TW202208187A - 轉移轉移層之方法及裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種用於將一轉移層(12)自一基板(13)，特定言之自一生長基板(13)轉移至一載體基板(9)之裝置(1)。

Description

轉移轉移層之方法及裝置
本發明描述一種用於轉移一轉移層之方法。
在先前技術中已存在層轉移程序。此等程序用於將非常薄之轉移層(特定言之，具有微米或甚至奈米範圍內之厚度之轉移層)自一個基板轉移至另一基板上。此等轉移層中之許多僅可在一特定第一表面上製造，然而該第一表面並不同時旨在作為後續功能組件之部分。因此，該轉移層必須自第一表面轉移至一第二表面上。
半導體工業中最廣為人知之層轉移程序之一者係SmartCutTM 程序。在此程序中，離子(特定言之，氫離子)被燒製至一第一經氧化單晶基板中。氫離子之穿透深度可由動能控制且通常相當於小於2 µm。氫離子保持在第一基板中，直至基板已接合至一第二基板。接著，一熱程序確保氫原子組合以形成水分子且第一經氧化單晶基板之一分離沿著其中已聚集氫離子之表面發生。獲得一三層結構，其中氧化物被圍封在兩種其他材料(通常為矽)之間。
多年來，行業內已嘗試大面積製造石墨烯。在先前技術中，存在用於製造石墨烯之數種方法。石墨烯薄片可已按噸進行工業化製造。然而，此等石墨烯薄片對於半導體工業而言係次要的，此係因為其等過小且主要透過濕化學程序(特定言之，在溶液中)而非在基板表面上產生。期望依晶圓級(即，在一晶圓之整個區域上方)或以一標定方式依一晶圓之一已存在拓撲製造一石墨烯層。然而，依晶圓級製造一石墨烯層似乎係最有希望的。
因此，本發明之問題係克服先前技術之缺點且提供用於轉移一轉移層之一改良方法及/或一改良裝置。特定言之，本發明之問題係確保轉移層不被破壞或損壞，特定言之未歸因於高能離子而被破壞或損壞。
使用協調技術方案之特徵來解決本發明。在子技術方案中指定本發明之有利發展方案。在描述、技術方案及/或圖式中指定之至少兩個特徵之全部組合亦落入本發明之範疇內。在所陳述值範圍內，位於所陳述限制內之值亦應被視為揭示為限制值且可以任意組合進行主張。
本發明之標的物係一種用於將一轉移層(特定言之，一石墨烯層)自一個基板(特定言之，自一生長基板)轉移至一載體基板之方法，其中該轉移藉由一電磁力發生。
本發明之標的物亦係一種用於將一轉移層(特定言之，一石墨烯層)自一個基板(特定言之，自一生長基板)轉移至一載體基板之裝置，其中該轉移層可藉由一電磁力轉移。
電磁力較佳地係一靜電力，其作用於載體基板與轉移層(特定言之，相應地帶相反極性電荷之石墨烯層)中之離子之間。離子較佳地在載體層中帶正電荷且轉移層帶負電荷。
較佳地進行佈建，使得 -轉移層及/或基板帶有第一離子， -載體基板帶有第二離子，其中第二離子與第一離子帶相反電荷。 -由於帶不同電荷之第一離子及第二離子，在轉移層及/或基板與載體基板之間產生力。
較佳地，亦進行佈建，使得載體基板包括一膜，其中該膜在一框架中拉伸，且其中該膜接納轉移層。
轉移層較佳地包括一石墨烯層。
裝置較佳地包括一腔室，其中一基板固持器配置在腔室中，其中基板固持器產生至基板，特定言之至生長基板之一導電連接。
在下文中，轉移層(特定言之，石墨烯層)被理解為意謂基板(特定言之，生長基板)上之層，其待被轉移至載體基板上。轉移層特定言之已在生長基板上生長。
生長基板之表面之粗糙度應較佳地儘可能小，以便使得能夠製造轉移層。特別薄之轉移層(特定言之，石墨烯層)生長在非常平坦、乾淨表面上。
粗糙度被給定為一平均粗糙度、一二次粗糙度或一平均粗糙度深度。平均粗糙度、二次粗糙度及平均粗糙度深度之確定值通常針對相同量測區段或量測區域而不同，但通常位於相同數量級範圍內。因此，以下粗糙度數值範圍應被理解為平均粗糙度、二次粗糙度或平均粗糙度深度之值。
基板(特定言之，生長基板)之表面之粗糙度較佳地小於100 µm，較佳地小於10 µm，仍更佳地小於1 µm，最佳地小於100 nm，極佳地小於10 nm。
基板(特定言之，生長基板)之表面較佳地係單晶的。
在根據本發明之一較佳實施例中，基板(特定言之，生長基板)包括一第一材料，該基板經塗佈有用於生長轉移層之一第二材料。此第二材料亦被稱為一生長層。在此情況中，基板(特定言之，生長基板)係由第一材料及沈積在其上之生長層製成之一複合物。
生長基板之所要材料通常無法作為單晶獲得或難以生長或完全無法生長為固體單晶。在如此之一情況中，若藉助於薄層技術將必要材料生長為單晶薄層，則係有利的。
在根據本發明之一仍更佳實施例中，整個生長基板係一單晶。
在根據本發明之一替代實施例中，至少生長基板之表面在轉移層之生長之前再結晶，前提是該表面係多晶的。在大多數情況中，再結晶導致晶粒結構之一粗化，但可能不會導致一單晶，且因此係根據本發明之一次佳方法。
較佳地亦進行佈建，使得 -轉移層與載體基板接觸，及 -其中載體基板中之離子集中在靠近轉移層之處，使得轉移層自基板(特定言之，生長基板)脫離且黏附至載體基板。
因此，用於轉移轉移層之方法有利地允許將轉移層自基板之表面直接且高效地轉移至載體基板之表面，特定言之，自一製造表面轉移至一傳送表面上。藉由離子(特定言之，氫離子)之作用實現脫離，其中由於離子在轉移層上施加一吸引力，所以生長層與轉移層之間的黏附減小。
載體基板較佳地與轉移層接觸，使得接觸表面之間的一相對移動有利地不再可能。在進行一接觸之前，轉移層與載體基板彼此對準，特定言之藉由各自基板固持器之一對準。對於對準，特定言之使用對準標記，該等對準標記應用於基板及/或轉移層及/或載體基板上，以進行儘可能精確之一對準。
因此，有利地以一直接且高效之方式實現轉移層至載體基板上之轉移。特別有利地，轉移層不因離子之作用而被損壞或破壞。較佳地已預先在生長基板上實行轉移層之產生或生長。因此，轉移層可有利地自其在生長基板上產生或生長之位置脫離，且可配置在載體基板上。
在一特別較佳實施例中，進行佈建，使得轉移層包括一石墨烯層。較佳地已在生長層上製造(特定言之，沈積)石墨烯層。生長基板
一生長基板被理解為意謂在其上產生或生長轉移層之一基板。生長基板可由一單一材料製成。例如將可設想使用一銅或鎳板作為一生長基板。
在根據本發明之另一實施例中，生長基板係由一第一材料製成之一基板，在該基板上已製造一第二材料之一層。此層可被稱為一「生長層」。例如將可設想使用矽、玻璃或藍寶石晶圓，已在其上氣相沈積一銅層。 以此方式製造之銅層可被製造為特定言之單晶。因此通常，使用一任意基板作為一生長基板，其接著經塗佈有一單晶生長層係更簡單的。
至少在其上生長轉移層之生長基板之表面應為單晶的。因此，生長基板較佳地已製造為單晶的。若表面並非單晶的，則較佳地藉助於適合方法(較佳地，使用再結晶)使其至少儘可能接近單晶狀態。
在本發明中，術語生長層及生長基板同義地使用。特定言之，通常使用表達生長基板。
生長基板之材料原則上不受限制，而由待生長之轉移層指導。並非每一類型之轉移層皆可在一生長基板之每一材料上生長。因此，一生長基板原則上可為一導體、一介電質、一半導體或一超導體。轉移層
轉移層可由一單一材料或複數個材料製成。
特定言之，轉移層可為不同層之一系列複合物。在本發明中，層之該系列複合物亦被稱為一轉移層。
在根據本發明之一特別較佳實施例中，轉移層係一原子或分子層。此層亦被稱為一2D層或2D結構。
在根據本發明之一非常特別較佳實施例中，轉移層係一石墨烯層。
根據本發明之方法可應用於任何類型之轉移層。然而，轉移層較佳地係一非常薄之層。轉移層之厚度小於1 mm，較佳地小於1 µm，仍更佳地小於100 nm，最佳地小於1 nm，極佳地其係一單原子或單分子層。
轉移層較佳地由以下材料類別或材料之一者製成。 •  2D層材料，特定言之 ○   石墨烯 ○   石墨炔 ○   硼墨烯 ○   鍺烯 ○   矽烯 ○   Si2 BN ○   鎵烯 ○   錫烯 ○   鉛烯 ○   磷烯 ○   銻烯 ○   鉍烯 •  2D超晶體 •  化合物 ○   石墨烷 ○   硼氮烯 ○   硼碳氮化物 ○   鍺烷 ○   磷化鍺 ○   過渡金屬硫族化合物 ○   MXenes •  具有不同元素組合物之層材料，特定言之 ○   MoS2、WS2、MoSe2、hBN、Ti4N3、Ti4AIN3 •  凡得瓦(Van der Waals)異質結構，特定言之 ○   MoS2-G、MoS2-hBN、MoS2-hBN-G •  金屬，特定言之 ○   Cu、Ag、Au、Al、Fe、Ni、Co、Pt、W、Cr、Pb、Ti、Ta、Zn、Sn •  半導體，特定言之 ○   Ge、Si、Alpha-Sn、B、Se、Te， •  化合物半導體，特定言之 ○   GaAs、GaN、InP、InxGa1-xN、InSb、InAs、GaSb、AIN、InN、GaP、BeTe、ZnO、CuInGaSe2、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、Hg(1-x)Cd(x)Te、BeSe、HgS、AlxGa1-xAs、GaS、GaSe、GaTe、InS、InSe、InTe、CuInSe2、CuInS2、CuInGaS2、SiC、SiGe •  陶瓷 •  聚合物 •  進一步材料 ○  MnO2 ○  TBAx H(1.07-x) Ti1.73 O4 *H2O ○  CoO2 ○  TBAx H(1-x) Ca2 Nb3 O10 ○  Bi2 SrTa2 O9 ○  Cs4 W11 O36 2- ○  Ni(OH)5/3 DS1/3 ○  Eu(OH)2.5 (DS)0.5 ○  Co2/3 Fe1/3 (OH)2 1/3+ ○  [Cu2 Br(IN2 )]n ]載體基板
載體基板可由允許離子(特定言之，氫離子)通過之任何材料製成。載體基板之材料較佳地係一聚合物，特定言之，一碳基聚合物。
在根據本發明之一特定實施例中，載體基板係包括一膜及該膜夾持於其上之一框架之一複合組件。
在另一實施例中，載體基板係未被支撐之一固體聚合物基板。
根據本發明，特別透過一聚合物促進離子(較佳地，氫離子)之傳送(特定言之，擴散)。一電場使離子加速且在聚合物內部亦為垂直的，即使被削弱亦如此，此係因為大多數聚合物係介電質，其等藉由定向及位移極化削弱電場，但未完全消除電場。
載體基板特別適合於能夠聚集轉移層附近之離子。裝置
根據本發明之裝置較佳地係一腔室，其中使基板上之轉移層與載體基板接觸。裝置較佳地係一接合器。
裝置較佳地包括用於產生離子之至少一個構件。此構件較佳地產生電磁輻射，非常特別較佳地UV輻射、X輻射及/或伽馬輻射。一電磁射線源可定位於腔室內或腔室外部。若該源定位於腔室外部，則射線經由一玻璃窗輻照至腔室中。
裝置較佳地包括至少一個閥，以便將一氣體或一氣體混合物輸送至腔室中及/或抽空腔室。裝置較佳地包括至少一個第二閥或一管道連接，以便自腔室移除(特定言之，泵抽出)氣體或氣體混合物。
在根據本發明較佳之另一實施例中，離子亦可在腔室外部產生且被引入至腔室中。將亦可設想使用產生離子之一離子炮。
裝置較佳地包括至少一個下基板固持器，基板(特定言之，生長基板)可固定在其上。下基板固持器包括組件，藉助於該等組件可將基板置於電位下。基板固持器本身較佳地由導電材料製成。
若基板係一全體積導電基板(例如，一銅板)，則與基板固持器之接觸足以經由導電基板固持器將基板置於電位下。將亦可設想一基板固持器，其例如包括可被置於電位下之特定言之移動式接觸元件。此等接觸元件接著可與基板接觸且將其置於電位下。基板固持器較佳地藉由介電組件與腔室電絕緣。
特定言之，裝置包括一絕緣體，藉助於該絕緣體可使基板之周邊與周圍電絕緣，以便防止所產生離子橫向到達及穿透基板。
一電極較佳地存在於裝置中，該電極特定言之位於基板固持器之對面。由於基板固持器較佳地定位於腔室之下側處，所以電極較佳地定位於上側處。基板固持器及電極可被置於不同電位下且在其等之間建立一電壓。電壓之建立導致根據本發明之一電場之形成，該電場使腔室中產生之離子在基板固持器之方向上加速，或在行進通過基板固持器之期間協助其等。
亦可設想省去一單獨電極之使用，且腔室或腔室之壁被置於電位下且因此用作一電極。
裝置包括一電壓源，藉助於該電壓源可產生電場。電壓介於0 V與10,000伏特之間，較佳地介於0 V與1000 V之間，最佳地介於0 V與500 V之間，極佳地介於0 V與100 V之間。
特定言之，可加熱腔室。溫度可用於控制氣體或氣體混合物之電離。溫度特定言之介於20°C與1000°C之間，較佳地介於20°C與500°C之間，仍更佳地介於20°C與250°C之間，最佳地介於20°C與200°C之間，極佳地約130°C。方法
在根據本發明之方法中，所使用氣體可較佳地經電離以形成陽離子，即，帶正電荷之粒子。因此，基板固持器及/或基板(特定言之，生長基板)及/或轉移層帶負電荷。若使用陰離子(即，帶負電荷之離子)，則基板固持器及/或基板及/或轉移層之極性相應地為正。
陽離子(即，帶正電荷之離子)主要由於所提及之藉由UV輻射之電離程序而產生，使得在整個描述中使用第一情況。
在根據本發明之一闡釋性方法之一第一程序步驟中，使基板作為一生長基板獲得，該生長基板包括一生長層。生長基板較佳地係整個生長層。例如，可設想使用一銅板。亦可設想生長基板由一標準基板構成，其已塗佈有用作一生長層之一材料。
例如，聚矽氧基板(較佳地，磊晶及單晶)可經塗佈有銅。
在一第二程序步驟中，在生長層上產生一轉移層。轉移層較佳地藉由一CVD或PVD程序製造。
在一第三程序步驟中，將具有定位於其上之轉移層之生長層裝載至根據本發明之裝置之一腔室中。
在一第四程序步驟中，將生長層與載體基板之表面接觸(特定言之，接合)。接合程序之前可為一對準程序。對準程序可為載體基板相對於基板之一機械對準，此係非常近似地實行。
在一第五程序步驟中，將一氣體或一氣體混合物(較佳地，氫氣)引入至腔室中。
在一第六程序步驟中，使氣體或氣體混合物之至少一個組分電離。電離較佳地藉助於電磁輻射(較佳地，使用UV輻射)而發生。輻射源定位於腔室內部及/或外部。若輻射源定位於腔室外部，則輻射行進通過一窗至腔室中。
在一第七程序步驟中，在生長層與一電極(特定言之，腔室之外殼)之間產生一電位差。電位差導致一電場，該電場使正離子在帶負電荷之生長基板之方向上加速。
在根據本發明之一較佳實施例中，第六及第七處理步驟至少部分地同時發生。
離子首先撞擊載體基板且由載體基板減速。接著，離子由電場驅動通過載體基板且到達亦帶負電荷之轉移層。離子聚集在載體基板中之轉移層附近。由於轉移層帶負電荷，因此一吸引作用於藉由正離子帶正電荷之載體基板與轉移層之間。特定言之，生長基板之周邊處之一絕緣體防止正離子能夠穿透至生長基板中。
藉由氣體壓力及/或電場來調整轉移層自基板(特定言之，生長基板)剝離所用之力。為實現一脫離，必須克服每單位面積之能量之一量(表面能量密度)。表面能量密度較佳地介於0.01 J/m2 與1000 J/m2 之間，更佳地介於1 J/m2 與800 J/m2 之間，最佳地介於1 J/m2 與500 J/m2 之間，極佳地介於1 J/m2 與100 J/m2 之間。
較佳地轉移轉移層所依之溫度特定言之介於20°C與300°C之間，較佳地介於50°C與250°C之間，仍更佳地介於75°C與200°C之間，最佳地介於100°C與150°C之間，極佳地約130°C。
一較高氣體壓力意謂一較高離子密度。藉由電場，可控制離子多快到達轉移層。氣體壓力介於0 mPa與100 mPa之間，較佳地介於0 mPa與50 mPa之間，仍更佳地介於0 mPa與25 mPa之間，最佳地介於0 mPa與10 mPa之間，極佳地約1.5 mPa。
在該方法之一特別較佳設計中，氣體壓力介於0.1毫巴與10毫巴之間，較佳地介於0.2毫巴與7毫巴之間，特別較佳地介於0.25毫巴與5毫巴之間，最佳地約0.3毫巴。
在一第八程序步驟中，將載體基板連同經轉移之轉移層一起自生長基板分離。分離程序較佳地藉由剝離自至少一個邊緣按步驟發生。然而，亦可設想載體基板在整個區域上與轉移層一起自生長基板剝離。
可設想，離子經由轉移層在生長基板之方向上移離且在該處被還原(正離子)。特別在氫氣之情況中，此之效應係形成具有一非常大體積之氫氣。在生長基板與轉移層之間的介面處形成氫氣可對轉移層自生長基板之脫離具有一有利影響且可促進脫離。氫氣之形成導致一機械應力，該機械應力可非常顯著地減小生長基板與轉移層之間的介面之黏附。因此，此效應將與載體基板中之離子累積之前述效應結合考慮。此效應是否改良根據本發明之第一效應及此效應在何種程度上改良根據本發明之第一效應取決於對應參數。
1:裝置 2:腔室 3:基板固持器/電極 4:電極 5:絕緣體 6:閥 7:輻射 8:窗 9:載體基板 10:膜 11:框架 12:轉移層 13:生長基板/基板/生長層 14:電壓源 15:電場/電場線 16:氣體/氣體混合物 17:離子 18:輻射源 19:加熱裝置 20:負電荷載體/第一離子/負電極電荷 F:電磁力/力
本發明之進一步優點、特徵及細節自實施例之較佳實例之以下描述且藉助於圖式顯露。在圖中：
圖1展示根據本發明之一裝置之一闡釋性實施例，
圖2a展示根據本發明之一闡釋性方法之一第一處理步驟中之裝置之右手側之一簡化橫截面表示，
圖2b展示一第二處理步驟中之裝置之右手側之一簡化橫截面表示，
圖2c展示一第三處理步驟中之裝置之右手側之一簡化橫截面表示，及
圖2d展示一第四處理步驟中之裝置之右手側之一簡化橫截面表示。
在圖中，相同組件及具有相同功能之組件由相同元件符號指示。
該等圖不按真實比例。特定言之，一轉移層12被表示為相對於一生長基板13或一載體基板9應有的情況厚得多。僅為清楚之目的使用不按真實比例之表示。
圖1展示根據本發明之一裝置1，其包括一腔室2，一基板固持器3定位於該腔室2中。基板固持器3係導電的且具有至生長基板13之至少一個導電連接。腔室2包括至少一個閥6，可經由該至少一個閥6引入一氣體或一氣體混合物16。
較佳地，亦存在一第二閥6，可經由該第二閥6排放氣體或氣體混合物16。腔室2包括一電極4。亦可設想腔室2之一壁用作電極4。為清楚起見，電極4被表示為一單獨組件。
裝置1包括一輻射源18，藉助於該輻射源18可使氣體或氣體混合物16之組分電離以形成離子17。輻射源18可定位於腔室2內部或外部。若輻射源18定位於腔室2外部，則一窗8使輻射7能夠傳遞至腔室2中。
特定言之藉由一CVD或PVD程序在生長基板13上產生轉移層12。生長基板13固定在基板固持器3上。生長基板13較佳地藉由絕緣體5與周圍屏蔽開。
轉移層12自另一側與載體基板9接觸。在當前情況中，載體基板9係在一框架11中拉伸之一膜10。然而，載體基板9可經任意設計，只要其允許離子17傳遞至轉移層12或只要離子17聚集在載體基板9中(在當前情況中，聚集在膜10中)即可。離子17現由其等之電荷表示，此係因為使用符號會使圖式複雜化且使其更複雜。
離子17藉由所施加電場15在轉移層12及第一撞擊載體基板9之方向上加速。電場15完全穿透整個(特定言之，介電)載體基板9直至生長基板13。因此，離子17亦仍在載體基板9中加速，但必須藉由擴散程序朝向轉移層12鋪路。
離子17聚集在載體基板中之轉移層12附近。由於電場15在生長基板13之表面處結束(更準確地，在轉移層12之表面處結束，前提是轉移層12為電的)，因此不存在進一步驅動力來將離子17更深地輸送至生長基板13中。
然而，特定言之歸因於穿隧效應，一些離子17可成功地穿透直至生長基板13。離子17可在該處再次被還原且特定言之組合以形成氫氣。氫氣可膨脹且因此促進轉移層12自生長層13之側的分離。在此情況中，裝置1 (但特定言之，基板固持器3)具有一加熱裝置19，以便使基板升溫。
圖2a展示根據本發明之一闡釋性方法之一第一程序步驟中之裝置之右手側之一表示，其中載體基板9接觸定位於生長基板13上之轉移層12。
圖2b展示一第二程序步驟，其中施加一電場15，其之效應係轉移層12變得帶負電荷。負電荷載體20遷移至轉移層12之表面中，前提是轉移層12係一導體。若轉移層12係一介電質，則負電荷載體20應被理解為具有一位移或定向極化之負電荷載體。接著，實際負電荷載體20將定位於生長層13之表面處，或若生長層13亦為一介電質，則定位於基板固持器(未展示)之表面處。在此情況中未展示對應正電荷載體。相關的是轉移層12之表面帶負電荷。
圖2c展示一第三程序步驟，其中離子17 (特定言之，氫離子)保持在載體基板9中且已接近轉移層12。由於帶正電荷之離子17與帶負電荷之轉移層12之間的不同正負號，兩者之間存在一吸引。
圖2d展示一第四程序步驟，其中藉由自邊緣之一剝離程序自生長基板13移除黏附至載體基板9 (在特殊情況中，黏附至膜10)之轉移層12。
1:裝置
2:腔室
3:基板固持器
4:電極
5:絕緣體
6:閥
7:輻射
8:窗
9:載體基板
10:膜
11:框架
12:轉移層
13:生長基板/基板/生長層
14:電壓源
15:電場
16:氣體/氣體混合物
17:離子
18:輻射源
19:加熱裝置

Claims (10)

  1. 一種用於將一轉移層(12)，特定言之一石墨烯層自一個基板(13)，特定言之自一生長基板(13)轉移至一載體基板(9)之方法，其特徵在於該轉移藉由一電磁力(F)發生。
  2. 如請求項1之方法，其中 該轉移層(12)及/或該基板(13)帶有第一離子(20)， 該載體基板(9)帶有第二離子(17)，其中該等第二離子(17)與該等第一離子(20)帶相反電荷， 由於該等帶不同電荷之第一離子及第二離子(17、20)，在該轉移層(12)及/或該基板(13)與該載體基板(9)之間產生該力(F)。
  3. 如請求項1至2中任一項之方法，其中該載體基板(9)包括一膜(10)，其中該膜(10)在一框架(11)中拉伸，且其中該膜(10)接納該轉移層(12)。
  4. 如請求項1至2中任一項之方法，其中該基板(13)，特定言之該生長基板(13)之一表面之一粗糙度小於100 µm，較佳地小於10 µm，仍更佳地小於1 µm，最佳地小於100 nm，極佳地小於10 nm。
  5. 如請求項1至2中任一項之方法，其中該基板(13)，特定言之該生長基板(13)之一表面係單晶的。
  6. 如請求項1至2中任一項之方法，其中該基板(13)，特定言之該生長基板(13)包括一第一材料，該基板(13)經塗佈有用於生長該轉移層之一第二材料。
  7. 如請求項1至2中任一項之方法，其中 該轉移層(12)與該載體基板(9)接觸，及 其中該載體基板(9)中之離子集中在靠近該轉移層(12)之處，使得該轉移層(12)自該基板(13)，特定言之該生長基板(13)脫離且黏附至該載體基板(9)。
  8. 如請求項1至2中任一項之方法，其中該力(F)介於0.01 J/m2 與1000 J/m2 之間，較佳地介於0.1 J/m2 與800 J/m2 之間，最佳地介於1 J/m2 與500 J/m2 之間，極佳地介於50 J/m2 與100 J/m2 之間。
  9. 一種用於特定言之使用如前述請求項中至少一項之方法將一轉移層(12)自一基板(13)，特定言之自一生長基板(13)轉移至一載體基板(9)之裝置(1)，其特徵在於該轉移層(12)可藉由一電磁力(F)轉移。
  10. 如請求項9之裝置，其包括一腔室(2)，其中一基板固持器(3)配置在該腔室(2)中，其中該基板固持器產生至該基板(13)，特定言之至該生長基板(13)之一導電連接。
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