TW202226925A - 電子裝置 - Google Patents

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Abstract

一種電子裝置，包括基板、多個導電圖案以及可調變元件。多個導電圖案設置在基板上。可調變元件設置在多個導電圖案中的至少一個導電圖案上且包括第一接墊、第二接墊以及第三接墊。第一接墊、第二接墊以及第三接墊彼此分離。第一接墊以及第二接墊重疊於多個導電圖案中的所述至少一個導電圖案。第三接墊設置在第一接墊以及第二接墊之間。

Description

電子裝置
本發明是有關於一種電子裝置。
電子裝置中的射頻(Radio Frequency，RF)裝置用以發射或接收電磁波，因此在無線通訊技術中是不可或缺的一部分。如何增加電路設計的靈活度、增加可調控的射頻參數或調整電磁波的輻射方向，為本領域研發人員的研發重點之一。
本揭露提供一種電子裝置，其有助於增加電路設計的靈活度、增加可調控的射頻參數或調整電磁波的傳遞方向。
根據本揭露的實施例，電子裝置包括基板、多個導電圖案以及可調變元件。多個導電圖案設置在基板上。可調變元件設置在多個導電圖案中的至少一個導電圖案上且包括第一接墊、第二接墊以及第三接墊。第一接墊、第二接墊以及第三接墊彼此分離。第一接墊以及第二接墊重疊於多個導電圖案中的所述至少一個導電圖案。第三接墊設置在第一接墊以及第二接墊之間。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
通過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露。須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及圖式的簡潔，本揭露中的多張圖式只繪出電子裝置/顯示裝置的一部分，且圖式中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。舉例來說，為了清楚起見，各膜層、區域或結構的相對尺寸、厚度及位置可能縮小或放大。
本揭露通篇說明書與後附的申請專利範圍中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子設備製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。在下文說明書與申請專利範圍中，“具有”與“包括”等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為“包括但不限定為…”之意。
本文中所提到的方向用語，例如：“上”、“下”、“前”、“後”、“左”、“右”等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本揭露。應瞭解到，當元件或膜層被稱為設置在另一個元件或膜層“上”或“連接”另一個元件或膜層時，所述元件或膜層可以直接在所述另一元件或膜層上或直接連接到所述另一元件或膜層，或者兩者之間存在有插入的元件或膜層(非直接連接)。相反地，當元件或膜層被稱為“直接”在另一個元件或膜層“上”或“直接連接”另一個元件或膜層時，兩者之間不存在有插入的元件或膜層。
本文中所提到的術語“大約”、“等於”、“相等”、“相同”、“實質上”或“大致上”通常代表落在給定數值的10%範圍內，或代表落在給定數值的5%、3%、2%、1%或0.5%範圍內。此外，除非有特別說明，否則用語“給定範圍為第一數值至第二數值”、“給定數值落在第一數值至第二數值的範圍內”均表示所述給定範圍包含第一數值、第二數值以及它們之間的其它數值。
在本揭露一些實施例中，關於接合、連接之用語例如“連接”、“互連”等，除非特別定義，否則可指兩個結構係直接接觸，或者亦可指兩個結構並非直接接觸，其中有其它結構設於此兩個結構之間。關於接合、連接之用語亦可包括兩個結構都可移動，或者兩個結構都固定的情況。
此外，用語“電連接”可包含任何直接或間接的電性連接手段。舉例來說，“直接電連接”可以是兩個元件直接接觸且電性連接，或者，兩個元件可透過一個或多個導電元件而串接在一起；“間接電連接”可以是兩個元件彼此分離，且兩個元件之間沒有其他導電元件將兩者串接在一起。
在下述實施例中，相同或相似的元件將採用相同或相似的標號，且將省略其贅述。此外，不同實施例中的特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用，且依本說明書或申請專利範圍所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本揭露涵蓋的範圍內。另外，本說明書或申請專利範圍中提及的“第一”、“第二”等用語僅用以命名不同的元件或區別不同實施例或範圍，而並非用來限制元件數量上的上限或下限，也並非用以限定元件的製造順序或設置順序。
本揭露的電子裝置可包括顯示裝置、背光裝置、射頻裝置、感測裝置或拼接裝置，但不以此為限。電子裝置可為可彎折或可撓式電子裝置。顯示裝置可為非自發光型顯示裝置或自發光型顯示裝置。射頻裝置可包括頻率選擇表面(Frequency Selective Surface，FSS)、電磁能隙(Electromagnetic Band Gap，EBG)結構、射頻濾波器(RF-Filter)、偏振器(Polarizer)、諧振器(Resonator)或天線(Antenna)等。天線可為液晶型態的天線或非液晶型態的天線。感測裝置可為感測電容、光線、熱能或超聲波的感測裝置，但不以此為限。拼接裝置可例如是顯示器拼接裝置或射頻拼接裝置，但不以此為限。需注意的是，電子裝置可為前述之任意排列組合，但不以此為限。下文將以射頻裝置做為電子裝置以說明本揭露內容，但本揭露不以此為限。
圖1至圖3分別是根據本揭露的第一實施例至第三實施例的電子裝置的局部俯視示意圖。
請參照圖1，電子裝置1可包括基板10、多個導電圖案11以及可調變元件12。多個導電圖案11設置在基板10上。可調變元件12設置在多個導電圖案11中的至少一個導電圖案11上且包括第一接墊P1、第二接墊P2以及第三接墊P3。第一接墊P1、第二接墊P2以及第三接墊P3彼此分離。第一接墊P1以及第二接墊P2重疊於多個導電圖案11中的所述至少一個導電圖案11。第三接墊P3設置在第一接墊P1以及第二接墊P2之間。
詳細來說，基板10可用以承載元件。在一些實施例中，基板10還可作為傳遞電磁波的波導結構(waveguide structure)，但不以此為限。在其他實施例中，可以傳輸線(transmission line)或自由空間(free space)等取代波導結構。基板10可為硬質基板或可撓式基板。舉例來說，基板10的材料可包括玻璃、聚合物薄膜(如聚醯亞胺薄膜)、印刷電路板或上述的組合，但不以此為限。
多個導電圖案11可用以提供電訊號給對應的一個或多個可調變元件12。在一些實施例中，多個導電圖案11還可進一步用於限制在多個導電圖案11下方傳遞的電磁波的輸出區域，例如電磁波可從未被多個導電圖案11覆蓋的區域輸出。舉例來說，多個導電圖案11的材料可包括銅、鋁、銀、金、任何具有高導電性的材料或上述的組合，但不以此為限。
圖1示意性繪示出十二個導電圖案11。各導電圖案11的俯視形狀例如為方形。十二個導電圖案11在第一方向D1和第二方向D2上排列成陣列。第一方向D1和第二方向D2彼此相交且皆與基板10的厚度方向(如第三方向D3)垂直。第一方向D1和第二方向D2可彼此垂直，但不以此為限。在第一方向D1或第二方向D2上任兩個相鄰的導電圖案11之間存在間隙G。
各可調變元件12可設置成橫越對應的一個間隙G。舉例來說，可調變元件12的延伸方向(如第一接墊P1、第二接墊P2以及第三接墊P3的排列方向)與間隙G的延伸方向相交。在一些實施例中，可調變元件12的延伸方向可與間隙G的延伸方向相互垂直，但不以此為限。
圖1示意性繪示出十七個可調變元件12。各可調變元件12的俯視形狀例如為長方形。各可調變元件12的第一接墊P1以及第二接墊P2可分別重疊於位於間隙G兩側的兩個導電圖案11，且第一接墊P1以及第二接墊P2可分別電連接於所述兩個導電圖案11。在一些實施例中，電子裝置1還可包括訊號線13。訊號線13設置在基板10上且與可調變元件12的第三接墊P3電連接，以提供電訊號給可調變元件12的第三接墊P3。可調變元件12的第一接墊P1、第二接墊P2以及第三接墊P3的材料可包括鎳金、鎳鈀金、銀、金、鎳、錫、有機保焊膜(Organic Solderability Preservative，OSP)、其他導電材料或上述的組合，但不以此為限。訊號線13的材料可包括銅、鋁、銀、金、任何具有高導電性的材料或上述的組合，但不以此為限。
以圖1為例，十二個導電圖案11中的導電圖案11-1和導電圖案11-2在第一方向D1上排列。可調變元件12-1設置成橫越導電圖案11-1和導電圖案11-2之間的間隙G，其中可調變元件12-1的第一接墊P1、第二接墊P2以及第三接墊P3在第三方向D3上分別重疊於導電圖案11-1、導電圖案11-2以及訊號線13，且第一接墊P1、第二接墊P2以及第三接墊P3分別電連接於導電圖案11-1、導電圖案11-2以及訊號線13。
應理解，電子裝置1中的導電圖案11、可調變元件12以及訊號線13各自的形狀、數量、排列方式和相對設置關係等可視實際需求改變，而不以圖1所示為限。此外，在一些實施例中，電子裝置1可包括缺陷地結構(Defect Ground Structure，DGS)，但不以此為限。
可調變元件(tunable element)12可包括電容、電阻、電感、二極體、電晶體、微機電系統或上述組合。可調變元件的相關參數可藉由施加至可調變元件的訊號來調變。相關參數可包括介電常數、面積、半導體的空乏區寬度、金屬板高度等，但不以此為限。在一些實施例中，可調變元件12可採用面板級封裝(Panel Level Package，PLP)、晶圓級封裝(Wafer Level Package，WLP)或扇出型晶圓級封裝(Fan-Out Wafer Level Package FOWLP)等技術封裝可調變部件。在一些實施例中，可調變元件12可透過直接接合(direct bonding)、微接合(micro-bonding)或覆晶接合(flip-chip bonding)等方式接合至對應的一個或多個導電圖案11及/或訊號線13。
在本實施例中，可調變元件12可包括可變電容(variable capacitor)。可變電容可由液晶裝置、變容二極體或微機電系統(Micro Electro Mechanical Systems，MEMS)等形成，但不以此為限。透過導電圖案11以及訊號線13改變施加至可變電容的電壓，可控制射頻電路中的等效電容，使得電磁波的相位(phase)和振幅(amplitude)發生相應的變化，進而控制電磁波的方向或提升射頻裝置的指向性。透過可調變元件12的三個接墊(包括第一接墊P1、第二接墊P2以及第三接墊P3)的設計，有助於增加電路設計的靈活度、增加可調控的射頻參數(如輻射強度、共振頻率或相位等)或調整電磁波的傳遞方向。
以圖1為例，各可調變元件12的第一接墊P1以及第二接墊P2可為等電位或接地，而第三接墊P3可具有比第一接墊P1以及第二接墊P2更大的電位，且可透過改變第三接墊P3的電位來控制可調變元件12的電容值。在圖1中，多個導電圖案11可共同被施加接地電壓，而十七個可調變元件12的十七個第三接墊P3可分別被施加十七種直流電壓。換句話說，十七個可調變元件12可以有十七個電壓自由度。每個可調變元件12都可以獨立控制。因此，電子裝置1的可調範圍(如掃描角度、光束數等)可較大。在其他實施例中，多個導電圖案11可被施加一種以上的直流電壓(例如導電圖案11-1以及導電圖案11-2可被施加不同的直流電壓)，且多個可調變元件12的多個第三接墊P3可被施加多種直流電壓。
在一些實施例中，多個導電圖案11以及多條訊號線13可為不同層。在其他實施例中，多個導電圖案11以及多條訊號線13可為同一層。
在一些實施例中，可使多條訊號線13分散排列，以降低低頻變容電壓控制電路迴路對於導電圖案11上的射頻特性的影響。在一些實施例中，可使鄰近設置的多條訊號線13的總寬度小於射頻波長的十分之一，或使各訊號線13的線寬小於相鄰兩導電圖案11之間的間隙G的寬度的五分之一，以降低訊號線13與導電圖案11之間的雜散電容的影響。
請參照圖2，電子裝置1A包括基板10、多個導電圖案11、多個可調變元件12以及多條訊號線13。電子裝置1A與圖1中電子裝置1的主要差異在於多個導電圖案11、多個可調變元件12以及多條訊號線13各自的形狀、數量、排列方式和相對設置關係等。
此外，在電子裝置1A中，可調變元件12-2橫越在第一方向D1上相鄰的導電圖案11-3和導電圖案11-4之間的間隙G，且可調變元件12-2的第一接墊P1以及第二接墊P2分別電連接於導電圖案11-3和導電圖案11-4。可調變元件12-3橫越在第一方向D1上相鄰的導電圖案11-4和導電圖案11-5之間的間隙G，且可調變元件12-3的第一接墊P1以及第二接墊P2分別電連接於導電圖案11-4和導電圖案11-5。導電圖案11-4具有開口AP，其中可調變元件12-4設置成橫越開口AP，且可調變元件12-4的第一接墊P1以及第二接墊P2電連接於開口AP兩側的導電圖案11-4。
請參照圖3，電子裝置1B包括基板10、多個導電圖案11、多個可調變元件12以及多條訊號線13。電子裝置1B與圖1中電子裝置1的主要差異在於多個導電圖案11、多個可調變元件12以及多條訊號線13各自的形狀、數量、排列方式和相對設置關係等。具體地，在電子裝置1B中，各導電圖案11的俯視形狀例如為長方形，各可調變元件12設置成橫越相鄰兩個導電圖案11之間的間隙G，且多個可調變元件12的數量例如小於多個導電圖案11的數量。
圖4A及圖4B分別是根據本揭露的第四實施例的電子裝置的局部俯視示意圖和局部剖面示意圖。為了清楚顯示部分元件及/或膜層的相對設置關係，圖4A省略繪示出電子裝置的一些元件及/或膜層。另外，圖4A中剖線A-A’的剖面請參見圖4B。
請參照圖4A及圖4B，電子裝置1C與圖1的電子裝置1的主要差異說明如下。電子裝置1C還包括第一焊件14、第二焊件15以及第三焊件16，其中第一接墊P1、第二接墊P2以及第三接墊P3分別透過第一焊件14、第二焊件15以及第三焊件16直接電連接於相鄰兩個導電圖案11以及訊號線13。如圖4B所示，第一接墊P1、第二接墊P2以及第三接墊P3分別透過第一焊件14、第二焊件15以及第三焊件16而與相鄰兩個導電圖案11上的接墊P4、接墊P5以及訊號線13上的接墊P6連接，換句話說，可調變元件12與相鄰兩個導電圖案11以及訊號線13是直接的電性連接。第一焊件14、第二焊件15以及第三焊件16的材料可包括錫球、銅柱、其他合適金屬或金屬合金，但不以此為限。接墊P4、接墊P5以及接墊P6的材料可包括鎳金、鎳鈀金、銀、金、鎳、錫、有機保焊膜、其他導電材料或上述的組合，但不以此為限。
在一些實施例中，電子裝置1C還可包括隔離層17。隔離層17設置在基板10上且可覆蓋多個導電圖案11以及多條訊號線13。舉例來說，隔離層17的材料可包括氮化矽(SiN x)、氧化矽(SiO x)、氮氧化矽(SiO xN y)、環氧樹脂、壓克力、阻焊劑、矽材料、雙馬來醯亞胺(Bismaleimide)、聚醯亞胺(polyimide)或上述的組合，但不以此為限。
在一些實施例中，電子裝置1C還可包括傳輸線18。傳輸線18設置在基板10上，且基板10例如位於傳輸線18與多個導電圖案11之間。換句話說，傳輸線18與多個導電圖案11分別設置在基板10的相對側上。
在本實施例中，可透過傳輸線18來傳遞電磁波，多個導電圖案11可連接至接地電壓，且可透過控制施加至訊號線13的直流訊號來讓特定頻率範圍的電磁波通過且過濾其他頻率範圍的電磁波。舉例來說，所述特定頻率範圍的電磁波可以是射頻、毫米波(millimeter wave)、兆赫茲(Terahertz，THz)、紅外光或可見光等，但不以此為限。
圖5A及圖5B分別是根據本揭露的第五實施例的電子裝置的局部俯視示意圖和局部剖面示意圖。為了清楚顯示部分元件及/或膜層的相對設置關係，圖5A省略繪示出電子裝置的一些元件及/或膜層。另外，圖5A中剖線B-B’的剖面請參見圖5B。
請參照圖5A及圖5B，電子裝置1D與圖4A及圖4B的電子裝置1C的主要差異說明如下。在電子裝置1D中，多個導電圖案11可例如作為傳輸線，電子裝置1D可以不用包括圖4A及圖4B中的傳輸線18。
在本實施例中，可透過多個導電圖案11來傳遞電磁波，且多個導電圖案11可連接至直流逆電壓。在可調變元件12為液晶裝置所形成的可變電容元件的架構下，多個導電圖案11可連接至低頻交流訊號。此外，電子裝置1D還可包括導電層19。導電層19設置在基板10上，且基板10位於導電層19與多個導電圖案11之間。導電層19例如連接至接地電壓。可透過控制施加至多個導電圖案11的直流逆電壓或低頻交流訊號，來讓特定頻率範圍的電磁波通過且過濾其他頻率範圍的電磁波。
圖6至圖8分別是根據本揭露的第六實施例至第八實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。
請參照圖6，電子裝置1E與圖5A及圖5B的電子裝置1D的主要差異說明如下。在電子裝置1E中，來自激發源S的電磁波W可通過自由空間(free space)傳遞至電子裝置1E。激發源S與電子裝置1E之間的傳遞介質例如可為空氣，但不以此為限。透過導電圖案11以及訊號線13改變施加至可調變元件12的電壓，可控制射頻電路中的等效電容，使得電磁波的相位和振幅發生相應的變化，進而控制電磁波的方向或提升射頻裝置的指向性。
請參照圖7，電子裝置1F與圖6的電子裝置1E的主要差異說明如下。電子裝置1F還包括導電圖案PT1以及導電圖案PT2。導電圖案PT1以及導電圖案PT2設置在多個導電圖案11上，且導電圖案PT1、導電圖案PT2以及多個導電圖案11透過隔離層17而彼此分離。接墊P4以及接墊P5分別設置在導電圖案PT1以及導電圖案PT2上。導電圖案PT1以及導電圖案PT2的材料可包括銅、鋁、銀、金、任何具有高導電性的材料或上述的組合，但不以此為限。
在一些實施例中，施加至導電圖案PT1、導電圖案PT2以及訊號線13的電壓可不相同。在一些實施例中，導電圖案PT1、導電圖案PT2以及訊號線13可具有不同尺寸。在一些實施例中，導電圖案PT1、導電圖案PT2以及訊號線13可在第三方向D3上重疊於或不重疊導電圖案11。在一些實施例中，多個導電圖案11可為第一導電層，而導電圖案PT1、導電圖案PT2以及訊號線13可為第二導電層，且第一導電層與第二導電層被隔離層17分離。在導電圖案PT1、導電圖案PT2以及訊號線13同為第二導電層的實施例中，導電圖案PT1、導電圖案PT2以及訊號線13可具有相同材料且可由同一道圖案化製程形成。在又一些實施例中，導電圖案PT1、導電圖案PT2以及訊號線13可為不同層，且可由不同道製程形成。
請參照圖8，電子裝置1G與圖6的電子裝置1E的主要差異說明如下。在電子裝置1G中，可調變元件12G例如包括多個變容二極體(varactor)，如變容二極體12G1以及變容二極體12G2。變容二極體12G1包括第一接墊P1以及第三接墊P3，其中第一接墊P1透過第一焊件14直接電連接至設置在導電圖案11-6上的接墊P4，且第三接墊P3透過第三焊件16直接電連接至設置在訊號線13上的接墊P6。變容二極體12G2包括第二接墊P2以及第四接墊P4’，其中第二接墊P2透過第二焊件15直接電連接至設置在導電圖案11-7上的接墊P5，且第四接墊P4’透過第四焊件16’直接電連接至設置在訊號線13上的接墊P6’。
在一些實施例中，變容二極體12G1以及變容二極體12G2可採用面板級封裝、晶圓級封裝或扇出型晶圓級封裝等技術封裝在一起。在其他實施例中，變容二極體12G1以及變容二極體12G2也可改成由液晶裝置或微機電系統等形成的可變電容，但不以此為限。
在一些實施例中，可調變元件12G例如可以是電容、電阻、電感、二極體、電晶體等任意組合之封裝體，但不以此為限。舉例來說，可調變元件12G可以是包括電容與電晶體之封裝體(未繪示)。
圖9是根據本揭露的一個實施例的可調變元件的局部剖面示意圖。請參照圖9，可調變元件12H可具有3個以上的接墊，如第一接墊P1、第二接墊P2以及第三接墊P3。此外，可調變元件12H可由半導體製程(如離子摻雜製程)製造。舉例來說，可調變元件12H可具有第一摻雜區DP1、第二摻雜區DP2以及第三摻雜區DP3，其中第二摻雜區DP2設置在第一摻雜區DP1以及第三摻雜區DP3之間。第三接墊P3例如與第一摻雜區DP1接觸，且第一接墊P1以及第二接墊P2例如與第三摻雜區DP3接觸。
第一摻雜區DP1以及第二摻雜區DP2例如為第一型摻雜區，且第三摻雜區DP3例如為第二型摻雜區。以2P1N +為例，第一摻雜區DP1以及第二摻雜區DP2例如為N型摻雜區，且第一摻雜區DP1為重摻雜區；第三摻雜區DP3例如為P型摻雜區，但不以此為限。在其他實施例中，可調變元件也可為2N +1P，在此架構下，第一摻雜區DP1例如為P型摻雜區；第二摻雜區DP2以及第三摻雜區DP3例如為N型摻雜區，且第三摻雜區DP3例如為重摻雜區，但不以此為限。
在其他實施例中，可調變元件也可為3P1N +(未繪示)、3N +1P(未繪示)或4P1N +(請參照圖10)等架構。圖10是根據本揭露的另一個實施例的可調變元件的局部俯視示意圖。請參照圖10，可調變元件12I例如可具有一個第一摻雜區DP1、四個第二摻雜區DP2以及四個第三摻雜區DP3，其中各第三摻雜區DP3與第一摻雜區DP1之間設置有一個第二摻雜區DP2。可調變元件12I除了第一接墊P1、第二接墊P2以及第三接墊P3之外，還可包括第四接墊P4’以及第五接墊P5’，其中第一接墊P1、第二接墊P2、第四接墊P4’以及第五接墊P5’分別設置在四個第三摻雜區DP3上。
圖11是根據本揭露的第九實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。請參照圖11，電子裝置1H與圖7的電子裝置1F的主要差異說明如下。在電子裝置1H中，導電圖案PT2連接接墊P5和對應的導電圖案11，使得接墊P5透過導電圖案PT2而與對應的導電圖案11直接電連接，但不以此為限。
應理解，可調變元件12的接墊(如第一接墊P1、第二接墊P2及第三接墊P3)與周圍的導電圖案(如導電圖案PT1、導電圖案PT2、導電圖案11)或訊號線(如訊號線13)的連接方式可以有不同的組合。在一些實施例中，三個接墊不必都與導電圖案或訊號線連接，每個接墊可以有獨立的連接對象及/或方式。舉例來說，三個接墊可不與任何導電圖案或訊號線連接；或者，三個接墊可僅與導電圖案連接；或者，三個接墊可僅與訊號線連接；或者，三個接墊可與導電圖案和訊號線連接。
另外，本揭露的可調變元件可以由不同種類的可調或不可調元件(如電阻、電感、電容、薄膜電晶體、μLED、二極體…等)組成。圖12至圖17分別是根據本揭露的多個實施例的可調變元件的簡單電路圖。
在一些實施例中，如圖12所示，可調變元件12J可包括兩個可變電容，其中第一接墊P1以及第三接墊P3分別連接於其中一個可變電容的相對兩端，且第三接墊P3以及第二接墊P2分別連接於其中另一個可變電容的相對兩端。
在一些實施例中，如圖13所示，可調變元件12K可包括可變電容和可變電感，其中第一接墊P1以及第三接墊P3分別連接於可變電容的相對兩端，且第三接墊P3以及第二接墊P2分別連接於可變電感的相對兩端。
在一些實施例中，如圖14所示，可調變元件12L可包括可變電容和可變電阻，其中第一接墊P1以及第三接墊P3分別連接於可變電容的相對兩端，且第三接墊P3以及第二接墊P2分別連接於可變電阻的相對兩端。
在一些實施例中，如圖15所示，可調變元件12M可包括兩個可變電感，其中第一接墊P1以及第三接墊P3分別連接於其中一個可變電感的相對兩端，且第三接墊P3以及第二接墊P2分別連接於其中另一個可變電感的相對兩端。
在一些實施例中，如圖16所示，可調變元件12N可包括薄膜電晶體和可變電容，其中第一接墊P1以及第三接墊P3分別連接於薄膜電晶體的汲極以及閘極，且薄膜電晶體的源極以及第二接墊P2分別連接於可變電容的相對兩端。在另一些實施例中，可調變元件12N的第一接墊P1以及第三接墊P3可分別連接於薄膜電晶體的源極以及閘極，且薄膜電晶體的汲極以及第二接墊P2可分別連接於可變電容的相對兩端。
在一些實施例中，如圖17所示，可調變元件12O可包括電容、和電容串聯的可變電容以及和可變電容並聯的電感，其中第一接墊P1以及第三接墊P3分別連接於可變電容的相對兩端，且第三接墊P3以及第二接墊P2分別連接於電容的相對兩端。
在一些實施例中，儘管未繪示，可調變元件可包括電容和可變電容，其中第一接墊P1以及第三接墊P3可分別連接於可變電容的相對兩端，且第三接墊P3以及第二接墊P2分別連接於電容的相對兩端。在一些實施例中，儘管未繪示，可調變元件可包括電阻、電感以及可變電容，其中電阻的一端、電感的一端以及可變電容的一端連接在一起，且電阻的另一端、電感的另一端以及可變電容的另一端可分別與第一接墊P1、第二接墊P2及第三接墊P3連接。
在一些實施例中，不同種類的可調或不可調元件(如電阻、電感、電容、薄膜電晶體、μLED、二極體…等)組合可以是積體電路晶片也可是封裝體，可調或不可調元件的端點可與接墊連接或電連接，但不以此為限。舉例來說，當可調變元件包括兩個可變電容且為積體電路晶片，可變電容的端點可與接墊連接，可調變元件的接墊可以是積體電路晶片與金屬圖案或訊號線連接的導電凸塊。另外，當可調變元件包括兩個可變電容且兩個可變電容被封裝成封裝體，可變電容的端點可與接墊連接或電連接，可調變元件的接墊可以是封裝體與金屬圖案或訊號線連接的導電凸塊。
圖18和圖19分別是根據本揭露的多個實施例的可調變元件的局部俯視示意圖。在圖18和圖19中，省略繪示出訊號線13。在一些實施例中，可透過導電圖案(如導電圖案11)傳遞電訊號給可調變元件12；或者，可透過訊號線13(未繪示)傳遞電訊號給可調變元件12；或者，可透過導電圖案(如導電圖案11)傳遞部分電訊號給可調變元件12，且透過訊號線13(未繪示)傳遞部分電訊號給可調變元件12。藉此驅動可調變元件12或改變訊號(如光強度、極化、電磁波方向、波形或射頻的特性等)特性。具體地，物體的電長度定義為物理長度/波長。因此，在不同波長下，就算導電圖案11的間距相同，電長度也會不同。透過訊號線(未繪示)的訊號調變，不同波長的射頻的特性也會不同。
圖18和圖19繪示出可調變元件12的三個接墊(如第一接墊P1、第二接墊P2及第三接墊P3)與周圍的導電圖案(如導電圖案11)或訊號線13(未繪示)的連接方式的兩種組合。
在一些實施例中，可調變元件12的三個接墊不必都與導電圖案連接。此外，三個接墊可與同一導電圖案11或不同導電圖案11連接。如圖18所示，三個接墊中的兩個接墊可與一個導電圖案11連接，且三個接墊中的剩餘一個接墊可與另一個導電圖案11連接；或者，三個接墊可分別與不同的三個導電圖案11連接；或者，三個接墊中的兩個接墊可與兩個相鄰的導電圖案11連接，且三個接墊中的剩餘一個接墊可與未繪示的訊號線連接。如圖19的點鍊線框所示，三個接墊中的兩個接墊可與兩個相鄰的導電圖案11連接，且三個接墊中的剩餘一個接墊可不與導電圖案11連接。
當可調變元件12具有電阻或電感的組成時，可調變元件12不一定要藉由跨接不同導電圖案11來調變訊號特性。在此情況下，如圖19的虛線框所示，三個接墊可與同一導電圖案11連接，且三個接墊可與未繪示的訊號線電連接。綜合以上所述，在本揭露的實施例中，透過可調變元件的三個接墊的設計，有助於增加電路設計的靈活度、增加可調控的射頻參數(如輻射強度、共振頻率或相位等)或調整電磁波的傳遞方向。在一些實施例中，可調變元件可包括可變電容，透過改變施加至可變電容的電壓，可控制射頻電路中的等效電容，使得電磁波的相位和振幅發生相應的變化，進而控制電磁波的方向或提升射頻裝置的指向性。
以上各實施例僅用以說明本揭露的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述各實施例對本揭露進行了詳細的說明，本領域具有通常知識者應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行組合或修改，或者對其中部分或者全部技術特徵進行等同替換；而這些組合、修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本揭露各實施例技術方案的範圍。
雖然本揭露的實施例及其優點已揭露如上，但應該瞭解的是，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作更動、替代與潤飾，且各實施例間的特徵可任意互相混合替換而成其他新實施例。此外，本揭露之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，任何所屬技術領域中具有通常知識者可從本揭露揭示內容中理解現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，只要可以在此處所述實施例中實施大抵相同功能或獲得大抵相同結果皆可根據本揭露使用。因此，本揭露的保護範圍包括上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟。另外，每一請求項構成個別的實施例，且本揭露之保護範圍也包括各個請求項及實施例的組合。本揭露之保護範圍當視隨附之申請專利範圍所界定者為準。
1、1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G、1H:電子裝置 10:基板 11、11-1、11-2、11-3、11-4、11-5、11-6、11-7、PT1、PT2:導電圖案 12、12-1、12-2、12-3、12G、12H、12I、12J、12K、12L、12M、12N、12O:可調變元件 12G1、12G2:變容二極體 13:訊號線 14:第一焊件 15:第二焊件 16:第三焊件 16’:第四焊件 17:隔離層 18:傳輸線 19:導電層 AP:開口 D1:第一方向 D2:第二方向 D3:第三方向 DP1:第一摻雜區 DP2:第二摻雜區 DP3:第三摻雜區 G:間隙 P1:第一接墊 P2:第二接墊 P3:第三接墊 P4、P5、P6、P6’:接墊 P4’:第四接墊 P5’:第五接墊 S:激發源 W:電磁波 A-A’、B-B’:剖線
圖1至圖3分別是根據本揭露的第一實施例至第三實施例的電子裝置的局部俯視示意圖。 圖4A及圖4B分別是根據本揭露的第四實施例的電子裝置的局部俯視示意圖和局部剖面示意圖。 圖5A及圖5B分別是根據本揭露的第五實施例的電子裝置的局部俯視示意圖和局部剖面示意圖。 圖6至圖8分別是根據本揭露的第六實施例至第八實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。 圖9是根據本揭露的一個實施例的可調變元件的局部剖面示意圖。 圖10是根據本揭露的另一個實施例的可調變元件的局部俯視示意圖。 圖11是根據本揭露的第九實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。 圖12至圖17分別是根據本揭露的多個實施例的可調變元件的簡單電路圖。 圖18和圖19分別是根據本揭露的多個實施例的可調變元件的局部俯視示意圖。
1:電子裝置
10:基板
11、11-1、11-2:導電圖案
12、12-1:可調變元件
13:訊號線
D1:第一方向
D2:第二方向
D3:第三方向
G:間隙
P1:第一接墊
P2:第二接墊
P3:第三接墊

Claims (10)

  1. 一種電子裝置，包括： 基板； 多個導電圖案，設置在所述基板上；以及 可調變元件，設置在所述多個導電圖案中的至少一個導電圖案上且包括第一接墊、第二接墊以及第三接墊， 其中所述第一接墊、所述第二接墊以及所述第三接墊彼此分離，所述第一接墊以及所述第二接墊重疊於所述多個導電圖案中的所述至少一個導電圖案，且所述第三接墊設置在所述第一接墊以及所述第二接墊之間。
  2. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一接墊以及所述第二接墊電連接於所述多個導電圖案中的一個導電圖案。
  3. 如請求項2所述的電子裝置，其中所述一個導電圖案具有開口，且所述可調變元件設置成橫越所述開口。
  4. 如請求項2所述的電子裝置，還包括： 第一焊件以及第二焊件，其中所述第一接墊以及所述第二接墊分別透過所述第一焊件以及所述第二焊件直接電連接於所述一個導電圖案。
  5. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一接墊電連接於所述多個導電圖案中的一個導電圖案，且所述第二接墊電連接於所述多個導電圖案中的另一個導電圖案。
  6. 如請求項5所述的電子裝置，其中所述一個導電圖案以及所述另一個導電圖案之間具有間隙，且所述可調變元件設置成橫越所述間隙。
  7. 如請求項5所述的電子裝置，還包括： 第一焊件以及第二焊件，其中所述第一接墊透過所述第一焊件直接電連接於所述一個導電圖案，且所述第二接墊透過所述第二焊件直接電連接於所述另一個導電圖案。
  8. 如請求項1所述的電子裝置，還包括： 傳輸線，設置在所述基板上，且所述基板位於所述傳輸線與所述多個導電圖案之間。
  9. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述多個導電圖案作為傳輸線。
  10. 如請求項9所述的電子裝置，還包括： 導電層，設置在所述基板上，且所述基板位於所述導電層與所述多個導電圖案之間。
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