TW202136469A - 導熱性片、積層體、及半導體裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之導熱性片具有導熱性樹脂組成物層，導熱性樹脂組成物層由含有無機填料及黏合劑樹脂（3）之導熱性樹脂組成物（1）所構成。無機填料包含氮化硼粒子（2），導熱性樹脂組成物層中之無機填料之含量為65體積%以上，且藉由特定之測定方法所測得之根據氮化硼粒子（2）之一次粒徑之長徑與短徑所求出之平均縱橫比為7以下。導熱性樹脂組成物層之厚度為200 μm以下。

Description

導熱性片、積層體、及半導體裝置

本發明係關於一種導熱性片、積層體、及半導體裝置。

以往，於工業用機器、家電機器、資訊終端等廣泛領域中使用電源模組。電源模組中，嘗試了使用樹脂片作為基板，對於使用樹脂片之電源模組，例如期待向高電壓用途方向進行開發。於高電壓用途中，以往為了獲得較高之耐電壓特性，而研究出使用摻合有介電常數較低之氮化硼作為散熱填料的基板。

例如於專利文獻1中揭示有，於含有氮化硼作為散熱填料且用於基板等之硬化性材料中，作為氮化硼，使用空隙率彼此不同之兩種凝聚粒子（參照專利文獻1）。於專利文獻1中示出了，各氮化硼粒子之平均縱橫比為10以上。又，揭示了一種導熱性片，其係使用硬化性材料而製作，以厚度成為350 μm之方式塗佈硬化性材料而成。

又，於專利文獻2中揭示有一種樹脂組成物膜及含樹脂組成物膜之樹脂片，該樹脂組成物膜係使用含有樹脂及具有各向異性之導熱填料之樹脂組成物而形成者（參照專利文獻2）。於專利文獻2中揭示有一種樹脂片，其係以厚度成為200 μm之方式塗佈而成。 先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本特開2018-82165號公報 專利文獻2：日本特開2019-151754號公報

[發明所欲解決之課題]

本發明之課題在於提供一種導熱性片，其係含有包含氮化硼粒子之填料者，且導熱性樹脂組成物層之厚度薄至200 μm以下，並且即便將填料設為高填充亦可抑制於回流焊等之加熱後絕緣性降低。 [解決課題之技術手段]

本發明人等進行了潛心研究，結果發現，以高填充狀態含有包含氮化硼粒子之填料的導熱性樹脂組成物其絕緣性有時會因回流焊（solder reflow）等之加熱而降低。對其原因進行研究，結果可知，原因在於因加熱而於氮化硼之周圍產生裂痕。進一步詳細地進行研究，結果為，於如專利文獻1中所記載之導熱性樹脂組成物層之厚度較厚之以往的導熱性片中，即便以填料之含量成為65體積%以上的方式設為高填充，亦未發現絕緣性因回流焊等之加熱而降低的情況。另一方面，如專利文獻2中所記載，可知，於以填料之含量成為65體積%以上之方式設為高填充，且使導熱性樹脂組成物層之厚度薄至200 μm以下時，絕緣性會於回流焊等之加熱後降低。對其原因進一步進行研究，結果可知，相較於導熱性片中之導熱性樹脂組成物層之厚度較厚的情形，厚度較薄的情形時更易受到因加熱而產生之裂痕的影響，結果，於回流焊等之加熱後絕緣性降低。 並且發現，於導熱性樹脂組成物層之厚度薄至200 μm以下，且以填料之含量成為65體積%以上之方式設為高填充的情形時，若使用氮化硼粒子之一次粒徑之縱橫比較高的填料，則絕緣性於回流焊等之加熱後降低。另一方面，進而發現，即便於導熱性樹脂組成物層之厚度薄至200 μm以下，且以填料之含量成為65體積%以上之方式設為高填充之情形時，藉由減小氮化硼粒子之一次粒徑的縱橫比，亦可抑制回流焊等之加熱後的絕緣性之降低，從而完成了本發明。

本發明之主旨為以下之[1]～[21]。 [1]一種導熱性片，其係具有導熱性樹脂組成物層者，且 上述導熱性樹脂組成物層含有無機填料及黏合劑樹脂， 上述無機填料包含氮化硼粒子，上述導熱性樹脂組成物層中之上述無機填料之含量為65體積%以上，且藉由以下測定方法所測得之根據上述氮化硼粒子之一次粒徑之長徑與短徑所求出之平均縱橫比為7以下，上述導熱性樹脂組成物層之厚度為200 μm以下； （測定方法） 利用截面拋光儀使導熱性片之沿厚度方向之剖面露出，利用掃描電子顯微鏡（SEM）以400～1200倍觀察該露出之剖面而獲得觀察影像，於該觀察影像中，使用影像解析軟體在導熱性樹脂組成物層中隨機地對200個氮化硼粒子之一次粒子測定長徑及短徑，並藉由長徑/短徑而算出各粒子之縱橫比，將該200個之平均值設為平均縱橫，所謂長徑係指觀察影像中所觀察到之氮化硼粒子之一次粒子之最長部分之長度，又，所謂短徑係指觀察影像中與長徑方向垂直之方向上之長度。 [2]如上述[1]所記載之導熱性片，其中，上述導熱性樹脂組成物層含有除氮化硼粒子以外之無機填料。 [3]如上述[2]所記載之導熱性片，其中，上述除氮化硼粒子以外之無機填料為選自由氧化鋁、氮化鋁、氧化鎂、金剛石及碳化矽所組成之群中之至少一種。 [4]如上述[2]或[3]所記載之導熱性片，其中，上述除氮化硼粒子以外之無機填料之一次粒子之平均縱橫比為3以下。 [5]如上述[2]至[4]中任一項所記載之導熱性片，其中，上述除氮化硼粒子以外之無機填料之平均粒徑為0.1 μm以上且100 μm以下。 [6]如上述[2]至[5]中任一項所記載之導熱性片，其中，上述導熱性樹脂組成物層中之上述除氮化硼粒子以外之無機填料之含量為2體積%以上且60體積%以下。 [7]如上述[1]至[6]中任一項所記載之導熱性片，其中，上述導熱性樹脂組成物層中之上述氮化硼粒子之含量為15體積%以上且80體積%以下。 [8]如上述[1]至[7]中任一項所記載之導熱性片，其中，於上述導熱性樹脂組成物層之剖面中所測得之氮化硼粒子之一次粒子之平均長徑為1 μm以上且20 μm以下。 [9]如上述[1]至[8]中任一項所記載之導熱性片，其中，氮化硼粒子包含氮化硼凝聚粒子。 [10]如上述[1]至[9]中任一項所記載之導熱性片，其導熱率為10 W/（m・K）以上。 [11]如上述[1]至[10]中任一項所記載之導熱性片，其中，上述無機填料之含量為80體積%以下。 [12]如上述[1]至[11]中任一項所記載之導熱性片，其中，構成上述黏合劑樹脂之樹脂為熱固性樹脂。 [13]如上述[12]所記載之導熱性片，其中，上述熱固性樹脂係藉由硬化劑硬化而成。 [14]如上述[1]至[13]中任一項所記載之導熱性片，其中，構成上述黏合劑樹脂之樹脂為選自由環氧樹脂及苯氧樹脂所組成之群中之至少一種。 [15]如上述[1]至[14]中任一項所記載之導熱性片，其中，上述導熱性樹脂組成物層中之上述黏合劑樹脂之含量為10體積%以上且35體積%以下。 [16]如上述[1]至[15]中任一項所記載之導熱性片，其中，上述氮化硼粒子之上述平均縱橫比為2以上。 [17]一種積層體，其具備上述[1]至[16]中任一項所記載之導熱性片、金屬底板及金屬板，且於上述金屬底板上依序具備上述導熱性片及上述金屬板。 [18]如上述[17]所記載之積層體，其中，上述積層體為電路基板。 [19]如上述[17]或[18]所記載之積層體，其中，上述金屬板具有電路圖案。 [20]一種半導體裝置，其具備上述[17]至[19]中任一項所記載之積層體、及設置於上述金屬板上之半導體元件。 [21]一種導熱性組成物層，其含有無機填料及黏合劑樹脂，且 上述無機填料包含氮化硼粒子，導熱性樹脂組成物層中之上述無機填料之含量為65體積%以上，且藉由以下測定方法所測得之根據上述氮化硼粒子之一次粒徑之長徑與短徑所求出之平均縱橫比為7以下，上述導熱性組成物層之厚度為200 μm以下； （測定方法） 利用截面拋光儀使導熱性樹脂組成物層之剖面露出，利用掃描電子顯微鏡（SEM）以400～1200倍觀察該露出之剖面而獲得觀察影像，於該觀察影像中，使用影像解析軟體在導熱性樹脂組成物層中隨機地對200個氮化硼粒子之一次粒子測定長徑及短徑，並藉由長徑/短徑而算出各粒子之縱橫比，將該200個之平均值設為平均縱橫，所謂長徑係指觀察影像中所觀察到之氮化硼粒子之一次粒子之最長部分之長度，又，所謂短徑係指觀察影像中與長徑方向垂直之方向上之長度。 [發明之效果]

根據本發明，關於含有氮化硼粒子之導熱性片，即便導熱性樹脂組成物層之厚度較薄，且將填料設為高填充，亦可抑制於回流焊等之加熱後絕緣性降低。

以下，使用實施形態對本發明進行說明。 ＜導熱性樹脂組成物層＞ 本發明之導熱性片具有由導熱性樹脂組成物所構成之導熱性樹脂組成物層。 參照圖1進行說明，本發明之導熱性樹脂組成物層係含有包含氮化硼粒子2之無機填料、及黏合劑樹脂3之導熱性樹脂組成物1。又，如下文所述，導熱性樹脂組成物層1亦可視需要具有除氮化硼粒子以外之無機填料4。再者，於圖1所示之導熱性樹脂組成物層1中，除氮化硼粒子以外之無機填料4為球狀填料，但如下文所述，亦可為任意形狀，又，亦可不含有除氮化硼粒子以外之無機填料4。又，氮化硼粒子2較佳為至少一部分構成氮化硼凝聚粒子。

關於本發明之導熱性樹脂組成物層，包含氮化硼粒子之無機填料的含量為65體積%，且根據氮化硼粒子之一次粒徑之長徑與短徑所求出的平均縱橫比為7以下，且厚度成為200 μm以下。 關於導熱性樹脂組成物層，若為了獲得較高之散熱性能而如上所述將無機填料設為一定以上之高填充，則絕緣性呈降低趨勢，但本發明藉由使用縱橫比較低之氮化硼粒子，即便藉由回流焊等進行高溫加熱後，亦可防止絕緣性之降低，例如可提高絕緣破壞電壓。因此，可抑制回焊後之可靠性降低。雖不確定其原因，但推定如下。

一般而言，氮化硼之末端存在氫或羥基等官能基，但該官能基偏集存在，幾乎不存在於氮化硼之一次粒子之沿著長徑方向之主面，而大量存在於端面。再者，認為其原因在於，例如六方晶氮化硼中，6員環之平面方向存在於沿著長徑方向之主面。並且，因上述官能基之偏集存在導致沿著長徑方向之主面與樹脂之親和性欠佳，與樹脂之適應性較差，氮化硼對樹脂之追隨性亦變差。進而，關於上述追隨性之影響，於導熱性樹脂組成物層之厚度較厚即超過200 μm的情形時，不會對絕緣性產生太大影響，但於厚度較薄即200 μm以下的情形時，絕緣性更易受其影響。另一方面，一次粒子之端面由於存在大量官能基，故與樹脂之親和性優異，與樹脂之適應性變得良好，對樹脂之追隨性亦良好。因此，若上述縱橫比為7以下，則端面之比率變多，對樹脂之追隨性良好的部分增加，藉此，｢易受到由回焊等之加熱及其後之冷卻引起的膨脹及收縮影響｣之厚度為200 μm以下之導熱性樹脂組成物層儘管產生膨脹及收縮，但氮化硼粒子之周圍不易產生裂痕。結果推定，即便使導熱性樹脂組成物層之厚度薄至200 μm以下，亦可於藉由回流焊等進行高溫加熱後防止絕緣性降低。於氮化硼粒子之周圍產生的裂痕容易於樹脂量變少之填料高填充且導熱性樹脂組成物層之厚度較薄時產生，但若將縱橫比設為7以下，則即便於填料高填充時亦可充分地防止裂痕之產生。 另一方面，若縱橫比超過7，則氮化硼對樹脂之追隨性較差的部分變多，由此推定，於填料高填充且導熱性樹脂組成物層之厚度較薄時，會因回焊等之加熱及其後之冷卻而產生大量裂痕，故無法充分地防止絕緣性之降低。

就於回焊等之加熱後進一步抑制絕緣性降低的觀點而言，上述縱橫比較佳為6.5以下，進而較佳為6以下。又，上述縱橫比並無特別限制，但就使導熱性變得良好的觀點，及就可容易地獲得氮化硼粒子的觀點而言，只要為1以上即可，較佳為2以上，更佳為5以上。

又，於上述導熱性樹脂組成物層之剖面所測得之氮化硼粒子之一次粒子的平均長徑並無特別限制，例如為1 μm以上且20 μm以下。藉由設為1 μm以上，而使導熱性變得良好，從而容易提昇導熱性樹脂組成物之導熱率。又，藉由設為20 μm以下，可進一步抑制藉由回焊等進行高溫加熱後之絕緣性的降低。就該等觀點而言，氮化硼粒子之一次粒子的平均長徑較佳為1.5 μm以上，更佳為2.0 μm以上，又，較佳為15 μm以下，更佳為10 μm以下，進而較佳為6.0 μm以下。

平均縱橫比及平均長徑係根據氮化硼粒子之一次粒徑的長徑與短徑而求出，該氮化硼粒子之一次粒徑的長徑與短徑係於利用截面拋光儀而露出之剖面中所測得。具體而言，如下所述。 首先，利用截面拋光儀使導熱性樹脂組成物層之剖面露出，利用掃描電子顯微鏡（SEM）以400～1200倍觀察該露出之剖面而獲得觀察影像。於該觀察影像中，使用影像解析軟體隨機地對200個氮化硼粒子之一次粒子測定長徑及短徑，並藉由長徑/短徑而算出各粒子之縱橫比，將該200個之平均值設為平均縱橫。又，將所測得之200個一次粒子之長徑的平均值設為平均長徑。再者，所謂長徑係指觀察影像中所觀察到之氮化硼粒子之一次粒子最長部分的長度。又，所謂短徑係指觀察影像中與長徑方向垂直之方向上之長度。 再者，所露出之導熱性樹脂組成物層之剖面為任意剖面，但於導熱性片中，為導熱性片之沿著厚度方向的剖面。

氮化硼粒子較佳為如上所述包含氮化硼凝聚粒子。氮化硼凝聚粒子係使一次粒子凝聚而構成之凝聚粒子。又，氮化硼粒子中之一次粒子可為六方晶氮化硼、立方晶氮化硼中之任一者，較佳為六方晶氮化硼。若使用六方晶氮化硼，則如上所述，藉由降低平均縱橫比，而使與樹脂之適應性變得更良好，於高溫加熱後不易產生裂痕，從而容易良好地維持絕緣性。又，一次粒子之形狀並無特別限制，較佳為鱗片狀。再者，鱗片狀中亦包含縱橫比較小且與立方體形狀接近之形狀。

若氮化硼粒子為非凝聚粒子（即氮化硼單粒子），則當經由加壓成形等各種步驟而使導熱性樹脂組成物成形為特定形狀時，一般多數情況會進行配向。例如，若成形為片狀，則一般沿面方向進行配向。因此，若製成使導熱性樹脂組成物成為導熱性樹脂組成物層之導熱性片，則有時難以使厚度方向之導熱率變高。另一方面，若如本發明所述使用氮化硼粒子，則可防止氮化硼之配向，例如容易使下述導熱性片之厚度方向的導熱率變高。

一般而言，氮化硼凝聚粒子例如可藉由上述剖面觀察而判別是否為凝聚粒子。再者，氮化硼凝聚粒子有時因經由加壓成形等各種步驟而維持凝聚粒子之形態，亦有時因經由加壓成形等各種步驟而發生變形、崩解、壓碎等。但，將氮化硼凝聚粒子與用以形成黏合劑樹脂之成分進行混合後，使其經由加壓成形等步驟，即便假設因此使上述氮化硼凝聚粒子發生了變形、崩解、壓碎等，但上述氮化硼凝聚粒子亦大體上不會進行配向，又，成為某種程度之聚合而存在，因此例如藉由觀察上述剖面，而提示為氮化硼凝聚粒子，藉此，可判別是否為凝聚粒子。

就有效地提高絕緣性及導熱性的觀點而言，導熱性樹脂組成物層中所摻合之氮化硼凝聚粒子較佳為平均粒徑為5 μm以上，更佳為10 μm以上，又，較佳為200 μm以下，更佳為150 μm以下，進而較佳為100 μm以下。 凝聚粒子之平均粒徑可利用雷射繞射-散射法進行測定。關於平均粒徑之算出方法，採用累積體積達到50%時之凝聚粒子的粒徑（d50）作為平均粒徑。

氮化硼凝聚粒子之製造方法並無特別限制，可利用公知之方法進行製造。例如，可使已預先準備之一次粒子進行凝聚（造粒）而獲得，具體而言，可列舉噴霧乾燥方法及流動層造粒方法等。噴霧乾燥方法（亦稱為噴霧乾燥）根據噴霧方式可分類為二流體噴嘴式、圓盤式（亦稱為旋轉式）及超音波噴嘴式等，可應用其等中之任一方式。 又，作為氮化硼凝聚粒子之製造方法，造粒步驟並非必需。例如，亦可藉由以下方式而形成凝聚粒子，即，隨著藉由公知之方法而結晶化之氮化硼結晶的生長，氮化硼之一次粒子會自然集結。

氮化硼凝聚粒子可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。於併用兩種以上之情形時，例如，可併用一次粒子之平均粒徑相對較高之第1氮化硼凝聚粒子、與一次粒子之平均粒徑較第1氮化硼凝聚粒子低之第2氮化硼凝聚粒子。 又，作為氮化硼凝聚粒子，例如亦可使用昭和電工股份有限公司製造之「UHP-G1H」等。又，可併用「UHP-G1H」與水島合金鐵股份有限公司製造之「HP-40」。

導熱性樹脂組成物層可僅含有上述氮化硼凝聚粒子作為氮化硼粒子，亦可除上述氮化硼凝聚粒子以外還含有氮化硼單粒子。氮化硼單粒子只要於不損害本發明之效果的範圍內含有即可，其含量相對於氮化硼凝聚粒子100體積份，例如未達50體積份，較佳為未達30體積份，更佳為未達20體積份。 再者，於含有氮化硼單粒子之情形時，平均縱橫比可在不區分氮化硼單粒子（一次粒子）及氮化硼凝聚粒子之一次粒子之狀態隨機地選擇200個而算出。

導熱性樹脂組成物層中之氮化硼粒子之含量例如為15體積%以上且80體積%以下。藉由設為15體積%以上，可對導熱性樹脂組成物層賦予良好之導熱性。又，藉由設為80體積%以下，而使導熱性樹脂組成物層對金屬板等之密接性變得良好，於下述積層體中，會使金屬板對導熱性片之剝離強度變高。就進一步提昇導熱性及絕緣性的觀點而言，氮化硼之含量較佳為20體積%以上，更佳為30體積%以上，進而較佳為40體積%以上。 若如上所述使氮化硼粒子之含量增多，則於藉由回焊等進行高溫加熱後容易產生裂痕，而不易良好地維持絕緣性，但本發明藉由如上所述使氮化硼粒子之平均縱橫比降低，即便高溫加熱後亦可維持優異之絕緣性。又，就提昇對金屬板等之密接性的觀點而言，氮化硼之含量較佳為75體積%以下，更佳為67體積%以下，進而較佳為65體積%以下。

（除氮化硼粒子以外之無機填料） 本發明之導熱性樹脂組成物層可除上述氮化硼粒子以外還含有「除氮化硼粒子以外之無機填料」。作為除氮化硼粒子以外之無機填料，只要使用導熱性填料即可。關於導熱性填料，例如導熱率為10 W/（m・K）以上，較佳為15 W/（m・K）以上，更佳為20 W/（m・K）以上。又，導熱性填料之導熱率之上限並無特別限制，例如可為300 W/（m・K）以下，亦可為200 W/（m・K）以下。除氮化硼粒子以外之無機填料例如可進入至氮化硼凝聚粒子等氮化硼粒子之間的間隙中而提高導熱性。 再者，無機填料之導熱率例如可使用Bethel股份有限公司製造之熱顯微鏡，藉由週期加熱熱反射法對利用截面拋光儀進行了切削加工之填料剖面進行測定。

作為除氮化硼粒子以外之無機填料，較佳可列舉：氧化鋁、氮化鋁、氧化鎂、金剛石及碳化矽等。藉由使用該等無機填料，而良好地維持導熱性，並且防止絕緣性降低，且亦容易提昇對金屬板之密接性。就使導熱性及對金屬板之密接性達到較高之水準，並且防止絕緣性之降低的觀點而言，其中較佳為氧化鋁。 又，作為除氮化硼粒子以外之無機填料，可單獨使用一種，亦可將兩種以上加以併用。

除氮化硼粒子以外之無機填料可使用任意形狀之填料，可為鱗片狀、球狀、破碎狀、不定形狀、多角形狀等中之任一者，亦可為凝聚粒子等。但，作為除氮化硼粒子以外之無機填料，較佳為一次粒子之平均縱橫比為3以下。作為此種填料，可列舉球狀填料等。作為球狀填料，更佳為球狀氧化鋁。再者，如上所述，一次粒子的平均縱橫比可藉由剖面觀察而測定。 除氮化硼粒子以外之無機填料的平均縱橫比更佳為2以下。除氮化硼粒子以外之無機填料的縱橫比只要為1以上即可。若使用此種縱橫比較低之除氮化硼粒子以外的無機填料，則可抑制高溫加熱後之絕緣性的降低，並且容易提高導熱性或對金屬板之密接性。

除氮化硼粒子以外之無機填料的平均粒徑較佳為0.1 μm以上，更佳為0.2 μm以上，進而較佳為0.3 μm以上。又，較佳為100 μm以下，更佳為80 μm以下，進而較佳為70 μm以下。若將平均粒徑設為該等上限值以下，則容易將無機填料以高填充狀態摻合於導熱性樹脂組成物層中。又，若設為下限值以上，則易提高絕緣性。除氮化硼粒子以外之無機填料的平均粒徑例如可藉由庫爾特計數器法進行測定。

除氮化硼粒子以外之無機填料可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。於使用兩種以上填料之情形時，例如可使用氧化鋁與氧化鎂等材質彼此不同之無機填料，例如亦可使用兩種以上之平均粒徑彼此不同之無機填料。再者，作為平均粒徑彼此不同之兩種以上之無機填料，可使用均使用氧化鋁無機填料等材質相同者，亦可使用材質彼此不同者。

關於除氮化硼粒子以外之無機填料，於使用兩種以上之平均粒徑彼此不同者之情形時，可使用平均粒徑大於2 μm之無機填料（以下，亦稱為「大粒徑無機填料」）、及平均粒徑為2 μm以下之無機填料（以下，亦稱為「小粒徑無機填料」）。若併用該等大粒徑無機填料及小粒徑無機填料，則容易提高無機填料之填充率，藉此，亦容易提高導熱率。再者，對於導熱性樹脂組成物層，可藉由在粒度分佈中出現2個以上峰而判斷包含平均粒徑彼此不同之兩種以上無機填料。 大粒徑無機填料之平均粒徑較佳為3 μm以上，又，較佳為100 μm以下，更佳為50 μm以下，進而較佳為35 μm以下。另一方面，小粒徑無機填料之平均粒徑較佳為1.5 μm以下，更佳為1 μm以下，又，較佳為0.1 μm以上，更佳為0.5 μm以上。 大粒徑無機填料與小粒徑無機填料之以體積基準計的比率（大粒徑無機填料/小粒徑無機填料）並無特別限制，例如為0.2以上且10以下，較佳為0.5以上且8以下，更佳為1以上且6以下。

導熱性樹脂組成物層中之除氮化硼粒子以外之無機填料之含量例如為2體積%以上且60體積%以下。藉由設為2體積%以上，而容易發揮出摻合有除氮化硼粒子以外之無機填料的效果，例如，可抑制高溫加熱後之絕緣性的降低，並且可提高導熱性或對金屬板之密接性。又，藉由設為60體積%以下，而可於導熱性樹脂組成物層中含有一定量以上之氮化硼粒子，從而提高導熱性樹脂組成物層之導熱率，並且即便於高溫加熱後絕緣性亦不易降低。就上述觀點而言，導熱性樹脂組成物層中之除氮化硼粒子以外之無機填料之含量較佳為4體積%以上，更佳為10體積%以上，又，除氮化硼粒子以外之無機填料之含量較佳為55體積%以下，就含有一定量以上之氮化硼粒子而保證導熱性的觀點而言，更佳為45體積%以下。

於包含除氮化硼粒子以外之無機填料之情形時，除氮化硼粒子以外之無機填料相對於氮化硼粒子之以體積基準計之比率（除氮化硼粒子以外之無機填料/氮化硼粒子）例如為0.01以上且4以下。藉由設為該範圍內，而提高導熱性或對金屬板之密接性，並且容易抑制由加熱引起之絕緣性之降低。就此種觀點而言，上述比率較佳為0.05以上，更佳為0.15以上，進而較佳為0.3以上，又，較佳為3以下，更佳為2以下，進而較佳為1以下。

導熱性樹脂組成物層中之無機填料的含量（即氮化硼粒子及除氮化硼粒子以外之無機填料的合計）如上所述為65體積%以上。若未達65體積%，則無法使無機填料成為高填充狀態，從而無法確保較高之散熱性能。 又，無機填料之含量較佳為80體積%以下。藉由設為80體積%以下，而使導熱性樹脂組成物層對金屬板之密接性變得良好。就此種觀點而言，無機填料之含量較佳為78體積%以下，更佳為75體積%以下，進而較佳為70體積%以下。

（黏合劑樹脂） 導熱性樹脂組成物層包含黏合劑樹脂。黏合劑樹脂係使上述包含氮化硼粒子之無機填料彼此黏結，並如下所述將導熱性樹脂組成物層維持為片狀等特定形狀者。作為導熱性樹脂組成物層中所使用之樹脂，並無特別限制，可使用熱塑性樹脂、熱固性樹脂等。作為熱塑性樹脂，可列舉：苯乙烯樹脂、苯氧樹脂、苯二甲酸酯樹脂、熱塑性胺酯（urethane）樹脂、聚醯胺樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、酮樹脂及降莰烯樹脂等。作為熱固性樹脂，可列舉：脲樹脂及三聚氰胺樹脂等胺基樹脂、酚系樹脂、熱固性胺酯樹脂、環氧樹脂、苯氧樹脂、熱固性聚醯亞胺樹脂及胺基醇酸（amino alkyd）樹脂等。導熱性樹脂組成物層中所使用之黏合劑樹脂可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。 上述樹脂中，較佳為環氧樹脂、苯氧樹脂。環氧樹脂及苯氧樹脂更佳可用作藉由加熱而硬化之熱固性成分（熱固性樹脂）。本發明中，就成形性之觀點而言，較佳為包含環氧樹脂，又，併用環氧樹脂與苯氧樹脂亦較佳。

＜環氧樹脂＞ 作為環氧樹脂，例如可列舉分子中含有2個以上環氧基之化合物。環氧樹脂例如為重量平均分子量未達5000者。 作為環氧樹脂，具體而言，可列舉：含苯乙烯骨架之環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、酚系酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、茀型環氧樹脂、苯酚芳烷基型環氧樹脂、萘酚芳烷基型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、具有金剛烷骨架之環氧樹脂、具有三環癸烷骨架之環氧樹脂、及骨架中具有三

核之環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂。

又，環氧樹脂之環氧當量並無特別限制，例如為80 g/eq以上且500 g/eq以下，較佳為90 g/eq以上且400 g/eq以下，進而較佳為90 g/eq以上且350 g/eq以下。再者，環氧當量例如可依據JIS K 7236所規定之方法進行測定。 上述環氧樹脂可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

＜苯氧樹脂＞ 苯氧樹脂例如為使表鹵醇與二元酚化合物反應而獲得之樹脂，或使二元環氧化合物與二元酚化合物反應而獲得之樹脂。上述苯氧樹脂較佳為具有雙酚A型骨架、雙酚F型骨架、雙酚A/F混合型骨架、萘骨架、茀骨架、聯苯骨架、蒽骨架、芘骨架、𠮿

骨架、金剛烷骨架或二環戊二烯骨架。上述苯氧樹脂更佳為具有雙酚A型骨架、雙酚F型骨架、雙酚A/F混合型骨架、萘骨架、茀骨架或聯苯骨架，進而較佳為具有雙酚A型骨架。

又，苯氧樹脂之重量平均分子量例如為10000以上，較佳為20000以上，更佳為30000以上，較佳為1000000以下，更佳為250000以下。即使使用此種分子量較高者作為樹脂，例如可藉由以下方式而容易地製成片狀等，即，利用溶劑對硬化性樹脂組成物進行稀釋而獲得稀釋液後塗佈該稀釋液。再者，重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析法（GPC）所測得之以聚苯乙烯換算計之重量平均分子量。於凝膠滲透層析法（GPC）測定中，可使用四氫呋喃作為溶析液。 又，苯氧樹脂之環氧當量並無特別限制，例如為1500 g/eq以上且25000 g/eq以下，較佳為2000 g/eq以上且20000 g/eq以下，進而較佳為2500 g/eq以上且18000 g/eq以下。 上述苯氧樹脂可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

＜硬化劑＞ 上述熱固性樹脂（熱固性成分）較佳為，藉由硬化劑而硬化，藉此於導熱性樹脂組成物層中成為黏合劑樹脂。即，只要使含有氮化硼粒子等無機填料及熱固性成分之硬化性樹脂組成物進行硬化而形成本發明之導熱性樹脂組成物層即可，硬化性樹脂組成物較佳為進而含有硬化劑。 再者，於本說明書中，硬化性樹脂組成物意指硬化前之樹脂組成物，只要藉由硬化而成為導熱性樹脂組成物層即可。又，硬化性樹脂組成物亦可除上述成分以外還進而含有下述之硬化促進劑，亦可適當含有除硬化促進劑以外之其他添加劑。又，硬化劑係與熱固性成分反應而構成黏合劑樹脂者，可將硬化性樹脂組成物中所摻合之熱固性成分與硬化劑之合計量設為導熱性樹脂組成物層中所含有之黏合劑樹脂之含量。

於使用環氧樹脂及苯氧樹脂中之任一者作為熱固性成分之情形時，作為硬化劑，可使用氰酸酯化合物（氰酸酯硬化劑）、胺化合物（胺硬化劑）、硫醇化合物（硫醇硬化劑）、膦化合物、二氰二胺、酚化合物（酚硬化劑）、酸酐、活性酯化合物、碳二醯亞胺化合物（碳二醯亞胺硬化劑）及苯并

化合物（苯并

硬化劑）等。上述硬化劑只要具有能夠與上述環氧樹脂或苯氧樹脂之環氧基發生反應之官能基即可。 硬化劑可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。 作為硬化劑，其中較佳為包含酚化合物、氰酸酯化合物、酸酐、活性酯化合物、碳二醯亞胺化合物及苯并

化合物中之至少一種。

作為酚化合物，可列舉：酚醛清漆型苯酚、聯苯酚型苯酚、聯伸苯型苯酚、萘型苯酚、二環戊二烯型苯酚、芳烷基型苯酚及二環戊二烯型苯酚等。 作為氰酸酯化合物，可列舉：酚醛清漆型氰酸酯樹脂、雙酚型氰酸酯樹脂、以及其等經部分三聚化而成之預聚物等。作為上述酚醛清漆型氰酸酯樹脂，可列舉酚系酚醛清漆型氰酸酯樹脂及烷基酚型氰酸酯樹脂等。作為上述雙酚型氰酸酯樹脂，可列舉雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂及四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等。 作為氰酸酯化合物之市售品，可列舉：酚系酚醛清漆型氰酸酯樹脂（日本龍沙公司製造之「PT-30」及「PT-60」）、及雙酚型氰酸酯樹脂經三聚化而成之預聚物（日本龍沙公司製造之「BA230S」、「BA-3000S」、「BTP-1000S」及「BTP-6020S」）等。

作為酸酐，可列舉四氫鄰苯二甲酸酐及烷基苯乙烯-順丁烯二酸酐共聚物等。 所謂活性酯化合物意指結構體中至少包含1個酯鍵，且酯鍵之兩側鍵結有芳香族環之化合物。活性酯化合物例如係藉由羧酸化合物或硫羧酸化合物與羥基化合物或硫醇化合物之縮合反應而獲得。

上述碳二醯亞胺化合物具有下述式（1）所表示之結構單元。於下述式（1）中，右端部及左端部係與其他基鍵結之部位。上述碳二醯亞胺化合物可僅使用一種，亦可併用兩種以上。下述（1）所表示之結構單元可於1個分子中具有2個以上重複單元。

上述式（1）中，X表示伸烷基、伸烷基中鍵結有取代基之基、伸環烷基、伸環烷基中鍵結有取代基之基、伸芳基或伸芳基中鍵結有取代基之基，p表示1～5之整數。於存在複數個X之情形時，複數個X可相同，亦可不同。

於適宜之一形態中，至少1個X為伸烷基、伸烷基中鍵結有取代基之基、伸環烷基或伸環烷基中鍵結有取代基之基。 作為上述碳二醯亞胺化合物之市售品，可列舉：日清紡化學公司製造之「Carbodilite V-02B」、「Carbodilite V-03」、「Carbodilite V-04K」、「Carbodilite V-07」、「Carbodilite V-09」、「Carbodilite 10MSP」及「Carbodilite 10M-SP（改質）」、以及萊茵化學公司製造之「Stabaxol P」、「Stabaxol P400」及「Hikazil 510」等。 作為上述苯并

化合物，可列舉P-d型苯并

及F-a型苯并

等。

於使用硬化劑之情形時，硬化劑相對於熱固性成分之含量以體積基準計，只要可使熱固性成分適當地硬化，並無特別限制，例如為0.1以上且0.8以下，較佳為0.15以上且0.6以下，更佳為0.2以上且0.5以下。

上述黏合劑樹脂之含量例如為10體積%以上且35體積%以下。藉由設為10體積%以上，可使氮化硼粒子等無機填料充分地黏結而獲得具有所需形狀之導熱性樹脂組成物層。又，藉由設為35體積%以下，可含有一定量以上之氮化硼粒子等無機填料，因此可使絕緣性變得良好，並且可使導熱性變得優異。 就該等觀點而言，黏合劑樹脂之含量較佳為20體積%以上，更佳為22體積%以上，進而較佳為30體積%以上，又，較佳為34體積%以下。

於使用上述熱固性成分之情形時，可如上所述進而使用硬化促進劑。藉由使用硬化促進劑，而使硬化速度變得更快，可使硬化性樹脂組成物快速硬化，可使導熱性樹脂組成物層中之交聯結構變得均勻。又，未反應之官能基數量減少，結果，交聯密度變高。 硬化促進劑並無特別限制，可使用以往公知之硬化促進劑。具體而言，可列舉：咪唑化合物等陰離子性硬化促進劑、胺化合物等陽離子性硬化促進劑、磷化合物及有機金屬化合物等除陰離子性及陽離子性硬化促進劑以外之硬化促進劑、以及過氧化物等自由基性硬化促進劑等。導熱性樹脂組成物層中之硬化促進劑之含量例如為0.1～8體積%，較佳為0.3～5體積%。 硬化促進劑可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

本發明之導熱性樹脂組成物層亦可除上述成分以外還含有分散劑、矽烷偶合劑等偶合劑、難燃劑、抗氧化劑、離子捕捉劑、黏著性賦予劑、塑化劑、搖變性賦予劑及著色劑等其他添加劑。

本發明之導熱性組成物層由導熱性組成物之單層構成。又，於本發明之導熱性樹脂組成物層含有熱固性成分之情形時，本發明之導熱性樹脂組成物層較佳為被硬化，亦可為半硬化或未硬化之狀態。

＜導熱性片＞ 本發明之導熱性片具有由上述導熱性樹脂組成物所構成之導熱性樹脂組成物層（以下，亦稱為「本發明之導熱性樹脂組成物層」）。以下，對導熱性片進行更詳細說明。導熱性樹脂組成物層與導熱性樹脂組成物相同。因此，導熱性樹脂組成物層含有包含氮化硼粒子之無機填料及黏合劑樹脂，亦可具有除氮化硼粒子以外之無機填料，該等詳情與上述導熱性樹脂組成物層中所述內容一致。又，導熱性樹脂組成物層中之各成分之含量亦與作為導熱性樹脂組成物層中之各成分之含量而說明之內容一致。

如上所述，導熱性片具有本發明之導熱性樹脂組成物層，亦可由導熱樹脂組成物層單層所構成。由導熱性樹脂組成物層單層所構成，藉此可沿導熱性片之總厚度良好地維持高溫加熱後之絕緣性，因此可確實地抑制絕緣性之降低。

又，導熱性片亦較佳為由多層樹脂層所構成。於導熱性片具有多層樹脂層之情形時，只要至少1層樹脂層為本發明之導熱性樹脂組成物層即可。又，亦可2層以上樹脂層為含有氮化硼粒子之樹脂層，於此種情形時，較佳為含有氮化硼粒子之樹脂層均為本發明之導熱性樹脂組成物層。藉由此種構成，含有氮化硼粒子之所有樹脂層均散熱性能較高，即便藉由回焊等而加熱至高溫亦可良好地維持絕緣性，故即便為多層結構亦可確實地抑制絕緣性之降低。又，於具有多層樹脂層之情形時，進而較佳為所有樹脂層均由上述本發明之導熱性樹脂組成物所構成。

本發明之導熱性樹脂組成物層之厚度為200 μm以下，較佳為180 μm以下，更佳為150 μm以下。又，導熱性樹脂組成物層之厚度並無特別限制，例如為50 μm以上，較佳為70 μm以上，進而較佳為100 μm以上。藉由使導熱性樹脂組成物層之厚度處於上述範圍內，即便將填料設為高填充，亦可抑制絕緣性之降低，又，散熱性亦優異。再者，於導熱性片由導熱樹脂組成物層單層所構成之情形時，上述導熱性樹脂組成物層之厚度為導熱性片之厚度。

再者，於導熱性樹脂組成物層之厚度超過200 μm的較厚導熱性片的情形時，即便因回焊等之加熱及其後之冷卻而產生裂痕，絕緣性亦不易受其影響，因此不會產生絕緣性降低此一本案發明的課題。關於本發明之導熱性片，將導熱性樹脂組成物層之厚度設為上述範圍後，即便將填料設為高填充，亦可抑制絕緣性之降低，又，散熱性亦優異。

於本發明之導熱性片由多層樹脂層所構成之情形時，本發明之導熱性片之厚度並無特別限制，例如為500 μm以下。藉由設為500 μm以下，可使導熱性片、即下述電路基板、半導體裝置等薄型化。導熱性片之厚度較佳為300 μm以下，更佳為250 μm以下，進而較佳為200 μm以下，進而更佳為180 μm以下。又，就容易保證絕緣性的觀點而言，導熱性片之厚度例如為40 μm以上，較佳為60 μm以上。

又，導熱性片之導熱率較佳為10 W/（m・K）以上。藉由將導熱率設為10 W/（m・K）以上，而成為散熱性能優異者，於用作電路基板之情形時，可將安裝於電路基板上之元件中所產生的熱有效率地排放至外部。因此，例如，即便安裝電源模組中所使用之電源元件等散熱量較多的元件，亦可防止元件之溫度變得過高。導熱性片之導熱率更佳為11 W/（m・K）以上，進而較佳為12 W/（m・K）以上，進而更佳為15 W/（m・K）以上。又，導熱性片之導熱率的上限並無特別限制，就實用方面而言，例如為25 W/（m・K）左右。再者，導熱性片之導熱率只要藉由雷射閃光法而測定厚度方向之導熱率即可。

＜積層體＞ 如圖2所示，本發明之積層體係積層體13，其除上述導熱性片10以外還具備金屬底板11及金屬板12，且於金屬底板11上依序具備導熱性片10及金屬板12。

金屬底板11及金屬板12分別發揮作為導熱體之功能，因此其導熱率較佳為10 W/（m・K）以上。作為其等中所使用之材料，可列舉：鋁、銅、金、銀等金屬及石墨片等。就進一步有效地提高導熱性的觀點而言，較佳為鋁、銅或金，更佳為鋁或銅。 金屬底板11之厚度較佳為0.1～5 mm，金屬板12之厚度較佳為10～2000 μm，更佳為10～900 μm。再者，作為金屬板，亦包含如銅板之板或如銅箔之箔的情形。

積層體13較佳為用作電路基板。於用作電路基板之情形時，積層體13中之金屬板12只要具有電路圖案即可。電路圖案只要根據安裝於電路基板上之元件等進行適宜圖案化即可。電路圖案並無特別限制，只要藉由蝕刻等而形成即可。又，於電路基板中，金屬底板11被用作散熱板等。

＜半導體裝置＞ 本發明亦提供一種半導體裝置，其具有上述積層體。具體而言，如圖3所示，半導體裝置15具備：積層體13，其具有導熱性片10、金屬底板11及金屬板12；以及半導體元件14，其設置於積層體13之金屬板12上。金屬板12只要具有藉由蝕刻等而圖案化出之電路圖案即可。

再者，半導體元件14於圖3中示出了2個，但半導體元件14之數量並無特別限制，只要為1個以上，便可為任意個。又，於金屬板12上，亦可除半導體元件14以外還搭載有電晶體等其他電子零件（未圖示）。各半導體元件14經由形成於金屬板12上之連接導電部16而連接於金屬板12。連接導電部16只要藉由焊料而形成即可。又，於積層體13之金屬板12側之表面設置有密封樹脂19。並且，至少半導體元件14被密封樹脂19密封，金屬板12亦可視需要與半導體元件14一同被密封樹脂19密封。 半導體元件14並無特別限制，較佳為至少1個為電源元件（即電力用半導體元件），因此，半導體裝置15較佳為電源模組。電源模組例如用於變流器等。 又，電源模組例如用於升降機、不斷電電源裝置（UPS）等工業用機器，但其用途並無特別限制。

金屬板12連接有導線20。導線20例如自密封樹脂19延出至外部而將金屬板12連接於外部機器等。又，半導體元件14可連接有金屬線17。如圖3所示，金屬線17只要將半導體元件14連接於其他半導體元件14、金屬板12、導線20等即可。 半導體元件14在經由導線20等被供給電力而驅動時會發熱，半導體元件14中所產生之熱經由導熱性片10而傳導至金屬底板11，並自金屬底板11散熱。金屬底板11只要視需要與由散熱片等構成之散熱器連接即可。

半導體裝置15只要於其製造步驟中經由回焊步驟而製造即可。具體而言，於半導體裝置15之製造方法中，首先，準備積層體13，於積層體13之金屬板12上藉由焊料印刷等而形成連接導電部16，並於該連接導電部16上搭載半導體元件14。然後，使搭載有半導體元件14之積層體13通過回焊爐之內部而於回焊爐之內部進行加熱，從而藉由連接導電部16將半導體元件14連接至金屬板12上。再者，回焊爐內之溫度並無特別限制，例如為200～300℃左右。於半導體裝置15之製造方法中，只要於回焊步驟後將密封樹脂19積層於積層體13上而對半導體元件14進行密封即可，又，於利用密封樹脂19進行密封之前，只要適宜地安裝金屬線17、導線20等即可。 再者，以上示出了藉由回焊步驟而將半導體元件14連接於金屬板12之態樣，但並不限於此種態樣，例如，亦可藉由回焊步驟將積層體13（即電路基板）連接於其他基板（未圖示）。

於本發明中，導熱性片10如上所述絕緣性良好，且即便被加熱至高溫後亦具有良好之絕緣性。因此，導熱性片10於經由回焊步驟後，金屬板12與金屬底板11之間之絕緣性亦維持得良好，絕緣破壞電壓變高，可靠性變高。 又，若如上所述使導熱性片10之導熱率變高，則例如於半導體元件14為電源元件且在動作時產生大量熱之情形時，半導體元件14中所產生之熱亦被適當地散熱，使得半導體元件14於驅動中不會成為高溫，從而可防止半導體元件14之誤動作或故障等。進而，於積層體13中，可提高金屬板12與導熱性片10之密接性，因此可進一步使半導體裝置15之性能變得良好。

（導熱性樹脂組成物層、導熱性片及積層體之製造方法） 關於導熱性樹脂組成物層，於含有熱固性成分（熱固性樹脂）作為黏合劑樹脂之原料之情形時，例如可藉由以下方式而製造，即，向熱固性成分中添加氮化硼凝聚粒子等氮化硼粒子、視需要而摻合之硬化劑、其他無機填料及添加劑中之至少一種等並進行混合而獲得硬化性樹脂組成物，使硬化性樹脂組成物硬化。 此時，硬化性樹脂組成物可成形為片狀，亦可於剝離片等支持體上進行塗佈、積層等而成形為片狀，於製造積層體之情形時，可於金屬底板等之上進行塗佈、積層等而成形為片狀。此處，所謂片狀意指較薄，其厚度較小與長度及寬度不符，且平坦者，於支持體、金屬底板上等之其他構件上形成為膜狀、層狀者亦包含在片狀之概念中。 再者，於支持體上成形之片狀硬化性樹脂組成物，例如只要於硬化後或硬化前自支持體剝離即可。又，上述硬化性樹脂組成物亦可利用稀釋溶劑進行稀釋後，塗佈於支持體、金屬底板等，然後進行適當乾燥。

藉由塗佈、積層等而成形之片狀硬化性樹脂組成物較佳為，藉由加壓成形等進行加熱及加壓，藉此使其硬化而製成導熱性樹脂組成物層或導熱性片，亦可於加壓成形前使其部分或完全硬化。進而，於導熱性片為具有2層以上樹脂層之多層結構之情形時，只要預先成形複數個樹脂層，並將該複數個樹脂層加以積層而製成多層結構即可。

又，於製造具備導熱性片、金屬底板及金屬板之積層體之情形時，只要藉由以下方式來製造積層體即可，即，將預先成形為片狀之硬化性樹脂組成物配置於金屬底板與金屬板之間，藉由加壓成形進行加熱及加壓而將金屬底板與金屬板經由硬化性樹脂組成物（導熱性樹脂組成物層）加以接著。硬化性樹脂組成物較佳為藉由加壓成形時之加熱而硬化，亦可於加壓成形前部分或完全硬化。 於金屬底板與金屬板之間配置硬化性樹脂組成物時，亦可於金屬底板與金屬板之間配置2層以上片狀硬化性樹脂組成物，而製成具有複數層本發明之導熱性樹脂組成物層之多層結構。又，亦可於金屬底板與金屬板之間配置1層以上片狀硬化性樹脂組成物及1層以上不含有氮化硼粒子之樹脂層，而製成具有除本發明之導熱性樹脂組成物層以外之樹脂層之多層結構。

又，亦可藉由以下方式而獲得積層體，即，於金屬底板上將硬化性樹脂組成物進行塗佈、積層等，繼而於其上積層金屬板，然後視需要藉由加壓成形等進行加熱及加壓而使金屬板經由硬化性樹脂組成物（導熱性樹脂組成物層）接著於金屬底板。此時，可於金屬底板上配置2層以上片狀硬化性樹脂組成物，而製成具有複數層本發明之導熱性樹脂組成物層之多層結構，亦可配置1層以上硬化性樹脂組成物及1層以上不含有氮化硼粒子之樹脂層，而製成具有除本發明之導熱性樹脂組成物層以外之樹脂層之多層結構。 又，關於導熱性樹脂組成物及積層體，於黏合劑樹脂為熱塑性樹脂之情形時，省略硬化，除此以外，可藉由與上述相同之方法而製造。 實施例

以下，藉由實施例及比較例來更具體地說明本發明，但本發明並不限於其等。

再者，各物性之測定方法及評價方法如下所述。 [氮化硼粒子之平均縱橫比及平均長徑] 對於各實施例、比較例中所獲得之導熱性組成物層（導熱性片），利用截面拋光儀使與厚度方向平行之剖面露出，以倍率400～1200倍藉由掃描電子顯微鏡觀察該剖面而獲得觀察影像。對於觀察影像，使用影像解析軟體「WinROOF2015」（三谷商事股份有限公司製造），隨機地對200個氮化硼之一次粒子測定長徑及短徑，算出平均縱橫比及平均長徑並示於表1。此時，將導熱性樹脂組成物層沿垂直方向分割成4個區域，於所分割之4個區域各者中測定50個一次粒子之長徑及短徑，從而算出平均縱橫比及平均長徑。

實施例、比較例中所獲得之積層體係藉由以下方法進行評價。 [初始絕緣破壞電壓（初始BDV）] 將各實施例及比較例中所獲得之積層體切割成90 mm×50 mm，藉由蝕刻將金屬板加工成

20 mm之圖案而獲得試樣。然後，使用耐電壓試驗器（EXTECH Electronics公司製造之「MODEL7473」），以電壓以20 kV/min之速度上升的方式向試樣之金屬板及金屬底板之間施加交流電壓。將電流值成為10 mA之電壓（絕緣破壞電壓）設為初始BDV。 [回焊後BDV] 將各實施例及比較例中所獲得之積層體於285℃之恆溫槽的內部放置5分鐘。將藉由與上述方法相同之方法所測得的絕緣破壞電壓設為回焊後BDV。

[BDV減少率] 根據以下式自所獲得之初始BDV及回焊後BDV算出BDV減少率，並按以下之評價基準進行評價。 BDV減少率（%）＝（初始BDV－回焊後BDV）/初始BDV×100 AA：BDV減少率未達4%。 A：BDV減少率為4%以上且未達8%。 B：BDV減少率為8%以上且未達12%。 C：BDV減少率為12%以上。

[剝離強度] 將實施例及比較例中所獲得之積層體切成50 mm×120 mm之大小而獲得試樣。對所獲得之試樣進行剝離以使僅剩中央寬度10 mm之銅箔，對於中央寬度10 mm之銅箔，依據JIS C6481測定35 μm銅箔之剝離強度。作為上述剝離強度測定裝置，使用Orientec公司製造之「Tensilon萬能試驗機」，剝離角度為90°。剝離強度係按照以下之評價基準進行評價。 [剝離強度之判定基準] AA：剝離強度為8 N/cm以上。 A：剝離強度為4 N/cm以上且未達8 N/cm。 B：剝離強度為2 N/cm以上且未達4 N/cm。 C：剝離強度未達2 N/cm。

[導熱率] 將實施例、比較例中所獲得之積層體切割成1 cm見方後，使用測定裝置「Nanoflash」（NETZSCH公司，型號：LFA447）並藉由雷射閃光法對兩面噴灑有碳黑之測定樣品進行導熱率之測定。

[熱阻] 使用所獲得之導熱率根據以下式算出熱阻，並按以下之評價基準進行評價。 熱阻[（m² ・μK）/W]＝樹脂層厚度[μm]/導熱率[W/m・K] [熱阻之評價基準] A：熱阻未達10（m² ・μK）/W B：熱阻為10（m² ・μK）/W以上且16（m² ・μK）/W以下 C：熱阻超過16（m² ・μK）/W

[實施例1] 依照表1之組成，將表1中所記載之成分加以混合而製備硬化性樹脂組成物。繼而，將硬化性樹脂組成物塗佈於離型PET片（厚度40 μm）上，於50℃之烘箱內加熱10分鐘而使其暫時硬化。繼而，將所獲得之經暫時硬化的片狀硬化性樹脂組成物自離型PET片上剝下，將其兩面夾於作為金屬板之銅箔（厚度35 μm）與作為金屬底板之鋁板（厚度1.0 mm）之間，於溫度110℃加熱30分鐘而使其進一步暫時硬化，從而獲得暫時硬化積層體。藉由在溫度190℃、壓力15 MPa之條件對所獲得之暫時硬化積層體進行120分鐘真空加壓而使硬化性樹脂組成物硬化，從而獲得由金屬底板、導熱性組成物層（導熱性片）及金屬板所構成之積層體。導熱性樹脂組成物層之厚度為150 μm。將所獲得之積層體之評價結果示於表1。

[實施例2～12、比較例1～8] 如表1中所記載變更硬化性樹脂組成物之組成，除此以外，藉由與實施例1相同之方式而實施。

[表1]

	實施例	比較例
1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12	1	2	3	4	5	6	7	8
硬化性樹脂組成物[體積%]	熱固性成分	26.0	26.0	26.0	18.4	14.5	18.4	18.4	18.4	18.4	26.0	26.0	26.0	26.0	26.0	26.0	26.0	26.0	26.0	26.0	26.0
硬化劑	6.0	6.0	6.0	4.2	3.4	4.2	4.2	4.2	4.2	6.0	6.0	6.0	6.0	6.0	6.0	6.0	6.0	6.0	6.0	6.0
硬化促進劑	2.0	2.0	2.0	1.4	1.1	1.4	1.4	1.4	1.4	2.0	2.0	2.0	2.0	2.0	2.0	2.0	2.0	2.0	2.0	2.0
分散劑	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
BN凝聚粒子（1）	UHP-G1H	65	58.5	32.5	75	80	55	27.5	70	20	20	65	65	6.5						65
HP-40														65						65
PTCL5MHF															65
PTX-60S																65
AC6091																	65
PTX-25																		65
BN凝聚粒子（2）	HP-40		6.5	32.5				27.5						58.5
氧化鋁	CB-A30S						15	15	4	40	30
CB-P02						5	5	1	15	15
氮化硼添加量[體積%]	65	65	65	75	80	55	55	70	20	20	65	65	65	65	65	65	65	65	65	65
填料合計量[體積%]	65	65	65	75	80	75	75	75	75	65	65	65	65	65	65	65	65	65	65	65
BN凝聚粒子摻合比率[（1）:（2）]	100:0	90:10	50:50	100:0	100:0	100:0	50:50	100:0	100:0	100:0	100:0	100:0	10:90	100:0	100:0	100:0	100:0	100:0	100:0	100:0
BN凝聚粒子之平均縱橫比	5.7	5.9	6.5	5.7	5.7	5.7	6.5	5.7	5.7	5.7	5.7	5.7	7.2	7.4	9.7	10.4	7.6	11.2	5.7	7.4
BN凝聚粒子之平均長徑[μm]	4.7	5.3	7.5	4.7	4.7	4.7	7.5	4.7	4.7	4.7	4.7	4.7	9.7	10.3	9.1	10.0	14.7	13.0	4.7	10.3
樹脂組成物層之厚度[μm]	150	150	150	150	150	150	150	150	150	150	120	200	150	150	150	150	150	150	250	250
初始BDV[kV]	12.8	13.4	13.8	2.8	2.5	12.8	13.2	3.5	11.5	12.1	8.1	15.1	14.0	14.3	11.4	8.7	11.2	6.0	16.2	18.1
回焊後BDV[kV]	12.4	12.5	12.5	2.7	2.3	12.6	12.3	3.3	11.4	11.9	7.6	14.8	12.0	11.8	8.7	5.3	6.0	1.7	16.0	16.6
回焊BDV減少率[%]	3.1	6.7	9.4	3.6	8.0	1.6	6.8	5.7	0.9	1.7	6.2	2.0	14.3	17.5	23.7	39.1	46.4	71.7	1.2	8.3
AA	A	B	AA	B	AA	A	A	AA	AA	A	AA	C	C	C	C	C	C	AA	B
剝離強度[N/cm]	4.3	4.3	4.2	2.3	2.3	6.0	6.0	3.2	7.1	7.4	4.3	4.3	4.1	4	0.8	1.1	3.2	1	4.3	4
A	A	A	B	B	A	A	B	A	A	A	A	A	A	C	C	B	C	A	A
導熱率[W/（m・K）]	13.2	14.0	13.0	19.3	20.1	16.2	15.3	17.0	11.0	10.4	13.2	13.2	13.0	11.7	6.8	13.7	8.6	9.0	13.2	11.7
熱阻[（m2 ・μK）/W]	11.4	10.7	11.5	7.8	7.5	9.3	9.8	8.8	13.6	14.4	9.1	15.2	11.5	12.8	22.1	10.9	17.4	16.7	18.9	21.4
B	B	B	A	A	A	A	A	B	B	A	B	B	B	C	B	C	C	C	C

表1中之各成分如下所述。 （熱固性成分） 環氧樹脂：「YX-4000」，日本環氧樹脂公司製造 苯氧樹脂：「jER-1256」，日本環氧樹脂公司製造 ※於各實施例、比較例中，熱固性成分係以6/7之體積比率（環氧樹脂/苯氧樹脂）使用環氧樹脂及苯氧樹脂。 （硬化劑） 「MEH-7851-S」，昭和化成公司製造 （硬化促進劑） 「2MZA-PW」，四國化成公司製造 （分散劑） 「ED151」，楠本化成公司製造 （氮化硼（BN）凝聚粒子） UHP-G1H：「UHP-G1H」，昭和電工股份有限公司製造，凝聚粒子之平均粒徑33 μm HP-40：「HP-40」，水島合金鐵股份有限公司製造，凝聚粒子之平均粒徑40 μm PTCL5MHF：「PTCL5MHF」，Saint-gobain公司製造，凝聚粒子之平均粒徑100 μm PTX60S：「PTX60S」，邁圖公司製造，凝聚粒子之平均粒徑60 μm AC6091：「AC6091」，邁圖公司製造，凝聚粒子之平均粒徑125 μm PTX25：「PTX25」，邁圖公司製造，凝聚粒子之平均粒徑25 μm （氧化鋁） CB-A30S：「CB-A30S」，昭和電工股份有限公司製造，球狀氧化鋁，平均粒徑28 μm CB-P02：「CB-P02」，昭和電工股份有限公司製造，球狀氧化鋁，平均粒徑2 μm

自表1之結果可知，於各實施例中，無機填料為高填充狀態之導熱性樹脂組成物含有氮化硼粒子，且氮化硼之平均縱橫比為7以下，藉此即便導熱性樹脂組成物層較薄，BDV減少率亦變低，即便於高溫加熱後，亦可維持良好之初始絕緣性。 相對於此，於比較例1～6中，雖導熱性樹脂組成物含有氮化硼粒子，但導熱性樹脂組成物層較薄，且氮化硼粒子之平均縱橫比大於7，因此BDV減少率變高，於高溫加熱後無法維持初始絕緣性。又，於比較例7、8中，導熱性樹脂組成物層較厚，因此BDV減少率變低，但熱阻變大，故難以確保良好之散熱性。

1:導熱性樹脂組成物 2:氮化硼粒子 3:黏合劑樹脂 4:除氮化硼粒子以外之無機填料 10:導熱性片 11:金屬底板 12:金屬板 13:積層體 14:半導體元件 15:半導體裝置 16:連接導電部 17:金屬線 19:密封樹脂 20:導線

[圖1]係表示本發明之一實施形態之導熱性樹脂組成物的示意性剖視圖。 [圖2]係表示本發明之一實施形態之積層體的示意性剖視圖。 [圖3]係表示本發明之一實施形態之半導體裝置的示意性剖視圖。

1:導熱性樹脂組成物

2:氮化硼粒子

3:黏合劑樹脂

4:除氮化硼粒子以外之無機填料

Claims (12)

1. 一種導熱性片，其係具有導熱性樹脂組成物層者，且 上述導熱性樹脂組成物層含有無機填料及黏合劑樹脂， 上述無機填料包含氮化硼粒子，上述導熱性樹脂組成物層中之上述無機填料之含量為65體積%以上，且藉由以下測定方法所測得之根據上述氮化硼粒子之一次粒徑之長徑與短徑所求出之平均縱橫比為7以下，上述導熱性樹脂組成物層之厚度為200 μm以下； （測定方法） 利用截面拋光儀使導熱性片之沿厚度方向之剖面露出，利用掃描電子顯微鏡（SEM）以400～1200倍觀察該露出之剖面而獲得觀察影像，於該觀察影像中，使用影像解析軟體在導熱性樹脂組成物層中隨機地對200個氮化硼粒子之一次粒子測定長徑及短徑，並藉由長徑/短徑而算出各粒子之縱橫比，將該200個之平均值設為平均縱橫，所謂長徑係指觀察影像中所觀察到之氮化硼粒子之一次粒子之最長部分之長度，又，所謂短徑係指觀察影像中與長徑方向垂直之方向上之長度。
2. 如請求項1之導熱性片，其中，上述導熱性樹脂組成物層含有除氮化硼粒子以外之無機填料。
3. 如請求項2之導熱性片，其中，上述除氮化硼粒子以外之無機填料為選自由氧化鋁、氮化鋁、氧化鎂、金剛石及碳化矽所組成之群中之至少一種。
4. 如請求項1至3中任一項之導熱性片，其中，上述導熱性樹脂組成物層中之上述氮化硼粒子之含量為15體積%以上且80體積%以下。
5. 如請求項1至4中任一項之導熱性片，其中，於上述導熱性樹脂組成物層之剖面中所測得之氮化硼粒子之一次粒子之平均長徑為1 μm以上且20 μm以下。
6. 如請求項1至5中任一項之導熱性片，其中，氮化硼粒子包含氮化硼凝聚粒子。
7. 如請求項1至6中任一項之導熱性片，其導熱率為10 W/（m・K）以上。
8. 一種積層體，其具備請求項1至7中任一項之導熱性片、金屬底板及金屬板，且於上述金屬底板上依序具備上述導熱性片及上述金屬板。
9. 如請求項8之積層體，其中，上述積層體為電路基板。
10. 如請求項8或9之積層體，其中，上述金屬板具有電路圖案。
11. 一種半導體裝置，其具備請求項8至10中任一項之積層體、及設置於上述金屬板上之半導體元件。
12. 一種導熱性組成物層，其含有無機填料及黏合劑樹脂，且 上述無機填料包含氮化硼粒子，導熱性樹脂組成物層中之上述無機填料之含量為65體積%以上，且藉由以下測定方法所測得之根據上述氮化硼粒子之一次粒徑之長徑與短徑所求出之平均縱橫比為7以下，上述導熱性組成物層之厚度為200 μm以下； （測定方法） 利用截面拋光儀使導熱性樹脂組成物層之剖面露出，利用掃描電子顯微鏡（SEM）以400～1200倍觀察該露出之剖面而獲得觀察影像，於該觀察影像中，使用影像解析軟體在導熱性樹脂組成物層中隨機地對200個氮化硼粒子之一次粒子測定長徑及短徑，並藉由長徑/短徑而算出各粒子之縱橫比，將該200個之平均值設為平均縱橫，所謂長徑係指觀察影像中所觀察到之氮化硼粒子之一次粒子之最長部分之長度，又，所謂短徑係指觀察影像中與長徑方向垂直之方向上之長度。

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