TW202134038A - 樹脂構件之加工方法、樹脂構件之加工裝置及樹脂零件之製造方法 - Google Patents

樹脂構件之加工方法、樹脂構件之加工裝置及樹脂零件之製造方法 Download PDF

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TW202134038A
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light
resin
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laser light
irradiating
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TW109145743A
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浅川雄一
坪井泰之
爲本広昭
田岡亮太
山本稔
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日商激光系統有限公司
日商日亞化學工業股份有限公司
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    • B29C66/912—Measuring or controlling the joining process by measuring or controlling the temperature, the heat or the thermal flux by measuring the temperature, the heat or the thermal flux
    • B29C66/9121—Measuring or controlling the joining process by measuring or controlling the temperature, the heat or the thermal flux by measuring the temperature, the heat or the thermal flux by measuring the temperature
    • B29C66/91211—Measuring or controlling the joining process by measuring or controlling the temperature, the heat or the thermal flux by measuring the temperature, the heat or the thermal flux by measuring the temperature with special temperature measurement means or methods
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Abstract

本發明之課題在於提供一種藉由光照射而僅使包含樹脂之構件之所需區域充分升溫，從而對樹脂構件進行加工之方法。進而，本發明之課題亦在於提供一種用以進行該加工之樹脂構件之加工裝置及樹脂零件之製造方法。 解決上述課題之樹脂構件之加工方法包括以下步驟：對包含樹脂之第1構件照射電子激發上述樹脂之第1波長之第1光；及對藉由上述第1光之照射而被電子激發之上述樹脂照射波長相較於上述第1波長更長之第2波長之第2光。上述第2波長包含於藉由電子激發而使上述樹脂之光吸收率增大之波長區域。

Description

樹脂構件之加工方法、樹脂構件之加工裝置及樹脂零件之製造方法
本發明係關於一種樹脂構件之加工方法、樹脂構件之加工裝置及樹脂零件之製造方法。
近年來，電子零件或器件領域中，為了最大限度地發揮其等之功能，不僅採用半導體或金屬等無機材料，而且局部導入了有機材料(樹脂)之裝置或器件受到關注。於製造此種裝置或器件時，要求將包含樹脂之構件與其他構件接合，或對包含樹脂之構件進行精密加工(切斷或形成溝槽等)。
作為對包含樹脂之構件進行加工之方法，雷射熔接法受到關注(例如專利文獻1)。該雷射熔接法係對2個以上構件(至少一個構件包含樹脂)中之至少一個照射近紅外或紅外雷射光。於被照射該雷射光之部位，樹脂之溫度因光熱效應而上升至玻璃轉移溫度以上。並且，藉由使被照射雷射光之構件之熔融樹脂與其他構件密接，而將複數個構件接合。
再者，先前亦曾藉由近紅外或紅外雷射光之照射，而局部加熱樹脂構件，將該樹脂構件於所需位置切斷，或於該樹脂構件之所需位置形成溝槽等。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2012-27447號公報
[發明所欲解決之問題]
為了藉由照射雷射光來加熱樹脂，必須照射樹脂能夠吸收之波長區域之雷射光。然而，通用樹脂(例如聚苯乙烯(以下，亦稱為「PS」)、聚甲基丙烯酸甲酯(以下，亦稱為「PMMA」)、聚對苯二甲酸乙二酯(以下，亦稱為「PET」)、聚碳酸酯(以下，亦稱為PC))通常於可見光區不具有吸收。例如，PET於波長為400 nm～2200 nm之較廣範圍內不具有實質性之光吸收。進而，聚碳酸酯亦於波長為400 nm～1600 nm之較廣範圍內不具有實質性之光吸收。故而，為了進行PET或聚碳酸酯之加工，必須照射波長較其等長之雷射光。
進而，樹脂對近紅外區(波長為800 nm～2 μm左右)之光之吸收係數非常小。因此，即便以較高之光強度對樹脂照射近紅外區之雷射光，亦容易產生吸收之飽和(以下，將該現象亦稱為「吸收飽和」)。因此，難以使樹脂吸收閾值以上之光能。由此，利用近紅外或紅外雷射光(光熱反應)來加熱樹脂尚有改善餘地。
本發明係鑒於此種情況而完成者。即，本發明之目的在於提供一種藉由光照射高效地使包含樹脂之構件升溫而對樹脂構件進行加工之方法。進而，目的亦在於提供一種用以進行該加工之樹脂構件之加工裝置、及樹脂零件之製造方法。 [解決問題之技術手段]
本發明提供以下之樹脂構件之加工方法。 一種樹脂構件之加工方法，其包括以下步驟：對包含樹脂之第1構件照射電子激發上述樹脂之第1波長之第1光；及對藉由上述第1光之照射而被電子激發之上述樹脂照射波長相較於上述第1波長更長之第2波長之第2光；上述第2波長之波長區域包含於藉由電子激發上述樹脂而使上述樹脂之光吸收率增大之波長區域。
本發明提供以下之樹脂構件之加工裝置。 一種樹脂構件之加工裝置，其包括：第1光照射系統，其用以對包含樹脂之第1構件之上述樹脂照射電子激發上述樹脂之第1波長之第1光；及第2光照射系統，其用以對上述第1構件之上述樹脂照射波長相較於上述第1波長更長之第2波長之第2光；上述第2波長之波長區域包含於藉由電子激發上述樹脂而使上述樹脂之光吸收率增大之波長區域。
本發明提供以下之樹脂零件之製造方法。 一種樹脂零件之製造方法，其包括以下步驟：對包含樹脂之第1構件照射電子激發上述樹脂之第1波長之第1光；及對藉由上述第1光之照射而被電子激發之上述樹脂照射波長相較於上述第1波長更長之第2波長之第2光；上述第2波長之波長區域包含於藉由電子激發上述樹脂而使上述樹脂之光吸收率增大之波長區域。 [發明之效果]
本發明之樹脂構件之加工方法中，藉由光照射，能夠使包含樹脂之構件充分升溫而進行加工。
進而，根據本發明之樹脂構件之加工裝置，能夠對所需區域照射2種以上之光，而進行樹脂之加工。
本發明之樹脂零件之製造方法中，藉由光照射，能夠使包含樹脂之構件充分升溫而製造樹脂零件。
本發明係關於一種樹脂構件之加工方法、該加工方法中所使用之樹脂構件之加工裝置及使用該加工方法之樹脂零件之製造方法。以下，以本發明之一實施方式為例，對構件之加工方法、加工裝置及樹脂零件之製造方法進行說明，但本發明並不限定於該實施方式。
1.樹脂構件之加工方法 本發明之一實施方式之樹脂構件之加工方法中，進行如下步驟：對包含樹脂之第1構件照射電子激發該樹脂之第1波長之第1光(第1光之照射步驟)；及對藉由第1光之照射而被電子激發之樹脂照射波長相較於第1波長更長之第2波長之第2光(第2光之照射步驟)。再者，上述第2波長係包含於藉由電子激發樹脂而使樹脂之光吸收率增大之波長區域的波長。
如上所述，對樹脂照射近紅外光或紅外光而振動激發樹脂之方法容易產生吸收飽和，難以充分提高樹脂之溫度。
對此，於本實施方式中，藉由照射具有第1波長之第1光，而電子激發需要加工之第1構件之樹脂。此處記載之電子激發係指作為樹脂之高分子發色團的電子之激發，主要是與π-π＊ 躍遷或n-π＊ 躍遷對應之電子激發。若電子激發樹脂，則產生光吸收率增大之波長區域。因此，本實施方式中，進而照射包含於該光吸收率增大之波長區域的第2波長之第2光。藉由對樹脂照射該第2光，樹脂之溫度充分上升，從而能夠對第1構件進行加工。再者，於本說明書中，樹脂之光吸收率增大之波長區域為樹脂之光吸收率較照射第1光之前增加之波長區域即可，該波長區域亦包含如下波長區域：於照射第1光之前不具有光吸收，藉由第1光之照射而新表現出光吸收。
此處，藉由電子激發樹脂而使光吸收率增大之波長區域包括2種。第1種光吸收率增大之波長區域係相較於用以使樹脂電子躍遷之第1波長(第1光)更靠長波長側，藉由電子激發引起之樹脂升溫而使光吸收率增大之波長區域。該波長區域亦被稱為熱譜帶，以耳巴赫定則(Urbach rule)進行說明。
耳巴赫定則係物質之光吸收光譜之低能量側(長波長側)之形狀A由下式表示者。 [數1] A(E,T)＝A0 exp(σ(E－E0 )/kT) 上式中，A0 表示比例常數，σ表示陡度因子(steepness factor)。σ表示接近1之值。E表示物質吸收之光之光子能量，以E＝h(c/λ)表示。該光之光子能量與吸收之光之波長λ相關。再者，該式中之h為普朗克常數(Planck's constant)，c為光速。又，上述E0 為物質之能階，k為玻耳茲曼常數(Boltzmann constant)，T為絕對溫度。
根據上述耳巴赫定則，隨著物質之溫度上升，光吸收光譜之低能量側之下端向長波長側移動。並且，即便於低溫下曾吸收較少或無吸收之波長區域亦會產生光吸收。即，如本實施方式般，若藉由第1光之照射電子激發樹脂，則樹脂之溫度升高，即便為相較於樹脂通常可進行光吸收之波長區域更靠長波長側之波長區域，光吸收率亦增大。
第2種光吸收率增大之波長區域係如下波長區域：相較於用以使樹脂電子躍遷之第1波長(第1光)更靠長波長側，且藉由電子激發所引起之暫態出現之激發三重態而使光吸收率增大。
有機物中，多數為儘管基態下於可見光區不具有光吸收，但激發狀態下於可見光區具有吸收，且其吸收係數較大者。例如The Journal of Physical Chemistry 1993年、97卷、6753-6759頁(美國化學會發行)中，示出了PET之激發三重態之光吸收光譜。如上所述，PET於基態下於400 nm～2200 nm之波長下不具有光吸收。然而，該文獻中表示若使PET為激發三重態，則於390 nm～550 nm之波長下具有光吸收帶。
又，於Macromolecules, Vol. 27, No. 14, 1994(美國化學會發行)中，示出了聚碳酸酯之激發三重態之光吸收光譜。該文獻中，聚碳酸酯於基態下於400 nm～1600 nm之波長下亦不具有光吸收。然而，該文獻中表示若使聚碳酸酯為激發三重態，則於350 nm～500 nm之波長下具有光吸收帶。即，如本實施方式般，若藉由第1光之照射電子激發樹脂，則樹脂成為激發三重態，於相較於通常樹脂可進行光吸收之波長區域更靠長波長側，會新出現可進行光吸收之波長區域。
此處，本實施方式之樹脂構件之加工方法可應用於加熱包含樹脂之第1構件而進行加工之方法，可應用於各種方法。例如可應用於將包含樹脂之第1構件與其他構件接合之方法。又，亦可應用於對包含樹脂之第1構件進行切斷或形成溝槽之方法等。以下，以將包含樹脂之第1構件與第2構件接合之方法為例，對本實施方式之第1光之照射步驟、第2光之照射步驟、及接合步驟進行說明，但本實施方式之加工方法並不限於接合方法。
(第1光之照射步驟) 本步驟中，對包含樹脂之第1構件照射具有第1波長之第1光。此處，第1構件所包含之樹脂只要為藉由光(第1光)之照射而能夠電子激發之樹脂即可，其例包括聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)等。再者，該樹脂亦可不對下述第2光之波長(第2波長)具有利用電子激發引起之吸收。
上述樹脂中，就藉由第1光之照射而容易被電子激發，且於長波長側光吸收率易增大之觀點而言，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。再者，第1構件至少於與下述第2構件接合之區域包含樹脂即可，亦可包含樹脂以外之成分。
又，第1構件之形狀並無特別限制，例如既可為平板狀，亦可具有立體構造。又，第1構件之與第2構件之接合面既可為平面，亦可為曲面。
第1構件之光(第1光及第2光)之透過性可根據照射光(第1光及第2光)之朝向適當選擇。例如，於自第1構件之與第2構件之接合面側進行第1光及第2光之照射之情形時，第1構件亦可對第1光及第2光不具有透過性。另一方面，於自第1構件之與第2構件之接合面之相反側進行第1光及第2光之照射之情形時，較佳為第1構件對第1光及第2光具有透過性。
本步驟中照射之第1光之波長(第1波長)只要為可電子激發第1構件中之樹脂之波長即可，根據樹脂之種類適當選擇。例如就聚對苯二甲酸乙二酯(PET)或聚碳酸酯(PC)等而言，第1波長之波長區域較佳為410 nm以下，例如可設為波長為375 nm之雷射光或波長為405 nm之雷射光。
此處，第1光特佳為雷射光。若第1光為雷射光，則能夠將其照射面積控製得非常小，從而能夠將第1光照射成精密之圖案狀。再者，雷射光既可為連續振盪之雷射光，亦可為脈衝振盪之雷射光。就可對所需區域連續照射第1光之觀點而言，更佳為連續振盪之雷射光。
又，此時，自雷射光源之輸出較佳為10～500 mW。例如，就聚對苯二甲酸乙二酯(PET)而言，更佳為100～400 mW。例如，就聚碳酸酯(PC)而言，較佳為30～250 mW，更佳為30～200 mW。例如，就聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)而言，更佳為100～400 mW。藉由以該輸出照射第1光，可高效地電子激發樹脂。又，第1光之聚光位置處之光強度較佳為0.01 kW/cm2 以上，更佳為0.01 kW/cm2 ～1.00 kW/cm2 。
進而，第1光之聚光位置處之第1光之累計光量較佳為0.2～35.0 mJ/cm2 。若第1光之累計光量為該範圍，則藉由電子激發，可使樹脂之溫度足夠高而產生上述熱譜帶，或產生上述激發三重態。
再者，亦可於照射上述第1光時，測定被照射第1光之區域之溫度，根據該溫度調整第1光之強度。
(第2光之照射步驟) 本步驟中，對藉由第1光之照射而被電子激發之樹脂照射波長相較於第1光更長之第2波長之第2光。照射第2光之時機只要為藉由第1光之照射而電子激發樹脂之期間即可，亦可與第1光之照射略微錯開，通常，較佳為同時照射第1光與第2光。
本步驟中照射之第2光之波長(第2波長)較第1波長更長，只要為包含於藉由電子激發樹脂而使樹脂之光吸收率增大之波長區域之波長即可。如上所述，藉由樹脂之電子激發而使光吸收率增大之波長區域係相較於第1波長(第1光)更靠長波長側，且藉由電子激發所引起之樹脂升溫而使光吸收率增大之波長區域。又，如上所述，藉由樹脂之電子激發而使光吸收率增大之波長區域係相較於第1波長(第1光)更靠長波長側，且藉由電子激發所引起之暫態出現之激發三重態而使光吸收率增大之波長區域。第2光可為包含於其等中任一波長區域之波長之光。
此處，相較於第1波長(第1光)更靠長波長側，且藉由電子激發所引起之樹脂升溫而使光吸收率增大之波長區域例如為圖2A中之虛線表示之波長區域。又，相較於第1波長(第1光)更靠長波長側，且藉由電子激發所引起之暫態出現之激發三重態而使光吸收率增大之波長區域例如為圖2B中之虛線表示之波長區域。於圖2A及圖2B中，以實線表示之波長區域為樹脂所具有之本來之吸收波長區域。
藉由電子激發樹脂而使樹脂之光吸收率增大之波長區域視樹脂之種類而不同。因此，第2波長係根據樹脂之種類適當選擇。例如就聚對苯二甲酸乙二酯(PET)或聚碳酸酯(PC)等而言，第2波長之波長區域較佳為超過400 nm且為550 nm以下，例如可設為波長為405 nm之雷射光或波長為450 nm之雷射光等。
此處，第2光亦較佳為雷射光。若第2光為雷射光，則能夠將其照射面積控製得非常小，從而能夠將第2光照射成精密之圖案狀。再者，雷射光既可為連續振盪之雷射光，亦可為脈衝振盪之雷射光。就可對所需區域連續照射第2光之觀點而言，更佳為連續振盪之雷射光。
又，此時，自雷射光源之輸出較佳為30～1200 mW。例如，就聚對苯二甲酸乙二酯(PET)而言，更佳為100～1000 mW。例如，就聚碳酸酯(PC)而言，更佳為50～500 mW。例如，就聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)而言，更佳為100～500 mW。藉由以該輸出照射第2光，可使第1構件中之樹脂之溫度高效地上升。又，第2光之聚光位置處之光強度較佳為0.01 kW/cm2 以上，更佳為0.01 kW/cm2 ～2.00 kW/cm2 。
進而，第2光之聚光位置處之累計光量只要為可將第1構件(樹脂)加熱至第1構件中之樹脂之玻璃轉移溫度以上之光量即可。例如，較佳為0.2～65.0 mJ/cm2 。若第2光之累計光量為該範圍，則樹脂之溫度充分提高，容易將第1構件與第2構件牢固地接合。
此處，第2光既可自與第1光同軸之方向照射，亦可自不同之方向照射。又，本步驟中，亦可測定被照射第2光(及第1光)之區域之溫度，根據該溫度調整第2光之強度。
(接合步驟) 接合步驟係將上述第1構件之被照射第1光及第2光之區域(樹脂)與第2構件接合之步驟。再者，接合步驟亦可於對第1構件進行上述第1光之照射步驟及第2光之照射步驟後進行。即，亦可對第1構件進行第1光之照射步驟及第2光之照射步驟，使第1構件中之樹脂之溫度充分上升後，使第1構件與另行準備(藉由準備步驟而準備)之第2構件重疊而進行接合。
另一方面，接合步驟亦可與上述第1光之照射步驟及第2光之照射步驟同時(尤其是與第2光之照射步驟同時)進行。於同時進行接合步驟與第1光之照射步驟及第2光之照射步驟之情形時，預先重疊配置上述第1構件與第2構件，使第1光及第2光聚光至其等之界面，藉此，能夠同時進行第1光之照射步驟、第2光之照射步驟及接合步驟。
再者，接合步驟中，亦可視需要相互推壓第1構件及第2構件。
此處，第2構件之種類只要為能夠與第1構件接合之成分即可，並無特別限制，可根據目的適當選擇。例如，既可為與第1構件相同之樹脂，亦可為不同之樹脂。再者，於第2構件中包含樹脂之情形時，亦可藉由第1光或第2光之照射，使第2構件中之樹脂升溫，而不僅是第1構件中之樹脂。另一方面，第2構件亦可為金屬或陶瓷等無機物。
第2構件之形狀亦無特別限制，例如既可為平板狀，亦可具有立體構造。又，第2構件之與第1構件之接合面既可為平面，亦可為曲面。
第2構件之光(第1光及第2光)之透過性可根據進行接合步驟之時機、或照射光(第1光及第2光)之朝向適當選擇。例如，於不與接合步驟同時進行第1光之照射步驟或第2光之照射步驟之情形時，第2構件亦可對第1光及第2光不具有透過性。又，即便於使第1構件及第2構件重疊之狀態下進行第1光之照射步驟或第2光之照射步驟之情形時，當自第1構件側照射第1光及第2光時，第2構件亦可對第1光及第2光不具有透過性。另一方面，於使第1構件及第2構件重疊之狀態下進行第1光之照射步驟或第2光之照射步驟之情形時，當自第2構件側照射第1光及第2光時，較佳為第2構件對第1光及第2光具有透過性。
(其他) 上述說明中，對第1光及第2光這2種波長之光之照射進行了說明。但，本實施方式中，亦可照射3種以上之波長之光。例如，照射與藉由第1光之照射而產生之熱譜帶相當之波長之第2光，進而照射與藉由第1光之照射而產生之激發三重態之吸收波長區域相當之波長之第3光，藉此，能夠使第1構件中之樹脂更高效地升溫。
又，上述對藉由第1光之照射將第1構件與第2構件接合之方法進行了說明，但本實施方式亦可為以下方法：例如使第1構件之所需部位熔融而將第1構件切斷成所需之形狀，或加熱第1構件之部分區域而形成所需之凹部等。
又，上述說明中，對藉由第1光之照射而電子激發第1構件所包含之樹脂，且照射藉由該電子激發而使樹脂之光吸收率增大之波長區域中包含之第2光的情況進行了說明。但，本實施方式中，亦可照射包含於如下波長區域之第2波長之第2光：於照射第1光時，第1構件吸收第1光，藉由該光吸收而第1構件中之樹脂表現出光吸收。
(效果) 上述方法中，利用第1光電子激發樹脂，且照射包含於藉由該電子激發而使光吸收增大之波長區域之第2光。如此，藉由組合照射樹脂能夠吸收之2種波長之光，能夠使樹脂吸收較多光能，從而能夠高效地加熱樹脂。進而，用作第1光之例如波長為375 nm之雷射光或波長為405 nm之雷射光等波長相對較短之雷射光相較於近紅外或紅外等波長相對較長之雷射光，能夠使照射範圍變窄，故能夠提高雷射光之照射精度。因此，相較於使用近紅外或紅外等波長相對較長之雷射光加工樹脂構件，能夠進行精細之加工。
又，存在藉由電子激發而使光吸收率增大之波長區域中之樹脂的光吸收率大幅地大於第1光之光吸收率之情況。因此，根據上述方法，藉由第2光之照射，能夠使樹脂吸收非常多之光能，其結果，能夠使樹脂高效升溫。
進而，一般而言，高輸出型雷射光照射系統之振盪波長通常為400～1600 nm。又，一般而言，振盪波長為400 nm以下之雷射光照射系統為低輸出，以避免因其波長為短波長而導致之內部損傷。上述方法中，可使第2光之第2波長超過400 nm。因此，亦能夠使用高輸出型雷射光照射系統。
2.加工裝置 上述加工方法可藉由以下加工裝置進行，該加工裝置包括用以照射上述第1波長之第1光之第1光照射系統、及用以照射上述第2波長之第2光之第2光照射系統。但，進行上述加工方法之裝置並不限於該裝置。又，以下說明中，對將第1構件與第2構件接合之裝置進行說明，但加工裝置亦可為例如第1構件之切斷裝置或切削裝置等。
圖1表示本實施方式之加工裝置之一例。如圖1所示，加工裝置100具有供載置第1構件111及第2構件112之XY平台、第1光照射系統120、第2光照射系統130、透鏡140、溫度測定部150及光量控制部160。再者，亦可視需要包括用以控制第1構件111與第2構件112之相對位置之支持部(未圖示)或位置控制部(未圖示)。
第1光照射系統120係用以照射上述第1光123之光照射系統，例如可設為包括第1雷射光源121及第1反射鏡(分色鏡)122之構成。該第1雷射光源121例如可設為使波長為375 nm之雷射光或波長為405 nm之雷射光振盪之雷射器等。
第2光照射系統130係用以照射上述第2光133之光照射系統，例如可設為包括第2雷射光源131及第2反射鏡132之構成。該第2雷射光源131例如可設為使波長為405 nm或波長為450 nm之雷射光振盪之雷射器等。
透鏡140只要能夠將自第1光照射系統120出射之第1光123及自第2光照射系統130出射之第2光133分別聚光至第1構件111與第2構件112之接觸部位，則其種類並無特別限制。其聚光點直徑可根據接合圖案適當選擇。
XY平台110只要為用以支持第1構件111及第2構件112之構成即可，可設為與普通之雷射照射裝置之XY裝置相同。再者，XY平台110亦可與用以控制第1構件111及第2構件112之相對位置之支持部(未圖示)等連動。支持部只要為例如支持第1構件111及/或第2構件112，且能夠使其等移動以成為所需之位置關係之構造即可。又，用以調整支持部之位置或XY平台110之位置的位置控制部(未圖示)之構成並無特別限制，可設為電腦等。
又，溫度測定部150只要能夠測定來自第1光照射系統120之第1光123及來自第2光照射系統130之第2光133之照射位置(第1構件111與第2構件112之接觸部位)處之溫度，則溫度測定機構並無特別限制。溫度測定部150例如可設為輻射型溫度計等。
光量控制部160只要能夠獲取溫度測定部150測得之溫度，且基於該溫度，調整第1光照射系統120及第2光照射系統130之輸出，則其構成並無特別限制。例如，可設為電腦等。再者，1台電腦亦可兼作光量控制部160與上述位置控制部。
使用該加工裝置100將第1構件111與第2構件112接合之情形時，將第1構件111(圖1中為第1構件111及第2構件112)配置於XY平台110上。繼而，自第1光照射系統120出射第1光123。此時，藉由透鏡140，使第1光123聚光至第1構件111之樹脂(圖1中為第1構件111與第2構件112之接觸部位)。
又，在利用第1光照射系統120照射第1光123之大致同時，自第2光照射系統130出射第2光133。並且，亦藉由透鏡140，使第2光133聚光至第1構件111之樹脂(圖1中為第1構件111與第2構件112之接觸部位)。
繼而，藉由溫度測定部150，測定被照射第1光及第2光之樹脂之溫度。光量控制部160判定由溫度測定部150測得之溫度是否為第1構件111中之樹脂之玻璃轉移溫度以上，且基於該判定結果，分別調整第1光照射系統120及第2光照射系統130之光之輸出。此時，上述位置控制部(未圖示)亦可視需要使XY平台110移動，而將第1光123及第2光133照射成所需之圖案狀。
再者，圖1所示之製造裝置係自同一方向照射第1光123及第2光133，但亦可構成為自不同方向照射第1光123及第2光133。又，圖1所示之裝置係於第1構件111與第2構件112以相接之方式配置之狀態下，照射第1光123及第2光133，但亦可僅將第1構件111配置於XY平台110上，照射第1光123及第2光133後，藉由上述支持部使第2構件112重疊於第1構件111，從而將其等接合。
3.樹脂零件之製造方法 本發明之樹脂零件之製造方法包括以下步驟：照射電子激發包含樹脂之第1構件之樹脂的第1波長之第1光；及對藉由第1光之照射而被電子激發之樹脂照射波長較第1波長更長之第2波長之第2光。此處，第2波長之波長區域只要包含於藉由電子激發樹脂而使樹脂之光吸收率增大之波長區域即可，但第2波長之波長區域較佳為藉由第1構件所包含之樹脂之電子激發所引起的樹脂升溫而使該樹脂之光吸收率增大之波長區域。
利用本發明之樹脂零件之製造方法製造之樹脂零件之例包括對樹脂進行加工而製造之零件，包括切割樹脂而製作之零件、於樹脂形成有溝槽之零件、以及將樹脂與樹脂接合而成之零件等。作為切割樹脂而製作之零件、或於樹脂形成有溝槽之零件，可列舉例如飲料用容器或食品用容器等樹脂容器、或背光之反射器等。作為將樹脂與樹脂接合而成之零件，可列舉例如使氣體或液體通過之管等。又，樹脂零件亦可於一部分包含由樹脂以外之材料構成之區域。即，樹脂零件之例亦包括將樹脂與樹脂以外之金屬或陶瓷接合而成之零件等。作為將樹脂與樹脂以外之金屬或陶瓷接合而成之零件，可列舉例如裝飾螺絲等機械零件或保險絲及連接器等電子零件等。
此處，將本發明之樹脂零件之製造方法之一例示於圖3。該製造方法包括對包含樹脂之第1構件211進行第1光之照射步驟及第2光之照射步驟之方法。第1構件211可使用與第1構件111相同之構件。
該製造方法包括以下方法：例如對包含樹脂之第1構件211進行上述第1光之照射步驟及第2光之照射步驟，於第1構件211形成所需形狀之溝槽，而製造樹脂零件。又，該樹脂零件之製造方法包括以下方法：例如對包含樹脂之第1構件211進行上述第1光之照射步驟及第2光之照射步驟，將第1構件211切斷成所需之形狀，而製造樹脂零件。再者，該樹脂零件之製造方法中所使用之裝置(樹脂零件之製造裝置)200除對第1構件211照射第1光及第2光而對第1構件211進行所需加工以外，其他方面與上述加工裝置100相同。對與上述加工裝置100相同之構成附上相同符號，且省略詳細說明。
作為本發明之樹脂零件之製造方法之又一例，可列舉以下方法：除照射上述第1光之步驟及照射第2光之步驟以外，進行準備第2構件之步驟、以及藉由使第1構件之被照射第1光及上述第2光之區域與第2構件接觸而將第1構件與第2構件接合之步驟。根據該方法，能夠將第1構件與第2構件接合，從而能夠製造將樹脂與樹脂接合而成之樹脂零件、或將樹脂與樹脂以外之金屬或陶瓷接合而成之樹脂零件等。作為製造將樹脂與樹脂接合而成之樹脂零件之情形時的第1構件及第2構件之例，可分別列舉樹脂製之管，樹脂零件為將樹脂製之管接合而成之管。於製造將樹脂與樹脂以外之金屬接合而成之樹脂零件之情形時，作為第1構件之例，可列舉樹脂製之頭部，作為第2構件之例，可列舉金屬製之螺絲部，樹脂零件為將樹脂製之頭部與金屬製之螺絲部接合而成之裝飾螺絲。又，於製造將樹脂與樹脂以外之金屬接合而成之樹脂零件之情形時，作為第1構件之例，可列舉樹脂製之罩或樹脂製之殼體，作為第2構件之例，可列舉金屬製之端子。再者，亦可同時進行照射第2光之步驟與將第1構件及第2構件接合之步驟。
此處，本發明之樹脂零件之製造方法中之第1光之照射步驟、第2光之照射步驟及接合步驟與上述樹脂構件之加工方法中所說明之各步驟相同。進而，該樹脂零件之製造方法中所使用之第1構件及第2構件亦可設為與上述樹脂構件之加工方法中所說明之第1構件及第2構件相同。因此，省略其等之詳細說明。 [實施例]
以下，參考實施例對本發明詳細地進行說明，但本發明並不限於該等實施例。
(參考例1)光吸收率增大(熱譜帶)之實證 對PET板(厚度為1 mm)分別於室溫及65℃下測定350～500 nm之波長範圍之光吸收光譜，並將其等進行比較。其結果，相較於室溫下測得之光吸收光譜，於65℃下測得之光吸收光譜於長波長側光吸收率增大，尤其是380 nm以上之波長區域中之吸光度增加。由該結果可知，PET板中產生了光吸收增大(熱譜帶)。
(參考例2)關於伴隨雷射光照射之樹脂升溫之實證 分別對PET板、PMMA板及PC(聚碳酸酯)板單獨以300 mW之輸出照射波長為405 nm之半導體雷射光，對此時之雷射光照射部位之溫度進行測定。其結果，PET板及PMMA板中，幾乎未見溫度上升。又，PC(聚碳酸酯)板中，可見溫度上升，但未上升至例如可用於熔接之樹脂加工所需之溫度。由該結果可知，PET、PMMA及PC(聚碳酸酯)對波長為405 nm之雷射光不具有實質性之光吸收。
再者，於本說明書內，「實質上不具有光吸收」包括具有少量光吸收之情況。又，「不具有光吸收」係以與「實質上不具有光吸收」相同之意思使用。例如，如本參考例2般，於照射輸出為300 mW之雷射光時，樹脂未因雷射光之吸收而致使其溫度超過玻璃轉移溫度之情形時，視為樹脂實質上不具有光吸收。
(比較例1) 對PET板單獨照射波長為375 nm之半導體雷射光(連續振盪型)，並測定照射區域之溫度。再者，聚光光照射系統設為單透鏡(f＝40～100 mm)，聚光點直徑設為1 mm以下。進而，溫度測定設為利用輻射型溫度計即時測量。將結果示於表1。
・結果 [表1]
雷射光輸出 [mW] 照射部位之溫度 [℃]
0 24.3
100 27.8
200 37.5
300 49.2
400 67.5
於接合(熔接)樹脂之情形時，至少一構件之樹脂之溫度需超過其玻璃轉移溫度(Tg )。PET之玻璃轉移溫度為70℃。對此，如表1所示，於對PET板單獨照射波長為375 nm之半導體雷射光之情形時，即便提高其輸出，樹脂之溫度仍為67.5℃。即，未達到PET之玻璃轉移溫度。又，即便將兩片PET板以接觸之方式重疊配置，且將400 mW之波長為375 nm之雷射光聚光，亦無法將其等接合。
(實施例1) ・條件1 分別重疊配置兩片PET板、PET板與PC(聚碳酸酯)板、或PET板與PMMA板。一面將400 mW之雷射光1(波長為375 nm)聚光至其等之重疊部分，一面使輸出為1000 mW之雷射光2(波長為405 nm)聚光。雷射光照射均自PET板側進行。
再者，雷射光之種類或聚光光照射系統係使用以下者，溫度測定係以如下方式進行。 雷射光1：波長為375 nm之半導體雷射光(連續振盪型) 雷射光2：波長為405 nm之半導體雷射光(連續振盪型) 聚光光照射系統：為利用單透鏡(f＝40～100 mm)之聚光照射，聚光點直徑為1 mm以下 溫度測定：利用輻射型溫度計之即時測量
・結果1 照射上述雷射光後，觀察PET板彼此、PET板與PC板、以及PET板與PMMA板，確認均已接合(熔接)。於上述比較例1中，即便單獨照射波長為375 nm之雷射光，亦無法將PET板彼此熔接，相對於此，若併用波長為375 nm之雷射光與波長為405 nm之雷射光，則可將2種樹脂板熔接。
根據該結果可知，藉由照射波長為375 nm之雷射光而電子激發樹脂(主要是PET)，於相較於波長375 nm更靠長波長側(波長405 nm附近)出現新的光吸收帶。並且，藉由照射2種雷射光，PET之溫度超過了其玻璃轉移點，故可謂能夠實現熔接。
・條件2 將兩片PC板、或PC板與PMMA板重疊配置。一面將200 mW之雷射光1(波長為375 nm)聚光至其等之重疊部分，一面使輸出為500 mW之雷射光2(波長為405 nm)聚光。對PC板與PMMA板之重疊部分之雷射光照射係自PMMA板側進行。
再者，雷射光之種類或聚光光照射系統係使用以下者，溫度測定係以如下方式進行。 雷射光1：波長為375 nm之半導體雷射光(連續振盪型) 雷射光2：波長為405 nm之半導體雷射光(連續振盪型) 聚光光照射系統：為利用單透鏡(f＝40～100 mm)之聚光照射，聚光點直徑為1 mm以下 溫度測定：利用輻射型溫度計之即時測量
・結果2 照射上述雷射光後，觀察PC板彼此、及PC板與PMMA板各自之重疊部分，確認均已接合(熔接)。
根據該結果可知，藉由照射波長為375 nm雷射光而電子激發樹脂(主要是PC)，於相較於波長375 nm更靠長波長側(波長405 nm附近)出現新的光吸收帶。並且，藉由照射2種雷射光，PC之溫度超過了其玻璃轉移點，故可謂能夠實現熔接。
・條件3 將兩片PMMA板重疊配置。一面將400 mW之雷射光1(波長為375 nm)聚光至該重疊部分，一面使輸出為1000 mW之雷射光2(波長為405 nm)聚光。
再者，雷射光之種類或聚光光照射系統係使用以下者，溫度測定係以如下方式進行。 雷射光1：波長為375 nm之半導體雷射光(連續振盪型) 雷射光2：波長為405 nm之半導體雷射光(連續振盪型) 聚光光照射系統：為利用單透鏡(f＝40～100 mm)之聚光照射，聚光點直徑為1 mm以下 溫度測定：利用輻射型溫度計之即時測量
・結果3 照射上述雷射光後，觀察PMMA板彼此之重疊部分，確認已接合(熔接)。根據該結果可知，藉由照射波長為375 nm雷射光而電子激發樹脂(PMMA)，於相較於波長375 nm更靠長波長側(波長405 nm附近)出現新的光吸收帶。並且，藉由照射2種雷射光，PMMA之溫度超過了其玻璃轉移點，故可謂能夠實現熔接。
(實施例2) ・條件1 對PET板(厚度為1 mm)照射輸出為200 mW之雷射光1(波長為375 nm)，使照射部位升溫至40℃。繼而，一面照射雷射光1，一面進而對同一照射部位以500 mW之輸出照射雷射光2(波長為405 nm之半導體雷射光)，測定照射部位之溫度。
再者，雷射光之種類或聚光光照射系統係使用以下者，溫度測定係以如下方式進行。 雷射光1：波長為375 nm之半導體雷射光(連續振盪型) 雷射光2：波長為405 nm之半導體雷射光(連續振盪型) 聚光光照射系統：為利用單透鏡(f＝40～100 mm)之聚光照射，聚光點直徑為1 mm以下 溫度測定：利用輻射型溫度計之即時測量
・結果1 藉由照射上述雷射光2，PET板之溫度上升至110℃(上升溫度ΔT＝85℃)。該溫度超過PET之玻璃轉移溫度(70℃)，可謂能夠進行PET之加工。
・條件2 對PET板(厚度為1 mm)照射輸出為200 mW以下之雷射光1(波長為375 nm)，使照射部位升溫至60℃。繼而，一面照射雷射光1，一面進而對同一照射部位以500 mW之輸出照射雷射光2(波長為405 nm)，測定照射部位之溫度。再者，雷射光之種類、聚光光照射系統之種類、溫度測定方法與條件1相同。
・結果2 藉由照射上述雷射光2，照射部位之溫度上升至125℃(上升溫度ΔT＝100℃)。該溫度超過PET之玻璃轉移溫度(70℃)，可謂能夠進行PET之加工。
(實施例3) ・條件1 利用以下5種方法對PET板(厚度為1 mm)分別照射雷射光，並測定照射部位之溫度。將照射部位之溫度與雷射光累加合計輸出之關係示於圖4。具體而言，於圖4中，將組合照射波長不同之2種雷射光且測定照射部位之溫度的方法4及方法5表示為實施例。作為比較例，將僅照射1種雷射且測定照射部位之溫度之比較例表示為方法1、方法2及方法3。
方法1(比較例)：僅照射雷射光1(波長為375 nm) 方法2(比較例)：僅照射雷射光2(波長為405 nm) 方法3(比較例)：僅照射雷射光3(波長為450 nm) 方法4(實施例)：以相等之輸出同時照射雷射光1(波長為375 nm)與雷射光2(波長為405 nm) 方法5(實施例)：以相等之輸出同時照射雷射光1(波長為375 nm)與雷射光3(波長為450 nm) 關於使用2種雷射之方法4及方法5，2種雷射光之輸出合計值表示總輸出。例如於方法4中之總輸出為200 mW之情形時，雷射光1及雷射光2之輸出分別為100 mW。
再者，雷射光之種類或聚光光照射系統係使用以下者，溫度測定係以如下方式進行。 雷射光1：波長為375 nm之半導體雷射光(連續振盪型) 雷射光2：波長為405 nm之半導體雷射光(連續振盪型) 雷射光3：波長為450 nm之半導體雷射光(連續振盪型) 聚光光照射系統：為利用單透鏡(f＝40～100 mm)之聚光照射，聚光點直徑為1 mm以下 溫度測定：利用輻射型溫度計之即時測量
・結果1 如圖4所示，於單獨照射雷射光2(波長為405 nm)之方法2、及單獨照射雷射光3(波長為450 nm)之方法3中，PET板之溫度幾乎無變化。另一方面，於組合照射雷射光1(波長為375 nm)與雷射光2(波長為405 nm)之方法4、及組合照射雷射光1(波長為375 nm)與雷射光3(波長為450 nm)之方法5中，PET板之溫度大幅上升。於單獨照射雷射光1(波長為375 nm)之方法1中，雖確認到溫度上升，但如下所述，如雷射光1般之紫外區雷射光之光轉換效率低，故方法1中需要相對較大之電力。
・條件2 利用以下5種方法對PC板(厚度為5 mm)分別照射雷射光，並測定照射部位之溫度。將照射部位之溫度與雷射光累加合計輸出之關係示於圖5。具體而言，於圖5中，將組合照射波長不同之2種雷射光且測定照射部位之溫度之方法4及方法5表示為實施例。作為比較例，將僅照射1種雷射且測定照射部位之溫度之比較例表示為方法1、方法2及方法3。
方法1(比較例)：僅照射雷射光1(波長為375 nm) 方法2(比較例)：僅照射雷射光2(波長為405 nm) 方法3(比較例)：僅照射雷射光3(波長為450 nm) 方法4(實施例)：以相等之輸出同時照射雷射光1(波長為375 nm)與雷射光2(波長為405 nm) 方法5(實施例)：以相等之輸出同時照射雷射光1(波長為375 nm)與雷射光3(波長為450 nm) 關於使用2種雷射之方法4及方法5，2種雷射光之輸出合計值表示總輸出。例如於方法4中之總輸出為50 mW之情形時，雷射光1及雷射光2之輸出分別為25 mW。
再者，雷射光之種類或聚光光照射系統係使用以下者，溫度測定係以如下方式進行。 雷射光1：波長為375 nm之半導體雷射光(連續振盪型) 雷射光2：波長為405 nm之半導體雷射光(連續振盪型) 雷射光3：波長為450 nm之半導體雷射光(連續振盪型) 聚光光照射系統：為利用單透鏡(f＝40～100 mm)之聚光照射，聚光點直徑為1 mm以下 溫度測定：利用輻射型溫度計之即時測量
・結果2 如圖5所示，於單獨照射雷射光2(波長為405 nm)之方法2、及單獨照射雷射光3(波長為450 nm)之方法3中，PC板之溫度幾乎無變化。另一方面，於組合照射雷射光1(波長為375 nm)與雷射光2(波長為405 nm)之方法4、及組合照射雷射光1(波長為375 nm)與雷射光3(波長為450 nm)之方法5中，PC板之溫度大幅上升。於單獨照射雷射光1(波長為375 nm)之方法1中，雖確認到溫度上升，但如下所述，如雷射光1般之紫外區雷射光之光轉換效率低，故方法1中需要相對較大之電力。
・條件3 利用以下5種方法對PMMA板(厚度5 mm)分別照射雷射光，並測定照射部位之溫度。將照射部位之溫度與雷射光累加合計輸出之關係示於圖6。具體而言，於圖6中，將組合照射波長不同之2種雷射光且測定照射部位之溫度之方法4及方法5表示為實施例。作為比較例，將僅照射1種雷射且測定照射部位之溫度之比較例表示為方法1、方法2及方法3。
方法1(比較例)：僅照射雷射光1(波長為375 nm) 方法2(比較例)：僅照射雷射光2(波長為405 nm) 方法3(比較例)：僅照射雷射光3(波長為450 nm) 方法4(實施例)：以相等之輸出同時照射雷射光1(波長為375 nm)與雷射光2(波長為405 nm) 方法5(實施例)：以相等之輸出同時照射雷射光1(波長為375 nm)與雷射光3(波長為450 nm) 關於使用2種雷射之方法4及方法5，2種雷射光之輸出合計值表示總輸出。例如於方法4中之總輸出為200 mW之情形時，雷射光1及雷射光2之輸出分別為100 mW。
再者，雷射光之種類或聚光光照射系統係使用以下者，溫度測定係以如下方式進行。 雷射光1：波長為375 nm之半導體雷射光(連續振盪型) 雷射光2：波長為405 nm之半導體雷射光(連續振盪型) 雷射光3：波長為450 nm之半導體雷射光(連續振盪型) 聚光光照射系統：為利用單透鏡(f＝40～100 mm)之聚光照射，聚光點直徑為1 mm以下 溫度測定：利用輻射型溫度計之即時測量
・結果3 如圖6所示，於單獨照射雷射光2(波長為405 nm)之方法2、及單獨照射雷射光3(波長為450 nm)之方法3中，PMMA板之溫度幾乎無變化。另一方面，於組合照射雷射光1(波長為375 nm)與雷射光2(波長為405 nm)之方法4、及組合照射雷射光1(波長為375 nm)與雷射光3(波長為450 nm)之方法5中，PMMA板之溫度大幅上升。於單獨照射雷射光1(波長為375 nm)之方法1中，雖確認到溫度上升，但如下所述，如雷射光1般之紫外區雷射光之光轉換效率低，故方法1中需要相對較大之電力。
由實施例3中之結果1～3可知，樹脂本來不吸收之可見光區之光亦可用於本發明之加工方法。又，紫外區之雷射光一般光轉換效率低。因此，為了使紫外區之雷射光為高輸出，需要相對較大之電力。本發明之加工方法中，能夠降低此種光轉換效率低之紫外區之雷射之輸出，故能夠抑制電力消耗，從而效率極高地對樹脂構件進行加工。又，紫外區雷射元件由於光轉換效率低，故其溫度容易上升，有因溫度上升而導致元件損壞之虞。作為針對此種因溫度上升所導致之元件損壞之對策，考慮使用複數個紫外區雷射元件，從而抑制對各紫外區雷射元件造成之損壞，且達到所需之輸出。然而，本發明之加工方法中，能夠抑制加工所需之紫外區之雷射光輸出，故可減少紫外區雷射元件之個數。
又，可不使樹脂含有光吸收劑、或於樹脂表面不塗佈光吸收劑而使樹脂之溫度上升，故相較於使用光吸收劑之情形，能夠抑制樹脂加工之成本。
本申請案主張基於2019年12月27日申請之日本專利特願2019-239647號之優先權。該申請案說明書及圖式所記載之內容全部被引用至本案說明書中。 [產業上之可利用性]
根據本發明之加工方法，能夠僅使包含樹脂之構件之所需區域吸收足夠量之光而升溫，從而對該構件進行加工。因此，本發明係對例如各種電子零件或器件之製造非常有用之技術。
100:加工裝置 110:XY平台 111,211:第1構件 112:第2構件 120:第1光照射系統 121:第1雷射光源 122:第1反射鏡 123:第1光 130:第2光照射系統 131:第2雷射光源 132:第2反射鏡 133:第2光 140:透鏡 150:溫度測定部 160:光量控制部 200:樹脂零件之製造裝置
圖1係表示本發明之樹脂構件之加工裝置之一例的概略圖。 圖2A係示意性地表示藉由電子激發所引起之樹脂升溫而使光吸收率增大之波長區域之圖，圖2B係示意性地表示藉由電子激發所引起之暫態出現之激發三重態而使光吸收率增大之波長區域之圖。 圖3係說明樹脂零件之製造方法之概略圖。 圖4係表示於本發明之實施例3中對PET板照射雷射光時的雷射光之總輸出與PET板之溫度之關係的圖。 圖5係表示於本發明之實施例3中對PC板照射雷射光時的雷射光之總輸出與PC板之溫度之關係的圖。 圖6係表示於本發明之實施例3中對PMMA板照射雷射光時的雷射光之總輸出與PMMA板之溫度之關係的圖。

Claims (25)

  1. 一種樹脂構件之加工方法，其包括以下步驟： 對包含樹脂之第1構件照射電子激發上述樹脂之第1波長之第1光；及 對藉由上述第1光之照射而被電子激發之上述樹脂照射波長相較於上述第1波長更長的第2波長之第2光； 上述第2波長之波長區域包含於藉由電子激發上述樹脂而使上述樹脂之光吸收率增大之波長區域。
  2. 如請求項1之樹脂構件之加工方法，其進而包括以下步驟： 準備第2構件；及 藉由使上述第1構件之被照射上述第1光及上述第2光之區域與上述第2構件接觸，而將上述第1構件與上述第2構件接合。
  3. 如請求項2之樹脂構件之加工方法，其中 同時進行照射上述第2光之步驟以及將上述第1構件與上述第2構件接合之步驟。
  4. 如請求項1至3中任一項之樹脂構件之加工方法，其中 上述第2波長之波長區域係藉由上述樹脂之電子激發引起的上述樹脂之升溫而使上述樹脂之光吸收率增大的波長區域。
  5. 如請求項1至3中任一項之樹脂構件之加工方法，其中 上述第2波長之波長區域係藉由上述樹脂之電子激發引起的上述樹脂之激發三重態而使上述樹脂之光吸收率增大的波長區域。
  6. 如請求項1至5中任一項之樹脂構件之加工方法，其中 上述樹脂於未被照射上述第1光之狀態下，對上述第2波長之光不具有藉由電子激發引起之吸收。
  7. 如請求項1至6中任一項之樹脂構件之加工方法，其中 照射上述第1光之步驟與照射上述第2光之步驟同時進行。
  8. 如請求項1至7中任一項之樹脂構件之加工方法，其中 上述第1光及上述第2光係雷射光。
  9. 如請求項1至8中任一項之樹脂構件之加工方法，其中 上述第1波長為410 nm以下。
  10. 如請求項1至9中任一項之樹脂構件之加工方法，其中 上述第2波長超過400 nm且為550 nm以下。
  11. 如請求項1至10中任一項之樹脂構件之加工方法，其中 於照射上述第1光之步驟及照射上述第2光之步驟中，測定上述第1構件之被照射上述第1光及上述第2光之區域之溫度，根據上述第1構件之被照射上述第1光及上述第2光之區域之溫度，調整上述第1光及上述第2光之強度。
  12. 一種樹脂構件之加工裝置，其具備： 第1光照射系統，其用以對包含樹脂之第1構件之上述樹脂照射電子激發上述樹脂之第1波長之第1光；及 第2光照射系統，其用以對上述第1構件之上述樹脂照射波長相較於上述第1波長更長之第2波長之第2光； 上述第2波長之波長區域包含於藉由電子激發上述樹脂而使上述樹脂之光吸收率增大之波長區域。
  13. 如請求項12之樹脂構件之加工裝置，其 進而具有用以控制上述第1構件與第2構件之相對位置之位置控制部， 上述位置控制部使經上述第1光照射系統及上述第2光照射系統分別照射上述第1光及上述第2光之上述第1構件與上述第2構件接合。
  14. 如請求項12之樹脂構件之加工裝置，其中 將上述第1構件與第2構件以相接之方式配置之狀態下，自上述第1光照射系統及上述第2光照射系統對上述第1構件及上述第2構件之界面分別照射上述第1光及上述第2光。
  15. 如請求項12至14中任一項之樹脂構件之加工裝置，其中 上述第2波長之波長區域係藉由上述樹脂之電子激發引起的上述樹脂之升溫而使上述樹脂之光吸收率增大的波長區域。
  16. 如請求項12至14中任一項之樹脂構件之加工裝置，其中 上述第2波長之波長區域係藉由上述樹脂之電子激發引起的上述樹脂之激發三重態而使上述樹脂之光吸收率增大的波長區域。
  17. 如請求項12至16中任一項之樹脂構件之加工裝置，其中 上述第1光照射系統及上述第2光照射系統同時照射上述第1光及上述第2光。
  18. 如請求項12至17中任一項之樹脂構件之加工裝置，其中 上述第1光照射系統及上述第2光照射系統分別出射雷射光。
  19. 如請求項12至18中任一項之樹脂構件之加工裝置，其中 上述第1波長為410 nm以下。
  20. 如請求項12至19中任一項之樹脂構件之加工裝置，其中 上述第2波長超過400 nm且為550 nm以下。
  21. 如請求項12至20中任一項之樹脂構件之加工裝置，其 進而具有溫度測定部及光量控制部， 上述溫度測定部測定上述第1構件之被照射上述第1光及上述第2光之區域之溫度， 上述光量控制部根據由上述溫度測定部測得之溫度，調整上述第1光及上述第2光之強度。
  22. 一種樹脂零件之製造方法，其包括以下步驟： 對包含樹脂之第1構件照射電子激發上述樹脂之第1波長之第1光；及 對藉由上述第1光之照射而被電子激發之上述樹脂照射波長相較於上述第1波長更長之第2波長之第2光； 上述第2波長之波長區域包含於藉由電子激發上述樹脂而使上述樹脂之光吸收率增大之波長區域。
  23. 如請求項22之樹脂零件之製造方法，其進而包括以下步驟： 準備第2構件；及 藉由使上述第1構件之被照射上述第1光及上述第2光之區域與上述第2構件接觸，而將上述第1構件與上述第2構件接合。
  24. 如請求項23之樹脂零件之製造方法，其中 同時進行照射上述第2光之步驟以及將上述第1構件與上述第2構件接合之步驟。
  25. 如請求項22至24中任一項之樹脂零件之製造方法，其中 上述第2波長之波長區域係藉由上述樹脂之電子激發引起的上述樹脂之升溫而使上述樹脂之光吸收率增大的波長區域。
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