TW202231493A - 薄膜之製造系統、及薄膜之製造方法 - Google Patents
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Abstract
薄膜之製造系統1,具備:成形裝置2,係用以將熔融樹脂成形為片狀基材S;塗敷裝置3,係用以將塗敷液塗佈於所成形之基材S表面;第2延伸裝置4B,係用以將塗佈有塗敷液之基材予以延伸;及紅外線熱成像裝置8,係用以遍跨基材S之整個寬度方向TD測定從塗敷裝置3往第2延伸裝置4B之基材S之表面之溫度。
Description
本發明涉及薄膜之製造系統、及薄膜之製造方法。
以往,已知有一種薄膜製造裝置,其具備:熔融擠製製膜裝置,係用以將丙烯酸系樹脂予以熔融擠製而製膜;塗佈機,係用以將易接著組成物塗佈於所得丙烯酸薄膜之一面;延伸裝置(逐步雙軸延伸裝置或同步雙軸延伸裝置);及捲取裝置(例如參照專利文獻1)。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利特開2020-023170號公報
發明欲解決之課題
針對如上述專利文獻1所記載之薄膜製造裝置,期望當發生未塗佈有易接著組成物之未塗敷部分時,可檢測出未塗敷部分。
本發明提供一種可檢測出未塗敷部分之薄膜之製造系統、及薄膜之製造方法。
用以解決課題之手段
本發明[1]包含一種薄膜之製造系統,其具備:成形裝置,係用以將熔融樹脂成形為片狀基材;塗敷裝置,係用以將塗敷液塗佈於所成形之前述基材表面;延伸裝置,係用以將塗佈有前述塗敷液之前述基材予以延伸;及溫度測定裝置,係用以遍跨前述基材之整個寬度方向測定從前述塗敷裝置往前述延伸裝置之前述基材之前述表面之溫度。
根據所述構成,所成形之基材表面中,塗佈有塗敷液之塗敷部分會因塗敷液而被冷卻。另一方面,所成形之基材表面發生未塗佈塗敷液之未塗敷部分時,未塗敷部分不會被冷卻。因此,未塗敷部分之溫度會變得較塗敷部分之溫度更高。
因此,利用溫度測定裝置遍跨基材之整個寬度方向測定從塗布裝置往延伸裝置之基材之表面之溫度,藉此可檢測出高於塗敷部分之溫度的未塗敷部分。
本發明[2]包含如上述[1]之薄膜之製造系統,其中前述溫度測定裝置係紅外線熱成像裝置。
根據所述構成,可藉由紅外線熱成像裝置以可視覺辨識之方式檢測出未塗敷部分。
本發明[3]包含如上述[1]或[2]之薄膜之製造系統,其更具備記憶裝置,係用以記憶前述溫度測定裝置所測定之溫度記錄。
根據像所述構成,可藉由確認紀錄來特定出未塗敷部分。
本發明[4]包含一種薄膜之製造方法,其包含以下步驟:成形步驟,係將熔融樹脂成形為片狀基材;塗敷步驟,係將塗敷液塗佈於所成形之前述基材表面;延伸步驟,係將塗佈有前述塗敷液之前述基材予以延伸;及檢測步驟,係於前述塗佈步驟後且前述延伸步驟前,遍跨前述基材之整個寬度方向測定前述基材之前述表面之溫度,藉此於前述基材之前述表面形成有塗佈有前述塗敷液之塗敷部分與未塗佈有前述塗敷液之未塗敷部分時,檢測出具有高於前述塗敷部分之溫度的前述未塗敷部分。
根據所述方法,可檢測出未塗敷部分。
本發明[5]包含如上述[4]之薄膜之製造方法,其中前述塗敷液之溫度較塗佈前述塗敷液前之前述基材之溫度低10℃以上。
根據所述方法,可藉由塗佈塗敷膜前之基材與塗敷液之溫度差,確實地檢測出未塗敷部分。
發明效果
根據本發明薄膜之製造系統、及薄膜之製造方法,可檢測出未塗敷部分。
1.薄膜之製造系統之概略
針對薄膜F之製造系統1之概略進行說明。
如圖1所示,薄膜F具備基材S與被膜C。基材S在基材S之厚度方向上具有作為表面之一例的第1面S1及第2面S2。被膜C係配置於基材S之第1面S1上。被膜C係覆蓋基材S之第1面S1。被膜C亦可為易接著層。被膜C為易接著層時,薄膜F為易接著薄膜。易接著薄膜例如係使用於行動機器、汽車導航裝置、個人電腦用螢幕、電視機等影像顯示裝置之偏光板。詳細而言,易接著薄膜係作為保護偏光板之偏光件的保護薄膜來使用。易接著薄膜係透過接著劑層與偏光件貼合。易接著薄膜係利用易接著層與偏光件貼合。
如圖2所示,薄膜F之製造系統1具備:成形裝置2、第1延伸裝置4A、塗敷裝置3、作為延伸裝置之一例的第2延伸裝置4B、開縫加工裝置5、滾紋形成加工裝置6及捲取裝置7。
(1)成形裝置
成形裝置2係用以將熱塑性樹脂熔融而成之熔融樹脂成形為片狀基材S(成形步驟)。本實施形態中,成形裝置為擠製成形裝置。
熱塑性樹脂可列舉例如丙烯酸樹脂、聚烯烴樹脂、環狀聚烯烴樹脂、聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、乙酸酯樹脂(二醋酸纖維素、三醋酸纖維素等)。
製造作為偏光件之保護薄膜使用之易接著薄膜時,基材S之材料宜可舉丙烯酸樹脂。
又,製造作為偏光件之保護薄膜使用之易接著薄膜時,丙烯酸樹脂亦可為具有戊二酸酐結構之丙烯酸樹脂、具有內酯環結構之丙烯酸樹脂。具有戊二酸酐結構之丙烯酸樹脂及具有內酯環結構之丙烯酸樹脂,因為具有高耐熱性、高透明性及高機械強度,故適於製造偏光度高且耐久性優異之偏光板。具有戊二酸酐結構之丙烯酸樹脂記係載於日本專利特開2006-283013號公報、日本專利特開2006-335902號公報、日本專利特開2006-274118號公報中。具有內酯環結構之丙烯酸樹脂係記載於日本專利特開2000-230016號公報、日本專利特開2001-151814號公報、日本專利特開2002-120326號公報、日本專利特開2002-254544號公報、日本專利特開2005-146084號公報中。
又,基材S除了丙烯酸樹脂,亦可含有丙烯酸樹脂以外之其他熱塑性樹脂。藉由含有其他熱塑性樹脂,可消除丙烯酸樹脂之雙折射而獲得光學各向同性優異之易接著薄膜。且還可使易接著薄膜之機械強度提升。
此外,基材S亦可含有抗氧化劑、穩定劑、補強材、紫外線吸收劑、阻燃劑、抗靜電劑、著色劑、填充劑、塑化劑、滑劑、填料等添加劑。
(2)第1延伸裝置
第1延伸裝置4A係用以將基材S在加熱後,朝基材S之行進方向MD予以延伸。
(3)塗敷裝置
塗敷裝置3係用以將塗敷液塗佈於經成形步驟成形之基材S之第1面S1(塗佈步驟)。塗敷裝置可舉例如棒塗機、凹版塗佈機、接觸式塗佈機等。此外,對於基材S之第1面S1,亦可於成形步驟後且塗佈步驟前施行電暈處理、電漿處理等表面處理。
製造易接著薄膜時,塗敷液係用以形成易接著層之易接著組成物。
易接著層含有黏結劑樹脂與微粒子。
黏結劑樹脂可舉例如胺甲酸酯樹脂、環氧樹脂等熱硬化性樹脂,可舉例如丙烯酸樹脂、聚酯樹脂等熱塑性樹脂。易接著薄膜作為偏光件之保護薄膜使用時,黏結劑樹脂宜為熱硬化性樹脂。黏結劑樹脂可併用複數種。
微粒子可舉例如氧化矽(silica)、氧化鈦(titania)、氧化鋁(alumina)、氧化鋯(zirconia)等氧化物;可舉例如碳酸鈣等碳酸鹽;可舉例如矽酸鈣、矽酸鋁、矽酸鎂等矽酸鹽;可舉例如滑石、高嶺土等矽酸鹽礦物;可舉例如磷酸鈣等磷酸鹽等。易接著薄膜作為偏光件之保護薄膜使用時,微粒子宜為氧化物,較宜為氧化矽。微粒子可併用複數種。
塗敷液(易接著組成物)含有樹脂成分、上述微粒子及分散介質。
樹脂成分係藉由後述延伸步驟而形成上述黏結劑樹脂之被膜(易接著層)。黏結劑樹脂為胺甲酸酯樹脂時,樹脂成分可舉例如水系胺甲酸酯樹脂。水系胺甲酸酯樹脂可舉例如屬胺甲酸酯樹脂之乳化物的非反應型水系胺甲酸酯樹脂,可舉例如屬經以封端劑保護異氰酸酯基之胺甲酸酯樹脂之乳化物的反應型水系胺甲酸酯樹脂等。黏結劑樹脂為胺甲酸酯樹脂時,塗敷液亦可含有胺甲酸酯硬化觸媒(三乙胺等)、異氰酸酯單體。
分散介質可舉例如水;可舉例如甲醇、乙醇等醇;可舉例如丙酮、甲基乙基酮等酮等。
(4)第2延伸裝置
第2延伸裝置4B係用以將塗佈有塗布液之前述基材予以延伸(延伸步驟)。詳細而言,第2延伸裝置4B係用以使塗佈於基材S之塗敷液乾燥。藉此,塗敷液會成為上述被膜C。又,第2延伸裝置4B係用以將形成有被膜C之基材S在加熱後朝基材S之寬度方向TD延伸。寬度方向TD係與行進方向MD正交。藉由延伸步驟,形成有被膜C之基材S被延伸,而可獲得上述薄膜F。
(5)開縫加工裝置
開縫加工裝置5係將薄膜F切斷成預定寬度。
(6)滾紋形成加工裝置
滾紋形成加工裝置6係用以於切斷成預定寬度之薄膜F的寬度方向兩端形成滾紋。滾紋係藉由雷射而形成。滾紋亦可藉由經加熱之壓紋輥來形成。
(7)捲取裝置
捲取裝置7係用以捲取形成有滾紋之薄膜F。
2.薄膜之製造系統之詳細內容
薄膜之製造系統1更具備作為溫度測定裝置之一例的紅外線熱成像裝置8。
紅外線熱成像裝置8係遍跨基材S之整個寬度方向TD測定從塗敷裝置3往第2延伸裝置4B之基材S之第1面S1之溫度。藉此,紅外線熱成像裝置8係於塗佈步驟後且延伸步驟前,遍跨基材S之整個寬度方向TD測定基材S之第1面S1之溫度。詳細而言,如圖3A所示,紅外線熱成像裝置8具備紅外線相機81、控制裝置82及監測器83。
紅外線相機81係拍攝從塗敷裝置3往第2延伸裝置4B之基材S之第1面S1。紅外線相機81係拍攝基材S之整個寬度方向TD。
控制裝置82係將入射紅外線相機81之紅外線的輻射能轉換成溫度,作成溫度之分布影像。藉此,紅外線熱成像裝置8係遍跨基材S之整個寬度方向TD測定基材S之第1面S1之溫度。控制裝置82具有作為記憶裝置之一例的記憶體84。亦即,薄膜之製造系統1具備記憶體84。記憶體84係記憶經控制裝置82轉換之溫度記錄。亦即,記憶體84係記憶紅外線熱成像裝置8所測定之溫度記錄。藉此,可藉由確認記憶於記憶體84之記錄,特定出有發生未塗敷部分P2(參照圖3B)的點。
監測器83係顯示藉由控制裝置82作成之溫度之分布影像。如圖3B所示,當於基材S之第1面S1形成有塗佈有塗敷液之塗敷部分P1與未塗佈有塗敷液之未塗敷部分P2時,在溫度之分布影像中,未塗敷部分P2會以高於塗敷部分P1之溫度顯示。
詳細而言,塗敷液之溫度係低於塗佈塗敷液前之基材S之溫度。因此,塗敷部分P1會因塗敷液而被冷卻,另一方面未塗敷部分P2不會被冷卻。因此,未塗敷部分P2之溫度會變得較塗敷部分P1之溫度更高。
然後,此時,作業人員觀看溫度之分布影像,檢測出具有高於塗敷部分P1之溫度的未塗敷部分P2(檢測步驟)。藉此可檢測出未塗敷部分P2。
此外,塗敷液之溫度例如較塗佈塗敷膜前之基材S之溫度低10℃以上,宜低30℃以上。塗敷液與基材S之溫度差若在上述下限值以上,便可更確實地檢測出未塗敷部分P2。此外,塗敷液與基材S之溫度差的上限值無限定。
3.變形例
(1)控制裝置82亦可藉由軟體來判定有無未塗敷部分P2。
(2)溫度測定裝置不限於紅外線熱成像裝置。例如,亦可藉由複數個紅外線溫度感測器測定基材S之整個寬度方向之溫度。
(3)薄膜之製造系統1亦可如圖4所示,在行進方向MD上之塗敷裝置3的下游側具備有撫平滾筒100。撫平滾筒100係用以將塗佈於基材S之塗布液於寬度方向TD上擴塗。當發生了具有紅外線熱成像裝置8之檢測極限以下之寬度的未塗敷部分P2時,撫平滾筒100係藉由將塗佈於基材S上之塗敷液在寬度方向TD上擴塗,以將塗敷液塗佈於未塗敷部分P2。藉此,可消除未塗敷部分P2。
此外,上述發明雖提供作為本發明例示之實施形態,但僅為例示,不得作限定解釋。該技術領域之熟知此項技藝之人士明瞭可知本發明變形例乃包含於後述申請專利範圍中。
產業上之可利用性
本發明薄膜之製造系統、及薄膜之製造方法係利用於製造易接著薄膜等薄膜。
1:薄膜之製造系統
2:成形裝置
3:塗敷裝置
4A:第1延伸裝置
4B:第2延伸裝置
5:縫加工裝置
6:滾紋形成加工裝置
7:捲取裝置
8:紅外線熱成像裝置
81:紅外線相機
82:控制裝置
83:監測器
84:記憶體
100:撫平滾筒
C:被膜
F:薄膜
P1:塗敷部分
P2:未塗敷部分
S:基材
S1:第1面
S2:第2面
圖1係藉由薄膜之製造系統製造之薄膜的截面圖。
圖2係薄膜之製造系統的概略構成圖。
圖3中,圖3A係紅外線熱成像裝置的流程圖;圖3B係用以說明藉由紅外線熱成像裝置所得之溫度之分布影像的說明圖。
圖4係用以說明變形例的說明圖。
1:薄膜之製造系統
2:成形裝置
3:塗敷裝置
4A:第1延伸裝置
4B:第2延伸裝置
5:開縫加工裝置
6:滾紋形成加工裝置
7:捲取裝置
8:紅外線熱成像裝置
81:紅外線相機
F:薄膜
S:基材
S1:第1面
S2:第2面
Claims (5)
- 一種薄膜之製造系統,具備: 成形裝置,係用以將熔融樹脂成形為片狀基材; 塗敷裝置,係用以將塗敷液塗佈於所成形之前述基材表面; 延伸裝置,係用以將塗佈有前述塗敷液之前述基材予以延伸;及 溫度測定裝置,係用以遍跨前述基材之整個寬度方向測定從前述塗敷裝置往前述延伸裝置之前述基材之前述表面之溫度。
- 如請求項1之薄膜之製造系統,其中前述溫度測定裝置係紅外線熱成像裝置。
- 如請求項1或2之薄膜之製造系統,其更具備記憶裝置,係用以記憶前述溫度測定裝置所測定之溫度記錄。
- 一種薄膜之製造方法,包含以下步驟: 成形步驟,係將熔融樹脂成形為片狀基材; 塗敷步驟,係將塗敷液塗佈於所成形之前述基材表面; 延伸步驟,係將塗佈有前述塗敷液之前述基材予以延伸;及 檢測步驟,係於前述塗佈步驟後且前述延伸步驟前,遍跨前述基材之整個寬度方向測定前述基材之前述表面之溫度,藉此於前述基材之前述表面形成有塗佈有前述塗敷液之塗敷部分與未塗佈有前述塗敷液之未塗敷部分時,檢測出具有高於前述塗敷部分之溫度的前述未塗敷部分。
- 如請求項4之薄膜之製造方法,其中前述塗敷液之溫度較塗佈前述塗敷液前之前述基材之溫度低10℃以上。
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