TW202202257A - 錫膏之雷射列印 - Google Patents

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強納森 安克利
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Abstract

本發明揭示一種製造方法，其包含提供一施體薄片，該施體薄片包含：一施體基板，其在一特定光譜範圍內透明；一犧牲層，其吸收該特定光譜範圍內之光輻射且安置於該施體基板上；及一施體膜，其包含一膏且安置於該犧牲層上。定位該施體薄片，使得該施體膜接近一受體基板上之一目標位置。一脈衝雷射束依經選擇以燒蝕該犧牲層之一脈衝能量及光點大小照射該犧牲層，因此引起該膏之一黏彈性射流自該施體膜射出且在該受體基板上之該目標位置處沈積具有小於該雷射束之該光點大小之一直徑之一點。

Description

錫膏之雷射列印
本發明大體上係關於電子器件之製造，且特定言之，本發明係關於錫焊之方法及系統。
在雷射直寫(LDW)技術中，使用一雷射束以藉由受控材料燒蝕或沈積來產生具有空間解析三維結構之一圖案化表面。雷射誘發向前轉移(LIFT)係可應用於將微圖案沈積於一表面上之一LDW技術。
在LIFT中，雷射光子提供驅動力以將少量材料自一施體膜彈射向一受體基板。通常，雷射束與塗覆至一非吸收載體基板上之施體膜之內側相互作用。換言之，在光子由膜之內表面吸收之前，入射雷射束傳播穿過透明載體基板。在高於一特定能量臨限值時，材料自施體膜射向受體基板之表面。鑑於施體膜及雷射束脈衝參數之一適當選擇，雷射脈衝引起施體材料之熔融液滴自膜射出且接著著陸及硬化於受體基板上。
LIFT系統在列印用於電子電路製造之導電金屬液滴及跡線中特別有用(但非唯一)。例如，美國專利9,925,797中描述此類LIFT系統，該專利之揭示內容以引用方式併入本文中。此專利描述包含一施體供應總成之列印裝置，施體供應總成經組態以提供具有對置第一及第二表面之一透明施體基板及形成於第二表面上之一施體膜以將施體膜定位成接近一受體基板上之目標區域。一光學總成經組態以依一預定空間圖案同時導引雷射輻射之多個輸出束穿過施體基板之第一表面且照射施體膜以因此誘發材料自施體膜射出至受體基板上，藉此將預定圖案寫入至受體基板之目標區域上。
LIFT亦已實驗性用於列印錫膏，錫膏係金屬錫焊微粒在一高黏性媒體中之懸浮物，稱為一助焊劑。例如，Mathews等人在「Laser forward transfer of solder paste for microelectronics fabrication」(Proc. SPIE 9351，Laser-based Micro- and Nanoprocessing IX，93510Y (2015年3月))中描述此類基於LIFT之技術。作者描述使用LIFT轉移、圖案化及隨後回焊商業無鉛錫膏，同時施體基板與接收基板接觸且橫跨一25 μm間隙，其包含轉移直徑低至25 μm且大至幾百微米之錫膏特徵。
下文將描述之本發明之實施例提供用於製造電路及器件之改良方法及系統。
因此，根據本發明之一實施例，提供一種製造方法，其包含提供一施體薄片，該施體薄片包含：一施體基板，其在一特定光譜範圍內透明且具有對置第一及第二表面；一犧牲層，其吸收該特定光譜範圍內之光輻射且安置於該施體基板之該第一表面上；及一施體膜，其包含一膏且安置於該施體基板上之該犧牲層上。定位該施體薄片，使得該施體膜接近一受體基板上之一目標位置。導引該特定光譜範圍內之一脈衝雷射束穿過該施體基板之該第二表面且依經選擇以燒蝕該犧牲層之一脈衝能量及光點大小照射該犧牲層，因此引起該膏之一黏彈性射流自該施體膜射出且在該受體基板上之該目標位置處沈積具有小於該雷射束之該光點大小之一直徑之一點。
在一揭示實施例中，該施體基板包含一聚合物箔。通常，該聚合物箔具有一熱導率κ ＜ 0.5 W/m*K。
另外或替代地，該犧牲層包含一金屬膜。在一實施例中，該施體薄片包含該金屬膜與該施體膜之間的一聚合保護層。進一步另外或替代地，該金屬膜具有小於100 nm之一厚度且包含選自由鈦、鎢、鉻及鉬組成之一群組之一金屬。
在一揭示實施例中，該膏係一錫膏，其可包含具有大於10 μm之一直徑之金屬微粒。由該黏彈性射流形成之該點之該直徑可小於200 μm。
在一些實施例中，定位該施體薄片包含使該施體膜與該受體基板之一表面保持至少200 μm之一距離或甚至至少500 μm之一距離。
在一揭示實施例中，導引該脈衝雷射束包含導引紅外雷射輻射照射該犧牲層。另外或替代地，導引該脈衝雷射束包含導引一或多個脈衝依大於每脈衝200 µJ之一能量照射該犧牲層，其中該一或多個脈衝具有每脈衝10 ns至5 µs之間的一持續時間。
進一步另外或替代地，照射該犧牲層之該雷射束之該光點大小大於200 μm或甚至大於300 μm，且由該黏彈性射流沈積之該點之該直徑小於200 μm。
在一些實施例中，導引該脈衝雷射束包含導引一脈衝雷射束陣列同時照射該犧牲層上之各自點以在該受體基板上沈積一對應點矩陣。在一實施例中，導引該脈衝雷射束陣列包含將該等點之一第一矩陣沈積於該受體基板上且接著使該施體薄片移位及導引該脈衝雷射束陣列以在該受體基板上沈積與該等點之該第一矩陣交錯之該等點之一第二矩陣。
根據本發明之一實施例，亦提供一種製造裝置，其包含一施體薄片，該施體薄片包含：一施體基板，其在一特定光譜範圍內透明且具有對置第一及第二表面；一犧牲層，其吸收該特定光譜範圍內之光輻射且安置於該施體基板之該第一表面上；及一施體膜，其包含一膏且安置於該施體基板上之該犧牲層上。該施體薄片經定位使得該施體膜接近一受體基板上之一目標位置。一雷射經組態以輸出該特定光譜範圍內之一脈衝雷射束。一光學總成經組態以導引該脈衝雷射束穿過該施體基板之該第二表面且依經選擇以燒蝕該犧牲層之一脈衝能量及光點大小照射該犧牲層，因此引起該膏之一黏彈性射流自該施體膜射出且在該受體基板上之該目標位置處沈積具有小於該雷射束之該光點大小之一直徑之一點。
將自結合附圖之本發明之實施例之以下詳細描述更完全理解本發明，其中：
相關申請案之交叉參考 本申請案主張2020年6月28日申請且讓與美國申請號63/045,111之臨時專利申請案之優先權，該案之揭示內容以引用方式併入本文中。 概述
電子組件之錫焊廣泛用於將固體電子組件連接至印刷電路板及其他基板。為此，在基板上之適當位置形成錫膏點，例如藉由絲網列印或分配。(一基板上之此等錫膏點亦簡稱為錫點，且術語「錫點」在本說明書及申請專利範圍中應以此意義理解。)接著，在放置電子組件之後，一熱程序(稱為「回焊」)將錫膏變換成一固體傳導接合。電子器件小型化之當前趨勢(諸如晶片級封裝(CSP))正推動更小錫點體積及提高點沈積速率之一需求。
本文中所描述之本發明之實施例藉由提供用於在諸如一電子電路板之一受體基板上基於LIFT沈積錫點之新穎方法及裝置來解此需求。此等方法能夠無需修改地列印既有市售錫膏(包含含有金屬錫料之大微粒之膏，其中微粒直徑大於10 μm)，同時產生直徑小至200 μm之錫點。此外，本發明方法能夠精確及可靠地沈積錫點，即使施體膜與受體基板之表面相距一大距離，例如至少200 µm之一距離或甚至500 µm或更大。此等大施體/受體距離對促進錫點之大陣列高速生產而言很重要。
下文將描述之用於電路製造之方法及裝置使用一施體薄片，其包括：一施體基板，其在一特定光譜範圍內(例如在近紅外範圍內)透明；及一施體膜，其包括施體基板之一側上之一錫膏。為促進在雷射輻照下快速、均勻射出錫膏，吸收特定光譜範圍內之光輻射之一犧牲層安置於施體基板之表面上，介於施體基板與施體膜之間。
為列印錫點，定位施體薄片，使得施體膜接近受體基板上之目標位置。特定光譜範圍內之一脈衝雷射束穿過施體基板之對置表面且依經選擇以快速燒蝕犧牲層之一脈衝能量及光點大小照射犧牲層。犧牲層之爆炸性膨脹引起錫膏之一黏彈性射流自施體膜射出且在受體基板上之目標位置處沈積一錫點。
為有效射出，各雷射脈衝將一相當劑量之能量輸送至犧牲層係有利的。為此，犧牲層上之雷射束之光點大小較大，例如大於200 μm或甚至大於300 μm。在一些實施例中，各雷射脈衝使大於200 µJ且可能多達1 mJ或更大之一能量在可自每脈衝10 ns至5 μs範圍內之一脈衝持續時間內擴散。為促進能量自一紅外雷射束高效轉移至犧牲層且因此至錫膏，犧牲層可有利地包括一紅外吸收金屬之一薄膜，諸如小於100 nm厚之鈦、鎢、鉻或鉬之一膜。為減少自雷射點之區域轉走熱，可使用具有低熱導率之一施體基板，諸如一聚合物箔。替代地，可取決於應用要求而使用其他種類之施體基板、犧牲層及對應雷射參數。
藉由適當選擇雷射及施體參數，自施體膜射出之黏彈性射流將在受體基板上沈積具有小於雷射束之光點大小之一點直徑之錫點。例如，照射犧牲層之大於200 μm之一雷射光點大小將導致直徑小於200 μm之錫點沈積。此等參數不同於此項技術中已知之大多數LIFT系統，LIFT系統使用具有短(可見或紫外)波長、短脈衝及小光點大小之雷射來達成熔融液滴精確沈積於受體基板上。與此等系統相比，本發明實施例確保錫膏及實際上小於雷射光點大小之其他流變材料之點之沈積。 系統描述
圖1係根據本發明之一實施例之用於錫膏之LIFT列印之一系統20之一示意圖像。在系統20中，一雷射22輸出光輻射脈衝。如本[實施方式]之內文及申請專利範圍中所使用，術語「光輻射」係指可見、紫外及紅外範圍之任何者內之電磁輻射，而「雷射輻射」係指由一雷射發射之光輻射。一光學總成24導引脈衝雷射束穿過一施體薄片26之上表面，施體薄片26包括一施體基板34及包括一錫膏之一施體膜36，如插圖中所展示且下文將進一步詳細描述。施體膜36包括金屬錫焊微粒38，其直徑取決於錫膏之類型而變動且可大於10 μm。例如，施體膜36可包括4型錫膏(其中微粒38具有20 μm至30 μm之間的典型直徑)或具有更細微粒之其他類型之錫膏。
光學總成24將雷射脈衝聚焦成一或多個束25，束25照射施體薄片26中施體基板34與施體膜36之間的一犧牲層40。束25之脈衝能量及光點大小經選擇以燒蝕犧牲層。此燒蝕引起錫膏之黏彈性射流28自施體膜36射出且在諸如一電路板之一受體基板30上之目標位置處沈積錫點32。通常(但非必需)，錫點32具有小於犧牲層40上雷射束25之光點大小之一直徑。在一實例實施例中，照射犧牲層40之雷射束25之光點大小大於200 μm或甚至大於300 μm，而由所得黏彈性射流28沈積之錫點32之直徑小於200 μm。
為促進施體膜36中之錫膏精確及可靠射出，雷射束25包括具有每脈衝10 ns至5 µs之間的一持續時間之脈衝，其依大於每脈衝200 µJ之一能量照射犧牲層40。此等脈衝參數可易於由此項技術中已知之近紅外雷射(諸如光纖雷射)達成。此一雷射可有利地在一MOPA (主振盪器/功率振盪器)組態中操作，其亦能夠靈活控制脈衝能量及持續時間。脈衝參數可尤其取決於施體膜36中錫膏之類型及將產生之錫點32之大小而最佳化。
受體基板34通常包括一薄撓性聚合物箔，諸如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PETG)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醯亞胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或聚丙烯(PP)。此等材料有利地高度透射近紅外波長，且具有低熱導率，例如κ ＜ 0.5 W/m*K。由於低熱導率，由犧牲層40中吸收雷射束25產生之熱更高效應用於產生極少透過施體基板橫向耗散之黏彈性射流28。然而，替代地，施體基板34可包括由一聚合物或一無機材料製成之一剛性薄片，諸如一適合玻璃。
施體基板34塗覆於面向受體基板30具有犧牲層40之側上，犧牲層40包括對雷射22之紅外波長具有強吸收之一薄膜。在一些實施例中，犧牲層40包括具有小於100 nm或甚至小於50 nm之厚度之一金屬膜，諸如鈦、鎢、鉻或鉬或此等或其他金屬之一合金之一膜。此等金屬亦有利地具有一高熔融溫度且因此可在燒蝕之前(即，在其爆炸性爆裂之前)儲存更多雷射脈衝能量。施體膜36通常比犧牲層40厚得多，例如具有約為50 μm之一施體膜厚度。
隨著犧牲層40在雷射輻照下爆裂，其將一對應射流28向前推向受體基板30。薄犧牲層將吸收之雷射能量高效變換成推力，推力使錫膏射流在向前方向上均勻推進一相當距離，通常為500 µm或更大。一較厚犧牲層可在不提高射出品質之情況下增加燒蝕所需之能量。鑑於層40中犧牲材料相對於施體膜36中錫膏之小體積及犧牲層在施體膜之內側上之位置，錫點32歸因於犧牲層而含有很少或不含污染。
在施體薄片26中使用犧牲層40確保施體膜36中之錫膏高效、均勻射出。若無犧牲層，則錫膏中之大微粒38將引起雷射能量散射及不均勻吸收，且所得錫膏射流會因此不穩定。此類犧牲層不僅可用於沈積錫膏，且亦可用於LIFT射出其他流變材料，尤其是對雷射波長具有低光學吸收之聚合物及其他化合物，諸如黏著劑、油墨及膏。
當期望防止錫膏污染之額外保護時，施體薄片26可視情況包括犧牲層40之金屬膜與施體膜36之間的一聚合保護層42，如圖1中插圖所展示。保護層42包括彈性材料之一薄層(例如聚醯亞胺或聚矽氧)，其具有約3 μm至20 μm之間的厚度及約10 MPa至約5 GPa之範圍內之楊氏(Young)模數。替代地，可使用其他材料及參數。適當選擇保護層42可消除錫膏之污染且提高射流形成之穩定性。
光學總成24包括一束偏轉器44及掃描透鏡光學器件46，其等導引來自雷射22之輻射之一脈衝束25穿過施體基板34之上表面且因此照射犧牲層40。光學總成24依由一驅動器48判定之一空間圖案導引束25。驅動器48通常包括一通用電腦或專用微控制器，其具有至系統20之其他元件之適合介面且以軟體驅動以執行本文中所描述之功能。實施方法(諸如本文中所描述之方法)之程式指令可傳輸或儲存於載體媒體上。載體媒體可包含一儲存媒體，諸如一唯讀記憶體、一隨機存取記憶體、一磁碟或光碟、一非揮發性記憶體、一固態記憶體、一磁帶及其類似者。
在圖示實施例中，束25由偏轉器44掃描以照射犧牲層40上之點陣列且因此在受體基板30上沈積錫點32之一對應矩陣。在圖示實施例中，偏轉器44包括一雙軸掃描鏡，其使雷射脈衝循序掃描點陣列。替代地，偏轉器44可包括通常具有正交掃描軸之一對單軸掃描鏡。此等鏡可由檢流計或此項技術中已知之任何其他適合種類之掃描機構掃描。束25之各脈衝引起錫膏之一對應射流28自施體膜36射出至受體基板30上之一對應目標位置上。如上文所提及，因為射流28在垂直於施體基板34之一方向上自施體膜36高速射出，所以施體薄片26可定位成與受體基板30相距一適中距離，例如施體膜36與受體基板30之間具有0.5 mm或甚至多達1 mm之一間距。
在一替代實施例中，束偏轉器44包括一聲光調變器。聲光調變器可作為一單軸偏轉器搭配具有一正交掃描軸之一掃描鏡一起操作；或替代地，偏轉器44之掃描功能可由二維聲光偏轉器實施。此類聲光調變器展示於例如上述美國專利9,925,797之圖2A或圖2B中且詳細描述於此專利之行7至8中，且進一步描述超出本發明之範疇。驅動器48驅動雷射22輸出適合波長、持續時間及能量之一系列脈衝，同時驅動束偏轉器44分裂及轉向雷射束25。在此組態中，雷射22及光學總成引起錫膏之多個射流28自施體膜36同時射出至受體基板30上之特定目標位置上。
在一些實施例中，系統20亦包括一定位總成(圖中未展出)，其可包括例如其上安裝受體基板30上之一X-Y台。定位總成使受體基板30相對於光學總成24及施體薄片26移位以在跨受體基板之表面之不同目標位置處沈積錫點32。另外或替代地，定位總成可包括使光學總成24及施體薄片26在受體基板之表面上移位之運動組件。 錫點形成之細節
圖2A及圖2B係展示根據本發明之一實施例之在受體基板30上沈積錫點32之程序之細節的示意截面圖。圖2A展示在一LIFT程序中自施體膜36射出之錫膏射流28，而圖2B展示完成程序之後的點32及施體薄片26。
如圖2A中可見，犧牲層40上雷射束25之光點大小D大於錫點32之直徑d。雷射光點大小D例如用雷射束強度之半峰全寬(FWHM)表示。在圖2A中所展示之階段，由束25輻照之犧牲層40之部分已被爆炸性蒸發以導致驅動射流28向下朝向受體基板30之一氣泡。歸因於錫膏之高黏度，射流28趨向於隨著其延伸遠離施體基板34而變窄，同時自施體膜36之周圍區域吸入錫膏。
當射流28接觸受體基板30時，點32斷裂且黏著至基板，如圖2B中所展示。射流中之剩餘錫膏被彈性地吸回向施體基板34。如早先所提及，可依此方式產生具有一直徑d ＜ 200 µm之錫點32，同時使施體膜36與受體基板30保持500 μm之一距離。此等尺寸可藉由改變施體薄片26及雷射束25之參數來變動。
圖3係展示根據本發明之一實施例之沈積於受體基板30上之金屬墊50上之錫點32的一顯微照片。此等錫點使用上述技術沈積。在此情況中，點32具有約180 µm之直徑且相隔約160 µm列印(邊緣間)。因為射流28比所得點32寬，所以無法同時或即時連續列印此等緊密間隔點。
在此情況中，系統20將循序列印點，歸因於形成一錫點及光學總成24移位至下一點位置(且可能亦使施體薄片26移位)所需之時間而具有一定延遲。如同圖1，使用機械掃描鏡，單一雷射束25可依此方式達到每秒約1000個錫點之一產量或可能更高。在驅動器48之控制下，錫點可列印於一均勻光柵上，或其可替代地根據一隨機存取沈積計畫列印。
圖4A及圖4B係根據本發明之一實施例之在兩個連續程序階段中沈積於一電路基板上之錫點54、56之一格柵52之示意前視圖。在此實施例中，脈衝雷射束25之一陣列同時照射施體薄片26之犧牲層上之各自點且因此在受體基板上沈積錫點54之一第一矩陣，如圖4A中所展示。替代地，錫點54可使用一單一掃描雷射束循序產生。無論何種情況，錫點54隔開足夠遠，使得各自射流28可彼此不干擾地自施體薄片36同時或連續射出。
在沈積錫點54之後，使施體薄片26移位，且光學總成24導引雷射束或束25輻照犧牲層上之對應位置以沈積錫點56之一第二矩陣。此等後期錫點56經偏移且與受體基板上錫點54之第一矩陣交錯。因此，緊密間隔錫點54及56之全格柵52僅在兩個程序步驟中形成。此方法可例如用於在一電路板上緊密間隔之接觸墊陣列上沈積錫點，如安裝積體電路中所使用。
替代地，可在兩個或更多個程序步驟中產生錫點之其他圖案，其中根據需要在步驟之間適當移動施體薄片26。在各情況中，可取決於接觸墊佈局而依據施體材料之產量及高效使用來開發最佳製造計畫。
儘管上述實施例具體涉及錫膏，但本發明之原理可在作出必要修改之後類似地應用於其他種類膏之LIFT列印中。如上文所解釋，本發明技術尤其有利於列印含有大微粒之膏，例如含有陶瓷微粒之膏。
因此，應瞭解，上述實施例依舉例方式引用，且本發明不受限於上文已特別展示及描述之內容。確切而言，本發明之範疇包含上述各種特徵之組合及子組合及熟習技術者將在閱讀以上描述之後想到且先前技術中未揭示之變動及修改。
20:系統 22:雷射 24:光學總成 25:雷射束 26:施體薄片 28:黏彈性射流 30:受體基板 32:錫點 34:施體基板 36:施體膜 38:金屬錫焊微粒 40:犧牲層 42:聚合保護層 44:束偏轉器 46:掃描透鏡光學器件 48:驅動器 50:金屬墊 52:格柵 54:錫點 56:錫點 d:直徑 D:光點大小
圖1係根據本發明之一實施例之用於錫膏之LIFT列印之一系統之一示意圖像；
圖2A係根據本發明之一實施例之在一LIFT程序中自一施體膜射出至一受體基板上之一錫膏射流之一示意截面圖；
圖2B係藉由圖2A之射流沈積於受體基板上之錫膏之一點之一示意截面圖；
圖3係展示根據本發明之一實施例之沈積於一電路基板上之金屬墊上之錫膏點的一顯微照片；及
圖4A及圖4B係根據本發明之一實施例之在兩個連續程序階段中沈積於一電路基板上之錫膏點矩陣之示意前視圖。
20:系統
22:雷射
24:光學總成
25:雷射束
26:施體薄片
28:黏彈性射流
30:受體基板
32:錫點
34:施體基板
36:施體膜
38:金屬錫焊微粒
40:犧牲層
42:聚合保護層
44:束偏轉器
46:掃描透鏡光學器件
48:驅動器

Claims (30)

  1. 一種製造方法，其包括： 提供一施體薄片，該施體薄片包括： 一施體基板，其在一特定光譜範圍內透明且具有對置第一及第二表面； 一犧牲層，其吸收該特定光譜範圍內之光輻射且安置於該施體基板之該第一表面上；及 一施體膜，其包括一膏且安置於該施體基板上之該犧牲層上； 定位該施體薄片，使得該施體膜接近一受體基板上之一目標位置； 導引該特定光譜範圍內之一脈衝雷射束穿過該施體基板之該第二表面且依經選擇以燒蝕該犧牲層之一脈衝能量及光點大小照射該犧牲層，因此引起該膏之一黏彈性射流自該施體膜中射出且在該受體基板上之該目標位置處沈積具有小於該雷射束之該光點大小之一直徑之一點。
  2. 如請求項1之方法，其中該施體基板包括一聚合物箔。
  3. 如請求項2之方法，其中該聚合物箔具有一熱導率κ ＜ 0.5 W/m*K。
  4. 如請求項1之方法，其中該犧牲層包括一金屬膜。
  5. 如請求項4之方法，其中該施體薄片包括該金屬膜與該施體膜之間的一聚合保護層。
  6. 如請求項4之方法，其中該金屬膜具有小於100 nm之一厚度且包括選自由鈦、鎢、鉻及鉬組成之一群組之一金屬。
  7. 如請求項1之方法，其中該膏係一錫膏。
  8. 如請求項7之方法，其中該錫膏包括具有大於10 μm之一直徑之金屬微粒。
  9. 如請求項8之方法，其中由該黏彈性射流形成之該點之該直徑小於200 μm。
  10. 如請求項1之方法，其中定位該施體薄片包括：使該施體膜與該受體基板之一表面保持至少200 µm之一距離。
  11. 如請求項10之方法，其中該距離係至少500 µm。
  12. 如請求項1之方法，其中導引該脈衝雷射束包括：導引紅外雷射輻射照射該犧牲層。
  13. 如請求項1之方法，其中導引該脈衝雷射束包括：導引一或多個脈衝依大於每脈衝200 µJ之一能量照射該犧牲層。
  14. 如請求項13之方法，其中該一或多個脈衝具有每脈衝10 ns至5 µs之間的一持續時間。
  15. 如請求項1之方法，其中照射該犧牲層之該雷射束之該光點大小大於200 μm，且由該黏彈性射流沈積之該點之該直徑小於200 μm。
  16. 如請求項15之方法，其中照射該犧牲層之該雷射束之該光點大小大於300 μm。
  17. 如請求項1之方法，其中導引該脈衝雷射束包括：導引一脈衝雷射束陣列同時照射該犧牲層上之各自點以在該受體基板上沈積點之一對應矩陣。
  18. 如請求項17之方法，其中導引該脈衝雷射束陣列包括：在該受體基板上沈積該等點之一第一矩陣，且接著使該施體薄片移位且導引該脈衝雷射束陣列在該受體基板上沈積與該等點之該第一矩陣交錯之該等點之一第二矩陣。
  19. 一種製造裝置，其包括： 一施體薄片，其包括： 一施體基板，其在一特定光譜範圍內透明且具有對置第一及第二表面； 一犧牲層，其吸收該特定光譜範圍內之光輻射且安置於該施體基板之該第一表面上；及 一施體膜，其包括一膏且安置於該施體基板上之該犧牲層上， 其中該施體薄片經定位使得該施體膜接近一受體基板上之一目標位置； 一雷射，其經組態以輸出該特定光譜範圍內之一脈衝雷射束；及 一光學總成，其經組態以導引該脈衝雷射束穿過該施體基板之該第二表面且依經選擇以燒蝕該犧牲層之一脈衝能量及光點大小照射該犧牲層，因此引起該膏之一黏彈性射流自該施體膜射出且在該受體基板上之該目標位置處沈積具有小於該雷射束之該光點大小之一直徑之一點。
  20. 如請求項19之裝置，其中該施體基板包括一聚合物箔，且其中該聚合物箔具有一熱導率κ ＜ 0.5 W/m*K。
  21. 如請求項19之裝置，其中該犧牲層包括一金屬膜，且其中該金屬膜具有小於100 nm之一厚度且包括選自由鈦、鎢、鉻及鉬組成之一群組之一金屬。
  22. 如請求項19之裝置，其中該膏係一錫膏，且其中該錫膏包括具有大於10 μm之一直徑之金屬微粒。
  23. 如請求項19之裝置，其中該施體薄片定位成與該受體基板之一表面相距至少200 µm之一距離。
  24. 如請求項19之裝置，其中該特定光譜範圍包括一紅外波長範圍。
  25. 如請求項19之裝置，其中該雷射及該光學總成經組態以導引一或多個雷射輻射脈衝依大於每脈衝200 µJ之一能量照射該犧牲層。
  26. 如請求項25之裝置，其中該一或多個脈衝具有每脈衝10 ns至5 µs之間的一持續時間。
  27. 如請求項19之裝置，其中照射該犧牲層之該雷射束之該光點大小大於200 μm，且由該黏彈性射流沈積之該錫點之該直徑小於200 μm。
  28. 如請求項27之裝置，其中照射該犧牲層之該雷射束之該光點大小大於300 μm。
  29. 如請求項19之裝置，其中該光學總成經組態以導引一脈衝雷射束陣列同時照射該犧牲層上之各自點以在該受體基板上沈積點之一對應矩陣。
  30. 如請求項29之裝置，其中該脈衝雷射束陣列引起該等點之一第一矩陣沈積於該受體基板上，此後，使該施體薄片移位，且該光學總成導引該脈衝雷射束陣列在該受體基板上沈積與該等點之該第一矩陣交錯之該等點之一第二矩陣。
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