TW202135214A - 基板搬運裝置及基板處理系統 - Google Patents

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波多野達夫
宮下哲也
渡辺樹
鈴木行
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

[課題] 提供搬運基板的基板搬運裝置。 [解決手段] 一種基板搬運裝置，具備：第1平面馬達，其係被設置在第1室，具有被配列的線圈；第2平面馬達，其係被設置在與上述第1室連接的第2室，具有被配列的線圈；能夠搬運基板的一對搬運單元，其係在上述第1平面馬達及/或上述第2平面馬達上移動；及控制部，其係控制上述第1平面馬達及上述第2平面馬達之線圈的通電。

Description

基板搬運裝置及基板處理系統
本揭示係關於基板搬運裝置及基板處理系統。
例如已知有具備複數處理室、與處理室連接的真空搬運室的基板處理系統。在真空搬運室內設置用以搬運基板的基板搬運裝置。
在專利文獻1揭示具備複數處理模組和搬運模組的處理站。在搬運模組設置從多關節臂構成的晶圓搬運機構。
再者，在專利文獻2揭示使用平面馬達搬運基板的半導體處理設備。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2017-168866號公報 [專利文獻2] 日本特表2018-504784號公報
[發明所欲解決之課題]
在專利文獻1所揭示的處理站中，為了將基板搬運至複數處理模組，在成為真空環境之搬運模組內設置複數多關節臂。有成為發塵源之馬達被配置在搬運模組外，多關節臂之旋轉軸貫通搬運模組而被配置，底面和旋轉軸之間藉由磁性密封被密封。因此，有難以將搬運模組內保持高真空之課題。再者，在專利文獻2所揭示的系統中，有處理差，需要擴寬腔室之開口的課題。
本揭示之一態樣係提供搬運基板的基板搬運裝置。 [用以解決課題之手段]
本揭示之一態樣所涉及的基板搬運裝置具備：第1平面馬達，其係被設置在第1室，具有被配列的線圈；第2平面馬達，其係被設置在與上述第1室連接的第2室，具有被配列的線圈；能夠搬運基板的一對搬運單元，其係在上述第1平面馬達及/或上述第2平面馬達上移動；及控制部，其係控制上述第1平面馬達及上述第2平面馬達之線圈的通電。 [發明之效果]
本揭示之一態樣係提供搬運基板的基板搬運裝置。
以下，參照圖面針對用以實施本揭示之型態予以說明。在各圖面中，有對相同構成部分標示相同符號，省略重複說明之情況。
[基板處理系統100] 針對一實施型態所涉及之基板處理系統100之全體構成一例使用圖1予以說明。圖1為表示一實施型態所涉及之基板處理系統100之一例之構成的俯視圖。另外，在圖1中，對晶圓W標示點的影線而予以圖示。
圖1所示的基板處理系統100係群集構造(多室型)之系統。基板處理系統100具備複數處理室110、真空搬運室120、裝載鎖定室130、大氣搬運室140及控制部150。
處理室110係被減壓至特定真空環境，在其內部，對半導體晶圓W(以下，也稱為「晶圓W」)施予期待的處理(蝕刻處理、成膜處理、洗淨處理、灰化處理等)。處理室110係被配置成與真空搬運室120鄰接。處理室110和真空搬運室120係藉由閘閥112之開關連通。處理室110具有載置晶圓W之載置台111。再者，在處理室110之內部，設置搬運晶圓W之基板搬運裝置125之平面馬達11。另外，在處理室110中用以處理之各部之動作係藉由控制部150而被控制。
真空搬運室120被減壓成特定真空環境。再者，在真空搬運室120之內部，設置搬運晶圓W之基板搬運裝置125之平面馬達10。基板搬運裝置125具有保持晶圓W之搬運單元20。基板搬運裝置125係因應閘閥112之開關，在處理室110和真空搬運室120之間進行晶圓W之搬入及搬出。再者，基板搬運裝置125係因應閘閥132之開關，在裝載鎖定室130和真空搬運室120之間進行晶圓W之搬入及搬出。另外，基板搬運裝置125之動作、閘閥112之開關係藉由控制部150而被控制。另外，針對基板搬運裝置125，使用圖2及圖3於後述。
裝載鎖定室130被設置在真空搬運室120和大氣搬運室140之間。裝載鎮定室130具有載置晶圓W之載置台131。再者，在裝載鎖定室130之內部，設置搬運晶圓W之基板搬運裝置125之平面馬達13。裝載鎖定室130可以切換大氣環境和真空環境。裝載鎖定室130和真空環境之真空搬運室120係藉由閘閥132之開關連通。裝載鎖定室130和大氣環境之大氣搬運室140係藉由閘閥133之開關連通。另外，裝載鎖定室130內之真空環境或大氣環境之切換係藉由控制部150而被控制。
大氣搬運室140成為大氣環境，例如形成潔淨空氣的向下流。再者，在大氣搬運室140之內部設置搬運晶圓W之搬運裝置(無圖示)。搬運裝置(無圖示)係因應閘閥133之開關，在裝載鎖定室130和大氣搬運室140之間進行晶圓W之搬入及搬出。另外，搬運裝置(無圖示)之動作、閘閥133之開關係藉由控制部150而被控制。
再者，在大氣搬運室140之壁面設置裝載埠(無圖示)。裝載埠係收容晶圓W之載體(無圖示)或空的載體。作為載體可以使用例如FOUP(Front Opening Unified Pod)等。
搬運裝置(無圖示)係可以取出被收容在裝載埠之晶圓W，而載置於裝載鎖定室130之載置台131。再者，搬運裝置(無圖示)係可以取出被載置於裝載鎖定室130之載置台131的晶圓W，而收容於裝載埠。
控制部150具備CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)及HDD(Hard Disk Drive)。控制部150不限定於HDD，即使具有SSD(Solid State Drive)等之其他記憶區域亦可。在HDD、RAM等之記憶區域儲存製程之順序、製程之條件、搬運條件被設定的配方。
CPU係依照配方控制各處理室110中之晶圓W之處理，且控制晶圓W之搬運。及使在HDD或RAM，記憶用以實行各處理室110中之晶圓W之處理或晶圓W之搬運的程式亦可。即使程式儲存於記憶媒體而被提供亦可，即使通過網路而從外部裝置被提供亦可。
接著，針對基板處理系統100之動作之一例予以說明。在此，作為基板處理系統100之動作之一例，沿著在處理室110對被收容於安裝在裝載埠之載體的晶圓W施予處理，收容在被安裝於裝載埠之空的載體之動作予以說明。另外，在動作之開始時點，閘閥112、132、133關閉，裝載鎖定室130內成為大氣環境。
控制部150開啟閘閥133。控制部150係控制大氣搬運室140內之搬運裝置，從裝載埠之載體取出晶圓W，載置於裝載鎖定室130之載置台131。當晶圓W被載置於裝載鎖定室130之載置台131，搬運裝置從裝載鎖定室130退避時，控制部150關閉閘閥133。
控制部150係控制裝載鎖定室130之排氣裝置(無圖示)而排氣室內的空氣，將裝載鎖定室130從大氣環境切換至真空環境。
接著，將被載置於裝載鎖定室130之載置台131的晶圓W，搬運至處理室110，而載置於載置台111。具體而言，控制部150開啟閘閥132。控制部150係控制後述基板搬運裝置125，直至事先設定的教導點，將搬運單元20插入至裝載鎖定室130，保持被載置於裝載鎖定室130之載置台131之晶圓W，朝真空搬運室120搬運。當搬運單元20從裝載鎖定室130退避時，控制部150關閉閘閥132。
控制部150開啟搬運目的地之處理室110的閘閥112。控制部150係控制基板搬運裝置125，直至事先設定的指教導點，將搬運單元20插入至處理室110，將保持的晶圓W載置於處理室110之載置台111。當搬運單元20從處理室110退避時，控制部150關閉閘閥112。
控制部150係控制處理室110而對晶圓W施予期待的處理。
當晶圓W之處理結束時，將被載置於處理室110之載置台111之晶圓W搬運至裝載鎖定室130而載置於載置台131。具體而言，控制部150開啟閘閥112。控制部150係控制基板搬運裝置125，直至是先設定的教導點，將搬運單元20插入至處理室110，保持被載置於處理室110之載置台111之晶圓W，朝真空搬運室120搬運。當搬運單元20從處理室110退避時，控制部150關閉閘閥112。
控制部150開啟閘閥132。控制部150係控制基板搬運裝置125，直至事先設定的指教導點，將搬運單元20插入至裝載鎮定室130，將保持的晶圓W載置於裝載鎖定室130之載置台131。當搬運單元20從裝載鎖定室130退避時，控制部150關閉閘閥132。
控制部150係控制裝載鎖定室130之吸氣裝置(無圖示)而對室內供給例如潔淨空氣，將裝載鎖定室130從真空環境切換至大氣環境。
控制部150開啟閘閥133。控制部150係控制搬運裝置(無圖示)而取出被載置於裝載鎖定室130之載置台131的晶圓W，而收容於裝載埠之載體。當晶圓W從裝載鎖定室130之載置台131被取出，搬運裝置(無圖示)從裝載鎖定室130退避時，控制部150關閉閘閥133。
另外，在基板處理系統100中，雖然基板搬運裝置125係以將被載置於裝載鎖定室130之載置台131之晶圓W搬運至處理室110之載置台111，將處理完的晶圓W從處理室110之載置台111搬運至裝載鎖定室130之載置台131之構成為例予以說明，但是並不限定於此。基板搬運裝置125即使為將被載置於一個處理室110之載置台111的晶圓W搬運至其他處理室110之載置台111的構成亦可。
[基板搬運裝置125] 接著，針對基板搬運裝置125進一步說明。基板搬運裝置125具有被配置在真空搬運室120之平面馬達(線性單元)10，和被配置在處理室110之平面馬達11，和被配置在裝載鎖定室130的平面馬達13，和能夠載平面馬達10、11、13上移動的一對搬運單元20A、20B。一對搬運單元20A、20B分別具有基座31、32。另外，搬運單元20即使被設置複數台亦可。
針對平面馬達10、11、13及搬運單元20之基座31、32使用圖2進一步說明。圖2為說明基板搬運裝置125之驅動原理的斜視圖。
平面馬達10、11、13係配置有複數線圈15。線圈15係藉由供給電流，產生磁場。控制部150(參照圖1)係被構成能夠個別地控制對各線圈15通電的電流值。
基座31、32係配列複數永久磁鐵35。藉由線圈15生成的磁場，基座31、32在平面馬達10上磁浮。再者，藉由線圈15生成的磁場永久磁鐵35受到牽引力，或受到排斥力，基座31、32在平面馬達10、11、13上移動。
藉由如此之構成，控制部150(參照圖1)被構成藉由控制平面馬達10、11、13之各線圈15之電流值，可以控制基座31、32之位置、方向、浮起量。
圖3為表示一實施型態所涉及之搬運單元20之一例的圖。圖3(a)係表示搬運單元20之一例的俯視圖。圖3(b)係表示搬運單元20之一例的A-A剖面圖。
基板搬運裝置125使用一對搬運單元20A、20B而搬運晶圓W。一方的搬運單元20A具有基座31、支持部41及基板支持部51。另一方的搬運單元20B具有基座32、支持部42及基板支持部52。
搬運單元20A係從基座31之中央豎立設置支持部41。基板支持部51被形成在支持部41之上。另外，如圖3所示般，雖然圖示在基座31之長邊方向，支持部41及基板支持部51被形成在中央者，但是並不限定於此。即使偏向單邊而設置亦可。
另外，一方之搬運單元20A和另一方之搬運單元20B即使為相同形狀亦可，即使為鏡像關係的對象形狀亦可，即使為不同形狀亦可。
控制部150係可以藉由控制基座31、32之間隔，控制基板支持部51、52之間隔。再者，控制部150係可以在維持基座31、32之相對性的位置關係之狀態下，使基座31、32移動，搬運晶圓W。
[對載置台交接晶圓] 接著，針對搬運單元20和載置台111(131)的晶圓W之交接，使用圖4予以說明。圖4係說明將晶圓W從搬運單元20載置於處理室110之載置台111之順序的示意圖。
如圖3(a)所示般，搬運單元20係基座31、32以特定間隔而分離，在基板支持部51、52支持晶圓W。搬運單元20係在維持基座31、32之間隔的狀態下，在平面馬達10、11、13上磁浮而移動。
如圖4(a)所示般，藉由在平面馬達11上磁浮的基座31、32移動，使晶圓W移動至載置台111之上方。
如圖4(b)所示般，控制部150係使被設置在載置台111之升降銷113上升。依此，晶圓W係藉由升降銷113而被抬起。而且，搬運單元20係從載置台111分離，朝真空搬運室120返回。
如圖4(c)所示般，控制部150係使被設置在載置台111之升降銷113下降。依此，在升降銷113被支持的晶圓W被載置於載置台111。
另外，雖然以將晶圓W從搬運單元20交接至載置台111之情況為例予以說明，但是在將晶圓W從載置台111交接至搬運單元20之情況，若進行與在圖4說明的順序相反的順序即可，省略說明。再者，雖然以處理室110之載置台111為例予以說明，但是也裝載鎖定室130之載置台131之情況相同，省略重複說明。
[搬運單元間之晶圓的交接] 接著，針對一個一對搬運單元20A、20B和另一個一對搬運單元20C、20D的晶圓W之交接，使用圖5予以說明。圖5係說明將晶圓W從一個一對搬運單元20A、20B交接至另一個一對搬運單元20C、20D的晶圓W之順序的示意圖。
如圖5(a)所示般，在處理開始時，以一對搬運單元20A、20B支持晶圓W。
如圖5(b)所示般，控制部150係控制各線圈15之電流而使搬運單元20C、20D移動至接取位置。在圖5(b)之例中，連結搬運單元20A、20B之直線和連結搬運單元20C、20D之直線正交之方式，使搬運單元20C、20D移動。此時，搬運單元20A、20B之磁浮量高於搬運單元20C、20D之磁浮量。因此，晶圓W被支持於搬運單元20A、20B之基板支持部51、52。再者，搬運單元20C、20D之基板支持部51、52不與晶圓W接觸，可以在晶圓W之下方移動。
控制部150係控制各線圈15之電流，使搬運單元20C、20D之磁浮量相對性地較搬運單元20A、20B之磁浮量高。依此，晶圓W係從搬運單元20A、20B被交接至搬運單元20C、20D。
如圖5(c)所示般，控制部150係控制各線圈15之電流而使搬運單元20A、20B從晶圓W之下方退避。依此，可以將以一個一對搬運單元20A、20B所支持的晶圓W交接至另一個一對搬運單元20C、20D。
另外，即使搬運單元20A、20B之間隔和搬運單元20C、20D之間隔不同亦可。例如，從裝載鎖定室130之載置台131接取晶圓W之搬運單元20A、20B係根據載置台131之寬度而設定間隔。將晶圓W交接至處理室110之載置台111之搬運單元20C、20D係根據載置台111之寬度而設定間隔。如此一來，即使載置台111、131之寬度不同，藉由在搬運單元20A、20B和搬運單元20C、20D之間交接晶圓W，可以變更保持晶圓W之搬運單元20之間隔。
[室間移動] 接著，針對一搬運單元20A、20B在經由通路而連接的兩個腔室之間移動的處理，使用圖6予以說明。圖6為說明搬運單元20從真空搬運室120移動至處理室110之時之動作的示意圖。
如圖6所示般，在真空搬運室120配置平面馬達10，載處理室110配置平面馬達11。再者，在真空搬運室120和處理室110之間設置作為通路的閘閥112。在此，閘閥112成為不設置平面馬達，即是無配置線圈15的區域。
如圖6所示般，基座31、32之前進方向之長度被形成較閘閥112之前進方向更長。因此，如圖6(a)至圖6(c)所示般，基座31、32跨越閘閥112之時，至少任一個的永久磁鐵35被配置在平面馬達10、11。依此，基座31、32跨越閘閥112之時，也從平面馬達10、11接收磁鐵，而可以驅動基座31、32。
再者，基座31、32之單側抵達至閘閥112之時，以基座31、32維持平行之方式，控制平面馬達10產生的磁場。具體而言，以閘閥112側之排斥力變大之方式形成磁場。依此，可以防止在基座31、32跨越閘閥112之時，倒塌成基座31、32之前端側下降之情形。
另外，雖然針對搬運單元20跨越處理室110和真空搬運室120之間的閘閥112之時的動作而予以說明，但是即使針對搬運單元20跨越裝載鎖定室130和真空搬運室120之間的閘閥132之時的動作，若同樣地進行亦可。
以上，若藉由基板搬運裝置125時，藉由控制部150控制平面馬達10之各線圈15之通電，可以控制基座31、32之位置、方向、浮起量。依此，可以控制搬運單元20之位置、方向、浮起量。
在此，在使用多關節臂作為基板搬運裝置之情況，形成多關節臂之旋轉軸在真空搬運室120貫通的貫通部及密封部。對此，因若藉由基板搬運裝置125時，可以不需要貫通真空搬運室120之貫通部及密封部，故可以提高真空搬運室120之真空度。再者，搬運單元20可以藉由在平面馬達10上磁浮而移動，抑制發塵。
再者，若藉由基板搬運裝置125時，可以搬運晶圓W自如。依此，提升在基板處理系統100中之設計的自由度。例如，可以刪減鄰接的處理室110間的空間。
以上，雖然針對基板處理系統100、100B予以說明，但是本揭示不限定於上述實施型態等，可以在申請專利範圍所記載之本揭示之主旨的範圍內，進行各種變形、改良。
雖然基板搬運裝置125、125B係以被設置在真空環境之真空搬運室120者而予以說明，但是並不限定於此。即使在大氣環境之搬運室，亦可以適用基板搬運裝置125、125B。
W:晶圓 100,100B:基板處理系統 110:處理室(第2室) 111:載置台 112,132:閘閥(通路) 120:真空搬運室(第1室) 125:基板搬運裝置 130:裝載鎖定室(第2室) 150:控制部 10:平面馬達 15:線圈 20,20A~20D:搬運單元 31,32:基座 35:永久磁鐵 41,42:支持部 51,52:基板支持部(基板支持構件)
[圖1]為表示一實施型態所涉及之基板處理系統之一例之構成的俯視圖。 [圖2]為說明基板搬運機構之驅動原理的斜視圖。 [圖3]為表示一實施型態所涉及之搬運單元之一例的俯視圖。 [圖4]為表示一實施型態所涉及之搬運單元之一例的圖。 [圖5]為說明將晶圓從搬運單元交接至其他搬運單元的示意圖。 [圖6]為搬運單元從真空搬運室搬運至處理室之時之動作的示意圖。
10:平面馬達
11:平面馬達
13:平面馬達
20A,20B:搬運單元
31,32:基座
110:處理室(第2室)
111:載置台
120:真空搬運室(第1室)
125:基板搬運裝置
130:裝載鎖定室(第2室)
131:載置台
133:閘閥
140:大氣搬運室
150:控制部
112,132:閘閥(通路)
W:晶圓

Claims (9)

  1. 一種基板搬運裝置，具備： 第1平面馬達，其係被設置在第1室，具有被配列的線圈； 第2平面馬達，其係被設置在與上述第1室連接的第2室，具有被配列的線圈； 能夠搬運基板的一對搬運單元，其係在上述第1平面馬達及/或上述第2平面馬達上移動；及 控制部，其係控制上述第1平面馬達及上述第2平面馬達之線圈的通電。
  2. 如請求項1之基板搬運裝置，其中 上述搬運單元具有： 基座，其係具有被配列的磁鐵，在上述第1平面馬達及/或上述第2平面馬達上磁浮；及 基板支持構件，其係被設置在上述基座，支持基板。
  3. 如請求項1或2之基板搬運裝置，其中 上述控制部係在維持一對上述搬運單元之相對性的位置關係之狀態下，使一對上述搬運單元移動。
  4. 如請求項1至3中之任一項之基板搬運裝置，其中 上述第1室為搬運室， 上述第2室具有載置上述基板的載置台。
  5. 如請求項4之基板搬運裝置，其中 上述第2室為處理室及/或裝載鎖定室。
  6. 如請求項1至3中之任一項之基板搬運裝置，其中 上述第1室和上述第2室經由通路而連接。
  7. 如請求項6之基板搬運裝置，其中 上述通路為閘閥。
  8. 一種基板處理系統，具備： 上述第1室； 上述第2室；及 如請求項1至7中之任一項之基板搬運裝置。
  9. 如請求項8之基板處理系統，其中 上述第1室為真空環境之真空搬運室。
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