TW202225462A - 用於鋰處理設備的清洗材料及處理 - Google Patents

Abstract

移除含鋰沉積物的示例性方法可包括加熱含鋰沉積物的表面。該表面可包含氧或氮，並且含鋰沉積物可以設置在處理腔室的表面上。該等方法可包括使含鋰沉積物的表面與含氫前驅物接觸。接觸可氫化含鋰沉積物的表面。該等方法可包括使含鋰沉積物與含氮前驅物接觸以形成揮發性副產物。該等方法可包括從處理腔室中排出含鋰沉積物的揮發性副產物。

Description

用於鋰處理設備的清洗材料及處理

本申請案主張2020年11月20日提交的名稱為「CLEANING MATERIALS AND PROCESSES FOR LITHIUM PROCESSING EQUIPMENT」的美國臨時申請第63/116,431號的權益和優先權，該美國臨時申請的內容出於所有目的全文以引用方式併入本文。

本技術係關於薄膜沉積製程和腔室部件。更特定言之，本技術係關於改進的部件和沉積方法。

薄膜電池是藉由在基板表面上產生受控材料層的製程形成的。在基板上產生材料層需要在大面積基板上的受控形成方法。隨著元件大小持續縮小，多層電池處理腔室變得越來越複雜，因為處理可能包括更大數量的處理操作以產生離散的層和結構。該等更複雜的製造技術可增加在處理腔室內執行的沉積和移除操作的數量。在任何數量的該等操作期間，沉積產物可能在腔室表面上形成並污染處理腔室或形成不希望的沉積物，此可能影響處理。

因此，需要能夠用於生產高品質元件和結構的改進的系統和方法。本技術解決了該等和其他需求。

移除含鋰沉積物的示例性方法可包括加熱含鋰沉積物的表面。該表面可包含氧或氮，並且含鋰沉積物可以設置在處理腔室的表面上。該等方法可包括使含鋰沉積物的表面與含氫前驅物接觸。接觸可氫化含鋰沉積物的表面。該等方法可包括使含鋰沉積物與含氮前驅物接觸以形成揮發性副產物。該等方法可包括從處理腔室中排出含鋰沉積物的揮發性副產物。

在一些實施例中，含氫前驅物可為或包括雙原子氫或氨。含鋰沉積物的表面可包含氮化鋰。該方法可包括使含鋰沉積物的表面與雙原子氫接觸。該方法可包括隨後使含鋰沉積物的表面與氨接觸。隨後的接觸可產生胺化鋰。含氮前驅物可為或包括六甲基二矽氮烷。揮發性副產物的特徵可在於沸點低於或為約200℃。含鋰沉積物的表面可經加熱至高於或約300℃的溫度，而含鋰沉積物的本體區域的溫度可以維持低於或為約200℃。可以用定位在處理腔室內的加熱器來執行加熱。移除含鋰沉積物的方法可在處理腔室內在真空條件下執行。在移除含鋰沉積物的方法期間，處理腔室內的水含量可維持在小於或為約100 ppm。

本技術的一些實施例可涵蓋移除含鋰沉積物的方法。該等方法可包括加熱含鋰沉積物的表面。該表面可包含氧化鋰。含鋰沉積物的本體可為或包含鋰。含鋰沉積物可以設置在處理腔室的表面上。該等方法可包括使含鋰沉積物的表面與雙原子氫或氨接觸。接觸可以在含鋰沉積物的表面上產生氫氧化鋰。該等方法可包括使含鋰沉積物與移除前驅物接觸以形成揮發性副產物。在處理條件下，處理腔室內的溫度可維持在低於或為約300℃。該等方法可包括從處理腔室中排出含鋰沉積物的揮發性副產物。

在一些實施例中，移除前驅物可包括β-二酮、1,4,7,10-四氧雜環十二烷、四甲基哌啶、二異丙胺或六甲基二矽氮烷中的一或多者。移除前驅物可為第一移除前驅物。第一移除前驅物可以移除含鋰沉積物的表面層。該方法可包括使含鋰沉積物與第二移除前驅物接觸，以形成含鋰沉積物的本體材料的揮發性副產物。含鋰沉積物亦可包括在含鋰沉積物表面處的氮化鋰。移除含鋰沉積物的方法可在處理腔室內在真空條件下執行。在移除含鋰沉積物的方法期間，處理腔室內的水含量可維持在小於或為約100 ppm。

本技術的一些實施例可包括移除含鋰沉積物的方法。該等方法可包括加熱含鋰沉積物的表面。該表面可包含氮化鋰。含鋰沉積物的本體可為或包含鋰。含鋰沉積物可以設置在處理腔室的表面上。該等方法可包括使含鋰沉積物的表面與雙原子氫或氨接觸。接觸可以在含鋰沉積物的表面上產生氫氧化鋰。該等方法可包括使含鋰沉積物與移除前驅物接觸以形成揮發性副產物。在處理條件下，處理腔室內的溫度可維持在低於或為約300℃。該等方法可包括從處理腔室中排出含鋰沉積物的揮發性副產物。

在一些實施例中，使含鋰沉積物的表面與雙原子氫或氨接觸可包括使含鋰沉積物的表面與雙原子氫接觸。該等方法可包括隨後使含鋰沉積物的表面與氨接觸。隨後的接觸可產生胺化鋰。移除前驅物可包括1,4,7,10-四氧雜環十二烷、四甲基哌啶、二甲胺、二乙胺、二正丙胺、二異丙胺、二三級丁胺、異丙胺、三級丁胺、六甲基二矽氮烷、或β-二酮中的一或多者，包括二戊醯甲烷、異丁醯新戊醯甲烷、六氟戊二酮或三氟乙醯新戊醯甲烷中的一或多者。移除前驅物可為第一移除前驅物。第一移除前驅物可以移除含鋰沉積物的表面層。該等方法可包括使含鋰沉積物與第二移除前驅物接觸，以形成含鋰沉積物的本體材料的揮發性副產物。移除含鋰沉積物的方法可在處理腔室內在真空條件下執行。在移除含鋰沉積物的方法期間，處理腔室內的水含量可維持在小於或為約100 ppm。

與習知系統和技術相比，此種技術可以提供許多益處。例如，該等系統可以執行清洗操作，該等清洗操作能夠用氣相移除來移除整個處理腔室中的沉積物。此外，根據本技術的實施例的方法可以提供從處理腔室表面移除，與此同時維持真空條件，此可以限制腔室內的濕氣或其他污染。結合以下描述及附圖，更詳細地描述了該等及其他實施例以及它們的許多優點及特徵。

在諸如金屬或其他多層材料的輥對輥製造製程中，當基板穿過處理環境時，組分可沉積在該基板上。一些處理系統可以在基板穿過處理腔室時控制該腔室內的環境。隨後，可以在基板上分層沉積材料，以產生分層結構。然而，該製程亦可在腔室部件上沉積材料。隨後可以執行清洗操作以從腔室表面移除材料，從而限制對後續處理的阻礙或損壞。

作為本技術所涵蓋的一個非限制性實例，鋰沉積可以在輥對輥或其他沉積製程中執行。該沉積可能導致鋰不僅如所期望的形成在基板上，而且亦形成在處理腔室內的暴露表面上。鋰可以包括塊狀鋰材料以及含鋰材料，諸如氧化鋰及/或氮化鋰，該等材料可以形成在塊狀材料周圍的上表面或暴露表面處。習知技術通常藉由執行定期維護清洗製程來移除該等材料。儘管鋰可以用基於水的清洗相對容易地移除，但是該等製程可能導致大量的腔室停機時間。例如，通常在一定量的處理時間後，腔室將被打開並用手清洗。在清洗後，必須重新密封並淨化腔室，隨後才能進行後續處理。該停機時間可能延長達一天以用於清洗，並且該製程可能無法移除腔室內難以接近的沉積物，並且可能無法從腔室中完全淨化污染物，此可能在後續處理期間導致缺陷。

本技術可以藉由執行原位清洗製程來克服該等限制，該原位清洗製程可以在不將腔室環境暴露於大氣的情況下執行。藉由在腔室環境內執行反應性暴露操作，並利用在一些實施例中可在低於鋰熔點的溫度下提供移除的特定前驅物，清洗可確保更徹底的移除，並且可限制系統的停機時間。在描述了根據本技術的實施例的其中可執行沉積或其他處理的腔室的一般態樣之後，將描述根據本技術的實施例的清洗處理系統的方法。儘管將針對蒸發沉積系統中的清洗來描述該技術，但是應當理解的是，本技術並不限於所論述的特定材料和處理。所描述的技術可用於在任意數量的處理腔室或處理環境中對大量材料執行清洗或移除操作，該等材料可包含或不包含鋰。

第1圖圖示了根據本技術的一些實施例的示例性處理系統100的截面圖。儘管腔室包括特定的輥配置，但是應當理解的是，示例性腔室可包括比所描述的更少或更多的部件，並且可包括或不包括所示的特徵中的任何特徵，因為該圖說明性地表示了根據本技術的實施例可以結合在處理腔室中的各種部件。如圖所示，在一些實施例中，處理系統通常可被配置為容納基板儲存捲軸105a或包括被配置為容納該基板儲存捲軸的腔室部分，如第1圖所示。根據一些實施例，待處理的可撓性基板110可以設置在儲存捲軸105a上。儲存捲軸可以放置在單獨的捲軸腔室115a中，此可維持基板與處理環境分離。在一些實施例中，可以在可撓性基板110的相鄰層之間提供夾襯120a，使得可以減少或消除可撓性基板110的任何層與儲存捲軸105a上的可撓性基板的相鄰層之間的直接接觸。

在操作中，如箭頭108所示的基板移動方向所示，基板可以從儲存捲軸展開。可撓性基板110可為其上可執行沉積的任何基板或腹板材料。例如，基板可為銅或鋁層，以及可以在其上執行沉積的任何其他導電或絕緣材料，在一些實施例中包括聚合材料。當可撓性基板110從儲存捲軸105a展開時，夾襯120a（若存在）可以纏繞在夾襯輥122a上。可撓性基板110可以經由一或多個導輥125被導引經過穿過系統的任何數量的配置。可撓性基板110亦可以由控制可撓性基板110的運行的一或多個基板導引控制單元130導引，例如，藉由執行可撓性基板110的取向或位置的微調調節來導引。

當可撓性基板110從捲軸腔室115a中的儲存捲軸105a餽送時，基板可傳送至處理腔室140，該處理腔室可以位於處理系統中的捲軸腔室附近。在一些實施例中，處理腔室140可為密封的，並且可以與被配置為在處理腔室140內產生真空環境的泵送系統耦接。在處理腔室140內可包括塗佈鼓輪145。利用處理腔室內的任意數量的導輥或控制單元，可以將可撓性基板110平移穿過一或多個處理區域150，該一或多個處理區域位於塗佈鼓輪145周圍並對應於沉積單元155的位置。每個沉積單元155可連接至對應的或專用的控制及/或電力提供單元158。儘管六個此類沉積單元155被圖示為被包括在處理系統100中，但是應當理解的是，根據本技術的實施例，任何數量的或多或少的沉積站可以被結合在系統中。在操作期間，塗佈鼓輪145可以逆時針旋轉，以牽引或平移可撓性基板110穿過系統。應當理解的是，在操作中，滾筒可以根據正在執行的製程在任一方向上旋轉，並且包括方向箭頭108僅僅是為了促進對一種可能的系統操作的解釋。

為了維持處理腔室140內的真空環境，處理系統100可包括一或多個密封件，諸如密封件128，該等密封件可為靜態密封件或動態密封件，基板可以穿過該等密封件。密封件可允許在處理腔室140與捲軸腔室115之間維持壓差，該處理腔室可以在真空條件下操作，且該等捲軸腔室中可以執行可撓性基板110的捲繞和展開操作。此類設置可以降低在基板已經被完全處理後更換捲軸105的複雜性。因此，處理腔室140可被維持在任何類型的真空條件下，與此同時允許搬運腔室或捲軸腔室115中的環境壓力或有限真空。

沉積可以發生在一或多個處理區域處，並且可涉及蒸發沉積、原子層沉積、物理氣相沉積、電漿增強沉積，或者可以與噴塗或其他處理一起執行的任何其他化學氣相沉積。在利用清洗單元160的本技術的實施例中，亦可以執行基板清洗。清洗單元160可定位在處理腔室140內以在基板仍可定位在鼓輪上的同時與該基板相互作用。此可促進清洗單元對可撓性基板110施加限定的接觸壓力。另外地或替代地，清洗單元可定位在塗佈鼓輪與下一個導輥或張力輥之間的可撓性基板110的自由跨距中。因此，可以提供一或多個清洗單元，其中每個清洗單元可定位於基板的每一側上或沿著基板的單個表面的多個位置處。藉由將一或多個清洗單元定位在接合輥（諸如偏轉輥165）之前，可以在與輥接觸之前移除可能存在於基板上的污染物顆粒，該等污染物顆粒可能會在沉積的膜或基板中形成顆粒的印跡，並且可能產生針孔或其他缺陷。

在由清洗單元160清洗之後，可撓性基板110可以在一或多個偏轉輥165上行進。塗覆單元和清洗單元下游的一或多個偏轉輥亦可以用作張緊輥，該等張緊輥可以允許基板在沉積期間具有與隨後捲繞基板期間不同的張力。在如圖所示行進經過一或多個導輥或控制單元之後，基板可以傳送至第二捲軸腔室115b，在該第二捲軸腔室中基板可以捲繞在第二捲軸105b上。此外，在一些實施例中，第二夾襯120b可從第二夾襯輥122b提供，並且設置在可撓性基板110的各層之間以減少或限制對腹板的損壞。

第2圖圖示了根據本技術的一些實施例的移除方法200中的示例性操作。該方法可以在各種處理腔室中執行，包括上述處理腔室140。方法200可包括多個可選操作，該等可選操作可以或可以不與根據本技術的方法的一些實施例特別相關聯。例如，操作中的許多操作經描述以提供更寬範圍的結構形成，但是對於技術而言並不重要，或者可以藉由將容易理解的替代方法來執行。

方法200可包括在開始所列操作之前的額外操作，該等所列操作可涉及在已經執行沉積或基板處理之後發生的清洗操作。例如，額外的處理操作可包括在可撓性及/或導電基板上形成結構，此可包括形成和移除材料。先前的處理操作可以在可執行方法200的腔室中執行。例如，方法200可視情況包括在可選操作205處，在經由處理腔室（諸如上述處理腔室140）傳送的基板上執行沉積。沉積可包括利用任意數量的沉積單元的任意數量的操作，並且在一些實施例中，沉積可包括在穿過處理腔室的基板上沉積鋰金屬，諸如藉由在沉積單元中的一或多個沉積單元處執行熱蒸發製程。一旦沉積操作完成，諸如當基板已經被重新捲繞並被完全拉出處理腔室時，殘留的沉積物可能會保留在處理腔室內，或者保留在處理腔室、沉積單元、遮罩或與處理腔室相關聯的其他結構的一或多個表面上。

如前所述，習知技術可能限於打開腔室和執行手動清洗操作，此可能是不完全的並導致延長的腔室停機時間。本技術可以利用產生腔室周圍的材料沉積物（例如含鋰沉積物）的揮發性副產物的製程來執行反應移除。儘管剩餘的揭示內容將定期引用含鋰沉積物，但是應當理解的是，所描述的方法亦可適用於待從處理腔室中移除的其他金屬或材料。因此，本技術並不意欲僅局限於鋰移除。

習知清洗可能沒有利用原位蝕刻，原位蝕刻通常可以在用於半導體製造的處理腔室中執行。儘管鹵素前驅物，包括電漿增強的鹵素前驅物，通常可以用於執行腔室清洗操作，但是一些材料可能與材料具有反作用的反應性。儘管電漿自由基可以為相互作用提供一定的能量，但是當包含鋰金屬沉積物時，所產生的材料可能不是揮發性的。例如，氯化鋰和氟化鋰兩者的特徵都可在於沸點高於1300℃，此可限制或阻止含鋰沉積物從處理腔室中被移除。或者，儘管有機金屬化合物可以在較低溫度下用鋰形成，但是許多有機金屬化合物是自燃的，此可不適合於一些處理腔室。許多其他鋰產物可能類似地降低鋰的活性，此可能使從處理腔室中移除進一步有挑戰性。另外，基於處理腔室內的塗層和其他材料，含鋰沉積物的表面可經氧化，或者可包含一或多種材料，諸如氮化鋰、氧化鋰、或某種其他含鋰材料。因此，儘管某些材料可經輸送以移除鋰，但是相同的材料可能不太能夠或不能移除腔室內的沉積物上的表面材料。

由於鋰的低熔點，移除亦可能會受到挑戰。因此，例如，若腔室被加熱至高於200℃的溫度，則鋰可能開始熔化，此可導致滴落到腔室或沉積單元的額外區域上，從而使移除複雜化。本技術可以藉由控制腔室溫度來克服該等問題中的一些或全部問題，且因此含鋰沉積物的本體內的溫度可保持低於鋰的熔點，與此同時表面溫度可經升高以促進與移除前驅物反應。

如上所述，含鋰沉積物的暴露表面可能包含氧化鋰或氮化鋰，此可能會限制或阻止接近下面的本體鋰以進行移除。本技術的實施例可在藉由產生可從處理腔室排出的揮發性副產物來移除沉積物之前，執行一或多個反應以使含鋰沉積物上的表面材料改質。例如，可以在操作210處加熱含鋰沉積物的表面，該表面可包含氧化鋰或氮化鋰。根據本技術的實施例，加熱可以多種方式執行。例如，當腔室可以被加熱至第一溫度時，第一溫度可以在處理條件下維持低於或為約鋰的熔化溫度。例如，取決於腔室內的壓力，腔室溫度，諸如設置在腔室內以控制處理溫度的加熱元件的溫度，可以維持低於或為約200℃，並且可以維持低於或為約180℃，低於或為約160℃，低於或為約140℃，低於或為約120℃，低於或為約100℃，低於或為約80℃，低於或為約60℃、或更低。

此外，一或多個加熱元件，諸如紅外（IR）加熱器、加熱燈、或包括雷射加熱的定向加熱器，可被採用來加熱含鋰沉積物的表面，此可以將沉積物的本體維持在上述溫度中的任何溫度，與此同時將表面加熱至大於或為約200℃的溫度，並且此可以將表面加熱至大於或為約250℃、大於或為約300℃、大於或為約350℃，大於或為約400℃、大於或為約450℃、大於或為約500℃、大於或為約550℃、大於或為約600℃、大於或為約650℃、大於或為約700℃、大於或為約750℃、大於或為約800℃、大於或為約850℃、大於或為約900℃、大於或為約950℃、大於或為約1000℃或更高的溫度。為了產生限於表面的加熱（此可以限制或防止下面的鋰熔化），加熱元件可操作達短時間段，並且此可以與輸送以與含鋰沉積物的一或多種材料反應的一或多種前驅物的脈衝一致。

如上所述，含鋰沉積物可包含鋰金屬、氧化鋰、氮化鋰、氫氧化鋰、氫化鋰或胺化鋰中的一或多者，以及任何數量的其他含鋰材料。儘管一些材料，諸如氫氧化鋰和胺化鋰，可能更容易從沉積物中移除，但是氧化鋰和氮化鋰可能難以移除。因此，在操作215處，本技術的一些實施例可以使含鋰沉積物的表面與含氫前驅物接觸。含氫前驅物可包括任何數量的含氫前驅物，包括有機化合物，以及雙原子氫、氨或任何其他含氫材料，該含氫前驅物可以向表面氧化物或氮化物材料貢獻一或多個氫原子，並且該含氫前驅物可以氫化含鋰沉積物的表面。

例如，氧化鋰可以在高於或為約300℃的溫度下與氫或氨反應，該溫度可如上所述在鋰沉積物的表面處產生，而本體溫度則維持較低，諸如低於或為約200℃、低於或為約100℃或更低。該反應可能產生氫氧化鋰。在一些實施例中，氨可以有利地產生胺化鋰以及氫氧化鋰，該胺化鋰以及氫氧化鋰可以比其他副產物諸如氫化鋰更容易被移除。此外，氮化鋰亦可以在高於或為約300℃或更高的溫度下與氫或氨反應，此可產生胺化鋰。然而，與氨和氮化鋰的直接反應在較低溫度下產生可能更具挑戰性。因此，在一些實施例中，該製程可包括首先使沉積物的表面與氫氣接觸，之後在可選操作220處進行第二接觸，其中沉積物隨後可進一步與作為第二含氫前驅物的氨接觸，此可以產生胺化鋰。

在一些實施例中，該製程可以用氧化鋰和氮化鋰材料兩者來執行。儘管在第一反應中可以產生一定程度的氫化鋰，但是氫化鋰可更容易地轉化為具有氫氣的胺化鋰作為副產物，其可以從反應腔室中排出。在一些實施例中，當用含氫前驅物進行兩次接觸操作時，該等操作可以在相似或不同的溫度下執行。例如，在已經諸如用氫氣執行第一接觸之後，可以提高用於第二接觸的表面溫度，該第二接觸可以在比可執行第一接觸的溫度高大於或約50℃的溫度下執行，並且可以在比用於第一接觸的溫度高大於或約約100℃的溫度下執行。在包括氮化鋰的一些實施例中，作為提供含氫前驅物的補充或替代，氮化鋰可熱分解成鋰，並且氮氣可以從腔室中排出。取決於腔室條件，用於分解的溫度可低於或為約500℃，並且可在沉積物的表面處維持該溫度，而本體溫度維持於較低的溫度。

在已經執行一或多個表面反應之後，在操作225處，可以藉由使含鋰沉積物與移除前驅物接觸來執行移除操作，該接觸在本技術的一些實施例中可產生鋰錯合物。例如，為了移除表面材料，可以向基板提供一或多種含氮材料以與表面材料相互作用。藉由將表面材料轉化為經氫化材料，可以產生更基本的材料，該更基本的材料可以更容易地從移除材料中提取質子，從而產生副產物（諸如揮發性鋰錯合物），以及水、氫、氮或氨等材料，該等材料可以與鋰錯合物一起從腔室中排出。在一些實施例中，一旦表面材料已經被移除，該製程就可以繼續，此可以移除下伏的鋰。此可以藉由繼續移除前驅物的流動，或者藉由在可選操作230處使鋰與第二移除前驅物接觸來執行。隨後，在操作235處，可以將表面材料及/或下伏的鋰作為揮發性副產物從處理腔室中排出。副產物的特徵可皆在於在處理條件下或在大氣條件下的沸點低於或為約200℃，並且其特徵可皆在於沸點低於或為約180℃、低於或為約160℃、低於或為約140℃、低於或為約120℃、低於或為約100℃、低於或為約80℃、低於或為約60℃或更低。

移除前驅物可包括一或多種可以與鋰反應的前驅物，並且特徵可在於沸點低於或為約500℃，該沸點在真空條件下可降低，並且此可允許含鋰沉積物的本體溫度維持在低於或為約200℃的溫度，與此同時可以諸如使用如上所述的燒蝕、雷射退火或表面加熱將表面溫度維持或短暫地調節至更高的溫度。示例性移除前驅物可為或包括一或多種前驅物，諸如1,4,7,10-四氧雜環十二烷、四甲基哌啶、二甲胺、二乙胺、二正丙胺、二異丙胺、二三級丁胺、異丙胺、三級丁胺、六甲基二矽氮烷、或β-二酮中的一或多者，包括二戊醯甲烷、異丁醯新戊醯甲烷、六氟戊二酮和三氟乙醯新戊二烯基甲烷，它們中的任一者，包括組合，可以用作第一及/或第二移除前驅物。在一些實施例中，一或多種額外的前驅物可以與包括氧氣的移除前驅物一起輸送，該一或多種額外的前驅物可以小於1的與移除前驅物的流率比輸送，此可以促進從沉積物中移除鋰。

如上所述，在一些實施例中，該等方法可以在真空條件下在密封腔室內執行，此可促進將反應及/或本體含鋰沉積物的溫度維持低於鋰的熔點。因此，在一些實施例中，處理腔室內的壓力可維持在小於或約500托的壓力，並且可維持在小於或約400托、小於或約300托、小於或約200托、小於或約100托、小於或約50托、小於或約10托、小於或約5托、小於或約1托、小於或約0.1托、小於或約0.01托或更小的壓力。根據本技術的一些實施例，可以在整個方法中維持壓力，但是在一些實施例中，壓力可以在各操作之間被調節得更高或更低以促進反應或移除。

藉由根據本技術的一些實施例執行含鋰沉積物的原位移除，可以在不將腔室環境暴露於大氣的情況下執行清洗操作。此可以限制污染，此可以藉由限制後續淨化操作來減少清洗時間。本技術可以在最小化處理腔室內的污染物同時執行清洗。例如，水蒸氣及/或包括碳、氮、氫及/或鹵素或其他污染物的殘餘材料可以被限制在處理腔室中，並且在一些實施例中在執行根據本技術的實施例的方法或隨後的排出操作的同時，可以在處理腔室中維持小於或為約1,000 ppm。此外，任何或所有該等污染物可以維持在小於或為約500 ppm、小於或為約250 ppm、小於或為約100 ppm、小於或為約50 ppm、小於或為約10 ppm、小於或為約5 ppm、小於或為約1 ppm或更低。與習知技術相比，此可以提高生產量並減少停機時間。

在前面的描述中，出於解釋的目的，已經闡述了許多細節，以便提供對本技術的各種實施例的理解。然而，對於熟習此項技術者而言將顯而易見的是，某些實施例可以在沒有該等細節中的一些細節或者具有額外細節的情況下實踐。

已經揭示了幾個實施例，熟習此項技術者將會認識到，在不脫離實施例的精神的情況下，可以使用各種修改、替代構造和等同物。此外，為了避免不必要地模糊本技術，沒有描述許多眾所周知的製程及元件。因此，以上描述不應被視為限制該技術的範疇。此外，方法或製程可被描述為順序的或分步驟的，但是應當理解的是，操作可以同時執行，或者以不同於列出的次序執行。

在提供值範圍的情況下，應當理解的是，除非上下文另有明確指示，否則該範圍的上限與下限之間的每個中介值至下限單位的最小分數亦被特別揭示。包含在規定範圍內的任何規定值或未規定的中介值與該規定範圍內的任何其他規定值或中介值之間的任何較窄範圍。彼等較小範圍的上限及下限可獨立地被包括在該範圍中或排除在該範圍之外，並且該技術亦涵蓋其中任一極限值被包括在較小範圍中、沒有一個極限值被包括在較小範圍中或兩個極限值都被包括在較小範圍中的每個範圍，受制於規定範圍內的任何特別排除的極限值。當規定範圍包括該等極限值中的一或兩者時，亦包括排除了彼等被包括的極限值中的一或兩者的範圍。

如本文和所附申請專利範圍中所使用的，除非上下文另有明確指示，否則單數形式「一個（種）」、「一」和「該」包括複數個引用物。因此，例如，提及「一前驅物」包括複數個此類前驅物，並且提及「該沉積物」包括提及熟習此項技術者已知的一或多種沉積物及其等同物，等等。

此外，當在本說明書和以下申請專利範圍中使用時，詞語「包括」、「包含」和「含有」意欲指定所陳述的特徵、整數、部件或操作的存在，但是它們不排除一或多個其他特徵、整數、部件、操作、動作或基團的存在或添加。

100:處理系統 105a:基板儲存捲軸 105b:第二捲軸 108:基板移動方向 110:可撓性基板 115a:捲軸腔室 115b:第二捲軸腔室 120a:夾襯 120b:第二夾襯 122a:夾襯輥 122b:第二夾襯輥 125:導輥 128:密封件 130:基板導引控制單元 140:處理腔室 145:塗佈鼓輪 150:處理區域 155:沉積單元 158:控制提供單元/電力提供單元 160:清洗單元 165:偏轉輥 200:方法 205:步驟 210:步驟 215:步驟 220:步驟 225:步驟 230:步驟 235:步驟

藉由參考說明書的剩餘部分和附圖，可以實現對所揭示技術的本質和優點的進一步理解。

第1圖圖示了根據本技術的一些實施例的示例性處理腔室的示意性剖視圖。

第2圖圖示了根據本技術的一些實施例的移除方法中的示例性操作。

附圖中的幾幅圖係作為示意圖被包括。應當理解的是，該等圖是為了說明的目的，並且除非特別聲明是按比例的，否則不視為係按比例的。此外，作為示意圖，附圖係提供用於幫助理解，並且與現實表示相比，附圖可不包括所有態樣或資訊，並且可包括用於說明目的的誇大材料。

在附圖中，相似的部件及/或特徵可以具有相同的參考標記。此外，相同類型的各種部件可以藉由在參考標記後面加上在相似的部件之間進行區分的字母來區分。若說明書中僅使用第一參考標記，則該描述適用於具有相同第一參考標記的類似部件中的任何一個類似部件，而無論字母如何。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

200:方法

205:步驟

210:步驟

215:步驟

220:步驟

225:步驟

230:步驟

235:步驟

Claims (20)

1. 一種移除含鋰沉積物的方法，該方法包括以下步驟： 加熱一含鋰沉積物的一表面，其中該表面包含氧或氮，並且其中該含鋰沉積物設置在一處理腔室的一表面上； 使該含鋰沉積物的該表面與一含氫前驅物接觸，其中該接觸氫化該含鋰沉積物的該表面； 使該含鋰沉積物與一含氮前驅物接觸以形成揮發性副產物；以及 從該處理腔室中排出該含鋰沉積物的該等揮發性副產物。
2. 如請求項1所述之移除含鋰沉積物的方法，其中該含氫前驅物包括雙原子氫或氨。
3. 如請求項2所述之移除含鋰沉積物的方法，其中該含鋰沉積物的該表面包含氮化鋰，並且其中該方法進一步包括以下步驟： 使該含鋰沉積物的該表面與雙原子氫接觸；以及 隨後使該含鋰沉積物的該表面與氨接觸，其中該隨後接觸之步驟產生了胺化鋰。
4. 如請求項1所述之移除含鋰沉積物的方法，其中該含氮前驅物包括六甲基二矽氮烷。
5. 如請求項1所述之移除含鋰沉積物的方法，其中該等揮發性副產物的特徵在於一沸點低於或為約200℃。
6. 如請求項1所述之移除含鋰沉積物的方法，其中該含鋰沉積物的該表面被加熱至大於或為約300℃的一溫度，與此同時該含鋰沉積物的一本體區域的一溫度維持低於或為約200℃。
7. 如請求項6所述之移除含鋰沉積物的方法，其中該加熱之步驟是用位於該處理腔室內的一加熱器執行的。
8. 如請求項1所述之移除含鋰沉積物的方法，其中該移除含鋰沉積物的方法係在真空條件下在該處理腔室內執行的。
9. 如請求項8所述之移除含鋰沉積物的方法，其中在該移除含鋰沉積物的方法期間，該處理腔室內的水含量維持在小於或為約100 ppm。
10. 一種移除含鋰沉積物的方法，該方法包括以下步驟： 加熱一含鋰沉積物的一表面，其中該表面包含氧化鋰，其中該含鋰沉積物的一本體包含鋰，並且其中該含鋰沉積物設置在一處理腔室的一表面上； 使該含鋰沉積物的該表面與雙原子氫或氨接觸，其中該接觸之步驟在該含鋰沉積物的該表面上產生氫氧化鋰； 使該含鋰沉積物與一移除前驅物接觸以形成揮發性副產物，其中在處理條件下，該處理腔室內的一溫度維持在低於或為約300℃；以及 從該處理腔室中排出該含鋰沉積物的該等揮發性副產物。
11. 如請求項10所述之移除含鋰沉積物的方法，其中該移除前驅物包括β-二酮、1,4,7,10-四氧雜環十二烷、四甲基哌啶、二異丙胺、或六甲基二矽氮烷。
12. 如請求項10所述之移除含鋰沉積物的方法，其中該移除前驅物是一第一移除前驅物，其中該第一移除前驅物移除該含鋰沉積物的一表面層，並且其中該方法進一步包括以下步驟： 使該含鋰沉積物與一第二移除前驅物接觸，以形成該含鋰沉積物的本體材料的揮發性副產物。
13. 如請求項10所述之移除含鋰沉積物的方法，其中該含鋰沉積物進一步包含在該含鋰沉積物的該表面處的氮化鋰。
14. 如請求項10所述之移除含鋰沉積物的方法，其中該移除含鋰沉積物的方法係在真空條件下在該處理腔室內執行的。
15. 如請求項10所述之移除含鋰沉積物的方法，其中在該移除含鋰沉積物的方法期間，該處理腔室內的水含量維持在小於或為約100 ppm。
16. 一種移除含鋰沉積物的方法，該方法包括以下步驟： 加熱一含鋰沉積物的一表面，其中該表面包含氮化鋰，其中該含鋰沉積物的一本體包含鋰，並且其中該含鋰沉積物設置在一處理腔室的一表面上； 使該含鋰沉積物的該表面與雙原子氫或氨接觸，其中該接觸之步驟在該含鋰沉積物的該表面上產生氫氧化鋰； 使該含鋰沉積物與一移除前驅物接觸以形成揮發性副產物，其中在處理條件下，該處理腔室內的一溫度維持在低於或為約300℃；以及 從該處理腔室中排出該含鋰沉積物的該等揮發性副產物。
17. 如請求項16所述之移除含鋰沉積物的方法，其中使該含鋰沉積物的該表面與雙原子氫或氨接觸之步驟包括以下步驟： 使該含鋰沉積物的該表面與雙原子氫接觸；以及 隨後使該含鋰沉積物的該表面與氨接觸，其中該隨後接觸產生了胺化鋰。
18. 如請求項16所述之移除含鋰沉積物的方法，其中該移除前驅物包括1,4,7,10-四氧雜環十二烷、四甲基哌啶、二甲胺、二乙胺、二正丙胺、二異丙胺、二三級丁胺、異丙胺、三級丁胺、六甲基二矽氮烷、或β-二酮中的一或多者，包括二戊醯甲烷、異丁醯新戊醯甲烷、六氟戊二酮或三氟乙醯新戊醯甲烷中的一或多者。
19. 如請求項16所述之移除含鋰沉積物的方法，其中該移除前驅物是一第一移除前驅物，其中該第一移除前驅物移除該含鋰沉積物的一表面層，並且其中該方法進一步包括以下步驟： 使該含鋰沉積物與一第二移除前驅物接觸，以形成該含鋰沉積物的本體材料的揮發性副產物。
20. 如請求項16所述之移除含鋰沉積物的方法，其中該移除含鋰沉積物的方法係在該處理腔室內在真空條件下執行，並且其中在移除含鋰沉積物的方法期間，該處理腔室內的水含量維持在小於或為約100 ppm。

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