JP2005101319A - 基板搬送装置、基板回転装置および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】駆動機構からの発塵などによる基板汚染を防止する。
【解決手段】搬送部３０は、第１処理部１０および第２処理部２０に接続された搬送室３１と、この搬送室３１内でウエハＷを保持して移動可能なウエハ搬送ワーク３２とを備えている。ウエハ搬送ワーク３２内には、磁性体金属板３３および導電性金属板３４が収容されている。搬送室３１の下方に推進コイル３５が設けられていて、この推進コイル３５によって磁性体金属板３３および導電性金属板３４を貫く交番磁界が形成され、導電性金属板３４内に誘導電流が生じる結果、ウエハ搬送ワーク３２がウエハＷの搬送方向に移動する。よって、搬送室３１内をウエハＷがウエハ搬送ワーク３２に保持されて搬送される際に、金属摩耗粉などのパーティクルが発生することがなく、このようなパーティクルによるウエハＷの汚染を生じるおそれがない。
【選択図】 図２

Description

この発明は、基板を搬送するための基板搬送装置および基板を回転するための基板回転装置、ならびにこれらが適用された基板処理装置に関する。

半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板等の基板を処理するための基板処理装置は、基板に対する処理を実施する基板処理室と、この基板処理室に結合された基板搬送室とを備えている。
基板処理室内の構成は、たとえば、下記特許文献１に開示されている。すなわち、基板処理室内には、基板をほぼ水平に保持して回転するスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板に処理液を供給するためのノズルとが配設されている。スピンチャックの回転軸は、基板処理室の底面に形成された軸受孔を貫通していて、その基板処理室外へ延びた部分には、スピンチャックを回転させるための回転駆動機構が結合されている。

処理対象の基板は、たとえば、基板搬送室内をキャリッジによって搬送されてきて、基板搬送室から基板処理室に搬入され、キャリッジからスピンチャックに受け渡される。スピンチャックに基板が保持されると、スピンチャックの回転軸に回転駆動機構から駆動力が入力されて、スピンチャックが回転軸まわりに所定速度で回転される。そして、このスピンチャックとともに回転している基板にノズルから処理液が供給されることにより、基板の表面に処理液による処理が施される。
特開平１０−２４７６３１号公報

基板搬送室内には、キャリッジを移動させるための駆動機構が備えられている。この駆動機構は、駆動源としてのモータやこのモータの回転力を直進運動に変換するためのボールねじ機構などを含む。そのため、基板搬送室内を基板が搬送される際に、駆動機構からパーティクル（金属摩耗粉）が発生し、このパーティクルによる基板汚染（金属汚染）を生じるおそれがあった。このような基板汚染を防止するためには、たとえば、駆動機構をケース内に収容して密閉することが考えられるが、キャリッジと駆動機構（ボールねじ機構）とを切り離すことはできないから、駆動機構をケース内に密閉することはかなり困難である。

このような駆動に伴った発塵の問題は、基板搬送室だけでなく、基板処理室でも生じる。スピンチャックの回転軸が貫通した軸受孔の周囲には、リップシール等のシール部材が設けられていて、このシール部材によって、回転軸と軸受孔との間がシールされている。これにより、基板処理室内から外部に処理液が漏れ出すことを防止でき、また、回転駆動機構からの発塵が基板処理室内に飛入することを防止できる。しかし、スピンチャックが回転されると、回転軸の周面とシール部材とが摺接し、この摺接によってシール部材が摩耗してパーティクルを発生してしまう。さらには、回転軸の周面とシール部材との摺接部分で発熱し、これが基板の処理に悪影響を及ぼすおそれもあった。

そこで、この発明の目的は、駆動機構からの発塵などによる基板汚染を防止することのできる基板搬送装置および基板処理装置、ならびにこれらを適用した基板処理装置を提供することである。

上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ)に対して所定の処理を行うための基板処理部（１０，２０）に結合された基板搬送室（３１）と、この基板搬送室内に設けられて、上記基板処理部に対して搬送される基板を保持する基板保持ワーク（３２）と、この基板保持ワークの内部または上記基板搬送室から隔絶された隔絶部の一方に備えられた金属板（３３，３４）と、上記基板保持ワークの内部または上記隔絶部の他方に備えられていて、上記金属板を貫く交番磁界を発生させて、上記金属板内に誘導電流を生じさせることにより、上記基板保持ワークを上記基板処理部に対して移動させるための推力を上記基板保持ワークに作用させる推進コイル（３５）とを含むことを特徴とする基板搬送装置（３０）である。

なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
上記の構成によれば、推進コイルによって金属板を貫く交番磁界が形成されると、その金属板内に誘導電流が生じて、この誘導電流が交番磁界からフレミングの左手の法則に従った力を受けることにより、基板保持ワークがその誘導電流が受ける力を推力として推進する。よって、基板搬送室内を基板がウエハ保持ワークに保持されて搬送される際に、金属摩耗粉などのパーティクルが発生することがなく、このようなパーティクルによる基板の汚染（金属汚染）を生じるおそれがない。

そのうえ、基板保持ワークの内部または基板搬送室から隔絶された隔絶部の一方に金属板が備えられ、他方に推進コイルが備えられていることにより、金属板および推進コイルなどの金属部品は基板搬送室内において露出していないから、その金属部品による基板の汚染の問題を招くおそれもない。また、基板処理部における処理が薬液を用いた処理であっても、金属板および推進コイルが薬液による腐食を受けるおそれがない。

なお、上記推進コイルが上記基板保持ワークの内部に封入され、上記金属板が上記隔絶部において上記推進コイルとの間に所定の間隔を空けて対向配置されていてもよいし、請求項２に記載のように、上記金属板が上記基板保持ワークの内部に封入され、上記推進コイルが上記隔絶部において上記金属板との間に所定の間隔（Ｄ）を空けて対向配置されていてもよい。請求項２の構成の場合、推進コイルは固定配置できるから、推進コイルへの電力供給のための構成が簡単である。

請求項３記載の発明は、基板（Ｗ）を所定の軸線まわりに回転させる基板回転装置であって、基板を保持する基板保持ワーク（１２；４３）と、この基板保持ワークの内部または上記基板保持ワークと隔壁（１１１）を挟んで隔絶された隔絶部の一方に備えられた金属板（１３，１４）と、上記基板保持ワークの内部または上記隔絶部の他方に備えられていて、上記所定の軸線を中心とする回転磁界を形成して、上記金属板内に誘導電流を生じさせることにより、上記基板保持ワークを上記所定の軸線まわりに回転させるための回転力を上記基板保持ワークに作用させる回転磁界形成コイル（１５）とを含むことを特徴とする基板回転装置である。

この構成によれば、回転磁界形成コイルによって回転磁界が形成されると、金属板内に誘導電流が生じて、この誘導電流が回転磁界からの力を受け、この力が基板保持ワークに回転力として作用し、基板回転ワークが所定の軸線まわｒに回転する。よって、基板が回転される際に、金属摩耗粉などのパーティクルが発生することがなく、このようなパーティクルによる基板の汚染（金属汚染）を生じるおそれがない。

そのうえ、基板保持ワークの内部または基板保持ワークと隔壁を挟んで隔絶された隔絶部の一方に金属板が備えられ、他方に回転磁界形成コイルが備えられていることにより、金属板および回転磁界形成コイルなどの金属部品は、基板保持ワークに保持された基板の近傍において露出していないから、その金属部品による基板の汚染の問題を招くおそれもない。また、基板保持ワークに保持された基板に対して薬液による処理が行われる場合であっても、金属板および回転磁界形成コイルが薬液による腐食を受けるおそれがない。

さらに、この基板回転装置を基板処理室内に設けても、たとえば、その基板処理室の外部に回転磁界形成コイルを配置し、基板保持ワーク内に金属板を封入しておくことにより、基板処理室の底面を貫通する回転軸によらずに基板（基板保持ワーク）を回転させることができるから、従来の構成と異なり、回転軸とシール部材との摺接によるパーティクルの発生といった問題を生じることがなく、このようなパーティクルによる基板汚染の問題を招くおそれがない。さらにまた、基板処理室の底面に回転軸などが挿通されていないから、基板に対する処理が処理液を用いた処理であっても、基板処理室から外部に処理液が漏れ出すおそれがない。

なお、上記回転磁界形成コイルが上記基板保持ワークの内部に封入され、上記金属板が上記隔絶部において上記回転磁界形成コイルとの間に所定の間隔（Ｄ）を空けて対向配置されていてもよいし、請求項４に記載のように、上記金属板が上記基板保持ワークの内部に封入され、上記推進コイルが上記隔絶部において上記金属板との間に所定の間隔を空けて対向配置されていてもよい。請求項４の構成の場合、回転磁界形成コイルは固定配置できるから、回転磁界形成コイルへの電力供給のための構成が簡単である。

請求項５記載の発明は、基板（Ｗ）に対して所定の処理を行うための基板処理装置であって、処理対象の基板を基板処理室（１１）内で保持する基板保持手段と、この基板保持手段に対して基板を搬送する基板搬送手段（３０）とを含み、上記基板搬送手段として、請求項１または２記載の基板搬送装置が適用されていることを特徴とする基板処理装置である。

この発明によれば、基板搬送手段として請求項１または２記載の基板搬送装置が適用されているので、請求項１または２に関連して述べた効果と同様な効果を得ることができる。
請求項６記載の発明は、基板（Ｗ）に対して所定の処理を行うための基板処理装置であって、処理対象の基板を基板処理室（１１）内で保持する基板保持手段と、この基板保持手段に対して基板を搬送する基板搬送手段（３０）とを含み、上記基板保持手段として、請求項３または４記載の基板回転装置が適用されていることを特徴とする基板処理装置である。

この発明によれば、基板保持手段として請求項３または４記載の基板搬送装置が適用されているので、請求項３または４に関連して述べた効果と同様な効果を得ることができる。
また、基板保持手段として請求項３または４記載の基板搬送装置が適用されていれば、請求項８に記載のように、上記所定の処理が処理流体を用いた処理であり、基板処理室内で基板に対して処理流体を用いた処理が行われる場合であっても、基板処理室から処理流体が漏れ出すおそれがない。

請求項７記載の発明は、上記基板搬送手段として、請求項１または２記載の基板搬送装置が適用されていることを特徴とする請求項６記載の基板処理装置である。
この発明によれば、基板搬送手段として請求項１または２記載の基板搬送装置が適用されているので、請求項３または４に関連して述べた効果と同様な効果に加えて、請求項１または２に関連して述べた効果と同様な効果をさらに得ることができる。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを簡略化して示す図解図である。この基板処理装置は、基板の一例である半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗに対して２種類の処理を連続して行うことができるものであり、第１の処理を行うための第１処理部１０と第２の処理を行うための第２処理部２０とを、直線状に延びた搬送部３０によってインライン接続した構成を有している。処理対象のウエハＷは、第１処理部１０で第１の処理を受けた後、搬送部３０を第１処理部１０から第２処理部２０に向けて搬送され、第２処理部２０に搬入されて第２の処理を受ける。

第１および第２の処理は、ウエハＷに対して連続して行うことが望ましい処理であって、たとえば、第１の処理は、ウエハＷの表面に対するＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械的研磨）処理であり、第２の処理は、ＣＭＰ処理後のウエハＷの表面を洗浄液で洗浄する処理である。ＣＭＰ処理が行われた後は、ウエハＷの表面にスラリー（研磨剤）が残留していて、このスラリーが乾燥してしまうと、その後に洗浄除去することが困難になることから、ＣＭＰ処理後のウエハＷに対しては、スラリーを除去するための洗浄処理をＣＭＰ処理に引き続いて速やかに行うことが望ましい。

図２は、搬送部３０の構成を簡略化して示す断面図である。搬送部３０は、第１処理部１０および第２処理部２０に接続された搬送室３１と、この搬送室３１内でウエハＷを保持して移動可能なウエハ搬送ワーク３２とを備えている。
搬送室３１は、底板３１１、この底板３１１の周囲から立ち上がった側板３１２および側板３１２の上端縁間に跨って設けられた天板３１３によって区画形成されている。底板３１１、側板３１２および天板３１３は、たとえば、フッ素樹脂、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）またはＰＰ（ポリプロピレン）等の絶縁材料（絶縁性を有する合成樹脂材料）で構成されている。また、側板３１２の第１処理部１０および第２処理部２０にそれぞれ対向する面には、ウエハＷを搬入／搬出するための開口が形成されている。各開口に関連してシャッタが設けられており、各開口をシャッタで閉塞することによって、搬送室３１内を完全に密閉された空間にすることができるようになっている。これにより、必要に応じて、搬送室３１内に窒素ガス等の気体や純水または薬液等の液体を充満させたり、搬送室３１に真空吸引源を接続して、搬送室３１内を真空状態にしたりすることができる。

ウエハ搬送ワーク３２は、たとえば、フッ素樹脂、ＰＶＣまたはＰＰ等の絶縁材料を用いて一体的に形成されており、基台部３２１と、この基台部３２１の上面に設けられたウエハ支持部３２２とを有している。ウエハ支持部３２２は、複数の箇所でウエハＷの周縁部を支持するものであり、たとえば、基台部３２１の上面よりも一段高く形成されていて、ウエハＷの下面の周縁部を載置した状態で支持する支持面３２３を有している。また、基台部３２１の下端縁には、ガイド部３２４が側方に張り出して形成されており、ウエハ搬送ワーク３２は、ガイド部３２４が搬送室３１の底板３１１上に配設されたガイドレール（図示せず）に案内されて、そのガイドレールに沿って移動することができるようになっている。

基台部３２１の内部には、たとえば、鉄等の磁性体金属材料からなる薄板状の磁性体金属板３３と、アルミニウムまたは銅等の金属材料からなる薄板状の導電性金属板３４とが、上下に重なり合った状態で積層されて封入されている。一方、搬送室３１の下方には、ウエハ搬送ワーク３２を推進させるための磁界を発生させる推進コイル３５が配置されている。

推進コイル３５は、搬送室３１のほぼ全長にわたって設けられており、たとえば、珪素鋼板を重ね合わせて構成されたコイル本体３５１を備えている。コイル本体３５１は、平板状部分３５１Ａと、平板状部分３５１Ａの上面にウエハＷの搬送方向に一定間隔（たとえば、１０ｍｍ）を空けて並設された多数の凸条部３５１Ｂとを有しており、凸条部３５１Ｂの上面が搬送室３１の底板３１１に接した状態に設けられている。これにより、凸条部３５１Ｂの上面とウエハ搬送ワーク３２内に封入された導電性金属板３４の下面との間には、所定の間隔Ｄが、搬送室３１の底板３１１およびウエハ搬送ワーク３２の導電性金属板３４の下方の厚みによって形成されている。

各凸条部３５１Ｂには、金属巻線３５２が巻き付けられていて、各金属巻線３５２には、コイル駆動部３６から駆動電流が供給されるようになっている。コイル駆動部３６は、たとえば、インバータ回路を含んでいて、このインバータ回路をマイクロコンピュータを含む構成の磁界制御部３７がＰＷＭ（Pulse Width Modulation）制御することにより、コイル駆動部３６から各金属巻線３５２に供給される駆動電流が制御されるようになっている。

図３は、推進コイル３５によるウエハ搬送ワーク３２の推進原理について説明するための図解図である。ウエハ搬送ワーク３２によるウエハＷの搬送の際には、磁界制御部３７は、互いに隣接する金属巻線３５２に逆方向の駆動電流が流れるようにコイル駆動部３６をＰＷＮ制御する。これにより、コイル駆動部３６の上方には、互いに隣接する金属巻線３５２上における磁界の向きが反転した交番磁界が形成される。そして、この交番磁界内に磁性体金属板３３および導電性金属板３４が置かれることにより、導電性金属板３４内には、互いに隣接する金属巻線３５２の直上においてウエハＷの搬送方向と直交する逆方向に誘導電流が流れる。このとき、磁性体金属板３３は、導電性金属板３４を貫く磁束を安定させる役割を果たす。導電性金属板３４内を流れる誘導電流は、導電性金属板３４を貫く磁束からフレミングの左手の法則に従った同方向（図３における左方向）の力を受け、この力が推進力としてウエハ搬送ワーク３２に作用することにより、ウエハ搬送ワーク３２はウエハＷの搬送方向に移動する。

このように上記の構成によれば、搬送室３１内に設けられたウエハ搬送ワーク３２内に磁性体金属板３３および導電性金属板３４が収容されるとともに、搬送室３１の下方に推進コイル３５が設けられていて、この推進コイル３５によって磁性体金属板３３および導電性金属板３４を貫く交番磁界が形成され、導電性金属板３４内に誘導電流が生じる結果、ウエハ搬送ワーク３２がウエハＷの搬送方向に移動する。よって、搬送室３１内をウエハＷがウエハ搬送ワーク３２に保持されて搬送される際に、金属摩耗粉などのパーティクルが発生することがなく、このようなパーティクルによるウエハＷの汚染（金属汚染）を生じるおそれがない。そのうえ、推進コイル３５は搬送室３１から隔絶された部分に配置されており、また、磁性体金属板３３および導電性金属板３４はウエハ搬送ワーク３２内に封入されていて、搬送室３１内において露出する金属部品はないから、その金属部品によるウエハＷの汚染の問題を招くおそれもない。

さらに、搬送室３１内におけるウエハＷの搬送中は、搬送室３１内を密閉状態にすることができるから、搬送室３１内に純水や薬液を充満させた状態でウエハＷの搬送を行ったり、搬送室３１内を真空にした状態でウエハＷの搬送を行ったりすることによって、その搬送時におけるウエハＷの汚染をより一層防止することができる。たとえば、第１の処理がＣＭＰ処理であり、第２の処理がＣＭＰ処理後のウエハＷの洗浄処理である場合には、搬送室３１内に純水を充満させた状態でウエハＷの搬送を行うことによって、ＣＭＰ処理後のウエハＷの表面に残留しているスラリーの乾燥を確実に防止することができ、スラリーの乾燥によるウエハＷの汚染を防止することができる。よって、この基板処理装置における歩溜りおよびスループットを向上させることができる。

図４は、第１処理部１０（第２処理部２０）の要部構成を簡略化して示す断面図である。第１処理部１０（第２処理部２０）は、たとえば、底板１１１、この底板１１１の周囲から立ち上がった側板１１２および側板１１２の上端縁間に跨って設けられた天板１１３によって区画形成された処理室１１内に、処理対象のウエハＷを保持して回転するウエハ回転ワーク１２を備えている。底板１１１、側板１１２および天板１１３は、たとえば、フッ素樹脂、ＰＶＣまたはＰＰ等の絶縁材料で構成されている。

ウエハ回転ワーク１２は、たとえば、フッ素樹脂、ＰＶＣまたはＰＰ等の絶縁材料を用いて一体的に形成されている。ウエハ回転ワーク１２の上面には、ウエハＷの外形に対応した凹部１２１が形成されており、この凹部１２１にウエハＷを嵌め入れて保持できるようになっている。また、ウエハ回転ワーク１２の下面の中央部には、突起１２２が形成されていて、この突起１２２が処理室１１の底板１１１に形成された穴１１４に受け取られることにより、ウエハ回転ワーク１２は、突起１２２を通る鉛直軸腺まわりに回転自在に支持されている。

ウエハ回転ワーク１２の内部には、たとえば、鉄等の磁性体金属材料からなる薄板状の磁性体金属板１３と、アルミニウムまたは銅等の金属材料からなる薄板状の導電性金属板１４とが、上下に重なり合った状態で積層されて封入されている。一方、処理室１１の下方には、ウエハ回転ワーク１２を回転させるための磁界を形成する回転磁界形成コイル（ステータコイル）１５が配置されている。

回転磁界形成コイル１５は、たとえば、図５に示すように、同心円状に配置された珪素鋼板からなる大小２つのリング状部材をそれぞれ複数個（この実施形態では１４個）に分割した構成を有している。２つのリング状部材の各分割部分（以下「セルコイル」という。）１５１の周面には、金属巻線１５２が巻き付けられており、これらの金属巻線１５２にコイル駆動部１６から駆動電流を供給することによって、各セルコイル１５１から磁界が発生し、この各セルコイル１５１が発生する磁界が回転磁界形成コイル１５の中心軸線まわりの回転磁界を形成する。コイル駆動部１６は、マイクロコンピュータを含む磁界制御部１７によって制御されるようになっている。

回転磁界形成コイル１５は、その上面が処理室１１の底板１１１に接した状態に配置されていて、これにより、回転磁界形成コイル１５の上面とウエハ回転ワーク１２内に封入された導電性金属板１４の下面との間には、所定の間隔Ｄが形成されている。また、回転磁界形成コイル１５は、その中心軸線（回転磁界の中心）がウエハ回転ワーク１２によるウエハＷの回転中心を通るように配置されている。これにより、回転磁界形成コイル１５によって回転磁界が形成されると、導電性金属板１４内に誘導電流が生じて、この誘導電流が回転磁界からの力を受け、この力がウエハ回転ワーク１２に回転力として作用し、ウエハ回転ワーク１２が突起１２２を通る鉛直軸腺まわりに回転する。

よって、ウエハＷが処理室１１内で回転される際に、金属摩耗粉などのパーティクルが発生することがなく、このようなパーティクルによるウエハＷの汚染（金属汚染）を生じるおそれがない。そのうえ、回転磁界形成コイル１５は処理室１１から隔絶された部分に配置され、また、磁性体金属板１３および導電性金属板１４はウエハ回転ワーク１２内に封入されていて、処理室１１内において露出する金属部品はないから、その金属部品によるウエハＷの汚染の問題を招くおそれもない。

さらに、処理室１１の底板１１１に回転軸が挿通された構成（「従来の技術」で説明した従来構成）と異なり、シール部材と回転軸との摺接によるパーティクルの発生といった問題を生じないから、このようなパーティクルによるウエハＷの汚染の問題を招くおそれもない。さらにまた、処理室１１の底板１１１に回転軸などが挿通されていないから、処理室１１から外部に処理液が漏れ出すおそれもない。

以上、この発明の実施の形態を説明したが、この発明は他の形態で実施することも可能である。たとえば、上述の実施形態では、ウエハＷを１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置を取り上げたが、この発明は、複数枚のウエハＷを一括して処理するバッチ式の基板処理装置に適用することもできる。たとえば、図６に示すように、処理液を貯留しておくための処理槽４１内に、複数枚のウエハＷを多段に積層して収容可能なカセット４２を載置する載置台４３を設けて、この載置台４３を回転させるために、ウエハ回転ワーク１２を回転させるための構成と同様な構成を採用してもよい。この場合、処理槽４１の底板に回転軸を挿通しないから、処理槽４１から処理液が漏れ出すといった問題を生じることはない。また、処理槽４１内に貯められた処理液中にウエハＷ（カセット４２）を浸漬させた状態で、載置台４３を回転させて、ウエハＷをカセット４２ごと回転させることにより、ウエハＷに対する処理の面内均一性およびカセット４２に収容された各ウエハＷ間における処理の均一性を向上させることができる。

さらにまた、たとえば、図４に二点鎖線で示すように、複数の第１処理部１０（第２処理部２０）を多段に積層するとともに、図２に二点鎖線で示すように、その第１処理部１０と同数の搬送部３０を積層して設けてもよい。この場合、各階層で独立してウエハＷの搬送および処理を行うことができ、ウエハＷの処理能力（一定時間内のウエハＷの処理枚数）が格段に向上する。第１処理部１０、第２処理部２０および搬送部３０は、それぞれ従来の構成とは異なり、処理室１１および搬送室３１の下方にモータや駆動力伝達部材などの大がかりな駆動機構を必要とせず、従来の構成よりも薄型であるから、基板処理装置の高さをある程度の範囲内に抑えて、第１処理部１０、第２処理部２０および搬送部３０を複数段に積層することができる。

また、上記の実施形態では、ウエハ搬送ワーク３２内に磁性体金属板３３および導電性金属板３４が封入され、搬送室３１の下方に推進コイル３５が配置されているとしたが、搬送室３１の下方に磁性体金属板および導電性金属板を上下に重なり合った状態で配置するとともに、ウエハ搬送ワーク３２内にウエハ搬送ワーク３２を推進させるための磁界を発生させる推進コイルを配置してもよい。さらにまた、ウエハ回転ワーク１２内に磁性体金属板１３および導電性金属板１４が封入され、処理室１１の下方に回転磁界形成コイル１５が配置されているとしたが、処理室１１の下方に磁性体金属板および導電性金属板を上下に重なり合った状態で配置するとともに、ウエハ回転ワーク１２内にこのウエハ回転ワーク１２を回転させるための磁界を形成する回転磁界形成コイルを配置してもよい。

さらには、処理対象の基板としてウエハＷを例にとったが、この発明は、液晶表示装置用ガラス基板やプラズマディプレイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板などのような角形基板に対して処理を施すための装置にも適用することができる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

この発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを簡略化して示す図解図である。 搬送部の構成を簡略化して示す断面図である。 推進コイルによるウエハワークの推進原理について説明するための図である。 第１処理部（第２処理部）の要部構成を簡略化して示す断面図である。 回転磁界形成コイルの構成を簡略化して示す平面図である。 この発明がバッチ式の基板処理装置に適用された場合について説明するための図解図である。

符号の説明

１０ 第１処理部
１１ 処理室
１２ ウエハ回転ワーク
１３ 磁性体金属板
１４ 導電性金属板
１５ 回転磁界形成コイル
２０ 第２処理部
３０ 搬送部
３１ 搬送室
３２ ウエハ搬送ワーク
３３ 磁性体金属板
３４ 導電性金属板
３５ 推進コイル
４１ 処理槽
４２ カセット
４３ 載置台
Ｗ ウエハ

Claims (8)

1. 基板に対して所定の処理を行うための基板処理部に結合された基板搬送室と、
   この基板搬送室内に設けられて、上記基板処理部に対して搬送される基板を保持する基板保持ワークと、
   この基板保持ワークの内部または上記基板搬送室から隔絶された隔絶部の一方に備えられた金属板と、
   上記基板保持ワークの内部または上記隔絶部の他方に備えられていて、上記金属板を貫く交番磁界を発生させて、上記金属板内に誘導電流を生じさせることにより、上記基板保持ワークを上記基板処理部に対して移動させるための推力を上記基板保持ワークに作用させる推進コイルと
   を含むことを特徴とする基板搬送装置。
2. 上記金属板は、上記基板保持ワークの内部に封入されており、
   上記推進コイルは、上記隔絶部において上記金属板との間に所定の間隔を空けて対向配置されていることを特徴とする請求項１記載の基板搬送装置。
3. 基板を所定の軸線まわりに回転させる基板回転装置であって、
   基板を保持する基板保持ワークと、
   この基板保持ワークの内部または上記基板保持ワークと隔壁を挟んで隔絶された隔絶部の一方に備えられた金属板と、
   上記基板保持ワークの内部または上記隔絶部の他方に備えられていて、上記所定の軸線を中心とする回転磁界を形成して、上記金属板内に誘導電流を生じさせることにより、上記基板保持ワークを上記所定の軸線まわりに回転させるための回転力を上記基板保持ワークに作用させる回転磁界形成コイルと
   を含むことを特徴とする基板回転装置。
4. 上記金属板は、上記基板保持ワークの内部に封入されており、
   上記推進コイルは、上記隔絶部において上記金属板との間に所定の間隔を空けて対向配置されていることを特徴とする請求項３記載の基板回転装置。
5. 基板に対して所定の処理を行うための基板処理装置であって、
   処理対象の基板を基板処理室内で保持する基板保持手段と、
   この基板保持手段に対して基板を搬送する基板搬送手段と
   を含み、
   上記基板搬送手段として、請求項１または２記載の基板搬送装置が適用されていることを特徴とする基板処理装置。
6. 基板に対して所定の処理を行うための基板処理装置であって、
   処理対象の基板を基板処理室内で保持する基板保持手段と、
   この基板保持手段に対して基板を搬送する基板搬送手段と
   を含み、
   上記基板保持手段として、請求項３または４記載の基板回転装置が適用されていることを特徴とする基板処理装置。
7. 上記基板搬送手段として、請求項１または２記載の基板搬送装置が適用されていることを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
8. 上記所定の処理は、処理流体を用いた処理であることを特徴とする請求項５ないし７のいずれかに記載の基板処理装置。

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