TW202221800A

TW202221800A - 間隔件用多層膜和利用間隔件用多層膜的間隔件形成方法

Info

Publication number: TW202221800A
Application number: TW110143423A
Authority: TW
Inventors: 金榮建; 崔裁原; 朴鍾賢; 申汎析; 金鎭範
Original assignee: 韓商利諾士尖端材料有限公司
Priority date: 2020-11-25
Filing date: 2021-11-22
Publication date: 2022-06-01
Also published as: CN114536907A; KR20220072634A

Abstract

本發明公開間隔件用多層膜和利用間隔件用多層膜的間隔件形成方法。本發明的間隔件用多層膜包括：一第一膜，在200℃的溫度下的重量減少率為2％以下，在100℃以下的溫度下的線膨脹係數為50ppm/℃以下；一黏結劑層，配置在該第一膜的下部；一第一減壓黏結劑層，配置在該黏結劑層的下部；以及一第二膜，配置在該第一減壓黏結劑層的下部，具有40μm至300μm的厚度。

Description

間隔件用多層膜和利用間隔件用多層膜的間隔件形成方法

本發明涉及用於製造適用於多晶片封裝的間隔件的間隔件用膜。

並且，本發明涉及形成多晶片封裝中的間隔件的方法。

隨著半導體元件製造技術的發展，正針對電子設備的小型化及多功能化進行大量研究。

多晶片封裝（MCP，Multi Chip Package）技術作為半導體晶片的封裝技術中的一種，是指將同類型的半導體晶片或不同類型的半導體晶片封裝在一個封裝中的技術。

多晶片封裝技術可在較窄的封裝面積中實現高速傳輸，因此，相較於將各個半導體晶片分別封裝的技術，具有在尺寸及重量層面上的優點。

為了獲得減少尺寸的效果，多晶片封裝需層疊多個半導體晶片並將其配置在封裝內。在這種情況下，所利用到的便是間隔件。

例如，在層疊兩個半導體晶片的封裝中，一個半導體晶片直接附著在封裝基板，而另一個半導體晶片未直接附著在封裝基板。在這種情況下，間隔件起到支撐未直接附著在封裝基板的半導體晶片的作用。

通常，間隔件由金屬、高分子、光致抗蝕劑等製成。當間隔件由金屬或光致抗蝕劑製成時，可利用如下方法，即，在封裝基板上沉積或塗敷金屬或光致抗蝕劑後，可經由蝕刻去除除間隔件以外的部分。當間隔件由金屬或高分子組成時，可利用如下方法，即，將間隔件製造成預定形狀並將其黏結在封裝基板上。

在沉積或塗敷金屬或光致抗蝕劑後經由蝕刻方法形成間隔件的方法不僅需要光刻等複雜工序，而且，將產生浪費材料的問題。再者，將間隔件製造成預定形狀並將其黏結在封裝基板上的方法不僅難以精確製造所期望尺寸的間隔件，而且具有難以將間隔件精確附著在封裝基板上的問題。

此外，雖存在一種利用（切割）虛擬晶圓（Dummy Wafer）製造間隔件並將其黏結在封裝基板上的方法，但在這種情況下，將浪費虛擬晶圓。

發明所欲解決之問題：

為了解決上述問題，本發明的目的在於，提供可在未使用虛擬晶圓的情況下進行切割製程的間隔件用多層膜。

本發明的另一目的在於，提供可在未使用虛擬晶圓的情況下利用切割製程的間隔件形成方法。

本發明所要實現的技術目的並不局限於以上提及的目的，本發明所屬技術領域的通常知識者可藉由以下內容明確理解未提及的其他目的。

解決問題之技術手段：

為了實現上述目的，本發明的間隔件用多層膜包括：一第一膜，在200℃的溫度下的重量減少率為2％以下，在100℃以下的溫度下的線膨脹係數為50ppm/℃以下；一黏結劑層，配置在該第一膜下部；一第一減壓黏結劑層，配置在該黏結劑層的下部；以及一第二膜，配置在該第一減壓黏結劑層的下部，具有40μm至300μm的厚度。

該第一膜可包含聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯胺醯亞胺、聚苯硫醚、聚鄰苯二甲醯胺、聚碸、聚醚碸及聚醚醯亞胺中的至少一種。

該第二膜可包含聚烯烴類樹脂。

該第一減壓黏結劑層可包含丙烯酸類化合物。

該黏結劑層可包含丙烯酸類化合物及環氧樹脂。

該第一減壓黏結劑層的頂部的邊緣可處於暴露狀態。

在該第一減壓黏結劑層的紫外線固化前，該第一減壓黏結劑層與該黏結劑層之間的附著力為20N/m至200N/m，在該第一減壓黏結劑層的紫外線固化後，該第一減壓黏結劑層與該黏結劑層之間的附著力可以為15N/m以下。

本發明的間隔件用多層膜還可包括：一第二減壓黏結劑層，配置在該第一膜的上部；以及一覆蓋膜，配置在該第二減壓黏結劑層的上部。

用於實現上述目的的本發明的間隔件形成方法的特徵在於，該間隔件形成方法包括：一固定步驟，將該間隔件用多層膜固定在一框架；一切割步驟，經由切割該間隔件用多層膜來實現劃片化；一拾取步驟，從劃片化的產物中拾取由一第一膜及一黏結劑層組成的一間隔件；以及一附著步驟，將拾取的該間隔件附著在一封裝基板上。

在該間隔件用多層膜中，該第一減壓黏結劑層的頂部的邊緣可處於暴露狀態，一框架可配置在該第一減壓黏結劑層的頂部的邊緣上。

對照先前技術之功效：

本發明的間隔件用多層膜可包括厚度為40μm至300μm的第二膜。由此，在用於將第一膜作為單獨間隔件的支撐件而劃片化的切割製程中，第二膜可提供足夠的支撐力。

因此，可利用切割製程從本發明的間隔件用多層膜中製造所期望尺寸的劃片化的間隔件。並且，可使得經過切割劃片化的間隔件經由拾取製程及附著製程輕鬆附著在封裝基板。

並且，本發明具有如下效果，即，可藉由形成間隔件以在未使用虛擬晶圓的情況下進行切割製程。

本發明的目的、特定優點及新特徵可經由與附圖相關的詳細說明和較佳實施例而變得更加明確。本說明中的“一面”、“另一面”“兩面”等術語僅用於對一個結構要素和其他結構要素進行區分，結構要素並不限定於上述術語。以下，在說明本發明的過程中，將省略有可能不必要地混淆本發明的主旨的有關公知技術的詳細說明。

以下，參照附圖，針對本發明的間隔件用多層膜和利用間隔件用多層膜的間隔件形成方法進行詳細說明。

圖1為簡要示出包括間隔件的多晶片封裝的一例子的剖視圖。

參照圖1，在封裝基板110上配置有第一半導體晶片單元120。第一半導體晶片單元120包括第一黏結劑層121和第一半導體晶片122。第一黏結劑層121可起到向封裝基板110附著第一半導體晶片122的作用。第一半導體晶片122可經由金屬線125與封裝基板110實現電連接。

在第一半導體晶片單元120周圍配置有間隔件130。間隔件130包括黏結劑層131及支撐件132。黏結劑層131可起到向基板附著支撐件132的作用。

在間隔件130上配置有第二半導體晶片單元140。第二半導體晶片單元140包括第二黏結劑層141和第二半導體晶片142。第二黏結劑層141起到向間隔件130的支撐件132附著第二半導體晶片142的作用。第二半導體晶片142可經由金屬線145與封裝基板110實現電連接。作為另一例子，第二半導體晶片142可經由貫通間隔件的通孔與封裝基板110實現電連接。

在封裝基板110上，配置有第一半導體晶片單元120、間隔件130及第二半導體晶片單元140，執行金屬線焊接製程後，形成用於密封其的成型部150。成型部150可由密封材料製成，例如，環氧樹脂。

如圖1所示，間隔件130的高度可大於第一半導體晶片單元120的高度。由此，可將間隔件130用作支撐體來層疊第二半導體晶片單元140。作為另一例，間隔件130的高度可以與第一半導體晶片單元120的高度相同。並且，在間隔件130的高度大於第一半導體晶片單元120的高度或間隔件130的高度與第一半導體晶片單元120的高度相同的情況下，可經由間隔件130及第二半導體晶片單元140來獲得填埋第一半導體晶片單元120的效果。

圖2至圖4為簡要示出包括間隔件的多晶片封裝的其他例子的剖視圖。

與圖1示出的例子相同，圖2至圖4中的多個第二半導體晶片單元（圖2中的140-1至140-4、圖3中的140-1至140-5、圖4中的140-1至140-7）可經由金屬線（未圖示）或通孔（未圖示）來與其他第二半導體晶片單元或封裝基板110實現電連接。

在圖2至圖4所示的多晶片封裝中，半導體晶片單元可經由配置在封裝基板110上的間隔件130實現層疊。

圖5為簡要示出本發明的一實施例的間隔件用多層膜的剖視圖。

參照圖5，所示出的間隔件用多層膜包括第一膜510、黏結劑層520、第二膜530及第一減壓黏結劑層535。

第一膜：

第一膜510是指成為圖1至圖4的間隔件130的支撐件132部分。間隔件130需具有耐熱性，以便用於半導體晶片封裝製程及半導體晶片封裝。

因此，較佳地，第一膜510應具有耐熱性。因此，本發明限定第一膜510在200℃的溫度下的重量減少率為2％以下且在100℃以下的溫度下的線膨脹係數為50ppm/℃以下。若在200℃的溫度下的重量減少率大於2％或在100℃以下的溫度下的線膨脹係數大於50ppm/℃，則可視作耐熱性並不優秀。

具有上述耐熱性的第一膜510可包含聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯胺醯亞胺、聚苯硫醚、聚鄰苯二甲醯胺、聚碸、聚醚碸及聚醚醯亞胺中的至少一種。其中，較佳地，應選擇耐熱性最為優秀的聚醯亞胺或聚醚醚酮作為第一膜的材料。

第一膜510可具有單層機構。作為另一例子，第一膜510可具有多層結構。

第一膜510的厚度可基於作為目標的間隔件的支撐件（圖1中的132）厚度來確定。

黏結劑層：

黏結劑層520是指成為圖1至圖4中的間隔件130的黏結劑層131部分。

黏結劑層520配置在第一膜510的下部。雖然黏結劑層520可具有3μm至60μm的厚度，但並不限定於此。

在本發明中，黏結劑層520可包含丙烯酸類化合物。並且，黏結劑層520可包含用於固化的環氧樹脂。可使用雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、芴型環氧樹脂、苯酚酚醛型環氧樹脂、鄰甲酚醛型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂等中的一種以上作為環氧樹脂。

並且，黏結劑層520還可額外包含一種以上添加劑。雖然，可使用固化劑（酚類、胺類等）、無機粒子（二氧化矽、氫氧化鋁、氧化鋁、二氧化鈦、碳酸鈣等）、固化促進劑、矽烷偶聯劑等作為添加劑，但並不限定於此。

較佳地，可用於黏結劑層520、下述第一減壓黏結劑層535及第二減壓黏結劑層545的丙烯酸類化合物包含源自（甲基）丙烯酸酯的單體。

作為用於形成單體丙烯酸類化合物的（甲基）丙烯酸酯，可使用（甲基）丙烯酸烷基酯、（甲基）丙烯酸環烷基酯、（甲基）丙烯酸芳基酯等。

丙烯酸類化合物還可包含含羧基單體、酸酐單體、含羥基單體、含縮水甘油基單體、含磺酸基單體、含磷酸基單體、含丙烯腈單體等。

並且，丙烯酸類化合物還可額外包含一種以上的多官能單體。多官能單體可以為己二醇二（甲基）丙烯酸酯、（聚）乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、（聚）丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇二（甲基）丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、環氧（甲基）丙烯酸酯（即，聚甲基丙烯酸縮水甘油酯）、聚酯（甲基）丙烯酸酯、聚氨酯（甲基）丙烯酸酯等。

第二膜：

第二膜530配置在黏結劑層520的下部。在第二膜530與黏結劑層520之間配置有第一減壓黏結劑層535。第一減壓黏結劑層535可經由澆鑄塗敷並乾燥直接形成在第二膜530上，或者可在第二膜530壓薄形成。

在切割製程中，第二膜530起到支撐體的作用。因此，本發明限定第二膜530的厚度為40μm以上。若第二膜530的厚度小於40μm，則難以確保擴展性（expanding）及拾取性。並且，若第二膜530的厚度大於300μm，則有可能導致擴展性及拾取性不佳等，因此，較佳地，第二膜530的厚度應為300μm以下。第二膜530的厚度範圍可以為40μm至300μm，較佳地，可以為50μm至250μm，更佳地，可以為60μm至200μm，最佳地，可以為70μm至150μm。

第二膜530可由聚烯烴類樹脂製成。具體地，第二膜530可由包含低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-（甲基）丙烯酸共聚物、乙烯-（甲基）丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物及乙烯-己烯共聚物中的至少一種以上的材料製成。

第二膜530可具有單層結構，作為另一例子，可具有多層結構。

雖然，第一減壓黏結劑層535可具有5μm至30μm的厚度，但並不限定於此。第一減壓黏結劑層535可包含丙烯酸類化合物。但是，與黏結劑層520不同，第一減壓黏結劑層535可不包含環氧樹脂。

並且，第一減壓黏結劑層535還可額外包含一種以上的添加劑。雖然，作為添加劑可使用異氰酸酯固化劑等熱固化劑或二苯甲酮等光引發劑，但並不限於此。

在被紫外線固化之前，該第一減壓黏結劑層535可在切割製程中處於B階段狀態。

另一方面，在第一減壓黏結劑層被紫外線固化之前，第一減壓黏結劑層535與黏結劑層520之間的附著力可以為20N/m至200N/m，在被紫外線（UV）固化後，第一減壓黏結劑層535與黏結劑層520之間的附著力可以為15N/m以下。這是為了在切割後的拾取製程中僅拾取劃片化的第一膜510和黏結劑層250。例如，這種第一減壓黏結劑層535的附著力控制可通過控制黏結劑成分來實現。例如，第一減壓黏結劑層535的丙烯酸類化合物可包含相對於100重量份的丙烯酸-2-乙基己基共聚合反應10重量份至40重量份的丙烯酸-2-羥乙基、10重量份至45重量份的2-甲基丙烯酸異氰基乙酯的共聚物。

另一方面，參照圖5，第一減壓黏結劑層535的頂部的邊緣可處於暴露狀態。這是為了在切割製程中使得間隔件用膜相對於環框架的固定變得容易。對此，以下將參照圖7進行說明。

圖6為簡要示出本發明的另一實施例的間隔件用多層膜的剖視圖。

與圖5所示的間隔件用多層膜相同，圖6所示的間隔件用多層膜包括第一膜510、黏結劑層520、第二膜530及第一減壓黏結劑層535。由於圖6所示的間隔件用多層膜中的第一膜510、黏結劑層520、第二膜530及第一減壓黏結劑層535與參照圖5說明的內容相同，因此，將省略對其的說明。

另一方面，圖6所示的間隔件用多層膜可額外包括覆蓋膜540及第二減壓黏結劑層545。

覆蓋膜：

覆蓋膜540起到在切割製程前保護第一膜510的保護膜作用。在切割製程中，覆蓋膜540會被預先去除。雖然覆蓋膜540可由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚醯亞胺等材料製成，但並不限定於此。

第二減壓黏結劑層545可配置在覆蓋膜540與第一膜510之間。

雖然第二減壓黏結劑層545可具有3μm至30μm的厚度，但並不限定於此。與第一減壓黏結劑層535相同，雖然第二減壓黏結劑層545包含丙烯酸類化合物，但是，可不包含環氧樹脂。第二減壓黏結劑層545還可額外包含酚類樹脂、胺類等固化劑或矽烷偶聯劑等添加劑中的一種以上。

另一方面，參照圖6，第二減壓黏結劑層545的下表面的邊緣可處於暴露狀態。這是為了，在進行切割製程之前使得覆蓋膜540及第二減壓黏結劑層545的去除變得容易。

間隔件形成方法：

圖7為簡要示出本發明的利用切割製程的間隔件形成方法的圖。圖8為對應於圖7中的（a）部分、（b）部分及（c）部分的俯視圖，在說明圖7中的方法的過程中用作參照。

參照圖7，本發明的間隔件形成方法包括固定步驟、切割步驟、拾取步驟及附著步驟。

首先，如圖7的（a）部分所示，以從上側開始依次包括第一膜510、黏結劑層520、第一減壓黏結劑層535及第二膜530的方式形成間隔件用多層膜。例如，可經由從圖6所示的間隔件用多層膜中去除第二減壓黏結劑層545及覆蓋膜540來形成圖7的（a）部分所示的間隔件用多層膜。

接著，如圖7的（b）部分及圖8的（b）部分所示，固定間隔件用多層膜。可利用框架610固定間隔件用多層膜，例如，環框架。另一方面，在間隔件用多層膜中，當第一減壓黏結劑層535的頂部的邊緣處於暴露狀態時，框架610可輕易配置在第一減壓黏結劑層535的頂部的邊緣上。

隨後，如圖7的（c）部分所示，利用切割鋸601或雷射沿著預定的切割線SL針對間隔件用多層膜進行切割來實現劃片化（個片化）。如上所述，本發明的間隔件用多層膜可分別包括：第一膜510，起到間隔件的支撐件作用；以及第二膜530，具有40μm至300μm的厚度。間隔件用多層膜所包括的厚度為40μm至300μm的第二膜530可在切割製程中提供足夠的支撐力。

之後，如圖7的（d）部分所示，利用推動裝置620及吸附裝置630從劃片化的產物中拾取由第一膜510及黏結劑層520組成的間隔件。

最後，如圖7的（e）部分所示，將由第一膜510及黏結劑層520組成的間隔件附著在封裝基板110上。

實施例：

以下，為了進一步幫助理解本發明，將公開較佳實施例。但是，以下實施例僅用於理解本發明而提供，本發明的內容並不限定於以下實施例。

間隔件用黏結膜的製造：

以從上側開始依次包括第一膜（聚醯亞胺）、丙烯酸-環氧黏結劑層、丙烯酸減壓黏結劑層及第二膜（聚乙烯膜）的方式形成間隔件用多層膜（參照圖7的（a）部分），僅改變第二膜的厚度。接著，經由向丙烯酸減壓黏結劑層的頂部邊緣側接合環框架來固定間隔件用多層膜，隨後，利用作為切割設備的DFD-6361（disco公司製造）針對試片執行切割製程，以將各個試片分割成9mm×12mm的個別間隔件，之後，利用作為拾取設備的SPA-300（由Shinkawa公司製造）擴展（expanding）並拾取個別間隔件。

最後，以如下方式進行評估，其結果如表1所示。

擴展性（expanding）評估：進行切割後，為了使得拾取設備便於區分晶片並拾取，執行擴展第二膜的擴展製程並測定可擴展（expanding ring）範圍（mm）。

拾取性評估：拾取設備在0.35mm及0.45mm的針銷高度中進行拾取，將拾取成功率為95％以上的情況評估為良好（○），將拾取成功率為95％以下的情況評估為不良（×）。

表1

試片	第二膜厚度（μm）	可擴展範圍（mm）	拾取性
0.35mm	0.45mm
1	20	膜撕裂	-	-
2	40	7	○	○
3	60	5	○	○
4	100	5	○	○
5	200	3	○	○
6	300	2	○	○
7	400	1	○	×

參照表1，在第二膜的厚度為40μm至300μm的試片2至試片6中，在擴展製程及拾取製程中並未產生任何不良。相反，在第二膜的厚度為40μm以下的試片1中，因膜被撕裂而無法進行擴展製程，其結果也導致無法進行拾取製程。另一方面，在第二膜的厚度為300μm以上的試片7中，可擴展範圍僅為1mm，並且，在拾取設備的針銷高度為0.45mm的情況下，確認到拾取不良。

因此，較佳地，第二膜的厚度應為40μm至300μm。

以上，雖然說明了本發明，但是，本發明並不限定於本說明書中所公開的實施例，顯而易見的是，本發明所屬技術領域的通常知識者可在本發明的技術思想範圍內進行多種修改。並且，應當理解的是，即使在說明本發明實施例過程中未明確說明，對於本發明結構的作用效果也包括可經由相應結構進行預測的效果。

110:封裝基板 120:第一半導體晶片單元 121:第一黏結劑層 122:第一半導體晶片 125:金屬線 130:間隔件 131:粘黏結劑層 132:支撐件 140:第二半導體晶片單元 140-1:第二半導體晶片單元 140-2:第二半導體晶片單元 140-3:第二半導體晶片單元 140-4:第二半導體晶片單元 140-5:第二半導體晶片單元 140-6:第二半導體晶片單元 140-7:第二半導體晶片單元 141:第二結劑層 142:第二半導體晶片 145:金屬線 150:成型部 510:第一膜 520:粘黏結劑層 530:第二膜 535:第一減壓粘黏結劑層 540:覆蓋膜 545:第二減壓粘黏結劑層 601:切割鋸 610:框架 620:推動裝置 630:吸附裝置 SL:切割線

圖1為簡要示出包括間隔件的多晶片封裝的一例子的剖視圖。圖2為簡要示出包括間隔件的多晶片封裝的再一例子的剖視圖。圖3為簡要示出包括間隔件的多晶片封裝的又一例子的剖視圖。圖4為簡要示出包括間隔件的多晶片封裝的另一例子的剖視圖。圖5為簡要示出本發明的一實施例的間隔件用多層膜的剖視圖。圖6為簡要示出本發明的另一實施例的間隔件用多層膜的剖視圖。圖7為簡要示出本發明的利用切割製程的間隔件形成方法的圖。圖8為對應於圖7中的（a）部分、（b）部分及（c）部分的俯視圖。

510:第一膜

520:黏結劑層

530:第二膜

535:第一減壓黏結劑層

Claims

一種間隔件用多層膜，包括：一第一膜，在200℃的溫度下的重量減少率為2％以下，在100℃以下的溫度下的線膨脹係數為50ppm/℃以下；一黏結劑層，配置在該第一膜的下部；一第一減壓黏結劑層，配置在該黏結劑層的下部；以及一第二膜，配置在該第一減壓黏結劑層的下部，具有40μm至300μm的厚度。
如請求項1之間隔件用多層膜，其中該第一膜包含聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯胺醯亞胺、聚苯硫醚、聚鄰苯二甲醯胺、聚碸、聚醚碸及聚醚醯亞胺中的至少一種。
如請求項1之間隔件用多層膜，其中該第二膜包含聚烯烴類樹脂。
如請求項1之間隔件用多層膜，其中該第一減壓黏結劑層包含丙烯酸類化合物。
如請求項1之間隔件用多層膜，其中該黏結劑層包含丙烯酸類化合物及環氧樹脂。
如請求項1之間隔件用多層膜，其中該第一減壓黏結劑層的頂部的邊緣處於暴露狀態。
如請求項1之間隔件用多層膜，其中在該第一減壓黏結劑層的紫外線固化前，該第一減壓黏結劑層與該黏結劑層之間的附著力為20N/m至200N/m，在該第一減壓黏結劑層的紫外線固化後，該第一減壓黏結劑層與該黏結劑層之間的附著力為15N/m以下。
如請求項1之間隔件用多層膜，其中該間隔件用多層膜還包括：一第二減壓黏結劑層，配置在該第一膜的上部；以及一覆蓋膜，配置在該第二減壓黏結劑層的上部。
一種間隔件形成方法，包括：一固定步驟，將如請求項1之間隔件用多層膜固定在一框架；一切割步驟，經由切割該間隔件用多層膜來實現劃片化；一拾取步驟，從劃片化的一產物中拾取由一第一膜及一黏結劑層組成的一間隔件；以及一附著步驟，將拾取的該間隔件附著在一封裝基板上。
如請求項9之間隔件形成方法，其中，在該間隔件用多層膜中，該第一減壓黏結劑層的頂部的邊緣處於暴露狀態，該框架配置在該第一減壓黏結劑層的頂部的邊緣。