TW202219929A - 顯示裝置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000000742 single-metal deposition Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
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- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5386—Geometry or layout of the interconnection structure
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
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Abstract
本揭示之目的在於提供一種可減少信號線根數之顯示裝置。
顯示裝置具備:基板;複數個像素,其設置於基板上,構成複數行;及複數根信號線,其設置於基板上,於行方向延伸。複數個像素具備:具有3色之發光二極體元件之複數個第1像素及具有2色之發光二極體元件之複數個第2像素之至少一者。信號線之根數為每1行2根。
Description
本揭示係關於一種顯示裝置。
近年,複數個發光二極體元件(以下稱為「LED(Light Emitting Diode:發光二極體)元件」)經二維配置之LED顯示裝置已廣為人知。於LED顯示裝置中,1像素通常由紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)之3色之LED元件構成(例如參考專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2001-75508號公報
[發明所欲解決之問題]
然而,於1像素由3色之LED元件構成之LED顯示裝置中,因每1像素行設置有3根信號線,故有基板上之信號線之根數較多,而使信號線之佈線規則變複雜之問題。
本發明之目的在於提供一種可減少信號線根數之顯示裝置。
[解決問題之技術手段]
為解決上述問題,第1揭示為一種顯示裝置,其具備:
基板;
複數個像素,其設置於基板上,構成複數行;及
複數根信號線,其設置於基板上,於行方向延伸;且
複數個像素具備:具有3色之發光二極體元件之複數個第1像素、及具有2色之發光二極體元件之複數個第2像素之至少一者;
信號線之根數為每1行2根。
第2揭示為一種顯示裝置,其具備:
基板;
複數個像素,其設置於基板上,構成複數行;及
複數根信號線,其設置於基板上,於行方向延伸;且
複數個像素具備:具有3色之光源之複數個第1像素、及具有2色之光源之複數個第2像素之至少一者;
2色之光源各自具備發光二極體元件;
3色之光源各自具備發光二極體元件;
信號線之根數為每1行2根。
於第2揭示中,第1像素可包含第1色光源、第2色光源及第3色光源。
於第2揭示中,複數個第2像素具備複數個第3像素及複數個第4像素,第3像素具有第1色光源及第2色光源,第4像素具有第2色光源及第3色光源,第3像素與第4像素可於行方向交替配置,且可於列方向交替配置。
於第2揭示中,複數個像素具備複數個第1像素及複數個第2像素,第1像素具有第1色光源、第2色光源及第3色光源,第2像素具有第1色光源及第2色光源,第1像素與第2像素可於行方向交替配置,且於列方向交替配置。
於第2揭示中,第1色光源、第2色光源、第3色光源分別構成為可出射第1色光、第2色光、第3色光。第1色光源可為構成為可出射紅色光之紅色光源。第2色光源可為構成為可出射綠色光之綠色光源。第3色光源可為構成為可出射藍色光之藍色光源。紅色光源可具有紅色LED元件,亦可具有白色LED元件與紅色濾光片,又可具有藍色LED元件與將自藍色LED元件出射之藍色光轉換成紅色光之顏色轉換層。綠色光源可具有綠色LED元件,亦可具有白色LED元件與綠色濾光片,又可具有藍色LED元件與將自藍色LED元件出射之藍色光轉換成綠色光之顏色轉換層。藍色光源可具有藍色LED元件,亦可具有白色LED元件與藍色濾光片。
對本揭示之實施形態藉以下順序進行說明。另,於以下之實施形態之所有圖中,對相同或對應之部分標註相同符號。
1 第1實施形態(將具有3色之LED元件之複數個像素2維排列之顯示裝置之例)
2 第2實施形態(將具有2色之LED元件之複數個像素2維排列之顯示裝置之例)
3 第3實施形態(將具有2色之LED元件之複數個像素與具有3色之LED元件之複數個像素2維排列之顯示裝置之例)
4 第4實施形態(對3色之LED元件中2色之LED元件分別連接電阻元件之顯示裝置之例)
<1 第1實施形態>
[顯示裝置之構成]
圖1係顯示本揭示之第1實施形態之顯示裝置10之構成之一例之俯視圖。圖2係顯示圖1之區域R1所示之部分之電路之一例之圖。顯示裝置10係所謂之LED顯示裝置,且具備:基板11;複數個表面安裝零件(Surface Mount Device,以下稱為「SMD」)12,其配置於基板11上;及配置於基板11上之複數根信號線S
1(R)、S
3(R)、……、S
m-2(R)、S
m(R)、複數根信號線S
1(G)、S
2(G)、……、S
m-1(G)、S
m(G)、S
m+1(G)、複數根信號線S
2(B)、S
4(B)、……、S
m-1(B)、S
m+1(B)及複數根掃描線G
1、G
2、……、G
n。顯示裝置10可進而具備配置於基板11上之驅動器IC(Integrated Circuit:積體電路)。顯示裝置10可為像素間距1 mm以下之微間距顯示器。
於以下說明中,於統稱信號線S
1(R)、S
3(R)、……、S
m-2(R)、S
m(R)之情形時,稱為信號線S(R),於統稱信號線S
1(G)、S
2(G)、……、S
m-1(G)、S
m(G)、S
m+1(G)之情形時,稱為信號線S(G),於統稱信號線S
2(B)、S
4(B)、……、S
m-1(B)、S
m+1(B)之情形時,稱為信號線S(B)。於統稱信號線S(R)、信號線S(G)及信號線S(B)之情形時,稱為信號線S。於統稱掃描線G
1、G
2、……、G
n之情形時,稱為掃描線G。
(基板)
基板11例如為玻璃基板或樹脂基板。玻璃基板例如包含選自由高應變點玻璃、鹼石灰玻璃、硼矽酸玻璃、矽酸鎂石、鉛玻璃及石英玻璃所組成之群之至少1種。樹脂基板例如包含選自由聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、聚乙烯苯酚、聚醚碸、聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯及聚萘二甲酸乙二酯所組成之群之至少1種高分子樹脂。基板11可具有平面形狀,又可具有曲面形狀。基板11可為可撓性基板。於本說明書中,將於基板11之面內相互正交之第1方向、第2方向分別稱為X軸方向、Y軸方向。
(信號線、掃描線)
複數根信號線S(R)、信號線S(G)、信號線S(B)於Y軸方向(第2方向)延伸。複數根掃描線G沿X軸方向(第1方向)延伸。藉由將複數根信號線S(R)、信號線S(G)、信號線S(B)及掃描線G接通斷開,而驅動各像素21即各LED(Light Emitting Diode)元件20R、20G、20B。掃描線G之根數與像素21之列數相同。信號線S之根數為像素21之行數之2倍。
信號線S(R)、信號線S(G)之第1對、與信號線S(G)、信號線S(B)之第2對於X軸方向交替配置。信號線S(R)為連接於紅色LED元件20R之信號線。信號線S(G)為連接於綠色LED元件20G之信號線。信號線S(B)為連接於藍色LED元件20B之信號線。信號線S(R)為第1信號線之一例。信號線S(G)為第2信號線之一例。信號線S(B)為第3信號線之一例。
(驅動器IC)
驅動器IC經由複數根掃描線G及複數根信號線S(R)、S(G)、S(B)控制複數個SMD12,藉此控制顯示裝置10之像素顯示。
(SMD)
圖3係顯示SMD12之構成之一例之俯視圖。SMD12為將1像素單晶片化之SMD(1in1SMD)。SMD12具備1個像素(第1像素)21、及封裝22。
複數個SMD12呈矩陣狀2維配置於基板11上,構成複數列及行。複數個像素21亦同樣,於基板11上2維配置成矩陣狀,構成複數列及行。矩陣狀排列之列方向與X軸方向對應,行方向與Y軸方向對應。於以下說明中,將呈矩陣狀2維配置中之第m行、第n列之位置稱為位置(m,n)。又,將藉由於Y軸方向排列之複數個像素21構成之行稱為像素行。
各像素21具有3色之LED元件(3色之光源)20R、20G、20B。更具體而言,各像素21具有紅色LED元件20R、綠色LED元件20G、藍色LED元件20B。於以下說明中,於統稱紅色LED元件20R、綠色LED元件20G及藍色LED元件20B之情形時,稱為LED元件20。
紅色LED元件20R為構成為可出射紅色光之紅色光源。綠色LED元件20G為構成為可出射綠色光之綠色光源。藍色LED元件20B為構成為可出射藍色光之藍色光源。紅色LED元件20R為第1色之LED元件之一例。綠色LED元件20G為第2色之LED元件之一例。藍色LED元件20B為第3色之LED元件之一例。綠色LED元件20G於白色顯示之情形時,為紅色LED元件20R、綠色LED元件20G及藍色LED元件20B中亮度最高之LED元件。
封裝22具備陽極端子23R、陽極端子23G、陽極端子23B、及陰極端子(閘極端子)23GT。陽極端子23R連接於信號線S(R)。陽極端子23G連接於信號線S(G)。陽極端子23B連接於信號線S(B)。陰極端子(閘極端子)23GT連接於掃描線G。
SMD12係陰極成為共通端子之陰極共用類型者。於陽極端子23R連接紅色LED元件20R之陽極。於陽極端子23G連接綠色LED元件20G之陽極。於陽極端子23B連接藍色LED元件20B之陽極。於陰極端子23GT連接有紅色LED元件20R、綠色LED元件20G及藍色LED元件20B之陰極。
[LED元件與信號線、掃描線之連接]
以下,參考圖2,對LED元件20與信號線S、掃描線G之連接之一例進行説明。
信號線S(G)之根數為每1像素行1根。信號線S(R)之根數為每2像素行1根。信號線S(B)之根數為每2像素行1根。因此,信號線S之根數為每1像素行2根。
於假定相鄰之2個像素行構成對之情形時,構成2個像素行之對之各像素21所包含之紅色LED元件20R共有一根信號線S(R)。又,構成2個像素行之各像素21所包含之藍色LED元件20B共有一根信號線S(B)。
於X軸方向上相鄰之2個像素21構成對之情形時,構成對之2個像素21分別包含之紅色LED元件20R共有一根信號線S(R)。構成對之2個像素21分別包含之藍色LED元件20B共有一根信號線S(B)。複數個像素21之對2維配置於X軸方向及Y軸方向上。
更具體而言,位置(m,n)之像素21與位置(m+1,n)之像素21分別包含之紅色LED元件20R共有一根信號線S
m(R)。又,位置(m,n+1)之像素21與位置(m+1,n+1)之像素21所包含之紅色LED元件20R亦同樣,共有一根信號線S
m(R)。位置(m,n)之像素21所包含之藍色LED元件20B與位置(m+1,n)之像素21所包含之藍色LED元件20B共有一根信號線S
m+1(B)。又,位置(m,n+1)之像素21所包含之藍色LED元件20B與位置(m+1,n+1)之像素21所包含之藍色LED元件20B亦同樣,共有一根信號線S
m+1(B)。圖1中,虛線之框R2顯示出共有信號線S
m(R)及信號線S
m+1(B)之像素21之對。
位置(m,n)之像素21所包含之紅色LED元件20R之陽極經由陽極端子23R連接於信號線S
m(R)。位置(m,n)之像素21所包含之綠色LED元件20G之陽極經由陽極端子23G連接於信號線S
m(G)。位置(m,n)之像素21所包含之藍色LED元件20B之陽極經由陽極端子23B連接於信號線S
m+1(B)。位置(m,n)之像素21所包含之紅色LED元件20R、綠色LED元件20G及藍色LED元件20B之陰極經由陰極端子23GT連接於掃描線G
n。
位置(m+1,n)之像素21所包含之紅色LED元件20R之陽極經由陽極端子23R連接於信號線S
m(R)。位置(m+1,n)之像素21所包含之綠色LED元件20G之陽極經由陽極端子23G連接於信號線S
m+1(G)。位置(m+1,n)之像素21所包含之藍色LED元件20B之陽極經由陽極端子23B連接於信號線S
m+1(B)。位置(m+1,n)之像素21所包含之紅色LED元件20R、綠色LED元件20G及藍色LED元件20B之陰極經由陰極端子23GT連接於掃描線G
n。
位置(m,n+1)之像素21所包含之紅色LED元件20R、綠色LED元件20G、藍色LED元件20B與信號線S
m(R)、信號線S
m(G)、信號線S
m+1(B)之連接形態與位置(m,n)之像素21同樣。
位置(m+1,n+1)之像素21所包含之紅色LED元件20R、綠色LED元件20G、藍色LED元件20B與信號線S
m(R)、信號線S
m+1(G)、信號線S
m+1(B)之連接形態,與位置(m+1,n)之像素21相同。
位置(m,n)之像素21A所包含之紅色LED元件20R,與位置(m+1,n)之像素21所包含之紅色LED元件20R並聯連接。同樣地,位置(m,n+1)之像素21A所包含之紅色LED元件20R,與位置(m+1,n+1)之像素21所包含之紅色LED元件20R並聯連接。位置(m,n)之像素21所包含之藍色LED元件20B,與位置(m+1,n)之像素21所包含之藍色LED元件20B並聯連接。同樣地,位置(m,n+1)之像素21所包含之藍色LED元件20B,與位置(m+1,n+1)之像素21所包含之藍色LED元件20B並聯連接。
[作用效果]
以下,將比較例之顯示裝置110與第1實施形態之顯示裝置10進行比較,就作用效果進行說明。
於比較例之顯示裝置110中,如圖4、圖5所示,構成1個像素行之各像素21所包含之紅色LED元件20R、綠色LED元件20G、藍色LED元件20B分別連接於信號線S(R)、信號線S(G)、信號線S(B)。因此,信號線S之根數為每1像素行3根。因此,有基板11上之信號線S之根數較多,而信號線S之佈線規則變複雜之問題。
於第1實施形態之顯示裝置10中,如圖1、圖2所示,假定由相鄰之2個像素行構成一對時,構成2個像素行之對之各像素21所包含之紅色LED元件20R共有一根信號線S(R)。又,構成2個像素行之各像素21所包含之藍色LED元件20B共有一根信號線S(B)。藉此,可將信號線S(G)之根數設為每1像素行1根,將信號線S(R)、信號線S(B)之根數分別設為每2個像素行1根。即,可將信號線S之根數設為每1像素行2根。因此,由於可減少基板11上之信號線S之根數,故可放寬信號線S之佈線規則。因此,可降低顯示裝置10之成本。
又,由於可減少輸出信號數,故可減少驅動IC(Integrated Circuit)之數量。因此,可降低顯示裝置10之成本。
又,亦可藉由上述驅動IC之數量減少,而削減顯示裝置10之發熱量(即消耗電力)、且提高顯示裝置10之亮度。
又,由於可將總信號量減少至2/3,故影像信號傳送或信號處理等亦可減少至2/3。因此,可降低顯示裝置10之電路之成本。
[變化例]
(變化例1)
於第1實施形態中,雖已對共有信號線S(R)及信號線S(B)之像素21之對,於Y軸方向排列配置成一行之例(參考圖1、圖2)進行說明,但如圖6、圖7所示,共有信號線S(R)及信號線S(B)之像素21之對亦可於Y軸方向配置成Z字形。
更具體而言,像素21之對可具有以下連接形態。位置(m,n)之像素21與位置(m+1,n)之像素21所包含之紅色LED元件20R與第1實施形態同樣,共有一根信號線S
m(R)。又,位置(m,n)之像素21與位置(m+1,n)之像素21所包含之藍色LED元件20B亦與第1實施形態同樣,共有一根信號線S
m+1(B)。另一方面,位置(m+1,n+1)之像素21與位置(m+2,n+1)之像素21所包含之紅色LED元件20R與第1實施形態不同,共有一根信號線S
m+2(R)。又,位置(m+1,n+1)之像素21與位置(m+2,n+1)之像素21所包含之藍色LED元件20B亦與第1實施形態不同,共有一根信號線S
m+1(B)。
圖6中,虛線之框R2顯示出共有信號線S
m(R)及信號線S
m+1(B)之像素21之對、及共有信號線S
m+2(R)及信號線S
m+1(B)之像素21之對。
(變化例2)
於第1實施形態中,雖已對各像素21具有之紅色LED元件20R、綠色LED元件20G、藍色LED元件20B分別連接於信號線S(R)、信號線S(G)、信號線S(B),且各像素21具有之紅色LED元件20R、綠色LED元件20G、藍色LED元件20B之任一者皆構成為可點亮之例進行說明,但顯示裝置10之構成並非限定於此者。例如,各像素21具有之紅色LED元件20R及藍色LED元件20B中之任一者可不與信號線S連接,而成為不點亮之構成。該情形時,包含不點亮之紅色LED元件20R之像素21、與包含不點亮之藍色LED元件20B之像素21可於X軸方向交替配置,且可於Y軸方向交替配置。
圖8係顯示變化例之顯示裝置10之構成之一例之俯視圖。圖9係顯示圖8之區域R1所示之部分之電路之一例之圖。於假定X軸方向上相鄰之2個像素21構成對之情形時,構成對之一像素21具有之紅色LED元件20R之陽極連接於信號線S(R),與此相對,另一像素21具有之紅色LED元件20R之陽極不連接於信號線S(R)。又,構成對之一像素21具有之藍色LED元件20B之陽極不連接於信號線S(B),與此相對,另一像素21具有之藍色LED元件20B之陽極連接於信號線S(B)。即,X軸方向上相鄰之2個像素行所包含之紅色LED元件20R、藍色LED元件20B分別藉由信號線S(R)、信號線S(B),於Y軸方向Z字形連接。
(變化例3)
於第1實施形態中,已對於X軸方向上相鄰之2個像素21構成對之情形時,構成對之2個像素21分別包含之紅色LED元件20R共有一根信號線S(R),且構成對之2個像素21分別包含之藍色LED元件20B共有一根信號線S(B)之例進行說明。然而,顯示裝置10之構成並非限定於此者。
例如,如圖10、圖11所示,於X軸方向上相鄰之2個像素21構成對之情形時,構成對之2個像素21分別包含之紅色LED元件20R共有一根信號線S(R)。與此相對,構成對之2個像素21分別包含之藍色LED元件20B不共有一根信號線S(B)。即,構成對之2個像素21中之一者所包含之藍色LED元件20B連接於信號線S(B),與此相對,另一者所包含之藍色LED元件20B不連接於信號線S(B)。X軸方向上相鄰之2個像素行所包含之藍色LED元件20B藉由信號線S(B) Z字形連接。
更具體而言,位置(m,n)之像素21與位置(m+1,n)之像素21所包含之紅色LED元件20R共有一根信號線S
m(R)。另一方面,位置(m,n)之像素21與位置(m+1,n)之像素21所包含之藍色LED元件20B不共有一根信號線S
m+1(B)。即,位置(m,n)之像素21所包含之藍色LED元件20B不連接於信號線S
m+1(B),與此相對,位置(m+1,n)之像素21所包含之藍色LED元件20B連接於信號線S
m+1(B)。
又,位置(m,n+1)之像素21與位置(m+1,n+1)之像素21所包含之紅色LED元件20R共有一根信號線S
m(R)。另一方面,位置(m,n+1)之像素21與位置(m+1,n+1)之像素21所包含之藍色LED元件20B不共有一根信號線S
m+1(B)。即,位置(m+1,n)之像素21所包含之藍色LED元件20B連接於信號線S
m+1(B),與此相對,位置(m+1,n+1)之像素21所包含之藍色LED元件20B不連接於信號線S
m+1(B)。
另,構成對之2個像素21分別包含之紅色LED元件20R不共有一根信號線S(R),與此相對,構成對之2個像素21分別包含之藍色LED元件20B可共有一根信號線S(B)。
於上述例中,雖已對共有信號線S(R)之像素21之對,於Y軸方向排列配置成一行之例進行說明,但如圖12、圖13所示,共有信號線S(R)之像素21之對亦可於Y軸方向配置成Z字形。該情形時,更具體而言,各像素21可具有以下連接形態。
位置(m,n)之像素21與位置(m+1,n)之像素21所包含之紅色LED元件20R與上述例同樣。又,位置(m,n)之像素21與位置(m+1,n)之像素21所包含之藍色LED元件20B亦與上述例同樣。另一方面,位置(m+1,n+1)之像素21與位置(m+2,n+1)之像素21所包含之紅色LED元件20R與上述例不同,共有一根信號線S
m+2(R)。又,位置(m+1,n+1)之像素21與位置(m+2,n+1)之像素21所包含之藍色LED元件20B之連接形態與上述例不同。即,位置(m+1,n+1)之像素21所包含之藍色LED元件20B不連接於信號線S
m+1(B),與此相對,位置(m+2,n+1)之像素21所包含之藍色LED元件20B連接於信號線S
m+1(B)。
(變化例4)
如圖14所示,信號線S(R)之寬度W
R可寬於信號線S(B)之寬度W
B及信號線S(G)之寬度W
G。連接於紅色LED元件20R之信號線S(R)之寬度W
R相對於連接於綠色LED元件20G之信號線S(G)之寬度W
G之比(W
R/W
G)例如為1以上且3以下,較佳為1.7以上且2.3以下,進而較佳約為2。一般於LED顯示器中,由於用以顯示White(白)之信號線S(R)、信號線S(G)、信號線S(B)之電流比(流動於信號線S(R)之電流:流動於信號線S(G)之電流:流動於信號線S(B)之電流)大概為1:1:0.5,故信號線S(R)與信號線S(G)之電流比為1:1。於第1實施形態之顯示裝置10中,由於信號線S(R)之根數為信號線S(G)之一半,故流動於每1根信號線S(R)之電流為流動於每1根信號線S(G)之電流之約2倍。信號線S(R)之寬度W
R例如為約150 µm。信號線S(B)之寬度W
B及信號線S(G)之寬度W
G例如為約75 µm。
圖15係顯示比較例之顯示裝置110(參考圖4)之信號線S(R)、信號線S(B)及信號線S(G)之一例之俯視圖。信號線S(R)之寬度W
R、信號線S(B)之寬度W
B及信號線S(G)之寬度W
G設定為相同。於以下說明中,於統稱信號線S(R)之寬度W
R、信號線S(B)之寬度W
B及信號線S(G)之寬度W
G之情形時,稱為信號線S之寬度W。
於相鄰之信號線S之間設置有空間。信號線S間之空間之寬度W
S與信號線S之寬度W(=W
R、W
G、W
B)大致相等。於X軸方向上之SMD12之尺寸W
12約為350 µm之情形時,信號線S之寬度W及信號線S間之空間之寬度W
S例如設定為約75 µm。
於第1實施形態之顯示裝置10中,X軸方向上相鄰之2個像素21所包含之2個紅色LED元件20R並聯連接。同樣,X軸方向上相鄰之2個像素21所包含之2個藍色LED元件20B亦並聯連接。因此,流動於顯示裝置10之信號線S(R)之電流值為流動於顯示裝置110之信號線S(R)之電流值之約2倍。同樣,流動於顯示裝置10之信號線S(B)之電流值為流動於顯示裝置110之信號線S(B)之電流值之約2倍。
然而,藍色LED元件20B之發光強度可低於紅色LED元件20R及綠色LED元件20G之發光強度。因此,可將流動於信號線S(B)之電流值設為流動於信號線S(R)及信號線S(G)之電流值之約一半。因此,信號線S(B)之寬度W
B可與顯示裝置110之信號線S(B)之寬度W
B同樣。即,可設為與顯示裝置10之信號線S(G)之寬度W
G大致同樣。另一方面,紅色LED元件20R之信號線S(R)之寬度W
R較佳設為顯示裝置110之信號線S(R)之寬度W
R之約2倍。即,較佳設為顯示裝置10之信號線S(G)之寬度W
G之約2倍。
X軸方向上相鄰之2個像素21中之一者所包含之紅色LED元件20R可經由連接線31R連接於信號線S(R)。該情形時,連接線31R之寬度W
R1可為信號線S(R)之寬度W
R之約1/2。即,連接線31R之寬度W
R1可與信號線S(G)之寬度W
G大致同樣。X軸方向上相鄰之2個像素21中之一者所包含之藍色LED元件20B可經由連接線31B連接於信號線S(B)。該情形時,連接線31B之寬度W
B1可與信號線S(B)之寬度W
B大致同樣。
(變化例5)
於第1實施形態中,雖已對SMD12具備1個像素21之例進行說明,但SMD12所具備之像素21之個數並非限定於此,SMD12亦可具備2個以上之像素21。具體而言,例如,SMD12可具備n×m個(其中,n、m分別獨立為例如1以上之整數,較佳為2以上之整數。n為X軸方向上之像素21之個數,m為Y軸方向上之像素21之個數)像素21P。
圖16係顯示變化例之顯示裝置10之構成之一例之俯視圖。圖17係顯示圖16之區域R1所示之部分之電路之一例之圖。圖18係顯示SMD13之構成之一例之俯視圖。SMD12為將4像素單晶片化之SMD(4in1SMD)。SMD13具備4個像素21及封裝25。SMD12之4個像素21分別設置於位置(m,n)、位置(m+1,n)、位置(m,n+1)、位置(m+1,n+1)。
封裝25具備陽極端子23R、陽極端子23G1、陽極端子23G2、陽極端子23B、陰極端子(閘極端子)23GT1、及陰極端子(閘極端子)23GT2。
位置(m,n)之像素21所包含之紅色LED元件20R之陽極經由陽極端子23R連接於信號線S
m(R)。位置(m,n)之像素21所包含之綠色LED元件20G之陽極經由陽極端子23G1連接於信號線S
m(G)。位置(m,n)之像素21所包含之藍色LED元件20B之陽極經由陽極端子23B連接於信號線S
m+1(B)。位置(m,n)之像素21所包含之紅色LED元件20R、綠色LED元件20G及藍色LED元件20B之陰極經由陰極端子23GT1連接於掃描線G
n。
位置(m+1,n)之像素21所包含之紅色LED元件20R之陽極經由陽極端子23R連接於信號線S
m(R)。位置(m+1,n)之像素21所包含之綠色LED元件20G之陽極經由陽極端子23G2連接於信號線S
m+1(G)。位置(m+1,n)之像素21所包含之藍色LED元件20B之陽極經由陽極端子23B連接於信號線S
m+1(B)。位置(m+1,n)之像素21所包含之紅色LED元件20R、綠色LED元件20G及藍色LED元件20B之陰極經由陰極端子23GT1連接於掃描線G
n。
位置(m,n+1)之像素21所包含之紅色LED元件20R、綠色LED元件20G、藍色LED元件20B與信號線S
m(R)、信號線S
m(G)、信號線S
m+1(B)之連接形態與位置(m,n)之像素21同樣。位置(m,n+1)之像素21所包含之紅色LED元件20R、綠色LED元件20G及藍色LED元件20B之陰極經由陰極端子23GT2連接於掃描線G
n+1。
位置(m+1,n+1)之像素21所包含之紅色LED元件20R、綠色LED元件20G、藍色LED元件20B與信號線S
m(R)、信號線S
m+1(G)、信號線S
m+1(B)之連接形態與位置(m+1,n)之像素21同樣。位置(m+1,n+1)之像素21所包含之紅色LED元件20R、綠色LED元件20G及藍色LED元件20B之陰極經由陰極端子23GT2連接於掃描線G
n+1。
(變化例6)
於上述第1實施形態中,雖已對紅色光源、綠色光源、藍色光源分別為紅色LED元件20R、綠色LED元件20G、藍色LED元件20B之例進行說明,但紅色光源、綠色光源及藍色光源並非限定於此例者。
圖19係顯示像素21所包含之紅色光源20RL、綠色光源20GL及藍色光源20BL之第1構成例之剖視圖。紅色光源20RL中,可代替紅色LED元件20R,而包含白色LED元件20W與設置於白色LED元件20W上之紅色濾光片20RF。白色LED元件20W構成為可出射白色光。紅色濾光片20RF吸收自白色LED元件20W出射之白色光中之規定波長之光,而使紅色光透過。
綠色光源20GL中,可代替綠色LED元件20G,而包含白色LED元件20W與設置於白色LED元件20W上之綠色濾光片20GF。綠色濾光片20GF吸收自白色LED元件20W出射之白色光中之規定波長之光,而使綠色光透過。
藍色光源20BL中,可代替藍色LED元件20B,而包含白色LED元件20W與設置於白色LED元件20W上之藍色濾光片20BF。藍色濾光片20BF吸收自白色LED元件20W出射之白色光中之規定波長之光,而使藍色光透過。
圖20係顯示像素21所包含之紅色光源20RL、綠色光源20GL及藍色光源20BL之第2構成例之剖視圖。紅色光源20RL中,可代替紅色LED元件20R,而包含藍色LED元件20B與設置於藍色LED元件20B上之顏色轉換層20RQ。顏色轉換層20RQ將自藍色LED元件20B出射之藍色光轉換成紅色光。顏色轉換層20RQ例如為量子點(Quantum Dot:QD)。
綠色光源20GL中,可代替綠色LED元件20G,而包含藍色LED元件20B與設置於藍色LED元件20B上之顏色轉換層20GQ。顏色轉換層20GQ將自藍色LED元件20B出射之藍色光轉換成綠色光。顏色轉換層20GQ例如為量子點。
藍色光源20BL與第1實施形態同樣,為藍色LED元件20B。
<2 第2實施形態>
[顯示裝置之構成]
圖21係顯示本揭示之第2實施形態之顯示裝置10A之構成之一例之俯視圖。圖22係顯示圖21之區域R1所示之部分之電路之一例之俯視圖。顯示裝置10A於具備配置於基板11上之複數個SMD12A及複數個SMD12B之方面,與第1實施形態之顯示裝置10不同。SMD12A與SMD12B於X軸方向(第1方向)交替配置,且於Y軸方向(第2方向)交替配置。
(SMD)
圖23A係顯示SMD12A之構成之一例之俯視圖。SMD12A為將1像素單晶片化之SMD(1in1SMD)。SMD12A具備像素(第3像素)21A及封裝22A。像素21A具備2色之LED元件20R、20G。更具體而言,像素21A具備紅色LED元件20R及綠色LED元件20G。
封裝22A具備陽極端子23AR、陽極端子23AG、及陰極端子(閘極端子)23AGT。陽極端子23AR連接於信號線S(R)。陽極端子23AG連接於信號線S(G)。陰極端子(閘極端子)23AGT連接於掃描線G。
SMD12A係陰極成為共通端子之陰極共用類型者。紅色LED元件20R之陽極連接於陽極端子23AR。綠色LED元件20G之陽極連接於陽極端子23AG。紅色LED元件20R及綠色LED元件20G之陰極連接於陰極端子23AGT。
圖23B係顯示SMD12B之構成之一例之俯視圖。SMD12B為將1像素單晶片化之SMD(1in1SMD)。SMD12A具備像素(第4像素)21B及封裝22B。像素21A具備2色之LED元件20G、20B。更具體而言,像素21B具備綠色LED元件20G及藍色LED元件20B。
封裝22B具備陽極端子23BG、陽極端子23BB、及陰極端子(閘極端子)23BGT。陽極端子23BG連接於信號線S(G)。陽極端子23BB連接於信號線S(B)。陰極端子(閘極端子)23BGT連接於掃描線G。
SMD12B係陰極成為共通端子之陰極共用類型者。綠色LED元件20G之陽極連接於陽極端子23BG。藍色LED元件20B之陽極連接於陽極端子23BB。綠色LED元件20G及藍色LED元件20B之陰極連接於陰極端子23BGT。
複數個像素21A與複數個像素21B呈矩陣狀配置。像素21A與像素21B於X軸方向交替配置,且於Y軸方向交替配置。
[LED元件與信號線、掃描線之連接]
信號線S(G)之根數為每1像素行1根。信號線S(R)之根數為每2像素行1根。信號線S(B)之根數為每2像素行1根。因此,信號線S之根數為每1像素行2根。
於假定相鄰之2個像素行構成對之情形時,構成2個像素行之像素21A所包含之紅色LED元件20R共有一根信號線S(R)。又,構成2個像素行之像素21B所包含之藍色LED元件20B共有一根信號線S(B)。
於假定相鄰之2個像素行中斜向方向(X軸方向與Y軸方向之間之方向)上相鄰之2個像素21B構成對之情形時,構成對之像素21B所包含之藍色LED元件20B共有一根信號線S(B)。同樣,於假定相鄰之2個像素行中斜向方向上相鄰之2個像素21A構成對之情形時,構成對之像素21A所包含之紅色LED元件20R共有一根信號線S(R)。
更具體而言,位置(n,m+1)之像素21與位置(n+1,m)之像素21B所包含之藍色LED元件20B共有一根信號線S
m+1(B)。位置(n,m)之像素21A與位置(n+1,m+1)之像素21A所包含之紅色LED元件20R共有一根信號線S
m(R)。
位置(m,n)之像素21A所包含之紅色LED元件20R之陽極經由陽極端子23AR連接於信號線S
m(R)。位置(m,n)之像素21A所包含之綠色LED元件20G之陽極經由陽極端子23AG連接於信號線S
m(G)。位置(m,n)之像素21A所包含之紅色LED元件20R及綠色LED元件20G之陰極經由陰極端子23AGT連接於掃描線G
n。
位置(m+1,n)之像素21B所包含之綠色LED元件20G之陽極經由陽極端子23AG連接於信號線S
m+1(G)。位置(m+1,n)之像素21A所包含之藍色LED元件20B之陽極經由陽極端子23BB連接於信號線S
m+1(B)。位置(m+1,n)之像素21B所包含之綠色LED元件20G及藍色LED元件20B之陰極經由陰極端子23BGT連接於掃描線G
n。
位置(m,n+1)之像素21B所包含之綠色LED元件20G之陽極經由陽極端子23BG連接於信號線S
m(G)。位置(m,n+1)之像素21B所包含之藍色LED元件20B之陽極經由陽極端子23BB連接於信號線S
m+1(B)。位置(m,n+1)之像素21B所包含之綠色LED元件20G及藍色LED元件20B之陰極經由陰極端子23BGT連接於掃描線G
n+1。
位置(m+1,n+1)之像素21A所包含之紅色LED元件20R之陽極經由陽極端子23AR連接於信號線S
m(R)。位置(m+1,n+1)之像素21A所包含之綠色LED元件20G之陽極經由陽極端子23AG連接於信號線S
m+1(G)。位置(m+1,n+1)之像素21A所包含之紅色LED元件20R及綠色LED元件20G之陰極經由陰極端子23AGT連接於掃描線G
n+1。
位置(m,n)之像素21A所包含之紅色LED元件20R、與位置(m+1,n+1)之像素21A所包含之紅色LED元件20R串聯連接。位置(m+1,n)之像素21B所包含之藍色LED元件20B、與位置(m,n+1)之像素21B所包含之藍色LED元件20B串聯連接。
[作用效果]
於第2實施形態之顯示裝置10A中,如圖21、圖22所示,信號線S之根數為每1像素行2根。因此,可獲得與第1實施形態之顯示裝置10同樣之作用效果。
於第1實施形態之顯示裝置10中,如圖3所示,像素21具有3色之LED元件20R、20G、20B。與此相對,於第2實施形態之顯示裝置10A中,如圖23A、圖23B所示,像素21A具有2色之LED元件20R、20G,像素21B具有2色之LED元件20G、20R。因此,於第2實施形態之顯示裝置10A中,與第1實施形態之顯示裝置10相比可減少LED元件20之使用總數。
<3 第3實施形態>
[顯示裝置之構成]
圖24係顯示本揭示之第3實施形態之顯示裝置10B之構成之一例之俯視圖。圖25係顯示圖24之區域R1所示之部分之電路之一例之俯視圖。顯示裝置10B於具備配置於基板11上之複數個SMD12A及複數個SMD12之方面,與第1實施形態之顯示裝置10不同。
SMD12A與SMD12於X軸方向交替配置,且於Y軸方向交替配置。SMD12A之構成如第2實施形態中所說明。SMD12之構成如第2實施形態中所說明。
複數個像素21A與複數個像素22呈矩陣狀配置。像素21A與像素21於X軸方向交替配置,且於Y軸方向交替配置。
[LED元件與信號線、掃描線之連接]
信號線S(G)之根數為每1像素行1根。信號線S(R)之根數為每2像素行1根。信號線S(B)之根數為每2像素行1根。因此,信號線S之根數為每1像素行2根。
於假定相鄰之2個像素行構成對之情形時,構成2個像素行之像素21A、21分別所包含之紅色LED元件20R共有一根信號線S(R)。又,構成2個像素行之像素21所包含之藍色LED元件20B共有一根信號線S(B)。
於X軸方向上相鄰之2個像素21A、21構成對之情形時,構成對之2個像素21A、21分別包含之紅色LED元件20R共有一根信號線S(R)。
於假定相鄰之2個像素行中斜向方向(X軸方向與Y軸方向之間之方向)上相鄰之2個像素21構成對之情形時,構成對之2個像素21分別包含之藍色LED元件20B共有一根信號線S(B)。
位置(m,n)之像素21A所包含之紅色LED元件20R之陽極經由陽極端子23AR連接於信號線S
m(R)。位置(m,n)之像素21A所包含之綠色LED元件20G之陽極經由陽極端子23AG連接於信號線S
m(G)。位置(m,n)之像素21A所包含之紅色LED元件20R及綠色LED元件20G之陰極經由陰極端子23AGT連接於掃描線G
n。
位置(m+1,n)之像素21所包含之紅色LED元件20R之陽極經由陽極端子23R連接於信號線S
m(R)。位置(m+1,n)之像素21A所包含之綠色LED元件20G之陽極經由陽極端子23G連接於信號線S
m+1(G)。位置(m+1,n)之像素21所包含之藍色LED元件20B之陽極經由陽極端子23B連接於信號線S
m+1(B)。位置(m+1,n)之像素21A所包含之紅色LED元件20R、綠色LED元件20G及藍色LED元件20B之陰極經由陰極端子23GT連接於掃描線G
n。
位置(m,n+1)之像素21所包含之紅色LED元件20R之陽極經由陽極端子23R連接於信號線S
m(R)。位置(m,n+1)之像素21A所包含之綠色LED元件20G之陽極經由陽極端子23G連接於信號線S
m(G)。位置(m,n+1)之像素21所包含之藍色LED元件20B之陽極經由陽極端子23B連接於信號線S
m+1(B)。位置(m,n+1)之像素21A所包含之紅色LED元件20R、綠色LED元件20G及藍色LED元件20B之陰極經由陰極端子23GT連接於掃描線G
n+1。
位置(m+1,n+1)之像素21A所包含之紅色LED元件20R之陽極經由陽極端子23AR連接於信號線S
m(R)。位置(m+1,n+1)之像素21A所包含之綠色LED元件20G之陽極經由陽極端子23AG連接於信號線S
m+1(G)。位置(m+1,n+1)之像素21A所包含之紅色LED元件20R及綠色LED元件20G之陰極經由陰極端子23AGT連接於掃描線G
n+1。
位置(m,n)之像素21A所包含之紅色LED元件20R與位置(m+1,n)之像素21所包含之紅色LED元件20R並聯連接。位置(m,n+1)之像素21所包含之紅色LED元件20R與位置(m+1,n+1)之像素21A所包含之紅色LED元件20R並聯連接。
位置(m+1,n)之像素21所包含之藍色LED元件20B與位置(m,n+1)之像素21所包含之藍色LED元件20B串聯連接。
[作用效果]
於第2實施形態之顯示裝置10B中,如圖24、圖25所示,信號線S之根數為每1像素行2根。因此,可獲得與第1實施形態之顯示裝置10同樣之作用效果。
於第1實施形態之顯示裝置10中,如圖3所示,像素21具有3色之LED元件20R、20G、20B。與此相對,於第3實施形態之顯示裝置10B中,如圖24、圖25所示,像素21A具有2色之LED元件20R、20G,像素21具有3色之LED元件20R、20G、20B。因此,於第2實施形態之顯示裝置10B中,與第1實施形態之顯示裝置10相比可減少LED元件20之使用總數。
[變化例]
雖已對共有信號線S(R)之像素21A、21之對,於Y軸方向(行之延伸方向)排列配置成一行之例(參考圖24、圖25)進行說明,但如圖26、圖27所示,共有信號線S(R)之像素21A、21之對亦可於Y軸方向配置成Z字形。
更具體而言,像素21之對可具有以下之連接形態。位置(m,n)之像素21A與位置(m+1,n)之像素21分別包含之紅色LED元件20R與第3實施形態同樣,共有一根信號線S
m(R)。位置(m+1,n+1)之像素21與位置(m+2,n+1)之像素21分別包含之紅色LED元件20R與第3實施形態不同,共有一根信號線S
m+2(R)。
<4 第4實施形態>
[顯示裝置之構成]
圖28係顯示本揭示之第4實施形態之顯示裝置10C之構成之一例之俯視圖。圖29係顯示圖28之區域R1所示之部分之電路之一例之俯視圖。顯示裝置10C中,代替複數個SMD12(參考圖1),而具備複數個SMD14之方面,與第1實施形態之顯示裝置10不同。
圖30係顯示SMD14之構成之一例之俯視圖。SMD14於具備電阻元件24R及電阻元件24B之方面,與第1實施形態之SMD12不同。電阻元件(第1電阻)24R及電阻元件(第2電阻)24B設置於封裝22(參考圖3)。
電阻元件24R及電阻元件24B插入至並列驅動之像素21之共通端。即,電阻元件24R、電阻元件24B串聯連接於3色之LED元件20R、20G、20B中亮度最高之綠色LED元件20G以外之紅色LED元件20R、藍色LED元件20B。更具體而言,電阻元件24R設置於紅色LED元件20R之陰極與陰極端子GT之間。電阻元件24B設置於藍色LED元件20B之陰極與陰極端子GT之間。
電阻元件24R之電阻值、電阻元件24B之電阻值分別獨立,較佳為0.1 V/(LED電流值[A])Ω以上且0.3 V/(LED電流值[A])Ω以下之範圍內。電阻元件24R及電阻元件24B一般稱為電流反饋電阻,用以使電流穩定而設置者,較佳為二極體(包含發光二極體LED)之內置電位Vt(0.026 V)之大概4倍以上且12倍以下。因此,電阻元件24R、電阻元件24B之電阻值分別較佳為選定為上述範圍。LED電流值[A]例如為0.0001A以上且0.0500A以下。例如,於LED電流值為0.001A之情形時,電阻元件24R之電阻值、電阻元件24B之電阻值分別獨立,較佳為100 Ω以上且300 Ω以下之範圍內。
[作用效果]
以下,比較第1實施形態之顯示裝置10與第4實施形態之顯示裝置10C,對作用效果進行說明。
於第1實施形態之顯示裝置10中,由於構成對之2個像素21分別包含之紅色LED元件20R共有一根信號線S(R),故該等紅色LED元件20R經並列驅動。又,由於構成對之2個像素21分別包含之藍色LED元件20B共有一根信號線S(B),故該等藍色LED元件20B經並列驅動。
然而,於第1實施形態之顯示裝置10中,因並列驅動之紅色LED元件20R與藍色LED元件20B之電流之偏差,而有紅色LED元件20R與藍色LED元件20B之亮度產生偏差之虞。由於並列驅動,故難以個別調整並對其修正。作為解決此種問題之方法,考慮選擇使用特性之偏差較少之複數個紅色LED元件20R及複數個藍色LED元件20B。然而,有選擇時耗費較多時間之虞。
於第4實施形態之顯示裝置10C中,SMD14具備電阻元件24R及電阻元件24B,電阻元件24R、電阻元件24B分別串聯連接於紅色LED元件20R、藍色LED元件20B之陰極側。藉此,可降低並列驅動之紅色LED元件20R與藍色LED元件20B之電流偏差。因此不耗費選擇紅色LED元件20R與藍色LED元件20B之時間,而可抑制紅色LED元件20R與藍色LED元件20B之亮度偏差。
[變化例]
(變化例1)
於第4實施形態中,雖已對為了抑制亮度偏差,而使SMD14具備電阻元件24R與電阻元件24B之例進行說明,但用以抑制亮度偏差之電阻並非限定於此例者。例如,可設為藉由SMD14與封裝22之接觸電阻,而抑制亮度偏差。
圖31係顯示SMD15之構成之一例之剖視圖。紅色LED元件20R之陽極、陰極分別經由接合部20R1、20R2連接於封裝22。綠色LED元件20G之陽極、陰極分別經由接合部20G1、20G2連接於封裝22。藍色LED元件20B之陽極、陰極分別經由接合部20B1、20B2連接於封裝22。
紅色LED元件20R之陰極與封裝22之接合部20R2的接觸電阻(以下稱為「第1接觸電阻」)、及藍色LED元件20B之陰極與封裝22之接合部20B2的接觸電阻(以下稱為「第2接觸電阻」)調整為抑制紅色LED元件20R與紅色LED元件20R之亮度偏差。第1接觸電阻之電阻值、第2接觸電阻之電阻值分別獨立較佳為0.1 V/(LED電流值A)Ω以上且0.3 V/(LED電流值A)Ω以下之範圍內。第1接觸電阻及第2接觸電阻可設定為高於綠色LED元件20G之陰極與封裝22之接合部20G2之接觸抵抗。
(變化例2)
於第4實施形態中,雖已對SMD15具備1個像素21之例進行說明,但SMD具備之像素21之數量並非限定於此,SMD亦可具備2個以上之像素21。
例如,如圖32、圖33所示,亦可設為SMD16具備4個像素21。該情形時,SMD16具備4個電阻元件24R與4個電阻元件24B。
如圖34所示,對於各像素21具有之紅色LED元件20R之陰極連接電阻元件24R。對於各像素21所包含之藍色LED元件20B之陰極連接電阻元件24B。
(變化例3)
於第1至第4之實施形態中,雖已就對具備複數個SMD12、12A、12B、13、14、15之顯示裝置10、10A、10B、10C應用本揭示之例進行說明,但本揭示並非限定於此者。例如,可於將複數個像素21、21A、21B直接配置於基板11上之顯示裝置(COB(Chip on board:板上晶片封装)型之顯示裝置)應用本揭示。
(變化例4)
於第1至第4之實施形態中,顯示裝置10、10A、10B、10C亦可為GOB(Glue on Board:板上膠黏封裝)型之顯示裝置。即,顯示裝置10、10A、10B、10C可於基板11上進而具備覆蓋複數個像素21、21A、21B之保護層。該情形時,保護層例如由樹脂層或薄膜構成。
(變化例5)
於第1至第4之實施形態中,雖已對LED元件20之連接形態為陰極共用類型之例進行說明,但LED元件20之連接形態亦可為陽極共用類型。
以上,對本揭示之第1至第4之實施形態及其等之變化例進行了具體說明,但本揭示並非限定於上述第1至第4之實施形態及其等之變化例者,可進行基於本揭示之技術性思想之各種變化。
例如,於上述第1至第4之實施形態及其等之變化例中所舉出之構成、方法、形狀及數值等畢竟僅為舉例,亦可根據需要使用與此不同之構成、方法、形狀及數值等。
上述第1至第4之實施形態及其等之變化例之構成、方法及形狀等只要不脫離本揭示之主旨,則可互相組合。
又,本揭示亦可採用以下之構成。
(1)
一種顯示裝置,其具備:
基板;
複數個像素,其設置於上述基板上,構成複數行;及
複數根信號線,其設置於上述基板上,於行方向延伸;且
複數個上述像素具備:具有3色之發光二極體元件之複數個第1像素及具有2色之發光二極體元件之複數個第2像素之至少一者;
上述信號線之根數為每1行2根。
(2)
如(1)記載之顯示裝置,其中
複數個上述像素具備複數個上述第1像素;
上述第1像素包含第1色之發光二極體元件、第2色之發光二極體元件及第3色之發光二極體元件。
(3)
如(1)記載之顯示裝置,其中
複數個上述像素具備複數個上述第2像素;
複數個上述第2像素呈矩陣狀配置;
複數個上述第2像素具備複數個第3像素及複數個第4像素;
上述第3像素具有第1色之發光二極體元件及第2色之發光二極體元件;
上述第4像素具有上述第2色之發光二極體元件及第3色之發光二極體元件;
上述第3像素與上述第4像素於上述行方向交替配置,且於列方向交替配置。
(4)
如(1)記載之顯示裝置,其中
複數個上述像素具備複數個上述第1像素及複數個上述第2像素;
複數個上述像素呈矩陣狀配置;
上述第1像素具有第1色之發光二極體元件、第2色之發光二極體元件及第3色之發光二極體元件;
上述第2像素具有第1色之發光二極體元件及第2色之發光二極體元件;
上述第1像素與上述第2像素於上述行方向交替配置,且於列方向交替配置。
(5)
如(2)至(4)中任一項記載之顯示裝置,其中
上述第1色之發光二極體元件為紅色發光二極體元件;
上述第2色之發光二極體元件為綠色發光二極體元件;
上述第3色之發光二極體元件為藍色發光二極體元件。
(6)
如(2)記載之顯示裝置,其中
進行白色顯示時,上述第2色之發光二極體元件之亮度在上述第1色之發光二極體元件、上述第2色之發光二極體元件及上述第3色之發光二極體元件中為最高。
(7)
如(6)記載之顯示裝置,其中
複數根上述信號線包含:
連接於上述第1色之發光二極體元件之複數根第1信號線;
連接於上述第2色之發光二極體元件之複數根第2信號線;及
連接於上述第3色之發光二極體元件之複數根第3信號線;且
上述第1信號線之根數為每1行1根;
上述第2信號線之根數為每2行1根;
上述第3信號線之根數為每2行1根。
(8)
如(7)記載之顯示裝置,其中
將由上述第1信號線與上述第2信號線組成之第1對、及由上述第2信號線與上述第3信號線組成之第2對於列方向交替配置。
(9)
如(7)或(8)記載之顯示裝置,其中
列方向上相鄰之2個像素分別包含之上述第1色之發光二極體元件共有一根上述第1信號線;
上述2個像素分別包含之上述第3色之發光二極體元件共有一根上述第3信號線。
(10)
如(7)記載之顯示裝置,其中
列方向上相鄰之2像素之一者所包含之上述第1色之發光二極體元件連接於上述第1信號線,與此相對,上述2像素之另一者所包含之上述第1色之發光二極體元件未連接於上述第1信號線;
上述2像素之一者所包含之上述第3色之發光二極體元件未連接於上述第3信號線,與此相對,上述2像素之另一者所包含之上述第3色之發光二極體元件連接於上述第3信號線。
(11)
如(10)記載之顯示裝置,其中
複數個上述像素為矩陣狀配置;
上述列方向上相鄰之2行所包含之上述第1色之發光二極體元件、及上述第3色之發光二極體元件分別藉由上述第1信號線、上述第3信號線,於上述行方向Z字形連接。
(12)
如(4)記載之顯示裝置,其中
複數根上述信號線包含:
連接於上述第1色之發光二極體元件之複數根第1信號線;
連接於上述第2色之發光二極體元件之複數根第2信號線;及
連接於上述第3色之發光二極體元件之複數根第3信號線;且
上述列方向上相鄰之2像素分別包含之上述第1色之發光二極體元件共有一根上述第1信號線;
上述2像素分別包含之上述第2色之發光二極體元件連接於各不相同之上述第2信號線;
上述2像素中之一者所包含之上述第3色之發光二極體元件連接於一根上述第3信號線,與此相對,上述2像素中之另一者所包含之上述第3色之發光二極體元件不連接於上述第3信號線。
(13)
如(4)記載之顯示裝置,其中
上述列方向上相鄰之2個像素所包含之上述第1色之發光二極體元件共有一根上述第1信號線;
於上述列方向與上述行方向之間之斜向方向上相鄰之2個像素所包含之上述第3色之發光二極體元件共有一根上述第3信號線。
(14)
如(2)至(13)中任一項記載之顯示裝置,其進而具備:
對上述第1色之發光二極體元件串聯連接之第1電阻;及
對上述第3色之發光二極體元件串聯連接之第2電阻。
(15)
如(14)記載之顯示裝置,其中
上述第1電阻之電阻值、上述第2電阻之電阻值各自獨立,為0.1 V/(LED電流值[A])Ω以上且0.3 V/(LED電流值[A])Ω以下之範圍內。
(16)
如(14)或(15)記載之顯示裝置,其中
上述第1電阻、上述第2電阻分別為第1電阻元件、第2電阻元件。
(17)
如(14)或(15)記載之顯示裝置,其中
上述第1電阻為供上述第1色之發光二極體元件之陽極接合的接合部之接觸電阻;
上述第2電阻為供上述第3色之發光二極體元件之陽極接合的接合部之接觸電阻。
(18)
如(5)記載之顯示裝置,其中
連接於上述紅色之發光二極體元件之上述信號線之寬度相對於連接於上述綠色之發光二極體元件之上述信號線之寬度之比為1.7以上且2.3以下。
(19)
如(1)至(18)中任一項記載之顯示裝置,其進而具備設置於上述基板上之複數個封裝;且
上述像素設置於上述封裝。
(20)
一種顯示裝置,其具備:
基板;
複數個像素,其設置於上述基板上,構成複數行;及
複數根信號線,其設置於上述基板上,於行方向延伸;且
複數個上述像素具備:具有3色之光源之複數個第1像素及具有2色之光源之複數個第2像素之至少一者;
上述2色之光源各自具備發光二極體元件;
上述3色之光源各自具備發光二極體元件;
上述信號線之根數為每1行2根。
10,10A,10B,10C,110:顯示裝置
11:基板
12,12A,12B,13,14,15,16:SMD
20B:藍色LED元件
20B1,20B2:接合部
20BF:藍色濾光片
20BL:藍色光源
20G:綠色LED元件
20G1,20G2:接合部
20GF:綠色濾光片
20GL:綠色光源
20R:紅色LED元件
20R1,20R2:接合部
20RF:紅色濾光片
20RL:紅色光源
20RQ,20GQ:顏色轉換層
20W:白色LED元件
21,21A,21B:像素
22,22A,22B,25:封裝
23GT,23GT1,23GT2,23AGT,23BGT:陰極端子
23R,23AR,23BR,23G,23G1,23G2,23AG,23BG,23B,23AB,23BB:陽極端子
24R,24B:電阻元件
31B,31R:連接線
110:顯示裝置
G
n,G
n+1:掃描線
R1:區域
R2:框
S
m(R),S
m+2(R):信號線
S
m(G),S
m+1(G):信號線
S
m(B),S
m+1(B):信號線
W
B,W
B1,W
G,W
R,W
R1,W
S:寬度
W12:尺寸
X:方向
Y:方向
(m,n):位置
(m,n+1):位置
(m+1,n):位置
(m+1,n+1):位置
圖1係顯示本揭示之第1實施形態之顯示裝置之構成之一例之俯視圖。
圖2係顯示圖1之區域R1所示之部分之電路之一例之俯視圖。
圖3係顯示表面安裝零件之構成之一例之俯視圖。
圖4係顯示比較例之顯示裝置之構成之一例之俯視圖。
圖5係顯示圖4之區域R1所示之部分之電路之一例之圖。
圖6係顯示變化例之顯示裝置之構成之一例之俯視圖。
圖7係顯示圖6之區域R1所示之部分之電路之一例之圖。
圖8係顯示變化例之顯示裝置之構成之一例之俯視圖。
圖9係顯示圖8之區域R1所示之部分之電路之一例之圖。
圖10係顯示變化例之顯示裝置之構成之一例之俯視圖。
圖11係顯示圖10之區域R1所示之部分之電路之一例之圖。
圖12係顯示變化例之顯示裝置之構成之一例之俯視圖。
圖13係顯示圖12之區域R1所示之部分之電路之一例之圖。
圖14係顯示變化例之顯示裝置之信號線及掃描線之一例之俯視圖。
圖15係顯示比較例之顯示裝置之信號線及掃描線之一例之俯視圖。
圖16係顯示變化例之顯示裝置之構成之一例之俯視圖。
圖17係顯示圖16之區域R1所示之部分之電路之一例之圖。
圖18係顯示表面安裝零件之構成之一例之俯視圖。
圖19係顯示像素所包含之紅色光源、綠色光源及藍色光源之第1構成例之剖視圖。
圖20係顯示像素所包含之紅色光源、綠色光源及藍色光源之第2構成例之剖視圖。
圖21係顯示本揭示之第2實施形態之顯示裝置之構成之一例之俯視圖。
圖22係顯示圖21之區域R1所示之部分之電路之一例之俯視圖。
圖23A、圖23B分別係顯示表面安裝零件之構成之一例之俯視圖。
圖24係顯示本揭示之第3實施形態之顯示裝置之構成之一例之俯視圖。
圖25係顯示圖24之區域R1所示之部分之電路之一例之俯視圖。
圖26係顯示變化例之顯示裝置之構成之一例之俯視圖。
圖27係顯示圖26之區域R1所示之部分之電路之一例之圖。
圖28係顯示本揭示之第4實施形態之顯示裝置之構成之一例之俯視圖。
圖29係顯示圖28之區域R1所示之部分之電路之一例之俯視圖。
圖30係顯示表面安裝零件之構成之一例之俯視圖。
圖31係顯示表面安裝零件之構成之一例之俯視圖。
圖32係顯示變化例之顯示裝置之構成之一例之俯視圖。
圖33係顯示表面安裝零件之構成之一例之俯視圖。
圖34係顯示圖32之區域R1所示之部分之電路之一例之圖。
10:顯示裝置
11:基板
12:SMD
21:像素
Gn,Gn+1:掃描線
R1:區域
R2:框
Sm(R),Sm(G),Sm+2(R),Sm+1(B),Sm+1(G):信號線
X:方向
Y:方向
Claims (20)
- 一種顯示裝置,其具備: 基板; 複數個像素,其設置於上述基板上,構成複數行;及 複數根信號線,其設置於上述基板上,於行方向延伸;且 複數個上述像素具備:具有3色之發光二極體元件之複數個第1像素及具有2色之發光二極體元件之複數個第2像素之至少一者; 上述信號線之根數為每1行2根。
- 如請求項1之顯示裝置,其中 複數個上述像素具備複數個上述第1像素; 上述第1像素包含第1色之發光二極體元件、第2色之發光二極體元件及第3色之發光二極體元件。
- 如請求項1之顯示裝置,其中 複數個上述像素具備複數個上述第2像素; 複數個上述第2像素呈矩陣狀配置; 複數個上述第2像素具備複數個第3像素及複數個第4像素; 上述第3像素具有第1色之發光二極體元件及第2色之發光二極體元件; 上述第4像素具有上述第2色之發光二極體元件及第3色之發光二極體元件; 上述第3像素與上述第4像素於上述行方向交替配置,且於列方向交替配置。
- 如請求項1之顯示裝置,其中 複數個上述像素具備複數個上述第1像素及複數個上述第2像素; 複數個上述像素呈矩陣狀配置; 上述第1像素具有第1色之發光二極體元件、第2色之發光二極體元件及第3色之發光二極體元件; 上述第2像素具有第1色之發光二極體元件及第2色之發光二極體元件; 上述第1像素與上述第2像素於上述行方向交替配置,且於列方向交替配置。
- 如請求項2之顯示裝置,其中 上述第1色之發光二極體元件為紅色發光二極體元件; 上述第2色之發光二極體元件為綠色發光二極體元件; 上述第3色之發光二極體元件為藍色發光二極體元件。
- 如請求項2之顯示裝置,其中 進行白色顯示時,上述第2色之發光二極體元件之亮度在上述第1色之發光二極體元件、上述第2色之發光二極體元件及上述第3色之發光二極體元件中為最高。
- 如請求項6之顯示裝置,其中 複數根上述信號線包含: 連接於上述第1色之發光二極體元件之複數根第1信號線; 連接於上述第2色之發光二極體元件之複數根第2信號線;及 連接於上述第3色之發光二極體元件之複數根第3信號線;且 上述第1信號線之根數為每1行1根; 上述第2信號線之根數為每2行1根; 上述第3信號線之根數為每2行1根。
- 如請求項7之顯示裝置,其中 將由上述第1信號線與上述第2信號線組成之第1對、及由上述第2信號線與上述第3信號線組成之第2對於列方向交替配置。
- 如請求項7之顯示裝置,其中 列方向上相鄰之2個像素各自包含之上述第1色之發光二極體元件共有一根上述第1信號線; 上述2個像素各自包含之上述第3色之發光二極體元件共有一根上述第3信號線。
- 如請求項7之顯示裝置,其中 列方向上相鄰之2像素之一者所包含之上述第1色之發光二極體元件連接於上述第1信號線,與此相對,上述2像素之另一者所包含之上述第1色之發光二極體元件未連接於上述第1信號線; 上述2像素之一者所包含之上述第3色之發光二極體元件未連接於上述第3信號線,與此相對,上述2像素之另一者所包含之上述第3色之發光二極體元件連接於上述第3信號線。
- 如請求項10之顯示裝置,其中 複數個上述像素為矩陣狀配置; 上述列方向上相鄰之2行所包含之上述第1色之發光二極體元件、及上述第3色之發光二極體元件分別藉由上述第1信號線及上述第3信號線,於上述行方向Z字形連接。
- 如請求項4之顯示裝置,其中 複數根上述信號線包含: 連接於上述第1色之發光二極體元件之複數根第1信號線; 連接於上述第2色之發光二極體元件之複數根第2信號線;及 連接於上述第3色之發光二極體元件之複數根第3信號線;且 上述列方向上相鄰之2像素各自包含之上述第1色之發光二極體元件共有一根上述第1信號線; 上述2像素各自包含之上述第2色之發光二極體元件連接於各不相同之上述第2信號線; 上述2像素中之一者所包含之上述第3色之發光二極體元件連接於一根上述第3信號線,與此相對,上述2像素中之另一者所包含之上述第3色之發光二極體元件未連接於上述第3信號線。
- 如請求項4之顯示裝置,其中 上述列方向上相鄰之2個像素所包含之上述第1色之發光二極體元件共有一根上述第1信號線; 於上述列方向與上述行方向之間之斜向方向上相鄰之2個像素所包含之上述第3色之發光二極體元件共有一根上述第3信號線。
- 如請求項2之顯示裝置,其進而具備: 對上述第1色之發光二極體元件串聯連接之第1電阻;及 對上述第3色之發光二極體元件串聯連接之第2電阻。
- 如請求項14之顯示裝置,其中 上述第1電阻之電阻值、上述第2電阻之電阻值各自獨立,為0.1 V/(LED電流值[A])Ω以上且0.3 V/(LED電流值[A])Ω以下之範圍內。
- 如請求項14之顯示裝置,其中 上述第1電阻、上述第2電阻分別為第1電阻元件、第2電阻元件。
- 如請求項14之顯示裝置,其中 上述第1電阻為供上述第1色之發光二極體元件之陽極接合的接合部之接觸電阻; 上述第2電阻為供上述第3色之發光二極體元件之陽極接合的接合部之接觸電阻。
- 如請求項5之顯示裝置,其中 連接於上述紅色之發光二極體元件之上述信號線之寬度相對於連接於上述綠色之發光二極體元件之上述信號線之寬度之比為1.7以上且2.3以下。
- 如請求項1之顯示裝置,其進而具備設置於上述基板上之複數個封裝;且 上述像素設置於上述封裝。
- 一種顯示裝置,其具備: 基板; 複數個像素,其設置於上述基板上,構成複數行;及 複數根信號線,其設置於上述基板上,於行方向延伸;且 複數個上述像素具備:具有3色之光源之複數個第1像素及具有2色之光源之複數個第2像素之至少一者; 上述2色之光源各自具備發光二極體元件; 上述3色之光源各自具備發光二極體元件; 上述信號線之根數為每1行2根。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020169450 | 2020-10-06 | ||
JP2020-169450 | 2020-10-06 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202219929A true TW202219929A (zh) | 2022-05-16 |
Family
ID=81126029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110136199A TW202219929A (zh) | 2020-10-06 | 2021-09-29 | 顯示裝置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230420441A1 (zh) |
JP (1) | JPWO2022075266A1 (zh) |
KR (1) | KR20230079356A (zh) |
CN (1) | CN116250089A (zh) |
DE (1) | DE112021005311T5 (zh) |
TW (1) | TW202219929A (zh) |
WO (1) | WO2022075266A1 (zh) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4352522B2 (ja) | 1999-09-01 | 2009-10-28 | ソニー株式会社 | 発光型平面表示素子 |
KR101196860B1 (ko) * | 2006-01-13 | 2012-11-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
JP5338605B2 (ja) * | 2009-10-02 | 2013-11-13 | ソニー株式会社 | 自発光素子パネル、画像表示装置、および、自発光素子のパッシブ駆動方法 |
TWI473057B (zh) * | 2013-01-30 | 2015-02-11 | Au Optronics Corp | 畫素單元及畫素陣列 |
US9930277B2 (en) * | 2015-12-23 | 2018-03-27 | X-Celeprint Limited | Serial row-select matrix-addressed system |
WO2018221477A1 (ja) * | 2017-05-30 | 2018-12-06 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
CN207781608U (zh) * | 2018-02-09 | 2018-08-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示装置 |
CN109036257B (zh) * | 2018-10-24 | 2022-04-29 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其驱动方法和显示装置 |
-
2021
- 2021-09-29 TW TW110136199A patent/TW202219929A/zh unknown
- 2021-10-04 CN CN202180067429.0A patent/CN116250089A/zh active Pending
- 2021-10-04 JP JP2022555472A patent/JPWO2022075266A1/ja active Pending
- 2021-10-04 US US18/247,350 patent/US20230420441A1/en active Pending
- 2021-10-04 WO PCT/JP2021/036647 patent/WO2022075266A1/ja active Application Filing
- 2021-10-04 DE DE112021005311.6T patent/DE112021005311T5/de active Pending
- 2021-10-04 KR KR1020237008907A patent/KR20230079356A/ko unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230420441A1 (en) | 2023-12-28 |
WO2022075266A1 (ja) | 2022-04-14 |
DE112021005311T5 (de) | 2023-08-10 |
JPWO2022075266A1 (zh) | 2022-04-14 |
CN116250089A (zh) | 2023-06-09 |
KR20230079356A (ko) | 2023-06-07 |
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