TW202213547A - 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題是在於提供一種可減低同軸照明及斜光照明的相互干擾的技術。 其解決手段，黏晶裝置是具備： 沿著攝像裝置的光軸來照射光至晶粒的第一照明裝置；及 位於第一照明裝置的上方，以對於光軸而言預定的角度來照射光至晶粒的第二照明裝置。 第二照明裝置是具備：第二發光部，及限制從前述第二發光部發出的第二照射光的光路之光路控制構件。 藉由光路控制構件而被限制光路的第二照射光會被配置為通過第一照明裝置的筒內來照射至晶粒的上面。

Description

黏晶裝置及半導體裝置的製造方法
本案是有關黏晶裝置，例如可適用於具備識別晶粒的相機的黏晶機。
黏晶機等的黏晶裝置是以焊錫、鍍金、樹脂作為接合材料，在配線基板或引線架等(以下簡稱基板)或已被接合的晶粒上接合(搭載而黏著)半導體晶片(以下簡稱晶粒)之裝置。在將晶粒例如接合於基板的表面之黏晶機中，是使用被稱為夾頭(collet)的吸附噴嘴來從晶圓吸附晶粒而拾取(pickup)，搬送至基板上，賦予退壓力，且藉由加熱接合材來進行接合的動作(作業)會被重複進行。
為了檢查從晶圓拾取晶粒之前等的晶粒的龜裂等的傷或異物的有無的外觀檢查(表面檢查)或晶粒的定位，而使用照明裝置來藉由相機進行攝像。設計依據相機的攝像畫像的外觀檢查機能或定位機能時，其照明構成是有「使背景變亮而暗照想要看者」的明視野方式，及「使背景變暗而明照想要看者」的暗視野方式。
一般檢查微細的傷時是暗視野方式較佳。晶圓表面是接近鏡面，為了進行根據暗視野方式的檢查，而使用對於與相機同光軸而言傾斜於被照體來照射光的照明方式之斜光照明。龜裂的情況，斜光照明的入射角是儘可能接近光軸(將入射角儘可能接近0度)較容易使龜裂發光。並且，就暗視野方式的檢查而言，被要求成為背景的晶圓或晶粒表面會將照明的光反射而使不輸入至相機。
另一方面，進行檢查定位或異物的有無的外觀檢查時，明視野方式較佳。就明視野方式而言，可使用以和相機同光軸來將光照射至被照體的照明方式之同軸落射照明或同軸照明(以下總成為同軸照明)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2020-13841號公報
(發明所欲解決的課題)
設置斜光照明與同軸照明的雙方作為照明裝置而只使用其一方時，擔心斜光照明及同軸照明的相互干擾。
本案的課題是在於提供一種可減低同軸照明及斜光照明的相互干擾的技術。 (用以解決課題的手段)
若簡單地說明本案之中代表性者的概要，則如下述般。 亦即，黏晶裝置是具備： 沿著攝像裝置的光軸來照射光至晶粒的第一照明裝置；及 位於第一照明裝置的上方，以對於光軸而言預定的角度來照射光至晶粒的第二照明裝置。 第二照明裝置是具備：第二發光部，及限制從前述第二發光部發出的第二照射光的光路之光路控制構件。 藉由光路控制構件而被限制光路的第二照射光會被配置為通過第一照明裝置的筒內來照射至晶粒的上面。 [發明的效果]
若根據上述黏晶裝置，則可減低同軸照明給予斜光照明的影響。
以下，利用圖面說明實施形態及實施例。但，在以下的說明中，有對同一構成要素附上同一符號而省略重複說明的情形。另外，圖面為了使說明更明確，而相較於實際的形態，有模式性地表示各部的寬度、厚度、形狀等的情況，但究竟只是一例，不是限定本案的解釋者。
利用圖1~圖5來說明有關本案發明者們在本案之前檢討的技術。圖1(a)是表示相機及晶粒龜裂檢查用的斜光照明的配置的圖。圖1(b)是表示相機及晶粒定位用的同軸照明的配置的圖。
如上述般，檢查晶粒D的表面的龜裂時，一面維持不形成明視野的狀態，一面如圖1(a)所示般，使用儘可能使對於相機101的光軸之入射角(θ)接近0度的斜光照明102，抑制檢查區域內的亮度的不均為理想。
另一方面，除了黏晶裝置是龜裂檢查用的照明以外，需要用以進行晶粒D的定位的照明，為了對於晶粒表面的撓曲或彎曲，健全(robust)，如圖1(b)所示般，照明的照射範圍比相機101的視野更大，發光部103a使用藉由面發光光源所構成的同軸照明103為理想。同軸照明103是以作為筒的鏡筒103c所構成，該筒是在內部，除了發光部103a以外，具備半透明反射鏡(半透過鏡)103b。
在具備晶粒定位用的同軸照明103的光學系中，若所欲儘可能使入射角接近0度來設置斜光照明102，則如圖1(b)所示般，將斜光照明102設置於同軸照明103的下方時，因斜光照明102，存在同軸照明103的照射光被遮蔽的遮光區域LSA。因此，同軸照明103的照射區域變窄，有損對於晶粒D的彎曲的健全性，所以斜光照明102是設置在同軸照明103上為理想。
利用圖2~圖5來說明有關將斜光照明配置於同軸照明的上方時的課題。圖2是表示將斜光照明配置於同軸照明的上方時的斜光照明的光路的圖。圖3是表示圖2所示的斜光照明的光路之中透過半透明反射鏡的光路的圖，圖3(a)是照射龜裂區域時的圖，圖3(b)是照射無龜裂的區域時的圖。圖4是表示圖2所示的斜光照明的光路之中照亮同軸照明的發光部的光路的圖，圖4(a)是照射龜裂區域時的圖，圖4(b)是照射無龜裂的區域時的圖。圖5是表示暗視野畫像與明視野畫像的合成的映像的圖。
圖2所示的照明裝置是除了將圖1(b)所示的斜光照明102配置於同軸照明103的上方以外是與圖1(b)的照明裝置同樣的構成。另外，斜光照明102是與圖1(a)同樣地被配置於相機101的附近。
在此，即使斜光照明102是使用砲彈型LED作為平行光光源，也會有在照射角度的外側發生漏光的情況。並且，為了龜裂測出的斜光照明102是需要抑制光源的亮度的不均，為了抑制使用的LED照明的亮度的不均，例如，有使用擴散板的情形。
又，同軸照明103的發光部103a的發光面是有使來自外部的光反射或擴散，照射至半透明反射鏡103b的情形。同軸照明是不僅防止亮度的不均的目的，還有為了將對象物(晶粒)鮮明地攝像，擴散光有效，為此在面發光光源之前設置擴散板的情形。擴散板本身是不發光，但可視為疑似性的發光面。在擴散板的構成中除了丙烯系等的透過型以外持有漫反射面的反射型也同樣。擴散板是有容易以來自其他的光源的光而引起疑似發光的傾向，但除了擴散板以外，在以波長截止等作為目的的色濾光片等也有形成與擴散板類似的現象的情形。
如圖2所示般，在同軸照明103的上方設置斜光照明102時，若只使斜光照明102點燈，則來自斜光照明102的發光部102a的照射光的光路是如圖2所示的箭號般，因漏光或擴散板等而擴大。來自發光部102a的照射光是有透過半透明反射鏡103b來照射晶粒D的光、到達鏡筒103c的內面的光、到達發光部103a的光。在此，在本說明書中，將朝向與原本意圖的方向不同的方向的光稱為迷光，到達發光部103a的光是迷光。在此，鏡筒103c是筒狀的成型品，成為防止來自預定處以外的光的侵入及在內面的光的反射之構造。因此，到達鏡筒103c的內面的光是除了微小的漫反射以外不被反射。
在圖2中以箭號所示的通過光路的光之中，從斜光照明102透過半透明反射鏡103b，照射晶粒D的光是如圖3(a)所示般，若對於光軸傾斜地照射至龜裂CR，則在龜裂CR中散射的光之中沿著光軸而反射的反射光會入光至相機101，藉此使龜裂區域變亮。另一方面，如圖3(b)所示般，若對於光軸傾斜地照射至無龜裂的區域，則對於光軸對稱地反射的反射光是不入光至相機101，藉此形成暗照正常的區域的暗視野的照射。
在圖2中以箭號所示的通過光路的光之中，從斜光照明102照亮同軸照明103內的發光部103a的光(迷光)是如圖4(a)及圖4(b)所示般，在發光部103a中散射。此散射的光之中對於光軸而言直角(水平)地反射的光是在半透明反射鏡103b反射而沿著光軸來照射至晶粒D。如圖4(a)所示般，被照射至龜裂CR的光是散射而沿著光軸的反射光會消失不入光至相機101，因此使龜裂CR變暗。另一方面，如圖4(b)所示般，被照射至無龜裂的區域的光是沿著光軸而反射的反射光是入光至相機101，因此形成明照正常的區域的明視野的照射。
如圖5(a)所示般，斜光照明的照射所致的暗視野是龜裂CR的明度與晶粒D的表面的明度的明度差大。相對於此，以在圖4中說明的迷光作為光源的同軸照明所致的明視野中，如圖5(b)所示般，明視野的龜裂CR的明度與晶粒D的表面的明度的明度差是相較於暗視野者，經過擴散及反射的過程的分明度差變少。若形成圖5(a)所示的暗視野的照射與形成圖5(b)所示的明視野的照射被合成，則如圖5(c)所示般，可取得龜裂CR(龜裂區域)與晶粒D的表面(正常的區域)的明度差會降低的畫像。因此，使得明度差小的龜裂的測出或龜裂長的正確的測定變困難。
於是，實施形態是在照明裝置設置光路控制構件而削減迷光，該光路控制構件是以使來自斜光照明的發光部的照明光不會照到同軸照明的發光部的發光面之方式限制斜光照明的照射光的光路。
利用圖6來說明有關實施形態的黏晶裝置的構成。圖6是表示實施形態的黏晶裝置的相機及對攝像對象的晶粒照射畫像攝影用的光的照明裝置的配置的圖。
實施形態的黏晶裝置100是具備相機101、作為第一照明裝置的同軸照明103、作為第二照明裝置的斜光照明102、及控制裝置110。
相機101是成為在其前端安裝有對物透鏡101a，通過此對物透鏡101a來將晶粒D的主面的畫像攝影的構成。在對物透鏡101a的周圍附近是安裝有照明環或照明棒等的斜光照明102，斜光照明102是龜裂檢查用的照明裝置。
在相機101與晶粒D之間是配置有以鏡筒103c所構成的同軸照明103，該鏡筒103c是在內部具備作為具有面發光光源的第一發光部的發光部103a及半透明反射鏡(半透過鏡)103b。在此，面發光光源是由面型的發光面進行均一的照射的光源，具有藉由面安裝晶片LED的薄型平光源或擴散板來使照射光均一化的構造。作為來自發光部103a的第一照射光的照射光是藉由半透明反射鏡103b來以和相機101相同的光軸反射，照射至晶粒D。以和相機101相同的光軸來照射至晶粒D的其散射光是在晶粒D反射，其中的正反射光會透過半透明反射鏡103b來到達相機101，形成晶粒D的映像。因此，若使用同軸照明103來以相機101攝像，則晶粒D的表面是對於龜裂成為明視野。
另外，發光部103a是亦可在面發光光源的半透明反射鏡103b側的面具備擴散板。擴散板是將從光源出來的光擴散，使照明不均減低的乳白色等的色的板狀零件。此情況，來自面發光光源的照射光是藉由透過擴散板而成為散射光，該散射光是藉由半透明反射鏡103b來以和相機101相同的光軸反射，照射至晶粒D。
如上述般，本實施形態是將本身照射面積變大的來自面發光照明的照射光照射至晶粒D的主面。因此，可將來自面發光光源的照射光照射至比晶粒D的主面更大的面積。其結果，在晶粒D反射前進於鏡筒103c內的正反射光是以大的面積射入至相機101，可防止晶粒D的畫像部分地成為不鮮明，因此可容易判定拾取對象的晶粒D是否被正確地配置於拾取位置。
斜光照明102是被安裝為光會以對於相機101的光軸而言預定的角度來照射至晶粒D的表面。若使用斜光照明102來以相機101攝像，則晶粒D的表面是對於龜裂而言成為暗視野，反射率也不同，容易取得對比(明度差)。此斜光照明102的入射角越接近鉛直，龜裂與背景的對比差越大，容易進行畫像上的分類(2值化等)，結果，測出感度變佳。
為了使斜光照明102的入射角接近鉛直，斜光照明102是在同軸照明103的上方，接近相機101而設，來自斜光照明102的作為第二照射光的照射光是通過鏡筒103c內來照射至晶粒D。在此，可在作為斜光照明102的第二發光部的發光部102a的發光面安裝光路控制構件104。
利用圖7說明有關實施形態的照明裝置的效果。圖7(a)是表示圖2所示的照明裝置的光路的圖，圖7(b)是表示圖6所示的照明裝置的光路的圖。
藉由設置光路控制構件104，可防止如圖7(a)所示般的全方向的擴散光，如圖7(b)所示般，從斜光照明102照射的大部分的光是透過半透明反射鏡103b來直接照射晶粒D。
藉此，即使在同軸照明的上方設置斜光照明，只使斜光照明點燈，也可抑制斜光照明照亮同軸照明內的發光面的迷光。其結果，減低以迷光作為光源的同軸照明的發生，藉由將想要暗照的背景設為更暗，可使對比顯著，使龜裂的測出變容易。並且，其他鏡筒側面等微小的漫反射光也可防止。
利用圖8說明有關光路控制構件104的具體例。圖8(a)是表示安裝於斜光照明的發光部的百葉(louver)的立體圖。圖8(b)是表示設置圖8(a)的斜光照明的狀態的光路的正面圖。圖8(c)是表示安裝於斜光照明的發光部的蜂巢百葉的立體圖。圖8(d)是表示安裝於斜光照明的發光部的遮光罩(hood)的立體圖。另外，光路控制構件104不是只安裝於斜光照明102的發光部102a，亦可安裝於同軸照明103的發光部103a，亦可安裝於雙方。
(a)視野角控制薄膜(濾光片) 視野角控制薄膜是亦被稱為隱私薄膜、窺視防止薄膜、光路控制薄膜，被用在個人電腦等的顯示器者。例如，視野角控制薄膜是藉由貼附在斜光照明102的發光部102a的發光面等而安裝。此構件是可省空間防止任意的方向的迷光。
(b)遮光百葉(Louver) 如圖8(a)所示般，發光部102a的發光面102b設置例如由垂直地以預定的間隔平行設置的複數的平板形的構件所組成的百葉104a。如圖8(b)所示般，擴散光的照射角會被限制。藉由使用金屬製的遮光百葉，可提高耐環境性。除了圖8(a)所示般的由複數的平板形的構件所組成的百葉以外，亦可為由其剖面為多角形或圓形等的複數的構件所組成的百葉。例如，圖8(c)所示般，亦可為由複數的六角柱的構件所組成的蜂巢百葉104b(百葉全體顯示蜂的巢模樣)。又，百葉的各構件間的區域亦可以透過光的材料來充填。
(c)光纖板(fiber optic plate) 光纖板是將微細的(數μm)的光纖成束的光學裝置，可將被射入的光或像(映像(image))直接引導至射出面。在斜光照明102的發光部102a的發光面安裝光纖板。藉此，可省空間防止因全方向的擴散光等所產生的迷光。
(d)光學透鏡 光學透鏡是用以使光折射而使發散或聚光的光學元件。在斜光照明102的發光部102a的發光面安裝藉由折射來聚光而集中光的方向的光學透鏡。藉此，可匯集斜光照明的光，防止迷光。又，可使斜光照明的亮度上昇。
(e)菲涅耳透鏡 菲涅耳透鏡是例如將上述(d)的光學透鏡所持的曲面置換成一連串的同心圓狀的溝者。該等的溝會作為折射面各個地起作用，將平行光線的光路彎曲而集光於預定的焦點位置。藉此，菲涅耳透鏡雖是物理尺寸薄的形狀，但與光學透鏡同樣地可將光集中於一點。在斜光照明102的發光部102a的發光面安裝藉由折射來聚光而集中光的方向的菲涅耳透鏡。藉此，可匯集斜光照明102的光，防止迷光。又，可使斜光照明102的亮度上昇。又，亦可使用溝為平行直線狀，光是聚光於直線上的線性菲涅耳透鏡。
(f)照明遮光罩 如圖8(d)所示般，在發光部102a的發光面102b安裝持有對於光擴散的遮蔽構造之遮光罩。藉此，可不減低斜光照明的亮度，削減對於同軸照明103內的發光面的照射。
利用圖9來說明有關安裝於斜光照明102及同軸照明103的雙方的光路控制構件。圖9是表示在圖6所示的實施形態的斜光照明及同軸照明的雙方安裝偏光濾光片時的光路的圖。
(g)偏光濾光片 在斜光照明102的發光部102a的發光面安裝作為第一光路控制構件的偏光濾光片105a，且在同軸照明103的發光部103a的發光面安裝作為第二光路控制構件的偏光濾光片105b。偏光濾光片105a及偏光濾光片105b是直線偏光、圓偏光或橢圓偏光的偏光濾光片，彼此使偏光方向正交。藉此，可不縮小斜光照明102的照射區域，防止以迷光作為光源的同軸照明光。
亦可不是在發光部102a安裝光路控制構件104，而是藉由同軸照明103的構造等，將斜光照明102的散射光遮蔽而控制斜光照明102的照射光的光路。
(h)遮光百葉 在同軸照明103的發光部103a的發光面安裝上述(b)所述的遮光百葉或上述(f)所述的遮光罩，使斜光照明102的光不會被照射至同軸照明103的發光部103a的發光面。藉此，可不使斜光照明102的亮度降低，防止從斜光照明102往同軸照明103的發光部103a的發光面的迷光。
(i)窗框構造 利用圖10來說明有關圖6所示的實施形態的同軸照明103的構造的變更。圖10(a)是表示圖6所示的實施形態的同軸照明103的窗框構造的變更的上面圖，圖10(b)是圖10(a)的剖面圖。
如圖10(a)所示般，調整被設在同軸照明103的上面的頂部103d的窗103e(或窗框部分)的大小，頂部103d會遮蔽光擴散。在此，窗103e是透過斜光照明102的照射光及入光至相機101的光。藉此，如圖10(b)所示般，藉由虛線箭號所示的光路會消失，可使斜光照明102的光不會被照射至同軸照明103的發光部103a的發光面。頂部103d是作為限制來自發光部102a的照射光的光路之光路控制構件機能。藉此，構成零件會變少，可低成本化。
(j)發光部的位置的調整(後退) 利用圖11來說明有關圖6所示的實施形態的同軸照明103的構造的變更。圖11是表示圖6所示的實施形態的同軸照明103的發光部的配置的變更的剖面圖。
如圖11所示般，使同軸照明103的發光部103a遠離半透明反射鏡103b而設。其結果，藉由頂部103d遮蔽光擴散，如圖11所示般，可使斜光照明102的光不會被照射至同軸照明103的發光部103a的發光面。頂部103d是作為限制來自發光部102a的照射光的光路的光路控制構件機能。藉此，構成零件會變少，可低成本化。
(k)發光面的構成 在同軸照明103的發光面使用液晶面板，使同軸照明103的熄燈時的反射光與點燈時的發光光的亮度差極端地變大。藉此，可不縮小斜光照明102的照射區域，防止以迷光作為光源的同軸照明光。
(l)透鏡鏡筒內的同軸照明 使用圖12來說明有關取代圖6所示的實施形態的同軸照明，在透鏡鏡筒內使用同軸照明的例子。圖12是表示使用透鏡鏡筒內的同軸照明時的照明裝置的配置的圖。
在相機101下安裝同軸照明透鏡106，該同軸照明透鏡106是在透鏡鏡筒106c內設置以面發光光源所構成的光源部106a及半透明反射鏡106b、及遠心透鏡。來自光源部106a的照射光是藉由半透明反射鏡106b來以和相機101相同的光軸反射，照射至晶粒D。以和相機101相同的光軸來照射至晶粒D的其散射光是在晶粒D反射，其中的正反射光會透過半透明反射鏡106b而到達相機101，形成晶粒D的映像。
同軸照明透鏡106的同軸照明的照射範圍是比同軸照明103更窄。一般若同軸照明的照射範圍窄，則對於晶粒的彎曲變弱。但，對於彎曲的耐久力是從光源看的照射角是不那麼形成問題，是依賴從被照體看的光源的發光面的視野角(大小)。遠心透鏡的主光線是一般在映像空間及或被照體空間中平行於光軸。從被照體看完全的平行光是點光源，在透鏡的內部可見點的光源。對於此，藉由在遠心透鏡內的光源設置比點光源更大的尺寸的面發光光源，可接受從被照體看視野角大(持發光面)的平行光。因此，同軸照明透鏡106是可具有與同軸照明103同等的對於彎曲的耐久力。
斜光照明102是設在同軸照明透鏡106的附近周邊，亦即不遮蔽同軸照明的照射光的位置。藉此，由於不需要在同軸照明的上方配置斜光照明，遮光照明的照射光不會通過同軸照明的鏡筒內，因此可完全消除被照射於同軸照明的發光面的迷光。
另外，使用一個或以上的照明棒作為斜光照明102時，亦可為一個的照明棒照射於一方向，另一個的照明棒照射至其他的方向的一對的照明棒，或亦可為照射至彼此不同的四方向的四個的照明棒。 [實施例]
圖13是表示實施例的黏晶機的構成的概略上面圖。圖14是說明在圖13中從箭號A方向看見時的概略構成的圖。
黏晶機10是大致區分具有晶粒供給部1、拾取部2、中間平台(stage)部3、接合部4、搬送部5、基板供給部6、基板搬出部7、及監視控制各部的動作的控制部8，該晶粒供給部1是供給安裝於基板S的晶粒D，該基板S是印刷了一個或複數的成為最終1封裝的製品區域(以下成為封裝區域P)。Y軸方向為黏晶機10的前後方向，X軸方向為左右方向。晶粒供給部1會被配置於黏晶機10的前側，接合部4會被配置於內側。
首先，晶粒供給部1是供給安裝於基板S的封裝區域P的晶粒D。晶粒供給部1是具有保持晶圓11的晶圓保持台12及從晶圓11頂起晶粒D的以點線所示的頂起單元13。晶粒供給部1是藉由未圖示的驅動手段來移動於XY方向，使拾取的晶粒D移動於頂起單元13的位置。
拾取部2是具有：拾取晶粒D的拾取頭21、使拾取頭21移動於Y方向的拾取頭的Y驅動部23、及使夾頭22昇降、旋轉及X方向移動的未圖示的各驅動部。拾取頭21是具有將被頂起的晶粒D吸附保持於前端的夾頭22(圖14也參照)，從晶粒供給部1拾取晶粒D，載置於中間平台31。拾取頭21是具有使夾頭22昇降、旋轉及X方向移動的未圖示的各驅動部。
中間平台部3是具有暫時性地載置晶粒D的中間平台31及用以識別中間平台31上的晶粒D的平台識別相機32。
接合部4是從中間平台31拾取晶粒D，接合於搬送來的基板S的封裝區域P上，或以在已經被接合於基板S的封裝區域P上的晶粒上層疊的形式接合。 接合部4是具有： 具備與拾取頭21同樣地將晶粒D吸附保持於前端的夾頭42(圖14也參照)之接合頭41； 使接合頭41移動於Y方向的Y驅動部43； 將基板S的封裝區域P的位置識別標記(未圖示)攝像，識別接合位置的基板識別相機44；及 將基板識別相機44驅動於X軸方向及Y軸方向的XY驅動部45。 藉由如此的構成，接合頭41是根據平台識別相機32的攝像資料來修正拾取位置･姿勢，從中間平台31拾取晶粒D，根據基板識別相機44的攝像資料來將晶粒D接合於基板S。
搬送部5是具有：將基板S抓住搬送的基板搬送爪51、及基板S移動的搬送道52。基板S是藉由以沿著搬送道52而設的未圖示的滾珠螺桿來驅動被設在搬送道52的基板搬送爪51的未圖示的螺帽(nut)而移動。藉由如此的構成，基板S是從基板供給部6沿著搬送道52來移動至接合位置，接合後，移動至基板搬出部7，將基板S交接至基板搬出部7。
控制部8是具備：儲存監視控制黏晶機10的各部的動作的程式(軟體)的記憶體，及實行被儲存於記憶體的程式的中央處理裝置(CPU)。
其次，利用圖15來說明有關晶粒供給部1的構成。圖15是表示圖13所示的晶粒供給部的主要部的概略剖面圖。
晶粒供給部1是具備：在水平方向(XY方向)移動的晶圓保持台12，及在上下方向移動的頂起單元13。晶圓保持台12是具有：保持晶圓環14的擴充環(expand ring)15，及將被保持於晶圓環14且黏著有複數的晶粒D的切割膠帶16定位於水平的支撐環17。頂起單元13是被配置於支撐環17的內側。
晶粒供給部1是在晶粒D的頂起時，使保持晶圓環14的擴充環15下降。其結果，被保持於晶圓環14的切割膠帶16會被拉伸，晶粒D的間隔會擴大，藉由頂起單元13來從晶粒D下方頂起晶粒D，使晶粒D的拾取性提升。另外，伴隨薄型化，將晶粒黏著於基板的黏著劑是從液狀成為薄膜狀，在晶圓11與切割膠帶16之間貼附被稱為晶粒黏結薄膜(DAF；Die Attach Film)18的薄膜狀的黏著材料。在具有晶粒黏結薄膜18的晶圓11中，切割是對於晶圓11與晶粒黏結薄膜18進行。因此，在剝離工序中，從切割膠帶16剝離晶圓11與晶粒黏結薄膜18。
黏晶機10是具有： 識別晶圓11上的晶粒D的姿勢與位置的晶圓識別相機24； 識別被載置於中間平台31的晶粒D的姿勢與位置的平台識別相機32；及 識別接合平台BS上的安裝位置的基板識別相機44。 必須修正識別相機間的姿勢偏差的是參與接合頭41的拾取的平台識別相機32，及參與接合頭41的往安裝位置的接合的基板識別相機44。在本實施例是與晶圓識別相機24、平台識別相機32及基板識別相機44一起使用實施形態的同軸照明103及斜光照明102來進行晶粒D的定位或表面檢查。
其次，利用圖16說明有關控制部8。圖16是圖13所示的黏晶機的控制系的概略構成的方塊圖。
控制系80是具備控制部8、驅動部86、訊號部87及光學系88。控制部8是大致區分主要具有以CPU構成的控制･運算裝置81、記憶裝置82、輸出入裝置83、匯流線84及電源部85。 記憶裝置82是具有： 以記憶處理程式等的RAM所構成的主記憶裝置82a； 以記憶控制所必要的控制資料或畫像資料等的HDD或SSD等所構成的輔助記憶裝置82b。 輸出入裝置83是具有： 顯示裝置狀態或資訊等的監視器83a； 輸入操作員的指示的觸控面板83b； 操作監視器的滑鼠83c；及 取入來自光學系88的畫像資料的畫像取入裝置83d。 又，輸出入裝置83是具有： 控制晶粒供給部1的XY機台(未圖示)或接合頭機台的ZY驅動軸、基板識別相機的XY驅動軸等的驅動部86之馬達控制裝置83e；及 取入或控制各種的感測器訊號或從照明裝置等的開關等的訊號部87取入或控制訊號的I/O訊號控制裝置83f。 在光學系88是包含晶圓識別相機24、平台識別相機32、基板識別相機44。控制･運算裝置81是經由匯流線84來將必要的資料取入、運算，將資訊發送至拾取頭21等的控制或監視器83a等。
控制部8是經由畫像取入裝置83d來將以晶圓識別相機24、平台識別相機32及基板識別相機44所攝像的畫像資料保存於記憶裝置82。藉由根據保存的畫像資料而程式化的軟體，利用控制･運算裝置81來進行晶粒D及基板S的封裝區域P的定位、晶粒D及基板S的表面檢查。根據控制･運算裝置81所算出的晶粒D及基板S的封裝區域P的位置，藉由軟體來經由馬達控制裝置83e作動驅動部86。藉由此程序進行晶圓上的晶粒的定位，以拾取部2及接合部4的驅動部來使動作，將晶粒D接合於基板S的封裝區域P上。使用的晶圓識別相機24、平台識別相機32及基板識別相機44是灰色標度、彩色等，將光強度數值化。
其次，利用圖17說明有關黏晶工序(半導體裝置的製造方法)。圖17是說明圖13所示的黏晶機的黏晶工序的流程圖。
在實施例的黏晶工序中，首先，將保持了貼附有從晶圓11分割的晶粒D的切割膠帶16的晶圓環14儲存於晶圓盒(未圖示)，搬入至黏晶機10。並且，準備基板S，搬入至黏晶機10。
(晶圓裝載：工序P1) 控制部8是從晶圓盒取出保持晶圓11的晶圓環14而載置於晶圓保持台12，將晶圓保持台12搬送至進行晶粒D的拾取的基準位置。其次，控制部8是從藉由晶圓識別相機24所取得的畫像，以晶圓11的配置位置會與該基準位置正確地一致的方式進行微調整(對準)。
(晶粒搬送：工序P2) 其次，控制部8是以預定間距來使載置有晶圓11的晶圓保持台12間距移動，保持於水平，藉此將最初被拾取的晶粒D配置於拾取位置。另外，晶粒D的拾取位置是亦為依據晶圓識別相機24的晶粒D的識別位置。晶圓11是預先藉由探針等的檢查裝置，按每個晶粒檢查，按每個晶粒產生顯示良、不良的地圖資料，記憶於控制部8的記憶裝置82。成為拾取對象的晶粒D為良品或不良品的判定是藉由地圖資料來進行。控制部8是當晶粒D為不良品時，以預定間距來使載置有晶圓11的晶圓保持台12間距移動，將其次被拾取的晶粒D配置於拾取位置，跳越不良品的晶粒D。
(晶粒定位：工序P3) 其次，控制部8是將晶圓識別相機24的照明裝置設定成晶粒定位用的照明裝置。例如，控制部8是將實施形態的定位用的同軸照明103點燈，將晶粒龜裂檢查用的斜光照明102熄燈。控制部8是藉由晶圓識別相機24來攝影拾取對象的晶粒D的主面(上面)，取得畫像。從取得的畫像算出來自拾取對象的晶粒D的上述拾取位置的位置偏差量，測定晶粒D的位置。控制部8是以此位置偏差量為基礎，使載置有晶圓11的晶圓保持台12移動，將拾取對象的晶粒D正確地配置於拾取位置。
(晶粒表面檢查：工序P4) 其次，控制部8是利用藉由晶圓識別相機24所取得的畫像，進行拾取對象晶粒D的表面檢查。在此，控制部8是當判定成在晶粒D的表面無問題時，後述的晶粒龜裂檢查後，往次工序(後述的工序P9)前進，但當判定成有問題時，進行跳越處理或錯誤停止。跳越處理是跳越對於晶粒D的工序P9以後，移動至工序P2。
控制部8是將晶圓識別相機24的照明裝置變更成晶粒龜裂檢查用的照明裝置。例如，控制部8是將實施形態的定位用的同軸照明103熄燈，將晶粒龜裂檢查用的斜光照明102點燈。控制部8是藉由晶圓識別相機24來將拾取對象的晶粒D的主面攝影，取得畫像，而進行晶粒龜裂檢查。在此，控制部8是當判定成在晶粒D的表面無問題時，往次工序(後述的工序P9)前進，但當判定成有問題時，進行跳越處理或錯誤停止。跳越處理是跳越對於晶粒D的工序P9以後的處理，移動至工序P2。
(基板裝載：工序P5、基板搬送：工序P6) 控制部8是以基板供給部6來將基板S載置於搬送道52。控制部8是使將基板S抓住搬送的基板搬送爪51移動至接合位置。
(基板定位：工序P7) 其次，控制部8是將基板識別相機44移動至接合對象的封裝區域P的攝像位置(接合標籤攝像位置)。控制部8是將基板識別相機44的照明裝置設定成基板定位用的照明裝置。例如，控制部8是將實施形態的定位用的同軸照明103點燈，將晶粒龜裂檢查用的斜光照明102熄燈。控制部8是藉由基板識別相機44來攝影基板S，取得畫像。從取得的畫像算出基板S的封裝區域P的位置偏差量而測定位置。控制部8是以此位置偏差量為基礎使基板S移動，進行將接合對象的封裝區域P正確地配置於接合位置的定位。
(基板表面檢查：工序P8) 其次，控制部8是利用藉由基板識別相機44所取得的畫像，進行基板S的封裝區域P的表面檢查。在此，控制部8是判定表面檢查是否有問題，當判定成在基板S的封裝區域P的表面無問題時，往次工序(後述的工序P9)前進，當判定成有問題時，以目視確認表面畫像，或進一步進行高感度的檢查或改變照明條件等的檢查，有問題時是跳越處理，無問題時是進行次工序的處理。跳越處理是跳越對於基板S的封裝區域P的該當標籤(tab)的工序P13以後的處理，將封裝區域P的表面為不良的意旨的資訊登錄於基板動工資訊。
(晶粒操縱(handling)：工序P9、中間平台載置：工序P10) 控制部8是藉由晶粒供給部1來將拾取對象的晶粒D正確地配置於拾取位置之後，藉由包含夾頭22的拾取頭21來從切割膠帶16拾取晶粒D，載置於中間平台31。
(晶粒位置檢查：工序P11) 控制部8是以平台識別相機32攝像而進行載置於中間平台31的晶粒的姿勢偏差(旋轉偏差)的測出。控制部8是當有姿勢偏差時，藉由被設在中間平台31的迴旋驅動裝置(未圖示)來使中間平台31迴旋於與具有安裝位置的安裝面平行的面而修正姿勢偏差。
(晶粒表面檢查：工序P12) 控制部8是利用藉由平台識別相機32所取得的畫像，進行晶粒D的表面檢查。在此，控制部8是當判定成在晶粒D的表面無問題時，晶粒龜裂檢查後，往次工序(後述的工序P13)前進，但當判定成有問題時，進行跳越處理或錯誤停止。跳越處理是將該晶粒載置於未圖示的不良品托盤等，跳越對於晶粒D的工序P13以後的處理，移動至工序P2。
控制部8是將平台識別相機32的照明裝置變更成晶粒龜裂檢查用的照明裝置。例如，控制部8是將實施形態的定位用的同軸照明103熄燈，將晶粒龜裂檢查用的斜光照明102點燈。控制部8是藉由平台識別相機32來攝影載置於中間平台31的晶粒D的主面，取得畫像，進行晶粒龜裂檢查。在此，控制部8是當判定成在晶粒D的表面無問題時，往次工序(後述的工序P13)前進，但當判定成有問題時，進行跳越處理或錯誤停止。跳越處理是跳越對於晶粒D的工序P13以後的處理，移動至工序P2。
(晶粒黏結(Die Attach)：工序P13) 控制部8是藉由包含夾頭42的接合頭41來從中間平台31拾取晶粒D，黏晶於基板S的封裝區域P或已被接合於基板S的封裝區域P的晶粒。
(晶粒與基板的相對位置檢查：工序P14) 其次，控制部8是將基板識別相機44的照明裝置設定成晶粒定位用的照明裝置。例如，控制部8是將實施形態的定位用的同軸照明103點燈，將晶粒龜裂檢查用的斜光照明102熄燈。控制部8是藉由基板識別相機44來攝影晶粒D，取得畫像。從取得的畫像測定晶粒D的位置。控制部8是將晶粒D接合之後，檢查該接合位置是否正確。此時，與晶粒的對位同樣地求取晶粒的中心及標籤(tab)的中心，檢查相對位置是否正確。
(晶粒與基板的表面檢查：工序P15) 控制部8是利用藉由基板識別相機44所取得的畫像，進行晶粒D的表面檢查。在此，控制部8是當判定成在晶粒D的表面無問題時，往次工序(工序P2)前進，但當判定成有問題時，進行跳越處理或錯誤停止。在跳越處理中，將封裝區域P的表面為不良的意旨的資訊登錄於基板動工資訊，移動至工序P2。
其次，控制部8是將基板識別相機44的照明裝置設定成晶粒龜裂檢查用的斜光照明。例如，控制部8是將實施形態的定位用的同軸照明103熄燈，將晶粒龜裂檢查用的斜光照明102點燈。控制部8是藉由基板識別相機44來攝影晶粒D，取得畫像，進行晶粒龜裂檢查。在此，控制部8是當判定成在晶粒D的表面無問題時，往次工序(工序P2)前進，但當判定成有問題時，進行跳越處理或錯誤停止。在跳越處理中，將封裝區域P的表面為不良的意旨的資訊登錄於基板動工資訊，移動至工序P2。
(基板搬送：工序P16、基板卸載：工序P17) 以後，晶粒D會1個1個按照同樣的程序來接合於基板S的封裝區域P。若1個的基板的接合完了，則以基板搬送爪51來將基板S移動至基板搬出部7，將基板S交接給基板搬出部7。
(晶圓卸載：工序P18) 以後，晶粒D會按照同樣的程序來1個1個從切割膠帶16剝下(工序P9)。若除去不良品的所有的晶粒D的拾取完了，則將以晶圓11的外形來保持該等晶粒D的切割膠帶16及晶圓環14等往晶圓盒卸載。
如上述般，晶粒D是經由晶粒黏結薄膜18來安裝於基板S上，從黏晶機搬出。然後，在打線接合工序經由Au接線來與基板S的電極電性連接。層疊品時是接著安裝有晶粒D的基板S會被再搬入至黏晶機，在被安裝於基板S上的晶粒D上，經由晶粒黏結薄膜18來層疊第2晶粒D，從黏晶機搬出之後，在打線接合工序經由Au接線來與基板S的電極電性連接。第2晶粒D是以前述的方法來從切割膠帶16剝離之後，被搬送至顆粒連接工序，層疊於晶粒D上。上述工序重複預定次數之後，將基板S搬送至模製工序，以模製樹脂(未圖示)來密封複數個的晶粒D及Au接線，藉此完成層疊封裝。
龜裂的表面檢查是在進行晶粒位置識別的場所的晶粒供給部、中間平台及接合平台的至少1處進行即可，但在所有之處進行為更理想。若在晶粒供給部進行，則可早測出龜裂。若在中間平台進行，則可接合前測出在晶粒供給部無法測出的龜裂或在拾取工序以後發生的龜裂(在比接合工序更之前未表面化的龜裂)。又，若在接合平台進行，則可在層疊其次的晶粒之接合前或基板排出前測出在晶粒供給部及中間平台無法測出的龜裂(在比接合工序更之前未表面化的龜裂)或在接合工序以後發生的龜裂。
以上，根據實施形態及實施例具體說明本案者們所研發者，但本案不是被限定於上述實施形態及實施例，當然可實施各種變更。
例如，實施例是在晶粒位置識別之後進行晶粒外觀檢查識別，但亦可在晶粒外觀檢查識別之後進行晶粒位置識別。
又，實施例是在晶圓的背面貼附有DAF，但亦可無DAF。
又，實施例是分別具備1個拾取頭及接合頭，但亦可分別為2個以上。又，實施例是具備中間平台，但亦可無中間平台。此情況，拾取頭與接合頭是亦可兼用。
又，實施例是將晶粒的表面設為上面接合，但亦可使拾取後晶粒的表背反轉，將晶粒的背面設為上面接合晶粒。此情況，中間平台是亦可不設。此裝置是稱為覆晶黏晶機(Flip Chip Bonder)。
又，實施例是具備接合頭，但亦可無接合頭。此情況，被拾取的晶粒是被載置於容器等。此裝置是稱為拾取裝置。又，此情況的龜裂的表面檢查是即使在載置被拾取的晶粒的容器等也亦可實施。
又，亦可在從基板供給部6沿著搬送道52移動基板S至接合位置之間更設置預製(preform)相機(預檢查相機)。預檢查相機是可在層疊製品的第二關(second-pass)以後檢查接合完了的晶粒的表面(異物及龜裂)。龜裂檢查是使用斜光照明。除此以外的外觀檢查是使用同軸照明。
又，亦可在從接合位置沿著搬送道52移動基板S至基板搬出部7之間更設置後檢查相機。後檢查相機是可與接合循環分離來檢查接合完了的晶粒的表面。龜裂檢查是使用斜光照明。除此以外的外觀檢查是使用同軸照明。藉此，可提高生產性。
100:黏晶裝置 101:相機(攝像裝置) 102:斜光照明(第二照明裝置) 102a:發光部(第二發光部) 103:同軸照明(第一照明裝置) 103a:發光部(第一發光部) 103b:半透明反射鏡(半透過鏡) 103c:鏡筒(筒) 104:光路控制構件 110:控制裝置 D:晶粒
[圖1(a)]是表示相機及晶粒龜裂檢查用的斜光照明的配置的圖，[圖1(b)]是表示相機及晶粒定位用的同軸照明的配置的圖。 [圖2]是表示將斜光照明配置於同軸照明的上方時的斜光照明的光路的圖。 [圖3]是表示圖2所示的斜光照明的光路之中透過半透明反射鏡的光路的圖，圖3(a)是照射龜裂區域時的圖，圖3(b)是照射無龜裂的區域時的圖。 [圖4]是表示圖2所示的斜光照明的光路之中照射同軸照明的發光部的光路的圖，圖4(a)是照射龜裂區域時的圖，圖4(b)是照射無龜裂的區域時的圖。 [圖5]是表示暗視野畫像與明視野畫像的合成的映像的圖。 [圖6]是表示實施形態的黏晶裝置的相機及對攝像對象的晶粒照射畫像攝影用的光的照明裝置的配置的圖。 [圖7(a)]是表示圖2所示的照明裝置的光路的圖，[圖7(b)]是表示圖6所示的照明裝置的光路的圖。 [圖8(a)]是表示安裝於斜光照明的發光部的百葉的立體圖，[圖8(b)]是表示設置了圖8(a)的斜光照明的狀態的光路的正面圖，[圖8(c)]是表示安裝於斜光照明的發光部的蜂巢百葉的立體圖，[圖8(d)]是表示安裝於斜光照明的發光部的遮光罩的立體圖。 [圖9]是表示在圖6所示的實施形態的斜光照明及同軸照明的雙方安裝了偏光濾光片時的光路的圖。 [圖10(a)]是表示圖6所示的實施形態的同軸照明的窗框構造的變更的上面圖，[圖10(b)]是圖10(a)的剖面圖。 [圖11]是表示圖6所示的實施形態的同軸照明的發光部的配置的變更的剖面圖。 [圖12]是表示將圖6所示的實施形態的同軸照明變更成透鏡鏡筒內的同軸照明時的照明裝置的配置的圖。 [圖13]是表示實施例的黏晶機的構成例的概略上面圖。 [圖14]是說明在圖13中從箭號A方向看時的概略構成的圖。 [圖15]是表示圖13所示的晶粒供給部的主要部的概略剖面圖。 [圖16]是表示圖13所示的黏晶機的控制系的概略構成的方塊圖。 [圖17]是說明圖13的黏晶機的黏晶工序的流程圖。
100:黏晶裝置
101:相機(攝像裝置)
101a:物透鏡
102:斜光照明(第二照明裝置)
102a:發光部(第二發光部)
103:同軸照明(第一照明裝置)
103a:發光部(第一發光部)
103b:半透明反射鏡(半透過鏡)
103c:鏡筒(筒)
104:光路控制構件
110:控制裝置
D:晶粒

Claims (18)

  1. 一種黏晶裝置，其特徵係具備： 將晶粒攝像的攝像裝置； 沿著前述攝像裝置的光軸來將光照射至前述晶粒的第一照明裝置； 位於前述第一照明裝置的上方，以對於前述光軸而言預定的角度來照射光至前述晶粒的第二照明裝置；及 控制前述攝像裝置、前述第一照明裝置及前述第二照明裝置的控制裝置， 前述第一照明裝置係在筒內具備：具有面發光光源的第一發光部，及將從前述第一發光部發出的第一照射光照射至前述晶粒的上面的半透過鏡， 前述第二照明裝置係具備：第二發光部，及限制從前述第二發光部發出的第二照射光的光路的光路控制構件，被配置為藉由前述光路控制構件來限制光路的前述第二照射光會通過前述筒內而照射至前述晶粒的上面， 前述控制裝置係被構成為檢查前述晶粒的龜裂時，將前述第一照明裝置熄燈，且將前述第二照明裝置點燈，從前述第二照明裝置照射前述第二照射光至前述晶粒的上面。
  2. 如請求項1的黏晶裝置，其中，前述光路控制構件為光路控制薄膜或遮光百葉或光纖板或光學透鏡或菲涅耳透鏡或照明遮光罩。
  3. 如請求項1的黏晶裝置，其中，前述第一照明裝置更具備：被安裝於前述第一發光部的前述半透過鏡側，限制來自前述第二照明裝置的前述第二照射光的光路之第一光路控制構件。
  4. 如請求項3的黏晶裝置，其中，前述第一光路控制構件為遮光百葉或照明遮光罩或光路控制薄膜。
  5. 如請求項3的黏晶裝置，其中，前述第一光路控制構件為第一偏光濾光片，前述光路控制構件為透過軸會與前述第一偏光濾光片正交的第二偏光濾光片。
  6. 一種黏晶裝置，其特徵係具備： 將晶粒攝像的攝像裝置； 沿著前述攝像裝置的光軸來將光照射至前述晶粒的第一照明裝置； 位於前述第一照明裝置的上方，以對於前述光軸而言預定的角度來照射光至前述晶粒的第二照明裝置；及 控制前述攝像裝置、前述第一照明裝置及前述第二照明裝置的控制裝置， 前述第一照明裝置係在筒內具備：具有面發光光源的第一發光部，及將從前述第一發光部發出的第一照射光照射至前述晶粒的上面的半透過鏡， 前述第二照明裝置係具備第二發光部，被配置為從前述第二發光部照射的第二照射光會通過前述筒內來照射至前述晶粒的上面， 前述第一照明裝置係更具備遮蔽從前述第二發光部照射的前述第二照射光的一部分的遮光部或限制從前述第二發光部照射的前述第二照射光的光路的第一光路限制構件， 前述控制裝置係被構成為檢查前述晶粒的龜裂時，將前述第一照明裝置熄燈，且將前述第二照明裝置點燈，從前述第二照明裝置照射前述第二照射光至前述晶粒的上面。
  7. 如請求項6的黏晶裝置，其中，前述遮光部為被安裝於前述第一發光部的前述半透過鏡側的遮光百葉或照明遮光罩或光路控制薄膜。
  8. 如請求項6的黏晶裝置，其中，前述筒係具備具有窗的頂部， 前述遮光部為具有前述窗的前述頂部，該前述窗係被形成為從前述第二發光部照射的前述第二照射光不會入光至前述第一發光部。
  9. 如請求項6的黏晶裝置，其中，前述筒係具備具有窗的頂部， 前述遮光部為前述頂部， 前述第一發光部係被配置於從前述第二發光部照射的前述第二照射光不入光的位置。
  10. 一種黏晶裝置，其特徵係具備： 將晶粒攝像的攝像裝置； 沿著前述攝像裝置的光軸來將光照射至前述晶粒的第一照明裝置； 位於比前述第一照明裝置的下端更上方，以對於前述光軸而言預定的角度來照射光至前述晶粒的第二照明裝置；及 控制前述攝像裝置、前述第一照明裝置及前述第二照明裝置的控制裝置， 前述第一照明裝置係在筒內具備：具有面發光光源的第一發光部，及將從前述第一發光部發出的第一照射光照射至前述晶粒的上面的半透過鏡， 前述第二照明裝置係具備第二發光部，被配置為從前述第二發光部照射的第二照射光不會通過前述筒內，被照射至前述晶粒的上面， 前述控制裝置係被構成為檢查前述晶粒的龜裂時，將前述第一照明裝置熄燈，且將前述第二照明裝置點燈，從前述第二照明裝置照射前述第二照射光至前述晶粒的上面。
  11. 如請求項1~10的任一項的黏晶裝置，其中，更具備具有晶圓環夾具的晶粒供給部，該晶圓環夾具係保持貼附有前述晶粒的切割膠帶， 前述控制裝置係被構成為使用前述攝像裝置及前述第一照明裝置以及前述第二照明裝置來將被貼附於前述切割膠帶的前述晶粒攝像。
  12. 如請求項1~10的任一項的黏晶裝置，其中，更具備：將前述晶粒接合於基板或已被接合的晶粒上之接合頭， 前述控制裝置係被構成為使用前述攝像裝置及前述第一照明裝置以及前述第二照明裝置來將被接合於前述基板或已被接合於前述基板的前述晶粒上的前述晶粒攝像。
  13. 如請求項1~10的任一項的黏晶裝置，其中，更具備：拾取前述晶粒的拾取頭，及載置前述被拾取的晶粒的中間平台， 前述控制裝置係被構成為使用前述攝像裝置及前述第一照明裝置以及前述第二照明裝置來將被載置於前述中間平台上的晶粒攝像。
  14. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係包含： (a)將基板搬入至請求項1~10的任一項的黏晶裝置的工序； (b)將保持貼附有晶粒的切割膠帶的晶圓環夾具搬入的工序； (c)拾取前述晶粒的工序；及 (d)將前述拾取的晶粒接合於前述基板或已被接合於前述基板的晶粒上的工序。
  15. 如請求項14的半導體裝置的製造方法，其中， 前述(c)工序是包含：將前述被拾取的前述晶粒載置於中間平台的工序， 前述(d)工序係包含：拾取被載置於前述中間平台的晶粒的工序。
  16. 如請求項14的半導體裝置的製造方法，其中，前述(c)工序係使用前述攝像裝置及前述第一照明裝置以及前述第二照明裝置來將被貼附於前述切割膠帶的前述晶粒攝像。
  17. 如請求項14的半導體裝置的製造方法，其中，前述(d)工序係包含：使用前述攝像裝置及前述第一照明裝置以及前述第二照明裝置來將被接合於前述基板或已被接合於前述基板的前述晶粒上的前述晶粒攝像的工序。
  18. 如請求項15的半導體裝置的製造方法，其中，前述(d)工序係包含：使用前述攝像裝置及前述第一照明裝置以及前述第二照明裝置來將被載置於前述中間平台上的前述晶粒攝像的工序。
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