TW202136427A

TW202136427A - 表面活性經改質之發煙矽石

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Publication number: TW202136427A
Application number: TW110100932A
Authority: TW
Inventors: 法蘭克曼尼爾; 伯恩雷澤; 貝提娜葛哈茲卡爾特; 亞力山德利金; 瑪瑞可蓋斯勒; 雷納高雀特; 妮那慕里席; 沃夫岡奧爾; 托比斯朗吉
Original assignee: 德商贏創運營有限公司
Priority date: 2020-01-14
Filing date: 2021-01-11
Publication date: 2021-10-01
Also published as: BR112022013832A2; KR20220127856A; CN115003625A; PL3877332T3; US20230062574A1; JP2023511850A; ES2914063T3; EP3877332B1; WO2021144181A1; EP3877332A1

Abstract

以選自由有機矽烷類、矽氮烷類、非環狀聚矽氧烷類、環狀聚矽氧烷類、及其混合物所構成之群組中的表面處理劑表面處理之發煙矽石粉末，其中該粉末具有： a)至少0.85 SiOH/nm² 之與BET表面積相關的矽醇基團數目(d_SiOH )，如藉由與氫化鋰鋁反應所測定的； b)在甲醇-水之混合物中高於40體積%之甲醇潤濕度； c)不高於200g/L之填充密度。

Description

表面活性經改質之發煙矽石

本發明係關於一種具有提高極性之經疏水化的發煙矽石粉末以及其製備方法和用途。

矽石粉末(尤其是發煙矽石粉末)對於多種不同應用是極有用的添加劑。僅為列舉這些應用中之一部分，發煙矽石能被使用以作為用於油漆、塗料、聚矽氧、及其他液態系統的流變改質劑或抗沉澱劑。發煙矽石粉末能改良粉末之流動性或使聚矽氧組成物之機械或光學性質最佳化，也能被使用以作為用於醫藥或化妝品製劑的填料、黏合劑或密封劑、增色劑及其他組成物。矽石材料之界定其對特別應用的適用性的重要性質係與表面極性相關。由於極性矽醇基團存在於其表面上，未經處理之矽石是親水性的。然而，矽石之表面極性能藉由以表面改質劑(諸如有機矽烷)處理而明顯降低。 WO 01/12731 A1描述疏水性無機氧化物的製備，尤其是具有15至45%之甲醇潤濕度的沉澱矽石的製備，其有用於強化聚合物組成物諸如橡膠。由於沉澱矽石之本質，彼等具有2至15OH/nm² 的相對高羥基含量。由於用於其應用之完全不同的製程，發煙矽石擁有與該沉澱矽石基本不同之粒子性質。因此，除了不同的相對矽醇基團含量，填充密度(發煙矽石之約50g/L對沉澱矽石之高於200g/L)和很多其他性質也是相當不同的。這些不同的性質導致發煙和沉澱矽石有不同應用領域。 EP 1700824 A1和EP 0725037 A1揭示以發煙矽石為底質之粒子的製備，該粒子具有10至120μm之平均粒度、220至700g/L之填充密度、0.5至2.5mL/g之孔隙體積。此種粒子係藉由以下方式製備：將發煙矽石粉末分散在水中，將該分散液噴霧乾燥，隨意地加熱及/或以矽烷表面處理。能使用該等粒子作為觸媒載體或用於玻璃應用。在EP 1700824 A1和EP 0725037 A1之矽石粒子由於其製備方法，係不同於具有約50g/L之填充密度的一般發煙矽石粉末。對於上述應用之很多者，經緻密化之粒子的使用是不可能的或比具有低於200g/L之填充密度的一般未經緻密化的粉末的使用更不佳。此種發煙的疏水性矽石粉末能藉由以矽烷處理對應之親水性矽石而製備，例如在EP 0686676 A1中所述的。此種疏水性矽石具有高於1wt%之碳含量且特徵在於其高的疏水性(＞50%之甲醇潤濕值)。因此，本專利申請案之發明實施例1、3、5、6、8顯示具有3.0至5.7wt%之碳含量和55至85%之甲醇潤濕度的疏水矽石。甲醇潤濕度隨碳含量提高及Sears數目降低而增加。該Sears之值顯示矽石之自由(亦即未經表面改質)之酸性矽醇基團相對於該未經改質(親水性)之矽石中矽石基團的量的比，此係藉由以氫氧化鈉溶液滴定所測定的。EP 0686676 A1之發明實施例之矽石粉末的Sears數目是在8至22%之範圍中。相對於該表面積之未經處理之親水性矽石粉末的量值設定為2SiOH/nm² ，其係適用於EP 1433749 A1之該分析方法，EP 0686676 A1之發明實施例顯示在0.16至0.44SiOH/nm² 範圍中之矽醇基團絕對值。由於其相對低之極性，EP 0686676 A1中所述之矽石與極性系統(諸如水系者)具有相對低相容性。提高疏水性矽石粉末之極性的一可能方式是在使該粉末與矽烷反應之前，以水處理該親水性矽石。因此， WO 2009/015970 A1之發明實施例揭示以水噴灑且然後以六甲基二矽氮烷(HMDS)噴灑矽石粉末，接著在65至285℃下熱處理。所得之疏水性矽石(本發明之比較用實施例2)顯示＞50%之甲醇潤濕度及與BET表面積相關之約0.82SiOH/nm² 的矽醇基團的量。此種經疏水化的矽石已經改良，但與極性系統的相容性仍有限。進一步改良此種經疏水化之矽石材料與極性系統的相容性的可想到的方式會是要減少用於該疏水化的矽烷量。因此，EP 1433749 A1描述具有0.9至1.7SiOH/nm² 粒子表面之矽醇基團密度和低於30%之甲醇潤濕度之值且能被併入該水系樹脂中的部分疏水性矽石的製備。此種部分疏水性粒子的製備係藉由相對每克之具有100 m² /g之BET表面積之矽石，使用0.015至0.15mmol之降低量的矽烷而進行。在EP 1433749 A1中顯示之此種矽石的實施例具有0.3至1重量%之碳含量和0至15%之甲醇潤濕度之值。因此，此種矽石粒子由於在其表面上不存在大部分之疏水性基團而與極性系統相容，但較不疏水。考慮EP 0686676 A1之教示，似乎通常不可能具有高疏水性和與極性系統良好相容性(亦即提高之極性)皆具的矽石粒子。

問題和解決方式因此，經疏水化的發煙矽石粉末與極性和非極性成分皆具的系統(諸如含有有機黏合劑之水媒(waterborne)塗料調和物)的良好相容性常仍有問題。以一般疏水性處理劑例如六甲基二矽氮烷(HMDS)疏水化之發煙矽石粒子在混合時仍與該極性黏合劑系統分開或在經固化之塗料膜成品中形成裂痕。因此，需要具有有限材料密度的發煙矽石粉末，其會與極性和非極性系統(例如水媒調和物)皆相容且會令固化之前和之後具有高矽石材料負荷、高均勻性之組成物得以製備。EP 1433749 A1提議使用降低量之矽烷以達成用於此目的之矽石的均勻疏水化。然而，所製備之矽石的疏水性不足。再者，在此情況下達成矽石表面之均勻疏水化是極具挑戰性的。因此，本發明所應付的技術問題是將高疏水性和提高之極性二者提供給具有有限的材料密度的發煙矽石粉末的問題，這些表面性質被均勻地遍布整個材料，適合併入極性/非極性系統(諸如水系有機塗料)中。本發明提供以選自由有機矽烷、矽氮烷、非環狀聚矽氧烷、環狀聚矽氧烷、及其混合物所構成之群組中的表面處理劑表面處理的發煙矽石粉末，其中該粉末具有： a)至少0.85 SiOH/nm² 之與BET表面積相關的矽醇基團數目(d_SiOH )，如藉由與氫化鋰鋁反應所測定的； b)在甲醇－水之混合物中高於40體積%之甲醇潤濕度； c)不高於200g/L之填充密度。根據本發明之矽石粉末解決上述技術問題。此種矽石粉末與非極性和極性調和物(例如水媒丙烯酸酯組成物)皆甚相容，且使人能在此種組成物中達成高矽石負荷。矽石粉末 在本發明之背景下，「粉末」一詞涵蓋細粒子。與本發明之矽石粉末的BET表面積相關的矽醇基團數目(d_SiOH )以SiOH基團/nm² 表示，能藉由在EP 0725037 A1之第8頁第17行至第9頁第12行中詳述說明之藉由矽石粉末與氫化鋰鋁反應的方法所測定。該矽石之矽醇(SiOH)基團與氫化鋰鋁(LiAlH₄ )反應，在該反應期間所形成之氣態氫的量極因此之該樣本中的矽醇基團的量(n_OH ，單位：mmol SiOH/g)被測定。使用該經試驗之材料的對應BET表面積(單位：m² /g)，該矽醇基團含量(單位：mmol OH/g)能容易地轉換成與BET表面積相關之矽醇基團數目d_SiOH ：

其中N_A 是亞佛加厥數(~6.022*10²³ ) 與本發明之矽石粉末相關之BET表面積之羥基數目(d_OH )是至少0.85 SiOH/nm² ，較佳是至少0.87 SiOH/nm² ，更佳是至少0.89 SiOH/nm² ，更佳是至少0.91 SiOH/nm² ，更佳是0.91 SiOH/nm² 至2.50 SiOH/nm² ，更佳是0.92 SiOH/nm² 至2.40 SiOH/nm² ，更佳是0.93 SiOH/nm² 至2.30 SiOH/nm² ，更佳是0.94 SiOH/nm² 至2.20 SiOH/nm² ，更佳是0.95 SiOH/nm² 至2.10 SiOH/nm² ，更佳是0.96 SiOH/nm² 至2.00 SiOH/nm² ，更佳是0.97 SiOH/nm² 至1.90 SiOH/nm² ，更佳是0.98 SiOH/nm² 至1.80 SiOH/nm² ，更佳是0.99 SiOH/nm² 至1.75 SiOH/nm² ，更佳是1.00 SiOH/nm² 至1.70 SiOH/nm² ，更佳是1.05 SiOH/nm² 至1.65 SiOH/nm² 。根據本發明之矽石粉末之矽醇基團含量較佳是高於0.03 mmol SiOH/g，更佳是0.04 mmol SiOH/g至0.50 mmol SiOH/g，更佳是0.05 mmol SiOH/g至0.45 mmol SiOH/g，更佳是0.07 mmol SiOH/g至0.40 mmol SiOH/g，更佳是0.10 mmol SiOH/g至0.40 mmol SiOH/g，更佳是0.15 mmol SiOH/g至0.35 mmol SiOH/g。與該矽石粉末之BET表面積相關之該表面處理劑中的矽原子數目d_[Si] 顯示與該表面積相關之在本發明之矽石粉末中所存在之含有一個矽原子之表面處理基團或此種表面處理基團之片段的量。與該矽石粉末之BET表面積相關之在該表面處理劑中的矽原子數目是至少1.0 Si原子/nm² ，較佳是1.2 Si原子/nm² 至10 Si原子/nm² ，更佳是1.3 Si原子/nm² 至9.0 Si原子/nm² ，更佳是1.4 Si原子/nm² 至8.0 Si原子/nm² ，更佳是1.5 Si原子/nm² 至7.0 Si原子/nm² ，更佳是1.8 Si原子/nm² 至6.0 Si原子/nm² ，更佳是2.0 Si原子/nm² 至5.0 Si原子/nm² 。與本發明之矽石粉末之BET表面積相關之在該表面處理劑中的矽原子數目d_[Si] [單位：Si原子/nm² ]能從與該表面處理之存在相關之該矽石粉末的碳含量(C*，單位：wt%)且考慮該表面處理劑之化學結構所計算，尤其碳原子數目/該表面處理劑之矽原子(N_C/Si )：

其中Mr_C =12.011 g/mol是碳的原子量， N_A 是亞佛加厥數(~6.022*10²³ )。 N_C/Si 是在該表面處理劑中碳對矽原子之比。因此，對於氯三甲基矽烷[(CH₃ )₃ SiCl]，N_C/Si =3。對於六甲基二矽氮烷[HMDS，((CH₃ )₃ Si)₂ NH]，N_C/Si =3。對於多甲基二矽氧烷[PDMS]，N_C/Si =2。對於包含矽原子之二種不同的表面處理劑的混合物，能使用與上述者相同之計算方式，差異在於使用所施加之表面處理劑的莫耳平均N_C/Si 值。因此，若使用HMDS和PDMS之1:1莫耳混合物(50:50莫耳%)作為表面處理劑，則應使用(2*0.5+3*0.5)=2.5之N_C/Si 值來計算d_[Si] 。與該表面處理之存在相關之該矽石粉末的碳含量(C*)能例如藉由使用固態NMR分析(¹ H或¹³ C NMR分析)與內部標準以直接被測定或從元素分析所測定之碳含量減去與該表面處理之存在無關之碳含量所計算的，若可以測定後項碳含量。在最簡單之情況下，藉由該元素分析方法可測定之本發明的矽石粉末的所有碳含量來自該表面處理劑。因此，例如對於以不含其他另外成分之六甲基二矽氮烷表面處理的矽石粉末，C*值對應於藉由元素分析所測定之碳含量值。根據本發明之矽石粉末的碳含量能為0.2重量%至15重量%，較佳為0.3重量%至12重量%，更佳為0.5重量%至10重量%，更佳為1.0重量%至8重量%，還更佳為1.2重量%至5重量%，也還更佳為1.5重量%至3.5重量%。該碳含量能藉由根據EN ISO3262-20:2000(第8章)之元素分析來測定。將經分析之樣本秤入陶瓷坩鍋中，配備燃燒添加劑且在感應爐中氧氣流下加熱。將所含之碳氧化成CO₂ 。CO₂ 氣體的量藉由紅外偵測器量化。所述之根據本發明之矽石粉末的碳含量是指該矽石粉末中除了不可燃化合物(諸如碳化矽)以外的所有含碳成分。分析本發明之矽石粉末的d_SiOH 和d_[Si] 的值有助於將本發明之矽石粉末的親水性質和疏水性質的範圍特徵化。根據本發明之矽石粉末的d_[Si] /d_SiOH 比係較佳為0.5至10，更佳是0.8至7.0，更佳是1.0至5.0，更佳是1.2至4.5，更佳是1.5至4.0，更佳是1.7至3.5，更佳是1.8至3.4，更佳是1.9至3.3，更佳是2.0至3.2，更佳是2.1至3.1，更佳是2.2至3.1。＞10之高的d_[Si] /d_SiOH 比係對應於具有相對低的自由矽醇基團含量及因此該材料對極性系統之低親和性的高疏水性粒子。相比之下，＜0.5之低的d_[Si] /d_SiOH 比是高極性材料的特徵，該高極性材料具有相對高的自由矽醇基團含量，以及與極性系統之良好相容性，但較低之疏水性。本發明之矽石粉末較佳具有0.5至10之d_[Si] /d_SiOH ，使其有足夠極性而能被併入極性系統(水系塗料調和物)中，但仍是高度疏水性而能與非極性系統(例如與水系塗料組成物之有機黏合劑)相容。重要地，該矽醇基團和該表面處理物質皆被均勻地分布在本發明之矽石表面上。根據本發明之矽石粉末的中數(numerical median)粒度(d₅₀ )較佳是至多500μm，更佳是0.1μm至250μm，更佳是1μm至200μm，更佳是2μm至100μm，更佳是5μm至80μm，更佳是10μm至60μm。該矽石粉末的中數粒度能根據 ISO 13320:2009，藉由雷射繞射粒度分析所測定。使用所測得之粒度分布以定義該中數(d₅₀ )，其反映不超過所有粒子之50%的粒度，作為該中數粒度。不同之粉狀或粗糙顆粒之粒狀材料的填充密度(也稱為「振實密度」)能根據DIN ISO 787-11:1995之「顏料和增效劑之一般試驗方法-第11部：在填充後之填充密度和表觀密度之測定(General method of test for pigments and extenders-Part 11:Determination of tamped volume and apparent density after tamping)」測定。這包含在攪拌及填充後測量床之表觀密度。本發明之矽石粉末之填充密度是不高於200g/L，較佳是20g/L至200g/L，更佳是25g/L至150g/L，更佳是30g/L至100g/L，更佳是 35g/L至80g/L，更佳是40g/L至70g/L。本發明之矽石粉末之BET表面積能大於20m² /g，較佳是30m² /g至500m² /g，更佳是50m² /g至400m² /g，更佳是70m² /g至300m² /g，最佳是80m² /g至200m² /g。比表面積(也簡稱為BET表面積)能根據DIN 9277:2014，藉由依據布-厄-特法(Brunauer-Emmett- Teller method)之氮吸附所測定。該矽石粉末之乾燥損失(LOD)較佳少於5.0wt%，更佳少於3.0wt%，更佳少於2.0wt%，更佳是少於1.0wt%，更佳少於0.8wt%，更佳少於0.5wt%。乾燥損失能根據ASTM D280-01(方法A)被測定。根據本發明之矽石粉末的孔隙體積、容積密度、骨架密度及孔隙度等值能藉由根據DIN ISO 15901-1的汞侵入方法測定。首先被H.L Ritter and L.C Drake在Ind. Eng. Chem. Anal. Ed. 17(1945)第782至786頁及第787至791頁中所描述之該方法的原則是基於經壓入多孔性固態物體中的汞體積量度，作為所施加之壓力的函數。只偵測在所施加之壓力(例如通常最大400至420MPa)下能讓汞滲入之孔隙(亦即通常是具有孔隙直徑＞4nm之孔隙)。未潤濕經探查的多孔性固態物體之表面的液態汞僅在壓力下滲入該等孔隙。待施加之壓力與該等孔隙開口之開口寬度呈反比，在圓柱形孔隙的情況下，在孔隙半徑(r_p )與壓力(p)之間的關係係藉由Washburn等式給定：

其中： r_p 是孔隙半徑 p是壓力 σ是汞之表面張力(0.48N/m) θ是汞之接觸角度(140℃) ＞4nm之孔隙的累積孔隙體積對應於可藉由根據 DIN ISO 15901-1之汞侵入方法，在417MPa之最大壓力下，測定至測定界限之所有孔隙的累積孔隙體積。藉由根據DIN ISO 15901-1之汞侵入方法所測定之本發明之矽石粉末的＞4nm之孔隙的累積孔隙體積較佳是至少8.0cm³ /g，更佳是8.0 cm³ /g至20cm³ /g，更佳是8.5cm³ /g至19.0cm³ /g，更佳是9.0 cm³ /g至18.0cm³ /g，更佳是9.5cm³ /g至17.0cm³ /g，更佳是10.0cm³ /g至16.0cm³ /g，更佳是10.5 cm³ /g至15.5cm³ /g，更佳是11.0 cm³ /g至15.0cm³ /g，更佳是11.5 cm³ /g至14.5cm³ /g，更佳是12.0 cm³ /g至14.0cm³ /g。藉由根據DIN ISO 15901-1之汞侵入方法所測定之＜4μm之孔隙的累積孔隙體積對應於藉由該方法可測定之＜4μm之所有孔隙的累積孔隙體積(排除直徑＜4nm之孔隙的孔隙體積)。藉由根據DIN ISO 15901-1之汞侵入方法所測定之本發明矽石粉末之＞4μm之孔隙的累積孔隙體積較佳是1.5cm³ /g至7.0cm³ /g，更佳是2.0cm³ /g至6.0cm³ /g，更佳是2.5cm³ /g至5.5cm³ /g，更佳是2.7 cm³ /g至5.0cm³ /g，更佳是3.0cm³ /g至4.9cm³ /g，更佳是3.1cm³ /g至4.8cm³ /g，更佳是3.2cm³ /g至4.7cm³ /g，更佳是3.3cm³ /g至4.7cm³ /g，更佳是3.4cm³ /g至4.6cm³ /g，更佳是3.5cm³ /g至4.5cm³ /g。＜4μm之孔隙的孔隙體積對本發明矽石粉末之＞4nm之孔隙的累積孔隙體積的百分比係較佳是小於50%，更佳是10%至50%，更佳是15%至45%，更佳是20%至40%，更佳是25%至35%。＜4μm之孔隙的孔隙體積對＞4nm之孔隙的累積孔隙體積的百分比可藉由前項孔隙體積除以後項孔隙體積且其商乘以100%而尋得。藉由根據DIN ISO 15901-1之汞侵入方法所測定之容積密度被定義為在已經減去最大開放型孔隙之體積後，每單位材料體積的單位重量。在本發明之背景下，該一般的最大孔隙對應於0.0031MPa之侵入壓力。藉由根據DIN ISO 15901-1之汞侵入方法，在0.0031 MPa下所測定之根據本發明之矽石粉末之容積密度(d_bulk )低於0.20g/mL，更佳是0.020g/mL至0.150g/mL，更佳是0.040g/mL至0.100g/mL，更佳是0.045g/mL至0.095g/mL，更佳是0.050g/mL至0.090g/mL，更佳是0.055g/mL至0.085 g/mL，更佳是0.060g/mL至0.080g/mL，更佳是0.065g/mL至0.075g/mL。材料樣本之骨架密度是在不考慮該材料之孔隙度下之密度，亦即該樣本質量除以不含所有其孔隙體積的該樣本體積的比。根據本發明之矽石粉末的骨架密度能在所有大於4nm(在417MPa之最大侵入壓力下)之孔隙的體積已經從藉由該材料所佔據之假設的體積中排除之後，從藉由根據DIN ISO 15901-1之汞侵入方法分析該樣本之結果所計算。在417MPa下，藉由根據DIN ISO 15901-1之汞侵入方法所測定之本發明的矽石粉末的骨架密度較佳是至少0.40 g/cm³ ，更佳是至少0.50g/cm³ ，更佳是0.50g/cm³ 至2.00 g/cm³ ，更佳是0.51g/cm³ 至1.90g/cm³ ，更佳是0.52g/cm³ 至1.80g/cm³ ，更佳是0.53g/cm³ 至1.70g/cm³ ，更佳是0.54g/cm³ 至1.60g/cm³ ，更佳是0.55g/cm³ 至1.50g/cm³ ，更佳是0.56g/cm³ 至1.40g/cm³ ，更佳是0.57g/cm³ 至1.35g/cm³ ，更佳是0.58g/cm³ 至1.30g/cm³ ，更佳是0.59g/cm³ 至1.25 g/cm³ ，更佳是0.60g/cm³ 至1.20g/cm³ ，更佳是0.65g/cm³ 至1.10g/cm³ ，更佳是0.70g/cm³ 至1.00g/cm³ 。與一般矽石粉末相比時，根據本發明之矽石粉末之相對高的骨架密度顯然是由於用於製造此種材料之方法的熱處理步驟所致。根據本發明之矽石粉末的孔隙度能從藉由上述汞侵入方法所測定之該容積密度(d_bulk )和骨架密度(d_sk )之值，根據以下等式計算：

本發明之矽石粉末之孔隙度較佳是至少60%，更佳是至少65%，更佳是至少70%，更佳是70%至99%，更佳是75%至97%，更佳是80%至95%，更佳是82%至93%，更佳是84%至90%。矽石本發明之矽石粉末可以包含單一化合物(二氧化矽)、矽石系混合氧化物、矽石系摻混氧化物、或其混合物。較佳地，該矽石粉末係由單一化合物(二氧化矽)所構成。根據本發明之矽石粉末較佳包含非晶形矽石。非晶形或非結晶性矽石缺乏長範圍順序，其為矽石晶體(諸如在石英中所存在者)的特徵。本發明之矽石粉末是高溫(發煙)矽石粉末、發煙矽石系之高溫混合型氧化物粉末、發煙矽石系之高溫摻混型氧化物粉末、或其混合物。發煙矽石係利用火焰水解或火焰氧化所製備。這包含通常在氫/氧火焰中可水解或可氧化之起始材料的氧化或水解。用於高溫方法之起始材料包括有機及無機物質。四氯化矽特別適合。所得之親水性矽石是非晶形的。發煙矽石通常呈凝集形式。「凝集」據了解是指在生成時首先形成之所謂的一級粒子稍後在該反應中彼此堅固地結合以形成三維網狀物。該一級粒子基本上不含孔隙且在其表面上具有自由羥基。此種親水性矽石，視需要，能例如藉由以反應性矽烷處理而疏水化。也知道藉由在H₂ /O₂ 火焰中同時反應至少二種不同之呈揮發性金屬化合物(例如氯化物)形式的金屬來源以製造高溫混合氧化物。此種氧化物之一實施例是SiO₂ /Al₂ O₃ 混合氧化物，其為名稱Aerosil® MOX 170而由Evonik所製造者。當製造Aerosil® MOX 170時，SiCl₄ 和AlCl₃ 之混合物在火焰中直接水解。代替或加至該氯化物地，也可以使用對應之矽烷(例如甲基三氯矽烷、三氯矽烷等)作為原料，如在DE-A 952 891、DE-A 25 33 925和DE-A 27 02 896中描述的。與其他種類之材料例如數種金屬氧化物之機械混合物、摻雜之金屬氧化物及類似者相反地，所製備之混合氧化物的所有成分(例如在上述情況下之矽石和鋁氧)通常均勻地分布在整個混合氧化物材料中。在該其他種類之材料的情況下，例如對於數種金屬氧化物之混合物，可以存在對應之純氧化物的不同區域，這決定此種混合物之性質。本發明之矽石粉末包含二氧化矽作為主要成分。較佳地，該矽石粉末所包含之二氧化矽是至少50重量%，更佳是至少60重量%，更佳是至少70重量%，更佳是70重量%至99.9重量%，更佳是80重量%至99.5重量%，更佳是90重量%至99.0重量%，更佳是92重量%至98.5重量%，更佳是95重量%至98.0重量%。表面處理劑 在本發明中，「經表面處理劑疏水化」一詞係關於一種包含矽石之材料與對應之包含矽原子之表面處理劑的化學反應，其藉由使該矽石之自由矽醇基團以包含矽原子之疏水性基團完全或部分改質，而將疏水性質賦予該包含矽石之材料。在本發明之背景下，「經疏水化的」或「疏水性」二詞係關於對極性介質(諸如水)具有低親和性的經表面處理的粒子。相比之下，親水性粒子對極性介質(諸如水)具有高親和性。該疏水性材料之疏水性一般能藉由將合適之非極性基團施加至該矽石表面而獲得。疏水性氧化物(例如矽石)之疏水程度能經由包括其甲醇潤濕度之參數來測定，例如在WO2011/076518 A1之第5至6頁中詳細描述的。在純水中，疏水性矽石與水完全分離且浮在該表面上而不被該溶劑所潤濕。相比之下，在純甲醇中，疏水性矽石被分布在整個該溶劑體積中；發生完全潤濕。在測量甲醇潤濕性時，在甲醇/水試驗混合物中測定最大甲醇含量，在該含量下該矽石仍未潤濕，也就是100%之所用的矽石在與該試驗混合物接觸之後，仍與該試驗混合物分離而呈未潤濕形。在該甲醇/水混合物中之該甲醇含量(單位：體積%)被稱為甲醇潤濕度。此種甲醇潤濕度的水平愈高，則該矽石愈疏水。該甲醇潤濕性愈低，則該材料之疏水性愈低且親水性愈高。本發明之粒狀材料之甲醇潤濕度較佳為在甲醇/水混合物中大於40體積%，更佳40體積%至90體積%，更佳45體積%至85體積%，特佳45體積%至80體積%，最佳50體積%至75體積%之甲醇含量。該表面處理劑較佳係選自由有機矽烷、矽氮烷、非環狀聚矽氧烷、環狀聚矽氧烷、及其混合物所構成之群組。較佳有機矽烷之一類型是通式(Ia)和(Ib)之烷基有機矽烷

R=烷基，例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、丁基 R’=烷基或環烷基，例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、丁基、環己基、辛基、十六烷基。 n=1至20 x+y=3 x=0至2，且 y=1至3。在式(Ia)和(Ib)之烷基有機矽烷之間，特佳的是辛基三甲氧基矽烷、辛基三乙氧基矽烷、十六烷基三甲氧基矽烷、十六烷基三乙氧基矽烷。用於表面處理之有機矽烷可含有鹵素諸如Cl或Br。特佳的是以下類型之鹵化有機矽烷： -通式(IIa)和(IIb)之有機矽烷

其中X=Cl、Br，n=1至20； -通式(IIIa)和(IIIb)之有機矽烷

其中X=Cl、Br， R’=烷基(例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、丁基)、環烷基(例如環己基) n=1至20； -通式IVa和IVb之有機矽烷

其中X=Cl、Br， R’=烷基(例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、丁基)、環烷基(例如環己基) n=1至20。在式(II)至(IV)之鹵化有機矽烷之間，特佳的是二甲基二氯矽烷和氯三甲基矽烷。所用之有機矽烷也能含有烷基或鹵素取代基(例如氟取代基或一些官能基團)以外者。較佳被使用的是通式(V)之經官能化的有機矽烷

其中R”=烷基(例如甲基、乙基、丙基)、或鹵素(諸如Cl或Br)， R=烷基，例如甲基、乙基、丙基， x+y=3 x=0至2， y=1至3， m=1至20， R’=甲基、芳基(例如苯基或經取代之苯基殘基)、雜芳基-C₄ F₉ 、OCF₂ -CHF-CF₃ 、-C₆ F₁₃ 、-O-CF₂ -CHF₂ 、-NH₂ 、-N₃ 、-SCN、-CH=CH₂ 、-NH-CH₂ -CH₂ -NH₂ 、 -N-(CH₂ -CH₂ -NH₂ )₂ 、-OOC(CH₃ )C=CH₂ 、 -OCH₂ -CH(O)CH₂ 、-NH-CO-N-CO-(CH₂ )₅ 、-NH-COO-CH₃ 、-NH-COO-CH₂ -CH₃ 、-NH-(CH₂ )₃ Si(OR)₃ 、 -S_x -(CH₂ )₃ Si(OR)₃ 、-SH、-NR¹ R² R³ (R¹ =烷基、芳基； R² =H、烷基、芳基；R³ =H、烷基、芳基、苄基、 C₂ H₄ NR⁴ R⁵ ，其中R⁴ =H、烷基且R⁵ =H、烷基)。在式(V)之經官能化的有機矽烷之間，特佳的是3-甲基丙烯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯氧基丙基三乙氧基矽烷、縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、縮水甘油氧基三乙氧基矽烷、胺丙基三乙氧基矽烷。通式R’R₂ Si-NH-SiR₂ R’(VI)之矽氮烷(其中R=烷基諸如甲基、乙基、丙基；R’=烷基、乙烯基)也適合作為表面處理劑。式(VI)之最佳矽氮烷是六甲基二矽氮烷(HMDS)。也適合作為表面處理劑的是環狀聚矽氧烷，諸如八甲基環四矽氧烷(D4)、十甲基環五矽氧烷(D5)、十二甲基環六矽氧烷(D6)、六甲基環三矽氧烷(D6)。最佳地，在環狀聚矽氧烷之間，使用(D4)。表面處理劑之另一有用類型是通式(VII)之聚矽氧烷或聚矽氧油：

其中 Y=H、CH₃ 、C_n 2_n+1 (其中n=1至20)、Si(CH₃ )_a X_b ，其中a=2至3，b=0或1，a+b=3， X=H、OH、OCH₃ 、C_m H_2m+1 (其中m=1至20)， R、R’=烷基(諸如C_o H_2o+1 ，其中o=1至20)、芳基(諸如苯基和經取代之苯基殘基)、雜芳基、(CH₂ )_k -NH₂ (其中k=1至10)、H， u=2至1000，較佳地u=3至100。最佳地，在該式(VII)之聚矽氧烷和聚矽氧油之間，使用聚二甲基矽氧烷作為表面處理劑。此種聚二甲基矽氧烷經常具有162g/mol至7500g/mol之莫耳質量，0.76g/mL至1.07g/mL之密度及0.6mPa*s至1 000 000mPa*s之黏度。用於製造該矽石粉末之方法 本發明進一步提供一種用於製造根據本發明之矽石粉末的方法，其包含以下步驟： a)在300℃至1400℃之溫度下，對具有不高於200g/L之填充密度的親水性矽石粉末進行熱處理； b)在選自由有機矽烷類、矽氮烷類、非環狀聚矽氧烷、環狀聚矽氧烷、及其混合物所構成之群組中的表面活性劑和水之存在下，表面處理在步驟a)中進行熱處理之該親水性矽石粉末； c)在步驟a)及/或b)之後隨意地粉碎或研磨矽石。在根據本發明之方法的步驟a)中，該親水性矽石粉末的熱處理係在300℃至1400℃，較佳在400℃至1350℃，更佳在500℃至1300℃，更佳在600℃至1250℃，更佳在700℃至1220℃，更佳在800℃至1200℃，更佳在900℃至1180℃，更佳在950℃至1150℃，更佳在980℃至1140℃之溫度下進行。步驟a)之持續時間依據所用之溫度而定且通常是1秒至20小時，較佳是1分鐘至10小時，更佳是5分鐘至5小時。本發明之方法的步驟a)中的熱處理係藉由縮合自由矽醇基團且形成O-Si-O橋而使自由矽醇基團數目降低。在本發明之步驟a)中所製造之親水性矽石較佳具有低於2.0 SiOH/nm² ，更佳地0.3至1.9 SiOH/nm² ，更佳地0.4至1.8 SiOH/nm² ，更佳地0.5至1.7 SiOH/nm² ，更佳地0.5至1.6 SiOH/nm² ，更佳地0.5至1.5 SiOH/nm² ，更佳地0.6至1.4 SiOH/nm² ，更佳地0.7至1.3 SiOH/nm² 之與BET表面積相關的矽醇基團數目，此係藉由與氫化鋰鋁(lithium aluminum hydride)反應所測定的。在本發明之方法的步驟b)中，在步驟a)中經熱處理之親水性矽石粉末係在表面處理劑和水之存在下經表面處理。在本發明之步驟b)中水對該表面處理劑原子中的矽原子的莫耳比較佳是0.1至100，更佳是0.5至50，更佳是1.0至10，更佳是1.2至9，更佳是1.5至8，更佳是2至7。在本發明方法之步驟b)中該表面處理劑及水二者的使用，對於獲得本發明之矽石粉末的獨特性質(亦即其相對高之疏水性和相對高之極性)是必要的。該表面處理劑及/或水較佳呈液體形式被用在本發明之方法中。根據本發明之方法的步驟b)能在10℃至250℃之溫度下進行1分鐘至24小時。步驟b)之時間和持續時間能根據對該方法及目標矽石性質之特定要求來選擇。因此，較低之處理溫度經常需要較長之疏水化時間。在本發明之一較佳具體例中，該親水性矽石之疏水化是在10至80℃下進行3至40小時，較佳進行5至24小時。在本發明之另一較佳具體例中，該方法之步驟b)是在90至200℃下，較佳在100至180℃下，最佳在120至160℃下進行0.5至10小時，較佳進行1至8小時。根據本發明之方法的步驟b)是在0.1至10巴，較佳在0.5至8巴，更佳在1至7巴，最佳在1.1至5巴之壓力下進行。最佳地，步驟b)係在密閉系統中，於所用之表面處理劑在該反應溫度的自然蒸氣壓下進行。在本發明方法之步驟b)中，在步驟a)中經熱處理之親水性矽石係在室溫(約25℃)下較佳首先以液態水，再以液態表面處理劑噴灑，或首先以液態表面處理劑，再以液態水噴灑，或以水之液態混合物且以液態表面處理劑噴灑，且該混合物後續在50℃至400℃之溫度下持續熱處理1至6小時。在步驟b)中用於表面處理之替代方法能藉由以下方式進行：在水及/或表面處理劑係呈蒸氣形式下，首先以水，再以液態表面處理劑，或首先以表面處理劑，再以液態水，或以水之液態混合物且以表面處理劑，處理在步驟a)中經熱處理之親水性矽石，且後續在50℃至800℃之溫度下持續熱處理該混合物0.5至6小時。在步驟b)中之疏水化之後的熱處理能在保護性氣體(例如氮)下進行。該表面處理能在可加熱之混合器或具有噴灑裝置之乾燥器中連續地或分批地進行。合適的裝置能為例如犁型混合器或板、旋風器、流化床乾燥器。表面處理劑之用量依據所應用之粒子及表面處理劑之類型而定。然而，相對於在步驟a)中經熱處理之親水性矽石之量，經常利用1重量%至25重量%，較佳地2重量%至20重量%，更佳地5重量%至18重量%之該表面處理劑。水之用量也依據所應用之粒子及表面處理劑之類型而定。然而，相對於在步驟a)中經熱處理之親水性矽石之量，經常利用0.5重量%至15重量%，較佳地1重量%至12重量%，更佳地2重量%至10重量%之水。水和該表面處理劑之需求量能依據所用之親水性矽石之BET表面積而定。因此，較佳地，每m² 之在步驟a)中經熱處理之親水性矽石的BET比表面積，利用較佳0.1μmol至100μmol，更佳1μmol至50μmol，更佳地3.0μmol至20μmol之該表面處理劑中之矽原子，及0.1μmol至500μmol，1μmol至100μmol，更佳地10μmol至50μmol之水。在本發明方法之隨意的步驟c)中，在步驟a)中經熱處理之親水性矽石及/或在步驟b)中所得之經疏水化矽石被壓碎或研磨。因此，尤其若在步驟a)及/或b)中使用或獲得粗糙粒子，那些能在一或二個後續步驟c)中被壓碎以獲得矽石粉末。在本發明方法之隨意步驟c)中的壓碎或研磨能利用任何適合此目的之機器，例如藉由磨機來實現。若在步驟a)和b)二者中使用並獲得矽石粉末，則不需壓碎。還有，在此情況下所得之矽石粉末能進一步被壓碎(例如研磨)，以獲得還更小之矽石粒子。包含該矽石粉末之組成物 本發明之另一主題是包含本發明之矽石粉末的組成物。根據本發明之組成物能包含至少一種黏合劑，其將該組成物之個別部分彼此結合且隨意地結合一或多種填料及/或其他添加劑且因此能改良該組成物的機械性質。此一黏合劑能含有機或無機物質。該黏合劑隨意地含有反應性有機物質。有機黏合劑能例如選自由(甲基)丙烯酸酯、醇酸樹脂、環氧樹脂、阿拉伯樹膠、酪蛋白、植物油、聚胺甲酸酯、聚矽氧樹脂、蠟、纖維素膠、及其混合物所組成之群組。此種有機物質能使所用之組成物固化，例如藉由蒸發該溶劑、聚合、交聯反應或其他類型的物理或化學轉換。此種固化能例如加熱地或在UV輻射或其他輻射作用下進行。單一成分型(1-C)及多重成分型系統(尤其是二成分型系統，(2-C)皆能被施加以作為黏合劑。對於本發明特佳者是水系或與水相容之(甲基)丙烯酸酯系黏合劑和環氧樹脂(較佳呈二成分型系統)。在該有機黏合劑之外或作為其替代物，本發明之組成物能含有可固化之無機物質。此種無機黏合劑(也被稱為礦物黏合劑)與該有機黏合劑具有實質相同的作用，就是將添加劑物質彼此結合。再者，無機黏合劑被區分成非水力型黏合劑和水力型黏合劑。非水力型黏合劑是僅在空氣中固化之水溶性黏合劑諸如鈣石灰、白雲石石灰、石膏和硬石膏。水力型黏合劑是在空氣中並在水存在下固化且在固化後是非水溶性的黏合劑。彼等包括水力型石灰、水泥和石工水泥。不同無機黏合劑之混合物也能用在本發明之組成物中。除了該矽石粉末和該黏合劑之外，根據本發明之組成物還能含有至少一種溶劑及/或填料及/或其他添加劑。在本發明之組成物中所用之溶劑能選自由水、醇、脂族及芳香族烴、醚、酯、醛、酮及其混合物組成之群組。例如，所用之溶劑能為水、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊烷、己烷、苯、甲苯、二甲苯、乙醚、甲基第三丁基醚、乙酸乙酯、及丙酮。特佳地，在該隔熱組成物中所用之溶劑具有低於300℃，特佳地低於200℃之沸點。此種相對揮發之溶劑能在根據本發明之組成物之固化期間容易地揮發或蒸發。最佳地，本發明之組成物含有水作為唯一的溶劑。矽石粉末之用途 能使用本發明之矽石粉末作為油漆或塗料、聚矽氧類、或醫藥或化妝品製劑、黏合劑或密封劑、增色劑組成物之成分，以及用於改質液態系統之流變性質，作為抗沉澱劑，用於改良粉末流動性，以及用於改良聚矽氧組成物之機械或光學性質。再者，本發明之矽石粉末的獨特性質令該矽石粉末能作為用於製備經至少二種不同表面處理劑表面處理之矽石的前驅物。因此，本發明之矽石粉末係經至少一種(第一)表面處理劑表面處理。由於與BET表面積相關之相對高的矽醇基團數目(d_SiOH )，此種矽石材料能進一步較佳經至少一種與之前所用者不同的(第二)表面處理劑處理以獲得經至少二種不同之表面處理劑表面處理之矽石粉末。因此，能使用經至少一種第一表面處理劑表面處理之根據本發明的矽石粉末以供製備經至少二種不同之表面處理劑(其中至少一者異於該第一表面處理劑)表面處理之矽石。該方法在經矽烷混合物疏水化方面是相當不同的，因為其令所施加之表面處理劑的量和比率得以精確控制。再者，其令具有新穎性質之粒子得以產生，其中不同的表面處理劑在該矽石表面上佔據特別位置。

分析方法 . 參數之測定 / 計算 甲醇潤濕性 [在甲醇/水混合物中之甲醇的vol%]係根據在WO2011/076518 A1之第5-6頁中詳細描述之方法測定。碳含量 [wt%]係藉由根據EN ISO3262-20:2000(第8章)的元素分析測定。將所分析之樣本秤入陶瓷坩鍋中，該坩鍋配置燃燒添加劑且在感應爐中氧氣流下加熱。將所存在之碳氧化成CO₂ 。CO₂ 氣體的量藉由紅外偵測器量化。SiC不燃燒且因此不影響該碳含量的值。與 BET 表面積相關之矽醇基團數目 (d_SiOH ，單位：SiOH/nm² )係藉由矽石粉末之經預乾燥的樣本與氫化鋰鋁溶液的反應所測定，其係在EP 0725037 A1之第8頁第17行至第9頁第12行中詳述的。與本發明之矽石粉末的BET 表面積相關之表面處理劑中的矽原子數目 (d_[Si] ，單位：Si原子/nm² )係從與該表面處理之存在相關之碳含量，且考慮該表面處理劑之化學結構(例如該表面處理劑中碳原子數目/矽原子，N_C/Si )所計算：

其中Mr_C =12,011 g/mol是碳之原子量， NA是亞佛加厥數(~6.022*10²³ )。 N_C/Si 是該表面處理劑中碳對矽原子之比。該d_[Si] /d_SiOH 之比係藉由將與BET表面積相關之該表面處理劑中的矽原子數目(d_[Si] )除以與BET表面積相關之矽醇基團數目(d_SiOH )所計算。乾燥損失 (LOD，單位：wt%)係根據ASTM D280-01(方法A)測定。比BET 表面積 [m² /g]係根據DIN 9277:2014，藉由依據布-厄-特法(Brunauer-Emmett- Teller method)之氮吸附所測定。矽石粉末之製備 用於製備矽石粉末之方法參數能在表1中發現。該對應之矽石粉末的物理化學性質能在表2中發現。比較用實施例 1 使用經HMDS疏水化之矽石粉末AEROSIL® R812 (BET=172m² /g，製造商：EVONIK Resource Efficiency GmbH)作為對照材料。比較用實施例2 矽石粉末係根據WO 2009/015970 A1之(發明)實施例，藉由在水存在下以HMDS疏水化具有BET=302m² /g之親水性矽石而製備且被使用作為參照材料。比較用實施例3 熱處理在Schröder Industrieöfen GmbH之XR 310室窯中，對AEROSIL®300親水性矽石粉末(BET=300m² /g，製造商：EVONIK Resource Efficiency GmbH)進行熱處理。為此目的，對具有高度至高5cm之床的多層進行溫度程序。該溫度的線性變化是300K/h至目標溫度1025℃；維持時間是3小時；然後將該樣本冷卻(無積極冷卻)直至移除。疏水化該經熱處理之粉末經過氣相在高溫下進行疏水化。為此目的，將作為疏水化劑之六甲基二矽氮烷(HMDS，相對於該經熱處理之親水性矽石粉末的重量為8.6wt%)蒸發。在乾燥器中將在薄層中之矽石粉末加熱至100℃且然後排空。隨後，經蒸發之HMDS進入該乾燥器直至壓力已經升至300mbar。在該樣品已經空氣沖洗後，彼從該乾燥器移除。實施例 1 與比較實施例3類似地製備實施例1之矽石粉末，但對於疏水化部分則進行如下：將燒結步驟後之親水性矽石粉末(100g)置於接地的金屬筒中，且藉由螺旋槳型混合器，在500rpm下混合，且在25℃下將水(2.8g)在連續攪拌下噴灑在其表面上，接著噴灑六甲基二矽氮烷(HMDS，11g)。該混合持續15分鐘。在此時之後，該桶以含有數個用於壓力補償之具有0.5至1mm直徑的孔的蓋子密封，且在爐中145℃下儲存6小時。在此時之後，將該矽石粉末置於乾燥平底鍋中且在爐中145℃的氮環境下，於至多1cm厚度的薄層中乾燥3小時以蒸發該揮發物。實施例 2 與比較實施例3類似地製備實施例2之矽石粉末，但對於疏水化部分則進行如下：將燒結步驟後之親水性矽石粉末(100g)置於接地的金屬筒中，且藉由螺旋槳型混合器，在500rpm下混合，且在25℃下將水(5.0g)在連續攪拌下噴灑在其表面上，接著噴灑六甲基二矽氮烷(HMDS，10g)。該混合持續15分鐘。在此時之後，該桶以含有數個用於壓力補償之具有0.5至1mm直徑的孔的蓋子密封，且在爐中145℃下儲存6小時。在此時之後，將該矽石粉末置於乾燥平底鍋中且在爐中145℃的氮環境下，於至多1cm厚度的薄層中乾燥3小時以蒸發該揮發物。實施例 3 與比較實施例3類似地製備實施例3之矽石粉末，但對於疏水化部分則進行如下：將燒結步驟後之親水性矽石粉末(100g)置於接地的金屬筒中，且藉由螺旋槳型混合器，在500rpm下混合，且在25℃下將水(10g)在連續攪拌下噴灑在其表面上，接著噴灑六甲基二矽氮烷(HMDS，15g)。該混合持續15分鐘。在此時之後，該桶以含有數個用於壓力補償之具有0.5至1mm直徑的孔的蓋子密封，且在爐中145℃下儲存6小時。在此時之後，將該矽石粉末置於乾燥平底鍋中且在爐中145℃的氮環境下，於至多1cm厚度的薄層中乾燥3小時以蒸發該揮發物。實施例 4 與比較實施例3類似地製備實施例4之矽石粉末，但對於疏水化部分則進行如下：將燒結步驟後之親水性矽石粉末(100g)置於接地的金屬筒中，且藉由螺旋槳型混合器，在500rpm下混合，且在25℃下將水(10g)在連續攪拌下噴灑在其表面上，接著噴灑六甲基二矽氮烷(HMDS，9.4g)。該混合持續15分鐘。在此時之後，該桶以含有數個用於壓力補償之具有0.5至1mm直徑的孔的蓋子密封，且在爐中145℃下儲存6小時。在此時之後，將該矽石粉末置於乾燥平底鍋中且在爐中145℃的氮環境下，於至多1cm厚度的薄層中乾燥3小時以蒸發該揮發物。使用與該親水性矽石粉末之BET表面積相關之相同量的該表面處理劑(HMDS)，比較用實施例1至3及實施例1之矽石粉末全被製備。在比較用實施例1和3中，在該疏水化期間不使用水，在比較用實施例2中，不進行熱處理(表1)。根據本發明之實施例1至4的差異僅在於HMDS和水的施加量。表2摘述所得之矽石粉末的物理化學性直。在比較用實施例2中所製備之矽石粉末顯示比在比較用實施例1中之矽石(0.46SiOH/nm² )和在比較用實施例3中之矽石(0.16SiOH/nm² )二者更高之d_SiOH 數目(0.82SiH/nm² )。然而，本發明實施例1至4的矽石粉末的d_SiOH 數目基本上仍較高(0.91至1.23SiOH/nm² )實施例1至4的矽石材料的疏水性與比較用實施例2之矽石的疏水性相當。因此，實施例1至4顯示當與比較用實施例2之矽石相比時，在類似疏水性下具有提高之極性的矽石粉末。

Claims

一種以選自由有機矽烷類、矽氮烷類、非環狀聚矽氧烷類、環狀聚矽氧烷類、及其混合物所構成之群組中的表面處理劑表面處理之發煙矽石粉末，其中該粉末具有： a)至少0.85 SiOH/nm² 之與BET表面積相關的矽醇基團數目(d_SiOH )，如藉由與氫化鋰鋁反應所測定的； b)在甲醇-水之混合物中高於40體積%之甲醇潤濕度； c)不高於200g/L之填充密度。
如請求項1之矽石粉末，其中該矽石粉末之BET表面積是30-500m² /g。
如請求項1至2中任一項之矽石粉末，其中該表面處理劑係選自由辛基三甲氧基矽烷、辛基三乙氧基矽烷、十六基三甲氧基矽烷、十六基三乙氧基矽烷、二甲基二氯矽烷、氯三甲基矽烷、八甲基環四矽氧烷、3-甲基丙烯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯氧基丙基三乙氧基矽烷、縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、胺基丙基三乙氧基矽烷、六甲基二矽氮烷、聚二甲基矽氧烷類、及其混合物所構成之群組中。
如請求項1至3中任一項之矽石粉末，其中該矽石粉末之中數粒度d₅₀ 係小於100μm。
如請求項1至4中任一項之矽石粉末，其中該矽石粉末之碳含量是0.5重量%至10重量%。
如請求項1至5中任一項之矽石粉末，其中與該矽石粉末之BET表面積相關之在該表面處理劑中的矽原子數目(d_[Si] )是至少1.0[Si原子]/nm² 。
如請求項1至6中任一項之矽石粉末，其中該矽石具有至少8.0cm³ /g之＞4nm之孔隙的累積孔隙體積，如藉由根據DIN ISO 15901-1之汞侵入(mercury intrusion)方法所測定的。
如請求項1至7中任一項之矽石粉末，其中在0.0031MPa下，藉由根據DIN ISO 15901-1之汞侵入方法所測定之容積密度(d_bulk )係低於0.20g/mL。
如請求項1至8中任一項之矽石粉末，其中在417MPa下，藉由根據DIN ISO 15901-1之汞侵入方法所測定之該矽石粉末的骨幹密度(d_sk )係至少0.50g/mL。
如請求項1至9中任一項之矽石粉末，其中藉由根據DIN ISO 15901-1之汞侵入方法所測定之該矽石粉末的孔隙度(P=(1-d_bulk /d_sk )是至少60%。
如請求項1至10中任一項之矽石粉末，其中0.5至10之該比d_[Si] /d_SiOH 。
一種製造如請求項1至11中任一項之矽石粉末的方法，其包含以下步驟： a)在300℃至1400℃之溫度下，對具有不高於200g/L之填充密度的親水性矽石粉末進行熱處理； b)在選自由有機矽烷類、矽氮烷類、非環狀聚矽氧烷、環狀聚矽氧烷、及其混合物所構成之群組中的表面活性劑和水之存在下，表面處理在步驟a)中進行熱處理之該親水性矽石粉末； c)在步驟a)及/或b)之後隨意地粉碎或研磨矽石。
一種包含如請求項1至11中任一項之矽石粉末的組成物。
一種如請求項1至11中任一項之以至少一種第一表面處理劑表面處理之矽石粉末的用途，其係用於製備以至少二種不同表面處理劑表面處理之矽石的用途，該至少二種不同表面處理劑中至少一者與該第一表面處理劑不同。
一種如請求項1至11中任一項之矽石粉末的用途，其係作為油漆或塗料、聚矽氧類、或醫藥或化妝品製劑、黏合劑或密封劑、增色劑組成物之成分，以及用於改質液態系統之流變性質，作為抗沉澱劑，用於改良粉末流動性，以及用於改良聚矽氧組成物之機械或光學性質。