TW202209529A - 半導體裝置的製造裝置以及製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種半導體裝置的製造裝置，其能夠以簡易的順序將接合頭的保持面調整為相對於載物台的平面高精度地平行。半導體裝置的製造裝置10包括：載物台12；接合頭14；仿形機構22，設置於接合頭14；以及控制器34，執行仿形處理，所述仿形處理中，藉由使作為保持面20或晶片端面的相向面50仿效作為載物台12或基板100的平面的基準面110，而將相向面50調整為相對於基準面110平行，並且控制器34於仿形處理中，在接合頭14的軸向位置到達規定的基準位置之前，於將仿形機構22切換為自由狀態的狀態下，使相向面50抵接於基準面110，並保持所述狀態使接合頭14於基準面110的面方向上相對地移動，在軸向位置到達基準位置時，將仿形機構22切換為鎖定狀態。

Description

半導體裝置的製造裝置以及製造方法
於本說明書中，揭示有藉由使用具有仿形機構的接合頭將半導體晶片接合到基板來製造半導體裝置的製造裝置以及製造方法。
自先前起，如下技術便廣為人知：於在接合頭的前端面（以下稱為「保持面」）抽吸保持有半導體晶片的狀態下，驅動接合頭，將半導體晶片接合到基板，藉此製造半導體裝置。於所述半導體裝置的製造技術中，為了將半導體晶片良好地接合到基板的表面，而要求保持面以高的精度與基板的平面平行。
為了以簡易的順序使保持面相對於基板平行，亦已知有於接合頭搭載有仿形機構的製造裝置。此處，所謂仿形機構，是指如下機構：具有包含凹狀球面及凸狀球面的其中一者的固定構件、以及包含凹狀球面及凸狀球面的另一者的可動構件，且可動構件相對於固定構件可三維地擺動。仿形機構能夠切換為能夠實現可動構件的擺動的自由狀態、以及可動構件的擺動受到限制的鎖定狀態。
專利文獻1中揭示有搭載有此種仿形機構的接合頭。於專利文獻1中，在將仿形機構設為自由的狀態下，使由接合頭保持的第二對象物抵接於保持於載物台上的第一對象物並進行按壓，藉此將第二對象物的抵接面調整為相對於第一對象物的面平行。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第3919684號公報
[發明所欲解決之課題] 根據專利文獻1的技術，能夠以簡易的順序使接合頭的保持面相對於載物台以某種程度平行。但是，於將接合頭的保持面或由接合頭保持的第二對象物單純地推壓到載物台或由載物台保持的第一對象物的情況下，有時因摩擦的影響等，保持面不會完全平行。即，於現有技術中，難以將接合頭的保持面調整為相對於載物台的平面高精度地平行。
因此，於本說明書中，揭示有一種半導體裝置的製造裝置及製造方法，其能夠以簡易的順序將接合頭的保持面調整為相對於載物台的平面高精度地平行。 [解決課題之手段]
本說明書中揭示的半導體裝置的製造裝置的特徵在於包括：載物台，載置基板；接合頭，利用與所述載物台相向的保持面抽吸保持晶片，且相對於所述載物台而能夠於所述載物台的面方向及法線方向上相對地移動；仿形機構，其是設置於所述接合頭的仿形機構，且具有固定構件、以及可動構件，所述固定構件包含凹狀球面及凸狀球面的其中一者，所述可動構件包含凹狀球面及凸狀球面的另一者並以能夠與所述保持面一起相對於所述固定構件擺動的方式設置；以及控制器，執行仿形處理，所述仿形處理中，藉由使作為保持於所述保持面的所述晶片的端面或所述保持面的相向面仿效作為由所述載物台保持的基板平面或所述載物台平面的基準面，而將所述相向面調整為相對於所述基準面平行，並且所述仿形機構能夠切換為能夠實現所述可動構件的擺動的自由狀態、以及所述可動構件的擺動受到限制的鎖定狀態，所述控制器於所述仿形處理中，在所述接合頭的軸向位置到達規定的基準位置之前，於所述仿形機構為所述自由狀態的狀態下，使所述相向面抵接於所述基準面，並保持所述狀態使所述接合頭於所述基準面的面方向上相對地移動，在所述軸向位置到達所述基準位置時，將所述仿形機構切換為所述鎖定狀態。
該情況下，所述控制器可於所述仿形處理中，使所述接合頭至少於與基準面平行的四個方向上移動。
另外，所述控制器可於所述仿形處理中，將在使所述接合頭沿著預先規定的仿形路線移動的過程中，所述軸向位置最靠近所述載物台時的所述軸向位置確定為所述基準位置。
另外，所述基準位置是基於所述接合頭及載物台的配置、或者過去的仿形處理的結果而預先決定。
本說明書中揭示的半導體裝置的製造方法是藉由對載置於載物台的基板接合由具有仿形機構的接合頭的保持面抽吸保持的晶片來製造半導體裝置，所述半導體裝置的製造方法的特徵在於包括：仿形步驟，藉由使作為保持於所述保持面的所述晶片的端面或所述保持面的相向面仿效作為由所述載物台保持的基板平面或所述載物台平面的基準面，而將所述相向面調整為相對於所述基準面平行，並且所述仿形機構具有固定構件、以及可動構件，且能夠切換為能夠實現所述可動構件的擺動的自由狀態、以及所述可動構件的擺動受到限制的鎖定狀態，所述固定構件包含凹狀球面及凸狀球面的其中一者，所述可動構件包含凹狀球面及凸狀球面的另一者並以能夠與所述保持面一起相對於所述固定構件擺動的方式設置，於所述仿形步驟中，在所述接合頭的軸向位置到達規定的基準位置之前，於所述仿形機構為所述自由狀態的狀態下，使所述相向面抵接於所述基準面，並保持所述狀態使所述接合頭於所述基準面的面方向上相對地移動，在所述軸向位置到達所述基準位置時，將所述仿形機構切換為所述鎖定狀態。 [發明的效果]
根據本說明書中揭示的技術，能夠以簡易的順序將接合頭的保持面調整為相對於載物台的平面高精度地平行。
以下，參照圖式對半導體裝置的製造裝置10的結構進行說明。圖1是表示製造裝置10的結構的圖。如圖1所示，製造裝置10包括：載置基板100的載物台12、以及抽吸保持半導體晶片102的接合頭14。
載物台12能夠抽吸保持基板100，且於其內部搭載有用於對基板100進行加溫的加熱器（未圖示）。該載物台12的加溫及抽吸是由後述的控制器34控制。本例的載物台12是其鉛垂方向及水平方向上的位置不變的固定載物台，但視情況，亦可使載物台12於鉛垂方向及水平方向的至少一方向上可動。
接合頭14與載物台12相向地配置，且相對於載物台12而能夠於水平方向及鉛垂方向上移動。為了實現該接合頭14的移動，而設置有移動機構26。移動機構26例如具有馬達或油壓缸等驅動源、以及將該驅動源的動作傳遞至接合頭14的直動機構或齒輪等傳遞機構。該移動機構26的驅動是由控制器34控制。
接合頭14可於作為其前端面的保持面20，抽吸保持半導體晶片102。因此，於接合頭14的前端部形成有用於抽吸保持半導體晶片102的抽吸孔（未圖示），該抽吸孔經由空氣配管31而與真空源30連結。另外，於接合頭14的前端部內置有用於對所保持的半導體晶片102進行加熱的加熱器24。該加熱器24是由加熱器驅動部28控制。
接合頭14於利用保持面20抽吸保持半導體晶片102後，將該半導體晶片102載置於基板100表面，並進行加壓加熱，藉此將半導體晶片102接合到基板100。此處，近年來，藉由半導體製程的微細化，半導體裝置實行高積體化。為了能夠實現所述高積體化，需要高精度地保持基板100、和與該基板100接合的半導體晶片102的平行度。作為此種平行調整的手段，先前提出有被稱為測角台（goniostage）的手動角度調整設備、或夾著墊片對傾斜進行微調整的方法等。然而，此種現有的平行調整手段需要高的技巧與大量的調整時間。
因此，為了能夠以簡易的順序進行平行調整，本例的接合頭14搭載有仿形機構22。仿形機構22是內置有球面空氣靜壓軸承44（參照圖2）的空氣壓設備。以下，將接合頭14中、該仿形機構22更上側稱為「上部14u」，將更下側稱為「下部14d」。
圖2是表示該仿形機構22的結構的一例的圖。仿形機構22具有固定構件40、相對於該固定構件40可動的可動構件42、以及支持器43。由該固定構件40及可動構件42構成球面空氣靜壓軸承44。固定構件40的上端固定於接合頭14的上部14u。固定構件40的底面呈凹狀的半球面。另外，於固定構件40，形成有用於供給或抽吸空氣的空氣通路46。該空氣通路46自固定構件40的側面貫通到底面（即凹狀半球面）。於固定構件40的側面，連接有用於將該空氣通路46、與仿形機構驅動部32流體連結的空氣配管47（參照圖1）。
可動構件42被保持為相對於固定構件40能夠三維地擺動。可動構件42的下端固定於接合頭14的下部14d，可動構件42能夠與保持面20一起擺動。另外，可動構件42的上表面呈與固定構件40的凹狀半球面對應的凸狀半球面。保持器43以不妨礙可動構件42的擺動的方式保持可動構件42。
此種仿形機構22藉由自固定構件40的凹狀半球面噴出壓縮空氣，而使可動構件42與固定構件40分開，並以非接觸狀態進行支撐。藉此，可動構件42的滑動阻力大幅降低，能夠以極輕的力精密地進行旋轉運動。另外，藉由停止壓縮空氣的供給並真空抽吸可動構件42，而可將可動構件42固定為規定的姿勢。以下，將噴出壓縮空氣並允許可動構件42的擺動的狀態稱為「自由狀態」，將真空抽吸可動構件42並限制可動構件42的擺動的狀態稱為「鎖定狀態」。
此種仿形機構22的自由狀態及鎖定狀態的切換是藉由仿形機構驅動部32來進行。仿形機構驅動部32具有用於供給壓縮空氣的壓縮機（compressor）、或用於進行真空抽吸的真空源等。另外，仿形機構驅動部32的驅動是由控制器34控制。
控制器34控制製造裝置10的各部的驅動。具體而言，控制器34執行安裝處理，所述安裝處理中，驅動移動機構26或加熱器驅動部28、真空源30等而將半導體晶片102接合到基板100。另外，本例的控制器34於該安裝處理之前，亦執行仿形處理，所述仿形處理中，藉由使保持於保持面20的半導體晶片102的端面或保持面20仿效由載物台12保持的基板100平面或載物台12平面，而將兩者調整為平行。再者，以下，將保持於保持面20的半導體晶片102的端面或保持面20稱為「相向面50」，將由載物台12保持的基板100平面或載物台12平面稱為「基準面110」。
此種控制器34是具有執行各種運算的處理器、以及存儲資料及程式的記憶體的電腦。本例的控制器34於執行半導體晶片102的安裝處理之前，執行將保持面20調整成相對於載物台12平面平行的仿形處理。以下，對該仿形處理進行說明。
圖3是表示仿形處理的原理的影像圖。於圖3中，將保持面20設為相向面50，將載物台12平面設為基準面110。通常，裝置中存在軸或面的傾斜的偏移。由於此種偏移，有時相向面50會相對於基準面110傾斜。於圖3的例子中，接合頭14的上部14u的軸A相對於理想的軸A*傾斜。
為了校正此種傾斜，近年來提出有利用仿形機構22。具體而言，提出有於將仿形機構22設為自由狀態後，使保持面20抵接於基準面110，藉此進行保持面20的平行調整。於為自由狀態的情況下，可動構件42能夠以極小的力擺動。因此，理論上，如圖3的左側所示，可動構件42擺動，直至相向面50整體與基準面110接觸且相向面50與基準面110平行的姿勢。然後，若於變為平行的時間點，將仿形機構22切換為鎖定狀態，並限制可動構件42的擺動，則可高精度地保持相向面50相對於基準面110的平行度。
但是，現實是，藉由微小的阻力或配管等的自重等的影響，如圖3的右側所示，僅使相向面50抵接於基準面110，無法完全消除相向面50的傾斜，有時會殘留平行偏差。於在殘留有平行偏差的狀態下鎖定仿形機構22的情況下，無法高精度地維持相向面50相對於基準面110的平行度。
於本例中，為了更確實地減低殘留平行偏差，於將仿形機構22設為自由狀態的狀態下，使相向面50抵接於基準面110，並保持所述狀態使接合頭14於基準面110的面方向上相對地移動。藉由該移動，而容易誘發可動構件42的擺動，從而使相向面50相對於基準面110平行。
即，於可動構件42自圖3的右側所示般的存在殘留平行偏差的狀態進行擺動以成為圖3的左側所示般的完全平行時，相向面50與基準面110的接點P於外側方向（圖3右圖中的右方向）上滑動。藉由以誘發該滑動的方式使接合頭14於水平方向上、尤其是自接點P觀察時的外側方向上移動，而可動構件42容易擺動，結果，相向面50容易相對於基準面110平行。
此處，如由圖3而明確般，於變成完全平行的情況下，與存在殘留平行偏差的狀態相比，接合頭14的軸向位置Pz靠近載物台12側。因此，接合頭14的軸向位置Pz反映相向面50的平行度。
因此，於本例中，於在將仿形機構22設為自由狀態的狀態下，使接合頭14於基準面110的面方向上相對地移動時，觀察接合頭14的軸向位置Pz，在該軸向位置Pz到達規定的基準位置Pzdef時，將仿形機構22切換為鎖定狀態。此處，基準位置Pzdef可於使接合頭14於面方向上移動的過程中確定，亦可根據載物台12及接合頭14的配置等預先決定。無論哪種情況，均將可判斷為相向面50整體與基準面110接觸的軸向位置Pz設定為基準位置。
另外，根據相向面50的傾斜的朝向，可減少該傾斜的接合頭14的移動方向不同。例如，於圖3的右圖中，相向面50向右下傾斜。該情況下，與使接合頭14向左方向移動的情況相比，使接合頭14向右方向移動情況可減低殘留偏差的可能性高。但是，難以事先掌握相向面50的傾斜的朝向。因此，於使接合頭14於面方向上移動時，使其至少於與基準面110平行的四個方向上移動。例如，使接合頭14於+X方向、-X方向、+Y方向、-Y方向上移動。藉由如此使接合頭14於四個方向上移動，無論相向面50向哪一朝向傾斜，均可更確實地消除該傾斜。
圖4是表示使接合頭14移動時的路線（以下稱為「仿形路線60」）的一例的圖。於圖4的例子中，仿形路線60呈自載物台12的中心朝向外側的矩形的旋渦狀。其中，仿形路線60的形態可適宜變更，例如如圖5所示，亦可為一筆畫成的十字狀。無論哪種情況，此種仿形路線60均是預先存儲於控制器34的存儲部中。
接著，對將相向面50調整為相對於基準面110平行的仿形處理的流程進行說明。圖6是表示仿形處理的流程的流程圖。於執行仿形處理的情況下，接合頭14可保持某些晶片構件，亦可不保持。於保持有晶片構件的情況下，該晶片構件的底面成為相向面50。另外，於沒有保持晶片構件的情況下，接合頭14的保持面20成為相向面50。同樣地，載物台12亦可保持基板100，亦可不保持。於保持有基板100的情況下，該基板100的上表面成為基準面110，於沒有保持基板100的情況下，載物台12的上表面成為基準面110。
於執行仿形處理時，控制器34首先驅動仿形機構驅動部32，將仿形機構22切換為自由狀態（S10）。繼而，控制器34驅動移動機構26，使接合頭14下降，直至相向面50抵接於基準面110（S12）。關於該抵接的有無，例如可檢測來自基準面110的反作用力來判斷，亦可根據接合頭14的軸向位置Pz的變動來判斷。
若相向面50抵接於基準面110，則控制器34將仿形機構22維持為自由狀態，並保持所述狀態驅動移動機構26，使接合頭14沿著仿形路線60移動（S14）。該移動時，接合頭14的軸向位置Pz是由設置於移動機構26的位置感測器檢測。控制器34定期檢測由該位置感測器檢測到的軸向位置Pz，並存儲於存儲部中（S16）。
若沿著規定的仿形路線60的移動結束（S18中為是（Yes）），則控制器34確定存儲於存儲部中的軸向位置Pz中成為最小的（即最靠近載物台12的）最低點高度Pzmin，將該最低點高度Pzmin設定為基準位置Pzdef（S20）。繼而，控制器34判定接合頭14的當前的軸向位置Pz是否為基準位置Pzdef（S22）。於當前的軸向位置Pz為基準位置Pzdef的情況下（S22中為是），控制器34判斷為殘留平行偏差被消除，並驅動仿形機構驅動部32，將仿形機構22切換為鎖定狀態（S26）。另一方面，於當前的軸向位置Pz沒有於基準位置Pzdef出現的情況下（S22中為否（No）），控制器34驅動移動機構26，使接合頭14於與基準面110平行的方向上移動（S24）。此時的移動路線可與仿形路線60相同，亦可不同。無論哪種情況，若移動的結果是當前的軸向位置Pz到達基準位置Pzdef（S22中為是），則將仿形機構22切換為鎖定狀態（S26）。
如由以上說明而明確般，於本例中，在使相向面50抵接於基準面110後，亦維持自由狀態，並保持所述狀態使接合頭14於面方向上移動。結果，可更確實地減輕因摩擦或配管的自重等而產生的殘留平行偏差，可高地維持相向面50相對於基準面110的平行度。另外，於本例中，基於使接合頭14於面方向上移動的過程中所獲得的軸向位置Pz，設定基準位置Pzdef。結果，即便接合頭14與載物台12的配置由於經年變化等而與設計時相比發生變化，亦可設定適當的基準位置Pzdef。
接著，對另一例的仿形處理的流程進行說明。圖7是表示另一例的仿形處理的流程的流程圖。於該仿形處理中，控制器34預先設定基準位置Pzdef，並存儲於存儲部中。該基準位置Pzdef可根據載物台12及接合頭14的配置關係、即兩者的設計上的尺寸值及位置來決定。另外，作為另一形態，基準位置Pzdef亦可根據過去的仿形處理的結果來決定。例如，亦可將以圖6的順序於過去進行仿形處理時所獲得的最低點高度Pzmin設定為基準位置Pzdef。
於執行仿形處理時，與圖6的例子同樣地，控制器34於將仿形機構22切換為自由狀態後，使接合頭14下降，直至相向面50抵接於基準面110（S30）。繼而，控制器34使接合頭14沿著規定的仿形路線60於面方向上移動（S34）。此時，控制器34定期檢測接合頭14的軸向位置Pz（S36），同時將所檢測到的軸向位置Pz與基準位置Pzdef進行比較（S38）。
於比較的結果是軸向位置Pz超過基準位置Pzdef的情況下，控制器34返回到步驟S34，繼續接合頭14的面方向上的移動。另一方面，於軸向位置Pz為基準位置Pzdef以下的情況下，控制器34判斷為殘留平行偏差被消除，並驅動仿形機構驅動部32，將仿形機構22切換為鎖定狀態（S40）。
如由以上的說明而明確般，於本例中，亦是在使相向面50抵接於基準面110後，亦維持自由狀態，並保持所述狀態使接合頭14於面方向上移動，因此可高地維持相向面50相對於基準面110的平行度。另外，於本例中，在軸向位置Pz到達預先設定的基準位置Pzdef的時間點，停止接合頭14的面方向上的移動。結果，與圖6的處理相比，可比較早地結束仿形處理。
再者，此前說明的結構均是一例，若於保持自由狀態的狀態下使接合頭14於面方向上移動，並在軸向位置Pz到達規定的基準位置Pzdef時切換為鎖定狀態，則其他結構亦可適宜地變更。例如，於所述例子中，使接合頭14於與基準面110平行的四個方向上移動，但未必必須使接合頭14於四個方向上移動。
例如，於可預先預測相向面50的傾斜的朝向的情況下，亦可使接合頭14僅於可消除所預測到的傾斜的方向上移動。即，於可動構件42及仿形機構22的下部14d連接有用於供給或抽吸空氣的配管、或電氣配線等。藉由此種配管及電氣配線的重量，仿形機構22於剛切換為自由狀態後，有時會向一個方向大幅傾斜。此種大的傾斜容易成為殘留平行偏差的原因。於為由該配管及電氣配線引起的殘留平行偏差的情況下，可根據配管及電氣配線的位置來預測相向面50的傾斜的朝向。因此，亦可根據配管及電氣配線的位置預測相向面50的傾斜的朝向，使接合頭14僅於可消除所預測到的傾斜的方向、即、為右下的情況下為右方向上移動。另外，於使接合頭14於四個方向上移動的情況下，亦可預測相向面50的傾斜的朝向，首先使接合頭14於可消除該預測到的傾斜的方向上移動。藉由設為所述結構，可於初期的動作中大幅減低殘存的傾斜，因此若為圖7的處理，則可縮短處理所需的時間。
另外，於所述說明中，仿形機構22的固定構件40具有凹狀球面，可動構件42具有凸狀球面，該些亦可相反，固定構件40可具有凸狀球面，可動構件42可具有凹狀球面。另外，於所述說明中，為接合頭14移動的結構，但亦可代替接合頭14而使載物台12活動，或者除了接合頭14以外，亦使載物台12活動。另外，於圖3的例子中，將保持面20設為相向面50，但亦可於仿形處理中，於保持面20保持晶片構件、例如平行調整專用的晶片構件，並將該晶片的端面處理為相向面50。同樣地，於圖3的例子中，將載物台12的上表面設為基準面110，但亦可於仿形處理中，於載物台12保持基板100、例如平行調整專用的基板100，並將該基板100的上表面處理為基準面110。
10:製造裝置 12:載物台 14:接合頭 14u:上部 14d:下部 20:保持面 22:仿形機構 24:加熱器 26:移動機構 28:加熱器驅動部 30:真空源 31:空氣配管 32:仿形機構驅動部 34:控制器 40:固定構件 42:可動構件 43:支持器 44:球面空氣靜壓軸承 46:空氣通路 47:空氣配管 50:相向面 60:仿形路線 100:基板 102:半導體晶片 110:基準面 A、A*:軸 P:接點 S10～S40:步驟
圖1是表示半導體裝置的製造裝置的結構的圖。 圖2是表示仿形機構的結構的圖。 圖3是說明仿形處理的原理的圖。 圖4是表示仿形路線的一例的圖。 圖5是表示仿形路線的另一例的圖。 圖6是表示仿形處理的流程的流程圖。 圖7是表示另一例的仿形處理的流程的流程圖。
12:載物台
14u:上部
14d:下部
20:保持面
40:固定構件
42:可動構件
44:球面空氣靜壓軸承
50:相向面
110:基準面
A、A*:軸
P:接點

Claims (5)

  1. 一種半導體裝置的製造裝置，其特徵在於包括： 載物台，載置基板； 接合頭，利用與所述載物台相向的保持面抽吸保持晶片，且相對於所述載物台而能夠於所述載物台的面方向及法線方向上相對地移動； 仿形機構，其是設置於所述接合頭的仿形機構，且具有固定構件、以及可動構件，所述固定構件包含凹狀球面及凸狀球面的其中一者，所述可動構件包含凹狀球面及凸狀球面的另一者並以能夠與所述保持面一起相對於所述固定構件擺動的方式設置；以及 控制器，執行仿形處理，所述仿形處理中，藉由使作為保持於所述保持面的所述晶片的端面或所述保持面的相向面仿效作為由所述載物台保持的基板平面或所述載物台平面的基準面，而將所述相向面調整為相對於所述基準面平行，並且 所述仿形機構能夠切換為能夠實現所述可動構件的擺動的自由狀態、以及所述可動構件的擺動受到限制的鎖定狀態， 所述控制器於所述仿形處理中，在所述接合頭的軸向位置到達規定的基準位置之前，於所述仿形機構為所述自由狀態的狀態下，使所述相向面抵接於所述基準面，並保持所述狀態使所述接合頭於所述基準面的面方向上相對地移動，在所述軸向位置到達所述基準位置時，將所述仿形機構切換為所述鎖定狀態。
  2. 如請求項1所述的半導體裝置的製造裝置，其中 所述控制器於所述仿形處理中，使所述接合頭至少於與基準面平行的四個方向上移動。
  3. 如請求項1或請求項2所述的半導體裝置的製造裝置，其中 所述控制器於所述仿形處理中，將在使所述接合頭沿著預先規定的仿形路線移動的過程中，所述軸向位置最靠近所述載物台時的所述軸向位置確定為所述基準位置。
  4. 如請求項1或請求項2所述的半導體裝置的製造裝置，其中 所述基準位置是基於所述接合頭及載物台的配置、或者過去的仿形處理的結果而預先決定。
  5. 一種半導體裝置的製造方法，其藉由對載置於載物台的基板接合由具有仿形機構的接合頭的保持面抽吸保持的晶片來製造半導體裝置，所述半導體裝置的製造方法的特徵在於包括： 仿形步驟，藉由使作為保持於所述保持面的所述晶片的端面或所述保持面的相向面仿效作為由所述載物台保持的基板平面或載物台平面的基準面，而將所述相向面調整為相對於所述基準面平行，並且 所述仿形機構具有固定構件、以及可動構件，且能夠切換為能夠實現所述可動構件的擺動的自由狀態、以及所述可動構件的擺動受到限制的鎖定狀態，所述固定構件包含凹狀球面及凸狀球面的其中一者，所述可動構件包含凹狀球面及凸狀球面的另一者並以能夠與所述保持面一起相對於所述固定構件擺動的方式設置， 於所述仿形步驟中，在所述接合頭的軸向位置到達規定的基準位置之前，於所述仿形機構為所述自由狀態的狀態下，使所述相向面抵接於所述基準面，並保持所述狀態使所述接合頭於所述基準面的面方向上相對地移動，在所述軸向位置到達所述基準位置時，將所述仿形機構切換為所述鎖定狀態。
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