TW202307247A - 具有抗腐蝕層之部件、包括其之製造製程裝備以及製造其的方法 - Google Patents

具有抗腐蝕層之部件、包括其之製造製程裝備以及製造其的方法 Download PDF

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TW202307247A
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安範模
嚴永欽
宋台煥
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南韓商普因特工程有限公司
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    • C23C28/048—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material with layers graded in composition or physical properties
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Abstract

本發明提供一種將多孔性陶瓷層的膜分離及顆粒產生最小化的具有抗腐蝕層之部件、包括其之製造製程裝備以及部件之製造方法。

Description

具有抗腐蝕層之部件、包括其之製造製程裝備以及製造其的方法
本發明是有關於一種具有抗腐蝕層之部件、包括其之製造製程裝備以及其部件之製造方法。
化學氣相沈積製程裝備（CVD（Chemical Vapor Deposition）裝備）、物理氣相沈積製程裝備（PVD（Physical Vapor Deposition）裝備）、乾式蝕刻製程裝備（乾式蝕刻（Dry Etching）裝備）等（以下，稱為「製造製程裝備」）在該製造製程裝備的內部使用反應氣體、蝕刻氣體、或清潔氣體（以下，稱為「製程氣體」）。
近來，對於沈積製程存在要求高的生產性及高品質化的情況。因此，在沈積製程中，為了提高製程速度，增加電漿射頻                             （radio frequency，RF）輸出來使用，為了縮短生產時間，在高溫條件下使用NF 3腐蝕性氣體來執行電漿清潔製程。
用於製造製程裝備的部件藉由暴露於高溫電漿氣體，與氟自由基及離子進行反應，從而在其表面形成氟化鋁的反應層。氟化鋁反應層在高溫（例如450℃）下開始昇華，且藉由重複的沈積製程或清潔製程持續進行昇華反應。氟化鋁反應層的昇華可能引起使用於製造製程裝備的部件的腐蝕範圍擴大的問題。被腐蝕的部件會產生表面的厚度逐漸變薄且強度下降、以及龜裂的問題。另外，昇華的氟化鋁反應層在腔室內析出及吸附於較低溫區域、即腔室的內壁面等，從而作為顆粒形態的污染原因起作用。由氟化鋁反應層產生的顆粒可吸附於如晶圓等基板，該情形會引起基板的污染及不良問題。另外，會產生使半導體元件的製造產率下降的問題。
為了防止如上所述的腐蝕及顆粒產生問題，開發利用保護膜處理裝備構成製造製程裝備的部件、或在構件的表面包覆保護膜的技術。例如，存在對氧化釔（Y 2O 3）或氧化鋁（Al 2O 3）進行熔射來配置多孔性陶瓷層的情況。由於此種多孔性陶瓷層可確保足夠的厚度，因此具有可長時間保持抗腐蝕性的優點。
然而，由於多孔性陶瓷層為多孔性結構，且表面粗糙，因此於通過氣孔的處理氣體的腐蝕性高、或者在電漿處理中暴露於電漿的時間長的情況是局部地產生膜的剝離且產生顆粒的主要原因。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]韓國公開編號 第2007-0045369號公開專利公報
[發明所欲解決之課題]
本發明是為了解決上述問題點而提出，本發明的目的在於提供一種將多孔性陶瓷層的膜分離及顆粒產生最小化的具有抗腐蝕層之部件、包括其之製造製程裝備以及部件之製造方法。 [解決課題之手段]
為了解決上述課題並達成目的，根據本發明的具有抗腐蝕層之部件的製造方法包括以下步驟：準備具有多孔性陶瓷層的主體；以及重複執行單原子層生成循環，從而形成填充至所述多孔性陶瓷層的氣孔的氣孔抗腐蝕層，所述單原子層生成循環是依序執行前驅物氣體吸附步驟、惰性氣體供給步驟、反應物氣體吸附及取代步驟、惰性氣體供給步驟。
另外，在形成所述氣孔抗腐蝕層的步驟之後，更包括研磨步驟，所述研磨步驟是對所述多孔性陶瓷層的表面進行研磨，以使得在所述多孔性陶瓷層的至少一部分表面處不具有所述氣孔抗腐蝕層。
另外，在所述研磨步驟之後，更包括以下步驟：重複執行單原子層生成循環，從而在所述多孔性陶瓷層的表面形成表面抗腐蝕層，所述單原子層生成循環是依序執行前驅物氣體吸附步驟、惰性氣體供給步驟、反應物氣體吸附及取代步驟、惰性氣體供給步驟。
另外，在形成所述氣孔抗腐蝕層的步驟之後，更包括以下步驟：重複執行單原子層生成循環，從而在所述多孔性陶瓷層的表面形成表面抗腐蝕層，所述單原子層生成循環是依序執行前驅物氣體吸附步驟、惰性氣體供給步驟、反應物氣體吸附及取代步驟、惰性氣體供給步驟。
另一方面，根據本發明的具有抗腐蝕層之部件包括：主體；多孔性陶瓷層，形成於所述主體上；以及氣孔抗腐蝕層，配置於所述多孔性陶瓷層的內部並填充至所述多孔性陶瓷層的氣孔。
另外，包括配置於所述多孔性陶瓷層的表面的表面抗腐蝕層。
另外，對所述多孔性陶瓷層的表面進行平坦化處理，以在所述多孔性陶瓷層的至少一部分表面處不具有所述氣孔抗腐蝕層。
另外，所述多孔性陶瓷層是對熔射材料進行熔射來形成。
另外，所述多孔性陶瓷層包括氧化鋁層、氮化鋁層、碳化矽層、氧化釔層、氮化硼層、氧化鋯層及氮化矽層中的至少一者。
另外，所述氣孔抗腐蝕層在所述多孔性陶瓷層的深度方向上的長度在至少一部分中大於所述表面抗腐蝕層的厚度。
另外，所述氣孔按照所述氣孔的大小包括巨（macro）氣孔、中（mezo）氣孔及奈米氣孔，且所述氣孔抗腐蝕層對所述巨氣孔、所述中氣孔及所述奈米氣孔中的至少任一種氣孔進行填充並密閉。
另外，所述氣孔抗腐蝕層包括氧化鋁層、氧化釔層、氧化鉿層、氧化矽層、氧化鉺層、氧化鋯層、氟化層、過渡金屬層、氮化鈦層、氮化鉭層及氮化鋯層中的至少一者。
另外，所述表面抗腐蝕層包括氧化鋁層、氧化釔層、氧化鉿層、氧化矽層、氧化鉺層、氧化鋯層、氟化層、過渡金屬層、氮化鈦層、氮化鉭層及氮化鋯層中的至少一者。
另外，形成所述氣孔抗腐蝕層的材質與形成所述表面抗腐蝕層的材質為彼此不同的材質。
另外，形成所述氣孔抗腐蝕層的材質呈非晶質的狀態。
另外，所述氣孔抗腐蝕層與所述多孔性陶瓷層為相同的材質。
另外，具有所述抗腐蝕層之部件為構成製造半導體或顯示器的製程腔室的至少一部分的部件。
另一方面，根據本發明的製造製程裝備中構成至少一部分的部件為具有抗腐蝕層的部件，且所述具有抗腐蝕層的部件包括：主體；多孔性陶瓷層，形成於所述主體上；以及氣孔抗腐蝕層，配置於所述多孔性陶瓷層的內部並填充至所述多孔性陶瓷層的氣孔。
另外，具有所述抗腐蝕層之部件包括配置於所述多孔性陶瓷層的表面的表面抗腐蝕層。 [發明的效果]
本發明提供一種將多孔性陶瓷層的膜分離及顆粒產生最小化的具有抗腐蝕層之部件、包括其之製造製程裝備以及部件之製造方法。
以下的內容僅例示發明的原理。因此即便未在本說明書中明確地進行說明或圖示，相應領域的技術人員亦可實現發明的原理並發明包含於發明的概念與範圍內的各種裝備。另外，本說明書所列舉的所有條件部用語及實施例在原則上應理解為僅是作為明確地用於理解發明的概念的目的，並不限制於如上所述特別列舉的實施例及狀態。
所述的目的、特徵及優點藉由與附圖相關的下文的詳細說明而進一步變明瞭，因此在發明所屬的技術領域內具有通常知識者可容易地實施發明的技術思想。
將參考作為本發明的理想例示圖的剖面圖及/或立體圖來說明本說明書中記述的實施例。為了有效地說明技術內容，對該些附圖所示的膜及區域的厚度等進行誇張表現。例示圖的形態可因製造技術及/或公差等變形。因此，本發明的實施例並不限於所示的特定形態，亦包括根據製造製程生成的形態的變化。在本說明書中使用的技術用語僅用於說明特定的實施例，不旨在限定本發明。除非上下文另有明確規定，否則單數的表達包括複數的表達。在本說明書中，應理解的是，「包括」或「具有」等用語欲指定存在本說明書所記載的特徵、數字、步驟、動作、構成要素、零部件或將其等組合，不預先排除一個或一個以上的其他特徵或數字、步驟、動作、構成要素、零部件或將其等組合的存在或附加可能性。
以下，參照附圖對本發明的較佳實施例具體地進行說明。以下在對各種實施例進行說明時，為了方便起見，即使實施例不同亦對執行相同功能的構成要素賦予相同的名稱及相同的參考編號。另外，為了方便起見，將省略已經在其他實施例中說明的構成及操作。
以下對第一實施例至第二實施例進行區分並說明，但對各實施例的構成進行組合的實施例亦包含於本發明的較佳實施例中。 第一實施例
以下，參照圖1及圖2A至圖2C對根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件10進行說明。圖1是示出根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件的圖，且圖2A至圖2C是示出根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件的製造方法的圖。
根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件10包括：主體100；多孔性陶瓷層200，形成於主體100上；以及氣孔抗腐蝕層300，配置於多孔性陶瓷層200的內部並填充至多孔性陶瓷層200的氣孔P。
作為一例，在主體100的至少一面形成的多孔性陶瓷層200可利用陶瓷熔射處理方法形成。多孔性陶瓷層200可對熔射材料進行熔射來形成。陶瓷熔射處理方法是藉由將熔射材料投入至由惰性氣體生成的電漿流，使其瞬間熔融，使完全熔融的粉末熔射材料以高速與主體100碰撞並進行急速冷卻凝固，從而在金屬或陶瓷主體100上形成一定厚度的覆膜。作為熔射材料，可使用粉末或金屬、非金屬、陶瓷（主要為金屬氧化物、碳酸物）、金屬陶瓷（cermet）等。
多孔性陶瓷層200包括氧化鋁層（Al 2O 3）、氮化鋁層（AlN）、碳化矽層（SiC）、氧化釔層（Y 2O 3）、氮化硼層（BN）、氧化鋯層（ZrO 2）及氮化矽層（Si 3N 4）中的至少一者。
較佳為多孔性陶瓷層200可由氧化釔層（Y 2O 3）、氧化鋁層（Al 2O 3）或其等的混合物組成。多孔性陶瓷層200可由多孔性結構形成且包括氣孔P。主體100藉由在表面配置多孔性陶瓷層200，從而可首先具有抗腐蝕性。
多孔性陶瓷層200的氣孔P按照氣孔的大小可包括巨氣孔、中氣孔及奈米氣孔。巨氣孔P可為數百奈米以上至數微米以下的大小。巨氣孔P較佳可為100 nm以上至1 μm以下的大小。中氣孔P可為數奈米以上至數十奈米以下的大小。中氣孔P較佳可為5 nm以上至50 nm以下的大小。奈米氣孔P可為數奈米以上至數奈米以下的大小。奈米氣孔P較佳可為1 nm以上至4 nm以下的大小。
根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件10中，氣孔抗腐蝕層300具有對氣孔P的內部進行填充並將氣孔P密閉的結構。氣孔抗腐蝕層300對巨氣孔、中氣孔及奈米氣孔中的至少任一種氣孔進行填充並密閉。藉此，藉由阻擋腐蝕性氣體滲透至主體100側，從而防止多孔性陶瓷層200的分離，且可將可能作為如晶圓或玻璃等基板的污染及不良的原因起作用的顆粒的產生最小化。
氣孔抗腐蝕層300可藉由交替供給前驅物氣體與反應物氣體來形成。於此情況，氣孔抗腐蝕層300可根據前驅物氣體及反應物氣體的構成而以不同的構成形成。
作為一例，氣孔抗腐蝕層300可交替供給前驅物氣體與反應物氣體來形成，其中所述前驅物氣體為鋁、矽、鉿、鋯、釔、鉺、鈦及鉭中的至少一者，所述反應物氣體可形成氣孔抗腐蝕層300。
交替供給前驅物氣體及反應物氣體形成的氣孔抗腐蝕層300根據前驅物氣體及反應物氣體的構成，可包括氧化鋁層、氧化釔層、氧化鉿層、氧化矽層、氧化鉺層、氧化鋯層、氟化層、過渡金屬層、氮化鈦層、氮化鉭層及氮化鋯層中的至少一者。
詳細地進行說明，於氣孔抗腐蝕層300由氧化鋁層形成的情況，前驅物氣體可包含以下中的至少一者：鋁醇鹽（Al(T-OC 4H 9) 3）、氯化鋁（AlCl 3）、三甲基鋁（Al(CH 3) 3）（Trimethylaluminum，TMA）、二乙基乙氧基鋁、三(乙基甲基醯胺基)鋁、二級-丁醇鋁、三溴化鋁、三氯化鋁、三乙基鋁、三異丁基鋁、三甲基鋁及三(二乙基醯胺基)鋁。
此時，於使用鋁醇鹽（Al(T-OC 4H 9) 3）、二乙基乙氧基鋁、三(乙基甲基醯胺基)鋁、二級-丁醇鋁、三溴化鋁、三氯化鋁、三乙基鋁、三異丁基鋁、三甲基鋁及三(二乙基醯胺基)鋁中的至少一者作為前驅物氣體的情況，可使用H 2O作為反應物氣體。
於使用氯化鋁（AlCl 3）作為前驅物氣體的情況，可使用O 3作為反應物氣體。
於使用三甲基鋁（Al(CH 3) 3）（TMA）作為前驅物氣體的情況下，可使用O 3或H 2O作為反應物氣體。
於氣孔抗腐蝕層300由氧化釔層形成的情況，前驅物氣體可包含以下中的至少一者：氯化釔（YCl 3）、Y(C 5H 5) 3、三(N,N-雙(三甲基矽烷基)醯胺)釔（III）、丁醇釔（III）、三(環戊二烯基)釔（III）、三(丁基環戊二烯基)釔（III）、三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)釔（III）、三(環戊二烯基)釔（Cp3Y）、三(甲基環戊二烯基)釔（(CpMe)3Y）、三(丁基環戊二烯基)釔及三(乙基環戊二烯基)釔。
於此情況，於使用氯化釔（YCl 3）及Y(C 5H 5) 3中的至少一者作為前驅物氣體的情況，可使用O 3作為反應物氣體。
於使用三(N,N-雙(三甲基矽烷基)醯胺)釔（III）、丁醇釔（III）、三(環戊二烯基)釔（III）、三(丁基環戊二烯基)釔（III）、三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)釔（III）、三(環戊二烯基)釔（Cp3Y）、三(甲基環戊二烯基)釔（(CpMe)3Y）、三(丁基環戊二烯基)釔及三(乙基環戊二烯基)釔中的至少一者作為前驅物氣體的情況，可使用H 2O、O 2、或O 3中的至少一者作為反應物氣體。
於氣孔抗腐蝕層300由氧化鉿形成的情況，前驅物氣體可包含氯化鉿（HfCl 4）、Hf(N(CH 3)(C 2H 5)) 4、Hf(N(C 2H 5) 2) 4、四(乙基甲基醯胺基)鉿及五(二甲基醯胺基)鉭中的至少一者。
於此情況，於使用氯化鉿（HfCl 4）、Hf(N(CH 3)(C 2H 5)) 4及Hf(N(C 2H 5) 2) 4中的至少一者作為前驅物氣體的情況，可使用O 3作為反應物氣體。
於使用四(乙基甲基醯胺基)鉿及五(二甲基醯胺基)鉭中的至少一者作為前驅物氣體的情況，可使用H 2O、O 2或O 3中的至少一者作為反應物氣體。
於氣孔抗腐蝕層300由氧化矽層形成的情況，前驅物氣體可包含Si(OC 2H 5) 4。於此情況，可使用O 3作為反應物氣體。
於氣孔抗腐蝕層300由氧化鉺層形成的情況，前驅物氣體可包含以下中的至少一者：三-甲基環戊二烯鉺（III）（Er(MeCp) 3）、硼醯胺鉺（Er(BA) 3）、Er(TMHD) 3、三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)鉺（III）、三(丁基環戊二烯基)鉺（III）、三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)鉺（Er(thd) 3）、Er(PrCp) 3、Er(CpMe) 2、Er(BuCp) 3及Er(thd) 3。
於此情況，於使用三-甲基環戊二烯鉺（III）（Er(MeCp) 3）、硼醯胺鉺（Er(BA) 3）、Er(TMHD) 3、三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)鉺（III）及三(丁基環戊二烯基)鉺（III）中的至少一者作為前驅物氣體的情況，可使用H 2O、O 2或O 3中的至少一者作為反應物氣體。
於使用三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)鉺（Er(thd) 3）、Er(PrCp) 3、Er(CpMe) 2及Er(BuCp) 3中的至少一者作為前驅物氣體的情況，可使用O 3作為反應物氣體。
於使用Er(thd) 3作為前驅物氣體的情況，可使用O-自由基作為反應物氣體。
於氣孔抗腐蝕層300由氧化鋯形成的情況，前驅物氣體可包含以下中的至少一者：四氯化鋯（ZrCl 4）、Zr(T-OC 4H 9) 4、溴化鋯（IV）、四(二乙基醯胺基)鋯（IV）、四(二甲基醯胺基)鋯（IV）、四(乙基甲基醯胺基)鋯（IV）、四(N,N'-二甲基-甲脒)鋯、四(乙基甲基醯胺基)鉿、五(二甲基醯胺基)鉭、三(二甲基胺基)(環戊二烯基)鋯及三(2,2,6,6-四甲基-庚烷-3,5-庚二酸)鉺。
於如上所述的構成中的至少一者用作前驅物氣體的情況，可使用H 2O、O 2、O 3或O-自由基中的至少一者作為反應物氣體。
於氣孔抗腐蝕層300由氟化層形成的情況，前驅物氣體可包含三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)釔（III）。於此情況，可使用H 2O、O 2或O 3中的至少一者作為反應物氣體。
於氣孔抗腐蝕層300由過渡金屬層形成的情況，前驅物氣體可包含氯化鉭（TaCl 5）及四氯化鈦（TiCl 4）中的至少一者。於此情況，可使用H-自由基作為反應物氣體。
具體而言，於使用氯化鉭（TaCl 5）作為前驅物氣體，且使用H-自由基作為反應物氣體的情況，過渡金屬層可由鉭層形成。
與此不同，於使用四氯化鈦（TiCl 4）作為前驅物氣體，且使用H-自由基作為反應物氣體的情況，過渡金屬層可由鈦層形成。
於氣孔抗腐蝕層300由氮化鈦層形成的情況，前驅物氣體可包含以下中的至少一者：雙(二乙基醯胺基)雙(二甲基醯胺基)鈦（IV）、四(二乙基醯胺基)鈦（IV）、四(二甲基醯胺基)鈦（IV）、四(乙基甲基醯胺基)鈦（IV）、溴化鈦（IV）、氯化鈦（IV）及第三-丁醇鈦（IV）。於此情況，可使用H 2O、O 2、O 3或O-自由基中的至少一者作為反應物氣體。
於氣孔抗腐蝕層300由氮化鉭層形成的情況，前驅物氣體可包含五(二甲基醯胺基)鉭（V）、氯化鉭（V）、乙醇鉭（V）及三(二乙基胺基)(第三-丁基醯亞胺基)鉭（V）中的至少一者。於此情況，可使用H 2O、O 2、O 3或O-自由基中的至少一者作為反應物氣體。
於氣孔抗腐蝕層300由氮化鋯層形成的情況，前驅物氣體可包含溴化鋯（IV）、氯化鋯（IV）、第三-丁醇鋯（IV）、四(二乙基醯胺基)鋯（IV）、四(二甲基醯胺基)鋯（IV）及四(乙基甲基醯胺基)鋯（IV）。於此情況，可使用H 2O、O 2、O 3或O-自由基中的至少一者作為反應物氣體。
如此，氣孔抗腐蝕層300可根據所使用的前驅物氣體及反應物氣體的構成由相應種類的構成形成。
形成氣孔抗腐蝕層300的材質可呈非晶質的狀態。藉此，可更有效地阻擋腐蝕性氣體的滲透。
氣孔抗腐蝕層300可藉由重複執行循環（以下稱為「單原子層生成循環」）來形成，所述循環為使前驅物氣體吸附於主體100的表面，供給反應物氣體並利用前驅物氣體與反應物氣體的化學取代生成單原子層。
在執行一次生成單原子層的循環時，在氣孔P中可形成薄的厚度的一層單原子層。藉由重複執行生成單原子層的循環可形成多層單原子層。更詳細地進行說明，重複執行單原子層生成循環來生成多層單原子層並藉由形成氣孔抗腐蝕層300的步驟來製造，所述單原子層生成循環為依序執行使前驅物氣體吸附於主體100的表面的前驅物氣體吸附步驟、載氣供給步驟、反應物氣體吸附及取代步驟、以及載氣供給步驟。
在前驅物氣體吸附步驟中，可執行藉由利用前驅物氣體供給部向主體100的表面供給前驅物氣體並使其吸附來形成前驅物吸附層的過程。前驅物吸附層藉由自身限制性反應僅形成一個層。此後，可利用載氣供給部執行載氣供給步驟。在載氣供給步驟中，執行供給載氣並在前驅物吸附層中移除過剩的前驅物的過程。於此情況，排氣系統可一同作動。載氣可移除殘留在藉由自身限制性反應僅形成一個層的前驅物吸附層中的過剩的前驅物。此後，可利用反應氣體供給部執行反應物氣體吸附及取代步驟。在反應物吸附及取代步驟中，可執行以下過程：向前驅物吸附層的表面供給反應物氣體並使反應物氣體吸附於前驅物吸附層的表面，藉由前驅物吸附層與反應物氣體的化學取代生成單原子層。此後，執行載氣供給步驟並執行將過剩的反應物氣體移除的過程。
執行重複執行單原子層生成循環以生成多層單原子層的步驟，藉此可形成氣孔抗腐蝕層300。此種氣孔抗腐蝕層300提供對包括在沈積或蝕刻製程中使用的反應氣體、蝕刻氣體或清潔氣體的製程氣體的提高的抗腐蝕性。
於利用化學氣相沈積方法（CVD）形成氣孔抗腐蝕層300的情況，氣孔抗腐蝕層300可以覆蓋並堵住氣孔P的上部的形態形成。於此情況，氣孔P的內部仍然以空隙形態存在。與此不同，根據本發明較佳第一實施例的部件10的氣孔抗腐蝕層300由於藉由單原子層生成循環形成，因此對多孔性陶瓷層200中形成的氣孔P進行完全填充，從而可更有效地阻擋腐蝕性氣體滲透至主體100側。
多孔性陶瓷層300中形成的氣孔P可以在多孔性陶瓷層200的深度方向上連通巨氣孔P、中氣孔P及奈米氣孔P的形態形成。
於具有最大寬度的區間為巨氣孔P的情況，表面側氣孔P可為巨氣孔P。於使用化學氣相沈積方法（CVD）的情況，抗腐蝕層可形成為堵住巨氣孔P的至少一部分的形態，但可能難以形成為通過巨氣孔P而位於形成於巨氣孔P的下部的中氣孔P及奈米氣孔P的形態。於表面側氣孔P由具有小於巨氣孔P的寬度的中氣孔P及奈米氣孔P中的至少一者形成的情況，藉由化學氣相沈積方法（CVD）形成的抗腐蝕層可形成為安置於氣孔P的上部且堵住氣孔P的上部的形態，但可能難以形成於在多孔性陶瓷層200的深度方向上形成的其餘氣孔P中。因此，於利用化學氣相沈積方法（CVD）配置抗腐蝕層的情況，在多孔性陶瓷燒結體（porous ceramic，PC）的表面側氣孔P的下部在深度方向上形成的其餘氣孔P可形成呈空隙形態的結構。由於配置於多孔性陶瓷層200的抗腐蝕層形成為安置於氣孔P的上部的形態，因此可長時間使用，若暴露於製程氣體而被腐蝕，則其厚度變薄或產生龜裂等，從而使多孔性陶瓷層200的氣孔P的內部空隙再次暴露出。藉由暴露出的氣孔P使殘留在多孔性陶瓷層200內部的水分及異物暴露至外部，該情形會引起晶圓不良及製造產率下降的問題。
但根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件10可具有在內部不存在空隙的結構。該情形可藉由填充至包括氣孔P的內部的氣孔P整體的氣孔抗腐蝕層300來實現。詳細地進行說明，根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件10由於重複執行單原子層生成循環來配置氣孔抗腐蝕層300，因此即使在微細的大小的氣孔P中亦可形成氣孔抗腐蝕層300。具體而言，可在包括巨氣孔P、中氣孔P及奈米氣孔P的氣孔P整體中生成多層單原子層來配置氣孔抗腐蝕層300。根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件100藉由利用單原子層生成循環配置氣孔抗腐蝕層110，從而可使氣孔抗腐蝕層300位於在多孔性陶瓷層200的深度方向上形成的氣孔P整體中而與表面側氣孔P的大小無關。藉此，根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件10可對氣孔P整體進行填充且對具有最小寬度的奈米氣孔P進行填充來將氣孔P密閉。另外，可對具有巨氣孔P與奈米氣孔P之間的寬度的中氣孔P進行填充來將氣孔P密閉。
氣孔抗腐蝕層300在多孔性陶瓷層200的深度方向上的長度在至少一部分中大於表面抗腐蝕層400的厚度。由於氣孔抗腐蝕層300藉由重複執行單原子層生成循環形成於氣孔P整體中，因此於多孔性陶瓷層300的表面側氣孔P在深度方向上的長度較長的情況，在根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件10的至少一部分中可能存在長度較表面抗腐蝕層400的厚度大的形態。因此，即使根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件10的表面被腐蝕，亦可藉由填充至氣孔P整體的氣孔抗腐蝕層300阻擋腐蝕性氣體的滲透。
以下參照圖2A至圖2C對根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件10的製造方法進行說明。
參照圖2A，首先執行準備具有多孔性陶瓷層200的主體10的步驟。在主體10上形成的多孔性陶瓷層200可藉由陶瓷熔射處理方法形成。多孔性陶瓷層200可對熔射材料進行熔射來形成。陶瓷熔射處理方法是藉由將熔射材料投入至自惰性氣體生成的電漿流，使其瞬間熔融，使完全熔融的粉末熔射材料以高速與主體100碰撞並進行急速冷卻凝固，從而在金屬或陶瓷主體100上形成一定厚度的覆膜。作為熔射材料，可使用粉末或金屬、非金屬、陶瓷（主要為金屬氧化物、碳酸物）、金屬陶瓷（cermet）等。較佳為多孔性陶瓷層200可由氧化鋁層（Al 2O 3）或氧化釔層（Y 2O 3）、或其等的混合物形成。
接著，參照圖2B，執行以下步驟：重複執行單原子層生成循環，從而形成填充至多孔性陶瓷層200的氣孔P的氣孔抗腐蝕層300，所述單原子層生成循環是依序執行前驅物氣體吸附步驟、惰性氣體供給步驟、反應物氣體吸附及取代步驟、惰性氣體供給步驟。在執行一次生成單原子層的循環時，在氣孔P中可形成薄的厚度的一層單原子層。藉由重複執行生成單原子層的循環可形成多層單原子層。藉此，單原子層容易滲透至存在於多孔性陶瓷層200的內部的氣孔P之間形成。藉由執行多次單原子層生成循環，存在於多孔性陶瓷層200的內部的氣孔P被氣孔抗腐蝕層300填滿。
氣孔抗腐蝕層300可由氧化鋁層（Al 2O 3）或氧化釔層（Y 2O 3）形成。為了提高與多孔性陶瓷層200的匹配性，可由與多孔性陶瓷層200相同的材質形成。例如，於多孔性陶瓷層200由氧化鋁層（Al 2O 3）形成的情況，氣孔抗腐蝕層300亦由氧化鋁層（Al 2O 3）形成。或者於多孔性陶瓷層200由氧化釔層（Y 2O 3）形成的情況，氣孔抗腐蝕層300亦由氧化釔層（Y 2O 3）形成。另一方面，為了節省氣孔抗腐蝕層300的製造成本，氣孔抗腐蝕層300可由氧化鋁層（Al 2O 3）形成。
根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件10包括：多孔性陶瓷層200，由氧化鋁層（Al 2O 3）材質形成；以及氣孔抗腐蝕層300，由氧化鋁層（Al 2O 3）形成並填充至多孔性陶瓷層200的氣孔P。藉此，不僅可提高主體100的抗腐蝕性，而且可節省製造成本。
接著，參照圖2C，執行研磨步驟，對多孔性陶瓷層200的表面進行研磨，以使得在多孔性陶瓷層200的至少一部分表面處不具有氣孔抗腐蝕層300。藉由研磨製程對多孔性陶瓷層200的表面進行平坦化處理，以使得在多孔性陶瓷層200的至少一部分表面處不具有氣孔抗腐蝕層300。為了將氣孔抗腐蝕層300完全填滿存在於多孔性陶瓷層200的內部的氣孔P，應在足夠的時間期間重複執行單原子層生成循環。在重複執行單原子層生成循環以形成氣孔抗腐蝕層300的過程中，氣孔抗腐蝕層300亦形成於多孔性陶瓷層200的外部表面。在多孔性陶瓷層200的外部表面形成的氧化鋁層（Al 2O 3）在氟環境（HF氣體或HF酸性溶液（或其他氟源）環境）下，與氧的鍵的一部分經與氟的鍵取代且被轉換成氟化鋁（AlF 3）。如此，由於氧化鋁層（Al 2O 3）在氟環境下被轉換成氟化鋁（AlF 3），因此會產生在表面處的機械特性弱化且成為顆粒源的問題。因此，藉由移除藉由研磨製程在表面側形成的氧化鋁層（Al 2O 3），從而可防止成為顆粒源。 第二實施例
接下來，對根據本發明的第二實施例進行闡述。但，以下說明的實施例與所述第一實施例相比以特徵性的構成要素為中心進行說明，且盡可能省略對與第一實施例相同或相似的構成要素的說明。
以下，參照圖3及圖4A至圖4D對根據本發明較佳第二實施例的具有抗腐蝕層之部件10進行說明。圖3示出根據本發明較佳第二實施例的具有抗腐蝕層之部件的圖，且圖4A至圖4D是示出根據本發明較佳第二實施例的具有抗腐蝕層之部件的製造方法的圖。
根據本發明較佳第二實施例的具有抗腐蝕層之部件10與根據第一實施例的具有抗腐蝕層之部件10不同，在多孔性陶瓷層200的表面更包括表面抗腐蝕層400。
在研磨步驟之後，重複執行單原子層生成循環，從而在多孔性陶瓷層200的表面形成表面抗腐蝕層400，所述單原子層生成循環是依序執行前驅物氣體吸附步驟、惰性氣體供給步驟、反應物氣體吸附及取代步驟、惰性氣體供給步驟。
表面抗腐蝕層400可藉由交替供給前驅物氣體與反應物氣體來形成。於此情況，表面抗腐蝕層400可根據前驅物氣體及反應物氣體的構成而以不同的構成形成。作為一例，表面抗腐蝕層400可交替供給前驅物氣體與反應物氣體來形成，其中所述前驅物氣體為鋁、矽、鉿、鋯、釔、鉺、鈦及鉭中的至少一者，所述反應物氣體可形成表面抗腐蝕層400。
交替供給前驅物氣體及反應物氣體形成的表面抗腐蝕層400根據前驅物氣體及反應物氣體的構成，可包括氧化鋁層、氧化釔層、氧化鉿層、氧化矽層、氧化鉺層、氧化鋯層、氟化層、過渡金屬層、氮化鈦層、氮化鉭層及氮化鋯層中的至少一者。
主體100中，配置於表面的多孔性陶瓷層200具有第一級抗腐蝕性，配置於多孔性陶瓷層200的氣孔P的氣孔抗腐蝕層300具有第二級抗腐蝕性，且藉由配置於多孔性陶瓷層200的表面的表面抗腐蝕層400具有第三級抗腐蝕性。藉此，可更有效地對主體100進行保護。
根據本發明較佳第二實施例的具有抗腐蝕層之部件10的氣孔抗腐蝕層300可由氧化鋁層（Al 2O 3）形成，且表面抗腐蝕層400由含有稀土類金屬的氧化物層形成。由於非晶質氧化鋁（Al 2O 3）具有較配置於其上部的含有稀土類金屬的氧化物層更高的溫度能力，因此在製程條件下防止氧化鋁（Al 2O 3）自氣孔P壁剝離，且防止與配置於其上部的含有稀土類金屬的氧化物層的層間剝離。含有稀土類金屬的氧化物層在氟環境下提供進一步得到提高的機械特性。含有稀土類金屬的氧化物層較佳為包含氧化釔（Y 2O 3）。氧化釔（Y 2O 3）在氟環境下，與氧的鍵的一部分經與氟的鍵取代且被轉換成氟化釔（AlF 3）。於此情況，即使氧化釔（Y 2O 3）的至少一部分表面在氟環境下被轉換成氟化釔（AlF 3），由於氟化釔（AlF 3）的機械特性優異，因此亦不會作為顆粒源起作用。因此，表面抗腐蝕層400可包含氧化釔（Y 2O 3）來構成，所述氧化釔（Y 2O 3）在氟環境下與氧的鍵的一部分經與氟的鍵取代且被轉換成氟化釔（AlF 3）。
藉此，在製程條件下，非晶質氧化鋁（Al 2O 3）不僅防止多孔性陶瓷層200的剝離、防止通過氣孔P的腐蝕性氣體的滲透，而且藉由配置於表面的表面抗腐蝕層300在氟環境下提供進一步得到提高的機械特性。
以下，參照圖4A至圖4D，對根據本發明較佳第二實施例的具有抗腐蝕層之部件10的製造方法進行說明。
參照圖4A，首先執行準備具有多孔性陶瓷層200的主體10的步驟。在主體10上形成的多孔性陶瓷層200可藉由陶瓷熔射處理方法形成。多孔性陶瓷層200可對熔射材料進行熔射來形成。陶瓷熔射處理方法是藉由將熔射材料投入至由惰性氣體生成的電漿流，使其瞬間熔融，使完全熔融的粉末熔射材料以高速與主體100碰撞並進行急速冷卻凝固，從而在金屬或陶瓷主體100上形成一定厚度的覆膜。作為熔射材料，可使用粉末或金屬、非金屬、陶瓷（主要為金屬氧化物、碳酸物）、金屬陶瓷（cermet）等。
接著，參照圖4B，執行以下步驟：重複執行單原子層生成循環，從而形成填充至多孔性陶瓷層200的氣孔P的氣孔抗腐蝕層300，所述單原子層生成循環是依序執行前驅物氣體吸附步驟、惰性氣體供給步驟、反應物氣體吸附及取代步驟、惰性氣體供給步驟。
接著，參照圖4C，執行研磨步驟，對多孔性陶瓷層200的表面進行研磨，以使得在多孔性陶瓷層200的至少一部分表面處不具有氣孔抗腐蝕層300。
接著，參照圖4D，執行以下步驟：在經研磨的多孔性陶瓷層200的表面重複執行單原子層生成循環，從而形成表面抗腐蝕層400，所述單原子層生成循環是依序執行前驅物氣體吸附步驟、惰性氣體供給步驟、反應物氣體吸附及取代步驟、惰性氣體供給步驟。 第三實施例
接下來，對根據本發明的第三實施例進行闡述。但，以下說明的實施例與所述第二實施例相比以特徵性的構成要素為中心進行說明，且盡可能省略對與第二實施例相同或相似的構成要素的說明。
以下，參照圖5及圖6A至圖6C對根據本發明較佳第三實施例的具有抗腐蝕層之部件10進行說明。圖5是示出根據本發明較佳第三實施例的具有抗腐蝕層之部件的圖，且圖6A至圖6C是示出根據本發明較佳第三實施例的具有抗腐蝕層之部件的製造方法的圖。
根據本發明較佳第三實施例的具有抗腐蝕層之部件10與根據第二實施例的具有抗腐蝕層之部件10不同，省略研磨製程，且在多孔性陶瓷層200的表面形成表面抗腐蝕層400。
根據本發明較佳第三實施例的具有抗腐蝕層之部件10包括：主體100；多孔性陶瓷層200，形成於主體100上；氣孔抗腐蝕層300，配置於多孔性陶瓷層200的內部並填充至多孔性陶瓷層200的氣孔P；第一表面抗腐蝕層410，形成於多孔性陶瓷層200的表面且由與氣孔抗腐蝕層300相同的材質形成；以及第二表面抗腐蝕層430，形成於第一表面抗腐蝕層410的表面。
對於主體100，配置於表面的多孔性陶瓷層200具有第一級抗腐蝕性，配置於多孔性陶瓷層200的氣孔P的氣孔抗腐蝕層300具有第二級抗腐蝕性，藉由配置於多孔性陶瓷層200的表面的第一表面抗腐蝕層410具有第三級抗腐蝕性，且藉由配置於第一表面抗腐蝕層410的表面的第二表面抗腐蝕層430具有第四級抗腐蝕性。藉此，可更有效地對主體100進行保護。
第一表面抗腐蝕層410在形成氣孔抗腐蝕層300時一同形成且由與氣孔抗腐蝕層300相同的材質形成。藉由配置與氣孔抗腐蝕層300相同材質的第一表面抗腐蝕層410，從而可有效地阻擋氣孔抗腐蝕層300自氣孔P壁剝離，且提高配置於其上部的第二表面抗腐蝕層430的接合性。特別是在200℃以上且250℃以下的溫度範圍中可防止第二表面抗腐蝕層430的龜裂。
第二表面抗腐蝕層430可藉由交替供給前驅物氣體與反應物氣體來形成。於此情況，第二表面抗腐蝕層430可根據前驅物氣體及反應物氣體的構成而以不同的構成形成。作為一例，第二表面抗腐蝕層430可交替供給前驅物氣體與反應物氣體來形成，其中所述前驅物氣體為鋁、矽、鉿、鋯、釔、鉺、鈦及鉭中的至少一者，所述反應物氣體可形成第二表面抗腐蝕層430。
交替供給前驅物氣體及反應物氣體形成的第二表面抗腐蝕層430根據前驅物氣體及反應物氣體的構成，可包括氧化鋁層、氧化釔層、氧化鉿層、氧化矽層、氧化鉺層、氧化鋯層、氟化層、過渡金屬層、氮化鈦層、氮化鉭層及氮化鋯層中的至少一者。
第一表面抗腐蝕層410較佳為由氧化鋁層（Al 2O 3）形成，且第二表面抗腐蝕層430由氧化釔（Y 2O 3）形成。由氧化鋁（Al 2O 3）形成的第一表面抗腐蝕層410在氟環境（HF氣體或HF酸性溶液（或其他氟源）環境）下，與氧的鍵的一部分經與氟的鍵取代且被轉換成氟化鋁（AlF 3）。如此，由於氧化鋁（Al 2O 3）氣孔抗腐蝕層300的至少一部分表面在氟環境下被轉換成氟化鋁（AlF 3），因此會產生在表面處的機械特性弱化且成為顆粒源的問題。由氧化釔（Y 2O 3）形成的第二表面抗腐蝕層430在氟環境下與氧的鍵的一部分經與氟的鍵取代且被轉換成氟化釔（AlF 3）。於此情況，即使氧化釔（Y 2O 3）的至少一部分表面在氟環境下被轉換成氟化釔（AlF 3），由於氟化釔（AlF 3）的機械特性優異，因此亦不會作為顆粒源起作用。因此，第二表面抗腐蝕層430可包含氧化釔（Y 2O 3）來構成，所述氧化釔（Y 2O 3）在氟環境下與氧的鍵的一部分經與氟的鍵取代且被轉換成氟化釔（AlF 3）。
藉此，在製程條件下，非晶質氧化鋁（Al 2O 3）不僅防止多孔性陶瓷層200的剝離、防止通過氣孔P的腐蝕性氣體的滲透，而且藉由配置於表面的表面抗腐蝕層300在氟環境下提供進一步得到提高的機械特性。
藉由配置於主體100上的多孔性陶瓷層200、氣孔抗腐蝕層300、第一表面抗腐蝕層410及第二表面抗腐蝕層430的構成可有效地對主體100進行保護，從而發揮出可增加部件10的運作時間的效果。更具體而言，由於第二表面抗腐蝕層430在氟環境下具有機械性優異的特性，因此防止顆粒產生。另外，藉由配置於第二表面抗腐蝕層430的下部的第一表面抗腐蝕層410，在高溫環境下將第一表面抗腐蝕層410用作緩衝層，從而抑制第二表面抗腐蝕層430產生龜裂。進而，藉由在第一表面抗腐蝕層410、第二表面抗腐蝕層430的下部存在多孔性陶瓷層200並賦予優異的抗腐蝕性，且在多孔性陶瓷層200的氣孔P中存在氣孔抗腐蝕層300，從而可更有效地防止腐蝕氣體滲透至主體100側。
以下，參照圖6A至圖6C，對根據本發明較佳第三實施例的具有抗腐蝕層之部件10的製造方法進行說明。
參照圖6A，首先執行準備具有多孔性陶瓷層200的主體10的步驟。在主體10上形成的多孔性陶瓷層200可藉由陶瓷熔射處理方法形成。多孔性陶瓷層200可對熔射材料進行熔射來形成。陶瓷熔射處理方法是藉由將熔射材料投入至由惰性氣體生成的電漿流，使其瞬間熔融，使完全熔融的粉末熔射材料以高速與主體100碰撞並進行急速冷卻凝固，從而在金屬或陶瓷主體100上形成一定厚度的覆膜。作為熔射材料，可使用粉末或金屬、非金屬、陶瓷（主要為金屬氧化物、碳酸物）、金屬陶瓷（cermet）等。
接著，參照圖6B，執行以下步驟：重複執行單原子層生成循環，從而形成填充至多孔性陶瓷層200的氣孔P的氣孔抗腐蝕層300，所述單原子層生成循環是依序執行前驅物氣體吸附步驟、惰性氣體供給步驟、反應物氣體吸附及取代步驟、惰性氣體供給步驟。此時，第一表面抗腐蝕層410一同形成於多孔性陶瓷層200的表面。
接著，參照圖6D，執行以下步驟：在第一表面抗腐蝕層410的表面重複執行單原子層生成循環，從而形成第二表面抗腐蝕層400，所述單原子層生成循環是依序執行前驅物氣體吸附步驟、惰性氣體供給步驟、反應物氣體吸附及取代步驟、惰性氣體供給步驟。
根據本發明較佳實施例的具有抗腐蝕層之部件10在使用時構成製造製程裝備的至少一部分。
製造製程裝備包括半導體製造製程裝備與顯示器製造製程裝備。配置有具有抗腐蝕層之部件10的半導體製造製程裝備包括蝕刻裝備、洗淨裝備、熱處理裝備、離子注入裝備、濺射裝備或CVD裝備等。另外，配置有具有抗腐蝕層之部件10的顯示器製造製程裝備包括蝕刻裝備、洗淨裝備、熱處理裝備、離子注入裝備、濺射裝備或CVD裝備等。
具體而言，用於製造製程裝備的部件可為用於沈積製程的製造製程裝備的內部面、基座、底板、擴散器（diffuser）、陰影框架、配管線、保護環（guard ring）及狹縫閥中的至少一者。另外，用於製造製程裝備的部件可為用於乾式蝕刻製程的製造製程裝備的內部面、下部電極、下部電極的靜電卡盤、下部電極的擋板、上部電極、壁襯（wall liner）及製程氣體排氣部、配管線、保護環及狹縫閥中的至少一者。但並不限定於此，可為構成製造半導體或顯示器的製造製程裝備的至少一部分的部件。
如上所述，雖然參照本發明的較佳實施例進行說明，但相應技術領域的普通技術人員可在不脫離下述申請專利範圍所記載的本發明的思想及領域的範圍內對本發明實施各種修改或變形。
10:部件 100:主體 200:多孔性陶瓷層 300:氣孔抗腐蝕層 400:表面抗腐蝕層 410:第一表面抗腐蝕層 430:第二表面抗腐蝕層 P:氣孔/巨氣孔/中氣孔/奈米氣孔
圖1是示出根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件的圖。 圖2A至圖2C是示出根據本發明較佳第一實施例的具有抗腐蝕層之部件的製造方法的圖。 圖3是示出根據本發明較佳第二實施例的具有抗腐蝕層之部件的圖。 圖4A至圖4D是示出根據本發明較佳第二實施例的具有抗腐蝕層之部件的製造方法的圖。 圖5是示出根據本發明較佳第三實施例的具有抗腐蝕層之部件的圖。 圖6A至圖6C是示出根據本發明較佳第三實施例的具有抗腐蝕層之部件的製造方法的圖。
10:部件
100:主體
200:多孔性陶瓷層
300:氣孔抗腐蝕層

Claims (19)

  1. 一種具有抗腐蝕層之部件的製造方法，包括以下步驟： 準備具有多孔性陶瓷層的主體；以及 重複執行單原子層生成循環，從而形成填充至所述多孔性陶瓷層的氣孔的氣孔抗腐蝕層，所述單原子層生成循環是依序執行前驅物氣體吸附步驟、惰性氣體供給步驟、反應物氣體吸附及取代步驟、惰性氣體供給步驟。
  2. 如請求項1所述的具有抗腐蝕層之部件的製造方法，其中 在形成所述氣孔抗腐蝕層的步驟之後， 更包括研磨步驟，所述研磨步驟對所述多孔性陶瓷層的表面進行研磨，以使得在所述多孔性陶瓷層的至少一部分表面處不具有所述氣孔抗腐蝕層。
  3. 如請求項2所述的具有抗腐蝕層之部件的製造方法，其中 在所述研磨步驟之後， 更包括以下步驟：重複執行單原子層生成循環，從而在所述多孔性陶瓷層的表面形成表面抗腐蝕層，所述單原子層生成循環是依序執行前驅物氣體吸附步驟、惰性氣體供給步驟、反應物氣體吸附及取代步驟、惰性氣體供給步驟。
  4. 如請求項1所述的具有抗腐蝕層之部件的製造方法，其中 在形成所述氣孔抗腐蝕層的步驟之後， 更包括以下步驟：重複執行單原子層生成循環，從而在所述多孔性陶瓷層的表面形成表面抗腐蝕層，所述單原子層生成循環是依序執行前驅物氣體吸附步驟、惰性氣體供給步驟、反應物氣體吸附及取代步驟、惰性氣體供給步驟。
  5. 一種具有抗腐蝕層之部件，包括： 主體； 多孔性陶瓷層，形成於所述主體上；以及 氣孔抗腐蝕層，配置於所述多孔性陶瓷層的內部並填充至所述多孔性陶瓷層的氣孔。
  6. 如請求項5所述的具有抗腐蝕層之部件，更包括： 表面抗腐蝕層，配置於所述多孔性陶瓷層的表面。
  7. 如請求項5所述的具有抗腐蝕層之部件，其中 對所述多孔性陶瓷層的表面進行平坦化處理，以在所述多孔性陶瓷層的至少一部分表面處不具有所述氣孔抗腐蝕層。
  8. 如請求項5所述的具有抗腐蝕層之部件，其中 所述多孔性陶瓷層是對熔射材料進行熔射來形成。
  9. 如請求項5所述的具有抗腐蝕層之部件，其中 所述多孔性陶瓷層包括氧化鋁層、氮化鋁層、碳化矽層、氧化釔層、氮化硼層、氧化鋯層及氮化矽層中的至少一者。
  10. 如請求項6所述的具有抗腐蝕層之部件，其中 所述氣孔抗腐蝕層在所述多孔性陶瓷層的深度方向上的長度在至少一部分中大於所述表面抗腐蝕層的厚度。
  11. 如請求項5所述的具有抗腐蝕層之部件，其中 所述氣孔按照所述氣孔的大小包括巨氣孔、中氣孔及奈米氣孔， 所述氣孔抗腐蝕層對所述巨氣孔、所述中氣孔及所述奈米氣孔中的至少任一種氣孔進行填充並密閉。
  12. 如請求項5所述的具有抗腐蝕層之部件，其中 所述氣孔抗腐蝕層包括氧化鋁層、氧化釔層、氧化鉿層、氧化矽層、氧化鉺層、氧化鋯層、氟化層、過渡金屬層、氮化鈦層、氮化鉭層及氮化鋯層中的至少一者。
  13. 如請求項6所述的具有抗腐蝕層之部件，其中 所述表面抗腐蝕層包括氧化鋁層、氧化釔層、氧化鉿層、氧化矽層、氧化鉺層、氧化鋯層、氟化層、過渡金屬層、氮化鈦層、氮化鉭層及氮化鋯層中的至少一者。
  14. 如請求項6所述的具有抗腐蝕層之部件，其中 形成所述氣孔抗腐蝕層的材質與形成所述表面抗腐蝕層的材質為彼此不同的材質。
  15. 如請求項6所述的具有抗腐蝕層之部件，其中 形成所述氣孔抗腐蝕層的材質呈非晶質的狀態。
  16. 如請求項5所述的具有抗腐蝕層之部件，其中 所述氣孔抗腐蝕層與所述多孔性陶瓷層為相同的材質。
  17. 如請求項5所述的具有抗腐蝕層之部件，其中 所述具有抗腐蝕層之部件為構成製造半導體或顯示器的製程腔室的至少一部分的部件。
  18. 一種製造製程裝備，其中 構成至少一部分的部件為具有抗腐蝕層的部件，且 所述具有抗腐蝕層的部件包括： 主體； 多孔性陶瓷層，形成於所述主體上；以及 氣孔抗腐蝕層，配置於所述多孔性陶瓷層的內部並填充至所述多孔性陶瓷層的氣孔。
  19. 如請求項18所述的製造製程裝備，其中 所述具有抗腐蝕層的部件包括配置於所述多孔性陶瓷層的表面的表面抗腐蝕層。
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