TW202145640A - 射頻通訊天線模組及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種射頻通訊天線模組，包括有一基板以及一第一天線結構。該基板，具有一容置槽，用以提供容置一晶片模組。該第一天線結構，包括有一第一耦接段、一第一延伸天線段以及一第一端部天線段。該第一耦接段，其係包括有一第一耦接天線段與一第二耦接天線段，該第一耦接天線段與該第二耦接天線段分別藉由一第一壓接結構與該晶片模組的一第一電性連接部電性連接。該第一延伸天線段，固定於位於該晶片模組的第一側的該基板上。該第一端部天線段固定於該晶片模組的一第二側的該基板上，該第一端部天線段之一端與該第二耦接天線段位於該第二側的端部連接。在另一實施例中，本發明提供一種製程方式用以製造出該射頻通訊天線模組。

Description

射頻通訊天線模組及其製造方法

本發明為一種射頻通訊天線的設計，特別是指一種可以強化通訊晶片固定效果與提升製程效率的一種射頻通訊天線模組及其製造方法。

射頻識別(Radio Frequency Identification，以下簡稱RFID)是一種通信技術，其主要係由無線資訊處理技術、讀寫器、與RFID裝置所組合而成，其中該RFID裝置是指晶片和迴路天線所構成的組件，只要搭配專用的讀寫器，就可以非接觸的通訊方式從外部讀取或寫入資料，同時供讀寫器擷取、辨識RFID裝置的資訊，以提供給後端的應用系統進一步處理、使用或加值運用，該無線射頻識別系統可應用的範圍相當廣，例如一般門禁的管制、汽車晶片防盜器、或者是消費電子裝置，例如：智慧型手機、相機等。

請參閱圖1所示，該圖為習用之射頻通訊天線模組示意圖。習用技術中該模組具有一鑲嵌基板10，其上具有一開槽100，其內容置有一晶片模組101。晶片模組101的兩側分別具有電性連接部101a與101b。在晶片模組101之周圍具有一第一天線結構102，沿著鑲嵌基板10的周圍形成有複數天線圈第一天線結構。第一天線結構102的兩端的天線段102a與102b分別與電性連接部101a與101b電性連接。

在圖1的實施例中，一般而言，晶片模組101被放置在具有底部支撐的開槽100內，而僅以天線段102a與102b與電性連接部101a與101b電性連接的區域作為提供固定晶片模組。習用技術中，電性連接的方式，大多使用導電膠材、錫膏、銀漿或奈米銀，透過加熱或燒結的方式達成天線與晶片模組電性連接的效果。在這樣的情況下，對於晶片模組101的固定效果有限，因此在後續封裝的過程中晶片模組有可能因為受力而異位。特別是在開槽100是貫穿鑲嵌基板10的結構時，晶片模組101完全僅依靠天線段102a與102b與電性連接部101a與101b電性連接的區域來提供支撐力，這對於固定晶片模組的效果而言是不足夠的。

綜合上述，因此需要一種射頻通訊天線模組及其製造方法來解決習用技術的問題。

本發明提供一種射頻通訊天線模組及其製造方法，透過天線特定的佈局設計，使得設置在基板開槽內的晶片模組可以和天線產生兼顧電性連接與結構強度的效果，使得晶片模組開槽完全貫穿基板的情況下，仍然可以得到良好的固定效果。

本發明提供一種射頻通訊天線模組及其製造方法，透過天線特定的佈局設計，可以讓每一晶片模組上的電性連接部具有複數條導線通過，而且縮小導線間的距離，使得在進行電性連接製程時，可以一次性的作業即可以完成複數條導線同時與對應的電性連接部完成電性連接，達到提升製程效率的效果。

本發明提供一種射頻通訊天線模組，包括有一基板以及一第一天線結構。該基板，具有一容置槽，用以提供容置一晶片模組。該第一天線結構，包括有一第一耦接段、一第一延伸天線段以及一第一端部天線段。該第一耦接段，其係包括有一第一耦接天線段與一第二耦接天線段，該第一耦接天線段與該第二耦接天線段分別藉由一第一壓接結構與該晶片模組的一第一電性連接部電性連接。該第一延伸天線段，固定於該晶片模組的一第一側的該基板上。該第一端部天線段，固定於該晶片模組的一第二側的該基板上，該第一端部天線段之一端與該第一耦接段21a連接。

在另一實施例中，本發明提供一種射頻通訊天線模組製造方法，其係包括有下列步驟：首先，於一基板上形成一容置槽。接著，設置一晶片模組於該容置槽內。然後，以一導線於該晶片模組的一側形成一第一天線結構，其係包括有具有一第一耦接天線段與一第二耦接天線段之一第一耦接段、一第一延伸天線段以及一第一端部天線段。接下來，使一焊嘴於該第一耦接天線段與該第二耦接天線段分別形成一第一壓接結構，而與該第一電性連接部電性連接。最後，使該第一延伸天線段與該第一端部天線段固定於該基板上。

2:射頻通訊天線模組

20:基板

200:容置槽

21、21’、21”:第一天線結構

21a:第一耦接段

210:第一耦接天線段

211:第二耦接天線段

212:第一壓接結構

21b:第一延伸天線段

210b:第一天線段

211b:第一連接天線段

212b:第二天線段

213b:第一端

214b:第二端

215b:第一連接端

216b:第二連接端

217b:第三端

218b:第四端

21c:第一端部天線段

21d:第二耦接段

213:第三耦接天線段

214:第四耦接天線段

215:第二壓接結構

21e:第二延伸天線段

210e:第三天線段

211e:第二連接天線段

212e:第四天線段

213e:第一端

214e:第二端

215e:第一連接端

216e:第二連接端

217e:第三端

218e:第四端

21f:第二端部天線段

211c、211d、211f、211g、211h、211i、211j、211k、211L:第一連接天線段

22:天線圈

23、23’、23”:第二天線結構

3:晶片模組

30a:電性連接部

30b:第二電性連接部

4:焊嘴

90:導線

91~97:區域

S1:第一側

S2:第二側

圖1為習用之射頻通訊天線模組示意圖。

圖2A為本發明之射頻通訊天線模組之一實施例俯視示意圖。

圖2B為關於晶片模組之局部區域放大示意圖。

圖2C為圖2B所示之局部區域AA剖面示意圖。

圖3A為本發明之第一延伸天線段示意圖。

圖3B為本發明之第二延伸天線段示意圖。

圖3C至圖3L分別為本發明之第一延伸天線段不同實施例示意圖。

圖4A至圖4H為本發明之射頻通訊天線模組製造方法之一實施例流程示意圖。

圖4I為本發明之利用超音波將導線植入基板的另一實施例示意圖。

圖4J為本發明之利用超音波將導線植入基板的又一實施例示意圖。

圖5為本發明之射頻通訊天線模組另一實施例俯視示意圖。

圖6為本發明之射頻通訊天線模組另一實施例俯視示意圖。

在下文將參考隨附圖式，可更充分地描述各種例示性實施例，在隨附圖式中展示一些例示性實施例。然而，本發明概念可能以許多不同形式來體現，且不應解釋為限於本文中所闡述之例示性實施例。確切而言，提供此等例示性實施例使得本發明將為詳盡且完整，且將向熟習此項技術者充分傳達本發明概念的範疇。類似數字始終指示類似元件。以下將以多種實施例配合圖式來說明無線射頻通訊裝置及其製造方法，然而，下述實施例並非用以限制本發明。此外，實施例中的第一、第二等類的用語僅為用來說明結構的代稱，並不以該第一與第二作為位置、順序來限制本發明之精神。

請參閱圖2A與圖2B所示，其中圖2A為本發明之射頻通訊天線模組之一實施例俯視示意圖；圖2B為關於晶片模組之局部區域放大示意圖。在本實施例中，射頻通訊天線模組2，包括有基板20以及第一天線結構21。該基板20具有容置槽200，用以提供容置一晶片模組3。在本實施例中，基板20的材質為聚氯乙烯(PVC)或聚對苯二甲酸乙二酯(PETG)材質，但不以此為限制。容置槽 200在本實施例中，為貫穿基板20的容置槽。在另一實施例中，容置槽200也可以具有底部的一端封閉的開槽。晶片模組3，在本實施例中，為無線射頻識別(RFID)晶片模組，例如：UHF頻段或HF頻段的RFID晶片模組。在晶片模組3的兩側分別具有第一電性連接部30a與第二電性連接部30b，用以和第一天線結構21電性連接。

第一天線結構21在本實施例中為導線90所繞設而成。本實施例中，係由單一導線90繞出第一天線結構21。本實施例中，導線90為具有線徑的導線，例如：漆包線，但不以此為限制。在本實施例中，第一天線結構21在對應第一電性連接部30a的區域上，包括有第一耦接段21a、第一延伸天線段21b與第一端部天線段21c，以及在對應第二電性連接部30b的區域，則具有一第二天線結構23其係包括有第二耦接段21d、第二延伸天線段21e與第二端部天線段21f。射頻通訊天線模組2更具有複數圈的天線圈22與該第一天線結構21以及該第二天線結構23連接，使得該天線圈22、該第一天線結構21、該第二天線結構23以及該晶片模組3構成電性迴路。在本實施例中，天線圈22與第一耦接段21a，以及第二耦接段21d連接在一起。本實施例中，第一耦接段21a、第一延伸天線段21b、第一端部天線段21c、第二耦接段21d、第二延伸天線段21e、第二端部天線段21f以及天線圈22都是由單一導線90所繞成。

在對應第一電性連接部30a的區域上的第一耦接段21a，包括有第一耦接天線段210與第二耦接天線段211，其中，第一耦接天線段210與第二耦接天線段211分別藉由第一壓接結構212與晶片模組3的第一電性連接部30a電性連接。在本實施例中，第一耦接天線段210與第二耦接天線段211之間為幾近平行的導線。前述幾近平行係止大約或大致成平行，代表不是完美的平行，例如： 因為加工或量測誤差所造成部分區段無法相互平行或接近平行的狀態。請參閱圖2B與2C所示，其中圖2C為圖2B所示之局部區域AA剖面示意圖。在本實施例中，第一壓接結構212為透過焊嘴施壓在第一耦接天線段210與第二耦接天線段211上的特定區域，透過壓力與電熱使被焊嘴施壓的第一耦接天線段210與第二耦接天線段211的區域變形，而形成如圖2C所示的第一壓接結構212，進而可以和第一電性連接部30a產生電性連接與固定的效果。

再回到圖2A與圖2B所示，第一延伸天線段21b固定於該晶片模組3的第一側S1的基板20上。請參閱圖2B與圖3A所示，其中圖3A為本發明之第一延伸天線段示意圖。在本實施例中，第一延伸天線段21b包括有第一天線段210b、第一連接天線段211b以及第二天線段212b。第一天線段210b設置於該基板20上，其係具有第一端213b與第二端214b，第一端213b與第一耦接天線段210連接。第一連接天線段211b，設置於基板20上，其係具有幾何形狀的輪廓。要說明的是，本發明之幾何形狀輪廓包含直線、曲線、直線所構成的多邊形、具有曲度幾何形狀、或者是由直線與曲線所構成的幾何形狀等。第一連接天線段211b具有第一連接端215b與第二連接端216b，其中第一連接端215b與第一天線段210b的第二端214b連接。在本實施例中，第一天線段210b與第二天線段212b為幾近平行的兩條導線，具有一間距。

本實施例中，第一連接天線段211b的幾何形狀係為幾近圓形的形狀。第一連接天線段211b的幾何形狀的尺寸D2，本實施例為直徑，係大於第一天線段210b與該第二天線段212b之間的間距D1。第二天線段212b設置於基板20上，其係具有第三端217b與第四端218b，第三端217b於與第二耦接天線段211連接，第四端218b與第一連接天線段211b之第二連接端216b連接。本實施例的 特點在於，透過導線90繞線時，由第一天線段210b之第二端214b向外擴形成第一連接天線段211b的幾何結構，再向內縮至第二連接端216b，再與二天線段212b的第四端218b連接，可以讓第一天線段210b與該第二天線段212b之間縮短間距，進而可以縮小第一耦接天線段210與一第二耦接天線段211之間的間距D。當間距D縮小，則可以有利於焊嘴同時施壓在第一耦接天線段210與一第二耦接天線段211，以同步形成第一壓接結構212。在一實施例中，該間距D小於0.8mm。

再回到圖2B所示，第一端部天線段21c固定於該晶片模組3的第二側S2的基板20上，第一端部天線段21c之一端與第一耦接段21a連接。本實施例中，第一端部天線段21c之一端與第一耦接天線段210位於該第二側S2的端部連接。本實施例中，第一端部天線段21c由第一耦接天線段210延伸至基板20特定的長度之後，彎折一角度。本實施例中，該角度為90度。而第二耦接天線段211的另一端則與該天線圈22連接。要說明的是，雖然本實施例中，第一端部天線段21c係從第一耦接天線段210延伸，而第二耦接天線段211與天線圈22連接，但不以此為限，於另一實施例中，第一端部天線段21c亦可從第二耦接天線段211延伸至第二側S2再固定於基板20上，第一耦接天線段210則與該天線圈連接。要說明的是，在晶片模組3的第一側S1的第一延伸天線段21b以及在晶片模組3第二側S2的第一端部天線段21c可以透過一固定手段黏著於基板20上。在本實施例中，第一延伸天線段21b以及第一端部天線段21c可以透過超音波熔接的方式與基板20相結合。例如圖2B與圖3A所示中，區域91與92為利用超音波熔接的方式，對該區域上的導線施加超音波產生熱能，由於基板20為高分子材料所構成的基板，因此當第一延伸天線段21b以及第一端部天線段21c對應該區域91與92的導線受熱會嵌入至基板20與基板20接合產生固定的效果。

請參閱圖2B與圖3B所示，對應晶片模組3的第二電性連接部30b同樣具有第二耦接段21d、第二延伸天線段21e與第二端部天線段21f。第二耦接段21d包括有第三耦接天線段213與第四耦接天線段214。第三耦接天線段213與第四耦接天線段214分別藉由第二壓接結構215與該晶片模組3的第二電性連接部30b電性連接。第二耦接段21d之結構特徵係如同第一耦階段21a的結構特徵，在此不作贅述。該第二延伸天線段21e，固定於該晶片模組3的第一側S1的基板20上。第二延伸天線段21e包括有第三天線段210e、第二連接天線段211e以及第四天線段212e。第三天線段210e設置於基板20上，其係具有第一端213e與第二端214e，第一端213e與第三耦接天線段213連接。第二連接天線段211e，設置於基板20上，其係具有幾何形狀，第二連接天線段211e具有第一連接端215e與第二連接端216e，其中第一連接端215e與第三天線段210e的第二端214e連接。第四天線段212e設置於基板20上，其係具有第三端217e與第四端218e，第三端217e與第四耦接天線段214連接，第四端218e與該第二連接天線段211e之第二連接端216e連接。

第二端部天線段21f，固定於晶片模組3的第二側S2的基板20上，第二端部天線段21f之一端與第四耦接天線段214位於第二側S2的端部連接。本實施例中，第二端部天線段21f由第四耦接天線段214延伸至基板20特定的長度之後，彎折一角度。本實施例中，該角度為90度。要說明的是，雖然本實施例中，第二端部天線段21f係從第四耦接天線段214延伸至第二側S2的基板20上，第三耦接天線段213與天線圈22連接，但不以此為限，於另一實施例中，第二端部天線段21f亦可從第三耦接天線段213延伸至第二側S2再固定於基板20上，而第四耦接天線段22則與天線圈22連接。在晶片模組3的第一側S1的第二延伸天線 段21e以及在晶片模組3第二側S2的第二端部天線段21f可以透過固定手段黏著於基板20上。在本實施例中，如前所述，可以透過超音波熔接的方式與基板20相結合。例如圖2B與圖3B所示中，區域93與94為利用超音波熔接的方式，對於該區域上的導線施加超音波產生熱能，使第二延伸天線段21e以及第二端部天線段21f對應該區域93與94的導線受熱會嵌入至基板20與基板20接合。

請參閱圖3C至圖3L所示，其係分別為本發明之第一延伸天線段不同實施例示意圖。在圖3C中，第一延伸天線段211c基本上與圖3A相似，差異是本實施例中的第一連接天線段211c的幾何形狀為由導線圍繞近似三角形的結構。在圖3D至圖3I中的第一連接天線段的幾何形狀為多邊形。例如，在圖3D中所示的第一連接天線段211d為由導線圍繞近似四邊形的結構。在圖3E中所示的第一連接天線段211k為由導線圍繞近似五邊形的結構。在圖3F中所示的第一連接天線段211f為由導線圍繞近似六邊形的結構。在圖3G中所示的第一連接天線段211g為由導線圍繞近似七邊形的結構。在圖3H中所示的第一連接天線段211h為由導線圍繞近似八邊形的結構。在圖3I中所示的第一連接天線段211i為由導線圍繞多邊形的結構，其係由一側向第一天線段210b以及第二天線段212b的端點逐漸縮小間距。在圖3J中所示的第一連接天線段211j為由導線圍繞多邊形的結構，其至少一邊為具有曲度的側邊。在圖3K中所示的第一連接天線段211k為直線導線所構成連接側邊。圖3L所示的第一連接天線段211L為曲度導線所構成連接側邊。對於第一天線段210b與第二天線段212b之間的間距沒有尺寸要求的可以採用圖3K或3L的方式。要說明的是，雖然前述圖3C至圖3K以第一延伸天線段為例，但是對於第二延伸段亦是相同的設計概念，在此不作贅述。

再回到圖2B所示，從圖2B所示的結構，可以清楚得知透過天線特 定的佈局設計，也就是對應第一電性連接部30a的區域上，第一耦接段21a具有複數個天線導線所形成的複數個第一壓接結構212、在第一電性連接部30a兩側S1與S2的第一延伸天線段21b與與第一端部天線段21c分別具有熔接區域91與92，以及在對稱的第二電性連接部30b上的第二耦接段21d有複數個第二壓接結構215、在第二電性連接部30b兩側S1與S2的第二延伸天線段21e與第二端部天線段21f分別具有熔接區域93與94，可以使得設置在基板20容置槽200內的晶片模組3可以和天線產生兼顧電性連接與結構強度的效果，使得晶片模組3可以穩固地被固定在容置槽200內，不會上下左右晃動。由於晶片模組對應第一電性連接部30a與第二電性連接部30b的區域分別具有三個固定位置，因此，即使晶片模組3的容置槽200在完全貫穿基板20而沒有支撐的情況下，仍然可以得到良好的固定效果。

請參閱圖4A至圖4H所示，該圖為本發明之射頻通訊天線模組製造方法之一實施例流程示意圖。在本實施例中，首先進行如圖4A所示，提供基板20，其材質為聚氯乙烯(PVC)或聚對苯二甲酸乙二酯(PETG)材質，但不以此為限制。然後於基板20上形成容置槽200。接著，如圖4B所示，設置一晶片模組於該容置槽內。如圖4C所示，以導線90於該晶片模組3的一側形成一第一天線結構21，其係包括有具有第一耦接天線段210與第二耦接天線段211之一第一耦接段21a、第一延伸天線段21b以及第一端部天線段21c，其中第一耦接天線段210與第二耦接天線段211對應該晶片模組上的第一電性連接部30a。在圖4C的步驟中，形成該第一天線結構21更包括有下列步驟，首先以導線90於該晶片模組3的一側形成第一端部天線段21c。然後繼續以導線90於第一電性連接部30a形成第一耦接天線段210。接著，由第一耦接天線段210向晶片模組3的另一側S1將導 線90延伸以形成第一延伸天線段21b。然後，再將導線90由第一延伸天線段21b的一端形成向第一電性連接部30a延伸，以將第二耦接天線段211形成於第一電性連接部30a上。

要說明的是，如圖3A所示，要形成第一延伸天線段21b的程序可以先由第一耦接天線段210向基板20的第一側S1，延伸出第一天線段210b。然後，由第一天線段210b的一端往外側擴以延伸出具有幾何形狀的第一連接天線段211b。最後，再由第一連接天線段211b之一端內縮並延伸出第二天線段212b。藉由上述的先往外擴張延伸，再內縮延伸，然後將導線90進一步向第一電性連接部30a延伸出與第一耦接天線段210幾近平行的第二耦接天線段211，可以更進一步縮短第一耦接天線段210與第二耦接天線段211之間的距離D，進而可以達到後續同步在第一耦接天線段210與第二耦接天線段211形成第一壓接結構212的效果，以提升製程效率。

接著如圖4D所示，以導線90由第二耦接天線段211繼續延伸，並將導線90沿著該基板20之周圍繞有複數個天線圈22與該第一天線結構21耦接。然後，如圖4D與4E所示，由該複數個天線迴圈22的另一端220向該晶片模組3的第二電性連接部30b構成另一第二天線結構23，包括有具有第三耦接天線段213與第四耦接天線段214之第二耦接段21d、第二延伸天線段21e以及第二端部天線段21f，其中該第三耦接天線段213與第四耦接天線段214對應晶片模組3上的第二電性連接部30b。

要說明的是，形成第二電性連接部30b上的第二天線結構23的方式，係以導線由最外圍的天線圈端延伸至該晶片模組3的第二電性連接部30b形成一第三耦接天線段213。然後，由第三耦接天線段213向該晶片模組3的另一側 S1延伸以形成一第二延伸天線段21e。接著，以導線再由第二延伸天線段21e的一端形成第四耦接天線段214於第二電性連接部30b上。然後，再將導線由該第四耦接天線214段向該晶片模組30的一側S2形成一第二端部天線段21f。形成第二延伸天線段21e的方式，如圖3B所示，是由第三耦接天線段213向該第一側S1的基板20上延伸出一第三天線段210e。由該第三天線段210e的一端延伸出具有幾何形狀的第二連接天線段211e。再由第二連接天線段211e之一端延伸出第四天線段212e，然後再向第二電性連接部30b形成第四耦接天線段214。其詳細特徵，係如前述第一延伸天線段21b所述，在此不做贅述。

然後，如圖4F與4G所示，使一焊嘴4於第一耦接天線段210與第二耦接天線段211分別形成第一壓接結構212，而與第一電性連接部30a電性連接。在本步驟中，透過焊嘴4向下移動與第一耦接天線段210與第二耦接天線段211的導線接觸而進行點焊。由於本實施例的導線為漆包線，因此透過焊嘴4的施壓與電熱使得導線表面的保護漆剝落，然後透過高熱與壓力讓受壓的第一耦接天線段210與第二耦接天線段211上的導線形成第一壓接結構212，而與第一電性連接部30a電性電性連接。同樣的方式，也在第三耦接天線段213與第四耦接天線段214分別形成第二壓接結構215，與第二電性連接部電性30b電性連接。

最後，如圖4H所示，再使第一延伸天線段21b與第一端部天線段21c以及第二延伸天線段21e與第二端部天線段21f固定於基板20上。在本實施例中，固定的方式，可以透過超音波熱熔接的方式，以超音波焊頭在第一延伸天線段21b與第一端部天線段21c的特定區域91與92施加超音波能量以讓導線發熱，由於基板20是高分子材料所構成，因此在第一延伸天線段21b與第一端部天線段21c上受到超音波能量發熱的位置會嵌入基板20內，達到固定第一延伸天線 段21b與第一端部天線段21c的效果。要說明的是區域91與92可以根據使用者的需求而定，其位置與範圍並不以圖中的實施例為限制。同理，第二延伸天線段21e與第二端部天線段21f上的區域93與94也是利用超音波熱熔的方式使第二延伸天線段21e與第二端部天線段21f固定於基板20上。

請參閱圖4I所示，該圖為本發明之利用超音波將導線植入基板的另一實施例示意圖。本實施例中，基本上與圖4I相似，差異的是，本實施例中的超音波植入區域為第一延伸天線段21b、第一端部天線段21c、-第二延伸天線段21e、第二端部天線段21f，透過超音波將導線經過的區域91~94植入道相應的基板20上。此外，第二耦接天線段211與第三耦接天線段213所延伸出來的連接到天線圈22的導線，也透過超音波將導線經過的區域95與96植入道相應的基板20上。透過圖4I將導線植入基板的區域擴大，可以提升各天線段的導線與晶片模組3的固定效果。此外，如圖4J所示，本實施例基本上與圖4I相似，差異的是，本實施例中超音波植入的範圍更包括有天線圈22所繞的複數圈的導線90所經過的區域97，透過超音波讓天線圈22的導線植入到基板20內，藉此提升天線圈、各天線固定於基板的效果。要說明的是，超音波植入的區域與範圍，可以根據使用者需求而定，並不以圖4H、4I或4J所示的植入區域91~97為限制。

請參閱圖5所示，該圖為本發明之射頻通訊天線模組另一實施例俯視示意圖。本實施例中的第一天線結構21’與第二天線結構23’基本上與前述的第一天線結構21與第二天線結構23相同，差異在於第一延伸天線段21b、第一端部天線段21c、第二延伸天線段21e以及第二端部天線段21f設置的位置。在前述實施例中，如圖4H所示，第一延伸天線段21b以及第一端部天線段21c分別設置在晶片模組3的左側與右側，也就是以晶片模組3的左側為第一側S1，以晶片模 組的右側為第二側S2。同理，第二延伸天線段21e以及第二端部天線段21f也是分別設置在晶片模組3的左側與右側。反觀圖5所示的實施例，第一天線結構21’的第一延伸天線段21b以及第一端部天線段21c分別設置在晶片模組3的右側與左側，也就是以晶片模組3的右側為第一側S1，以晶片模組的左側為第二側S2。同理，第二天線結構23’的第二延伸天線段21e以及第二端部天線段21f也是分別設置在晶片模組3的右側與左側。

請參閱圖6所示，該圖為本發明之射頻通訊天線模組另一實施例俯視示意圖。本實施例中的第一天線結構21”與第二天線結構23”基本上與前述如圖2B的第一天線結構21與第二天線結構23相同，差異在於第一延伸天線段21b、第一端部天線段21c、第二延伸天線段21e以及第二端部天線段21f段置的位置。在前述的實施例中，第一天線結構21或21’與第二天線結構23或23’的第一延伸天線段21b與第二延伸天線段21e設置在晶片模組3的同一側，例如第一側S1或第二側S2。而在本實施例中，第一延伸天線段21b與第二延伸天線段21e則分別設置在晶片模組3的兩側。以圖6為例，第一天線結構21”的第一延伸天線段21b設置在晶片模組3的第一側S1，第二天線結構23”的第二延伸天線段21e設置在晶片模組3的第二側S2。

以上所述，乃僅記載本發明為呈現解決問題所採用的技術手段之較佳實施方式或實施例而已，並非用來限定本發明專利實施之範圍。即凡與本發明專利申請範圍文義相符，或依本發明專利範圍所做的均等變化與修飾，皆為本發明專利範圍所涵蓋。

20:基板

200:容置槽

21:第一天線結構

21a:第一耦接段

210:第一耦接天線段

211:第二耦接天線段

212:第一壓接結構

21b:第一延伸天線段

21c:第一端部天線段

21d:第二耦接段

213:第三耦接天線段

214:第四耦接天線段

215:第二壓接結構

21e:第二延伸天線段

21f:第二端部天線段

22:天線圈

23:第二天線結構

3:晶片模組

30a:電性連接部

30b:第二電性連接部

90:導線

91~94:區域

Claims (20)

1. 一種射頻通訊天線模組，包括有：

   一基板，具有一容置槽，用以提供容置一晶片模組；

   一第一天線結構，包括有：

   一第一耦接段，其係包括有一第一耦接天線段與一第二耦接天線段，該第一耦接天線段與該第二耦接天線段分別藉由一第一壓接結構與該晶片模組的一第一電性連接部電性連接；

   一第一延伸天線段，固定於該晶片模組的一第一側的該基板上；以及

   一第一端部天線段，固定於該晶片模組的一第二側的該基板上，該第一端部天線段之一端與該第一耦接段連接。
2. 如請求項1所述之射頻通訊天線模組，其中該第一延伸天線段更具有：

   一第一天線段，設置於該基板上，其係具有一第一端與一第二端，該第一端與該第一耦接天線段連接；

   一第一連接天線段，設置於該基板上，其係具有一幾何形狀，該第一連接天線段具有一第一連接端與第二連接端，其中該第一連接端與該第一天線段的第二端連接；以及

   一第二天線段，設置於該基板上，其係具有一第三端與一第四端，該第三端於與該第二耦接天線段連接，該第四端與該第一連接天線段之第二連接端連接。
3. 如請求項1所述之射頻通訊天線模組，其更具有一導線沿著該基板之周圍繞有一天線圈，該導線之一端與該第二耦接天線段位於該第二側的端部連接。
4. 如請求項1或3所述之射頻通訊天線模組，更具有一第二天線結構23，包括有一第二耦接段，其係包括有一第三耦接天線段與一第四耦接天線段，其中，該第三耦接天線段與該第四耦接天線段分別藉由一第二壓接結構與該晶片模組的一第二電性連接部電性連接。
5. 如請求項4所述之射頻通訊天線模組，其係更具有一第二延伸天線段，固定於該晶片模組的第一側的該基板上，該第二延伸天線段包括有：

   一第三天線段，設置於該基板上，其係具有一第一端與一第二端，該第一端與該第三耦接天線段連接；

   一第二連接天線段，設置於該基板上，其係具有一幾何形狀，該第二連接天線段具有一第一連接端與第二連接端，其中該第一連接端與該第三天線段的第二端連接；以及

   一第四天線段，設置於該基板上，其係具有一第三端與一第四端，該第三端於與第四耦接天線段連接，該第四端與該第二連接天線段之第二連接端連接。
6. 如請求項4所述之射頻通訊天線模組，其中該第一延伸天線段與該第二延伸天線段設置在該晶片模組的同一側或者是該晶片模組相異的兩側。
7. 如請求項1所述之射頻通訊天線模組，其中該容置槽為貫穿該基板的槽體結構。
8. 如請求項1所述之射頻通訊天線模組，其中該第一耦接天線段與該第二耦接天線段相距的距離小於0.8mm。
9. 一種射頻通訊天線模組製造方法，其係包括有下列步驟：於一基板上形成一容置槽；

   設置一晶片模組於該容置槽內；

   以一導線於該晶片模組的一側形成一第一天線結構，其係包括有具有一第一耦接天線段與一第二耦接天線段之一第一耦接段、一第一延伸天線段以及一第一端部天線段；

   使一焊嘴於該第一耦接天線段與該第二耦接天線段分別形成一第一壓接結構，而與該第一電性連接部電性連接；以及

   使該第一延伸天線段與該第一端部天線段固定於該基板上。
10. 如請求項9所述之射頻通訊天線模組製造方法，其中形成該第一天線結構更包括有下列步驟：

    以一導線於該晶片模組的一側形成該第一端部天線段；

    以該導線於該第一電性連接部形成該第一耦接天線段；

    以該導線由該第一耦接天線段向該晶片模組的另一側延伸以形成該第一延伸天線段；以及

    以該導線由該第一延伸天線段的一端形成該第二耦接天線段於該第一電性連接部上。
11. 如請求項9所述之射頻通訊天線模組製造方法，其係使用該壓嘴於一次下壓的動作中同時在該第一耦接天線段與該第二耦接天線段分別形成該第一壓接結構。
12. 如請求項9所述之射頻通訊天線模組製造方法，其中固定該第一延伸天線段與該第一端部天線段於該基板上的方式為使用超音波熔接。
13. 如請求項9所述之射頻通訊天線模組製造方法，其中該第一耦接天線段與該第二耦接天線段相距的距離小於0.8mm。
14. 如請求項9所述之射頻通訊天線模組製造方法，其中該容置槽為一貫穿該基板的槽體結構。
15. 如請求項9所述之射頻通訊天線模組製造方法，其中形成該第一延伸天線段更包括有下列步驟：

    由該第一耦接天線段向該基板的一第一側延伸出一第一天線段；

    由該第一天線段的一端延伸出具有一幾何形狀的一第一連接天線段；以及由該第一連接天線段之一端延伸出一第二天線段。
16. 如請求項9所述之射頻通訊天線模組製造方法，其係更包括有以該導線由該第二耦接天線段繼續延伸以沿著該基板之周圍繞有一天線圈。
17. 如請求項16所述之射頻通訊天線模組製造方法，其係更包括有形成一第二天線結構與該天線圈耦接，形成該第二天線結構更包括有下列步驟：

    以該導線由該最外圍的天線圈端延伸至該晶片模組的第二電性連接部形成一第三耦接天線段；

    以該導線由該第三耦接天線段向該晶片模組的該第一側延伸以形成一第二延伸天線段；

    以該導線由該第二延伸天線段的一端形成一第四耦接天線段於該第二電性連接部上；以該導線由該第四耦接天線段向該晶片模組的該第二側形成一第二端部天線段；

    使該焊嘴於該第三耦接天線段與該第四耦接天線段分別形成一第二壓接結構，而與該第二電性連接部電性連接；以及

    使該第二延伸天線段以及該第二端部天線段固定於該基板上。
18. 如請求項17所述之射頻通訊天線模組製造方法，其中固定該第二延伸天線段與該第二端部天線段於該基板上的方式為使用超音波熔接。
19. 如請求項17所述之射頻通訊天線模組製造方法，其中形成該第二延伸天線段更包括有下列步驟：

    由該第三耦接天線段向該第一側的基板上延伸出一第三天線段；

    由該第三天線段的一端延伸出具有一幾何形狀的一第二連接天線段；以及由該第二連接天線段之一端延伸出一第四天線段。
20. 如請求項17所述之射頻通訊天線模組製造方法，其中該第一延伸天線段與該第二延伸天線段設置在該晶片模組的同一側或者是該晶片模組相異的兩側。

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