TW202145553A - 色彩轉換層之原位固化 - Google Patents

色彩轉換層之原位固化 Download PDF

Info

Publication number
TW202145553A
TW202145553A TW110128690A TW110128690A TW202145553A TW 202145553 A TW202145553 A TW 202145553A TW 110128690 A TW110128690 A TW 110128690A TW 110128690 A TW110128690 A TW 110128690A TW 202145553 A TW202145553 A TW 202145553A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
color
light
emitting diodes
display
array
Prior art date
Application number
TW110128690A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI799933B (zh
Inventor
張代化
駱英東
朱明偉
浩智 黃
西法帕奇亞 卡納帕西亞潘
納格Ｂ 帕逖邦德拉
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW202145553A publication Critical patent/TW202145553A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI799933B publication Critical patent/TWI799933B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/201—Filters in the form of arrays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/702—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof of thick-or thin-film circuits or parts thereof
    • H01L21/707—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof of thick-or thin-film circuits or parts thereof of thin-film circuits or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)

Abstract

本案提供一種製作多色彩顯示器之方法，包括以下步驟：在顯示器上配給包括色彩轉換劑的光可固化流體，顯示器具有背平面及與背平面的背平面電路系統電氣整合的發光二極體的陣列；在發光二極體的陣列中啟動複數個發光二極體，以照明並固化第一光可固化流體，以在第一複數個發光二極體之各者上形成色彩轉換層，以將來自複數個發光二極體的光轉換成第一色彩的光；且移除第一光可固化流體的未固化的殘留物。以用於另一色彩具有不同色彩轉換組成的流體重複此處理。

Description

色彩轉換層之原位固化
本揭露案大致關於微LED顯示器的製作。
發光二極體（LED）面板使用LED的陣列，具有個別LED提供個別可控制的像素元件。此LED面板可用於電腦、觸碰面板裝置、個人數位助理（PDA）、手機、電視監控器及類似者。
基於III-V族半導體技術使用微規模LED的LED面板（亦稱為微LED）與OLED比較將具有許多優點，例如高能量效率、亮度及壽命，以及在顯示器堆疊中較少的材料層，而可簡化製造。然而，存在對於微LED面板製造的挑戰。具有不同色彩發射的微LED（例如，紅、綠及藍像素）需要透過分開的處理在不同基板上製作。將微LED裝置的多重色彩整合在單一面板上需要撿起及放置步驟，以從其原始供體基板將微LED裝置傳送至目標基板。此舉通常牽涉LED結構或製作處理的修改，例如引入犧牲層以緩解晶粒的釋放。此外，對放置精確度的嚴格要求（例如，小於1 um）限制產量、最終產出之任一者或兩者。
繞過撿起及放置步驟的替代方案為在以單色LED製作的基板上，於特定像素地點處選擇性沉積色彩轉換劑（例如，量子點、奈米結構、螢光材料或有機物質）。單色LED可產生相對短的波長光，例如，紫或藍光，且色彩轉換劑可將此短波長光轉換成更長的波長光，例如紅或綠光，用於紅或綠像素。色彩轉換劑的選擇性沉積可使用高解析度陰影遮罩或可控制噴墨或噴氣印刷來實行。
一種製作多色彩顯示器之方法，包括以下步驟：在顯示器上配給包括第一色彩轉換劑的第一光可固化流體，顯示器具有背平面及與背平面的背平面電路系統電氣整合的發光二極體的陣列；在發光二極體的陣列中啟動第一複數個發光二極體，以照明並固化第一光可固化流體，以在第一複數個發光二極體之各者上形成第一色彩轉換層，以將來自第一複數個發光二極體的光轉換成第一色彩的光；移除第一光可固化流體的未固化的殘留物；此後，在顯示器上配給包括第二色彩轉換劑的第二光可固化流體；在發光二極體的陣列中啟動第二複數個發光二極體，以照明並固化第二光可固化流體，以在第二複數個發光二極體之各者上形成第二色彩轉換層，以將來自第二複數個發光二極體的光轉換成不同的第二色彩的光；及移除第二光可固化流體的未固化的殘留物。
實例可包括一或更多以下特徵。
在顯示器上可配給第三光可固化流體。第三光可固化流體可包括第三色彩轉換劑。在發光二極體的陣列中可啟動第三複數個發光二極體，以照明並固化第三光可固化流體，以在第三複數個發光二極體之各者上形成第三色彩轉換層，以將來自第三複數個發光二極體的光轉換成不同的第三色彩的光。可移除第三光可固化流體的未固化的殘留物。
發光二極體的陣列的發光二極體可經配置成產生紫外光。第一色彩、第二色彩及第三色彩可從藍、綠及紅選擇。第一色彩可為藍色，第二色彩可為綠色，且第三色彩可為紅色。
發光二極體的陣列可包括第三複數個發光二極體，且發光二極體的陣列的發光二極體可經配置成產生不同的第三色彩的光。在第三複數個發光二極體上無須形成色彩轉換層。發光二極體的陣列的發光二極體可經配置成產生藍或紫光。第一色彩及第二色彩可從綠及紅選擇。第一色彩可為綠色，且第二色彩可為紅色。
配給第一光可固化流體及配給第二光可固化流體之步驟可包括以下一或更多者：旋塗、浸漬、噴塗、或噴墨處理。移除第一光可固化流體及第二光可固化流體之未固化的殘留物之步驟可包括以下一或更多者：沖洗及溶解。
在背平面上，於發光二極體的陣列的鄰接發光二極體之間，可形成複數個隔絕壁。在啟動第一複數個發光二極體期間，隔絕壁可阻擋從第一複數個發光二極體的照明而避免到達第二複數個發光二極體。隔絕壁可以光阻形成。
第一光可固化流體及第二光可固化流體之至少一者可包括溶劑。溶劑可蒸發。在發光二極體的陣列上可形成紫外阻擋層。
發光二極體的陣列的發光二極體可為微LED。
在另一態樣中，一種多色彩顯示器，包括背平面，具有背平面電路系統；微LED的陣列，與背平面的背平面電路系統電氣整合；第一色彩轉換層，在第一複數個發光二極體之各者上；第二色彩轉換層，在第二複數個發光二極體之各者上；及複數個隔絕壁，將陣列的鄰接微LED分開。陣列的微LED經配置成產生相同波長範圍的照明，第一色彩轉換層將照明轉換成第一色彩的光，且第二色彩轉換層將照明轉換成不同的第二色彩的光。
實例可選地（且非限於）提供一或更多以下優點。
處理步驟（塗佈、原位固化及沖洗）支援大幅面及高產量操作。因此，色彩轉換劑可選擇性地形成於微LED的陣列上，而具有更高的產出及產量。此舉可准許多色彩微LED顯示器以商業上可行的方式製作。可更輕易製作有彈性及/或可拉伸顯示器。原位固化可自動地確保對齊精準度。
主聚合物可供以作為用於晶粒保護的鈍化層。主聚合物亦能夠提供其他功能，例如，當以功能性成分適當地摻雜時的光學功能。
其他態樣、特徵及優點將從說明書及圖式且從申請專利範圍而為顯而易見的。
以下說明各種實例。應考量一個實例的元件及特徵可有益地併入其他實例中而無須進一步說明。
如上所述，可使用高解析度陰影遮罩或可控制噴墨或噴氣印刷來實行色彩轉換劑的選擇性沉積。不幸地，陰影遮罩傾向於具有對齊精確度及可擴展性之問題，而噴墨及噴氣遭受解析度（噴墨）、精確度（噴墨）及產量（噴氣）問題。為了製造微LED顯示器，需要新的技術以精準且經濟地將不同色彩的色彩轉換劑提供至基板上不同像素上，例如大面積基板或彈性基板。
可解決此等問題的技術為將用於第一色彩含有色彩轉換劑（CCA）的光可固化流體的層塗佈在具有單色微LED的陣列的基板上，接著開啟選擇的LED以在選擇的子像素的附近觸發原位聚合及固定CCA。可移除未選擇的子像素上未固化的流體，且接著可對不同色彩以CCA重複相同處理直到在晶圓上所有的子像素以所欲色彩的CCA覆蓋。此技術可克服對齊精確度、產量及可擴展性的挑戰。
第1圖圖示包括個別微LED 14的陣列12（見第2A及2B圖）佈置在背平面16上的微LED顯示器10。微LED 14已與背平面電路系統18整合，使得各個微LED 14可經個別處置。舉例而言，背平面電路系統18可包括TFT主動矩陣陣列，具有用於各個微LED的薄膜電晶體及儲存電容（未圖示），列位址及行位址線18a，列及行驅動器18b等等，以驅動微LED 14。或者，微LED 14可藉由在背平面電路系統18中的被動矩陣驅動。背平面16可使用常規CMOS處理製作。
第2A及2B圖圖示具有個別微LED 14的微LED陣列12之部分12a。所有的微LED 14以相同結構製作，以便產生相同波長範圍（此舉可稱為「單色」微LED）。舉例而言，微LED 14可產生紫外光（UV），例如近紫外之範圍。舉例而言，微LED 14可產生在365至405 nm範圍中的光。如另一範例，微LED 14可產生紫或藍範圍的光。微LED可產生具有20至60 nm光譜寬帶的光。
第2B圖圖示可提供單一像素的微LED陣列之部分。假設微LED顯示器為三色顯示器，各個像素包括三個子像素，每個用於各個色彩，例如，各一者用於藍、綠及紅的色彩頻道。如此，像素可包括三個微LED 14a、14b、14c。舉例而言，第一微LED 14a可相對應至藍子像素，第二微LED 14b可相對應至綠子像素，且第三微LED 14c可相對應至紅子像素。然而，以下所論述的技術可應用至使用大量色彩的微LED顯示器，例如四個或更多色彩。在此情況中，各個像素可包括四個或更多微LED，具有各個微LED相對應至分別的色彩。此外，以下所論述的技術可應用至使用僅兩個色彩的微LED顯示器。
一般而言，單色微LED 14可產生在具有波峰不大於意圖用於顯示器的最高頻率色彩的波長之波長的波長範圍中的光，例如紫或藍光。色彩轉換劑可將此短波長光轉換成較長波長光，例如，用於紅或綠子像素的紅或綠光。若微LED產生UV光，則色彩轉換劑可用以將UV光轉換成用於藍子像素的藍光。
垂直隔絕壁20形成於相鄰微LED之間。隔絕壁提供光學隔絕，以幫助局部聚合且在以下所論述的原位聚合期間降低光學串擾。隔絕壁20可為光阻或金屬，且可藉由習用微影蝕刻處理沉積。如第2A圖中所顯示，壁20可形成矩形陣列，具有各個微LED 14在藉由壁20界定的個別凹陷22中。亦可能為其他陣列幾何，例如六角形或偏移矩形陣列。用於背平面整合及隔絕壁形成的可能處理在以下更詳細論述。
壁可具有約3至20 µm的高度H。壁可具有約2至10 µm的寬度W。高度H可大於寬度W，例如，壁可具有1.5：1至5：1的長寬比。壁的高度H足以阻擋光從一個微LED到達鄰接微LED。
第3A-3H圖圖示在微LED陣列上選擇性形成色彩轉換劑（CCA）層之方法。初始，如第3A圖中所顯示，第一光可固化流體30a沉積在已與背平面電路系統整合的微LED 14陣列上。第一光可固化流體30a可具有大於隔絕壁20的高度H的深度D。
參照第4A圖，第一光可固化流體30a包括至少可交叉鏈結群組32，用以在相對應至微LED 14的發射的波長的照明下觸發聚合的光引發劑34，及色彩轉換劑36a。
當遭受聚合時，可交叉鏈結群組32將增加流體30a的黏度，例如，流體30a可固體化或形成凝膠狀網路結構。可交叉鏈結群組32可藉由單體提供，而當固化時形成聚合物，例如，丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯及丙烯醯胺。可交叉鏈結群組32可藉由負光阻提供，例如，SU-8光阻。
光引發劑34的範例包括Irgacure 184、Irgacure 819、Darocur 1173、Darocur 4265、Dacocur TPO、Omnicat 250及Omnicat 550。
色彩轉換劑36a為可將來自微LED 14的較短波長光轉換成相對應至三個色彩之一者的較長波長光的材料。在藉由第3A-3H圖示的範例中，色彩轉換劑36將來自微LED 14的UV光轉換成藍光。色彩轉換劑36可包括量子點、奈米結構、有機或無機螢光分子或其他適合的材料。
可選地，第一光可固化流體30a可包括溶劑37，例如，水、乙醇、甲苯、或甲乙酮、或其結合。溶劑可為有機或無機的。溶劑可經選擇以提供用於第一光可固化流體30a所欲的表面張力及/或黏度。溶劑亦可改善其他組成的化學穩定度。
可選地，第一光可固化流體30a可包括一或更多其他功能成分38。如一個範例，功能成分可影響色彩轉換層的光學特性。舉例而言，功能成分可包括具有足夠高折射率的奈米顆粒，而色彩轉換層作用為調整輸出光的光學路徑的光學層，例如，提供微透鏡。替代或額外地，奈米顆粒可具有經選擇的折射率，使得色彩轉換層作用為降低總反射損失的光學層，藉此改善光萃取。如另一範例，功能成分可足以調整流體30a的表面張力。
回到第3A圖，第一光可固化流體30a可藉由旋塗、浸漬、噴塗或噴墨處理沉積在顯示器上於微LED陣列上。噴墨處理對第一光可固化流體30a的消耗可為更有效率地。
下一步，如第3B圖中所顯示，使用背平面16的電路系統以選擇性啟動第一複數個微LED 14a。此第一複數個微LED 14a相對應至第一色彩的子像素。具體而言，第一複數個微LED 14a相對應至用於藉由在光可固化流體30a中的色彩轉換組成產生的光的色彩的子像素。舉例而言，假設在流體30a中的色彩轉換組成將來自微LED 14的光轉換成藍光，則僅開啟相對應於藍子像素的彼等微LED 14a。因為微LED陣列已與背平面電路系統18整合，可供應功率至微LED顯示器10且可藉由微處理器施加控制訊號以選擇性開啟微LED 14a。
參照第3B及3C圖，第一複數個微LED 14a的啟動產生照明A（見第3B圖），而造成第一光可固化流體30a的原位固化，以在各個啟動的微LED 14a上形成第一固體化色彩轉換層40a（見第3C圖）。簡言之，將流體30a固化以形成色彩轉換層40a，但僅在選擇的微LED 14a上。舉例而言，用於轉換成藍光的色彩轉換層40a可形成於各個微LED 14a上。
在一些實例中，固化為自我限制處理。舉例而言，來自微LED 14a的照明，例如，UV照明，可具有受限的穿透深度至光可固化流體30a中。如此，儘管第3B圖圖示照明A到達光可固化流體30a的表面，此舉非必要。在一些實例中，來自選擇的微LED 14a的照明不會到達其他微LED 14b、14c。在此情況中，隔絕壁20可為非必要的。
然而，若介於微LED 14之間的間隔足夠小，則隔絕壁20可肯定阻擋照明A從選擇的微LED 14a到達將從此等其他微LED照明的穿透深度之中的其他微LED上的區域。亦可包括隔絕壁20，例如，單純作為確保照明不會到達其他微LED上的區域。
可選擇第一複數個微LED 14a的驅動電流及驅動時間，用於光可固化流體30a的適當光子劑量。用於固化流體30a的每個子像素的功率不必與在微LED顯示器10的顯示模式中每個子像素的功率相同。舉例而言，用於固化模式的每個子像素的功率可比用於顯示模式的每個子像素的功率更高。
參照第3D圖，當完成固化且形成第一固體化的色彩轉換層40a時，從顯示器10移除殘留未固化的第一光可固化流體。此舉留下暴露的其他微LED 14b、14c用於下一次沉積步驟。在一些實例中，單純以溶劑（例如，水、乙醇、甲苯、或甲乙酮、或其結合）從顯示器沖洗未固化的第一光可固化流體30a。若光可固化流體30a包括負光阻，則沖洗流體可包括用於光阻的光阻顯影劑。
參照第3E及4B圖，重複關於第3A-3D圖以上所述的處置，但具有第二光可固化流體30b且啟動第二複數個微LED 14b。在沖洗之後，於第二複數個微LED 14b之各者上形成第二色彩轉換層40b。
第二光可固化流體30b類似於第一光可固化流體30a，但包括色彩轉換劑36b以將來自微LED 14的較短波長光轉換成不同的第二色彩的較長波長光。第二色彩可為例如綠色。
第二複數個微LED 14b相對應至第二色彩的子像素。具體而言，第二複數個微LED 14b相對應至用於藉由在第二光可固化流體30b中的色彩轉換組成產生的光的色彩的子像素。舉例而言，假設在流體30a中的色彩轉換組成將來自微LED 14的光轉換成綠光，則僅開啟相對應於綠子像素的此等微LED 14b。
參照第3F及4C圖，可選地仍再次重複關於第3A-3D圖以上所述的處置，但具有第三光可固化流體30c且啟動第三複數個微LED 14c。在沖洗之後，於第三複數個微LED 14c之各者上形成第三色彩轉換層40c。
第三光可固化流體30c類似於第一光可固化流體30a，但包括色彩轉換劑36c以將來自微LED 14的較短波長光轉換成不同的第三色彩的較長波長光。第三色彩可為例如紅色。
第三複數個微LED 14c相對應至第三色彩的子像素。具體而言，第三複數個微LED 14b相對應至用於藉由在第三光可固化流體30b中的色彩轉換組成產生的光的色彩的子像素。舉例而言，假設在流體30a中的色彩轉換組成將來自微LED 14的光轉換成紅光，則僅開啟相對應於紅子像素的此等微LED 14b。
在第3A-3F圖中圖示的此特定範例中，沉積色彩轉換層40a、40b、40c用於各個色彩子像素。此舉例如當微LED產生紫外光時為需要的。
然而，微LED 14可產生藍光而非UV光。在此情況中，可跳過藉由含有藍色色彩轉換劑的光可固化流體來塗佈顯示器10，且處理可使用用於綠及紅子像素的光可固化流體來實行。留下複數個微LED之一者不具有色彩轉換層，例如，在第3E圖中所顯示。不實行藉由第3F圖所顯示的處理。舉例而言，第一光可固化流體30a可包括綠CCA，且第一複數個14a微LED可相對應至綠子像素，且第二光可固化流體30b可包括紅CCA，且第二複數個14b微LED可相對應至紅子像素。
假設流體30a、30b、30c包括溶劑，某些溶劑可困於色彩轉換層40a、40b、40c中。參照第3G圖，此溶劑可蒸發，例如，藉由將微LED陣列暴露至熱，例如藉由IR燈。從色彩轉換層40a、40b、40c蒸發溶劑可導致層的緊縮，使得最終層更薄。
移除溶劑且緊縮色彩轉換層40a、40b、40c可增加色彩轉換劑的濃度，例如，量子點，因此提供更高色彩轉換效率。另一方面，包括溶劑准許光可固化流體的其他組成的化學配方更有彈性，例如，在色彩轉換劑或可交叉鏈結組成中。
可選地，如第3H圖中所顯示，UV阻擋層50可沉積於所有微LED 14的頂部上。UV阻擋層50可阻擋未被色彩轉換層40吸收的UV光。UV阻擋層50可為布拉格反射器，或可單純為對UV光選擇性吸收的材料。布拉格反射器可將UV光反射回向微LED 14，因此增加能量效率。
第5A-5E圖圖示在背平面上製作微LED陣列及隔絕壁之方法。參照第5A圖，處理以將提供微LED陣列的晶圓100開始。晶圓100包括基板102，例如，矽基或藍寶石晶圓，在其上佈置具有第一摻雜的第一半導體層104、主動層106及具有第二相對摻雜的第二半導體層108。舉例而言，第一半島體層104可為n摻雜的氮化鎵（n-GaN）層，主動層106可為多重量子井（MQW）層106，且第二半導體層107可為p摻雜的氮化鎵（p-GaN）層108。
參照第5B圖，蝕刻晶圓100以將層104、106、108劃分成個別微LED 14，包括相對應至第一、第二及第三色彩的第一、第二及第三複數個微LED 14a、14b、14c。此外，可沉積導電觸點110。舉例而言，p型觸點110a及n型觸點110b可分別沉積於n-GaN層104及p-GaN層108上。
類似地，製作背平面16以包括電路系統18以及電氣觸點120。電氣觸點120可包括第一觸點120a，例如，驅動觸點，及第二觸點120b，例如，接地觸點。
參照第5C圖，微LED晶圓100經對齊且放置與背平面16接觸。舉例而言，第一觸點110a可接觸第一觸點120a，且第二觸點110b可接觸第二觸點120b。微LED晶圓100可降低至與背平面接觸，或反之亦然。
下一步，參照第5D圖，移除基板102。舉例而言，可藉由拋光基板102移除矽基板，例如，藉由化學機械拋光。如另一範例，可藉由雷射剝離處理移除藍寶石基板。
最終，參照第5E圖，在背平面16（其中已附接微LED 14）上形成隔絕壁20。隔絕壁可藉由習用處理形成，例如光阻的沉積，藉由光微影蝕刻的光阻的圖案化，且發展以移除相對應至凹陷22的光阻之部分。所得到的結構可接著使用作為第3A-3H圖所述處理的顯示器10。
第6A-6D圖圖示在背平面上製作微LED陣列及隔絕壁之另一方法。此處理可類似於以上第5A-5E圖所論述的處理，除了以下所述者。
參照第6A圖，處理類似於以上所述之處理開始，具有將提供微LED陣列及背平面16的晶圓100。
參照第6B圖，在背平面16（其中尚未附接微LED 14）上形成隔絕壁20。
此外，蝕刻晶圓100以將層104、106、108劃分成個別微LED 14，包括第一、第二及第三複數個微LED 14a、14b、14c。然而，藉由此蝕刻處理形成的凹陷130足夠深以容納隔絕壁20。舉例而言，可持續蝕刻使得凹陷130延伸至基板102中。
下一步，如第6C圖中所顯示，微LED晶圓100經對齊且放置與背平面16接觸（或反之亦然）。隔絕壁20裝配至凹陷130中。此外，微LED的觸點110電氣連接至背平面16的觸點120。
最終，參考第6D圖，移除基板102。此舉在背平面16上留下微LED14及隔絕壁20。所得到的結構可接著使用作為第3A-3H圖所述處理的顯示器10。
已使用諸如垂直及橫向的位置的詞彙。然而，應理解此等詞彙代表相對位置，而非關於重力的絕對位置。舉例而言，橫向為平行於基板表面的方向，同時垂直為正交於基板表面的方向。
本領域中技藝人士將理解以上範例為例示且非限制。舉例而言：
儘管以上說明聚焦在微LED上，本技術可應用至具有其他類型的發光二極體的其他顯示器，特別為具有其他微規模發光二極體的顯示器，例如小於約10微米跨度的LED。
儘管以上說明假設色彩轉換層形成的順序為藍色、接著綠色、接著紅色，亦可能為其他順序，例如藍色、接著紅色、接著綠色。此外，亦可能為其他色彩，例如橘色及黃色。
應理解可作成各種修改而不會悖離本揭露案的精神及範疇。
10:顯示器 12:陣列 14:微LED 16:背平面 18:背平面電路系統 18a:位址線 18b:驅動器 20:隔絕壁 22:凹陷 30:光可固化流體 32:交叉鏈結群組 34:光引發劑 36:色彩轉換劑 37:溶劑 38:功能成分 40:色彩轉換層 50:UV阻擋層 100:晶圓 102:基板 104:第一半島體層 106:主動層 108:第二半導體層 110:觸點 120:電氣觸點
第1圖為已與背平面整合的微LED陣列的概要頂部視圖。
第2A圖為微LED陣列的部分之概要頂部視圖。
第2B圖為來自第2A圖的微LED陣列之部分的概要剖面視圖。
第3A-3H圖圖示在微LED陣列上選擇性形成色彩轉換劑（CCA）層之方法。
第4A-4C圖圖示光可固化流體的配方。
第5A-5E圖圖示在背平面上製作微LED陣列及隔絕壁之方法。
第6A-6D圖圖示在背平面上製作微LED陣列及隔絕壁之另一方法。
在各圖式中類似的元件符號代表類似的元件。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
10:顯示器
12:陣列
16:背平面
18:背平面電路系統
18a:位址線
18b:驅動器

Claims (14)

  1. 一種多色彩顯示器，包含： 一背平面，具有背平面電路系統； 一半導體微LED的陣列，與該背平面的背平面電路系統電氣整合，該陣列的半導體微LED經配置成產生相同波長範圍的照明； 一第一色彩轉換層，在來自該半導體微LED的陣列的一第一複數個發光二極體之各者上，以將來自該第一複數個發光二極體的照明轉換成一第一色彩的光，該第一色彩轉換層包含一聚合物，該聚合物藉由該半導體微LED所發射而產生的波長範圍的照明而被固化； 一第二色彩轉換層，在來自該半導體微LED陣列的一第二複數個發光二極體之各者上，以將來自該第二複數個發光二極體的照明轉換成一不同的第二色彩的光，該第二色彩轉換層包含一聚合物，該聚合物藉由該半導體微LED所發射而產生的波長範圍的照明而被固化；及 複數個隔絕壁，該複數個隔絕壁將該陣列的相鄰微LED分開，及該複數個隔絕壁實質上阻擋來自該第一複數個發光二極體的照明到達在該第二複數個發光二極體之各者上的該第二色彩轉換層，該複數個隔絕壁與該微LED橫向地間隔，及該複數個隔絕壁從該背平面延伸至該第一色彩轉換層與該第二色彩轉換層的個別頂表面之上。
  2. 如請求項1所述之顯示器，進一步包含一第三色彩轉換層，在來自該半導體微LED陣列的一第三複數個發光二極體之各者上，以將來自該第三複數個發光二極體的照明轉換成一不同的第三色彩的光，及複數個隔絕延伸該第三色彩轉換層的個別頂表面。
  3. 如請求項2所述之顯示器，其中該第一色彩、第二色彩及第三色彩是從藍、綠及紅選擇。
  4. 如請求項1所述之顯示器，其中該半導體微LED的陣列的半導體微LED經配置成產生紫外光。
  5. 如請求項1所述之顯示器，其中該半導體微LED的陣列包括一第三複數個發光二極體，且該半導體微LED的陣列的半導體微LED經配置成產生一不同的第三色彩的可見光。
  6. 如請求項5所述之顯示器，其中在該第三複數個發光二極體上不會形成色彩轉換層。
  7. 如請求項5所述之顯示器，其中該發光二極體的陣列的該等發光二極體經配置成產生藍或紫光。
  8. 如請求項7所述之顯示器，其中該第一色彩及第二色彩是從綠及紅選擇。
  9. 如請求項9所述之顯示器，其中該第一色彩為綠色，且該第二色彩為紅色。
  10. 如請求項1所述之顯示器，其中該等隔絕壁包含一光阻。
  11. 如請求項1所述之顯示器，其中該等隔絕壁包含一金屬。
  12. 如請求項1所述之顯示器，其中該隔絕壁的材料不存在於該背平面與該半導體微LED之間。
  13. 如請求項1所述之顯示器，包含在該發光二極體的陣列上方的一紫外阻擋層。
  14. 如請求項1所述之顯示器，其中該半導體微LED包含III-V族半導體LED。
TW110128690A 2019-05-14 2020-05-01 色彩轉換層之原位固化 TWI799933B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/412,222 2019-05-14
US16/412,222 US11094530B2 (en) 2019-05-14 2019-05-14 In-situ curing of color conversion layer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202145553A true TW202145553A (zh) 2021-12-01
TWI799933B TWI799933B (zh) 2023-04-21

Family

ID=73252125

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109114709A TWI739412B (zh) 2019-05-14 2020-05-01 色彩轉換層之原位固化
TW110128690A TWI799933B (zh) 2019-05-14 2020-05-01 色彩轉換層之原位固化
TW112111040A TW202332036A (zh) 2019-05-14 2020-05-01 色彩轉換層之原位固化

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109114709A TWI739412B (zh) 2019-05-14 2020-05-01 色彩轉換層之原位固化

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112111040A TW202332036A (zh) 2019-05-14 2020-05-01 色彩轉換層之原位固化

Country Status (7)

Country Link
US (3) US11094530B2 (zh)
EP (1) EP3970189A4 (zh)
JP (2) JP7300009B2 (zh)
KR (1) KR20210153162A (zh)
CN (1) CN114207815A (zh)
TW (3) TWI739412B (zh)
WO (1) WO2020232229A1 (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11094530B2 (en) 2019-05-14 2021-08-17 Applied Materials, Inc. In-situ curing of color conversion layer
US11239213B2 (en) 2019-05-17 2022-02-01 Applied Materials, Inc. In-situ curing of color conversion layer in recess
US11552222B2 (en) * 2020-05-21 2023-01-10 Lextar Electronics Corporation Display device
CN113380769B (zh) * 2020-06-16 2023-06-02 友达光电股份有限公司 显示装置
EP4185618A1 (en) 2020-07-24 2023-05-31 Applied Materials, Inc. Quantum dot formulations with thiol-based crosslinkers for uv-led curing
US11404612B2 (en) * 2020-08-28 2022-08-02 Applied Materials, Inc. LED device having blue photoluminescent material and red/green quantum dots
US11646397B2 (en) 2020-08-28 2023-05-09 Applied Materials, Inc. Chelating agents for quantum dot precursor materials in color conversion layers for micro-LEDs
TWI771896B (zh) * 2021-02-04 2022-07-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板
KR20230147177A (ko) * 2021-02-22 2023-10-20 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 상에 인쇄된 잉크를 경화시키기 위한 장치, 시스템 및 방법
US20220293435A1 (en) * 2021-03-11 2022-09-15 Applied Materials, Inc. Systems and methods for fabrication of micro-led displays
US20220293826A1 (en) * 2021-03-12 2022-09-15 Applied Materials, Inc. Print process for color conversion layer using porous host or positive photoresist
US20220310575A1 (en) * 2021-03-25 2022-09-29 Applied Materials, Inc. Micro-led displays to reduce subpixel crosstalk
CN117083725A (zh) * 2021-04-01 2023-11-17 维耶尔公司 图案化色彩转换
WO2023200855A1 (en) * 2022-04-13 2023-10-19 Nanosys, Inc. Light emitting devices including a quantum dot color conversion material and method of making thereof

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6635363B1 (en) * 2000-08-21 2003-10-21 General Electric Company Phosphor coating with self-adjusting distance from LED chip
US20060105483A1 (en) * 2004-11-18 2006-05-18 Leatherdale Catherine A Encapsulated light emitting diodes and methods of making
TWI413274B (zh) * 2005-03-18 2013-10-21 Mitsubishi Chem Corp 發光裝置，白色發光裝置，照明裝置及影像顯示裝置
GB0523437D0 (en) 2005-11-17 2005-12-28 Imp College Innovations Ltd A method of patterning a thin film
JP2008159756A (ja) 2006-12-22 2008-07-10 Sekisui Chem Co Ltd 白色発光ダイオードの製造方法及び光硬化性蛍光体含有組成物
KR101563237B1 (ko) 2007-06-01 2015-10-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 제조장치 및 발광장치 제작방법
US20100117106A1 (en) 2008-11-07 2010-05-13 Ledengin, Inc. Led with light-conversion layer
JP2010171342A (ja) 2009-01-26 2010-08-05 Sony Corp 色変換部材およびその製造方法、発光装置、表示装置
TW201044568A (en) 2009-04-20 2010-12-16 3M Innovative Properties Co Non-radiatively pumped wavelength converter
US8247248B2 (en) 2009-05-15 2012-08-21 Achrolux Inc. Methods and apparatus for forming uniform layers of phosphor material on an LED encapsulation structure
JP2010267900A (ja) 2009-05-18 2010-11-25 Citizen Holdings Co Ltd Ｌｅｄ光源装置の製造方法
US8597963B2 (en) 2009-05-19 2013-12-03 Intematix Corporation Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion
US8227269B2 (en) 2009-05-19 2012-07-24 Intematix Corporation Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion
KR100963743B1 (ko) * 2009-06-23 2010-06-14 한국광기술원 파장변환물질층을 구비하는 발광 다이오드 및 이의 제조방법
JP5249283B2 (ja) 2010-05-10 2013-07-31 デクセリアルズ株式会社 緑色発光蛍光体粒子及びその製造方法、並びに、色変換シート、発光装置及び画像表示装置組立体
KR101726807B1 (ko) 2010-11-01 2017-04-14 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US8425065B2 (en) 2010-12-30 2013-04-23 Xicato, Inc. LED-based illumination modules with thin color converting layers
EP2816620A4 (en) 2012-02-13 2015-08-19 Konica Minolta Inc WAVE LENGTH CONVERSION ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR, AND LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
US9111464B2 (en) * 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
KR102227086B1 (ko) 2014-03-05 2021-03-12 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
EP3114899B1 (en) * 2014-03-05 2021-04-28 LG Electronics Inc. Method of fabricating a display device using semiconductor light emitting device
CN110010750B (zh) 2014-06-18 2021-11-09 艾克斯展示公司技术有限公司 微组装led显示器
DE102014112551A1 (de) 2014-09-01 2016-03-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
JP6527695B2 (ja) 2014-12-22 2019-06-05 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
US20180074240A1 (en) 2015-04-16 2018-03-15 Oculus Vr, Llc Colour converting structure for led arrays
JP6760076B2 (ja) 2015-09-29 2020-09-23 東レ株式会社 色変換フィルムならびにそれを含む光源ユニット、ディスプレイおよび照明装置
KR102516054B1 (ko) 2015-11-13 2023-03-31 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 제조 방법
WO2017094832A1 (ja) 2015-12-04 2017-06-08 東レ株式会社 蛍光体シート、それを用いた発光体、光源ユニット、ディスプレイ、および発光体の製造方法
JP2017120363A (ja) 2015-12-25 2017-07-06 日東電工株式会社 粘着剤層付き偏光フィルム、及び画像表示装置
KR102527387B1 (ko) 2016-02-24 2023-04-28 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
CN108780169B (zh) 2016-03-25 2020-06-05 东丽株式会社 光源单元、层叠构件及使用它们的显示器及照明装置
US10008483B2 (en) 2016-04-05 2018-06-26 X-Celeprint Limited Micro-transfer printed LED and color filter structure
US10333036B2 (en) 2016-06-23 2019-06-25 eLux Inc. Absorptive color conversion film
KR102553630B1 (ko) 2016-08-11 2023-07-10 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR20180064616A (ko) 2016-12-05 2018-06-15 삼성디스플레이 주식회사 포토루미네센스 장치 및 그것을 포함하는 디스플레이 패널
KR102215781B1 (ko) 2017-02-23 2021-02-16 도레이 카부시키가이샤 형광체 시트, 그것을 사용한 led칩 및 led 패키지, led 패키지의 제조 방법, 그리고 led 패키지를 포함하는 발광 장치, 백라이트 유닛 및 디스플레이
KR102422386B1 (ko) 2017-04-21 2022-07-20 주식회사 루멘스 마이크로 led 디스플레이 장치 및 그 제조방법
WO2018221216A1 (ja) 2017-06-02 2018-12-06 東レ株式会社 色変換シート、それを含む光源ユニット、ディスプレイおよび照明装置
KR102467651B1 (ko) 2017-07-27 2022-11-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN111052418A (zh) 2017-07-31 2020-04-21 耶鲁大学 纳米多孔微led器件及其制造方法
CN109658817A (zh) 2017-10-10 2019-04-19 群创光电股份有限公司 显示装置
US10643980B2 (en) 2018-01-23 2020-05-05 Epistar Corporation Light-emitting device, manufacturing method thereof and display module using the same
CN108257949B (zh) 2018-01-24 2020-02-07 福州大学 可实现光效提取和色彩转换微米级led显示装置及制造方法
TWI827639B (zh) * 2018-08-09 2024-01-01 美商凱特伊夫公司 具有光耦合及轉換層的發光二極體與形成像素之方法
KR102602673B1 (ko) * 2018-10-12 2023-11-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
WO2020100295A1 (ja) 2018-11-16 2020-05-22 堺ディスプレイプロダクト株式会社 マイクロｌｅｄデバイスおよびその製造方法
CN109638138B (zh) 2018-12-03 2021-01-15 惠州市华星光电技术有限公司 一种led显示屏制备方法及led显示屏
US11094530B2 (en) 2019-05-14 2021-08-17 Applied Materials, Inc. In-situ curing of color conversion layer
US11239213B2 (en) 2019-05-17 2022-02-01 Applied Materials, Inc. In-situ curing of color conversion layer in recess

Also Published As

Publication number Publication date
EP3970189A1 (en) 2022-03-23
EP3970189A4 (en) 2023-05-31
TWI799933B (zh) 2023-04-21
US11094530B2 (en) 2021-08-17
TWI739412B (zh) 2021-09-11
JP2023140353A (ja) 2023-10-04
US20200365774A1 (en) 2020-11-19
KR20210153162A (ko) 2021-12-16
WO2020232229A1 (en) 2020-11-19
US11888093B2 (en) 2024-01-30
TW202332036A (zh) 2023-08-01
US20210358742A1 (en) 2021-11-18
CN114207815A (zh) 2022-03-18
JP7300009B2 (ja) 2023-06-28
JP2022533054A (ja) 2022-07-21
TW202107697A (zh) 2021-02-16
US20230352632A1 (en) 2023-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7300009B2 (ja) 色変換層のインシトゥ硬化
TWI765258B (zh) 凹槽中的色彩轉換層的原位固化
TW202342557A (zh) 發光元件的顏色轉換層
TWI794943B (zh) 發光裝置及製造多色顯示器的方法
CN115996958A (zh) 用于微型发光二极管的蓝色转换器