TW202213444A - 暫時固定用積層膜及其製造方法、暫時固定用積層體以及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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宮澤笑
川守崇司
大山恭之
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Abstract

本發明揭示有一種用於暫時固定半導體構件和支撐構件之暫時固定用積層膜的製造方法。該暫時固定用積層膜的製造方法具備如下步驟：在金屬箔的一面側設置第1固化性樹脂層且在前述金屬箔的另一面側設置第2固化性樹脂層以獲得暫時固定用積層膜。又，本發明還揭示有用於暫時固定半導體構件和支撐構件之暫時固定用積層膜。該暫時固定用積層膜依序具備第1固化性樹脂層、金屬箔及第2固化性樹脂層。

Description

暫時固定用積層膜及其製造方法、暫時固定用積層體以及半導體裝置的製造方法
本揭示有關一種暫時固定用積層膜及其製造方法、暫時固定用積層體以及半導體裝置的製造方法。
在半導體裝置的領域中，近年來，與將複數個半導體元件積層而成之被稱為SIP（System in Package：系統級封裝）之封裝體相關之技術顯著發展。在SIP型封裝體中積層有多個半導體元件，因此要求半導體元件的厚度薄化。依據該要求，對於半導體元件，在半導體構件（例如，半導體晶圓）上安裝積體電路之後，例如實施研削半導體構件的背面之厚度薄化、切割半導體晶圓之個體化等加工處理。關於該等半導體構件的加工處理，通常藉由暫時固定材料層，將半導體構件暫時固定於支撐構件上來進行（例如，參閱專利文獻1～專利文獻3。）。
實施了加工處理之半導體構件經由暫時固定材料層與支撐構件牢固地固定。因此，在半導體裝置的製造方法中，要求能夠在防止半導體構件的損壞等的同時，將加工處理後的半導體構件從支撐構件分離。在專利文獻1中，作為將該種半導體構件進行分離之方法，揭示有一邊加熱暫時固定材料層一邊進行物理分離之方法。又，在專利文獻2、專利文獻3中，揭示有藉由向暫時固定材料層照射雷射光（同調光）來分離半導體構件之方法。
[專利文獻1]日本特開2012-126803號公報 [專利文獻2]日本特開2016-138182號公報 [專利文獻3]日本特開2013-033814號公報
然而，在專利文獻1中所揭示之方法中，存在如下問題：在半導體晶圓上產生由熱歷史引起之損壞等而導致產率降低。另一方面，在專利文獻2、專利文獻3中所揭示之方法中，存在如下問題：（i）雷射光的照射面積窄而需要對半導體構件整體重複照射多次，（ii）需要控制雷射光的焦點來進行掃描照射，因此步驟變得複雜，（iii）需要昂贵的裝置等。
本揭示的主要目的為提供一種能夠形成被暫時固定之半導體構件與支撐構件的分離性優異之暫時固定材料層的暫時固定用積層膜及其製造方法。
本發明人等進行深入研究之結果，發現藉由將具備金屬箔和夾著該金屬箔之兩個固化性樹脂層之積層膜用作暫時固定材料層，能夠以更低的光照射能量來分離被暫時固定之半導體構件和支撐構件，從而完成了本揭示的發明。
本揭示的一方面有關一種用於暫時固定半導體構件和支撐構件之暫時固定用積層膜的製造方法。該暫時固定用積層膜的製造方法具備如下步驟：在金屬箔的一面側設置第1固化性樹脂層且在金屬箔的另一面側設置第2固化性樹脂層以獲得暫時固定用積層膜。依據藉由該種製造方法所獲得之暫時固定用積層膜，能夠形成被暫時固定之半導體構件與支撐構件的分離性優異之暫時固定材料層。由暫時固定用積層膜形成之暫時固定材料層發揮該種效果之原因並不一定明確，但是本發明人等認為這是因為，能夠抑制藉由光照射而在暫時固定材料層中的金屬箔中所產生之熱向支撐構件擴散，從而能夠以更低的光照射能量來促進暫時固定材料層的溫度上升。
從高膨脹係數、高導熱等觀點考慮，構成金屬箔之金屬可以為選自由銀、金、鉑、銅、鈦、鎳、鉬、鉻及鋁組成的組中之至少一種。
本揭示的另一方面有關一種用於暫時固定半導體構件和支撐構件之暫時固定用積層膜。該暫時固定用積層膜依序具備第1固化性樹脂層、金屬箔及第2固化性樹脂層。構成金屬箔之金屬例如可以為選自由銀、金、鉑、銅、鈦、鎳、鉬、鉻及鋁組成的組中之至少一種。
本揭示的另一方面有關一種暫時固定用積層體。該暫時固定用積層體具備支撐構件和設置於前述支撐構件上之暫時固定材料層。暫時固定材料層從支撐構件起依序具備第1固化性樹脂層、金屬箔及第2固化性樹脂層。依據該種暫時固定用積層體，具備依序具備第1固化性樹脂層、金屬箔及第2固化性樹脂層之暫時固定材料層，因此能夠以更低的光照射能量來將被暫時固定之半導體構件從支撐構件分離。認為這是因為，與上述相同地，能夠抑制藉由光照射而在暫時固定材料層中的金屬箔中所產生之熱向支撐構件擴散，從而能夠以更低的光照射能量來促進暫時固定材料層的溫度上升。
本揭示的另一方面有關一種半導體裝置的製造方法。該半導體裝置的製造方法具備：準備上述暫時固定用積層體之步驟；將半導體構件經由暫時固定材料層暫時固定於支撐構件上之步驟；對暫時固定於支撐構件上之半導體構件進行加工之步驟；從支撐構件側向暫時固定用積層體照射光以將半導體構件從支撐構件分離之步驟。依據該種半導體裝置的製造方法，使用上述暫時固定用積層體，因此能夠以更低的光照射能量來將被暫時固定之半導體構件從支撐構件分離。
光可以為非同調光。非同調光可以為至少包括紅外光之光。
光的光源可以為氙燈。 [發明效果]
依據本揭示，提供一種能夠形成被暫時固定之半導體構件與支撐構件的分離性優異之暫時固定材料層的暫時固定用積層膜及其製造方法。又，依據本揭示，提供一種具備該種暫時固定材料層之暫時固定用積層體及使用了暫時固定用積層體之半導體裝置的製造方法。
以下，適當參閱圖式並對本揭示的實施形態進行說明。但是，本揭示並不限定於以下實施形態。在以下實施形態中，除非另有指示，則其構成要件（亦包括步驟等）不是必須的。各圖中之構成要件的大小係概念性的，構成要件之間的大小的相對關係並不限定於各圖所示者。
對本說明書中之數值及其範圍亦相同，並不限制本揭示。在本說明書中，使用“～”所表示之數值範圍表示包含“～”前後中所記載之數值分別作為最小值及最大值之範圍。在本說明書中階段性地記載之數值範圍中，一個數值範圍中所記載之上限值或下限值可以替換為其他階段性記載的數值範圍的上限值或下限值。又，在本說明書中所記載之數值範圍中，其數值範圍的上限值或下限值可以替換為實施例所示之值。
在本說明書中，（甲基）丙烯酸表示丙烯酸或與其對應之甲基丙烯酸。對（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯醯基等其他類似表述亦相同。
[暫時固定用積層膜] 圖1係表示暫時固定用積層膜的一實施形態之示意剖視圖。圖1所示之暫時固定用積層膜10為用於暫時固定半導體構件和支撐構件者。更具體而言，在半導體裝置的製造中，暫時固定用積層膜10用於形成在對半導體構件進行加工期間用於將半導體構件臨時固定於支撐構件上的層（暫時固定材料層）。暫時固定用積層膜10依序具備第1固化性樹脂層14、金屬箔12及第2固化性樹脂層16。換言之，暫時固定用積層膜10具備：金屬箔12；第1固化性樹脂層14，設置於金屬箔12的第1面12a上；第2固化性樹脂層16，設置於金屬箔12的與第1面12a相反側的面亦即第2面12b上。依據該種暫時固定用積層膜，能夠形成被暫時固定之半導體構件與支撐構件的分離性優異之暫時固定材料層。
金屬箔12可以為由吸收光而產生熱之金屬形成之金屬箔。金屬箔12可以為由吸收包括紅外光之光而產生熱之金屬形成之金屬箔。作為構成該種金屬箔之金屬，例如可以舉出銀、金、鉑、銅、鈦、鎳、鉬、鉻、鋁等單一金屬；SUS、鎳鉻合金、硬鋁、青銅、白銅、黃銅、鋼等合金等。從高膨脹係數、高導熱等觀點考慮，構成金屬箔12之金屬可以為選自由銀、金、鉑、銅、鈦、鎳、鉬、鉻及鋁組成的組中之至少一種，亦可以為銅。金屬箔例如可以包括具有光澤之光澤面和不具有光澤的非光澤面。在將暫時固定用積層膜10的第1固化性樹脂層14黏貼於支撐構件上而形成暫時固定材料層之情況下，可以抑制光照射中之光的反射，因此暫時固定用積層膜10中之金屬箔12的第1面12a為非光澤面為較佳。
從製造暫時固定用積層膜時的處理性等觀點考慮，金屬箔12的厚度例如可以為超過5μm、6μm以上或8μm以上。從藉由抑制散熱來促進溫度上升等觀點考慮，金屬箔12的厚度例如可以為100μm以下、80μm以下、60μm以下、50μm以下、40μm以下、30μm以下或20μm以下。
第1固化性樹脂層14及第2固化性樹脂層16為包含藉由熱或光而固化之固化性樹脂成分之層，亦可以為由固化性樹脂成分形成之層。固化性樹脂成分可以為藉由熱或光而固化之固化性樹脂成分。第1固化性樹脂層14中之構成固化性樹脂成分之成分及第2固化性樹脂層16中之構成固化性樹脂成分之成分可以彼此相同，亦可以彼此不同。從製造暫時固定用積層膜的觀點考慮，第1固化性樹脂層14中之固化性樹脂成分（構成固化性樹脂成分之各成分）及第2固化性樹脂層16中之固化性樹脂成分（構成固化性樹脂成分之各成分）彼此相同為較佳。
固化性樹脂成分例如可以為包含熱塑性樹脂及熱固化性樹脂之固化性樹脂成分。
熱塑性樹脂可以為具有熱塑性之樹脂或至少在未固化狀態下具有熱塑性且在加熱後形成交聯結構之樹脂。作為熱塑性樹脂，例如可以舉出烴樹脂、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚醚碸、聚醚醯亞胺、聚醯亞胺、石油樹脂、酚醛清漆樹脂等。該等可以單獨使用一種或組合使用兩種以上。該等之中，熱塑性樹脂可以為烴樹脂。
烴樹脂為主骨架由烴構成之樹脂。作為該種烴樹脂，例如可以舉出乙烯-丙烯共聚物、乙烯-1-丁烯共聚物、乙烯-丙烯-1-丁烯共聚物彈性體、乙烯-1-己烯共聚物、乙烯-1-辛烯共聚物、乙烯-苯乙烯共聚物、乙烯-降莰烯共聚物、丙烯-1-丁烯共聚物、乙烯-丙烯-非共軛二烯共聚物、乙烯-1-丁烯-非共軛二烯共聚物、乙烯-丙烯-1-丁烯-非共軛二烯共聚物、聚異戊二烯、聚丁二烯、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物（SBS）、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物（SIS）、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物（SEBS）、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物（SEPS）等。該等烴樹脂可以實施氫化處理。又，該等烴樹脂可以藉由順丁烯二酸酐等進行羧基改質。該等之中，烴樹脂可以包括包含源自苯乙烯之單體單元之烴樹脂（苯乙烯系樹脂），亦可以包括苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物（SEBS）。
熱塑性樹脂的Tg可以為-100～500℃、-50～300℃或-50～50℃。存在如下傾向：若熱塑性樹脂的Tg為500℃以下，則在形成膜狀的暫時固定材料時，容易確保柔軟性，從而能夠提高低溫黏貼性。存在如下傾向：若熱塑性樹脂的Tg為-100℃以上，則在形成膜狀的暫時固定材料時，能夠抑制由於柔軟性過高而引起之處理性及剥離性的降低。
熱塑性樹脂的Tg為藉由差示掃描量熱法（DSC）所獲得之中間點玻璃轉移溫度值。具體而言，熱塑性樹脂的Tg為在升溫速度10℃/分鐘且測定溫度-80～80℃的條件下測定熱量變化，並藉由基於JIS K 7121之方法算出之中間點玻璃轉移溫度。
熱塑性樹脂的重量平均分子量（Mw）可以為1万～500万或10万～200万。存在如下傾向：若重量平均分子量為1万以上，則容易確保所形成之暫時固定材料層的耐熱性。存在如下傾向：若重量平均分子量為500万以下，則在形成膜狀的暫時固定材料層或樹脂層時，容易抑制流動性的降低及黏貼性的降低。再者，重量平均分子量為利用凝膠滲透層析法（GPC）並使用了基於標準聚苯乙烯之校準曲線之聚苯乙烯換算值。
熱塑性樹脂的含量例如相對於固化性樹脂成分的總量100質量份可以為40～90質量份。熱塑性樹脂的含量例如相對於固化性樹脂成分的總量100質量份可以為50質量份以上或60質量份以上，亦可以為85質量份以下或80質量份以下。存在如下傾向：若熱塑性樹脂的含量在上述範圍內，則暫時固定材料層的薄膜形成性及平坦性更加優異。
熱固化性樹脂表示藉由熱而固化之樹脂，並且為不包含上述熱塑性樹脂（烴樹脂）的概念。作為熱固化性樹脂，例如可以舉出環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、熱固化型聚醯亞胺樹脂、聚胺酯樹脂、三聚氰胺樹脂、脲樹脂等。該等可以單獨使用一種或組合使用兩種以上。該等之中，熱固化性樹脂的耐熱性、作業性及可靠性更加優異，因此可以為環氧樹脂。熱固化性樹脂可以與熱固化性樹脂固化劑（在使用環氧樹脂作為熱固化性樹脂之情況下為環氧樹脂固化劑）組合使用。
環氧樹脂只要為固化而具有耐熱作用者，則並無特別限定。作為環氧樹脂，例如可以舉出雙酚A型環氧等2官能環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂等脂環式環氧樹脂等。又，環氧樹脂例如可以為多官能環氧樹脂、縮水甘油基胺型環氧樹脂或含雜環的環氧樹脂。該等之中，從耐熱性及耐候性的觀點考慮，環氧樹脂可以包含脂環式環氧樹脂。
在使用環氧樹脂作為熱固化性樹脂之情況下，固化性樹脂成分可以包含環氧樹脂固化劑。環氧樹脂固化劑能夠使用通常使用之公知的固化劑。作為環氧樹脂固化劑，例如可以舉出胺；聚醯胺；酸酐；多硫化物；三氟化硼；雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型等在1分子中具有兩個以上之酚醛性羥基之雙酚、苯酚酚醛清漆樹脂、雙酚A型酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、酚醛芳烷基樹脂等酚醛樹脂等。
熱固化性樹脂及熱固化性樹脂固化劑的合計的含量相對於固化性樹脂成分的總量100質量份可以為10～60質量份。熱固化性樹脂及熱固化性樹脂固化劑的合計的含量相對於固化性樹脂成分的總量100質量份可以為15質量份以上或20質量份以上，亦可以為50質量份以下或40質量份以下。存在如下傾向：若熱固化性樹脂及熱固化性樹脂固化劑的合計的含量在上述範圍內，則暫時固定材料層的薄膜形成性、平坦性、耐熱性等更加優異。
固化性樹脂成分還可以包含固化促進劑。作為固化促進劑，例如可以舉出咪唑衍生物、二氰二胺衍生物、二羧酸二醯肼、三苯基膦、四苯基硼酸四苯基鏻、2-乙基-4-甲基咪唑-四苯基硼酸、1,8-二氮雜雙環[5,4,0]十一碳-7-四苯基硼酸等。該等可以單獨使用一種或組合使用兩種以上。
固化促進劑的含量相對於熱固化性樹脂及熱固化性樹脂固化劑的總量100質量份可以為0.01～5質量份。存在如下傾向：若固化促進劑的含量在上述範圍內，則固化性得到提高，耐熱性更加優異。
固化性樹脂成分還可以包含聚合性單體及聚合起始劑。聚合性單體只要為藉由加熱或紫外光等照射而聚合者，則並無特別限制。從材料的選擇性及容易獲得的觀點考慮，聚合性單體例如可以為乙烯性不飽和基等具有聚合性官能基之化合物。作為聚合性單體，例如可以舉出（甲基）丙烯酸酯、二氟亞乙烯、乙烯基醚、乙烯基酯、乙烯基吡啶、乙烯基醯胺、乙烯基芳基化等。該等之中，聚合性單體可以為（甲基）丙烯酸酯。（甲基）丙烯酸酯可以為單官能（1官能）、2官能或3官能以上中的任一個，但是從獲得充分的固化性的觀點考慮，亦可以為2官能以上的（甲基）丙烯酸酯。
作為單官能（甲基）丙烯酸酯，例如可以舉出（甲基）丙烯酸；（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸異丁酯、（甲基）丙烯酸第三丁酯、（甲基）丙烯酸丁氧基乙酯、（甲基）丙烯酸異戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸庚酯、（甲基）丙烯酸辛基庚酯、（甲基）丙烯酸壬酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸2-羥基乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基丙酯、（甲基）丙烯酸3-氯-2-羥基丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基丁酯、甲氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、乙氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯、乙氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯、單（2-（甲基）丙烯醯氧基乙基）琥珀酸酯（succinate）等脂肪族（甲基）丙烯酸酯；（甲基）丙烯酸苄酯、（甲基）丙烯酸苯酯、（甲基）丙烯酸鄰聯苯酯、（甲基）丙烯酸1-萘酯、（甲基）丙烯酸2-萘酯、（甲基）丙烯酸苯氧基乙酯、（甲基）丙烯酸對-異丙苯基苯氧基（Cumylphenoxy）乙酯、（甲基）丙烯酸鄰苯基苯氧基乙酯、（甲基）丙烯酸1-萘氧基乙酯、（甲基）丙烯酸2-萘氧基乙酯、苯氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、壬基苯氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、苯氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基-3-（鄰苯基苯氧基）丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基-3-（1-萘氧基）丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基-3-（2-萘氧基）丙酯等芳香族（甲基）丙烯酸酯等。
作為2官能（甲基）丙烯酸酯，例如可以舉出乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、二乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、三乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、四乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、二丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、三丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、四丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化聚丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、1,3-丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、1,4-丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、3-甲基-1,5-戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、1,6-己二醇二（甲基）丙烯酸酯、2-丁基-2-乙基-1,3-丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、1,9-壬二醇二（甲基）丙烯酸酯、1,10-癸二醇二（甲基）丙烯酸酯、甘油二（甲基）丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化2-甲基-1,3-丙二醇二（甲基）丙烯酸酯等脂肪族（甲基）丙烯酸酯；乙氧基化雙酚A型二（甲基）丙烯酸酯、丙氧基化雙酚A型二（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化雙酚A型二（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化雙酚F型二（甲基）丙烯酸酯、丙氧基化雙酚F型二（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化雙酚F型二（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化茀型二（甲基）丙烯酸酯、丙氧基化茀型二（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化茀型二（甲基）丙烯酸酯等芳香族（甲基）丙烯酸酯等。
作為3官能以上的多官能（甲基）丙烯酸酯，例如可以舉出三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、丙氧基化三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、新戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化新戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、丙氧基化新戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化新戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、新戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化新戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、丙氧基化新戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化新戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、二三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、二新戊四醇六（甲基）丙烯酸酯等脂肪族（甲基）丙烯酸酯；苯酚酚醛清漆型環氧（甲基）丙烯酸酯、甲酚酚醛清漆型環氧（甲基）丙烯酸酯等芳香族環氧（甲基）丙烯酸酯等。
該等（甲基）丙烯酸酯可以單獨使用一種或組合使用兩種以上。進而，可以將該等（甲基）丙烯酸酯與其他聚合性單體組合使用。
在固化性樹脂成分還包含聚合性單體之情況下，聚合性單體的含量相對於固化性樹脂成分的總量100質量份可以為10～60質量份。
聚合起始劑只要為藉由加熱或紫外光等照射而開始聚合者，則並無特別限制。例如，在使用具有乙烯性不飽和基之化合物作為聚合性單體之情況下，聚合起始劑可以為熱自由基聚合起始劑或光自由基聚合起始劑。
作為熱自由基聚合起始劑，例如可以舉出辛醯基過氧化物、月桂基過氧化物、十八烷基過氧化物、苯甲醯過氧化物等二醯基過氧化物；第三丁基過氧基新戊酸酯、第三己基過氧基新戊酸酯、1,1,3,3-四甲基丁基過氧基-2-乙基己酸酯、2,5-二甲基-2,5-雙（2-乙基己醇過氧化基）己烷、第三己基過氧基-2-乙基己酸酯、第三丁基過氧基-2-乙基己酸酯、過氧化異丁酸第三丁酯、過氧化異丙基單碳酸第三己酯、第三丁基過氧基-3,5,5-三甲基己酸酯、第三丁基過氧基月桂酸酯、過氧化異丙基單碳酸第三丁酯、第三丁基過氧基-2-乙基己基碳酸酯、過氧苯甲酸第三丁酯、過氧苯甲酸第三己酯、2,5-二甲基-2,5-雙（苯甲醯過氧化）己烷、過氧乙酸第三丁酯等過氧化酯；2,2’-偶氮二異丁晴、2,2’-偶氮雙（2,4-二甲基戊腈）、2,2’-偶氮雙（4-甲氧基-2’-二甲基戊腈）等偶氮化合物等。
作為光自由基聚合起始劑，例如可以舉出2,2-二甲氧基-1,2-二苯乙烷-1-酮等苯偶姻縮酮；1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-[4-（2-羥基乙氧基）苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮等α-羥基酮；雙（2,4,6-三甲基苯甲醯基）苯膦氧化物、雙（2,6-二甲氧基苯甲醯基）-2,4,4-三甲基戊基膦氧化物、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯膦氧化物等膦氧化物等。
該等熱自由基聚合起始劑及光自由基聚合起始劑可以單獨使用一種或組合使用兩種以上。
在固化性樹脂成分還包含聚合性單體及聚合起始劑之情況下，聚合起始劑的含量相對於聚合性單體的總量100質量份可以為0.01～5質量份。
固化性樹脂成分還可以包含絕緣性填料、增感劑、抗氧化劑等作為其他成分。
為了對樹脂層賦予低熱膨脹性、低吸濕性，可以添加絕緣性填料。作為絕緣性填料，例如可以舉出二氧化矽、氧化鋁、氮化硼、二氧化鈦、玻璃、陶瓷等非金屬無機填料等。該等絕緣性填料可以單獨使用一種或組合使用兩種以上。從與溶劑的分散性的觀點考慮，絕緣性填料可以為用表面處理劑對其表面進行處理之粒子。表面處理劑例如可以為矽烷偶合劑。
在固化性樹脂成分還包含絕緣性填料之情況下，絕緣性填料的含量相對於固化性樹脂成分的總量100質量份可以為5～20質量份。存在如下傾向：若絕緣性填料的含量在上述範圍內，則能夠在不妨礙光透射的情況下進一步提高耐熱性。又，若絕緣性填料的含量在上述範圍內，則亦有可能對輕剥離性有貢獻。
作為增感劑，例如可以舉出蒽、菲、䓛、苯并芘、丙二烯合茀、紅螢烯、芘、口山口星、陰丹酮、硫雜蒽-9-酮、2-異丙基-9H-硫雜蒽-9-酮、4-異丙基-9H-硫雜蒽-9-酮、1-氯-4‐丙氧基硫雜蒽酮等。
在固化性樹脂成分還包含增感劑之情況下，增感劑的含量相對於固化性樹脂成分的總量100質量份可以為0.01～10質量份。存在如下傾向：若增感劑的含量在上述範圍內，則對固化性樹脂成分的特性及薄膜性的影響少。
作為抗氧化劑，例如可以舉出苯醌、氫醌等醌衍生物、4-甲氧基酚醛、4-第三丁基鄰苯二酚等酚醛衍生物（受阻酚衍生物）、2,2,6,6-四甲基哌啶-1-氧基、4-羥基-2,2,6,6-四甲基哌啶-1-氧基等胺氧基衍生物、四甲基哌啶基甲基丙烯酸酯等受阻胺衍生物等。
在固化性樹脂成分還包含抗氧化劑之情況下，抗氧化劑的含量相對於固化性樹脂成分的總量100質量份可以為0.1～10質量份。存在如下傾向：若抗氧化劑的含量在上述範圍內，則抑制固化性樹脂成分的分解，能夠防止污染。
從光透射性的觀點考慮，第1固化性樹脂層14的厚度例如可以為200μm以下。第1固化性樹脂層14的厚度亦可以為0.1～150μm或1～100μm。
從應力鬆弛的觀點考慮，第2固化性樹脂層16的厚度例如可以為200μm以下。第1固化性樹脂層14的厚度亦可以為1～150μm或10～100μm。
第1固化性樹脂層14的厚度及第2固化性樹脂層16的厚度可以彼此相同，亦可以彼此不同。第1固化性樹脂層14的厚度例如可以小於第2固化性樹脂層16的厚度。從製造暫時固定用積層膜的觀點考慮，第1固化性樹脂層14的厚度及第2固化性樹脂層16的厚度彼此相同為較佳。
從暫時固定用積層膜的處理性的觀點考慮，暫時固定用積層膜10（第1固化性樹脂層14、金屬箔12及第2固化性樹脂層16的合計）的厚度可以為10μm以上、30μm以上或50μm以上，從基於光照射之易剥離性的觀點考慮，可以為400μm以下、300μm以下或200μm以下。
[暫時固定用積層膜的製造方法] 一實施形態的暫時固定用積層膜10的製造方法具備如下步驟：在金屬箔12的一面側設置第1固化性樹脂層14且在金屬箔12的另一面側設置第2固化性樹脂層16以獲得暫時固定用積層膜10。換言之，暫時固定用積層膜10的製造方法具備如下步驟：在金屬箔12的第1面12a側設置第1固化性樹脂層14且在金屬箔12的與第1面12a相反側的面亦即第2面12b側設置第2固化性樹脂層16以獲得暫時固定用積層膜10。
暫時固定用積層膜10的製造方法例如可以具備：在金屬箔12的一面（第1面12a）側設置第1固化性樹脂層14之步驟（第1步驟）；及在金屬箔12的另一面（第2面12b）側設置第2固化性樹脂層16之步驟（第2步驟）。關於暫時固定用積層膜10的製造方法，只要能夠在金屬箔12的兩面上設置固化性樹脂層（第1固化性樹脂層14及第2固化性樹脂層16），則第1步驟及第2步驟的順序並無特別限制。
在第1步驟中，例如，首先藉由在溶劑中對上述固化性樹脂成分進行攪拌混合、捏合等以使上述固化性樹脂成分溶解或分散，從而製備固化性樹脂成分的清漆。之後，使用刮刀塗佈機、輥塗機、塗抹器、缺角輪塗佈機、模塗佈機等將固化性樹脂成分的清漆塗佈於實施了脫模處理之支撐膜上之後，藉由加熱使溶劑揮發，從而在支撐膜上形成由固化性樹脂成分形成之第1固化性樹脂膜。此時，能夠藉由調整固化性樹脂成分的清漆的塗佈量來調整第1固化性樹脂膜（進而第1固化性樹脂層14）的厚度。接著，能夠藉由在金屬箔12的一面側黏貼第1固化性樹脂膜來設置第1固化性樹脂層14。
在固化性樹脂成分的清漆的製備中所使用之溶劑只要具有可以均勻地溶解或分散各成分之特性，則並無特別限制。作為該種溶劑，例如可以舉出甲苯、二甲苯、均三甲苯、異丙苯、對異丙基甲苯等芳香族烴；己烷、庚烷等脂肪族烴；甲基環己烷等環狀烷；四氫呋喃、1,4-二㗁烷等環狀醚；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮等酮；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、γ-丁內酯等酯；碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯等炭酸酯；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮等醯胺等。該等溶劑可以單獨使用一種或組合使用兩種以上。該等之中，從溶解性及沸點的觀點考慮，溶劑可以為甲苯、二甲苯、庚烷或環己酮。以清漆的總質量為基準，清漆中的固體成分濃度可以為10～80質量%。
製備固化性樹脂成分的清漆時的攪拌混合或捏合例如能夠使用攪拌機、壓碎機、三根輥、球磨機、珠磨機、勻相分散機等來進行。
作為支撐膜，例如可以舉出聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯；聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴；聚碳酸酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醚硫醚、聚醚碸、聚醚酮、聚苯醚、聚苯硫醚、聚（甲基）丙烯酸酯、聚碸、液晶聚合物的膜等。支撐膜的厚度例如可以為1～250μm。
關於使溶劑從塗佈於支撐膜上之固化性樹脂成分的清漆中揮發時的加熱條件，能夠依據所使用之溶劑等適當設定。加熱條件例如可以為40～120℃且0.1～30分鐘。
作為在金屬箔12的一個表面上黏貼第1固化性樹脂膜之方法，例如可以舉出熱壓、輥式層壓、真空層壓等方法。層壓例如能夠在0～120℃的溫度條件下進行。
從光透射性的觀點考慮，第1固化性樹脂膜的厚度例如可以為200μm以下。第1固化性樹脂膜的厚度亦可以為0.1～150μm或1～100μm。
第1固化性樹脂層14亦能夠藉由將固化性樹脂成分直接塗佈於金屬箔12的一個表面上來形成。在使用固化性樹脂成分的清漆之情況下，亦能夠藉由將固化性樹脂成分的清漆塗佈於金屬箔12的一個表面上並藉由加熱使溶劑揮發來形成。
在第2步驟中，以與第1步驟相同的方式製作第2固化性樹脂膜，並在金屬箔12的另一面側黏貼第2固化性樹脂膜，從而能夠設置第2固化性樹脂層16。第2固化性樹脂層16亦能夠藉由將固化性樹脂成分直接塗佈於金屬箔12的另一個表面上來形成。在使用固化性樹脂成分的清漆之情況下，亦能夠藉由將固化性樹脂成分的清漆塗佈於金屬箔12的另一個表面上並藉由加熱使溶劑揮發來形成。以該種方式能夠獲得暫時固定用積層膜10。
從應力鬆弛的觀點考慮，第2固化性樹脂膜的厚度例如可以為200μm以下。第2固化性樹脂膜的厚度亦可以為1～150μm或10～100μm。
第1固化性樹脂膜的厚度及第2固化性樹脂膜的厚度可以彼此相同，亦可以彼此不同。第1固化性樹脂膜的厚度例如可以小於第2固化性樹脂膜的厚度。從製造暫時固定用積層膜的觀點考慮，第1固化性樹脂膜的厚度及第2固化性樹脂膜的厚度彼此相同為較佳。
暫時固定用積層膜10的製造方法例如可以具備：準備將第1固化性樹脂膜、金屬箔及第2固化性樹脂膜依序積層而成之積層體之步驟；及將該積層體中之第1固化性樹脂膜及第2固化性樹脂膜黏貼於金屬箔的兩面上之步驟。若為該種製造方法，則固化性樹脂膜的黏貼製程為一次，因此能夠更有效地製造暫時固定用積層膜10。將第1固化性樹脂膜及第2固化性樹脂膜黏貼於金屬箔的兩面上之方法可以與第1步驟相同。
[暫時固定用積層體] 圖2係表示暫時固定用積層體的一實施形態之示意剖視圖。圖2所示之暫時固定用積層體20具備支撐構件22及設置於支撐構件22上之暫時固定材料層10A。暫時固定材料層10A從支撐構件22起依序具備第1固化性樹脂層14、金屬箔12及第2固化性樹脂層16。亦即，暫時固定材料層10A具備：金屬箔12；第1固化性樹脂層14，設置於金屬箔12的第1面12a上；第2固化性樹脂層16，設置於金屬箔12的與第1面12a相反側的面亦即第2面12b上。第2固化性樹脂層16包括暫時固定材料層10A的與支撐構件22相反側的最表面S。依據該種暫時固定用積層體20，具備依序具備第1固化性樹脂層14、金屬箔12及第2固化性樹脂層16之暫時固定材料層10A，因此能夠以更低的光照射能量來將被暫時固定之半導體構件從支撐構件分離。
金屬箔12例如可以包括具有光澤之光澤面和不具有光澤的非光澤面。此時，金屬箔12的第1面12a能夠抑制光照射中之光的反射，因此可以為非光澤面。
暫時固定用積層體20的製造方法只要可以獲得具有預定結構之積層體，則並無特別限制。暫時固定用積層體20例如亦能夠藉由包括在支撐構件22上黏貼上述暫時固定用積層膜10之步驟之方法來獲得。此時，暫時固定材料層10A可以為由上述暫時固定用積層膜10形成之層。在支撐構件22上黏貼暫時固定用積層膜10的第1固化性樹脂層14之情況下，暫時固定用積層膜10中之金屬箔12的第1面12a可以為非光澤面。
支撐構件22為具有高透射率且可以承受半導體構件在加工時所接收之負載之板狀體。作為支撐構件22，例如可以舉出無機玻璃基板、透明樹脂基板等。
支撐構件22的厚度例如可以為0.1～2.0mm。存在如下傾向：若支撐構件22的厚度為0.1mm以上，則容易操作。存在如下傾向：若支撐構件22的厚度為2.0mm以下，則能夠抑制材料成本。
作為在支撐構件22上黏貼上述暫時固定用積層膜10之方法，例如可以舉出熱壓、輥式層壓、真空層壓等方法。層壓例如能夠在0～120℃的溫度條件下進行。
暫時固定用積層體20亦能夠藉由除了包括在支撐構件22上黏貼上述暫時固定用積層膜10之步驟之方法以外的方法來獲得。暫時固定用積層體20例如亦能夠藉由如下方法來獲得，該方法為：包括準備支撐構件22之步驟和使第1固化性樹脂層14、金屬箔12及第2固化性樹脂層16積層並貼合於該支撐構件22上之步驟之方法；及包括準備具備支撐構件及設置於支撐構件上之第1固化性樹脂層之第1積層體以及具備金屬箔及設置於金屬箔上之第2固化性樹脂層之第2積層體之步驟和貼合第1積層體的第1固化性樹脂層14與第2積層體的金屬箔12之步驟之方法等。
[半導體裝置的製造方法] 一實施形態的半導體裝置的製造方法具備：準備上述暫時固定用積層體之步驟（準備步驟）；將半導體構件經由暫時固定材料層暫時固定於支撐構件上之步驟（暫時固定步驟）；對暫時固定於支撐構件上之半導體構件進行加工之步驟（加工步驟）；從支撐構件側向暫時固定用積層體照射光以將半導體構件從支撐構件分離之步驟（分離步驟）。依據該種半導體裝置的製造方法，使用上述暫時固定用積層體，因此能夠以更低的光照射能量來將被暫時固定之半導體構件從支撐構件分離。
（準備步驟） 在準備步驟中，為了製造半導體裝置，準備在對半導體構件進行加工期間用於將半導體構件暫時固定於支撐構件上的上述暫時固定用積層體20。
（暫時固定步驟） 圖3（a）及圖3（b）係表示半導體裝置的製造方法的一實施形態之示意剖視圖。在暫時固定步驟中，半導體構件40經由暫時固定材料層10A暫時固定於支撐構件22上。暫時固定材料層10A的暫時固定有半導體構件之一側的最表面S為第2固化性樹脂層16的表面。例如，在第2固化性樹脂層16上配置半導體構件40之狀態（參閱圖3（a））下使第2固化性樹脂層16（及第1固化性樹脂層14）固化，從而能夠將半導體構件40暫時固定於支撐構件22上（參閱圖3（b））。換言之，半導體構件40可以經由具有已固化之第2固化性樹脂層16c（及已固化之第1固化性樹脂層14c）之暫時固定材料層10Ac臨時接著於支撐構件22上。以該種方式形成暫時固定用積層體20c。
半導體構件40可以具有半導體基板42及再配線層44。在半導體構件40具有半導體基板42及再配線層44之情況下，半導體構件40在再配線層位於第2固化性樹脂層16側之方向上經由暫時固定材料層10A暫時固定於支撐構件22上。半導體構件40還可以具有外部連接端子。半導體基板42可以為半導體晶圓或將半導體晶圓分割而獲得之半導體晶片。在圖3（a）的例中，複數個半導體構件40配置於第2固化性樹脂層16上，但是半導體構件40的數量亦可以為一個。從除了半導體裝置的小型化、薄型化以外的搬運時、加工步驟等時抑制裂紋的觀點考慮，半導體構件40的厚度可以為1～1000μm、10～500μm或20～200μm。
配置於第2固化性樹脂層16上之半導體構件40例如使用真空加壓機或真空層壓機來壓接於第2固化性樹脂層16上。在使用真空加壓機之情況下，壓接的條件可以為氣壓1hPa以下、壓接壓力1MPa、壓接溫度120～200℃及保持時間100～300秒鐘。在使用真空層壓機之情況下，壓接的條件例如可以為氣壓1hPa以下、壓接溫度60～180℃或80～150℃、層壓壓力0.01～1.0MPa或0.1～0.7MPa、保持時間1～600秒鐘或30～300秒鐘。
在第2固化性樹脂層16上配置半導體構件40之後，使第2固化性樹脂層16（及第1固化性樹脂層14）熱固化或光固化，從而半導體構件40經由具有已固化之第2固化性樹脂層16c（及已固化之第1固化性樹脂層14c）之暫時固定材料層10Ac暫時固定於支撐構件22上。熱固化的條件例如可以為300℃以下或100～250℃、1～180分鐘或1～120分鐘。
（加工步驟） 圖4（a）、圖4（b）及圖4（c）係表示半導體裝置的製造方法的一實施形態之示意剖視圖。在加工步驟中，對暫時固定於支撐構件22上之半導體構件40進行加工。圖4（a）表示包括半導體基板的薄化之加工的例。半導體構件的加工並不限定於此，例如能夠包括半導體基板的薄化、半導體構件的分割（切割）、貫通電極的形成、蝕刻處理、電鍍回流處理、濺鍍處理或該等組合。
在加工半導體構件40之後，如圖4（b）所示，形成密封經加工之半導體構件40之密封層50。密封層50能夠使用通常用於製造半導體元件之密封材料來形成。例如，密封層50可以由熱固化性樹脂組成物形成。作為密封層50中所使用之熱固化性樹脂組成物，例如可以舉出甲酚酚醛清漆環氧樹脂、苯酚酚醛清漆環氧樹脂、聯苯二環氧樹脂、萘酚酚醛清漆環氧樹脂等環氧樹脂等。密封層50及用於形成密封層50的熱固化性樹脂組成物可以包含填料和/或阻燃劑等添加劑。
密封層50例如使用固體材料、液體材料、細粒材料或密封膜來形成。在使用密封膜之情況下，使用壓縮密封成形機、真空層壓裝置等。例如，使用該等裝置，並用在40～180℃（或60～150℃）、0.1～10MPa（或0.5～8MPa）且0.5～10分鐘的條件下進行熱熔融之密封膜被覆半導體構件40，從而能夠形成密封層50。密封膜的厚度被調整為密封層50成為加工後的半導體構件40的厚度以上。密封膜的厚度可以為50～2000μm、70～1500μm或100～1000μm。
在形成密封層50之後，如圖4（c）所示，可以將密封層50及已固化之第2固化性樹脂層16c分割成包括半導體構件40各一個之複數個部分。
（分離步驟） 圖5（a）及圖5（b）係表示半導體裝置的製造方法的一實施形態之示意剖視圖。在分離步驟中，從支撐構件側向暫時固定用積層體照射光，從而半導體構件從支撐構件分離。
如圖5（a）所示，從支撐構件22側向暫時固定用積層體20c照射光A，從而將半導體構件40從支撐構件22分離。藉由照射光A，金屬箔12吸收光而瞬間產生熱。藉由所產生之熱，例如可以產生已固化之第1固化性樹脂層14c和/或已固化之第2固化性樹脂層16c的熔融、在支撐構件22與半導體構件40之間產生之熱應力及金屬箔12的飛散。該等現象中的一個或兩個以上成為主要原因而產生凝集剥離、界面剥離等，從而半導體構件40可以容易地從支撐構件22分離。為了將半導體構件40從支撐構件22分離，可以在光A的照射下對半導體構件40施加少量應力。
分離步驟中之光A可以為同調光。同調光為具有高可干涉性、高指向性、高單色性之性質之電磁波。同調光在相同波長上同相的光彼此增強而合成，因此具有強度高的傾向。雷射光通常為同調光。雷射光可以舉出YAG雷射、光纖雷射、半導體雷射、氦氖雷射、氬雷射、準分子雷射等。雷射光的波長可以為1300nm以下。藉由波長為1300nm以下，支撐構件22的光吸收得到抑制，並且金屬箔12的光吸收變高，因此能夠以更低的光照射能量進行分離。同調光可以為脈衝光。
分離步驟中之光A可以為非同調光。非同調光為不是同調的光，並且為具有不產生干涉條紋、低可干涉性、低指向性之性質之電磁波。非同調光具有光路長度越長，越衰減之傾向。太陽光、螢光灯的光等光為非同調光。非同調光亦能夠稱為除了雷射光以外的光。非同調光的照射面積通常比同調光（亦即，雷射光）大得多，因此能夠減少照射次數。例如，藉由一次照射，可以產生複數個半導體構件40的分離。非同調光可以包括紅外線。非同調光可以為脈衝光。
光的光源並無特別限制，但是可以為氙燈。氙燈為利用了藉由裝有氙氣之發光管中的施加/放電而發出的光之燈。氙燈一邊重複電離及激發一邊放電，因此穩定地具有從紫外光區域至紅外光區域的連續波長。氙燈與金屬鹵化物燈等燈相比，啟動所需要之時間短，因此能夠大幅度縮短步驟所需要之時間。又，發光需要施加高電壓，因此瞬間產生高熱，但是在冷卻時間短且能夠連續作業的觀點而言，氙燈亦係有利的。
氙燈的照射條件包含施加電壓、脈衝寬度、照射時間、照射距離（光源與暫時固定材料層的距離）、照射能量等，並且能夠依據照射次數等任意設定該等。從減少半導體構件40的損壞之觀點考慮，可以設定藉由一次照射而能夠分離半導體構件40之照射條件。
有時已固化之第2固化性樹脂層16c的一部分作為殘留物附著於所分離之半導體構件40上。如圖5（b）所示那樣除去所附著之殘留物。所附著之殘留物例如可以藉由用溶劑進行清洗來除去，亦可以藉由剝離來除去。作為溶劑，並無特別限制，但是可以舉出乙醇、甲醇、甲苯、二甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、己烷等。該等可以單獨使用一種或組合使用兩種以上。為了除去所附著之殘留物，可以使半導體構件40浸漬於溶劑中，亦可以進行超聲波清洗。可以在100℃以下程度的低溫下加熱半導體構件40。
藉由以上例示之方法，能夠獲得具備經加工之半導體構件40之半導體元件60。能夠藉由將所獲得之半導體元件60連接到其他半導體元件或半導體元件搭載用基板上來製造半導體裝置。 [實施例]
以下，舉出實施例對本揭示進行更具體地說明。但是，本揭示並不限定於該等實施例。
（實施例1） [試驗用積層體的製作] ＜固化性樹脂膜的製作＞ 將順丁烯二酸酐改質苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物（產品名稱：FG1901GT、Kraton Polymer Japan公司）作為熱塑性樹脂溶解於甲苯溶劑中，從而製備了25質量%濃度的熱塑性樹脂溶液。將二環戊二烯型環氧樹脂（產品名稱：HP-7200H、DIC Corporation）作為熱固化性樹脂溶解於甲苯溶劑中，從而製備了25質量%濃度的熱固化性樹脂溶液。將抗氧化劑（受阻酚衍生物、產品名稱：AO-60、ADEKA CORPORATION）溶解於甲苯溶劑中，從而製備了10質量%濃度的抗氧化劑溶液。將固化促進劑（咪唑衍生物、產品名稱：2PZ-CN、SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION.）溶解於環己酮溶劑中，從而製備了10質量%濃度的固化促進劑溶液。接著，將包含70質量份的上述共聚物之熱塑性樹脂溶液、包含30質量份的上述環氧樹脂之熱固化性樹脂溶液、包含0.8質量份的上述抗氧化劑之抗氧化劑溶液、包含2質量份的上述固化促進劑之固化促進劑溶液進行混合，從而獲得了固化性樹脂成分的清漆。
使用精密塗佈機，將所獲得之固化性樹脂成分的清漆塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯（PET）膜（Purex A31、DuPont Teijin Films、厚度：38μm）的脫模處理面上。藉由在100℃下加熱10分鐘來乾燥塗膜，從而製作了厚度約80μm的固化性樹脂膜。將該固化性樹脂膜用於形成固化性樹脂層（第1固化性樹脂層及第2固化性樹脂層）。
＜暫時固定用積層膜的製作＞ 在具有粗化表面且厚度為12μm的電解銅箔（產品名稱：F3-WS-12、Furukawa Electric Co., Ltd.）的兩面上配置了固化性樹脂膜。此時，配置成電解銅箔和固化性樹脂膜的與PET膜相反側面接觸。接著，使用真空加壓式層壓機（V130、Nikko Materials Co., Ltd.），並在壓力0.5MPa、溫度100℃及加壓時間60秒的條件下進行層壓，從而獲得了暫時固定用積層膜。
＜暫時固定用積層體的製作＞ 作為支撐構件，準備了具有20mm×20mm的尺寸之矩形載玻片（厚度：1.1mm）。在所準備之載玻片上以使銅箔粗化表面（非光澤面）成為玻璃側的方式配置切出20mm×20mm的尺寸之暫時固定用積層膜。之後，使用真空加壓式層壓機（V130、Nikko Materials Co., Ltd.），並在壓力0.5MPa、溫度100℃及加壓時間60秒的條件下進行層壓，從而獲得了具有支撐構件/暫時固定材料層的結構（支撐構件/第1固化性樹脂層/金屬箔/第2固化性樹脂層）之暫時固定用積層體。
＜試驗用積層體的製作＞ 在暫時固定用積層體的暫時固定材料層中之第2固化性樹脂層上配置了作為半導體構件的半導體晶片（尺寸：20mm×20mm、厚度：150μm）。之後，使用真空加壓式層壓機（V130、Nikko Materials Co., Ltd.），在壓力0.5MPa、溫度100℃及加壓時間60秒的條件下進行層壓，並藉由在200℃下加熱1小時以使暫時固定材料層中之第1固化性樹脂層及第2固化性樹脂層固化，從而獲得了具有暫時固定於支撐構件上之半導體構件之實施例1的試驗用積層體。
（比較例1） [試驗用積層體的製作] ＜具備金屬層之支撐構件的製作＞ 作為支撐構件，準備了具有20mm×20mm的尺寸之矩形載玻片（厚度：1.1mm）。藉由濺鍍在所準備之載玻片上形成了銅層（厚度：200nm）。在濺鍍中，在藉由逆濺鍍進行預處理之後，藉由RF濺鍍形成了銅層。逆濺鍍（預處理）及RF濺鍍的條件如下。 （1）逆濺鍍（預處理） ·Ar流速：1.2×10 -2Pa·m 3/s（70sccm） ·RF電力：300W ·時間：300秒鐘 （2）RF濺鍍 ·Ar流速：1.2×10 -2Pa·m 3/s（70sccm） ·RF電力：2000W
＜暫時固定用積層體的製作及試驗用積層體的製作＞ 在藉由載玻片的濺鍍而形成之銅層上配置了切出20mm×20mm的尺寸之上述固化性樹脂膜。之後，使用真空加壓式層壓機（V130、Nikko Materials Co., Ltd.），並在壓力0.5MPa、溫度100℃及加壓時間60秒的條件下進行層壓，從而獲得了具有支撐構件/金屬層（銅層）/固化性樹脂層的結構之暫時固定用積層體。接著，將半導體晶片（尺寸：20mm×20mm、厚度：150μm）配置於固化性樹脂層上，並在與實施例1相同的條件下使固化性樹脂層固化，從而獲得了具有暫時固定於支撐構件上之半導體構件之比較例1的試驗用積層體。
＜剥離性試驗＞ 對於實施例1及比較例1的試驗用積層體，在施加電壓：640V、照射距離：5mm、照射次數：一次及照射時間：1000μs的弱照射條件以及施加電壓：670V、照射距離：5mm、照射次數：一次及照射時間：1000μs的強照射條件這兩種照射條件下分別用氙燈照射試驗用積層體，並對被暫時固定之半導體晶片與載玻片的分離性進行了評價。關於氙燈，使用NovaCentrix公司製的PulseForge（註冊商標）1300（波長範圍：200nm～1500nm、每單位面積的照射能量：8.4J/cm 2（予測值、弱照射條件）、9.6J/cm 2（予測值、強照射條件）），關於氙燈照射，從積層體的支撐構件（載玻片）側進行。照射距離為光源與設置有載玻片之載台的距離。關於剥離性試驗的評價，將在氙燈照射後即使不施加外力亦能夠使半導體晶片從載玻片自然地剥離之情況評價為“A”，並將若不施加外力則半導體晶片不會從載玻片剥離之情況評價為“B”。再者，關於實施例1的試驗用積層體，在弱照射條件下評價為“A”，因此未進行強照射條件下的試驗。將結果示於表1中。
【表1】
  實施例1 比較例1
剝離性試驗 弱照射條件 A B
強照射條件 - A
如表1所示，與不具有特定結構的暫時固定材料層的比較例1的試驗用積層體相比，具有特定結構的暫時固定材料層（第1固化性樹脂層/金屬箔/第2固化性樹脂層）之實施例1的試驗用積層體的照射條件即使弱（即使光照射能量低），剥離性（被暫時固定之半導體晶片與載玻片的分離性）亦優異。從該等結果，確認到本揭示的暫時固定用積層膜能夠形成被暫時固定之半導體構件與支撐構件的分離性優異之（能夠以更低的光照射能量進行分離）暫時固定材料層。
10:暫時固定用積層膜 10A,10Ac:暫時固定材料層 12:金屬箔 12a:第1面 12b:第2面 14:第1固化性樹脂層 14c:已固化之第1固化性樹脂層 16:第2固化性樹脂層 16c:已固化之第2固化性樹脂層 20,20c:暫時固定用積層體 22:支撐構件 40:半導體構件 42:半導體基板 44:再配線層 50:密封層 60:半導體元件
圖1係表示暫時固定用積層膜的一實施形態之示意剖視圖。 圖2係表示暫時固定用積層體的一實施形態之示意剖視圖。 圖3中，圖3（a）及圖3（b）係表示半導體裝置的製造方法的一實施形態之示意剖視圖。 圖4中，圖4（a）、圖4（b）及圖4（c）係表示半導體裝置的製造方法的一實施形態之示意剖視圖。 圖5中，圖5（a）及圖5（b）係表示半導體裝置的製造方法的一實施形態之示意剖視圖。
10:暫時固定用積層膜
12:金屬箔
12a:第1面
12b:第2面
14:第1固化性樹脂層
16:第2固化性樹脂層

Claims (9)

  1. 一種製造方法，其為用於暫時固定半導體構件和支撐構件之暫時固定用積層膜的製造方法， 前述製造方法具備如下步驟：在金屬箔的一面側設置第1固化性樹脂層且在前述金屬箔的另一面側設置第2固化性樹脂層以獲得暫時固定用積層膜。
  2. 如請求項1所述之製造方法，其中 構成前述金屬箔之金屬為選自由銀、金、鉑、銅、鈦、鎳、鉬、鉻及鋁組成的組中之至少一種。
  3. 一種暫時固定用積層膜，其用於暫時固定半導體構件和支撐構件， 前述暫時固定用積層膜依序具備第1固化性樹脂層、金屬箔及第2固化性樹脂層。
  4. 如請求項3所述之暫時固定用積層膜，其中 構成前述金屬箔之金屬為選自由銀、金、鉑、銅、鈦、鎳、鉬、鉻及鋁組成的組中之至少一種。
  5. 一種暫時固定用積層體，其具備支撐構件和設置於前述支撐構件上之暫時固定材料層， 前述暫時固定材料層從前述支撐構件起依序具備第1固化性樹脂層、金屬箔及第2固化性樹脂層。
  6. 一種半導體裝置的製造方法，其具備： 準備請求項5所述之暫時固定用積層體之步驟； 將半導體構件經由前述暫時固定材料層暫時固定於前述支撐構件上之步驟； 對暫時固定於前述支撐構件上之前述半導體構件進行加工之步驟；及 從前述支撐構件側向前述暫時固定用積層體照射光，將前述半導體構件從前述支撐構件分離之步驟。
  7. 如請求項6所述之製造方法，其中 前述光為非同調光。
  8. 如請求項7所述之製造方法，其中 前述非同調光為至少包括紅外光之光。
  9. 如請求項6至請求項8之任一項所述之製造方法，其中 前述光的光源為氙燈。
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