TW202132881A - 面狀光源 - Google Patents

Abstract

本發明之課題在於提供一種能夠減少發光面內之亮度不均之面狀光源。 對光源發出之光具有反射性及透光性之第1光調整構件係於導光板之貫通孔內設置於光源之上面。對光源發出之光具有反射性及透光性之第2光調整構件係與第1光調整構件分離地設置於第1光調整構件上。對光源發出之光之透過率較第1光調整構件及第2光調整構件高之第1透光性構件係設置於第1光調整構件與第2光調整構件之間、及光源之側面與導光板之間。

Description

面狀光源

本發明係關於一種面狀光源。

發光二極體等發光元件與導光板組合而成之發光模組被廣泛用於例如液晶顯示器之背光裝置等面狀光源中。發光元件配置於導光板之正下方之正下方型背光裝置中，發光元件附近之區域之亮度容易局部變高。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2011-211085號公報 [專利文獻2]國際公開第2010/070885號

[發明所欲解決之問題]

本發明之目的在於提供一種能夠減少發光面內之亮度不均之面狀光源。 [解決問題之技術手段]

根據本發明之一態樣，面狀光源具備：導光板，其具有第1面、上述第1面之相反側之第2面、及自上述第1面貫通至上述第2面之貫通孔；光源，其配置於上述導光板之上述貫通孔；第1光調整構件，其於上述貫通孔內設置於上述光源之上面，對上述光源發出之光具有反射性及透光性；第2光調整構件，其與上述第1光調整構件分離地設置於上述第1光調整構件上，對上述光源發出之光具有反射性及透光性；及第1透光性構件，其設置於上述第1光調整構件與上述第2光調整構件之間、及上述光源之側面與上述導光板之間，且對上述光源發出之光之透過率較上述第1光調整構件及上述第2光調整構件高。 [發明之效果]

根據本發明，可提供一種能夠減少發光面內之亮度不均之面狀光源。

以下，參照圖式對實施方式進行說明。再者，對各圖式中相同要素標註相同符號。

圖1係本發明之一實施方式之面狀光源100之模式俯視圖。圖1係表示觀察面狀光源100之發光面之俯視圖。於圖1中，將相對於面狀光源100之發光面平行且相互正交之2個方向設為X方向及Y方向。

面狀光源100具有沿著X方向及Y方向排列之複數個發光區域1。發光區域1具有四邊形之外形，該四邊形具有沿著X方向延伸之2邊與沿著Y方向延伸之2邊。

1個發光區域1例如可作為區域調光之驅動單位。再者，構成面狀光源100之發光區域1之數量不限於圖1所示之數量。面狀光源100亦可由1個發光區域1構成。

圖2係圖1之II-II線之模式剖視圖，表示1個發光區域1之模式剖面。

發光區域1具有導光板10、光源20、第1光調整構件31、第2光調整構件32、第1透光性構件33、第1光反射性構件41、第2光反射性構件42、劃分構件43、及配線基板50。

導光板10對光源20發出之光具有透光性。光源20具有發光元件21。所謂光源20發出之光，係表示發光元件21發出之光。又，於光源20包含螢光體之情形時，光源20發出之光中亦包含螢光體發出之光。

作為導光板10之材料，例如可使用丙烯酸樹脂、聚碳酸酯、環狀聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯、聚酯等熱塑性樹脂、環氧樹脂、矽酮等熱硬化性樹脂、玻璃等。

導光板10具有為面狀光源100之發光面之第1面11、及第1面11之相反側之第2面12。進而，導光板10具有自第1面11貫通至第2面12之貫通孔13。光源20配置於貫通孔13。

導光板10之厚度較佳為200 μm以上800 μm以下。導光板10於其厚度方向上可以單層構成，亦可以複數層之積層體構成。於導光板10以積層體構成之情形時，可於各層之間設置透光性之接著層。積層體之各層可使用不同種類之主材。

圖3A係光源20之模式剖視圖。

光源20具有發光元件21。發光元件21具有半導體積層構造。發光元件21例如包含In_x Al_y Ga_{1 － x － y} N(0≦x、0≦y、x＋y≦1)作為半導體積層構造，能夠發出藍色光。作為發光元件21，亦可使用出射藍色以外之光(例如紫外光等)之元件。

第2透光性構件22覆蓋發光元件21之上面及側面。第2透光性構件22由透光性樹脂22a構成。第2透光性構件22可包含分散地包含於透光性樹脂22a中之螢光體22b。

透光性樹脂22a例如為矽酮樹脂、環氧樹脂。螢光體22b被發光元件21發出之光激發，而發出與發光元件21發出之光之波長不同之波長之光。例如，作為螢光體22b，可使用YAG螢光體、β賽隆螢光體、KSF系螢光體或MGF系螢光體等氟化物系螢光體、CASN系螢光體等氮化物螢光體等。螢光體亦可為量子點螢光體。第2透光性構件22可包含1種螢光體、或複數種螢光體。又，第2透光性構件22能夠設為如下構成：單一之螢光體之層或積層複數個不同種類之螢光體之層。

於發光元件21之下面側設置有一對正負電極23。於發光元件21之下面設置有被覆構件24，電極23之表面(圖3A中之下面)自被覆構件24露出。被覆構件24亦可設於覆蓋發光元件21之側面之第2透光性構件22之下面。

被覆構件24對光源20發出之光具有反射性。被覆構件24例如係包含氧化鈦、二氧化矽、氧化鋁、氧化鋅或玻璃等作為光擴散材之白色之樹脂構件。

如圖2所示，於導光板10之貫通孔13內設有第1透光性構件33。第1透光性構件33對光源20發出之光具有透光性，例如可使用與導光板10之材料相同之樹脂、或與導光板10之材料之折射率差較小之樹脂。或，亦可使用玻璃作為第1透光性構件33之材料。

第1透光性構件33設置於光源20之側面與導光板10之間。光源20之側面與第1透光性構件33、及導光板10與第1透光性構件33係直接相接。較佳為於光源20之側面與第1透光性構件33之間、及導光板10與第1透光性構件33之間不形成空氣層等空間。

光源20於貫通孔13內配置於配線基板50上。配線基板50具有絕緣基材51及配線層52。發光元件21之電極23經由導電性之接合構件61接合於配線層52。接合構件61例如為焊料。第1透光性構件33亦可設置於光源20與配線基板50之間、及接合構件61之周圍。

配線基板50接著於導光板10之第2面12側。於導光板10之第2面12與配線基板50之間設置有第1光反射性構件41。第1光反射性構件41對光源20發出之光具有反射性。第1光反射性構件41例如係包含氧化鈦、二氧化矽、氧化鋁、氧化鋅或玻璃等作為光擴散材之白色之聚對苯二甲酸乙二酯、或形成有多個氣泡之白色之聚對苯二甲酸乙二酯之片材。

於光源20之周邊，在位於貫通孔13之底部之配線基板50之表面上設置有第2光反射性構件42。第2光反射性構件42例如係包含氧化鈦、二氧化矽、氧化鋁、氧化鋅或玻璃等作為光擴散材之白色之樹脂構件。

於1片導光板10上設置有複數個發光區域1。如圖1所示，於導光板10上形成有沿著X方向及Y方向延伸之格子狀之槽14，槽14劃分出各個發光區域1。

如圖2所示，於槽14內設置有劃分構件43。劃分構件43例如係包含氧化鈦、二氧化矽、氧化鋁、氧化鋅或玻璃等作為光擴散材之白色之樹脂構件，對光源20發出之光具有反射性。又，劃分構件43亦可為Al、Ag等金屬構件。

劃分構件43抑制相鄰之發光區域1間之導光。例如，限制自發光狀態之發光區域1向非發光狀態之發光區域1之導光。藉此，可實現以各個發光區域1為驅動單位之區域調光。

於圖2中，劃分構件43係填充在槽14內。劃分構件43亦可設置成沿著槽14之內面之膜狀。

於圖2中，示出了在第1面11側具有開口、底部未到達第2面12之有底之槽14，但槽14亦可自第1面11貫通至第2面12。又，亦可為在第2面12側具有開口、底部未到達第1面12之有底之槽14。又，亦可為設置於導光板10之內部之中空槽。

於貫通孔13內之光源20之上面設置有第1光調整構件31。第1光調整構件31位於貫通孔13內。第1光調整構件31可與光源20一體形成。第1光調整構件31與光源20之上面(圖2所示之例中為第2透光性構件22之上面)相接，直接覆蓋光源20之上面。又，於第1光調整構件31與光源20之間亦可介置有其他層(例如第3透光性構件等)。

第2光調整構件32係與第1光調整構件31分離地設置於第1光調整構件31上。第1光調整構件31及第2光調整構件32對光源20發出之光具有反射性及透光性。第1透光性構件33之對光源20發出之光之透過率可設為第1光調整構件31及第2光調整構件32之對光源20發出之光之透過率之2倍～100倍。

於第1光調整構件31與第2光調整構件32之間設置有第1透光性構件33，且第2光調整構件32設置於第1透光性構件33上。第1透光性構件33之對光源20發出之光之透過率較第1光調整構件31及第2光調整構件32高。

如圖3A所示，第1光調整構件31具有透光性樹脂31a、及分散地包含於透光性樹脂31a中之光擴散材31b。透光性樹脂31a例如為矽酮樹脂、環氧樹脂。光擴散材31b例如為氧化鈦、二氧化矽、氧化鋁、氧化鋅或玻璃等。第2光調整構件32亦與第1光調整構件31同樣地具有透光性樹脂、及分散地包含於透光性樹脂中之光擴散材。

第2光調整構件32之光擴散材之濃度較第1光調整構件31之光擴散材之濃度低。因此，第2光調整構件32之對光源20發出之光之透過率較第1光調整構件31之對光源20發出之光之透過率高。

或，藉由使第2光調整構件32較第1光調整構件31薄，亦可使第2光調整構件32之透過率較第1光調整構件31之透過率高。

再者，第1光調整構件31及第2光調整構件32例如亦可為Al、Ag等金屬構件、或介電體多層膜。

第1光調整構件31覆蓋光源20之上面之整面。第1光調整構件31不自光源20之上面突出。因此，第1光調整構件31之平面尺寸與光源20之平面尺寸相同。

於圖1所示之發光區域1之俯視時，第2光調整構件32之寬度較第1光調整構件31之寬度大。此處之寬度表示X方向之寬度、Y方向之寬度、及相對於這2個方向傾斜之方向之寬度。即，第2光調整構件32之平面尺寸較第1光調整構件31之平面尺寸大，第2光調整構件32以經由第1透光性構件33間接覆蓋第1光調整構件31之整面之方式擴展。

第2光調整構件32之外緣32a位於較貫通孔13之邊緣13a更靠內側之位置，與貫通孔13之邊緣13a分離。即，第2光調整構件32未越過導光板10與第1透光性構件33之邊界。即便於導光板10之熱膨脹率與第1透光性構件33之熱膨脹率之差較大之情形時，第2光調整構件32亦不位於其等之邊界，因此，第2光調整構件32不受導光板10與第1透光性構件33之熱膨脹率差引起之應力之影響。藉此，可防止第2光調整構件32之剝離或龜裂之產生等。

第1光調整構件31使向光源20之正上方出射之光之一部分擴散反射，使另一部分透過。藉此，於發光區域1之發光面，可抑制光源20之正上方區域之亮度與其他區域之亮度相比變得極高。但，於此情形時反而有光源20之正上方區域與其他區域相比變暗之顧慮。

因此，於本實施方式中，將第2光調整構件32與第1光調整構件31分離地設置於第1光調整構件31上，於第1光調整構件31與第2光調整構件32之間設置透過率較第1光調整構件31及第2光調整構件32高之第1透光性構件33。自光源20出射之光、或由貫通孔13內之第2光反射性構件42反射之光等被導光至第1光調整構件31與第2光調整構件32之間之第1透光性構件33，被導光至該第1透光性構件33之光之一部分被第2光調整構件32擴散反射，另一部分透過第2光調整構件32。

藉此，光源20之正上方區域不會變得過亮，且不會變得過暗，結果，能夠減少發光區域1之發光面內之亮度不均。

自光源20直接向正上方出射之光之一部分之透過被第1光調整構件31抑制，因此，為了抑制光源20之正上方區域變得過暗，較理想為使第2光調整構件32之透過率較第1光調整構件31之透過率高。

又，為了抑制光源20之正上方附近之面內亮度之急劇變化，較理想為於俯視時使第2光調整構件32之寬度較第1光調整構件31之寬度大。

設置於光源20之下面之被覆構件24、及設置於光源20周邊之配線基板50之表面之第2光反射性構件42可抑制光源20附近之配線基板50暴露於自光源20出射之光中，從而防止配線基板50之劣化。又，光反射性之被覆構件24、及第2光反射性構件42可將光反射至發光區域1之發光面即第1面11側，並且可提高自第1面11提取之光之亮度。

於設置於導光板10之第2面12之第1光反射性構件41與第1面11之間之區域中，第1光反射性構件41處之反射與第1面11處之反射反覆進行，並且來自光源20之光於導光板10內朝向劃分構件43被導光。於第1光反射性構件41與第1面11之間之區域中，朝向第1面11之光之一部分自第1面11被提取至導光板10之外部。

又，視需要，藉由使貫通孔13內之第1透光性構件33中含有螢光體，能夠對發光區域1之發光色之色調進行修正。

圖3B係光源20之另一例之模式剖視圖。

於圖3B所示之光源20中，被覆構件24覆蓋發光元件21之側面及下面。於發光元件21之上面設置有第2透光性構件22。於覆蓋發光元件21之側面之被覆構件24上亦設置有第2透光性構件22。

於圖2所示之例中，第1透光性構件33之上面形成為凹面狀，第2光調整構件32之上面亦沿著第1透光性構件33之上面形成。

圖4A及圖4B係實施方式之面狀光源中之配置有光源20之部分之模式剖視圖。

於圖4A所示之例中，於第2光調整構件32之中央部之上面形成有凸起部，第2光調整構件32之中央部之厚度較其他部分厚。

於圖4B所示之例中，第1透光性構件33之上面形成為凹面狀，第2光調整構件32之上面為平坦面。因此，第2光調整構件32之中央部之厚度較其他部分厚。

於導光板10與第1透光性構件33為相同材料、或導光板10之熱膨脹率與第1透光性構件33之熱膨脹率之差較小之情形時，如圖5所示，亦可以越過導光板10與第1透光性構件33之邊界之方式形成第2光調整構件32。第2光調整構件32之外緣32a位於較貫通孔13之邊緣13a更靠外側之位置。

圖6係本發明之又一實施方式之面狀光源之模式剖視圖。

於圖6所示之例中，貫通孔13之側壁13b相對於導光板10之第1面11及第2面12傾斜。貫通孔13之側壁13b與第1面11形成鈍角，貫通孔13之側壁13b與第2面12形成銳角。貫通孔13之側壁13b之下端位於較貫通孔13之側壁13b之上端更靠近光源20之位置。因此，能夠使設置於第2面12之第1光反射性構件41更靠近光源20，能夠增加第1光反射性構件41處之反射成分而使亮度提高。

圖7係本發明之又一實施方式之面狀光源之模式剖視圖。

圖7所示之面狀光源之配線基板50具有絕緣基材51、配線層52、及被覆層53。配線層52設置於絕緣基材51之下面，被覆層53覆蓋其配線層52之表面。被覆層53例如為樹脂層。

於配線基板50上設置有光反射性構件44。光反射性構件44例如係包含氧化鈦、二氧化矽、氧化鋁、氧化鋅或玻璃等作為光擴散材之白色之聚對苯二甲酸乙二酯、或形成有多個氣泡之白色之聚對苯二甲酸乙二酯之片材。

光反射性構件44設置於配線基板50之絕緣基材51與導光板10之第2面12之間。進而，光反射性構件44設置於貫通孔13內之第1透光性構件33之下面與配線基板50之絕緣基材51之間。

進而，光反射性構件44設置於光源20之下面與配線基板50之絕緣基材51之間。光源20藉由接著構件63而接著於光反射性構件44之上面。接著構件63例如為樹脂構件。

將光源20之正下方之區域中之光反射性構件44、絕緣基材51、及配線層52貫通而設置接合構件62。接合構件62將發光元件21之電極與配線層52連接。接合構件62例如為焊料。

接合構件62、及接合構件62附近之配線層52之一部分自被覆層53露出。接合構件62及配線層52之露出部被抗蝕劑54覆蓋。

如圖8所示，亦可於配線基板50之絕緣基材51上設置白色之接著片材45，於該接著片材45上配置光源20。接著片材45與導光板10之第2面12之間設置有第1光反射性構件41。

圖9係本發明之又一實施方式之面狀光源之模式剖視圖。

光源20具有發光元件21、及覆蓋發光元件21之上面及側面之第2透光性構件122。第2透光性構件122例如為透光性樹脂，不含螢光體。於導光板10之第1面11上設置有螢光體片材71。螢光體片材71係包含螢光體之樹脂片材。

如圖1所示，由劃分構件43(槽14)劃分之1個發光區域1之第1面11形成為具有4個角部之四邊形，光源20及第2光調整構件32之平面形狀形成為具有4個角部之四邊形。於圖1所示俯視中，光源20及第2光調整構件32之角部與第1面11之角部相對向。

又，如圖10所示之俯視，亦可使第2光調整構件32自圖1之狀態例如旋轉45度而配置，使連接第1面11之角部之對角線與第2光調整構件32之側面(或邊部)交叉。於圖1中，第2光調整構件32之角部不位於連接第1面11之角部之對角線上。藉此，可容易使自光源20出射之光擴散至發光區域1之四角。 進而，亦可使光源20亦旋轉45度而配置，使連接第1面11之角部之對角線與光源20之側面(或邊部)交叉。

又，如圖11所示，第2光調整構件32之角部亦可帶有弧度。

發光元件21之半導體積層構造可至少包含1個可發出上述發光色之發光層。例如，半導體積層構造可於n型半導體層與p型半導體層之間包含1個以上之發光層。再者，發光層可為如雙異質構造、單一量子井構造(SQW)般具有單一活性層之構造，亦可為如多重量子井構造(MQW)般具有彙總之活性層群之構造。

又，半導體積層構造亦可包含複數個發光層。例如，半導體積層構造可為於n型半導體層與p型半導體層之間包含複數個發光層之構造，亦可為複數次重複依序包含n型半導體層、發光層、及p型半導體層之構造之構造。複數個發光層可包含發光色不同之發光層，亦可包含發光色相同之發光層。再者，所謂發光色相同，在使用上可視為相同發光色之範圍內，例如在主波長下可存在數nm左右之偏差。作為發光色之組合，可進行適當選擇。例如，於半導體積層構造包含2個發光層之情形時，作為發光色之組合，可例舉：藍色光與藍色光、綠色光與綠色光、紅色光與紅色光、紫外光與紫外光、藍色光與綠色光、藍色光與紅色光、或綠色光與紅色光等。

又，光源可包含發光峰值波長不同之複數個發光元件。以下，參照圖12A～圖15C，對包含發光峰值波長不同之複數個發光元件之光源進行說明。

圖12A所示之光源20A包含第1發光元件21B、及配置在第1發光元件21B之附近之第2發光元件21G。第1發光元件21B發出藍色光，第2發光元件21G發出綠色光。

光源20A進而包含螢光體層22R。螢光體層22R覆蓋第1發光元件21B之上面、第1發光元件21B之側面、第2發光元件21G之上面、及第2發光元件21G之側面。螢光體層22R將第1發光元件21B與第2發光元件21G一併密封。螢光體層22R包含透光性樹脂、及分散於透光性樹脂中之紅色螢光體。紅色螢光體被第1發光元件21B及第2發光元件21G發出之光激發，而發出紅色光。

光源20A進而包含與前述實施方式同樣地構成之被覆構件24及第1光調整構件31。第1光調整構件31設置於螢光體層22R上。被覆構件24以使第1發光元件21B之電極23之表面露出之方式配置於第1發光元件21B之下面，進而以使第2發光元件21G之電極23之表面露出之方式配置於第2發光元件21G之下面。

圖12B所示之光源20B及圖12C所示之光源20C亦與光源20A同樣地包含：第1發光元件21B、第2發光元件21G、螢光體層22R、被覆構件24、及第1光調整構件31。

於圖12B所示之光源20B中，被覆構件24覆蓋第1發光元件21B之下面、第1發光元件21B之側面、第2發光元件21G之下面、及第2發光元件21G之側面。被覆構件24亦配置於第1發光元件21B與第2發光元件21G之間。

光源20B進而包含配置於第1發光元件21B上、第2發光元件21G上、及被覆構件24上之透光性構件22C。透光性構件22C例如為透光性樹脂構件。螢光體層22R配置於第1發光元件21B上，不配置於第2發光元件21G上。透光性構件22C覆蓋螢光體層22R。

於圖12C所示之光源20C中，被覆構件24覆蓋第1發光元件21B之下面、第1發光元件21B之側面、第2發光元件21G之下面、及第2發光元件21G之側面。又，光源20C包含配置於第1發光元件21B上、第2發光元件21G上、及被覆構件24上之透光性構件22C。螢光體層22R配置於透光性構件22C上，第1光調整構件31配置於螢光體層22R上。

1個光源所包含之第1發光元件21B不限於1個，又，1個光源所包含之第2發光元件21G亦不限於1個。複數個發光元件可串聯連接，亦可並聯連接。又，複數個發光元件亦可分別獨立驅動。

於俯視時，第1發光元件21B之面積可與第2發光元件21G之面積相同，亦可較第2發光元件21G之面積大，亦可較第2發光元件21G之面積小。於第1發光元件21B與第2發光元件21G串聯連接之情形時，藉由適當設定俯視時之第1發光元件21B之面積及/或第2發光元件21G之面積，可將來自發光裝置之光設定成目標色調。於俯視時，第2發光元件21G之面積較佳為較第1發光元件21B之面積大。一般發出綠色光之第2發光元件21G之發光效率較發出藍色光之第1發光元件21B之發光效率低。因此，藉由於俯視時使第2發光元件21G之面積較第1發光元件21B之面積大，能夠使來自發光效率較第1發光元件21B之低之第2發光元件21G之光變強。

圖13A～圖13C係表示第1發光元件21B及第2發光元件21G之配置例之模式俯視圖。

於圖13A所示之例中，1個第1發光元件21B之周圍配置有4個第2發光元件21G。與之相反的是於圖13B所示之例中，1個第2發光元件21G之周圍配置有4個第1發光元件21B。

於圖13C所示之例中，複數個第1發光元件21B與複數個第2發光元件21G配置成矩陣狀。在X方向上第1發光元件21B與第2發光元件21G交互排列，且在與X方向正交之Y方向上第1發光元件21B與第2發光元件21G交互排列。在不位於端部之第1發光元件21B之周圍配置有4個第2發光元件21G，在不位於端部之第2發光元件21G之周圍配置有4個第1發光元件21B。

於圖12A～圖13C所示之光源中，作為1個光源中所包含之複數個發光元件之發光色之組合，不限於藍色光與綠色光，可例舉：藍色光與藍色光、綠色光與綠色光、紅色光與紅色光、紫外光與紫外光、藍色光與紅色光、或綠色光與紅色光等。

圖14A所示之光源20D包含第1引線91、第2引線92、及第3引線93。進而，光源20D包含發出藍色光之第1發光元件21B、及配置於第1發光元件21B上之發出綠色光之第2發光元件21G。再者，光源亦可改變第1發光元件之位置與第2發光元件之位置。例如，光源亦可進而包含發出綠色光之第2發光元件、及配置於第2發光元件上之發出藍色光之第1發光元件。

第1引線91與第2引線92分離。第1引線91與第3引線93分離。第2引線92與第3引線93分離。

圖14B係圖14A之XIVB-XIVB線之模式剖視圖。再者，於圖14A中，僅圖示出圖14B所示之光源20D中之第1發光元件21B、第2發光元件21G、第1引線91、第2引線92、第3引線93、正側電極81p、負側電極81n、及金屬線82a。

第1發光元件21B包含正側電極23p及負側電極23n。正側電極23p及負側電極23n配置於第1發光元件21B之下面。第2發光元件21G包含正側電極81p及負側電極81n。正側電極81p及負側電極81n配置於第2發光元件21G之上面。

第1發光元件21B之正側電極23p與第1引線91接合。第1發光元件21B之負側電極23n與第3引線93接合。第2發光元件21G之正側電極81p藉由金屬線82a與第3引線93連接。第2發光元件21G之負側電極81n藉由金屬線82b與第2引線92連接。

各引線91～93之側面由被覆構件24覆蓋。各引線91～93之下面自被覆構件24露出。

於各引線91～93上、及被覆構件24上配置有螢光體層22R。螢光體層22R覆蓋第1發光元件21B、第2發光元件21G、金屬線82a、82b、及電極23p、23n、81p、81n。於螢光體層22R上配置有第1光調整構件31。

利用塊箭頭模式性地表示光源20D中之電流之流動方向。電流自第1引線91經由第1發光元件21B之正側電極23p、第1發光元件21B之發光層、第1發光元件21B之負側電極23n、第3引線93、金屬線82a、第2發光元件21G之正側電極81p、第2發光元件21G之發光層、第2發光元件21G之負側電極81n、及金屬線82b，流向第2引線92。

第1發光元件21B之下面亦可具有與第1發光元件21B之發光層電性絕緣之保持部。藉由使第1發光元件21B之保持部與第1引線91、第2引線92、第3引線93及/或被覆構件24相接，能夠於將第1發光元件21B配置於引線上之情形時抑制第1發光元件21B傾斜。

圖15A～圖15C所示之光源亦包含發出藍色光之第1發光元件21B與發出綠色光之第2發光元件21G之積層構造。亦可改變第1發光元件與第2發光元件之位置。第2發光元件21G經由透光性之接著構件26而配置於第1發光元件21B上。

第1發光元件21B包含正側電極23p及負側電極23n。正側電極23p與負側電極23n配置於第1發光元件21B之下面。第2發光元件21G包含正側電極27p及負側電極27n。正側電極27p及負側電極27n配置於第2發光元件21G之下面。

於圖15A所示之光源20E中，於第1發光元件21B之下面配置有被覆構件24。第1配線28a、第2配線28b、及第3配線28c相互分離地配置於被覆構件24之下面上。

於被覆構件24上以覆蓋第1發光元件21B及第2發光元件21G之方式配置有螢光體層22R。於螢光體層22R上配置有第1光調整構件31。

第1發光元件21B之正側電極23p之下面與第1配線28a連接。第1發光元件21B之負側電極23n之下面與第2配線28b連接。第2發光元件21G之正側電極27p將螢光體層22R及被覆構件24貫通，與第2配線28b連接。因此，第1發光元件21B之負側電極23n與第2發光元件21G之正側電極27p經由第2配線28b而電性連接。第2發光元件21G之負側電極27n將螢光體層22R及被覆構件24貫通，與第3配線28c連接。

電流自第1配線28a，經由第1發光元件21B之正側電極23p、第1發光元件21B之發光層、第1發光元件21B之負側電極23n、第2配線28b、第2發光元件21G之正側電極27p、第2發光元件21G之發光層、及第2發光元件21G之負側電極27n，流向第3配線28c。

於圖15B所示之光源20F中，以覆蓋第1發光元件21B、第2發光元件21G之電極27p、27n、及接著構件26之方式配置有被覆構件24。

於圖15C所示之光源20G中，被覆構件24進而亦覆蓋第2發光元件21G。螢光體層22R經由透光性之接著構件29而配置於第2發光元件21G上。

以上，參照具體例，對本發明之實施方式進行了說明。但，本發明不限定於該等具體例。業者基於本發明之上述實施方式適當設計變更而能夠實施之全部形態只要包含本發明之主旨，亦屬於本發明之範圍。此外，瞭解到，於本發明之思想之範疇內，業者能夠想到各種變更例及修正例，該等變更例及修正例亦屬於本發明之範圍。

1:發光區域 10:導光板 11:第1面 12:第2面 13:貫通孔 13a:邊緣 14:槽 20:光源 20A:光源 20B:光源 20C:光源 20D:光源 20E:光源 20F:光源 20G:光源 21:發光元件 21B:第1發光元件 21G:第2發光元件 22:第2透光性構件 22C:透光性構件 22R:螢光體層 22a:透光性樹脂 22b:螢光體 23:電極 23n:負側電極 23p:正側電極 24:被覆構件 25:被覆構件 26:接著構件 29:接著構件 27n:負側電極 27p:正側電極 28a:第1配線 28b:第2配線 28c:第3配線 31:第1光調整構件 31a:透光性樹脂 31b:光擴散材 32:第2光調整構件 32a:外緣 33:第1透光性構件 41:第1光反射性構件 42:第2光反射性構件 43:劃分構件 44:光反射性構件 45:接著片材 50:配線基板 51:絕緣基材 52:配線層 53:被覆層 54:抗蝕劑 61:接合構件 62:接合構件 63:接合構件 71:螢光體片材 81n:負側電極 81p:正側電極 82a:金屬線 82b:金屬線 91:第1引線 92:第2引線 93:第3引線 100:面狀光源 122:第2透光性構件

圖1係本發明之一實施方式之面狀光源之模式俯視圖。 圖2係圖1之II-II線之模式剖視圖。 圖3A係本發明之一實施方式之光源之模式剖視圖。 圖3B係本發明之一實施方式之光源之模式剖視圖。 圖4A係表示本發明之一實施方式之面狀光源中之第2光調整構件之另一例之模式剖視圖。 圖4B係表示本發明之一實施方式之面狀光源中之第2光調整構件之另一例之模式剖視圖。 圖5係表示本發明之另一實施方式之面狀光源之模式剖視圖。 圖6係本發明之又一實施方式之面狀光源之模式剖視圖。 圖7係本發明之又一實施方式之面狀光源之模式剖視圖。 圖8係本發明之又一實施方式之面狀光源之模式剖視圖。 圖9係本發明之又一實施方式之面狀光源之模式剖視圖。 圖10係本發明之又一實施方式之面狀光源之模式俯視圖。 圖11係本發明之又一實施方式之面狀光源之模式俯視圖。 圖12A係表示本發明之實施方式之光源之另一例之模式剖視圖。 圖12B係表示本發明之實施方式之光源之又一例之模式剖視圖。 圖12C係表示本發明之實施方式之光源之又一例之模式剖視圖。 圖13A係表示本發明之實施方式之光源之又一例之模式俯視圖。 圖13B係表示本發明之實施方式之光源之又一例之模式俯視圖。 圖13C係表示本發明之實施方式之光源之又一例之模式俯視圖。 圖14A係表示本發明之實施方式之光源之又一例之模式俯視圖。 圖14B係表示圖14A之XIVB-XIVB線之模式剖視圖。 圖15A係表示本發明之實施方式之光源之又一例之模式剖視圖。 圖15B係表示本發明之實施方式之光源之又一例之模式剖視圖。 圖15C係表示本發明之實施方式之光源之又一例之模式剖視圖。

1:發光區域

10:導光板

11:第1面

12:第2面

13:貫通孔

13a:邊緣

14:槽

20:光源

21:發光元件

22:第2透光性構件

23:電極

24:被覆構件

31:第1光調整構件

32:第2光調整構件

32a:外緣

33:第1透光性構件

41:第1光反射性構件

42:第2光反射性構件

43:劃分構件

50:配線基板

51:絕緣基材

52:配線層

61:接合構件

Claims (10)

1. 一種面狀光源，其具備： 導光板，其具有第1面、上述第1面之相反側之第2面、及自上述第1面貫通至上述第2面之貫通孔； 光源，其配置於上述導光板之上述貫通孔； 第1光調整構件，其於上述貫通孔內設置於上述光源之上面，對上述光源發出之光具有反射性及透光性； 第2光調整構件，其與上述第1光調整構件分離地設置於上述第1光調整構件上，對上述光源發出之光具有反射性及透光性；及 第1透光性構件，其設置於上述第1光調整構件與上述第2光調整構件之間、及上述光源之側面與上述導光板之間，且對上述光源發出之光之透過率較上述第1光調整構件及上述第2光調整構件高。
2. 如請求項1之面狀光源，其中上述第2光調整構件之對上述光源發出之光之透過率較上述第1光調整構件之對上述光源發出之光之透過率高。
3. 如請求項2之面狀光源，其中 上述第1光調整構件及上述第2光調整構件具有透光性樹脂、及上述透光性樹脂中所含之光擴散材， 上述第2光調整構件之上述光擴散材之濃度較上述第1光調整構件之上述光擴散材之濃度低。
4. 如請求項1至3中任一項之面狀光源，其中於俯視時，上述第2光調整構件之寬度較上述第1光調整構件之寬度大。
5. 如請求項1至3中任一項之面狀光源，其中於上述第1透光性構件中含有螢光體。
6. 如請求項1至3中任一項之面狀光源，其中上述第2光調整構件之外緣位於較上述貫通孔之邊緣更靠內側之位置，且與上述貫通孔之邊緣分離。
7. 如請求項1至3中任一項之面狀光源，其中 上述光源具有： 發光元件，其於下面側具有電極；及 第2透光性構件，其覆蓋上述發光元件之上面及側面； 上述第1光調整構件設置於上述第2透光性構件之上面。
8. 如請求項7之面狀光源，其中於上述第2透光性構件中含有螢光體。
9. 如請求項1至3中任一項之面狀光源，其中 上述光源具有： 發光元件，其於下面側具有電極； 第2透光性構件，其覆蓋上述發光元件之上面；及 被覆構件，其覆蓋上述發光元件之側面，且對上述光源發出之光具有反射性； 上述第1光調整構件設置於上述第2透光性構件之上面。
10. 如請求項9之面狀光源，其中於上述第2透光性構件中含有螢光體。

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