TW202133367A - 一種電子產品用的端點及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本創作揭示一種電子產品用的端點，該端點由導體及制止膜組成，導體具上表面、下表面及側邊，且下表面由第一下表面及第二下表面組成，而側邊由第一側邊及第二側邊組成，第二側邊凹設第一側邊一寬度，該凹設的寬度區域實施為第二下表面，制止膜具上表面、下表面、第一側邊及第二側邊，且導體第二下表面與制止膜上表面的一部分接合，使導體第一下表面裸露於制止膜下表面供對外電連通用；在提供一絕緣體包覆導體上表面、第一側邊及制止膜後，藉制止膜上表面與導體第二下表面接合的特徵，使制止膜具有卡住導體的功效，並使導體更穩固的與絕緣體接合在一起，當錫與導體接合且受外力拉扯時，可防止導體上表面與絕緣體產生間隙，進而可提升封裝體品質、降低封裝體高度及成本。

Description

一種電子產品用的端點及其製造方法

一種用於電子產品的端點，尤指用於半導體封裝用的端點，該端點具有導體及制止膜，並可有效避免端點受外力拉扯造成的損壞。

電子產品的發展趨勢除了要更薄更小外，更需具符合品質要求且低成本的要求，據此，從業人員不斷的突破現有材料、生產技術及產品結構的限制，創作出新的材料、生產技術及產品結構，用以滿足上述的要求。

如圖13及圖13A所示，圖13A是習用封裝體俯視圖，圖13是圖13A切割線CC的剖視圖，封裝體10包含有：框架(lead frame)59、晶片20、導電件18及塑料45，該框架59實施為無引腳扁平封裝體的(QFN)框架，其導腳(lead)及晶片座(die pad)37是由銅製成，現有大量生產最薄的框架59厚度T59是152微米(μm)，該導腳實施為端點(terminal)30，是供封裝體10對外電連通的界面(interface)用，並具有上表面31、下表面32及側邊33，端點30呈矩形狀並具有200微米的寬度D，該晶片座37是供乘載晶片20及散熱用，且下表面32裸露於大氣中；晶片20，晶片20與框架59晶片座37接合，並具有連接墊24；導電件18，其實施為導線(wire)，並與晶片20連接墊24及框架59端點30接合，使晶片20與端點30電連通；塑料45，塑料45是絕緣體並包覆框架59、晶片20及導電件18，同時，端點30下表面32及一側邊33裸露於塑料45外供對外電連通用；上述說明中，要減小框架59厚度T59達到降低封裝體10厚度T 是受到限制的，因為，當框架59厚度T59小於25微米時，除了框架59無法大量生產外，在封裝體10的製作過程中，框架59因剛性(rigidity)不足而無法被使用，同時，塑料45與端點30側邊33接合的面積及強度都會降低，當端點30與錫S接合且受外力F向下拉扯時，易使端點30上表面31與塑料45間產生間隙G的風險，使封裝體10因端點30及導電件18無法電連通而損壞，據此，封裝體10無法藉減小框架59厚度T59達到減薄的需求。

如圖14所示，是習用封裝體剖視圖，封裝體10具有電路板60、晶片20、導電件18及塑料45，該電路板60具有：端點30、絕緣層40、線路70、連接件78及防焊層90，該端點30是銅導體並實施為對外電連通的球墊(ball pad)，其具上表面31、下表面32及側邊33，該絕緣層40由BT(Bismaleimide Triazinesin)樹脂製成，其具上表面41及下表面42，絕緣層40包覆端點30上表面31及側邊33，並令端點30下表面32供錫S接合用，該線路70由銅製成，銅易被氧化而造成阻抗的增加，甚至造成線路70電性斷路的損壞，線路70下表面72與絕緣層40上表面41接合，並藉容設於絕緣層40內的連接件78與端點30電連通，且連接件78的寬度小於端點30上表面31，該防焊層90由防焊油墨(solder mask)組成，防焊層90與絕緣層40上表面41接合並包覆線路70上表面71的一部分71F，用以防止線路70被氧化，以及提升電路板60與塑料45的接合品質，因為BT樹脂的材料特性，使塑料45與絕緣層40的接合面易產生剝離的損壞，而塑料45與防焊層90的接合品質優於絕緣層40與塑料45的接合品質，並可滿足封裝體10的品質要求，同時，未被防焊層90包覆的線路70上表面71需設置保護層77，用以防止線路70被氧化，以及提升與導電件18的接合品質，該保護層77由鎳及金組成或其他金屬組成；晶片20與電路板60表面接合並具連接墊24；導電件18與晶片20連接墊24及線路70接合，使晶片20與電路板60電連通；塑料45與電路板60接合，並包覆晶片20及導電件18；上述封 裝體10的電路板60端點30厚度T3，初始設計值是15微米，當錫S與端點30接合且受外力F拉扯時，在絕緣層40與端點30上表面31及側邊32接合處，容易產生間隙G而造成連接件78無法與端點30電連通的損壞，據此，增加端點30厚度T3到25微米，藉提升端點30與絕緣層40的接合面積以避免產生間隙G，但增加端點30厚度T3，除了使絕緣層40厚度T4及封裝體10厚度T增加外，也增加了材料及製作的成本，使封裝體10無法滿足厚度要更薄及成本要更低的要求，同時，因絕緣層40下表面42無防焊層，使絕緣層40下表面42無法設置線路，因此，當需增加線路時，只能增加電路板60面積或絕緣層的層數，因而造成體積及成本的增加，使封裝體10的使用受到限制。

如圖15所示，是習用封裝體剖視圖，封裝體10包含電路板60、晶片20、導電件28及塑料45，該電路板60包括：絕緣層40、線路70、防焊層90及端點30、35，該絕緣層40由BT樹脂組成，並具上表面41及下表面42，該線路70由銅製成並被絕緣層40包覆，並令下表面72裸露於絕緣層40下表面42，該端點30由銅製成並具有上表面31及下表面32及側邊33，端點30被絕緣層40包覆，並令下表面32裸露於絕緣層40下表面42，該端點35由銅組成並與絕緣層40下表面42接合，並藉容設於絕緣層40內的連接件78與端點30電連通，該防焊層90由防焊油墨組成，其設置在絕緣層40下表面42，並包覆線路70下表面72的一部分72F及絕緣層40下表面42的一部分42F，防焊層90具有防止線路70被氧化，以及避免電路板60與塑料45間產生剝離損壞的功效，因塑料45與銅製成的線路70，或BT樹脂組成的絕緣層40接合時，易產生剝離的損壞，據此，線路70下表面72及絕緣層40下表面42未被防焊層90包覆的部分是越小越好，尤指與晶片20上表面21相對應的區域，同時，當線路70下表面72及端點30下表面32裸露於大氣中，且超過24小時或相當時間時，則需設置保護層(77)以防止線路70及端點30造成被氧化的損壞，該保護層可實施為有 機防焊劑(OSP)或金屬保護層，因此，線路70及端點30裸露於大氣中的部分是越少越好，用以防止氧化及減少保護層的成本；該覆晶(flip)的晶片20具有上表面21、下表面22及連接墊24，且導電件28實施為銅凸塊(copper pillar bump)，其由實施為銅柱(copper pillar)的元件2P，及實施為錫的元件2S接合組成，其中，元件2P的一端與晶片20連接墊24接合，晶片20設位在電路板60表面，並藉導電件28元件2S與電路板60端點30下表面32接合，使晶片20與電路板60電連通；該塑料45設置在電路板60表面，並包覆晶片20及導電件28；上述的封裝體10有下列的缺點待改良：1)當導電件28藉助焊劑(flux)與電路板60端點30接合後，需用清潔劑將助焊劑等汙染物M清除掉，但是，因防焊層90下表面92通常凸出絕緣層40下表面42有20微米，使汙染物M會積累在防焊層90側邊93而不易被清除，並使塑料45與電路板60間會因汙染物M而造成剝離的損壞；2)為確保塑料45可填滿晶片20上表面21與電路板60間的間隙G2，間隙G2高度是有設計要求的，本例的設計要求是需大於45微米，當為了提高塑料45與電路板60的接合品質，在間隙G2的區域內設置防焊層90時，間隙G2的高度會隨防焊層90的設置而減小，為維持間隙G2有45微米的要求，導電件28的高度及成本也隨著防焊層90的設置而增加，當在間隙G2區域不設置防焊層90時，除了增加要移除間隙G2區域內的防焊層90及設置保護層的成本外，還會增加線路下表面72及絕緣層40下表面42與塑料45的接合面積，使塑料45與電路板60間產生剝離的風險增大，據此，電路板60的特徵無法兼顧品質及成本的要求。

藉改變電子產品用框架或電路板的端點，使改變後的端點由導體及制止膜組成，並藉導體的第二側邊凹設於第一側邊一寬度的特徵，使導體第二下表面與制止膜上表面的一部分接合，當制止膜上表面與一絕 緣體接合後，使制止膜具有卡住導體的功效，用以避免導體與錫接合且受外力向下拉扯時，造成導體與絕緣體剝離的損壞，同時，本創作的端點結構，可有效的降低端點及封裝體的厚度。

10、1A、1B:封裝體

18、27、28:導電件

20、25:晶片

21、31、41:上表面

22、32、42、452、52、72:下表面

24:連接墊

2P、2S、8C、8D、8E:元件

30、35、3A、3B:端點

321、721:第一下表面

322、722:第二下表面

33、93:側邊

331、931:第一側邊

332、932:第二側邊

37:晶片座

38、88:凹部

3H、3K、3P:導電層

40:絕緣層

44:開孔

42F、71F、72F、81F、91F:一部分

45:塑料

4H:預留的開孔

51、71、81、91:上表面

59:框架

5A、5B、5C:端點

60:電路板

70、7A:線路

72、82、92:下表面

70A:孔墊

70B:延伸部

77:保護層

78:連接件

80、85:載板

90:防焊層

9A:制止膜

9D:光阻層

CC:切割線

D、D2:寬度

E:貼合件

F:外力

G、G2:間隙

IMC:金屬化合物

M:汙染物

T、T3、T331、T332、T3a、T4、T7、T9、T59、Ta、Tb:厚度

圖1~圖1A：封裝體的剖視圖及俯視圖

圖2~圖2B：封裝體的剖視圖及底視圖

圖3~圖5B：端點剖視圖

圖6：封裝體剖視圖

圖7A~圖7E：載板剖視圖

圖8A1~圖8B2：導電件及端點剖視圖

圖9A~圖9C及圖10A~圖10C：封裝體製作方法剖視圖

圖11、圖11A1~圖11B7及圖12A~圖12D：端點製作方法剖視圖

圖13~圖15：習用封裝體剖視圖

如圖1及圖1A所示，圖1A是封裝體俯視圖，圖1是圖1A切割線CC的封裝體剖視圖，封裝體1A具有端點、晶片、導電件及塑料，該端點5A是本創作的基本結構，其具有導體3A及制止膜9A，並令端點5A裸露於大氣中的一表面實施為下表面52，而與下表面52相對應且裸露於大氣中的另一表面實施為上表面51，該導體3A由銅或鎳等金屬製成，或由銅及錫、銅及鎳、銅及銀、銅及鎳及金等二種以上的金屬材料疊加組成，導體3A主要是供封裝體1A對外電連通的界面用，且導體3A裸露大氣中的表面可設置保護層(77_圖14)，用以提升與導電件的接合品質，導體3A具有上表面31、下表面及側邊，該下表面由第一下表面321及第二下表面322組成，該側邊由第一側邊331及第二側邊332組成，且第二側邊332凹設於第一側邊331一寬度D2， 並令寬度D2的區域(area)實施為第二下表面322，據此，令第二下表面322同樣也具有一寬度D2，且第二下表面322的寬度D2是越小越好，依據現有大量生產的工藝能力，第二下表面322的最小寬度D2可實施為15±10微米，或可依要求使寬度D2大於25為米或不大於5微米，由於第二下表面322位於第一側邊331與第二側邊332之間，使第一側邊331凸出第二側邊332，且第二側邊332位於第一下表面321與第二下表面322之間，使第一下表面321凸出於第二下表面322，同時，導體3A上表面31或/及第一下表面321，可實施為圓形或矩形或柱狀等適用的形狀，該制止膜9A是絕緣材料，其可實施為防焊油墨(如：太陽油墨公司的AUS308)，或BT樹脂(如：三菱瓦斯公司的GHPL830NS)，或ABF(Ajinomoto build-up film)樹脂或其他的絕緣材料，但優先選用防焊油墨，因防焊油墨的材料成本比BT樹脂及ABF樹脂低，且防焊油墨與塑料45的接合品質比BT樹脂好，制止膜9A具有上表面91、下表面92、第一側邊931及第二側邊932，其中，制止膜9A上表面91的一部分91F與導體3A第二下表面322接合，使裸露於大氣中的制止膜9A上表面91可供其他絕緣材料接合用，而導體3A第二側邊332與制止膜9A第一側邊931接合，使導體3A第一下表面321裸露於制止膜9A下表面92供對外電連通用，另外，制止膜9A可與一或二以上的導體3A接合；晶片20，其具有上表面21、下表面22及連接墊24，其中，下表面22可與一貼合件E接合，該貼合件E可實施為錫或銀等金屬材料，用以供晶片20散熱或供錫及其他元件接合用，或實施為樹脂等絕緣材料，用以供標示文字或符號用，且常用的貼合件E厚度是不大於25微米；導電件18，本例實施為導線，導電件18的一端分別與晶片20連接墊24及端點5A導體3A接合，使晶片20與端點5A電連通；塑料45，塑料45是絕緣材料，其與端點5A上表面51接合，並包覆晶片20及導電件18，同時，塑料45下表面452可凸出或不凸出於端點5A下表面52，當下表面452凸出於端點5A下表面52 時，可以減少晶片20的厚度，或減少導電件18的使用量，用以降低封裝體1A的厚度Tb或成本；上述的封裝體1A相比於圖13封裝體10，至少具有下列五功效：1)品質更好，在塑料45與制止膜9A上表面91、導體3A第一側邊331及上表面31接合，且錫S與導體3A的第一下表面321接合後，當錫S及導體3A受外力F向下拉扯時，藉由導體3A第一側邊331凸出第二側邊332，且第二下表面322與制止膜9A上表面91的一部分91F接合，以及塑料45與制止膜9A上表面91接合的特徵，使制止膜9A如同閘口(gate)而具有阻止導體3A被外拉的功效，並使導體3A與塑料45更穩固的接合在一起，可避免導體3A受外力F拉扯而造成與塑料45間產生間隙(G)的損壞；2)封裝體更薄，因端點5A至少可由圖11A1~圖11A3的方法製成製成，依現有工藝的能力，制止膜9A厚度T9可容易地設置在10±5微米之間，並可依需要令厚度T9是大於15微米或不大於5微米，而導體3A第一側邊331厚度T331可容易地設置在15±10微米之間，並可依需要令厚度T331是大於25微米或不大於5微米，令端點5A厚度Ta或導體3A厚度T3a可設置在10~40微米之間或不大於10微米，使端點5A厚度Ta可僅為框架59厚度T59的7%(10微米)，並使封裝體1A厚度Tb得以有效減薄，並可達到電子產品要更薄的需求；3)散熱更好，由於封裝體1A無晶片座(37)，使晶片20產生的熱可由較短的散熱路徑發散到封裝體1A外部，使晶片20能維持應有的效能，該較短的散熱路徑是自晶片20下表面22直接經由貼合件E散發到封裝體1A外部；4)線路密度更高，因制止膜9A可避免線路被氧化及電性短路的損壞，使上表面91可再設置線路(7A_圖3)而增加線路的密度，且線路可與導體3A、3B電連通或不連通，據此，可減少封裝體的設計限制，以及提升封裝體的功效；5)由於封裝體1A無晶片座(37)，使塑料45不需與晶片座接合，進而可減少塑料45與晶片座間剝離的風險。

如圖2、圖2A及圖2B所示，圖2A及圖2B是封裝體底視圖，圖 2是圖2A或圖2B切割線CC的封裝體剖視圖，封裝體1B具有：端點、晶片、導電件及塑料，該端點5B是以圖1端點5A為基礎發展而得，端點5B除了導體3B外，其餘的特徵及符號與圖1端點5A相同請參閱圖1說明，該導體3B的特徵及符號與導體3A相同，並令導體3B實施為晶片座(37)，用以供承載晶片20及導電件18接合用，且可依需求令封裝體1B底部，除了導體3A第一下表面321及制止膜9A下表面92外，其餘部分均為導體3B第一下表面321(圖2B)，據此，使設置在導體3B的晶片20，其產生的熱可藉更大的導體3B面積達到提升散熱的效率，用以避免晶片20因過熱使功效衰減或損壞，而本例的導體3A第一下表面321，及導體3B第一下表面321的寬度或面積，可分別實施與圖13框架59的端點30下表面32及晶片座37下表面32相同，使端點5B同樣可具有圖13框架59相同的功效；該晶片20、導電件18及塑料45的特徵及符號，是與圖1的晶片20、導電件18及塑料45相同請參閱圖1說明，其中，晶片20設置在導體3B上表面31，一導電件18使晶片20與導體3A電連通；上述的封裝體1B相比於圖13習用封裝體10，至少具有下列二功效：1)散熱更好，由於端點5B厚度Ta比框架59厚度T59更薄，令晶片20產生的熱可由較短的散熱路徑發散到封裝體1B外部，該較短的散熱路徑是自導體3B上表面31到第一下表面321；2)品質更好，因導體3A第二下表面322只需要有一部分與制止膜9A上表面91的一部分91F接合，就能達到避免導體3A剝離的損壞，據此，可令導體3A第二下表面322的一部分322F(圖2A、圖2B)裸露於大氣中，藉此就可提升導體3A與錫(S)的接合面積及品質，進而減少導體3A第一下表面321與錫間造成剝離的風險。

如圖3~圖4所示，是端點剖視圖，端點B、5C是以圖1端點5A為基礎發展而得，端點5B、5C除了更是具有一絕緣體外，其他元件的特徵及符號與圖1端點5A相同請參閱圖1說明，該絕緣體實施為絕緣層40，絕緣 層40可由防焊油墨或BT樹脂或ABF樹脂或其他材料製成，其具上表面41及下表面42，並令上表面41實施為端點5B、5C上表面51的一部分，絕緣層40具提升端點5B、5C剛性，或調整端點5B、5C曲蹺程度，或乘載線路70等功效，絕緣層40與制止膜9A上表面91，以及至少與導體3A第一側邊331接合，在絕緣層40與制止膜9A及導體3A接合後，藉絕緣層40與制止膜9A的結合，使制止膜9A如同閘口而具有阻止導體3A被外拉功效，並使導體3A更穩固的與絕緣層40接合在一起，以避免導體3A與絕緣層40間產生剝離的損壞，同時，制止膜9A上表面91可再具有線路7A，使端點5B、5C與線路7A結合後具有一層(layer)線路的功效，該線路7A的至少一部份被絕緣層40包覆，並可令線路7A與導體3A電連通或不電連通，或令線路7A裸露大氣中的表面可設置保護層(77)，或令線路7A厚度T7與導體3A第一側邊331厚度T331的規格是相同的；另外，圖3的絕緣層40上表面41可依需求設置線路70，使端點5B與線路70的結合而具有二層線路的功效，並使絕緣層40具承載線路70的功效，該線路70與絕緣層40上表面41接合，其由孔墊(via land)70A及延伸部70B組成，且孔墊70A與導體3A上表面31接合而電連通，延伸部70B可在絕緣層40表面延伸用以傳輸電性，而導體3A第一下表面321可凹設於制止膜9A下表面92；而圖4的絕緣層40可依需求包覆導體3A且上表面41凸出於導體3A上表面31，或令絕緣層40具有開孔44，使導體3A上表面31可對外電連通，或令開孔44寬度小於導體3A上表面31寬度，用以設置連接件(78_圖5A)，或令絕緣層40上表面41可設置線路(70_圖3)，或令絕緣層40具有預留的開孔4H，使導體3A上表面31被絕緣層40的一部分40F包覆而暫時不能對外電連通，用以防止導體3A氧化的損壞，絕緣層40一部分40F在封裝體製作過程中會被移除，使預留開孔4H轉換成開孔44，或令導體3A第一下表面321凸出於制止膜9A下表面92，使第二側邊332的一部分裸露於大氣中，用以增加導體3A與錫或 其他材料的接合面積及強度。

如圖5A~圖5B所示，是端點剖視圖，端點5B除了導體3A及制止膜9A外，其他元件的符號及特徵與圖14電路板60相同請參閱圖14說明，而導體3A及制止膜9A的特徵及符號與圖1導體3A及制止膜9A相同，請參閱圖1說明，該絕緣層40與導體3A第一側邊331、上表面31及制止膜9A上表面91接合，且制止膜9A第二側邊932可裸露或不裸露於大氣中，由圖5A~圖5B得知，本創作的端點結構，可結合絕緣層40、線路70、線路7A、連接件78、保護層77及防焊層90等的元件，使端點5B更具實用性；上述端點5B相比於圖14電路板60至少具有下列三優點：1)品質更好，在絕緣層40與制止膜9A上表面91、導體3A第一側邊331及上表面31接合，且錫(S)與導體3A的第一下表面321接合後，當錫及導體3A受外力(F)拉扯時，由於導體3A第二下表面322與制止膜9A上表面91的一部分91F接合，以及絕緣層40與制止膜9A上表面91接合的特徵，使制止膜9A如同閘口而具有阻止導體3A被外拉的功效，並使導體3A與絕緣層40更穩固的接合在一起，可避免導體3A因受外力而造成與絕緣層40間產生間隙(G)的損壞；2)厚度更薄，因導體3A可更穩固的與絕緣層40接合在一起，使導體3A厚度T3a可小於10微米而低於圖14端點30厚度T3(25微米)；3)線路密度更高，圖5B的制止膜9A上表面91可設置線路7A，並藉連接件78與線路70電連通，使端點5B有更高的線路密度。

如圖6所示，是封裝體的剖視圖，封裝體1B除了導體3A及制止膜9A外，其他元件的符號及特徵與圖15封裝體10相同請參閱圖15說明，而導體3A及制止膜9A的特徵及符號與圖1導體3A及制止膜9A相同，請參閱圖1說明，該絕緣層40與導體3A第一側邊331、上表面31及制止膜9A上表面91接合，另外，依需求晶片20及導電件28可置換成圖1的晶片20及導電件18；上述封裝體1B相比於圖15封裝體10至少具有下列三優點：1)品質更好，當 制止膜9A實施為防焊油墨時，端點5B下表面52與塑料45接合，尤指與晶片20上表面21相對應的區域，除導體3A第一下表面321外，其他區域均為制止膜9A，使線路70不會被氧化，並使塑料45與制止膜9A間具有最大化的接合面積及強度，且平整的制止膜9A下表面92不會積累汙染物(M)，使塑料45與端點5B間可避免因汙染物(M)而產生剝離的損壞；2)成本更低，由於端點5B不需要移除間隙G2區域內制止膜9A，以及導電件28在與導體3A接合前，端點5B下表面52可與載板(80_圖10A)接合，使導體3A第一下表面321不需設置保護層(77)，以及制止膜9A可實施為成本較低的防焊油墨等，以上三點均可使端點5B成本得以降低；3)導電件成本更低，導體3A第一下表面321可凸出於制止膜9A下表面92(圖8B1)，在相同的間隙G2要求下，可降低導電件28的高度及成本。

如圖7A~圖7E所示，是載板的實施例剖視圖，本創作的端點在使用的過程中，因剛性不足或曲翹(warpage)過大造成擠壓的損壞時，尤指端點厚度小於100微米時，可於端點下表面或/及上表面，結合一載板用以避免上述的損壞，或參閱圖10A使載板80具有防止導體(3A)第一下表面(321)被氧化，以及減少設置保護層(77)成本的功效，但因載板80是輔助材料，在端點與塑料(45)結合後會被移除；該載板80可由導電材料及/或絕緣材料組成，並具有上表面81及下表面82，載板80由一或一以上的元件8C或元件8D或元件8E組成，並令元件8C、8D、8E可實施為載板80的上表面81或下表面82，該元件8C是導電材料，元件8D是絕緣材料，元件8E是具微黏性且可撕除的黏膠材料，元件8E主要功效是供二元件接合用，且要將二元件拆開時易於被剝離，用以降低剝離的難度及成本；當元件8C實施為載板80上表面81或下表面82時，其可供製作導體3A時電鍍工序中的導電路徑用(圖11A2)，當載板80具有凹部(88_圖11A2)時，可使導體(3A)及塑料(45)凸出於制止膜下表 面，當元件8E設置在載板80內時，其供二元件間的接合用；圖7A~圖7E僅為實施例說明用，可依需求增加或減少元件8C、8D、8E的數量，如：圖7A可不設置元件8E，或圖7B的元件8D置換成元件8E，或圖7C的二元件C間設置元件E，或圖9A所示的載板85等等。

如圖8A1及圖8B1所示，是端點5A與導電件27、28接合前的剖視圖，端點5A是由圖4端點5C發展而得，其特徵及符號與圖4端點5C有相同處，相同處請參閱圖4說明，導體3A主要由銅組成且具有錫組成的第三導電層3P，並令第一下表面321凸出於制止膜9A下表面92，該晶片20、25具有連接墊24，圖8A1的導電件28是由元件2P及元件2S接合組成，其中，元件2P的一端與晶片20連接墊24接合，而元件2P的另一端與元件2S接合，由於元件2P是柱狀的銅金屬，而元件2S是藉200℃以上的高溫經融化冷卻後呈半球形狀的錫金屬，在加溫的過程中，元件2P與元件2S的接合面會產生金屬化合物IMC，使導電件28的阻抗也隨著金屬化合物IMC的產生而增加，而圖8B1的導電件27僅具有元件2P，該元件2P是柱狀的銅金屬，其一端與晶片25連接墊24接合，而另一端因無錫金屬且未施加高溫而不會產生金屬化合物；接著，如圖8A2及圖8B2所示，是端點5A與導電件27、28接合後的剖視圖，當導電件27、28藉200℃以上的高溫與端點5A接合時，會使銅與錫的界面產生金屬化合物IMC，尤其就導電件28元件2P與元件2S的接合面而言，因是再次的施加高溫，使導電件28阻抗隨金屬化合物IMC再次的增厚而增加，進而增加晶片20電性衰減或失效的風險，而相比於導電件27，導電件27施加高溫的次數比導電件28少，使導電件27元件2P與第三導電層3P間的金屬化合物IMC，比導電件28元件2P與元件2S間的金屬化合物IMC更薄，並使導電件27可靠性比導電件28更好，且因不設置錫的元件(2S)而能降低成本。

如圖9A~圖9C所示，是封裝體製造方法實施例剖視圖，首 先，如圖9A所示，先提供端點5B及載板85，其中，載板85上表面81與端點5B下表面52接合，端點5B特徵及符號與圖1端點5A相同請參閱圖1說明，而載板85特徵及符號與圖7B載板80有相同處，相同處請參閱圖7B說明，此載板85的一元件8C與元件8D之間更是具有微黏性的元件8E，接著，提供晶片20及導電件18，本例晶片20是與制止膜9A上表面91接合，導電件18的一端分別與晶片20連接墊24及端點5B導體3A接合，使晶片20與端點5B電連通，該晶片20及導電件18可置換成圖8A1的晶片20及導電件28，接著，提供塑料45，塑料45與端點5B上表面51接合，並與晶片20、導電件18及導體3A的上表面31及第一側邊331接合；接著，如圖9B所示，提供移除工序先將載板85的元件8E移除，並使與端點5B接合的元件8C未被移除，接著，以蝕刻工序將元件8C移除，使導體3A的第一下表面321可對外電連通，同時，可依需求將導體3A的一部分除，使導體3A第一下表面321凹設於制止膜9A下表面92，至此，封裝體1B就已形成；接著，如圖9C所示，可依需求再提供蝕刻的移除工序，將導體3A的一部分移除使導體3A具有凹部38，並令凹部38底部實施為第一下表面321，而位於第一下表面321與第二下表面322間的區域實施為第二側邊332，並藉第二側邊332提升與錫(S)的接合面積及強度；上述製作方法僅為實施例，端點5B可置換成如圖1~圖8A的任一端點，而載板85可置換成如圖7A~圖7E所示的任一載板。

如圖10A~圖10C所示，是封裝體製造方法實施例剖視圖，首先，如圖10A所示，端點5B特徵及符號與圖4電路板5C相似，相同處請參閱圖4說明，其三不同處是：1)一實施為導電材料的載板80與端點5B下表面52接合；2)導體3A第一下表面321不凸出於制止膜9A下表面92；3)絕緣層40可具有開孔44或預留的開孔(4H)，圖10A實施為具有開孔44使導體3A及線路7A可對外電連通；接著，如圖10B所示，提供移除工序將載板80移除，並使 導體3A第一下表面321可平齊或凹設於制止膜9A下表面92；接著，如圖10C所示，一晶片20設位在端點5B下表面52，晶片20連接墊24藉實施為銅凸塊的導電件28與導體3A電連通，該導電件28具有實施為銅柱的元件2P，以及實施為錫金屬的元件2S，另外，導電件28可置換成圖8B1的導電件27，而導體3A更是可具有由錫製成的第三導電層(3P)，使端點5B更具實用性，接著，提供塑料45，塑料45與端點5B下表面52接合，並包覆晶片20及導電件28，至此，封裝體1B就已形成；上述製作方法僅為實施例，可依需求將晶片20設置在端點5B下表面52，並令導電件28與導體3A或/及線路7A電連通，或令端點5B可置換成如圖1~圖9A的任一端點，或令絕緣層40開孔44可置換成圖4所示的預留的開孔(4H)，當具有預留的開孔時，在圖10C的製作過程中，於設置塑料45後，需再提供一開孔工序，將預留的開孔轉換成開孔44，並使導體3A及線路7A可對外電連通，而載板80可置換成如圖7A~圖7E及圖9A的任一載板。

如圖11所示，是制止膜9A及導電層3K與載板80的結構剖面圖，該結構是本創作端點製作方法的先期準備材料，且載板80是輔助材料，最終會與制止膜9A分離，其特徵說明如下：載板80，其具有上表面81及下表面82，並由導電材料製成的元件8C，及由絕緣材料製成的元件8D組成，載板80可置換成本創作說明內容中的任一載板，請參閱圖7A~圖7E說明；制止膜9A，其為絕緣材料並具有上表面91及下表面92，其中，下表面92與載板80上表面81接合，同時，因載板80上表面81是平整的，使固態或非固態的制止膜9A厚度T9可容易的實施為10±5微米，甚至是大於15微米或不大於5微米，據此，除可降低制止膜9A材料成本外更可製造出薄的端點；導電層3K，其可由銅或導電膜(seed layer)或其他導電的底層塗料製成，導電層3K與制止膜9A上表面91接合；接著，如圖11A1~圖11A3及圖11B1~圖11B3所示，是本 創作端點的基本製作方法剖視圖，首先，如圖11A1及圖11B1所示，先取圖11所示的載板80、制止膜9A及導電層3K，接著，提供雷射或蝕刻的移除工序，使制止膜9A具有第一側邊931及第二側邊932，其中，圖11B1的載板80更是具有一或一以上的凹部88，並使載板80上表面81的一部分81F或/及凹部88裸露於大氣中，接著，在導電層3K及制止膜9A裸露於大氣的表面，設置導電膜或導電的底層塗料用以生成第二導電層或/及第三導電層3P；接著，如圖11A2及圖11B2所示，提供實施為電鍍或其他的生成工序，當實施為電鍍的生成工序時，載板80元件C可實施為電鍍的導電路徑，藉生成工序將以銅為主要材料的第二導電層3H，設置在裸露於大氣中的載板80、制止膜9A及導電層3K的表面，使導電層3K及第二導電層3H堆疊設置在一起，並可依要求設置第二導電層3H的厚度，用以滿足端點對各種厚度的要求，另外，如需設置第三導電層3P時，在設置第二導電層3H前，先將第三導電層3P設置在裸露大氣中的載板80上表面81或凹部88內(圖11B2)，或令第三導電層3P的一部分與制止膜9A第一側邊931接合，該第三導電層3P可由鎳或錫或銀等導電材料製成，或由鎳及錫或由鎳、鈀及金等其他的導電材料組成，接著，將光阻層9D設置在第二導電層3H表面；接著，如圖11A3及圖11B3所示，提供蝕刻的移除工序，將不與光阻層9D接合的第二導電層3H及導電層3K逐漸的移除，直到制止膜9A上表面91裸露於大氣中止，並令殘留的第二導電層3H及導電層3K轉換成導體3A，接著，將光阻層9D移除，至此，端點5A就已形成，使端點5A是由制止膜9A及導體3A組成，或依需求再提供雷射或其他的移除工序，將制止膜9A不與導體3A接合且不需要的部分移除，使制止膜9A上表面91可為任意的圖案(pattern)，該制止膜9A具上表面91、下表面92、第一側邊931及第二側邊932，該導體3A具上表面31、下表面及側邊，其中，下表面由第一下表面321及第二下表面322組成，側邊由第一側邊331及第二 側邊332組成，且第二側邊332凹設於第一側邊331一寬度D2，使第一側邊331凸出於第二側邊332，以及第一下表面321凸出於第二下表面322，該凹設的寬度D2區域實施為第二下表面322，且第二下表面322與制止膜9A上表面91的一部分91F接合，而第二側邊332位於第一下表面321與第二下表面322之間，並與制止膜9A第一側邊931接合，並令導體3A第一下表面321及制止膜9A下表面92實施為端點5A下表面52，而與下表面52相對應裸露於大氣中的表面實施為端點5A上表面51，另外，圖11B3導體3A的一部分容置於載板80凹部88內，令導體3A更是具有第三導電層3P，且第三導電層3P實施為第一下表面321；接著，如圖11A4~圖11A7及圖11B4~圖11B7所示，在完成圖11A3及圖11B3後可依產品需求增加製作工序，使端點5A更具有其他功效，首先，如圖11A4及圖11B4所示，提供移除工序將載板80移除，使端點5A下表面52裸露於大氣中；再如圖11A5及圖11B5所示，藉貼合工序使一絕緣材料與導體3A上表面31、第一側邊331及制止膜9A上表面91接合，該絕緣材料實施為絕緣層40，其可由防焊油墨或BT樹脂或其他絕緣材料製成，並令絕緣層40上表面41實施為端點5A上表面51的一部分，或再提供開孔工序使絕緣層40具有開孔44，並使導體3A上表面31可對外電連通，或令絕緣層40具有或預留的開孔4H，使絕緣層40的一部分40F與導體3A上表面31接合，並使導體3A上表面31暫時無法對外電連通，接著，如圖11A6及圖11B6所示，可提供一貼合工序，將載板85下表面82與端點5A上表面51接合，該載板85可置換成圖7A~圖7E所述的任一載板；接著，如圖11A7及圖11B7所示，載板80可完全的或部分的移除，其中，圖11A7是將載板80的一部分移除，並保留元件8C用以避免導體3A第一下表面321被氧化，而圖11B7是將載板80完全移除，使導體3A下表面321裸露於大氣中；上述工序僅為端點5A製作方法的實施例，可依產品需求設置線路(70、7A_圖3~圖4)或連接件(78_圖5A~圖5B)等等。

如圖12A~圖12D所示，是端點的製作方法剖視圖，首先，如圖12A所示，該載板80、制止膜9A及導電層3K的特徵及符號是與圖11A1相同，請參閱圖11A1說明，且載板80也可具有凹部(88_圖11B1)，而光阻層9D與導電層3K接合，並令導電層3K、制止膜9A及載板80的一部分裸露於大氣中；接著，如圖12B所示，提供生成工序用以設置第二導電層3H或/及第三導電層3P，該生成的工序與圖11A2請參閱圖11A2說明，接著，提供移除工序將光阻層9D移除，使導電層3K及第二導電層3H的一部分裸露於大氣中；接著，如圖12C所示，提供蝕刻的移除工序，將導電層3K及第二導電層3H的一部分(虛線)移除；接著，如圖12D所示，當完成圖12C的製作方法後，導電層3K及第二導電層3H就轉換成導體3A，至此，端點5B就已形成，端點5B的特徵與圖11A3的端點5A相同請參閱圖11A3說明；接著，依據產品要求，及圖11A4~圖11A7或圖11B4~圖11B7的方法，可令端點5B具有絕緣層(40)或線路(70、7A)或連接件(78)等等。

18:導電件

1A:封裝體

20:晶片

24:連接墊

21、31、51、91:上表面

22、452、52、92:下表面

321:第一下表面

322:第二下表面

331:第一側邊

332:第二側邊

3A:導體

45:塑料

5A:端點

91F:一部分

9A:制止膜

D2:寬度

E:貼合件

F:外力

T331、T9、Ta、Tb:厚度

Claims (16)

1. 一種電子產品的端點，該端點供電子產品供對外電連通的界面用，其具有導體及制止膜，並令端點裸露於大氣中的一表面實施為下表面，而與下表面相對應且裸露於大氣中的另一表面實施為上表面，其特徵是：所述導體，其具有上表面、下表面及側邊，該下表面由第一下表面及第二下表面組成，該側邊由第一側邊及第二側邊組成，且第二側邊凹設於第一側邊一寬度，並令該寬度的區域實施為第二下表面，據此，令此第二下表面同樣也是具有一寬度，由於第二下表面位於第一側邊與第二側邊之間，使第一側邊凸出第二側邊，且第二側邊位於第一下表面與第二下表面之間，使第一下表面凸出於第二下表面；及

   所述制止膜，其為絕緣材料並具有上表面、下表面、第一側邊及第二側邊，其中，制止膜上表面的一部分與導體第二下表面接合，使裸露於大氣中的制止膜上表面可供其他絕緣材料接合用，而導體第二側邊與制止膜第一側邊接合，使導體第一下表面裸露於制止膜下表面供對外電連通用；該制止膜的功效如下，在一絕緣材料與制止膜上表面及導體第一側邊接合後，藉由導體第二下表面與制止膜上表面的一部分接合，以及絕緣材料與制止膜上表面接合的特徵，使制止膜如同閘口而具有阻止導體被外拉的功效，並使導體與該絕緣材料更穩固的接合在一起，可避免導體因受外力而造成與絕緣材料間產生間隙的損壞。
2. 如申請專利範圍第1項所述之一種電子產品的端點，其中，導體更是具有第三導電層，並令第三導電層實施為導體第一下表面。
3. 如申請專利範圍第1項所述之一種電子產品的端點，其中，端點第一下表面凸出於制止膜下表面。
4. 如申請專利範圍第1項所述之一種電子產品的端點，端點更具有線路，線 路的一表面與制止膜上表面接合。
5. 如申請專利範圍第1項所述之一種電子產品的端點，端點更是具有絕緣層，該絕緣層具有上表面及下表面，絕緣層至少與制止膜上表面及導體第一側邊接合，並令裸露於大氣的絕緣層上表面實施為端點上表面。
6. 如申請專利範圍第5項所述之一種電子產品的端點，其中，絕緣層上表面凸出於導體上表面並具有開孔，使導體上表面可對外電連通。
7. 如申請專利範圍第6項所述之一種電子產品的端點，端點更是具有連接件，此連接件設置在開孔內並與導體電連通。
8. 如申請專利範圍第5項所述之一種電子產品的端點，其中，絕緣層的一部分包覆導體上表面，並令絕緣層具有預留的開孔，使導體上表面暫時無法對外電連通。
9. 如申請專利範圍第1項所述之一種電子產品的端點，其中，端點的表面更是至少與一載板接合，該載板具有上表面及下表面。
10. 如申請專利範圍第9項所述之一種電子產品的端點，其中，載板與端點表面接合的元件實施為導電材料。
11. 如申請專利範圍第9項所述之一種電子產品的端點，其中，載板表面具有凹部。
12. 如申請專利範圍第1項所述之一種電子產品的端點，其中，導體厚度不大於40微米。
13. 如申請專利範圍第1項所述之一種電子產品的端點，其中，制止膜厚度不大於10微米。
14. 如申請專利範圍第1項所述之一種電子產品的端點，其中，制止膜實施為防焊油墨。
15. 一種封裝體，封裝體包括有端點、晶片、導電件及塑料，其特徵是： 所述端點，端點與申請專利範圍第1項所述之一種電子產品的端點相同；

    所述晶片，具上表面、下表面及連接墊，晶片設置在端點表面；

    所述導電件，導電件的一端與晶片連接墊接合，而另一端與端點的導體接合，使端點與晶片電連通；及

    所述塑料，塑料與端點表面接合，並包覆晶片及導電件。
16. 如申請專利範圍第15項所述之一種封裝體，其中，導電件實施為銅柱，其一端與晶片的連接墊接合，使晶片與導電件電連通，而另一端供端點的導體第一下表面接合，同時，端點的導體第一下表面實施為由錫組成的第三導電層。

Images