TWI765258B - 凹槽中的色彩轉換層的原位固化 - Google Patents

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Abstract

一種製作多色彩顯示器之方法，包括在顯示器上方配給光可固化流體，顯示器具有LED的陣列佈置於覆蓋層下方。覆蓋具有複數個凹槽的外部表面，且光可固化流體填充凹槽。光可固化流體包括色彩轉換劑。啟動陣列中的複數個LED，以照明且固化光可固化流體，以在凹槽中於啟動的LED上方形成色彩轉換層。此層將來自此等LED的光轉換成第一色彩的光。移除光可固化流體的未固化的殘留物。接著，以具有不同色彩轉換劑的不同的光可固化流體及不同的複數個LED重複處理。此舉在不同的複數個凹槽中形成第二色彩轉換層，以將來自此等LED的光轉換成第二色彩的光。

Description

凹槽中的色彩轉換層的原位固化
本揭露案大致關於微LED顯示器的製作。
發光二極體（LED）面板使用LED的陣列，具有個別LED提供個別可控制的像素元素。此LED面板可用於電腦、觸碰面板裝置、個人數位助理（PDA）、手機、電視監控器及類似者。
基於III-V族半導體技術使用微型LED的LED面板（亦稱為微LED）與OLED比較將具有許多優點，例如較高能量效率、亮度及壽命，以及在顯示器堆疊中較少的材料層，而可簡化製造。然而，存在對於微LED面板製作的挑戰。具有不同色彩發射的微LED（例如，紅、綠及藍像素）需要透過分開的處理在不同基板上製作。將微LED裝置的多重色彩整合到單一面板上需要撿起及放置步驟，以從其原始供體基板將微LED裝置傳送至目標基板。此舉通常牽涉LED結構或製作處理的修改，例如引入犧牲層以緩解晶粒的釋放。此外，對放置精確度的嚴格要求（例如，小於1 um）限制產量、最終產出之任一者或兩者。
繞過撿起及放置步驟的替代方案為在以單色LED製作的基板上，於特定像素地點處選擇性沉積色彩轉換劑（例如，量子點、奈米結構、螢光材料或有機物質）。單色LED可產生相對短的波長光，例如，紫或藍光，且色彩轉換劑可將此短波長光轉換成更長的波長光，例如紅或綠光，用於紅或綠像素。色彩轉換劑的選擇性沉積可使用高解析度陰影遮罩或可控制噴墨或噴氣印刷來實行。
在一個態樣中，一種製作多色彩顯示器之方法，包括在顯示器上方配給第一光可固化流體，顯示器具有佈置於覆蓋層下方的發光二極體的陣列，覆蓋層具有複數個凹槽的外部表面，使得第一光可固化流體填充凹槽。各個發光二極體具有相對應凹槽，發光二極體與背平面的背平面電路電氣整合，且第一光可固化流體包括第一色彩轉換劑。在發光二極體的陣列中啟動第一複數個發光二極體，以照明且固化第一光可固化流體，以在第一複數個發光二極體上方第一複數個凹槽中形成第一色彩轉換層，以將來自第一複數個發光二極體的光轉換成第一色彩的光。移除第一光可固化流體的未固化的殘留物。此後，在顯示器上方配給第二光可固化流體，使得第二光可固化流體填充複數個凹槽中並未被第一色彩轉換層填充的凹槽。第二光可固化流體包括第二色彩轉換劑。在發光二極體的陣列中啟動第二複數個發光二極體，以照明且固化第二光可固化流體，以在第二複數個發光二極體上方第二複數個凹槽中形成第二色彩轉換層，以將來自第二複數個發光二極體的光轉換成不同的第二色彩的光。移除第二光可固化流體的未固化的殘留物。
實施方式可包括一或更多以下特徵。
在顯示器上方可配給第三光可固化流體，使得流體填充複數個凹槽中並未被第一色彩轉換層及第二色彩轉換層填充的凹槽。第三光可固化流體可包括第三色彩轉換劑。在發光二極體的陣列中可啟動第三複數個發光二極體，以照明且固化第三光可固化流體，以在第三複數個發光二極體上方第三複數個凹槽中形成第三色彩轉換層，以將來自第三複數個發光二極體的光轉換成不同的第三色彩的光。可移除第三光可固化流體的未固化的殘留物。
第一色彩、第二色彩及第三色彩可從藍、綠及紅選擇。發光二極體的陣列的發光二極體可配置成產生紫外光。發光二極體的陣列可包括第三複數個發光二極體，且在第三複數個發光二極體上方不需要形成色彩轉換層。
啟動第一複數個發光二極體之步驟可固化第一光可固化流體，以形成具有低於層的外部表面之頂部表面的第一色彩轉換層。啟動第一複數個發光二極體之步驟可固化第一光可固化流體，以形成第一色彩轉換層，使得第一色彩轉換層溢流凹槽。
發光二極體之各者可包括二極體結構，包括具有第一摻雜的第一半導體層，具有第二相對摻雜的第二半導體層，及介於第一半導體層及第二半導體層之間的主動層。發光二極體可為微LED。第一半導體層可為n-GaN層，且第二半導體層可為p-GaN層。第二半導體層可提供頂部層。複數個凹槽可形成於第二半導體層遠離主動層的表面中。
複數個光學隔絕結構可形成於背平面上，介於發光二極體的陣列的鄰接發光二極體之間，且在覆蓋層下方。在啟動第一複數個發光二極體期間，光學隔絕結構可阻擋從第一複數個發光二極體的照明避免到達第二複數個發光二極體。光學隔絕結構可為導電的。光學隔絕結構可為導電墊，以將發光二極體連接至背平面電路。
第一光可固化流體及第二光可固化流體之至少一者可包括溶劑。可揮發溶劑。
紫外阻擋層可形成於發光二極體的陣列上方。
在另一態樣中，一種多色彩顯示器，包括背平面，具有背平面電路；微LED的陣列，與背平面的背平面電路電氣整合；覆蓋層，覆蓋且跨越微LED的陣列；複數個凹槽，在覆蓋層的外部表面中於遠離二極體結構的覆蓋層的一側上，複數個凹槽之各個凹槽定位於來自複數個微LED的相對應微LED上方；第一色彩轉換層，在第一複數個發光二極體上方的各個凹槽中，以將來自第一複數個發光二極體的照明轉換成第一色彩的光；及第二色彩轉換層，在第二複數個發光二極體上方的各個凹槽中，以將來自第二複數個發光二極體的照明轉換成不同的第二色彩的光。陣列的微LED包括二極體結構，配置成產生相同波長範圍的照明。
實施方式可包括一或更多以下特徵。
二極體結構之各者可包括具有第一摻雜的第一半導體層，具有第二相對摻雜的第二半導體層，及介於第一半導體層及第二半導體層之間的主動層。第二半導體層可提供覆蓋層。
複數個光學隔絕結構可形成於背平面上，介於發光二極體的陣列的鄰接發光二極體之間，且在覆蓋層下方。第一色彩轉換層可具有低於覆蓋層的外部表面之頂部表面。第一色彩轉換層可溢流凹槽。紫外阻擋層可佈置於覆蓋層上方。
實施方式可選地提供（且非限於）一或更多以下優點。
處理步驟（塗佈、原位固化及沖洗）支援大幅面及高產量操作。因此，色彩轉換劑可選擇性地形成於微LED的陣列上方，而具有更高的產出及產量。此舉可准許多色彩微LED顯示器以商業上可行的方式製作。可更輕易製作有彈性及/或可拉伸顯示器。原位固化可自動地確保對齊精準度。在凹槽中提供色彩轉換層可將此等層與二極體結構自動對齊。
主聚合物可供以作為用於晶粒保護的鈍化層。主聚合物亦可能提供其他功能，例如，當以功能性成分適當地混合時的光學功能。
其他態樣、特徵及優點將從說明書及圖式且從申請專利範圍而為顯而易見的。
以下說明各種實施方式。應考量一個實施方式的元件及特徵可有益地併入其他實施方式中而無須進一步敘述。
如上所述，可使用高解析度陰影遮罩或可控制噴墨或噴氣印刷來實行色彩轉換劑的選擇性沉積。不幸地，陰影遮罩傾向於具有對齊精確度及可擴展性之問題，而噴墨及噴氣遭受解析度（噴墨）、精確度（噴墨）及產量（噴氣）問題。為了製造微LED顯示器，需要新的技術以精準且經濟地在基板將不同色彩的色彩轉換劑提供至不同像素上，例如大面積基板或彈性基板。
可解決此等問題的技術為將用於第一色彩含有色彩轉換劑（CCA）的光可固化流體的層塗佈至具有在單色光源的陣列上方佈置的凹槽的層上。開啟選擇的像素以在選擇的像素的附近觸發原位聚合及固定CCA。可移除未選擇的像素上方未固化的流體，且接著可對不同色彩以CCA重複相同處理直到相對應至像素的所有凹槽以所欲色彩的CCA覆蓋。此技術可克服對齊精確度、產量及可擴展性的挑戰。
第1圖示出包括個別微LED 14的陣列12（見第2A及2B圖）佈置在背平面16上的微LED顯示器10。微LED 14已與背平面電路18整合，使得各個微LED 14可個別處置。舉例而言，背平面電路18可包括TFT主動矩陣陣列，具有用於各個微LED的薄膜電晶體及儲存電容器（未示出），列位址及行位址線18a，列及行驅動器18b等等，以驅動微LED 14。背平面16可使用習知CMOS處理製作。
第2A及2B圖示出微LED陣列12之部分12a。微LED陣列12具有橫跨多個微LED 14延伸的頂部層20。舉例而言，頂部層20可延伸橫跨整個微LED陣列12。
頂部層20具有上部表面22。各個微LED 14包括二極體結構26形成於頂部表面22下方。在一些實施方式中，頂部層22形成各個二極體結構26之部件。舉例而言，頂部層22可為摻雜的半導體層，例如，n摻雜的半導體層，例如，在二極體結構26中的n摻雜的氮化鎵（n-GaN）層。
複數個凹槽24形成於頂部表面22中，具有各個微LED 14定位於凹槽24的相應一者下方。凹槽24部分延伸而非完全延伸通過頂部層20。如第2A圖中所圖示，凹槽24可為矩形，且可安排於矩形陣列中。然而，可能具有其他形狀的凹槽，例如，圓形或六角形，及其他陣列幾何形狀是可能的，例如，六角形方格。
二極體結構26可具有約4至100 µm的寬度W2，例如，4至50 µm，例如，4至10 µm。二極體結構可具有約6至200 µm的間距，例如，6至100 µm，例如，6至20 µm。
凹槽24可具有橫向寬度W1為二極體結構26的寬度W2的75%至150%。在一些實施方式中，例如，如第5A-5F及6圖中所圖示，凹槽24比二極體結構26更寬。舉例而言，凹槽24可比二極體結構更寬約1至50 µm。較寬的凹槽24幫助確保藉由微LED 14發射的所有光以色彩轉換層40轉換。凹槽24可具有約3至20 µm的深度D1。
所有的微LED 14，例如，二極體結構26，以相同結構製作，以便產生相同波長範圍（此舉可稱為「單色」微LED）。舉例而言，微LED 14可產生紫外（UV）光，例如近紫外之範圍。舉例而言，微LED 14可產生在365至405 nm範圍中的光。作為另一實例，微LED 14可產生紫或藍範圍的光。微LED可產生具有20至60 nm光譜帶寬的光。
第2B圖示出可提供單一像素的微LED陣列之部分。假設微LED顯示器為三色顯示器，各個像素包括三個子像素，每個用於各個色彩，例如，各一者用於藍、綠及紅的色彩通道。如此，像素可包括三個微LED 14a、14b、14c。舉例而言，第一微LED 14a可相對應至藍子像素，第二微LED 14b可相對應至綠子像素，且第三微LED 14c可相對應至紅子像素。然而，以下所論述的技術可應用至使用大量色彩的微LED顯示器，例如四個或更多色彩。在此情況中，各個像素可包括四個或更多微LED，具有各個微LED相對應至相應的色彩。此外，以下所論述的技術可應用至使用僅兩個色彩的微LED顯示器。
一般而言，單色微LED 14可產生在具有波峰不大於意圖用於顯示器的最高頻率色彩的波長之波長的波長範圍中的光，例如紫或藍光。色彩轉換劑可將此短波長光轉換成較長波長光，例如，用於紅或綠子像素的紅或綠光。若微LED產生UV光，則色彩轉換劑可用以將UV光轉換成用於藍子像素的藍光。
隔絕結構28可形成於頂部層22下方介於相鄰微LED 14之間。隔絕結構28可藉由微LED 14之部分提供，例如，如以下進一步論述的電氣觸點。隔絕結構28提供光學隔絕，以幫助局部聚合且在以下所論述的原位聚合期間降低光學串擾。用於背平面整合及隔絕結構形成的可能處理在以下更詳細論述。隔絕結構28可部分延伸至頂部層20中。
第3A-3G圖示出在微LED陣列上方選擇性形成色彩轉換劑（CCA）層之方法。初始，如第3A圖中所圖示，第一光可固化流體30a沉積在已與背平面電路整合的微LED 14陣列上方。第一光可固化流體30a可具有足以完全填充凹槽24且可完全覆蓋陣列12的頂部表面22的深度。
參照第4A圖，第一光可固化流體30a包括至少可交叉鏈結群組32，光引發劑34以在相對應至微LED 14的發射的波長的照明下觸發聚合，及色彩轉換劑36a。
當遭受聚合時，可交叉鏈結群組32將增加流體30a的黏度，例如，流體30a可固體化或形成凝膠狀網路結構。可交叉鏈結群組32可藉由單體提供，而當固化時形成聚合物，例如，丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯及丙烯醯胺。可交叉鏈結群組32可藉由負光阻提供，例如，SU-8光阻。
光引發劑34的實例包括Irgacure 184、Irgacure 819、Darocur 1173、Darocur 4265、Dacocur TPO、Omnicat 250及Omnicat 550。
色彩轉換劑36a為可將來自微LED 14的較短波長光轉換成相對應至三個色彩之一者的較長波長光的材料。在藉由第3A-3G圖示出的實例中，色彩轉換劑36將來自微LED 14的UV光轉換成藍光。色彩轉換劑36可包括量子點、奈米結構、有機或無機螢光分子或其他適合的材料。
可選地，第一光可固化流體30a可包括溶劑37，例如，水、乙醇、甲苯、或甲乙酮、或其組合。溶劑可為有機或無機的。溶劑可經選擇以提供用於第一光可固化流體30a所欲的表面張力及/或黏度。溶劑亦可改善其他組成的化學穩定度。
可選地，第一光可固化流體30a可包括一或更多其他功能成分38。作為一個實例，功能成分可影響色彩轉換層的光學性質。舉例而言，功能成分可包括具有足夠高折射率的奈米顆粒，而色彩轉換層作用為調整輸出光的光學路徑的光學層，例如，提供微透鏡。替代或額外地，奈米顆粒可具有經選擇的折射率，使得色彩轉換層作用為降低總反射損失的光學層，藉此改善光萃取。作為另一實例，功能成分可為調整流體30a的表面張力的表面活性劑。
回到第3A圖，第一光可固化流體30a可藉由旋塗、浸漬、噴塗或噴墨處理沉積在顯示器上於微LED陣列上方。噴墨處理對第一光可固化流體30a的消耗可為更有效率的。
下一步，如第3B圖中所圖示，使用背平面16的電路以選擇性啟動第一複數個微LED 14a。此第一複數個微LED 14a相對應至第一色彩的子像素。具體而言，第一複數個微LED 14a相對應至用於藉由在光可固化流體30a中的色彩轉換組成產生的光的色彩的子像素。舉例而言，假設在流體30a中的色彩轉換組成將來自微LED 14的光轉換成藍光，則僅開啟相對應於藍子像素的此等微LED 14a。因為微LED陣列已與背平面電路18整合，可供應功率至微LED顯示器10且可藉由微處理器施加控制訊號以選擇性開啟微LED 14a。
參照第3B及3C圖，第一複數個微LED 14a的啟動產生照明A（見第3B圖），而造成第一光可固化流體30a的原位固化，以在各個啟動的微LED 14a上方形成第一固體化色彩轉換層40a（見第3C圖）。簡言之，流體30a固化以形成色彩轉換層40a，但僅在選擇的微LED 14a上方。舉例而言，用於轉換成藍光的色彩轉換層40a可形成於各個微LED 14a上方。
具體而言，第一固體化的色彩轉換層40a形成於對各個啟動的微LED 14a的凹槽24中。儘管第3C圖示出第一色彩轉換層40a的頂部表面與頂部層20的頂部表面22共面，此並非必須。舉例而言，第一色彩轉換層40a的表面的頂部可低於頂部表面22。或者，第一色彩轉換層40a可比凹槽24更厚。在此情況中，第一色彩轉換層40a之部分可「溢流」至鄰接凹槽的頂部表面22的部分上。
在一些實施方式中，固化為自我限制處理。舉例而言，來自微LED 14a的照明，例如，UV照明，可具有受限的穿透深度至光可固化流體30a中。如此，儘管第3B圖示出照明A到達光可固化流體30a的表面，此舉非必要。在一些實施方式中，來自選擇的微LED 14a的照明不會到達其他微LED 14b、14c。在此情況中，隔絕結構28可為非必要的。
然而，若介於微LED 14之間的間隔足夠小，則隔絕結構28可肯定阻擋照明A從選擇的微LED 14a到達將從此等其他微LED照明的穿透深度之中的其他微LED上方的區域。簡言之，隔絕結構28可避免在鄰接微LED上方的凹槽24中形成色彩轉換層。亦可包括隔絕結構28，例如，單純作為確保照明不會到達其他微LED上方的區域。
可選擇第一複數個微LED 14a的驅動電流及驅動時間，以優化用於光可固化流體30a的光子劑量。用於固化流體30a的每個子像素的功率不必與在微LED顯示器10的顯示模式中每個子像素的功率相同。舉例而言，用於固化模式的每個子像素的功率可比用於顯示模式的每個子像素的功率更高。
參照第3D圖，當完成固化且形成第一固體化的色彩轉換層40a時，從顯示器10移除殘留未固化的第一光可固化流體。此舉在其他微LED 14b、14c上方留下暴露的凹槽24用於下一次沉積步驟。在一些實施方式中，單純以溶劑從顯示器沖洗未固化的第一光可固化流體30a，例如，水、乙醇、甲苯、或甲乙酮、或其組合。若光可固化流體30a包括負光阻，則沖洗流體可包括用於光阻的光阻顯影劑。
參照第3E及4B圖，重複關於第3A-3D圖以上所述的處置，但具有第二光可固化流體30b且啟動第二複數個微LED 14b。在沖洗之後，於第二複數個微LED 14b之各者上方的凹槽24中形成第二色彩轉換層40b。第二色彩轉換層40b的頂部表面可低於頂部層24的頂部表面22，或者第二色彩轉換層40b之部分可「溢流」至鄰接凹槽24的頂部表面22的部分上。
第二光可固化流體30b類似於第一光可固化流體30a，但包括色彩轉換劑36b以將來自微LED 14的較短波長光轉換成不同的第二色彩的較長波長光。第二色彩可為例如綠色。
第二複數個微LED 14b相對應至第二色彩的子像素。具體而言，第二複數個微LED 14b相對應至用於藉由在第二光可固化流體30b中的色彩轉換組成產生的光的色彩的子像素。舉例而言，假設在流體30a中的色彩轉換組成將來自微LED 14的光轉換成綠光，則僅開啟相對應於綠子像素的此等微LED 14b。
參照第3F及4C圖，可選地仍再次重複關於第3A-3D圖以上所述的處置，但具有第三光可固化流體30c且啟動第三複數個微LED 14c。在沖洗之後，於第三複數個微LED 14c之各者上方的凹槽24中形成第三色彩轉換層40c。第三色彩轉換層40c的頂部表面可低於頂部層24的頂部表面22，或者第三色彩轉換層40c之部分可「溢流」至鄰接凹槽24的頂部表面22的部分上。
第三光可固化流體30c類似於第一光可固化流體30a，但包括色彩轉換劑36c以將來自微LED 14的較短波長光轉換成不同的第三色彩的較長波長光。第三色彩可為例如紅色。
第三複數個微LED 14c相對應至第三色彩的子像素。具體而言，第三複數個微LED 14c相對應至用於藉由在第三光可固化流體30c中的色彩轉換組成產生的光的 色彩的子像素。舉例而言，假設在流體30c中的色彩轉換組成將來自微LED 14的光轉換成紅光，則僅開啟相對應於紅子像素的此等微LED 14c。
在第3A-3F圖中示出的此特定實例中，沉積色彩轉換層40a、40b、40c用於各個色彩子像素。此舉例如當微LED產生紫外光時為需要的。
然而，微LED 14可產生藍光而非UV光。在此情況中，可跳過藉由含有藍色色彩轉換劑的光可固化流體來塗佈顯示器10，且處理可使用用於綠及紅子像素的光可固化流體來實行。留下複數個微LED之一者不具有色彩轉換層，例如，在第3E圖中所圖示。不實行藉由第3F圖所圖示的處理。舉例而言，第一光可固化流體30a可包括綠CCA，且第一複數個微LED 14a可相對應至綠子像素，且第二光可固化流體30b可包括紅CCA，且第二複數個微LED 14b可相對應至紅子像素。
假設流體30a、30b、30c包括溶劑，一些溶劑可困於色彩轉換層40a、40b、40c中。參照第3G圖，此溶劑可揮發，例如，藉由將微LED陣列暴露至熱，例如藉由IR燈。從色彩轉換層40a、40b、40c揮發溶劑可導致層的緊縮，使得最終層更薄。
移除溶劑且緊縮色彩轉換層40a、40b、40c可增加色彩轉換劑的濃度，例如，量子點，因此提供更高色彩轉換效率。另一方面，包括溶劑准許光可固化流體的其他 組成的化學配方更有彈性，例如，在色彩轉換劑或可交叉鏈結組成中。
可選地，如第3H圖中所圖示，UV阻擋層50可沉積於頂部層20上方，以覆蓋所有微LED 14。UV阻擋層50可阻擋未被色彩轉換層40吸收的UV光。UV阻擋層50可為布拉格反射器，或可單純為對UV光選擇性吸收的材料。布拉格反射器可將UV光反射回向微LED 14，因此增加能量效率。
第5A-5E圖示出製作在頂部層中具有凹槽的微LED陣列之方法。參照第5A圖，處理以將提供微LED陣列的晶圓100開始。晶圓100包括基板102，例如，矽或藍寶石晶圓，在其上佈置具有第一摻雜的第一半導體層104、主動層106及具有第二相對摻雜的第二半導體層108。舉例而言，第一半導體層104可為n摻雜的氮化鎵(n-GaN)層，主動層106可為多重量子井(MQW)層106，且第二半導體層107可為p摻雜的氮化鎵(p-GaN)層108。
參照第5B及6圖，蝕刻晶圓100以將第一半導體層104、主動層106、及第二半導體層108劃分成將提供微LED 14的二極體結構26，包括相對應至第一、第二及第三色彩的第一、第二及第三複數個微LED 14a、14b、14c。各個二極體結構26包括第一半導體層104之至少一部分，主動層106，及第二半導體層108之至少一部分。
蝕刻完全延伸通過第二半導體層108及主動層106。然而，蝕刻部分但非完全延伸通過第一半導體層104。此舉在第一半導體層104較靠近主動層106的表面中於各個二極體結構26四周提供一或更多凹槽區域112。此外，二極體結構26藉由第一半導體層104的插頁區域114保持實體連接。
此外，可沉積導電觸點110。舉例而言，可在第二半導體層108上沉積第一觸點110a，且在第一半導體層104上沉積第二觸點110b。舉例而言，第二觸點110b可沉積於第一半導體層104的插頁區域114上的凹槽112中。舉例而言，第一觸點110a可為p型觸點，且第二觸點110b可為n型觸點，分別沉積至n-GaN層及p-GaN上。
歸因於凹槽112，第二觸點110b可沿著二極體結構26的整個深度延伸。此外，第二觸點110b可形成矩形格線，具有各個第一觸點110a定位於藉由第二觸點110b的壁之間的間隙界定的孔洞中。
製作背平面16以包括電路18以及電氣觸點120。電氣觸點120可包括第一觸點120a，例如，驅動觸點，及第二觸點120b，例如，接地觸點。
參照第5C圖，微LED晶圓100對齊且放置與背平面16接觸。舉例而言，第一觸點110a可接觸第一觸點120a，且第二觸點110b可接觸第二觸點120b。微LED晶圓100可降低至與背平面接觸，或反之亦然。
下一步，參照第5D圖，移除基板102。舉例而言，可藉由拋光基板102移除矽基板，例如，藉由化學機械拋光。作為另一實例，可藉由雷射剝離處理移除藍寶石基板。
最終，參照第5E及6圖，在遠離主動層106的層104的側上於第一半導體層104的表面22中，例如，蝕刻至其中，形成凹槽24。因此，第一半導體層104可提供組件的頂部層20。各個凹槽24定位於微LED 14之相應一者之上，例如，在二極體結構26之上。
凹槽24可藉由習知處理形成，例如在頂部層20上方光阻的沉積，藉由光微影的光阻的圖案化，顯影光阻之部分以暴露下層頂部層20的表面22之部分，蝕刻頂部層之暴露的部分以形成凹槽，及剝離光阻。所得到的結構可接著使用作為第3A-3G圖所述處理的顯示器10。
已使用諸如垂直及橫向的位置的術語。然而，應理解此等術語代表相對位置，而非關於重力的絕對位置。舉例而言，橫向為平行於基板表面的方向，而垂直為正交於基板表面的方向。
本領域中技藝人士將瞭解以上實例為例示且非限制。舉例而言：
儘管以上說明聚焦在微LED上，本技術可應用至具有其他類型的發光二極體的其他顯示器，特別為具有其他微規模發光二極體的顯示器。
儘管以上說明假設色彩轉換層形成的順序為藍色、接著綠色、接著紅色，亦可能為其他順序，舉例而言，藍色、接著紅色、接著綠色。此外，亦可能為其他色彩，例如橘色及黃色。
取代以第一半導體層提供具有凹槽的頂部層，一或更多其他層可佈置在第一半導體層上，而具有此等其他層的最上面提供具有凹槽的頂部層。
應理解可進行各種修改而不會悖離本揭露案的精神及範疇。
10:顯示器 12:陣列 14:微LED 16:背平面 18:背平面電路 18a:位址線 18b:驅動器 20:頂部層 22:上部表面 24:凹槽 26:二極體結構 28:隔絕結構 30:光可固化流體 32:交叉鏈結群組 34:光引發劑 36:色彩轉換劑 37:溶劑 38:功能成分 40:色彩轉換層 50:UV阻擋層 100:晶圓 102:基板 104:第一半導體層 106:主動層 108:第二半導體層 110:觸點 114:插頁區域 120:電氣觸點
第1圖為已與背平面整合的微LED陣列的概要頂部視圖。
第2A圖為微LED陣列的部分之概要頂部視圖。
第2B圖為從第2A圖的微LED陣列之部分的概要剖面視圖。
第3A-3H圖示出在微LED陣列上方選擇性形成色彩轉換劑（CCA）層之方法。
第4A-4C圖示出光可固化流體的配方。
第5A-5E圖示出在背平面上製作微LED陣列之方法。
第6圖為微LED陣列之部分的概要底部視圖。
在各圖式中類似的元件符號代表類似的元件。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
14:微LED
16:背平面
18a:位址線
22:上部表面
26:二極體結構
28:隔絕結構
40:色彩轉換層
40a:第一固體化色彩轉換層
40b:第二色彩轉換層
40c:第三色彩轉換層
50:UV阻擋層

Claims (17)

  1. 一種製作一多色彩顯示器之方法，包含以下步驟：在一顯示器上方配給一第一光可固化流體，該顯示器具有佈置於一覆蓋層下方的一發光二極體的陣列，該覆蓋層跨越該發光二極體的陣列及具有一外部表面，該外部表面具有複數個凹槽，且該複數個凹槽部分延伸而非完全延伸通過該覆蓋層，使得該第一光可固化流體填充該等凹槽，其中各個發光二極體具有一相對應凹槽，該等發光二極體與一背平面的背平面電路電氣整合，且該第一光可固化流體包括一第一色彩轉換劑；在該發光二極體的陣列中啟動第一複數個發光二極體，以照明且固化該第一光可固化流體，以在該第一複數個發光二極體上方第一複數個凹槽中形成一第一色彩轉換層，以將來自該第一複數個發光二極體的光轉換成一第一色彩的光；移除該第一光可固化流體的一未固化的殘留物；此後，在該顯示器上方配給一第二光可固化流體，使得該第二光可固化流體填充該複數個凹槽中並未被該第一色彩轉換層填充的凹槽，該第二光可固化流體包括一第二色彩轉換劑，其中該第一光可固化流體及該第二光可固化流體之至少一者包括一溶劑；在該發光二極體的陣列中啟動第二複數個發光二極體，以照明且固化該第二光可固化流體，以在該第二複數個 發光二極體上方第二複數個凹槽中形成一第二色彩轉換層，以將來自該第二複數個發光二極體的光轉換成不同的一第二色彩的光；移除該第二光可固化流體的一未固化的殘留物；及在固化該第一光可固化流體及該第二光可固化流體之至少一者之後，揮發該溶劑。
  2. 如請求項1所述之方法，進一步包含以下步驟：在該顯示器上方配給一第三光可固化流體，使得該第三光可固化流體填充該複數個凹槽中並未被該第一色彩轉換層及該第二色彩轉換層填充的凹槽，其中該第三光可固化流體包括一第三色彩轉換劑；在該發光二極體的陣列中啟動第三複數個發光二極體，以照明且固化該第三光可固化流體，以在該第三複數個發光二極體上方第三複數個凹槽中形成一第三色彩轉換層，以將來自該第三複數個發光二極體的光轉換成不同的一第三色彩的光；及移除該第三光可固化流體的一未固化的殘留物。
  3. 如請求項2所述之方法，其中該等第一色彩、第二色彩及第三色彩從藍、綠及紅選擇。
  4. 如請求項2所述之方法，其中該發光二極體的陣列的發光二極體配置成產生紫外光。
  5. 如請求項1所述之方法，其中該發光二極體的陣列包括第三複數個發光二極體，且在該第三複數個 發光二極體上方不會形成色彩轉換層。
  6. 如請求項1所述之方法，其中啟動該第一複數個發光二極體之步驟固化該第一光可固化流體，以形成具有低於該覆蓋層的該外部表面之一頂部表面的該第一色彩轉換層。
  7. 如請求項1所述之方法，其中啟動該第一複數個發光二極體之步驟固化該第一光可固化流體，以形成該第一色彩轉換層，使得該第一色彩轉換層溢流該凹槽。
  8. 如請求項1所述之方法，其中該等發光二極體之各者包含一二極體結構，包括具有一第一摻雜的一第一半導體層，具有一第二相對摻雜的一第二半導體層，及介於該第一半導體層及該第二半導體層之間的一主動層。
  9. 如請求項8所述之方法，其中該等發光二極體包含微LED，該第一半導體層為一n-GaN層，且該第二半導體層為一p-GaN層。
  10. 如請求項8所述之方法，其中該第二半導體層提供該覆蓋層，且該複數個凹槽形成於該第二半導體層遠離該主動層的一表面中。
  11. 如請求項1所述之方法，其中複數個光學隔絕結構形成於該背平面上，介於該發光二極體的陣列的鄰接發光二極體之間，且在該覆蓋層下方。
  12. 如請求項11所述之方法，其中在啟動該第 一複數個發光二極體期間，該等光學隔絕結構阻擋從該第一複數個發光二極體的照明避免到達該第二複數個發光二極體。
  13. 如請求項11所述之方法，其中該等光學隔絕結構為導電的。
  14. 如請求項13所述之方法，其中該等光學隔絕結構包含導電墊，以將該等發光二極體連接至該背平面電路。
  15. 如請求項1所述之方法，包含在該發光二極體的陣列上方形成一紫外阻擋層。
  16. 如請求項1所述之方法，其中移除該第一光可固化流體的該未固化的殘留物留下具有不高於該覆蓋層的該外部表面的一頂表面之在該第一複數個凹槽中的該第一色彩轉換層。
  17. 如請求項1所述之方法，其中揮發該溶劑造成該第一色彩轉換層及該第二色彩轉換層之至少一者具有低於該覆蓋層的該外部表面的一頂表面。
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