JP2015068653A - 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線検査装置 - Google Patents

放射線撮像装置、その製造方法及び放射線検査装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2015068653A
JP2015068653A JP2013200524A JP2013200524A JP2015068653A JP 2015068653 A JP2015068653 A JP 2015068653A JP 2013200524 A JP2013200524 A JP 2013200524A JP 2013200524 A JP2013200524 A JP 2013200524A JP 2015068653 A JP2015068653 A JP 2015068653A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
radiation imaging
imaging apparatus
sensor units
support portion
sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013200524A
Other languages
English (en)
Inventor
尚志郎 猿田
Hisashiro Saruta
尚志郎 猿田
慶人 佐々木
Yasuto Sasaki
慶人 佐々木
岡田 聡
Satoshi Okada
岡田  聡
長野 和美
Kazumi Nagano
和美 長野
陽平 石田
Yohei Ishida
陽平 石田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2013200524A priority Critical patent/JP2015068653A/ja
Priority to PCT/JP2014/003741 priority patent/WO2015045237A1/ja
Publication of JP2015068653A publication Critical patent/JP2015068653A/ja
Priority to US15/047,928 priority patent/US20160172414A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14658X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H01L27/14663Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

【課題】基台上に配列された複数のセンサユニットを備える放射線撮像装置において、複数のセンサユニットの一部を基台から選択的に取り外すのに有利な技術を提供する。【解決手段】放射線撮像装置は、各々が複数のセンサを有する複数のセンサユニットと、前記複数のセンサユニットの下の領域を複数の空間に仕切るように格子形状を有し、かつ、前記複数のセンサユニットを前記複数のセンサユニットの下面の側から支持する支持部と、前記複数の空間のそれぞれに設けられ、前記複数のセンサユニットと前記支持部とを結合する結合部材と、を備える。【選択図】図1

Description

本発明は、放射線撮像装置、その製造方法及び放射線検査装置に関する。
放射線撮像装置は、各々が複数のセンサを有する複数のセンサユニットと、当該複数のセンサユニットを支持する支持部(基台)とを備え、この構成により大型センサパネルが形成されうる。特許文献1に例示されるように、各センサユニットと支持部とは、例えば接着力を有する樹脂等の結合部材により結合される。
複数のセンサユニットの各々は、支持部の上に配列される前に正常に動作した場合でも、支持部の上に配列された後に静電気などの外的要因によって故障するおそれがある。そのため、複数のセンサユニットが支持部の上に配列された後、他の工程(例えば、複数のセンサユニットの上にシンチレータを形成する工程等)を行う前には、各センサユニットが正常に動作するかどうかの検査が為される。検査の結果、複数のセンサユニットのうちの一部のセンサユニットが故障していた場合には、当該一部のセンサユニットを他のセンサユニットに交換するため、当該一部のセンサユニットは支持部から取り外される。この取り外しは、例えば、上述の結合部材(各センサユニットと支持部とを結合する部材)を溶解する薬剤を用いて為されうる。そのため、取り外しの対象であるセンサユニットのみを選択的に取り外すことは容易ではなく、それ以外のセンサユニットまで剥離してしまうおそれがある。
一方、特許文献2には、各センサユニットと支持部とを加熱剥離性の接着部材を用いて接着することにより、支持部から複数のセンサユニットのうちの一部を取り外すことが可能な構造が開示されている。しかしながら、この接着部材は加熱剥離性であるため、製造工程中の加熱処理等によって該接着部材の接着力が低下し、その結果、取り外す予定のないセンサユニットが剥離してしまうおそれがある。
特開2008−224429号公報 特開2012−145474号公報
本発明の目的は、複数のセンサユニットを支持する支持部から、一部のセンサユニットを選択的に取り外すのに有利な技術を提供することにある。
本発明の一つの側面は放射線撮像装置にかかり、前記放射線撮像装置は、各々が複数のセンサを有する複数のセンサユニットと、前記複数のセンサユニットの下の領域を複数の空間に仕切るように格子形状を有し、かつ、前記複数のセンサユニットを前記複数のセンサユニットの下面の側から支持する支持部と、前記複数の空間のそれぞれに設けられ、前記複数のセンサユニットと前記支持部とを結合する結合部材と、を備えることを特徴とする。
本発明によれば、複数のセンサユニットを支持する支持部から、一部のセンサユニットを選択的に取り外すのに有利である。
放射線撮像装置の構成例を説明する図。 放射線撮像装置の支持部の構成例を説明する図。 放射線撮像装置の支持部の他の構成例を説明する図。 一部のセンサユニットを取り外す方法の例を説明する図。 放射線撮像装置の支持部の他の構成例を説明する図。 放射線撮像装置の支持部の他の構成例を説明する図。 放射線撮像装置の支持部の他の構成例を説明する図。 放射線検査装置の構成例を説明する図。 放射線撮像装置の比較例を説明する図。 放射線撮像装置の支持部の構成例を説明する図。 放射線撮像装置の製造方法の例を説明する図。 放射線撮像装置の支持部の他の構成例を説明する図。 放射線撮像装置の支持部の他の構成例を説明する図。 放射線撮像装置の支持部の他の構成例を説明する図。
(第1実施形態)
図1〜4を参照しながら、第1実施形態の放射線撮像装置11を説明する。図1は、放射線撮像装置11の構成例を示す模式図である。図1(a)は、放射線撮像装置11の上面図を示している。図1(b)は、図1(a)のカットラインA−A’の断面構造を示している。
放射線撮像装置11は、基台104と、基台104の上に配された支持部110と、支持部110の上に配列された複数のセンサユニット109とを備えている。図1(b)では、基台104、支持部110および複数のセンサユニット109をまとめてセンサパネル115と示している。
各センサユニット109は、例えば複数のセンサ108が配列されたセンサチップを含み、センサ108はCMOSイメージセンサを含む。該センサチップは、公知の半導体プロセスを用いて、例えば、センサ108やセンサ108からの信号を読み出すための回路(不図示)をシリコンウエハに形成し、このシリコンウエハからダイシングによりチップごとに切り出すことにより得られる。なお、センサユニット109は、チップに限られるものではなく、所定の単位を形成していればよい。また、センサ108はCMOSイメージセンサに限られるものではなく、PIN型センサやMIS型センサ等の他のセンサをも含みうる。
放射線撮像装置11は、複数のセンサユニット109の上にセンサ保護膜107を介して設けられたシンチレータ106と、シンチレータ106の上に接着部材105を介して設けられたシンチレータ保護膜101と、をさらに備えている。シンチレータは、例えばタリウム賦活ヨウ化セシウム(CsI:Tl)で構成されうる。
シンチレータ保護膜101の端部領域は部材102で封止されており、シンチレータ106を湿気等から防止している。同様に、支持部110の端部領域は部材111で封止されている。部材102及び111には、防湿効果を有する材料が用いられればよく、例えばエポキシ樹脂やポリビニリデン樹脂が好適に用いられうる。
各センサユニット109の端部領域には、電気信号の授受や電源電圧の供給を行うための電極部が設けられており、該電極部はフレキシブルプリント基板103に接続される。
なお、基台104には、平坦性および剛性の他、シンチレータ106を形成する際の熱に耐えうる耐熱性を有する部材が用いられればよい。例えば、基台104には、ソーダライムガラスや無アルカリガラス等のガラス基板、アルミニウム等の金属板、CFRP(炭素繊維強化プラスチック)やアモルファスカーボン等の基板が用いられうる。
図1(c)は、筐体114に実装された放射線撮像装置11の断面構造を示している。放射線撮像装置11は、フレキシブルプリント基板103を介して、回路基板113に接続される。以上のような構成によって、放射線撮影により得られた画像データが読み出される。
具体的には、被検者を通過した放射線が、筐体部114とシンチレータ保護膜101と接着部材105とを透過して、シンチレータ106に入射する。該放射線は、シンチレータ106で光に変換され、該光は各センサユニット109の各センサ108により検出され、このようにして、該放射線に基づく電気信号が得られる。この電気信号に基づいて、不図示の画像処理部で画像データが形成される。なお、シンチレータ保護膜101は、シンチレータの保護機能の他、シンチレータ106からの光がセンサパネル115の側に向かって反射するように、反射機能を兼ねていてもよい。
図2は、基台104及び支持部110の構成例を示す模式図であり、図2(a)は、基台104及び支持部110の平面視における構成を例示している。支持部110は、複数のセンサユニット109の下の領域を複数の空間spに仕切るための格子形状を有している。図2(b)〜(d)は、図2(a)のカットラインB−B’の断面構造を、センサパネル115の製造工程ごとに示す模式図である。
まず、図2(b)に例示されるように、基台104の上に格子形状の支持部110を配置する。基台104と支持部110とは一体に形成されていてもよく、例えば、凸部が格子形状を描くように連なって形成された支持部を上面に有する基台を準備してもよい。なお、支持部110は、公知の製造プロセスを用いて形成することが可能であり、例えば、フォトエッチングプロセスを用いて形成してもよいし、サンドブラスト法、機械研磨等の研摩法、又は射出成型法によって形成してもよい。
次に、図2(c)に例示されるように、支持部110の側面に接着部材202を設ける。接着部材202は、後の工程で支持部110の上にセンサユニット109を配置する際に、センサユニット109と支持部110とを結合する結合部材として機能する。接着部材202は、その上面が、支持部110の上面よりも高くなるように設けられうる。なお、接着部材202は、図2(c)に例示された形状を維持できるように、例えば10kPa・s以上の粘度を有するとよい。
最後に、図2(d)に例示されるように、支持部110の上面にセンサユニット109を配置し、接着部材202により固定する。ここでは、複数のセンサユニット109は、互いに隣接するセンサユニット109同士の境界が支持部110の上面に近接するように配列される。
また、図2(e)及び(f)に例示されるように、支持部110の上面には、支持部110と接着部材202との高低差を調節するため、弾性部材203が配されてもよい。弾性部材203として、例えば、セメダイン社製PMシリーズ等が用いられうる。なお、その場合は、接着部材202を支持部110の側面に塗布する前に弾性部材203を支持部110の上面に塗布し、弾性部材203がセンサユニット109に接着しない程度に弾性部材203を十分に乾燥させた後にセンサユニット109を設置するとよい。また、弾性部材203は、接着機能を有していてもよく、その接着力が接着部材202よりも小さい部材が好適に用いられうる。また、支持部110自体が、弾性部材203と同じ材料で構成されていてもよく、その場合は、接着部材202の上面は支持部110の上面よりも低くてもよい。
センサユニット109と基台104との間には、支持部110によって区画された空間spが存在する。各空間spは、センサユニット109の個々に対応している。また、各空間spは、端部領域において、センサユニット109、基台110および基台104によって形成された開口部201により開放されている。これにより、各空間spに、接着部材202を溶解するための薬剤(以下、「薬剤P」と称する。)を、開口部201を介して個別に注入できるようになっている。
例えば、一部のセンサユニット109を取り外す場合には、取り外し対象のセンサユニット109が接触する空間spのみに薬剤Pを注入すればよい。これにより、複数のセンサユニット109のうち、取り外し対象のセンサユニット109のみを支持部110から個別に取り外すことが可能になる。即ち、上述の構成によると、複数のセンサユニット109の各々を、ユニット単位で支持部110から取り外すことが可能である。なお、接着部材202は、センサユニット109と支持部110とを接合しつつ空間spに注入された薬剤Pによって溶解するように配されていればよく、空間spの全体に設けられる必要はない。
また、開口部201は、薬剤Pを注入できる程度の大きさを有していればよい。例えば、図3(a)に示されるように、開口部201付近に、他の支持部110が設けられてもよいし、また、図3(b)に示されるように、支持部110が開口部201の付近で幅の大きい部分110を有してもよい。
本実施形態では、センサパネル115の上に、センサ保護膜107を介して、シンチレータ106を蒸着法により形成する(いわゆる直接形成法を行う)。そのため、接着部材202は、熱硬化性の他、耐熱性を有する必要がある。接着部材202は、例えば210℃以上の耐熱性を有するとよい。接着部材202には、例えばエポキシ系樹脂が用いられ、より具体的には、スリーボンド社製のTB2285やTB2088Eが用いられうる。この場合、センサユニット109を取り外すときには、薬剤Pとして、例えば、アセトン、シクロヘキサン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、テトラヒドロフラン等の溶剤を用いることができる。
また、接着部材202として、シラノール基やアルコキシ基の脱水縮合によって接着力が生じる接着材料が用いられてもよい。具体的には、日産化学工業社製のスノーテックスシリーズのコロイダルシリカ等が用いられうる。なお、接着部材202が図2(c)に例示されるような形状を維持できるように、例えば日本合成化学社製のゴーセノール等、ポリビニルアルコール等の水溶性樹脂と共に溶解させて、粘度を例えば10kPa・s以上に増加させてもよい。コロイダルシリカは、温度の高くなると脱水反応により接着力が増加するが、最終的に至った温度よりも低い温度では脱水反応が生じないという性質を有する。そのため、接着部材202の接着硬化に必要な温度T1は、シンチレータ蒸着工程における温度よりも高い温度(例えば210℃程度)とするとよい。この場合、センサユニット109を取り外すときには、薬剤Pとして、例えば、炭酸ナトリウムの希薄水溶液を用いることができる。なお、ポリビニルアルコール等の水溶性樹脂を溶解させるため、薬剤Pを5〜80℃程度に温度に調節して用いるとよい。
また、図4に例示されるように、空間spと外圧との気圧差を利用して各空間spに薬剤Pを注入してもよい。図4は、この薬剤Pの注入方法を説明する図である。まず、取り外し対象のセンサユニット(「センサユニット109’」と示す)以外のセンサユニット109に対応する開口部201を、例えば液状ガスケット402により封止する。液状ガスケット402は、薬剤Pの溶液404の浸透を防止し、かつ、剥離することが容易な部材であればよく、例えばスリーボンド社製のフッ素系液状ガスケット1119シリーズ等が用いられうる。なお、図4に例示されるように、2列に配列されたセンサユニット109のうちの一方の列のセンサユニットのみが取り外し対象である場合には、当該一方の側に液状ガスケット402を設ければよい。
次に、予め溶液404が投入されている減圧チャンバー403内に、センサパネル115を、センサユニット109’が下側(薬液404の側)になるように設置し、チャンバー403内の減圧を行う。その後、図4に例示されるように、センサユニット109’に対応する空間spの開口部201が薬液404の液面に浸るように、センサパネル115を移動させる。そして、この状態を維持しつつ、チャンバー403内の圧力を大気圧に戻す。
この方法によると、空間spと外圧との間に気圧差が生じ、センサユニット109’に対応する空間spが薬液404で充填される。
この方法において、空間spへの薬液404の注入を効果的に行うため、空間spには、例えば耐溶剤性の繊維が配されていてもよい。これにより、毛細管現象によって該空間sp内が薬液404で効率的に充填され、前述の接着部材202を溶解するのに有利である。該繊維は、さらに耐熱性(例えば210℃以上)を有していてもよい。該繊維には、例えばグラスウールや、テイジン社製のパラアラミド繊維・テクノーラ等が用いられうる。
その他、各空間spへの薬剤Pの注入方法として、例えばマイクロシリンジを用いて空間spに薬剤Pを注入してもよい。この場合、支持部110の高さは、例えば500μm程度またはそれ以上にすることにより、各空間spへの薬剤Pの注入を容易に行うことができる。
以上、本実施形態によると、複数のセンサユニット109のうち、取り外し対象のセンサユニット109が接触する空間spに、接着部材202を溶解するための薬剤Pを、例えば開口部201を介して、個別に注入することができる。よって、複数のセンサユニット109のうち、取り外す対象であるセンサユニット109のみを支持部110から個別に取り外すことが可能になる。よって、本実施形態によると、複数のセンサユニット109を支持する支持部110から、一部のセンサユニット109を選択的に取り外すのに有利である。例えば、各センサユニット109の検査の結果、所定の基準を満たさなかったものは、以上に例示された方法で取り外され、他のセンサユニットと交換されればよい。また、放射線撮像装置11の製造方法によると、耐熱性を有するセンサパネル115を作製するのに有利であるため、センサパネル115の上にシンチレータ106を蒸着法により形成する(いわゆる直接形成法を行う)ことも可能である。よって、本実施形態によると、放射線撮像装置11の感度およびMTFの向上においても有利である。
(第2実施形態)
図5を参照しながら第2実施形態を説明する。前述の第1実施形態では、基台104の上に設けられた格子形状の支持部110によって複数のセンサユニット109を支持する構成を例示した。しかし、各センサユニット109を個別に取り外すことが可能なように、薬剤Pを注入するための空間spが形成されていればよく、本発明はこの構成に限られるものではない。例えば、放射線撮像装置11は基台104を有しておらず、下面側から空間spに薬剤Pを注入することが可能な構成でもよい。
図5(a)は、平面視において、本実施形態の支持部116の構成例を示す模式図であり、支持部116は、第1実施形態の支持部110と同様の構成を採っている。図5(b)〜(d)は、カットラインD−D’の断面構造を、第1実施形態(図2(b)〜(d))と同様にして、センサパネル115の製造工程ごとに示す模式図である。図5(c)に例示されるように、支持部116の側面には、前述の接着部材202が設けられ、接着部材202は、その上面が、支持部116の上面よりも高くなるように設けられうる。その後、前述の第1実施形態と同様にして、支持部116の上に複数のセンサパネル109が配列されればよい。このような構成によると、各空間spの下面側が解放されており、各空間spに薬剤Pを個別に注入することが可能であるため、第1実施形態と同様の効果が得られる。
また、支持部116は、下面側から空間spに薬剤Pを注入することが可能であるため、前述の開口部201が端部領域に配される必要はない。よって、支持部116に代わって、図5(e)に例示されるように、外枠を有する支持部116’が用いられた構成でもよく、この構成によると支持部116’は支持部116よりも機械的強度が向上する。
また、図5(f)及び(g)に例示されるように、第1実施形態(図2(e)及び(f))と同様に、支持部116の上面には、支持部116と接着部材202との高低差を調節するため、弾性部材203が配されてもよい。また、支持部116自体が、弾性部材203と同じ材料で構成されていてもよく、その場合は、接着部材202の上面は支持部116の上面よりも低くてもよい。
以上、本実施形態によっても、第1実施形態と同様に、複数のセンサユニット109を支持する支持部116から、一部のセンサユニット109を選択的に取り外すのに有利である。
(第3実施形態)
図6を参照しながら第3実施形態を説明する。前述の第1実施形態では、開口部201を介して空間spに薬剤Pを注入する態様を例示した。しかし、各空間spに薬剤Pを注入することが可能な構成であればよく、例えば図6に示されるように、上面から下面まで貫通して設けられた開口204(貫通孔)が設けられた基台104’が用いられた構成でもよい。
図6(a)は、支持部110と基台104’との構成例を示す模式図である。図6(b)〜(d)は、カットラインE−E’の断面構造を、第1実施形態(図2(b)〜(d))と同様にして、センサパネル115の製造工程ごとに示す模式図である。本実施形態によると、基台104’に設けられた開口204から、前述の薬剤Pを空間spに注入することが可能である。
なお、空間spへの薬剤Pの注入は、基台104’の下面側から行えばよいため、第2実施形態と同様に、前述の開口部201が端部領域に配される必要はない。よって、本実施形態においても、外枠を有する支持部116’が用いられうる。
ここで、各空間spには、少なくとも2つの開口204が設けられるとよい。これにより、薬剤Pを空間spに注入する際には、開口の一方を薬剤Pの注入孔として機能させ、開口の他方を空気孔として機能させることができ、空間spへの薬剤Pの注入を容易に行うことができる。同様に、薬剤Pを空間spから排出する際には、開口の一方を薬剤Pの排出孔として機能させ、開口の他方を空気孔として機能させることができ、空間spからの薬剤Pの排出を容易に行うことができる。
以上、本実施形態によっても、第1乃至第2実施形態と同様に、複数のセンサユニット109を支持する支持部116から、一部のセンサユニット109を選択的に取り外すのに有利である。
(第4実施形態)
図7を参照しながら第4実施形態を説明する。前述の各実施形態では、格子形状の支持部110又は116若しくは116’を例示したが、放射線撮像装置11は、図7に例示されるように、第2の支持部301をさらに備えていてもよい。
図7(a)は、支持部110及び301と基台104との構成例を示す模式図である。支持部301は、例えば空間spが平面視において長方形状である場合には、その長辺方向に沿ってライン状に設けられてもよい。また、各支持部301は、各空間spにおいて1以上のラインを形成するように設けられてもよい。また、支持部301は、図7(b)に例示されるように、複数の柱状部材が各空間spに配列されるように成されてもよい。なお、ここでは複数の柱状部材が1列に配列された構成を例示したが、2列以上で配列されてもよい。
図7(c)〜(e)は、カットラインE−E’の断面構造を、第1実施形態(図2(b)〜(d))と同様にして、センサパネル115の製造工程ごとに示す模式図である。本実施形態では、接着部材202が、第1実施形態と同様にして、支持部101の側面に設けられるとともに、図7(d)に例示されるように、支持部301の上に、センサユニット109と支持部301とを結合させるための第2の接着部材302が設けられる。
接着部材202及び302に共に熱硬化性樹脂を用いる場合には、接着部材202の硬化温度T1は、接着部材302の硬化温度T2よりも低くなるように材料を選択してもよい。この構成では、図7(e)に例示されるように支持部110及び301の上にセンサユニット109を配置する際には、例えば温度T1、T2の順に昇温させて、各センサユニット109と支持部110及び301とを結合させてもよい。具体的には、支持部110の上面に設けられる接着部材202には、低温で硬化する熱可塑性樹脂を用いる。また、支持部301の上面に設けられる接着部材302には、高温で硬化する耐熱性を有する接着剤を用いる。まず、各センサユニット109の高さおよび位置の調整を行った後、温度T1で支持部110の上面に設けられた接着部材202を硬化させる。その後、一旦、冷却処理を行った後に、さらに過熱処理を行い、温度T2で支持部301の上面に設けられた接着部材302を硬化させる。これにより、センサユニット109の高さおよび位置が調整された高精度で、蒸着法によるシンチレータ形成時の高熱に耐えうるセンサ基板119を得ることができる。この場合、接着部材202には、100℃近傍で溶融する熱可塑性樹脂が用いられ、例えばテクノアルファ社製の80シリーズ等が用いられうる。
また、接着部材302には、対象のセンサユニット109を取り外す際に、それと隣接センサユニット109に対応する空間spに薬剤Pが侵入しないように材料を選べばよい。例えば、薬剤Pの溶液を用いる場合には、該溶液が空間spに浸透しないように、水系接着剤が用いられ、例えば水溶性樹脂と、シラノール基やアルコキシ基の脱水縮合によって接着力が生じる接着材料とを含む水溶液等が用いられうる。
また、図7(e)及び(f)に例示されるように、第1実施形態(図2(e)及び(f))と同様に、支持部110の上面には、支持部116と接着部材202との高低差を調節するため、弾性部材203が配されてもよい。
以上、本実施形態によっても、第1乃至第3実施形態と同様に、複数のセンサユニット109を支持する支持部110及び301から、一部のセンサユニット109を選択的に取り外すのに有利である。また、本実施形態によると、支持部301をさらに用いることにより、センサパネル115の機械的強度が向上するため、放射線撮像装置11の信頼性向上の点でも有利である。
以上の4つの実施形態を述べたが、本発明はこれらに限られるものではなく、目的、状態、用途及び機能その他の仕様に応じて、適宜、変更が可能であり、他の実施形態によっても為されうる。例えば、本発明は、各センサユニット109が、対応する空間spに薬剤Pを注入することによって支持部110から個別に取り外し可能な構成になっていればよく、上述の各実施形態の構成に限られるものではない。例えば、本実施形態では、各空間spが、空間spの数量とセンサユニット109の数量とが1:1になるように区画された構成を例示したが、k:1(kは2以上の整数)で対応してもよい。この場合、複数のセンサユニット109は、隣接センサユニット109の境界が、支持部110の上面に近接していなくてもよい。その他、各部材の材料やパラメータは、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜、変更することが可能である。
(放射線撮像システム)
放射線は、X線、α線、β線、γ線等を含む。上述の放射線検出装置11は、撮像システムに適用されうる。以下、図8を参照しながら、放射線撮像システムの構成例として、放射線検査装置20を説明する。放射線検査装置20は、例えば、放射線撮像装置11を具備する筐体500と、イメージプロセッサ等を含む信号処理部501と、ディスプレイ等を含む表示部502と、放射線を発生させるための放射線源503と、を備える。放射線源503から発せられた放射線(代表例としては、X線)は被検者504を透過し、被検者504の体内の情報を含む放射線が、筐体500の放射線撮像装置11により検出される。これにより得られた放射線画像を用いて、例えば、信号処理部501は、所定の信号処理を行い、画像データを生成する。この画像データは、表示部502に表示される。
以上では、4つの実施形態と、撮像システムへの適用例とを述べたが、本発明はこれらに限られるものではなく、目的、状態、用途、機能、およびその他の仕様の変更が適宜可能であり、他の実施形態によっても実施されうる。
以下、図9〜14を参照しながら、本発明の第1〜第4実施例(第1〜第4実施形態にそれぞれ対応する実施例)と、本発明との比較例とを示す。
(比較例)
まず、図9を参照しながら、比較例として、放射線撮像装置11の製造工程を述べる。まず、図9(a)に例示されるように、ステージ605の上に基台104を設置し、基台104の上に第1の粘着層603を設ける。その後、可動式の吸着ステージ604を用いてセンサユニット109を基台104に配置し、粘着層603により固定する。このようにして、図9(b)に例示されるように、複数のセンサユニット109が基台104の上に配列される。
センサユニット109は、シリコンウエハからダイシングにより分離して得られたCMOSセンサチップである。各センサユニット109(寸法は、例えば140mm×20mm)には、864×128個のセンサがアレイ状に配列されており、また、その端部領域には、各センサからの信号を増幅するアンプが設けられている。また、基台104として、ガラス基板を用意した。また、粘着層603には、加熱剥離型の粘着層が用いられ、例えば両面のセパレータを剥離して用いることができる。
ここでは、28枚(2列×14行)のセンサユニット109が配列されたセンサパネル115Cを4枚作製し、そのうちの3枚については、以下に述べる試験を行った。なお、各センサパネル115Cには1728×1792個のセンサが配列されている。
まず、上記4枚のセンサパネル115Cのうちの第1のサンプル115Cを用いて、パネル全体についての剥離試験を行った。サンプル115Cをホットプレートの上に載せて、120℃まで加熱したところ、全てのセンサユニット109が基台104から剥離された。
また、上記4枚のセンサパネル115Cのうちの第2のサンプル115Cを用いて、ユニット単位での剥離試験を行った。試験対象となる1つのセンサユニット(センサユニット109aとする)の背面位置(サンプル115Cの裏面側、即ち基台104側)に、ラバーヒーターを設置し、熱電対を用いて温度調整を行いながら加熱した(120℃)。その結果、センサユニット109aが剥離されたが、センサユニット109aに近接する5つのセンサユニット109まで剥離された。即ち、ユニット単位での剥離が難しいことが確認された。
また、上記4枚のセンサパネル115Cのうちの第3のサンプル115Cを用いて、シンチレータの蒸着試験を行った。サンプル115Cを蒸着装置のチャンバー内のホルダーに設置し、撮像領域に対して蒸着が為されるようにマスクをセットして、サンプル115Cを回転させた(30rpm)。その後、略真空状態(10−3Pa)にした後、チャンバー内をアルゴン(Ar)ガスで充填し、ランプヒーターにより加熱(200℃、10−1Pa)して、タリウム賦活ヨウ化セシウム(CsI:Tl)の蒸着(2時間)を行った。該蒸着工程の後、チャンバー内を冷却(50℃)し、チャンバーからサンプル115Cを取り出した。その結果、サンプル115Cから、全てのセンサユニット109が基台104から剥離された。即ち、センサパネル115Cの上に、いわゆる直接形成法によりシンチレータを形成することは難しいことが確認された。
上記4枚のセンサパネル115Cのうちの第4のサンプル115Cに、間接形成法によりシンチレータを設けた。具体的には、サンプル115Cをステージ605に設置し、サンプル115Cの上に第2の粘着層614を設けた。
その後、図9(c)に例示されるように、シンチレータパネル608を準備し、図9(d)に例示されるように、シンチレータパネル608を、粘着層614を介してサンプル115Cに固定した。
なお、図9(c)に例示されるシンチレータパネル608は、公知の製造プロセスを用いて得られる。具体的には、例えばアモルファスカーボン基板610(厚さ1mm程度)の上にアルミニウム膜611(膜厚250nm程度)を設けた。その後、アモルファスカーボン基板610とアルミニウム膜611とをポリパラキシリレン612(厚さ12.5μm程度)で覆い、アルミニウム膜611の側に対して、CsI:Tlのシンチレータ613(厚さ550μm程度)を蒸着法により形成した。タリウム(Tl)は、ヨウ化セシウム(CsI)に対して0.5mol%になるように調整した。さらにその後、シンチレータ613を含む全体をポリパラキシリレン612(厚さ12.5μm程度)で覆った。
最後に、シンチレータパネル608が固定されたサンプル115Cの電極部に、フレキシブルプリント基板103を接続し、シリコーン系の封止樹脂615により封止した。以上のようにして、サンプル115Cの上に、いわゆる間接形成法によりシンチレータを形成し、放射線撮像装置11を作製した。
放射線撮像装置11の感度評価およびMTF評価を行ったところ、X線パルス(49kV、10mA、40ms)照射において、感度が5900LSB、2LP/mmのMTFが0.320であった。
(第1実施例)
第1実施例では、前述の第1実施形態にしたがう放射線撮像装置を作製した。図10は、放射線撮像装置の製造における各工程の態様を示す模式図である。
まず287mm×302mm×厚さ1.2mmのガラス基板を準備し、該ガラス基板を基板洗浄機にセットして、アセトン浸漬超音波洗浄、イソプロピルアルコール浸漬超音波洗浄、中性洗剤溶液ブラッシング洗浄の順で洗浄を行った。次に、純水にて流水リンス処理を行った後、温風のエアーナイフにより該ガラス基板を乾燥させた。次に、該ガラス基板に、ドライフィルムレジスト(DFR)のラミネート加工を行った。DFRには、フッ酸耐性を有するアルカリ現像タイプのネガ型ドライフィルム、具体的には三菱製紙社製のガラスエッチング用DFRを用いた。次に、このDFR付きのガラス基板に、パターニングマスクを用いてUV露光処理を行った後、希アルカリ水溶液を用いて現像処理を行い、その後、180℃、2時間のベーク処理を行った。その後、フッ化水素酸を用いてエッチングを行い、十分に水洗を行った後、再び乾燥させて、最後に、レジスト剥離液によりDFRを剥離した。以上のようにして、凸部が格子形状を描くように連なって形成された支持部110を上面に有するガラス基台104R1を、複数、作製した。
図11(a)は、平面視における上記ガラス基台104R1を示す模式図であり、図11(b)は、その側面図である。支持部110(の凸部)の幅701は3mmであり、深さ702は0.6mmである。
一方、図10(a)に示されるように、真空吸着により対象物を固定する第1のステージ703に、多数の微孔を有するフッ素系保護フィルム704(例えば日東電工社製のニトフロン)を介して、28枚のセンサユニット109(比較例と同様)を固定させた。
また、図10(a)に示されるように、他の真空吸着により対象物を固定する第2のステージ705には、ガラス基台104R1を固定させた。
その後、ガラス基台104R1(の凸部の側面)に、ディスペンサーを用いて接着部材202を塗布した。接着部材202として、第1のサンプル104R1については、スリーボンド社製のTB2285を用いた。第2のサンプル104R1および第3のサンプル104R1については、純水(100重量部)に日産化学社製のスノーテックスシリカC(150重量部)を溶解させ、さらに日本合成化学社製のゴーセノールを溶解させた複合水系接着剤を用いた。このとき、25℃における粘度が10kPa・sになるように調節した。第3のサンプル104R1については、さらに、弾性部材203として、凸部の上面に、セメダイン社製のPMシリーズを、ディスペンサーを用いて塗布し(図2(e)参照)、その後、乾燥させた(常温、24時間)。
接着部材202を塗布した後、CCDカメラによりアライメントを合わせ、ステージ705に対向するステージ703を、センサユニット109がガラス基台104R1に接触するまで下降させた。このようにして、図10(b)に示されるように、センサユニット109をガラス基台104R1に固定させた。なお、この固定は、加熱により接着部材202を接着硬化させるが、この加熱はステージ703及び705内に設けられたセラミックヒータを用いて行った。サンプル104R1については150℃、サンプル104R1及び104R1については210℃である。
上述のようにして得られたサンプル104R1〜104R1を用いて作製したセンサパネル115R1〜115R1(115R1)について、比較例と同様にして、剥離試験を行った。前述の第1実施形態のとおり、上記センサパネル115R1〜115R1には、各センサユニット109の下に空間spが形成されている。剥離試験は、マイクロシリンジを用いて、空間spに薬剤Pを注入することによって行った。なお、薬剤Pとして、センサパネル115R1にはアセトンを用い、センサパネル115R1及び115R1には5%炭酸ナトリウム溶液(65℃)を用いた。いずれのセンサパネル115R1〜115R1においても、約5分後に、取り外し対象のセンサユニット109のみがガラス基板104R1から浮き上がり、該センサユニット109のみを取り外すことができた。
また、各センサパネル115R1〜115R1の空間spにグラスファイバーを入れた後に、マイクロシリンジを用いて空間spに薬剤Pを注入することによる剥離試験を行った。その結果、2〜3分後に、取り外し対象のセンサユニット109のみがガラス基板104R1から浮き上がり、該センサユニット109のみを取り外すことができた。即ち、空間spに繊維を配することにより、取り外し対象のセンサユニット109の取り外しを、より容易に行うことができた。
また、取り外し対象のセンサユニット以外のセンサユニット109に対応する開口部201を液状ガスケットで封止し、空間spと外圧との気圧差を利用して各空間spに薬剤Pを注入する剥離試験も行った。第1実施形態で述べた手順で空間spを薬剤Pで充填した結果、1〜2分後に、取り外し対象のセンサユニット109のみがガラス基板104R1から浮き上がり、該センサユニット109のみを取り外すことができた。
次に、図10(c)に例示されるように、他の各センサパネル115R1〜115R1を用意し、その上に、前述の直接形成法により、CsI:Tlのシンチレータ613(厚さ550μm程度)を形成した。比較例と同様に、タリウム(Tl)は、ヨウ化セシウム(CsI)に対して0.5mol%になるように調整した。シンチレータ613の蒸着工程において、センサユニット109のガラス基台104R1からの浮き上がりや剥がれは見られなかった。
その後、膜厚25μm程度のポリエチレンテレフタレート(PET)に膜厚250nm程度のアルミニウム(Al)膜を蒸着したシンチレータ保護膜706(AlPETシート)を、シンチレータ613を覆うように形成した。なお、シンチレータ613ないしセンサパネル115R1〜115R1との接着性を向上させるため、シンチレータ保護膜706の形成前に膜厚50μm程度の熱可塑性樹脂からなる膜を予め形成した。シンチレータ保護膜706を形成した後、真空ラミネーター装置を用いて80〜100℃で加熱することにより、シンチレータ613ないしセンサパネル115R1〜115R1とシンチレータ保護膜706との接着性を向上させた。
その後、図10(d)に例示されるように、シンチレータ613を湿気から保護するため、シンチレータ613の周辺領域に対して、100℃のヒートシール(加熱圧着接着)を行った。さらに、その後、センサパネル115R1〜115R1の電極部にフレキシブルプリント基板103を接続し、該電極部周辺をシリコーン系樹脂615により封止した。
以上のようにして、センサパネル115R1〜115R1を用いて作製した放射線撮像装置11R1〜11R1(11R1)について、比較例と同様にして、感度評価およびMTF評価を行った。放射線撮像装置11R1については、感度が6054LSB、2LP/mmのMTFが0.360であった。放射線撮像装置11R1については、感度が6051LSB、2LP/mmのMTFが0.361であった。放射線撮像装置11R1については、感度が6056LSB、2LP/mmのMTFが0.360であった。即ち、放射線撮像装置11R1〜11R1のいずれについても、比較例よりも感度およびMTFが向上した。
(第2実施例)
第2実施例では、前述の第2実施形態にしたがう放射線撮像装置を作製した。図12(a)は、平面視におけるガラス基台104R2を示す模式図であり、図12(b)は、その側面図である。まず、287mm×302mm×厚さ0.6mmのガラス基板を準備した。その後、第1実施例と同様の方法で、格子形状の支持部のみで構成されたガラス基台104R2を作製した。ガラス基台104R2の各部分の幅701は3mmであり、その厚さ702(ガラス基台104R2そのものの厚さ)は0.6mmであった。このようにして、第1実施例と同様の手順で、複数のセンサパネル115R2〜115R2(115R2)を作製した。
上述のようにして作製された各センサパネル115R2〜115R2について、マイクロピペットを用いて空間spに薬剤P(第1実施例と同様の薬剤)を注入することによる剥離試験を行った。薬剤Pの注入は、センサパネル115R2〜115R2の下面の側から行った。その結果、約1分後に、取り外し対象のセンサユニット109のみがガラス基板104R2から浮き上がり、該センサユニット109のみを取り外すことができた。
次に、他の各センサパネル115R2〜115R2を用意し、その上に、第1実施例と同様にして、CsI:Tlのシンチレータ613(厚さ550μm程度)を形成した。シンチレータ613の蒸着工程において、センサユニット109のガラス基台104R2からの浮き上がりや剥がれは見られなかった。
その後、同様の手順で(シンチレータ保護膜706の形成、フレキシブルプリント基板103の接続等)、放射線撮像装置11R2〜11R2(11R2)を作製し、感度評価およびMTF評価を行った。
放射線撮像装置11R2については、感度が6052LSB、2LP/mmのMTFが0.361であった。放射線撮像装置11R2については、感度が6054LSB、2LP/mmのMTFが0.360であった。放射線撮像装置11R2については、感度が6053LSB、2LP/mmのMTFが0.360であった。即ち、放射線撮像装置11R2〜11R2のいずれについても、比較例よりも感度およびMTFが向上した。
(第3実施例)
第3実施例では、前述の第3実施形態にしたがう放射線撮像装置を作製した。まず287mm×302mm×厚さ1.2mmのガラス基板を準備し、第1実施例と同様の手順でガラス基台を作製し、さらに、開口204を、各空間spに2つ形成されるように該ガラス基台に設けた。このようにして得られたガラス基台をガラス基台104R3と称する。
図13(a)は、平面視におけるガラス基台104R3を示す模式図であり、図13(b)は、その側面図である。開口204の径802は、5mmであった。その後、第1実施例と同様の手順で、複数のセンサパネル115R3〜115R3(115R3)を作製した。
上述のようにして作製された各センサパネル115R3〜115R3について、マイクロピペットを用いて空間spに薬剤P(第1実施例と同様の薬剤)を注入することによる剥離試験を行った。薬剤Pの注入は、開口204を介して行った。その結果、約1分後に、取り外し対象のセンサユニット109のみがガラス基板104R3から浮き上がり、該センサユニット109のみを取り外すことができた。
次に、他の各センサパネル115R3〜115R3を用意し、その上に、第1実施例と同様にして、CsI:Tlのシンチレータ613(厚さ550μm程度)を形成した。シンチレータ613の蒸着工程において、センサユニット109のガラス基台104R3からの浮き上がりや剥がれは見られなかった。
その後、同様の手順で(シンチレータ保護膜706の形成、フレキシブルプリント基板103の接続等)、放射線撮像装置11R3〜11R3(11R3)を作製し、感度評価およびMTF評価を行った。
放射線撮像装置11R3については、感度が6057LSB、2LP/mmのMTFが0.359であった。放射線撮像装置11R3については、感度が6050LSB、2LP/mmのMTFが0.363であった。放射線撮像装置11R3については、感度が6052LSB、2LP/mmのMTFが0.360であった。即ち、放射線撮像装置11R3〜11R3のいずれについても、比較例よりも感度およびMTFが向上した。
(第4実施例)
第4実施例では、前述の第4実施形態にしたがう放射線撮像装置を作製した。図14(a)は、平面視におけるガラス基台104R4を示す模式図であり、図14(b)は、その側面図である。
まず287mm×302mm×厚さ1.2mmのガラス基板を準備し、支持部110の他、第2の支持部301をさらに有するガラス基台104R4を、第1実施例と同様の手順で作製した。第2の支持部301(の凸部)の幅801は、3mmであった。
第1のサンプル104R4については、接着部材202として、テクノアルファ社製の80シリーズを用いた。また、接着部材302として、純水(100重量部)に日産化学社製のスノーテックスシリカC(150重量部)を溶解させ、さらに日本合成化学社製のゴーセノールを溶解させた複合水系接着剤を用いた。このとき、25℃における粘度が10kPa・sになるように調節した。
第2のサンプル104R4については、接着部材202及び302として、上述の複合水系接着剤を用いた。また、さらに、弾性部材203として、凸部の上面に、セメダイン社製のPMシリーズを、ディスペンサーを用いて塗布し(図2(e)参照)、その後、乾燥させた(常温、24時間)。このようにして、第1実施例と同様の手順で、複数のセンサパネル115R4及び115R4(115R4)を作製した。
上述のようにして作製されたセンサパネル115R4及び115R4のそれぞれについて、マイクロシリンジを用いて空間spに薬剤Pを注入することによる剥離試験を行った。薬剤Pとして、センサパネル115R4及び115R4には5%炭酸ナトリウム溶液(65℃)を用いた。薬剤Pの注入は、開口部201を介して行った。その結果、約5分後に、取り外し対象のセンサユニット109のみがガラス基板104R4から浮き上がり、該センサユニット109のみを取り外すことができた。
また、センサパネル115R4及び115R4のそれぞれの空間spにグラスファイバーを入れた後に、マイクロシリンジを用いて空間spに薬剤Pを注入することによる剥離試験を行った。その結果、2〜3分後に、取り外し対象のセンサユニット109のみがガラス基板104R1から浮き上がり、該センサユニット109のみを取り外すことができた。即ち、空間spに繊維を配することにより、取り外し対象のセンサユニット109の取り外しを、より容易に行うことができた。
また、取り外し対象のセンサユニット以外のセンサユニット109に対応する開口部201を液状ガスケットで封止し、空間spと外圧との気圧差を利用して各空間spに薬剤Pを注入する剥離試験も行った。前述と同様の手順で空間spを薬剤Pで充填した結果、1〜2分後に、取り外し対象のセンサユニット109のみがガラス基板104R1から浮き上がり、該センサユニット109のみを取り外すことができた。
その後、同様の手順で(シンチレータ保護膜706の形成、フレキシブルプリント基板103の接続等)、放射線撮像装置11R4及び11R4(11R4)を作製し、感度評価およびMTF評価を行った。
放射線撮像装置11R4については、感度が6050LSB、2LP/mmのMTFが0.360であった。放射線撮像装置11R4については、感度が6055LSB、2LP/mmのMTFが0.361であった。即ち、放射線撮像装置11R4及び11R4のいずれについても、比較例よりも感度およびMTFが向上した。
以上の各実施例によると、複数のセンサユニット109を支持する支持部110から、一部のセンサユニット109を選択的に取り外すのに有利である。また、各実施例の放射線撮像装置11R1〜11R4によると、耐熱性を有するセンサパネル115R1〜115R4が得られ、いわゆる直接形成法により、センサパネル115R1〜115R4の上にシンチレータ106を形成することができた。その結果、放射線撮像装置11R1〜11R4の感度およびMTFを向上させることができた。

Claims (18)

  1. 各々が複数のセンサを有する複数のセンサユニットと、
    前記複数のセンサユニットの下の領域を複数の空間に仕切るように格子形状を有し、かつ、前記複数のセンサユニットを前記複数のセンサユニットの下面の側から支持する支持部と、
    前記複数の空間のそれぞれに設けられ、前記複数のセンサユニットと前記支持部とを結合する結合部材と、を備える、
    ことを特徴とする放射線撮像装置。
  2. 前記結合部材は、前記複数のセンサユニットの前記下面と、前記支持部の前記複数の空間に接する面とに接触するように配されている、
    ことを特徴とする請求項1に記載の放射線撮像装置。
  3. 前記結合部材は、前記複数のセンサユニットの前記下面と前記支持部の上面との間には配されていない、
    ことを特徴とする請求項2に記載の放射線撮像装置。
  4. 前記複数のセンサユニットの前記下面と前記支持部の上面との間に配された弾性部材をさらに備える、
    ことを特徴とする請求項2に記載の放射線撮像装置。
  5. 前記結合部材は、前記複数のセンサユニットの前記下面と前記支持部の上面との間、かつ、前記支持部の前記上面に2列に配されており、
    前記放射線撮像装置は、
    前記複数のセンサユニットの前記下面と前記支持部の上面との間、かつ、前記2列に配された前記結合部材の間に配された弾性部材をさらに備える、
    ことを特徴とする請求項1に記載の放射線撮像装置。
  6. 前記支持部は、前記複数のセンサユニットのうちの1つに対して、前記複数の空間のうちの1以上の空間が対応するように設けられている、
    ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
  7. 前記複数のセンサユニットは、互いに隣接する第1センサユニットおよび第2センサユニットを含んでおり、前記第1センサユニットと前記第2センサユニットとの境界は前記支持部の上面に近接している、
    ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
  8. 前記支持部の下に配された基台をさらに備え、
    前記基台は、前記基台の上面から下面まで貫通して設けられた開口を有する、
    ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
  9. 前記基台は、前記基台の前記上面から前記下面まで貫通して設けられた第2の開口をさらに有する、
    ことを特徴とする請求項8に記載の放射線撮像装置。
  10. 前記支持部の下に配された基台と、
    前記複数の空間のそれぞれにおいて前記複数のセンサユニットと前記基台との間に設けられた第2の支持部と、をさらに備える、
    ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
  11. 前記複数の空間のそれぞれは平面視において長方形状であり、
    前記第2の支持部は、前記長方形状の長辺方向に沿って1以上のラインを形成するようにライン状に設けられている、
    ことを特徴とする請求項10に記載の放射線撮像装置。
  12. 前記第2の支持部は、複数の柱状部材が配列されてなる、
    ことを特徴とする請求項10に記載の放射線撮像装置。
  13. 前記複数のセンサユニットと前記第2の支持部との間に配され、前記複数のセンサユニットと前記第2の支持部とを結合する第2の結合部材をさらに備え、
    ことを特徴とする請求項10乃至12のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
  14. 前記結合部材および前記第2の結合部材は熱硬化性樹脂で構成されており、前記結合部材の硬化温度は前記第2の結合部材の硬化温度よりも低い、
    ことを特徴とする請求項13に記載の放射線撮像装置。
  15. 請求項1乃至14のいずれか1項に記載の放射線撮像装置と、
    前記放射線撮像装置からの信号を処理する処理部と、を備える、
    ことを特徴とする放射線検査装置。
  16. 各々が複数のセンサを有する複数のセンサユニットを支持部の上に配列する工程を有する放射線撮像装置の製造方法であって、
    前記工程は、
    前記複数のセンサユニットの下の領域を複数の空間に仕切るための格子形状を有する前記支持部を準備する工程と、
    前記複数のセンサユニットを前記支持部の上に配置し、前記複数のセンサユニットと前記支持部とを結合部材を用いて結合する工程と、を含む、
    ことを特徴とする放射線撮像装置の製造方法。
  17. 前記支持部により支持された前記複数のセンサユニットを検査する工程と、
    前記複数のセンサユニットのうちの少なくとも一部について前記検査の結果が所定の基準を満たさなかった場合には、前記複数の空間のうちの前記少なくとも一部が接触する1以上の空間に、前記結合部材を溶解する薬剤を注入することにより、前記少なくとも一部を前記支持部から取り外して他のセンサユニットに交換する工程と、をさらに有する、
    ことを特徴とする請求項16に記載の放射線撮像装置の製造方法。
  18. 複数のセンサユニットの上に蒸着法によりシンチレータを形成する工程をさらに有する、
    ことを特徴とする請求項16または請求項17に記載の放射線撮像装置の製造方法。
JP2013200524A 2013-09-26 2013-09-26 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線検査装置 Pending JP2015068653A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013200524A JP2015068653A (ja) 2013-09-26 2013-09-26 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線検査装置
PCT/JP2014/003741 WO2015045237A1 (ja) 2013-09-26 2014-07-15 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線検査装置
US15/047,928 US20160172414A1 (en) 2013-09-26 2016-02-19 Radiation imaging apparatus, method of manufacturing the same, and radiation inspection apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013200524A JP2015068653A (ja) 2013-09-26 2013-09-26 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線検査装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015068653A true JP2015068653A (ja) 2015-04-13

Family

ID=52742419

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013200524A Pending JP2015068653A (ja) 2013-09-26 2013-09-26 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線検査装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20160172414A1 (ja)
JP (1) JP2015068653A (ja)
WO (1) WO2015045237A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6778118B2 (ja) 2017-01-13 2020-10-28 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
WO2019012846A1 (ja) 2017-07-10 2019-01-17 キヤノン株式会社 放射線撮像装置および放射線撮像システム
JP7030478B2 (ja) 2017-11-09 2022-03-07 キヤノン株式会社 撮影台および放射線撮影システム
JP7067912B2 (ja) 2017-12-13 2022-05-16 キヤノン株式会社 放射線撮像装置および放射線撮像システム
JP7261777B2 (ja) * 2020-09-25 2023-04-20 富士フイルム株式会社 放射線画像撮影装置の製造方法及び搬送治具

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11345956A (ja) * 1998-03-16 1999-12-14 Canon Inc 撮像装置
EP1258739B1 (en) * 2000-02-25 2008-08-06 Hamamatsu Photonics K.K. X-ray imaging device and method of manufacture thereof
JP2007155563A (ja) * 2005-12-07 2007-06-21 Acrorad Co Ltd 放射線画像検出装置
JP5629445B2 (ja) * 2009-09-25 2014-11-19 キヤノン株式会社 X線画像撮影装置
JP6081697B2 (ja) * 2011-12-07 2017-02-15 浜松ホトニクス株式会社 センサユニット及び固体撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015045237A1 (ja) 2015-04-02
US20160172414A1 (en) 2016-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2015045237A1 (ja) 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線検査装置
US8957383B2 (en) Radiation detection apparatus and radiation detection system
US20130308755A1 (en) Radiation detection apparatus and radiation detection system
JP5645500B2 (ja) 放射線撮像装置、放射線撮像システム及び放射線撮像装置の製造方法
JP5792958B2 (ja) 放射線撮像装置、放射線撮像システム及び放射線撮像装置の製造方法
JP2006220439A (ja) シンチレータパネル、放射線検出装置及びその製造方法
JP2006189377A (ja) シンチレータパネル、放射線検出装置、及び放射線検出システム
JP2014002115A (ja) 放射線検出装置、その製造方法及び撮像システム
JP2014032170A (ja) 放射線検出パネルおよび放射線画像検出器
TWI696682B (zh) 表面保護膜
JP2015172580A (ja) シンチレータアレイの製造方法
US20140374608A1 (en) Radiation detection apparatus and method of manufacturing the same
JP2007071836A (ja) 放射線検出装置及び放射線撮像システム
JP5597039B2 (ja) 放射線撮像装置、放射線撮像システム及び放射線撮像装置の製造方法
JP2012154696A (ja) シンチレータパネル、放射線検出装置およびそれらの製造方法
KR102535035B1 (ko) 방사선 검출 모듈, 방사선 검출기 및 방사선 검출 모듈의 제조 방법
JP2003262678A (ja) 放射線検出装置用シンチレーターパネルおよびその製造方法
JP2020091236A (ja) 放射線検出モジュール、放射線検出器、および放射線検出モジュールの製造方法
TWI758658B (zh) 放射線檢測模組、放射線檢測器及放射線檢測模組的製造方法
JP2009260260A (ja) 半導体装置およびその製造方法
WO2019167424A1 (ja) 放射線撮像パネル、放射線撮像装置および放射線撮像システム
JP2021056092A (ja) 放射線撮像装置
EP3172453B1 (en) Bonding method with curing by reflected actinic rays
JP2004271344A (ja) シンチレーターパネル、放射線検出装置及び放射線撮像システム
KR102661865B1 (ko) X선 디텍터