TW202136711A - 檢查裝置及熔接裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可更適切地檢查熔接狀態之檢查裝置及熔接裝置。 實施形態之檢查裝置具備攝像部及處理部。攝像部取得在第1條件下對第1熔接部進行拍攝之第1圖像資料、及在與前述第1條件不同之第2條件下對前述第1熔接部進行拍攝之第2圖像資料；前述第1熔接部包含第1非熔接區域、第2非熔接區域、及前述第1非熔接區域與前述第2非熔接區域之間之第1熔接區域。處理部根據：基於前述第1圖像資料對前述第1非熔接區域與前述第1熔接區域之第1邊界進行檢測之結果、及基於前述第2圖像資料對前述第1熔接區域與前述第2非熔接區域之第2邊界進行檢測之結果，對前述第1熔接部進行第1檢查。

Description

檢查裝置及熔接裝置
本發明之實施形態係關於一種檢查裝置及熔接裝置。
使用雷射等進行熔接。期待更適切地檢查熔接狀態。例如，藉由適切地檢查熔接狀態，而獲得更適切之熔接。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開平6-8564號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明之實施形態提供一種可更適切地檢查熔接狀態之檢查裝置及熔接裝置。 [解決課題之技術手段]
實施形態之檢查裝置具備攝像部及處理部。攝像部取得在第1條件下對第1熔接部進行拍攝之第1圖像資料、及在與前述第1條件不同之第2條件下對前述第1熔接部進行拍攝之第2圖像資料；前述第1熔接部包含第1非熔接區域、第2非熔接區域、及前述第1非熔接區域與前述第2非熔接區域之間之第1熔接區域。處理部根據：基於前述第1圖像資料對前述第1非熔接區域與前述第1熔接區域之第1邊界進行檢測之結果、及基於前述第2圖像資料對前述第1熔接區域與前述第2非熔接區域之第2邊界進行檢測之結果，對前述第1熔接部進行第1檢查。
以下，對於本發明之各實施方式，一邊參照圖式一邊進行說明。 圖式係示意性或概念性之顯示者，各部分之厚度與寬度之關係、部分之間的大小之比例等並非一定與現實之實物相同。即便在表示相同部分之情形下，亦會有根據圖式而以彼此之尺寸、比例不同之方式顯示之情形。 於本發明申請案之說明書與各圖中，針對與已說明之要件為相同之要件賦予以相同之符號，且適宜地省略詳細之說明。
(第1實施形態) 圖1係例示實施形態之檢查裝置之構成之示意圖。本實施形態之檢查裝置對被檢查物所含之複數個熔接部一個部位接一個部位地進行檢查。
如圖1所示般，檢查裝置10具備：照明部11、攝像部12、處理部13及記憶部14。 照明部11以藉由攝像部12獲得更鮮明之圖像之方式，對載置於載台15之被檢查物M之熔接部照射光。作為照明部11，例如可使用多角度環形照明。
攝像部12對載置於載台15之被檢查物M所含之複數個熔接部一個接一個地進行拍攝。攝像部12例如包含CCD影像感測器或CMOS影像感測器等相機。攝像部12包含攝像控制部。攝像控制部對相機之攝像條件進行設定，而控制相機。
攝像部12對藉由照明部照射有光之熔接部，使攝像條件不同而進行至少兩次攝像。藉此，對於1個熔接部獲得在不同之攝像條件(第1條件及第2條件)下拍攝到之至少2個圖像資料(第1圖像資料及第2圖像資料)。該等圖像資料被記憶於記憶部14。於攝像條件中包含攝像部進行拍攝時之曝光時間、熔接部之照度等。攝像條件之設定之詳細情況將於後述。
處理部13自攝像部12中所拍攝到之至少2個圖像資料中將熔接部中之熔接痕作為熔接區域進行檢測。處理部13基於熔接區域之圖像資料而檢查熔接部。即，處理部13於熔接部中，對熔接區域與非熔接區域之邊界進行檢測，而檢測熔接區域。
處理部13對於在攝像部12中所拍攝到之至少2個圖像資料各者，算出圖像所含之像素之亮度值。於各圖像中，將亮度之變化較大之像素(邊緣)檢測為熔接區域與非熔接區域之邊界。如此般，處理部13基於第1圖像資料對第1邊界進行檢測，基於第2圖像資料對第2邊界進行檢測。藉此，自第1圖像資料及第2圖像資料檢測熔接區域。
處理部13基於與圖像資料中之熔接區域對應之像素之亮度，檢測熔接部之好壞。於熔接部之檢查中，例如包含與熔接寬度是否適切相關之評估、或與有無孔、裂痕、偏移、或翹起相關之評估。 對於處理部13之熔接區域檢測等之圖像處理及檢查之內容之詳細情況將於後述。
記憶部14記憶處理部13在檢查時所使用之參數。記憶部14記憶由攝像部12拍攝到之圖像、及處理部13之檢查結果等。
(關於攝像條件) 圖2係顯示本實施形態之檢查裝置中所檢查之被檢查物之一例之電氣模組之示意性平面圖。圖3及圖4係例示由本實施形態之檢查裝置之攝像部拍攝到之圖2之電氣模組所含之一個熔接部之圖像之圖。
如圖2所示般，作為被檢查物M之電氣模組包含複數個部位(於圖2之例中為48個部位)之熔接部。如圖3及圖4所示般，電氣模組之各熔接部係環狀。以下，於本實施形態中，作為一例對於以圖2所示之電氣模組作為被檢查物M進行檢查時之攝像條件進行說明。如圖2(b)所示般，於被檢查物M之複數個熔接部位，預先標註有編號i。於由檢查裝置10執行之檢查時，將所拍攝到之圖像、攝像條件、評估結果、及所計測到之值等與熔接部位之編號i建立對應關係地記憶於記憶部14。
攝像部12對於1個熔接部，在不同之攝像條件(第1條件及第2條件)下進行至少2次攝像，並取得至少2個圖像資料(第1圖像資料及第2圖像資料)。於本實施形態中，作為攝像條件之一例，攝像部12使曝光時間不同而進行複數次攝像。
圖3顯示使曝光時間不同而取得2個圖像之例。具體而言，圖3中之上段係將曝光時間設為1 ms(第1條件)而拍攝到之圖像(第1圖像資料)之例子，下段係將曝光時間設為2 ms(第2條件)而拍攝到之圖像(第2圖像資料)之例。
於圖3之例子中，由於熔接區域係環狀，且於熔接區域具有細微之凹凸，因此起因於圖像之攝像條件(曝光時間)而於環之內側之區域(第1非熔接區域)與外側之區域(第2非熔接區域)之亮度上產生差異。因此，測定熔接區域之內側輪廓線(內徑)時較佳之圖像、與測定外側輪廓線(外徑)時較佳之圖像不同。
如圖3所示般，例如以1 ms拍攝到之圖像之熔接區域之內側(較環更靠內側)即第1非熔接區域與熔接區域之亮度之差較大，而邊界比較明顯，因此適合測定熔接區域之內側輪廓線(內徑)之情形(圖3中)。另一方面，以1 ms拍攝到之圖像，於熔接區域之外側(較環更靠外側)之第2非熔接區域與熔接區域之邊界處存在模糊之部分(圖3中之箭頭A)，而不適合測定熔接區域之外側輪廓線(外徑)之情形。
以2 ms拍攝到之圖像之熔接區域之外側(較環更靠外側)即第2非熔接區域與熔接區域之亮度值之差較大，而邊界比較明顯，因此適合測定熔接區域之外側輪廓線(外徑)之情形。另一方面，以2 ms拍攝到之圖像之熔接區域之內側(較環更靠內側)之亮度與熔接區域為相同程度，而存在邊界不明確之部分(圖3中之箭頭B)。因此，以2 ms拍攝到之圖像不適合測定熔接區域之內側輪廓線(內徑)之情形。
如此般，藉由使用使曝光時間不同而拍攝到之複數個圖像，而可準確地測定熔接區域之內徑及外徑。藉此，可準確地檢測熔接區域。在使攝像條件不同時，例如攝像部12可使自照明部11照射之光之照度不同而拍攝複數個圖像。
於檢查裝置1中，於圖1之載台15載置電氣模組，使載台移動並對熔接部一個部位接一個部位地拍攝，而一個部位接一個部位地檢查。如圖2所示般，於電氣模組之4邊設置壁狀之構件。因此，與位於電氣模組之中央部之熔接部w1相比，沿著邊之熔接部w2或位於隅角之熔接部w3，當在相同之攝像條件下進行拍攝時，所獲得之圖像變暗。
於圖4之上段顯示以1 ms之曝光時間對電氣模組進行拍攝之圖像。於圖4之上段，自左起依次顯示電氣模組之中央部之熔接部w1之圖像、沿著邊之熔接部w2之圖像、位於隅角之熔接部w3之圖像。如圖4所示般，與中央部之熔接部w1之圖像相比，沿著邊之熔接部w2之圖像及位於隅角之熔接部w3之圖像整體上亮度值較低而為暗圖像。
因此，於攝像部12中，較佳的是相應於被檢查物M中之熔接部之位置而改變攝像條件並進行攝像。藉此，可取得更適合於檢測熔接區域之圖像。
於圖4之下段，顯示相應於熔接部之位置改變曝光時間而拍攝到之圖像之例子。圖4下段之左端顯示將曝光時間設為1 ms而對中央部之熔接部w1進行拍攝之圖像之例子。圖4下段之中央顯示將曝光時間設為1.4ms而對沿著邊之熔接部w2進行拍攝之圖像之例子。圖4下段之右端顯示將曝光時間設為2 ms而對位於隅角之熔接部w3進行拍攝之圖像之例子。
如此般，攝像部12相應於熔接部之被檢查物之位置而切換攝像條件，且使攝像條件不同而對攝像對象之熔接部進行複數次拍攝，藉此取得至少2個圖像資料。藉此，可獲得用於精度良好地檢測熔接區域之圖像。
(關於處理部之檢查) 接著，對於處理部13之檢查處理進行說明。 處理部13中所進行之熔接部之檢查例如包含：與是否進行了熔接、熔接寬度是否適切相關之檢查、與有無孔、裂痕、偏移、或翹起相關之檢查。以下，對於各檢查分別進行說明。
(1)與未熔接相關之檢查 圖5係檢查熔接部是否為已熔接時之說明圖。 處理部13從由攝像部12拍攝到之複數個圖像資料，決定使用於檢查熔接部是否為已熔接之1個圖像資料。此處，例如使用以較短之曝光時間拍攝到之第1圖像資料。處理部13對第1圖像資料以包含作為計測對象之熔接部之方式設定初始圓。處理部13算出第1圖像資料中之所設定之初始圓所含之各像素之亮度值，並算出表示臨限值以上之亮度值的高亮度區域之面積或體積(面積×平均亮度值)。
處理部13將高亮度區域之面積或體積大於特定值之熔接部，評估為已熔接。另一方面，對於高亮度區域之面積或體積小於特定值之熔接部，評估為未熔接。在未熔接之情形下，評估為需要進行熔接之部位。評估結果記憶於記憶部14。
(2)與熔接區域之寬度相關之檢查(寬窄·翹起) 處理部13對於攝像部12中所拍攝到之2個圖像分別算出圖像所含之像素之亮度值。如上述般，在熔接區域為環狀之情形下，將2個圖像中之以比較短之曝光時間拍攝到之圖像(第1圖像)使用於計測熔接區域之內徑。然後，將以比較長之曝光時間拍攝到之圖像(第2圖像)使用於計測熔接區域之外徑。
圖6係計測熔接區域之內徑輪廓線41、外徑輪廓線42、及寬度時之說明圖。處理部13算出熔接區域之中心，自該中心起在熔接區域上設定初始圓。處理部13自初始圓之中心朝放射方向搜索亮度值之變化較大之像素(邊緣)，而推定熔接區域之端部。更具體而言，根據初始圓之中心座標至熔接區域之端部之座標之歐氏距離，推定熔接區域之內徑輪廓線41及外徑輪廓線42。處理部13以此方式對熔接區域進行檢測。
處理部13以初始圓之中心為基準每隔0.5度將外徑輪廓線42與內徑輪廓線41之差分值算作每個角度之寬度(熔接寬度)。處理部13對外徑輪廓線42及內徑輪廓線41算出全周共計720個部位之每個角度之差分值之平均值，將該平均值作為熔接區域之寬度d記憶於記憶部14。
處理部13當所算出之熔接區域之寬度d為預設之特定值之範圍內時，評估為熔接區域之寬度d為適切。當熔接區域之寬度d為預設之特定範圍外之值時，評估為熔接區域之寬度d為不適切。評估結果記憶於記憶部14。所計測到之熔接區域之寬度d無論適切抑或不適切，皆與熔接部位之編號i建立對應關係並記憶於記憶部14。
處理部13在熔接區域之寬度d為不適切之情形下，對於熔接區域是過窄、或是過寬進行評估。 處理部13藉由判定所算出之720個部位之每個角度之熔接寬度中之最大值及最小值是否為特定範圍內之值，而評估是過窄或者過寬。具體而言，處理部13當最大值或最小值之任一者小於特定範圍之值時評估為過窄，當大於特定之範圍之值時評估為過寬。
若熔接區域過窄，則評估為需要再次熔接。另一方面，若熔接區域過寬，則評估為需要由作業者目視確認。 再者，處理部13亦可使用初始圓之中心至內徑輪廓線41或外徑輪廓線42的各點之距離之平均值、最大值、及最小值，評估熔接區域之寬度d是否適切、抑或過窄或過寬等。
再者，處理部13在算出每個角度之熔接寬度時，將720個部位中之一部分作為熔接寬度之計測對象外區域。如圖6所示般，具有下述情形，即：若存在自環狀之熔接區域溢出之熔接區域，則無法準確地計測內徑輪廓線41或外徑輪廓線42。因此，如圖6所示般，決定計測對象外區域45，處理部13亦可不對計測對象外區域45算出熔接寬度。
處理部13於與上述之寬窄相關之檢查中，對於經評估為過窄之熔接部，檢查是否有翹起。 處理部13從由攝像部12拍攝到之複數個圖像資料，決定用於檢查有無翹起之1個圖像資料。此處，例如使用以較短之曝光時間拍攝到之第1圖像資料。處理部13對第1圖像資料以包含作為計測對象之熔接部之方式設定初始圓。處理部13算出第1圖像資料中所設定之初始圓所含之各像素之亮度值，且算出表示臨限值以下之亮度值之低亮度區域之面積。將低亮度區域之面積大於特定值之熔接部評估為有翹起。
(3)與有無孔、裂痕相關之檢查 圖7係檢測熔接區域有無孔、裂痕時之說明圖。 處理部13基於在算出熔接區域之寬度d時計測到的熔接區域之內徑輪廓線41及外徑輪廓線42，描繪內徑輪廓之平均半徑圓51及外徑輪廓之平均半徑圓52。此時，內徑輪廓之平均半徑圓51設為以在內徑輪廓線41之平均半徑上加上預設之常數A所得之值為半徑而描繪之圓。外徑輪廓之平均半徑圓52係以在外徑輪廓線42之平均半徑上加上預設之常數B所得之值為半徑而描繪之圓。又，內徑輪廓之平均半徑圓51及外徑輪廓之平均半徑圓52均以外徑輪廓線42之重心座標為中心而描繪。
處理部13算出內徑輪廓之平均半徑圓51與外徑輪廓之平均半徑圓52之間之環狀區域所含之各像素之亮度值，並算出表示臨限值以下之亮度值的低亮度之部分區域之面積。於部分區域之面積大於特定之臨限值之情形下，將該部分區域檢測為孔、凹陷、或裂痕。於存在孔、凹陷、或裂痕之情形下，評估為需要再次熔接。評估結果記憶於記憶部14。
(4)與有無偏移相關之檢查 圖8係檢測有無偏移時之說明圖。 處理部13將外徑輪廓線42之重心設為熔接區域之重心位置，並計測與理想之重心位置之偏移。此處，理想之重心位置設為預先登錄之合格品之參照圖像中之外徑輪廓線之重心位置。處理部13在2個重心位置間之歐氏距離為特定值以上時，評估為熔接區域之位置偏移，並將評估結果記憶於記憶部14。
以下，使用圖9及圖10之流程圖而說明由如此般構成之檢查裝置進行之檢查處理。 圖9係例示實施形態之檢查裝置之檢查處理之動作之流程圖。圖10係例示實施形態之檢查裝置之檢查處理之動作之詳細情況之流程圖。
如圖9所示般，當被檢查物M被載置於檢查裝置10之載台15時，對被檢查物M所含之複數個熔接部位一個部位接一個部位地開始檢查。於步驟S101中，處理部13以檢查對象之熔接部包含於攝像部12之視野範圍內之方式使載台15移動。
於步驟S102中，照明部11例如以使熔接部之熔接區域變亮、使其他部分變暗而可進行拍攝之方式照射光。攝像部12使攝像條件不同而至少取得2張檢查對象之熔接部之圖像。具體而言，攝像部12取得在第1攝像條件下(例如，曝光時間為1 ms)對熔接部進行拍攝之第1圖像、與在第2攝像條件下(例如，曝光時間為2 ms)拍攝到之第2圖像。
於步驟S103中，處理部13使用在攝像部12中所拍攝到之2個圖像，進行對該熔接部之檢查。對於檢查處理之詳細之動作將於後述。 於步驟S104中，在該熔接部之檢查結束時，處理部13判定被檢查物M所含之全部熔接部位(全位置)之檢查是否結束，並重複上述之處理直至全部熔接部位之檢查結束為止。在全部熔接部位之檢查結束時，結束檢查處理。
如圖6所示般，處理部13使用由攝像部12拍攝到之第1圖像資料及第2圖像資料進行檢查。於該檢查中，將熔接部位之狀態分類為「熔接合格(OK)」、「失敗1 (NG1)」、及「失敗2 (NG2)」之3類。具體而言，「熔接合格」表示熔接狀態為適切之情形。「失敗1」表示熔接狀態不適切、且應進行再次熔接處理之部位。「失敗2」表示熔接狀態不適切、需要作業者之確認之部位。
處理部13依照圖10所示之流程圖進行檢查處理。如圖10所示般，首先，處理部13檢查檢查對象之熔接部是否為未熔接 (步驟S201)。於該檢查中，在評估為該熔接部為未熔接時，前進至步驟S208之失敗1，並將評估結果記憶於記憶部14，結束對於該熔接部之檢查。於評估為該熔接部為已熔接時，前進至下一步驟S202。
於步驟S202中，自熔接部檢測熔接區域，並計測所檢測到之熔接區域之寬度，而評估熔接區域之寬度是否適切。在熔接區域之寬度不適切時，前進至步驟S203，在熔接區域之寬度適切時，前進至步驟S205。熔接區域之寬度無論是適切還是不適切，均被記憶於記憶部14。
於步驟S203中，評估相對於熔接區域之適切之寬度是窄還是寬。於熔接區域之寬度為窄時，前進至步驟S204。於熔接區域之寬度為寬時，前進至步驟S209之失敗2。於步驟S204中，處理部13檢查在熔接區域是否有翹起。處理部13當於熔接區域有翹起時，前進至步驟S209之失敗2，當於熔接區域無翹起時，前進至步驟S208之失敗1。處理部13在任一情形下均將該熔接區域之評估結果記憶於記憶部14，並結束對該熔接區域之檢查。
於步驟S205中，處理部13檢查於熔接區域是否有孔或裂痕。處理部13當於熔接區域有孔、裂痕等時，前進至步驟S208之失敗1，並結束對該熔接區域之檢查。處理部13當於熔接區域無孔、裂痕等時，前進至步驟S206。
於步驟S206中，處理部13檢查於熔接區域是否有偏移。處理部13當於熔接區域有偏移時，前進至步驟S209之失敗2，並結束對該熔接區域之檢查。處理部13當於熔接區域無偏移時，前進至步驟S207。
於步驟S207中，檢查對象之熔接部於處理部13之步驟S201至步驟S206之檢查中全部被評估為適切。因此，處理部13對於該熔接部將「熔接合格」之評估結果記憶於記憶部14，並結束檢查。
圖11係例示實施形態之檢查裝置之硬體構成之示意圖。 上述檢查裝置包含：中央運算處理裝置(CPU)111、輸入裝置112、輸出裝置113、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)114、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)115、記憶裝置116、通訊裝置117、及匯流排118。各部分係由匯流排118連接。
CPU 111包含處理電路。CPU 111與預先記憶於ROM 114或記憶裝置116之各種程式協作來執行各種處理，對檢查裝置10之動作總括性地控制。藉此，實現作為上述之檢查裝置之處理部13之功能。CPU 111於處理中，將RAM 115之特定區域作為作業區域而使用。CPU 111與預先記憶於ROM 114或記憶裝置116之程式協作，而使輸入裝置112、輸出裝置113、及通訊裝置117等予以實現。
輸入裝置112例如包含鍵盤、滑鼠、或觸控面板。輸入裝置112受理自使用者輸入之資訊作為指示信號，將該指示信號朝CPU 111輸出。輸出裝置113例如係監視器。輸出裝置113基於自CPU 111輸出之信號，將各種資訊可視認地予以輸出。
ROM 114不可覆寫地記憶用於控制檢查裝置10之程式及各種設定資訊等。RAM 115係SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步動態隨機存取記憶體)等揮發性記憶媒體。RAM 115作為CPU 111之作業區域發揮功能。具體而言，作為暫時記憶檢查裝置10所使用之各種變數及參數等之緩衝器等發揮功能。
記憶裝置116係由快閃記憶體等半導體所實現之記憶媒體、可磁性或光學性地記錄之記憶媒體等可覆寫之記錄裝置。記憶裝置116記憶用於控制檢查裝置10之程式及各種設定資訊等。通訊裝置117與外部之機器進行通訊而用於進行資訊之收發。
(第2實施形態) 藉由將上述檢查裝置之檢查結果回饋至進行雷射熔接之熔接裝置，而可進行雷射輸出之控制。 圖12係例示本實施形態之熔接裝置之示意圖。如圖12所示般，熔接裝置20具備：雷射輸出部22，其對載置於載台21之熔接對象物25照射雷射；控制部23，其控制雷射輸出部22；及記憶部24。於控制部23中，進行雷射輸出部22之輸出、或用於修正輸出之校正量之算出。
圖13係顯示熔接裝置20之熔接寬度與雷射輸出之關係之一例之校準線之圖表。熔接裝置20預先將校準線保持於記憶部24等，藉由基於校準線之雷射輸出進行熔接。如圖13所示般，校準線係由D=aP表示。D係熔接寬度，P係雷射輸出，a係常數。
雷射校正量可如下述般求得。首先，根據由檢查裝置10獲得之被檢查物M所含之複數個熔接區域之寬度d，算出該等之平均值即平均熔接寬度D。根據適切熔接寬度Dtarget與平均熔接寬度D之差分，算出雷射校正量ΔP。 雷射校正量之算出亦可由檢查裝置10進行。
如此般，根據本實施形態，對於檢查對象之熔接部，使攝像條件不同而拍攝至少2個圖像資料，分別選擇性地使用適合於熔接區域之內側輪廓線與外側輪廓線之圖像而測定熔接區域之輪廓線。基於如此般測定到之熔接區域之輪廓線，進行熔接區域之寬度之測定，因此可高精度地測定熔接區域之寬度，且可準確地檢查熔接狀態。可基於高精度地測定到之熔接區域之寬度，將熔接時之雷射輸出校正成適切之值。
根據上述之各實施形態，可準確地檢查熔接部之熔接狀態、及可將熔接時之參數適切化。
以上，一邊參照具體例一邊對於本發明之實施方式進行了說明。但是，本發明並不限定於該等之具體例。例如，有關檢查裝置所含之各要件之具體之構成，只要本領域技術人員藉由從周知之範圍內進行適宜選擇而可同樣地實施本發明、並可獲得同樣之效果，均包含於本發明之範圍內。
又，將各具體例之任意2個以上之要件在技術上可能之範圍內組合者，只要包含本發明之要旨，均包含於本發明之範圍內。
另外，基於作為本發明之實施形態而於上文敘述之檢查裝置，本領域技術人員可進行適宜設計變更而實施之所有之檢查裝置，只要包含本發明之要旨亦屬本發明之範圍內。
此外，在本發明之思想之範疇內，只要係本領域技術人員即能想到各種變更例及修正例，應理解為該等變更例及修正例亦屬本發明之範圍內。
雖然對本發明之若干個實施形態進行了說明，但該等實施形態係作為例子而提出者，並非意欲限定發明之範圍。該等新穎之實施形態可利用其他各種形態而實施，在不脫離發明之要旨之範圍內可進行各種省略、置換、變更。該等實施形態及其變化包含於發明之範圍及要旨內，且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等之範圍內。
10:檢查裝置 11:照明部 12:攝像部 13:處理部 14:記憶部 15:載台 20:熔接裝置 21:載台 22:雷射輸出部 23:控制部 24:記憶部 25:熔接對象物 41:內徑輪廓線 42:外徑輪廓線 45:計測對象外區域 51:內徑輪廓之平均半徑圓 52:外徑輪廓之平均半徑圓 111:CPU 112:輸入裝置 113:輸出裝置 114:ROM 115:RAM 116:記憶裝置 117:通訊裝置 118:匯流排 d:熔接區域之寬度 D:熔接寬度 i:熔接部位編號 M:被檢查物 P:雷射輸出 S101～S104,S201～S209:步驟 w1～w3:熔接部
圖1係例示實施形態之檢查裝置之示意圖。 圖2(a)、(b)係例示實施形態之檢查裝置中所檢查之被檢查物之示意性平面圖。 圖3係例示實施形態之檢查裝置之動作之示意圖。 圖4係例示實施形態之檢查裝置之動作之示意圖。 圖5係例示實施形態之檢查裝置之動作之示意圖。 圖6係例示實施形態之檢查裝置之動作之示意圖。 圖7係檢測熔接區域有無孔、裂痕時之說明圖。 圖8係檢測有無偏移時之說明圖。 圖9係例示實施形態之檢查裝置之檢查處置之動作之流程圖。 圖10係例示實施形態之檢查裝置之檢查處理之動作之詳細情況之流程圖。 圖11係例示實施形態之檢查裝置之示意圖。 圖12係例示實施形態之熔接裝置之示意圖。 圖13係顯示熔接裝置之熔接寬度與雷射功率之關係之一例之校準線之圖表。
10:檢查裝置
11:照明部
12:攝像部
13:處理部
14:記憶部
15:載台

Claims (12)

  1. 一種檢查裝置，其具備： 攝像部，其取得在第1條件下對第1熔接部進行拍攝之第1圖像資料、及在與前述第1條件不同之第2條件下對前述第1熔接部進行拍攝之第2圖像資料；前述第1熔接部包含第1非熔接區域、第2非熔接區域、及前述第1非熔接區域與前述第2非熔接區域之間的第1熔接區域；及 處理部，其根據基於前述第1圖像資料對前述第1非熔接區域與前述第1熔接區域之第1邊界進行檢測之結果、及基於前述第2圖像資料對前述第1熔接區域與前述第2非熔接區域之第2邊界進行檢測之結果，對前述第1熔接部進行第1檢查。
  2. 如請求項1之檢查裝置，其中前述第1熔接區域位於前述第1非熔接區域之外側，且前述第2非熔接區域位於前述第1熔接區域之外側。
  3. 如請求項1之檢查裝置，其中前述第1條件及前述第2條件係由前述攝像部進行攝像時之曝光時間， 前述第1條件之曝光時間短於前述第2條件之曝光時間。
  4. 如請求項1之檢查裝置，其中前述第1條件及前述第2條件係由前述攝像部進行攝像時之前述第1熔接部之照度， 前述第1條件之前述照度低於前述第2條件之前述照度。
  5. 如請求項1之檢查裝置，其中前述第1非熔接區域小於前述第2非熔接區域。
  6. 如請求項1之檢查裝置，其中前述處理部基於前述第1圖像資料中的前述第1熔接區域對應之像素之亮度之第1分佈、及前述第2圖像資料中與前述第1熔接區域對應之像素之亮度之第2分佈之至少任一者，進一步對前述第1熔接部進行第2檢查。
  7. 如請求項6之檢查裝置，其中前述處理部基於前述第1分佈及前述第2分佈之至少任一者算出前述第1熔接區域之大小，當前述大小為第1臨限值以下時，評估為前述第1熔接區域為未熔接區域。
  8. 如請求項1之檢查裝置，其中前述處理部基於前述第1邊界與前述第2邊界算出前述第1熔接區域之寬度。
  9. 如請求項8之檢查裝置，其中前述處理部當前述寬度為所決定之值之範圍外時，將前述第1熔接區域評估為熔接不良。
  10. 如請求項1之檢查裝置，其中前述攝像部取得在第3條件下對第2熔接部進行拍攝之第3圖像資料、及在與前述第3條件不同之第4條件下對前述第2熔接部進行拍攝之第4圖像資料，前述第2熔接部包含第3非熔接區域、第4非熔接區域、及設置於前述第2非熔接區域與前述第4非熔接區域之間的第2熔接區域； 前述處理部根據基於前述第3圖像資料對前述第3非熔接區域與前述第2熔接區域之第3邊界進行檢測之結果、及基於前述第4圖像資料對前述第2熔接區域與前述第4非熔接區域之第4邊界進行檢測之結果，進行前述第2熔接部之檢查， 前述第3條件及前述第4條件之至少任一者與前述第1條件不同，且與前述第2條件不同。
  11. 如請求項10之檢查裝置，其中前述第1熔接部與前述第2熔接部包含於被檢查體， 前述第1熔接部於前述被檢查體中之位置，與前述第2熔接部於前述被檢查體中之位置不同。
  12. 一種熔接裝置，其具備： 雷射輸出部，其對熔接對象物照射雷射；及 控制部，其控制前述雷射輸出部；且 前述控制部根據：基於在第1條件下對包含第1非熔接區域、第2非熔接區域、及設置於前述第1非熔接區域與前述第2非熔接區域之間之第1熔接區域之第1熔接部進行拍攝之第1圖像資料所檢測到之、前述第1非熔接區域與前述第1熔接區域之間之第1邊界，與基於在與前述第1條件不同之第2條件下對前述第1熔接部進行拍攝之第2圖像資料所檢測到之、前述第1熔接區域與前述第2非熔接區域之間之第2邊界所獲得之資訊，而控制前述雷射之輸出。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020110087A1 (de) * 2020-04-09 2021-10-14 Ii-Vi Delaware, Inc. Verfahren zur prozesskontrolle bei der lasermaterialbearbeitung

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6060685A (en) * 1997-10-23 2000-05-09 Trw Inc. Method for monitoring laser weld quality via plasma light intensity measurements
JP2001071125A (ja) * 1999-09-03 2001-03-21 Omc Kk ハンダ付け方法とその装置
JP2005014027A (ja) * 2003-06-24 2005-01-20 Enshu Ltd 溶接部のイメージ処理方法、溶接管理システム、溶接機のためのフィードバックシステム、突合わせ線検出システム
JP4453808B2 (ja) * 2003-06-30 2010-04-21 Ｔｄｋ株式会社 インダクタンス部品の製造方法
CN100386773C (zh) * 2004-12-27 2008-05-07 欧姆龙株式会社 图像处理方法、基板检查方法和装置及检查数据制作方法
JP3962782B1 (ja) * 2006-08-11 2007-08-22 国立大学法人 岡山大学 半田付けの検査方法、半田接合方法、及び半田接合装置
US8506872B2 (en) * 2009-05-29 2013-08-13 Stanley Electric Co., Ltd. Method for manufacturing resin mold assembly
JP5909870B2 (ja) * 2011-04-27 2016-04-27 Ｊｆｅスチール株式会社 溶接欠陥検出方法及び電縫鋼管の製造方法並びに溶接製品の製造方法
JP2013015389A (ja) * 2011-07-04 2013-01-24 Hitachi-Ge Nuclear Energy Ltd 溶接位置の検査方法及びその装置
US20160175964A1 (en) * 2014-12-19 2016-06-23 Lincoln Global, Inc. Welding vision and control system
CN104551347B (zh) * 2014-12-30 2016-05-25 江苏科技大学 窄间隙焊缝偏差的红外视觉传感检测方法及装置
FI126900B (en) * 2015-12-29 2017-07-31 Optiweld Oy Method and system for analyzing the properties of a weld
WO2017170723A1 (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 株式会社ニコン 撮像装置、画像処理装置、および電子機器
KR102065012B1 (ko) * 2016-07-26 2020-01-10 에이피시스템 주식회사 레이저 처리장치 및 레이저 처리방법
CN106825914B (zh) * 2017-03-13 2019-08-02 湘潭大学 一种具有焊缝跟踪功能的一体化激光焊枪
JP6905670B2 (ja) * 2018-01-26 2021-07-21 トヨタ自動車株式会社 レーザー溶接方法
CN108876771B (zh) * 2018-06-04 2022-05-20 广东工业大学 一种咬边焊接缺陷的检测方法

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