JP2003249712A

JP2003249712A - 光モジュール

Info

Publication number: JP2003249712A
Application number: JP2002361421A
Authority: JP
Inventors: Hideki Iwaki; 秀樹岩城; Yutaka Taguchi; 豊田口; Tetsuyoshi Ogura; 哲義小掠
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-12-19
Filing date: 2002-12-12
Publication date: 2003-09-05

Abstract

(57)【要約】【課題】高周波特性が良好で、基板上に光素子等が安
定して実装されている光モジュールを提供する。【解決手段】絶縁層１１と、受動素子１０と、絶縁層
１１の表面に形成された端子電極２とを備えた基板３
と、基板３表面において端子電極２に接続された能動素
子１とを備え、受動素子１０は誘電体層９等を有し、端
子電極２の少なくとも１つは受動素子１０に接続され、
能動素子１の少なくとも１つは、基板３の主面において
突起電極７を介して端子電極２にフリップチップ実装さ
れ、基板３の主面と平行な面を投影面とした場合、誘電
体層９等の正射影の面積が基板３の主面の正射影の面積
より小さく、かつ、誘電体層９等は、基板３の主面にフ
リップチップ実装されている能動素子１が有する全ての
突起電極７の投影面に対する正射影が、誘電体層９等の
正射影に含まれるように形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光信号を送受信す
る高周波特性に優れた光モジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、メタリックケーブルや無線などを
用いる通信に代わって、多量の情報を低損失で送ること
ができる光ファイバ通信が実現されている。

【０００３】光ファイバを用いて映像信号を受信する場
合に、受光フロントエンド部には、光受信装置が用いら
れる。光受信装置は、光信号を受けて、その信号に対応
した微少な電流を発生させるフォトダイオード（ＰＤ）
などの受光素子と、発生した微少電流を電流−電圧変換
した上で、後段に接続されるテレビ受像器などに必要な
受信感度にまで、信号を増幅し、復調する素子からな
る。

【０００４】このような映像信号を受信する光受信装置
の扱う信号の周波数帯域は、ＣＡＴＶなどの場合にはチ
ャンネル数の増加につれて高周波側にのび、現在では１
ＧＨｚにまで達しようとしている。

【０００５】従来、光ファイバを使用して多チャンネル
の映像信号を配信するシステムにおける、良好な高周波
特性を有する光通信用装置として、例えば、広帯域にお
いて低歪特性に優れた特性を有する容量素子を、基板に
内蔵した広帯域光受信装置が、特許文献１に開示されて
いる。この広帯域光受信装置は、寄生インダクタンスを
低減するために容量素子を内蔵した多層基板上に半導体
素子をフリップチップ実装することで、半導体素子と容
量素子を短距離で接続できるため、高周波特性に優れて
いる。

【０００６】しかしながら、従来の光通信用のモジュー
ルにおいては、容量素子の容量値を大きくする場合に、
以下のような問題が生じる。

【０００７】図２２は、従来の光通信用のモジュールの
構成を示す断面図である。また、図２３は、他の従来の
光通信用のモジュールの製造工程を示す断面図である。

【０００８】図２２に示す光通信用のモジュールは、多
層基板２０３の表面に形成された端子電極２０２に、バ
ンプ２０７を介して光素子２０１、半導体素子２３１が
フリップチップ実装されている。多層基板２０３内に
は、上側電極２０５と下側電極２０６が、誘電体層２０
９を挟んで構成される容量素子が形成され、上側電極２
０５、下側電極２０６はビア導体２０８を介して端子電
極２０２に導電接続されている。このような構成では、
半導体素子２３１の垂直方向の多層基板２０３内に容量
素子を形成できる。また、誘電体層２０９が、その層の
全面にわたって形成されているため、多層基板２０３表
面の凹凸が無く、安定して多層基板２０３上に光素子２
０１および半導体素子２３１をフリップチップ実装する
ことが可能である。

【０００９】しかし、この容量素子の容量値を大きくす
るため、比誘電率の高い材料を用いて誘電体層２０９を
形成すればよいが、誘電体層２０９が広範囲に広がって
いるため、不要な部分に浮遊容量が発生したり、内部の
配線層において、クロストークが生じるといった問題が
ある。

【００１０】また、誘電体層２０９を広範に形成せず
に、多層基板２０３内の一部の領域にのみ形成した構成
の光通信用のモジュールもある（例えば、特許文献２参
照）。例えば、図２３に示す光通信用のモジュールは、
一部の領域に多層基板２０３の材料とは異なる誘電体層
２０９を形成することで、必要な領域にのみ容量素子を
形成している上、半導体素子２３１と容量素子を短距離
で接続している。

【００１１】しかし、このような構成だと、多層基板２
０３内に誘電体層２０９を形成した箇所が存在するた
め、誘電体層２０９を形成していない箇所とで多層基板
２０３の表面に凹凸が発生する。そのため、図２３
（ａ）の状態から、半導体素子２３１を、多層基板２０
３上にフリップチップ実装する場合に、図２３（ｂ）に
示すように、半導体素子２３１のバンプ２０７と端子電
極２０２の間に間隙が発生し、半導体素子２３１を安定
してフリップチップ実装できない。

【００１２】さらに、図２４に示しているように、表面
に凹凸が生じていると、多層基板２０３の所定の位置に
光素子２０１を実装し、光ファイバ２３０をＶ溝２７１
によって所定の位置に設置するパッシブアライメント法
で位置決めができない。つまり、端子電極２０２ａ、２
０２ｂそれぞれの間に高低差が生じることで、フリップ
チップ実装をした場合に、光素子２０１が傾いて設置さ
れることになり、レーザ出射方向があらかじめ決めた方
向からずれ、あらかじめ決まった位置に配置される光フ
ァイバ２３０と光学的結合が得られなくなるためであ
る。なお、Ｖ溝２７１は台座２６１に設置され、光モジ
ュールは、台座２６１上に接続端子２５１を介して実装
されている。

【００１３】具体的には、端子電極２０２ａと端子電極
２０２ｂとの垂直方向に対する差は、数１０μｍ程度生
じる。例えば、バンプ２０７ａとバンプ２０７ｂとの、
光軸方向の間隔が、２００μｍで、端子電極２０２ａと
端子電極２０２ｂとの垂直方向に対する差が２０μｍな
らば、光素子２０１の出射方向２４１は、光ファイバ２
３０の光軸２４２に対して５．７度ずれる。

【００１４】開口数が０．１の一般的なシングルモード
型の光ファイバ２３０では、光軸２４５に対して、５．
７度以下の範囲で入射する光が結合する。しかし、レー
ザー素子である光素子２０１からの出射光はある程度の
広がり角を持ち、光強度は出射光軸に対してガウス分布
となるため、半値全幅が１５度以上のレーザー素子は、
光ファイバ２３０と光学的に結合することができない。

【００１５】

【特許文献１】特開２００１−３４５４５６号公報

【００１６】

【特許文献２】特開平６−１６４１５０号公報

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる問題
に鑑みてなされたものであって、高周波特性が良好で、
多層基板上に光素子等の能動素子が安定して実装されて
いる光モジュールを提供することを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明の光モジュール
は、絶縁層と、前記絶縁層の内部または表面に設けられ
た受動素子と、前記絶縁層の表面に形成された端子電極
とを備えた基板と、少なくとも光素子を含み、前記基板
表面において前記端子電極に接続された能動素子とを備
え、前記受動素子は、誘電体層、抵抗層、または磁性体
層を有し、前記端子電極の少なくとも１つは、前記受動
素子に接続され、前記能動素子の少なくとも１つは、突
起電極を有し、前記基板の主面において前記突起電極を
介して前記端子電極にフリップチップ実装され、前記基
板の主面と平行な面を投影面とした場合、前記誘電体
層、前記抵抗層または前記磁性体層の正射影の面積が前
記基板の主面の正射影の面積より小さく、かつ、前記誘
電体層、前記抵抗層または前記磁性体層は、前記基板の
主面にフリップチップ実装されている前記能動素子が有
する全ての前記突起電極の前記投影面に対する正射影
が、前記誘電体層、前記抵抗層または前記磁性体層の正
射影に含まれるように形成されている。なお、主面と
は、基板の表面であって最も広い面をいう。

【００１９】それにより、各端子電極の各突起電極が接
続される箇所の凹凸の発生を防止する。そのため、基板
に能動素子を安定してフリップチップ実装できる。ま
た、基板主面に形成された能動素子と基板内部の受動素
子を短距離で接続できるので、寄生インダクタンスを低
減でき、高周波特性が優れている。特に、光素子に入射
もしくは光素子から出射する光信号と電気信号との変換
時の周波数特性において、変換利得が半減する遮断周波
数を高周波化して帯域を広げることができる。

【００２０】また、前記フリップチップ実装された能動
素子が、前記基板の片側主面のみに存在するようにして
もよい。

【００２１】また、前記フリップチップ実装された能動
素子が、前記基板の両側主面に存在するようにしてもよ
い。

【００２２】また、前記基板の端面に、端子電極および
この端子電極にフリップチップ実装された能動素子をさ
らに備えるようにしてもよい。

【００２３】また、好ましくは、前記基板の主面にフリ
ップチップ実装された光素子の前記突起電極と前記端子
電極との接する領域の中心と、前記誘電体層、前記抵抗
層または前記磁性体層の表面との距離と、前記突起電極
と前記端子電極との接する領域の中心を通る垂線と、前
記誘電体層、前記抵抗層または前記磁性体層の表面との
交点から最も離れた、前記誘電体層、前記抵抗層または
前記磁性体層の端部までの距離との和が、前記光素子で
処理される電気信号の１／２波長の距離よりも小さい。
それにより、前記誘電体層、前記抵抗層または前記磁性
体層で形成された容量素子が機能しなくなることを防ぐ
ことができる。

【００２４】また、好ましくは、前記誘電体層、前記抵
抗層または前記磁性体層は、前記基板の主面に形成され
た前記一つまたは複数の端子電極ごとに独立して形成さ
れている。それにより、各前記誘電体層、前記抵抗層ま
たは前記磁性体層を小型化することができるためコスト
ダウンが可能となる。

【００２５】また、前記能動素子は、半導体素子を含ん
でいてもよい。

【００２６】また、好ましくは、前記基板の主面に設置
されている前記半導体素子が有する全ての前記突起電極
の前記投影面に対する正射影が形成されていない領域内
において、前記誘電体層、前記抵抗層または前記磁性体
層が形成されない領域が存在する。それにより、基板表
面の半導体素子用の端子電極と、基板に内蔵された受動
素子との間の電気配線の自由度を向上させることができ
る。

【００２７】また、好ましくは、前記誘電体層、前記抵
抗層または前記磁性体層が形成されていない領域に、ビ
ア導体が形成されている構造とする。それにより、前記
ビア導体を熱伝導率の高い材料で構成し、前記半導体素
子の直下に配置することができるため、半導体素子の熱
を効率よく放熱することができる。

【００２８】また、好ましくは、前記受動素子は、前記
誘電体層、前記抵抗層または前記磁性体層を挟んで形成
された一対の受動素子用電極を備え、前記受動素子用電
極は、前記端子電極の垂直方向の位置に形成され、面内
において複数に分割されているそれにより、能動態素子
の各端子毎に異なる電圧値とすることができ、各端子毎
に任意の容量値のバイパスコンデンサを設けることがで
きる。そのため、半導体素子の高周波特性をさらに良好
にすることができる。

【００２９】また、好ましくは、光を導波させる光導波
路と、前記光導波路を固定する溝を有する台座を備えて
いる。それにより、光を前記光導波路を用いて、伝達す
ることができ、さらに、前記光導波路と前記光素子との
位置合わせが容易にできる。

【００３０】また、前記溝は、前記光導波路の光軸が前
記基板の主面に対して略平行になるように前記光導波路
を固定するようにしてもよい。

【００３１】また、前記溝は、前記光導波路の光軸が前
記基板の主面に対して略垂直になるように前記光導波路
を固定するようにしてもよい。

【００３２】また、好ましくは、光を導波させる光導波
路と、前記光導波路を固定する溝とを備え、前記溝は前
記基板上に形成され、前記光導波路の光軸が前記基板の
主面に対して略平行になるように前記光導波路を固定す
る。それにより、台座を用意する必要がなく、コストダ
ウンが実現できる。

【００３３】また、前記誘電体層、前記抵抗層または前
記磁性体層は、前記基板の表面に形成されるようにして
もよい。

【００３４】また、好ましくは、前記能動素子は、光素
子と半導体素子とを含み、前記光素子は、前記基板の一
方の主面の前記端子電極にフリップチップ実装され、前
記半導体素子は、前記基板の他方の主面の前記端子電極
にフリップチップ実装されている。それにより、光素子
の光結合部と、半導体素子の放熱部が空間的に離れてい
るため、放熱効率が高い。

【００３５】また、好ましくは、前記半導体素子の周囲
に無機質フィラーと熱硬化性樹脂組成物を含む混合物が
充填されている。それにより、熱伝導率が高く、放熱効
率が高い。

【００３６】さらに、前記無機質フィラーは、アルミ
ナ、窒化アルミ、窒化ケイ素、ベリリア（ＢｅＯ）、シ
リカのうち少なくとも１つを含むようにすればよい。

【００３７】また、前記受動素子が複数形成されていて
もよい。

【００３８】また、前記光素子は、受光素子または発光
素子としてもよい。

【００３９】また、前記光素子は受光素子であり、前記
半導体素子は前記受光素子の信号を増幅する増幅素子と
してもよい。

【００４０】また、前記受光素子は裏面入射型のフォト
ダイオードであり、前記半導体素子はトランスインピー
ダンス型の広帯域増幅器としてもよい。

【００４１】また、前記光素子は発光素子とし、前記半
導体素子は前記発光素子を駆動する駆動素子としてもよ
い。

【００４２】また、前記発光素子は端面出射型のレーザ
ダイオードもしくは、表面出射型のレーザダイオードの
いずれかであり、前記半導体素子はレーザ駆動用素子で
としてもよい。

【００４３】また、前記基板を形成する前記絶縁層は無
機材料の焼結体を主体とする低温焼結性ガラスセラミッ
クスであり、前記受動素子を形成する前記誘電体層は鉛
系ペロブスカイト型化合物を主体としてもよい。

【００４４】また、前記基板を形成する前記絶縁層は無
機材料の焼結体を主体とする低温焼結性ガラスセラミッ
クスであり、前記受動素子を形成する前記抵抗層はＲｕ
Ｏ₂を主体としてもよい。

【００４５】また、好ましくは、前記能動素子は、光素
子と半導体素子とを含み、前記光素子は、前記基板の端
面に形成された前記端子電極にフリップチップ実装さ
れ、前記半導体素子は、前記基板の主面に形成された前
記端子電極にフリップチップ実装されている。それによ
り、光素子や半導体素子と基板内の受動素子間を短距離
で接続することができるため、高周波特性に優れ、光フ
ァイバと光モジュール内の光素子との光学的接続を容易
に行うことができる。

【００４６】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）本発明の実施の
形態１にかかる光モジュールについて、図を用いて説明
する。図１は、光モジュールの断面図である。

【００４７】図１に示すように実施の形態１の光モジュ
ールは、受動素子１０を内蔵している多層基板３の表面
に、光素子１が設置された構成である。受動素子１０
は、第１受動素子用電極５と第２受動素子用電極６が受
動素子用誘電体９を上下から挟んだ状態で構成される。
受動素子用誘電体９は、多層基板３の絶縁層１１を構成
する絶縁材料とは異なる材料で形成される。なお、多層
基板３は、絶縁層１１の内部に受動素子１０およびビア
導体８が形成され、絶縁層１１の表面に端子電極２が形
成されて構成されている。絶縁層１１は、例えば、無機
材料の焼結体を主体とする低温焼結性ガラスセラミック
である。

【００４８】光素子１が、例えば、端面入射のフォトダ
イオードまたは端面出射のレーザダイオードの場合は、
光素子１の端面側に光ファイバ３０が配置され、光素子
１と光ファイバ３０が光学的に結合される。また、例え
ば、光素子１が、例えば、表面もしくは裏面入射のフォ
トダイオードまたは面発光タイプのレーザダイオードの
場合は、図示していないが、光素子１の上面方向に光フ
ァイバ３０が配置されて、光素子１と光ファイバ３０が
光学的に結合される。

【００４９】光素子１は、突起電極であるバンプ７を介
して、多層基板３の表面に形成された端子電極２にフリ
ップチップ接続されている。受動素子１０は、ビア導体
８および端子電極２を介して光素子１と接続されてい
る。多層基板３の表面と平行な面を投影面とした場合、
受動素子用誘電体９の正射影の面積が多層基板３の表面
の正射影の面積より小さく、かつ、受動素子用誘電体９
は多層基板３の表面にフリップチップ実装されている光
素子１の全てのバンプ７の投影面に対する正射影が、受
動素子用誘電体９の正射影に含まれるように形成されて
いる。つまり、受動素子用誘電体９は、光素子１の全て
のバンプ７の下方鉛直方向に当たる領域には少なくとも
形成されていて、かつ、多層基板３の全面に広がらずに
部分的に形成されている。

【００５０】それにより、受動素子用誘電体９が形成さ
れている領域における多層基板３の表面の凹凸は少ない
ため、光素子１のバンプ７を形成する領域における多層
基板３の表面の凹凸は小さい。したがって、各端子電極
２に接続される各バンプ７を形成する箇所の高低差は少
なく、光素子１を、端子電極２に安定して接続すること
ができる。また、受動素子１０の高周波特性も良好であ
る。

【００５１】さらに、図３（ａ）および図３（ｂ）に示
すように、端子電極２とバンプ７との接する領域の中心
と、受動素子用誘電体９との距離ａと、端子電極２とバ
ンプ７との接する領域の中心からの垂線が受動素子用誘
電体９と交わる箇所から、受動素子用誘電体９の最も遠
い端部までの距離ｂとの和が、光素子１で処理される電
気信号の１／２波長の距離よりも小さいことが好まし
い。距離ａは、端子電極２と接するバンプ７の領域２７
の中心から受動素子用誘電体９までの距離である。距離
ｂは領域２７の中心からの垂線と、受動素子用誘電体９
とが接する点２８から最も離れた受動素子用誘電体９の
端部までの距離である。距離ａと距離ｂとの和ａ＋ｂ
が、光素子１で処理される電気信号の波長の１／２以上
である場合には、受動素子１０は容量素子として機能し
なくなる。したがって受動素子１０が容量素子として機
能するためには、距離ａ＋ｂが電気信号の波長の１／２
未満であることが好ましい。なお、距離ａ＋ｂが、電気
信号の波長の１／２未満で１／４よりも大きい場合は、
誘導性を有する場合もあるが、距離ａ＋ｂが光素子１に
処理される電気信号の波長の１／４以下である場合は、
受動素子は必ず容量性となる。

【００５２】電気信号の速度（３×１０¹¹（ｍｍ／ｓｅ
ｃ））を比誘電率の平方根で割り、さらに周波数で割っ
たものを１／２にすることで、電気信号の波長の１／２
が得られる。例えば、一秒間に１０ギガビットの電気信
号を処理する光素子１の場合、信号の最高周波数は５Ｇ
Ｈｚである。多層基板３の絶縁層１１は、比誘電率が７
のガラスセラミックス複合材料である場合は、電気信号
の波長の１／２は１１．３ｍｍとなる。したがって、距
離ａ＋ｂは１１．３ｍｍ未満が好ましい。なお、電気信
号の周波数は、５ＧＨｚ以外の成分も存在するので、基
本処理速度の信号の周波数を基準にすることが好まし
い。

【００５３】各部材について、具体的に説明する。受動
素子用誘電体９の比誘電率は多層基板３の絶縁層１１の
比誘電率よりも高いものが用いられる。

【００５４】大きな比誘電率を有する誘電体材料として
は、鉛を含む複合ペロブスカイト化合物材料系やチタン
酸バリウム系材料などが用いられる。特に大きな比誘電
率を有し、かつ焼結温度が比較的低温であることから鉛
を含む複合ペロブスカイト化合物材料系を使用すること
が好ましい。鉛系複合ぺロブスカイト化合物は、例え
ば、Ｐｂ（Ｂ１Ｂ２）Ｏ₃で表される化合物およびこれ
らの化合物を組み合わせたものである。ただし、Ｂ１は
Ｃｏ、Ｍｇ、ＭｎまたはＮｉであり、Ｂ２はＮｂ、Ｔａ
またはＷである。鉛系複合ぺロブスカイト化合物とし
て、例えば、Ｐｂ（Ｍｇ_1/3Ｎｂ_2/3)Ｏ₃−Ｐｂ（Ｎｉ
_1/2Ｗ_1/2）Ｏ₃−ＰｂＴｉＯ₃などが挙げられる。また、
受動素子用誘電体９の層厚は、特に限定するものではな
いが、通常、５〜５０μｍ程度である。

【００５５】また、多層基板３の絶縁層１１には、例え
ば、アルミナに代表されるセラミックス材料や、ガラス
セラミックス複合材料等を用いることができる。特に、
焼結温度が比較的低く、銅や銀等の低融点の金属を導体
として使用できることから、ガラスセラミックス複合材
料を使用することが好ましい。ガラスセラミックス複合
材料を構成するガラス成分としては、酸化鉛、酸化亜
鉛、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物など
を含有するほう珪酸塩ガラスおよびほう珪酸ガラスなど
の結晶質ガラスなどがあげられる。なお、ガラスセラミ
ックス複合材料における各成分の組成比は、複合材料の
焼結温度、比誘電率および機械的強度等を考慮して適宜
調整することができる。絶縁層１１の層厚は特に限定す
るものではないが、通常３０〜３００μｍ程度である。

【００５６】光素子１としては、例えば、フォトダイオ
ード等の受光素子を用いることができる。特に、高周波
領域での動作が可能なＰＩＮフォトダイオードやアバラ
ンシェフォトダイオードを使用することが好ましい。光
素子１に受光素子を用いた場合、受光素子への電圧印加
用端子を高周波的に接地する必要があるために、多層基
板３内に内蔵する受動素子１０としては、容量素子を使
用することが好ましい。この場合、電圧印加用端子に付
随する寄生インダクタンスを小さくできる。これによ
り、受光素子の電圧印加用端子は高周波帯において理想
的に接地状態となるため、受光素子で受光する光信号か
ら電気信号への変換利得が半減する周波数を高周波化す
ることができる。

【００５７】次に、実施の形態１の光モジュールの製造
方法について図２を用いて説明する。図２は光モジュー
ルの製造工程を示す断面図である。図２（ａ）に示すよ
うに、絶縁層１１は、第１シート状絶縁体１１ａと第２
シート状絶縁体１１ｂとが積層されて形成される。第１
シート状絶縁体１１ａは、少なくとも片面に第２受動素
子用電極６が形成され、容量素子を形成するために、さ
らに、受動素子用誘電体９の層が形成される。受動素子
用誘電体９は、例えば、鉛系ペロブスカイト化合物の原
料粉体に有機バインダをボールミルや３本ロールなどの
慣用の混練機を使用して混合したスラリーを作製し、第
２受動素子用電極６が形成されたシート状絶縁体１１ａ
上に印刷法によりパターニングすることで形成される。

【００５８】一方、第２シート状絶縁体１１ｂは、例え
ば、ガラスとアルミナを主成分とする低温焼成基板材料
よりなるグリーンシート（日本電気硝子製ＭＬＳ−１０
００２２０μｍ厚み）である。これに、ビア導体８形成
のためにパンチャにより０．２ｍｍφの穴加工を行い貫
通孔を形成し、この貫通孔に銀粉体を主成分とする導電
性ペーストを印刷法により充填し、片面に端子電極２を
含む配線パターンを、他面に第１受動素子用電極５を同
様の導電性ペーストで印刷する。

【００５９】多層基板３は、第１シート状絶縁体１１ａ
の受動素子用誘電体９を、第１、第２受動素子用電極
５、６で挟み込むように第２シート状絶縁体１１ｂを積
層したものを、例えば７０℃の温度で４．９ＭＰａの圧
力で積層し、さらに８５０℃〜９５０℃で０．１〜１０
時間の範囲の設定された条件で焼成することで作製され
る。なお、第１シート状絶縁体１１ａにも、必要に応じ
て、ビア導体８を形成しておく。

【００６０】受動素子１０を内蔵した多層基板３上に光
素子をフリップチップ実装する方法は、例えば、次のよ
うな方法である。図２（ｂ）に示すように、光素子１の
端子電極上にワイヤボンディング法またはめっき法によ
ってＡｕ等からなる突起電極のバンプ７を形成し、多層
基板３の端子電極２とバンプ７が当接するように位置合
わせを行い、加圧と超音波により光素子１と多層基板３
とを電気的に接続する。

【００６１】他の実装方法として、光素子１のバンプ７
を金、銀または銀―パラジウム合金のフレーク状の粒子
が樹脂中に分散された導電性接着剤を介して端子電極２
に接続してもよい。このとき、バンプ７に導電性接着剤
を転写した後、多層基板３の端子電極２に導電性接着剤
が当接するように位置合わせを行い、導電性接着剤を硬
化させることにより、光素子１と多層基板３との電気的
接続を実現してもよい。バンプ７としては、貴金属によ
るもの以外に半田による電極形成も可能であり、熱処理
による半田の溶融を利用してもよい。

【００６２】また、半田による突起電極のバンプ７形成
と導電性接着剤の併用も可能である。併用による方法で
は、バンプ７の高さにばらつきがある場合でも、高さの
低いバンプ７が形成された端子が形成されても、導電性
接着剤がバンプ７と端子電極２間の距離のばらつきを吸
収する働きをして安定した実装が可能となる。通常、導
電性接着剤の厚さは１０μｍ程度あるため、これよりも
バンプ７の高さのばらつき量が小さい場合は接続不良な
く安定して接続を行うことができるが、多層基板３表面
の凹凸が１０μｍ以上の場合は安定して接続することが
困難である。

【００６３】また、光素子１と端子電極２との接続を補
強するために、光素子１と多層基板３との間に形成され
る隙間空間を液状の樹脂組成物で封止し硬化してもよ
い。この樹脂組成物はエポキシ系の樹脂とシリカなどの
フィラーとを含み、フィラーは樹脂組成物内に均一に分
散されているものである。

【００６４】次に、光ファイバ３０と光素子１との位置
合わせについて説明する。光ファイバ３０と光素子１と
の位置合わせには、アライメントマーク等を用いてあら
かじめ決まった所定の位置に、お互いを設置することで
位置決めがなされるパッシブアライメント法を用いれば
よい。図４は、実施の形態１にかかる光モジュールの実
装体の断面図である。図１で示した光モジュールが、光
ファイバ固定用溝７１が設けられた台座６１に接続端子
５１を介して実装されている。光ファイバ固定用溝７１
には、光ファイバ３０がはまり込み固定される。

【００６５】例えば、半田もしくは導電性樹脂等を用い
たランドグリッドアレーもしくはボールグリッドアレー
により、加熱等によって複数の接続端子５１の一括接続
が可能である。このとき台座６１および多層基板３等に
複数のアライメントマークを設けておき、位置合わせを
行なう。光ファイバと光素子１が光学的に結合するよう
に、特に、接続端子５１が設置される台座６１の上面に
対して垂直な軸を回転軸とする回転方向で、多層基板３
の回転角を調整するようにする。

【００６６】光ファイバ固定用溝７１に光ファイバ３０
を設置することで、光ファイバ３０は定位置に固定され
る。したがって、あらかじめ、光素子１と光ファイバ３
０との位置を考慮して設計することにより、光ファイバ
３０を光ファイバ固定用溝７１に設置するだけで、実装
された光素子１と光ファイバ３０とが光学的に結合する
ため、位置合わせが容易であり、歩留まりが高く製造す
ることができる。

【００６７】上述したように、光素子１は多層基板３に
安定して実装されるため、光素子１の光軸方向が所定の
方向からずれることはない。また、光素子１に設けられ
たアライメントマークと台座６１に設けられたアライメ
ントマークの位置を検出して、両者の相対的な位置を調
整することで、光素子１と台座６１とは所定の配置とな
る。それにより、光素子１と光ファイバ３０とを光学的
に高精度に結合させることができる。このように、高精
度に光結合している光素子１と光ファイバ３０を有する
光モジュールを容易に、安定して製造することができ
る。

【００６８】光素子１を多層基板３に実装する場合にお
いても、光素子１および多層基板３にアライメントマー
クを設けることで光素子１を所定の位置に実装すること
ができる。例えば、多層基板３側に設けたアライメント
マークは、通常の照明で認識することはできないが、光
素子１を透過する赤外線で認識は可能である。

【００６９】また、光ファイバ３０の端面にアライメン
トマークを設けて、光素子１に設けられたアライメント
マークとの位置を調整することで、光素子１を所定の位
置に実装することも可能である。

【００７０】台座６１は、例えば、シリコンで構成する
ことができ、台座６１にエッチング等により略Ｖ字形状
の光ファイバ固定用溝７１を形成すればよい。図５は、
光ファイバ固定用溝の形状を示す断面図である。図５に
示しているように、光ファイバ固定用溝７１の断面はＶ
字形状ではなく、底部に近づくにつれ横幅が小さくなる
台形形状であってもよい。このように、台形形状とする
ことにより、光ファイバ固定用溝７１に固定する際に、
光ファイバ固定用溝７１の底面部７２と光ファイバ３０
までの距離が、Ｖ字形状に比べて短くなり、光ファイバ
固定用溝７１と光ファイバ３０で囲まれる空間７３の容
積も小さくなる。そのため、光ファイバ３０を接着剤を
用いて、光ファイバ固定用溝７１に固定する場合に、接
着剤の量が少なくても、安定して光ファイバ３０を固定
することができる。光ファイバ３０と、光ファイバ固定
用溝７１の側面部７４は接している方が安定度が高くな
り望ましいが、間に接着剤を介した状態であっても十分
安定している。

【００７１】図６は、実施の形態１にかかる光モジュー
ルの実装体の平面図である。なお、図６において、第1
受動素子用電極５は省略している。図に示しているよう
に、受動素子用誘電体９は、一体ではなく分割されてい
て、端子電極２と同一の数とし、各端子電極２と各受動
素子用誘電体９とが接続される構造とすると好ましい。
このようにすることで、受動素子用誘電体９を小さくす
ることができ、高周波特性を良好にすることができる。
なお、受動素子用誘電体９は、多くとも端子電極２と同
数であればよく、それ以下であればよい。受動素子用誘
電体９が少なくとも１つの端子電極２と接続されていれ
ばよい。なお、このときにも、上述したように、距離ａ
＋ｂが電気信号の波長の１／２未満とすることが好まし
い。

【００７２】また、図７に示しているように、光ファイ
バ固定用溝７１が設けられた台座６１を用いずに、多層
基板３に直接光ファイバ固定用溝７１を形成して、光フ
ァイバ３０を固定してもよい。この場合は、絶縁層１１
がグリーンシートの段階で、突起状の金型によるプレス
成型等で、光ファイバ固定用溝７１に対応する部分を形
成してもよいし、もしくは積層後にプレス成型して光フ
ァイバ固定用溝７１を形成後に焼成してもよい。

【００７３】例えば、多層基板３に設ける溝は、光ファ
イバ固定用溝７１だけでなく、光導波路を形成する溝を
形成してもよく、その場合には光ファイバ３０の代わり
にその溝に光導波路を形成し、光導波路と光素子１とが
結合するようにする。

【００７４】以上のように、実施の形態１の光モジュー
ルによれば、受動素子１０を構成する受動素子用誘電体
９が、光素子１のバンプ７の直下に当たる領域に少なく
とも、形成されていて、かつ、多層基板３の全面に広が
らず部分的に形成されるようにしたので、光素子１をフ
リップチップ実装するための端子電極２が形成されてい
る多層基板３表面に凹凸が生じない。それにより、多層
基板３に光素子１を安定してフリップチップ接続するこ
とができるため、パッシブアライメント法を用いること
ができ、歩留まりをよくすることができる。また、受動
素子１０の高周波特性は良好である。

【００７５】また、端子電極２の直下に接して容量素子
となる受動素子１０が形成されるので、端子電極２から
短距離の位置において多層基板３内に容量素子が形成さ
れる。それにより、寄生インダクタンスを小さくできた
め、高周波特性に優れている。

【００７６】特に、光素子１に入射もしくは光素子１か
ら出射する光信号と電気信号との変換時の周波数特性に
おいて、高周波領域において変換利得が半減する遮断周
波数が高周波化する光モジュールを実現することができ
る。

【００７７】なお、実施の形態１では、多層基板３に内
蔵される受動素子１０が容量素子である場合を示した
が、これに限定されるものではなく、例えば、内蔵させ
る受動素子１０は、インダクタまたは抵抗素子としても
よい。内蔵される受動素子１０をインダクタとするに
は、受動素子用誘電体９の代わりに磁性体を用い、第
１、第２受動素子用電極５、６の位置および形状を変え
るだけでよく、容易に実現できる。

【００７８】磁性体としては、特に限定するものではな
く、従来からインダクタ用磁性体として知られているも
のを、焼結温度、透磁率、磁気損失、温度特性などに応
じて適宜選択すればよい。例えば、ＮｉＺｎＣｕ系、Ｎ
ｉＺｎ系、ＭｎＺｎ系、ＭｇＺｎ系等のスピネルフェラ
イトやガーネットフェライトなどが挙げられる。特に、
電気抵抗率が大きく、焼結温度が比較的低温であること
から、ＮｉＺｎＣｕ系スピネルフェライトが有用であ
る。また、第１、第２受動素子用電極５、６は、容量素
子の場合と同様の材料を使用することができ、その形状
は、線状、スパイラル状、ミアンダ状など用途に応じて
選択すればよい。

【００７９】また、光素子１は、受光素子としたが、例
えば、発光素子や、変調素子としてもよい。光素子１の
種類によって、電極の位置，形状及び内蔵する受動素子
の機能は異なる。発光素子としては、例えば、レーザダ
イオード等が好ましい。特に、高周波領域での動作が可
能な電界吸収型変調器を搭載したレーザダイオードが有
用である。

【００８０】（実施の形態２）本発明の実施の形態２に
かかる光モジュールについて図８を用いて説明する。図
８は光モジュールの断面図である。

【００８１】実施の形態２の光モジュールは、多層基板
３表面の一部の領域に受動素子１２が形成された構成を
有する。

【００８２】図８に示すように、多層基板３の表面に受
動素子１２が設けられている。受動素子１２は、端子電
極２と第２受動素子用電極６ａ、６ｂと受動素子用誘電
体９から構成されている。多層基板３上に形成された受
動素子用誘電体９の上面には、端子電極２が被着して形
成されている。端子電極２は、バンプ７を介して光素子
１と接続される電極であるが、受動素子１２の電極の役
割を兼用しており、実施の形態１の第１受動素子用電極
５の代りでもある。受動素子用誘電体９は、光素子１の
バンプ７の下方鉛直方向に当たる領域には少なくとも形
成されていて、かつ、全面に広がらずに部分的に形成さ
れているため、各端子電極２同士で凹凸が発生すること
はない。

【００８３】第２受動素子用電極６ａ、６ｂは、受動素
子用誘電体９の端部と接続するように多層基板３上に形
成されている。その内、第２受動素子用電極６ａと一部
の端子電極２とは、直接接続されている。また、端子電
極２と接続されていない第２受動素子用電極６ｂは、受
動素子用誘電体９上の少なくとも一部を覆うように形成
されている。

【００８４】光素子１は、バンプ７を介して端子電極２
にフリップチップ接続され、光ファイバ３０は、光素子
１と光学的に結合されるように配置されている。

【００８５】次に、実施の形態２の光モジュールの製造
方法について説明する。アルミナやガラスセラミック複
合材料等を絶縁層とする多層基板３上に、受動素子用誘
電体９としてガラス成分を含有した抵抗体ペーストを印
刷法などにより所定の領域に塗布し、乾燥後焼成を行
う。抵抗体ペーストは、例えば、ＲｕＯ₂を主体とする
ルテニウム系サーメット抵抗ペーストなどを用いる。次
に、受動素子用誘電体９の一部を被覆又は重なるよう
に、導体ペーストを印刷法などにより所定の領域に塗布
し、乾燥後焼成を行うことで、端子電極２および第２受
動素子電極６ａ、６ｂを形成する。導体ペーストは、例
えば、銀粉末とガラス成分を含有するものとする。

【００８６】さらに、受動素子１２が形成された多層基
板３上に光素子１が、実施の形態１と同様に、フリップ
チップ実装される。

【００８７】以上のように、実施の形態２の光モジュー
ルによれば、各端子電極２同士で、凹凸が発生していな
いので、多層基板３に光素子１を安定してフリップチッ
プ接続することができる。したがって、歩留まりの高い
光モジュール得ることができる。

【００８８】また、端子電極２に接して、抵抗素子とな
る受動素子１２が形成されるので、受動素子１２を多層
基板３の内部に設ける場合に比べてさらに光素子１と受
動素子１２を、さらに短い配線で接続することができ
る。そのため、光素子１と受動素子１２間の寄生インダ
クタンスを小さくでき、高周波特性に優れる。特に、光
素子１から出射する光信号と電気信号との変換時の周波
数特性において、高周波領域において変換利得が半減す
る遮断周波数が高周波化する光モジュールを実現するこ
とができる。

【００８９】具体的には、内蔵抵抗値が４５Ωの抵抗素
子を形成したセラミック基板に、直接変調型のレーザダ
イオードを実装した場合、遮断周波数が１３ＧＨｚまで
平坦な群遅延特性を得ることができた。

【００９０】図９は、光モジュールの電気−光信号変換
特性の周波数特性を示す図である。横軸は周波数、縦軸
は電気−光変換利得であって、Ａが、実施の形態２の光
モジュールにおける特性、Ｂが従来の光モジュールにお
ける特性を示す。いわゆる遮断周波数は、電気−光変換
利得が−３ｄＢとなる周波数である。図９中では、実施
の形態２の光モジュールの遮断周波数はｆ１で、従来の
光モジュールの遮断周波数はｆ２で表わされていて、ｆ
１は１３ＧＨｚ、ｆ２は１２ＧＨｚであった。つまり、
実施の形態２では、従来の構成に比べて遮断周波数が高
周波化されて帯域が広くなっていることがわかる。

【００９１】また、いわゆる緩和共振周波数は、電気−
光変換利得がピークとなる周波数である。図９中では、
実施の形態２の光モジュールの緩和共振周波数はｆ３
で、従来の光モジュールの緩和共振周波数はｆ４で表わ
されていて、そのときの電気−光変換利得をそれぞれ、
Ｐ１、Ｐ２で表わす。図９より、実施の形態２の電気−
光変換利得のピークＰ１に比べて、従来の電気−光変換
利得のピークＰ２の方が大きいことがわかる。電気−光
変換利得の変化は、群遅延特性と相関関係があり、電気
−光変換利得の変化が少ない方が、群遅延特性は良好と
なる。つまり、電気−光変換利得のピークが小さいほど
群遅延特性は良好といえる。したがって、実施の形態２
では、従来の構成に比べて群遅延特性が良好である。

【００９２】なお、実施の形態２では、光素子１として
発光素子を、内蔵される受動素子１２を抵抗素子とした
が、これに限定されるものではなく、例えば、光素子１
として受光素子を用い、受動素子１２として容量素子を
用いてもよい。

【００９３】（実施の形態３）実施の形態３にかかる光
モジュールについて、図１０を用いて説明する。図１０
は実施の形態３にかかる光モジュールの構成を示す断面
図である。

【００９４】実施の形態３の光モジュールは、多層基板
３の内部に受動素子１０が内蔵され、表面に能動素子で
ある光素子１および半導体素子３１が設置された構成で
ある。受動素子１０は、第１受動素子用電極５と第２受
動素子用電極６が受動素子用誘電体９を上下から挟んだ
状態で構成される。受動素子用誘電体９は、多層基板３
の絶縁層１１を構成する絶縁材料とは異なる材料で形成
される。

【００９５】光素子１および半導体素子３１は、能動面
を多層基板３側に向けた状態でバンプ７を介して多層基
板３にフリップチップ接続されている。受動素子１０
は、ビア導体８および多層基板３の表面に形成された端
子電極２を介して、光素子１および半導体素子３１に接
続されている。光素子１と半導体素子３１は隣接して配
置されていて、受動素子用誘電体９は、光素子１および
半導体素子３１のそれぞれのバンプ７の下方鉛直方向に
当たる領域には少なくとも形成されていて、かつ、全面
に広がらずに部分的に形成されている。つまり、光素子
１および半導体素子３１の直下に当たる付近に受動素子
用誘電体９が形成されている。そのため、面内の凹凸が
光素子１および半導体素子３１が搭載されていない領域
に比べて小さい。したがって、光素子１および半導体素
子３１が搭載される領域の各端子電極２の高低差は少な
く、光素子１を、端子電極２に安定して接続することが
できる。

【００９６】光素子１は、例えば、光信号を電気信号に
変換するフォトダイオード等の受光素子や電気信号を光
信号に変換するレーザダイオード等の発光素子である。
半導体素子３１は光素子１からの信号を増幅する機能又
は光素子１を駆動する機能を有し、例えば、光素子１が
フォトダイオード等の受光素子の場合、半導体素子３１
はフォトダイオードからの電気信号を増幅する広帯域の
トランスインピーダンス型の増幅器を用いることができ
る。また、光素子１が発光素子の場合、発光素子を駆動
する広帯域の駆動素子を用いることができる。

【００９７】受動素子用誘電体９は、多層基板３の絶縁
層１１の比誘電率よりも大きな比誘電率の材料を用いた
場合には、受動素子１０は容量素子となり、多層基板３
の絶縁層の導電率よりも大きな導電率の抵抗体を材料と
して用いた場合には、受動素子１０は抵抗素子となる。

【００９８】また、光素子１と半導体素子３１は隣接し
て配置されていて、受動素子用誘電体９は必要部分のみ
に形成されている。これにより、不要な部分に受動素子
用誘電体９が形成されていないため、内部の配線層にお
いて、クロストークや不要な箇所における浮遊容量を抑
制できる。また、光素子１がレーザダイオード等の発光
素子で半導体素子３１がレーザダイオードを駆動する素
子の場合や、光素子１がフォトダイオード等の受光素子
で半導体素子３１がフォトダイオードからの電気信号を
増幅する増幅素子の場合、遮断周波数を高周波化して帯
域を広げることができる。

【００９９】（実施の形態４）本発明の実施の形態４に
かかる光モジュールについて図面を用いて説明する。図
１１は光モジュールの断面図であり、図１２は平面図で
ある。

【０１００】実施の形態４の光モジュールは、図９に示
す実施の形態３の光モジュールと同様に、受動素子用誘
電体９は、光素子１および半導体素子３１のそれぞれの
バンプ７の下方鉛直方向に当たる領域には少なくとも形
成されていて、かつ、全面に広がらずに部分的に形成さ
れている。つまり、光素子１および半導体素子３１の直
下に当たる付近にのみ受動素子用誘電体９が形成されて
いる。それにより、その箇所の多層基板３表面の面内の
凹凸が小さく、光素子１と半導体素子３１を安定してフ
リップチップ接続することができる。そのため、歩留ま
りの高い光モジュールを得ることができる。また、高周
波特性は良好である。

【０１０１】図１１、図１２に示すように、半導体素子
３１のバンプ７の直下以外には、受動素子用誘電体９が
形成されていない領域１４がある。この領域１４を用い
ることで、受動素子１０の形成に制限されることなく自
由度の高い配線を行うことができる。また、不要な部分
に受動素子用誘電体９を形成する必要がないため、多層
基板３内部の配線層において、クロストークや不要な箇
所における浮遊容量を抑制でき、遮断周波数を高周波化
して帯域を広げることができる。この構造では、光素子
１がレーザダイオード等の発光素子で半導体素子３１が
レーザダイオードを駆動する素子の場合に、熱伝導率の
高い材料で充填されたビア導体８を、受動素子用誘電体
９が形成されていない領域１４に配置することが好まし
い。それにより、駆動素子の熱を効率よく放熱すること
ができる。

【０１０２】（実施の形態５）本発明の実施の形態５に
かかる光モジュールについて、図を用いて説明する。図
１３は断面図であって、図１４は、製造工程を示す断面
図である。なお、図１３と図１４の光モジュールでは、
上下が反転している。

【０１０３】実施の形態５の光モジュールは、受動素子
１０が内蔵された多層基板３の一方の面には光素子１
が、他方の面には半導体素子３１が実装された構成であ
る。受動素子用誘電体９は、光素子１および半導体素子
３１のそれぞれバンプ７の下方もしくは上方鉛直方向に
当たる領域には少なくとも形成されていて、かつ、全面
に広がらずに部分的に形成されている。つまり、光素子
１の直下および直上に当たる付近にのみ受動素子用誘電
体９が形成されている。

【０１０４】実施の形態５の光モジュールの製造方法に
ついて説明する。なお、図１４に示している第１シート
状絶縁体１１ａと第２シート状絶縁体１１ｂとが積層さ
れて、絶縁層１１が形成される。図１４（ａ）に示すよ
うに、第１シート状絶縁体１１ａは、パンチャによる穴
加工によって貫通孔が形成され、この貫通孔に銀粉体を
主成分とする導電性ペーストが印刷法により充填されて
いる。第１シート状絶縁体１１ａの一面に第２の受動素
子用電極６が形成され、容量素子を形成するために、さ
らに、受動素子用誘電体９が印刷法等によって形成され
る。

【０１０５】一方、第２シート状絶縁体１１ｂは、前述
したように、貫通孔が形成され、導電性ペーストが充填
された後に、一面には端子電極２を含む配線パターン
が、他面には第１受動素子用電極５が形成される。

【０１０６】次に、図１４（ｂ）に示すように、第１受
動素子用電極５と第２受動素子用電極６とで受動素子用
誘電体９を挟み込むように第１シート状絶縁体１１ａと
第２シート状絶縁体１１ｂを加熱加圧により積層し、そ
の後に焼成を行うことで、受動素子１０が内蔵された多
層基板３が形成される。この際、受動素子用誘電体９
は、第２シート状絶縁体１１ｂに形成されていた端子電
極２に接続されるバンプ７が形成される位置の直下には
少なくとも形成され、しかも第１シート状絶縁体１１ａ
に形成されていた端子電極２に接続されるバンプ７が形
成される位置の直上には少なくとも形成され、かつ、多
層基板３の全面に形成されずに部分的に形成されてい
る。

【０１０７】さらに、図１４（ｃ）、図１４（ｄ）に示
すように、入出力端子にバンプ７が形成された光素子１
と半導体素子３１とが対向する面に位置合わせされた後
に、多層基板３上の端子電極２にフリップチップ実装さ
れ、光モジュールが製造される。

【０１０８】実施の形態５の光モジュールは、受動素子
用誘電体９が設けられた領域は、設けられていない領域
に比べて多層基板３の厚さが厚くなっている。しかし、
光素子１や半導体素子３１を搭載するための端子電極２
が形成された面の凹凸は受動素子用誘電体９および多層
基板３の絶縁体の焼成時のばらつき程度であるため、安
定して光素子１や半導体素子３１を多層基板３に搭載す
ることができる。また、光素子１や半導体素子３１と、
受動素子１０とは短距離で接続することができるため、
光モジュールは、高周波特性に優れている。

【０１０９】また、実施の形態５の光モジュールに対し
て、図１３に示すように光ファイバ３０が、多層基板３
の積層面に対して、光軸が略垂直方向になるよう配置さ
れる。これは、光素子１が表面出射型のレーザ素子であ
るためである。つまり、光ファイバ３０が光素子１と光
学的結合を得ることができる配置とされている。なお。
光素子１が受光素子の場合も同様に、光ファイバ３０が
多層基板３の積層面に対して、光軸が略垂直方向になる
よう配置される。なお、光ファイバ３０の端面で起こる
戻り光の影響による雑音特性の劣化を防ぐため、光ファ
イバ３０の光軸と光素子１（前者の場合）の出射方向と
がなす角度は、１〜２度程度となるように調整される。

【０１１０】上述した光モジュールは、図１５に示すよ
うに、台座６１に接続端子５１を介して実装することが
できる。特に、光素子１として表面出射型のレーザダイ
オード等を用い、半導体素子３１としてレーザダイオー
ドを駆動する素子を用いれば、光素子１と光ファイバ３
０との光学的な結合を行う領域と半導体素子３１の裏面
が台座６１と接続される領域とが多層基板３を挟んで構
成されるため、光素子１と光ファイバ３０とが光学的に
容易に結合できる上、半導体素子３１の放熱を容易に行
うことができる。

【０１１１】また、台座６１に、光ファイバ３０を固定
するための光ファイバ固定用溝７１を設けることで、光
ファイバ固定用溝７１に光ファイバ３０を設置するだけ
で容易に光軸合わせを行うことができる。

【０１１２】（実施の形態６）本発明の実施の形態６に
かかる光モジュールについて、図１６を用いて説明す
る。図１６（ａ）は平面図であり、図１６（ｂ）は断面
図である。

【０１１３】実施の形態６の光モジュールは、多層基板
３の内部に形成された受動素子用誘電体９に接して設け
られた第１受動素子用電極５が一枚ではなく、複数に分
割されて形成されていることを特徴とする。

【０１１４】なお、実施の形態６の光モジュールは、図
１６（ａ）の平面図より明らかなように、第１受動素子
用電極５が５つに分割されている。受動素子１０を容量
素子として内蔵する場合、第１受動素子用電極５は、光
素子１の電源用端子数と半導体素子３１の高周波用電源
端子数との合計数に分割することが望ましい。そうする
ことで、端子ごとに異なる電圧とすることができる。

【０１１５】例えば、比誘電率４０００の材料で厚さが
３０μｍの受動素子用誘電体９層を設けた場合、第１受
動素子用電極５の寸法を０．９５ｍｍ×０．９５ｍｍの
大きさにすることにより、約１０００ｐＦの容量値が得
られる。２ｍｍ×２ｍｍの大きさの半導体素子３１を用
いた場合では、約１０００ｐＦの容量素子である受動素
子１０を半導体素子３１の直下であって、半導体素子３
１の近傍に４個配置することができ、４種類の電圧値の
異なる電源端子と、多層基板３に内蔵された受動素子１
０を接続することができる。

【０１１６】容量値は、受動素子用誘電体９層の材料と
厚さと第１受動素子用電極５と第２受動素子用電極６の
寸法により任意に制御することができ、電極の形状を任
意に形成することにより、各端子ごとに容量値の異なる
容量素子を形成することができる。

【０１１７】また、図１６（ｂ）に示されているよう
に、半導体素子３１のバンプ７の直下以外には、受動素
子用誘電体９が形成されていない領域１４がある。この
領域１４を用いることで、受動素子１０の形成に制限さ
れることなく自由度の高い配線を行うことができる。ま
た、不要な部分に受動素子用誘電体９を形成する必要が
ないため、多層基板３内部の配線層において、クロスト
ークや不要な箇所における浮遊容量を抑制でき、遮断周
波数を高周波化して帯域を広げることができる。この構
造では、光素子１がレーザダイオード等の発光素子で半
導体素子３１がレーザダイオードを駆動する素子の場合
に、熱伝導率の高い材料で充填されたビア導体８を、受
動素子用誘電体９が形成されていない領域１４に配置す
ることが好ましい。それにより、駆動素子の熱を効率よ
く放熱することができる。

【０１１８】以上のように、実施の形態６の光モジュー
ルによれば、光素子１と半導体素子３１内の複数の端子
ごとに異なる特性の受動素子１０を最短で接続すること
ができるため、端子ごとに最適な回路構成を実現できる
光モジュールが得られる。

【０１１９】さらに、光素子１がフォトダイオード等の
受光素子で半導体素子３１がフォトダイオードからの電
気信号を増幅する増幅素子の場合、遮断周波数を高周波
化して帯域を広げることができる。

【０１２０】（実施の形態７）本発明の実施の形態７に
かかる光モジュールについて図１７を用いて説明する。
図１７に示すように、多層基板３の表面に受動素子１２
ａが設けられている。受動素子１２ａは、端子電極２と
第２受動素子用電極６ａ、６ｂと受動素子用誘電体９か
ら構成されている。多層基板３上に形成された受動素子
用誘電体９の上面には、端子電極２が被着して形成され
ている。端子電極２は、バンプ７を介して光素子１と接
続される電極であるが、受動素子１２ａの電極の役割を
兼用している。受動素子用誘電体９は、光素子１のバン
プ７の下方鉛直方向に当たる領域には少なくとも形成さ
れていて、かつ、全面に広がらずに部分的に形成されて
いる。つまり、光素子１の直下に当たる付近にのみ受動
素子用誘電体９が形成されているので、バンプが形成さ
れる各端子電極２同士で凹凸が発生することはない。ま
た、光モジュールの高周波特性も良好となる。

【０１２１】第２受動素子用電極６ａ、６ｂは、受動素
子用誘電体９の端部と接続するように多層基板３上に形
成されている。その内、第２受動素子用電極６ａと一部
の端子電極２とは、電気的に接続されている。また、端
子電極２と接続されていない第２受動素子用電極６ｂ
は、受動素子用誘電体９上の少なくとも一部を覆うよう
に形成されている。

【０１２２】さらに、多層基板３には多層基板３の表面
に設けられた受動素子１２ａとは機能が異なる受動素子
１０ａが内蔵されている。多層基板３の内部に設けられ
た受動素子１０ａを構成する第１受動素子用電極５ａと
第２受動素子用電極６ｃの内の少なくとも一方はビア導
体８を介して多層基板３の表面の端子電極２と電気的に
接続されている。さらに、少なくとも、光素子１の端子
電極２に接続されているバンプ７の直下に当たる領域に
は、多層基板３の絶縁層１１を構成する絶縁材料および
多層基板３の表面に設けられた受動素子１２ａを構成す
る受動素子用誘電体９とも異なる材料よりなる受動素子
用誘電体９ａが形成されていて、かつ、全面に広がって
受動素子用誘電体９が形成されることはない。

【０１２３】光素子１が端面入射のフォトダイオード又
は端面出射のレーザダイオードの場合、図１７で示して
いるように、光素子１の端面側に光ファイバ３０が配置
され光学的に光素子１と光ファイバ３０が結合される。
また、表面もしくは裏面入射のフォトダイオード又は面
発光タイプのレーザダイオードの場合、図１７では図示
していないが、光素子１の上面方向に光ファイバ３０が
配置され光学的に光素子１と光ファイバ３０が結合され
る。光素子１としては、レーザダイオード等の発光素子
やフォトダイオード等の受光素子を用いることができ
る。

【０１２４】以上のように、実施の形態７の光モジュー
ルによれば、多層基板３と光素子１を安定してフリップ
チップ接続することができ、歩留まりの高い光モジュー
ルを得ることができる。また、異なる複数の機能を有す
る受動素子１２ａ、１０ａを光素子１へ短配線で接続す
ることができるため、光素子１と受動素子１２ａ、１０
ａ間の寄生インダクタンスを小さくでき、高周波特性に
優れる。特に、多層基板３の内部に容量素子（受動素子
１０ａ）を形成し、多層基板の表層に抵抗素子（受動素
子１２ａ）を形成した場合、光素子１から出射する光信
号と電気信号との変換時の周波数特性において、高周波
領域において変換利得が半減する遮断周波数が高周波化
することと、光モジュールを外部からみた入力インピー
ダンスを広い帯域において一定にすることができる。

【０１２５】（実施の形態８）本発明の実施の形態８に
かかる光モジュールについて、図面を用いて説明する。
図１８は断面図であり、図１９は光モジュールの実装体
の断面図である。

【０１２６】図１８に示すように、多層基板３の内部に
受動素子１０が内蔵され、受動素子１０を構成する第１
受動素子用電極５と第２受動素子用電極６は、ビア導体
８を介して多層基板３の表面の端子電極２と接続されて
いる。半導体素子３１は多層基板３上の端子電極２に、
バンプ７を介してフリップチップ接続されている。受動
素子１０を構成し、多層基板３の絶縁層１１を構成する
絶縁材料とは異なる材料で構成されている受動素子用誘
電体９は、半導体素子３１のバンプ７の下方鉛直方向に
当たる領域には少なくとも形成されていて、かつ、全面
に広がらずに部分的に形成されている。つまり、半導体
素子３１の直下に当たる付近にのみ受動素子用誘電体９
が形成されている。それにより、各端子電極２のバンプ
７が形成されているそれぞれの箇所に凹凸が発生するこ
とはなく、受動素子１０の高周波特性は良好である。

【０１２７】また、多層基板３の端面に形成された端子
電極２に、光素子１がバンプ７を介してフリップチップ
実装されている。多層基板３の表面に形成された端子電
極２と、端面に形成された端子電極２は電気的に接続さ
れている。

【０１２８】光素子１として例えば、裏面入射のフォト
ダイオード等の受光素子を用いることができ、半導体素
子３１としては例えば、フォトダイオードからの電気信
号を増幅する広帯域のトランスインピーダンス型の増幅
器を用いることができる。

【０１２９】また、光素子１として、面発光型のレーザ
ダイオード等の発光素子を用いた場合、半導体素子３１
としては発光素子を駆動する広帯域の駆動素子を用いる
ことができる。

【０１３０】このような、光モジュールでは、多層基板
３の表面に設けられたそれぞれの端子電極２の面内の凹
凸の発生を防ぐことができるため、多層基板３と半導体
素子３１を安定してフリップチップ接続することができ
る。したがって、歩留まりの高い光モジュールを得るこ
とができる。また、光素子１や半導体素子３１と受動素
子１０を含む受動素子間を短距離で接続することができ
るため、高周波特性に優れた光モジュールを得ることが
できる。

【０１３１】また、上述の光モジュールを光素子１とし
て、表面出射型のレーザダイオード等の発光素子や裏面
入射型のフォトダイオード等の受光素子を用いて構成
し、この光モジュールを、図１９に示すように、光ファ
イバ固定用溝７１が設けられた台座６１へ接続端子５１
を介して実装することで、光ファイバ３０と光モジュー
ル内の光素子１との光学的接続を容易に行うことができ
る。

【０１３２】（実施の形態９）本発明の実施の形態９に
かかる光モジュールについて、図２０を用いて説明す
る。

【０１３３】図２０に示すように、実施の形態９の光モ
ジュールは、多層基板３の表面には端子電極２が形成さ
れ、多層基板３の内部に設けられた受動素子１０の第１
受動素子用電極５と第２受動素子用電極６とは、ビア導
体８および端子電極２を介してそれぞれ光素子１と半導
体素子３１とに接続されている。光素子１と半導体素子
３１が、多層基板３の両側主面にそれぞれ形成された端
子電極２に、各バンプ７を介してフリップチップ実装さ
れている。多層基板３を形成する絶縁層１１とは異なる
材料からなる受動素子用誘電体９は、光素子１と半導体
素子３１のバンプ７の下方または上方鉛直方向に当たる
領域には少なくとも形成されていて、かつ、全面に広が
らずに部分的に形成されている。つまり、光素子１と半
導体素子３１の直下または直上に当たる付近にのみ受動
素子用誘電体９が形成されている。

【０１３４】さらに半導体素子３１の周囲には、無機質
フィラーと熱硬化性樹脂組成物を含む電気的に絶縁性の
混合物１８が充填されている。混合物１８の表面には配
線パターン１７が形成されていて、この配線パターン１
７と多層基板３の端子基板２とを接続するためにビア導
体８が形成されている。

【０１３５】混合物１８の熱硬化性樹脂としては、例え
ばエポキシ樹脂、フェノール樹脂を用いることができ、
無機フィラーとしてアルミナ、窒化ケイ素、ベリリア
（ＢｅＯ）、ＭｇＯ、窒化アルミ、ＳｉＯ₂等を用いる
ことができる。また必要であれば、カップリング剤、分
散剤、着色剤を添加する事もできる。

【０１３６】次に、実施の形態９の光モジュールの製造
方法について図２１を用いて説明する。光モジュール３
２は、図１３に示す実施の形態５の光モジュールと同様
の光モジュールで、受動素子１０を内蔵した多層基板３
の一方の面に光素子１が、他方の面に半導体素子３１が
実装されている。光素子１と半導体素子３１それぞれと
電気的に接続される端子電極２に接続されるバンプ７が
形成される位置の受動素子用誘電体９は、光素子１のバ
ンプ７の下方鉛直方向に当たる領域には少なくとも形成
されていて、かつ、全面に広がらずに部分的に形成され
ている。つまり、光素子１の直下に当たる付近にのみ受
動素子用誘電体９が形成されている。

【０１３７】この光モジュール３２に、無機フィラーと
未硬化状態の熱硬化樹脂の混合物１８をシート状に加工
し、貫通孔を形成し、さらに導電性ペーストを貫通孔に
充填してビア導体８を形成したものと、銅箔２６を位置
合わせして重ねたシート状混合物３３をプレスにより加
熱加圧することで、半導体素子３１の周囲に無機フィラ
ーと熱硬化樹脂の混合物１８が充填された、実施の形態
９の光モジュールが製造される。

【０１３８】次に、無機フィラーと未硬化状態の熱硬化
性樹脂の混合物１８をシート状に加工する工程について
説明する。無機フィラーと液状の熱硬化樹脂を混合して
ペースト状混練物を作製した後、一定厚みに成形し、後
述する条件で熱処理することで熱硬化樹脂が未硬化状態
のシート状混合物を得る。

【０１３９】無機フィラーとしては、例えば、アルミナ
粉末を用いることができ、熱硬化樹脂としては、例え
ば、エポキシ樹脂が用いられる。シート状に加工する際
は、離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフ
ィルムで混合物１８を挟み加熱加圧により所定の厚さに
プレスする。この際、熱硬化樹脂の硬化開始温度以下で
の熱処理を行うことで未硬化状態のシート状混合物を得
る。例えばエポキシ樹脂の硬化開始温度が１３０℃であ
る場合は熱処理温度を１２０℃、圧力は０．９８ＭＰａ
で行う。混合物１８の厚さは、半導体素子３１の厚さよ
りも厚く形成される。シート状に加工後の混合物１８
は、レーザー加工法やパンチング加工により貫通孔を形
成される。例えば、金、銀または銅の粉末の導電材料
と、エポキシ樹脂および硬化剤からなる熱硬化樹脂とを
混練した導電性ペーストが印刷法などにより、貫通孔に
充填される。さらに、混合物１８の片側主面に銅箔２６
が形成され、シート状混合物３３が完成する。

【０１４０】半導体素子３１の周囲を無機フィラーと熱
硬化性樹脂の混合物１８で充填する工程は、シート状混
合物３３中の熱硬化樹脂が硬化する前の状態で行う。光
モジュール３２とシート状混合物３３をプレスして加熱
することで温度を１７５℃に上昇させる。そのまま１時
間保持してシート状混合物３３の混合物１８および貫通
孔に充填された導電性ペーストを完全に硬化させる。最
後に、表面に銅箔２６をエッチング法等により加工して
配線パターン１７を形成する。

【０１４１】なお、光モジュール３２とシート状混合物
３３をプレスする際に、半導体素子３１が多層基板３表
面から突出しているため、シート状混合物１８に圧力が
かかり、シート状混合物１８中の熱硬化性樹脂が、半導
体素子３１の存在しない領域、つまり、多層基板３の両
端の領域に流出される。そのため、半導体素子３１の鉛
直方向の領域においては、無機質フィラーの充填率が高
くなる。無機質フィラーは、熱硬化性樹脂よりも大幅に
熱伝導率が高いため、半導体素子３１の鉛直方向は熱伝
導性が高い構造となる。それにより、半導体素子３１の
下方からの放熱性が向上する。

【０１４２】以上のように、実施の形態９の光モジュー
ルによれば、半導体素子３１の周囲に充填するシート状
混合物１８において、熱伝導性の高い任意の無機質フィ
ラーを選択することで放熱性に優れた光モジュールを得
ることができる。

【０１４３】そして、光素子１が端面出射のレーザダイ
オード等の発光素子の場合、光ファイバ固定用溝が設け
られた台座へ接続端子を介して光モジュールを実装する
と、光ファイバ３０と光モジュール内の光素子１との光
学的接続を容易に行うことができる。

【０１４４】なお、実施の形態１〜９に具体的に示した
材料や各種の数値は、あくまでも一例であり、本発明は
これらの具体例のみに限定されるものではない。

【０１４５】

【発明の効果】本発明の光モジュールは、光素子等の能
動素子を多層基板上に安定してフリップチップ実装する
ことができ、高周波特性が良好である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１にかかる光モジュール
の構成を示す断面図

【図２】本発明の実施の形態１にかかる光モジュール
の製造工程を示す断面図であって、図２（ａ）は第１工
程図、図２（ｂ）は第２工程図

【図３】本発明の実施の形態１にかかる光モジュール
における受動素子用誘電体の配置を示す図であって、図
３（ａ）は断面図、図３（ｂ）は平面図

【図４】本発明の実施の形態１にかかる光モジュール
の実装体の断面図

【図５】本発明の実施の形態１にかかる光ファイバ固
定用溝の断面図

【図６】本発明の実施の形態１にかかる光モジュール
における分割された受動素子用誘電体を示す平面図

【図７】本発明の実施の形態１にかかる他の光モジュ
ールの断面図

【図８】本発明の実施の形態２にかかる光モジュール
の構成を示す断面図

【図９】本発明の実施の形態２にかかる光モジュール
の電気光変換効率の周波数特性を示す図

【図１０】本発明の実施の形態３にかかる光モジュー
ルの構成を示す断面図

【図１１】本発明の実施の形態４にかかる光モジュー
ルの構成を示す断面図

【図１２】本発明の実施の形態４にかかる光モジュー
ルの構成を示す平面図

【図１３】本発明の実施の形態５にかかる光モジュー
ルの構成を示す断面図

【図１４】本発明の実施の形態５にかかる光モジュー
ルの製造工程を示す断面図であって、図１４（ａ）は第
１工程図、図１４（ｂ）は、第２工程図、図１４（ｃ）
は第３工程図、図１４（ｄ）は第４工程図

【図１５】本発明の実施の形態５にかかる光モジュー
ルの実装体の構成を示す断面図

【図１６】本発明の実施の形態６にかかる光モジュー
ルの構成図であって、図１６（ａ）は平面図、図１６
（ｂ）は図１６（ａ）のＢ−Ｂ′断面図

【図１７】本発明の実施の形態７にかかる光モジュー
ルの構成を示す断面図

【図１８】本発明の実施の形態８にかかる光モジュー
ルの構成を示す断面図

【図１９】本発明の実施の形態８にかかる光モジュー
ルの実装体の構成を示す断面図

【図２０】本発明の実施の形態９にかかる光モジュー
ルの構成を示す断面図

【図２１】本発明の実施の形態９にかかる光モジュー
ルの製造方法を示す断面図

【図２２】従来の光通信用のモジュールの構成を示す
断面図

【図２３】他の従来の光通信用のモジュールの製造工
程を示す断面図であって、図２３（ａ）は第１工程図、
図２３（ｂ）は第２工程図

【図２４】他の従来の光通信用のモジュールの光軸の
ずれを説明するための断面図

【符号の説明】

１光素子２端子電極３多層基板５、５ａ第１受動素子用電極６、６ａ、６ｂ、６ｃ第２受動素子用電極７バンプ８ビア導体９、９ａ受動素子用誘電体１０、１０ａ、１２、１２ａ受動素子１１ａ第１シート状絶縁体１１ｂ第２シート状絶縁体１４、２７領域１７配線パターン１８混合物２６銅箔２８点３０光ファイバ３１半導体素子３２光モジュール３３シート状混合物５１接続端子６１台座７１光ファイバ固定用溝７２底面部７３空間７４側面部２０１光素子２０２、２０２ａ、２０２ｂ端子電極２０３多層基板２０５上側電極２０６下側電極２０７、２０７ａ、２０７ｂバンプ２０８ビア導体２０９誘電体層２３０光ファイバ２３１半導体素子２４１出射方向２４２光軸２５１接続端子２６１台座２７１Ｖ溝

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小掠哲義大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 5F073 AB13 AB16 AB28 BA01 EA14 FA02 FA07 FA15 FA30 5F088 AA01 BA02 BA03 BB01 EA09 EA11 EA16 EA20 GA02 JA14 JA20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁層と、前記絶縁層の内部または表面
に設けられた受動素子と、前記絶縁層の表面に形成され
た端子電極とを備えた基板と、少なくとも光素子を含み、前記基板表面において前記端
子電極に接続された能動素子とを備え、前記受動素子は、誘電体層、抵抗層、または磁性体層を
有し、前記端子電極の少なくとも１つは、前記受動素子に接続
され、前記能動素子の少なくとも１つは、突起電極を有し、前
記基板の主面において前記突起電極を介して前記端子電
極にフリップチップ実装され、前記基板の主面と平行な面を投影面とした場合、前記誘
電体層、前記抵抗層または前記磁性体層の正射影の面積
が前記基板の主面の正射影の面積より小さく、かつ、前記誘電体層、前記抵抗層または前記磁性体層
は、前記基板の主面にフリップチップ実装されている前
記能動素子が有する全ての前記突起電極の前記投影面に
対する正射影が、前記誘電体層、前記抵抗層または前記
磁性体層の正射影に含まれるように形成されている光モ
ジュール。
【請求項２】前記フリップチップ実装された能動素子
が、前記基板の片側主面のみに存在する、請求項１に記
載の光モジュール。
【請求項３】前記フリップチップ実装された能動素子
が、前記基板の両側主面に存在する、請求項１に記載の
光モジュール。
【請求項４】前記基板の端面に、端子電極およびこの
端子電極にフリップチップ実装された能動素子をさらに
備えた、請求項１に記載の光モジュール。
【請求項５】前記基板の主面にフリップチップ実装さ
れた光素子の前記突起電極と前記端子電極との接する領
域の中心と、前記誘電体層、前記抵抗層または前記磁性
体層の表面との距離と、前記突起電極と前記端子電極との接する領域の中心を通
る垂線と、前記誘電体層、前記抵抗層または前記磁性体
層の表面との交点から最も離れた、前記誘電体層、前記
抵抗層または前記磁性体層の端部までの距離との和が、
前記光素子で処理される電気信号の１／２波長の距離よ
りも小さい請求項１に記載の光モジュール。
【請求項６】前記誘電体層、前記抵抗層または前記磁
性体層は、前記基板の主面に形成された前記一つまたは
複数の端子電極ごとに独立して形成されている請求項１
に記載の光モジュール。
【請求項７】前記能動素子は、半導体素子を含んでい
る請求項１に記載の光モジュール。
【請求項８】前記基板の主面にフリップチップ実装さ
れている前記半導体素子が有する全ての前記突起電極の
前記投影面に対する正射影が形成されていない領域内に
おいて、前記誘電体層、前記抵抗層または前記磁性体層
が形成されない領域が存在する請求項７に記載の光モジ
ュール。
【請求項９】前記誘電体層、前記抵抗層または前記磁
性体層が形成されていない領域に、ビア導体が形成され
ている請求項８に記載の光モジュール。
【請求項１０】前記受動素子は、前記誘電体層、前記
抵抗層または前記磁性体層を挟んで形成された一対の受
動素子用電極を備え、前記一対の受動素子用電極の少なくとも一方は、面内に
おいて複数に分割されている請求項１に記載の光モジュ
ール。
【請求項１１】光を導波させる光導波路と、前記光導
波路を固定する溝を有する台座を備えている請求項１に
記載の光モジュール。
【請求項１２】前記溝は、前記光導波路の光軸が前記
基板の主面に対して略平行になるように前記光導波路を
固定する請求項１１に記載の光モジュール。
【請求項１３】前記溝は、前記光導波路の光軸が前記
基板の主面に対して略垂直になるように前記光導波路を
固定する請求項１１に記載の光モジュール。
【請求項１４】光を導波させる光導波路と、前記光導
波路を固定する溝とを備え、前記溝は前記基板上に形成され、前記光導波路の光軸が
前記基板の主面に対して略平行になるように前記光導波
路を固定する請求項１に記載の光モジュール。
【請求項１５】前記能動素子は、光素子と半導体素子
とを含み、前記光素子は、前記基板の一方の主面の前記端子電極に
フリップチップ実装され、前記半導体素子は、前記基板の他方の主面の前記端子電
極にフリップチップ実装されている請求項３に記載の光
モジュール。
【請求項１６】前記半導体素子の周囲に無機質フィラ
ーと熱硬化性樹脂組成物を含む混合物が充填されている
請求項１５に記載の光モジュール。
【請求項１７】前記無機質フィラーは、アルミナ、窒
化アルミ、窒化ケイ素、ベリリア（ＢｅＯ）、シリカの
うち少なくとも１つを含む請求項１６に記載の光モジュ
ール。
【請求項１８】前記受動素子が複数形成されている請
求項１に記載の光モジュール。
【請求項１９】前記光素子は、受光素子または発光素
子である請求項１に記載の光モジュール。
【請求項２０】前記光素子は受光素子であり、前記半
導体素子は前記受光素子の信号を増幅する増幅素子であ
る請求項７に記載の光モジュール。
【請求項２１】前記受光素子は裏面入射型のフォトダ
イオードであり、前記半導体素子はトランスインピーダ
ンス型の広帯域増幅器である請求項２０に記載の光モジ
ュール。
【請求項２２】前記光素子は発光素子であり、前記半
導体素子は前記発光素子を駆動する駆動素子である請求
項７に記載の光モジュール。
【請求項２３】前記発光素子は端面出射型のレーザダ
イオードもしくは、表面出射型のレーザダイオードのい
ずれかであり、前記半導体素子はレーザ駆動用素子であ
ることを特徴とする請求項２２に記載の光モジュール。
【請求項２４】前記基板を形成する前記絶縁層は無機
材料の焼結体を主体とする低温焼結性ガラスセラミック
スであり、前記受動素子を形成する前記誘電体層は鉛系
ペロブスカイト型化合物を主体とする請求項１に記載の
光モジュール。
【請求項２５】前記基板を形成する前記絶縁層は無機
材料の焼結体を主体とする低温焼結性ガラスセラミック
スであり、前記受動素子を形成する前記抵抗層はＲｕＯ
₂を主体としている請求項１に記載の光モジュール。
【請求項２６】前記能動素子は、光素子と半導体素子
とを含み、前記光素子は、前記基板の端面に形成された前記端子電
極にフリップチップ実装され、前記半導体素子は、前記基板の主面に形成された前記端
子電極にフリップチップ実装されている請求項４に記載
の光モジュール。