CN114387924A - 像素和包括该像素的有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

像素和包括该像素的有机发光显示装置。用于有机发光显示装置的像素包括：通过驱动电流发光的有机发光二极管；被配置为控制驱动电流的驱动晶体管；被配置为连接第二节点和第三节点的第一晶体管；被配置为向第一节点施加数据电压的第二晶体管；被配置为向第二节点施加高电位驱动电压的第三晶体管；在驱动晶体管和有机发光二极管之间形成电流路径的第四晶体管；被配置为向驱动晶体管施加初始化电压的第五晶体管；被配置为向作为有机发光二极管的阳极电极的第四节点施加复位电压的第六晶体管；被配置为将高电位驱动电压施加到第五节点的第七晶体管；以及被配置为向第五节点施加参考电压的第八晶体管。

Description

像素和包括该像素的有机发光显示装置
技术领域
本公开涉及像素和包括该像素的有机发光显示装置，更具体地，涉及具有可变驱动频率的有机发光显示装置。
背景技术
作为自发光器件的有机发光二极管OLED包括阳极电极、阴极电极和形成在阳极电极和阴极电极之间的有机化合物层。有机化合物层由空穴传输层HTL、发射层EML和电子传输层ETL构成。当向阳极电极和阴极电极施加驱动电压时，穿过空穴传输层HTL的空穴和穿过电子传输层ETL的电子被移动到发射层EML以形成激子，结果，发射层EML产生可见光。有源矩阵型有机发光显示装置包括自发光的有机发光二极管OLED，并且由于响应速度快、发光效率高、亮度高和视角大的优点而被广泛使用。
有机发光显示装置以矩阵形式布置包括OLED的像素，并根据视频数据的灰度级来调整像素的亮度。每个像素包括OLED、根据栅-源电压控制在OLED中流动的驱动电流的驱动晶体管、以及对驱动晶体管的栅-极电压进行编程的至少一个开关晶体管。驱动晶体管的源电极连接到高电位电压线，并且驱动电流受高电位电压的变化的影响。
因此，由于有机发光显示装置尺寸较大，因此由于高电位电压线的电阻而发生高电位电压的下降。结果，受高电位电压影响的驱动电流变得不稳定。因此，传统的有机发光显示装置具有像素的亮度不均匀的问题。
发明内容
本公开的发明人发明了一种有机发光显示装置，针对该有机发光显示装置新设计了像素电路以使如上所述的驱动电流的不稳定最小化。
因此，本公开要实现的目的是提供一种能够使有机发光显示装置的驱动电流稳定的有机发光显示装置。
本公开要实现的另一目的是提供一种能够使大尺寸有机发光显示装置的像素亮度均匀化的显示装置。
本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员可以通过以下描述清楚地理解上述未提及的其他目的。
根据本公开的一方面，有机发光显示装置包括：设置在显示面板上的多个像素，其中，所述多个像素中的每一个包括通过驱动电流发光的有机发光二极管、被配置为控制所述驱动电流并且包括作为第一节点的源电极、作为第二节点的栅电极和作为第三节点的漏电极的驱动晶体管；第一晶体管，其被配置为连接第二节点和第三节点；第二晶体管，其被配置为对第一节点施加数据电压；第三晶体管，其被配置为对第二节点施加高电位驱动电压VDD；第四晶体管，其在所述驱动晶体管和所述有机发光二极管之间形成电流路径；第五晶体管，其被配置为向所述驱动晶体管施加初始化电压Vini；第六晶体管，其被配置为向作为所述有机发光二极管的阳极电极的第四节点施加复位电压VAR；存储电容器，其包括与第二节点连接的一个电极和与第五节点连接的另一个电极；第七晶体管，其被配置为将高电位驱动电压施加到第五节点；以及第八晶体管，其被配置为向第五节点施加参考电压Vref，以便使大尺寸有机发光显示装置的像素亮度均匀化。
示例性实施方式的其他详细内容包括在详细描述和附图中。
根据本公开，可以与所述驱动晶体管的阈值电压和高电位驱动电压的变化无关地控制OLED的驱动电流，以实现恒定亮度。
根据本公开，向所述驱动晶体管施加偏置应力以减轻所述驱动晶体管的迟滞效应。
根据本公开，由于不需要用于施加单独的导通偏置应力电压的布线，所以可以增加面板的分辨率，并且还可以减小边框区域。
根据本公开，可以在OLED的阳极电极上保持恒定的电压电平，从而可以使有机发光显示装置的亮度的变化最小化，以提高图像质量。
根据本公开的效果不限于以上示例的内容，并且在本说明书中包括更多的各种效果。
附图说明
从下面结合附图进行的详细描述中，将更加清楚地理解本公开的上述及其他方面、特征及其他优点，在附图中：
图1是根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的框图；
图2是示出根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的像素的电路图；
图3是示出根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置中的用于刷新帧的发射信号和扫描信号的波形图；
图4是示出根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置中的用于复位帧的发射信号和扫描信号的波形图；
图5A是根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在导通偏置应力时段的电路图；
图5B是根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在初始化时段的电路图；
图5C是根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在采样时段的电路图；
图5D是根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在发射时段的电路图；
图6A是示出传统的有机发光显示装置的每个区域的亮度的图；
图6B是示出根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的每个区域的亮度的图；
图7是示出根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置的像素的电路图；
图8是示出根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置中的用于刷新帧的发射信号和扫描信号的波形图；
图9是示出根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置中的用于复位帧的发射信号和扫描信号的波形图；
图10A是根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在导通偏置应力时段的电路图；
图10B是根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在初始化时段的电路图；
图10C是根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在采样时段的电路图；
图10D是根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在发射时段的电路图；
图11是示出根据本公开的另一(第三)示例性实施方式的有机发光显示装置的像素的电路图；
图12是示出根据本公开的另一(第三)示例性实施方式的有机发光显示装置中的用于刷新帧的发射信号和扫描信号的波形图；
图13是示出根据本公开的另一(第三)示例性实施方式的有机发光显示装置中的用于复位帧的发射信号和扫描信号的波形图；
图14A是根据本公开的另一(第三)示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在导通偏置应力时段的电路图；
图14B是根据本公开的另一(第三)示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在初始化时段的电路图；
图14C是根据本公开的另一(第三)示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在采样时段的电路图；
图14D是根据本公开的另一(第三)示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在发射时段的电路图；
图15是示出根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置的像素的电路图；
图16是示出根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置中的用于刷新帧的发射信号和扫描信号的波形图；
图17是示出根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置中的用于复位帧的发射信号和扫描信号的波形图；
图18A是根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在导通偏置应力时段的电路图；
图18B是根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在初始化时段的电路图；
图18C是根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在采样时段的电路图；
图18D是根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在发射时段的电路图；
图19是示出根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置的像素的电路图；
图20是示出根据本公开的另一(第五)示例性实施方式的有机发光显示装置的像素的电路图；
图21是示出根据本公开的另一(第五)示例性实施方式的有机发光显示装置中的用于刷新帧的发射信号和扫描信号的波形图；
图22是示出根据本公开的另一(第五)示例性实施方式的有机发光显示装置中的用于复位帧的发射信号和扫描信号的波形图；
图23A是根据本公开的另一(第五)示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在导通偏置应力时段的电路图；
图23B是根据本公开的另一(第五)示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在初始化时段的电路图；
图23C是根据本公开的另一(第五)示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在采样时段的电路图；以及
图23D是根据本公开的另一(第五)示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在发射时段的电路图。
具体实施方式
通过参照在下文中详细描述的示例性实施方式和附图两者，本公开的优点和特点以及实现这些优点和特点的方法将会清楚。然而，本公开不限于本文中公开的示例性实施方式，而是将被实现为各种形式。通过仅示例的方式来提供例示例性实施方式，使得本领域普通技术人员能够完全理解本公开所公开的内容和本公开的范围。因此，本公开将仅受所附权利要求的范围的限定。
附图中示出的用于描述本公开的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数量等等仅仅是示例，并且本公开不限于此。相同的附图标记在整个说明书中通常表示相同的元件。进一步地，在本公开的下面的描述中，为了避免不必要地模糊本公开的主题，可以将已知相关技术的详细说明省略掉。本文中使用的诸如“包括”、“具有”和“由...组成”的术语一般是指允许添加其他组件，除非术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则任何单数的引用都可以包括复数。
即使没有明确说明，组件也被解释为包括普通的误差范围。
当使用诸如“在...上”、“在...之上”、“在...下面”和“靠近...”的术语来描述两个部件之间的位置关系时，除非使用这些术语时用了“紧接着”或“直接”这样的词，否则在该两个部件之间可以设置有一个或更多个部件。
当元件或层设置在另一元件或层“上”时，其他层或其他元件可直接置于该另一元件或层上或置于该元件或层和该另一元件或层之间。
尽管术语“第一”、“第二”等被用于描述各种组件，可是这些组件不受这些术语的约束。这些术语仅用于将一个组件与其他组件区分开。因此，下文提及的第一组件在本公开的技术概念中可以是第二组件。
相同的附图标记在整个说明书中通常表示相同的元件。
为了便于描述，示出了附图中所示的每个组件的尺寸和厚度，并且本公开不限于示出的部件的尺寸和厚度。
本公开的各各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此依附或组合，并且可以以技术上各种方式互锁和操作，并且这些实施方式可以彼此独立地或相关联地执行。
可以将信号的低电平定义为第一电平，并且可以将信号的高电平定义为第二电平。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的示例性实施方式的显示装置。
图1是根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的框图。
参照图1，根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置包括显示面板100、定时控制电路200、数据驱动器300以及选通驱动器401和402。
显示面板100包括显示区域A/A和非显示区域N/A，显示区域A/A显示图像，非显示区域N/A位于显示区域A/A外部并设置有各种信号线和选通驱动器401和402。
为了显示图像，在显示区域A/A中，设置多个像素P。另外，在显示区域A/A中，设置在第一方向上的n条选通线GL1至GLn和设置在与第一方向不同的方向上的m条数据线DL1至DLm。多个像素P电连接到n条选通线GL1至GLn和m条数据线DL1至DLm。因此，分别通过选通线GL1至GLn和数据线DL1至DLm向像素P施加选通电压和数据电压。另外，每个像素P通过选通电压和数据电压实现灰度级。最后，通过由每个像素P显示的灰度级，在显示区域A/A中显示图像。
在非显示区域N/A中，设置有各种信号线GL1至GLn和DL1至DLm，这些信号线GL1至GLn和DL1至DLm传输用于控制设置在显示区域A/A中的像素P以及选通驱动器401和402的操作的信号。
定时控制电路200将从主机系统接收的输入图像信号RGB发送到数据驱动器300。
定时控制电路200可以使用定时信号来生成用于控制选通驱动器401和402以及数据驱动器300的操作定时的控制信号GCS和DCS，所述定时信号诸如与图像数据RGB一起接收的时钟信号DCLK、水平同步信号Hsync、垂直同步信号Vsync和数据使能信号DE。这里，水平同步信号Hsync是指示显示画面的水平线所花费的时间的信号，垂直同步信号Vsync是指示显示一帧的画面所花费的时间的信号，并且数据使能信号DE是指示向显示面板100中限定的像素P提供数据电压的时段的信号。
换句话说，定时控制电路200接收定时信号以将选通控制信号GCS输出到选通驱动器401和402，并且将数据控制信号DCS输出到数据驱动器300。
数据驱动器300接收数据控制信号DCS以将数据电压输出到数据线DL1至DLm。
具体地，数据驱动器300根据数据控制信号DCS生成采样信号，根据要改变为数据电压的采样信号来锁存图像数据RGB，然后响应于源极输出使能(SOE)信号将数据电压提供给数据线DL1至DLm。
数据驱动器300可以通过玻璃上芯片(COG)方法连接到显示面板100的焊盘，或者直接设置在显示面板100上，或者在一些情况下，也可以集成并设置在显示面板100中。此外，可以通过膜上芯片(COF)方法来设置数据驱动器300。
选通驱动器401和402根据选通控制信号GCS向选通线GL1至GLn顺序地提供与选通电压相对应的扫描信号、发射信号和复位信号。
普通选通驱动器401和402可以以各种方式独立于显示面板100形成，以与显示面板电连接。然而，根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的选通驱动器401和402在通过面板内选通(GIP)方法制造要嵌入在非显示区域N/A上的显示面板100的基板时以薄膜图案形式形成。
选通驱动器401和402可以分离为设置在显示面板100两侧的第一选通驱动器401和第二选通驱动器402。
具体地，第一选通驱动器401向多个像素P提供扫描信号和复位信号。然后，第一选通驱动器401可以包括多个扫描驱动级和多个复位驱动级。另外，多个扫描驱动级向多个像素P提供扫描信号，并且多个复位驱动级向多个像素P提供复位信号。
另外，第二选通驱动器402向多个像素P提供扫描信号和发射信号。然后，第二选通驱动器402可以包括多个扫描驱动级和多个发射驱动级。另外，多个扫描驱动级向多个像素P提供扫描信号，并且多个发射驱动级向多个像素P提供发射信号。
在下文中，将详细描述多个像素P的配置和驱动方法。
构成多个像素P中的每个像素的开关元件可以实现为n型或p型MOSFET结构的晶体管。在下面的示例性实施方式中，示例了n型晶体管，但是本公开不限于此。
另外，晶体管是包括栅电极、源电极和漏电极的三电极元件。源电极是用于向晶体管提供载流子的电极。晶体管中的载流子开始从源电极流出。漏电极是从晶体管向外部释放载流子的电极。即，MOSFET中的载流子从源电极流向漏电极。在n型MOSFET(NMOS)的情况下，由于载流子是电子，所以源电极的电压低于漏电极的电压，使得电子可以从源电极流向漏电极。在n型MOSFET中，由于电子从源电极向漏电极流动，所以电流从漏电极向源电极流动。在p型MOSFET(PMOS)的情况下，由于载流子是空穴，所以源电极的电压高于漏电极的电压，使得空穴可以从源电极流向漏电极。在p型MOSFET中，由于空穴从源电极向漏电极流动，所以电流从源电极向漏电极流动。应当注意，MOSFET的源电极和漏电极不是固定的。例如，MOSFET的源电极和漏电极可以根据施加的电压而改变。在以下示例性实施方式中，不应由于晶体管的源电极和漏电极而限制本公开。
图2是示出根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的像素的电路图。
每个像素P包括有机发光二极管OLED、驱动晶体管DT、第一至第九晶体管T1至T9以及电容器Cst。
有机发光二极管OLED通过从驱动晶体管DT提供的驱动电流发光。多层有机化合物层形成在有机发光二极管OLED的阳极电极和阴极电极之间。有机化合物层可以包括至少一个空穴传输层和电子传输层以及发射层EML。这里，空穴传输层是向发射层注入或传输空穴的层，并且可以包括例如空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL等。另外，电子传输层是向发射层注入或传输电子的层，并且可以包括例如电子传输层ETL、电子注入层EIL、空穴阻挡层HBL等。有机发光二极管OLED的阳极电极连接到第四节点N4，并且有机发光二极管OLED的阴极电极连接到低电位驱动电压VSS的输入端子。
驱动晶体管DT根据其源-栅电压Vsg控制施加到有机发光二极管OLED的驱动电流。驱动晶体管DT可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。另外，驱动晶体管DT的源电极连接到第一节点N1，栅电极连接到第二节点N2，并且漏电极连接到第三节点N3。
第一晶体管T1连接栅电极和漏电极。第一晶体管T1可以是n型MOSFET NMOS以使泄漏电流最小化，并且可以是氧化物薄膜晶体管。第一晶体管T1包括连接到第三节点N3的漏电极、连接到第二节点N2的源电极和连接到用于传输第一扫描信号SC1(n)的第一扫描信号线的栅电极。因此，响应于处于作为导通电平的高电平的第一扫描信号SC1(n)，第一晶体管T1连接驱动晶体管DT的栅电极和漏电极。
第二晶体管T2将从数据线接收的数据电压Vdata施加到作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1。第二晶体管T2可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第二晶体管T2包括连接到数据线的源电极、连接到第一节点N1的漏电极和连接到用于传输第二扫描信号SC2(n)的第二扫描信号线的栅电极。然后，第二晶体管T2响应于处于作为导通电平的低电平的第二扫描信号SC2(n)，将从数据线接收的数据电压Vdata施加到作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1。
第三晶体管T3向作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1施加高电位驱动电压VDD。第三晶体管T3可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第三晶体管T3包括连接到用于传输高电位驱动电压VDD的高电位驱动电压线的源电极、连接到第一节点N1的漏电极和连接到用于传输发射信号EM(n)的发射信号线的栅电极。然后，第三晶体管T3响应于处于作为导通电平的低电平的发射信号EM(n)，将高电位驱动电压VDD施加到作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1。
第四晶体管T4在驱动晶体管DT和有机发光二极管OLED之间形成电流路径。第四晶体管T4可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第四晶体管T4包括连接到第三节点N3的源电极、连接到第四节点N4的漏电极和连接到用于传输发射信号EM(n)的发射信号线的栅电极。响应于发射信号EM(n)，第四晶体管T4在作为第四晶体管T4的源电极的第三节点N3和作为第四晶体管T4的漏电极的第四节点N4之间形成电流路径。然后，第四晶体管T4响应于处于作为导通电平的低电平的发射信号EM(n)，在驱动晶体管DT和有机发光二极管OLED之间形成电流路径。
第五晶体管T5向作为驱动晶体管DT的漏电极的第三节点N3施加初始化电压Vini。第五晶体管T5可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第五晶体管T5包括连接到用于传输初始化电压Vini的初始化电压线的源电极、连接到第三节点N3的漏电极和连接到用于传输第四扫描信号SC4(n)的第四扫描信号线的栅电极。然后，第五晶体管T5响应于处于作为导通电平的低电平的第四扫描信号SC4(n)，将初始化电压Vini施加到作为驱动晶体管DT的漏电极的第三节点N3。
第六晶体管T6向作为有机发光二极管的阳极的第四节点N4施加复位电压VAR。第六晶体管T6可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第六晶体管T6包括连接到用于传输复位电压VAR的复位电压线的源电极、连接到第四节点N4的漏电极和连接到用于传输第三扫描信号SC3(n)的第三扫描信号线的栅电极。然后，第六晶体管T6响应于处于作为导通电平的低电平的第三扫描信号SC3(n)，将复位电压VAR施加到作为有机发光二极管的阳极的第四节点N4。
第七晶体管T7将高电位驱动电压VDD施加到第五节点N5。第七晶体管T6可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第七晶体管T7包括连接到用于传输高电位驱动电压VDD的高电位驱动电压线的源电极、连接到第五节点N5的漏电极和连接到用于传输发射信号EM(n)的发射信号线的栅电极。然后，第七晶体管T7响应于处于作为导通电平的低电平的发射信号EM(n)，将高电位驱动电压VDD施加到第五节点N5。
第八晶体管T8向第五节点N5施加参考电压Vref。第八晶体管T8可以是p型MOSFETPMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第八晶体管T8包括连接到用于传输参考电压Vref的参考电压线的源电极、连接到第五节点N5的漏电极和连接到用于传输第五扫描信号SC5(n)的第五扫描信号线的栅电极。然后，第八晶体管T8响应于处于作为导通电平的低电平的第五扫描信号SC5(n)，将参考电压Vref施加到第五节点N5。
第九晶体管T9向作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1施加应力电压VOBS。第九晶体管T9可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第九晶体管T9包括连接到用于传输应力电压VOBS的应力电压线的源电极、连接到第一节点N1的漏电极、以及连接到用于传输第三扫描信号SC3(n)的第三扫描信号线的栅电极。然后，第九晶体管T9响应于处于作为导通电平的低电平的第三扫描信号SC3(n)，向作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1施加应力电压VOBS。
存储电容器Cst包括连接到第二节点N2的第一电极和连接到第五节点N5的第二电极。即，存储电容器Cst的一个电极连接到驱动晶体管DT的栅电极，并且存储电容器Cst的另一个电极连接到第七晶体管T7和第八晶体管T8。
图3是示出根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置中的用于刷新帧的发射信号和扫描信号的波形图。
图4是示出根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置中的用于复位帧的发射信号和扫描信号的波形图。
图5A是根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在导通偏置应力时段的电路图。
图5B是根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在初始化时段的电路图。
图5C是根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在采样时段的电路图。
图5D是根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在发射时段的电路图。
参照图2至图5D，将如下描述根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的驱动。
根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置可以在刷新帧和复位帧中单独地进行驱动。在刷新帧中，在每个像素P中对数据电压Vdata进行编程，并且有机发光二极管OLED发光。然后，复位帧可以是垂直空白帧，并且有机发光二极管OLED的阳极在复位帧被复位。
在根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置中，刷新帧可以被划分为导通偏置应力时段Tobs(在下文中，称为“应力时段”)、初始化时段Ti、采样时段Ts和发射时段Te。应力时段Tobs是对作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1施加偏置应力的时段。初始化时段Ti是对作为驱动晶体管DT的漏电极的第三节点N3的电压进行初始化的时段。采样时段Ts是用于对驱动晶体管DT的阈值电压Vth进行采样并对数据电压Vdata进行编程的时段。发射时段Te是用于允许有机发光二极管OLED根据通过编程的驱动晶体管DT的源-栅电压的驱动电流来发光的时段。
具体地，参照图3和图5A，对于第一应力时段Tobs，第三扫描信号SC3(n)具有作为导通电平的低电平，并且第五扫描信号SC5(n)具有作为导通电平的低电平。因此，第六晶体管T6导通以将复位电压施加到第四节点N4。即，有机发光二极管OLED的阳极电极被复位到复位电压VAR。另外，第八晶体管T8导通以将参考电压Vref施加到第五节点N5。另外，第九晶体管T9导通以将导通偏置应力电压VOBS(下文中，称为“应力电压”)施加到第一节点N1。可以在充分高于有机发光二极管OLED的操作电压的电压范围内选择应力电压VOBS，并将应力电压VOBS设置为等于或低于高电位驱动电压VDD的电压。即，对于应力时段Tobs，偏置应力被施加到作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1，以降低驱动晶体管DT的栅-极电压Vgs。因此，对于应力时段Tobs，驱动晶体管DT的源-漏电流Ids流动以减轻驱动晶体管DT的迟滞。
然而，第一应力时段Tobs不限于此，并且可以延长到第四扫描信号SC4(n)被切换到作为导通电平的低电平为止。
另外，参照图3和图5B，对于初始化时段Ti，第一扫描信号SC1(n)具有作为导通电平的高电平，第四扫描信号SC4(n)具有作为导通电平的低电平，第五扫描信号SC5(n)具有作为导通电平的低电平。然后，第一晶体管T1和第五晶体管T5导通，并且向第二节点N2施加初始化电压Vini。结果，驱动晶体管DT的栅电极被初始化为初始化电压Vini。可以在充分低于有机发光二极管OLED的操作电压的电压范围内选择初始化电压Vini，并且将初始化电压Vini设置为等于或低于低电位驱动电压VSS的电压。另外，在初始化时段Ti中，第八晶体管T8仍然导通，并且参考电压Vref保持在第五节点N5中。另外，在初始化时段Ti中，由于第二扫描信号SC2(n)、第三扫描信号SC3(n)和发射信号EM(n)具有作为截止电平的高电平，所以第二晶体管T2、第三晶体管T3和第九晶体管T9截止，结果，第一节点N1可以在施加应力电压VOBS的同时浮置。因此，驱动晶体管DT的栅-源电压Vgs可以是Vini-VOBS。
另外，参照图3和图5C，对于采样时段Ts，第一扫描信号SC1(n)具有作为导通电平的高电平，第二扫描信号SC2(n)具有作为导通电平的低电平，第五扫描信号SC5(n)具有作为导通电平的低电平。对于采样时段Ts，第二晶体管T2导通，并且数据电压Vdata被施加到第一节点N1。另外，由于第一晶体管T1也被导通，所以驱动晶体管DT连接，并且驱动晶体管DT的栅电极和漏电极被短路，结果，驱动晶体管DT像二极管一样操作。
在采样时段Ts中，电流Ids在驱动晶体管DT的源电极和漏电极之间流动。由于驱动晶体管DT的栅电极和漏电极是连接的，所以第二节点N2的电压通过从源电极流向漏电极的电流而增加，直到驱动晶体管DT的栅-源电压Vgs为Vth为止。对于采样时段Ts，第二节点N2的电压被充入与数据电压Vdata和驱动晶体管DT的阈值电压Vth之和相对应的电压Vdata+Vth。
另外，参照图3和图5A，对于第二应力时段Tobs，第三扫描信号SC3(n)具有作为导通电平的低电平，并且第五扫描信号SC5(n)具有作为导通电平的低电平。因此，第六晶体管T6导通以将复位电压施加到第四节点N4。即，有机发光二极管OLED的阳极电极被复位到复位电压VAR。另外，第九晶体管T9导通以向第一节点N1施加应力电压VOBS。即，对于应力时段Tobs，偏置应力被施加到作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1，以减轻驱动晶体管DT的迟滞效应。对于第二应力时段Tobs，第八晶体管T8仍然导通，并且参考电压Vref仍然保持在第五节点N5中。
参照图3和图5D，对于发射时段Te，发射信号EM(n)具有作为导通电平的低电平。然后，第三晶体管T3导通，以将高电位驱动电压VDD施加到第一节点N1。另外，第七晶体管T7导通以将高电位驱动电压VDD施加到第五节点N5。即，在第五节点N5中，电压从参考电压Vref增加到高电位驱动电压VDD。另外，由于第二节点N2通过存储电容器Cst与第五节点N5耦接，所以第五节点N5的电压变化VDD-Vref反映到第二节点N2。因此，作为驱动晶体管DT的栅电极的第二节点N2的电压变为Vdata+Vth+(VDD-Vref)。因此，驱动晶体管DT的栅-源电压Vgs可以是Vdata+Vth-Vref。另外，第四晶体管T4导通以形成第三节点N3和第四节点N4的电流路径。结果，经由驱动晶体管DT的源电极和漏电极的驱动电流Ioled被施加到有机发光二极管OLED。
对于发射时段Te，关于在有机发光二极管OLED中流动的驱动电流Ioled的关系如下面的等式1。
[等式1]
Ioled＝k(Vgs-Vth)2＝k(Vdata+Vth-Vref-Vth)2＝k(Vdata-Vref)2
在等式1中，k表示由驱动晶体管DT的电子迁移率、寄生电容、沟道容量等确定的比例常数。
如等式1所示，在驱动电流Ioled的关系中，驱动晶体管DT的阈值电压Vth分量和高电位驱动电压VDD分量都被去除。这意味着在根据本公开的有机发光显示装置中，即使阈值电压Vth和高电位驱动电压VDD改变，驱动电流Ioled也不改变。即，根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置可以对数据电压进行编程，而与阈值电压Vth和高电位驱动电压VDD的变化无关。
另外，参照图4，对于复位帧，第一扫描信号SC1(n)保持在作为截止电平的低电平，并且第二扫描信号SC2(n)保持在作为截止电平的高电平。然后，对于复位帧，在每个像素P中不对数据电压Vdata进行编程，并且有机发光二极管OLED不发光。
然而，发射信号EM(n)、第三扫描信号SC3(n)、第四扫描信号SC4(n)和第五扫描信号SC5(n)分别周期性地摆动。即，由于第三扫描信号SC3(n)周期性地摆动，所以复位帧可以包括多个应力时段Tobs。
即，对于复位帧，有机发光二极管OLED的阳极电极不仅被复位到复位电压VAR，而且可以向作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1施加偏置应力。
结果，在根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置中，有机发光二极管OLED的阳极电极可以通过刷新帧和复位帧而周期性地复位。然后，即使在低频率的驱动中，由于抑制了由泄漏电流引起的有机发光二极管OLED的阳极电极的连续电压上升，因此有机发光二极管OLED的阳极电极可以保持恒定的电压电平。因此，不管驱动频率的切换如何，都可以使有机发光显示装置的亮度的变化最小化，以提高图像质量。
图6A是示出传统的有机发光显示装置的每个区域的亮度的图。
图6B是示出根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的每个区域的亮度的图。
如图6A所示，在传统的有机发光显示装置中，每个区域的最大亮度为1775尼特，每个区域的最小亮度为1227尼特。即，当传统的有机发光显示装置尺寸较大时，由于由高电位电压线的电阻引起的高电位电压的下降，因此与每个区域的最大亮度相比，每个区域的最小亮度降低到69％。因此，当传统的有机发光显示装置尺寸较大时，存在每个区域的亮度不均匀的问题。
然而，如图6B所示，在根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置中，每个区域的最大亮度是1367尼特，并且每个区域的最小亮度是1200尼特。即，在根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置中，与每个区域的最大亮度相比，每个区域的最小亮度降低到88％。在根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置中，与传统的有机发光显示装置相比，每个区域的最小亮度相对于每个区域的最大亮度的百分比增加了大约19％，以使每个区域的亮度均匀化。
如上所述，根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置可以对数据电压进行编程，而与阈值电压Vth和高电位驱动电压VDD的变化无关。即，当有机发光显示装置尺寸较大时，即使高电位驱动电压VDD不稳定，根据本公开的示例性实施方式的有机发光二极管也可以实现恒定的亮度。
在下文中，将描述根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置。仅存在的差异在于，根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的应力电压和初始化电压被集成到根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置的初始化电压。其他技术特征彼此相同。因此，将主要描述根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置与根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置之间的差异，并且将省略对重复部分的描述。
<本公开的另一示例性实施方式-第二示例性实施方式>
图7是根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置的像素的电路图。
在根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置中，每个像素P包括有机发光二极管OLED、驱动晶体管DT、第一至第八晶体管T1至T8以及电容器Cst。
驱动晶体管DT根据其源-栅电压Vsg控制施加到有机发光二极管OLED的驱动电流。驱动晶体管DT可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。另外，驱动晶体管DT的源电极连接到第一节点N1，其栅电极连接到第二节点N2，并且其漏电极连接到第三节点N3。
第一晶体管T1连接栅电极和漏电极。第一晶体管T1可以是n型MOSFET NMOS以使泄漏电流最小化，并且可以是氧化物薄膜晶体管。第一晶体管T1包括连接到第三节点N3的漏电极、连接到第二节点N2的源电极和连接到用于传输第一扫描信号SC1(n)的第一扫描信号线的栅电极。因此，响应于处于作为导通电平的高电平的第一扫描信号SC1(n)，第一晶体管T1连接驱动晶体管DT的栅电极和漏电极。
第二晶体管T2将从数据线接收的数据电压Vdata施加到作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1。第二晶体管T2可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第二晶体管T2包括连接到数据线的源电极、连接到第一节点N1的漏电极和连接到用于传输第二扫描信号SC2(n)的第二扫描信号线的栅电极。然后，第二晶体管T2响应于处于作为导通电平的低电平的第二扫描信号SC2(n)，将从数据线接收的数据电压Vdata施加到作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1。
第三晶体管T3向作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1施加高电位驱动电压VDD。第三晶体管T3可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第三晶体管T3包括连接到用于传输高电位驱动电压VDD的高电位驱动电压线的源电极、连接到第一节点N1的漏电极和连接到用于传输发射信号EM(n)的发射信号线的栅电极。然后，第三晶体管T3响应于处于作为导通电平的低电平的发射信号EM(n)，将高电位驱动电压VDD施加到作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1。
第四晶体管T4在驱动晶体管DT和有机发光二极管OLED之间形成电流路径。第四晶体管T4可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第四晶体管T4包括连接到第三节点N3的源电极、连接到第四节点N4的漏电极和连接到用于传输发射信号EM(n)的发射信号线的栅电极。响应于发射信号EM(n)，第四晶体管T4在作为第四晶体管T4的源电极的第三节点N3和作为第四晶体管T4的漏电极的第四节点N4之间形成电流路径。然后，第四晶体管T4响应于处于作为导通电平的低电平的发射信号EM(n)，在驱动晶体管DT和有机发光二极管OLED之间形成电流路径。
第五晶体管T5向作为驱动晶体管DT的漏电极的第三节点N3施加初始化电压Vini(n)。第五晶体管T5可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第五晶体管T5包括连接到用于传输初始化电压Vini(n)的初始化电压线的源电极、连接到第三节点N3的漏电极和连接到用于传输第三扫描信号SC3(n)的第三扫描信号线的栅电极。然后，第五晶体管T5响应于处于作为导通电平的低电平的第三扫描信号SC3(n)，将初始化电压Vini(n)施加到作为驱动晶体管DT的漏电极的第三节点N3。与根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置不同，在根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置中，初始化电压Vini(n)周期性地摆动。也就是说，在根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置中，初始化电压Vini(n)可以周期性地切换到高电平和低电平。
第六晶体管T6向作为有机发光二极管的阳极的第四节点N4施加复位电压VAR。第六晶体管T6可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第六晶体管T6包括连接到用于传输复位电压VAR的复位电压线的源电极、连接到第四节点N4的漏电极和连接到用于传输第三扫描信号SC3(n)的第三扫描信号线的栅电极。然后，第六晶体管T6响应于处于作为导通电平的低电平的第三扫描信号SC3(n)，将复位电压VAR施加到作为有机发光二极管的阳极的第四节点N4。
第七晶体管T7将高电位驱动电压VDD施加到第五节点N5。第七晶体管T6可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第七晶体管T7包括连接到用于传输高电位驱动电压VDD的高电位驱动电压线的源电极、连接到第五节点N5的漏电极和连接到用于传输发射信号EM(n)的发射信号线的栅电极。然后，第七晶体管T7响应于处于作为导通电平的低电平的发射信号EM(n)，将高电位驱动电压VDD施加到第五节点N5。
第八晶体管T8向第五节点N5施加参考电压Vref。第八晶体管T8可以是p型MOSFETPMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第八晶体管T8包括连接到用于传输参考电压Vref的参考电压线的源电极、连接到第五节点N5的漏电极和连接到用于传输第四扫描信号SC4(n)的第四扫描信号线的栅电极。然后，第八晶体管T8响应于处于作为导通电平的低电平的第四扫描信号SC4(n)，将参考电压Vref施加到第五节点N5。
存储电容器Cst包括连接到第二节点N2的第一电极和连接到第五节点N5的第二电极。即，存储电容器Cst的一个电极连接到驱动晶体管DT的栅电极，并且存储电容器Cst的另一个电极连接到第七晶体管T7和第八晶体管T8。
图8是示出根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置中的用于刷新帧的发射信号和扫描信号的波形图。
图9是示出根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置中的用于复位帧的发射信号和扫描信号的波形图。
图10A是根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在导通偏置应力时段的电路图。
图10B是根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在初始化时段的电路图。
图10C是根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在采样时段的电路图。
图10D是根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在发射时段的电路图。
参照图7至图10D，将如下描述根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置的驱动。
根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置可以在刷新帧和复位帧中单独地进行驱动。在刷新帧中，在每个像素中对数据电压Vdata进行编程，并且有机发光二极管OLED发光。另外，复位帧可以是垂直空白帧，并且有机发光二极管OLED的阳极在复位帧被复位。
在根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置中，刷新帧可以被划分为应力时段Tobs、初始化时段Ti、采样时段Ts和发射时段Te。应力时段Tobs是对作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1施加偏置应力的时段。初始化时段Ti是对作为驱动晶体管DT的漏电极的第三节点N3的电压进行初始化的时段。采样时段Ts是用于对驱动晶体管DT的阈值电压Vth进行采样并对数据电压Vdata进行编程的时段。发射时段Te是用于允许有机发光二极管OLED根据通过编程的驱动晶体管DT的源-栅电压的驱动电流来发光的时段。
具体地，参照图8和图10A，对于第一应力时段Tobs，第三扫描信号SC3(n)具有作为导通电平的低电平，第四扫描信号SC4(n)具有作为导通电平的低电平，并且初始化电压Vini(n)具有高电平。因此，第六晶体管T6导通以将复位电压施加到第四节点N4。即，有机发光二极管OLED的阳极电极被复位到复位电压VAR。另外，第八晶体管T8导通以将参考电压Vref施加到第五节点N5。然后，第五晶体管T5导通以将高电平的初始化电压Vini(n)施加到第一节点N1和第三节点N3。可以在充分高于有机发光二极管OLED的操作电压的电压范围内选择高电平的初始化电压Vini(n)，并将其设置为等于或低于高电位驱动电压VDD的电压。即，对于应力时段Tobs，偏置应力被施加到作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1，以降低驱动晶体管DT的栅-源电压Vgs。因此，对于应力时段Tobs，驱动晶体管DT的源-漏电流Ids流动以减轻驱动晶体管DT的迟滞。
然而，第一应力时段Tobs不限于此，并且可以延长到第三扫描信号SC3(n)具有作为截止电平的高电平为止。
另外，参照图8和图10B，对于初始化时段Ti，第一扫描信号SC1(n)具有作为导通电平的高电平，第三扫描信号SC3(n)具有作为导通电平的低电平，第四扫描信号SC4(n)具有作为导通电平的低电平，并且初始化电压Vini(n)具有低电平。因此，第一晶体管T1和第五晶体管T5导通，并且低电平的初始化电压Vini(n)被施加到第二节点N2。结果，驱动晶体管DT的栅电极被初始化为低电平的初始化电压Vini(n)。可以在充分低于有机发光二极管OLED的操作电压的电压范围内选择低电平的初始化电压Vini(n)，并且将其设置为等于或低于低电位驱动电压VSS的电压。另外，在初始化时段Ti中，第八晶体管T8仍然导通，并且参考电压Vref保持在第五节点N5中。另外，在初始化时段Ti中，由于第二扫描信号SC2(n)和发射信号EM(n)具有作为截止电平的高电平，所以第二晶体管T2和第三晶体管T3截止，结果，第一节点N1可以在施加高电平的初始化电压Vini(n)的同时浮置。因此，驱动晶体管DT的栅-源电压Vgs可以是低电平的初始化电压Vini(n)和高电平的初始化电压Vini(n)之间的差。
另外，参照图8和图10C，对于采样时段Ts，第一扫描信号SC1(n)具有作为导通电平的高电平，第二扫描信号SC2(n)具有作为导通电平的低电平，第四扫描信号SC4(n)具有作为导通电平的低电平。另外，对于采样时段Ts，第二晶体管T2导通，并且数据电压Vdata被施加到第一节点N1。然后，由于第一晶体管T1也被导通，所以驱动晶体管DT被连接，并且驱动晶体管DT的栅电极和漏电极被短路，使得驱动晶体管DT像二极管一样工作。
在采样时段Ts中，电流Ids在驱动晶体管DT的源极-漏极之间流动。由于驱动晶体管DT的栅电极和漏电极是连接的，所以第二节点N2的电压通过从源电极流向漏电极的电流而增加，直到驱动晶体管DT的栅-源电压Vgs为Vth为止。对于采样时段Ts，第二节点N2的电压被充入与数据电压Vdata和驱动晶体管DT的阈值电压Vth之和相对应的电压Vdata+Vth。
另外，参照图8和图10A，对于第二应力时段Tobs，第三扫描信号SC3(n)具有作为导通电平的低电平，第四扫描信号SC4(n)具有作为导通电平的低电平，并且初始化电压Vini(n)具有高电平。因此，第六晶体管T6导通以将复位电压施加到第四节点N4。即，有机发光二极管OLED的阳极电极被复位到复位电压VAR。然后，第五晶体管T5导通以将高电平的初始化电压Vini(n)施加到第一节点N1和第三节点N3。即，对于应力时段Tobs，偏置应力被施加到作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1，以减轻驱动晶体管DT的迟滞效应。对于第二应力时段Tobs，第八晶体管T8仍然导通，并且参考电压Vref仍然保持在第五节点N5中。
参照图8和图10D，对于发射时段Te，发射信号EM(n)具有作为导通电平的低电平。然后，第三晶体管T3导通，以将高电位驱动电压VDD施加到第一节点N1。另外，第七晶体管T7导通以将高电位驱动电压VDD施加到第五节点N5。即，在第五节点N5中，电压从参考电压Vref增加到高电位驱动电压VDD。另外，由于第二节点N2通过存储电容器Cst与第五节点N5耦接，所以第五节点N5的电压变化VDD-Vref反映到第二节点N2。因此，作为驱动晶体管DT的栅电极的第二节点N2的电压变为Vdata+Vth+(VDD-Vref)。因此，驱动晶体管DT的栅-源电压Vgs可以是Vdata+Vth-Vref。另外，第四晶体管T4导通以形成第三节点N3和第四节点N4的电流路径。结果，经由驱动晶体管DT的源电极和漏电极的驱动电流Ioled被施加到有机发光二极管OLED。
对于发射时段Te，关于在有机发光二极管OLED中流动的驱动电流Ioled的关系如下面的等式1。
[等式1]
Ioled＝k(Vgs-Vth)2＝k(Vdata+Vth-Vref-Vth)2＝k(Vdata-Vref)2
在等式1中，k表示由驱动晶体管DT的电子迁移率、寄生电容、沟道容量等确定的比例常数。
如等式1所示，在驱动电流Ioled的关系中，驱动晶体管DT的阈值电压Vth分量和高电位驱动电压VDD分量都被去除。这意味着在根据本公开的有机发光显示装置中，即使阈值电压Vth和高电位驱动电压VDD改变，驱动电流Ioled也不改变。即，根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置可以对数据电压进行编程，而与阈值电压Vth和高电位驱动电压VDD的变化无关。
另外，参照图9，对于复位帧，第一扫描信号SC1(n)保持在作为截止电平的低电平，并且第二扫描信号SC2(n)保持在作为截止电平的高电平。然后，对于复位帧，在每个像素P中不对数据电压Vdata进行编程，并且有机发光二极管OLED不发光。
然而，发射信号EM(n)、第三扫描信号SC3(n)和第四扫描信号SC4(n)分别周期性地摆动。即，由于第三扫描信号SC3(n)周期性地摆动，所以复位帧可以包括多个应力时段Tobs。
即，对于复位帧，有机发光二极管OLED的阳极电极不仅被复位到复位电压VAR，而且可以向作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1施加偏置应力。
结果，在根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置中，有机发光二极管OLED的阳极电极可以通过刷新帧和复位帧而周期性地复位。然后，即使在低频率的驱动中，由于抑制了由泄漏电流引起的有机发光二极管OLED的阳极电极的连续电压上升，因此有机发光二极管OLED的阳极电极可以保持恒定的电压电平。因此，不管驱动频率的切换如何，都可以使有机发光显示装置的亮度的变化最小化，以提高图像质量。
根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的应力电压和初始化电压可以被集成到根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置的初始化电压。因此，在根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置中，不需要用于去除应力电压的晶体管。结果，可以简化根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置的像素结构。
在下文中，将描述根据本公开的另一(第三)示例性实施方式的有机发光显示装置。根据本公开的又一(第三)示例性实施方式的有机发光显示装置在施加到晶体管的信号方面与根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置不同，并且其他技术特征彼此相同。因此，将主要描述根据本公开的另一(第三)示例性实施方式的有机发光显示装置与根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置之间的差异，并且将省略对重复部分的描述。
<本公开的另一示例性实施方式-第三示例性实施方式>
图11是示出根据本公开的另一(第三)示例性实施方式的有机发光显示装置的像素的电路图。
在根据本公开的另一(第三)示例性实施方式的有机发光显示装置中，每个像素P包括有机发光二极管OLED、驱动晶体管DT、第一至第八晶体管T1至T8以及电容器Cst。
驱动晶体管DT根据其源-栅电压Vsg控制施加到有机发光二极管OLED的驱动电流。驱动晶体管DT可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。另外，驱动晶体管DT的源电极连接到第一节点N1，其栅电极连接到第二节点N2，并且其漏电极连接到第三节点N3。
第一晶体管T1连接栅电极和漏电极。第一晶体管T1可以是n型MOSFET NMOS以使泄漏电流最小化，并且可以是氧化物薄膜晶体管。第一晶体管T1包括连接到第三节点N3的漏电极、连接到第二节点N2的源电极和连接到用于传输第一扫描信号SC1(n)的第一扫描信号线的栅电极。因此，响应于处于作为导通电平的高电平的第一扫描信号SC1(n)，第一晶体管T1连接驱动晶体管DT的栅电极和漏电极。
第二晶体管T2将从数据线接收的数据电压Vdata施加到作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1。第二晶体管T2可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第二晶体管T2包括连接到数据线的源电极、连接到第一节点N1的漏电极和连接到用于传输第二扫描信号SC2(n)的第二扫描信号线的栅电极。然后，第二晶体管T2响应于处于作为导通电平的低电平的第二扫描信号SC2(n)，将从数据线接收的数据电压Vdata施加到作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1。
第三晶体管T3向作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1施加高电位驱动电压VDD。第三晶体管T3可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第三晶体管T3包括连接到用于传输高电位驱动电压VDD的高电位驱动电压线的源电极、连接到第一节点N1的漏电极和连接到用于传输第三扫描信号SC3(n)的第三扫描信号线的栅电极。然后，第三晶体管T3响应于处于作为导通电平的低电平的第三扫描信号SC3(n)，将高电位驱动电压VDD施加到作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1。
第四晶体管T4在驱动晶体管DT和有机发光二极管OLED之间形成电流路径。第四晶体管T4可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第四晶体管T4包括连接到第三节点N3的源电极、连接到第四节点N4的漏电极和连接到用于传输发射信号EM(n)的发射信号线的栅电极。响应于发射信号EM(n)，第四晶体管T4在作为第四晶体管T4的源电极的第三节点N3和作为第四晶体管T4的漏电极的第四节点N4之间形成电流路径。然后，第四晶体管T4响应于处于作为导通电平的低电平的发射信号EM(n)，在驱动晶体管DT和有机发光二极管OLED之间形成电流路径。
第五晶体管T5向作为驱动晶体管DT的栅电极的第二节点N2施加初始化电压Vini。第五晶体管T5可以是n型MOSFET NMOS以使泄漏电流最小化，并且可以是氧化物薄膜晶体管。第五晶体管T5包括连接到用于传输初始化电压Vini的初始化电压线的源电极、连接到第二节点N2的漏电极、以及连接到在前一级传输第一扫描信号SC1(n-1)的前一级的第一扫描信号线的栅电极。然后，第五晶体管T5响应于处于作为导通电平的高电平的前一级的第一扫描信号SC1(n-1)，将初始化电压Vini施加到作为驱动晶体管DT的漏电极的第二节点N2。
第六晶体管T6向作为有机发光二极管的阳极的第四节点N4施加复位电压VAR。第六晶体管T6可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第六晶体管T6包括连接到用于传输复位电压VAR的复位电压线的源电极、连接到第四节点N4的漏电极和连接到用于传输第四扫描信号SC4(n)的第四扫描信号线的栅电极。然后，第六晶体管T6响应于处于作为导通电平的低电平的第四扫描信号SC4(n)，将复位电压VAR施加到作为有机发光二极管的阳极的第四节点N4。
第七晶体管T7将高电位驱动电压VDD施加到第五节点N5。第七晶体管T6可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第七晶体管T7包括连接到用于传输高电位驱动电压VDD的高电位驱动电压线的源电极、连接到第五节点N5的漏电极和连接到用于传输发射信号EM(n)的发射信号线的栅电极。然后，第七晶体管T7响应于处于作为导通电平的低电平的发射信号EM(n)，将高电位驱动电压VDD施加到第五节点N5。
第八晶体管T8向第五节点N5施加参考电压Vref。第八晶体管T8可以是p型MOSFETPMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第八晶体管T8包括连接到用于传输参考电压Vref的参考电压线的源电极、连接到第五节点N5的漏电极和连接到用于传输第四扫描信号SC4(n)的第四扫描信号线的栅电极。然后，第八晶体管T8响应于处于作为导通电平的低电平的第四扫描信号SC4(n)，将参考电压Vref施加到第五节点N5。
存储电容器Cst包括连接到第二节点N2的第一电极和连接到第五节点N5的第二电极。即，存储电容器Cst的一个电极连接到驱动晶体管DT的栅电极，并且存储电容器Cst的另一个电极连接到第七晶体管T7和第八晶体管T8。
图12是示出根据本公开的另一(第三)示例性实施方式的有机发光显示装置中的用于刷新帧的发射信号和扫描信号的波形图。
图13是示出根据本公开的另一(第三)示例性实施方式的有机发光显示装置中的用于复位帧的发射信号和扫描信号的波形图。
图14A是根据本公开的另一(第三)示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在导通偏置应力时段的电路图。
图14B是根据本公开的另一(第三)示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在初始化时段的电路图。
图14C是根据本公开的另一(第三)示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在采样时段的电路图。
图14D是根据本公开的另一(第三)示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在发射时段的电路图。
参照图11至图14D，如下将描述根据本公开的另一(第三)示例性实施方式的有机发光显示装置的驱动。
根据本公开的另一(第三)示例性实施方式的有机发光显示装置可以在刷新帧和复位帧中单独地进行驱动。在刷新帧中，在每个像素P中对数据电压Vdata进行编程，并且有机发光二极管OLED发光。然后，复位帧可以是垂直空白帧，并且有机发光二极管OLED的阳极针对复位帧被复位。
在根据本公开的另一(第三)示例性实施方式的有机发光显示装置中，刷新帧可以被划分为应力时段Tobs、初始化时段Ti、采样时段Ts和发射时段Te。应力时段Tobs是对作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1施加偏置应力的时段。初始化时段Ti是对作为驱动晶体管DT的漏电极的第三节点N3的电压进行初始化的时段。采样时段Ts是用于对驱动晶体管DT的阈值电压Vth进行采样并对数据电压Vdata进行编程的时段。发射时段Te是用于允许有机发光二极管OLED根据通过编程的驱动晶体管DT的源-栅电压的驱动电流来发光的时段。
具体地，参照图12和图14A，对于第一应力时段Tobs，第三扫描信号SC3(n)具有作为导通电平的低电平，并且第四扫描信号SC4(n)具有作为导通电平的低电平。因此，第六晶体管T6导通以将复位电压施加到第四节点N4。即，有机发光二极管OLED的阳极电极被复位到复位电压VAR。另外，第八晶体管T8导通以将参考电压Vref施加到第五节点N5。另外，第三晶体管T3导通，以将高电位驱动电压VDD施加到第一节点N1。即，对于应力时段Tobs，偏置应力被施加到作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1，以降低驱动晶体管DT的栅-源电压Vgs。因此，对于应力时段Tobs，驱动晶体管DT的源-漏电流Ids流动以减轻驱动晶体管DT的迟滞。
另外，参照图12和图14B，对于初始化时段Ti，前一级的第一扫描信号SC1(n-1)具有作为导通电平的高电平，并且第四扫描信号SC4(n)具有作为导通电平的低电平。另外，第五晶体管T5导通以将初始化电压Vini施加到第二节点N2。结果，驱动晶体管DT的栅电极被初始化为初始化电压Vini。可以在充分低于有机发光二极管OLED的操作电压的电压范围内选择初始化电压Vini，并且将初始化电压Vini设置为等于或低于低电位驱动电压VSS的电压。另外，在初始化时段Ti中，第六晶体管和第八晶体管T8仍然导通，结果，复位电压VAR保持在第四节点N4中，参考电压Vref保持在第五节点N5中。另外，在初始化时段Ti中，由于第二扫描信号SC2(n)和第三扫描信号SC3(n)具有作为截止电平的高电平，所以第二晶体管T2和第三晶体管T3截止，结果，第一节点N1可以在施加高电位驱动电压VDD的同时浮置。因此，驱动晶体管DT的栅-源电压Vgs可以是Vini-VDD。
另外，参照图12和图14C，对于采样时段Ts，第一扫描信号SC1(n)具有作为导通电平的高电平，第二扫描信号SC2(n)具有作为导通电平的低电平，并且第四扫描信号SC4(n)具有作为导通电平的低电平。另外，对于采样时段Ts，第二晶体管T2导通，并且数据电压Vdata被施加到第一节点N1。然后，由于第一晶体管T1也被导通，所以驱动晶体管DT被连接，并且驱动晶体管DT的栅电极和漏电极被短路，使得驱动晶体管DT像二极管一样工作。
在采样时段Ts中，电流Ids在驱动晶体管DT的源极-漏极之间流动。由于驱动晶体管DT的栅电极和漏电极是连接的，所以第二节点N2的电压通过从源电极流向漏电极的电流而增加，直到驱动晶体管DT的栅-源电压Vgs为Vth为止。对于采样时段Ts，第二节点N2的电压被充入与数据电压Vdata和驱动晶体管DT的阈值电压Vth之和相对应的电压Vdata+Vth。
然后，在采样时段Ts中，第六晶体管和第八晶体管T8仍然导通，结果，复位电压VAR保持在第四节点N4中，参考电压Vref保持在第五节点N5中。
另外，参照图12和图14A，对于第二应力时段Tobs，第三扫描信号SC3(n)具有作为导通电平的低电平，并且第四扫描信号SC4(n)具有作为导通电平的低电平。另外，第三晶体管T3导通，以将高电位驱动电压VDD施加到第一节点N1。即，对于应力时段Tobs，偏置应力被施加到作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1，以减轻驱动晶体管DT的迟滞效应。对于第二应力时段Tobs，第六晶体管和第八晶体管T8仍然导通，结果，复位电压VAR保持在第四节点N4中，参考电压Vref保持在第五节点N5中。
另外，参照图12和图14D，对于发射时段Te，第三扫描信号SC3(n)具有作为导通电平的低电平，并且发射信号EM(n)具有作为导通电平的低电平。然后，第三晶体管T3导通，以将高电位驱动电压VDD施加到第一节点N1。另外，第七晶体管T7导通以将高电位驱动电压VDD施加到第五节点N5。即，在第五节点N5中，电压从参考电压Vref增加到高电位驱动电压VDD。另外，由于第二节点N2通过存储电容器Cst与第五节点N5耦接，所以第五节点N5的电压变化VDD-Vref反映到第二节点N2。因此，作为驱动晶体管DT的栅电极的第二节点N2的电压变为Vdata+Vth+(VDD-Vref)。因此，驱动晶体管DT的栅-源电压Vgs可以是Vdata+Vth-Vref。另外，第四晶体管T4导通以形成第三节点N3和第四节点N4的电流路径。结果，经由驱动晶体管DT的源电极和漏电极的驱动电流Ioled被施加到有机发光二极管OLED。
对于发射时段Te，关于在有机发光二极管OLED中流动的驱动电流Ioled的关系如下面的等式1。
[等式1]
Ioled＝k(Vgs-Vth)2＝k(Vdata+Vth-Vref-Vth)2＝k(Vdata-Vref)2
在等式1中，k表示由驱动晶体管DT的电子迁移率、寄生电容、沟道容量等确定的比例常数。
如等式1所示，在驱动电流Ioled的关系中，驱动晶体管DT的阈值电压Vth分量和高电位驱动电压VDD分量都被去除。这意味着在根据本公开的有机发光显示装置中，即使阈值电压Vth和高电位驱动电压VDD改变，驱动电流Ioled也不改变。即，根据本公开的另一(第三)示例性实施方式的有机发光显示装置可以对数据电压进行编程，而与阈值电压Vth和高电位驱动电压VDD的变化无关。
另外，参照图13，对于复位帧，前一级的第一扫描信号SC1(n-1)和第一扫描信号SC1(n)保持在作为截止电平的低电平，并且第二扫描信号SC2(n)也保持在作为截止电平的高电平。然后，对于复位帧，在每个像素P中不对数据电压Vdata进行编程，并且有机发光二极管OLED不发光。
然而，发射信号EM(n)、第三扫描信号SC3(n)和第四扫描信号SC4(n)分别周期性地摆动。即，由于第三扫描信号SC3(n)周期性地摆动，所以复位帧可以包括多个应力时段Tobs。
即，对于复位帧，可以向作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1施加偏置应力。
另外，由于第四扫描信号SC4(n)针对复位帧周期性地摆动，所以复位帧可以包括阳极复位时段Tar，在该阳极复位时段Tar中，第四扫描信号SC4(n)具有作为导通电平的低电平。
即，对于复位帧，有机发光二极管OLED的阳极电极可以周期性地复位到复位电压VAR。
结果，在根据本公开的另一(第三)示例性实施方式的有机发光显示装置中，有机发光二极管OLED的阳极电极可以通过刷新帧和复位帧而周期性地复位。然后，即使在低频率的驱动中，由于抑制了由泄漏电流引起的有机发光二极管OLED的阳极电极的连续电压上升，因此有机发光二极管OLED的阳极电极可以保持恒定的电压电平。因此，不管驱动频率的切换如何，都可以使有机发光显示装置的亮度的变化最小化，以提高图像质量。
如上所述，根据本公开的又一(第三)示例性实施方式的有机发光显示装置可以通过施加已经使用的高电位驱动电压VDD而不是施加单独的导通偏置应力电压来向驱动晶体管DT施加偏置应力。因此，由于不需要用于施加单独的导通偏置应力电压的布线，所以可以增加面板的分辨率，并且还可以减小边框区域。
在下文中，将描述根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置。根据本公开的又一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置在施加到晶体管的信号方面与根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置不同，并且其他技术特征彼此相同。因此，将主要描述根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置与根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置之间的差异，并且将省略对重复部分的描述。
<本公开的另一示例性实施方式-第四示例性实施方式>
图15是示出根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置的像素的电路图。
在根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置中，每个像素P包括有机发光二极管OLED、驱动晶体管DT、第一至第八晶体管T1至T8以及电容器Cst。
驱动晶体管DT根据其源-栅电压Vsg控制施加到有机发光二极管OLED的驱动电流。驱动晶体管DT可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。另外，驱动晶体管DT的源电极连接到第一节点N1，其栅电极连接到第二节点N2，并且其漏电极连接到第三节点N3。
第一晶体管T1连接栅电极和漏电极。第一晶体管T1可以是n型MOSFET NMOS以使泄漏电流最小化，并且可以是氧化物薄膜晶体管。第一晶体管T1包括连接到第三节点N3的漏电极、连接到第二节点N2的源电极和连接到用于传输第一扫描信号SC1(n)的第一扫描信号线的栅电极。因此，响应于处于作为导通电平的高电平的第一扫描信号SC1(n)，第一晶体管T1连接驱动晶体管DT的栅电极和漏电极。
第二晶体管T2将从数据线接收的数据电压Vdata施加到作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1。第二晶体管T2可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第二晶体管T2包括连接到数据线的源电极、连接到第一节点N1的漏电极和连接到用于传输第二扫描信号SC2(n)的第二扫描信号线的栅电极。然后，第二晶体管T2响应于处于作为导通电平的低电平的第二扫描信号SC2(n)，将从数据线接收的数据电压Vdata施加到作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1。
第三晶体管T3向作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1施加高电位驱动电压VDD。第三晶体管T3可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第三晶体管T3包括连接到用于传输高电位驱动电压VDD的高电位驱动电压线的源电极、连接到第一节点N1的漏电极和连接到用于传输第一扫描信号SC1(n)的第一扫描信号线的栅电极。然后，第三晶体管T3响应于处于作为导通电平的低电平的第一扫描信号SC1(n)，将高电位驱动电压VDD施加到作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1。
第四晶体管T4在驱动晶体管DT和有机发光二极管OLED之间形成电流路径。第四晶体管T4可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第四晶体管T4包括连接到第三节点N3的源电极、连接到第四节点N4的漏电极和连接到用于传输发射信号EM(n)的发射信号线的栅电极。响应于发射信号EM(n)，第四晶体管T4在作为第四晶体管T4的源电极的第三节点N3和作为第四晶体管T4的漏电极的第四节点N4之间形成电流路径。然后，第四晶体管T4响应于处于作为导通电平的电低电平的发射信号EM(n)，在驱动晶体管DT和有机发光二极管OLED之间形成电流路径。
第五晶体管T5向作为驱动晶体管DT的漏电极的第三节点N3施加初始化电压Vini。第五晶体管T5可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第五晶体管T5包括连接到用于传输初始化电压Vini的初始化电压线的源电极、连接到第三节点N3的漏电极和连接到用于传输第三扫描信号SC3(n)的第三扫描信号线的栅电极。然后，第五晶体管T5响应于处于作为导通电平的低电平的第三扫描信号SC3(n)，将初始化电压Vini施加到作为驱动晶体管DT的漏电极的第三节点N3。
第六晶体管T6向作为有机发光二极管的阳极的第四节点N4施加复位电压VAR。第六晶体管T6可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第六晶体管T6包括连接到用于传输复位电压VAR的复位电压线的源电极、连接到第四节点N4的漏电极和连接到用于传输第三扫描信号SC3(n)的第三扫描信号线的栅电极。然后，第六晶体管T6响应于处于作为导通电平的低电平的第三扫描信号SC3(n)，将复位电压VAR施加到作为有机发光二极管的阳极的第四节点N4。
第七晶体管T7将高电位驱动电压VDD施加到第五节点N5。第七晶体管T6可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第七晶体管T7包括连接到用于传输高电位驱动电压VDD的高电位驱动电压线的源电极、连接到第五节点N5的漏电极和连接到用于传输发射信号EM(n)的发射信号线的栅电极。然后，第七晶体管T7响应于处于作为导通电平的低电平的发射信号EM(n)，将高电位驱动电压VDD施加到第五节点N5。
第八晶体管T8向第五节点N5施加参考电压Vref。第八晶体管T8可以是p型MOSFETPMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第八晶体管T8包括连接到用于传输参考电压Vref的参考电压线的源电极、连接到第五节点N5的漏电极和连接到用于传输第四扫描信号SC4(n)的第四扫描信号线的栅电极。然后，第八晶体管T8响应于处于作为导通电平的低电平的第四扫描信号SC4(n)，将参考电压Vref施加到第五节点N5。
存储电容器Cst包括连接到第二节点N2的第一电极和连接到第五节点N5的第二电极。即，存储电容器Cst的一个电极连接到驱动晶体管DT的栅电极，并且存储电容器Cst的另一个电极连接到第七晶体管T7和第八晶体管T8。
图16是示出根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置中的用于刷新帧的发射信号和扫描信号的波形图。
图17是示出根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置中的用于复位帧的发射信号和扫描信号的波形图。
图18A是根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在导通偏置应力时段的电路图。
图18B是根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在初始化时段的电路图。
图18C是根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在采样时段的电路图。
图18D是根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在发射时段的电路图。
参照图15至图18D，如下将描述根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置的驱动。
根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置可以在刷新帧和复位帧中单独地进行驱动。在刷新帧中，在每个像素P中对数据电压Vdata进行编程，并且有机发光二极管OLED发光。另外，复位帧可以是垂直空白帧，并且有机发光二极管OLED的阳极针对复位帧被复位。
在根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置中，刷新帧可以被划分为应力时段Tobs、初始化时段Ti、采样时段Ts和发射时段Te。应力时段Tobs是对作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1施加偏置应力的时段。初始化时段Ti是对作为驱动晶体管DT的漏电极的第三节点N3的电压进行初始化的时段。采样时段Ts是用于对驱动晶体管DT的阈值电压Vth进行采样并对数据电压Vdata进行编程的时段。发射时段Te是用于允许有机发光二极管OLED根据通过编程的驱动晶体管DT的源-栅电压的驱动电流来发光的时段。
具体地，参照图16和图18A，对于第一应力时段Tobs，第一扫描信号SC1(n)具有低电平，第四扫描信号SC4(n)具有作为导通电平的低电平。然后，第八晶体管T8导通以将参考电压Vref施加到第五节点N5。另外，第三晶体管T3导通，以将高电位驱动电压VDD施加到第一节点N1。参考电压Vref可以具有比高电位驱动电压VDD低的电平。然后，在第五节点N5中，电压从高电位驱动电压VDD降低到参考电压Vref。另外，由于第二节点N2通过存储电容器Cst与第五节点N5耦接，所以第五节点N5的电压变化Vref-VDD反映到第二节点N2。因此，作为驱动晶体管DT的栅电极的第二节点N2的电压降低，以降低驱动晶体管DT的栅-源电压Vgs。因此，对于应力时段Tobs，驱动晶体管DT的源-漏电流Ids流动以减轻驱动晶体管DT的迟滞。
另外，参照图16和图18B，对于初始化时段Ti，第一扫描信号SC1(n)具有高电平，第三扫描信号SC3(n)具有作为导通电平的低电平，并且第四扫描信号SC4(n)具有作为导通电平的低电平。因此，第一晶体管T1和第五晶体管T5导通，并且初始化电压Vini被施加到第二节点N2和第三节点N3。结果，驱动晶体管DT的栅电极被初始化为初始化电压Vini。可以在充分低于有机发光二极管OLED的操作电压的电压范围内选择初始化电压Vini，并且将初始化电压Vini设置为等于或低于低电位驱动电压VSS的电压。另外，在初始化时段Ti中，第八晶体管T8仍然导通，并且参考电压Vref保持在第五节点N5中。另外，第六晶体管T6导通以将复位电压施加到第四节点N4。即，在初始化时段Ti中，有机发光二极管OLED的阳极电极被复位到复位电压VAR。另外，在初始化时段Ti中，由于第一扫描信号SC1(n)和第二扫描信号SC2(n)具有作为截止电平的高电平，所以第二晶体管T2和第三晶体管T3截止，结果，第一节点N1可以在施加高电位驱动电压VDD的同时浮置。因此，驱动晶体管DT的栅-源电压Vgs可以是Vini-VDD。
另外，参照图16和图18C，对于采样时段Ts，第一扫描信号SC1(n)具有作为导通电平的高电平，第二扫描信号SC2(n)具有作为导通电平的低电平，并且第四扫描信号SC4(n)具有作为导通电平的低电平。另外，对于采样时段Ts，第二晶体管T2导通，并且数据电压Vdata被施加到第一节点N1。另外，由于第一晶体管T1也被导通，所以驱动晶体管DT被连接，并且驱动晶体管DT的栅电极和漏电极被短路，结果，驱动晶体管DT像二极管一样工作。
在采样时段Ts中，电流Ids在驱动晶体管DT的源极-漏极之间流动。由于驱动晶体管DT的栅电极和漏电极是连接的，所以第二节点N2的电压通过从源电极流向漏电极的电流而增加，直到驱动晶体管DT的栅-源电压Vgs为Vth为止。对于采样时段Ts，第二节点N2的电压被充入与数据电压Vdata和驱动晶体管DT的阈值电压Vth之和相对应的电压Vdata+Vth。
另外，在采样时段Ts中，第八晶体管T8仍然导通，并且参考电压Vref保持在第五节点N5中。
另外，参照图16和图18A，对于第二应力时段Tobs，第一扫描信号SC1(n)具有低电平，并且第四扫描信号SC4(n)具有作为导通电平的低电平。然后，第三晶体管T3导通，以将高电位驱动电压VDD施加到第一节点N1。即，对于应力时段Tobs，降低作为驱动晶体管DT的栅电极的第二节点N2的电压以减轻驱动晶体管DT的迟滞效应。对于第二应力时段Tobs，第八晶体管T8仍然导通，并且参考电压Vref保持在第五节点N5中。
另外，参照图16和图18D，对于发射时段Te，第一扫描信号SC1(n)具有低电平并且发射信号EM(n)具有作为导通电平的低电平。然后，第三晶体管T3导通，以将高电位驱动电压VDD施加到第一节点N1。另外，第七晶体管T7导通以将高电位驱动电压VDD施加到第五节点N5。即，在第五节点N5中，电压从参考电压Vref增加到高电位驱动电压VDD。另外，由于第二节点N2通过存储电容器Cst与第五节点N5耦接，所以第五节点N5的电压变化VDD-Vref反映到第二节点N2。因此，作为驱动晶体管DT的栅电极的第二节点N2的电压变为Vdata+Vth+(VDD-Vref)。因此，驱动晶体管DT的栅-源电压Vgs可以是Vdata+Vth-Vref。另外，第四晶体管T4导通以形成第三节点N3和第四节点N4的电流路径。结果，经由驱动晶体管DT的源电极和漏电极的驱动电流Ioled被施加到有机发光二极管OLED。
对于发射时段Te，关于在有机发光二极管OLED中流动的驱动电流Ioled的关系如下面的等式1。
[等式1]
Ioled＝k(Vgs-Vth)2＝k(Vdata+Vth-Vref-Vth)2＝k(Vdata-Vref)2
在等式1中，k表示由驱动晶体管DT的电子迁移率、寄生电容、沟道容量等确定的比例常数。
如等式1所示，在驱动电流Ioled的关系中，驱动晶体管DT的阈值电压Vth分量和高电位驱动电压VDD分量都被去除。这意味着在根据本公开的有机发光显示装置中，即使阈值电压Vth和高电位驱动电压VDD改变，驱动电流Ioled也不改变。即，根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置可以对数据电压进行编程，而与阈值电压Vth和高电位驱动电压VDD的变化无关。
另外，参照图17，对于复位帧，第一扫描信号SC1(n)保持在低电平，并且第二扫描信号SC2(n)保持在作为截止电平的高电平。然后，对于复位帧，在每个像素P中不对数据电压Vdata进行编程，并且有机发光二极管OLED不发光。
然而，第一扫描信号SC1(n)保持在低电平，并且复位帧可以是应力时段Tobs。
即，对于复位帧，作为驱动晶体管DT的栅电极的第二节点N2的电压降低，并且驱动晶体管DT的源-漏电流Ids流动以减轻驱动晶体管DT的迟滞。
另外，由于第三扫描信号SC3(n)针对复位帧周期性地摆动，所以复位帧可以包括阳极复位时段Tar，在该阳极复位时段Tar中，第三扫描信号SC3(n)具有作为导通电平的低电平。
即，对于复位帧，有机发光二极管OLED的阳极电极可以周期性地复位到复位电压VAR。
结果，在根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置中，有机发光二极管OLED的阳极电极可以通过刷新帧和复位帧而周期性地复位。然后，即使在低频率的驱动中，由于抑制了由泄漏电流引起的有机发光二极管OLED的阳极电极的连续电压上升，因此有机发光二极管OLED的阳极电极可以保持恒定的电压电平。因此，不管驱动频率的切换如何，都可以使有机发光显示装置的亮度的变化最小化，以提高图像质量。
如上所述，根据本公开的又一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置可以通过施加已经使用的高电位驱动电压VDD而不是施加单独的导通偏置应力电压来向驱动晶体管DT施加偏置应力。因此，由于不需要用于施加单独的导通偏置应力电压的布线，所以可以增加面板的分辨率，并且还可以减小边框区域。
此外，在根据本公开的又一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置中，可以通过作为一个扫描信号的第一扫描信号SC1(n)来控制作为n型MOSFET NMOS的第一晶体管T1和作为p型MOSFET NMOS的第三晶体管T3。因此，不同类型的晶体管由一个扫描信号控制以简化像素电路结构。
图19是示出根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置的像素的电路图。
在根据本公开的又一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置中，第七晶体管T7和第八晶体管T8可以由设置在一条水平线上的多个像素共享。
多个像素可以包括红色像素PX_R、绿色像素PX_G和蓝色像素PX_B。然后，可以将红色数据电压Vdata_R施加到红色像素PX_R的第二晶体管T2的源电极，可以将绿色数据电压Vdata_G施加到绿色像素PX_G的第二晶体管T2的源电极，并且可以将蓝色数据电压Vdata_B施加到蓝色像素PX_B的第二晶体管T2的源电极。
另外，一个第七晶体管T7可以连接到红色像素PX_R、绿色像素PX_G和蓝色像素PX_B中的全部，并且一个第八晶体管T8可以连接到红色像素PX_R、绿色像素PX_G和蓝色像素PX_B中的全部。
具体地，第七晶体管T7的漏电极可以连接到红色像素PX_R的第五节点N5、绿色像素PX_G的第五节点N5和蓝色像素PX_B的第五节点N5中的全部。另外，第八晶体管T8的漏电极可以连接到红色像素PX_R的第五节点N5、绿色像素PX_G的第五节点N5和蓝色像素PX_B的第五节点N5中的全部。
在下文中，将描述根据本公开的另一(第五)示例性实施方式的有机发光显示装置。根据本公开的又一(第五)示例性实施方式的有机发光显示装置在施加到第三晶体管的信号方面与根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置不同，并且其他技术特征彼此相同。因此，将主要描述根据本公开的另一(第五)示例性实施方式的有机发光显示装置与根据本公开的另一(第四)示例性实施方式的有机发光显示装置之间的差异，并且将省略对重复部分的描述。
<本公开的另一示例性实施方式-第五示例性实施方式>
图20是示出根据本公开的另一(第五)示例性实施方式的有机发光显示装置的像素的电路图。
在根据本公开的另一(第五)示例性实施方式的有机发光显示装置中，每个像素P包括有机发光二极管OLED、驱动晶体管DT、第一至第八晶体管T1至T8以及电容器Cst。
驱动晶体管DT根据其源-栅电压Vsg控制施加到有机发光二极管OLED的驱动电流。驱动晶体管DT可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。另外，驱动晶体管DT的源电极连接到第一节点N1，其栅电极连接到第二节点N2，并且其漏电极连接到第三节点N3。
第一晶体管T1连接栅电极和漏电极。第一晶体管T1可以是n型MOSFET NMOS以使泄漏电流最小化，并且可以是氧化物薄膜晶体管。第一晶体管T1包括连接到第三节点N3的漏电极、连接到第二节点N2的源电极和连接到用于传输第一扫描信号SC1(n)的第一扫描信号线的栅电极。因此，响应于处于作为导通电平的高电平的第一扫描信号SC1(n)，第一晶体管T1连接驱动晶体管DT的栅电极和漏电极。
第二晶体管T2将从数据线接收的数据电压Vdata施加到作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1。第二晶体管T2可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第二晶体管T2包括连接到数据线的源电极、连接到第一节点N1的漏电极和连接到用于传输第二扫描信号SC2(n)的第二扫描信号线的栅电极。然后，第二晶体管T2响应于处于作为导通电平的低电平的第二扫描信号SC2(n)，将从数据线接收的数据电压Vdata施加到作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1。
第三晶体管T3向作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1施加高电位驱动电压VDD。第三晶体管T3可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第三晶体管T3包括连接到用于传输高电位驱动电压VDD的高电位驱动电压线的源电极、连接到第一节点N1的漏电极和连接到用于传输第五扫描信号SC5(n)的第五扫描信号线的栅电极。然后，第三晶体管T3响应于处于作为导通电平的低电平的第五扫描信号SC5(n)，将高电位驱动电压VDD施加到作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1。
第四晶体管T4在驱动晶体管DT和有机发光二极管OLED之间形成电流路径。第四晶体管T4可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第四晶体管T4包括连接到第三节点N3的源电极、连接到第四节点N4的漏电极和连接到用于传输发射信号EM(n)的发射信号线的栅电极。响应于发射信号EM(n)，第四晶体管T4在作为第四晶体管T4的源电极的第三节点N3和作为第四晶体管T4的漏电极的第四节点N4之间形成电流路径。然后，第四晶体管T4响应于处于作为导通电平的低电平的发射信号EM(n)，在驱动晶体管DT和有机发光二极管OLED之间形成电流路径。
第五晶体管T5向作为驱动晶体管DT的漏电极的第三节点N3施加初始化电压Vini。第五晶体管T5可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第五晶体管T5包括连接到用于传输初始化电压Vini的初始化电压线的源电极、连接到第三节点N3的漏电极和连接到用于传输第三扫描信号SC3(n)的第三扫描信号线的栅电极。然后，第五晶体管T5响应于处于作为导通电平的低电平的第三扫描信号SC3(n)，将初始化电压Vini施加到作为驱动晶体管DT的漏电极的第三节点N3。
第六晶体管T6向作为有机发光二极管的阳极的第四节点N4施加复位电压VAR。第六晶体管T6可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第六晶体管T6包括连接到用于传输复位电压VAR的复位电压线的源电极、连接到第四节点N4的漏电极和连接到用于传输第三扫描信号SC3(n)的第三扫描信号线的栅电极。然后，第六晶体管T6响应于处于作为导通电平的低电平的第三扫描信号SC3(n)，将复位电压VAR施加到作为有机发光二极管的阳极的第四节点N4。
第七晶体管T7将高电位驱动电压VDD施加到第五节点N5。第七晶体管T6可以是p型MOSFET PMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第七晶体管T7包括连接到用于传输高电位驱动电压VDD的高电位驱动电压线的源电极、连接到第五节点N5的漏电极和连接到用于传输发射信号EM(n)的发射信号线的栅电极。然后，第七晶体管T7响应于处于作为导通电平的低电平的发射信号EM(n)，将高电位驱动电压VDD施加到第五节点N5。
第八晶体管T8向第五节点N5施加参考电压Vref。第八晶体管T8可以是p型MOSFETPMOS，并且可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。第八晶体管T8包括连接到用于传输参考电压Vref的参考电压线的源电极、连接到第五节点N5的漏电极和连接到用于传输第四扫描信号SC4(n)的第四扫描信号线的栅电极。然后，第八晶体管T8响应于处于作为导通电平的低电平的第四扫描信号SC4(n)，将参考电压Vref施加到第五节点N5。
图21是示出根据本公开的另一(第五)示例性实施方式的有机发光显示装置中的用于刷新帧的发射信号和扫描信号的波形图。
图22是示出根据本公开的另一(第五)示例性实施方式的有机发光显示装置中的用于复位帧的发射信号和扫描信号的波形图。
图23A是根据本公开的另一(第五)示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在导通偏置应力时段的电路图。
图23B是根据本公开的另一(第五)示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在初始化时段的电路图。
图23C是根据本公开的另一(第五)示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在采样时段的电路图。
图23D是根据本公开的另一(第五)示例性实施方式的有机发光显示装置中的像素在发射时段的电路图。
参照图20至图23D，如下将描述根据本公开的另一(第五)示例性实施方式的有机发光显示装置的驱动。
根据本公开的另一(第五)示例性实施方式的有机发光显示装置可以在刷新帧和复位帧中单独地进行驱动。在刷新帧中，在每个像素中对数据电压Vdata进行编程，并且有机发光二极管OLED发光。另外，复位帧可以是垂直空白帧，并且有机发光二极管OLED的阳极针对复位帧被复位。
在根据本公开的另一(第五)示例性实施方式的有机发光显示装置中，刷新帧可以被划分为应力时段Tobs、初始化时段Ti、采样时段Ts和发射时段Te。应力时段Tobs是对作为驱动晶体管DT的源电极的第一节点N1施加偏置应力的时段。初始化时段Ti是对作为驱动晶体管DT的漏电极的第三节点N3的电压进行初始化的时段。采样时段Ts是用于对驱动晶体管DT的阈值电压Vth进行采样并对数据电压Vdata进行编程的时段。发射时段Te是用于允许有机发光二极管OLED根据通过编程的驱动晶体管DT的源-栅电压的驱动电流来发光的时段。
具体地，参照图21和图23A，对于第一应力时段Tobs，第五扫描信号SC5(n)具有作为导通电平的低电平，并且第四扫描信号SC4(n)具有作为导通电平的低电平。另外，第八晶体管T8导通以将参考电压Vref施加到第五节点N5。另外，第三晶体管T3导通，以将高电位驱动电压VDD施加到第一节点N1。参考电压Vref可以具有比高电位驱动电压VDD低的电平。然后，在第五节点N5中，电压从高电位驱动电压VDD降低到参考电压Vref。另外，由于第二节点N2通过存储电容器Cst与第五节点N5耦接，所以第五节点N5的电压变化Vref-VDD反映到第二节点N2。因此，作为驱动晶体管DT的栅电极的第二节点N2的电压降低，以降低驱动晶体管DT的栅-源电压Vgs。因此，对于应力时段Tobs，驱动晶体管DT的源-漏电流Ids流动以减轻驱动晶体管DT的迟滞。
另外，参照图21和图23B，对于初始化时段Ti，第一扫描信号SC1(n)具有作为导通电平的高电平，第三扫描信号SC3(n)具有作为导通电平的低电平，并且第四扫描信号SC4(n)具有作为导通电平的低电平。因此，第一晶体管T1和第五晶体管T5导通，然后初始化电压Vini被施加到第二节点N2和第三节点N3。结果，驱动晶体管DT的栅电极被初始化为初始化电压Vini。可以在充分低于有机发光二极管OLED的操作电压的电压范围内选择初始化电压Vini，并且将初始化电压Vini设置为等于或低于低电位驱动电压VSS的电压。另外，在初始化时段Ti中，第八晶体管T8仍然导通，并且参考电压Vref保持在第五节点N5中。另外，第六晶体管T6导通以将复位电压施加到第四节点N4。即，在初始化时段Ti中，有机发光二极管OLED的阳极电极被复位到复位电压VAR。另外，在初始化时段Ti中，由于第一扫描信号SC1(n)和第二扫描信号SC2(n)具有作为截止电平的高电平，所以第二晶体管T2和第三晶体管T3截止，结果，第一节点N1可以在施加高电位驱动电压VDD的同时浮置。因此，驱动晶体管DT的栅-源电压Vgs可以是Vini-VDD。
另外，参照图21和图23C，对于采样时段Ts，第一扫描信号SC1(n)具有作为导通电平的高电平，第二扫描信号SC2(n)具有作为导通电平的低电平，并且第四扫描信号SC4(n)具有作为导通电平的低电平。另外，对于采样时段Ts，第二晶体管T2导通，并且数据电压Vdata被施加到第一节点N1。另外，由于第一晶体管T1也被导通，所以驱动晶体管DT被连接，并且驱动晶体管DT的栅电极和漏电极被短路，使得驱动晶体管DT像二极管一样工作。
在采样时段Ts中，电流Ids在驱动晶体管DT的源极-漏极之间流动。由于驱动晶体管DT的栅电极和漏电极是连接的，所以第二节点N2的电压通过从源电极流向漏电极的电流而增加，直到驱动晶体管DT的栅-源电压Vgs为Vth为止。对于采样时段Ts，第二节点N2的电压被充入与数据电压Vdata和驱动晶体管DT的阈值电压Vth之和相对应的电压Vdata+Vth。
另外，在采样时段Ts中，第八晶体管T8仍然导通，并且参考电压Vref保持在第五节点N5中。
另外，参照图21和图23A，对于第二应力时段Tobs，第五扫描信号SC5(n)具有作为导通电平的低电平，并且第四扫描信号SC4(n)具有作为导通电平的低电平。另外，第三晶体管T3导通，以将高电位驱动电压VDD施加到第一节点N1。即，对于应力时段Tobs，降低作为驱动晶体管DT的栅电极的第二节点N2的电压以减轻驱动晶体管DT的迟滞效应。对于第二应力时段Tobs，第八晶体管T8仍然导通，并且参考电压Vref保持在第五节点N5中。
另外，参照图21和图23D，对于发射时段Te，第五扫描信号SC5(n)具有作为导通电平的低电平，并且发射信号EM(n)具有作为导通电平的低电平。然后，第三晶体管T3导通，以将高电位驱动电压VDD施加到第一节点N1。另外，第七晶体管T7导通以将高电位驱动电压VDD施加到第五节点N5。即，在第五节点N5中，电压从参考电压Vref增加到高电位驱动电压VDD。另外，由于第二节点N2通过存储电容器Cst与第五节点N5耦接，所以第五节点N5的电压变化VDD-Vref反映到第二节点N2。因此，作为驱动晶体管DT的栅电极的第二节点N2的电压变为Vdata+Vth+(VDD-Vref)。因此，驱动晶体管DT的栅-源电压Vgs可以是Vdata+Vth-Vref。另外，第四晶体管T4导通以形成第三节点N3和第四节点N4的电流路径。结果，经由驱动晶体管DT的源电极和漏电极的驱动电流Ioled被施加到有机发光二极管OLED。
对于发射时段Te，关于在有机发光二极管OLED中流动的驱动电流Ioled的关系如下面的等式1。
[等式1]
Ioled＝k(Vgs-Vth)2＝k(Vdata+Vth-Vref-Vth)2＝k(Vdata-Vref)2
在等式1中，k表示由驱动晶体管DT的电子迁移率、寄生电容、沟道容量等确定的比例常数。
如等式1所示，在驱动电流Ioled的关系中，驱动晶体管DT的阈值电压Vth分量和高电位驱动电压VDD分量都被去除。这意味着在根据本公开的有机发光显示装置中，即使阈值电压Vth和高电位驱动电压VDD改变，驱动电流Ioled也不改变。即，根据本公开的另一(第五)示例性实施方式的有机发光显示装置可以对数据电压进行编程，而与阈值电压Vth和高电位驱动电压VDD的变化无关。
另外，参照图22，对于复位帧，第一扫描信号SC1(n)保持在低电平，并且第二扫描信号SC2(n)也保持在作为截止电平的高电平。然后，对于复位帧，在每个像素P中不对数据电压Vdata进行编程，并且有机发光二极管OLED不发光。
然而，发射信号EM(n)、第三扫描信号SC3(n)、第四扫描信号SC4(n)和第五扫描信号SC5(n)分别周期性地摆动。即，由于第五扫描信号SC5(n)周期性地摆动，所以复位帧可以包括多个应力时段Tobs。
即，对于复位帧，作为驱动晶体管DT的栅电极的第二节点N2的电压降低，并且驱动晶体管DT的源-漏电流Ids流动以减轻驱动晶体管DT的迟滞。
另外，由于第三扫描信号SC3(n)针对复位帧周期性地摆动，所以复位帧可以包括阳极复位时段Tar，在该阳极复位时段Tar中，第三扫描信号SC3(n)具有作为导通电平的低电平。
即，对于复位帧，有机发光二极管OLED的阳极电极可以周期性地复位到复位电压VAR。
结果，在根据本公开的另一(第五)示例性实施方式的有机发光显示装置中，有机发光二极管OLED的阳极电极可以通过刷新帧和复位帧而周期性地复位。然后，即使在低频率的驱动中，由于抑制了由泄漏电流引起的有机发光二极管OLED的阳极电极的连续电压上升，因此有机发光二极管OLED的阳极电极可以保持恒定的电压电平。因此，不管驱动频率的切换如何，都可以使有机发光显示装置的亮度的变化最小化，以提高图像质量。
本公开的示例性实施方式还能够进行如下描述：
根据本公开的方面，像素可以包括：通过驱动电流发光的有机发光二极管；被配置为控制所述驱动电流并且可以包括作为第一节点的源电极、作为第二节点的栅电极和作为第三节点的漏电极的驱动晶体管；第一晶体管，其被配置为连接第二节点和第三节点；第二晶体管，其被配置为对第一节点施加数据电压；第三晶体管，其被配置为对第二节点施加高电位驱动电压VDD；第四晶体管，其在所述驱动晶体管和所述有机发光二极管之间形成电流路径；第五晶体管，其被配置为向所述驱动晶体管施加初始化电压Vini；第六晶体管，其被配置为向作为所述有机发光二极管的阳极电极的第四节点施加复位电压VAR；存储电容器，其可以包括与第二节点连接的一个电极和与第五节点连接的另一电极；第七晶体管，其被配置为将高电位驱动电压施加到第五节点；第八晶体管，其被配置为向第五节点施加参考电压Vref，以便使大尺寸有机发光显示装置的像素亮度均匀化。
初始化电压可以被设置为等于或小于低电位驱动电压的电压。
第一晶体管可以是n型氧化物薄膜晶体管，并且驱动晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管可以分别是p型低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。
驱动电流可以与驱动晶体管的阈值电压和高电位驱动电压无关。
第七晶体管和第八晶体管可以被设置在一条水平线上的多个像素共享。
有机发光显示装置还可以包括第九晶体管，第九晶体管被配置为向驱动晶体管的源电极施加应力电压。
应力电压可以被设置为等于或小于高电位驱动电压的电压。
第一晶体管可以包括连接到第三节点的漏电极、连接到第二节点的源电极和连接到用于传输第一扫描信号的第一扫描信号线的栅电极，第二晶体管可以包括连接到数据线的源电极、连接到第一节点的漏电极和连接到用于传输第二扫描信号的第二扫描信号线的栅电极，第三晶体管可以包括连接到用于传输高电位驱动电压的高电位驱动电压线的源电极、连接到第一节点的漏电极和连接到用于传输发射信号的发射信号线的栅电极，第四晶体管可以包括连接到第三节点的源电极、连接到第四节点的漏电极和连接到发射信号线的栅电极，第五晶体管可以包括连接到用于传输初始化电压的初始化电压线的源电极、连接到第三节点的漏电极和连接到用于传输第四扫描信号的第四扫描信号线的栅电极，第六晶体管可以包括连接到用于传输复位电压的复位电压线的源电极、连接到第四节点的漏电极和连接到用于传输第三扫描信号的第三扫描信号线的栅电极，第七晶体管可以包括连接到高电位驱动电压线的源电极、连接到第五节点的漏电极和连接到发射信号线的栅电极，第八晶体管可以包括连接到用于传输参考电压的参考电压线的源电极、连接到第五节点的漏电极和连接到用于传输第五扫描信号的第五扫描信号线的栅电极，并且第九晶体管可以包括连接到用于传输应力电压的应力电压线的源电极、连接到第一节点的漏电极和连接到第三扫描信号线的栅电极。
第一晶体管可以包括连接到第三节点的漏电极、连接到第二节点的源电极和连接到用于传输第一扫描信号的第一扫描信号线的栅电极，第二晶体管可以包括连接到数据线的源电极、连接到第一节点的漏电极和连接到用于传输第二扫描信号的第二扫描信号线的栅电极，第三晶体管可以包括连接到用于传输高电位驱动电压的高电位驱动电压线的源电极、连接到第一节点的漏电极和连接到用于传输发射信号的发射信号线的栅电极，第四晶体管可以包括连接到第三节点的源电极、连接到第四节点的漏电极和连接到发射信号线的栅电极，第五晶体管可以包括连接到用于传输初始化电压的初始化电压线的源电极、连接到第三节点的漏电极和连接到用于传输第三扫描信号的第三扫描信号线的栅电极，第六晶体管可以包括连接到用于传输复位电压的复位电压线的源电极、连接到第四节点的漏电极和连接到第三扫描信号线的栅电极，第七晶体管可以包括连接到高电位驱动电压线的源电极、连接到第五节点的漏电极和连接到发射信号线的栅电极，并且第八晶体管可以包括连接到用于传输参考电压的参考电压线的源电极、连接到第五节点的漏电极和连接到用于传输第四扫描信号的第四扫描信号线的栅电极。
初始化电压可以周期性地切换到高电平和低电平。
第一晶体管可以包括连接到第三节点的漏电极、连接到第二节点的源电极和连接到用于传输第一扫描信号的第一扫描信号线的栅电极，第二晶体管可以包括连接到数据线的源电极、连接到第一节点的漏电极和连接到用于传输第二扫描信号的第二扫描信号线的栅电极，第三晶体管可以包括连接到用于传输高电位驱动电压的高电位驱动电压线的源电极、连接到第一节点的漏电极和连接到用于传输第三扫描信号的第三扫描信号线的栅电极，第四晶体管可以包括连接到第三节点的源电极、连接到第四节点的漏电极和连接到用于传输发射信号的发射信号线的栅电极，第五晶体管可以包括连接到用于传输初始化电压的初始化电压线的源电极、连接到第二节点的漏电极和连接到在前一级传输第一扫描信号的前一级的第一扫描信号线的栅电极，第六晶体管可以包括连接到用于传输复位电压的复位电压线的源电极、连接到第四节点的漏电极和连接到用于传输第四扫描信号的第四扫描信号线的栅电极，第七晶体管可以包括连接到高电位驱动电压线的源电极、连接到第五节点的漏电极和连接到发射信号线的栅电极，并且第八晶体管可以包括连接到用于传输参考电压的参考电压线的源电极、连接到第五节点的漏电极和连接到第四扫描信号线的栅电极。
第一晶体管可以包括连接到第三节点的漏电极、连接到第二节点的源电极和连接到用于传输第一扫描信号的第一扫描信号线的栅电极，第二晶体管可以包括连接到数据线的源电极、连接到第一节点的漏电极和连接到用于传输第二扫描信号的第二扫描信号线的栅电极，第三晶体管可以包括连接到用于传输高电位驱动电压的高电位驱动电压线的源电极、连接到第一节点的漏电极和连接到用于传输第五扫描信号的第五扫描信号线的栅电极，第四晶体管可以包括连接到第三节点的源电极、连接到第四节点的漏电极和连接到用于传输发射信号的发射信号线的栅电极，第五晶体管可以包括连接到用于传输初始化电压的初始化电压线的源电极、连接到第三节点的漏电极和连接到用于传输第三扫描信号的第三扫描信号线的栅电极，第六晶体管可以包括连接到用于传输复位电压的复位电压线的源电极、连接到第四节点的漏电极和连接到第三扫描信号线的栅电极，第七晶体管可以包括连接到高电位驱动电压线的源电极、连接到第五节点的漏电极和连接到发射信号线的栅电极，并且第八晶体管可以包括连接到用于传输参考电压的参考电压线的源电极、连接到第五节点的漏电极和连接到用于传输第四扫描信号的第四扫描信号线的栅电极。
第一晶体管可以包括连接到第三节点的漏电极、连接到第二节点的源电极和连接到用于传输第一扫描信号的第一扫描信号线的栅电极，第二晶体管可以包括连接到数据线的源电极、连接到第一节点的漏电极和连接到用于传输第二扫描信号的第二扫描信号线的栅电极，第三晶体管可以包括连接到用于传输高电位驱动电压的高电位驱动电压线的源电极、连接到第一节点的漏电极和连接到第一扫描信号线的栅电极，第四晶体管可以包括连接到第三节点的源电极、连接到第四节点的漏电极和连接到用于传输发射信号的发射信号线的栅电极，第五晶体管可以包括连接到用于传输初始化电压的初始化电压线的源电极、连接到第三节点的漏电极和连接到用于传输第三扫描信号的第三扫描信号线的栅电极，第六晶体管可以包括连接到用于传输复位电压的复位电压线的源电极、连接到第四节点的漏电极和连接到第三扫描信号线的栅电极，第七晶体管可以包括连接到高电位驱动电压线的源电极、连接到第五节点的漏电极和连接到发射信号线的栅电极，并且第八晶体管可以包括连接到用于传输参考电压的参考电压线的源电极、连接到第五节点的漏电极和连接到用于传输第四扫描信号的第四扫描信号线的栅电极。
根据本公开的方面，有机发光显示装置可以包括设置在显示面板上的多个如上所述的像素。
在对数据电压进行编程的刷新帧和对像素中的有机发光二极管的阳极进行复位的复位帧中单独地驱动有机发光显示装置，刷新帧可以被划分为应力时段、初始化时段、采样时段和发射时段，并且对于应力时段，可以向驱动晶体管施加偏置应力，对于初始化时段，可以将第二节点或第三节点初始化为初始化电压，对于所述采样时段，可以将第二节点充电至与数据电压和驱动晶体管的阈值电压Vth之和对应的电压，并且对于发射时段，可以将驱动电流施加至有机发光二极管，并且有机发光二极管发光。
刷新帧可以还包括采样时段与发射时段之间的另一应力时段，在另一应力时段中，第八晶体管导通并且在第五节点处保持参考电压。
对于复位帧，有机发光二极管的阳极电极可以被复位到复位电压，并且可以将偏置应力施加至第一节点。
复位帧可以包括多个应力时段。
对于发射时段，第二节点的电压可以为Vdata+Vth+(VDD-Vref)，第一节点的电压可以为VDD，并且驱动晶体管的栅-源电压可以为Vdata+Vth-Vref
虽然已经参考附图详细描述了本公开的示例性实施方式，但是本公开不限于此，并且可以在不脱离本公开的技术概念的情况下以许多不同的形式实现。因此，提供本公开的示例性实施方式仅用于说明性目的，而不旨在限制本公开的技术概念。本公开的技术概念的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施方式在所有方面都是说明性的，并且不限制本公开。本公开的保护范围应当基于所附权利要求来解释，并且在其等效范围内的所有技术概念都应当被解释为落入本公开的范围内。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年10月21日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0137040的优先权，该申请的公开内容通过引用被包含在本文中。

Claims (19)

1.一种用于有机发光显示装置的像素，所述像素包括：
有机发光二极管，所述有机发光二极管通过驱动电流发光；
驱动晶体管，所述驱动晶体管被配置为控制所述驱动电流，并且包括作为第一节点的源电极、作为第二节点的栅电极和作为第三节点的漏电极；
第一晶体管，所述第一晶体管被配置为连接所述第二节点和所述第三节点；
第二晶体管，所述第二晶体管被配置为向所述第一节点施加数据电压Vdata；
第三晶体管，所述第三晶体管被配置为向所述第二节点施加高电位驱动电压VDD；
第四晶体管，所述第四晶体管在所述驱动晶体管和所述有机发光二极管之间形成电流路径；
第五晶体管，所述第五晶体管被配置为向所述驱动晶体管施加初始化电压(Vini)；
第六晶体管，所述第六晶体管被配置为向作为所述有机发光二极管的阳极电极的第四节点施加复位电压VAR；
存储电容器，所述存储电容器包括连接到所述第二节点的一个电极和连接到第五节点的另一电极；
第七晶体管，所述第七晶体管被配置为向所述第五节点施加所述高电位驱动电压；以及
第八晶体管，所述第八晶体管被配置为向所述第五节点施加参考电压Vref。
2.根据权利要求1所述的像素，其中，所述初始化电压被设置为等于或小于低电位驱动电压的电压。
3.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第一晶体管是n型氧化物薄膜晶体管，并且
所述驱动晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第六晶体管、所述第七晶体管和所述第八晶体管分别是p型低温多晶硅薄膜晶体管。
4.根据权利要求1所述的像素，其中，所述驱动电流与所述驱动晶体管的阈值电压和所述高电位驱动电压无关。
5.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第七晶体管和所述第八晶体管被设置在一条水平线上的多个像素共享。
6.根据权利要求1所述的像素，所述像素还包括：
第九晶体管，所述第九晶体管被配置为向所述驱动晶体管的源电极施加应力电压。
7.根据权利要求6所述的像素，其中，所述应力电压被设置为等于或小于所述高电位驱动电压的电压。
8.根据权利要求6所述的像素，其中，所述第一晶体管包括连接到所述第三节点的漏电极、连接到所述第二节点的源电极、以及连接到用于传输第一扫描信号的第一扫描信号线的栅电极，
所述第二晶体管包括连接到数据线的源电极、连接到所述第一节点的漏电极、以及连接到用于传输第二扫描信号的第二扫描信号线的栅电极，
所述第三晶体管包括连接到用于传输所述高电位驱动电压的高电位驱动电压线的源电极、连接到所述第一节点的漏电极、以及连接到用于传输发射信号的发射信号线的栅电极，
所述第四晶体管包括连接到所述第三节点的源电极、连接到所述第四节点的漏电极、以及连接到所述发射信号线的栅电极，
所述第五晶体管包括连接到用于传输所述初始化电压的初始化电压线的源电极、连接到所述第三节点的漏电极、以及连接到用于传输第四扫描信号的第四扫描信号线的栅电极，
所述第六晶体管包括连接到用于传输所述复位电压的复位电压线的源电极、连接到所述第四节点的漏电极、以及连接到用于传输第三扫描信号的第三扫描信号线的栅电极，
所述第七晶体管包括连接到所述高电位驱动电压线的源电极、连接到所述第五节点的漏电极、以及连接到所述发射信号线的栅电极，
所述第八晶体管包括连接到用于传输所述参考电压的参考电压线的源电极、连接到所述第五节点的漏电极、以及连接到用于传输第五扫描信号的第五扫描信号线的栅电极，并且
所述第九晶体管包括连接到用于传输所述应力电压的应力电压线的源电极、连接到所述第一节点的漏电极、以及连接到所述第三扫描信号线的栅电极。
9.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第一晶体管包括连接到所述第三节点的漏电极、连接到所述第二节点的源电极、以及连接到用于传输第一扫描信号的第一扫描信号线的栅电极，
所述第二晶体管包括连接到数据线的源电极、连接到所述第一节点的漏电极、以及连接到用于传输第二扫描信号的第二扫描信号线的栅电极，
所述第三晶体管包括连接到用于传输所述高电位驱动电压的高电位驱动电压线的源电极、连接到所述第一节点的漏电极、以及连接到用于传输发射信号的发射信号线的栅电极，
所述第四晶体管包括连接到所述第三节点的源电极、连接到所述第四节点的漏电极、以及连接到所述发射信号线的栅电极，
所述第五晶体管包括连接到用于传输所述初始化电压的初始化电压线的源电极、连接到所述第三节点的漏电极、以及连接到用于传输第三扫描信号的第三扫描信号线的栅电极，
所述第六晶体管包括连接到用于传输所述复位电压的复位电压线的源电极、连接到所述第四节点的漏电极、以及连接到所述第三扫描信号线的栅电极，
所述第七晶体管包括连接到所述高电位驱动电压线的源电极、连接到所述第五节点的漏电极、以及连接到所述发射信号线的栅电极，并且
所述第八晶体管包括连接到用于传输所述参考电压的参考电压线的源电极、连接到所述第五节点的漏电极、以及连接到用于传输第四扫描信号的第四扫描信号线的栅电极。
10.根据权利要求9所述的像素，其中，所述初始化电压周期性地切换到高电平和低电平。
11.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第一晶体管包括连接到所述第三节点的漏电极、连接到所述第二节点的源电极、以及连接到用于传输第一扫描信号的第一扫描信号线的栅电极，
所述第二晶体管包括连接到数据线的源电极、连接到所述第一节点的漏电极、以及连接到用于传输第二扫描信号的第二扫描信号线的栅电极，
所述第三晶体管包括连接到用于传输所述高电位驱动电压的高电位驱动电压线的源电极、连接到所述第一节点的漏电极、以及连接到用于传输第三扫描信号的第三扫描信号线的栅电极，
所述第四晶体管包括连接到所述第三节点的源电极、连接到所述第四节点的漏电极、以及连接到用于传输发射信号的发射信号线的栅电极，
所述第五晶体管包括连接到用于传输所述初始化电压的初始化电压线的源电极、连接到所述第二节点的漏电极、以及连接到在前一级传输第一扫描信号的前一级处的第一扫描信号线的栅电极，
所述第六晶体管包括连接到用于传输所述复位电压的复位电压线的源电极、连接到所述第四节点的漏电极、以及连接到用于传输第四扫描信号的第四扫描信号线的栅电极，
所述第七晶体管包括连接到所述高电位驱动电压线的源电极、连接到所述第五节点的漏电极、以及连接到所述发射信号线的栅电极，并且
所述第八晶体管包括连接到用于传输所述参考电压的参考电压线的源电极、连接到所述第五节点的漏电极、以及连接到所述第四扫描信号线的栅电极。
12.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第一晶体管包括连接到所述第三节点的漏电极、连接到所述第二节点的源电极、以及连接到用于传输第一扫描信号的第一扫描信号线的栅电极，
所述第二晶体管包括连接到数据线的源电极、连接到所述第一节点的漏电极、以及连接到用于传输第二扫描信号的第二扫描信号线的栅电极，
所述第三晶体管包括连接到用于传输所述高电位驱动电压的高电位驱动电压线的源电极、连接到所述第一节点的漏电极、以及连接到用于传输第五扫描信号的第五扫描信号线的栅电极，
所述第四晶体管包括连接到所述第三节点的源电极、连接到所述第四节点的漏电极、以及连接到用于传输发射信号的发射信号线的栅电极，
所述第五晶体管包括连接到用于传输所述初始化电压的初始化电压线的源电极、连接到所述第三节点的漏电极、以及连接到用于传输第三扫描信号的第三扫描信号线的栅电极，
所述第六晶体管包括连接到用于传输所述复位电压的复位电压线的源电极、连接到所述第四节点的漏电极、以及连接到所述第三扫描信号线的栅电极，
所述第七晶体管包括连接到所述高电位驱动电压线的源电极、连接到所述第五节点的漏电极、以及连接到所述发射信号线的栅电极，并且
所述第八晶体管包括连接到用于传输所述参考电压的参考电压线的源电极、连接到所述第五节点的漏电极、以及连接到用于传输第四扫描信号的第四扫描信号线的栅电极。
13.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第一晶体管包括连接到所述第三节点的漏电极、连接到所述第二节点的源电极、以及连接到用于传输第一扫描信号的第一扫描信号线的栅电极，
所述第二晶体管包括连接到数据线的源电极、连接到所述第一节点的漏电极、以及连接到用于传输第二扫描信号的第二扫描信号线的栅电极，
所述第三晶体管包括连接到用于传输所述高电位驱动电压的高电位驱动电压线的源电极、连接到所述第一节点的漏电极、以及连接到所述第一扫描信号线的栅电极，
所述第四晶体管包括连接到所述第三节点的源电极、连接到所述第四节点的漏电极、以及连接到用于传输发射信号的发射信号线的栅电极，
所述第五晶体管包括连接到用于传输所述初始化电压的初始化电压线的源电极、连接到所述第三节点的漏电极、以及连接到用于传输第三扫描信号的第三扫描信号线的栅电极，
所述第六晶体管包括连接到用于传输所述复位电压的复位电压线的源电极、连接到所述第四节点的漏电极、以及连接到所述第三扫描信号线的栅电极，
所述第七晶体管包括连接到所述高电位驱动电压线的源电极、连接到所述第五节点的漏电极、以及连接到所述发射信号线的栅电极，并且
所述第八晶体管包括连接到用于传输所述参考电压的参考电压线的源电极、连接到所述第五节点的漏电极、以及连接到用于传输第四扫描信号的第四扫描信号线的栅电极。
14.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：
设置在显示面板上的多个根据权利要求1至13中的任一项所述的像素。
15.根据权利要求14所述的有机发光显示装置，其中，在对所述数据电压进行编程的刷新帧和对所述像素中的所述有机发光二极管的阳极电极进行复位的复位帧中单独地驱动所述有机发光显示装置，
其中，所述刷新帧包括应力时段、初始化时段、采样时段和发射时段，并且
其中，对于所述应力时段，向所述驱动晶体管施加偏置应力，
对于所述初始化时段，将所述第二节点或所述第三节点初始化为所述初始化电压，
对于所述采样时段，将所述第二节点充电至与所述数据电压和所述驱动晶体管的阈值电压Vth之和对应的电压，并且
对于所述发射时段，将所述驱动电流施加至所述有机发光二极管，并且所述有机发光二极管发光。
16.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中，所述刷新帧还包括在所述采样时段与所述发射时段之间的另一应力时段，在所述另一应力时段中，所述第八晶体管导通并且在所述第五节点处保持所述参考电压。
17.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中，对于所述复位帧，所述有机发光二极管的阳极电极被复位到所述复位电压，并且将偏置应力施加至所述第一节点。
18.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中，所述复位帧包括多个应力时段。
19.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中，对于所述发射时段，
所述第二节点的电压为Vdata+Vth+(VDD-Vref)，
所述第一节点的电压为VDD，并且
所述驱动晶体管的栅-源电压为Vdata+Vth-Vref。
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