TW202130238A - 配線基板之製造方法及電子零件之製造方法 - Google Patents

配線基板之製造方法及電子零件之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202130238A
TW202130238A TW109121067A TW109121067A TW202130238A TW 202130238 A TW202130238 A TW 202130238A TW 109121067 A TW109121067 A TW 109121067A TW 109121067 A TW109121067 A TW 109121067A TW 202130238 A TW202130238 A TW 202130238A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wiring board
substrate
manufacturing
less
heating step
Prior art date
Application number
TW109121067A
Other languages
English (en)
Inventor
小池淳一
Original Assignee
日商材料概念股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商材料概念股份有限公司 filed Critical 日商材料概念股份有限公司
Publication of TW202130238A publication Critical patent/TW202130238A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/16—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive material in insulating or poorly conductive material, e.g. conductive rubber
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

本發明提供一種配線基板之製造方法，其尤其可於高分子絕緣膜等不具有較高耐熱性之基板上，形成導電性優異之金屬配線。 本發明之配線基板之製造方法之特徵在於，包括：配置步驟，其將含有金屬粒子之導電性膏配置於基板上，該金屬粒子包含選自銅、銀及鎳中之1種以上之金屬元素；第1加熱步驟，其於氧濃度為0.5體積%以上30體積%以下之環境下，以200℃以上且未滿400℃加熱上述基板；及第2加熱步驟，其於包含還原氣體之環境下，以200℃以上且未滿400℃加熱上述基板；導電性膏中所包含之金屬粒子之平均粒徑具有80 nm以上15 μm以下之粒度分佈。本發明之配線基板之製造方法較佳為進而包括低溫加壓步驟，該低溫加壓步驟係於第2加熱步驟之後，對由導電性膏形成之燒結體以未滿100℃施加1 MPa以上10 MPa以下之壓力。

Description

配線基板之製造方法及電子零件之製造方法
本發明係關於一種配線基板之製造方法及電子零件之製造方法。
導電性膏可使用於晶片電阻器、晶片電容器、太陽電池等電子零件、印刷配線基板、形成有通孔之基板等電子封裝品之配線、與用以控制顯示器之像素開關之電晶體連接之電極及配線。
此處，作為導電性膏之導體成分之一例，可列舉銅粒子。作為藉由使用此種銅粒子之銅膏製造上述電極或配線之方法，例如於專利文獻1中，揭示有於大氣中以樹脂會分解、消失之600～900℃之高溫下進行加熱，一面將此時所形成之氧化銅粉末還原成銅，一面於600～1000℃之高溫下進行燒結之方法。又，於專利文獻2中，揭示有於800～900℃之高溫下，於非氧化性環境中進行脫黏合劑步驟之後，一面於氧化環境中至少降溫至500℃一面使銅氧化，進而於900～1000℃之高溫下進行還原而製造燒結體之方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平7-45931號公報 [專利文獻2]日本專利特開2002-43747號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，近年，根據電子紙等之需求，業界密切關注以具有可撓性之高分子絕緣膜作為基板，以該膜作為基板且於其上形成有金屬配線之軟性配線基板。然而，由於高分子絕緣膜之分解溫度為300～500℃左右，故若如例如專利文獻1及2中所揭示之製造方法般，以高溫進行加熱而形成金屬配線，則高分子絕緣膜會分解而機械強度會降低。另一方面，於僅使溫度降低之情形時，因黏合劑樹脂不分解或銅粒子等金屬粒子之燒結不充分，故導電性會變低。因此，為了尤其於高分子絕緣膜等耐熱性並不優異之基板上形成金屬配線，尚有改良之餘地。
本發明係鑒於以上實情所完成者，其目的在於提供一種配線基板之製造方法，該方法尤其可於高分子絕緣膜等不具有較高耐熱性之基板上，形成導電性優異之金屬配線。 [解決課題之技術手段]
本發明者為了解決上述課題而進行銳意研究。結果發現：若根據如下製造方法，則可於不具有較高耐熱性之基板上，形成導電性優異之金屬配線，從而完成本發明，上述製造方法包括如下步驟：配置步驟，其將至少包含銅粒子之導電性膏配置於基板上，該銅粒子之平均粒徑具有80 nm以上15 μm以下之粒度分佈；第1加熱步驟，其於氧濃度為0.5體積%以上30體積%以下之環境下，以200℃以上且未滿400℃加熱基板；及第2加熱步驟，其於包含還原氣體之環境下，以200℃以上且未滿400℃加熱基板。具體而言，本發明提供如下技術。
(1)一種配線基板之製造方法，其包括：配置步驟，其將含有金屬粒子之導電性膏配置於基板上，該金屬粒子包含選自銅、銀及鎳中之1種以上之金屬；第1加熱步驟，其於氧濃度為0.5體積%以上30體積%以下之環境下，以200℃以上且未滿400℃加熱上述基板；及第2加熱步驟，其於包含還原氣體之環境下，以200℃以上且未滿400℃加熱上述基板；上述導電性膏中所包含之金屬粒子之平均粒徑具有80 nm以上15 μm以下之粒度分佈。
(2)如上述(1)所記載之配線基板之製造方法，其進而包括低溫加壓步驟，該低溫加壓步驟係於上述第2加熱步驟之後，以未滿100℃對由上述導電性膏形成之含銅燒結體施加1 MPa以上10 MPa以下之壓力。
(3)如上述(1)或(2)所記載之配線基板之製造方法，其進而包括高溫加壓步驟，該高溫加壓步驟係於上述第2加熱步驟之後，以100℃以上且未滿400℃對由上述導電性膏形成之燒結體施加1 MPa以上10 MPa以下之壓力。
(4)如上述(2)或(3)所記載之配線基板之製造方法，其中由施加上述壓力所致之上述燒結體之軋縮率為5%以上50%以下。
(5)如(1)至(4)中任一項所記載之配線基板之製造方法，其中於上述第1加熱步驟中，將上述基板加熱10分鐘以上。
(6)如(1)至(5)中任一項所記載之配線基板之製造方法，其中於上述第2加熱步驟中，將上述基板加熱10分鐘以上。
(7)如上述(1)至(6)中任一項所記載之配線基板之製造方法，其中上述基板包含聚醯亞胺樹脂。
(8)如上述(1)至(7)中任一項所記載之配線基板之製造方法，其中由上述導電性膏形成之燒結體之電阻率未滿10 μΩcm。
(9)如上述(1)至(8)中任一項所記載之配線基板之製造方法，其中上述第2加熱步驟之後之上述基板之斷裂應變相對於上述配置步驟之前之斷裂應變為90%以上。
(10)一種電子零件之製造方法，其包括藉由使用如上述(1)至(9)中任一項所記載之配線基板之製造方法所製造之配線基板製造電子零件之步驟。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種配線基板之製造方法，其尤其可於高分子絕緣膜等不具有較高耐熱性之基板上，形成導電性優異之金屬配線。
以下將對本發明之具體之實施方式進行詳細說明。本發明並不限定於以下之實施方式，可於本發明之目的之範圍內適當變更而實施。
＜配線基板之製造方法＞ 本實施方式之配線基板之製造方法係用以製造於基板上設置有配線之配線基板之方法，該配線包含選自銅、銀及鎳中之1種以上之金屬之燒結體。具體而言，該配線基板之製造方法包括：配置步驟，其將含有金屬粒子之導電性膏配置於基板上，該金屬粒子包含選自銅、銀及鎳中之1種以上之金屬元素；第1加熱步驟，其於氧濃度為0.5體積%以上30體積%以下之環境下，以200℃以上且未滿400℃加熱基板；及第2加熱步驟，其於包含還原氣體之環境下，以200℃以上且未滿400℃加熱基板。而且，於本實施方式之配線基板之製造方法中，作為配置步驟中所使用之導電性膏係具有如下特徵者：其所包含之金屬粒子之平均粒徑具有80 nm以上1 μm以下之粒度分佈。以下對各自步驟進行詳細說明。
[配置步驟] 配置步驟係將至少包含銅粒子之導電性膏配置於基板上之步驟。
[導電性膏] 本發明之導電性膏係包含選自銅、銀及鎳中之1種以上之金屬粒子者，此外，例如包含黏合劑樹脂及溶劑作為媒劑。
(金屬粒子) 金屬粒子係包含選自銅、銀及鎳中之1種以上之金屬元素者。具體而言，該金屬粒子包含之選自銅、銀及鎳中之1種以上之金屬元素相對於金屬粒子中所包含之全部元素而言為90 at%以上。再者，金屬粒子包含之其他金屬元素、非金屬元素可為10 at%左右，例如，可有一部分被氧化或氮化等。
而且，該導電性膏中所包含之該金屬粒子之平均直徑具有80 nm以上15 μm以下之粒度分佈。因導電性膏中所包含之金屬粒子之平均粒度為80 nm以上，故而，於下述第1加熱步驟中，該金屬粒子經加熱而相互熔合所獲得之金屬氧化物結構體中會產生充分之空隙，可有效率地進行該金屬之第1加熱步驟中之氧化反應、第2加熱步驟中之還原反應。又，因金屬粒子之平均粒徑為80 nm以上，故可提高包含該金屬粒子之導電性膏之流動性，可獲得塗佈性等之操作性較高之導電性膏。另一方面，因金屬粒子之平均粒徑為15 μm以下，故於第1加熱步驟中，即便為200℃以上且未滿400℃之相對低溫，金屬粒子彼此燒結所獲得之金屬氧化物結構體直至內部亦會均勻地氧化，最終所獲得之燒結體之強度會變高。
此處，「平均粒徑」係指使用雷射繞射式粒度分佈測定裝置測定粒子直徑之分佈所得之全粒子之直徑的平均值。
作為金屬粒子之平均粒徑，只要為80 nm以上15 μm以下則並無特別限定，但較佳為例如超過100 nm，更佳為超過200 nm，進而較佳為500 nm以上，特佳為1 μm以上，最佳為2 μm以上。又，作為平均粒徑，較佳為14 μm以下，更佳為12 μm以下，進而較佳為10 μm以下。
此種金屬粒子之製造方法並無特別限定，但較佳為例如以氣體霧化法、水霧化法、或液相還原析出法等之方法製造之粒子。
(黏合劑樹脂) 導電性膏中之有機媒劑中之黏合劑樹脂之含量並無特別限定，但例如較佳為0.05質量%以上17質量%以下。因有機媒劑中之黏合劑樹脂之含量為0.05質量%以上，故可維持導電性膏之黏度為較低者。另一方面，因有機媒劑中之黏合劑樹脂之含量為17質量%以下，故可抑制第1燒結步驟中之樹脂之殘存。作為黏合劑樹脂，只要是於第1燒結步驟中可分解之樹脂則並無特別限定，例如可列舉：甲基纖維素、乙基纖維素、羧甲基纖維素等纖維素樹脂；丙烯酸樹脂；丁醛樹脂；醇酸樹脂；環氧樹脂；酚樹脂等。其中較佳為使用具有容易與氧或一氧化碳反應而自焊膏中消失之傾向的纖維素系樹脂，於纖維素系樹脂之中，更佳為使用乙基纖維素。
(溶劑) 作為導電性膏所含有之溶劑，只要是賦予適合於第1加熱步驟中去除之沸點及蒸氣壓、及適合焊膏之黏性者則並無特別限定，例如可列舉：烴系溶劑、氯化烴系溶劑、環狀醚系溶劑、醯胺系溶劑、亞碸系溶劑、酮系溶劑、醇系化合物、多元醇之酯系溶劑、多元醇之醚系溶劑、萜烯系溶劑及該等之混合物。於該等之中，較佳為使用沸點為200℃附近之TEXANOL、丁基卡必醇、丁基卡必醇乙酸酯、萜品烯醇。
(其他有機媒劑中之成分) 「有機媒劑」係指一般已知之將黏合劑樹脂、溶劑及其他根據需要添加之有機物全部混合而成之液體。於本實施方式之環境中進行焙燒之情形時，使用將黏合劑樹脂與溶劑混合而製作之有機媒劑便已足夠，但可根據需要混合使用金屬鹽與多元醇。
具體而言，金屬鹽並無特別限定，於使用銅作為金屬粒子所包含之金屬元素之情形時，可列舉：乙酸銅(II)、苯甲酸銅(II)、雙(乙醯丙酮酸)銅(II)等。於使用銀作為金屬粒子所包含之金屬元素之情形時，可列舉：乙酸銀(I)、苯甲酸銀(I)等。於使用鎳作為金屬粒子所包含之金屬元素之情形時，可列舉：乙酸鎳(II)、二苯甲酸鎳(II)、雙(乙醯丙酮酸)鎳(II)等。又，多元醇並無特別限定，例如可使用：乙二醇、二乙二醇、1,3-丙二醇、1,2-丙二醇、四乙二醇等。藉由添加該等物質，於焙燒時多元醇會還原金屬鹽，被還原之金屬會於粒子間之空隙析出，故起到提高粒子間導電性之作用。
導電性膏中之有機媒劑之含量並無特別限定，例如較佳為3質量%以上19質量%以下，更佳為8質量%以上15質量%以下。因導電性膏所含有之有機媒劑之含量為3質量%以上，故可將導電性膏之黏性維持為較低，可印刷形狀一致之配線。另一方面，因有機媒劑之含量為19質量%以下，故可防止導電性膏之黏性過低而使所印刷之配線形狀產生下垂。
(導電性膏之製造方法) 導電性膏可將上述黏合劑樹脂與溶劑混合，進而添加金屬粒子，使用行星式攪拌器等混合裝置或攪拌裝置進行混練。又，亦可添加相對於金屬粒子為10質量%以下之玻璃料。進而，亦可根據需要使用三輥研磨機對混合物實施分散處理，提高粒子之分散性。
將導電性膏配置於基板上之方法並無特別限定，可使用網版印刷法、分注法、噴墨法、膠版印刷法等。
[基板] 作為基板，只要為由至少於200℃下具有耐熱性之材料所構成者則並無特別限定，不限有機材料及無機材料，可使用電子材料一般所使用之所有基板。具體而言，作為有機材料，可使用：聚醯亞胺、液晶性聚合物、氟樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等具有可撓性之樹脂材料。作為無機材料，可廣泛使用無機氧化物、無機氮化物、無機氮氧化物等，例如可列舉：包含SiO2 、SiOCH、SiNx 、Si3 N4 、SiON、AlN、Al2 O3 、矽之樹脂等。
再者，作為基板，下述第2加熱步驟之後之(作為配線基板之)斷裂應變相對於上述配置步驟之前之斷裂應變較佳為90%以上。
再者，配置有導電性膏之面可為基板中至少其中一面，亦可為兩面。
此後，配置有導電性膏之基板適當乾燥後供給至下述第1加熱步驟。作為乾燥方法，例如可於常溫、常壓下靜置，又，亦可於高溫下或減壓下靜置後加速乾燥。
乾燥後之導電性膏之平均厚度並無特別限定，例如較佳為30 μm以下，較佳為25 μm以下，較佳為20 μm以下。焊膏之平均厚度係對乾燥後之導電性膏之除端點以外之任意12點進行測定時，除其中最大1點之值及最小1點之值以外之10點之平均值。
[第1加熱步驟] 第1加熱步驟係於氧濃度為0.5體積%以上30體積%以下之環境下，以200℃以上且未滿400℃加熱基板之步驟。於第1加熱步驟中，藉由以此種條件進行加熱而進行溶劑之蒸發、黏合劑樹脂之分解去除、及金屬粒子之氧化燒結。可以此種低溫燒結導電性膏之原因在於：藉由將導電性膏中所包含之金屬粒子之平均粒徑設為15 μm以下，可確保足以與氧反應或燒結之比表面積，並且藉由將平均粒徑設為80 nm以上，從而可於由金屬粒子氧化、燒結所形成之金屬氧化物結構體中形成可令氧充分深入的空隙，進而藉由將氧濃度設為0.5體積%以上，使金屬之氧化反應急遽進行，且亦有效利用藉由該金屬之氧化所產生之熱而進行燒結。
作為第1加熱步驟中之氧濃度，如上所述，只要為0.5體積%以上30體積%以下則並無特別限定，例如較佳為超過0.8體積%，更佳為1體積%以上，進而較佳為5體積%以上，特佳為超過10體積%，最佳為15體積%以上。藉由將氧濃度設為0.5體積%以上，如上所述，不僅使金屬之氧化反應急遽地進行，亦可提高導電性膏中之樹脂之分解去除之效率。再者，於一實施方式中，氧濃度可超過20體積%。另一方面，作為氧濃度，較佳為27體積%以上，更佳為25體積%以下，進而較佳為23體積%以上。
具體而言，作為此種氣體環境，例如可列舉：氧、或大氣等。又，可混合使用除氧化性氣體以外之氣體及氧化性氣體。作為除氧化性氣體以外之氣體，可使用惰性氣體(例如氮氣或氬氣)。其中，於大氣下，於此情形時可以低成本進行金屬粒子之燒結，而無需控制氣體環境。又，可向空氣中添加一部分氧化性氣體等而提高氣體環境之氧化性。
作為第1加熱步驟中之加熱溫度，只要為200℃以上且未滿400℃則並無特別限定，例如較佳為210℃以上，更佳為220℃以上，進而較佳為230℃以上，特佳為240℃以上。另一方面，作為第1加熱步驟中之加熱溫度，較佳為390℃以下，更佳為380℃以下，進而較佳為360℃以下，特佳為未滿350℃，最佳為340℃以下。
第1加熱步驟中之加熱時間並無特別限定，例如較佳為10分鐘以上，較佳為15分鐘以上。另一方面，作為第1加熱步驟中之加熱時間，較佳為10小時以下，更佳為5小時以下。
[第2加熱步驟] 第2加熱步驟係於包含還原氣體之環境下，以200℃以上且未滿400℃加熱基板之步驟。於第2加熱步驟中，藉由以此種條件進行加熱，可對藉由第1加熱所形成之燒結體實施還原處理而獲得導電性膏中所包含之金屬粒子之燒結體。於第2加熱步驟中，將第1加熱步驟中進行氧化燒結而獲得之金屬氧化物結構體還原，獲得包含金屬之燒結體。於第1加熱步驟中，使金屬粒子氧化並燒結。若金屬氧化，則體積會膨脹，但藉由使用平均粒徑為80 nm以上之金屬粒子作為導電性膏中所包含之金屬粒子，可形成還原氣體可充分深入之空隙，並能以200℃以上且未滿400℃之低溫進行還原。
具體而言，作為此種氣體環境，例如可列舉還原氣體與惰性氣體之混合氣體環境。其中，作為還原氣體，可使用氫、一氧化碳、甲酸、氨等。又，作為惰性氣體，例如可使用氮氣或氬氣等。
第2加熱步驟中之還原氣體之濃度並無特別限定，例如較佳為0.5體積%以上，更佳為1體積%以上，進而較佳為2體積%以上。因以體積比計為0.5%體積以上，故可使燒結體中之金屬元素之氧化物充分還原，可獲得具有較低電阻率之燒結體。
第2加熱步驟中之加熱時間並無特別限定，例如較佳為10分鐘以上，較佳為15分鐘以上。另一方面，第2加熱步驟中之加熱時間較佳為10小時以下，更佳為5小時以下。
[低溫加壓步驟] 由於上述燒結後基板可以直接用作配線基板，故並非必須之構成要素，但可於上述第2加熱步驟之後，以未滿100℃(室溫作為一例)對由導電性膏形成之燒結體施加1 MPa以上10 MPa以下之壓力。藉由如此施加壓力，還原熱處理後之金屬配線內部存在之空隙之體積率會減少，減少電阻率，並且對於變形之耐久性得以提昇。
再者，作為低溫加壓步驟中之溫度，只要未滿100℃則並無特別限定，較佳為-50℃以上，更佳為-20℃以上，進而較佳為-10℃以上，特佳為0℃以上。
加壓之軋縮率((加壓前之厚度－加壓後之厚度)÷加壓前之厚度)並無特別限定，較佳為5%以上50%以下。
[高溫加壓步驟] 又，可對由導電性膏形成之燒結體以100℃以上且未滿400℃施加1 MPa以上10 MPa以下之壓力。如此，藉由以高溫施加壓力，使金屬配線內部之空隙之體積率減少，除此以外，還可促進被壓碎而接觸之金屬粒子間之接合。
再者，關於阻力增加之張馳程度，於低溫加壓步驟之情形時可藉由控制軋縮率而變化，於高溫加工步驟之情形時可藉由控制溫度、壓力、時間而變化。
如上所述，於進行低溫加壓步驟及高溫加壓步驟之情形時，該等步驟係於第2加熱步驟之後進行。另一方面，例如較佳為於配置步驟之後、且第1加熱步驟之前，不對導電性膏或其乾燥物施加100 MPa以上之壓力，更佳為不對該等加壓。若對導電性膏或其乾燥物施加100 MPa以上之壓力，則導電性膏所含有之金屬粒子會被緊密地填充，於燒結體中，有未形成足以用於有效率之氧化之空隙之虞。
[樹脂嵌埋] 就藉由降低燒結體之空隙之體積率而提昇該燒結體對於變形之耐久性之觀點而言，可由樹脂嵌埋金屬配線之空隙。樹脂並無特別限定，例如可使用環氧等熱固性樹脂。作為嵌埋樹脂之方法，例如可列舉：浸漬於樹脂或者其溶液、分散液中進行乾燥(根據需要進行加熱)，或浸漬於單體或者其溶液、分散液中之後進行該單體之聚合之方法。
[鍍覆] 就藉由降低燒結體之空隙之體積率而減少該燒結體之電阻率，又，提昇對於變形之耐久性之觀點而言，可對金屬配線實施鍍覆。鍍覆並無特別限定，例如可使用Cu鍍覆、Ni鍍覆、Au鍍覆等具有導電性之金屬。作為鍍覆之方法，例如可使用電鍍。
如上所述，由導電性膏形成之燒結體之電阻率並無特別限定，較佳為未滿10 μΩcm。
＜電子零件之製造方法＞ 本實施方式之電子零件之製造方法包括使用藉由以上所說明之配線基板之製造方法製造之配線基板製造電子零件的步驟。
例如，可將該電子零件與晶片電阻器、積層晶片電容器、晶片電感器、元件探針電極、SMT(Surface Mount Technology，表面黏著技術)封裝電極、小型LED(Light-emitting Diode，發光二極體)封裝電極、太陽電池、硬質或軟性印刷配線基板等中之各部連接，又，與用以控制顯示器之像素開關之電晶體連接而獲得電子零件。 [實施例]
以下列舉實施例對本發明進而進行詳細說明。本發明並不限定於該等實施例。
(實施例1-1～1-4，比較例1-1～1-4) 以成為平均粒徑為0.3 μm之銅粒子86質量%、媒劑14質量%之比率之方式進行混合，獲得導電性膏。於作為絕緣基板之厚度為35 μm之聚醯亞胺膜上，藉由網版印刷法將導電性膏以成為線寬200 μm、厚度20 μm、長度6 cm之直線狀之方式進行印刷。對於印刷有導電性膏之基板，以表1中所示之溫度及時間條件，作為第1加熱步驟係於大氣下，繼而，作為第2加熱步驟係於5體積%之氫與氬氣殘部之混合氣體環境下，分別進行加熱，獲得配線基板試樣。
藉由直流四探針法測定如此所獲得之配線基板試樣之電阻率。將測定之電阻率未滿10 μΩcm之情形評價為A，將電阻率為10 μΩcm以上之情形評價為B。表1中示出各個配線基板試樣之電阻率評價結果。
又，對所獲得之配線基板試樣進行拉伸試驗。將銅配線之長度方向設為拉伸方向，測定基板直至斷裂時之伸長係數，根據式：斷裂應變＝(斷裂時之標點間長度－試驗前之標點間長度)÷(試驗前之標點間長度)算出，將第2加熱步驟之後之斷裂應變相對於塗佈步驟前之(即，作為原料之基板之聚醯亞胺膜之)斷裂應變之比率為90%以上之情形判斷為因第1加熱步驟及第2加熱步驟而基板之劣化較少，評價為「A」；將該比率未滿90%之情形評價為因第1加熱步驟及第2加熱步驟而使基板劣化，評價為「B」。表1中示出各個配線基板試樣之拉伸試驗結果。
[表1]
   第1加熱步驟 第2加熱步驟 評價結果
溫度 [℃] 時間 [min] 溫度 [℃] 時間 [min] 電阻率 斷裂應變
比較例1-1 150 120 150 120 B A
比較例1-2 180 120 180 120 B A
實施例1-1 200 60 200 60 A A
實施例1-2 250 60 250 60 A A
實施例1-3 300 30 300 30 A A
實施例1-4 380 30 380 30 A A
比較例1-3 400 30 400 30 A B
比較例1-4 500 30 500 30 A B
(實施例2-1～2-4，比較例2-1～2-4) 除將第1加熱步驟中之加熱環境變更為0.5體積%之氧與氮氣殘部之混合氣體環境以外，與實施例1-1～1-4及比較例1-1～1-4同樣地進行，獲得配線基板試樣。表2中示出各個配線基板試樣之電阻率評價結果及拉伸試驗結果。
[表2]
   第1加熱步驟 第2加熱步驟 評價結果
溫度 [℃] 時間 [min] 溫度 [℃] 時間 [min] 電阻率 斷裂應變
比較例2-1 150 120 150 120 B A
比較例2-2 180 120 180 120 B A
實施例2-1 200 60 200 60 A A
實施例2-2 250 60 250 60 A A
實施例2-3 300 30 300 30 A A
實施例2-4 380 30 380 30 A A
比較例2-3 400 30 400 30 A B
比較例2-4 500 30 500 30 A B
(實施例3-1～3-4，比較例3-1～3-4) 除將第1加熱步驟中之加熱環境變更為0.2體積%之氧與氮氣殘部之混合氣體環境以外，與實施例1-1～1-4及比較例1-1～1-4同樣地進行，獲得配線基板試樣。表3中示出各個配線基板試樣之電阻率評價結果及拉伸試驗結果。
[表3]
   第1加熱步驟 第2加熱步驟 評價結果
溫度 [℃] 時間 [min] 溫度 [℃] 時間 [min] 電阻率 斷裂應變
比較例3-1 150 120 150 120 B A
比較例3-2 180 120 180 120 B A
實施例3-1 200 60 200 60 A A
實施例3-2 250 60 250 60 A A
實施例3-3 300 30 300 30 A A
實施例3-4 380 30 380 30 A A
比較例3-3 400 30 400 30 A B
比較例3-4 500 30 500 30 A B
(實施4-1～4-4，比較例4-1～4-4) 除將第2加熱步驟中之加熱環境變更為將氮氣通入甲酸溶液中而獲得之氣體(包含甲酸約1體積%)環境以外，與實施例1-1～1-4及比較例1-1～1-4同樣地進行，獲得配線基板試樣。表4中示出各個配線基板試樣之電阻率評價結果及拉伸試驗結果。
[表4]
   第1加熱步驟 第2加熱步驟 評價結果
溫度 [℃] 時間 [min] 溫度 [℃] 時間 [min] 電阻率 斷裂應變
比較例4-1 150 120 150 120 B A
比較例4-2 180 120 180 120 B A
實施例4-1 200 60 200 60 A A
實施例4-2 250 60 250 60 A A
實施例4-3 300 30 300 30 A A
實施例4-4 380 30 380 30 A A
比較例4-3 400 30 400 30 A B
比較例4-4 500 30 500 30 A B

Claims (10)

  1. 一種配線基板之製造方法，其包括： 配置步驟，其將含有金屬粒子之導電性膏配置於基板上，該金屬粒子包含選自銅、銀及鎳中之1種以上之金屬元素； 第1加熱步驟，其於氧濃度為0.5體積%以上30體積%以下之環境下，以200℃以上且未滿400℃加熱上述基板；及 第2加熱步驟，其於包含還原氣體之環境下，以200℃以上且未滿400℃加熱上述基板； 上述導電性膏中所包含之金屬粒子之平均粒徑具有80 nm以上15 μm以下之粒度分佈。
  2. 如請求項1之配線基板之製造方法，其 進而包括低溫加壓步驟，該低溫加壓步驟係於上述第2加熱步驟之後，以未滿100℃對由上述導電性膏形成之燒結體施加1 MPa以上10 MPa以下之壓力。
  3. 如請求項1或2之配線基板之製造方法，其 進而包括高溫加壓步驟，該高溫加壓步驟係於上述第2加熱步驟之後，以100℃以上且未滿400℃對由上述導電性膏形成之燒結體施加1 MPa以上10 MPa以下之壓力而實施壓延處理。
  4. 如請求項2或3之配線基板之製造方法，其中 由施加上述壓力所致之上述燒結體之軋縮率為5%以上50%以下。
  5. 如請求項1至4中任一項之配線基板之製造方法，其中 於上述第1加熱步驟中，將上述基板加熱10分鐘以上。
  6. 如請求項1至5中任一項之配線基板之製造方法，其中 於上述第2加熱步驟中，將上述基板加熱10分鐘以上。
  7. 如請求項1至6中任一項之配線基板之製造方法，其中 上述基板包含聚醯亞胺樹脂。
  8. 如請求項1至7中任一項之配線基板之製造方法，其中 由上述導電性膏所形成之含銅燒結體之電阻率未滿10 μΩcm。
  9. 如請求項1至8中任一項之配線基板之製造方法，其中 上述第2加熱步驟之後之上述基板之斷裂應變相對於上述配置步驟之前之斷裂應變為90%以上。
  10. 一種電子零件之製造方法，其 包括使用如請求項1至9中任一項之配線基板之製造方法所製造之配線基板製造電子零件之步驟。
TW109121067A 2019-06-26 2020-06-22 配線基板之製造方法及電子零件之製造方法 TW202130238A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-118857 2019-06-26
JP2019118857A JP2021005640A (ja) 2019-06-26 2019-06-26 配線基板の製造方法及び電子部品の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202130238A true TW202130238A (zh) 2021-08-01

Family

ID=74061699

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109121067A TW202130238A (zh) 2019-06-26 2020-06-22 配線基板之製造方法及電子零件之製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2021005640A (zh)
TW (1) TW202130238A (zh)
WO (1) WO2020262345A1 (zh)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005177710A (ja) * 2003-12-24 2005-07-07 Seiko Epson Corp 導電性膜の形成方法及び形成装置、並びに配線基板、電気光学装置、及び電子機器
TWI569700B (zh) * 2011-11-25 2017-02-01 昭和電工股份有限公司 導電性圖案生成方法
JP6857475B2 (ja) * 2015-09-30 2021-04-14 株式会社マテリアル・コンセプト 配線形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021005640A (ja) 2021-01-14
WO2020262345A1 (ja) 2020-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7976732B2 (en) Electroconductive composition and electroconductive film forming method
US5951918A (en) Composite electroconductive powder, electroconductive paste, process for producing electroconductive paste, electric circuit and process for producing electric circuit
JP5972317B2 (ja) 電子部品およびその製造方法
JP5320962B2 (ja) 導電性組成物、導電性被膜の形成方法および導電性被膜
JP4855077B2 (ja) 低温焼成用導電性ペースト組成物及びそのペースト組成物を用いた配線パターンの形成方法
EP3153254B1 (en) Method for firing copper paste
JP6562196B2 (ja) 銅微粒子焼結体と導電性基板の製造方法
TW202130238A (zh) 配線基板之製造方法及電子零件之製造方法
JP7070947B2 (ja) 配線基板及びその製造方法、並びに電子部品及びその製造方法
Xu et al. Conductivity of silver and copper film printed by particle-free reactive inks
KR101789037B1 (ko) 그라파이트를 포함하는 전극형성용 금속 페이스트 조성물 및 이를 이용한 은-그라파이트 복합체 전극
JP2020055912A (ja) 電極形成用樹脂組成物並びにチップ型電子部品及びその製造方法
JP2014086243A (ja) 導電膜形成用ペースト、導電膜及び該導電膜の製造方法、並びに物品
TWI842810B (zh) 電子零件及其製造方法
WO2021132479A1 (ja) 配線基板及びその製造方法
TWI781528B (zh) 配線基板及其製造方法
JP2007223224A (ja) 積層体およびその製造方法
JP6393243B2 (ja) 電子部品およびその製造方法
JP2023127192A (ja) 配線基板及びその製造方法
TW202035341A (zh) 電子零件及其製造方法
KR101738499B1 (ko) 급속 저온 소결을 통한 구리배선의 제조방법, 및 이를 통하여 제조되는 구리배선
TW202231398A (zh) 氧化銅糊料及電子零件之製造方法
EP4275816A1 (en) Copper paste
KR20130058206A (ko) 은 코팅 분말을 포함하는 전극형성용 금속 페이스트 조성물 및 이를 이용한 전극
JPH07112105B2 (ja) 電気接続部材の製造方法