TW202130500A - 形狀轉印薄膜 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在提供一種形狀轉印薄膜，其具有凹凸形狀，藉由將源自上述凹凸形狀的形狀轉印至轉印對象物上，可賦予轉印對象物足夠之隱蔽性，且於意圖從轉印對象物剝下時可輕易地剝下。 解決手段方面，形狀轉印薄膜於至少一面具有界面展開面積比Sdr為1500~7000%及/或核心部高度差Sk為2.0~7.0μm的凹凸形狀，用以將源自上述凹凸形狀的形狀轉印至轉印對象物上。形狀轉印薄膜例如具備基材層及設置於基材層之一面上的樹脂層。又，形狀轉印薄膜例如包含填料，且上述凹凸形狀是藉由令填料比薄膜平坦面更朝外側突出而形成。

Description

形狀轉印薄膜
發明領域 本揭示發明是有關於形狀轉印薄膜。更詳而言之，本揭示發明是有關於一種形狀轉印薄膜，其用以將源自形狀轉印薄膜所具有之凹凸形狀的形狀，轉印至轉印對象物上。
背景技術 在行動電話、視訊攝影機、筆記型電腦等電子儀器中，印刷配線板廣泛用來將電路組入機構中。又，也會利用在諸如印刷頭的可動部與控制部之連接。於該等電子儀器中，必須要有電磁波屏蔽措施，於裝置內所使用之印刷配線板中，亦開始使用施以電磁波屏蔽措施的屏蔽印刷配線板。
屏蔽印刷配線板會使用電磁波屏蔽膜。舉例言之，接著於印刷配線板來使用的電磁波屏蔽膜具有：導電性接著劑層；及保護層，其用以保護上述導電性接著劑層抑或視需要設置的金屬層等屏蔽層。
近年來，屏蔽印刷配線板中，構成已積層於印刷配線板的電磁波屏蔽膜最表層的保護層，基於電路圖案隱蔽性之目的，有時會要求能呈現出表面光澤性低的外觀。作為表面光澤性低的保護層，可舉如表面具有凹凸形狀的保護層。此種保護層例如可依下述來製作：於表面具有凹凸形狀的轉印薄膜(形狀轉印薄膜)之凹凸面上，澆注塗佈用以形成保護層之組成物，然後，進行固化而形成保護層，藉此將源自形狀轉印薄膜之凹凸形狀的形狀，賦予(轉印)至保護層表面，以進行消光加工。
作為此種形狀轉印薄膜，舉例言之，已知的是專利文獻1中揭示者。
先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本特開2017-71107號公報
發明概要 發明欲解決之課題 然而，以賦予保護層隱蔽性為目的而設有凹凸形狀的習知形狀轉印薄膜，在已與保護層積層之狀態下，源自上述凹凸形狀的錨固效果會發生作用，因此，從保護層剝下形狀轉印薄膜時不易剝離，或者即便是在可剝下形狀轉印薄膜之情形時，也會有保護層隨之剝離的問題。另一方面，若使上述凹凸形狀變淺，便可削弱錨固效果，從已貼合於保護層之狀態下輕易地剝下形狀轉印薄膜，然而，由於形成於保護層的凹凸形狀也會變淺，因此無法賦予保護層足夠之隱蔽性。
本發明是有鑑於上述而成，本發明之目的在提供一種形狀轉印薄膜，其具有凹凸形狀，藉由將源自上述凹凸形狀的形狀轉印至轉印對象物上，可賦予轉印對象物足夠之隱蔽性，且於意圖從轉印對象物剝下時可輕易地剝下。
用以解決課題之手段 發明人為了達成上述目的精心探討，結果發現，若藉由表面具有特定凹凸形狀的形狀轉印薄膜，即可藉著將源自上述凹凸形狀的形狀轉印至轉印對象物上，來賦予轉印對象物足夠之隱蔽性，且於意圖從轉印對象物剝下時可輕易地剝下。本發明是根據該等見解而完成。
本揭示發明提供一種形狀轉印薄膜，其至少一面具有界面展開面積比Sdr為1500~7000%的凹凸形狀，用以將源自上述凹凸形狀的形狀轉印至轉印對象物上。
上述凹凸形狀之核心部高度差Sk宜為2.0~7.0μm。
又，本揭示發明提供一種形狀轉印薄膜，其至少一面具有核心部高度差Sk為2.0~7.0μm的凹凸形狀，用以將源自上述凹凸形狀的形狀轉印至轉印對象物上。
上述凹凸形狀之算術平均高度Sa宜為1.0~2.0μm。
上述凹凸形狀之均方根高度Sq宜為1.0~2.8μm。
上述凹凸形狀之均方根斜率Sdq宜為7~15。
上述凹凸形狀之界面展開面積比Sdr相對於均方根斜率Sdq的比[Sdr/Sdq]宜為200~500。
上述形狀轉印薄膜宜具備基材層及設置於上述基材層之一面的樹脂層，且上述樹脂層側表面具有上述凹凸形狀。
上述形狀轉印薄膜宜包含填料，且上述凹凸形狀是藉由令上述填料比薄膜平坦面更朝外側突出而形成。
再者，本揭示發明提供一種印刷配線板用貼附薄膜，具備：上述形狀轉印薄膜；及電路圖案隱蔽層，其與上述形狀轉印薄膜直接積層。
上述印刷配線板用貼附薄膜宜依序積層有接著劑層、上述電路圖案隱蔽層及上述形狀轉印薄膜。
上述電路圖案隱蔽層之上述形狀轉印薄膜側表面的85°光澤度宜在15以下。
發明效果 依據本揭示發明之形狀轉印薄膜，藉由令表面具有上述特定凹凸形狀，可將源自上述凹凸形狀的形狀賦予至轉印對象物，藉此可賦予轉印對象物足夠之隱蔽性，且於意圖從轉印對象物剝下時可輕易地剝下。又，於運送中等，除了意圖從轉印對象物剝下形狀轉印薄膜時以外的狀況下則不易剝離。
用以實施發明之形態 [形狀轉印薄膜] 本揭示發明一實施形態的形狀轉印薄膜於至少一面具有凹凸形狀，用以將源自上述凹凸形狀的形狀賦予(轉印)至轉印對象物。上述形狀轉印薄膜，尤佳者為用以將源自上述凹凸形狀的形狀，賦予(轉印)至用以貼附於印刷配線板的薄膜(印刷配線板用貼附薄膜)之最表層(例如後述電路圖案隱蔽層等)。
上述形狀轉印薄膜所具有的上述凹凸形狀中，界面展開面積比Sdr宜為1500~7000%，較佳為2000~6500%，更佳為2500~6000%。上述界面展開面積比Sdr是依循ISO25178，為表示定義區域之展開面積(表面積)相對於上述定義區域之面積增加多少的指標。完全平坦的面之Sdr會構成0%。若上述界面展開面積比Sdr在1500%以上，則可對已被賦予源自上述凹凸形狀的形狀之轉印對象物賦予足夠之隱蔽性。若上述界面展開面積比Sdr在7000%以下，意圖從轉印對象物剝離形狀轉印薄膜就會變得容易。
上述凹凸形狀中，核心部高度差Sk宜為2.0~7.0μm，較佳為2.3~6.0μm，更佳為2.5~5.0μm。上述核心部高度差Sk是依循ISO25178，為凹凸形狀中核心部最大高度減去最小高度的值。核心部是夾在等效直線之負荷面積率0%與100%之高度間的區域。若上述核心部高度差Sk在2.0μm以上，則核心部之高低差大，可對已被賦予源自上述凹凸形狀的形狀之轉印對象物賦予足夠之隱蔽性。若上述核心部高度差Sk在7.0μm以下，意圖從轉印對象物剝離形狀轉印薄膜就會變得容易。
上述凹凸形狀中，算術平均高度Sa宜為1.0~2.0μm，較佳為1.0~1.8μm，更佳為1.0~1.6μm。上述算術平均高度Sa是依循ISO25178，表示相對於表面的平均面，各點高度差的絕對值平均。若上述算術平均高度Sa在1.0μm以上，則可對已被賦予源自上述凹凸形狀的形狀之轉印對象物賦予更加足夠之隱蔽性。若上述算術平均高度Sa在2.0μm以下，意圖從轉印對象物剝離形狀轉印薄膜就會變得更加容易。
上述凹凸形狀中，均方根高度Sq宜為1.0~2.8μm，較佳為1.1~2.5μm，更佳為1.3~2.0μm。上述均方根高度Sq是依循ISO25178，為相當於起自平均面的距離標準差之參數。若上述均方根高度Sq在1.0μm以上，則可對已被賦予源自上述凹凸形狀的形狀之轉印對象物賦予更加足夠之隱蔽性。若上述均方根高度Sq在2.8μm以下，則凹凸形狀中高度不均少，意圖從轉印對象物剝離形狀轉印薄膜會變得更加容易。
上述凹凸形狀中，均方根斜率Sdq宜為7~15，較佳為8~14，更佳為9~13.5。上述均方根斜率Sdq是依循ISO25178，是利用定義區域所有點之斜率均方根而算出的參數。完全平坦的面之Sdq為0。若上述均方根斜率Sdq在7以上，則可對已被賦予源自上述凹凸形狀的形狀之轉印對象物賦予更加足夠之隱蔽性。若上述均方根斜率Sdq在15以下，則凹凸形狀之高度不均少，意圖從轉印對象物剝離形狀轉印薄膜會變得更加容易。
上述凹凸形狀中，界面展開面積比Sdr[%]相對於均方根斜率Sdq的比[Sdr/Sdq]宜為200~500，較佳為250~480，更佳為300~450。若上述比在200以上，表面積會變大(即，凹凸之起伏變得劇烈)，吾人推測可對已被賦予源自上述凹凸形狀的形狀之轉印對象物賦予更加足夠之隱蔽性。若上述比在500以下，則可抑制凹凸之斜率，同時表面積(即，凹凸之起伏程度)亦可抑制在一定範圍內，藉此，意圖從轉印對象物剝離形狀轉印薄膜會變得更加容易。
上述凹凸形狀之60°光澤度宜為4.0以上，較佳為4.5以上，更佳為5.0以上。若上述60°光澤度在4.0以上，吾人推測上述凹凸形狀會構成更適合於意圖性剝離的形狀，意圖從轉印對象物剝離形狀轉印薄膜會變得更加容易。上述60°光澤度可利用依循JIS Z8741的方法進行測定。
上述凹凸形狀之85°光澤度宜為2.5~15.0，更佳為3.0~13.0。若上述85°光澤度在2.5以上，意圖從轉印對象物剝離形狀轉印薄膜就會變得更加容易。若上述85°光澤度在15.0以下，則可賦予轉印對象物更加足夠之隱蔽性。上述85°光澤度可利用依循JIS Z8741的方法進行測定。
作為上述形狀轉印薄膜之一實施形態，可舉如以下形狀轉印薄膜：具備基材層及設置於該基材層之至少一面上的樹脂層，且上述樹脂層側表面具有上述凹凸形狀。又，作為上述形狀轉印薄膜之其他實施形態，可舉如基材層表面具有上述凹凸形狀的形狀轉印薄膜。
上述形狀轉印薄膜中，上述凹凸形狀可利用公知或慣用方法以具有上述各種特性來形成。形成上述凹凸形狀的方法可舉如：藉由將平坦面進行噴砂處理的方法、於平坦面噴上乾冰等的方法、按壓具有凹凸形狀之鑄模的方法等而將平坦面予以物理性粗面化的方法；摻合填料使其自形狀轉印薄膜平坦面朝外側突出的方法等。該等方法可以僅使用一種，亦可組合、使用二種以上。
就摻合填料而形成有凹凸形狀的上述形狀轉印薄膜之實施形態而言，可舉如圖1及圖2所示之形狀轉印薄膜。圖1所示之形狀轉印薄膜1具備基材層2及設置於基材層2之一面上的樹脂層3，且樹脂層3側表面具有上述凹凸形狀。樹脂層3含有填料4，填料4自薄膜平坦面即樹脂層3之平坦面3a朝外側突出，藉此形成上述凹凸形狀。
上述基材層可舉如：塑膠基材(尤其是塑膠膜)、紙、布、不織布等多孔質材料、網狀體、發泡片、金屬箔等。上述基材層可為單層，亦可為同種或異種基材之積層體。又，上述基材層之表面例如可適當地施以電暈放電處理、電漿處理等物理性處理、底塗處理等化學性處理等公知慣用的表面處理。
構成上述塑膠基材的樹脂可舉如：低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離子聚合物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物等聚烯烴樹脂；聚胺甲酸酯；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯；聚碳酸酯；聚醯亞胺；聚醚醚酮；聚醚醯亞胺；聚芳醯胺、全芳香族聚醯胺等聚醯胺；聚苯硫；氟樹脂；聚氯乙烯；聚偏二氯乙烯；纖維素樹脂；聚矽氧樹脂等。上述樹脂可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
形成上述樹脂層的樹脂並無特殊限制，可舉如熱塑性樹脂抑或熱硬化型樹脂、活性能量線硬化型樹脂等硬化型樹脂等。另，本說明書中，所謂「硬化型樹脂」，其概念包含可硬化而形成樹脂的樹脂(硬化性樹脂)以及令硬化性樹脂硬化所形成的樹脂兩者。其中，從硬化後從後述電路圖案隱蔽層之剝離性優異之觀點來看，上述樹脂宜為硬化型樹脂，從在將印刷配線板用貼附薄膜熱壓接於印刷配線板時硬化度不易變動之觀點來看，又以活性能量線硬化型樹脂尤佳。上述樹脂可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
上述熱塑性樹脂可舉如：聚苯乙烯系樹脂、乙酸乙烯酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚烯烴系樹脂(例如聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂組成物等)、聚醯亞胺系樹脂、丙烯酸系樹脂等。
上述熱硬化型樹脂可舉如：酚系樹脂、環氧系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂、醇酸系樹脂、聚矽氧樹脂等。
上述環氧系樹脂可舉如：雙酚型環氧系樹脂、螺環型環氧系樹脂、萘型環氧系樹脂、聯苯型環氧系樹脂、萜烯型環氧系樹脂、環氧丙基醚型環氧系樹脂、環氧丙基胺型環氧系樹脂、酚醛清漆型環氧系樹脂等。
上述雙酚型環氧樹脂可舉如：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、四溴雙酚A型環氧樹脂等。上述環氧丙基醚型環氧樹脂可舉如：參(環氧丙氧基苯基)甲烷、肆(環氧丙氧基苯基)乙烷等。上述環氧丙基胺型環氧樹脂可舉如：四環氧丙基二胺基二苯甲烷等。上述酚醛清漆型環氧樹脂可舉如：甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、α-萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、溴化苯酚酚醛清漆型環氧樹脂等。
上述活性能量線硬化型樹脂可舉如：分子中具有至少2個自由基反應性基(例如(甲基)丙烯醯基)的具聚合性樹脂等。上述活性能量線可舉如：電子射線、紫外線、α射線、β射線、γ射線、X射線等。
上述填料可舉如有機粒子及無機粒子。上述有機粒子可舉如：聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系樹脂、聚丙烯腈樹脂、聚胺甲酸酯樹脂、聚醯胺、聚醯亞胺等。上述無機粒子可舉如：碳酸鈣、矽酸鈣、黏土、高嶺土、滑石、二氧化矽、玻璃、矽藻土、雲母粉、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、硫酸鋇、硫酸鋁、硫酸鈣、碳酸鎂等。上述粒子可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
上述填料之中位直徑(D50)並無特殊限制，宜為0.5~20μm，更佳為1~10μm。若D50在上述範圍內，則可輕易地形成上述凹凸形狀。上述D50意指利用雷射繞射-散射法求得之粒度分布中積算值50%下的粒徑。
上述樹脂層中上述填料之含量並無特殊限制，相對於形成上述樹脂層的樹脂100質量份，宜為20~70質量份，更佳為30~60質量份。若上述含量在上述範圍內，則可輕易地形成上述凹凸形狀。
上述樹脂層之厚度(兩面之平坦面間的厚度)並無特殊限制，宜為0.5~9μm，更佳為1~7μm。若上述厚度在上述範圍內，則可利用與上述填料之D50之關係，將從平坦面突出的填料形狀設定在適當範圍內，並且可輕易地形成上述凹凸形狀。
圖1所示之形狀轉印薄膜1可依下述來製作：利用公知或慣用方法，將樹脂層3以具有上述凹凸形狀形成於基材層2上。具體而言，例如可依下述來製造：將用以形成上述樹脂層的樹脂、或包含化合物及填料且視需要含溶劑的組成物，澆注塗佈於基材層之一面上，進行去溶劑或硬化處理而固化。
圖2所示之形狀轉印薄膜1，其基材層2表面具有上述凹凸形狀。基材層2含有填料4，填料4自薄膜平坦面即基材層2之平坦面2a朝外側突出，藉此形成上述凹凸形狀。
於上述基材層之具有凹凸形狀之表面上亦可設置脫模處理層。上述脫模處理層可舉如：利用聚矽氧系、長鏈烷基系、氟系、硫化鉬等剝離處理劑進行表面處理而形成的層體。另，當具有脫模處理層時，脫模處理層之厚度或形狀可依基材層表面的凹凸形狀不會消失，即，形狀轉印薄膜會具有上述凹凸形狀來適當地設定。
具有上述脫模處理層之情形的基材層，可舉如上述已作為具有樹脂層之基材層所例示及說明者。不具上述脫模處理層之情形的基材層，則可舉如由氟聚合物構成的低接著性基材抑或由無極性聚合物構成的低接著性基材等。上述由氟聚合物構成的低接著性基材中的氟系聚合物，可舉如：聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、氯氟乙烯-偏二氟乙烯共聚物等。又，上述無極性聚合物可舉如烯烴系樹脂(例如聚乙烯、聚丙烯等)等。上述基材層之表面例如可適當地施以電暈放電處理、電漿處理等物理性處理、底塗處理等化學性處理等公知慣用的表面處理。
上述填料可舉如：上述已作為樹脂層中所含填料而例示及說明者。
上述填料之中位直徑(D50)並無特殊限制，宜為0.5~20μm，更佳為1~10μm。若D50在上述範圍內，則可輕易地形成上述凹凸形狀。上述D50意指利用雷射繞射-散射法求得之粒度分布中積算值50%下的粒徑。
上述基材層中上述填料之含有比例並無特殊限制，相對於上述基材層之總量100體積%，宜為10~70體積%，較佳為20~60體積%，更佳為30~50體積%。若上述含有比例在上述範圍內，則可輕易地形成上述凹凸形狀。
圖2所示之形狀轉印薄膜1可依下述來製作：利用公知或慣用方法，以至少一表面具有上述凹凸形狀來成形基材層2。具體而言，例如可依下述來製造：於形成基材層的樹脂組成物中揑合上述填料並成形。然後，亦可視需要將脫模處理劑進行塗佈及固化而形成脫模處理層。
在無損本發明效果的範圍內，具有上述凹凸形狀之層體(樹脂層或基材層)亦可包含上述各成分以外的其他成分。上述其他成分可舉如：著色劑、抗靜電劑、穩定劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、螢光增白劑等。上述其他成分可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
上述形狀轉印薄膜之厚度並無特殊限制，例如為10~200μm，較佳為15~150μm。若上述厚度在10μm以上，轉印對象物之保護性能會更加優異。若上述厚度在200μm以下，使用時會更容易剝離。
依據上述形狀轉印薄膜，藉由令表面具有上述特定凹凸形狀，可將源自上述凹凸形狀的形狀賦予至轉印對象物，藉此可賦予轉印對象物足夠之隱蔽性，且於意圖從轉印對象物剝下時可輕易地剝下。又，於運送中等，除非是意圖從電路圖案隱蔽層剝下形狀轉印薄膜的情況，除此以外的狀況下則不易剝離。
[印刷配線板用貼附薄膜] 本揭示發明一實施形態的印刷配線板用貼附薄膜具備：上述形狀轉印薄膜、及與上述形狀轉印薄膜直接積層的電路圖案隱蔽層。於已直接積層於上述形狀轉印薄膜中具有上述凹凸形狀之面上的電路圖案隱蔽層表面，可賦予(轉印)源自上述凹凸形狀的形狀。藉此，於意圖剝下上述形狀轉印薄膜時，可輕易地從上述電路圖案隱蔽層剝下，且剝下後的上述電路圖案隱蔽層具有足夠之隱蔽性。
上述印刷配線板用貼附薄膜宜依序積層有接著劑層、上述電路圖案隱蔽層及上述形狀轉印薄膜。上述印刷配線板用貼附薄膜亦可具備上述接著劑層、上述電路圖案隱蔽層及上述形狀轉印薄膜以外的層體。
以下說明上述印刷配線板用貼附薄膜之一實施形態。圖3為截面示意圖，其顯示上述印刷配線板用貼附薄膜之一實施形態。
圖3所示之印刷配線板用貼附薄膜5具備接著劑層7、電路圖案隱蔽層6及圖1所示之形狀轉印薄膜1。更具體而言，印刷配線板用貼附薄膜5是在接著劑層7之一面上直接積層有電路圖案隱蔽層6，該電路圖案隱蔽層6是用以保護接著劑層7的保護層。另，當印刷配線板用貼附薄膜5採用導電性接著劑層作為接著劑層7時，導電性接著劑層具有作為電磁波屏蔽層之機能，發揮電磁波屏蔽性能。在此情形下，印刷配線板用貼附薄膜5可作為電磁波屏蔽膜來使用。又，當接著劑層7不具屏蔽性能抑或要求更高的屏蔽性能時，可於電路圖案隱蔽層與接著劑層間另外具備金屬層等其他電磁波屏蔽層。在此情形下，電路圖案隱蔽層會間接積層於接著劑層上。
於電路圖案隱蔽層6之與接著劑層7為相反側之面上，以電路圖案隱蔽層6與樹脂層3接觸之方式積層有形狀轉印薄膜1。電路圖案隱蔽層6表面會直接積層於形狀轉印薄膜1之具有上述凹凸形狀之面上，因此，可被賦予(轉印)源自上述凹凸形狀的形狀。
(電路圖案隱蔽層) 在已將印刷配線板用貼附薄膜貼合於印刷配線板之狀態下，上述電路圖案隱蔽層是作為隱蔽用的層體使印刷配線板中的電路圖案不易視辨，有時亦擔負著設計性。在已將上述印刷配線板用貼附薄膜之接著劑層貼附於印刷配線板時，所在側會位於上述接著劑層之與上述印刷配線板為相反側。上述印刷配線板用貼附薄膜中，上述電路圖案隱蔽層可為單層、複層(複數個電路圖案隱蔽層之積層體)任一者。另，當電路圖案隱蔽層與接著劑層間另外具備其他電磁波屏蔽層時，電路圖案隱蔽層可保護該其他電磁波屏蔽層與接著劑層。
上述電路圖案隱蔽層亦可含有金屬或樹脂作為黏結劑成分。上述樹脂可舉如：上述已作為樹脂層中所含樹脂而例示及說明者。上述金屬可舉如：鎳、銅、銀、錫、金、鈀、鋁、鉻、鈦、鋅及含該等中1種以上的合金。上述黏結劑成分可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
其中，上述黏結劑成分又以樹脂為佳。從可使硬化前後對上述形狀轉印薄膜之密著性變動而藉以調整剝離容易度之觀點來看，上述樹脂宜為硬化型樹脂，從在將印刷配線板用貼附薄膜熱壓接於印刷配線板時可同時硬化而容易降低對上述形狀轉印薄膜之密著性之觀點來看，又以熱硬化型樹脂尤佳。
上述電路圖案隱蔽層中上述黏結劑成分之含有比例並無特殊限制，相對於上述電路圖案隱蔽層之總量100質量%，宜為10~70質量%，較佳為20~60質量%，更佳為30~50質量%。
從可使隱蔽性優異之觀點來看，上述電路圖案隱蔽層宜包含黑色系著色劑。上述黑色系著色劑可使用黑色顏料、抑或將複數種顏料減色混合而黑色化的混合顏料等。上述黑色顏料可舉如：碳黑、科琴黑、苝黑、鈦黑、鐵黑、苯胺黑等。從朝電路圖案隱蔽層之分散性之觀點來看，黑色顏料之粒徑宜為平均一次粒徑在20nm以上，在100nm以下更佳。黑色顏料之平均一次粒徑，可從利用穿透型電子顯微鏡(TEM)放大至5萬倍~100萬倍之影像觀察到的20個左右一次粒子之平均值來求得。上述混合顏料例如可混合紅色、綠色、藍色、黃色、紫色、靛青、洋紅等顏料後使用。上述電路圖案隱蔽層中黑色系著色劑之含量，相對於上述電路圖案隱蔽層之總量100質量%，例如為0.5~50質量%，較佳為1~40質量%。
在無損本發明效果的範圍內，上述電路圖案隱蔽層亦可含有上述各成分以外的其他成分。上述其他成分可舉如：消泡劑、黏度調整劑、抗氧化劑、稀釋劑、防沈劑、填充劑、著色劑、調平劑、耦合劑、紫外線吸收劑、賦黏樹脂、硬化促進劑、塑化劑、阻燃劑、抗結塊劑、硬化劑等。上述其他成分可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
上述電路圖案隱蔽層貼合有上述形狀轉印薄膜之表面的60°光澤度宜為0.3~5.0，較佳為0.4~3.0，更佳為0.5~2.0。若上述60°光澤度在0.3以上，意圖剝離形狀轉印薄膜就會變得更加容易。若上述60°光澤度在5.0以下，隱蔽性會更加提升。上述60°光澤度可利用依循JIS Z8741的方法來進行測定。另，上述60°光澤度是在已從上述印刷配線板用貼附薄膜剝下上述形狀轉印薄膜的狀態下測得。
上述電路圖案隱蔽層貼合有上述形狀轉印薄膜之表面的85°光澤度宜為15以下，更佳為小於15。若上述85°光澤度在15以下，隱蔽性會更加提升。上述85°光澤度可利用依循JIS Z8741的方法來進行測定。另，上述85°光澤度是在已從上述印刷配線板用貼附薄膜剝下上述形狀轉印薄膜的狀態下測得。
上述電路圖案隱蔽層，全光線穿透率宜為20%以下，較佳為10%以下，更佳為5%以下。若上述全光線穿透率在20%以下，在已將印刷配線板用貼附薄膜貼合於印刷配線板時，會更加不易視辨電路圖案。
上述電路圖案隱蔽層之厚度並無特殊限制，可以視需要適當地設定。從隱蔽性之實現、形成容易度及可撓性之確保等觀點來看，上述電路圖案隱蔽層之厚度宜為1μm以上，更佳為4μm以上。又，上述電路圖案隱蔽層之厚度宜為20μm以下，較佳為10μm以下，更佳為5μm以下。
(接著劑層) 上述接著劑層具有用以將上述印刷配線板用貼附薄膜接著於印刷配線板的接著性。接著劑層可為單層、複層任一者。
上述接著劑層宜含有接著劑層中構成樹脂區域的黏結劑成分。上述黏結劑成分可舉如：上述已作為樹脂層中所含樹脂而例示及說明者。上述黏結劑成分可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
當上述黏結劑成分包含熱硬化型樹脂時，構成上述黏結劑成分的成分亦可包含用以促進熱硬化反應的硬化劑。上述硬化劑可依照上述熱硬化型樹脂之種類適當地選擇。上述硬化劑可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
上述接著劑層亦可為導電性接著劑層。若為導電性接著劑層之情形下，上述接著劑層可發揮電磁波屏蔽性。當上述接著劑層為導電性接著劑層時，更宜含有導電性粒子。
上述導電性粒子可舉如：金屬粒子、金屬被覆樹脂粒子、金屬纖維、碳填料等。上述導電性粒子可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
上述金屬粒子、構成上述金屬被覆樹脂粒子之被覆部的金屬以及構成上述金屬纖維的金屬可舉如：金、銀、銅、鎳、鋅等。上述金屬可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
具體而言，上述金屬粒子可舉如：銅粒子、銀粒子、鎳粒子、銀被覆銅粒子、金被覆銅粒子、銀被覆鎳粒子、金被覆鎳粒子、銀被覆合金粒子等。上述銀被覆合金粒子可舉如：含銅的合金粒子(例如由銅、鎳與鋅之合金構成的銅合金粒子)已由銀被覆的銀被覆銅合金粒子等。上述金屬粒子可利用電解法、霧化法、還原法等來製作。
其中，上述金屬粒子又以銀粒子、銀被覆銅粒子、銀被覆銅合金粒子為佳。從導電性優異、抑制金屬粒子之氧化及凝集且可降低金屬粒子之成本之觀點來看，尤以銀被覆銅粒子、銀被覆銅合金粒子為佳。
上述導電性粒子之形狀可舉如：球狀、小片狀(鱗片狀)、樹枝狀、纖維狀、不定形(多面體)等。
上述導電性粒子之中位直徑(D50)宜為1~50μm，更佳為3~40μm。若上述中位直徑在1μm以上，則導電性粒子之分散性良好而可抑制凝集，並且不易氧化。若上述平均粒徑在50μm以下，導電性會變得良好。上述D50意指利用雷射繞射-散射法求得之粒度分布中積算值50%下的粒徑。
上述導電性接著劑層可以視需要設為具有各向同性導電性或各向異性導電性的層體。
當上述接著劑層為導電性接著劑層時，上述接著劑層中黏結劑成分之含有比例並無特殊限制，相對於接著劑層之總量100質量%，宜為5~60質量%，較佳為10~50質量%，更佳為20~40質量%。若上述含有比例在5質量%以上，電磁波屏蔽性能會變得良好。若上述含有比例在60質量%以下，對印刷配線板之密著性會更加優異。
當上述接著劑層為導電性接著劑層時，上述接著劑層中導電性粒子之含有比例並無特殊限制，相對於接著劑層之總量100質量%，宜為2~95質量%，較佳為5~80質量%，更佳為10~70質量%。若上述含有比例在2質量%以上，導電性會變得更加良好。若上述含有比例在95質量%以下，則可足量含有黏結劑成分，對印刷配線板之密著性會變得更加良好。
在無損本發明效果的範圍內，上述接著劑層亦可含有上述各成分以外的其他成分。上述其他成分可舉如公知或慣用接著劑層中所含成分。上述其他成分可舉如：消泡劑、黏度調整劑、抗氧化劑、稀釋劑、防沉劑、填充劑、著色劑、調平劑、耦合劑、紫外線吸收劑、賦黏樹脂、硬化促進劑、塑化劑、阻燃劑、抗結塊劑等。上述其他成分可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
上述接著劑層之厚度宜為3~20μm，更佳為5~15μm。若上述厚度在3μm以上，與印刷配線板間密著性會變得更加良好。
上述印刷配線板用貼附薄膜亦可具有上述形狀轉印薄膜、上述電路圖案隱蔽層及上述接著劑層以外的其他層。上述其他層可舉如：設置於上述電路圖案隱蔽層與上述接著劑層間之金屬層等上述導電性接著劑層以外的其他電磁波屏蔽層。又，當具有上述其他電磁波屏蔽層時，上述其他層可舉如：設置於上述電路圖案隱蔽層與上述其他電磁波屏蔽層間之底塗層。
構成上述金屬層的金屬可舉如：金、銀、銅、鋁、鎳、錫、鈀、鉻、鈦、鋅或該等之合金等。上述金屬層宜為金屬板或金屬箔。即，上述金屬層宜為銅板(銅箔)、銀板(銀箔)。
形成上述底塗層的材料可舉如：胺甲酸乙酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、以胺甲酸乙酯系樹脂為殼且以丙烯酸系樹脂為核的核-殼型複合樹脂、環氧系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、三聚氰胺系樹脂、酚系樹脂、脲甲醛系樹脂、使苯酚等封端劑對聚異氰酸酯反應而得之封閉異氰酸酯、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯啶酮等。上述材料可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
上述印刷配線板用貼附薄膜中形狀轉印薄膜對電路圖案隱蔽層之剝離力(第1剝離力)宜為0.1N以上，較佳為0.2N以上，更佳為0.3N以上。若第1剝離力在0.1N以上，則於運送中等不易剝離，可抑制非意圖性剝離。另，第1剝離力可利用實施例中記載的方法進行測定。
在將上述印刷配線板用貼附薄膜之接著劑層面貼合於印刷配線板，並進行利用加熱加壓所行之貼附後的狀態下，形狀轉印薄膜對電路圖案隱蔽層之剝離力(第2剝離力)宜為3.0N以下，較佳為2.0N以下，更佳為1.5N以下。若第2剝離力在3.0N以下，於使用時意圖剝離形狀轉印薄膜時，可輕易地剝離形狀轉印薄膜。另，第2剝離力可利用實施例中記載的方法進行測定。
第2剝離力相對於第1剝離力的比[第2剝離力/第1剝離力]宜為0.5~1.5，較佳為0.6~1.3，更佳為0.7~1.2。若上述比在上述範圍內，則可進一步地抑制非意圖性剝離，且於使用時意圖剝離時，可更輕易地進行剝離。
上述印刷配線板用貼附薄膜又以撓性印刷配線板(FPC)用途尤佳。上述印刷配線板用貼附薄膜宜作為撓性印刷配線板用貼附薄膜來使用。
(印刷配線板用貼附薄膜之製造方法) 就上述印刷配線板用貼附薄膜之製造方法予以說明。製作圖3所示印刷配線板用貼附薄膜5時，首先，個別製作接著劑層7與電路圖案隱蔽層6。然後，貼合已個別製作的接著劑層7與電路圖案隱蔽層6(積層法)。
接著劑層7例如可將用以形成接著劑層7之接著劑組成物，塗佈(塗覆)於分離薄膜等暫時基材或基材上，並且視需要去溶劑及/或局部硬化而形成。
除了上述接著劑層中所含各成分外，上述接著劑組成物例如還可包含溶劑(溶媒)。溶劑可舉如：甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲醇、乙醇、丙醇、二甲基甲醯胺等。接著劑組成物之固體成分濃度可依照形成的接著劑層之厚度等適當地設定。
上述接著劑組成物之塗佈可使用公知塗佈法。舉例言之，可使用凹版輥式塗佈機、反向輥式塗佈機、接觸輥式塗佈機、模唇塗佈機、浸漬輥式塗佈機、棒式塗佈機、刀式塗佈機、噴霧塗佈機、缺角輪塗佈機、直接塗佈機、狹縫式模具塗佈機等塗佈機。
另一方面，當電路圖案隱蔽層6是採用樹脂作為黏結劑成分之物時，例如可將用以形成電路圖案隱蔽層6之樹脂組成物，塗佈(塗覆)於上述形狀轉印薄膜之已形成有上述凹凸形狀的面上，並且視需要去溶劑及/或局部硬化、固化而形成。藉此，可將源自形狀轉印薄膜1之凹凸形狀面的形狀，賦予至電路圖案隱蔽層6表面。
除了上述電路圖案隱蔽層中所含各成分外，上述樹脂組成物例如還可包含溶劑(溶媒)。溶劑可舉如：上述已作為接著劑組成物可含之溶劑所例示者。上述樹脂組成物之固體成分濃度可依照形成的電路圖案隱蔽層之厚度等適當地設定。
上述樹脂組成物之塗佈可使用公知塗佈法。可舉如：上述已作為用於接著劑組成物之塗佈之塗佈機所例示者。
其次，貼合已分別製作的接著劑層7之露出面與電路圖案隱蔽層6之露出面，製作出印刷配線板用貼附薄膜5。
上述積層法以外的其他態樣方面，上述印刷配線板用貼附薄膜亦可藉由依序積層各層的方法來製造(直接塗佈法)。舉例言之，圖3所示印刷配線板用貼附薄膜5可依下述來製造：於接著劑層7之表面，塗佈(塗覆)用以形成電路圖案隱蔽層6之樹脂組成物，並且視需要去溶劑及/或局部硬化，藉此使其固化而形成電路圖案隱蔽層6。另，在此情形下，於完全固化前將形狀轉印薄膜1之凹凸形狀面積層於上述樹脂組成物層上，然後使其完全固化，藉此便可將源自上述凹凸形狀的形狀，賦予至所形成的電路圖案隱蔽層6表面。或者可依下述來製造：先於形狀轉印薄膜1之凹凸形狀面形成電路圖案隱蔽層6，並於電路圖案隱蔽層6之表面塗佈(塗覆)用以形成接著劑層7之接著劑組成物，視需要去溶劑及/或局部硬化而形成接著劑層7。
實施例 以下，根據實施例更詳細地說明本發明，惟本發明並非僅限於該等實施例。
實施例1 (形狀轉印薄膜之製作) 調製由二氧化矽粒子(D50：6.5μm)30質量份、三聚氰胺系樹脂100質量份及甲苯構成的樹脂組成物，使用線錠，將上述樹脂組成物塗佈於厚度25μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜之表面，並利用加熱進行去溶劑，製作出基材層表面具有厚度5μm之樹脂層的形狀轉印薄膜。
(貼附薄膜之製作) 於甲苯中摻合雙酚A型環氧系樹脂(商品名「jER1256」，三菱化學股份有限公司製造)100質量份、硬化劑(商品名「ST14」，三菱化學股份有限公司製造)0.1質量份、作為黑色系著色劑之碳粒子(商品名「TOKABLACK#8300/F」，東海碳股份有限公司製造)15質量份使固體成分量為20質量%，調製出樹脂組成物。使用線錠，將上述樹脂組成物塗佈於上述形狀轉印薄膜之樹脂層表面，並進行利用加熱所行之固化，而於形狀轉印薄膜之表面形成厚度5μm之電路圖案隱蔽層。
其次，於甲苯中摻合雙酚A型環氧系樹脂(商品名「jER1256」，三菱化學股份有限公司製造)100質量份、硬化劑(商品名「ST14」，三菱化學股份有限公司製造)0.1質量份使固體成分量為20質量%，攪拌混合而調製出接著劑層組成物。使用線錠，將上述接著劑層組成物塗佈於表面經脫模處理的PET膜(以下為支持膜)上，並進行利用加熱所行之固化，於支持膜表面形成厚度5μm之接著劑層。
其次，貼合已形成於形狀轉印薄膜表面的電路圖案隱蔽層及已形成於支持膜表面的接著劑層，使用已加熱成100℃的一對金屬輥，於5MPa之壓力下加熱加壓而製得貼附薄膜。所製得貼附薄膜之全光線穿透率在5%以下。
(評價用基板之製作) 將上述所製得的貼附薄膜積層於印刷配線板上，然後，使用壓機，於溫度：170℃、壓力：2MPa之條件下抽真空60秒後，再加熱加壓180秒鐘而進行接著，製作出評價用基板。另，上述印刷配線板是使用已於由聚醯亞胺膜構成的基底層上形成有電路圖案的印刷配線板。上述電路圖案是利用線寬0.1mm、高度12μm之銅箔來形成。於上述基底層上，設置厚度25μm之接著劑層及厚度12.5μm之聚醯亞胺膜構成的覆蓋層(絕緣膜)以覆蓋電路圖案。
實施例2 除了於基材層表面形成厚度7μm之樹脂層外，與實施例1同樣施行，製作出形狀轉印薄膜、貼附薄膜及評價用基板。
實施例3 除了二氧化矽粒子使用D50為4.5μm之二氧化矽粒子外，與實施例1同樣施行，製作出形狀轉印薄膜、貼附薄膜及評價用基板。
實施例4 除了二氧化矽粒子使用D50為3.8μm之二氧化矽粒子外，與實施例1同樣施行，製作出形狀轉印薄膜、貼附薄膜及評價用基板。
比較例1 除了二氧化矽粒子使用D50為9μm之二氧化矽粒子外，與實施例1同樣施行，製作出形狀轉印薄膜、貼附薄膜及評價用基板。
比較例2 除了二氧化矽粒子使用D50為10μm之二氧化矽粒子外，與實施例1同樣施行，製作出形狀轉印薄膜、貼附薄膜及評價用基板。
比較例3 除了二氧化矽粒子使用D50為3.5μm之二氧化矽粒子，且於基材層表面形成厚度3μm之樹脂層外，與實施例1同樣施行，製作出形狀轉印薄膜、貼附薄膜及評價用基板。
比較例4 除了於基材層表面形成厚度4μm之樹脂層外，與比較例3同樣施行，製作出形狀轉印薄膜、貼附薄膜及評價用基板。
比較例5 使用具有表1所示性能的凹凸形狀之薄膜作為形狀轉印薄膜。又，除了使用上述形狀轉印薄膜外，與實施例1同樣施行，製作出貼附薄膜及評價用基板。
比較例6 使用已藉由於聚對苯二甲酸乙二酯樹脂中揑合填料而成形所製得之具有表1所示性能的凹凸形狀之薄膜作為形狀轉印薄膜。又，除了使用上述形狀轉印薄膜外，與實施例1同樣施行，製作出貼附薄膜及評價用基板。
比較例7 使用已藉由於聚對苯二甲酸乙二酯樹脂中揑合填料而成形所製得之具有表1所示性能的凹凸形狀之薄膜作為形狀轉印薄膜。又，除了使用上述形狀轉印薄膜外，與實施例1同樣施行，製作出貼附薄膜及評價用基板。
比較例8 使用已藉由將聚對苯二甲酸乙二酯膜表面進行噴砂處理所製得之具有表1所示性能的凹凸形狀之薄膜作為形狀轉印薄膜。又，除了使用上述形狀轉印薄膜外，與實施例1同樣施行，製作出貼附薄膜及評價用基板。
(評價) 針對實施例及比較例中製得的各形狀轉印薄膜、貼附薄膜及評價用基板，如下述般進行評價。評價結果記載於表中。
(1)表面形狀 使用共焦顯微鏡(商品名「OPTELICS HYBRID」，雷瑟科(Lasertec)公司製造，接物鏡100倍)，依循ISO25178，針對已形成於形狀轉印薄膜之樹脂層表面任意5處的凹凸形狀，測定界面展開面積比Sdr、核心部高度差Sk、算術平均高度Sa、均方根高度Sq及均方根斜率Sdq之算術平均。另，S濾波器之截止波長設為0.0025mm，L濾波器之截止波長設為0.8mm。
(2)光澤度 使用加特納微型光澤儀(Gardner micro gloss)(攜帶型光澤計，畢克(BYK)公司製造)，測定已形成於形狀轉印薄膜之樹脂層表面的凹凸形狀中60°光澤度及85°光澤度，以及評價用基板中電路圖案隱蔽層表面之轉印有上述凹凸形狀的區域中60°光澤度及85°光澤度。另，電路圖案隱蔽層表面之光澤度測定是針對已從上述評價用基板剝離形狀轉印薄膜後的表面來進行。
(3)加熱加壓前的剝離力(第1剝離力) 測定從上述實施例及比較例中所製作之貼附薄膜(進行加熱加壓前的狀態)將形狀轉印薄膜剝離時的剝離力，作為第1剝離力。具體而言，將貼附薄膜固定在厚度100μm之聚醯亞胺膜上，使用強度試驗機(商品名「PFT50S」，帕爾默(PALMEC)股份有限公司)，於試樣寬度10mm、剝離角度170°、剝離速度1000mm/min之條件下，評價已從貼附薄膜剝離形狀轉印薄膜時的剝離力(第1剝離力)。
(4)加熱加壓後的剝離力(第2剝離力) 測定從在製作上述評價用基板時已進行加熱加壓後的狀態下將形狀轉印薄膜剝離時的剝離力，作為第2剝離力。具體而言，使用強度試驗機(商品名「PFT50S」，帕爾默(PALMEC)股份有限公司)，於試樣寬度10mm、剝離角度170°、剝離速度1000mm/min之條件下，評價已從評價用基板剝離形狀轉印薄膜時的剝離力(第2剝離力)。
(5)隱蔽性 將評價用基板置於平坦桌面上，剝離形狀轉印薄膜後，於屏蔽配線板之表面照度為500勒克司之環境下，在自評價用基板算起高度為30cm、45°之角度下，評價可否從電路圖案隱蔽層側視辨電路圖案。將無法視辨電路圖案之情形評價為隱蔽性良好(○)，將可視辨電路圖案之情形評價為隱蔽性不佳(×)。
[表1]
Figure 02_image001
實施例之形狀轉印薄膜中，使用形狀轉印薄膜所形成的電路圖案隱蔽層之隱蔽性優異，加熱加壓後的剝離力(第2剝離力)低到2.0N以下，從電路圖案隱蔽層之剝離性亦優異。又，加熱加壓前的剝離力(第1剝離力)在0.1N以上，形狀轉印薄膜顯示出在非意圖性狀況下不易剝離。另一方面，當形狀轉印薄膜表面之界面展開面積比Sdr或核心部高度差Sk大時(比較例1及2)，第2剝離力會大於2.0N，從電路圖案隱蔽層之剝離性差。又，當形狀轉印薄膜表面之界面展開面積比Sdr或核心部高度差Sk小時(比較例3~8)，電路圖案隱蔽層之隱蔽性差。又，比較例8中，第2剝離力大於2.0N，從電路圖案隱蔽層之剝離性亦差。
1:形狀轉印薄膜 2:基材層 2a,3a:形狀轉印薄膜平坦面 3:樹脂層 4:填料 5:印刷配線板用貼附薄膜 6:電路圖案隱蔽層 7:接著劑層
圖1為截面示意圖，其顯示本揭示發明之形狀轉印薄膜之一實施形態。 圖2為截面示意圖，其顯示本揭示發明之形狀轉印薄膜之其他實施形態。 圖3為截面示意圖，其顯示使用了圖1所示之形狀轉印薄膜的印刷配線板用貼附薄膜之一實施形態。
1:形狀轉印薄膜
2:基材層
3:樹脂層
3a:形狀轉印薄膜平坦面
4:填料

Claims (12)

  1. 一種形狀轉印薄膜，其至少一面具有界面展開面積比Sdr為1500~7000%的凹凸形狀，用以將源自前述凹凸形狀的形狀轉印至轉印對象物上。
  2. 如請求項1之形狀轉印薄膜，其中前述凹凸形狀之核心部高度差Sk為2.0~7.0μm。
  3. 一種形狀轉印薄膜，其至少一面具有核心部高度差Sk為2.0~7.0μm的凹凸形狀，用以將源自前述凹凸形狀的形狀轉印至轉印對象物上。
  4. 如請求項1至3中任一項之形狀轉印薄膜，其中前述凹凸形狀之算術平均高度Sa為1.0~2.0μm。
  5. 如請求項1至4中任一項之形狀轉印薄膜，其中前述凹凸形狀之均方根高度Sq為1.0~2.8μm。
  6. 如請求項1至5中任一項之形狀轉印薄膜，其中前述凹凸形狀之均方根斜率Sdq為7~15。
  7. 如請求項1至6中任一項之形狀轉印薄膜，其中前述凹凸形狀之界面展開面積比Sdr相對於均方根斜率Sdq的比[Sdr/Sdq]為200~500。
  8. 如請求項1至7中任一項之形狀轉印薄膜，其具備基材層及設置於前述基材層之一面的樹脂層，且 前述樹脂層側表面具有前述凹凸形狀。
  9. 如請求項1至8中任一項之形狀轉印薄膜，前述形狀轉印薄膜包含填料，且前述凹凸形狀是藉由令前述填料比薄膜平坦面更朝外側突出而形成。
  10. 一種印刷配線板用貼附薄膜，具備： 如請求項1至9中任一項之形狀轉印薄膜；及 電路圖案隱蔽層，其與前述形狀轉印薄膜直接積層。
  11. 如請求項10之印刷配線板用貼附薄膜，其係依序積層有接著劑層、前述電路圖案隱蔽層及前述形狀轉印薄膜。
  12. 如請求項11之印刷配線板用貼附薄膜，其中前述電路圖案隱蔽層之前述形狀轉印薄膜側表面的85°光澤度在15以下。
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