TW202212863A - 放射線圖像攝影裝置的製造方法及搬運治具 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種能夠在穩定之狀態下分別搬運使用了撓性基材之基板和電路基板之放射線圖像攝影裝置的製造方法及搬運治具。放射線圖像攝影裝置1的製造方法具備：將經由柔性電纜112端子113與電路基板電連接之感測器基板12從支撐體400剝離之製程；及使用包括具有複數個吸附構件520之吸附部510和具有保持構件550之保持部512之搬運治具500，在由複數個吸附構件520吸附來支撐基材11的第1面11A或與第1面11A相反的一側的第2面11B且由保持構件550保持電路基板之狀態下搬運從支撐體400剝離之感測器基板12之製程。

Description

放射線圖像攝影裝置的製造方法及搬運治具
本發明有關一種放射線圖像攝影裝置的製造方法及搬運治具。
先前，已知有以醫療診斷為目的而進行放射線攝影之放射線圖像攝影裝置。在該種放射線圖像攝影裝置中使用用於檢測透射了被攝體之放射線並生成放射線圖像之放射線檢測器。
作為放射線檢測器，存在如下者，其係具備：閃爍器等轉換層，將放射線轉換成光；及基板，設置有蓄積依據由轉換層轉換之光產生之電荷之複數個像素。作為該種放射線檢測器的感測器基板的基材，已知有使用了撓性基材者。藉由使用撓性基材，能夠使放射線圖像攝影裝置輕型化，並且有時容易拍攝被攝體。
在專利文獻1中，記載有具備使用了撓性基材之感測器基板之放射線檢測器的製造方法。在專利文獻1中所記載的製造方法具備在支撐體上設置撓性基材以形成基板之後，將基板從支撐體剝離之製程。
[專利文獻1]國際公開2018/173894號
在專利文獻1中所記載的技術中，需要搬運從支撐體剝離之基板之製程，但係由於基材具有撓性而在搬運過程中基材會撓曲等，因此有時難以在穩定之狀態下搬運基板。又，在搬運電路基板處於電連接之狀態的基板之情況下，使用了撓性基材之基板與電路基板為分體，因此有時難以在穩定之狀態下搬運兩者。
本發明的目的為提供一種能夠在穩定之狀態下分別搬運使用了撓性基材之基板和電路基板之放射線圖像攝影裝置的製造方法及搬運治具。
為了實現上述目的，本發明的第1態樣的放射線圖像攝影裝置的製造方法具備：形成在支撐體上設置撓性基材且在基材的第1面的像素區域上設置有蓄積依據從放射線轉換之光產生之電荷之複數個像素之基板之製程；在基材的第1面上設置用於將電纜電連接的端子部之製程；將用於從像素讀取電荷或用於驅動像素的電路基板經由電纜與端子部電連接之製程；將經由電纜端子部與電路基板電連接之基板從支撐體剝離之製程；及使用包括具有複數個吸附構件之吸附部和具有保持構件之保持部之搬運治具，在由複數個吸附構件吸附來支撐基材的第1面或與第1面相反的一側的第2面且由保持構件保持電路基板之狀態下搬運從支撐體剝離之基板之製程。
又，本發明的第2態樣的放射線圖像攝影裝置的製造方法在第1態樣的放射線圖像攝影裝置的製造方法中，還具備在基材的第1面上設置將放射線轉換成光之轉換層之製程，在藉由搬運治具搬運基板之製程中，藉由搬運治具搬運設置有轉換層之基板。
又，本發明的第3態樣的放射線圖像攝影裝置的製造方法在第1態樣的放射線圖像攝影裝置的製造方法中，還具備藉由搬運治具搬運基板之後，在基材的第1面上設置將放射線轉換成光之轉換層之製程。
又，本發明的第4態樣的放射線圖像攝影裝置的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線圖像攝影裝置的製造方法中，還具備在基材的第2面上設置補強基材的強度之補強構件之製程。
又，本發明的第5態樣的放射線圖像攝影裝置的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線圖像攝影裝置的製造方法中，搬運治具的保持構件藉由在將電纜折疊之狀態下載置電路基板來保持電路基板。
又，本發明的第6態樣的放射線圖像攝影裝置的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線圖像攝影裝置的製造方法中，搬運治具的保持構件藉由在將電纜拉伸之狀態下載置電路基板來保持電路基板。
又，本發明的第7態樣的放射線圖像攝影裝置的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線圖像攝影裝置的製造方法中，在電路基板上設置有孔，並且在搬運治具的保持構件上設置有銷，搬運治具藉由將銷插穿於電路基板的孔中來保持電路基板。
又，本發明的第8態樣的放射線圖像攝影裝置的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線圖像攝影裝置的製造方法中，搬運治具的保持構件藉由吸附來保持電路基板。
又，本發明的第9態樣的放射線圖像攝影裝置的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線圖像攝影裝置的製造方法中，搬運治具藉由複數個吸附構件來支撐基材的第2面的整個表面。
又，本發明的第10態樣的放射線圖像攝影裝置的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線圖像攝影裝置的製造方法中，在搬運治具的複數個吸附構件中的每一個上設置有吸收基材的凹凸之緩衝構件。
又，本發明的第11態樣的搬運治具搬運基板，該基板在撓性基材的第1面的像素區域上設置有蓄積依據從放射線轉換之光產生之電荷之複數個像素，並且設置有用於從像素讀取電荷或用於驅動像素的電路基板經由電纜電連接之端子部，該搬運治具包括：吸附部，具有吸附基材的第1面或與第1面相反的一側的第2面之複數個吸附構件；及保持部，具有保持電路基板之保持構件。
又，本發明的第12態樣的搬運治具在第11態樣的搬運治具中，在複數個吸附構件中的每一個上設置有吸收基材的凹凸之緩衝構件。 [發明效果]
依據本發明，能夠在穩定之狀態下分別搬運使用了撓性基材之基板和電路基板。
以下，參閱圖式對本發明的實施形態進行詳細說明。再者，本實施形態並不限定本發明。
首先，對本實施形態的放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置進行說明。本實施形態的放射線檢測器具有檢測透射了被攝體之放射線並輸出表示被攝體的放射線圖像之圖像資訊之功能。本實施形態的放射線檢測器具備感測器基板及將放射線轉換成光之轉換層（參閱圖3的放射線檢測器10的感測器基板12及轉換層14）。本實施形態的感測器基板12為本發明的基板的一例。
參閱圖1對本實施形態的放射線圖像攝影裝置中之電氣系統的結構的一例的概略進行說明。圖1係表示本實施形態的放射線圖像攝影裝置中之電氣系統的主要部分結構的一例之方塊圖。
如圖1所示，本實施形態的放射線圖像攝影裝置1具備放射線檢測器10、控制部100、驅動部102、訊號處理部104、圖像記憶體106及電源部108。本實施形態的控制部100、驅動部102及訊號處理部104中的至少一個為本發明的電路基板的一例。以下，將控制部100、驅動部102及訊號處理部104統稱為“電路基板”。
放射線檢測器10具備感測器基板12及將放射線轉換成光之轉換層14（參閱圖3）。感測器基板12具備撓性基材11及設置於基材11的第1面11A上之複數個像素30。再者，以下，有時將複數個像素30簡稱為“像素30”。
如圖1所示，本實施形態的各像素30具備依據由轉換層轉換之光產生電荷並蓄積之感測器部34及讀取藉由感測器部34蓄積之電荷之開關元件32。在本實施形態中，作為一例，將薄膜電晶體（TFT：Thin Film Transistor）用作開關元件32。因此，以下將開關元件32稱為“TFT32”。在本實施形態中，形成有感測器部34及TFT32，還設置在基材11的第1面11A上形成有像素30之層作為被平坦化之層。
像素30在感測器基板12的像素區域35上沿一個方向（與圖1的橫向對應之掃描配線方向，以下亦稱為“行方向”）及與行方向交叉之方向（與圖1的縱向對應之訊號配線方向，以下亦稱為“列方向”）二維狀配置。在圖1中，簡化示出了像素30的排列，例如像素30在行方向及列方向上配置有1024個×1024個。
又，放射線檢測器10中彼此交叉地設置有每一行像素30中所具備之用於控制TFT32的開關狀態（開啟及關閉）之複數個掃描配線38和每一列像素30中所具備之讀取蓄積於感測器部34中之電荷之複數個訊號配線36。複數個掃描配線38中的每一個分別經由柔性電纜112A與驅動部102連接，從而從驅動部102輸出之、驅動TFT32來控制開關狀態之驅動訊號在複數個掃描配線38中的每一個中流動。又，複數個訊號配線36中的每一個分別經由柔性電纜112B與訊號處理部104連接，從而從各像素30讀取之電荷作為電訊號輸出至訊號處理部104。訊號處理部104生成並輸出與所輸入之電訊號相應之圖像資料。再者，在本實施形態中，關於柔性電纜112，在使用術語“連接”時表示電連接。
在訊號處理部104中連接有後述控制部100，並且從訊號處理部104輸出之圖像資料依序輸出至控制部100。在控制部100中連接有圖像記憶體106，從訊號處理部104依序輸出之圖像資料藉由控制部100之控制來依序儲存於圖像記憶體106中。圖像記憶體106具有能夠儲存規定數量的圖像資料的儲存容量，每當進行放射線圖像的拍攝時，藉由拍攝而獲得之圖像資料依序儲存於圖像記憶體106中。
控制部100具備CPU（Central Processing Unit：中央處理單元）100A、包括ROM（Read Only Memory：唯讀記憶體）和RAM（Random Access Memory：隨機存取記憶體）等之記憶體100B及快閃記憶體等不揮發性儲存部100C。作為控制部100的一例，可以舉出微型電腦等。控制部100控制放射線圖像攝影裝置1的整體的動作。
再者，在本實施形態的放射線圖像攝影裝置1中，圖像記憶體106及控制部100等形成於控制基板110上。
又，為了對各像素30施加偏壓，各像素30的感測器部34中，在訊號配線36的配線方向上設置有共用配線39。共用配線39與感測器基板12的外部的偏壓電源（省略圖示）連接，從而從偏壓電源向各像素30施加偏壓。
電源部108向控制部100、驅動部102、訊號處理部104、圖像記憶體106及電源部108等各種元件和各種電路供給電力。再者，在圖1中，為了避免複雜化，省略了連接電源部108與各種元件和各種電路之配線的圖示。
進而，對放射線檢測器10進行詳細說明。圖2係從基材11的第1面11A側觀察本實施形態的放射線檢測器10之俯視圖的一例。又，圖3係圖2中之放射線檢測器10的A-A線剖面圖的一例。
基材11為具有撓性且包含例如PI（PolyImide：聚醯亞胺）等塑膠之樹脂片。基材11的厚度只要為可以依據材質的硬度及感測器基板12的大小亦即第1面11A或第2面11B的面積等而獲得所期望的撓性之厚度即可。作為具有撓性之例子，係指當矩形的基材11為單體時，在固定了基材11的一邊之狀態下，在從所固定之邊遠離10cm之位置上基材11以基於基材11的自重的重力垂下2mm以上（變得低於所固定之邊的高度）者。作為基材11為樹脂片時的具體例，只要為厚度為5μm～125μm者即可，厚度為20μm～50μm者為更佳。
再者，基材11具有能夠承受像素30的製造之特性，在本實施形態中，具有能夠承受非晶矽TFT（a-Si TFT）的製造之特性。作為該種基材11所具有之特性，在300℃～400℃下之熱膨脹係數（CTE：Coefficient of Thermal Expansion）為與非晶矽（a-Si）晶圓相同程度（例如，±5ppm/K）為較佳，具體而言，20ppm/K以下為較佳。又，作為基材11的熱收縮率，在厚度為25μm的狀態下，在400℃下之熱收縮率為0.5%以下為較佳。又，基材11的彈性模數在300℃～400℃之間的溫度區域內不具有通常的PI所具有之轉移點，在500℃下之彈性模數為1GPa以上為較佳。
又，為了抑制基於自身之後向散射線，本實施形態的基材11具有微粒子層為較佳，該微粒子層包括平均粒徑為0.05μm以上且2.5μm以下並且吸收後向散射線之無機的微粒子。再者，作為該種無機的微粒子，在為樹脂製基材11的情況下，使用原子號碼大於構成基材11之有機物之原子且原子號碼為30以下之無機物為較佳。作為該種微粒的具體例，可以舉出原子號碼為14的Si的氧化物亦即SiO 2、原子號碼為12的Mg的氧化物亦即MgO、原子號碼為13的Al的氧化物亦即Al 2O 3及原子號碼為22的Ti的氧化物亦即TiO 2等。作為具有該種特性之樹脂片的具體例，可以舉出XENOMAX（註冊商標）。
再者，使用測微器（micrometer）測定了本實施形態中之上述厚度。依據JIS K7197：1991測定了熱膨脹係數。再者，關於測定，從基材11的主表面每15度改變一次角度來切取試驗片，測定所切取之各試驗片之熱膨脹係數並將最高值設為基材11的熱膨脹係數。分別在MD（Machine Direction：縱向）方向及TD（Transverse Direction：橫向）方向上，在-50℃～450℃下以10℃間隔進行熱膨脹係數的測定，並將（ppm/℃）換算成（ppm/K）。關於熱膨脹係數的測量，使用了MAC Science公司製TMA4000S裝置，將樣本長度設為10mm、將樣本寬度設為2mm、將初始負載設為34.5g/mm 2、將升溫速度設為5℃/min及將環境設為氬氣。
作為具有所期望的撓性之基材11，並不限定於樹脂片等樹脂製者。例如，基材11可以為厚度相對薄之玻璃基板等。作為基材11為玻璃基板時的具體例，通常一邊為43cm左右的尺寸時，若厚度為0.3mm以下則具有撓性，因此只要為厚度為0.3mm以下者則可以為所期望的玻璃基板。
如圖2及圖3所示，複數個像素30設置於基材11的第1面11A上。在本實施形態中，將基材11的第1面11A上之設置有像素30之區域作為像素區域35。
又，在基材11的第1面11A上設置有轉換層14。本實施形態的轉換層14覆蓋像素區域35。在本實施形態中，作為轉換層14的一例，使用了包括CsI（碘化銫）之閃爍器。作為該種閃爍器，例如包含照射X射線時之發光光譜為400nm～700nm之CsI:Tl（添加有鉈之碘化銫）或CsI:Na（添加有鈉之碘化銫）為較佳。再者，CsI:Tl之可見光區域內之發光峰值波長為565nm。
在使用氣相沉積法形成了轉換層14之情況下，如圖3所示，轉換層14形成為具有厚度朝向其外緣逐漸變薄之傾斜度。以下，將在忽略製造誤差及測定誤差之情況下的厚度被視為大致恆定之轉換層14的中央區域稱為中央部14A。又，將相對於轉換層14的中央部14A的平均厚度例如具有90%以下的厚度之轉換層14的外周區域稱為周緣部14B。亦即，轉換層14在周緣部14B中具有相對於感測器基板12傾斜之傾斜面。再者，以下中，為了便於說明，在感測器基板12中使用術語“上”、“下”時，以轉換層14為基準，將轉換層14的與感測器基板12對向之一側稱為“下”，並將相反的一側稱為“上”。例如，轉換層14設置於感測器基板12上，轉換層14的周緣部14B中之傾斜面傾斜成轉換層14從上側朝向下側逐漸擴展之狀態。
又，如圖3所示，在本實施形態的轉換層14上設置有黏著層60、反射層62、接著層64及保護層66。
黏著層60覆蓋轉換層14的表面整體。黏著層60具有將反射層62固定於轉換層14上之功能。黏著層60具有光透射性為較佳。作為黏著層60的材料，例如能夠使用丙烯酸系黏著劑、熱熔系黏著劑及矽酮系接著劑。作為丙烯酸系黏著劑，例如可以舉出胺基甲酸酯丙烯酸酯、丙烯酸樹脂丙烯酸酯及環氧樹脂丙烯酸酯等。作為熱熔系黏著劑，例如可以舉出EVA（乙烯/乙烯酯共聚物樹脂）、EAA（乙烯與丙烯酸的共聚物樹脂）、EEA（乙烯-丙烯酸乙酯共聚物樹脂）及EMMA（乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物）等熱塑性塑膠。黏著層60的厚度為2μm以上且7μm以下為較佳。將黏著層60的厚度設為2μm以上，藉此能夠充分發揮將反射層62固定於轉換層14上之效果。進而，能夠抑制在轉換層14與反射層62之間形成空氣層之風險。若在轉換層14與反射層62之間形成空氣層，則從轉換層14射出之光有可能在空氣層與轉換層14之間及空氣層與反射層62之間反覆反射而發生多重反射。又，將黏著層60的厚度設為7μm以下，藉此能夠抑制MTF（Modulation Transfer Function：調製傳遞函數）及DQE（Detective Quantum Efficiency：探測量子效率）的降低。
反射層62覆蓋黏著層60的表面整體。反射層62具有反射由轉換層14轉換之光之功能。作為反射層62的材料，由包含金屬或金屬氧化物之樹脂材料構成為較佳。作為反射層62的材料，例如能夠使用白PET（Polyethylene Terephthalate：聚對酞酸乙二酯）、TiO 2、Al 2O 3、發泡白PET及鏡面反射鋁等。白PET為向PET添加TiO 2或硫酸鋇等白色顏料而成者，發泡白PET為表面呈多孔狀之白PET。又，作為反射層62的材料，可以使用樹脂薄膜與金屬薄膜的積層膜。作為樹脂薄膜與金屬薄膜的積層膜，例如可以舉出在聚對酞酸乙二酯等絕緣性薄片（薄膜）上接著鋁箔等而積層了鋁之ALPET（註冊商標）薄片。反射層62的厚度為10μm以上且40μm以下為較佳。如此，藉由在轉換層14上具備反射層62，能夠將由轉換層14轉換之光有效地引導至感測器基板12的像素30。
接著層64覆蓋反射層62的表面整體。接著層64的端部延伸至基材11的第1面11A。亦即，接著層64在其端部中接著至感測器基板12的基材11。接著層64具有將反射層62及保護層66固定於轉換層14上之功能。作為接著層64的材料，能夠使用與黏著層60的材料相同的材料，但係接著層64所具有之接著力大於黏著層60所具有之接著力為較佳。
保護層66設置成覆蓋轉換層14整體且其端部覆蓋感測器基板12的一部分之狀態。保護層66作為防止水分浸入到轉換層14之防濕膜而發揮功能。作為保護層66的材料，例如能夠使用包含PET、PPS（PolyPhenylene Sulfide：聚苯硫）、OPP（Oriented PolyPropylene：二軸延伸聚丙烯薄膜）、PEN（PolyEthylene Naphthalate：聚萘二甲酸乙二酯）、PI等有機材料之有機膜或聚對二甲苯（註冊商標）。又，作為保護層66，可以使用樹脂薄膜與金屬薄膜的積層膜。作為樹脂薄膜與金屬薄膜的積層膜，例如可以舉出ALPET（註冊商標）的薄片。
另一方面，如圖2及圖3所示，在基材11的第1面11A的外緣部設置有複數個（圖2中為16個）端子113。本實施形態的端子113為本發明的端子部的一例。作為端子113，使用各向異性導電薄膜等。如圖2及圖3所示，柔性電纜112電連接至複數個端子113中的每一個上。具體而言，如圖2所示，柔性電纜112A熱壓接合至設置於基材11的一邊之複數個（圖2中為8個）端子113中的每一個上。柔性電纜112A為所謂之COF（Chip on Film：薄膜覆晶），並且在柔性電纜112A上搭載有驅動IC（Integrated Circuit：積體電路）210。驅動IC210與柔性電纜112A中所包括之複數個訊號線連接。再者，在本實施形態中，在分別無區別地統稱柔性電纜112A及後述柔性電纜112B之情況下，將其簡稱為“柔性電纜112”。又，本實施形態的柔性電纜112為本發明的電纜的一例。
柔性電纜112A中之與和感測器基板12的端子113電連接之一端相反的一側的另一端電連接至驅動基板200。作為一例，在本實施形態中，柔性電纜112A中所包括之複數個訊號線藉由熱壓接合至驅動基板200上而與搭載於驅動基板200上之電路及元件等（省略圖示）電連接。
本實施形態之驅動基板200為撓性PCB（Printed Circuit Board，印刷電路板）基板，所謂之柔性基板。又，搭載於驅動基板200上之電路零件（省略圖示）為主要用於數位訊號的處理中之零件（以下，稱為“數字系零件”）。數字系零件存在面積（大小）相對小於後述之類比零件之傾向。作為數字系零件的具體例，可以舉出數位緩衝器、旁路電容器、上拉/下拉電阻、阻尼電阻、EMC（Electro Magnetic Compatibility：電磁相容性）對策晶片零件及電源IC等。再者，驅動基板200可以不一定為撓性基板，亦可以為非撓性剛性基板，還可以使用剛性撓性基板。
在本實施形態中，藉由驅動基板200及搭載於柔性電纜112A上之驅動IC210來實現驅動部102。再者，驅動IC210包括實現驅動部102之各種電路及元件中與搭載於驅動基板200上之數字系零件不同之電路。
另一方面，柔性電纜112B電連接至設置於與電連接有柔性電纜112A之基材11的一邊交叉之邊上之複數個（圖2中為8個）端子113中的每一個上。與柔性電纜112A相同地，柔性電纜112B為所謂之COF，並且在柔性電纜112B上搭載有訊號處理IC310。訊號處理IC310與柔性電纜112B中包括之複數個訊號線（省略圖示）連接。
柔性電纜112B中之與和感測器基板12的端子113電連接之一端相反的一側的另一端電連接至訊號處理基板300。作為一例，在本實施形態中，柔性電纜112B中所包括之複數個訊號線藉由熱壓接合至訊號處理基板300上而與搭載於訊號處理基板300上之電路及元件等（省略圖示）連接。
與上述驅動基板200相同地，本實施形態的訊號處理基板300為撓性PCB基板，並且為所謂之撓性基板。搭載於訊號處理基板300上之電路零件（省略圖示）為主要用於類比訊號的處理中之零件（以下，稱為“類比零件”）。作為類比零件的具體例，可以舉出電荷放大器、類比數位轉換器（ADC）、數位類比轉換器（DAC）及電源IC等。又，本實施形態的電路零件還包括零件尺寸相對較大的電源周圍的線圈及平滑用大容量電容器。再者，訊號處理基板300可以不一定為撓性基板，亦可以為非撓性剛性基板，還可以使用剛性撓性基板。
在本實施形態中，藉由訊號處理基板300及搭載於柔性電纜112B上之訊號處理IC310來實現訊號處理部104。再者，訊號處理IC310包括實現訊號處理部104之各種電路及元件中與搭載於訊號處理基板300上之類比零件不同之電路。
再者，在圖2中，對分別設置有複數個（各兩個）驅動基板200及訊號處理基板300之形態進行了說明，但係驅動基板200及訊號處理基板300的數量並不限定於圖2所示之數量。例如，可以為將驅動基板200及訊號處理基板300中的至少一者作為一個基板之形態。
另一方面，如圖3所示，在本實施形態的放射線檢測器10中，將柔性電纜112熱壓接合至端子113上，從而使柔性電纜112電連接至端子113。再者，在圖3中示出與柔性電纜112B和放射線檢測器10的電連接相關之結構的一例，但係關於本實施形態的柔性電纜112A和放射線檢測器10之電連接結構亦與圖3所例示之形態相同。
又，如圖3所示，在本實施形態的放射線檢測器10的感測器基板12中之、基材11的與第1面11A相反的一側的第2面11B上藉由黏著劑42設置有補強構件40。作為一例，本實施形態的補強構件40設置於基材11的第2面11B整體上。
補強構件40具有補強基材11的強度之功能。本實施形態的補強構件40的彎曲剛性高於基材11，並且相對於沿垂直方向施加於與轉換層14對向之面之力之尺寸變化（變形）小於相對於沿垂直方向施加於基材11的第2面11B之力之尺寸變化。作為補強構件40的材料，例如可以舉出碳或塑膠等。再者，補強構件40可以包含複數個材料，例如亦可以為塑膠與碳的積層體。
再具體而言，補強構件40的彎曲剛性為基材11的彎曲剛性的100倍以上為較佳。又，本實施形態的補強構件40的厚度厚於基材11的厚度。例如，在將XENOMAX（註冊商標）用作基材11之情況下，補強構件40的厚度為0.2mm～0.25mm左右為較佳。
具體而言，本實施形態的補強構件40使用彎曲彈性模數為150MPa以上且2500MPa以下的材料為較佳。從抑制基材11的撓曲之觀點考慮，補強構件40的彎曲剛性高於基材11為較佳。再者，若彎曲彈性模數降低則彎曲剛性亦降低，為了獲得所期望的彎曲剛性，需要加厚補強構件40的厚度，從而導致放射線檢測器10整體的厚度增加。若考慮上述補強構件40的材料，則在要獲得超過140000Pacm 4之彎曲剛性之情況下，補強構件40的厚度存在相對變厚之傾向。因此，若獲得適當之剛性且考慮放射線檢測器10整體的厚度，則用於補強構件40之材料的彎曲彈性模數為150MPa以上且2500MPa以下為更佳。又，補強構件40的彎曲剛性為540Pacm 4以上且140000Pacm 4以下為較佳。
又，本實施形態的補強構件40的熱膨脹係數接近轉換層14的材料的熱膨脹係數為較佳，補強構件40的熱膨脹係數與轉換層14的熱膨脹係數之比（補強構件40的熱膨脹係數/轉換層14的熱膨脹係數）為0.5以上且2以下為更佳。作為該種補強構件40的熱膨脹係數，30ppm/K以上且80ppm/K以下為較佳。例如，在轉換層14以CsI:Tl為材料之情況下，熱膨脹係數為50ppm/K。此時，作為相對接近於轉換層14之材料，可以舉出熱膨脹係數為60ppm/K～80ppm/K之PVC（Polyvinyl Chloride：聚氯乙烯）、熱膨脹係數為70ppm/K～80ppm/K之丙烯酸、熱膨脹係數為65ppm/K～70ppm/K之PET、熱膨脹係數為65ppm/K之PC（Polycarbonate：聚碳酸酯）及熱膨脹係數為45ppm/K～70ppm/K之鐵氟龍（註冊商標）等。進而，若考慮上述彎曲彈性模數，則作為補強構件40的材料為包含PET及PC中的至少一者之材料為更佳。
從彈性的觀點考慮，補強構件40包括具有降伏點之材料為較佳。再者，在本實施形態中，“降伏點”係指，在拉伸材料之情況下，應力突然急劇下降之現象，在表示應力與變形的關係之曲線上，應力未增加而變形增加之點，在進行材料之拉伸強度試驗時的應力-變形曲線中之頂部。作為具有降伏點之樹脂，通常可以舉出硬且黏性強之樹脂及柔軟、黏性強且具有中等程度的強度的樹脂。作為硬且黏性強之樹脂，例如可以舉出PC等。又，作為柔軟、黏性強且具有中等程度的強度的樹脂，例如可以舉出聚丙烯等。
在將本實施形態的補強構件40設為以塑膠為材料之基板之情況下，就上述理由而言，為熱塑性樹脂為較佳，可以舉出PC、PET、苯乙烯、丙烯酸、聚醋酸酯、尼龍、聚丙烯、ABS（Acrylonitrile Butadiene Styrene：丙烯腈-丁二烯-苯乙烯）、工程塑料（engineering plastic）及聚苯醚中的至少一個。再者，補強構件40在該等之中為聚丙烯、ABS、工程塑料、PET及聚苯醚中的至少一個為較佳，為苯乙烯、丙烯酸、聚醋酸酯及尼龍中的至少一個為更佳，為PC及PET中的至少一個為進一步較佳。
進而，對放射線圖像攝影裝置1進行詳細說明。圖4A係將本實施形態的放射線檢測器10適用於從基材11的第2面11B側照射放射線之ISS（Irradiation Side Sampling）方式時的放射線圖像攝影裝置1的剖面圖的一例。又，圖9B係將本實施形態的放射線檢測器10適用於從轉換層14側照射放射線之PSS（Penetration Side Sampling）方式時的放射線圖像攝影裝置1的剖面圖的一例。
如圖4A及圖4B所示，使用了上述放射線檢測器10之放射線圖像攝影裝置1在收納於框體120中之狀態下使用。如圖4A及圖4B所示，在框體120內沿放射線的入射方向排列設置有放射線檢測器10、電源部108及訊號處理基板300等電路基板。圖4A的放射線檢測器10配置成基材11的第2面11B側與透射了被攝體之放射線所照射之框體120的照射面120A側的頂板對向之狀態。更具體而言，配置成補強構件40與框體120的照射面120A側的頂板對向之狀態。又，圖4B的放射線檢測器10配置成基材11的第1面11A側與框體120的照射面120A側的頂板對向之狀態。更具體而言，配置成轉換層14的上表面與框體120的照射面120A側的頂板對向之狀態。
又，如圖4A及圖4B所示，在框體120內，在射出透射了放射線檢測器10之放射線之一側還設置有中板116。作為中板116，例如可以舉出鋁或銅製的薄片。銅製薄片由於所入射之放射線而難以產生二次放射線，因此具有防止向後方亦即轉換層14側散射之功能。再者，中板116至少覆蓋轉換層14的射出放射線之一側的表面整體，並且覆蓋轉換層14整體為較佳。又，在中板116上固定有訊號處理基板300等電路基板。
框體120為輕型，放射線（尤其X射線）的吸收率低且為高剛性為較佳，由彈性模數充分高之材料構成為更佳。作為框體120的材料，使用彎曲彈性模數為10000MPa以上之材料為較佳。作為框體120的材料，能夠較佳地使用具有20000MPa～60000Mpa左右的彎曲彈性模數之碳或CFRP。
在基於放射線圖像攝影裝置1之放射線圖像的拍攝中，對框體120的照射面120A施加來自被攝體之負載。在框體120的剛性不足之情況下，由於來自被攝體的負載而在感測器基板12上產生撓曲，有可能產生像素30損傷等缺陷。在由具有10000MPa以上的彎曲彈性模數之材料構成之框體120內部收納有放射線檢測器10，藉此能夠抑制由來自被攝體之負載引起之感測器基板12的撓曲。
再者，框體120可以由不同材料形成框體120的照射面120A和其他部分。例如，如上所述，與照射面120A對應之部分由放射線的吸收率低且高剛性且彈性模數充分高的材料形成，其他部分可以由與和照射面120A對應之部分不同材料（例如，彈性模數低於照射面120A的部分的材料）形成。
再者，本實施形態的多孔質層50具有複數個貫通孔51，因此藉由在貫通孔51的部分與除了貫通孔51以外的部分中放射線的透射量不同，有時到達轉換層14之放射線量不同。此時，存在藉由放射線檢測器10而獲得之放射線圖像中產生圖像不均之慮。因此，本實施形態的放射線檢測器10適用於ISS方式的放射線圖像攝影裝置1為較佳。
對本實施形態的放射線圖像攝影裝置1的製造方法進行說明。圖5係表示本實施形態的放射線檢測器10的製造製程的流程之流程圖。
在本實施形態中，如圖5所示，首先實施步驟S10的感測器基板形成製程。本實施形態的基板形成製程包括形成感測器基板12之製程和在感測器基板12的基材11的第1面11A上設置端子113之製程。
在形成感測器基板12之製程中，如圖6所示，為了形成感測器基板12，在厚度厚於基材11的玻璃基板等支撐體400上經由剝離層402設置基材11。例如，在藉由層合法形成基材11之情況下，在支撐體400上貼合作為基材11之薄片。基材11的第2面11B與剝離層402接觸。再者，形成基材11之方法並不限定於本實施形態，例如亦可以為藉由塗佈法形成基材11之形態。
進而，在設置端子113之製程中，在基材11的第1面11A上形成像素30及端子113。像素30經由使用了SiN等之底塗層（省略圖示）形成於第1面11A的像素區域35上。又，沿基材11的兩個邊分別形成複數個端子113。
接著，實施步驟S12的轉換層形成製程。本實施形態的轉換層形成製程包括在感測器基板12上設置轉換層14之製程和將電路基板經由柔性電纜112與端子113連接之製程。
在設置轉換層14之製程中，如圖7A所示，在形成有像素30之層（以下，簡稱為“像素30”）上形成轉換層14。在本實施形態中，藉由真空沉積法、濺射法及CVD（Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積）法等氣相沉積法在感測器基板12上直接形成CsI轉換層14作為柱狀結晶。此時，轉換層14的與像素30接觸之一側成為柱狀結晶的生長方向基點側。
再者，在將CsI閃爍器用作轉換層14之情況下，亦能夠藉由與本實施形態不同之方法在感測器基板12上形成轉換層14。例如，可以準備藉由氣相沉積法在鋁或碳的基板等上沉積CsI而成者，並藉由黏著性薄片等貼合CsI的未與基板接觸的一側和感測器基板12的像素30，藉此在感測器基板12上形成轉換層14。此時，將由保護層覆蓋還包括鋁等基板之狀態的轉換層14整體之狀態者與感測器基板12的像素30進行貼合為較佳。再者，此時，轉換層14中之與像素30接觸之一側成為柱狀結晶的生長方向的前端側。
進而，在形成於感測器基板12上之轉換層14上經由黏著層60設置反射層62。進而，經由接著層64設置保護層66。
又，在將電路基板與端子113連接之製程中，如圖7B所示，將柔性電纜112與感測器基板12電連接。具體而言，使搭載有驅動IC210或訊號處理IC310之柔性電纜112熱壓接合至端子113上，從而將端子113與柔性電纜112電連接。藉此，柔性電纜112電連接至感測器基板12。
接著，實施步驟S14的剝離製程。在剝離製程中，將經由柔性電纜112連接有電路基板之感測器基板12從支撐體400剝離。
作為一例，在本實施形態中，如圖8所示，將設置有轉換層14之感測器基板12藉由所謂之機械剝離從支撐體400剝離。在圖8所示之一例中，將感測器基板12的基材11中之與電連接有柔性電纜112B之邊對向之邊設為剝離的起點，並從成為起點之邊朝向電連接有柔性電纜112之邊逐漸將感測器基板12從支撐體400向圖8所示之箭頭D方向剝離，從而將感測器基板12從支撐體400剝離。
再者，作為剝離的起點之邊為俯視感測器基板12時之與最長邊交叉之邊為較佳。換言之，沿由於剝離而產生撓曲之撓曲方向Y之邊為最長邊為較佳。作為一例，在本實施形態中，將剝離的起點設為與電連接有柔性電纜112B之邊對向之邊。
再者，將感測器基板12從支撐體400剝離之方法並不限定於本實施形態所示之機械剝離。例如，可以藉由雷射剝離（laser Lift Off）來將感測器基板12從支撐體400剝離。在雷射剝離中，從支撐體400的背面（與設置有感測器基板12之面相反的一側的面）照射雷射，藉由透射了支撐體400之雷射來使剝離層402分解，從而將感測器基板12從支撐體400剝離即可。
接著，實施步驟S16的吸附搬運製程。吸附搬運製程為如下製程：將感測器基板12從剝離裝置搬運至用於進行下一製程（後述步驟S18的補強構件設置製程）的裝置，該剝離裝置用於將感測器基板12從支撐體400剝離。在本實施形態中，如圖9所示，藉由由設置於搬運治具500上之吸附構件520吸附感測器基板12來保持並搬運感測器基板12。
參閱圖10A～圖10D對本實施形態的搬運治具500進行說明。在圖10A中示出本實施形態的搬運治具500的一例的側視圖。本實施形態的搬運治具500包括具有複數個吸附構件520之吸附部510和具有保持構件550之保持部512。
參閱圖10B～圖10D對本實施形態的吸附部510進行詳細說明。在圖10B中示出從設置有吸附構件520的吸附墊521之方向觀察吸附部510之俯視圖的一例。又，在圖10C中示出從側面觀察吸附部510之側視圖的一例。又，在圖10D中示出吸附構件520的側視圖的一例。
本實施形態的吸附部510具有複數個（在本實施形態中為16個）吸附構件520，並且吸附構件520支撐基材11的第1面11A的整個表面。
各吸附構件520包括吸附墊521、軸部522、配接器524、緩衝構件526、螺帽528、連接構件530及軟管532。
吸附墊521具有吸附感測器基板12之功能。作為一例，如圖9等所示，本實施形態的吸附墊521吸附感測器基板12的基材11的第2面11B。作為一例，在本實施形態中，將橡膠或海棉等相對柔軟的構件用作吸附墊521的材料。
吸附墊521的內部藉由配接器524與空腔（省略圖示）的軸部522連接。吸附墊521的內部與軸部522的空腔部分貫通。軸部522插穿於設置在基座540上之孔541中，並且在基座540與吸附墊521之間設置有緩衝構件526。
緩衝構件526具有吸收由吸附墊521吸附之基材11的凹凸之功能。由於在基材11上存在凹凸，因此基材11的第1面11A不係完全平面（例如，水平）而有時產生凹凸（換言之應變）。在本實施形態的搬運治具500中，藉由由緩衝構件526吸收該種基材11的凹凸，能夠大致水平地支撐感測器基板12。作為一例，在本實施形態中，使用彈簧作為緩衝構件526，藉由彈簧伸縮而軸部522在z軸方向上上下移動，從而吸收基材11的凹凸。再者，緩衝構件536並不限定於彈簧，只要為能夠吸收基材11的凹凸的構件，則能夠適用。
螺帽528具有將軸部522以在z軸方向上能夠上下移動的狀態固定於基座540上之功能。
軸部522藉由連接構件530與軟管532連接，並且軸部522的空腔部分與軟管532的空腔部分貫通。軟管532的與和軸部522連接之端部相反的一側的端部與省略了圖示之抽吸泵等抽吸裝置連接。
藉由抽吸裝置作動而經由軟管532、軸部522抽吸吸附墊521內部的空氣以使吸附墊521內的壓力低於大氣壓，因此藉由大氣壓，感測器基板12被緊壓在吸附墊521上，從而吸附墊521吸附並支撐感測器基板12。
再者，吸附墊521的面積、吸附部510中之吸附構件520的數量及吸附構件520的配置並不限定於本實施形態，例如依據感測器基板12及轉換層14的重量、基材11的第2面11B的面積及基材11的材質等適當確定即可。
另一方面，保持部512包括保持構件550及支撐部552。支撐部552具有將保持構件550支撐於吸附部510的基座540上之功能。
如圖9所示，保持構件550藉由在上表面上載置電路基板（在圖9中為訊號處理基板300）來保持電路基板。在圖9所示之例中，電路基板在將柔性電纜112拉伸之狀態下（換言之，沒有折疊或沒有彎曲等的狀態下）被載置於保持構件550上。如此，在本實施形態的搬運治具500中，如圖9所示，保持構件550在將柔性電纜112拉伸之狀態下保持電路基板，因此對柔性電纜112與端子113的連接部分施加力，從而能夠抑制柔性電纜112從端子113剝離。再者，可以在保持構件550的上表面亦即載置電路基板之表面上設置有固定電路基板之保持具或表示電路基板的載置位置之導件等。
在本實施形態的吸附搬運製程中，具體而言，如圖11所示，藉由搬運治具500使連接有電路基板之感測器基板12從剝離裝置移動至搬運台570上。當在搬運台570上載置感測器基板12時，感測器基板12從搬運治具500卸下。感測器基板12藉由搬運台570被搬運至下一製程的裝置（在本實施形態中為後述補強構件設置裝置）。
若到達下一製程的裝置，則感測器基板12再次被搬運治具500保持，感測器基板12從搬運台570被移動至下一製程的裝置上。若感測器基板12被設置於下一製程的裝置上，則感測器基板12從搬運治具500卸下。
若以該種方式結束步驟S16的吸附搬運製程，則實施接著步驟S18的補強構件設置製程。在補強構件設置製程中，在感測器基板12的基材11的第2面11B上設置補強構件40。
接著，如圖12所示，在基材11的第2面11B上藉由黏著劑42設置補強構件40。作為一例，在本實施形態中，預先準備貼合有黏著劑42之補強構件40，並將所準備之補強構件40藉由黏著劑42貼合在固定於補強構件設置裝置上之感測器基板12的基材11的第2面11B上。 以該種方式製造本實施形態的放射線檢測器10。
進而，藉由將放射線檢測器10及電路基板等收納於框體120中來製造圖4A或圖4B所示之放射線圖像攝影裝置1。具體而言，又，藉由在基材11的第2面11B側、具體而言電磁遮蔽層44與照射面120A對向之狀態下將放射線檢測器10收納於框體120中來製造圖4A所示之放射線圖像攝影裝置1。又，藉由在補強構件40與照射面120A對向之狀態下將放射線檢測器10收納於框體120中來製造圖4B所示之放射線圖像攝影裝置1。
再者，搬運治具500及放射線圖像攝影裝置1的製造方法並不限定於上述形態。例如，可以設為以下變形例1～變形例3所示之搬運治具500及變形例4所示之製造方法。
（變形例1） 在圖13中示出藉由本變形例的搬運治具500來保持感測器基板12及電路基板（訊號處理基板300）之狀態的一例。
如圖13所示，本變形例的搬運治具500的保持部512的結構與上述保持部512不同。在本變形例的保持部512中，載置電路基板之保持構件550從吸附部510的基座540延伸。保持構件550在將柔性電纜112折疊之狀態下載置電路基板。再者，可以在保持構件550的上表面亦即載置電路基板之表面上設置有固定電路基板之保持具或表示電路基板的載置位置之導件等。
在本變形例的搬運治具500中，如圖13所示，保持構件550在將柔性電纜112折疊之狀態下保持電路基板，因此即使在柔性電纜112長的情況下，亦能夠使搬運所需要之空間、具體而言保持連接有電路基板之感測器基板12之空間緊湊化。
（變形例2） 在圖14中示出藉由本變形例的搬運治具500來保持感測器基板12及電路基板（訊號處理基板300）之狀態的一例。
如圖14所示，本變形例的搬運治具500的保持部512的結構與上述保持部512不同。在本變形例的保持部512中，從吸附部510的基座540延伸之保持構件550具有吸附構件554。作為一例，本變形例的吸附構件554具有吸附墊555，並且具有與吸附部510的吸附構件520相同的結構。在本變形例的保持部512中，藉由由吸附構件554的吸附墊555吸附電路基板來保持電路基板。再者，吸附墊555的面積、保持構件550中之吸附構件554的數量及吸附構件554的配置並不限定於本變形例，例如依據電路基板整體的重量、電路基板的面積及電路基板的材質等適當確定即可。
在本變形例的搬運治具500中，如圖14所示，保持構件550由吸附構件554吸附來保持電路基板，因此能夠與感測器基板12相同地保持電路基板。
（變形例3） 在圖15中示出藉由本變形例的搬運治具500來保持感測器基板12及電路基板（訊號處理基板300）之狀態的一例。
如圖15所示，本變形例的搬運治具500的保持部512的結構與上述保持部512不同。在本變形例的保持部512中，在從吸附部510的基座540延伸之保持構件550上設置有銷558。作為一例，在本變形例中，基座540、保持構件550及銷558以直線狀延伸。在本變形例的電路基板上設置有用於插穿銷558的孔。在圖15所示之例中，在訊號處理基板300上設置有孔301。在本變形例的保持部512中，藉由將電路基板的孔（在圖15中為孔301）插穿於保持部512的銷558來保持電路基板。在本變形例中，如圖15所示，電路基板在將柔性電纜112彎曲之狀態下由保持部512保持。再者，在保持部512上設置銷558之數量、銷558的直徑等大小、銷558的形狀及保持部512中之銷558的配置並不限定於本變形例，例如依據電路基板整體的重量、電路基板的面積及電路基板的材質等適當確定即可。又，設置於電路基板上之孔（在圖15中為孔301）依據銷558的配置、形狀及大小等設置即可。又，設置於電路基板上之孔（在圖15中為孔301）並不限定於貫通電路基板之所謂之貫通孔，例如亦可以為具有底之所謂之溝槽的狀態的孔。
在本變形例的搬運治具500中，如圖15所示，藉由將電路基板的孔插穿於保持構件550的銷558來保持電路基板，因此能夠使保持構件550小型化，並且能夠簡化保持構件550的結構。又，如圖15所示，在將柔性電纜112彎曲之狀態下保持電路基板，因此即使在柔性電纜112長的情況下，亦能夠使搬運所需要之空間、具體而言保持連接有電路基板之感測器基板12之空間緊湊化。
（變形例4） 在圖16中示出表示本變形例的放射線檢測器10的製造製程的流程的一例之流程圖。如圖16所示，本變形例的製造製程與上述形態的製造製程（參閱圖5）不同，在S24的吸附搬運製程之後實施轉換層形成製程S26。
在步驟S20的感測器基板形成製程中，與上述形態的步驟S10（參閱圖5）相同地形成感測器基板12。再者，本變形例的感測器基板形成製程包括在上述感測器基板12上設置端子113之製程（參閱圖6）和將電路基板與端子113連接之製程（參閱圖7B）。
接著，在步驟S22中，與上述形態的S14（參閱圖5）相同地實施剝離製程，從而將連接有電路基板之感測器基板12從支撐體400剝離。
接著，如在步驟S24中所述，實施藉由搬運治具500搬運連接有電路基板之感測器基板12之吸附搬運製程。此時，在搬運台570（參閱圖11）上載置沒有設置轉換層14的狀態的感測器基板12及電路基板，感測器基板12被搬運至用於設置轉換層14的裝置。
接著，在步驟S26中，與上述形態的S12（參閱圖5）相同地實施在感測器基板12上設置轉換層14之轉換層形成製程。進而，在下一步驟S28中，與上述形態的S18（參閱圖5）相同地實施在感測器基板12的基材11的第2面11B上設置補強構件40之補強構件設置製程。
如此，即使在本變形例的放射線圖像攝影裝置1的製造方法中，亦在由搬運治具500的吸附部510吸附從支撐體400剝離後的感測器基板12且由搬運治具500的保持部512保持電路基板之狀態下搬運感測器基板12及電路基板。
如以上所說明，上述形態的放射線圖像攝影裝置1的製造方法具備在支撐體400上形成感測器基板12之製程，該感測器基板12設置撓性基材11且在基材11的第1面11A的像素區域35上設置有蓄積依據從放射線轉換之光產生之電荷之複數個像素30。又，放射線圖像攝影裝置1的製造方法具備在基材11的第1面11A上設置用於將柔性電纜112電連接的端子113之製程。又，放射線圖像攝影裝置1的製造方法具備將用於從像素30讀取電荷或用於驅動像素30的電路基板經由柔性電纜112與端子113電連接之製程。又，放射線圖像攝影裝置1的製造方法具備將經由柔性電纜112端子113與電路基板電連接之感測器基板12從支撐體400剝離之製程。進而，放射線圖像攝影裝置1的製造方法具備如下製程：使用包括具有複數個吸附構件520之吸附部510和具有保持構件550之保持部512之搬運治具500，在由複數個吸附構件520吸附來支撐基材11的第1面11A或與第1面11A相反的一側的第2面11B且由保持構件550保持電路基板之狀態下搬運從支撐體400剝離之感測器基板12。
如此，依據上述各形態的放射線圖像攝影裝置1的製造方法，藉由包括具有複數個吸附構件520之吸附部510和具有保持構件550之保持部512之搬運治具500搬運從支撐體400剝離後的感測器基板12。因此，依據上述各形態的放射線圖像攝影裝置1的製造方法，能夠在穩定之狀態下分別搬運使用了撓性基材11之感測器基板12和電路基板。
再者，放射線圖像攝影裝置1及放射線檢測器10的結構及其製造方法並不限定於上述各形態。例如，在上述各形態中，圖示出搬運治具500的保持部512保持訊號處理基板300作為電路基板的一例之狀態，但係由保持部512保持之電路基板並不限定於訊號處理基板300。亦可以為搬運治具500的保持部512保持與感測器基板12的端子113連接之其他電路基板之形態，亦可以為保持所有電路基板之形態。又，例如，可以設為依據電路基板的種類而由不同形態的保持部512保持電路基板之形態。例如，可以設為訊號處理基板300由變形例3所示之保持部512保持且驅動基板200由變形例2所示之保持部512保持之形態。又，例如，在圖11所示之搬運台570上載置感測器基板12之前後，所使用之搬運治具500可以不同。換言之，在搬運台570上載置感測器基板12之前後，保持電路基板之搬運治具500的保持部512可以不同。
又，例如，在上述各形態中，對轉換層14為CsI之形態進行了說明，但係轉換層14並不限定於CsI。例如，轉換層14亦可以為使用了GOS（Gd 2O 2S：Tb）等者。此時，例如準備藉由黏著層等在由白PET等形成之支撐體上貼合使GOS分散於樹脂等黏合劑中而獲得之薄片而成者，藉由黏著性薄片等貼合GOS的未貼合支撐體之一側和感測器基板12的像素30，藉此能夠在感測器基板12上形成轉換層14。再者，與使用GOS之情況相比，在轉換層14中使用CsI之情況下，從放射線向可見光的轉換效率變高。
又，例如，如上述圖1所示，對像素30二維排列成矩陣狀之態樣進行了說明，但係並不限定於此，例如亦可以為一維排列，還可以為蜂窩排列。又，像素的形狀亦無限定，可以為矩形，亦可以為六邊形等多邊形。進而，像素區域35的形狀亦並無限定，這係不言而喻的。
此外，上述各形態中之放射線圖像攝影裝置1及放射線檢測器10等的結構和製造方法等為一例，能夠在不脫離本發明的宗旨之範圍內根據狀況進行變更，這係不言而喻的。
1:放射線圖像攝影裝置 10:放射線檢測器 11:基材11A:第1面11B:第2面 12:感測器基板 14:轉換層14A:中央部14B:周緣部 30:像素 32:TFT（開關元件） 34:感測器部 35:像素區域 36:訊號配線 38:掃描配線 39:共用配線 40:補強構件 42:黏著劑 60:黏著層 62:反射層 64:接著層 66:保護層 100:控制部100A:CPU100B:記憶體100C:儲存部 102:驅動部 104:訊號處理部 106:圖像記憶體 108:電源部 110:控制基板 112,112A,112B:柔性電纜 113:端子 116:中板 120:筐體120A:照射面 200:驅動基板 210:驅動IC 300:訊號處理基板 301:孔 310:訊號處理IC 400:支撐體 402:剝離層 500:搬運治具 510:吸附部 512:保持部 520,554:吸附構件 521,555:吸附墊 522:軸部 524:配接器 526:緩衝構件 528:螺帽 530:連接構件 532:軟管 540:基座 550:保持構件 552:支撐部 558:銷 570:搬運台
圖1係表示實施形態的放射線圖像攝影裝置中之電氣系統的主要部分結構的一例之方塊圖。 圖2係從基材的第1面側觀察實施形態的放射線檢測器的一例之俯視圖。 圖3係圖2所示之放射線檢測器的一例的A-A線剖面圖。 圖4A係實施形態的放射線圖像攝影裝置的一例的剖面圖。 圖4B係實施形態的放射線圖像攝影裝置的一例的剖面圖。 圖5係表示實施形態的放射線圖像攝影裝置的製造製程的流程的一例之流程圖。 圖6係用於說明感測器基板形成製程的一例的圖。 圖7A係用於說明轉換層形成製程的一例的圖。 圖7B係用於說明轉換層形成製程的一例的圖。 圖8係用於說明剝離製程的一例的圖。 圖9係用於說明吸附搬運製程的一例的圖。 圖10A係表示搬運治具的一例的側面之圖。 圖10B係從設置有吸附構件的吸附墊之方向觀察吸附部之俯視圖的一例。 圖10C係從側面觀察吸附部之側視圖的一例。 圖10D係吸附構件的側視圖的一例。 圖11係用於說明吸附搬運製程的詳細內容的圖。 圖12係用於說明補強構件設置製程的一例的圖。 圖13係表示藉由變形例1的搬運治具來保持感測器基板及電路基板之狀態的一例之圖。 圖14係表示藉由變形例2的搬運治具來保持感測器基板及電路基板之狀態的一例之圖。 圖15係表示藉由變形例3的搬運治具來保持感測器基板及電路基板之狀態的一例之圖。 圖16係表示變形例4的放射線圖像攝影裝置的製造製程的流程的一例之流程圖。
11:基材
11A:第1面
11B:第2面
12:感測器基板
14:轉換層
30:像素
35:像素區域
64:接著層
66:保護層
112:柔性電纜
112B:柔性電纜
113:端子
300:訊號處理基板
310:訊號處理IC
500:搬運治具
510:吸附部
512:保持部
520:吸附構件
532:軟管
540:基座
550:保持構件
552:支撐部
570:搬運台

Claims (12)

  1. 一種放射線圖像攝影裝置的製造方法，其係具備： 形成在支撐體上設置撓性基材且在前述基材的第1面的像素區域上設置有蓄積依據從放射線轉換之光產生之電荷之複數個像素之基板之製程； 在前述基材的前述第1面上設置用於將電纜電連接的端子部之製程； 將用於從前述像素讀取前述電荷或用於驅動前述像素的電路基板經由前述電纜與前述端子部電連接之製程； 將經由前述電纜前述端子部與前述電路基板電連接之前述基板從前述支撐體剝離之製程；及 使用包括具有複數個吸附構件之吸附部和具有保持構件之保持部之搬運治具，在由前述複數個吸附構件吸附來支撐前述基材的前述第1面或與前述第1面相反的一側的第2面且由前述保持構件保持前述電路基板之狀態下搬運從前述支撐體剝離之前述基板之製程。
  2. 如請求項1所述之放射線圖像攝影裝置的製造方法，其係還具備在前述基材的前述第1面上設置將前述放射線轉換成光之轉換層之製程， 在藉由前述搬運治具搬運前述基板之製程中，藉由前述搬運治具搬運設置有前述轉換層之前述基板。
  3. 如請求項1所述之放射線圖像攝影裝置的製造方法，其係還具備藉由前述搬運治具搬運前述基板之後，在前述基材的前述第1面上設置將前述放射線轉換成光之轉換層之製程。
  4. 如請求項1至請求項3之任一項所述之放射線圖像攝影裝置的製造方法，其係還具備在前述基材的前述第2面上設置補強前述基材的強度之補強構件之製程。
  5. 如請求項1至請求項3之任一項所述之放射線圖像攝影裝置的製造方法，其中， 前述搬運治具的前述保持構件藉由在將前述電纜折疊之狀態下載置前述電路基板來保持前述電路基板。
  6. 如請求項1至請求項3之任一項所述之放射線圖像攝影裝置的製造方法，其中， 前述搬運治具的前述保持構件藉由在將前述電纜拉伸之狀態下載置前述電路基板來保持前述電路基板。
  7. 如請求項1至請求項3之任一項所述之放射線圖像攝影裝置的製造方法，其中， 在前述電路基板上設置有孔， 並且在前述搬運治具的前述保持構件上設置有銷， 前述搬運治具藉由將前述銷插穿於前述電路基板的前述孔中來保持前述電路基板。
  8. 如請求項1至請求項3之任一項所述之放射線圖像攝影裝置的製造方法，其中， 前述搬運治具的前述保持構件藉由吸附來保持前述電路基板。
  9. 如請求項1至請求項3之任一項所述之放射線圖像攝影裝置的製造方法，其中， 前述搬運治具藉由前述複數個吸附構件來支撐前述基材的前述第2面的整個表面。
  10. 如請求項1至請求項3之任一項所述之放射線圖像攝影裝置的製造方法，其中， 在前述搬運治具的前述複數個吸附構件中的每一個上設置有吸收前述基材的凹凸之緩衝構件。
  11. 一種搬運治具，其係搬運基板，該基板在撓性基材的第1面的像素區域上設置有蓄積依據從放射線轉換之光產生之電荷之複數個像素，並且設置有用於從前述像素讀取前述電荷或用於驅動前述像素的電路基板經由電纜電連接之端子部， 該搬運治具包括：吸附部，具有吸附前述基材的前述第1面或與前述第1面相反的一側的第2面之複數個吸附構件；及 保持部，具有保持前述電路基板之保持構件。
  12. 如請求項11所述之搬運治具，其中， 在前述複數個吸附構件中的每一個上設置有吸收前述基材的凹凸之緩衝構件。
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