TW202208978A - 製造光罩的系統、方法、及程式產品 - Google Patents

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Abstract

本發明提供用於自與展現晶圓上之缺陷之一光罩相關之經獲得圖案資訊構建一光罩之方法及系統。對該圖案資訊進行空間域分析，使得可產生校正性光罩結構，且將該等校正性光罩結構應用至一光罩佈局。使用該等校正性光罩結構來構建一光罩。驗證該光罩之有效性。

Description

製造光罩的系統、方法、及程式產品
本發明大體上係關於用於製造在矽晶圓上製造積體電路時使用之光罩之系統及方法。
遮罩技術係使用於邏輯及記憶體程序之先進積體電路技術節點能夠發展之關鍵。特定而言，當突破光學及EUV微影之傳統極限時，在很大程度上依賴遮罩以便達成足夠程序窗(PW)及最終良率。遮罩製造極限對如何最大化遮罩之準確性及一致性提出技術挑戰，因為線寬隨著各新一代先進積體電路技術而變得愈來愈小。在生產線全力以赴運行以支援晶圓特性化之情況下，遮罩程序改良之晶圓驗證可能非常困難且耗時。因此，其對遮罩製造商及晶圓平版印刷工係有用的，前提是有一種方法更高效地及有效地提供圖案保真度增強解決方案，而圖案保真度包含但不限於臨界尺寸均勻性(CDU—全域及局部、隅角圓化、H/V偏置、複雜2D圖案重現、LER、增強解析度…)。
當前，在微影感知LAMA應用內利用一套遮罩及晶圓分析技術，可預測一維(1D)及二維(2D)結構(諸如在金屬、接觸件、多晶矽上發現之結構)上之晶圓缺陷率且最佳化一遮罩程序以增強圖案保真度效能。接觸孔面積損失、隅角圓化(CR)及非對稱孔上之遮罩程序引發的x-y誤差等對如何最佳化以遞送所需能力提出技術挑戰。另外，亞解析度輔助特徵(SRAF)提出可藉由此技術解決之進一步技術挑戰。在遮罩上解決此等問題帶來重大技術挑戰，尤其在尋求擴展上一代設備之程序能力時。需要一種遮罩顯影程序來克服此等技術挑戰。
另外，隨著IC技術節點進展對遮罩效能之更高要求，諸如單束寫入工具之習知工具可能不再提供所要望結果來滿足此等更高標準，而同時此等習知工具不一定出於其他目的而顯得過時。因此，需要擴展習知工具之能力以允許其等在更高遮罩效能領域中使用，諸如在EUVL領域中。
需要可開發出一種藉由其一光罩可克服前述問題之系統及方法。
本發明使用用於利用微影感知遮罩程序校正應用(LAMA)技術製造一光罩之新及改良的電腦系統及方法，解決為了積體電路良率而在EUVL及光學微影中達成增強的圖案保真度之挑戰。如下文所描述，LAMA係一多步驟資料流，其中遮罩程序LAMA保真度與晶圓程序調和以增強微影效能及良率圖案化。在LAMA技術之實施例中，基於預存光罩資料之空間域分析及/或已構建之遮罩之一SEM影像輪廓提取分析設計一LAMA量規圖案。接著將由校正性光罩結構組成之經設計LAMA量規圖案併入至一遮罩中。在實施例中，使用設計規則檢查及/或圖案匹配軟體來判定遮罩資料中存在之結構且藉由一空間域分析量化彼等結構中之缺陷，包含但不限於描述性圖案搜尋、特徵統計分析及設計密度圖。因此識別可能受益於LAMA之結構。構建一初始遮罩以便獲得判定用於遮罩結構之最佳校正方法所需之遮罩級資料。基於此，將一LAMA校正指令檔應用至後續遮罩資料產生。接著，構建被應用LAMA之一最終遮罩。可在遮罩程序校正、OPC或任何其他遮罩製備步驟期間應用LAMA校正以產生待在生產中使用之遮罩資料。
在實施例中，一種製造一光罩之方法包括：(a)自一晶圓之一掃描電子顯微鏡(SEM)影像偵測晶圓缺陷；(b)自一先前製造光罩之一SEM影像提取複數個遮罩輪廓，其中該等經提取遮罩輪廓可對應於該等經偵測晶圓缺陷；(c)使用該複數個經提取遮罩輪廓產生一經模擬製造晶圓；(d)在該經模擬製造晶圓上偵測一或多個缺陷；(e)基於該經模擬製造晶圓上之該等缺陷判定該光罩之一或多個有問題區域；(f)獲得與該先前製造光罩之該等有問題區域相關之圖案資訊；(g)對該圖案資訊進行一空間域分析；(h)基於該空間域分析，判定展現一或多個對應缺陷之複數個光罩結構圖案；(i)基於該空間域分析自該複數個光罩結構圖案產生複數個潛在經校正光罩結構圖案，其中該產生包括：(i)選擇待應用至展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案之複數個處理；及(ii)針對各選定處理，選擇對應於該處理之複數個參數；及(iii)將該等選定處理與該等選定參數應用至展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案；(j)將該等潛在校正性光罩結構圖案併入至一測試光罩中；(k)分析該測試光罩上之該等潛在校正性光罩結構圖案；(l)自該複數個潛在校正性光罩結構圖案選擇複數個校正性光罩結構圖案；(m)基於該測試光罩上之該複數個校正性遮罩結構圖案之該分析產生一或多個光罩圖案校正指令檔；(n)執行該一或多個光罩圖案校正指令檔以將該複數個校正性光罩結構圖案之一或多者應用至一全層之一光罩佈局；(o)基於該最終光罩佈局構建其中併入有該複數個校正性光罩結構圖案之該一或多者之該全層之一光罩；(p)確認已將該一或多個校正性光罩結構圖案應用至該最終光罩；及(q)判定基於其中併入有該複數個校正性光罩結構圖案之該一或多者之該光罩產生之一晶圓上之複數個位置未展現對應於一先前製造光罩之該一或多個缺陷之缺陷。
在實施例中，該圖案資訊包括對應於一先前製造光罩之一佈局之一或多個資料檔案。
在實施例中，該空間域分析包括：(i)對該圖案資訊進行一圖案描述性搜尋；(ii)基於該圖案描述性搜尋自該圖案資訊識別光罩結構；及(iii)產生對應於該等經識別光罩結構之一圖。在實施例中，基於對應於該等經識別光罩結構之該圖識別展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案。
在實施例中，分析該測試光罩上之該等校正性光罩結構圖案包括：(i)基於該光罩執行一製造模擬程序；及(ii)評估該製造模擬程序之結果。
在實施例中，將該等潛在校正性光罩結構圖案併入至一經製造光罩上之未使用空間中。
在實施例中，一種製造一光罩之方法包括：(a)自一晶圓之一掃描電子顯微鏡(SEM)影像偵測晶圓缺陷；(b)自一先前製造光罩之一SEM影像提取複數個遮罩輪廓，其中該等經提取遮罩輪廓對應於該等經偵測晶圓缺陷；(c)使用該複數個經提取遮罩輪廓產生一經模擬製造晶圓；(d)在該經模擬製造晶圓上偵測一或多個缺陷；(e)基於該經模擬製造晶圓上之該等缺陷判定該先前製造光罩之一或多個問題區域；(f)獲得與該先前製造光罩之該等問題區域相關之圖案資訊；(g)對該圖案資訊進行一空間域分析；(h)基於該空間域分析，判定展現一或多個對應缺陷之複數個光罩結構圖案；(i)基於該空間域分析自該複數個光罩結構圖案產生複數個校正性光罩結構圖案，其中該產生包括：(i)選擇待應用至展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案之複數個處理；及(ii)針對各選定處理，選擇對應於該處理之複數個參數；及(iii)將該等選定處理與該等選定參數應用至展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案；(j)基於該複數個校正性光罩結構圖案產生一或多個光罩圖案校正指令檔；(k)執行該一或多個光罩圖案校正指令檔以將該複數個校正性光罩結構圖案之一或多者應用至一光罩佈局；(l)基於一層之最終光罩佈局構建其中併入有該複數個校正性光罩結構圖案之該一或多者之一光罩；(m)確認已將該一或多個校正性光罩結構圖案應用至該光罩；及(n)判定基於其中併入有該複數個校正性光罩結構圖案之該一或多者之該光罩產生之一晶圓上之複數個位置未展現對應於一先前製造光罩之該一或多個缺陷之缺陷。
在實施例中，該圖案資訊包括對應於一先前製造光罩之一佈局之一或多個資料檔案。
在實施例中，該空間域分析包括：(i)對該圖案資訊進行一圖案描述性搜尋；(ii)基於該圖案描述性搜尋自該圖案資訊識別光罩結構；及(iii)產生對應於該等經識別光罩結構之一圖。在實施例中，基於對應於該等經識別光罩結構之該圖識別展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案。
在實施例中，將該等校正性光罩結構圖案併入至一先前製造光罩上之未使用空間中。
在實施例中，一種用於製造一光罩之系統包括：一或多個處理單元；及一記憶體，其中該一或多個處理單元經組態以執行機器可讀指令，該等機器可讀指令在經執行時致使該系統執行：(a)自一晶圓之一掃描電子顯微鏡(SEM)影像偵測晶圓缺陷；(b)自一先前製造光罩之一SEM影像提取複數個遮罩輪廓，其中該等經提取遮罩輪廓對應於該等經偵測晶圓缺陷；(c)使用該複數個經提取遮罩輪廓產生一經模擬製造晶圓；(d)在該經模擬製造晶圓上偵測一或多個缺陷；(e)基於該經模擬製造晶圓上之該等缺陷判定該光罩之一或多個有問題區域；(f)獲得與該先前製造光罩之該等有問題區域相關之圖案資訊；(g)對該圖案資訊進行一空間域分析；(h)基於該空間域分析，判定展現一或多個對應缺陷之複數個光罩結構圖案；(i)基於該空間域分析自該複數個光罩結構圖案產生複數個潛在經校正光罩結構圖案，其中該產生包括：(i)選擇待應用至展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案之複數個處理；及(ii)針對各選定處理，選擇對應於該處理之複數個參數；及(iii)將該等選定處理與該等選定參數應用至展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案；(j)將該等潛在校正性光罩結構圖案併入至一測試光罩中；(k)分析該測試光罩上之該等潛在校正性光罩結構圖案；(l)自該複數個潛在校正性光罩結構圖案選擇複數個校正性光罩結構圖案；(m)基於該測試光罩上之該複數個校正性遮罩結構圖案之該分析產生一或多個光罩圖案校正指令檔；(n)執行該一或多個光罩圖案校正指令檔以將該複數個校正性光罩結構圖案之一或多者應用至一全層之一光罩佈局；(o)基於該最終光罩佈局構建其中併入有該複數個校正性光罩結構圖案之該一或多者之該全層之一光罩；(p)確認已將該一或多個校正性光罩結構圖案應用至該最終光罩；及(q)判定基於其中併入有該複數個校正性光罩結構圖案之該一或多者之該光罩產生之一晶圓上之複數個位置未展現對應於一先前製造光罩之該一或多個缺陷之缺陷。
在實施例中，該圖案資訊包括對應於一先前製造光罩之一佈局之一或多個資料檔案。
在實施例中，該空間域分析包括：(i)對該圖案資訊進行一圖案描述性搜尋；(ii)基於該圖案描述性搜尋自該圖案資訊識別光罩結構；及(iii)產生對應於該等經識別光罩結構之一圖。在實施例中，基於對應於該等經識別光罩結構之該圖識別展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案。
在實施例中，分析該測試光罩上之該等校正性光罩結構圖案包括：(i)基於該測試光罩執行一製造模擬程序；及(ii)在視覺上檢驗該製造模擬程序之一結果。
在實施例中，將該等潛在校正性光罩結構圖案併入至一先前製造光罩上之未使用空間中。
在實施例中，一種用於製造一光罩之系統包括：一或多個處理單元；及一記憶體，其中該一或多個處理單元經組態以執行機器可讀指令，該等機器可讀指令在經執行時致使該系統執行：(a)自一晶圓之一掃描電子顯微鏡(SEM)影像偵測晶圓缺陷；(b)自一先前製造光罩之一SEM影像提取複數個遮罩輪廓，其中該等經提取遮罩輪廓對應於該等經偵測晶圓缺陷；(c)使用該複數個經提取遮罩輪廓產生一經模擬製造晶圓；(d)在該經模擬製造晶圓上偵測一或多個缺陷；(e)基於該經模擬製造晶圓上之該等缺陷判定該先前製造光罩之一或多個問題區域；(f)獲得與該先前製造光罩之該等問題區域相關之圖案資訊；(g)對該圖案資訊進行一空間域分析；(h)基於該空間域分析，判定展現一或多個對應缺陷之複數個光罩結構圖案；(i)基於該空間域分析自該複數個光罩結構圖案產生複數個校正性光罩結構圖案，其中該產生包括：(i)選擇待應用至展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案之複數個處理；及(ii)針對各選定處理，選擇對應於該處理之複數個參數；及(iii)將該等選定處理與該等選定參數應用至展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案；(j)基於該複數個校正性光罩結構圖案產生一或多個光罩圖案校正指令檔；(k)執行該一或多個光罩圖案校正指令檔以將該複數個校正性光罩結構圖案之一或多者應用至一光罩佈局；(l)基於一層之最終光罩佈局構建其中併入有該複數個校正性光罩結構圖案之該一或多者之一光罩；(m)確認已將該一或多個校正性光罩結構圖案應用至該光罩；及(n)判定基於其中併入有該複數個校正性光罩結構圖案之該一或多者之該光罩產生之一晶圓上之複數個位置未展現對應於一先前製造光罩之該一或多個缺陷之缺陷。
在實施例中，該圖案資訊包括對應於一先前製造光罩之一佈局之一或多個資料檔案。
在實施例中，該空間域分析包括：(i)對該圖案資訊進行一圖案描述性搜尋；(ii)基於該圖案描述性搜尋自該圖案資訊識別光罩結構；及(iii)產生對應於該等經識別光罩結構之一圖。在實施例中，基於對應於該等經識別光罩結構之該圖識別展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案。
在實施例中，將該等校正性光罩結構圖案併入至一先前製造光罩上之未使用空間中。
在實施例中，一種遮罩設計校正系統，其包括一或多個電腦系統，各電腦系統包含經可操作地連接至一或多個記憶體裝置之一或多個處理器及經儲存於該一或多個記憶體裝置中且經程式化以在該一或多個處理器之一或多者上運行的複數個模組，該複數個模組包括：(a)一掃描模組，其經組態以：(1)掃描一晶圓中之一層之一第一掃描電子顯微鏡(SEM)影像；(2)自一晶圓之該第一SEM影像偵測晶圓缺陷；及(3)輸出該晶圓上具有該等晶圓缺陷之位置；(b)一輪廓提取模組，其經可操作地連接至該掃描模組且經組態以：(1)獲得該晶圓上具有晶圓缺陷之該等位置；及(2)自與該晶圓中之該層相關聯之一先前製造光罩之一第二SEM影像提取複數個遮罩輪廓，其中該等經提取遮罩輪廓對應於該先前製造光罩上對應於該晶圓之該等經偵測晶圓缺陷的位置；(c)一模擬模組，其經可操作地連接至該輪廓提取模組且經組態以：(1)獲得該複數個經提取遮罩輪廓；及(2)使用該複數個經提取遮罩輪廓來產生一經模擬製造晶圓；(d)一偵測模組，其經可操作地連接至該模擬模組且經組態以：(1)獲得該經模擬製造晶圓；(2)在該經模擬製造晶圓上偵測一或多個缺陷；(3)輸出包含該經模擬製造晶圓上之該等缺陷的資料；(e)一光罩分析模組，其經可操作地連接至該偵測模組且經組態以：(1)獲得包含該經模擬製造晶圓上之該等缺陷的該資料；(2)基於包含該經模擬製造晶圓上之該等缺陷的該資料來判定該先前製造光罩的一或多個有問題區域；及(3)產生與該先前製造光罩之該等有問題區域相關的圖案資訊；(f)一空間域分析模組，其經可操作地連接至該光罩分析模組且經組態以：(1)獲得與該先前製造光罩之該等問題區域相關的該圖案資訊；(2)對該圖案資訊進行一空間域分析；及(3)輸出該空間域分析之一結果；(g)一圖案識別模組，其經可操作地連接至該空間域分析模組且經組態以：(1)獲得該空間域分析之該結果；(2)基於該空間域分析之該結果，判定展現一或多個對應缺陷的複數個光罩結構圖案；(3)輸出對應於展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案的資料；(h)一圖案產生模組，其經可操作地連接至該圖案識別模組且經組態以：(1)獲得對應於展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案的該資料；(2)選擇待應用至展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案的複數個處理；及(3)針對各選定處理，選擇對應於該處理之複數個參數；(4)將該等選定處理與該等選定參數應用至展現一或多個對應缺陷的該複數個光罩結構圖案；(5)基於該空間域分析，自該複數個光罩結構圖案產生該複數個潛在校正性光罩結構圖案；(6)將該等潛在校正性光罩結構圖案併入至一測試光罩中；(7)分析該測試光罩上之該等潛在校正性光罩結構圖案；(8)自該複數個潛在校正性光罩結構圖案選擇及輸出複數個校正性光罩結構圖案；及(i)一指令檔模組，其經可操作地連接至該圖案選擇模組且經組態以：(1)獲得該複數個校正性光罩結構圖案；(2)基於該複數個校正性光罩結構圖案來產生一或多個光罩圖案校正指令檔；及(3)執行該一或多個光罩圖案校正指令檔，以將該複數個校正性光罩結構圖案之一或多者應用至一光罩佈局。
在實施例中，該圖案資訊包括對應於一先前製造光罩之一佈局之一或多個資料檔案。
在實施例中，該空間域分析包括：(i)對該圖案資訊進行一圖案描述性搜尋；(ii)基於該圖案描述性搜尋自該圖案資訊識別光罩結構；及(iii)產生對應於該等經識別光罩結構之一圖。在實施例中，基於對應於該等經識別光罩結構之該圖識別展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案。
在實施例中，分析該測試光罩上之該等校正性光罩結構圖案包括：(i)基於該測試光罩執行一製造模擬程序；及(ii)在視覺上檢驗該製造模擬程序之一結果。
在實施例中，將該等潛在校正性光罩結構圖案併入至一先前製造光罩上之未使用空間中。
在實施例中，一種遮罩設計校正系統，其包括一或多個電腦系統，各電腦系統包含可操作地連接至一或多個記憶體裝置之一或多個處理器及儲存於該一或多個記憶體裝置中且經程式化以在該一或多個處理器之一或多者上運行之複數個模組，該複數個模組包括：(a)一掃描模組，其經組態以：(1)掃描一晶圓中之一層之一第一掃描電子顯微鏡(SEM)影像；(2)自一晶圓之該第一SEM影像偵測晶圓缺陷；及(3)輸出該晶圓上具有該等晶圓缺陷之位置；(b)一輪廓提取模組，其可操作地連接至該掃描模組且經組態以：(1)獲得該晶圓上具有晶圓缺陷之該等位置；及(2)自與該晶圓中之該層相關聯之一先前製造光罩之一第二SEM影像提取複數個遮罩輪廓，其中該等經提取遮罩輪廓對應於該先前製造光罩上對應於該晶圓之該等經偵測晶圓缺陷之位置；(c)一模擬模組，其可操作地連接至該輪廓提取模組且經組態以：(1)獲得該複數個經提取遮罩輪廓；及(2)使用該複數個經提取遮罩輪廓產生一經模擬製造晶圓；(d)一偵測模組，其可操作地連接至該模擬模組且經組態以：(1)獲得該經模擬製造晶圓；(2)在該經模擬製造晶圓上偵測一或多個缺陷；(3)輸出包含該經模擬製造晶圓上之該等缺陷之資料；(e)一光罩分析模組，其可操作地連接至該偵測模組且經組態以：(1)獲得包含該經模擬製造晶圓上之該等缺陷之該資料；(2)基於包含該經模擬製造晶圓上之該等缺陷之該資料判定該先前製造光罩之一或多個有問題區域；及(3)產生與該先前製造光罩之該等有問題區域相關之圖案資訊；(f)一空間域分析模組，其可操作地連接至該光罩分析模組且經組態以：(1)獲得與該先前製造光罩之該等問題區域相關之該圖案資訊；(2)對該圖案資訊進行一空間域分析；及(3)輸出該空間域分析之一結果；(g)一圖案識別模組，其可操作地連接至該空間域分析模組且經組態以：(1)獲得該空間域分析之該結果；(2)基於該空間域分析之該結果，判定展現一或多個對應缺陷之複數個光罩結構圖案；(3)輸出對應於展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案之資料；(h)一圖案產生模組，其可操作地連接至該圖案識別模組且經組態以：(1)獲得對應於展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案之該資料；(2)選擇待應用至展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案之複數個處理；及(3)針對各選定處理，選擇對應於該處理之複數個參數；及(4)將該等選定處理與該等選定參數應用至展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案；(5)基於該空間域分析自該複數個光罩結構圖案產生該複數個校正性光罩結構圖案；及(i)一指令檔模組，其可操作地連接至該圖案產生模組且經組態以(1)獲得該複數個校正性光罩結構圖案；(2)基於該複數個校正性光罩結構圖案產生一或多個光罩圖案校正指令檔；及(3)執行該一或多個光罩圖案校正指令檔以將該複數個校正性光罩結構圖案之一或多者應用至一光罩佈局。
在實施例中，該圖案資訊包括對應於一先前製造光罩之一佈局之一或多個資料檔案。
在實施例中，該空間域分析包括：(i)對該圖案資訊進行一圖案描述性搜尋；(ii)基於該圖案描述性搜尋自該圖案資訊識別光罩結構；及(iii)產生對應於該等經識別光罩結構之一圖。在實施例中，基於對應於該等經識別光罩結構之該圖識別展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案。
在實施例中，將該等校正性光罩結構圖案併入至一先前製造光罩上之未使用空間中。
本發明大體上係關於用於創建遮罩之系統及方法，該等系統及方法解決使用EUV及光學微影在晶圓上製造積體電路時之問題。
在實施例中，使用輪廓提取之LAMA特性化方法可用來特性化程序改良及預測晶圓效能。所需之遮罩程序改良包含實體遮罩程序組件以及寫入資料最佳化技術(即，遮罩程序校正(MPC))兩者。
EUVL中之遮罩圖案保真度係尤其重要的。在實施例中，使用LAMA方法進行遮罩及晶圓程序共同開發之一方法如圖19中所展示般示範具有接觸孔之1D結構上之遮罩保真度改良，而問題本質上係2D的。此現象導致光罩上之高局部CD均勻性(LCDU)誤差，其導致晶圓上之LCDU誤差。此可藉由如圖21中所展示之LAMA處理技術予以稍微減輕。
圖1描繪根據實施例之一遮罩設計校正性系統之一方塊圖。遮罩設計校正性系統100可使用例如一或多個桌上型電腦、伺服器級電腦、膝上型電腦、平板電腦及智慧型電話等來實施(後文中稱為遮罩設計校正系統)。一或多個運算裝置可以一有線或無線區域網路、一廣域網路、網際網路或經由一雲運算平台等耦合。
如圖中所展示，遮罩設計校正性系統100包含掃描模組105。在實施例中，掃描模組105經組態以掃描一晶圓中之一層之一第一掃描電子顯微鏡(SEM)影像，自一晶圓之第一SEM影像偵測晶圓缺陷，且輸出晶圓上具有晶圓缺陷之位置。輪廓提取模組110經組態以獲得晶圓上具有晶圓缺陷之位置且自與晶圓中之層相關聯之一先前製造光罩之一第二SEM影像提取複數個遮罩輪廓，其中經提取遮罩輪廓對應於先前製造光罩上對應於晶圓之經偵測晶圓缺陷之位置。模擬模組115經組態以獲得複數個經提取遮罩輪廓且使用複數個經提取遮罩輪廓產生一經模擬製造晶圓。偵測模組120經組態以獲得經模擬製造晶圓，偵測經模擬製造晶圓上之一或多個缺陷，且輸出包含經模擬製造晶圓上之缺陷之資料。光罩分析模組125經組態以獲得包含經模擬製造晶圓上之缺陷之資料，基於包含經模擬製造晶圓上之缺陷之資料判定先前製造光罩之一或多個有問題區域，且產生與先前製造光罩之有問題區域相關之圖案資訊。空間域分析模組130經組態以獲得與先前製造光罩之問題區域相關之圖案資訊，對圖案資訊進行一空間域分析，且輸出空間域分析之一結果。圖案識別模組135經組態以獲得空間域分析之結果，基於空間域分析之結果判定展現一或多個對應缺陷之複數個光罩結構圖案，且輸出對應於展現一或多個對應缺陷之複數個光罩結構之資料。圖案產生模組140經組態以獲得對應於展現一或多個對應缺陷之複數個光罩結構圖案之資料，選擇待應用至展現一或多個對應缺陷之複數個光罩結構圖案之複數個處理，針對各選定處理選擇對應於該處理之複數個參數，將選定處理與選定參數應用至展現一或多個對應缺陷之複數個光罩結構圖案，基於空間域分析自複數個光罩結構圖案產生複數個潛在校正性光罩結構圖案，將潛在校正性光罩結構圖案併入至一測試光罩中，分析測試光罩上之潛在校正性光罩結構圖案且自複數個潛在校正性光罩結構圖案選擇及輸出複數個校正性光罩結構圖案。指令檔模組145經組態以獲得複數個校正性光罩結構圖案，基於複數個校正性光罩結構圖案產生一或多個光罩圖案校正指令檔，且執行一或多個光罩圖案校正指令檔以將複數個校正性光罩結構圖案之一或多者應用至一光罩佈局。
圖2係根據本發明之實例性實施例之一程序流程之一流程圖。所描繪程序流程展示由一遮罩設計校正性系統(諸如圖1中所描繪之系統100)之實施例實行之步驟。該程序流程包含一資料分析步驟，其中執行一空間域分析以識別需要校正之遮罩結構。另外，可執行SEM影像輪廓分析。一設計及嵌入LAM量規圖案步驟基於資料分析設計LAMA圖案且將該等圖案併入至一測試遮罩中。一LAMA圖案分析及解決方案步驟分析測試遮罩上之LAMA圖案且構建一客製化LAMA解決方案。接下來，將LAMA圖案應用至一遮罩佈局且構建及驗證一最終遮罩。最後，執行輪廓提取以評估最終遮罩之預測性晶圓效能。
圖3A至圖3C繪示根據本發明之一實例性實施例之一方法300之一程序流程。在實施例中，所繪示程序流程可由一或多個運算裝置來實行，諸如舉例而言，一或多個桌上型電腦、伺服器級電腦、膝上型電腦、平板電腦及智慧型電話等(後文中稱為遮罩設計校正系統)。一或多個運算裝置可以一有線或無線區域網路、一廣域網路、網際網路，或經由一雲運算平台等耦合。在實施例中，該網路將係一安全網路。
方法300開始於步驟S302。在步驟S302，在實施例中，使用空間域分析來識別由實行該方法之一遮罩設計校正系統分析之晶圓中之一層之弱點候選者及/或SEM影像。遮罩設計校正系統分析晶圓之SEM影像之缺陷，諸如舉例而言，斷線及微橋等。亦可存在可在不脫離本發明之範疇或精神之情況下解決之其他缺陷。在實施例中，可使用經識別缺陷來識別光罩設計中待分析及/或校正之對應區域。在實施例中，步驟S302可由可識別一晶圓之一層中之潛在熱點或弱點或誤差之其他程序取代。
在步驟S304，於實施例中，遮罩設計校正系統提取一光罩之一SEM影像之一遮罩輪廓，其中該光罩係用來製造該晶圓之對應光罩。在其中於步驟S302中使用一晶圓之一SEM影像的實施例中，該光罩對應於該晶圓中與該晶圓之SEM影像相關聯的層。在其中使用其他程序來識別一晶圓之一層中之熱點的實施例中，該光罩對應於該晶圓中與(若干)經識別熱點相關聯的層。根據實施例，基於SEM影像中經識別之展現缺陷的區域來提取一遮罩輪廓。在實施例中，可基於該光罩之一SEM影像及/或該光罩之設計資料等來執行該提取。
接下來，在步驟S306，遮罩設計校正系統使用經提取遮罩輪廓作為一輸入來運行一製造模擬程序。該模擬產生一經模擬製造晶圓，接著可針對類似於在步驟S302中於實體晶圓上偵測到之缺陷的缺陷或其他經識別實際及/或潛在熱點來分析該經模擬製造晶圓。
在步驟S308，遮罩設計校正系統在經模擬製造晶圓上偵測一或多個缺陷。遮罩設計校正系統可藉由利用視覺檢驗工具、光學檢驗工具、臨界尺寸量測工具等來偵測缺陷或弱點候選者。
在步驟S310，遮罩設計校正系統基於使用LAMA遮罩及晶圓調和模擬偵測到之缺陷來判定光罩之一或多個有問題區域。在實施例中，將識別一或多個有問題區域之位置，以針對各自層進行遮罩設計中之進一步分析及校正。
接著，方法300前進至步驟S312。在步驟S312，由遮罩設計校正系統獲得與在步驟S310中識別之光罩之一或多個問題區域相關的圖案資訊。在實施例中，圖案資訊可呈描述展現經識別缺陷之先前製造光罩之佈局的一或多個資料檔案的形式。在實施例中，圖案資訊可為尚未製造之一光罩之一設計，但否則已被識別為含有預期在未經校正之情況下展現缺陷的設計元素。
在實施例中，可使用一已存光罩之一掃描電子顯微鏡(SEM)輪廓提取分析來獲得圖案資訊。此可係使用執行一輪廓提取演算法(諸如圖4中所描繪之LAMA輪廓提取工具演算法)之一SEM影像至輪廓提取工具來達成。在實施例中，可在不脫離本發明之範疇或精神之情況下，使用其他輪廓提取演算法。圖5中繪示LAMA SEM影像至輪廓提取工具之一輸出日誌檔案之一實例。圖6中展示運行LAMA SEM影像至輪廓提取工具時使用之樣本選項，其中自一運算裝置之一命令行介面調用該工具。如所展示，可指定之選項包含像素選擇容限、平滑值使用、色調、一忽略區域之大小、背景區域大小，及X與Y方向之標度等。在實施例中，可在不脫離本發明之範疇或精神之情況下，使用晶圓製造中之處理步驟或材料選擇的其他變型。在實施例中，SEM影像至輪廓提取工具可產生如圖7中所展示之一平滑像素化輪廓。
圖8 (包括圖8(a)、圖8(b)、圖8(c))描繪用於自一SEM影像獲得圖案資訊之一程序。如圖中所展示，圖8(a)展示一遮罩輪廓之一SEM影像。遮罩輪廓表示與遮罩之一有問題區域或「熱點」或「弱點」相關聯之遮罩設計之至少一部分，如在步驟S310中所判定。圖8(b)展示藉由SEM影像至輪廓提取自圖8(a)中之影像提取之一高強度圖，該高強度圖與相關聯於遮罩之問題區域之遮罩設計之至少一部分相關聯。高強度圖使遮罩設計校正系統能夠識別可能受益於校正之遮罩之特定區域。在識別此等區域之後，遮罩設計校正系統創建一遮罩設計檔案(例如，圖8(c)中所展示之OASIS/GDS)或任何佈局格式檔案。開放式原圖系統交換標準(OASIS)係用於EDA (電子設計自動化)軟體、IC遮罩寫入工具與遮罩檢驗工具之間的交換之階層積體電路遮罩佈局資料格式之一規範。OASIS檔案儲存遮罩佈局資訊(其包含遮罩圖案資訊)以用於後續分析。可在不脫離本發明之範疇或精神之情況下使用其他佈局資料格式。
一旦在步驟S312中獲得圖案資訊，方法300便前進至步驟S314。在方法300之步驟S314中，遮罩設計校正系統可對經獲得圖案資訊進行一空間域分析。根據實施例，藉由執行一圖案描述性搜尋來進行空間域分析，該圖案描述性搜尋使用大資料分析自圖案資訊提取圖案。可使用樣本資料分析工具來執行使用市售EDA工具之圖案搜尋。在實施例中，圖案搜尋可被稱為設計規則檢查(DRC)、遮罩規則檢查(MRC)或圖案匹配(PM)等。圖9中描繪市售EDA工具圖案搜尋碼之一實例。可在不脫離本發明之範疇或精神之情況下使用其他圖案搜尋碼。圖案描述性搜尋軟體之輸入可包含圖案資訊，諸如舉例而言，傳入裝置半導體資料。可在不脫離本發明之範疇或精神之情況下結合圖案資訊使用其他輸入資料。
一旦執行圖案描述性搜尋，在實施例中，接著可由遮罩設計校正系統使用例如資料分析碼分析經提取圖案。圖10中展示資料分析碼之一實例。在實施例中，資料分析碼輸出繪示可能受益於LAMA之光罩區域/結構之結果。
可在不脫離本發明之範疇或精神之情況下使用此等及其他分析技術。
參考圖3，在步驟S314進行空間域分析之後，方法300前進至步驟S316。在步驟S306，在實施例中，遮罩設計校正系統基於例如圖案資訊之空間域分析判定展現一或多個弱點候選者之一或多個光罩結構圖案，使得該等結構可受益於LAMA之應用。實例弱點候選者及/或處理可包含隅角圓化、水平及垂直偏置及劑量調變等。在不脫離本發明之範疇或精神之情況下，其他弱點候選者及/或處理可適合於LAMA校正。
在實施例中，遮罩設計校正系統基於例如針對客戶未來產品進行之空間/線空間取樣產生展現一或多個弱點候選者之一或多個光罩結構圖案。亦可在不脫離本發明之範疇或精神之情況下產生其他弱點候選者。如圖11中所展示，將空間/線空間取樣資料輸入至一python指令檔，該指令檔基於該資料產生各種圖案。如圖11中所展示，經產生圖案可包含規則線節距水平/垂直、線端水平/垂直、DOT正交/交錯、規則空間節距水平/垂直、空間端水平/垂直及CNT正交/交錯以及通常整合於邏輯及記憶體設計中之結構等。
在識別展現一或多個缺陷之一或多個光罩結構圖案之後，方法300前進至步驟S318。在步驟S318，在實施例中，遮罩設計校正系統基於在步驟S316中識別之光罩結構圖案產生一或多個潛在校正性光罩結構圖案。在實施例中，針對對應於在步驟S312獲得之圖案資訊之光罩之一或多個層產生潛在校正性光罩結構。在實施例中，步驟S318需要基於資料分析設計及產生一微影感知遮罩程序校正應用(LAMA)量規。LAMA量規包括待在構建一測試光罩時使用之潛在校正性結構。步驟S318之輸入包含製造技巧、來自晶圓製造商之資料及自資料分析提取之資料。例如，製造技巧可包含其中待使用光罩之製造程序之限制。製造資料可包含最小空間及寬度參數、隅角至隅角量側及/或遮罩程序保真度特性化(諸如隅角圓化、隅角拉回及節距)等。產生經校正光罩結構圖案時使用之資料分析之結果可包含客戶設計空間域資料、錨點/臨界結構及/或LAMA量規中關注之一系列臨界尺寸及設計形狀等。
在實施例中，遮罩設計校正系統選擇待應用至展現一或多個對應缺陷之複數個光罩結構圖案之複數個處理。針對各選定處理，遮罩設計校正系統選擇對應於彼處理之複數個參數。在選擇該等處理及對應於該等處理之參數之後，遮罩設計校正系統將選定參數與選定處理應用至展現一或多個對應缺陷之複數個光罩結構圖案。以此方式，遮罩設計校正系統基於圖案資訊產生新光罩結構圖案。不同處理係可能的，包含例如隅角圓化及劑量調變。遮罩設計校正系統將多次處理應用至有缺陷光罩圖案結構以產生可潛在地校正缺陷之複數個光罩結構圖案。
在其中待使用一測試遮罩之實施例中，可如下文所描述般在測試遮罩上識別及使用複數個潛在校正性結構。在其中可使用該層之一完全形成光罩之實施例中，可選擇一特定校正性結構並將該特定校正性結構應用於該層之完全形成光罩設計中且接著直接應用該特定校正性結構以產生一光罩。在實施例中，可使用此等技術之一組合，例如，組合在光罩之未使用部分中之一或多者潛在校正性結構列印該層之一完全形成光罩設計。
在實施例中，LAMA量規可經設計以調變較小特徵之劑量且執行隅角圓化以便增強解析度。此外，未經處理圖案可用於保真度特性化及定義光罩極限。可用來產生潛在經校正光罩結構圖案之LAMA量規設計之實例如下在圖12至圖17中般。可在不脫離本發明之範疇或精神之情況下設計及/或應用其他LAMA量規。
圖12描繪待應用至光罩結構圖案以創建潛在經校正光罩結構圖案之隅角圓化增強及水平/垂直偏置之一表。類似地，圖13描繪待在不同時間應用至不同光罩結構以創建一組潛在經校正光罩結構之劑量調變之一表。圖14描繪待應用至不同光罩結構以創建一組潛在經校正光罩結構之空間節距及線節距設計。圖15描繪待應用至不同光罩結構以創建一組潛在經校正性光罩結構之線端及空間端設計。圖16描繪待應用至不同光罩結構以創建一組潛在經校正光罩結構之一點/孔正交設計。圖17描繪待應用至不同光罩結構以創建一組潛在經校正光罩結構之一點/孔交錯設計。此等LAMA量規設計表示對應於展現圖案資訊中識別之一或多個弱點之結構之潛在經校正光罩結構之實例。LAMA量規圖案可在大小方面客製化且展現放置至光罩上之任何未使用空間中之靈活性及簡易性，其繼而節省額外遮罩成本。在不脫離本發明之範疇或精神之情況下，此等LAMA量規設計及/或其他LAMA量規設計之一或多者可用來形成一或多個潛在經校正光罩結構。
接下來，在步驟S320中，將潛在經校正光罩結構圖案併入至一光罩設計中。根據實施例，在此步驟中，實行方法300之遮罩設計校正系統讀取包含潛在經校正光罩結構之LAMA量規設計且將彼等設計元素應用至定義可如何構建一光罩之光罩資料。根據實施例，將潛在經校正光罩結構併入至一已存在光罩佈局上之未使用空間中。
在步驟S322，遮罩設計校正系統分析測試光罩上之潛在經校正光罩結構圖案。根據實施例，遮罩設計校正系統可使用SEM工具、CD工具或任何其他光學檢驗工具對其中併入有經校正光罩結構之光罩資料執行模擬及/或視覺檢驗以便判定是否已以一最佳化及/或可接受方式校正及/或糾正圖案資訊中展現之有問題區域。
在步驟S324，遮罩設計校正系統自複數個潛在經校正光罩結構圖案選擇包括複數個經校正光罩結構圖案之一子集。經校正光罩結構圖案之選擇係基於在步驟S322中執行之分析。在實施例中，選擇展現經識別缺陷之最高校正度之潛在經校正光罩結構。在實施例中，一選定經校正光罩結構可為兩個潛在經校正光罩結構圖案之間的一插值。即，經內插校正光罩結構圖案係相鄰圖案之一組合，其被判定為對經識別缺陷之一更有效解決方案。
接下來，在步驟S326，遮罩設計校正系統基於測試光罩之分析產生一或多個光罩圖案校正指令檔。根據實施例，遮罩設計校正系統構建含有用於將校正性處理應用至一或多個光罩結構之規則之一或多個表。圖18中描繪此一表之一實例。如所展示，圖18中之表包括待應用至一測試光罩之一組MRC規則(在此情況下隅角圓化規則)。圖18之表係基於併入至測試光罩中且在步驟S324中選擇之經校正光罩結構圖案。遮罩設計校正系統基於一或多個表中闡述之規則產生一或多個光罩圖案校正指令檔。在實施例中，該等指令檔以NCS語言產生。該等指令檔亦可以Python程式設計語言或任何其他EDA公司指令檔語言產生。可在不脫離本發明之範疇或精神之情況下使用其他指令檔或程式設計語言。
接下來，在步驟S328，遮罩設計校正系統執行一或多個光罩圖案校正指令檔以將經校正光罩結構應用至可用來形成所要IC結構之一光罩佈局。參考圖18，將執行自該表產生之對應指令檔以將經列出規則應用至可用來產生一最終光罩之一光罩佈局。可在不脫離本發明之範疇或精神之情況下使用其他指令檔。
在各項實例性實施例中，可以一合適方式將經校正光罩結構佈置於主光罩板上。例如，可在該板上形成複數個校正性遮罩圖案，使得可使用該等校正性遮罩圖案之一或多者形成半導體裝置之各層。此外，應了解，可將校正性遮罩圖案應用至不包含或僅包含意欲用於最終遮罩設計之一些遮罩圖案之一測試遮罩，或可應用至併入意欲用來形成IC產品之整個層圖案之一最終遮罩。再者，在實例性實施例中，在一IC製造程序期間並非可使用該遮罩上之所有校正性遮罩圖案，且在一些情況下，即使可在該遮罩上存在其他校正性圖案，亦僅使用達成最佳校正之校正性遮罩圖案。
在步驟S330，根據此項技術中已知之光罩製造技術，基於全層之最終光罩佈局實體地製造併入該層之一完整設計之最終光罩。
在實施例中，可將一最終遮罩設計(包含併入有選定校正性圖案之全層，以及與全層之僅一部分相關聯之校正性遮罩圖案)列印至相同光罩。在此實施例中，一全層可以潛在校正及潛在校正性圖案遞送至客戶以經測試以用於彼層或具有類似設計元素之光罩之未來版本。在此等實施例中，可跳過製造及分析一單獨測試遮罩之中間步驟。
在步驟S332，遮罩設計校正系統確認已將一或多個經校正光罩結構圖案應用至最終光罩。根據實施例，遮罩設計校正系統可利用一臨界尺寸(CD)檢驗工具來分析例如所得最終光罩中之隅角圓化及水平/垂直偏置等。遮罩設計校正系統使用用來提取遮罩SEM輪廓之CD檢驗工具或SEM影像至輪廓提取工具且比較彼等輪廓與最終光罩佈局設計。
在步驟S334，遮罩設計校正系統判定基於最終光罩產生之一晶圓上之複數個位置未展現對應於一先前製造光罩上展現之一或多個缺陷之缺陷。在實施例中，可選擇最終光罩上之複數個位置且與使用一未經處理光罩產生之一先前製造晶圓上之對應位置進行比較。既在視覺上又使用分析工具比較經處理光罩晶圓與未經處理光罩晶圓。例如，圖21描繪一未經處理光罩之一SEM影像與使用一HOLE結構之一經校正LAMA圖案處理之光罩之一SEM影像之間的一比較。如所展示，在經處理光罩中，不存在缺失圖案及增強LCDU，其更密切符合遮罩之設計規格。
圖19描繪不同光罩(一個光罩尚未受到處理，且另一光罩已使用在步驟S324中選擇之校正光罩結構進行處理)之SEM影像之間的一比較。如所展示，在經處理光罩中，不存在斷線，且線寬及間距更密切符合遮罩之設計規格
圖20描繪經處理遮罩與未經處理遮罩之間的接觸孔之改良之一實例。如所展示，相較於經處理遮罩，未經處理輪廓展現更多隅角拉回。
根據本發明，可藉由使用經校正LAMA圖案來獲得此等及其他改良。
現在已詳細地展示及描述本發明之實施例且對於熟習此項技術者而言，其各種修改及改良將變得顯而易見。據此，如上文所闡述，本發明之實例性實施例意欲於闡釋性而非限制性的。將廣義地解釋本發明之精神及範疇。
100:遮罩設計校正性系統 105:掃描模組 110:輪廓提取模組 115:模擬模組 120:偵測模組 125:光罩分析模組 130:空間域分析模組 135:圖案識別模組 140:圖案產生模組 145:指令檔模組 300:方法 S302:步驟 S304:步驟 S306:步驟 S308:步驟 S310:步驟 S312:步驟 S314:步驟 S316:步驟 S318:步驟 S320:步驟 S322:步驟 S324:步驟 S326:步驟 S328:步驟 S330:步驟 S332:步驟 S334:步驟
將參考附圖描述本發明之實例性實施例，其中：
圖1描繪根據本發明實施例之一遮罩設計校正性系統；
圖2描繪根據本發明之實例性實施例之用於創建一光罩之一程序流程之一流程圖；
圖3A至圖3C繪示根據本發明之實例性實施例之用於創建一光罩之一程序之一流程圖；
圖4描繪根據本發明之實例性實施例之由一SEM影像至輪廓提取工具執行之一實例性演算法；
圖5係根據本發明之實例性實施例之一SEM影像至輪廓提取工具之一輸出日誌檔案之一實例；
圖6描繪根據本發明之實例性實施例之在運行一SEM影像至輪廓提取工具時使用之樣本選項；
圖7描繪根據本發明之實例性實施例之由一SEM影像至輪廓提取工具產生之一平滑像素化輪廓；
圖8 (包括圖8(a)、圖8(b)、圖8(c))描繪根據本發明之實例性實施例之用於自一SEM影像獲得圖案資訊之一程序；
圖9描繪根據本發明之實例性實施例之圖案搜尋電腦碼之一實例；
圖10描繪根據本發明之實例性實施例之實例性資料分析電腦碼；
圖11描繪根據本發明之實例性實施例之產生展現一或多個缺陷之一或多個光罩結構圖案之一實例性程序；
圖12描繪根據本發明之實例性實施例之待應用至光罩結構圖案以創建潛在校正性光罩結構圖案之隅角圓化增強及水平/垂直偏置之一表；
圖13描繪根據本發明之實例性實施例之待在不同時間應用至不同光罩結構以創建一組潛在校正性光罩結構之劑量調變之一表；
圖14描繪根據本發明之實例性實施例之待應用至不同光罩結構以創建一組潛在校正性光罩結構之空間節距及線節距設計；
圖15描繪根據本發明之實例性實施例之待應用至不同光罩結構以創建一組潛在校正性光罩結構之線端及空間端設計；
圖16描繪根據本發明之實例性實施例之待應用至不同光罩結構以創建一組潛在校正性光罩結構之一點/孔正交設計。
圖17描繪根據本發明之實例性實施例之待應用至不同光罩結構以創建一組潛在校正性光罩結構之一點/孔交錯設計。
圖18描繪根據本發明之實例性實施例之含有用於將校正性處理應用至一或多個光罩結構之規則之一表；
圖19描繪根據本發明之實例性實施例之不同光罩(一個光罩尚未受到處理，且另一光罩已使用校正性光罩結構進行處理)之SEM影像之間的一比較；
圖20描繪根據本發明之實例性實施例之在經處理遮罩與未經處理遮罩之間的接觸之改良；
圖21描繪根據本發明之實例性實施例之不同光罩(一個光罩尚未受到處理，且另一光罩已使用校正性光罩結構進行處理)之SEM影像之間的一比較。

Claims (33)

  1. 一種製造一光罩之方法，其包括： (a)自一晶圓之一掃描電子顯微鏡(SEM)影像偵測晶圓缺陷； (b)自一先前製造光罩之一SEM影像提取複數個遮罩輪廓，其中該等經提取遮罩輪廓可對應於該等經偵測晶圓缺陷； (c)使用該複數個經提取遮罩輪廓來產生一經模擬製造晶圓； (d)在該經模擬製造晶圓上偵測一或多個缺陷； (e)基於該經模擬製造晶圓上之該等缺陷來判定該光罩之一或多個有問題區域； (f)獲得與該先前製造光罩之該等有問題區域相關之圖案資訊； (g)對該圖案資訊進行一空間域分析； (h)基於該空間域分析，判定展現一或多個對應缺陷之複數個光罩結構圖案； (i)基於該空間域分析，自該複數個光罩結構圖案產生複數個潛在經校正光罩結構圖案，其中該產生包括： (i)選擇待應用至展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案之複數個處理；及 (ii)針對各選定處理，選擇對應於該處理之複數個參數；及 (iii)將該等選定處理與該等選定參數應用至展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案； (j)將該等潛在校正性光罩結構圖案併入至一測試光罩中； (k)分析該測試光罩上之該等潛在校正性光罩結構圖案； (l)自該複數個潛在校正性光罩結構圖案選擇複數個校正性光罩結構圖案； (m)基於該測試光罩上之該複數個校正性遮罩結構圖案之該分析來產生一或多個光罩圖案校正指令檔； (n)執行該一或多個光罩圖案校正指令檔，以將該複數個校正性光罩結構圖案之一或多者應用至一全層之一光罩佈局； (o)基於該最終光罩佈局，構建其中併入有該複數個校正性光罩結構圖案之該一或多者之該全層之一光罩； (p)確認已將該一或多個校正性光罩結構圖案應用至該最終光罩；及 (q)判定基於其中併入有該複數個校正性光罩結構圖案之該一或多者之該光罩所產生之一晶圓上的複數個位置未展現對應於一先前製造光罩之該一或多個缺陷的缺陷。
  2. 如請求項1之方法，其中該圖案資訊包括對應於一先前製造光罩之一佈局的一或多個資料檔案。
  3. 如請求項1之方法，其中該空間域分析包括： (i)對該圖案資訊進行一圖案描述性搜尋； (ii)基於該圖案描述性搜尋，自該圖案資訊識別光罩結構；及 (iii)產生對應於該等經識別光罩結構之一圖。
  4. 如請求項3之方法，其中基於對應於該等經識別光罩結構之該圖，識別展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案。
  5. 如請求項1之方法，其中分析該測試光罩上之該等校正性光罩結構圖案包括： (i)基於該光罩來執行一製造模擬程序；及 (ii)評估該製造模擬程序之結果。
  6. 如請求項1之方法，其中將該等潛在校正性光罩結構圖案併入至一經製造光罩上之未使用空間中。
  7. 一種製造一光罩之方法，其包括： (a)自一晶圓之一掃描電子顯微鏡(SEM)影像，偵測晶圓缺陷； (b)自一先前製造光罩之一SEM影像提取複數個遮罩輪廓，其中該等經提取遮罩輪廓對應於該等經偵測晶圓缺陷； (c)使用該複數個經提取遮罩輪廓來產生一經模擬製造晶圓； (d)在該經模擬製造晶圓上偵測一或多個缺陷； (e)基於該經模擬製造晶圓上之該等缺陷來判定該先前製造光罩之一或多個問題區域； (f)獲得與該先前製造光罩之該等問題區域相關之圖案資訊； (g)對該圖案資訊進行一空間域分析； (h)基於該空間域分析，判定展現一或多個對應缺陷之複數個光罩結構圖案； (i)基於該空間域分析，自該複數個光罩結構圖案產生複數個校正性光罩結構圖案，其中該產生包括： (i)選擇待應用至展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案的複數個處理；及 (ii)針對各選定處理，選擇對應於該處理之複數個參數；及 (iii)將該等選定處理與該等選定參數應用至展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案； (j)基於該複數個校正性光罩結構圖案產生一或多個光罩圖案校正指令檔； (k)執行該一或多個光罩圖案校正指令檔以將該複數個校正性光罩結構圖案之一或多者應用至一光罩佈局； (l)基於一層之最終光罩佈局，構建其中併入有該複數個校正性光罩結構圖案之該一或多者之一光罩； (m)確認已將該一或多個校正性光罩結構圖案應用至該光罩；及 (n)判定基於其中併入有該複數個校正性光罩結構圖案之該一或多者之該光罩產生之一晶圓上的複數個位置未展現對應於一先前製造光罩之該一或多個缺陷的缺陷。
  8. 如請求項7之方法，其中該圖案資訊包括對應於一先前製造光罩之一佈局的一或多個資料檔案。
  9. 如請求項7之方法，其中該空間域分析包括： (i)對該圖案資訊進行一圖案描述性搜尋； (ii)基於該圖案描述性搜尋，自該圖案資訊識別光罩結構；及 (iii)產生對應於該等經識別光罩結構之一圖。
  10. 如請求項9之方法，其中基於對應於該等經識別光罩結構之該圖，識別展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案。
  11. 如請求項7之方法，其中將該等校正性光罩結構圖案併入至一先前製造光罩上之未使用空間中。
  12. 一種用於製造一光罩之系統，其包括： 一或多個處理單元；及 一記憶體，其中該一或多個處理單元經組態以執行機器可讀指令，該等機器可讀指令在經執行時致使該系統執行： (a)自一晶圓之一掃描電子顯微鏡(SEM)影像偵測晶圓缺陷； (b)自一先前製造光罩之一SEM影像提取複數個遮罩輪廓，其中該等經提取遮罩輪廓對應於該等經偵測晶圓缺陷； (c)使用該複數個經提取遮罩輪廓來產生一經模擬製造晶圓； (d)在該經模擬製造晶圓上偵測一或多個缺陷； (e)基於該經模擬製造晶圓上之該等缺陷來判定該光罩之一或多個有問題區域； (f)獲得與該先前製造光罩之該等有問題區域相關的圖案資訊； (g)對該圖案資訊進行一空間域分析； (h)基於該空間域分析，判定展現一或多個對應缺陷之複數個光罩結構圖案； (i)基於該空間域分析，自該複數個光罩結構圖案產生複數個潛在經校正光罩結構圖案，其中該產生包括： (i)選擇待應用至展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案的複數個處理；及 (ii)針對各選定處理，選擇對應於該處理之複數個參數；及 (iii)將該等選定處理與該等選定參數應用至展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案； (j)將該等潛在校正性光罩結構圖案併入至一測試光罩中； (k)分析該測試光罩上之該等潛在校正性光罩結構圖案； (l)自該複數個潛在校正性光罩結構圖案，選擇複數個校正性光罩結構圖案； (m)基於該測試光罩上之該複數個校正性遮罩結構圖案之該分析來產生一或多個光罩圖案校正指令檔； (n)執行該一或多個光罩圖案校正指令檔，以將該複數個校正性光罩結構圖案之一或多者應用至一全層之一光罩佈局； (o)基於該最終光罩佈局，構建其中併入有該複數個校正性光罩結構圖案之該一或多者之該全層之一光罩； (p)確認已將該一或多個校正性光罩結構圖案應用至該最終光罩；及 (q)判定基於其中併入有該複數個校正性光罩結構圖案之該一或多者之該光罩產生之一晶圓上的複數個位置未展現對應於一先前製造光罩之該一或多個缺陷的缺陷。
  13. 如請求項12之系統，其中該圖案資訊包括對應於一先前製造光罩之一佈局的一或多個資料檔案。
  14. 如請求項12之系統，其中該空間域分析包括： (i)對該圖案資訊進行一圖案描述性搜尋； (ii)基於該圖案描述性搜尋，自該圖案資訊識別光罩結構；及 (iii)產生對應於該等經識別光罩結構之一圖。
  15. 如請求項14之系統，其中基於對應於該等經識別光罩結構之該圖，識別展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案。
  16. 如請求項12之系統，其中分析該測試光罩上之該等校正性光罩結構圖案包括： (i)基於該測試光罩來執行一製造模擬程序；及 (ii)在視覺上檢驗該製造模擬程序之一結果。
  17. 如請求項12之系統，其中將該等潛在校正性光罩結構圖案併入至一先前製造光罩上之未使用空間中。
  18. 一種用於製造一光罩之系統，其包括： 一或多個處理單元；及 一記憶體，其中該一或多個處理單元經組態以執行機器可讀指令，該等機器可讀指令在經執行時致使該系統執行： (a)自一晶圓之一掃描電子顯微鏡(SEM)影像偵測晶圓缺陷； (b)自一先前製造光罩之一SEM影像提取複數個遮罩輪廓，其中該等經提取遮罩輪廓對應於該等經偵測晶圓缺陷； (c)使用該複數個經提取遮罩輪廓來產生一經模擬製造晶圓； (d)在該經模擬製造晶圓上偵測一或多個缺陷； (e)基於該經模擬製造晶圓上之該等缺陷來判定該先前製造光罩之一或多個問題區域； (f)獲得與該先前製造光罩之該等問題區域相關的圖案資訊； (g)對該圖案資訊進行一空間域分析； (h)基於該空間域分析，判定展現一或多個對應缺陷之複數個光罩結構圖案； (i)基於該空間域分析，自該複數個光罩結構圖案產生複數個校正性光罩結構圖案，其中該產生包括： (i)選擇待應用至展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案的複數個處理；及 (ii)針對各選定處理，選擇對應於該處理之複數個參數；及 (iii)將該等選定處理與該等選定參數應用至展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案； (j)基於該複數個校正性光罩結構圖案來產生一或多個光罩圖案校正指令檔； (k)執行該一或多個光罩圖案校正指令檔，以將該複數個校正性光罩結構圖案之一或多者應用至一光罩佈局； (l)基於一層之最終光罩佈局，構建其中併入有該複數個校正性光罩結構圖案之該一或多者之一光罩； (m)確認已將該一或多個校正性光罩結構圖案應用至該光罩；及 (n)判定基於其中併入有該複數個校正性光罩結構圖案之該一或多者之該光罩產生之一晶圓上的複數個位置未展現對應於一先前製造光罩之該一或多個缺陷的缺陷。
  19. 如請求項18之系統，其中該圖案資訊包括對應於一先前製造光罩之一佈局的一或多個資料檔案。
  20. 如請求項18之系統，其中該空間域分析包括： (i)對該圖案資訊進行一圖案描述性搜尋； (ii)基於該圖案描述性搜尋，自該圖案資訊識別光罩結構；及 (iii)產生對應於該等經識別光罩結構之一圖。
  21. 如請求項20之系統，其中基於對應於該等經識別光罩結構之該圖，識別展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案。
  22. 如請求項20之系統，其中將該等校正性光罩結構圖案併入至一先前製造光罩上的未使用空間中。
  23. 一種遮罩設計校正系統，其包括一或多個電腦系統，各電腦系統包含經可操作地連接至一或多個記憶體裝置之一或多個處理器，及經儲存於該一或多個記憶體裝置中且經程式化以在該一或多個處理器之一或多者上運行之複數個模組，該複數個模組包括： (a)一掃描模組，其經組態以： (1)掃描一晶圓中之一層之一第一掃描電子顯微鏡(SEM)影像； (2)自一晶圓之該第一SEM影像偵測晶圓缺陷；及 (3)輸出該晶圓上具有該等晶圓缺陷之位置； (b)一輪廓提取模組，其經可操作地連接至該掃描模組且經組態以： (1)獲得該晶圓上具有晶圓缺陷之該等位置；及 (2)自與該晶圓中之該層相關聯之一先前製造光罩之一第二SEM影像提取複數個遮罩輪廓，其中該等經提取遮罩輪廓對應於該先前製造光罩上對應於該晶圓之該等經偵測晶圓缺陷的位置； (c)一模擬模組，其經可操作地連接至該輪廓提取模組且經組態以： (1)獲得該複數個經提取遮罩輪廓；及 (2)使用該複數個經提取遮罩輪廓來產生一經模擬製造晶圓； (d)一偵測模組，其經可操作地連接至該模擬模組且經組態以： (1)獲得該經模擬製造晶圓； (2)在該經模擬製造晶圓上偵測一或多個缺陷； (3)輸出包含該經模擬製造晶圓上之該等缺陷的資料； (e)一光罩分析模組，其經可操作地連接至該偵測模組且經組態以： (1)獲得包含該經模擬製造晶圓上之該等缺陷的該資料； (2)基於包含該經模擬製造晶圓上之該等缺陷之該資料來判定該先前製造光罩之一或多個有問題區域；及 (3)產生與該先前製造光罩之該等有問題區域相關的圖案資訊； (f)一空間域分析模組，其經可操作地連接至該光罩分析模組且經組態以： (1)獲得與該先前製造光罩之該等問題區域相關的該圖案資訊； (2)對該圖案資訊進行一空間域分析；及 (3)輸出該空間域分析之一結果； (g)一圖案識別模組，其經可操作地連接至該空間域分析模組且經組態以： (1)獲得該空間域分析之該結果； (2)基於該空間域分析之該結果，判定展現一或多個對應缺陷之複數個光罩結構圖案； (3)輸出對應於展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案的資料； (h)一圖案產生模組，其經可操作地連接至該圖案識別模組且經組態以： (1)獲得對應於展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案的該資料； (2)選擇待應用至展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案的複數個處理；及 (3)針對各選定處理，選擇對應於該處理之複數個參數； (4)將該等選定處理與該等選定參數應用至展現一或多個對應缺陷的該複數個光罩結構圖案； (5)基於該空間域分析，自該複數個光罩結構圖案產生該複數個潛在校正性光罩結構圖案； (6)將該等潛在校正性光罩結構圖案併入至一測試光罩中； (7)分析該測試光罩上之該等潛在校正性光罩結構圖案； (8)自該複數個潛在校正性光罩結構圖案，選擇及輸出複數個校正性光罩結構圖案；及 (i)一指令檔模組，其經可操作地連接至該圖案選擇模組且經組態以： (1)獲得該複數個校正性光罩結構圖案； (2)基於該複數個校正性光罩結構圖案來產生一或多個光罩圖案校正指令檔；及 (3)執行該一或多個光罩圖案校正指令檔，以將該複數個校正性光罩結構圖案之一或多者應用至一光罩佈局。
  24. 如請求項23之系統，其中該圖案資訊包括對應於一先前製造光罩之一佈局的一或多個資料檔案。
  25. 如請求項23之系統，其中該空間域分析包括： (i)對該圖案資訊進行一圖案描述性搜尋； (ii)基於該圖案描述性搜尋，自該圖案資訊識別光罩結構；及 (iii)產生對應於該等經識別光罩結構之一圖。
  26. 如請求項25之系統，其中基於對應於該等經識別光罩結構之該圖，識別展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案。
  27. 如請求項23之系統，其中分析該測試光罩上之該等校正性光罩結構圖案包括： (i)基於該測試光罩來執行一製造模擬程序；及 (ii)在視覺上檢驗該製造模擬程序之一結果。
  28. 如請求項23之系統，其中將該等潛在校正性光罩結構圖案併入至一先前製造光罩上的未使用空間中。
  29. 一種遮罩設計校正系統，其包括一或多個電腦系統，各電腦系統包含經可操作地連接至一或多個記憶體裝置之一或多個處理器，及經儲存於該一或多個記憶體裝置中且經程式化以在該一或多個處理器之一或多者上運行之複數個模組，該複數個模組包括： (a)一掃描模組，其經組態以： (1)掃描一晶圓中之一層之一第一掃描電子顯微鏡(SEM)影像； (2)自一晶圓之該第一SEM影像偵測晶圓缺陷；及 (3)輸出該晶圓上具有該等晶圓缺陷之位置； (b)一輪廓提取模組，其經可操作地連接至該掃描模組且經組態以： (1)獲得該晶圓上具有晶圓缺陷之該等位置；及 (2)自與該晶圓中之該層相關聯之一先前製造光罩之一第二SEM影像提取複數個遮罩輪廓，其中該等經提取遮罩輪廓對應於該先前製造光罩上對應於該晶圓之該等經偵測晶圓缺陷的位置； (c)一模擬模組，其經可操作地連接至該輪廓提取模組且經組態以： (1)獲得該複數個經提取遮罩輪廓；及 (2)使用該複數個經提取遮罩輪廓來產生一經模擬製造晶圓； (d)一偵測模組，其經可操作地連接至該模擬模組且經組態以： (1)獲得該經模擬製造晶圓； (2)在該經模擬製造晶圓上偵測一或多個缺陷； (3)輸出包含該經模擬製造晶圓上之該等缺陷的資料； (e)一光罩分析模組，其經可操作地連接至該偵測模組且經組態以： (1)獲得包含該經模擬製造晶圓上之該等缺陷的該資料； (2)基於包含該經模擬製造晶圓上之該等缺陷之該資料來判定該先前製造光罩的一或多個有問題區域；及 (3)產生與該先前製造光罩之該等有問題區域相關的圖案資訊； (f)一空間域分析模組，其經可操作地連接至該光罩分析模組且經組態以： (1)獲得與該先前製造光罩之該等問題區域相關的該圖案資訊； (2)對該圖案資訊進行一空間域分析；及 (3)輸出該空間域分析之一結果； (g)一圖案識別模組，其經可操作地連接至該空間域分析模組且經組態以： (1)獲得該空間域分析之該結果； (2)基於該空間域分析之該結果，判定展現一或多個對應缺陷之複數個光罩結構圖案； (3)輸出對應於展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案的資料； (h)一圖案產生模組，其經可操作地連接至該圖案識別模組且經組態以： (1)獲取對應於展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案的該資料； (2)選擇待應用至展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案的複數個處理；及 (3)針對各選定處理，選擇對應於該處理之複數個參數；及 (4)將該等選定處理與該等選定參數應用至展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案； (5)基於該空間域分析，自該複數個光罩結構圖案產生該複數個校正性光罩結構圖案；及 (i)一指令檔模組，其經可操作地連接至該圖案產生模組且經組態以 (1)獲得該複數個校正性光罩結構圖案； (2)基於該複數個校正性光罩結構圖案來產生一或多個光罩圖案校正指令檔；及 (3)執行該一或多個光罩圖案校正指令檔，以將該複數個校正性光罩結構圖案之一或多者應用至一光罩佈局。
  30. 如請求項29之系統，其中該圖案資訊包括對應於一先前製造光罩之一佈局的一或多個資料檔案。
  31. 如請求項29之系統，其中該空間域分析包括： (i)對該圖案資訊進行一圖案描述性搜尋； (ii)基於該圖案描述性搜尋，自該圖案資訊識別光罩結構；及 (iii)產生對應於該等經識別光罩結構之一圖。
  32. 如請求項31之系統，其中基於對應於該等經識別光罩結構之該圖，識別展現一或多個對應缺陷之該複數個光罩結構圖案。
  33. 如請求項29之系統，其中將該等校正性光罩結構圖案併入至一先前製造光罩上的未使用空間中。
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