TW202212592A - 蒸鍍罩及蒸鍍罩之製造方法 - Google Patents

蒸鍍罩及蒸鍍罩之製造方法 Download PDF

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TW202212592A
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安在祐二
池永知加雄
井上功
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日商大日本印刷股份有限公司
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Abstract

本發明之蒸鍍罩包括：金屬板，其包含第1面及位於第1面之相反側之第2面；貫通孔，其自金屬板之第1面側貫通至第2面側；及平坦區域，其位於自第2面側觀察蒸鍍罩時相鄰之2個貫通孔之間。貫通孔於俯視下在第1方向及第2方向上交錯排列。平坦區域包含位於第1中心線之一側之第1平坦區域及位於第1中心線之另一側之第2平坦區域。第1中心線經過在第1方向上相鄰之2個貫通孔之中心點。第1平坦區域包含第1方向上之第1平坦區域之尺寸隨著遠離第1中心線而增加之部分。第2平坦區域包含第1方向上之第2平坦區域之尺寸隨著遠離第1中心線而增加之部分。

Description

蒸鍍罩及蒸鍍罩之製造方法
本發明之實施方式係關於一種蒸鍍罩及蒸鍍罩之製造方法。
智慧型手機或平板PC(Personal Computer，個人電腦)等可攜帶之裝置中使用之顯示裝置較佳為高精細，例如較佳為像素密度為400 ppi以上。於可攜帶之裝置中，對於應對超高畫質(UHD，Ultra High Definition)之需要亦提高，於該情形時，顯示裝置之像素密度較佳為例如800 ppi以上。
於顯示裝置中，有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示裝置亦由於響應性較佳、消耗電力較低或對比度較高而受到關注。作為形成有機EL顯示裝置之像素之方法，已知有使用形成有以所需圖案排列之貫通孔之蒸鍍罩以所需圖案形成像素之方法。具體而言，首先，將蒸鍍罩與有機EL顯示裝置用之基板組合。繼而，使包含有機材料之蒸鍍材料經由蒸鍍罩之貫通孔附著於基板。藉由實施此種蒸鍍步驟，能夠以與蒸鍍罩之貫通孔之圖案對應的圖案於基板上形成具有包含蒸鍍材料之蒸鍍層之像素。
作為遮罩之製造方法，已知有藉由使用光微影技術之蝕刻而於金屬板形成貫通孔之方法。例如，首先，於金屬板之第1面上形成第1面抗蝕層，於金屬板之第2面上形成第2面抗蝕層。繼而，對金屬板之第1面中未由第1面抗蝕層覆蓋之區域進行蝕刻，於金屬板之第1面形成第1凹部。其後，對金屬板之第2面中未由第2面抗蝕層覆蓋之區域進行蝕刻，於金屬板之第2面形成第2凹部。此時，以第1凹部與第2凹部相通之方式進行蝕刻，藉此，可形成貫通金屬板之貫通孔。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2014-148745號公報
[發明所欲解決之問題]
於蒸鍍步驟中，自蒸鍍源朝向蒸鍍罩之蒸鍍材料之一部分在相對於構成蒸鍍罩之金屬板之法線方向傾斜之方向上移動。在相對於金屬板之法線方向傾斜之方向上移動之蒸鍍材料容易不通過蒸鍍罩之貫通孔而附著於貫通孔之壁面。因此，附著於基板之蒸鍍材料所構成之蒸鍍層之厚度係越靠近貫通孔之壁面則越容易變薄。將蒸鍍材料於基板之附著受貫通孔之壁面阻礙之此種現象亦稱為陰影。 [解決問題之技術手段]
本發明之一實施方式之蒸鍍罩包含2個以上之貫通孔，且包括： 金屬板，其包含第1面及位於上述第1面之相反側之第2面； 上述貫通孔，其自上述金屬板之上述第1面側貫通至上述第2面側；及 平坦區域，其位於自上述第2面側觀察上述蒸鍍罩時相鄰之2個上述貫通孔之間； 上述貫通孔於俯視下在第1方向及第2方向上交錯排列， 上述平坦區域包含位於第1中心線之一側之第1平坦區域及位於上述第1中心線之另一側之第2平坦區域， 上述第1中心線經過在上述第1方向上相鄰之2個上述貫通孔之中心點， 上述第1平坦區域包含上述第1方向上之上述第1平坦區域之尺寸隨著遠離上述第1中心線而增加之部分，且 上述第2平坦區域包含上述第1方向上之上述第2平坦區域之尺寸隨著遠離上述第1中心線而增加之部分。 [發明之效果]
根據本發明之實施方式，可抑制於蒸鍍罩產生變形等不良情況，並且抑制陰影之產生。
於本說明書及本圖式中，只要未特別說明，則「基板」、「基材」、「板」、「片材」或「膜」等指成為某構成之基礎之物質之用語並非僅根據名稱之不同而相互區分者。
於本說明書及本圖式中，只要未特別說明，則關於特定出形狀或幾何學條件以及其等之程度的例如「平行」或「正交」等用語或長度或角度之值等，並不拘泥於嚴格之意義，而包含可期待同樣之功能之程度之範圍進行解釋。
於本說明書及本圖式中，只要未特別說明，則將某構件或某區域等某構成設於其他構件或其他區域等其他構成之「上」或「下」、「上側」或「下側」或者「上方」或「下方」時，包括某構成與其他構成直接相接之情形。進而，亦包括於某構成與其他構成之間包含另一構成之情形、即間接地相接之情形。只要未特別說明，則「上」、「上側」或「上方」或者「下」、「下側」或「下方」之詞亦可使上下方向顛倒。
於本說明書及本圖式中，只要未特別說明，則有時對相同部分或具有相同功能之部分標註相同符號或類似符號，並省略其重複說明。有為了便於說明而使圖式之尺寸比率與實際之比率不同之情形或自圖式省略構成之一部分之情形。
於本說明書及本圖式中，只要未特別說明，則本說明書之一實施方式可於不產生矛盾之範圍內與其他實施方式組合。其他實施方式彼此亦可於不產生矛盾之範圍內組合。
於本說明書及本圖式中，只要未特別說明，則對製造方法等方法揭示複數個步驟時，亦可於所揭示之步驟之間實施未揭示之其他步驟。所揭示之步驟之順序於不產生矛盾之範圍內為任意。
於本說明書及本圖式中，只要未特別說明，則由記號「～」表述之數值範圍包含處於符號「～」前後之數值。例如，由「34～38質量%」之表述劃定之數值範圍與由「34質量%以上且38質量%以下」之表述劃定之數值範圍相同。
以下，參照圖式，對本發明之一實施方式詳細地進行說明。以下所示之實施方式係本發明之實施方式之一例，本發明並非僅限定於該等實施方式進行解釋。
本發明之第1形態係一種蒸鍍罩，其包含2個以上之貫通孔，且包括： 金屬板，其包含第1面及位於上述第1面之相反側之第2面； 上述貫通孔，其自上述金屬板之上述第1面側貫通至上述第2面側；及 平坦區域，其位於自上述第2面側觀察上述蒸鍍罩時相鄰之2個上述貫通孔之間； 上述貫通孔於俯視下在第1方向及第2方向上交錯排列， 上述平坦區域包含位於第1中心線之一側之第1平坦區域及位於上述第1中心線之另一側之第2平坦區域， 上述第1中心線經過在上述第1方向上相鄰之2個上述貫通孔之中心點， 上述第1平坦區域包含上述第1方向上之上述第1平坦區域之尺寸隨著遠離上述第1中心線而增加之部分，且 上述第2平坦區域包含上述第1方向上之上述第2平坦區域之尺寸隨著遠離上述第1中心線而增加之部分。
本發明之第2形態係如上述第1形態之蒸鍍罩，其中上述第1平坦區域與上述第2平坦區域亦可連續。
本發明之第3形態係如上述第1形態之蒸鍍罩，其中上述第1平坦區域與上述第2平坦區域亦可不連續。
本發明之第4形態係如上述第1形態至上述第3形態之各形態之蒸鍍罩，其中自上述第2面側觀察上述蒸鍍罩時，於上述第2方向上相鄰之2個上述貫通孔亦可相連。
本發明之第5形態係上述第1形態至上述第3形態之各形態之蒸鍍罩亦可包括第3平坦區域，該第3平坦區域於自上述第2面側觀察上述蒸鍍罩時，位於在上述第2方向上相鄰之2個上述貫通孔之間。
本發明之第6形態係如上述第1形態之蒸鍍罩，其中上述第1平坦區域與上述第2平坦區域亦可連續，且自上述第2面側觀察上述蒸鍍罩時，於上述第2方向上相鄰之2個上述貫通孔亦可相連，且 上述第1平坦區域中與上述第1中心線重疊之部分之上述第1方向上之尺寸亦可為於上述第1方向上面向上述貫通孔之上述第1平坦區域之一對輪廓之端部間的上述第1方向上之距離之0.90倍以下。
本發明之第7形態係如上述第1形態或上述第6形態之各蒸鍍罩，其中上述第1平坦區域與上述第2平坦區域亦可連續，且自上述第2面側觀察上述蒸鍍罩時，於上述第2方向上相鄰之2個上述貫通孔亦可相連， 上述平坦區域中與第3中心線重疊之部分之第3方向上之尺寸亦可為於上述第3方向上面向上述貫通孔之上述平坦區域之一對輪廓之端部間的上述第3方向上之距離之1.00倍以下， 上述第3方向亦可與上述第1方向正交，且 上述第3中心線亦可經過在上述第1方向上相鄰之2個上述貫通孔之中間點，並且於上述第3方向上延伸。
本發明之第8形態係如上述第1形態至上述第3形態之各形態之蒸鍍罩，其中上述貫通孔亦可包括：第1凹部，其包含位於上述第1面側之第1壁面；及第2凹部，其包含位於上述第2面側之第2壁面，且連接於上述第1凹部；且 上述第2壁面亦可包含隨著自上述第2面側朝向上述第1面側而朝上述貫通孔之中心點側移位之部分。
本發明之第9形態係如上述第1形態至上述第8形態之各形態之蒸鍍罩，其中上述平坦區域亦可於自上述第2面側使用雷射顯微鏡觀察時呈現基準值以上之像素值。
本發明之第10形態係如上述第1形態至上述第9形態之各形態之蒸鍍罩，其中上述平坦區域之厚度亦可與上述金屬板之厚度相同。
本發明之第11形態係如上述第1形態至上述第10形態之各形態之蒸鍍罩，其中上述金屬板之厚度亦可為30 μm以下。
本發明之第12形態係一種蒸鍍罩之製造方法，其係包含2個以上之貫通孔之蒸鍍罩之製造方法，且包括： 第1面加工步驟，其係於金屬板之第1面形成包含第1壁面之第1凹部；及 第2面蝕刻步驟，其係使用蝕刻液對位於上述第1面之相反側之上述金屬板之第2面中未由第2面抗蝕層覆蓋之區域進行蝕刻，於上述第2面形成包含第2壁面之第2凹部； 上述貫通孔包括上述第1凹部、及連接於上述第1凹部之第2凹部， 第2面蝕刻步驟係以於自上述第2面側觀察上述蒸鍍罩時相鄰之2個上述貫通孔之間保留平坦區域的方式實施， 上述貫通孔於俯視下在第1方向及第2方向上交錯排列， 上述平坦區域包含了在上述第1方向上相鄰之2個上述貫通孔之間位於第1中心線之一側之第1平坦區域、及位於上述第1中心線之另一側之第2平坦區域， 上述第1中心線經過在上述第1方向上相鄰之2個上述貫通孔之中心點， 上述第1平坦區域包含上述第1方向上之上述第1平坦區域之尺寸隨著遠離上述第1中心線而增加之部分，且 上述第2平坦區域包含上述第1方向上之上述第2平坦區域之尺寸隨著遠離上述第1中心線而增加之部分。
本發明之第13形態係如上述第12形態之蒸鍍罩之製造方法，其中上述第2面蝕刻步驟亦可以上述第1平坦區域與上述第2平坦區域連續之方式實施。
本發明之第14形態係如上述第12形態之蒸鍍罩之製造方法，其中上述第2面蝕刻步驟亦可以上述第1平坦區域與上述第2平坦區域不連續之方式實施。
本發明之第15形態係如上述第12形態至上述第14形態之各形態之蒸鍍罩之製造方法，其中上述第2面蝕刻步驟亦可以自上述第2面側觀察上述蒸鍍罩時在上述第2方向上相鄰之2個上述貫通孔相連的方式實施。
本發明之第16形態係如上述第12形態至上述第14形態之各形態之蒸鍍罩之製造方法，其中上述第2面蝕刻步驟亦可以自上述第2面側觀察上述蒸鍍罩時在上述第2方向上相鄰之2個上述貫通孔不相連的方式實施。
本發明之第17形態係如上述第12形態至上述第16形態之各形態之蒸鍍罩之製造方法，其中上述第2面抗蝕層亦可包含與上述第1平坦區域對應之第1區域、及與上述第2平坦區域對應之第2區域， 上述第1區域亦可包含上述第1方向上之上述第1區域之尺寸隨著遠離上述第1中心線而增加之部分，且 上述第2區域亦可包含上述第1方向上之上述第2區域之尺寸隨著遠離上述第1中心線而增加之部分。
本發明之第18形態係如上述第12形態至上述第17形態之各形態之蒸鍍罩之製造方法，其中上述平坦區域亦可於自上述第2面側使用雷射顯微鏡觀察時呈現基準值以上之像素值。
本發明之第19形態係如上述第12形態至上述第18形態之各形態之蒸鍍罩之製造方法，其中上述金屬板之厚度亦可為30 μm以下。
以下，參照圖式，對本發明之一實施方式詳細地進行說明。以下所示之實施方式係本發明之實施方式之一例，本發明並非僅限定於該等實施方式進行解釋。
圖1係表示有機EL顯示裝置100之一例之俯視圖。圖2係自II-II方向觀察圖1之有機EL顯示裝置100所得之剖視圖。於圖1中，省略了第2電極層141及密封基板150。
如圖1及圖2所示，有機EL顯示裝置100亦可具備基板110及位於基板110之第1面111側之第1電極層120、位於第1電極層120上之第1有機層131、第2有機層132及第3有機層133、以及位於第1有機層131、第2有機層132及第3有機層133上之第2電極層141。
基板110亦可為具有絕緣性之板狀構件。基板110較佳為具有使光透過之透明性。基板110例如包含玻璃。
第1電極層120包含具有導電性之材料。例如，第1電極層120亦可包含金屬、具有導電性之金屬氧化物或其他無機材料等。第1電極層120亦可包含銦錫氧化物等具有透明性及導電性之金屬氧化物。
如圖1中虛線所示，第1電極層120亦可於俯視下沿著第1排列方向F1及第2排列方向F2排列。如圖1所示，第2排列方向F2亦可為與第1排列方向F1正交之方向。
第1有機層131、第2有機層132及第3有機層133亦可為包含有機半導體材料之層。第1有機層131、第2有機層132及第3有機層133亦可分別為發光層。例如，第1有機層131、第2有機層132及第3有機層133亦可分別為紅色發光層、綠色發光層及藍色發光層。於俯視下包含1個第1電極層120、1個蒸鍍層及第2電極層141之區域可構成有機EL顯示裝置之1個像素等單位構造。
如圖1所示，第1有機層131、第2有機層132及第3有機層133亦可以同種有機層於第1排列方向F1及第2排列方向F2上不相鄰之方式排列。例如，亦可以於2個第1有機層131之間存在第2有機層132、且於2個第3有機層133之間存在第2有機層132的方式將第1有機層131、第2有機層132及第3有機層133沿第1排列方向F1及第2排列方向F2排列。於該情形時，若著眼於第2有機層132，則第2有機層132交錯排列於偏移第1排列方向F1上之排列間距F3之1/2之距離且偏移第2排列方向F2上之排列間距F4之1/2之距離後的位置上。將此種排列亦稱為交錯排列(staggered arrangement)。
第1有機層131、第2有機層132及第3有機層133亦可分別為藉由使蒸鍍材料經由與各有機層之圖案對應之蒸鍍罩之貫通孔附著於基板110而形成的蒸鍍層。
第2電極層141亦可包含金屬等具有導電性之材料。關於構成第2電極層141之材料之例，可列舉鉑、金、銀、銅、鐵、錫、鉻、鋁、銦、鋰、鈉、鉀、鈣、鎂、鉻、碳等及其等之合金。
雖未圖示，但第2電極層141亦可以在位於相鄰之2個有機層131、132、133之上之第2電極層141之間存在間隙的方式形成。此種第2電極層141亦可藉由使蒸鍍材料經由與第2電極層141之圖案對應之蒸鍍罩之貫通孔附著於基板110而形成。
如圖2所示，有機EL顯示裝置100亦可具備俯視下位於相鄰之2個第1電極層120之間之絕緣層160。絕緣層160亦可包含例如聚醯亞胺。絕緣層160亦可與第1電極層120之端部重疊。於該情形時，圖1中標註有符號120之虛線表示第1電極層120中未與絕緣層160重疊之區域之外緣。如圖1所示，第1有機層131、第2有機層132及第3有機層133亦可以於俯視下覆蓋第1電極層120之方式擴展。第1有機層131、第2有機層132及第3有機層133之輪廓亦可於俯視下包圍第1電極層120之輪廓。
如圖2所示，有機EL顯示裝置亦可具備於基板110之第1面111側覆蓋有機層131、132、133等基板110上之要素的密封基板150。密封基板150可抑制有機EL顯示裝置外部之水蒸氣等進入有機EL顯示裝置之內部。藉此，可抑制有機層131、132、133等因水分而劣化。密封基板150包含例如玻璃。
雖未圖示，但有機EL顯示裝置亦可具備位於第1電極層120與有機層131、132、133之間之電洞注入層或電洞傳輸層。有機EL顯示裝置亦可具備位於有機層131、132、133與第2電極層141之間之電子傳輸層或電子注入層。電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層亦可與有機層131、132、133同樣地，藉由使蒸鍍材料經由與各層之圖案對應之蒸鍍罩之貫通孔附著於基板110而形成。
接下來，對用於利用蒸鍍法形成構成有機EL顯示裝置之上述有機層131、132、133等層之蒸鍍裝置90進行說明。如圖3所示，蒸鍍裝置90亦可於其內部具備蒸鍍源94、加熱器96、及蒸鍍罩裝置10。蒸鍍裝置90亦可進而具備用於使蒸鍍裝置90之內部為真空環境之排氣器件。蒸鍍源94例如為坩堝，收容有機發光材料等蒸鍍材料98。加熱器96將蒸鍍源94加熱，於真空環境下使蒸鍍材料98蒸發。蒸鍍罩裝置10以與坩堝94對向之方式配置。
蒸鍍罩裝置10具備至少1個蒸鍍罩20。蒸鍍罩裝置10亦可具備支持蒸鍍罩20之框架15。框架15亦可對蒸鍍罩20以於其面方向上拉伸之狀態予以支持，以抑制蒸鍍罩20產生撓曲。
如圖3所示，蒸鍍罩裝置10係以蒸鍍罩20與作為使蒸鍍材料98附著之對象物之基板110相面對之方式配置於蒸鍍裝置90內。蒸鍍罩20包含使自蒸鍍源94飛來之蒸鍍材料98通過之複數個貫通孔25。於以下之說明中，將位於基板110側之蒸鍍罩20之面稱為第1面51a，將位於第1面51a之相反側之蒸鍍罩20之面稱為第2面51b。
如圖3所示，蒸鍍罩裝置10亦可具備磁鐵93，該磁鐵93配置於基板110之面中與蒸鍍罩20相反之側之面側。藉由設置磁鐵93，可利用磁力將蒸鍍罩20朝磁鐵93側吸引。藉此，可減小蒸鍍罩20與基板110之間之間隙或消除間隙。藉此，可抑制於蒸鍍步驟中產生陰影，從而可提高形成於基板110之蒸鍍層之尺寸精度或位置精度。
圖4係表示自蒸鍍罩20之第1面51a側觀察蒸鍍罩裝置10之情形之俯視圖。如圖4所示，蒸鍍罩裝置10亦可具備複數個蒸鍍罩20。蒸鍍罩20之形狀亦可為具有長度方向及與長度方向正交之寬度方向之矩形。長度方向上之蒸鍍罩20之尺寸大於寬度方向上之蒸鍍罩20之尺寸。於以下之說明中，將長度方向亦稱為遮罩第1方向，將寬度方向亦稱為遮罩第2方向。複數個蒸鍍罩20亦可沿遮罩第2方向N2排列。遮罩第1方向N1上之各蒸鍍罩20之端部17a、17b例如亦可藉由熔接而固定於框架15。雖未圖示，但蒸鍍罩裝置10亦可具備固定於框架15且於蒸鍍罩20之厚度方向上與蒸鍍罩20局部重疊的構件。關於此種構件之例，可列舉沿遮罩第2方向N2延伸且支持蒸鍍罩20之構件、與相鄰之2個蒸鍍罩之間之間隙重疊之構件等。
如圖4所示，蒸鍍罩20亦可具有與框架15重疊之一對端部17a、17b、及位於端部17a、17b之間之中間部18。中間部18亦可具有至少1個有效區域22、及位於有效區域22之周圍之周圍區域23。如圖4所示，中間部18亦可包含沿著遮罩第1方向N1隔開特定之間隔而排列之複數個有效區域22。周圍區域23亦可包圍複數個有效區域22。
使用蒸鍍罩20製作有機EL顯示裝置100之層之情形時，亦可使1個有效區域22對應於1個有機EL顯示裝置100之顯示區域。亦有1個有效區域22對應於複數個顯示區域之情形。雖未圖示，但亦可於遮罩第2方向N2上同樣隔開特定之間隔而排列有複數個有效區域22。
有效區域22亦可於俯視下具有矩形輪廓。有效區域22亦可根據有機EL顯示裝置之顯示區域之形狀而具有各種形狀之輪廓。例如，有效區域22亦可具有圓形輪廓。
接下來，對有效區域22詳細地進行說明。圖5A係表示自第2面51b側觀察蒸鍍罩20之有效區域22之一例之情形的俯視圖。於本實施方式中，對如圖5A所示蒸鍍罩20之貫通孔25之排列為交錯排列之例進行說明。此種蒸鍍罩20可用於形成如上述第2有機層132般之交錯排列之蒸鍍層。
蒸鍍罩20之有效區域22具備：金屬板51，其包含第1面51a及第2面51b；及複數個貫通孔25，其等自金屬板51之第1面51a側貫通至第2面51b側。如圖5A所示，貫通孔25亦可於俯視下沿第1方向D1及與第1方向D1交叉之第2方向D2排列。俯視下之貫通孔25之排列亦可與蒸鍍層同樣地為交錯排列。具體而言，如圖5A所示，於第2方向D2上相鄰之2個貫通孔25之中心點C1之間的第1方向D1上之距離M21亦可為於第1方向D1上相鄰之2個貫通孔25之中心點C1之間的第1中心間距離M1之1/2。
於圖5A中，符號D3表示與第1方向D1正交之第3方向D3。符號D4表示與第2方向D2相對於第3方向D3對稱之第4方向D4。如圖5A所示，複數個貫通孔25亦可同樣沿第4方向D4排列。雖未圖示，但於第4方向D4上相鄰之2個貫通孔25之中心點C1之間的第1方向D1上之距離亦可同樣為第1中心間距離M1之1/2。
於第2方向D2上相鄰之2個貫通孔25之中心點C1之間的第2中心間距離M2可與第1中心間距離M1相同，亦可大於第1中心間距離M1，還可小於第1中心間距離M1。
於第3方向D3上相鄰之2個貫通孔25之中心點C1之間的第3中心間距離M3亦可大於第1中心間距離M1。第3中心間距離M3相對於第1中心間距離M1之比即M3/M1例如可為1.1以上，可為1.3以上，亦可為1.5以上。M3/M1例如可為1.7以下，可為2.0以下，亦可為2.5以下。M3/M1之範圍亦可由1.1、1.3及1.5所構成之第1組及/或1.7、2.0及2.5所構成之第2組規定。M3/M1之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意1個與上述第2組包含之值中之任意1個之組合規定。M3/M1之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意2個之組合規定。M3/M1之範圍亦可由上述第2組包含之值中之任意2個之組合規定。例如，可為1.1以上2.5以下，可為1.1以上2.0以下，可為1.1以上1.7以下，可為1.1以上1.5以下，可為1.1以上1.3以下，可為1.3以上2.5以下，可為1.3以上2.0以下，可為1.3以上1.7以下，可為1.3以上1.5以下，可為1.5以上2.5以下，可為1.5以上2.0以下，可為1.5以上1.7以下，可為1.7以上2.5以下，可為1.7以上2.0以下，亦可為2.0以上2.5以下。
如圖5A所示，貫通孔25包含貫通區域42。貫通區域42係於俯視下貫通金屬板51之區域。貫通區域42可由透過貫通孔25之光劃定。例如，使平行光沿著金屬板51之法線方向入射至蒸鍍罩20之第1面51a或第2面51b中之一者，使其透過貫通孔25後自第1面51a或第2面51b中之另一者出射。並且，採用出射光於金屬板51之面方向上所占之區域作為貫通孔25之貫通區域42。或者，亦可使用雷射顯微鏡觀察蒸鍍罩20，藉此，劃定貫通區域42。
圖5B係用以說明俯視下之貫通孔25之貫通區域42之輪廓及配置之圖。如圖5B所示，貫通孔25之貫通區域42之輪廓亦可包含一對第1輪廓42a、一對第3輪廓42c、位於第1輪廓42a與第3輪廓42c之間之2個第2輪廓42b、以及位於第1輪廓42a與第3輪廓42c之間之2個第4輪廓42d。於第1方向D1上，鄰接之2個貫通孔25之第1輪廓42a相對。於第2方向D2上，鄰接之2個貫通孔25之第2輪廓42b相對。於第4方向D4上，鄰接之2個貫通孔25之第4輪廓42d相對。
第1輪廓42a可包含於第3方向D3上呈直線狀延伸之部分，亦可包含曲線部分。於第1輪廓42a包含曲線部分之情形時，第1輪廓42a之曲線部分之曲率亦可大於第2輪廓42b之曲率及第4輪廓42d之曲率。
第3輪廓42c可包含於第1方向D1上呈直線狀延伸之部分，亦可包含曲線部分。於第3輪廓42c包含曲線部分之情形時，第3輪廓42c之曲線部分之曲率亦可大於第2輪廓42b之曲率及第4輪廓42d之曲率。
繼而，對貫通孔25之間之區域進行說明。如圖5A所示，蒸鍍罩20之有效區域22亦可包含位於自第2面51b側觀察蒸鍍罩20時相鄰之2個貫通孔25之間的平坦區域52。平坦區域52亦可定義為自第2面51b側使用雷射顯微鏡觀察蒸鍍罩20時呈現基準值以上之像素值之區域。基準值為藉由雷射顯微鏡拍攝之圖像之各像素可取之像素值之最大值的1/2。所使用之雷射顯微鏡及觀察條件如下所述。 ・雷射顯微鏡：基恩士股份有限公司製造之VK-X250 ・雷射光：藍色(波長408 nm) ・物鏡：50倍 ・光學變焦：1.0倍 ・測定模式：表面形狀 ・測定品質：高速 ・使用Real Peak Detection(RPD，真實峰值檢測)功能
如圖5A所示，平坦區域52亦可包含第1平坦區域53及第2平坦區域54。第1平坦區域53及第2平坦區域54位於在第1方向D1上相鄰之2個貫通孔25之間。第1平坦區域53與第2平坦區域54於第3方向D3上隔著第1中心線L1而相對。第1中心線L1係經過在第1方向D1上相鄰之2個貫通孔25之中心點C1之直線。第1平坦區域53位於第1中心線L1之一側。第2平坦區域54位於第1中心線L1之另一側。於圖5A所示之例中，一側為上側，另一側為下側。
第1平坦區域53及第2平坦區域54位於在第3方向D3上相鄰之第1貫通孔25與第2貫通孔25之間。第1平坦區域53位於第1貫通孔25與第1中心線L1之間。第2平坦區域54位於第2貫通孔25與第1中心線L1之間。
於圖5A中，符號U1表示第1方向D1上之貫通區域42與平坦區域52之間之距離。距離U1由第1中心線L1之位置規定。符號U3表示第3方向D3上之貫通區域42與平坦區域52之間之距離。距離U3由第3中心線L3之位置規定。
距離U3亦可與距離U1相同。距離U3亦可大於距離U1。距離U3相對於距離U1之比即U3/U1例如可為1.01以上，可為1.03以上，可為1.05以上，亦可為1.10以上。距離U3亦可小於距離U1。U3/U1例如可為0.99以下，可為0.97以下，可為0.95以下，亦可為0.90以下。
如圖5A所示，第1平坦區域53與第2平坦區域54亦可於第3方向D3上連續。即，第1平坦區域53與第2平坦區域54亦可於第1中心線L1處連接。如下所述，第1平坦區域53與第2平坦區域54亦可不連續。即，亦可於第1平坦區域53與第2平坦區域54之間存在非平坦區域。
如圖5A所示，亦可於在第2方向D2上相鄰之2個貫通孔25之間不存在平坦區域52。例如，於第2方向D2上相鄰之2個貫通孔25亦可相連。於該情形時，位於在第1方向D1上相鄰之2個貫通孔25之間的平坦區域52獨立於在第2方向D2及第4方向D4上相鄰之其他平坦區域52。符號U2表示於第2方向D2上相鄰之2個平坦區域52之間之距離。
接下來，參照圖6及圖7對貫通孔25及平坦區域52之剖面構造進行說明。圖6係將圖5A之蒸鍍罩20沿著於第1方向D1上延伸並且經過貫通孔25之A-A線切斷時之剖視圖。圖7係將圖5A之蒸鍍罩沿著於第2方向D2上延伸並且經過貫通孔25之B-B線切斷時之剖視圖。
如圖6及圖7所示，貫通孔25亦可具備第1凹部30與第2凹部35。第1凹部30包含位於第1面51a側之第1壁面31。第2凹部35包含位於第2面51b側之第2壁面36。第2凹部35於連接部41處連接於第1凹部30。第1壁面31係自貫通孔25之第1端32向第2面51b側擴展之面。所謂第1端32係指第1面51a上之貫通孔25之端。第2壁面36係經由連接部41連接於第1壁面31且自連接部41向第2面51b側擴展並到達至第2端37的面。所謂第2端37係指第2面51b上之貫通孔25之端。如圖6及圖7所示，第2凹部35亦可於蒸鍍罩20之面方向上具有大於第1凹部30之尺寸。例如，於俯視下第2凹部35之輪廓亦可包圍第1凹部30之輪廓。
如下所述，第1凹部30亦可藉由對構成蒸鍍罩20之金屬板51自第1面51a側進行蝕刻而形成。第2凹部35亦可藉由對金屬板51自第2面51b側進行蝕刻而形成。連接部41係連接第1凹部30與第2凹部35之部分。於連接部41處，貫通孔25之壁面擴展之方向亦可發生變化。例如，壁面擴展之方向亦可不連續地變化。
如圖6及圖7所示，第2壁面36亦可包含隨著自第2面51b側朝向第1面51a側而朝俯視下之貫通孔25之中心點側移位之部分。同樣地，第1壁面31亦可包含隨著自第1面51a側朝向第2面51b側而朝俯視下之貫通孔25之中心點側移位之部分。於該情形時，在連接部41處，貫通孔25之開口面積亦可為最小。換言之，連接部41亦可劃定上述貫通區域42之輪廓。
於圖5A及圖6中，符號S1表示第1方向D1上之貫通區域42之尺寸之最大值。於圖5A及圖7中，符號S2表示第2方向D2上之貫通區域42之尺寸之最大值。尺寸S2亦可大於尺寸S1。
尺寸S2相對於尺寸S1之比即S2/S1例如可為1.01以上，可為1.05以上，亦可為1.10以上。S2/S1例如可為1.20以下，可為1.30以下，亦可為1.50以下。S2/S1之範圍亦可由1.01、1.05及1.10所構成之第1組及/或1.20、1.30及1.50所構成之第2組規定。S2/S1之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意1個與上述第2組包含之值中之任意1個之組合規定。S2/S1之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意2個之組合規定。S2/S1之範圍亦可由上述第2組包含之值中之任意2個之組合規定。例如，可為1.01以上1.50以下，可為1.01以上1.30以下，可為1.01以上1.20以下，可為1.01以上1.10以下，可為1.01以上1.05以下，可為1.05以上1.50以下，可為1.05以上1.30以下，可為1.05以上1.20以下，可為1.05以上1.10以下，可為1.10以上1.50以下，可為1.10以上1.30以下，可為1.10以上1.20以下，可為1.20以上1.50以下，可為1.20以上1.30以下，亦可為1.30以上1.50以下。
於圖5A中，符號S3表示第3方向D3上之貫通區域42之尺寸之最大值。尺寸S3亦可大於尺寸S1。尺寸S3相對於尺寸S1之比即S3/S1例如可為1.01以上，可為1.05以上，亦可為1.10以上。S3/S1例如可為1.20以下，可為1.30以下，亦可為1.50以下。S3/S1之範圍亦可由1.01、1.05及1.10所構成之第1組及/或1.20、1.30及1.50所構成之第2組規定。S3/S1之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意1個與上述第2組包含之值中之任意1個之組合規定。S3/S1之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意2個之組合規定。S3/S1之範圍亦可由上述第2組包含之值中之任意2個之組合規定。例如，可為1.01以上1.50以下，可為1.01以上1.30以下，可為1.01以上1.20以下，可為1.01以上1.10以下，可為1.01以上1.05以下，可為1.05以上1.50以下，可為1.05以上1.30以下，可為1.05以上1.20以下，可為1.05以上1.10以下，可為1.10以上1.50以下，可為1.10以上1.30以下，可為1.10以上1.20以下，可為1.20以上1.50以下，可為1.20以上1.30以下，亦可為1.30以上1.50以下。 雖未圖示，但尺寸S3可與尺寸S1相同，亦可小於尺寸S1。
接下來，對平坦區域52進行說明。如圖6所示，上述平坦區域52位於金屬板51之第2面51b。平坦區域52之厚度T2亦可與金屬板51之厚度T1相同。例如，厚度T1相對於厚度T2之比即T2/T1可為0.95以上1.05以下。金屬板51之厚度T1係蒸鍍罩20中之周圍區域23等之未形成第1凹部30及第2凹部35之區域之厚度。
金屬板51之厚度T1例如可為8 μm以上，可為10 μm以上，可為13 μm以上，亦可為15 μm以上。金屬板51之厚度T1例如可為20 μm以下，可為25 μm以下，可為30 μm以下，亦可為50 μm以下。金屬板51之厚度T1之範圍亦可由8 μm、10 μm、13 μm及15 μm所構成之第1組及/或20 μm、25 μm、30 μm及50 μm所構成之第2組規定。金屬板51之厚度T1之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意1個與上述第2組包含之值中之任意1個之組合規定。金屬板51之厚度T1之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意2個之組合規定。金屬板51之厚度T1之範圍亦可由上述第2組包含之值中之任意2個之組合規定。例如，可為8 μm以上50 μm以下，可為8 μm以上30 μm以下，可為8 μm以上25 μm以下，可為8 μm以上20 μm以下，可為8 μm以上15 μm以下，可為8 μm以上13 μm以下，可為8 μm以上10 μm以下，可為10 μm以上50 μm以下，可為10 μm以上30 μm以下，可為10 μm以上25 μm以下，可為10 μm以上20 μm以下，可為10 μm以上15 μm以下，可為10 μm以上13 μm以下，可為13 μm以上50 μm以下，可為13 μm以上30 μm以下，可為13 μm以上25 μm以下，可為13 μm以上20 μm以下，可為13 μm以上15 μm以下，可為15 μm以上50 μm以下，可為15 μm以上30 μm以下，可為15 μm以上25 μm以下，可為15 μm以上20 μm以下，可為20 μm以上50 μm以下，可為20 μm以上30 μm以下，可為20 μm以上25 μm以下，可為25 μm以上50 μm以下，可為25 μm以上30 μm以下，亦可為30 μm以上50 μm以下。
藉由將金屬板51之厚度T1設為50 μm以下，可抑制蒸鍍材料98在通過貫通孔25之前附著於貫通孔25之第1壁面31或第2壁面36。藉此，可提高蒸鍍材料98之利用效率。藉由將金屬板51之厚度T1設為8 μm以上，可確保蒸鍍罩20之強度而抑制蒸鍍罩20產生損傷或變形。
如圖7所示，以符號57表示位於在第2方向D2上相鄰之2個貫通孔25之間的第2面51b之部分，將其稱為連結部。於本實施方式中，連結部57係非平坦區域。例如，連結部57之厚度之最大值T3小於金屬板51之厚度T1。如圖7所示，連結部57之第2面51b側之面於剖視圖中亦可以朝向第2面51b側凸出之方式彎曲。
連結部57之厚度之最大值T3相對於金屬板51之厚度T1之比例如可為0.10以上，可為0.30以上，可為0.50以上，亦可為0.60以上。T3/T1例如可為0.70以下，可為0.80以下，可為0.90以下，亦可為0.97以下。T3/T1之範圍亦可由0.10、0.30、0.50及0.60所構成之第1組及/或0.70、0.80、0.90及0.97所構成之第2組規定。T3/T1之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意1個與上述第2組包含之值中之任意1個之組合規定。T3/T1之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意2個之組合規定。T3/T1之範圍亦可由上述第2組包含之值中之任意2個之組合規定。例如，可為0.10以上0.97以下，可為0.10以上0.90以下，可為0.10以上0.80以下，可為0.10以上0.70以下，可為0.10以上0.60以下，可為0.10以上0.50以下，可為0.10以上0.30以下，可為0.30以上0.97以下，可為0.30以上0.90以下，可為0.30以上0.80以下，可為0.30以上0.70以下，可為0.30以上0.60以下，可為0.30以上0.50以下，可為0.50以上0.97以下，可為0.50以上0.90以下，可為0.50以上0.80以下，可為0.50以上0.70以下，可為0.50以上0.60以下，可為0.60以上0.97以下，可為0.60以上0.90以下，可為0.60以上0.80以下，可為0.60以上0.70以下，可為0.70以上0.97以下，可為0.70以上0.90以下，可為0.70以上0.80以下，可為0.80以上0.97以下，可為0.80以上0.90以下，亦可為0.90以上0.97以下。
上述之厚度T1、T2、T3藉由使用掃描式電子顯微鏡觀察蒸鍍罩20之剖面而算出。例如，厚度T1、T2藉由在包含有效區域22及周圍區域23並且包含沿著第1方向D1切斷所得之剖面的蒸鍍罩20之樣本中分別於5個部位測定厚度T1、T2並求出其等之平均值而算出。厚度T3藉由在包含平坦區域52並且包含沿著第2方向D2切斷所得之剖面的蒸鍍罩20之樣本中分別於5個部位測定厚度T3並求出其等之平均值而算出。作為掃描式電子顯微鏡，可使用ZEISS製造之掃描式電子顯微鏡ULTRA55。
圖8係將圖5A之蒸鍍罩沿著於第2方向D2上延伸並且經過平坦區域52之C-C線切斷時之剖視圖。於圖8之剖視圖中，連結部57與在第2方向D2上相鄰之2個平坦區域52之間之凹處52a重疊。
接下來，參照圖5A及圖9對俯視下之平坦區域52之形狀進一步進行說明。圖9係將圖5A之第1平坦區域53及第2平坦區域54放大表示之俯視圖。
如圖5A所示，第1平坦區域53亦可包含隨著朝上側遠離第1中心線L1而尺寸E1增加之部分。尺寸E1係第1方向D1上之第1平坦區域53之尺寸。第2平坦區域54亦可包含隨著朝下側遠離第1中心線L1而尺寸E2增加之部分。尺寸E2係第1方向D1上之第2平坦區域54之尺寸。例如，如圖5A所示，於第1方向D1上面向貫通孔25之平坦區域52之輪廓之部分亦可以朝平坦區域52之中心側凹陷之方式彎曲。
如圖5A所示，平坦區域52亦可包含隨著於第1方向D1上遠離第3中心線L3而尺寸G1增加之部分。尺寸G1係第3方向D3上之平坦區域52之尺寸。例如，如圖5A所示，於第3方向D3上面向貫通孔25之平坦區域52之輪廓之部分亦可以朝平坦區域52之中心側凹陷之方式彎曲。所謂第3中心線L3係指經過在第1方向D1上相鄰之2個貫通孔25之中間點C2並且於第3方向D3上延伸的直線。
於圖9中，符號P1表示第1平坦區域53中與第1中心線L1重疊之部分之第1方向D1上之尺寸。符號P2表示第1平坦區域53之一對第1輪廓53a之端部Pa、Pb間的第1方向D1上之距離。端部Pa、Pb位於遠離第1中心線L1之位置。第1輪廓53a係第1平坦區域53之輪廓中於第1方向D1上面向貫通孔25之部分。如圖9所示，尺寸P1亦可小於距離P2。
尺寸P1相對於距離P2之比例如可為0.01以上，可為0.10以上，可為0.30以上，亦可為0.45以上。P1/P2例如可為0.60以下，可為0.70以下，可為0.80以下，亦可為0.90以下。P1/P2之範圍亦可由0.01、0.10、0.30及0.45所構成之第1組及/或0.60、0.70、0.80及0.90所構成之第2組規定。P1/P2之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意1個與上述第2組包含之值中之任意1個之組合規定。P1/P2之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意2個之組合規定。P1/P2之範圍亦可由上述第2組包含之值中之任意2個之組合規定。例如，可為0.01以上0.90以下，可為0.01以上0.80以下，可為0.01以上0.70以下，可為0.01以上0.60以下，可為0.01以上0.45以下，可為0.01以上0.30以下，可為0.01以上0.10以下，可為0.10以上0.90以下，可為0.10以上0.80以下，可為0.10以上0.70以下，可為0.10以上0.60以下，可為0.10以上0.45以下，可為0.10以上0.30以下，可為0.30以上0.90以下，可為0.30以上0.80以下，可為0.30以上0.70以下，可為0.30以上0.60以下，可為0.30以上0.45以下，可為0.45以上0.90以下，可為0.45以上0.80以下，可為0.45以上0.70以下，可為0.45以上0.60以下，可為0.60以上0.90以下，可為0.60以上0.80以下，可為0.60以上0.70以下，可為0.70以上0.90以下，可為0.70以上0.80以下，亦可為0.80以上0.90以下。
於圖9中，符號P3表示第2平坦區域54中與第1中心線L1重疊之部分之第1方向D1上之尺寸。符號P4表示第2平坦區域54之一對第1輪廓54a之端部Pc、Pd間的第1方向D1上之距離。端部Pc、Pd位於遠離第1中心線L1之位置。第1輪廓54a係第2平坦區域54之輪廓中於第1方向D1上面向貫通孔25之部分。於第1平坦區域53與第2平坦區域54連續之情形時，第2平坦區域54之尺寸P3與上述第1平坦區域53之尺寸P1相等。
第2平坦區域54中之尺寸P3相對於距離P4之比之數值範圍與第1平坦區域53中之尺寸P1相對於距離P2之比之數值範圍相同，因此，省略說明。
於圖9中，符號Q1表示平坦區域52中與第3中心線L3重疊之部分之第3方向D3上之尺寸。符號Q2表示包含第1平坦區域53及第2平坦區域54之平坦區域52之一對第2輪廓52b之端部Qa、Qb間的第3方向D3上之距離。端部Qa、Qb位於遠離第1中心線L1之位置。第2輪廓52b係平坦區域52之輪廓中於第3方向D3上面向貫通孔25之部分。如圖9所示，尺寸Q1亦可小於距離Q2。或者，如下所述，尺寸Q1亦可與距離Q2相同。
尺寸Q1相對於距離Q2之比例如可為0.30以上，可為0.40以上，可為0.50以上，亦可為0.60以上。Q1/Q2例如可為0.70以下，可為0.80以下，可為0.90以下，亦可為1.00以下。Q1/Q2之範圍亦可由0.30、0.40、0.50及0.60所構成之第1組及/或0.70、0.80、0.90及1.00所構成之第2組規定。Q1/Q2之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意1個與上述第2組包含之值中之任意1個之組合規定。Q1/Q2之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意2個之組合規定。Q1/Q2之範圍亦可由上述第2組包含之值中之任意2個之組合規定。例如，可為0.30以上1.00以下，可為0.30以上0.90以下，可為0.30以上0.80以下，可為0.30以上0.70以下，可為0.30以上0.60以下，可為0.30以上0.50以下，可為0.30以上0.40以下，可為0.40以上1.00以下，可為0.40以上0.90以下，可為0.40以上0.80以下，可為0.40以上0.70以下，可為0.40以上0.60以下，可為0.40以上0.50以下，可為0.50以上1.00以下，可為0.50以上0.90以下，可為0.50以上0.80以下，可為0.50以上0.70以下，可為0.50以上0.60以下，可為0.60以上1.00以下，可為0.60以上0.90以下，可為0.60以上0.80以下，可為0.60以上0.70以下，可為0.70以上1.00以下，可為0.70以上0.90以下，可為0.70以上0.80以下，可為0.80以上1.00以下，可為0.80以上0.90以下，亦可為0.90以上1.00以下。
尺寸Q1亦可大於尺寸P1。即，平坦區域52亦可具有於第3方向D3上延伸之形狀。尺寸Q1相對於尺寸P1之比即Q1/P1例如可為1.05以上，可為1.2以上，可為1.5以上，亦可為2.0以上。Q1/P1例如可為2.5以下，可為5.0以下，可為10以下，亦可為50以下。Q1/P1之範圍亦可由1.05、1.2、1.5及2.0所構成之第1組及/或2.5、5.0、10及50所構成之第2組規定。Q1/P1之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意1個與上述第2組包含之值中之任意1個之組合規定。Q1/P1之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意2個之組合規定。Q1/P1之範圍亦可由上述第2組包含之值中之任意2個之組合規定。例如，可為1.05以上50以下，可為1.05以上10以下，可為1.05以上5.0以下，可為1.05以上2.5以下，可為1.05以上2.0以下，可為1.05以上1.5以下，可為1.05以上1.2以下，可為1.2以上50以下，可為1.2以上10以下，可為1.2以上5.0以下，可為1.2以上2.5以下，可為1.2以上2.0以下，可為1.2以上1.5以下，可為1.5以上50以下，可為1.5以上10以下，可為1.5以上5.0以下，可為1.5以上2.5以下，可為1.5以上2.0以下，可為2.0以上50以下，可為2.0以上10以下，可為2.0以上5.0以下，可為2.0以上2.5以下，可為2.5以上50以下，可為2.5以上10以下，可為2.5以上5.0以下，可為5.0以上50以下，可為5.0以上10以下，亦可為10以上50以下。
尺寸Q2亦可大於尺寸P2。作為尺寸Q2相對於尺寸P2之比即Q2/P2之數值之範圍，可採用上述之Q1/P1之數值之範圍。尺寸Q2大於尺寸P2係與尺寸Q1及尺寸P1之情形同樣地，指平坦區域52具有於第3方向D3上延伸之形狀。
第3方向D3亦可與遮罩第1方向N1一致。例如，第3方向D3與遮罩第1方向N1所成之角度可為5.0度以下，可為3.0度以下，可為1.0度以下，可為0.5度以下，亦可為0.1度以下。遮罩第1方向N1亦可基於蒸鍍罩20之側緣17c延伸之方向而規定。於蒸鍍罩20包含沿著側緣17c排列之2個對準標記之情形時，遮罩第1方向N1亦可基於經過2個對準標記之中心之直線延伸之方向而規定。
第3方向D3與遮罩第1方向N1一致意味著平坦區域52之長度方向與蒸鍍罩20之長度方向一致。有時對固定於框架15之蒸鍍罩20於長度方向上施加張力。於平坦區域52之長度方向與蒸鍍罩20之長度方向一致之情形時，可抑制俯視下之平坦區域52之形狀因張力而發生變化。藉此，例如可抑制因張力而導致於蒸鍍罩20產生皺褶等。
平坦區域52之面積相對於有效區域22之面積之比率越大，則蒸鍍罩20之強度越高。蒸鍍罩20之強度越高，使用蒸鍍罩20之步驟之作業性越高。例如，可抑制搬運蒸鍍罩20時蒸鍍罩20產生變形或破損。另一方面，平坦區域52之面積相對於有效區域22之面積之比率越大，則越容易產生陰影。平坦區域52之尺寸P1、P2、Q1、Q2等係考慮強度及陰影而規定。以下，對平坦區域52之尺寸與其他尺寸之關係之例進行說明。
圖5A所示之距離U1、U2、U3越大，越能抑制陰影，但蒸鍍罩20之強度越低。平坦區域52之尺寸亦可考慮該等距離而規定。
距離U2相對於尺寸Q1之比率即U2/Q1例如可為0.05以上，可為0.15以上，可為0.3以上，亦可為0.5以上。U2/Q1例如可為0.8以下，可為1.0以下，可為1.2以下，亦可為1.5以下。U2/Q1之範圍亦可由0.05、0.15、0.3及0.5所構成之第1組及/或0.8、1.0、1.2及1.5所構成之第2組規定。U2/Q1之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意1個與上述第2組包含之值中之任意1個之組合規定。U2/Q1之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意2個之組合規定。U2/Q1之範圍亦可由上述第2組包含之值中之任意2個之組合規定。例如，可為0.05以上1.5以下，可為0.05以上1.2以下，可為0.05以上1.0以下，可為0.05以上0.8以下，可為0.05以上0.5以下，可為0.05以上0.3以下，可為0.05以上0.15以下，可為0.15以上1.5以下，可為0.15以上1.2以下，可為0.15以上1.0以下，可為0.15以上0.8以下，可為0.15以上0.5以下，可為0.15以上0.3以下，可為0.3以上1.5以下，可為0.3以上1.2以下，可為0.3以上1.0以下，可為0.3以上0.8以下，可為0.3以上0.5以下，可為0.5以上1.5以下，可為0.5以上1.2以下，可為0.5以上1.0以下，可為0.5以上0.8以下，可為0.8以上1.5以下，可為0.8以上1.2以下，可為0.8以上1.0以下，可為1.0以上1.5以下，可為1.0以上1.2以下，亦可為1.2以上1.5以下。
作為距離U2相對於尺寸Q2之比率即U2/Q2之數值之範圍，可採用上述之U2/Q1之數值之範圍。
距離U3相對於尺寸Q1之比率即U3/Q1例如可為0.02以上，可為0.05以上，可為0.10以上，亦可為0.20以上。U3/Q1例如可為0.30以下，可為0.50以下，可為0.70以下，亦可為1.00以下。U3/Q1之範圍亦可由0.02、0.05、0.10及0.20所構成之第1組及/或0.30、0.50、0.70及1.00所構成之第2組規定。U3/Q1之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意1個與上述第2組包含之值中之任意1個之組合規定。U3/Q1之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意2個之組合規定。U3/Q1之範圍亦可由上述第2組包含之值中之任意2個之組合規定。例如，可為0.02以上1.00以下，可為0.02以上0.70以下，可為0.02以上0.50以下，可為0.02以上0.30以下，可為0.02以上0.20以下，可為0.02以上0.10以下，可為0.02以上0.05以下，可為0.05以上1.00以下，可為0.05以上0.70以下，可為0.05以上0.50以下，可為0.05以上0.30以下，可為0.05以上0.20以下，可為0.05以上0.10以下，可為0.10以上1.00以下，可為0.10以上0.70以下，可為0.10以上0.50以下，可為0.10以上0.30以下，可為0.10以上0.20以下，可為0.20以上1.00以下，可為0.20以上0.70以下，可為0.20以上0.50以下，可為0.20以上0.30以下，可為0.30以上1.00以下，可為0.30以上0.70以下，可為0.30以上0.50以下，可為0.50以上1.00以下，可為0.50以上0.70以下，亦可為0.70以上1.00以下。
作為距離U3相對於尺寸Q2之比率即U3/Q2之數值之範圍，可採用上述之U3/Q1之數值之範圍。
圖5A所示之貫通孔之尺寸S1、S2、S3越大，則陰影之影響越小，但蒸鍍罩20之強度越低。平坦區域52之尺寸亦可考慮貫通孔之尺寸而規定。
尺寸S3相對於尺寸Q1之比率即S3/Q1例如可為0.5以上，可為0.6以上，可為0.7以上，亦可為0.8以上。S3/Q1例如可為1.0以下，可為1.2以下，可為1.5以下，亦可為2.0以下。S3/Q1之範圍亦可由0.5、0.6、0.7及0.8所構成之第1組及/或1.0、1.2、1.5及2.0所構成之第2組規定。S3/Q1之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意1個與上述第2組包含之值中之任意1個之組合規定。S3/Q1之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意2個之組合規定。S3/Q1之範圍亦可由上述第2組包含之值中之任意2個之組合規定。例如，可為0.5以上2.0以下，可為0.5以上1.5以下，可為0.5以上1.2以下，可為0.5以上1.0以下，可為0.5以上0.8以下，可為0.5以上0.7以下，可為0.5以上0.6以下，可為0.6以上2.0以下，可為0.6以上1.5以下，可為0.6以上1.2以下，可為0.6以上1.0以下，可為0.6以上0.8以下，可為0.6以上0.7以下，可為0.7以上2.0以下，可為0.7以上1.5以下，可為0.7以上1.2以下，可為0.7以上1.0以下，可為0.7以上0.8以下，可為0.8以上2.0以下，可為0.8以上1.5以下，可為0.8以上1.2以下，可為0.8以上1.0以下，可為1.0以上2.0以下，可為1.0以上1.5以下，可為1.0以上1.2以下，可為1.2以上2.0以下，可為1.2以上1.5以下，亦可為1.5以上2.0以下。
作為尺寸S3相對於尺寸Q2之比率即S3/Q2之數值之範圍，可採用上述之S3/Q1之數值之範圍。
上述之尺寸S1、S2、S3、P1、P2、P3、P4、Q1、Q2、M1、M2、M3、U1、U2、U3等藉由使用雷射顯微鏡自第2面51b側觀察蒸鍍罩20而算出。例如，尺寸S1、S2、S3、P1、P2、P3、P4、Q1、Q2、M1、M2、M3、U1、U2、U3藉由在包含有效區域22之蒸鍍罩20之樣本中分別於5個部位測定尺寸S1、S2、S3、P1、P2、P3、P4、Q1、Q2、M1、M2、M3、U1、U2、U3並求出其等之平均值而算出。所使用之雷射顯微鏡及觀察條件如下所述。 ・雷射顯微鏡：基恩士股份有限公司製造之VK-X250 ・雷射光：藍色(波長408 nm) ・物鏡：50倍 ・光學變焦：1.0倍 ・測定模式：表面形狀 ・測定品質：高速 ・使用Real Peak Detection(RPD)功能
接下來，主要參照圖10～圖15說明對金屬板51進行加工而製造蒸鍍罩20之方法。圖10係表示使用金屬板51製造蒸鍍罩20之製造裝置70之圖。首先，準備包含捲繞於軸構件51x之金屬板51之捲繞體50。繼而，將捲繞體50之金屬板51自軸構件51x卷出，並將金屬板51依次朝圖10所示之抗蝕膜形成裝置71、曝光、顯影裝置72、蝕刻裝置73、剝膜裝置74及分離裝置75搬送。於圖10中，示出金屬板51藉由在其長度方向T上搬送而於裝置之間移動之例，但不限於此。例如，亦可將於抗蝕膜形成裝置71中設置抗蝕層後之金屬板51再次捲取至軸構件51x之後，將捲繞體狀態之金屬板51供給至曝光、顯影裝置72。亦可將於曝光、顯影裝置72中進行曝光、顯影處理後之設置有抗蝕層之狀態之金屬板51再次捲取至軸構件51x之後，將捲繞體狀態之金屬板51供給至蝕刻裝置73。亦可將於蝕刻裝置73中進行蝕刻後之金屬板51再次捲取至軸構件51x之後，將捲繞體狀態之金屬板51供給至剝膜裝置74。亦可將於剝膜裝置74中去除下述樹脂58等後之金屬板51再次捲取至軸構件51x之後，將捲繞體狀態之金屬板51供給至分離裝置75。
抗蝕膜形成裝置71於金屬板51之第1面及第2面設置抗蝕層。曝光、顯影裝置72藉由對抗蝕層實施曝光處理及顯影處理而將抗蝕層圖案化。
蝕刻裝置73將經圖案化之抗蝕層作為遮罩而對金屬板51進行蝕刻，於金屬板51形成貫通孔25。於本實施方式中，於金屬板51形成與複數片蒸鍍罩20對應之多個貫通孔25。換言之，對金屬板51分配複數片蒸鍍罩20。例如，以於金屬板51之寬度方向上排列有複數個有效區域22且於金屬板51之長度方向上排列有複數個蒸鍍罩20用之有效區域22的方式，於金屬板51形成多個貫通孔25。剝膜裝置74使抗蝕圖案或下述樹脂58等為了保護金屬板51中不被蝕刻之部分免受蝕刻液影響而設置的構成要素剝離。
分離裝置75實施分離步驟，該分離步驟係將金屬板51中形成有與1片蒸鍍罩20對應之複數個貫通孔25之部分自金屬板51分離。以此方式，可獲得蒸鍍罩20。
對蒸鍍罩20之製造方法之各步驟詳細地進行說明。
首先，準備包含捲繞於軸構件51x之金屬板51之捲繞體50。金屬板51之厚度例如為5 μm以上且50 μm以下。作為製作具有所需厚度之金屬板51之方法，可採用壓延法、鍍覆成膜法等。
金屬板51例如可使用由含鎳之鐵合金構成之金屬板。構成金屬板之鐵合金亦可除了包含鎳以外還包含鈷。例如，可使用鎳及鈷之含量合計為30質量%以上且54質量%以下並且鈷之含量為0質量%以上且6質量%以下的鐵合金作為金屬板51之材料。關於包含鎳或者鎳及鈷之鐵合金之具體例，可列舉包含34質量%以上且38質量%以下之鎳之因瓦合金材、除了包含30質量%以上且34質量%以下之鎳以外還包含鈷之超因瓦合金材、包含38質量%以上且54質量%以下之鎳之低熱膨脹Fe-Ni系鍍覆合金等。
繼而，使用抗蝕膜形成裝置71，於自捲出裝置捲出之金屬板51之第1面51a上形成第1面抗蝕層61，於第2面51b上形成第2面抗蝕層62。例如，藉由將包含丙烯酸系光硬化性樹脂等感光性抗蝕劑材料之幹膜貼附於金屬板51之第1面51a上及第2面51b上，而形成第1面抗蝕層61及第2面抗蝕層62。或者，亦可將包含負型感光性抗蝕劑材料之塗佈液塗佈於金屬板51之第1面51a上及第2面51b上，並使塗佈液乾燥，藉此，形成第1面抗蝕層61及第2面抗蝕層62。
抗蝕層61、62之厚度例如可為1 μm以上，可為3 μm以上，可為5 μm以上，亦可為7 μm以上。抗蝕層61、62之厚度例如可為10 μm以下，可為15 μm以下，可為20 μm以下，亦可為25 μm以下。抗蝕層61、62之厚度之範圍亦可由1 μm、3 μm、5 μm及7 μm所構成之第1組及/或10 μm、15 μm、20 μm及25 μm所構成之第2組規定。抗蝕層61、62之厚度之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意1個與上述第2組包含之值中之任意1個之組合規定。抗蝕層61、62之厚度之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意2個之組合規定。抗蝕層61、62之厚度之範圍亦可由上述第2組包含之值中之任意2個之組合規定。例如，可為1 μm以上25 μm以下，可為1 μm以上20 μm以下，可為1 μm以上15 μm以下，可為1 μm以上10 μm以下，可為1 μm以上7 μm以下，可為1 μm以上5 μm以下，可為1 μm以上3 μm以下，可為3 μm以上25 μm以下，可為3 μm以上20 μm以下，可為3 μm以上15 μm以下，可為3 μm以上10 μm以下，可為3 μm以上7 μm以下，可為3 μm以上5 μm以下，可為5 μm以上25 μm以下，可為5 μm以上20 μm以下，可為5 μm以上15 μm以下，可為5 μm以上10 μm以下，可為5 μm以上7 μm以下，可為7 μm以上25 μm以下，可為7 μm以上20 μm以下，可為7 μm以上15 μm以下，可為7 μm以上10 μm以下，可為10 μm以上25 μm以下，可為10 μm以上20 μm以下，可為10 μm以上15 μm以下，可為15 μm以上25 μm以下，可為15 μm以上20 μm以下，亦可為20 μm以上25 μm以下。
繼而，使用曝光、顯影裝置72，對抗蝕層61、62進行曝光及顯影。圖12係表示藉由曝光及顯影而圖案化後之抗蝕層61、62之剖視圖。
繼而，使用蝕刻裝置73，將抗蝕層61、62作為遮罩而對金屬板51進行蝕刻。具體而言，首先，實施第1面蝕刻步驟。如圖13所示，第1面蝕刻步驟包含使用第1蝕刻液對金屬板51之第1面51a中未由第1面抗蝕層61覆蓋之區域進行蝕刻。例如，自配置於與所搬送之金屬板51之第1面51a相面對之側之噴嘴越過第1面抗蝕層61朝向金屬板51之第1面51a噴射第1蝕刻液。此時，金屬板51之第2面51b亦可由具有對第1蝕刻液之耐性之膜等覆蓋。
第1面蝕刻步驟之結果為，如圖13所示，於金屬板51中未由第1面抗蝕層61覆蓋之區域，由第1蝕刻液進行浸蝕。藉此，於金屬板51之第1面51a形成多個第1凹部30。第1蝕刻液使用例如包含氯化鐵溶液及鹽酸者。
繼而，如圖14所示，實施第2面蝕刻步驟。第2面蝕刻步驟包含使用第2蝕刻液對金屬板51之第2面51b中未由第2面抗蝕層62覆蓋之區域進行蝕刻。藉此，於金屬板51之第2面51b形成第2凹部35。實施第2面蝕刻步驟直至第1凹部30與第2凹部35彼此相通從而形成貫通孔25為止。第2蝕刻液與上述第1蝕刻液同樣地使用例如包含氯化鐵溶液及鹽酸者。於第2面51b之蝕刻時，亦可如圖14所示，利用具有對第2蝕刻液之耐性之樹脂58被覆第1凹部30。
第2面蝕刻步驟亦可如圖14所示，以於在特定方向上相鄰之兩個第2凹部35之間局部保留金屬板51之第2面51b的方式實施。例如，第2面蝕刻步驟亦可以於在第1方向D1上相鄰之兩個第2凹部35之間局部保留金屬板51之第2面51b的方式實施。藉此，如上述之圖6所示，可獲得位於在第1方向D1上相鄰之兩個貫通孔25之間之平坦區域52。第2面蝕刻步驟亦可以平坦區域52之上述之第1平坦區域53與第2平坦區域54連續之方式實施。
第2面蝕刻步驟亦可如圖15所示，以在特定方向上相鄰之兩個第2凹部35之間未保留第2面51b的方式實施。例如，第2面蝕刻步驟亦可以在第2方向D2上相鄰之2個第2凹部35之間未保留第2面51b的方式實施。藉此，如上述之圖7所示，可獲得位於在第2方向D2上相鄰之2個貫通孔25之間的非平坦之連結部57。
繼而，使用剝膜裝置74，實施自金屬板51去除樹脂58及抗蝕層61、62之剝膜步驟。繼而，使用分離裝置75實施分離步驟，該分離步驟係將金屬板51中形成有與1片蒸鍍罩20對應之複數個貫通孔25之部分自金屬板51分離。以此方式，可獲得蒸鍍罩20。
於本實施方式之蒸鍍罩20中，如上所述，第1方向D1上之第1平坦區域53之尺寸E1及第2平坦區域54之尺寸E2隨著遠離第1中心線L1而增加。此種構造藉由適當地調整俯視下之抗蝕層61、62之形狀及蝕刻條件而實現。蝕刻條件之例包含溫度、時間、蝕刻液之組成等。
接下來，對使用本實施方式之蒸鍍罩20製造有機EL顯示裝置100之方法進行說明。有機EL顯示裝置100之製造方法具備使用蒸鍍罩20使蒸鍍材料98蒸鍍至基板110上之蒸鍍步驟。於蒸鍍步驟中，首先，以蒸鍍罩20與基板110對向之方式配置蒸鍍罩裝置10。此時，亦可使用磁鐵93使蒸鍍罩20密接於基板110。又，使蒸鍍裝置90之內部為真空環境。於該狀態下，使蒸鍍材料98蒸發並經由蒸鍍罩20飛向基板110，藉此，可使蒸鍍材料98以與蒸鍍罩20之貫通孔25對應之圖案附著於基板110而形成蒸鍍層。
於本實施方式之蒸鍍罩20中，第1平坦區域53及第2平坦區域54包含尺寸E1及尺寸E2隨著遠離第1中心線L1而增加之部分。因此，可抑制具有第1方向D1之速度分量且在相對於金屬板51之法線方向傾斜之方向上移動的蒸鍍材料98附著於平坦區域52或第2凹部35之第2壁面36。藉此，可抑制於貫通孔25之第1輪廓42a之周圍產生陰影。藉由使尺寸E1、E2於遠離第1中心線L1之位置處增大，與尺寸E1、E2無關於位置而固定之情形相比，可使平坦區域52之面積增加。藉此，可提高蒸鍍罩20之強度，因此，可抑制蒸鍍罩20於搬送過程中等情形時產生破損。
於本實施方式之蒸鍍罩20中，於在第2方向D2上相鄰之2個貫通孔25之間存在非平坦之連結部57。換言之，在第2方向D2上相鄰之2個貫通孔25相連。因此，可抑制具有第2方向D2之速度分量且在相對於金屬板51之法線方向傾斜之方向上移動的蒸鍍材料98附著於連結部57或第2凹部35之第2壁面36。藉此，可抑制於貫通孔25之第2輪廓42b之周圍產生陰影。
可對上述之一實施方式施加各種變更。以下，視需要參照圖式對其他實施方式進行說明。於以下說明及以下說明所使用之圖式中，對可與上述之一實施方式同樣地構成之部分，使用與對上述之一實施方式中之對應部分使用之符號相同之符號，並省略重複之說明。於明確在上述之一實施方式中獲得之作用效果亦可於其他實施方式中獲得之情形時，有時亦省略其說明。
圖16係表示蒸鍍罩20之第2面51b側之平坦區域52之一例之俯視圖。於上述實施方式中，示出平坦區域52之尺寸Q1小於平坦區域52之端部Qa、Qb間之距離Q2之例。然而，不限於此，亦可如圖16所示，尺寸Q1與距離Q2相同。例如，第2輪廓52b亦可沿著第1方向D1呈直線狀延伸。於該情形時，Q1/Q2成為1.00。
於具備圖16所示之平坦區域52之蒸鍍罩20中，亦與上述實施方式之情形同樣地，第1平坦區域53亦可包含隨著朝上側遠離第1中心線L1而尺寸E1增加之部分。第2平坦區域54亦可包含隨著朝下側遠離第1中心線L1而尺寸E2增加之部分。藉此，可抑制具有第1方向D1之速度分量且在相對於金屬板51之法線方向傾斜之方向上移動的蒸鍍材料98附著於平坦區域52或第2凹部35之第2壁面36。因此，可抑制於貫通孔25之第1輪廓42a之周圍產生陰影。藉由使第1方向D1上之第1平坦區域53及第2平坦區域54之尺寸E1、E2於遠離第1中心線L1之位置處增大，與尺寸E1、E2無關於位置而固定之情形相比，可使平坦區域52之面積增加。藉此，可提高蒸鍍罩20之強度，因此，可抑制蒸鍍罩20於搬送過程中等情形時產生破損。
圖17係表示蒸鍍罩20之第2面51b側之平坦區域52之一例之俯視圖。於上述實施方式中，示出第1平坦區域53與第2平坦區域54於第3方向D3上連續之例。然而，不限於此，亦可如圖17所示，第1平坦區域53與第2平坦區域54於第3方向D3上不連續。即，亦可於第1平坦區域53與第2平坦區域54之間存在非平坦區域。例如亦可如圖17所示，在第1平坦區域53與第2平坦區域54之間與第1中心線L1重疊之區域為非平坦區域。
於圖17所示之例中，亦與上述實施方式之情形同樣地，第1平坦區域53亦可包含隨著朝上側遠離第1中心線L1而尺寸E1增加之部分。第2平坦區域54亦可包含隨著朝下側遠離第1中心線L1而尺寸E2增加之部分。
於圖17所示之例中，第2面蝕刻步驟係以第1平坦區域53與第2平坦區域54不連續之方式實施。例如，亦可使第2面蝕刻步驟之時間相比上述實施方式之情形增加。亦可使第1方向D1上之第2面抗蝕層62之尺寸相比上述實施方式之情形減少。
於具備圖17所示之平坦區域52之蒸鍍罩20中，亦可抑制具有第1方向D1之速度分量且在相對於金屬板51之法線方向傾斜之方向上移動的蒸鍍材料98附著於平坦區域52或第2凹部35之第2壁面36。藉此，可抑制於貫通孔25之第1輪廓42a之周圍產生陰影。藉由使尺寸E1、E2於遠離第1中心線L1之位置處增大，與尺寸E1、E2無關於位置而固定之情形相比，可使平坦區域52之面積增加。藉此，可提高蒸鍍罩20之強度，因此，可抑制蒸鍍罩20於搬送過程中等情形時產生破損。
圖18係表示自第2面51b側觀察蒸鍍罩20之有效區域22之一例之情形之俯視圖。於上述實施方式中，示出於在第2方向D2上相鄰之2個貫通孔25之間不存在平坦區域52之例。然而，不限於此，亦可如圖18所示，蒸鍍罩20具備位於在第2方向D2上相鄰之2個貫通孔25之間之第3平坦區域55。即，在第2方向D2上相鄰之2個貫通孔25亦可不相連。蒸鍍罩20亦可具備位於在第4方向D4上相鄰之2個貫通孔25之間之第4平坦區域56。
於圖18所示之例中，亦與上述實施方式之情形同樣地，第1平坦區域53亦可包含隨著朝上側遠離第1中心線L1而尺寸E1增加之部分。第2平坦區域54亦可包含隨著朝下側遠離第1中心線L1而尺寸E2增加之部分。
亦可如圖18所示，第1平坦區域53與第2平坦區域54於第3方向D3上連續。或者，雖未圖示，但第1平坦區域53與第2平坦區域54亦可於第3方向D3上不連續。
圖19係沿著圖18之蒸鍍罩20之D-D線之剖視圖之一例。圖20係表示圖18之平坦區域52之俯視圖。第3平坦區域55亦可以將在第2方向D2上相鄰之第1平坦區域53與第2平坦區域54連接之方式於第2方向D2上延伸。同樣地，第4平坦區域56亦可以將在第4方向D4上相鄰之第1平坦區域53與第2平坦區域54連接之方式於第4方向D4上延伸。
於圖20中，符號R1表示第3平坦區域55中與第2中心線L2重疊之部分之第2方向D2上之尺寸。第2中心線L2係經過在第2方向D2上相鄰之2個貫通孔25之中心點C1的直線。第3平坦區域55之尺寸R1亦可小於第1平坦區域53之尺寸P1。藉此，可抑制具有第2方向D2之速度分量且在相對於金屬板51之法線方向傾斜之方向上移動的蒸鍍材料98附著於連結部57或第2凹部35之第2壁面36。藉此，可抑制於貫通孔25之第2輪廓42b之周圍產生陰影。
尺寸R1相對於尺寸P1之比例如可為0.01以上，可為0.10以上，可為0.30以上，亦可為0.45以上。R1/P1例如可為0.60以下，可為0.70以下，可為0.80以下，亦可為0.90以下。R1/P1之範圍亦可由0.01、0.10、0.30及0.45所構成之第1組及/或0.60、0.70、0.80及0.90所構成之第2組規定。R1/P1之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意1個與上述第2組包含之值中之任意1個之組合規定。R1/P1之範圍亦可由上述第1組包含之值中之任意2個之組合規定。R1/P1之範圍亦可由上述第2組包含之值中之任意2個之組合規定。例如，可為0.01以上0.90以下，可為0.01以上0.80以下，可為0.01以上0.70以下，可為0.01以上0.60以下，可為0.01以上0.45以下，可為0.01以上0.30以下，可為0.01以上0.10以下，可為0.10以上0.90以下，可為0.10以上0.80以下，可為0.10以上0.70以下，可為0.10以上0.60以下，可為0.10以上0.45以下，可為0.10以上0.30以下，可為0.30以上0.90以下，可為0.30以上0.80以下，可為0.30以上0.70以下，可為0.30以上0.60以下，可為0.30以上0.45以下，可為0.45以上0.90以下，可為0.45以上0.80以下，可為0.45以上0.70以下，可為0.45以上0.60以下，可為0.60以上0.90以下，可為0.60以上0.80以下，可為0.60以上0.70以下，可為0.70以上0.90以下，可為0.70以上0.80以下，亦可為0.80以上0.90以下。
於圖20中，符號R2表示第4平坦區域56中與第4中心線L4重疊之部分之第4方向D4上之尺寸。第4中心線L4係經過在第4方向D4上相鄰之2個貫通孔25之中心點C1的直線。第4平坦區域56之尺寸R2亦可小於第1平坦區域53之尺寸P1。藉此，可抑制具有第4方向D4之速度分量且在相對於金屬板51之法線方向傾斜之方向上移動的蒸鍍材料98附著於連結部57或第2凹部35之第2壁面36。藉此，可抑制於貫通孔25之第2輪廓42b之周圍產生陰影。
尺寸R2相對於尺寸P1之比之數值範圍與尺寸R1相對於尺寸P1之比之數值範圍相同，因此省略說明。
於具備圖18所示之平坦區域52之蒸鍍罩20中，亦可抑制具有第1方向D1之速度分量且在相對於金屬板51之法線方向傾斜之方向上移動的蒸鍍材料98附著於平坦區域52或第2凹部35之第2壁面36。因此，可抑制於貫通孔25之第1輪廓42a之周圍產生陰影。藉由使第1方向D1上之第1平坦區域53及第2平坦區域54之尺寸E1、E2於遠離第1中心線L1之位置處增大，與尺寸E1、E2無關於位置而固定之情形相比，可使平坦區域52之面積增加。藉此，可提高蒸鍍罩20之強度，因此，可抑制蒸鍍罩20於搬送過程中等情形時產生破損。
由於第3平坦區域55之尺寸R1小於第1平坦區域53之尺寸P1，故可抑制具有第2方向D2之速度分量且在相對於金屬板51之法線方向傾斜之方向上移動的蒸鍍材料98附著於第3平坦區域55或第2凹部35之第2壁面36。因此，可抑制於貫通孔25之第1輪廓42a之周圍產生陰影。藉此，可抑制於貫通孔25之第2輪廓42b之周圍產生陰影。
於上述實施方式中，示出藉由實施第1面蝕刻步驟而對金屬板51之第1面51a進行加工之例。然而，對第1面51a進行加工之第1面加工步驟並不限於第1面蝕刻步驟。例如，亦可藉由對金屬板51照射雷射而實施第1面51a側之加工。於該情形時，亦可如以下所說明般實施雷射加工來代替第1面蝕刻步驟。
首先，如圖21所示，於金屬板51之第2面51b上形成第2面抗蝕層62，並將第2面抗蝕層62圖案化。繼而，如圖22所示，實施第2面蝕刻步驟，即，對金屬板51之第2面51b中未由第2面抗蝕層62覆蓋之區域進行蝕刻，於第2面51b形成第2凹部35。其後，如圖23所示，實施對金屬板51中形成有第2凹部35之部分之一部分照射雷射L的雷射加工步驟。藉由雷射加工步驟，形成自第2凹部35之第2壁面36貫通至第1面51a之第1凹部30。如圖23所示，亦可自金屬板51之第2面51b側照射雷射L。
於圖21至圖23所示之例中，藉由在蒸鍍罩20之第2面51b側形成上述平坦區域52，可抑制於貫通孔25之周圍產生陰影。
如圖23所示，藉由雷射加工形成之第1凹部30之壁面31亦可以隨著自第2面51b側朝向第1面51a側而朝俯視下之貫通孔25之中心點側移位的方式傾斜。於該情形時，第1面51a上之第1凹部30之端部亦可劃分形成在俯視下貫通孔25之開口面積成為最小之貫通區域42。 [實施例]
接下來，利用實施例對本發明之實施方式更具體地進行說明，但本發明之實施方式只要不超出其主旨，則並不限定於以下之實施例之記載。
(例1) 製作包含圖9所示之平坦區域52之蒸鍍罩20。蒸鍍罩20之各部分之尺寸如下所述。 ・第1方向D1上之貫通區域42之尺寸S1：30 μm ・平坦區域52之厚度T2：25 μm ・與第1中心線L1重疊之第1平坦區域53之尺寸P1：2.0 μm ・第1平坦區域53之端部Pa、Pb間之距離P2：19 μm ・與第3中心線L3重疊之平坦區域52之尺寸Q1：30 μm ・平坦區域52之端部Qa、Qb間之距離Q2：35 μm 於例1之平坦區域52中，尺寸P1小於距離P2，P1/P2為0.11。尺寸Q1小於距離Q2，Q1/Q2為0.86。
繼而，如圖4所示，將蒸鍍罩20固定於框架15。具體而言，於在長度方向上對蒸鍍罩20施加張力之狀態下，將端部17a、17b熔接於框架15。
使用放大鏡觀察熔接於框架15之狀態之蒸鍍罩20。蒸鍍罩20中未產生損傷或變形。具體而言，確認到蒸鍍罩20中未產生龜裂及彎折。
繼而，使用蒸鍍罩20，實施使蒸鍍材料98附著於基板110上而形成蒸鍍層之蒸鍍步驟。蒸鍍材料98使用作為有機發光材料之三(8-羥基喹啉)鋁。基板110使用玻璃基板。以蒸鍍層之厚度成為40 nm之方式設定蒸鍍步驟之條件。
繼而，使用LEICA製造之光學顯微鏡DMRX HX DC300F及Hitachi High-Technologies製造之掃描式白光干涉顯微鏡 VertScan，觀察基板110上之蒸鍍層。基於觀察結果，算出蒸鍍層之面積率V。蒸鍍層之面積率V係蒸鍍層之有效面積V2相對於貫通區域42之面積V1之比率。具體而言，V＝V2/V1。有效面積V2係具有目標厚度之95%以上之厚度的蒸鍍層之區域之面積。於目標厚度為40 nm之情形時，有效面積V2係具有38 nm以上之厚度的蒸鍍層之區域之面積。
對基板110上之30個蒸鍍層分別算出面積率V。於所有蒸鍍層中，面積率V均為0.70以上。
將例1中之蒸鍍罩20之構成及評價結果示於圖24。 於評價結果之「強度」之欄中，「佳(OK)」係指熔接於框架15之狀態之蒸鍍罩20中未產生龜裂及彎折。「不佳(NG，No Good)」係指熔接於框架15之狀態之蒸鍍罩20或熔接於框架15之前之狀態之蒸鍍罩20中產生了龜裂或彎折。 於評價結果之「陰影」之欄中，「佳」係指於基板110上之所有30個蒸鍍層中，面積率V均為0.70以上。「不佳」係指存在面積率V不足之蒸鍍層。
(例2～例6) 製作包含圖9所示之平坦區域52之蒸鍍罩20。將例2～例6之蒸鍍罩20之各部分之尺寸示於圖24。於例2～例6之平坦區域52中，亦與例1之情形同樣地，尺寸P1小於距離P2。於例2～例6之平坦區域52中，P1/P2為0.90以下。於例2～例6之平坦區域52中，亦與例1之情形同樣地，尺寸Q1小於距離Q2。
繼而，與例1之情形同樣地，將例2～例6之蒸鍍罩20固定於框架15。熔接於框架15之狀態之蒸鍍罩20中未產生龜裂及彎折。
繼而，與例1之情形同樣地，使用例2～例6之蒸鍍罩20，使蒸鍍材料98附著於基板110上而形成蒸鍍層。於基板110上之所有30個蒸鍍層中，面積率V均為0.70以上。
(例7) 製作包含圖16所示之平坦區域52之蒸鍍罩20。將例7之蒸鍍罩20之各部分之尺寸示於圖24。於例7之平坦區域52中，亦與例1之情形同樣地，尺寸P1小於距離P2，P1/P2為0.42。於例7之平坦區域52中，尺寸Q1與距離Q2相等，因此，Q1/Q2為1.00。
繼而，與例1之情形同樣地，將例7之蒸鍍罩20固定於框架15。熔接於框架15之狀態之蒸鍍罩20中未產生龜裂及彎折。
繼而，與例1之情形同樣地，使用例7之蒸鍍罩20，使蒸鍍材料98附著於基板110上而形成蒸鍍層。於基板110上之所有30個蒸鍍層中，面積率V均為0.70以上。
(例8～例10) 製作包含圖20所示之平坦區域52之蒸鍍罩20。將例8～例10之蒸鍍罩20之各部分之尺寸示於圖24。於例8～例10之平坦區域52中，尺寸R1小於尺寸P1，R1/P1為0.90以下。
繼而，與例1之情形同樣地，將例8～例10之蒸鍍罩20固定於框架15。熔接於框架15之狀態之蒸鍍罩20中未產生龜裂及彎折。
繼而，與例1之情形同樣地，使用例8～例10之蒸鍍罩20，使蒸鍍材料98附著於基板110上而形成蒸鍍層。於基板110上之所有30個蒸鍍層中，面積率V均為0.70以上。
(例11～例12) 製作包含圖9所示之平坦區域52之蒸鍍罩20。將例11～例12之蒸鍍罩20之各部分之尺寸示於圖24。於例11～例12之平坦區域52中，尺寸P1與距離P2相等，因此，P1/P2為1.00。對例12之蒸鍍罩20進行目視確認，結果於蒸鍍罩20之一部分產生了龜裂及彎折。
繼而，與例1之情形同樣地，將例11之蒸鍍罩20固定於框架15。熔接於框架15之狀態之蒸鍍罩20中未產生龜裂及彎折。
繼而，與例1之情形同樣地，使用例11之蒸鍍罩20，使蒸鍍材料98附著於基板110上而形成蒸鍍層。於基板110上之30個蒸鍍層中之一部分，面積率V未達0.70。
未對例12之蒸鍍罩20實施陰影之評價。
(例13～例14) 製作包含圖20所示之平坦區域52之蒸鍍罩20。將例13～例14之蒸鍍罩20之各部分之尺寸示於圖24。於例13～例14之平坦區域52中，尺寸P1與尺寸R1相等，因此，R1/P1為1.00。對例13之蒸鍍罩20進行目視確認，結果於蒸鍍罩20之一部分產生了龜裂及彎折。
繼而，與例1之情形同樣地，將例14之蒸鍍罩20固定於框架15。熔接於框架15之狀態之蒸鍍罩20中未產生龜裂及彎折。
繼而，與例1之情形同樣地，使用例14之蒸鍍罩20，使蒸鍍材料98附著於基板110上而形成蒸鍍層。於基板110上之30個蒸鍍層中之一部分，面積率V未達0.70。
未對例13之蒸鍍罩20實施陰影之評價。
10:蒸鍍罩裝置 15:框架 17a:端部 17b:端部 17c:側緣 18:中間部 20:蒸鍍罩 22:有效區域 23:周圍區域 25:貫通孔 30:第1凹部 31:第1壁面 32:第1端 35:第2凹部 36:第2壁面 37:第2端 41:連接部 42:貫通區域 42a:第1輪廓 42b:第2輪廓 42c:第3輪廓 42d:第4輪廓 50:捲繞體 51:金屬板 51a:第1面 51b:第2面 51x:軸構件 52:平坦區域 52a:凹處 52b:第2輪廓 53:第1平坦區域 53a:第1輪廓 54:第2平坦區域 54a:第1輪廓 55:第3平坦區域 56:第4平坦區域 57:連結部 58:樹脂 61:第1面抗蝕層 62:第2面抗蝕層 70:製造裝置 71:抗蝕膜形成裝置 72:曝光、顯影裝置 73:蝕刻裝置 74:剝膜裝置 75:分離裝置 90:蒸鍍裝置 93:磁鐵 94:蒸鍍源 96:加熱器 98:蒸鍍材料 100:有機EL顯示裝置 110:基板 111:第1面 120:第1電極層 131:第1有機層 132:第2有機層 133:第3有機層 141:第2電極層 150:密封基板 160:絕緣層 C1:中心點 C2:中間點 D1:第1方向 D2:第2方向 D3:第3方向 D4:第4方向 E1:尺寸 E2:尺寸 F1:第1排列方向 F2:第2排列方向 F3:排列間距 F4:排列間距 G1:尺寸 L:雷射 L1:第1中心線 L2:第2中心線 L3:第3中心線 L4:第4中心線 M1:第1中心間距離 M2:第2中心間距離 M3:第3中心間距離 M21:距離 N1:遮罩第1方向 N2:遮罩第2方向 P1:尺寸 P2:距離 P3:尺寸 P4:距離 Pa:端部 Pb:端部 Pc:端部 Pd:端部 Q1:尺寸 Q2:距離 Qa:端部 Qb:端部 R1:尺寸 R2:尺寸 S1:尺寸 S2:尺寸 S3:尺寸 T:長度方向 T1:厚度 T2:厚度 T3:最大值 U1:距離 U2:距離 U3:距離
圖1係表示有機EL顯示裝置之一例之俯視圖。 圖2係自II-II方向觀察圖1之有機EL顯示裝置所得之剖視圖。 圖3係表示具備本發明之一實施方式之蒸鍍罩裝置之蒸鍍裝置的圖。 圖4係表示蒸鍍罩裝置之一例之俯視圖。 圖5A係表示自第2面側觀察圖4之蒸鍍罩裝置之蒸鍍罩之有效區域之一例之情形的俯視圖。 圖5B係表示圖5A之貫通孔之貫通區域之俯視圖。 圖6係沿著圖5A之蒸鍍罩之A-A線之剖視圖之一例。 圖7係沿著圖5A之蒸鍍罩之B-B線之剖視圖之一例。 圖8係沿著圖5A之蒸鍍罩之C-C線之剖視圖之一例。 圖9係表示圖5A之第1平坦區域及第2平坦區域之俯視圖。 圖10係用以對蒸鍍罩之製造方法之一例整體進行說明之模式圖。 圖11係表示於金屬板上形成第1抗蝕層及第2抗蝕層之步驟之圖。 圖12係表示將第1抗蝕層及第2抗蝕層圖案化之步驟之圖。 圖13係表示第1面蝕刻步驟之圖。 圖14係表示第2面蝕刻步驟之圖。 圖15係表示第2面蝕刻步驟之圖。 圖16係表示蒸鍍罩之第1平坦區域及第2平坦區域之一例之俯視圖。 圖17係表示蒸鍍罩之第1平坦區域及第2平坦區域之一例之俯視圖。 圖18係表示自第2面側觀察蒸鍍罩之有效區域之一例之情形之俯視圖。 圖19係沿著圖18之蒸鍍罩之D-D線之剖視圖之一例。 圖20係表示圖18之第1平坦區域及第2平坦區域之俯視圖。 圖21係表示設置有經圖案化之第2面抗蝕層之金屬板之一例之剖視圖。 圖22係表示第2面蝕刻步驟之一例之圖。 圖23係表示第1面加工步驟之一例之圖。 圖24係表示實施例中之蒸鍍罩之構成及評價結果之圖。
22:有效區域
25:貫通孔
30:第1凹部
35:第2凹部
42:貫通區域
52:平坦區域
53:第1平坦區域
54:第2平坦區域
C1:中心點
C2:中間點
D1:第1方向
D2:第2方向
D3:第3方向
D4:第4方向
E1:尺寸
E2:尺寸
G1:尺寸
L1:第1中心線
L3:第3中心線
M1:第1中心間距離
M2:第2中心間距離
M3:第3中心間距離
M21:距離
S1:尺寸
S2:尺寸
S3:尺寸
U1:距離
U2:距離
U3:距離

Claims (19)

  1. 一種蒸鍍罩，其包含2個以上之貫通孔，且包括： 金屬板，其包含第1面及位於上述第1面之相反側之第2面； 上述貫通孔，其自上述金屬板之上述第1面側貫通至上述第2面側；及 平坦區域，其位於自上述第2面側觀察上述蒸鍍罩時相鄰之2個上述貫通孔之間； 上述貫通孔於俯視下在第1方向及第2方向上交錯排列， 上述平坦區域包含位於第1中心線之一側之第1平坦區域及位於上述第1中心線之另一側之第2平坦區域， 上述第1中心線經過在上述第1方向上相鄰之2個上述貫通孔之中心點， 上述第1平坦區域包含上述第1方向上之上述第1平坦區域之尺寸隨著遠離上述第1中心線而增加之部分，且 上述第2平坦區域包含上述第1方向上之上述第2平坦區域之尺寸隨著遠離上述第1中心線而增加之部分。
  2. 如請求項1之蒸鍍罩，其中上述第1平坦區域與上述第2平坦區域連續。
  3. 如請求項1之蒸鍍罩，其中上述第1平坦區域與上述第2平坦區域不連續。
  4. 如請求項1至3中任一項之蒸鍍罩，其中自上述第2面側觀察上述蒸鍍罩時，於上述第2方向上相鄰之2個上述貫通孔相連。
  5. 如請求項1至3中任一項之蒸鍍罩，其具備第3平坦區域，該第3平坦區域於自上述第2面側觀察上述蒸鍍罩時，位於在上述第2方向上相鄰之2個上述貫通孔之間。
  6. 如請求項1之蒸鍍罩，其中上述第1平坦區域與上述第2平坦區域連續，且自上述第2面側觀察上述蒸鍍罩時，於上述第2方向上相鄰之2個上述貫通孔相連，且 上述第1平坦區域中與上述第1中心線重疊之部分之上述第1方向上之尺寸為於上述第1方向上面向上述貫通孔之上述第1平坦區域之一對輪廓之端部間的上述第1方向上之距離之0.90倍以下。
  7. 如請求項1或6之蒸鍍罩，其中上述第1平坦區域與上述第2平坦區域連續，且自上述第2面側觀察上述蒸鍍罩時，於上述第2方向上相鄰之2個上述貫通孔相連， 上述平坦區域中與第3中心線重疊之部分之第3方向上之尺寸為於上述第3方向上面向上述貫通孔之上述平坦區域之一對輪廓之端部間的上述第3方向上之距離之1.00倍以下， 上述第3方向與上述第1方向正交，且 上述第3中心線經過在上述第1方向上相鄰之2個上述貫通孔之中間點，並且於上述第3方向上延伸。
  8. 如請求項1至3中任一項之蒸鍍罩，其中上述貫通孔包括：第1凹部，其包含位於上述第1面側之第1壁面；及第2凹部，其包含位於上述第2面側之第2壁面，且連接於上述第1凹部；且 上述第2壁面包含隨著自上述第2面側朝向上述第1面側而朝上述貫通孔之中心點側移位之部分。
  9. 如請求項1至3中任一項之蒸鍍罩，其中上述平坦區域於自上述第2面側使用雷射顯微鏡觀察時呈現基準值以上之像素值。
  10. 如請求項1至3中任一項之蒸鍍罩，其中上述平坦區域之厚度與上述金屬板之厚度相同。
  11. 如請求項1至3中任一項之蒸鍍罩，其中上述金屬板之厚度為50 μm以下。
  12. 一種蒸鍍罩之製造方法，其係包含2個以上之貫通孔之蒸鍍罩之製造方法，且包括： 第1面加工步驟，其係於金屬板之第1面形成包含第1壁面之第1凹部；及 第2面蝕刻步驟，其係使用蝕刻液對位於上述第1面之相反側之上述金屬板之第2面中未由第2面抗蝕層覆蓋之區域進行蝕刻，於上述第2面形成包含第2壁面之第2凹部； 上述貫通孔包括上述第1凹部、及連接於上述第1凹部之第2凹部， 第2面蝕刻步驟係以於自上述第2面側觀察上述蒸鍍罩時相鄰之2個上述貫通孔之間保留平坦區域的方式實施， 上述貫通孔於俯視下在第1方向及第2方向上交錯排列， 上述平坦區域包含了在上述第1方向上相鄰之2個上述貫通孔之間位於第1中心線之一側之第1平坦區域、及位於上述第1中心線之另一側之第2平坦區域， 上述第1中心線經過在上述第1方向上相鄰之2個上述貫通孔之中心點， 上述第1平坦區域包含上述第1方向上之上述第1平坦區域之尺寸隨著遠離上述第1中心線而增加之部分，且 上述第2平坦區域包含上述第1方向上之上述第2平坦區域之尺寸隨著遠離上述第1中心線而增加之部分。
  13. 如請求項12之蒸鍍罩之製造方法，其中上述第2面蝕刻步驟係以上述第1平坦區域與上述第2平坦區域連續之方式實施。
  14. 如請求項12之蒸鍍罩之製造方法，其中上述第2面蝕刻步驟係以上述第1平坦區域與上述第2平坦區域不連續之方式實施。
  15. 如請求項12至14中任一項之蒸鍍罩之製造方法，其中上述第2面蝕刻步驟係以自上述第2面側觀察上述蒸鍍罩時在上述第2方向上相鄰之2個上述貫通孔相連的方式實施。
  16. 如請求項12至14中任一項之蒸鍍罩之製造方法，其中上述第2面蝕刻步驟係以自上述第2面側觀察上述蒸鍍罩時在上述第2方向上相鄰之2個上述貫通孔不相連的方式實施。
  17. 如請求項12至14中任一項之蒸鍍罩之製造方法，其中上述第2面抗蝕層包含與上述第1平坦區域對應之第1區域、及與上述第2平坦區域對應之第2區域， 上述第1區域包含上述第1方向上之上述第1區域之尺寸隨著遠離上述第1中心線而增加之部分，且 上述第2區域包含上述第1方向上之上述第2區域之尺寸隨著遠離上述第1中心線而增加之部分。
  18. 如請求項12至14中任一項之蒸鍍罩之製造方法，其中上述平坦區域於自上述第2面側使用雷射顯微鏡觀察時呈現基準值以上之像素值。
  19. 如請求項12至14中任一項之蒸鍍罩之製造方法，其中上述金屬板之厚度為50 μm以下。
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