TW202210445A - 具有抗腐蝕層之部件 - Google Patents

具有抗腐蝕層之部件 Download PDF

Info

Publication number
TW202210445A
TW202210445A TW110130666A TW110130666A TW202210445A TW 202210445 A TW202210445 A TW 202210445A TW 110130666 A TW110130666 A TW 110130666A TW 110130666 A TW110130666 A TW 110130666A TW 202210445 A TW202210445 A TW 202210445A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
pores
corrosion layer
corrosion
porous ceramic
Prior art date
Application number
TW110130666A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI801974B (zh
Inventor
安範模
朴勝浩
朴祺勇
Original Assignee
南韓商普因特工程有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商普因特工程有限公司 filed Critical 南韓商普因特工程有限公司
Publication of TW202210445A publication Critical patent/TW202210445A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI801974B publication Critical patent/TWI801974B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/4505—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements characterised by the method of application
    • C04B41/4529—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements characterised by the method of application applied from the gas phase
    • C04B41/4531—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements characterised by the method of application applied from the gas phase by C.V.D.
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81—Coating or impregnation
    • C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
    • C04B41/87—Ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
    • C23C24/02—Coating starting from inorganic powder by application of pressure only
    • C23C24/04—Impact or kinetic deposition of particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
    • C23C28/042—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material including a refractory ceramic layer, e.g. refractory metal oxides, ZrO2, rare earth oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
    • C23C4/10—Oxides, borides, carbides, nitrides or silicides; Mixtures thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
    • C23C4/10—Oxides, borides, carbides, nitrides or silicides; Mixtures thereof
    • C23C4/11—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/12—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying
    • C23C4/134—Plasma spraying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/9669—Resistance against chemicals, e.g. against molten glass or molten salts
    • C04B2235/9684—Oxidation resistance

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本發明是有關於一種具有抗腐蝕層之部件，特別是有關於一種可防止由腐蝕引起的氣孔暴露並防止水分及顆粒藉由氣孔噴出的具有抗腐蝕層之部件。

Description

具有抗腐蝕層之部件
本發明是有關於一種具有抗腐蝕層之部件，特別是有關於一種設置於半導體製造製程所使用的製程腔室中的具有抗腐蝕層之部件。
在最近的沈積製程中，是要求高生產性及高品質化的情況。
因此，在沈積製程中，增大電漿射頻（radio frequency，RF）輸出來進行使用以提高製程速度，且為了縮短生產時間，在高溫條件下使用NF3 腐蝕性氣體執行電漿清潔製程。
沈積製程設備在電漿清潔製程中暴露於包含氟的高溫電漿氣體氣氛。在沈積製程設備中包括用於在腔室內固定晶圓的支撐台，並且此種支撐台在電漿清潔製程中亦暴露於高溫電漿氣體氣氛。支撐台可包括由多孔性陶瓷材質形成的半導體用陶瓷加熱器及靜電卡盤（Electro-Static Chuck）。
作為一例，半導體用陶瓷加熱器藉由暴露於高溫電漿氣體而與氟自由基及離子反應並在其表面形成氟化鋁的反應層。氟化鋁反應層在高溫（例如450℃）下開始昇華，並藉由重複的沈積製程或清潔製程使昇華反應持續進行。氟化鋁反應層的昇華可能導致擴大半導體用陶瓷加熱器的腐蝕範圍的問題。
經腐蝕的半導體用陶瓷加熱器在表面厚度逐漸變薄的同時會產生強度下降及龜裂的問題。另外，昇華的氟化鋁反應層在腔室內析出及附著至比較低溫區域即腔室的內壁表面等而成為顆粒形態的污染原因。
由氟化鋁反應層產生的顆粒可能會附著至晶圓，此會導致晶圓的污染及不良問題。另外，產生使半導體元件的製造產率下降的問題。
半導體用陶瓷加熱器可對暴露於電漿氣體的表面進行表面處理以防止如上所述的腐蝕及顆粒產生問題。
作為表面處理方法，存在利用陶瓷熔射處理進行的薄膜層形成方法及化學氣相沈積法等。
圖1是自上方觀察並示出多孔性陶瓷燒結體PC的圖，圖2是放大示出利用化學氣相沈積法進行表面處理的多孔性陶瓷燒結體PC的一部分的圖。
作為一例，半導體用陶瓷加熱器可由圖1所示的多孔性陶瓷燒結體PC形成以在晶粒G之間形成氣孔S。如圖2所示，多孔性陶瓷燒結體PC可利用化學氣相沈積法在表面形成薄膜層P。
但是，如圖2所示，利用化學氣相沈積法形成的薄膜層P沿著多孔性陶瓷燒結體PC的表面形成，且以形成於晶粒G的表面並堵塞形成於晶粒G周邊的氣孔S的上部的形態形成。換言之，薄膜層P形成為覆蓋氣孔S的上部的形態。在此情況下，在自上方觀察多孔性陶瓷燒結體PC時，是氣孔S被薄膜層P堵塞的形態，但由於薄膜層P為僅覆蓋氣孔S的上部的形態，因此氣孔S的內部可能仍然是孔隙形態。
如上所述的形態由於薄膜層P被腐蝕而使其厚度變薄或者出現裂紋等原因使氣孔S再次暴露。內部的水分及異物藉由暴露的氣孔S噴出。因此，可能導致晶圓污染、製程腔室的製程不良及降低生產產率的問題。
多孔性陶瓷燒結體PC亦可藉由熔射及氣溶膠塗覆方法進行表面處理。然而，藉由熔射及氣溶膠塗覆方法形成的薄的薄膜層在防腐蝕方面存在限制。另外，在為了提高防腐蝕效果而使薄膜層的厚度形成得厚的情況下，可能會對多孔性陶瓷燒結體的熱特性（熱導率或熱容量）帶來影響，且厚的薄膜層可能會因與多孔性陶瓷材質的熱膨脹係數差而產生龜裂及裂紋（Crack）。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]韓國公開專利第10-2005-0053629號
[發明所欲解決之課題]
本發明是為了解決前述的問題而提出的，其目的在於提供一種可藉由填充至氣孔的抗腐蝕層來防止由腐蝕引起的氣孔暴露並防止內部的水分及顆粒藉由氣孔噴出的具有抗腐蝕層之部件。 [解決課題之手段]
根據本發明的一特徵的具有抗腐蝕層之部件，特徵在於包括：多孔性陶瓷燒結體；以及抗腐蝕層，形成於所述多孔性陶瓷燒結體的表面，所述抗腐蝕層對所述多孔性陶瓷燒結體的氣孔進行填充以密封所述氣孔。
另外，特徵在於所述多孔性陶瓷燒結體包含：氧化鋁（Al2 O3 ）、氮化鋁（AlN）、碳化矽（SiC）、氧化釔（Y2 O3 ）、氮化硼（BN）、氧化鋯（ZrO2 ）及氮化矽（Si3 N4 ）中的至少任一種。
另外，特徵在於所述抗腐蝕層包含：氧化鋁層、氧化釔層、氧化鉿層、氧化矽層、氧化鉺層、氧化鋯層、氟化層、過渡金屬層、氮化鈦層、氮化鉭層及氮化鋯層中的至少任一者。
另外，特徵在於所述抗腐蝕層包括：表面抗腐蝕層，形成於所述多孔性陶瓷燒結體的表面；以及氣孔抗腐蝕層，形成於所述多孔性陶瓷燒結體的氣孔內部，在所述多孔性陶瓷燒結體的深度方向上氣孔抗腐蝕層的長度在至少一部分中大於所述表面抗腐蝕層的厚度。
另外，特徵在於所述氣孔按照氣孔的大小包括大（macro）氣孔、中（mezo）氣孔及奈米氣孔，所述抗腐蝕層填充所述奈米氣孔以密封所述氣孔。
另外，特徵在於所述氣孔按照所述氣孔的大小包括大氣孔、中氣孔及奈米氣孔，所述抗腐蝕層填充所述中氣孔以密封所述氣孔。
另外，特徵在於所述抗腐蝕層是藉由交替供應鋁、矽、鉿、鋯、釔、鉺、鈦及鉭中的至少任一種即前驅物氣體與可形成所述抗腐蝕層的反應物氣體而形成。
根據本發明另一特徵的具有抗腐蝕層之部件，特徵在於包括：主體；多孔性陶瓷層，形成於所述主體上；以及抗腐蝕層，形成於所述多孔性陶瓷層的表面，所述抗腐蝕層填充所述多孔性陶瓷層的氣孔以密封所述氣孔。
另外，特徵在於所述多孔性陶瓷層是對熔射材料進行熔射而形成。
另外，特徵在於所述多孔性陶瓷層包含氧化鋁（Al2 O3 ）、氮化鋁（AlN）、碳化矽（SiC）、氧化釔（Y2 O3 ）、氮化硼（BN）、氧化鋯（ZrO2 ）及氮化矽（Si3 N4 ）中的至少任一種。
另外，特徵在於所述抗腐蝕層包括：表面抗腐蝕層，形成於所述多孔性陶瓷層的表面；以及氣孔抗腐蝕層，形成於所述多孔性陶瓷層的氣孔內部，在所述多孔性陶瓷層的深度方向上所述氣孔抗腐蝕層的長度在至少一部分中大於所述表面抗腐蝕層的厚度。
另外，特徵在於所述氣孔按照所述氣孔的大小包括大氣孔、中氣孔及奈米氣孔，所述抗腐蝕層填充所述奈米氣孔以密封所述氣孔。
另外，特徵在於所述氣孔按照所述氣孔的大小包括大氣孔、中氣孔及奈米氣孔，所述抗腐蝕層填充所述中氣孔以密封所述氣孔。
另外，特徵在於所述抗腐蝕層是藉由交替供應鋁、矽、鉿、鋯、釔、鉺、鈦及鉭中的至少任一種即前驅物氣體與可形成所述抗腐蝕層的反應物氣體而形成。 [發明的效果]
本發明的具有抗腐蝕層之部件具有以下效果：即使由於配置於表面側的抗腐蝕層被腐蝕而使厚度變薄亦不必擔心氣孔暴露，因此可防止內部的水分及異物藉由氣孔噴出的問題，且藉由減少晶圓污染及不良問題可提高半導體製造產率。
以下的內容僅例示發明的原理。因此即便未在本說明書中明確地進行說明或圖示，相應領域的技術人員亦可實現發明的原理並發明包含於發明的概念與範圍內的各種裝置。另外，本說明書所列舉的所有條件部用語及實施例在原則上應理解為僅是作為明確地用於理解發明的概念的目的，並不限制於如上所述特別列舉的實施例及狀態。
所述的目的、特徵及優點藉由與附圖相關的下文的詳細說明而進一步變明瞭，因此在發明所屬的技術領域內的具有通常知識者可容易地實施發明的技術思想。
將參考作為本發明的理想例示圖的剖面圖及/或立體圖來說明本說明書中記述的實施例。為了有效地說明技術內容，對該些附圖所示的寬度及區域的厚度等進行誇張表現。例示圖的形態可因製造技術及/或公差等變形。因此，本發明的實施例並不限於所示的特定形態，亦包括根據製造製程生成的形態的變化。
以下，參照附圖對本發明的較佳實施例進行詳細說明，如下所述。
圖1是自上方觀察並示出多孔性陶瓷燒結體PC的圖，圖2是部分放大示出使用化學氣相沈積法對多孔性陶瓷燒結體PC執行表面處理的狀態的圖，圖3A是將構成根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100的抗腐蝕層110的單原子層M放大示出的圖，圖3B是將根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100部分放大示出的圖，圖4是製造根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100的過程的概略性流程圖。
作為一例，根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100可為配置於執行沈積製程的設備的腔室內或者形成腔室的壁面或者供氣體在腔室內部/外部流動的至少一個部件。例如，根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100可為在製程腔室內支撐晶圓並將熱量傳遞至所安裝的晶圓的半導體用陶瓷加熱器，亦可為將晶圓的靜電產生最小化的靜電卡盤。
在下文中，作為一例，根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100可在製程設備的腔室內配置為半導體用陶瓷加熱器。
如圖3B所示，根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100可包括多孔性陶瓷燒結體PC及形成於多孔性燒結體PC的表面的抗腐蝕層110來構成。
多孔性陶瓷燒結體PC可藉由以下方式形成：將由包含氧化鋁（Al2 O3 ）、氮化鋁（AlN）、碳化矽（SiC）、氧化釔（Y2 O3 ）、氮化硼（BN）、氧化鋯（ZrO2 ）及氮化矽（Si3 N4 ）中的至少任一種的粉末、黏合劑及殘餘物形成的組成物放入模具成形，然後對所成形的成形體進行燒結並將表面平坦化。
因此，多孔性陶瓷燒結體PC可包含氧化鋁（Al2 O3 ）、氮化鋁（AlN）、碳化矽（SiC）、氧化釔（Y2 O3 ）、氮化硼（BN）、氧化鋯（ZrO2 ）及氮化矽（Si3 N4 ）中的至少任一種來構成。
多孔性陶瓷燒結體PC可具有由於燒結製造而在多個晶粒G之間形成無序的氣孔S的結構。
多孔性陶瓷燒結體PC的氣孔S按照氣孔的大小可包括大氣孔、中氣孔及奈米氣孔。
大氣孔S可為數百奈米（nm）以上至數微米（μm）以下的大小。大氣孔S可較佳為100 nm以上至1 μm以下的大小。
中氣孔S可為數奈米以上至數十奈米以下的大小。中氣孔S可較佳為5 nm以上至50 nm以下的大小。
奈米氣孔S可為數奈米以上至數奈米以下的大小。奈米氣孔S可較佳為1 nm以上至4 nm以下的大小。
可在多孔性陶瓷燒結體PC的表面形成抗腐蝕層110。
抗腐蝕層110可填充多孔性陶瓷燒結體PC的氣孔S以密封氣孔S。抗腐蝕層110可形成為填補氣孔S的內部且完全密封氣孔S的形態。抗腐蝕層110可完整地填充氣孔S的內部並完全密封氣孔S的上部，以使氣孔S的內部不存在孔隙。由於抗腐蝕層110並非僅堵塞氣孔S的上部的形態，而是填充至氣孔S的內部來密封氣孔S，因此可形成在晶粒G之間不存在氣孔S的結構。
根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100可形成為在多孔性陶瓷燒結體PC的表面及晶粒G之間存在抗腐蝕層110的結構。根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100可藉由抗腐蝕層110而不存在用作多孔性陶瓷燒結體PC的水分及異物噴出的通路的氣孔S。因此，可預先防止水分及異物藉由氣孔S噴出的問題。
抗腐蝕層110可對沈積製程中使用的包括反應物氣體、蝕刻氣體或清潔氣體的製程氣體具有抗腐蝕性。
抗腐蝕層110可藉由交替供應前驅物氣體PG與反應物氣體而形成。在此情況下，抗腐蝕層110可根據前驅物氣體PG及反應物氣體的構成而形成為不同的構成。
作為一例，抗腐蝕層110可藉由交替供應鋁、矽、鉿、鋯、釔、鉺、鈦及鉭中的至少任一種即前驅物氣體PG與可形成抗腐蝕層110的反應物氣體而形成。
藉由交替供應前驅物氣體PG及反應物氣體形成的抗腐蝕層110根據前驅物氣體PG及反應物氣體的構成可包括氧化鋁層、氧化釔層、氧化鉿層、氧化矽層、氧化鉺層、氧化鋯層、氟化層、過渡金屬層、氮化鈦層、氮化鉭層及氮化鋯層中的至少任一者。
詳細地進行說明，在抗腐蝕層110包括氧化鋁層的情況下，前驅物氣體PG可包括烷醇鋁（Al(T-OC4 H9 )3 ）、氯化鋁（AlCl3 ）、三甲基鋁（TMA：Al(CH3 )3 ）、二乙基乙醇鋁、三(乙基甲基胺基)鋁、第二丁醇鋁、三溴化鋁、三氯化鋁、三乙基鋁、三異丁基鋁、三甲基鋁及三(二乙基胺基)鋁中的至少一種。
此時，在使用烷醇鋁（Al(T-OC4 H9 )3 ）、二乙基乙醇鋁、三(乙基甲基胺基)鋁、第二丁醇鋁、三溴化鋁、三氯化鋁、三乙基鋁、三異丁基鋁、三甲基鋁及三(二乙基胺基)鋁中的至少一種作為前驅物氣體PG的情況下，可使用H2 O作為反應物氣體RG。
在使用氯化鋁（AlCl3 ）作為前驅物氣體PG的情況下，可使用O3 作為反應物氣體RG。
在使用三甲基鋁（TMA：Al(CH3 )3 ）作為前驅物氣體PG的情況下，可使用O3 或H2 O作為反應物氣體RG。
在抗腐蝕層110包括氧化釔層的情況下，前驅物氣體PG可包括氯化釔（YCl3 ）、Y(C5 H5 )3 、三(N,N-雙(三甲基矽烷基)醯胺)釔（III）、丁醇釔（III）、三(環戊二烯基)釔（III）、三(丁基環戊二烯基)釔（III）、三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)釔（III）、三(環戊二烯基)釔（Cp3Y）、三(甲基環戊二烯基)釔（(CpMe)3Y）、三(丁基環戊二烯基)釔及三(乙基環戊二烯基)釔中的至少一種。
在此情況下，在將氯化釔（YCl3 ）及Y(C5 H5 )3 中的至少一種用作前驅物氣體PG的情況下，可使用O3 作為反應物氣體RG。
在使用三(N,N-雙(三甲基矽烷基)醯胺)釔（III）、丁醇釔（III）、三(環戊二烯基)釔（III）、三(丁基環戊二烯基)釔（III）、三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)釔（III）、三(環戊二烯基)釔（Cp3Y）、三(甲基環戊二烯基)釔（(CpMe)3Y）、三(丁基環戊二烯基)釔及三(乙基環戊二烯基)釔中的至少一種作為前驅物氣體PG的情況下，可使用H2 O、O2 或O3 中的至少一種作為反應物氣體RG。
在抗腐蝕層110包括氧化鉿層的情況下，前驅物氣體PG可包括氯化鉿（HfCl4 ）、Hf(N(CH3 )(C2 H5 ))4 、Hf(N(C2 H5 )2 )4 、四(乙基甲基醯胺基)鉿及五(二甲基醯胺基)鉭中的至少一種。
在此情況下，在使用氯化鉿（HfCl4 ）、Hf(N(CH3 )(C2 H5 ))4 及Hf(N(C2 H5 )2 )4 中的至少一種作為前驅物氣體PG的情況下，可使用O3 作為反應物氣體RG。
在使用四(乙基甲基醯胺基)鉿及五(二甲基醯胺基)鉭中的至少一種作為前驅物氣體PG的情況下，可使用H2 O、O2 或O3 中的至少一種作為反應物氣體RG。
在抗腐蝕層110包括氧化矽層的情況下，前驅物氣體PG可包括Si(OC2 H5 )4 。在此情況下，可使用O3 作為反應物氣體RG。
在抗腐蝕層110包括氧化鉺層的情況下，前驅物氣體PG可包括三甲基環戊二烯基鉺（III）（Er(MeCp)3 ）、硼醯胺鉺（Er(BA)3 ）、Er(TMHD)3 、鉺（III）三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸)、三(丁基環戊二烯基)鉺（III）、三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)鉺（Er(thd)3 ）、Er(PrCp)3 、Er(CpMe)2 、Er(BuCp)3 及Er(thd)3 中的至少一種。
在此情況下，在使用三甲基環戊二烯基鉺（III）（Er(MeCp)3 ）、硼醯胺鉺（Er(BA)3 ）、Er(TMHD)3 、鉺（III）三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸)及三(丁基環戊二烯基)鉺（III）中的至少一種作為前驅物氣體PG的情況下，可使用H2 O、O2 或O3 中的至少一種作為反應物氣體RG。
在使用三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)鉺（Er(thd)3 ）、Er(PrCp)3 、Er(CpMe)2 及Er(BuCp)3 中的至少一種作為前驅物氣體PG的情況下，可使用O3 作為反應物氣體RG。
在使用Er(thd)3 作為前驅物氣體PG的情況下，可使用O-自由基（O-radical）作為反應物氣體RG。
在抗腐蝕層（110）包含氧化鋯的情況下，前驅物氣體PG可包括四氯化鋯（ZrCl4 ）、Zr(T-OC4H9)4 、溴化鋯（IV）、四(二乙基醯胺基)鋯（IV）、四(二甲基醯胺基)鋯（IV）、四(乙基甲基醯胺基)鋯（IV）、四(N,N'-二甲基-甲脒)鋯、四(乙基甲基醯胺基)鉿、五(二甲基醯胺基)鉭、三(二甲基胺基)(環戊二烯基)鋯及三(2,2,6,6-四甲基-庚烷-3,5-二酸)鉺中的至少一種。
在使用如上所述的構成中的至少一種作為前驅物氣體PG的情況下，可使用H2 O、O2 、O3 或O-自由基中的至少一種作為反應物氣體RG。
在抗腐蝕層110包括氟化層的情況下，前驅物氣體PG可包括三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)釔（III）。在此情況下，可使用H2 O、O2 或O3 中的至少一種作為反應物氣體RG。
在抗腐蝕層110包括過渡金屬層的情況下，前驅物氣體PG可包括氯化鉭（TaCl5 ）及四氯化鈦（TiCl4 ）中的至少一種。在此情況下，可使用H-自由基作為反應物氣體RG。
具體而言，在使用氯化鉭（TaCl5 ）作為前驅物氣體PG並使用H-自由基作為反應物氣體RG的情況下，過渡金屬層可包括鉭層。
與此不同，在使用四氯化鈦（TiCl4 ）作為前驅物氣體（PG）並使用H-自由基作為反應物氣體RG的情況下，過渡金屬層可包括鈦層。
在抗腐蝕層110包括氮化鈦層的情況下，前驅物氣體PG可包括雙(二乙基醯胺基)雙(二甲基醯胺基)鈦（IV）、四(二乙基醯胺基)鈦（IV）、四(二甲基醯胺基)鈦（IV）、四(乙基甲基醯胺基)鈦（IV）、溴化鈦（IV）、氯化鈦（IV）及第三丁醇鈦（IV）中的至少一種。在此情況下，可使用H2 O、O2 、O3 或O-自由基中的至少一種作為反應物氣體RG。
在抗腐蝕層110包括氮化鉭層的情況下，前驅物氣體PG可包括五(二甲基醯胺基)鉭（V）、氯化鉭（V）、乙醇鉭（V）及三(二乙基胺基)(第三丁基亞胺基)鉭（V）中的至少一種。在此情況下，可使用H2 O、O2 、O3 或O-自由基中的至少一種作為反應物氣體RG。
在抗腐蝕層110包括氮化鋯層的情況下，前驅物氣體PG可包括溴化鋯（IV）、氯化鋯（IV）、第三丁醇鋯（IV）、四(二乙基醯胺基)鋯（IV）、四(二甲基醯胺基)鋯（IV）及四(乙基甲基醯胺基)鋯（IV）。在此情況下，可使用H2 O、O2 、O3 或O-自由基中的至少一種作為反應物氣體RG。
如此，抗腐蝕層110可根據所使用的前驅物氣體PG及反應物氣體RG的構成而形成為不同種類的構成。
如圖4所示，抗腐蝕層110可藉由重複執行以下循環形成，所述循環是在多孔性陶瓷燒結體PC的表面吸附前驅物氣體PG，並供應反應物氣體RG，藉由前驅物氣體PG與反應物氣體RG的化學取代生成單原子層M的循環（以下稱為「單原子層生成循環」）。
如圖3A所示，在執行一次生成單原子層的循環時，可在氣孔S中形成薄的厚度的一層單原子層M。由於重複執行生成單原子層M的循環，可在氣孔S的內部形成多層單原子層M。因此，氣孔S可被多層單原子層M層疊堆積並填充其內部，從而可形成填充氣孔S內部的抗腐蝕層110。
換言之，抗腐蝕層110可藉由以下方式形成：根據執行單原子層生成循環的次數，單原子層M逐漸在執行時在多孔性陶瓷燒結體PC的氣孔S的內部面逐層地沈積單原子層M，並且多層單原子層M完全填充氣孔S的內部。
更詳細地進行說明，根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100可藉由重複執行單原子層生成循環來生成多層單原子層M而形成抗腐蝕層110的步驟S3來製造，所述單原子層生成循環是依次執行配置多孔性陶瓷燒結體PC的步驟（未示出）、在多孔性陶瓷燒結體PC的表面吸附前驅物氣體的前驅物氣體吸附步驟S1、惰性氣體供應步驟（未示出）、反應物氣體吸附及取代步驟S2以及惰性氣體供應步驟（未示出）。
在前驅物氣體吸附步驟S1中，可執行藉由向多孔性陶瓷燒結體PC的表面供應前驅物氣體PG並吸附前驅物氣體PG來形成前驅物吸附層的過程。前驅物吸附層藉由自限反應僅形成一個層。
然後，可執行惰性氣體供應步驟。在惰性氣體供應步驟中，執行供應惰性氣體以自前驅物吸附層中去除過量前驅物的過程。惰性氣體可去除殘留在藉由自限反應僅形成一個層的前驅物吸附層中的過量的前驅物。
然後，可執行反應物氣體吸附及取代步驟S2。在圖4的S2步驟中所示的雙向箭頭表示前驅物氣體PG與反應物氣體RG的取代。
在反應物吸附及取代步驟S2中，可執行以下過程：向前驅物吸附層的表面供應反應物氣體RG，使反應物氣體RG吸附於前驅物吸附層的表面，並藉由前驅物吸附層與反應物氣體RG的化學取代生成單原子層M。
然後，執行惰性氣體供應步驟以執行去除過多的反應物氣體RG的過程。
重複執行單原子層生成循環以執行生成多層單原子層M的步驟S3，可藉此形成抗腐蝕層110。
如圖3所示，可藉由重複執行單原子層生成循環在多孔性陶瓷燒結體PC的表面及晶粒G之間存在的氣孔S內部形成抗腐蝕層110。因此，抗腐蝕層110可包括形成於多孔性陶瓷燒結體PC的表面的表面抗腐蝕層110a及多孔性陶瓷燒結體PC的氣孔抗腐蝕層110b來構成。
表面抗腐蝕層110a可形成在存在於多孔性陶瓷燒結體PC的表面側的晶粒G的表面，以將多孔性陶瓷燒結體PC的表面腐蝕最小化。
氣孔抗腐蝕層110b是在單原子層生成循環過程中藉由浸入並吸附至多孔性陶瓷燒結體PC的晶粒G之間存在的間隙、即氣孔S的前驅物氣體PG及反應物氣體RG在氣孔S的內部的所有表面生成單原子層M而形成。氣孔抗腐蝕層110b可藉由重複單原子層生成循環而形成為多層單原子層M層疊堆積於氣孔S內部並填充氣孔S整體的形態。
根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100可具有以下結構：氣孔抗腐蝕層110b填充氣孔S的內部，表面抗腐蝕層110a形成於氣孔S的上部且抗腐蝕層110完全密封氣孔S。因此，不會產生可能成為晶圓W的污染及不良的原因發揮作用的顆粒藉由氣孔S向外部噴出的問題。
氣孔抗腐蝕層110b在多孔性陶瓷燒結體PC的深度方向上的長度可在至少一部分中大於表面抗腐蝕層110a的厚度。氣孔抗腐蝕層110b藉由重複執行單原子層生成循環形成於氣孔S整體，因此在多孔性陶瓷燒結體PC的表面側氣孔S在深度方向上的長度較長時，可能存在在根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100的至少一部分中長度大於表面抗腐蝕層110a的厚度的形態。作為一例，如圖3所示，氣孔抗腐蝕層110b形成於多孔性陶瓷燒結體PC的深度方向上氣孔S的長度較長的氣孔S且可大於表面抗腐蝕層110a的厚度。
根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100藉由使氣孔抗腐蝕層110b的長度以比表面抗腐蝕層110a的厚度大地形成，從而可形成表面抗腐蝕層110a即使長時間使用及暴露於製程氣體被腐蝕亦不會暴露出氣孔S的結構。
另外，根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100在對多孔性陶瓷燒結體PC進行表面處理時可不僅在晶粒G的表面而且在包括表面側晶粒G之間存在的表面側氣孔S的內部的整體配置抗腐蝕層110。因此，根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100可形成存在於表面側的晶粒G及氣孔S之間不存在孔隙的結構。
與形成根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100的抗腐蝕層110的單原子層生成循環不同，如圖2所示，在使用以往的化學氣相沈積法形成薄膜層P的情況下，薄膜層P可形成為覆蓋並堵塞氣孔S的上部的形態。在此情況下，氣孔S的內部仍然以孔隙形態存在。
參照圖2進行說明，作為一例，多孔性陶瓷燒結體PC中存在的氣孔S在多孔性陶瓷燒結體PC的深度方向上每個區間可形成不同的氣孔S大小。氣孔S可按照大小分為大氣孔、中氣孔及奈米氣孔。作為一例，如圖2所示，氣孔S可在多孔性陶瓷燒結體PC的深度方向上形成為大氣孔S、中氣孔S及奈米氣孔S連通的形態。
作為一例，如圖2所示，當具有最大寬度的區間是大氣孔S的情況下，表面側氣孔S可為大氣孔S。在使用以往的化學氣相沈積法的情況下，薄膜層P可形成為堵塞大氣孔S的至少一部分的形態但可能難以形成穿過大氣孔而位於形成於大氣孔S的下部的中氣孔S及奈米氣孔S中的形態。
在表面側氣孔S由具有較大氣孔S小的寬度的中氣孔S及奈米氣孔S中的至少一種形成的情況下，根據以往技術的薄膜層P可形成為安置於氣孔S的上部並堵塞氣孔S的上部的形態，但可能難以形成在多孔性陶瓷燒結體PC的深度方向上形成的其餘氣孔S中。因此，在使用以往技術配置薄膜層P的情況下，在多孔性陶瓷燒結體PC的表面側氣孔S的下部沿深度方向形成的其餘氣孔S可形成孔隙形態的結構。
由於配置於多孔性陶瓷燒結體（PC）的薄膜層P形成為安置於氣孔S的上部的形態，因此即使長時間使用並且當暴露於製程氣體被腐蝕時，其厚度變薄或產生裂紋等而使多孔性陶瓷燒結體PC的氣孔S的內部孔隙再次暴露出。殘留在多孔性陶瓷燒結體PC內部的水分及異物藉由暴露的氣孔S而暴露至外部，此會導致晶圓不良及製造產率下降的問題。
然而，根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100可具有在內部不存在孔隙的結構。此可藉由填充包括氣孔S的內部的氣孔S整體的氣孔抗腐蝕層110b來達成。
詳細地進行說明，由於根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100藉由重複執行單原子層生成循環而具有抗腐蝕層110，因此即使在微小大小的氣孔S中亦可形成抗腐蝕層110。
具體而言，可在包括大氣孔S、中氣孔S及奈米氣孔S的氣孔S整體生成多層單原子層M以具有抗腐蝕層110。根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100藉由利用單原子層生成循環配置抗腐蝕層110，從而無論表面側氣孔S的大小如何，均可使抗腐蝕層110位於在多孔性陶瓷燒結體PC的深度方向上形成的氣孔S整體。
藉此，如圖3所示，根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100可填充氣孔S整體同時填充具有最小寬度的奈米氣孔S以密封氣孔S。
另外，可填充具有大氣孔S與奈米氣孔S之間的寬度的中氣孔S以密封氣孔S。
根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100可為以下結構：抗腐蝕層不僅位於產品的表面而且位於產品內部存在的孔隙、即氣孔S中，而與大小無關。因此，根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100即使表面抗腐蝕層110a被腐蝕，亦不存在暴露出的氣孔S本身。因此，根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100即使表面抗腐蝕層110a被腐蝕，填充在氣孔S整體的氣孔抗腐蝕層110b的表面亦會暴露出，而不會產生暴露出氣孔S的問題。
根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100可具有形成於晶粒G的表面的表面抗腐蝕層110a及填充氣孔S內部的氣孔抗腐蝕層110b。
根據本發明較佳第一實施例的部件100可為以下形態：由於氣孔抗腐蝕層110b填充多孔性陶瓷燒結體PC的氣孔S，因此即使表面抗腐蝕層110a被腐蝕而使厚度變薄，多孔性陶瓷燒結體PC的表面亦可被氣孔抗腐蝕層110b完全密封。
因此，可防止多孔性陶瓷燒結體PC的內部氣孔S暴露而水分及異物向外部噴出的問題。當根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100配置於沈積製程設備時，可將晶圓不良及製造品質下降的原因最小化，因此可提高半導體元件的製造產率。另外，由於抗腐蝕層110為數奈米至數微米的厚度形成得薄，因此可將對多孔性陶瓷燒結體PC的熱特性（熱導率或熱容量）造成的影響最小化。
圖5是製造根據本發明較佳第二實施例的具有抗腐蝕層之部件100'的過程的概略性流程圖。
如圖5所示，根據本發明較佳第二實施例的具有抗腐蝕層之部件100'可包括主體BD、形成於主體BD上的多孔性陶瓷層PC'及形成於多孔性陶瓷層PC'的表面的抗腐蝕層110來構成。
主體BD可包含金屬材質來構成。金屬材質可包括鋁、鈦、鎢及鋅及其等的合金等。
如圖5所示，根據本發明較佳第二實施例的具有抗腐蝕層之部件100'可藉由包括重複執行單原子層生成循環而形成抗腐蝕層110的步驟S4來製造，所述單原子層生成循環是依次執行準備具有多孔性陶瓷層PC'的主體BD的步驟S1、前驅物氣體吸附步驟S2、惰性氣體供應步驟（未示出）、反應物氣體吸附及取代步驟S3以及惰性氣體供應步驟（未示出）。
如圖5所示，可配置包括多孔性陶瓷層PC'的主體BD。
作為一例，形成於主體BD的至少一面的多孔性陶瓷層PC'可藉由陶瓷熔射處理方法形成。多孔性陶瓷層PC'可藉由對熔射材料進行熔射形成。
陶瓷熔射處理方法是藉由將熔射材料投入至由惰性氣體生成的電漿流中使其瞬間熔融，使完全熔融的粉末熔射材料與噴塗母材高速碰撞並快速冷卻凝固，從而在金屬或陶瓷母材上形成固定厚度的皮膜的技術。作為熔射材料，可使用粉末或金屬、非金屬、陶瓷（主要是金屬氧化物、金屬碳酸鹽）、金屬陶瓷（cermet）等。
多孔性陶瓷層PC'可以多孔性結構形成且包括氣孔（S）。
多孔性陶瓷層PC'包括與根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100的多孔性陶瓷燒結體PC相同的構成，且可形成為包括氣孔S的多孔性結構。因此，將省略對多孔性陶瓷層PC'的構成及結構的詳細說明。
主體BD藉由在表面配置多孔性陶瓷層PC'，可首先具有抗腐蝕性。
然後，重複執行包括前驅物氣體吸附步驟S1、惰性氣體供應步驟（未示出）、反應物氣體吸附及取代步驟S2及惰性氣體供應步驟（未示出）的單原子層生成循環，從而可在多孔性陶瓷層PC'的表面形成抗腐蝕層110。
根據本發明較佳第二實施例的具有抗腐蝕層之部件100'可為藉由重複執行單原子層生成循環而在多孔性陶瓷層PC'中存在的氣孔S中填充有抗腐蝕層110的結構。
單原子層生成循環可使得前驅物氣體PG及反應物氣體RG滲入至氣孔S中以在氣孔S的內部整體表面形成多層單原子層M。因此，可形成在多孔性陶瓷層PC'的氣孔S的內部整體填充有抗腐蝕層110的結構。
根據本發明較佳第二實施例的具有抗腐蝕層之部件100'藉由在多孔性陶瓷層PC'的表面配置抗腐蝕層110，從而可具有二次抗腐蝕性。抗腐蝕層110形成於多孔性陶瓷層PC'的表面，以在主體BD的表面形成較大厚度的具有防腐蝕功能的層，從而可具有高抗腐蝕性。在此情況下，多孔性陶瓷層PC'以薄的厚度形成於主體BD的表面，且抗腐蝕層110亦在多孔性陶瓷層PC'的表面以固定的厚度或較薄的厚度形成，因此與在主體BD的表面一次厚地形成用於防腐蝕的腐蝕防止層的結構相比，可最小化剝離問題。
抗腐蝕層110可在填充多孔性陶瓷層PC'的氣孔S的同時強化多孔性陶瓷層PC'的強度並使其表面具有抗腐蝕性。
因此，根據本發明較佳第二實施例的具有抗腐蝕層之部件100'即使抗腐蝕層110的厚度由於腐蝕而變薄，但具有抗腐蝕性的多孔性陶瓷層PC'再次暴露出，因此可具有更高的抗腐蝕性。
另外，抗腐蝕層110以氣孔抗腐蝕層110b填充多孔性陶瓷層PC'的氣孔S內部整體的形態形成於多孔性陶瓷層PC'的表面，即使表面抗腐蝕層110a被腐蝕，亦不會產生多孔性陶瓷層PC'的氣孔S暴露的問題。因此，可防止水分及異物藉由多孔性陶瓷層PC'的氣孔S噴出的問題。因此，可減少晶圓不良產生率並提高半導體製造產率。
圖6是概略性示出包括根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100及根據本發明較佳第二實施例的具有抗腐蝕層之部件100'中的至少一者的用於化學氣相沈積製程的製程腔室1000的圖。
根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100及根據本發明較佳第二實施例的具有抗腐蝕層之部件100'可配置成用於化學氣相沈積製程的製程腔室1000的一部分構成以執行沈積製程。
用於化學氣相沈積製程的製程腔室1000可包括以下構成：氣體流量裝置（Mass Flow Controller，MFC），配置於用於化學氣相沈積製程的製程腔室1000的外部；半導體用陶瓷加熱器H，設置於用於化學氣相沈積製程的製程腔室（1000）的內部並支撐晶圓W；背板BP，佈置於用於化學氣相沈積製程的製程腔室1000的上部；擴散器D，佈置於背板BP下部向晶圓W供應製程氣體；遮蔽框SF，佈置於半導體用陶瓷加熱器H與擴散器D之間以覆蓋晶圓W的邊緣；製程氣體排氣部EX，排出自製程氣體供應部（未示出）供應的製程氣體；以及滑閥（未示出），設置於製程氣體供應部及製程氣體排氣部EX。
根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100及根據本發明較佳第二實施例的具有抗腐蝕層之部件100'例如可配置為用於化學氣相沈積製程的製程腔室1000的半導體用陶瓷加熱器H的構成。
對於用於化學氣相沈積製程的製程腔室1000，自製程氣體供應部供應的製程氣體流入至背板BP，然後藉由擴散器D的貫通孔噴射至晶圓W，從而可對晶圓W執行化學氣相沈積製程。製程氣體為電漿狀態的氣體，具有強的腐蝕性及侵蝕性。
藉由用於化學氣相沈積製程的製程腔室1000的重複沈積製程或清潔製程來使構成用於化學氣相沈積製程的製程腔室1000的部件與製程氣體接觸。
根據本發明較佳第一實施例、第二實施例的具有抗腐蝕層之部件（100、100'）可藉由配置於多孔性陶瓷燒結體PC及多孔性陶瓷層PC'的表面的抗腐蝕層110來提高抗腐蝕性。
另外，根據本發明較佳第一實施例、第二實施例之部件100即使長時間使用且抗腐蝕層110的厚度由於重複暴露於製程氣體而變薄，亦可防止多孔性陶瓷燒結體PC及多孔性陶瓷層PC'的氣孔S暴露的問題。此可藉由填充在氣孔S中的氣孔抗腐蝕層110b來達成。根據本發明較佳第一實施例、第二實施例的部件100可在多孔性陶瓷燒結體PC及多孔性陶瓷層PC'的表面形成表面抗腐蝕層110a，並在氣孔S中填充氣孔抗腐蝕層110b來配置抗腐蝕層110。因此，可藉由在表面形成固定厚度的表面抗腐蝕層110a來提高表面抗腐蝕性。不僅如此，藉由填充在氣孔S中的氣孔抗腐蝕層110b，即使長時間使用且表面抗腐蝕層110a的厚度由於重複暴露於製程氣體而變薄，亦可防止氣孔S再次暴露出的問題。
氣孔S可為將內部水分及製程異物噴出至外部而引起晶圓W污染及不良的主要原因。根據本發明較佳第一實施例、第二實施例的具有抗腐蝕層之部件（100、100'）在形成抗腐蝕層110的過程中可配置表面抗腐蝕層110a及填充氣孔S的氣孔抗腐蝕層110b。因此，藉由使氣孔抗腐蝕層110b填充並位於氣孔S中，從而可形成不存在氣孔S的結構。根據本發明較佳第一實施例、第二實施例的具有抗腐蝕層之部件（100、100'）即使被腐蝕且表面抗腐蝕層110a的厚度110a逐漸變薄，亦因填充至氣孔S整體的氣孔抗腐蝕層110b而不會存在暴露的氣孔S。因此，可防止產品內部的水分及異物藉由氣孔S噴出的問題。因此，可減少晶圓W污染及不良的問題，進而可提高半導體製造產率。
如上所述，參照本發明的較佳實施例進行了說明，但相應技術領域的普通技術人員可在不脫離下述申請專利範圍所記載的本發明的思想及領域的範圍內對本發明實施各種修改或變形。
100、100':部件 110:抗腐蝕層 110a:表面抗腐蝕層 110b:氣孔抗腐蝕層 1000:製程腔室 BD:主體 BP:背板 D:擴散器 EX:製程氣體排氣部 G:晶粒 H:半導體用陶瓷加熱器 M:單原子層 P:薄膜層 PC:多孔性陶瓷燒結體 PC':多孔性陶瓷層 PG:前驅物氣體 RG:反應物氣體 S:氣孔/表面側氣孔/大氣孔/中氣孔/奈米氣孔 S1、S2、S3、S4:步驟 SF:遮蔽框 W:晶圓
圖1是自上方觀察並示出多孔性陶瓷燒結體的圖。 圖2是放大示出利用化學氣相沈積法進行表面處理的多孔性陶瓷燒結體的一部分的圖。 圖3A是將構成根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件的抗腐蝕層的單原子層放大示出的圖。 圖3B是將根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件的表面的一部分放大示出的圖。 圖4是製造根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件的過程的流程圖。 圖5是製造根據本發明較佳第二實施例的具有抗腐蝕層之部件的變形例的過程的流程圖。 圖6是概略性示出包括本發明的具有抗腐蝕層之部件的用於化學氣相沈積製程的製程腔室的圖。
100:部件
110:抗腐蝕層
110a:表面抗腐蝕層
110b:氣孔抗腐蝕層
G:晶粒
PC:多孔性陶瓷燒結體

Claims (14)

  1. 一種具有抗腐蝕層之部件，包括： 多孔性陶瓷燒結體；以及 抗腐蝕層，形成於所述多孔性陶瓷燒結體的表面， 所述抗腐蝕層對所述多孔性陶瓷燒結體的氣孔進行填充以密封所述氣孔。
  2. 如請求項1所述的具有抗腐蝕層之部件，其中 所述多孔性陶瓷燒結體包含： 氧化鋁（Al2 O3 ）、氮化鋁（AlN）、碳化矽（SiC）、氧化釔（Y2 O3 ）、氮化硼（BN）、氧化鋯（ZrO2 ）及氮化矽（Si3 N4 ）中的至少任一種。
  3. 如請求項1所述的具有抗腐蝕層之部件，其中 所述抗腐蝕層包含： 氧化鋁層、氧化釔層、氧化鉿層、氧化矽層、氧化鉺層、氧化鋯層、氟化層、過渡金屬層、氮化鈦層、氮化鉭層及氮化鋯層中的至少任一者。
  4. 如請求項1所述的具有抗腐蝕層之部件，其中 所述抗腐蝕層包括：表面抗腐蝕層，形成於所述多孔性陶瓷燒結體的表面；以及 氣孔抗腐蝕層，形成於所述多孔性陶瓷燒結體的氣孔內部， 在所述多孔性陶瓷燒結體的深度方向上所述氣孔抗腐蝕層的長度在至少一部分中大於所述表面抗腐蝕層的厚度。
  5. 如請求項1所述的具有抗腐蝕層之部件，其中 所述氣孔按照所述氣孔的大小包括大氣孔、中氣孔及奈米氣孔， 所述抗腐蝕層填充所述奈米氣孔以密封所述氣孔。
  6. 如請求項1所述的具有抗腐蝕層之部件，其中 所述氣孔按照所述氣孔的大小包括大氣孔、中氣孔及奈米氣孔， 所述抗腐蝕層填充所述中氣孔以密封所述氣孔。
  7. 如請求項1所述的具有抗腐蝕層之部件，其中 所述抗腐蝕層是藉由交替供應鋁、矽、鉿、鋯、釔、鉺、鈦及鉭中的至少任一種前驅物氣體與能夠形成所述抗腐蝕層的反應物氣體而形成。
  8. 一種具有抗腐蝕層之部件，包括： 主體； 多孔性陶瓷層，形成於所述主體上；以及 抗腐蝕層，形成於所述多孔性陶瓷層的表面， 所述抗腐蝕層填充所述多孔性陶瓷層的氣孔以密封所述氣孔。
  9. 如請求項8所述的具有抗腐蝕層之部件，其中 所述多孔性陶瓷層是對熔射材料進行熔射而形成。
  10. 如請求項8所述的具有抗腐蝕層之部件，其中 所述多孔性陶瓷層包含氧化鋁（Al2 O3 ）、氮化鋁（AlN）、碳化矽（SiC）、氧化釔（Y2 O3 ）、氮化硼（BN）、氧化鋯（ZrO2 ）及氮化矽（Si3 N4 ）中的至少任一種。
  11. 如請求項8所述的具有抗腐蝕層之部件，其中 所述抗腐蝕層包括： 表面抗腐蝕層，形成於所述多孔性陶瓷層的表面；以及 氣孔抗腐蝕層，形成於所述多孔性陶瓷層的氣孔內部， 在所述多孔性陶瓷層的深度方向上所述氣孔抗腐蝕層的長度在至少一部分中大於所述表面抗腐蝕層的厚度。
  12. 如請求項8所述的具有抗腐蝕層之部件，其中 所述氣孔按照所述氣孔的大小包括大氣孔、中氣孔及奈米氣孔， 所述抗腐蝕層填充所述奈米氣孔以密封所述氣孔。
  13. 如請求項8所述的具有抗腐蝕層之部件，其中 所述氣孔按照所述氣孔的大小包括大氣孔、中氣孔及奈米氣孔， 所述抗腐蝕層填充所述中氣孔以密封所述氣孔。
  14. 如請求項8所述的具有抗腐蝕層之部件，其中 所述抗腐蝕層是藉由交替供應鋁、矽、鉿、鋯、釔、鉺、鈦及鉭中的至少任一種前驅物氣體與能夠形成所述抗腐蝕層的反應物氣體而形成。
TW110130666A 2020-09-09 2021-08-19 具有抗腐蝕層之部件 TWI801974B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0115674 2020-09-09
KR1020200115674A KR20220033661A (ko) 2020-09-09 2020-09-09 내식층이 구비된 부품

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202210445A true TW202210445A (zh) 2022-03-16
TWI801974B TWI801974B (zh) 2023-05-11

Family

ID=80469259

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110130666A TWI801974B (zh) 2020-09-09 2021-08-19 具有抗腐蝕層之部件

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220076927A1 (zh)
KR (1) KR20220033661A (zh)
TW (1) TWI801974B (zh)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3510993B2 (ja) 1999-12-10 2004-03-29 トーカロ株式会社 プラズマ処理容器内部材およびその製造方法
US7799384B2 (en) * 2005-11-02 2010-09-21 Praxair Technology, Inc. Method of reducing porosity in thermal spray coated and sintered articles
US10975469B2 (en) * 2017-03-17 2021-04-13 Applied Materials, Inc. Plasma resistant coating of porous body by atomic layer deposition
US20180337026A1 (en) * 2017-05-19 2018-11-22 Applied Materials, Inc. Erosion resistant atomic layer deposition coatings

Also Published As

Publication number Publication date
TWI801974B (zh) 2023-05-11
KR20220033661A (ko) 2022-03-17
US20220076927A1 (en) 2022-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11008653B2 (en) Multi-layer coating with diffusion barrier layer and erosion resistant layer
US10676819B2 (en) Non-line of sight deposition of erbium based plasma resistant ceramic coating
TWI381415B (zh) 半導體材料處理裝置之氧化釔鍍膜陶瓷元件以及製造該等元件之方法
TW201812075A (zh) 用於半導體處理腔室部件之保護塗佈之原子層沉積
TWI846713B (zh) 原子層沉積所沉積的抗侵蝕金屬氟化物塗層
KR102245106B1 (ko) 확산 접합 플라즈마 저항성 화학 기상 증착(cvd) 챔버 히터
TW201920744A (zh) 用於腔室產量提升之稀土基氧氟化物原子層沉積塗層
CN113169042A (zh) 高温陶瓷部件的原子层沉积涂层
TW201923148A (zh) 耐電漿性塗布膜的製造方法及藉助於其而形成的耐電漿性構件
TW202307247A (zh) 具有抗腐蝕層之部件、包括其之製造製程裝備以及製造其的方法
TWI801974B (zh) 具有抗腐蝕層之部件
KR20220045708A (ko) 증착 장비용 가스분사부재 및 이를 구비하는 증착 장비
KR102549555B1 (ko) 공정 챔버용 부품 및 보호막 처리 장치
WO2022108332A1 (en) Gas supplier and substrate deposition apparatus having same
KR20160070916A (ko) 반도체 웨이퍼용 히터 및 그 제조방법
KR20220079185A (ko) 기판 처리 장치용 부품 및 이의 제조 방법
TW202117078A (zh) 處理室之金屬部件以及處理室之金屬部件的層之形成方法