设。而且，固定叶片123的外周端以嵌插在多个层积的固定叶片间隔件125(125a、125b、125c……)之间的状态被支承。

固定叶片间隔件125是环状的部件，例如由铝、铁、不锈钢、铜等金属或包含这些金属作为成分的合金等金属构成。在固定叶片间隔件125的外周，隔开稍稍的空隙固定有外筒127。在外筒127的底部配设有基座部129。在基座部129形成有排气口133，与外部连通。从腔室(真空腔室)侧进入到吸气口101并被移送到基座部129的排气气体被向排气口133输送。

进而，根据涡轮分子泵100的用途，在固定叶片间隔件125的下部与基座部129之间配设有带螺纹间隔件131。带螺纹间隔件131是由铝、铜、不锈钢、铁或包含这些金属作为成分的合金等金属构成的圆筒状的部件，在其内周面刻设有多条螺旋状的螺纹槽131a。螺纹槽131a的螺旋的方向是排气气体的分子在旋转体103的旋转方向上移动时该分子被向排气口133侧移送的方向。在旋转体103的接着旋转叶片102(102a、102b、102c……)的最下部，垂下有圆筒部102d。该圆筒部102d的外周面是圆筒状，且朝向带螺纹间隔件131的内周面伸出，与该带螺纹间隔件131的内周面隔开规定的间隙而接近。被旋转叶片102及固定叶片123移送到螺纹槽131a的排气气体一边被螺纹槽131a引导一边被向基座部129输送。

基座部129是构成涡轮分子泵100的基底部的圆盘状的部件，一般由铁、铝、不锈钢等金属构成。基座部129由于将涡轮分子泵100物理性地保持并且还兼具备热的传导路的功能，所以期望的是使用铁、铝、铜等有刚性且热传导率也较高的金属。

在这样的结构中，如果将旋转叶片102与转子轴113一起用马达121旋转驱动，则借助旋转叶片102和固定叶片123的作用，经由吸气口101将排气气体从腔室吸入。旋转叶片102的旋转速度通常为20000rpm～90000rpm，旋转叶片102的前端处的圆周速度达到200m/s～400m/s。被从吸气口101吸入的排气气体经过旋转叶片102与固定叶片123之间被向基座部129移送。此时，因排气气体与旋转叶片102接触时产生的摩擦热、由马达121产生的热的传导等，旋转叶片102的温度上升，但该热因辐射或由排气气体的气体分子等进行的传导而被传递到固定叶片123侧。

固定叶片间隔件125在外周部相互接合，固定叶片123将从旋转叶片102接受到的热、在排气气体与固定叶片123接触时产生的摩擦热等向外部传递。

可是，在半导体的制造工序中，在导入到腔室的工艺气体中，有具有如果其压力变得比规定值高或者如果其温度变得比规定值低则成为固体的性质的工艺气体。在涡轮分子泵100内部，排气气体的压力在吸气口101处最低、在排气口133处最高。在工艺气体被从吸气口101向排气口133移送的途中，如果其压力变得比规定值高，或其温度变得比规定值低，则工艺气体成为固体状，附着堆积在涡轮分子泵100内部。

例如，在Al蚀刻装置中作为工艺气体而使用SiCl₄的情况下，在低真空(760[torr]～10-2[torr])且低温(约20[℃])时，固体生成物(例如AlCl₃)析出，附着堆积在涡轮分子泵100内部。

由此，如果工艺气体的析出物堆积在涡轮分子泵100内部，则该堆积物使泵流路变窄，成为使涡轮分子泵100的性能下降的原因。而且，前述的生成物处于在排气口133附近、带螺纹间隔件131附近的压力较高的部分容易凝固、附着的状况。

因此，为了解决该问题，使未图示的加热器、环状的水冷管149卷装在基座部129等的外周，且例如在基座部129埋入有未图示的温度传感器(例如热敏电阻)，基于该温度传感器的信号，借助TMS控制(Temperature Management System；温度管理系统)进行加热器的加热、由水冷管149进行的冷却，以将基座部129的温度保持为一定的较高的温度(设定温度)。

接着，在图2中表示本发明的实施方式的整体块结构图。另外，对于与图4相同的要素赋予相同的附图标记而省略说明。

在图2中，省略了在图4中配设的制冷剂导入控制用控制器17及配管加热器控制用控制器19。此外，在图3中表示沉积物捕集器7周围的放大图。在配管3B的右端安装着凸缘23a，将该凸缘23a相对于安装在相当于沉积物捕集器7的导入部的导入管3H的左端的凸缘23b固定。

在导入管3H的外周或内周配设有未图示的温度传感器，由该温度传感器检测到的温度信息31被输入到控制装置200。加热器4B期望的是以将导入管3H的外周部分覆盖的方式配设。

而且，在控制装置200中，基于被输入的温度信息31对加热器4B进行开启关闭控制，以使导入管3H的温度成为规定的温度值。但是，也可以将温度传感器配设在配管3B的外周或内周。在此情况下，由于温度检测的位置偏离作为温度控制对象部分的导入管3H部分而温度控制的精度稍微下降，但能够进行控制。

另一方面，沉积物捕集器7将其内部空间内用制冷剂冷却。而且，工艺气体经过捕集部21而经过该空间内被冷却，由此工艺气体中所含的气体中的在蒸气压曲线中成为固体区域的气体作为析出物生成堆积物而附着在装置内。从该沉积物捕集器7的内部检测到的温度信息33也被输入到控制装置200。在控制装置200中，通过基于被输入的温度信息33对阀13进行开闭控制，来调整从制冷剂装置15流动的制冷剂的流量，以使沉积物捕集器7的内部的温度成为规定的冷却温度值。

接着，对本发明的实施方式的作用进行说明。

以往，如图4所示，与涡轮分子泵100的控制无关地，由作为单独的控制器的配管加热器控制用控制器19进行加热器4B的温度控制，或由制冷剂导入控制用控制器17实施对于沉积物捕集器7的温度控制。

因而，在配管的温度控制中需要一个温度控制设备，在沉积物捕集器的控制中需要另一个温度控制设备。在按每个块划分而进行温度控制的情况下，也有需要进行与其块数对应的多台温度控制设备的情况。

在本发明中，如图2、图3所示，将这些温度控制设备去掉，将在导入管3H的外周或内周检测到的温度信息31以及在沉积物捕集器7的内部检测到的温度信息33对涡轮分子泵100的控制装置200输入。涡轮分子泵100和控制装置200既可以是一体构造，也可以是分别独立的分体的装置。

在控制装置200内的未图示的温度控制部中，具备配管加热器控制用功能和制冷剂导入控制用功能。该温度控制部相当于温度控制机构。但是，也可以在该温度控制部内具备TMS控制。

在配管加热器控制用功能中，基于被输入的温度信息31对加热器4B进行开启关闭控制，以使导入管3H的温度成为规定的温度值。既可以仅限定于加热器4B等特定的区间而进行开启关闭控制，也可以对加热器4A、4B、4C、4D、4E的全部一并进行开启关闭控制。此外，也可以对于阀5、9也配设未图示的加热器，对该加热器同样进行开启关闭控制。

由此，导入管3H被加热器4B加热，能够使得生成物在即将到沉积物捕集器7之前的导入管部分处不堆积。假如在导入管3H部分处温度较低的情况下，生成物堆积在该部位。在此情况下，导入管3H的管路内闭塞，沉积物捕集器7的维护作业变得麻烦。但是，通过如本实施方式那样使得生成物不在导入管3H部分处堆积，能够轻松地进行沉积物捕集器7的维护作业。此外，通过不使生成物在导入管部分处堆积而使其在沉积物捕集器7的内部可靠地堆积，能够提高捕集效率。

另外，关于进行对于配管3A、3C、3D、3E的加热器4A、4C、4D、4E的控制的情况也同样，期望的是将从各个配管3A、3C、3D、3E的外周或内周检测到的温度信息输入到控制装置200，对各自进行温度调整，从该控制装置200对各加热器4A、4C、4D、4E输出开启关闭控制信号。

另一方面，在制冷剂导入控制用功能中，通过基于被输入的温度信息33对阀13进行开闭控制，来调整从制冷剂装置15流动的制冷剂的流量，以使沉积物捕集器7的内部的温度成为规定的冷却温度值。

该温度控制部也可以以模拟信号的原状进行控制，但也可以对各自的温度信息进行模拟/数字变换后，由例如数字信号处理器(DSP)进行运算。即使在以模拟信号的原状进行控制的情况下，也能够节省空间地构成。但是，在以数字进行运算的情况下，能够原样使用以往以来进行TMS控制的DSP装置，而将配管加热器控制用功能和制冷剂导入控制用功能的逻辑装入。此外，温度信息31、33的输入端子、温度控制用的输出端子能够使用以往的TMS控制的空闲端子等。可以将配管加热器控制用功能、制冷剂导入控制用功能及TMS控制的缆线缆端子集中为温度控制系统。因此，控制装置200的大小不变，能量消耗也几乎不变化。相应于在现场没有温度控制设备，不成为维护作业等的障碍而是节省空间的，此外还带来成本降低。

进而，由于温度控制的功能、端子被合并为一处，所以容易进行维护管理。温度控制用的操作面板也能够在相同的部位共同化。

接着，对在考虑涡轮分子泵的运转状况的同时进行配管加热器控制和制冷剂导入控制的方法进行说明。

沉积物捕集器7基本上可以认为只要仅在工艺气体到来时运转即可。在工艺气体没有到来的状态下将沉积物捕集器7持续运转是能量的浪费。因此，期望的是判断工艺气体是否在配管中流动，仅在工艺气体流动时将沉积物捕集器7运转。关于工艺气体是否在配管中流动，如以下这样进行判断。

即，如果是涡轮分子泵100进行额定运转的状态，则不论何时都能够判断为是工艺气体流动来的状况。在该状态时，使沉积物捕集器7起动，不论何时都预先将堆积物、作为堆积物析出的气体成分除去。

另一方面，涡轮分子泵100在马达121的起动、停止，或者使用上侧径向电磁铁104及上侧径向传感器107、下侧径向电磁铁105及下侧径向传感器108、轴向电磁铁106A、106B及轴向传感器109进行旋转体103的静止悬浮中时，将沉积物捕集器7的输出降低或使其停止。该停止也可以使将制冷剂装置15驱动的未图示的压缩机停止。

或者，也可以根据在马达121流动的马达电流的大小来调整沉积物捕集器7的输出。在此情况下，以马达电流的大小来推测在配管中流动的工艺气体的量。此时，温度控制部基于检测出的马达电流的大小，从例如预先由实验等决定的二元表格读取在配管中流动的工艺气体的量。而且，也可以根据该推测出的工艺气体的量对阀13进行开闭控制，决定从制冷剂装置15流动的制冷剂气体的量。

即，在腔室1停止或工艺气体几乎不流动来的状态持续时，通过用阀13将从制冷剂装置15流动到沉积物捕集器7的制冷剂气体的量节流、或使沉积物捕集器7停止，能够带来节能。

同样，关于导入管3H等的温度，也可以只要是涡轮分子泵100进行额定运转的状态就将加热器4B开启且设为高温度，在马达121的起动、停止、旋转体103的静止悬浮中时，将温度降低或将加热器4B关闭等。此外，也可以根据在马达121流动的马达电流的大小来控制流动于加热器4B的电流的大小。在此情况下也带来节能。

或者，也可以不是制冷剂气体的流量，而是将制冷剂装置15做成冷机(chiller)构造，基于温度信息33控制在配管3G中流动的制冷剂气体或冷却水等的温度。但是，也可以对制冷剂气体的流量和温度的两者进行控制。

此外，沉积物捕集器7的结构并不限定于上述。例如，也可以在捕集部21的附近具备将由该捕集部21冷却而析出的生成物捕捉的过滤器。或者，该过滤器也可以与捕集部21独立地构成。进而，也可以不具备制冷剂装置15，而代替沉积物捕集器7仅由过滤器构成。在沉积物捕集器7中不具备制冷剂装置15等温度控制设备的情况下，也通过进行与配管3A、3B、3C、3D、3E、阀5、9及沉积物捕集器7关联的输出设备的控制而发挥发明效果。

另外，本发明只要不脱离本发明的精神，能够进行各种改变，而且，本发明当然也涵盖该改变后的形态。

附图标记说明

1腔室

3A、3B、3C、3D、3E、3F、3G配管

3H导入管

4A、4B、4C、4D、4E加热器

5、9、13阀

7沉积物捕集器

11后泵

15制冷剂装置

23a、23b凸缘

31、33温度信息

100涡轮分子泵

103旋转体

104上侧径向电磁铁

105下侧径向电磁铁

106A、106B轴向电磁铁

107上侧径向传感器

108下侧径向传感器

109轴向传感器

129基座部

149水冷管

200控制装置

Claims (7)

1.一种真空泵，具备：

真空泵主体，将腔室内的气体排出；以及

控制装置，对该真空泵主体进行控制；

其特征在于，

在前述控制装置，具备对加热机构及捕集装置的至少某一方进行温度控制的温度控制机构，所述加热机构将与前述真空泵主体的后段连接的配管加热，所述捕集装置与前述配管连接，由从前述腔室内排出的前述气体生成堆积物，并将该堆积物去除。

2.如权利要求1所述的真空泵，其特征在于，

通过调整制冷剂向前述捕集装置的导入量或设定温度，进行由前述温度控制机构对于前述捕集装置的前述温度控制。

3.如权利要求1所述的真空泵，其特征在于，

对与前述捕集装置连接的前述配管向前述捕集装置的导入部，进行由前述温度控制机构对于前述加热机构的前述温度控制。

4.如权利要求1～3中任一项所述的真空泵，其特征在于，

根据前述真空泵主体的状态，进行前述温度控制。

5.如权利要求1～4中任一项所述的真空泵，其特征在于，

根据前述真空泵主体的状态，进行前述加热机构及前述捕集装置的起动停止或输出调整。

6.如权利要求1～5中任一项所述的真空泵，其特征在于，

在前述温度控制机构，具备进行前述真空泵主体的基座部的温度控制的基座部温度控制功能。

7.一种控制装置，对将腔室内的气体排出的真空泵主体进行控制，其特征在于，

在前述控制装置，具备对加热机构及捕集装置的至少某一方进行温度控制的温度控制机构，所述加热机构将与前述真空泵主体的后段连接的配管加热，所述捕集装置与前述配管连接，由从前述腔室内排出的前述气体生成堆积物，并将该堆积物去除。