TW202217786A - 像素及包含該像素的有機發光顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種用於有機發光顯示裝置的像素包括：有機發光二極體，其透過驅動電流發光；驅動電晶體，配置以控制驅動電流；第一電晶體，配置以連接第二節點和第三節點；第二電晶體，配置以向第一節點施加資料電壓；第三電晶體，配置以向第二節點施加高電位驅動電壓；第四電晶體，其在驅動電晶體與有機發光二極體之間形成電流通路；第五電晶體，配置以向驅動電晶體施加初始電壓；第六電晶體，配置以向為有機發光二極體的陽極的第四節點施加重置電壓；第七電晶體，配置以向第五節點施加高電位驅動電壓；以及第八電晶體，配置以向第五節點施加參考電壓。

Description

像素及包含該像素的有機發光顯示裝置
本發明涉及一種像素和一種包含該像素的有機發光顯示裝置，更具體地，涉及一種具有可變驅動頻率的有機發光顯示裝置。
有機發光二極體OLED，其是一種自發光裝置，包括陽極、陰極、及形成在其間的有機化合物層。有機化合物層由電洞傳輸層HTL、發光層EML和電子傳輸層ETL組成。當驅動電壓施加到陽極和陰極時，穿過電洞傳輸層HTL的電洞和穿過電子傳輸層ETL的電子移動到發光層EML以形成激子，因此，發光層EML產生可見光。主動矩陣式有機發光顯示裝置包括自發光的有機發光二極體OLED，並且由於具有回應速度快，且發光效率高、亮度大和視角廣等優點，所以已被不同程度地應用。
有機發光顯示裝置以矩陣形式佈置包含OLED的像素，並根據視訊資料的灰度調整像素的亮度。每個像素包括：有機發光二極體（OLED）；驅動電晶體，根據閘極-源極電壓控制流向OLED的驅動電流；以及至少一個開關電晶體，對驅動電晶體的閘極-源極電壓進行程式化。驅動電晶體的源電極連接到高電位電壓線，並且驅動電流受高電位電壓變化的影響。
因此，當有機發光顯示裝置是大尺寸時，由於高電位電壓的下降常因高電位電壓線的阻抗而發生。結果，受高電位電壓影響的驅動電流變得不穩定。因此，傳統的有機發光顯示裝置具有像素亮度不均勻的問題。
本發明的發明人揭露一種有機發光顯示裝置，其像素電路新設計為使上述驅動電流的不穩定性最小化。
因此，本發明要實現的一個目的是提供一種能夠穩定有機發光顯示裝置的驅動電流的有機發光顯示裝置。
本發明要實現的另一個目的是提供一種能夠均勻化大尺寸有機發光顯示裝置的像素亮度的顯示裝置。
本發明的目的不限於上述對象，所屬技術領域中具有通常知識者可以從以下描述中清楚地理解其他未在上面提及的目的。
根據本發明的一態樣，該有機發光顯示裝置包括：複數個像素，設置在顯示面板上，其中複數個像素中的每一個包含：有機發光二極體，其透過驅動電流發光；驅動電晶體，配置以控制驅動電流，並包含：作為第一節點的源電極、作為第二節點的閘電極、及作為第三節點的汲電極；第一電晶體，配置以連接第二節點和第三節點；第二電晶體，配置以向第一節點施加資料電壓；第三電晶體，配置以向第二節點施加高電位驅動電壓VDD；第四電晶體，在驅動電晶體與有機發光二極體之間形成電流通路；第五電晶體，配置以向驅動電晶體施加初始電壓Vini；第六電晶體，配置以向為有機發光二極體的陽極的第四節點施加重置電壓（reset voltage, VAR）；儲存電容器，包含：一個連接到第二節點的電極和另一個連接到第五節點的電極；第七電晶體，配置以向第五節點施加高電位驅動電壓；以及第八電晶體，配置以向第五節點施加參考電壓，從而使大尺寸有機發光顯示裝置的像素亮度均勻。
本示例性實施例的其他詳細事項包含在詳細描述和附圖中。
根據本發明，可以控制OLED的驅動電流，而不考慮驅動電晶體的臨界電壓和高電位驅動電壓的變異，以實現穩定亮度。
根據本發明，對驅動電晶體施加偏壓應力以降低驅動電晶體的磁滯效應。
根據本發明，由於不需要用於施加單獨的偏壓應力電壓的佈線，面板的解析度可以提高，並還可以減少表框面積。
根據本發明，可以在OLED的陽極上保持恆定的電壓位準，從而可以將有機發光顯示裝置的亮度變化降至最低以提高影像品質。
根據本發明的效果不限於上述舉例的內容，更多的各種效果將包含在本說明書中。 【圖示簡單說明】
從以下結合圖示所採取的詳細描述中，將更清楚地理解本發明的上述及其他方面、技術特徵和其他優點，其中： 圖1是根據本發明一示例性實施例的有機發光顯示裝置的方塊圖； 圖2是說明根據本發明一示例性實施例的有機發光顯示裝置的像素的電路圖； 圖3是說明根據本發明一示例性實施例在有機發光顯示裝置中的發光信號和掃描信號對於更新訊框的波形圖； 圖4是說明根據本發明的一示例性實施例在有機發光顯示裝置中的發光信號和掃描信號對於重置訊框的波形圖； 圖5A是根據本發明一示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於導通偏壓應力週期的像素的電路圖； 圖5B是說明根據本發明一示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於初始週期的像素的電路圖； 圖5C是根據本發明一示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於取樣週期的像素的電路圖； 圖5D是根據本發明一示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於發光週期的像素的電路圖； 圖6A是說明傳統的有機發光顯示裝置的每個區域的亮度的視圖； 圖6B是說明根據本發明一示例性實施例的有機發光顯示裝置的每個區域的亮度的視圖； 圖7是說明根據本發明另一示例性實施例的有機發光顯示裝置的像素的電路圖； 圖8是說明根據本發明另一示例性實施例在有機發光顯示裝置中的發光信號和掃描信號對於更新訊框的波形圖； 圖9是說明根據本發明另一示例性實施例在有機發光顯示裝置中的發光信號和掃描信號對於重置訊框的波形圖； 圖10A是根據本發明另一示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於導通偏壓應力週期的像素的電路圖； 圖10B是說明根據本發明另一示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於初始週期的像素的電路圖； 圖10C是根據本發明另一示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於取樣週期的像素的電路圖； 圖10D是根據本發明另一示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於發光週期的像素的電路圖； 圖11是說明根據本發明再另一（第三）示例性實施例的有機發光顯示裝置的像素的電路圖； 圖12是說明根據本發明再另一（第三）示例性實施例在有機發光顯示裝置中的發光信號和掃描信號對於更新訊框的波形圖； 圖13是說明根據本發明再另一（第三）示例性實施例在有機發光顯示裝置中的發光信號和掃描信號對於重置訊框的波形圖； 圖14A是根據本發明再另一（第三）示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於導通偏壓應力週期的像素的電路圖； 圖14B是說明根據本發明再另一（第三）示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於初始週期的像素的電路圖； 圖14C是根據本發明再另一（第三）示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於取樣週期的像素的電路圖； 圖14D是根據本發明再另一（第三）示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於發光週期的像素的電路圖； 圖15是說明根據本發明又另一（第四）示例性實施例的有機發光顯示裝置的像素的電路圖； 圖16是說明根據本發明又另一（第四）示例性實施例在有機發光顯示裝置中的發光信號和掃描信號對於更新訊框的波形圖； 圖17是說明根據本發明又另一（第四）示例性實施例在有機發光顯示裝置中的發光信號和掃描信號對於重置訊框的波形圖； 圖18A是根據本發明又另一（第四）示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於導通偏壓應力週期的像素的電路圖； 圖18B是說明根據本發明又另一（第四）示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於初始週期的像素的電路圖； 圖18C是根據本發明又另一（第四）示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於取樣週期的像素的電路圖； 圖18D是根據本發明又另一（第四）示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於發光週期的像素的電路圖； 圖19是說明根據本發明又另一（第四）示例性實施例的有機發光顯示裝置的像素的電路圖； 圖20是說明根據本發明又另一（第五）示例性實施例的有機發光顯示裝置的像素的電路圖； 圖21是說明根據本發明又另一（第五）示例性實施例在有機發光顯示裝置中的發光信號和掃描信號對於更新訊框的波形圖； 圖22是說明根據本發明又另一（第五）示例性實施例在有機發光顯示裝置中的發光信號和掃描信號對於重置訊框的波形圖； 圖23A是根據本發明又另一（第五）示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於導通偏壓應力週期的像素的電路圖； 圖23B是說明根據本發明又另一（第五）示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於初始週期的像素的電路圖； 圖23C是根據本發明又另一（第五）示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於取樣週期的像素的電路圖；以及 圖23D是根據本發明又另一（第五）示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於發光週期的像素的電路圖。
本發明的優點和特徵以及實現這些優點和特徵的方法將透過參考以下與附圖一起詳細描述的示例性實施例而明確。然而，本發明並不限於此處所揭露的示例性實施方案，而是將以各種形式實施。僅以舉例的方式提供示範性實施例，以便所屬技術領域中具有通常知識者能夠充分理解本發明的揭露內容和本發明的範圍。因此，本發明將僅由所附申請專利範圍來定義。
在附圖中所描述之本發明的示例性實施例而用於說明的形狀、尺寸、比例、角度、數字等只是示例，本發明不限於此。在整個說明書中，類似的參考數字一般表示類似的元件。此外，在本發明的以下描述中，可以省略對已知相關技術的詳細解釋，以避免不必要地掩蓋本發明的主題。本文使用的用語如「包括」、「具有」、「由...組成」，一般是為允許添加其他組件，除非這些用語與「僅」一起使用。任何提及單數的地方都可以包括複數，除非明確地另行說明。
即使沒有明確說明，組件也被解釋為包括普通誤差範圍。，
當使用諸如「在...上」、「上方」、「下方」和「旁邊」等術語描述兩個部件之間的位置關係時，一個或多個部件可以位於兩個部件之間，除非這些術語與術語「立即」或「直接」一同使用。
當一個元件或層被設置「在」另一個元件或層上時，另一個層或另一個元件可以直接插在又另一個元件上或其間。
儘管術語「第一」、「第二」等被用於描述各種元件，但這些元件並不受這些術語限制。這些術語僅僅用於將一個組件與其他組件區分開來。因此，在本發明的技術概念中，以下要提到的第一組件可能是第二組件。
在整個說明書中，類似的參考數字一般表示類似的元件。
為了描述的方便，圖中示出每個部件的尺寸和厚度，並且本發明不限於圖中的部件的尺寸和厚度。
本發明的各種實施例的特徵可以部分地或完全地相互黏接或結合，並可以在技術上以各種方式進行聯結和操作，並且各實施例可以獨立地或相互關聯地執行。
信號的低位準可以界定為第一位準，而信號的高位準可以界定為第二位準。
以下，將參照附圖詳細描述根據本發明示例性實施例的顯示裝置。
圖1是根據本發明一示例性實施例的有機發光顯示裝置的方塊圖。
參考圖1，根據本發明一示例性實施例的有機發光顯示裝置包括：顯示面板100；時序控制電路200；資料驅動器300；以及閘極驅動器401和402。
顯示面板100包括：顯示區域A/A，其顯示影像；以及非顯示區域N/A，其位於顯示區域A/A外部，並設置有各種信號線和閘極驅動器401和402。
為了顯示影像，在顯示區域A/A中，設置有複數個像素P。此外，在顯示區域A/A中，設置了沿第一方向設置的n條閘極線GL1至GLn和沿與第一方向不同的方向設置的m條資料線DL1至DLm。複數個像素P電連接至n條閘極線GL1至GLn和m條資料線DL1至DLm。因此，閘極電壓和資料電壓分別透過閘極線GL1至GLn和資料線DL1至DLm施加到像素P。此外，每個像素P透過閘極電壓和資料電壓實現灰度。最後，透過由每個像素P所顯示的灰度，在顯示區域A/A中顯示影像。
在非顯示區域N/A中，設置了各種信號線GL1至GLn和DL1至DLm以及閘極驅動器401和402，其中該些信號線傳輸用於控制設置在顯示區域A/A中的像素P的操作的信號。
時序控制電路200將從主機系統接收的輸入影像信號RGB傳送給資料驅動器300。
時序控制電路200可以使用與影像資料RGB一起被接收之諸如時脈信號DCLK、水平同步信號Hsync、垂直同步信號Vsync和資料致能信號DE的時序信號來產生控制信號GCS和DCS，用於控制閘極驅動器401和402以及資料驅動器300的操作時序。此處，水平同步信號Hsync是表示顯示螢幕的水平線所需時間的信號；垂直同步信號Vsync是表示顯示一訊框螢幕所需時間的信號；而資料致能信號DE是表示向界定在顯示面板100中的像素P施加資料電壓的週期的信號。
換言之，時序控制電路200接收時序信號，以輸出閘極控制信號GCS至閘極驅動器401和402，並輸出資料控制信號DCS至資料驅動器300。
資料驅動器300接收資料控制信號DCS，以輸出資料電壓至資料線DL1至DLm。
具體而言，資料驅動器300根據資料控制信號DCS產生取樣信號、根據改變為資料電壓的取樣信號鎖存影像資料RGB、然後向資料線DL1至DLm施加資料電壓以回應源極輸出致能（source output enable, SOE）信號。
資料驅動器300可以透過玻璃覆晶封裝（chip on glass, COG）方法連接到顯示面板100的焊墊，或者直接設置在顯示面板100上，或者在某些情況下，也可以集成並設置在顯示面板100中。進一步地，資料驅動器300可以透過薄膜覆晶封裝（COF）方法來設置。
閘極驅動器401和402根據閘極控制信號GCS依序地向閘極線GL1至GLn供應對應於閘極電壓的掃描信號、發光信號和重置信號。
一般的閘極驅動器401和402可以獨立於顯示面板100而形成，以各種方式與顯示面板電性連接。然而，根據本發明一示例性實施例之有機發光顯示裝置的閘極驅動器401和402在製造顯示面板100的基板的同時以薄膜圖案形式形成以透過板內閘極（gate in panel, GIP）方法嵌入非顯示區域N/A上。
閘極驅動器401和402可以分離成設置在顯示面板100兩側上的第一閘極驅動器401和第二閘極驅動器402。
具體而言，第一閘極驅動器401向複數個像素P供應掃描信號和重置信號。然後，第一閘極驅動器401可以包括複數個掃描驅動級和複數個重置驅動級。此外，複數個掃描驅動級向複數個像素P供應掃描信號，且複數個重置驅動級向複數個像素P供應重置信號。
此外，第二閘極驅動器402向複數個像素P供應掃描信號和發光信號。然後，第二閘極驅動器402可以包括複數個掃描驅動級和複數個發光驅動級。此外，複數個掃描驅動級向複數個像素P供應掃描信號，且複數個發光驅動級向複數個像素P供應發光信號。
以下，將詳細描述複數個像素P的配置和驅動方法。
構成複數個像素P中的每一個的開關元件可以實現為n型或p型金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）結構的電晶體。在以下示例性實施例中，舉例說明n型電晶體，但本發明不限於此。
此外，該電晶體是三電極元件，包含閘電極、源電極及汲電極。源電極是用於向電晶體供應載體的電極。電晶體中的載體從源電極開始流動。汲電極是將電晶體中的載體向外部放電的電極。亦即，MOSFET中的載體從源電極流向汲電極。在n型MOSFET（NMOS）的情況下，由於載體是電子，源電極的電壓比汲電極的電壓更低，因此電子可以從源電極流向汲電極。在n型MOSFET中，由於電子從源電極流向汲電極，所以電流從汲電極流向源電極。在p型MOSFET（PMOS）的情況下，由於載體是電洞，源電極的電壓比汲電極的電壓更高，因此電洞可以從源電極流向汲電極。在p型MOSFET中，由於電洞從源電極流向汲電極，所以電流從源電極流向汲電極。應該注意的是，MOSFET的源電極和汲電極並不是固定的。例如，MOSFET的源電極和汲電極可以根據施加的電壓而改變。在以下示例性實施例中，本發明不應由於電晶體的源電極和汲電極而受到限制。
圖2是說明根據本發明一示例性實施例的有機發光顯示裝置的像素的電路圖。
每個像素P包含有機發光二極體OLED、驅動電晶體DT、第一電晶體T1至第九電晶體T9、以及電容器Cst。
有機發光二極體OLED透過從驅動電晶體DT供應的驅動電流發光。一多層有機化合物層形成在有機發光二極體OLED的陽極和陰極之間。該有機化合物層可以包含至少一層電洞傳輸層和電子傳輸層、以及一發光層EML。此處，電洞傳輸層是向發光層注入或傳輸電洞的層，並可以包含例如電洞注入層HIL、電洞傳輸層HTL、電子阻擋層EBL等。此外，電子傳輸層是向發光層注入或傳輸電子的層，並可以包含例如電子傳輸層ETL、電子注入層EIL、電洞阻擋層HBL等。有機發光二極體OLED的陽極連接到第四節點N4，而有機發光二極體OLED的陰極連接到低電位驅動電壓VSS的輸入端。
驅動電晶體DT根據其源極-閘極電壓（source-gate voltage,Vsg）控制施加到有機發光二極體OLED的驅動電流。驅動電晶體DT可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（low-temperature polycrystalline silicon, LTPS）薄膜電晶體。此外，驅動電晶體DT的源電極連接到第一節點N1，閘電極連接到第二節點N2，且汲電極連接到第三節點N3。
第一電晶體T1連接閘電極和汲電極。第一電晶體T1可以是n型MOSFET NMOS，以最小化漏電流，並可以是氧化物薄膜電晶體。第一電晶體T1包含：汲電極，連接到第三節點N3；源電極，連接到第二節點N2；以及閘電極，連接到第一掃描信號線，用於傳輸第一掃描信號SC1(n)。因此，第一電晶體T1連接驅動電晶體DT的閘電極和汲電極，以回應在為導通位準的高位準處的第一掃描信號SC1(n)。
第二電晶體T2向為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1施加從資料線接收的資料電壓Vdata。第二電晶體T2可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第二電晶體T2包含：源電極，連接到資料線；汲電極，連接到第一節點N1；以及閘電極，連接到第二掃描信號線，用於傳輸第二掃描信號SC2(n)。然後，第二電晶體T2將從資料線接收的資料電壓Vdata施加到為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1，以回應在為導通位準的低位準處的第二掃描信號SC2(n)。
第三電晶體T3向為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1施加高電位驅動電壓VDD。第三電晶體T3可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第三電晶體T3包含：源電極，連接到高電位驅動電壓線，用於傳輸高電位驅動電壓VDD；汲電極，連接到第一節點N1；以及閘電極，連接到發光信號線，用於傳輸發光信號EM(n)。然後，第三電晶體T3將高電位驅動電壓VDD施加給為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1，以回應在為導通位準的低位準處的發光信號EM(n)。
第四電晶體T4在驅動電晶體DT與有機發光二極體OLED之間形成一條電流通路。第四電晶體T4可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第四電晶體T4包含：源電極，連接到第三節點N3；汲電極，連接到第四節點N4；以及閘電極，連接到發光信號線，用於傳輸發光信號EM(n)。第四電晶體T4在為第四電晶體T4的源電極的第三節點N3與為第四電晶體T4的汲電極的第四節點N4之間形成一條電流通路，以回應發光信號EM(n)。然後，第四電晶體T4在驅動電晶體DT與有機發光二極體OLED之間形成一條電流通路，以回應在為導通位準的低位準處的發光信號EM(n)。
第五電晶體T5向為驅動電晶體DT的汲電極的第三節點N3施加初始電壓Vini。第五電晶體T5可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第五電晶體T5包含：源電極，連接到初始電壓線，用於傳輸初始電壓Vini；汲電極，連接到該第三節點N3；以及閘電極，連接到第四掃描信號線，用於傳輸第四掃描信號SC4(n)。然後，第五電晶體T5將初始電壓Vini施加給為驅動電晶體DT的汲電極的第三節點N3，以回應在為導通位準的低位準處的第四掃描信號SC4(n)。
第六電晶體T6向為有機發光二極體的陽極的第四節點N4施加重置電壓VAR。第六電晶體T6可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第六電晶體T6包含：源電極，連接到重置電壓線VAR，用於傳輸重置電壓；汲電極，連接到第四節點N4；以及閘電極，連接到第三掃描信號線，用於傳輸第三掃描信號SC3(n)。然後，第六電晶體T6將重置電壓VAR施加給為有機發光二極體的陽極的第四節點N4，以回應在為導通位準的低位準處的第三掃描信號SC3(n)。
第七電晶體T7向第五節點N5施加高電位驅動電壓VDD。第七電晶體T7可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第七電晶體T7包含：源電極，連接到高電位驅動電壓線，用於傳輸高電位驅動電壓VDD；汲電極，連接到第五節點N5；以及閘電極，連接到發光信號線，用於傳輸發光信號EM(n)。然後，第七電晶體T7將高電位驅動電壓VDD施加給第五節點N5，以回應在為導通位準的低位準處的發光信號EM(n)。
第八電晶體T8向第五節點N5施加參考電壓（Vref）。第八電晶體T8可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第八電晶體T8包含：源電極，連接到參考電壓線，用於傳輸參考電壓Vref；汲電極，連接到第五節點N5；以及閘電極，連接到第五掃描信號線，用於傳輸第五掃描信號SC5(n)。然後，第八電晶體T8將參考電壓Vref施加給第五節點N5，以回應在為導通位準的低位準處的第五掃描信號SC5(n)。
第九電晶體T9向為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1施加應力電壓VOBS。第九電晶體T9可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第九電晶體T9包含：源電極，連接到應力電壓線，用於傳輸應力電壓VOBS；汲電極，連接到第一節點N1；以及閘電極，連接到第三掃描信號線，用於傳輸第三掃描信號SC3(n)。然後，第九電晶體T9將應力電壓VOBS施加給為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1，以回應在為導通位準的低位準處的第三掃描信號SC3(n)。
儲存電容器Cst包含：第一電極，連接到第二節點N2：以及第二電極，連接到第五節點N5。亦即，儲存電容器Cst的一個電極連接到驅動電晶體DT的閘電極，而儲存電容器Cst的另一個電極連接到第七電晶體T7和第八電晶體T8。
圖3是說明根據本發明一示例性實施例在有機發光顯示裝置中的發光信號和掃描信號對於更新訊框的波形圖。
圖4是說明根據本發明一示例性實施例在有機發光顯示裝置中的發光信號和掃描信號對於重置訊框的波形圖。
圖5A是根據本發明一示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於導通偏壓應力週期的像素的電路圖。
圖5B是說明根據本發明一示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於初始週期的像素的電路圖。
圖5C是根據本發明一示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於取樣週期的像素的電路圖。
圖5D是根據本發明一示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於發光週期的像素的電路圖。
參照圖2至圖5D，以下將描述根據本發明一示例性實施例的有機發光顯示裝置的驅動。
根據本發明一示例性實施例的有機發光顯示裝置可以在更新訊框和重置訊框中分別被驅動。在更新訊框中，資料電壓Vdata在每個像素P中被程式化，且有機發光二極體OLED發光。然後，重置訊框可以是一垂直空白訊框，並且對重置訊框重置有機發光二極體OLED的陽極。
在根據本發明一示例性實施例的有機發光顯示裝置中，更新訊框可以劃分為導通偏壓應力週期Tobs（以下簡稱「應力週期」）、初始週期Ti、取樣週期Ts、以及發光週期Te。應力週期Tobs是對為驅動電晶體DT源電極的第一節點N1給予偏壓應力的週期。初始週期Ti是初始化為驅動電晶體DT的汲電極的第三節點N3的電壓的週期。取樣週期Ts是用於取樣驅動電晶體DT的臨界電壓Vth並程式化資料電壓Vdata的週期。發光週期Te是用於允許有機發光二極體OLED藉由程式化的驅動電晶體DT的源極-閘極電壓根據驅動電流來發光的週期。
具體而言，參照圖3和圖5A，對於第一應力週期Tobs，第三掃描信號SC3(n)具有為導通位準的低位準，且第五掃描信號SC5(n)具有為導通位準的低位準。因此，第六電晶體T6被導通，以將重置電壓施加給第四節點N4。亦即，有機發光二極體OLED的陽極被重置到重置電壓VAR。此外，第八電晶體T8被導通，以將參考電壓Vref施加到第五節點N5。此外，第九電晶體T9被導通，以將導通偏壓應力電壓（on-bias stress voltage, VOBS，以下簡稱「應力電壓」）施加給第一節點N1。應力電壓VOBS可以在一電壓範圍內選擇，該電壓範圍要充分高於有機發光二極體OLED的操作電壓，並設定為等於或低於高電位驅動電壓VDD的電壓。亦即，對於應力週期Tobs，應力電壓施加給為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1，以降低驅動電晶體DT的閘極-源極電壓Vgs。因此，對於應力週期Tobs，驅動電晶體DT的源極-汲極電流Ids流動以減低驅動電晶體DT的磁滯。
然而，第一應力週期Tobs不限於此，並可以延長到第四掃描信號SC4(n)被切換到為導通位準的低位準。
此外，參考圖3和圖5B，對於初始週期Ti，第一掃描信號SC1(n)具有為導通位準的高位準，第四掃描信號SC4(n)具有為導通位準的低位準，且第五掃描信號SC5(n)具有為導通位準的低位準。然後，第一電晶體T1和第五電晶體T5被導通，且將初始電壓Vini施加給第二節點N2。因此，驅動電晶體DT的閘電極被初始化為初始電壓Vini。初始電壓Vini可以在一電壓範圍內選擇，該電壓範圍要充分低於有機發光二極體OLED的操作電壓，並設定為等於或低於低電位驅動電壓VSS的電壓。此外，在初始週期Ti，第八電晶體T8仍被導通，並在第五節點N5中保持參考電壓Vref。此外，在初始週期Ti，由於第二掃描信號SC2(n)、第三掃描信號SC3(n)和發光信號EM(n)具有為關斷位準的高位準，所以第二電晶體T2、第三電晶體T3和第九電晶體T9被關斷，因此，在施加應力電壓VOBS的同時，第一節點N1可能被浮接（float）。因此，驅動電晶體DT的閘極-源極電壓Vgs可以是Vini-VOBS。
此外，參考圖3和圖5C，對於取樣週期Ts，第一掃描信號SC1(n)具有為導通位準的高位準，第二掃描信號SC2(n)具有為導通位準的低位準，且第五掃描信號SC5(n)具有為導通位準的低位準。對於取樣週期Ts，第二電晶體T2被導通，且資料電壓Vdata被施加到第一節點N1。此外，由於第一電晶體T1也被導通，所以驅動電晶體DT被連接且驅動電晶體DT的閘電極和汲電極被短路，因而驅動電晶體DT像二極體一樣操作。
在取樣週期Ts中，電流Ids在驅動電晶體DT的源電極和汲電極之間流動。由於驅動電晶體DT的閘電極和汲電極被連接，所以第二節點N2的電壓透過從源電極流向汲電極的電流而增加，直到驅動電晶體DT的閘極-源極電壓Vgs為Vth。對於取樣週期Ts，第二節點N2的電壓被充電成對應於驅動電晶體DT的資料電壓Vdata和臨界電壓Vth之和的電壓Vdata+Vth。
此外，參照圖3和圖5A，對於第二應力週期Tobs，第三掃描信號SC3(n)具有為導通位準的低位準，且第五掃描信號SC5(n)具有為導通位準的低位準。因此，第六電晶體T6被導通，以將重置電壓施加給第四節點N4。亦即，有機發光二極體OLED的陽極被重置到重置電壓VAR。此外，第九電晶體T9被導通，以將應力電壓VOBS施加給第一個節點N1。亦即，對於應力週期Tobs，偏壓應力施加給為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1，以減低驅動電晶體DT的磁滯效應。對於第二應力週期Tobs，第八電晶體T8仍被導通，並仍在第五節點N5中保持參考電壓Vref。
參照圖3和圖5D，對於發光週期Te，發光信號EM(n)具有為導通位準的低位準。然後，第三電晶體T3被導通，以將高電位驅動電壓VDD施加給第一節點N1。此外，第七電晶體T7被導通，以將高電位驅動電壓VDD施加給第五節點N5。亦即，在第五節點N5中，電壓從參考電壓Vref增加到高電位驅動電壓VDD。此外，由於第二節點N2透過儲存電容器Cst與第五節點N5耦接，第五節點N5的電壓差VDD-Vref被反映到第二節點N2。因此，為驅動電晶體DT的閘電極的第二節點N2的電壓變為Vdata+Vth+（VDD-Vref）。因此，驅動電晶體DT的閘極-源極電壓Vgs可以為Vdata+Vth-Vref。此外，第四電晶體T4被導通以形成第三節點N3和第四節點N4的一條電流通路。結果，驅動電流Ioled經由驅動電晶體DT的源電極和汲電極施加給有機發光二極體OLED。
對於發光週期Te，在有機發光二極體OLED中流動的驅動電流Ioled的關係式為以下公式1。 [公式1] Ioled=k(Vgs-Vth) 2=k(Vdata+Vth-Vref-Vth) 2=k(Vdata-Vref) 2
在公式1中，k代表由驅動電晶體DT的電子遷移率、寄生電容、通道容量等決定的比例常數。
如公式1所示，在驅動電流Ioled的關係中，驅動電晶體DT的臨界電壓Vth分量和高電位驅動電壓VDD分量都被消除。這意指在根據本發明的有機發光顯示裝置中，即使臨界電壓Vth和高電位驅動電壓VDD發生變化，驅動電流Ioled也不會發生變化。亦即，根據本發明一示例性實施例的有機發光顯示裝置可以對資料電壓進行程式化，而不考慮臨界電壓Vth和高電位驅動電壓VDD的變異。
此外，參考圖4，對於重置訊框，第一掃描信號SC1(n)保持在為關斷位準的低位準，且第二掃描信號SC2(n)保持在為關斷位準的高位準。然後，對於重置訊框，資料電壓Vdata在每個像素P中不被程式化，且有機發光二極體OLED不會發光。
然而，發光信號EM(n)、第三掃描信號SC3(n)、第四掃描信號SC4(n)和第五掃描信號SC5(n)分別週期性地擺動（swing）。亦即，由於第三掃描信號SC3(n)週期性地擺動，重置訊框可以包含複數個應力週期Tobs。
亦即，對於重置訊框，有機發光二極體OLED的陽極不僅被重置到重置電壓VAR，而且還可以將偏壓應力施加給為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1。
因此，在根據本發明一示例性實施例的有機發光顯示裝置中，有機發光二極體OLED的陽極可以透過更新訊框和重置訊框週期性地被重置。然後，即使在低頻率的驅動中，由於由漏電流引起的有機發光二極體OLED的陽極的連續電壓上升被抑制，有機發光二極體OLED的陽極可以保持恆定的電壓位準。因此，儘管驅動頻率的切換，有機發光顯示裝置的亮度變化可以被最小化以提高影像品質。
圖6A是說明傳統的有機發光顯示裝置的每個區域的亮度的視圖。
圖6B是說明根據本發明一示例性實施例的有機發光顯示裝置的每個區域的亮度的視圖。
如圖6A所示，在傳統的有機發光顯示裝置中，每個區域的最大亮度為1775尼特（nit），每個區域的最小亮度為1227尼特。亦即，由於傳統的有機發光顯示裝置是大尺寸的，與每個區域的最大亮度相比，每個區域的最小亮度下降到69%，這是由於高電位電壓線的電阻所造成的高電位電壓下降。因此，由於傳統的有機發光顯示裝置是大尺寸的，存在每個區域的亮度不均勻的問題。
然而，如圖6B所示，在根據本發明一示例性實施例的有機發光顯示裝置中，每個區域的最大亮度為1367尼特，每個區域的最小亮度為1200尼特。亦即，在根據本發明一示例性實施例的有機發光顯示裝置中，與每個區域的最大亮度相比，每個區域的最小亮度減少到88%。在根據本發明一示例性實施例的有機發光顯示裝置中，與傳統的有機發光顯示裝置相比，每個區域的最小亮度到每個區域的最大亮度的百分比增加約19%，以使每個區域的亮度均勻。
如上所述，根據本發明一示例性實施例的有機發光顯示裝置可以對資料電壓進行程式化，而不考慮臨界電壓Vth和高電位驅動電壓VDD的變異。亦即，由於有機發光顯示裝置是大尺寸的，即使高電位驅動電壓VDD不穩定，根據本發明一示例性實施例的有機發光二極體可以實現恆定的亮度。
以下，將描述根據本發明另一示例性實施例的有機發光顯示裝置。唯一的區別是，根據本發明一示例性實施例的有機發光顯示裝置的應力電壓和初始電壓被集成到根據本發明另一示例性實施例的有機發光顯示裝置的初始電壓。其他技術特徵彼此相同。因此，將主要描述根據本發明另一示例性實施例的有機發光顯示裝置與根據本發明一示例性實施例的有機發光顯示裝置之間的區別，而對於重複的部分的描述將被省略。 ＜本發明另一示例性實施例--第二示例性實施例＞
圖7是根據本發明另一示例性實施例的有機發光顯示裝置的像素的電路圖。
在根據本發明另一示例性實施例的有機發光顯示裝置中，每個像素P包含：有機發光二極體OLED、驅動電晶體DT、第一電晶體T1至第八電晶體T8、以及電容器Cst。
驅動電晶體DT根據其源極-閘極電壓Vsg控制施加到有機發光二極體OLED的驅動電流。驅動電晶體DT可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（low-temperature polycrystalline silicon ,LTPS）薄膜電晶體。此外，驅動電晶體DT的源電極連接到第一節點N1，驅動電晶體DT的閘電極連接到第二節點N2，且驅動電晶體DT的汲電極連接到第三節點N3。
第一電晶體T1連接閘電極和汲電極。第一電晶體T1可以是n型MOSFET NMOS，以最小化漏電流，並可以是氧化物薄膜電晶體。第一電晶體T1包含：汲電極，連接到第三節點N3；源電極，連接到第二節點N2；以及閘電極，連接到第一掃描信號線，用於傳輸第一掃描信號SC1(n)。因此，第一電晶體T1連接驅動電晶體DT的閘電極和汲電極，以回應在為導通位準的高位準處的第一掃描信號SC1(n)。
第二電晶體T2向為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1施加從資料線接收的資料電壓Vdata。第二電晶體T2可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第二電晶體T2包含：源電極，連接到資料線；汲電極，連接到第一節點N1；以及閘電極，連接到第二掃描信號線，用於傳輸第二掃描信號SC2(n)。然後，第二電晶體T2將從資料線接收的資料電壓Vdata施加給為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1，以回應在為導通位準的低位準處的第二掃描信號SC2(n)。
第三電晶體T3向為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1施加高電位驅動電壓VDD。第三電晶體T3可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第三電晶體T3包含：源電極，連接到高電位驅動電壓線，用於傳輸高電位驅動電壓VDD；汲電極，連接到該第一節點N1；以及閘電極，連接到發光信號線，用於傳輸發光信號EM(n)。然後，第三電晶體T3將高電位驅動電壓VDD施加給為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1，以回應在為導通位準的低位準處的發光信號EM(n)。
第四電晶體T4在驅動電晶體DT與有機發光二極體OLED之間形成一條電流通路。第四電晶體T4可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第四電晶體T4包含：源電極，連接到第三節點N3；汲電極，連接到第四節點N4；以及閘電極，連接到發光信號線，用於傳輸發光信號EM(n)。第四電晶體T4在為第四電晶體T4的源電極的第三節點N3與為第四電晶體T4的汲電極的第四節點N4之間形成一條電流通路，以回應發光信號EM(n)。然後，第四電晶體T4在驅動電晶體DT與有機發光二極體OLED之間形成一條電流通路，以回應在為導通位準的低位準處的發光信號EM(n)。
第五電晶體T5向為驅動電晶體DT的汲電極的第三節點N3施加初始電壓Vini(n)。第五電晶體T5可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第五電晶體T5包含：源電極，連接到初始電壓線，用於傳輸初始電壓Vini(n)；汲電極，連接到該第三節點N3；以及閘電極，連接到第三掃描信號線，用於傳輸第三掃描信號SC3(n)。然後，第五電晶體T5將初始電壓Vini(n)施加給為驅動電晶體DT的汲電極的第三節點N3，以回應在為導通位準的低位準處的第三掃描信號SC3(n)。與根據本發明一示例性實施例的有機發光顯示裝置不同，在根據本發明另一示例性實施例的有機發光顯示裝置中，初始電壓Vini(n)週期性地擺動。亦即，在根據本發明另一示例性實施例的有機發光顯示裝置中，初始電壓Vini(n)可以週期性地切換到高位準和低位準。
第六電晶體T6向為有機發光二極體的陽極的第四節點N4施加重置電壓VAR。第六電晶體T6可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第六電晶體T6包含：源電極，連接到重置電壓線VAR，用於傳輸重置電壓；汲電極，連接到第四節點N4；以及閘電極，連接到第三掃描信號線，用於傳輸第三掃描信號SC3(n)。然後，第六電晶體T6將重置電壓VAR施加給為有機發光二極體的陽極的第四節點N4，以回應在為導通位準的低位準處的第三掃描信號SC3(n)。
第七電晶體T7向第五節點N5施加高電位驅動電壓VDD。第七電晶體T7可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第七電晶體T7包含：源電極，連接到高電位驅動電壓線，用於傳輸該高電位驅動電壓VDD；汲電極，連接到第五節點N5；以及閘電極，連接到發光信號線，用於傳輸發光信號EM(n)。然後，第七電晶體T7將高電位驅動電壓VDD施加給第五節點N5，以回應在為導通位準的低位準處的發光信號EM(n)。
第八電晶體T8向第五節點施加參考電壓（Vref）N5。第八電晶體T8可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第八電晶體T8包含：源電極，連接到參考電壓線，用於傳輸參考電壓Vref；汲電極，連接到第五節點N5；以及閘電極，連接到第四掃描信號線，用於傳輸第四掃描信號SC4(n)。然後，第八電晶體T8將參考電壓Vref施加給第五節點N5，以回應在為導通位準的低位準處的第四掃描信號SC4(n)。
儲存電容器Cst包含：第一電極，連接到第二節點N2；以及第二電極，連接到第五節點N5。亦即，儲存電容器Cst的一個電極連接到驅動電晶體DT的閘電極，而儲存電容器Cst的另一個電極連接到第七電晶體T7和第八電晶體T8。
圖8是說明根據本發明另一示例性實施例在有機發光顯示裝置中的發光信號和掃描信號對於更新訊框的波形圖。
圖9是說明根據本發明另一示例性實施例在有機發光顯示裝置中的發光信號和掃描信號對於重置訊框的波形圖。
圖10A是根據本發明另一示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於導通偏壓應力週期的像素的電路圖。
圖10B是說明根據本發明另一示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於初始週期的像素的電路圖。
圖10C是根據本發明另一示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於取樣週期的像素的電路圖。
圖10D是根據本發明另一示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於發光週期的像素的電路圖。
參照圖7至圖10D，以下將描述根據本發明另一示例性實施例的有機發光顯示裝置的驅動。
根據本發明另一示例性實施例的有機發光顯示裝置可以在更新訊框和重置訊框中分別被驅動。在更新訊框中，資料電壓Vdata在每個像素中被程式化，且有機發光二極體OLED發光。此外，重置訊框可以是一垂直空白訊框，並且對重置訊框重置有機發光二極體OLED的陽極。
在根據本發明另一示例性實施例的有機發光顯示裝置中，更新訊框可以劃分為：應力週期Tobs、初始週期Ti、取樣週期Ts、以及發光週期Te。應力週期Tobs是對為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1給予偏壓應力的週期。初始週期Ti是初始化為驅動電晶體DT的汲電極的第三節點N3的電壓的週期。取樣週期Ts是用於取樣驅動電晶體DT的臨界電壓Vth並程式化資料電壓Vdata的週期。發光週期Te是用於允許有機發光二極體OLED藉由程式化的驅動電晶體DT的源極-閘極電壓根據驅動電流來發光的週期。
具體而言，參照圖8和圖10A，對於第一應力週期Tobs，第三掃描信號SC3(n)具有為導通位準的低位準，第四掃描信號SC4(n)具有為導通位準的低位準，並且初始電壓Vini(n)具有高位準。因此，第六電晶體T6被導通，以將重置電壓施加給第四節點N4。亦即，有機發光二極體OLED的陽極被重置到重置電壓VAR。此外，第八電晶體T8被導通，以將參考電壓Vref施加給第五節點N5。然後，第五電晶體T5被導通，以將高位準的初始電壓Vini(n)施加給第一節點N1和第三節點N3。高位準的初始電壓Vini(n)可以在一電壓範圍內選擇，該電壓範圍要充分高於有機發光二極體OLED的操作電壓，並設定為等於或低於高電位驅動電壓VDD的電壓。亦即，對於應力週期Tobs，應力電壓施加給為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1，以降低驅動電晶體DT的閘極-源極電壓Vgs。因此，對於應力週期Tobs，驅動電晶體DT的源極-汲極電流Ids流動以減低驅動電晶體DT的磁滯。
然而，第一應力週期Tobs不限於此，並可以延長到具有為關斷位準的高位準的第三掃描信號SC3(n)。
此外，參考圖8和圖10B，對於初始週期Ti，第一掃描信號SC1(n)具有為導通位準的高位準，第三掃描信號SC3(n)具有為導通位準的低位準，第四掃描信號SC4(n)具有為導通位準的低位準，並且初始電壓Vini(n)具有低位準。因此，第一電晶體T1和第五電晶體T5被導通，且低位準的初始電壓Vini(n) 施加給第二節點N2。因此，驅動電晶體DT的閘電極被初始化為低位準的初始電壓Vini(n)。低位準的初始電壓Vini(n)可以在一電壓範圍內選擇，該電壓範圍要充分低於有機發光二極體OLED的操作電壓，並設定為等於或低於低電位驅動電壓VSS的電壓。此外，在初始階段Ti，第八個電晶體T8仍被打開，並在第五節點N5中保持參考電壓Vref。此外，在初始週期Ti，由於第二掃描SC2(n)和發光信號EM(n)具有為關斷位準的高位準，所以第二電晶體T2、第三電晶體T3被關斷，結果，在施加高位準的初始電壓Vini(n)的同時，第一節點N1可能被浮接（float）。因此，驅動電晶體DT的閘極-源極電壓Vgs可以是低位準的初始電壓Vini(n)與高位準的初始電壓Vini(n)之間的差。
此外，參考圖8和圖10C，對於取樣週期Ts，第一掃描信號SC1(n)具有為導通位準的高位準，第二掃描信號SC2(n)具有為導通位準的低位準，且第四掃描信號SC4(n)具有為導通位準的低位準。此外，對於取樣週期Ts，第二電晶體T2被導通，資料電壓Vdata施加到第一節點N1。然後，由於第一電晶體T1也被導通，所以驅動電晶體DT被連接且驅動電晶體DT的閘電極和汲電極被短路，因而驅動電晶體DT像二極體一樣操作。
在取樣週期Ts中，電流Ids在驅動電晶體DT的源極-汲極之間流動。由於驅動電晶體DT的閘電極和汲電極被連接，因此第二節點N2的電壓透過從源電極流向汲電極的電流而增加，直到驅動電晶體DT的閘極-源極電壓Vgs為Vth。對於取樣週期Ts，第二節點N2的電壓被充電成對應於驅動電晶體DT的資料電壓Vdata和臨界電壓Vth之和的電壓Vdata + Vth。
此外，參照圖8和圖10A，對於第二應力週期Tobs，第三掃描信號SC3(n)具有為導通位準的低位準，第四掃描信號SC4(n)具有為導通位準的低位準，且初始電壓Vini(n)具有高位準。因此，第六電晶體T6被導通，以將重置電壓施加給第四節點N4。亦即，有機發光二極體OLED的陽極被重置到重置電壓VAR。然後，第五電晶體T5被導通，以將高位準的初始電壓Vini(n)施加給第一節點N1和第三節點N3。亦即，對於應力週期Tobs，偏壓應力施加給為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1，以減低驅動電晶體DT的磁滯效應。對於第二應力週期Tobs，第八電晶體T8仍被導通，並仍在第五節點N5中保持參考電壓Vref。
參照圖8和圖10D，對於發光週期Te，發光信號EM(n)具有為導通位準的低位準。然後，第三電晶體T3被導通以將高電位驅動電壓VDD施加給第一節點N1。此外，第七電晶體T7被導通，以將高電位驅動電壓VDD施加給第五節點N5。亦即，在第五節點N5中，電壓從參考電壓Vref增加到高電位驅動電壓VDD。此外，由於第二節點N2透過儲存電容器Cst與第五節點N5耦接，第五節點N5的電壓差VDD-Vref被反映到第二節點N2。因此，為驅動電晶體DT的閘電極的第二節點N2的電壓變為Vdata+Vth+（VDD-Vref）。因此，驅動電晶體DT的閘極-源極電壓Vgs可以為Vdata +Vth-Vref。此外，第四電晶體T4被導通以形成第三節點N3和第四節點N4的一條電流通路。結果，驅動電流Ioled經由驅動電晶體DT的源電極和汲電極施加給有機發光二極體OLED。
對於發光週期Te，在有機發光二極體OLED中流動的驅動電流Ioled的關係式為以下公式1。 [公式1] Ioled=k(Vgs-Vth) 2=k(Vdata+Vth-Vref-Vth) 2=k(Vdata-Vref) 2
在公式1中，k代表由驅動電晶體DT的電子遷移率、寄生電容、通道容量等決定的比例常數。
如公式1所示，在驅動電流Ioled的關係中，驅動電晶體DT的臨界電壓Vth分量和高電位驅動電壓VDD分量都被消除。這意指在根據本發明的有機發光顯示裝置中，即使臨界電壓Vth和高電位驅動電壓VDD發生變化，驅動電流Ioled也不會發生變化。亦即，根據本發明另一示例性實施例的有機發光顯示裝置可以對資料電壓進行程式化，而不考慮臨界電壓Vth和高電位驅動電壓VDD的變異。
此外，參考圖9，對於重置訊框，第一掃描信號SC1(n)保持在為關斷位準的低位準，且第二掃描信號SC2(n)保持在為關斷位準的高位準。然後，對於重置訊框，資料電壓Vdata在每個像素P中不被程式化，並且有機發光二極體OLED不會發光。
然而，發光信號EM(n)、第三掃描信號SC3(n)和第四掃描信號SC4(n)分別週期性擺動(swing)。亦即，由於第三掃描信號SC3(n)週期性擺動，所以重置訊框可以包括複數個應力週期Tobs。
亦即，對於重置訊框，有機發光二極體OLED的陽極不僅被重置到重置電壓VAR，而且還可以對為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1施加偏壓應力。
因此，在根據本發明另一示例性實施例的有機發光顯示裝置中，有機發光二極體OLED的陽極可以透過更新訊框和重置訊框週期性地被重置。然後，即使在低頻率的驅動中，由於由漏電流引起的有機發光二極體OLED的陽極的連續電壓上升被抑制，所以有機發光二極體OLED的陽極可以保持恆定的電壓位準。因此，儘管驅動頻率的切換，有機發光顯示裝置的亮度變化可以被最小化以提高影像品質。
根據本發明一示例性實施例的有機發光顯示裝置的應力電壓和初始電壓可以被集成到根據本發明另一示例性實施例的有機發光顯示裝置的初始電壓。因此，在根據本發明另一示例性實施例的有機發光顯示裝置中，不需要用於去除應力電壓的電晶體。因此，根據本發明另一示例性實施例的有機發光顯示裝置的像素結構可以被簡化。
以下，將描述根據本發明再另一（第三）示例性實施例的有機發光顯示裝置。根據本發明再另一（第三）示例性實施例的有機發光顯示裝置與根據本發明另一示例性實施例的有機發光顯示裝置的不同之處在於施加於電晶體的信號，並且其他技術特徵彼此相同。因此，將主要描述根據本發明再另一（第三）示例性實施例的有機發光顯示裝置與根據本發明另一示例性實施例的有機發光顯示裝置之間的區別，而對於重複的部分的描述將被省略。 ＜本發明再另一示例性實施例--第三示例性實施例＞
圖11是說明根據本發明再另一（第三）示例性實施例的有機發光顯示裝置的像素的電路圖。
在根據本發明再另一（第三）示例性實施例的有機發光顯示裝置中，每個像素P包括：有機發光二極體OLED、驅動電晶體DT、第一電晶體T1至第八電晶體T8、以及電容器Cst。
驅動電晶體DT根據其源極-閘極電壓Vsg控制施加到有機發光二極體OLED的驅動電流。驅動電晶體DT可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。此外，驅動電晶體DT的源電極連接到第一節點N1，驅動電晶體DT的閘電極連接到第二節點N2，且驅動電晶體DT的汲電極連接到第三節點N3。
第一電晶體T1連接閘電極和汲電極。第一電晶體T1可以是n型MOSFET NMOS，以最小化漏電流，並可以是氧化物薄膜電晶體。第一電晶體T1包含：汲電極，連接到第三節點N3；源電極，連接到第二節點N2；以及閘電極，連接到第一掃描信號線，用於傳輸第一掃描信號SC1(n)。因此，第一電晶體T1連接驅動電晶體DT的閘電極和汲電極，以回應在為導通位準的高位準處的第一掃描信號SC1(n)。
第二電晶體T2向為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1施加從資料線接收的資料電壓Vdata。第二電晶體T2可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第二電晶體T2包含：源電極，連接到資料線；汲電極，連接到第一節點N1；以及閘電極，連接到第二掃描信號線，用於傳輸第二掃描信號SC2(n)。然後，第二電晶體T2將從資料線接收的資料電壓Vdata施加給為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1，以回應在為導通位準的低位準處的第二掃描信號SC2(n)。
第三電晶體T3向為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1施加高電位驅動電壓VDD。第三電晶體T3可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第三電晶體T3包含：源電極，連接到高電位驅動電壓線，用於傳輸高電位驅動電壓VDD；汲電極，連接到第一節點N1；以及閘電極，連接到第三掃描信號線，用於傳輸第三掃描信號SC3(n)。然後，第三電晶體T3將高電位驅動電壓VDD施加給為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1，以回應在為導通位準的低位準處的第三掃描信號SC3(n)。
第四電晶體T4在驅動電晶體DT與有機發光二極體OLED之間形成一條電流通路。第四電晶體T4可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第四電晶體T4包含：源電極，連接到第三節點N3；汲電極，連接到第四節點N4；以及閘電極，連接到發光信號線，用於傳輸發光信號EM(n)。第四電晶體T4在為第四電晶體T4的源電極的第三節點N3與為第四電晶體T4的汲電極的第四節點N4之間形成一條電流通路，以回應發光信號EM(n)。然後，第四電晶體T4在驅動電晶體DT與有機發光二極體OLED之間形成一條電流通路，以回應在為導通位準的低位準處的發光信號EM(n)。
第五電晶體T5向為驅動電晶體DT的閘電極的第二節點N2施加初始電壓Vini。第五電晶體T5可以是n型MOSFET NMOS，以最小化漏電流，並可以是氧化物薄膜電晶體。第五電晶體包含：源電極，連接到初始電壓線，用於傳輸初始電壓Vini；汲電極，連接到第二節點N2；以及閘電極，連接到在前級的第一掃描信號線，用於傳輸在前級的第一掃描信號SC1(n-1)。然後，第五電晶體T5將初始電壓Vini施加給為驅動電晶體DT的汲電極的第二節點N2，以回應在為導通位準的高位準處之在前級的第一掃描信號SC1(n-1)。
第六電晶體T6向為有機發光二極體的陽極的第四節點N4施加重置電壓VAR。第六電晶體T6可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第六電晶體T6包含：源電極，連接到重置電壓線，用於傳輸重置電壓VAR；汲電極，連接到第四節點N4；以及閘電極，連接到第四掃描信號線，用於傳輸第四掃描信號SC4(n)。然後，第六電晶體T6將重置電壓VAR施加給為有機發光二極體的陽極的第四節點N4，以回應在為導通位準的低位準處的第四掃描信號SC4(n)。
第七電晶體T7向第五節點N5施加高電位驅動電壓VDD。第七電晶體T7可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第七電晶體T7包含：源電極，連接到高電位驅動電壓線，用於傳輸該高電位驅動電壓VDD；汲電極，連接到該第五節點N5；以及閘電極，連接到發光信號線，用於傳輸發光信號EM(n)。然後，第七電晶體T7將高電位驅動電壓VDD施加給第五節點N5，以回應在為導通位準的低位準處的發光信號EM(n)。
第八電晶體T8向第五節點施加參考電壓（Vref）N5。第八電晶體T8可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第八電晶體T8包含：源電極，連接到參考電壓線，用於傳輸參考電壓Vref；汲電極，連接到第五節點N5；以及閘電極，連接到第四掃描信號線，用於傳輸第四掃描信號SC4(n)。然後，第八電晶體T8將參考電壓Vref施加給第五節點N5，以回應在為導通位準的低位準處的第四掃描信號SC4(n)。
儲存電容器Cst包含：第一電極，連接到第二節點N2；以及第二電極，連接到第五節點N5。亦即，儲存電容器Cst的一個電極連接到驅動電晶體DT的閘電極，且儲存電容器Cst的另一個電極連接到第七電晶體T7和第八電晶體T8。
圖12是說明根據本發明再另一（第三）示例性實施例在有機發光顯示裝置中的發光信號和掃描信號對於更新訊框的波形圖。
圖13是說明根據本發明再另一（第三）示例性實施例在有機發光顯示裝置中的發光信號和掃描信號對於重置訊框的波形圖。
圖14A是根據本發明再另一（第三）示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於導通偏壓應力週期的像素的電路圖。
圖14B是說明根據本發明再另一（第三）示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於初始週期的像素的電路圖。
圖14C是根據本發明再另一（第三）示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於取樣週期的像素的電路圖。
圖14D是根據本發明再另一（第三）示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於發光週期的像素的電路圖。
參照圖11至圖14D，以下將描述根據本發明再另一（第三）示例性實施例的有機發光顯示裝置的驅動。
根據本發明再另一（第三）示例性實施例的有機發光顯示裝置可以在更新訊框和重置訊框中分別被驅動。在更新訊框中，資料電壓Vdata在每個像素P中被程式化，且有機發光二極體OLED發光。然後，重置訊框可以是一垂直空白訊框，並且對重置訊框重置有機發光二極體OLED的陽極。
在根據本發明再另一（第三）示例性實施例的有機發光顯示裝置中，更新訊框可以劃分為：應力週期Tobs、初始週期Ti、取樣週期Ts、以及發光週期Te。應力週期Tobs是對為驅動電晶體DT源電極的第一節點N1給予偏壓應力的週期。初始週期Ti是初始化第三節點N3的電壓的週期，第三節點N3是驅動電晶體DT的汲電極。取樣週期Ts是用於取樣驅動電晶體DT的臨界電壓Vth並程式化資料電壓Vdata的週期。發光週期Te是用於允許有機發光二極體OLED藉由程式化的驅動電晶體DT的源極-閘極電壓根據驅動電流來發光的週期。
具體而言，參照圖12和圖14A，對於第一應力週期Tobs，第三掃描信號SC3(n)具有為導通位準的低位準，且第四掃描信號SC4(n)具有為導通位準的低位準。因此，第六電晶體T6被導通，以將重置電壓施加給第四節點N4。亦即，有機發光二極體OLED的陽極被重置到重置電壓VAR。此外，第八電晶體T8被導通，以將參考電壓Vref施加給第五節點N5。此外，第三電晶體T3被導通，以將高電位驅動電壓VDD施加給第一節點N1。亦即，對於應力週期Tobs，應力電壓施加給為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1，以降低驅動電晶體DT的閘極-源極電壓Vgs。因此，對於應力週期Tobs，驅動電晶體DT的源極-汲極電流Ids流動以減低驅動電晶體DT的磁滯。
此外，參考圖12和圖14B，對於初始週期Ti，前級的第一掃描信號SC1(n-1)具有為導通位準的高位準，且第四掃描信號SC4(n)具有為導通位準的低位準。此外，第五電晶體T5被導通，以將初始電壓Vini施加給第二節點N2。因此，驅動電晶體DT的閘電極初始化為初始電壓Vini。初始電壓Vini可以在一電壓範圍內選擇，該電壓範圍要充分低於有機發光二極體OLED的操作電壓，並設定為等於或低於低位準驅動電壓VSS的電壓。此外，在初始週期Ti，第六電晶體T6和第八電晶體T8仍被導通，結果，在第四節點N4中保持重置電壓VAR，並在第五節點N5中保持參考電壓Vref。此外，在初始週期Ti，由於第二掃描SC2(n)和第三掃描信號SC3(n)具有為關斷位準的高位準，所以第二電晶體T2、第三電晶體T3被關斷，結果，在施加高電位驅動電壓VDD的同時，第一節點N1可能被浮接（float）。因此，驅動電晶體DT的閘極-源極電壓Vgs可以是Vini-VDD。
此外，參考圖12和圖14C，對於取樣週期Ts，第一掃描信號SC1(n)具有為導通位準的高位準，第二掃描信號SC2(n)具有為導通位準的低位準，且第四掃描信號SC4(n)具有為導通位準的低位準。此外，對於取樣週期Ts，第二電晶體T2被導通，且資料電壓Vdata施加到第一節點N1。然後，由於第一電晶體T1也被導通，所以驅動電晶體DT被連接且驅動電晶體DT的閘電極和汲電極被短路，因而驅動電晶體DT像二極體一樣操作。
在取樣週期Ts中，電流Ids在驅動電晶體DT的源極-汲極之間流動。由於驅動電晶體DT的閘電極和汲電極被連接，所以第二節點N2的電壓透過從源電極流向汲電極的電流而增加，直到驅動電晶體DT的閘極-源極電壓Vgs為Vth。對於取樣週期Ts，第二節點N2的電壓被充電成對應於驅動電晶體DT的資料電壓Vdata和臨界電壓Vth之和的電壓Vdata+Vth。
然後，在取樣週期Ts，第六電晶體T6和第八電晶體T8仍被導通，結果，在第四節點N4中保持重置電壓VAR，並在第五節點N5中保持參考電壓Vref。
此外，參照圖12和圖14A，對於第二應力週期Tobs，第三掃描信號SC3(n)具有為導通位準的低位準，且第四掃描信號SC4(n)具有為導通位準的低位準。此外，第三電晶體T3被導通以將高電位驅動電壓VDD施加給第一節點N1。亦即，對於應力週期Tobs，偏壓應力施加給為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1，以減低驅動電晶體DT的磁滯效應。對於第二應力週期Tobs，第六電晶體T6和第八電晶體T8仍被導通，因此，在第四節點N4中保持重置電壓VAR，並在第五節點N5中保持參考電壓Vref。
此外，參照圖12和圖14D，對於發光週期Te，第三掃描信號SC3(n)具有為導通位準的低位準，且發光信號EM(n)具有為導通位準的低位準。然後，第三電晶體T3被導通以將高電位驅動電壓VDD施加給第一節點N1。此外，第七電晶體T7被導通，以將高電位驅動電壓VDD施加給第五節點N5。亦即，在第五節點N5中，電壓從參考電壓Vref增加到高電位驅動電壓VDD。此外，由於第二節點N2透過儲存電容器Cst與第五節點N5耦接，第五節點N5的電壓差VDD-Vref被反映到第二節點N2。因此，為驅動電晶體DT的閘電極的第二節點N2的電壓變為Vdata+Vth+（VDD-Vref）。因此，驅動電晶體DT的閘極-源極電壓Vgs可以為Vdata+Vth-Vref。此外，第四電晶體T4被導通以形成第三節點N3和第四節點N4的一條電流通路。結果，驅動電流Ioled經由驅動電晶體DT的源電極和汲電極施加給有機發光二極體OLED。
對於發光週期Te，在有機發光二極體OLED中流動的驅動電流Ioled的關係式為以下公式1。 [公式1] Ioled=k(Vgs-Vth) 2=k(Vdata+Vth-Vref-Vth) 2=k(Vdata-Vref) 2
在公式1中，k代表由驅動電晶體DT的電子遷移率、寄生電容、通道容量等決定的比例常數。
如公式1所示，在驅動電流Ioled的關係中，驅動電晶體DT的臨界電壓Vth分量和高電位驅動電壓VDD分量都被消除。這意指在根據本發明的有機發光顯示裝置中，即使臨界電壓Vth和高電位驅動電壓VDD發生變化，驅動電流Ioled也不會發生變化。亦即，根據本發明再另一（第三）示例性實施例的有機發光顯示裝置可以對資料電壓進行程式化，而不考慮臨界電壓Vth和高電位驅動電壓VDD的變異。
此外，參考圖13，對於重置訊框，前級的第一掃描信號SC1(n-1)和第一掃描信號SC1(n)保持在為關斷位準的低位準，且第二掃描信號SC2(n)也保持在為關斷位準的高位準。然後，對於重置訊框，資料電壓Vdata在每個像素P中不被程式化，且有機發光二極體OLED不會發光。
然而，發光信號EM(n)、第三掃描信號SC3(n)和第四掃描信號SC4(n)分別週期性擺動（swing）。亦即，由於第三掃描信號SC3(n)週期性擺動，因此重置訊框可以包括複數個應力週期Tobs。
亦即，對於重置訊框，偏壓應力可以施加給為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1。
此外，由於第四掃描信號SC4(n)對於重置訊框週期性地擺動，因此重置訊框可以包括陽極重置週期Tar，其中第四掃描信號SC4(n)具有為導通位準的低位準。
亦即，對於重置訊框，有機發光二極體OLED的陽極可以被週期性地重置到重置電壓VAR。
結果，在根據本發明再另一（第三）示例性實施例的有機發光顯示裝置中，有機發光二極體OLED的陽極可以透過更新訊框和重置訊框週期性地被重置。然後，即使在低頻率的驅動中，由於由漏電流引起的有機發光二極體OLED的陽極的連續電壓上升被抑制，所以有機發光二極體OLED的陽極可以保持恆定的電壓位準。因此，儘管驅動頻率的切換，有機發光顯示裝置的亮度變化可以被最小化以提高影像品質。
如上所述，根據本發明再另一（第三）示例性實施例的有機發光顯示裝置可以藉由施加已使用的高電位驅動電壓VDD來將偏壓應力施加給驅動電晶體DT，而不是施加單獨的導通偏壓應力電壓。因此，由於不需要用於施加單獨的偏壓應力電壓的佈線，因此面板的解析度可以提高，並且還可以減少表框面積。
以下，將描述根據本發明又另一（第四）示例性實施例的有機發光顯示裝置。根據本發明又另一（第四）示例性實施例的有機發光顯示裝置與根據本發明另一示例性實施例的有機發光顯示裝置的不同之處在於施加於電晶體的信號，並且其他技術特徵彼此相同。因此，將主要描述根據本發明又另一（第四）示例性實施例的有機發光顯示裝置與根據本發明另一示例性實施例的有機發光顯示裝置之間的區別，而對於重複的部分的描述將被省略。 ＜本發明又另一示例性實施例--第四示例性實施例＞
圖15是說明根據本發明又另一（第四）示例性實施例的有機發光顯示裝置的像素的電路圖。
在根據本發明又另一（第四）示例性實施例的有機發光顯示裝置中，每個像素P包括：有機發光二極體OLED、驅動電晶體DT、第一電晶體T1至第八電晶體T8、以及電容器Cst。
驅動電晶體DT根據其源極-閘極電壓Vsg控制施加給有機發光二極體OLED的驅動電流。驅動電晶體DT可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。此外，驅動電晶體DT的源電極連接到第一節點N1，驅動電晶體DT的閘電極連接到第二節點N2，並且驅動電晶體DT的汲電極連接到第三節點N3。
第一電晶體T1連接閘電極和汲電極。第一電晶體T1可以是n型MOSFET NMOS，以最小化漏電流，並可以是氧化物薄膜電晶體。第一電晶體T1包含：汲電極，連接到第三節點N3；源電極，連接到第二節點N2；以及閘電極，連接到第一掃描信號線，用於傳輸第一掃描信號SC1(n)。因此，第一電晶體T1連接驅動電晶體DT的閘電極和汲電極，以回應在為導通位準的高位準處的第一掃描信號SC1(n)。
第二電晶體T2向為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1施加從資料線接收的資料電壓Vdata。第二電晶體T2可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第二電晶體T2包含：源電極，連接到資料線；汲電極，連接到第一節點N1；以及閘電極，連接到第二掃描信號線，用於傳輸第二掃描信號SC2(n)。然後，第二電晶體T2將從資料線接收的資料電壓Vdata施加給為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1，以回應在為導通位準的低位準處的第二掃描信號SC2(n)。
第三電晶體T3向為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1施加高電位驅動電壓VDD。第三電晶體T3可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第三電晶體T3包含：源電極，連接到高電位驅動電壓線，用於傳輸高電位驅動電壓VDD；汲電極，連接到第一節點N1；以及閘電極，連接到第一掃描信號線，用於傳輸第一掃描信號SC1(n)。然後，第三電晶體T3將高電位驅動電壓VDD施加給為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1，以回應在為導通位準的低位準處的第一掃描信號SC1(n)。
第四電晶體T4在驅動電晶體DT與有機發光二極體OLED之間形成一條電流通路。第四電晶體T4可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第四電晶體T4包含：源電極，連接到第三節點N3；汲電極，連接到第四節點N4；以及閘電極，連接到發光信號線，用於傳輸發光信號EM(n)。第四電晶體T4在為第四電晶體T4的源電極的第三節點N3與為第四電晶體T4的汲電極的第四節點N4之間形成一條電流通路，以回應發光信號EM(n)。然後，第四電晶體T4在驅動電晶體DT與有機發光二極體OLED之間形成一條電流通路，以回應在為導通位準的低位準處的發光信號EM(n)。
第五電晶體T5向為驅動電晶體DT的汲電極的第三節點N3施加初始電壓Vini。第五電晶體T5可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第五電晶體T5包含：源電極，連接到初始電壓線，用於傳輸初始電壓Vini；汲電極，連接到第三節點N3；以及閘電極，連接到第三掃描信號線，用於傳輸第三掃描信號SC3(n)。然後，第五電晶體T5將初始電壓Vini施加給為驅動電晶體DT的汲電極的第三節點N3，以回應在為導通位準的低位準處的第三掃描信號SC3(n)。
第六電晶體T6向為有機發光二極體的陽極的第四節點N4施加重置電壓VAR。第六電晶體T6可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第六電晶體T6包含：源電極，連接到重置電壓線，用於傳輸重置電壓VAR；汲電極，連接到第四節點N4；以及閘電極，連接到第三掃描信號線，用於傳輸第三掃描信號SC3(n)。然後，第六電晶體T6將重置電壓VAR施加給為有機發光二極體的陽極的第四節點N4，以回應在為導通位準的低位準處的第三掃描信號SC3(n)。
第七電晶體T7向第五節點N5施加高電位驅動電壓VDD。第七電晶體T7可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第七電晶體T7包含：源電極，連接到高電位驅動電壓線，用於傳輸高電位驅動電壓VDD；汲電極，連接到第五節點N5；以及閘電極，連接到發光信號線，用於傳輸發光信號EM(n)。然後，第七電晶體T7將高電位驅動電壓VDD施加給第五節點N5，以回應在為導通位準的低位準處的發光信號EM(n)。
第八電晶體T8向第五節點施加參考電壓（Vref）N5。第八電晶體T8可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第八電晶體T8包含：源電極，連接到參考電壓線，用於傳輸參考電壓Vref；汲電極，連接到第五節點N5；以及閘電極，連接到第四掃描信號線，用於傳輸第四掃描信號SC4(n)。然後，第八電晶體T8將參考電壓Vref施加給第五節點N5，以回應在為導通位準的低位準處的第四掃描信號SC4(n)。
儲存電容器Cst包含：第一電極，連接到第二節點N2；以及第二電極，連接到第五節點N5。亦即，儲存電容器Cst的一個電極連接到驅動電晶體DT的閘電極，而儲存電容器Cst的另一個電極連接到第七電晶體T7和第八電晶體T8。
圖16是說明根據本發明又另一（第四）示例性實施例在有機發光顯示裝置中的發光信號和掃描信號對於更新訊框的波形圖。
圖17是說明根據本發明又另一（第四）示例性實施例在有機發光顯示裝置中的發光信號和掃描信號對於重置訊框的波形圖。
圖18A是根據本發明又另一（第四）示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於導通偏壓應力週期的像素的電路圖。
圖18B是說明根據本發明又另一（第四）示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於初始週期的像素的電路圖。
圖18C是根據本發明又另一（第四）示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於取樣週期的像素的電路圖。
圖18D是根據本發明又另一（第四）示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於發光週期的像素的電路圖。
參照圖15至圖18D，以下將描述根據本發明又另一（第四）示例性實施例的有機發光顯示裝置的驅動。
根據本發明又另一（第四）示例性實施例的有機發光顯示裝置可以在更新訊框和重置訊框中分別被驅動。在更新訊框中，資料電壓Vdata在每個像素P中被程式化，且有機發光二極體OLED發光。此外，重置訊框可以是一垂直空白訊框，並且對重置訊框重置有機發光二極體OLED的陽極。
在根據本發明又另一（第四）示例性實施例的有機發光顯示裝置中，更新訊框可以劃分為：應力週期Tobs、初始週期Ti、取樣週期Ts、以及發光週期Te。應力週期Tobs是對為驅動電晶體DT源電極的第一節點N1給予偏壓應力的週期。初始週期Ti是初始化為驅動電晶體DT的汲電極的第三節點N3的電壓的週期。取樣週期Ts是取樣驅動電晶體DT的臨界電壓Vth並程式化資料電壓Vdata的週期。發光週期Te是用於允許有機發光二極體OLED藉由程式化的驅動電晶體DT的源極-閘極電壓根據驅動電流來發光的週期。
具體而言，參照圖16和圖18A，對於第一應力週期Tobs，第一掃描信號SC1(n)具有低位準，且第四掃描信號SC4(n)具有為導通位準的低位準。然後，第八電晶體T8被導通，以將參考電壓Vref施加給第五節點N5。此外，第三電晶體T3被導通，以將高位準驅動電壓VDD施加給第一節點N1。參考電壓Vref可以具有比高電位驅動電壓VDD低的位準。然後，在第五節點N5中，電壓從高電位驅動電壓VDD降低到參考電壓Vref。此外，由於第二節點N2透過儲存電容器Cst與第五節點N5耦接，所以第五節點N5的電壓差Vref-VDD被反映到第二節點N2。因此，為驅動電晶體DT的閘電極的第二節點N2的電壓被降低，以降低驅動電晶體DT的閘極-源極電壓Vgs。因此，對於應力週期Tobs，驅動電晶體DT的源極-汲極電流Ids流動以減低驅動電晶體DT的磁滯。
此外，參考圖16和圖18B，對於初始週期Ti，第一掃描信號SC1(n)具有高位準，第三掃描信號SC3(n)具有為導通位準的低位準，並且第四掃描信號SC4(n)具有為導通位準的低位準。因此，第一電晶體T1和第五電晶體T5被導通，施加初始電壓Vini到第二節點N2和第三節點N3。結果，驅動電晶體DT的閘電極被初始化為初始電壓Vini。初始電壓Vini可以在一電壓範圍內選擇，該電壓範圍要充分低於有機發光二極體OLED的操作電壓，並設定為等於或低於低電位驅動電壓VSS的電壓。此外，在初始週期Ti，第八電晶體T8仍被導通，並在第五節點N5中保持參考電壓Vref。此外，第六電晶體T6被導通，以將重置電壓施加給第四節點N4。亦即，在初始週期Ti，有機發光二極體OLED的陽極被重置到重置電壓VAR。此外，在初始週期Ti，由於第一掃描信號SC1(n)和第二掃描信號SC2(n)具有為關斷位準的高位準，第二電晶體T2和第三電晶體T3被關斷，結果，在施加高電位驅動電壓VDD的同時，第一節點N1可能被浮接（float）。因此，驅動電晶體DT的閘極-源極電壓Vgs可以是Vini-VDD。
此外，參考圖16和圖18C，對於取樣週期Ts，第一掃描信號SC1(n)具有高位準，第二掃描信號SC2(n)具有為導通位準的低位準，並且第四掃描信號SC4(n)具有為導通位準的低位準。此外，對於取樣週期Ts，第二電晶體T2被導通，資料電壓Vdata施加給第一節點N1。此外，由於第一電晶體T1也被導通，所以驅動電晶體DT被連接且驅動電晶體DT的閘電極和汲電極被短路，因而驅動電晶體DT像二極體一樣操作。
在取樣週期Ts中，電流Ids在驅動電晶體DT的源極-汲極之間流動。由於驅動電晶體DT的閘電極和汲電極被連接，所以第二節點N2的電壓透過從源電極流向汲電極的電流而增加，直到驅動電晶體DT的閘極-源極電壓Vgs為Vth。對於取樣週期Ts，第二節點N2的電壓被充電成對應於驅動電晶體DT的資料電壓Vdata和臨界電壓Vth之和的電壓Vdata+Vth。
此外，在取樣週期Ts，第八電晶體T8仍被導通，並在第五節點N5中保持參考電壓Vref。
此外，參照圖16和圖18A，對於第二應力週期Tobs，第一掃描信號SC1(n)具有低位準，並且第四掃描信號SC4(n)具有為導通位準的低位準。然後，第三電晶體T3被導通以將高電位驅動電壓VDD施加給第一節點N1。亦即，對於應力週期Tobs，為驅動電晶體DT閘電極的第二節點N2的電壓被降低，以降低驅動電晶體DT的磁滯效應。對於第二應力週期Tobs，第八電晶體T8仍被導通，並在第五節點N5中保持參考電壓Vref。
此外，參照圖16和圖18D，對於發光週期Te，第一掃描信號SC1(n)具有低位準，並且發光信號EM(n)具有為導通位準的低位準。然後，第三電晶體T3被導通以將高電位驅動電壓VDD施加給第一節點N1。此外，第七電晶體T7被導通，以將高位準驅動電壓VDD施加給第五節點N5。亦即，在第五節點N5中，電壓從參考電壓Vref增加到高電位驅動電壓VDD。此外，由於第二節點N2透過儲存電容器Cst與第五節點N5耦接，所以第五節點N5的電壓差VDD-Vref被反映到第二節點N2。因此，為驅動電晶體DT的閘電極的第二節點N2的電壓變為Vdata+Vth+（VDD-Vref）。因此，驅動電晶體DT的閘極-源極電壓Vgs可以為Vdata+Vth-Vref。此外，第四電晶體T4被導通以形成第三節點N3和第四節點N4的一條電流通路。因此，驅動電流Ioled經由驅動電晶體DT的源電極和汲電極的施加給有機發光二極體OLED。
對於發光週期Te，在有機發光二極體OLED中流動的驅動電流Ioled的關係式為以下公式1。 [公式1] Ioled=k(Vgs-Vth) 2=k(Vdata+Vth-Vref-Vth) 2=k(Vdata-Vref) 2
在公式1中，k代表由驅動電晶體DT的電子遷移率、寄生電容、通道容量等決定的比例常數。
如公式1所示，在驅動電流Ioled的關係中，驅動電晶體DT的臨界電壓Vth分量和高電位驅動電壓VDD分量都被消除。這意指在根據本發明的有機發光顯示裝置中，即使臨界電壓Vth和高電位驅動電壓VDD發生變化，驅動電流Ioled也不會發生變化。亦即，根據本發明又另一（第四）示例性實施例的有機發光顯示裝置可以對資料電壓進行程式化，而不考慮臨界電壓Vth和高電位驅動電壓VDD的變異。
此外，參考圖17，對於重置訊框，第一掃描信號SC1(n)保持在低位準，並且第二掃描信號SC2(n)保持在為關斷位準的高位準。然後，對於重置訊框，資料電壓Vdata在每個像素P中不被程式化，並且有機發光二極體OLED不會發光。
然而，第一掃描信號SC1(n)保持在低位準，並且重置訊框可以是應力週期Tobs。
亦即，對於重置訊框，為驅動電晶體DT的閘電極的第二節點N2的電壓被降低，並且驅動電晶體DT的源極-汲極電流Ids流動以減低驅動電晶體DT的磁滯。
此外，由於第三掃描信號SC3(n)對於重置訊框週期性地擺動，重置訊框可以包括陽極重置週期Tar，其中第三掃描信號SC3(n)具有為導通位準的低位準。
亦即，對於重置訊框，有機發光二極體OLED的陽極可以被週期性地重置到重置電壓VAR。
結果，在根據本發明又另一（第四）示例性實施例的有機發光顯示裝置中，有機發光二極體OLED的陽極可以透過更新訊框和重置訊框週期性地被重置。然後，即使在低頻率的驅動中，由於由漏電流所引起的有機發光二極體OLED的陽極的連續電壓上升被抑制，有機發光二極體OLED的陽極可以保持恆定的電壓位準。因此，儘管驅動頻率的切換，有機發光顯示裝置的亮度變化可以被最小化以提高影像品質。
如上所述，根據本發明又另一（第四）示例性實施例的有機發光顯示裝置可以藉由施加已使用的高電位驅動電壓VDD來將偏壓應力施加給驅動電晶體DT，而不是施加單獨的導通偏壓應力電壓。因此，由於不需要用於施加單獨的偏壓應力電壓的佈線，面板的解析度可以提高，並且還可以減少表框面積。
此外，在根據本發明又另一（第四）示例性實施例的有機發光顯示裝置中，為n型金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET NMOS）的第一電晶體T1和為p型金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET PMOS）的第三電晶體T3可以由為一個掃描信號的第一掃描信號SC1(n)控制。因此，不同類型的電晶體由一個掃描信號控制，以簡化像素電路結構。
圖19是說明根據本發明又另一（第四）示例性實施例的有機發光顯示裝置的像素的電路圖。
在根據本發明又另一（第四）示例性實施例的有機發光顯示裝置中，第七電晶體T7和第八電晶體T8可以共享給設置在一條水平線上的複數個像素。
複數個像素可以包括：紅色像素PX_R、綠色像素PX_G、以及藍色像素PX_B。然後，紅色資料電壓Vdata_R可以施加給紅色像素PX_R的第二電晶體T2的源電極，綠色資料電壓Vdata_G可以施加給綠色像素PX_G的第二電晶體T2的源電極，而藍色資料電壓Vdata_B可以施加給藍色像素PX_B的第二電晶體T2的源電極。
此外，一個第七電晶體T7可以連接到所有的紅色像素PX_R、綠色像素PX_G和藍色像素PX_B，而一個第八電晶體T8可以連接到所有的紅色像素PX_R、綠色像素PX_G和藍色像素PX_B。
具體而言，第七電晶體T7的汲電極可以連接到紅色像素PX_R的第五節點N5、綠色像素PX_G的第五節點N5和藍色像素PX_B的第五節點N5中的所有節點。此外，第八電晶體T8的汲電極可以連接到紅色像素PX_R的第五節點N5、綠色像素PX_G的第五節點N5和藍色像素PX_B的第五節點N5中的所有節點。
以下，將描述根據本發明又另一（第五）示例性實施例的有機發光顯示裝置。根據本發明又另一（第五）示例性實施例的有機發光顯示裝置與根據本發明又另一（第四）示例性實施例的有機發光顯示裝置的不同之處在於施加於第三電晶體的信號，並且其他技術特徵彼此相同。因此，將主要描述根據本發明又另一（第五）示例性實施例的有機發光顯示裝置與根據本發明又另一（第四）示例性實施例的有機發光顯示裝置之間的區別，而對於重複的部分的描述將被省略。 ＜本發明又另一示例性實施例--第五示例性實施例＞
圖20是說明根據本發明又另一（第五）示例性實施例的有機發光顯示裝置的像素的電路圖。
在根據本發明又另一（第五）示例性實施例的有機發光顯示裝置中，每個像素P包括：有機發光二極體OLED、驅動電晶體DT、第一電晶體T1至第八電晶體T8、以及電容器Cst。
驅動電晶體DT根據其源極-閘極電壓Vsg控制施加給有機發光二極體OLED的驅動電流。驅動電晶體DT可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽LTPS薄膜電晶體。此外，驅動電晶體DT的源電極連接到第一節點N1，驅動電晶體DT的閘電極連接到第二節點N2，並且驅動電晶體DT的汲電極連接到第三節點N3。
第一電晶體T1連接閘電極和汲電極。第一電晶體T1可以是n型MOSFET NMOS，以最小化漏電流，並可以是氧化物薄膜電晶體。第一電晶體T1包含：汲電極，連接到第三節點N3；源電極，連接到第二節點N2；以及閘電極，連接到第一掃描信號線，用於傳輸第一掃描信號SC1(n)。因此，第一電晶體T1連接驅動電晶體DT的閘電極和汲電極，以回應在為導通位準的高位準處的第一掃描信號SC1(n)。
第二電晶體T2向為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1施加從資料線接收的資料電壓Vdata。第二電晶體T2可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第二電晶體T2包含：源電極，連接到資料線；汲電極，連接到第一節點N1；以及閘電極，連接到第二掃描信號線，用於傳輸第二掃描信號SC2(n)。然後，第二電晶體T2將從資料線接收的資料電壓Vdata施加給為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1，以回應在為導通位準的低位準處的第二掃描信號SC2(n)。
第三電晶體T3向為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1施加高電位驅動電壓VDD。第三電晶體T3可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第三電晶體T3包含：源電極，連接到高電位驅動電壓線，用於傳輸高電位驅動電壓VDD；汲電極，連接到第一節點N1；以及閘電極，連接到第五掃描信號線，用於傳輸第五掃描信號SC5(n)。然後，第三電晶體T3將高電位驅動電壓VDD施加給為驅動電晶體DT的源電極的第一節點N1，以回應在為導通位準的低位準處的第五掃描信號SC5(n)。
第四電晶體T4在驅動電晶體DT與有機發光二極體OLED之間形成一條電流通路。第四電晶體T4可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第四電晶體T4包含：源電極，連接到第三節點N3；汲電極，連接到第四節點N4；以及閘電極，連接到發光信號線，用於傳輸發光信號EM(n)。第四電晶體T4在為第四電晶體T4的電極的第三節點N3與為第四電晶體T4的電極的第四節點N4之間形成一條電流通路，以回應發光信號EM(n)。然後，第四電晶體T4在驅動電晶體DT與有機發光二極體OLED之間形成一條電流通路，以回應在為導通位準的低位準處的發光信號EM(n)。
第五電晶體T5向為驅動電晶體DT的汲電極的第三節點N3施加初始電壓Vini。第五電晶體T5可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第五電晶體T5包含：源電極，連接到初始電壓線，用於傳輸初始電壓Vini；汲電極，連接到第三節點N3；以及閘電極，連接到第三掃描信號線，用於傳輸第三掃描信號SC3(n)。然後，第五電晶體T5將初始電壓Vini施加給為驅動電晶體DT的汲電極的第三節點N3，以回應在為導通位準的低位準處的第三掃描信號SC3(n)。
第六電晶體T6向為有機發光二極體的陽極的第四節點N4施加重置電壓VAR。第六電晶體T6可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第六電晶體T6包含：源電極，連接到重置電壓線VAR，用於傳輸重置電壓；汲電極，連接到第四節點N4；以及閘電極，連接到第三掃描信號線，用於傳輸第三掃描信號SC3(n)。然後，第六電晶體T6將重置電壓VAR施加給為有機發光二極體的陽極的第四節點N4，以回應在為導通位準的低位準處的第三掃描信號SC3(n)。
第七電晶體T7向第五節點N5施加高電位驅動電壓VDD。第七電晶體T7可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第七電晶體T7包含：源電極，連接到高電位驅動電壓線，用於傳輸高電位驅動電壓VDD；汲電極，連接到第五節點N5；以及閘電極，連接到發光信號線，用於傳輸發光信號EM(n)。然後，第七電晶體T7將高電位驅動電壓VDD施加給第五節點N5，以回應在為導通位準的低位準處的發光信號EM(n)。
第八電晶體T8向第五節點施加參考電壓（Vref）N5。第八電晶體T8可以是p型MOSFET PMOS，並可以是低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體。第八電晶體T8包含：源電極，連接到參考電壓線，用於傳輸參考電壓Vref；汲電極，連接到第五節點N5；以及閘電極，連接到第四掃描信號線，用於傳輸第四掃描信號SC4(n)。然後，第八電晶體T8將參考電壓Vref施加給第五節點N5，以回應在為導通位準的低位準處的第四掃描信號SC4(n)。
圖21是說明根據本發明又另一（第五）示例性實施例在有機發光顯示裝置中的發光信號和掃描信號對於更新訊框的波形圖。
圖22是說明根據本發明又另一（第五）示例性實施例在有機發光顯示裝置中的發光信號和掃描信號對於重置訊框的波形圖。
圖23A是根據本發明又另一（第五）示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於導通偏壓應力週期的像素的電路圖。
圖23B是說明根據本發明又另一（第五）示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於初始週期的像素的電路圖。
圖23C是根據本發明又另一（第五）示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於取樣週期的像素的電路圖。
圖23D是根據本發明又另一（第五）示例性實施例在有機發光顯示裝置中對於發光週期的像素的電路圖。
參照圖20至圖23D，以下將描述根據本發明又另一（第五）示例性實施例的有機發光顯示裝置的驅動。
根據本發明又另一（第五）示例性實施例的有機發光顯示裝置可以在更新訊框和重置訊框中分別被驅動。在更新訊框中，資料電壓Vdata在每個像素中被程式化，並且有機發光二極體OLED發光。此外，重置訊框可以是一垂直空白訊框，並且對重置訊框重置有機發光二極體OLED的陽極。
在根據本發明又另一（第五）示例性實施例的有機發光顯示裝置中，更新訊框可以劃分為：應力週期Tobs、初始週期Ti、取樣週期Ts、以及發光週期Te。應力週期Tobs是對為驅動電晶體DT源電極的第一節點N1給予偏壓應力的週期。初始週期Ti是初始化為驅動電晶體DT的汲電極的第三節點N3的電壓的週期。取樣週期Ts是取樣驅動電晶體DT的臨界電壓Vth並程式化資料電壓Vdata的週期。發光週期Te是用於允許有機發光二極體OLED藉由程式化的驅動電晶體DT的源極-閘極電壓根據驅動電流來發光的週期。
具體而言，參照圖21和圖23A，對於第一應力週期Tobs，第五掃描信號SC5(n)具有導通位準的低位準，並且第四掃描信號SC4(n)具有為導通位準的低位準。此外，第八電晶體T8被導通，以將參考電壓Vref施加給第五節點N5。此外，第三電晶體T3被導通以將高電位驅動電壓VDD施加給第一節點N1。參考電壓Vref可以具有比高位準驅動電壓VDD低的位準。然後，在第五節點N5中，電壓從高電位驅動電壓VDD下降到參考電壓Vref。此外，由於第二節點N2透過儲存電容器Cst與第五節點N5耦接，所以第五節點N5的電壓差Vref-VDD被反映到第二節點N2。因此，為驅動電晶體DT的閘電極的第二節點N2的電壓被降低，以降低驅動電晶體DT的閘極-源極電壓Vgs。因此，對於應力週期Tobs，驅動電晶體DT的源極-汲極電流Ids流動以減低驅動電晶體DT的磁滯。
此外，參考圖21和圖23B，對於初始週期Ti，第一掃描信號SC1(n)具有為導通位準的高位準，第三掃描信號SC3(n)具有在為導通位準的低位準，並且第四掃描信號SC4(n)具有為導通位準的低位準。因此，第一電晶體T1和第五電晶體T5被導通，然後將初始電壓Vini施加給第二節點N2和第三節點N3。結果，驅動電晶體DT的閘電極被初始化為初始電壓Vini。初始電壓Vini可以在一電壓範圍內選擇，該電壓範圍要充分低於有機發光二極體OLED的操作電壓，並設定為等於或低於低電位驅動電壓VSS的電壓。此外，在初始週期Ti，第八電晶體T8仍被導通，並在第五節點N5中保持參考電壓Vref。此外，第六電晶體T6被導通，以將重置電壓施加給第四節點N4。亦即，在初始週期Ti，有機發光二極體OLED的陽極被重置到重置電壓VAR。此外，在初始週期Ti，由於第一掃描信號SC1(n)和第二掃描信號SC2(n)具有為關斷位準的高位準，所以第二電晶體T2、第三電晶體T3被關斷，結果，在施加高電位驅動電壓VDD的同時，第一節點N1可能被浮接（float）。因此，驅動電晶體DT的閘極-源極電壓Vgs可以是Vini-VDD。
此外，參考圖21和圖23C，對於取樣週期Ts，第一掃描信號SC1(n)具有為導通位準的高位準，第二掃描信號SC2(n)具有為導通位準的低位準，並且第四掃描信號SC4(n)具有為導通位準的低位準。此外，對於取樣週期Ts，第二電晶體T2被導通，且資料電壓Vdata施加給第一節點N1。此外，由於第一電晶體T1也被導通，所以驅動電晶體DT被連接且驅動電晶體DT的閘電極和汲電極被短路，因而驅動電晶體DT像二極體一樣操作。
在取樣週期Ts中，電流Ids在驅動電晶體DT的源極-汲極之間流動。由於驅動電晶體DT的閘電極和汲電極被連接，所以第二節點N2的電壓透過從源電極流向汲電極的電流而增加，直到驅動電晶體DT的閘極-源極電壓Vgs為Vth。對於取樣週期Ts，第二節點N2的電壓被充電成對應於驅動電晶體DT的資料電壓Vdata和臨界電壓Vth之和的電壓Vdata+Vth。
此外，在取樣週期Ts，第八電晶體T8仍被導通，並在第五節點N5中保持參考電壓Vref。
此外，參照圖21和圖23A，對於第二應力週期Tobs，第五掃描信號SC5(n)具有為導通位準的低位準，並且第四掃描信號SC4(n)具有為導通位準的低位準。此外，第三電晶體T3被導通以將高電位驅動電壓VDD施加給第一節點N1。亦即，對於應力週期Tobs，為驅動電晶體DT的閘電極的第二節點N2的電壓被降低，以減低驅動電晶體DT的磁滯效應。對於第二應力週期Tobs，第八電晶體T8仍被導通，並在第五節點N5中保持參考電壓Vref。
此外，參照圖21和圖23D，對於發光週期Te，第五掃描信號SC5(n)具有為導通位準的低位準，並且發光信號EM(n)具有為導通位準的低位準。然後，第三電晶體T3被導通以將高電位驅動電壓VDD施加給第一節點N1。此外，第七電晶體T7被導通，以將高電位驅動電壓VDD施加給第五節點N5。亦即，在第五節點N5中，電壓從參考電壓Vref增加到高電位驅動電壓VDD。此外，由於第二節點N2透過儲存電容器Cst與第五節點N5耦接，第五節點N5的電壓差VDD-Vref被反映到第二節點N2。因此，為驅動電晶體DT的閘電極的第二節點N2的電壓變為Vdata+Vth+（VDD-Vref）。因此，驅動電晶體DT的閘極-源極電壓Vgs可以為Vdata+Vth-Vref。此外，第四電晶體T4被導通以形成第三節點N3和第四節點N4的電流通路。結果，驅動電流Ioled經由驅動電晶體DT的源電極和汲電極施加給有機發光二極體OLED。
對於發光週期Te，在有機發光二極體OLED中流動的驅動電流Ioled的關係式為以下公式1。 [公式1] Ioled=k(Vgs-Vth) 2=k(Vdata+Vth-Vref-Vth) 2=k(Vdata-Vref) 2
在公式1中，k代表由驅動電晶體DT的電子遷移率、寄生電容、通道容量等決定的比例常數。
如公式1所示，在驅動電流Ioled的關係中，驅動電晶體DT的臨界電壓Vth分量和高電位驅動電壓VDD分量都被消除。這意指在根據本發明的有機發光顯示裝置中，即使臨界電壓Vth和高電位驅動電壓VDD發生變化，驅動電流Ioled也不會發生變化。亦即，根據本發明又另一（第五）示例性實施例的有機發光顯示裝置可以對資料電壓進行程式化，而不考慮臨界電壓Vth和高電位驅動電壓VDD的變異。
此外，參考圖22，對於重置訊框，第一掃描信號SC1(n)保持在低位準，且第二掃描信號SC2(n)也保持在為關斷位準的高位準。然後，對於重置訊框，資料電壓Vdata在每個像素P中不被程式化，並且有機發光二極體OLED不會發光。
然而，發光信號EM(n)、第三掃描信號SC3(n)、第四掃描信號SC4(n)和第五掃描信號SC5(n)分別週期性擺動（swing）。亦即，由於第五掃描信號SC5(n)週期性地擺動，所以重置訊框可以包括複數個應力週期Tobs。
亦即，對於重置訊框，為驅動電晶體DT的閘電極的第二節點N2的電壓被降低，且驅動電晶體DT的源極-汲極電流Ids流動以減低驅動電晶體DT的磁滯。
此外，由於第三掃描信號SC3(n)對於重置訊框週期性地擺動，所以重置訊框可以包括陽極重置週期Tar，其中第三掃描信號SC3(n)具有為導通位準的低位準。
亦即，對於重置訊框，有機發光二極體OLED的陽極可以被週期性地重置到重置電壓VAR。
結果，在根據本發明又另一（第五）示例性實施例的有機發光顯示裝置中，有機發光二極體OLED的陽極可以透過更新訊框和重置訊框週期性地被重置。然後，即使在低頻率的驅動中，由於由漏電流引起的有機發光二極體OLED的陽極的連續電壓上升被抑制，有機發光二極體OLED的陽極可以保持恆定的電壓位準。因此，儘管驅動頻率的切換，有機發光顯示裝置的亮度變化可以被最小化以提高影像品質。
本發明的示例性實施例也可以描述如下。
根據本發明的一態樣，像素可以包括：有機發光二極體，其透過驅動電流發光；驅動電晶體，配置以控制驅動電流並可以包含為第一節點的源電極、為第二節點的閘電極和為第三節點的汲電極；第一電晶體，配置以連接第二節點和第三節點；第二電晶體，配置以向第一節點施加資料電壓；第三電晶體，配置以向第二節點施加高電位驅動電壓VDD；第四電晶體，在驅動電晶體與有機發光二極體之間形成電流通路；第五電晶體，配置以向驅動電晶體施加初始電壓Vini；第六電晶體，配置以向為有機發光二極體的陽極的第四節點施加重置電壓VAR；儲存電容器，其可以包含一個連接到第二節點的電極和另一個連接到第五節點的電極；第七電晶體，配置以向第五節點施加高電位驅動電壓；以及第八電晶體，配置以向第五節點施加參考電壓，從而使大尺寸有機發光顯示裝置的像素亮度均勻。
初始電壓可以設定為等於或低於低電位驅動電壓的電壓。
第一電晶體可以是n型氧化物薄膜電晶體，並且驅動電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第六電晶體、第七電晶體及第八電晶體可以分別為p型低溫多晶矽（LTPS）薄膜電晶體，
驅動電流可以與驅動電晶體的臨界電壓和高電位驅動電壓無關。
第七電晶體和第八電晶體可以共享給設置在水平線上的複數個像素。
有機發光顯示裝置可以進一步包括第九電晶體，配置以向驅動電晶體的源電極施加應力電壓。
該應力電壓可以設定為等於或低於高電位驅動電壓的電壓。
第一電晶體可以包含：汲電極，連接到第三節點；源電極，連接到第二節點；以及閘電極，連接到第一掃描信號線，用於傳輸第一掃描信號；第二電晶體可以包含：源電極，連接到資料線；汲電極，連接到第一節點；以及閘電極，連接到第二掃描信號線，用於傳輸第二掃描信號；第三電晶體可以包含：源電極，連接到高電位驅動電壓線，用於傳輸高電位驅動電壓；汲電極，連接到第一節點N1；以及閘電極，連接到發光信號線，用於傳輸發光信號；第四電晶體可以包含：源電極，連接到第三節點；汲電極，連接到第四節點；以及閘電極，連接到發光信號線；第五電晶體可以包含：源電極，連接到初始電壓線，用於傳輸初始電壓；汲電極，連接到第三節點；以及閘電極，連接到第四掃描信號線，用於傳輸第四掃描信號；第六電晶體可以包含：源電極，連接到重置電壓線，用於傳輸重置電壓；汲電極，連接到第四節點；以及閘電極，連接到第三掃描信號線，用於傳輸第三掃描信號；第七電晶體可以包含：源電極，連接到高電位驅動電壓線；汲電極，連接到第五節點；閘電極，連接到發光信號線；第八電晶體可以包含：源電極，連接到參考電壓線，用於傳輸參考電壓；汲電極，連接到第五節點；以及閘電極，連接到第五掃描信號線，用於傳輸第五掃描信號；以及第九電晶體可以包括：源電極，連接到應力電壓線，用於傳輸應力電壓；汲電極，連接到第一節點；以及閘電極，連接到第三掃描信號線。
第一電晶體可以包含：汲電極，連接到第三節點；源電極，連接到第二節點；以及閘電極，連接到第一掃描信號線，用於傳輸第一掃描信號；第二電晶體可以包含：源電極，連接到資料線；汲電極，連接到第一節點；以及閘電極，連接到第二掃描信號線，用於傳輸第二掃描信號；第三電晶體可以包含：源電極，連接到高電位驅動電壓線，用於傳輸高電位驅動電壓；汲電極，連接到第一節點N1；以及閘電極，連接到發光信號線，用於傳輸發光信號；第四電晶體可以包含：源電極，連接到第三節點；汲電極，連接到第四節點；以及閘電極，連接到發光信號線；第五電晶體可以包含：源電極，連接到初始電壓線，用於傳輸初始電壓；汲電極，連接到第三節點；以及閘電極，連接到第三掃描信號線，用於傳輸第三掃描信號；第六電晶體可以包含：源電極，連接到重置電壓線，用於傳輸重置電壓；汲電極，連接到第四節點；以及閘電極，連接到第三掃描信號線；第七電晶體可以包含：源電極，連接到高電位驅動電壓線；汲電極，連接到第五節點；閘電極，連接到發光信號線；以及第八電晶體可以包括：源電極，連接到參考電壓線，用於傳輸參考電壓；汲電極，連接到第五節點；以及閘電極，連接到第四掃描信號線，用於傳輸第四掃描信號。
第七電晶體和第八電晶體可以共享給設置在水平線上的複數個像素。
初始電壓可以週期性地切換到高位準和低位準。
第一電晶體可以包含：汲電極，連接到第三節點；源電極，連接到第二節點；以及閘電極，連接到第一掃描信號線，用於傳輸第一掃描信號；第二電晶體可以包含：源電極，連接到資料線；汲電極，連接到第一節點；以及閘電極，連接到第二掃描信號線，用於傳輸第二掃描信號；第三電晶體可以包含：源電極，連接到高電位驅動電壓線，用於傳輸高電位驅動電壓；汲電極，連接到第一節點N1；以及閘電極，連接到第三掃描信號線，用於傳輸第三掃描信號；第四電晶體可以包含：源電極，連接到第三節點；汲電極，連接到第四節點；以及閘電極，連接到發光信號線，用於傳輸發光信號；第五電晶體可以包含：源電極，連接到初始電壓線，用於傳輸初始電壓；汲電極，連接到第二節點；以及閘電極，連接到在前級的第一掃描信號線，傳輸在前級的第一掃描信號；第六電晶體可以包含：源電極，連接到重置電壓線，用於傳輸重置電壓；汲電極，連接到第四節點；以及閘電極，連接到第四掃描信號線，用於傳輸第四掃描信號；第七電晶體可以包含：源電極，連接到高電位驅動電壓線；汲電極，連接到第五節點；閘電極，連接到發光信號線；以及第八電晶體可以包括：源電極，連接到參考電壓線，用於傳輸參考電壓；汲電極，連接到第五節點；以及閘電極，連接到第四掃描信號線。
第一電晶體可以包含：汲電極，連接到第三節點；源電極，連接到第二節點；以及閘電極，連接到第一掃描信號線，用於傳輸第一掃描信號；第二電晶體可以包含：源電極，連接到資料線；汲電極，連接到第一節點；以及閘電極，連接到第二掃描信號線，用於傳輸第二掃描信號；第三電晶體可以包含：源電極，連接到高電位驅動電壓線，用於傳輸高電位驅動電壓；汲電極，連接到第一節點N1；以及閘電極，連接到第五掃描信號線，用於傳輸第五掃描信號；第四電晶體可以包含：源電極，連接到第三節點；汲電極，連接到第四節點；以及閘電極，連接到發光信號線，用於傳輸發光信號；第五電晶體可以包含：源電極，連接到初始電壓線，用於傳輸初始電壓；汲電極，連接到第三節點；以及閘電極，連接到第三掃描信號線，用於傳輸第三掃描信號；
第六電晶體可以包含：源電極，連接到重置電壓線，用於傳輸重置電壓；汲電極，連接到第四節點；以及閘電極，連接到第三掃描信號線；第七電晶體可以包含：源電極，連接到高電位驅動電壓線；汲電極，連接到第五節點；閘電極，連接到發光信號線；以及第八電晶體可以包含：源電極，連接到參考電壓線，用於傳輸參考電壓；汲電極，連接到第五節點；以及閘電極，連接到第四掃描信號線，用於傳輸第四掃描信號。
第一電晶體可以包含：汲電極，連接到第三節點；源電極，連接到第二節點；以及閘電極，連接到第一掃描信號線，用於傳輸第一掃描信號；第二電晶體可以包含：源電極，連接到資料線；汲電極，連接到第一節點；以及閘電極，連接到第二掃描信號線，用於傳輸第二掃描信號；第三電晶體可以包含：源電極，連接到高電位驅動電壓線，用於傳輸高電位驅動電壓；汲電極，連接到第一節點；以及閘電極，連接到第一掃描信號線；第四電晶體可以包含：源電極，連接到第三節點；汲電極，連接到第四節點；以及閘電極，連接到發光信號線，用於傳輸發光信號；第五電晶體可以包含：源電極，連接到初始電壓線，用於傳輸初始電壓；汲電極，連接到第三節點；以及閘電極，連接到第三掃描信號線，用於傳輸第三掃描信號；第六電晶體可以包含：源電極，連接到重置電壓線，用於傳輸重置電壓；汲電極，連接到第四節點；以及閘電極，連接到第三掃描信號線；第七電晶體可以包含：源電極，連接到高電位驅動電壓線；汲電極，連接到第五節點；閘電極，連接到發光信號線；以及第八電晶體可以包含：源電極，連接到參考電壓線，用於傳輸參考電壓；汲電極，連接到第五節點；以及閘電極，連接到第四掃描信號線，用於傳輸第四掃描信號。
根據本發明的一態樣，有機發光顯示裝置可以包括如上文所揭露之設置在顯示面板上的複數個像素。
有機發光顯示裝置可以在對資料電壓進行程式化的更新訊框和對像素中的有機發光二極體的陽極進行重置的重置訊框中分別被驅動，更新訊框可以劃分為：應力週期、初始週期、取樣週期和發光週期，並且對於應力週期，可以對驅動電晶體施加偏壓應力；對於初始週期，第二節點或第三節點可以被初始化到初始電壓；對於取樣週期，第二節點可以被充電到對應於驅動電晶體的資料電壓和臨界電壓（Vth）之和的電壓；以及對於發光週期，驅動電流可以施加給有機發光二極體，並且有機發光二極體發光。
更新訊框可以進一步包含在取樣週期與發光週期之間的另一個應力週期，其中第八電晶體被導通，且在第五節點處保持參考電壓。
對於重置訊框，有機發光二極體的陽極可以重置到重置電壓，並對第一節點施加偏壓應力。
重置訊框可以包括複數個應力週期。
對於發光週期，第二節點的電壓可以是Vdata+Vth+（VDD-Vref），第一節點的電壓是VDD，並且驅動電晶體的閘極-源極電壓是Vdata+Vth-Vref。
儘管已經參照附圖詳細描述了本發明的示例性實施例，但本發明不限於此，並可以在不脫離本發明的技術概念的情況下以許多不同的形式體現出來。因此，本發明的示例性實施例僅用於說明目的，而不是為了限制本發明的技術概念。本發明的技術概念的範圍不限於此。因此，應該理解，以上描述的示例性實施例在所有方面都是說明性的，並不限於本發明內容。本發明的保護範圍應基於以下申請專利範圍進行解釋，其均等範圍內的所有技術概念都應被解釋為屬於本發明的範圍。
本申請主張於2020年10月21日向韓國專利局提交之申請第10-2020-0137040號的優先權，其揭露內容透過引用納入本發明中。
100:顯示面板 200:時序控制電路 300:資料驅動器 401,402:閘極驅動器 OLED:有機發光二極體 A/A:顯示區域 Cst:儲存電容器、電容器 DCLK:時脈信號 DCS,GCS:控制信號 DE:資料致能信號 DL1〜DLm:資料線 DT:驅動電晶體 EM(n):發光信號 GL1〜GLn:閘極線 Hsync:水平同步信號 N/A:非顯示區域 N1:第一節點 N2:第二節點 N3:第三節點 N4:第四節點 N5:第五節點 P:像素 PX_B:藍色像素 PX_G:綠色像素 PX_R:紅色像素 RGB:影像資料 SC1(n):第一掃描信號 SC2(n):第二掃描信號 SC3(n):第三掃描信號 SC4(n):第四掃描信號 SC5(n):第五掃描信號 T1:第一電晶體 T2:第二電晶體 T3:第三電晶體 T4:第四電晶體 T5:第五電晶體 T6:第六電晶體 T7:第七電晶體 T8:第八電晶體 T9:第九電晶體 Tar:陽極重置週期 Te:發光週期 Ti:初始週期 Tobs:應力週期 Ts:取樣週期 VAR:重置電壓 Vdata:資料電壓 Vdata_B:藍色資料電壓 Vdata_G:綠色資料電壓 Vdata_R:紅色資料電壓 VDD:高電位驅動電壓 Vini:初始電壓 Vini(n):初始電壓 VOBS:應力電壓 Vref:參考電壓 VSS:低電位驅動電壓 Vsync:垂直同步信號
Cst:儲存電容器、電容器
DT:驅動電晶體
EM(n):發光信號
N1:第一節點
N2:第二節點
N3:第三節點
N4:第四節點
N5:第五節點
OLED:有機發光二極體
PX_B:藍色像素
PX_G:綠色像素
PX_R:紅色像素
SC1(n):第一掃描信號
SC2(n):第二掃描信號
SC3(n):第三掃描信號
SC4(n):第四掃描信號
T1:第一電晶體
T2:第二電晶體
T3:第三電晶體
T4:第四電晶體
T5:第五電晶體
T6:第六電晶體
T7:第七電晶體
T8:第八電晶體
VAR:重置電壓
Vdata_B:藍色資料電壓
Vdata_G:綠色資料電壓
Vdata_R:紅色資料電壓
VDD:高電位驅動電壓
Vini:初始電壓
Vref:參考電壓
VSS:低電位驅動電壓

Claims (19)

  1. 一種用於有機發光顯示裝置的像素，包括： 一有機發光二極體，其透過一驅動電流發光； 一驅動電晶體，配置以控制該驅動電流，並包含一源電極，作為一第一節點、一閘電極，作為一第二節點、以及一汲電極，作為一第三節點； 一第一電晶體，配置以連接該第二節點和該第三節點； 一第二電晶體，配置以向該第一節點施加一資料電壓（Vdata）； 一第三電晶體，配置以向該第二節點施加一高電位驅動電壓（VDD）； 一第四電晶體，其在該驅動電晶體與該有機發光二極體之間形成一電流通路； 一第五電晶體，配置以向該驅動電晶體施加一初始電壓； 一第六電晶體，配置以向為該有機發光二極體的一陽極的一第四節點施加一重置電壓； 一儲存電容器，其包含一個電極，連接到該第二節點、以及另一個電極，連接到一第五節點； 一第七電晶體，配置以向該第五節點施加該高電位驅動電壓；以及 一第八電晶體，配置以向該第五節點施加一參考電壓（Vref）。
  2. 如請求項1所述的像素，其中，該初始電壓設定為等於或低於一低電位驅動電壓的電壓。
  3. 如請求項1所述的像素，其中，該第一電晶體是一n型氧化物薄膜電晶體，以及 該驅動電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體、該第四電晶體、該第六電晶體、該第七電晶體、及該第八電晶體分別為一p型低溫多晶矽薄膜電晶體。
  4. 如請求項1所述的像素，其中，該驅動電流與該驅動電晶體的一臨界電壓和該高電位驅動電壓無關。
  5. 如請求項1所述的像素，其中，該第七電晶體和該第八電晶體共享給設置在一條水平線上的複數個像素。
  6. 如請求項1所述的像素，進一步包括：一第九電晶體，配置以向該驅動電晶體的該源電極施加一應力電壓。
  7. 如請求項6所述的像素，其中，該應力電壓設定為等於或低於該高電位驅動電壓的電壓。
  8. 如請求項6所述的像素，其中，該第一電晶體包含：一汲電極，連接到該第三節點；一源電極，連接到該第二節點；以及一閘電極，連接到一第一掃描信號線，用於傳輸一第一掃描信號， 該第二電晶體包含：一源電極，連接到一資料線；一汲電極，連接到該第一節點；以及一閘電極，連接到一第二掃描信號線，用於傳輸一第二掃描信號， 該第三電晶體包含：一源電極，連接到一高電位驅動電壓線，用於傳輸該高電位驅動電壓；一汲電極，連接到該第一節點；以及一閘電極，連接到一發光信號線，用於傳輸一發光信號， 該第四電晶體包含：一源電極，連接到該第三節點；一汲電極，連接到該第四節點；以及一閘電極，與連接到該發光信號線， 該第五電晶體包含：一源電極，連接到一初始電壓線，用於傳輸該初始電壓；一汲電極，連接到該第三節點；以及一閘電極，連接到一第四掃描信號線，用於傳輸一第四掃描信號， 該第六電晶體包含：一源電極，連接到一重置電壓線，用於傳輸該重置電壓；一汲電極，連接到該第四節點；以及一閘電極，連接到一第三掃描信號線，用於傳輸一第三掃描信號， 該第七電晶體包含：一源電極，連接到該高電位驅動電壓線；一汲電極，連接到該第五節點；以及一閘電極，連接到該發光信號線， 該第八電晶體包含：一源電極，連接到一參考電壓線，用於傳輸該參考電壓；一汲電極，連接到該第五節點；以及一閘電極，連接到一第五掃描信號線，用於傳輸一第五掃描信號，以及 該第九電晶體包含：一源電極，連接到一應力電壓線，用於傳輸該應力電壓；一汲電極，連接到該第一節點；以及一閘電極，連接到該第三掃描信號線。
  9. 如請求項1所述的像素，其中，該第一電晶體包含：一汲電極，連接到該第三節點；一源電極，連接到該第二節點；以及一閘電極，連接到一第一掃描信號線，用於傳輸一第一掃描信號， 該第二電晶體包含：一源電極，連接到一資料線；一汲電極，連接到該第一節點；以及一閘電極，連接到一第二掃描信號線，用於傳輸一第二掃描信號， 該第三電晶體包含：一源電極，連接到一高電位驅動電壓線，用於傳輸該高電位驅動電壓；一汲電極，連接到該第一節點；以及一閘電極，連接到一發光信號線，用於傳輸一發光信號， 該第四電晶體包含：一源電極，連接到該第三節點；一汲電極，連接到該第四節點；以及一閘電極，連接到該發光信號線， 該第五電晶體包含：一源電極，連接到一初始電壓線，用於傳輸該初始電壓；一汲電極，連接到該第三節點；以及一閘電極，連接到一第三掃描信號線，用於傳輸一第三掃描信號， 該第六電晶體包含：一源電極，連接到一重置電壓線，用於傳輸該重置電壓；一汲電極，連接到該第四節點；以及一閘電極，連接到該第三掃描信號線， 該第七電晶體包含：一源電極，連接到該高電位驅動電壓線；一汲電極，連接到該第五節點；以及一閘電極，連接到該發光信號線，以及 該第八電晶體包含：一源電極，連接到一參考電壓線，用於傳輸該參考電壓；一汲電極，連接到該第五節點；以及一閘電極，連接到一第四掃描信號線，用於傳輸一第四掃描信號。
  10. 如請求項9所述的像素，其中，該初始電壓週期性地切換到一高位準和一低位準。
  11. 如請求項1所述的像素，其中，該第一電晶體包含：一汲電極，連接到該第三節點；一源電極，連接到該第二節點；以及一閘電極，連接到一第一掃描信號線，用於傳輸一第一掃描信號， 該第二電晶體包含：一源電極，連接到一資料線；一汲電極，連接到該第一節點；以及一閘電極，連接到一第二掃描信號線，用於傳輸一第二掃描信號， 該第三電晶體包含：一源電極，連接到一高電位驅動電壓線，用於傳輸該高電位驅動電壓；一汲電極，連接到該第一節點；以及一閘電極，連接到一第三掃描信號線，用於傳輸一第三掃描信號， 第四電晶體包含：一源電極，連接到該第三節點；一汲電極，連接到該第四節點；以及一閘電極，連接到一發光信號線，用於傳輸一發光信號， 該第五電晶體包含：一源電極，連接到一初始電壓線，用於傳輸該初始電壓；一汲電極，連接到該第二節點；以及一閘電極，連接到在一前級的一第一掃描信號線，用於傳輸在該前級的一第一掃描信號， 第六電晶體包含：一源電極，連接到一重置電壓線，用於傳輸該重置電壓；一汲電極，連接到該第四節點；以及一閘電極，連接到一第四掃描信號線，用於傳輸一第四掃描信號， 該第七電晶體包含：一源電極，連接到該高電位驅動電壓線；一汲電極，連接到該第五節點；以及一閘電極，連接到該發光信號線，以及 第八電晶體包含：一源電極，連接到一參考電壓線，用於傳輸該參考電壓；一汲電極，連接到該第五節點；以及一閘電極，連接到該第四掃描信號線。
  12. 如請求項1所述的像素，其中，該第一電晶體包含：一汲電極，連接到該第三節點；一源電極，連接到該第二節點；以及一閘電極，連接到一第一掃描信號線，用於傳輸一第一掃描信號， 該第二電晶體包含：一源電極，連接到一資料線；一汲電極，連接到該第一節點；以及一閘電極，連接到一第二掃描信號線，用於傳輸一第二掃描信號， 該第三電晶體包含：一源電極，連接到一高電位驅動電壓線，用於傳輸該高電位驅動電壓；一汲電極，連接到該第一節點；以及一閘電極，連接到一第五掃描信號線，用於傳輸一第五掃描信號， 第四電晶體包含：一源電極，連接到該第三節點；一汲電極，連接到該第四節點；以及一閘電極，連接到一發光信號線，用於傳輸一發光信號， 該第五電晶體包含：一源電極，連接到一初始電壓線，用於傳輸該初始電壓；一汲電極，連接到該第三節點；以及一閘電極，連接到一第三掃描信號線，用於傳輸一第三掃描信號， 該第六電晶體包含：一源電極，連接到一重置電壓線，用於傳輸該重置電壓；一汲電極，連接到該第四節點；以及一閘電極，連接到該第三掃描信號線， 該第七電晶體包含：一源電極，連接到該高電位驅動電壓線；一汲電極，連接到該第五節點；以及一閘電極，連接到該發光信號線，以及 該第八電晶體包含：一源電極，連接到一參考電壓線，用於傳輸該參考電壓；一汲電極，連接到該第五節點；以及一閘電極，連接到一第四掃描信號線，用於傳輸一第四掃描信號。
  13. 如請求項1所述的像素，其中，該第一電晶體包含：一汲電極，連接到該第三節點；一源電極，連接到該第二節點；以及一閘電極，連接到一第一掃描信號線，用於傳輸一第一掃描信號， 該第二電晶體包含：一源電極，連接到一資料線；一汲電極，連接到該第一節點；以及一閘電極，連接到一第二掃描信號線，用於傳輸一第二掃描信號， 該第三電晶體包含：一源電極，連接到一高電位驅動電壓線，用於傳輸該高電位驅動電壓；一汲電極，連接到該第一節點；以及一閘電極，連接到該第一掃描信號線， 第四電晶體包含：一源電極，連接到該第三節點；一汲電極，連接到該第四節點；以及一閘電極，連接到一發光信號線，用於傳輸一發光信號， 該第五電晶體包含：一源電極，連接到一初始電壓線，用於傳輸該初始電壓；一汲電極，連接到該第三節點；以及一閘電極，連接到一第三掃描信號線，用於傳輸一第三掃描信號， 該第六電晶體包含：一源電極，連接到一重置電壓線，用於傳輸該重置電壓；一汲電極，連接到該第四節點；以及一閘電極，連接到該第三掃描信號線， 該第七電晶體包含：一源電極，連接到該高電位驅動電壓線；一汲電極，連接到該第五節點；以及一閘電極，連接到該發光信號線，以及 該第八電晶體包含：一源電極，連接到一參考電壓線，用於傳輸該參考電壓；一汲電極，連接到該第五節點；以及一閘電極，連接到一第四掃描信號線，用於傳輸一第四掃描信號。
  14. 一種有機發光顯示裝置，包括：複數個根據請求項1至13中任一項的像素，設置在一顯示面板上。
  15. 如請求項14所述的有機發光顯示裝置，其中，該有機發光顯示裝置在對該資料電壓進行程式化的一更新訊框中以及對該些像素中的該有機發光二極體的一陽極進行重置的一重置訊框中被分別驅動， 其中，該更新訊框包括：一應力週期、一初始週期、一取樣週期、以及一發光週期，以及 對於該應力週期，向該驅動電晶體施加一偏壓應力， 對於該初始週期，該第二節點或該第三節點被初始化為該初始電壓， 對於該取樣週期，該第二節點被充電到對應於該驅動電晶體的該資料電壓及一臨界電壓（Vth）之和的電壓，以及 對於該發光週期，向該有機發光二極體施加該驅動電流，並且該有機發光二極體發光。
  16. 如請求項15所述的有機發光顯示裝置，其中，該更新訊框進一步包含在該取樣週期與該發光週期之間的另一個應力週期，在該另一個應力週期中該第八電晶體被導通，且在該第五節點處保持該參考電壓。
  17. 如請求項15所述的有機發光顯示裝置，其中，對於該重置訊框，該有機發光二極體的該陽極被重置到該重置電壓，並對該第一節點施加一偏壓應力。
  18. 如請求項15所述的有機發光顯示裝置，其中，該重置訊框包含複數個應力週期。
  19. 如請求項15所述的有機發光顯示裝置，其中，對於該發光週期， 該第二節點的電壓為Vdata+Vth+(VDD-Vref) ， 該第一節點的電壓為VDD，以及 該驅動電晶體的閘極-源極電壓為Vdata+Vth-Vref。
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