TW202127568A - 對準基板之方法及裝置 - Google Patents

對準基板之方法及裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202127568A
TW202127568A TW109142555A TW109142555A TW202127568A TW 202127568 A TW202127568 A TW 202127568A TW 109142555 A TW109142555 A TW 109142555A TW 109142555 A TW109142555 A TW 109142555A TW 202127568 A TW202127568 A TW 202127568A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
alignment
substrate
substrates
alignment marks
substrate holder
Prior art date
Application number
TW109142555A
Other languages
English (en)
Inventor
喬瑟夫 克羅爾
Original Assignee
奧地利商Ev集團E塔那有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 奧地利商Ev集團E塔那有限公司 filed Critical 奧地利商Ev集團E塔那有限公司
Publication of TW202127568A publication Critical patent/TW202127568A/zh

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/26Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
    • G01B11/27Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes
    • G01B11/272Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes using photoelectric detection means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7007Alignment other than original with workpiece
    • G03F9/7011Pre-exposure scan; original with original holder alignment; Prealignment, i.e. workpiece with workpiece holder
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H01L21/187Joining of semiconductor bodies for junction formation by direct bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

本發明提出一種用於對準基板之裝置及方法。

Description

對準基板之方法及裝置
根據協調技術方案,本發明係關於一種用於對準基板之方法及裝置。
微電子及微機電系統之幾乎全部領域中之逐步微型化確保全部技術之一穩定發展,藉助於該等技術吾等可增加基板上之全部類型之功能單元之密度。例如,此等功能單元包含微控制器、記憶體模組、MEMS、全部類型之感測器或微流體組件。
近年來,極大改良用於增加此等功能單元之橫向密度之技術。在微電子或微機電系統技術之一些子領域中,此甚至達到不再可能進一步增加功能單元之橫向密度之程度。在微晶片生產中,實際上已達到以微影方式產生之結構之最大可達成解析度限制。因此,在幾年內,實體或技術限制將不再容許功能單元之橫向密度之任何增加。幾年來,業界已藉由開發2.5D及3D技術來解決此問題。藉助於此等技術,可將相同或甚至不同類型之功能單元相對於彼此對準,將其等彼此疊置,將其等永久地彼此結合且藉由適當導體軌道將其等彼此互連。
實現此等結構之關鍵技術之一者係永久接合。永久接合被理解為意謂全部方法,藉助於該等方法可將基板彼此結合,使得僅藉由高能量支出(outlay)及基板之一相關聯破壞方可將其等分離。存在熟習此項技術者已知之不同類型之永久接合。
最重要的永久接合方法之一者係融合接合,亦被稱為直接接合或分子接合。融合接合被理解為意謂藉由形成共價鍵而永久結合兩個基板之程序。主要在非金屬無機材料之表面上形成融合接合。融合接合可在複數個方法步驟中進行:藉助於所謂預接合將經預處理之清潔基板彼此結合。在預接合方法中,兩個基板單單藉由凡得瓦(van der Waals)力而彼此接合。此接合程序主要發生在矽基板及/或氧化矽基板之間。接合程序將一第一基板之待接合之一第一基板表面結合至一第二基板之待接合之一第二基板表面。弱鍵之鍵能足以依一不可移動方式將基板彼此結合。然而,預接合容許相互結合之基板無破壞地(尤其無損壞地)分離。僅使用一熱處理方能將預接合轉換為基板之一不可分離結合。
相對於彼此對準之基板之夾持可視需要在開始時或預接合之後完全機械地發生。在一特定實施例中,較佳地使用專利說明書PCT/EP2013/056620中描述之一方法將基板彼此夾持。在此情況中,磁性作用固定構件用於兩個基板之快速且簡單固定,該等基板已相對於彼此對準並使其等接觸。夾持亦可以任何其他方式發生。特定言之,可將已相對於彼此對準之基板夾持至一樣本固持器上。
先前技術已知用於量測對準標記之無數種方法,該等對準標記用於對準標記定位於其上之基板之正確定位且用於隨後接合步驟。根據先前技術,藉助於對準安裝(尤其根據US6214692B1、WO2014202106A1或WO2015082020A1)將基板相對於彼此對準。公開文獻US6214692B1之對準安裝可被視為最近先前技術。在此對準安裝中,使用兩個光學元件群組(在各情況中具有彼此相對之兩個光學元件),以便產生具有兩個參考點之一系統,其中基板相對於系統可互換地定位。參考點係兩個相互相對光學元件之光學軸之交叉點。
在一已知裝置中,將一光學系統及一旋轉系統用於根據摺疊對準原理進行基板定位,在此方面,參見Hansen, Friedrich: Justierung, VEB Verlag Technik, 1964, par. 6.2.4, Umschlagmethode, bei welcher mindestens eine Messung in einer definierten Position und mindestens eine Messung in 180 Grad gedrehter, entgegengesetzt orientierter, umgeschlagener Position durchgeführt wird [摺疊方法,其中在一定義位置中實行至少一個量測且在旋轉180度且相反地定向之一摺疊位置中實行至少一個量測]。由此獲得之量測結果尤其消除偏心誤差。
在至少兩個基板之對準期間之一個問題在於以下事實:對準之移動程序應更快地但亦更精確地進行,即,具有更低剩餘位置不確定性,使得基板以最大可能程度在理想位置中彼此結合及接合。此等移動需求彼此相反。
此外,應最實質上消除歸因於裝置本身之寄生移動及基於結構之額外路徑。特定言之,作為振動、熱影響、移動負載之一效應且作為電磁場對裝置之一破壞性效應而產生寄生移動。基於結構之額外路徑係待接合之一第一基板至待接合之一第二基板之軌跡路徑,該等軌跡路徑藉由最佳化裝置同時保留裝置之對準功能性且尤其藉由增加位置精度而被省略。在先前技術之對準裝置之情況中,裝載及卸載方向在極大程度上相同於基板之對準之主要移動方向。為偵測對準標記,兩個基板數次行進通過對應於整個基板直徑之一長度。
在此情況中,對準裝置之設計係基於在各情況中具有兩個雙筒顯微鏡之一手動對準裝置之歷史開發設計,如公開文獻US6214692B1中揭示。在此設計中,將操作者之一人體工學工作位置納入考慮且將兩個觀察顯微鏡定位於與操作者具有相同距離之裝載及卸載方向之主要移動方向之一法線上。
在WO2014202106A1中,裝載及卸載方向係橫向於基板之對準之主要移動方向。短行進路徑可偵測對準標記。然而,兩個雙筒顯微鏡之定位實質上相同於習知對準裝置之結構。
PCT/EP2016/070289使用基板固持器之額外對準特徵,其等與基板特徵組合且實現一更精確對準。實質上根據習知對準裝置來實現機械結構。
先前技術之重要問題源自當前對準裝置之設計。待對準之基板及/或裝置之部分之任何寄生移動對於對準精度具破壞性。
特定言之,非所要移動係基板相對於彼此之相對位置之位移、整個裝置及其部分之振動、由移動負載引起之寄生移動(塊體在導軌上之移動引起橫向位移)、所使用之筆直導軌上之非所要橫擺、俯仰或側傾。此外,應最小化影像獲取元件之振動,使得無需重新聚焦。一般言之,振動引起寄生移動,此引起在幾微秒至幾秒之一時間框內之破壞。
由熱機械轉換及/或熱雜訊及/或熱膨脹引起之機械故障導致寄生移動。此等機械故障出現之時間間隔在幾秒至幾天之範圍內。因此,所引起之機械故障之偵測及補償係複雜的。
在機械工程及機電整合之領域中,熟習此項技術者已知全部所列出寄生移動。特定言之,若寄生移動構成對準之一系統故障,則其等影響對準成功。
此等系統故障客觀地由對準裝置及量測方法引起。針對先前技術中之裝置,基板及影像獲取元件之導引及驅動系統連同其等之定位及驅動系統可為故障來源。
先前技術之裝置之影像獲取元件(尤其可在相反方向上擷取一焦平面之雙筒顯微鏡)可定位於開放式控制台之端部處。因此,影像獲取之緊固發生在一所謂開放式C形設計之機架上。開放式C形設計具有一較強振動傾向,該較強振動傾向主要在0.1 Hz至1 Hz之間或0.1 Hz至10 Hz之間的低頻範圍內,僅可使用相當大的結構支出來衰減且無法被消除。
因此,本發明之目標係指定一種方法及一種裝置,使用該方法及該裝置可改良基板相對於彼此之對準之精度且同時可增加兩個基板之對準之速度。因此,實現基板之一更精確且甚至更高效之對準及接觸。
此目標使用協調技術方案之特徵達成。在附屬技術方案中指定本發明之有利發展。在描述、技術方案及/或圖式中指定之至少兩個特徵之全部組合亦落入本發明之範疇內。在值範圍之情況中,位於所提及限度內之值亦應被揭示為極限值且可以任何所要組合要求。
根據本發明,提供一種用於對準基板之方法,其中發生對準標記之一偵測且依據對準標記之偵測而將基板相對於彼此對準,其中至少兩個對準標記與基板之一線性移動件齊平地配置。
此外,根據本發明,提供一種用於對準基板且用於實行根據本發明之方法之裝置,其中可實行對準標記之一偵測且可依據對準標記之偵測而將基板相對於彼此對準,其中至少兩個對準標記與基板之一線性移動件齊平地配置。
較佳地,提供至少三個對準標記與基板之線性移動件齊平地配置。
較佳地,提供至少一個對準標記經配置於一基板固持器處或其上。
較佳地,提供至少兩個對準標記經配置於一基板上且至少一個對準標記經配置於基板固持器上,其中對準標記與基板之線性移動件齊平地配置。
較佳地,提供用於偵測對準標記之偵測單元經配置於至少一個環形量測入口(portal)中,較佳地配置於至少一個全封閉環形量測入口中。
較佳地,提供用於偵測對準標記之偵測單元經配置於兩個環形量測入口中,較佳地配置於兩個全封閉環形量測入口中。
較佳地,提供用於偵測對準標記之偵測單元經配置於一環形量測入口中,較佳地配置於一全封閉環形量測入口中及一C形柱中。
較佳地,提供對準沿著一單一對準軸發生,其中對準軸平行於基板之裝載及卸載方向延伸。
換言之,本發明之核心係,至少兩個對準標記與基板之線性移動件齊平地配置。在此情況中,兩個對準標記可例如定位於基板上,或例如一個對準標記可定位於基板上且另一對準標記可定位於基板固持器上。然而,兩個或兩個以上對準標記可例如定位於基板上及/或基板固持器上。此等例示性組態適用於第一/上基板或第一/上基板固持器及第二/下基板或第二/下基板固持器兩者。根據本發明,至少兩個對準標記與基板之線性移動件齊平地配置。因此,由於橫向移動之減少,可達成一高對準精度。
本發明尤其係基於藉由具有一入口設計之裝置之一增加剛性及/或藉由偵測至少三個對準標記(在下文中亦被稱為對準標記)而增加對準精度之構想,該等對準標記與基板之線性移動件齊平地配置。
較佳地,至少一個對準標記經應用於一基板固持器處或其上。基板固持器之位置偵測遞送待對準基板之位置及對準狀態之校正值。
在一有利實施例中,至少一個基板固持器具有用於一基板之一較佳平坦安裝表面。
此外,至少一個基板固持器可尤其含有整塊地結合至安裝表面之稜柱體,該等稜柱體在一已知幾何形狀之情況下可被稱為尤其用於光學位置量測之參考表面。此等功能表面經建構為雷射反射體,使得歸因於雷射之入射點之幾何形狀及知識而判定本體在空間中之一精確位置。在此情況中,可在一封閉控制迴路中干涉地量測且相應地校正功能表面之位置。
根據本發明之用於對準至少兩個基板之一裝置具有至少一個光學系統,該至少一個光學系統具有兩個光學元件或偵測單元,該兩個光學元件或偵測單元尤其彼此相對地對準,其等之光學路徑較佳地在一共同焦點處相遇。共同焦點構成一第一基板及一第二基板之一理想化接合平面之一點。基板在此平面中彼此接合。在公開文獻WO2014202106中詳細描述焦點之準確描述及校準。
根據一有利實施例,光學系統或偵測單元含有光束塑形及/或偏轉元件,諸如鏡、透鏡、稜鏡、輻射源(尤其用於Köhler照明)及影像獲取構件,諸如相機(CMOS感測器或CCD,或表面或列或點偵測構件,諸如一光電晶體)及用於聚焦之移動構件及用於控制光學系統之分析構件。
根據本發明之一發展含有具有經對準光學元件之兩個以上相同光學系統。
此外,根據本發明之裝置含有用於安裝待對準基板之基板固持器。根據本發明之裝置之一實施例含有至少兩個可移動基板固持器,其等可安裝及緊固待對準之一第一基板及待對準之一第二基板。基板固持器之移動及定位系統被歸入可移動基板固持器。
基板可具有任何所要形狀,但較佳地係圓形。晶圓始終被理解為基板。尤其在工業上標準化基板之直徑。針對晶圓,工業標準直徑係1吋、2吋、3吋、4吋、5吋、6吋、8吋、12吋及18吋或對應度量轉換。然而,根據本發明之實施例可基本上處置任何基板,而與其直徑無關。
根據本發明,代替一基板,可想到使用由至少兩個相互結合之基板構成之一基板堆疊且將基板堆疊結合至一基板或另一基板堆疊。在進一步揭示內容中,可使用基板堆疊且將其理解為歸入基板之下。
基板相對於彼此之對準尤其係基於定位於基板之接觸表面上之對準標記而發生。相對基板之相對側上之對準標記尤其彼此互補。
對準標記可為可相對於彼此對準之任何物件,諸如十字形、方形或圓形,且亦可為類似螺旋槳形狀或柵格結構,尤其用於空間頻率範圍之相位柵格。
對準標記較佳地藉由某一波長或波長範圍之電磁輻射來偵測,尤其紅外線輻射、可見光或紫外線輻射。然而,使用來自不同波長範圍之輻射同樣係可行的。
此外,根據本發明之裝置可含有用於產生預接合之一系統。
此外,根據本發明之裝置較佳地含有具有驅動系統、導引系統、緊固件及量測系統之移動裝置,以便能夠將光學系統及基板固持器及/或基板相對於彼此移動、定位及對準。移動裝置可執行基板固持器之受控定位,其等由開放迴路及/或封閉迴路控制單元(尤其電腦及/或封閉迴路控制演算法)操縱。
移動裝置可作為個別移動之一結果而產生任何移動,使得移動裝置可較佳地含有不滿足精度要求之快速粗略定位裝置及精確操作之精細定位裝置。待行進至之位置之一設定點值係一理想值。移動裝置接近於理想值。達到理想值周圍之一定義環境可被理解為達到設定點值。
相對於總行進路徑或旋轉範圍(在能夠迴轉360度之一完整迴轉之旋轉驅動器之情況中),若定位或重複精度從設定點值偏離達小於0.1%,較佳地小於0.05%,尤其較佳地小於0.01%,則一定位裝置被理解為一粗略定位裝置。例如,在具有超過600 mm (雙倍基板直徑)之一行進路徑之一粗略定位器(預對準器)之情況中,600 mm*0.01% (即,小於60微米)之一定位精度因此導致剩餘不確定性。在粗略定位之其他實施例中,定位或重複精度之剩餘不確定性係小於200微米,較佳地小於150微米,尤其較佳地小於50微米。在此情況中,同樣亦應將熱干擾值納入考慮。
若實際到達之實際位置與位置之設定點值之間的偏差在一經指派精細定位裝置之行進範圍內,則一粗略定位裝置僅以足夠精度履行定位任務。
若實際到達之實際位置與位置之設定點值之間的偏差在一經指派精細定位裝置之行進範圍之一半內,則一替代粗略定位裝置僅以足夠精度履行定位任務。
相對於總行進路徑或旋轉範圍,若定位及/或重複精度相對於設定點值之剩餘不確定性不超過小於500 ppb,較佳地小於100 ppb,理想地1 ppb,則一定位裝置被理解為一精細定位裝置。較佳地,根據本發明之一精細定位裝置將具有小於5微米,較佳地小於1微米,尤其較佳地小於100 nm,非常尤其較佳地小於10 nm,在最佳情況中小於5 nm,在理想情況中小於1 nm之一絕對定位誤差。
對準及可能(融合接合)藉由最精細驅動器(諸如壓電驅動器)而發生。
根據本發明之裝置及相關聯方法較佳地具有最高精度及再現性之至少兩個定位裝置。相互誤差校正之一概念可用於基板之對準之品質。因此,可使用用校正值或校正向量對另一定位裝置及另一基板之位置進行調整及校正來補償一基板及相應地定位裝置之一已知偏移(扭轉及/或位移)。在此情況中,開放迴路控制或封閉迴路控制如何使用粗略及精細定位或僅使用粗略或精細定位來進行誤差校正係扭轉及/或位移之大小及類型之一問題。在本文之其餘部分中,定位裝置(粗略或精細或複合定位裝置)及對準構件在使用時被視為同義詞。
根據本發明,基板相對於彼此之對準可在全部六個移動自由度中發生:根據笛卡爾(Cartesian)座標方向x、y及z之三個平移及圍繞此等座標方向之三個旋轉。x、y及z方向或x、y及z位置被理解為意謂延伸於笛卡爾x-y-z座標系統中之方向或配置於其中之位置。x及y方向尤其對應於基板之橫向方向。
從基板之對準標記之位置(position及/或location)值及從基板固持器上之對準標記導出/計算位置特徵。根據本發明,可在任何方向及定向上實行移動。較佳地根據公開文獻EP2612109B1中之揭示內容,基板之對準尤其含有一被動或主動楔形誤差補償。
根據本發明之方法尤其藉由額外X-Y位置(position及/或location)資訊來增加對準精度,該X-Y位置資訊使用額外附接之偵測單元及/或量測及封閉迴路控制系統來偵測且用於對準之開放迴路/封閉迴路控制。額外附接之偵測單元及/或量測及封閉迴路控制系統可為在各情況中具有兩個相互相對光學元件之進一步光學元件群組。
在一較佳實施例中,將一額外(尤其第三)對準標記應用於基板固持器。使用具有一新穎額外光學路徑之至少一個額外量測系統偵測此額外位置特徵。基板固持器上之對準標記同樣與基板之線性移動件齊平地配置。基板固持器之位置偵測遞送待對準基板之位置及對準狀態之校正值。歸因於額外量測值及與其他偵測單元之至少一個量測值之相關性,對準精度增加。歸因於接觸表面之間的接合介面中之經量測對準標記之至少一者與在基板之對準期間亦可見之基板固持器上之一對準標記之相關性,在對準期間實現一對準標記之直接可觀察性及因此一即時量測及封閉迴路控制。
在一較佳實施例中,額外量測系統係一雷射干涉儀。一雷射干涉儀實現藉由量測位置改變(位移量測)、傾斜角改變(角度量測)、平整度(位移及角度量測)、正交性(角度量測)及(視需要)動力學(速度量測)而檢查基板固持器之線性移動件。特定言之,傾斜角改變之量測實現偵測一線性軸承上之滑架傾斜。直線度量測容許偵測或精確偵測線性軸承上之滑軌之水平或垂直偏差。針對高度精確雷射干涉量測,取決於介質,需要對雷射波長進行即時校正。在此情況中,必須偵測例如壓力、材料溫度及/或氣體溫度(若存在)。
一尤其較佳實施例具有每基板固持器及/或基板至少一個雷射干涉儀,較佳地每基板固持器及/或基板兩個雷射干涉儀,其偵測兩個基板固持器及/或基板相對於一定義參考(尤其相對於框架)之X-Y位置及/或對準位置及/或角位置。較佳地,至少一個干涉儀經固定至框架。
用於基板處置之機器人被歸入移動裝置之下。緊固件可經組件及/或功能整合於移動裝置中。此外,根據本發明之裝置較佳地含有封閉迴路控制系統及/或分析系統(尤其電腦),以便執行所描述步驟(尤其移動序列),實行校正,分析及保存根據本發明之各自裝置之操作狀態。方法較佳地被產生為配方且以機器可讀形式執行。配方係最佳化參數值集合,其等存在於功能或程序內容脈絡中。使用配方使得可確保生產程序之一再現性。
此外,根據一較佳實施例,根據本發明之方法含有供應及輔助及/或補充系統,諸如例如壓縮空氣、真空、電能、液體(諸如液壓流體、冷卻劑、加熱介質)、用於溫度穩定之構件及/或裝置、電磁屏蔽。
此外,根據本發明之裝置較佳地含有框架、罩蓋、振動抑制或阻尼或吸收主動或被動子系統。
在裝置之一較佳實施例中,偵測單元(較佳地連同其等之移動單元)可經配置於至少一個環形量測入口中,尤其較佳地配置於至少一個全封閉環形量測入口中,尤其固定至框架。
具有一單一入口之裝置之較佳實施例在本文其餘部分中被稱為單入口設計。單入口容許穿過基板連同基板固持器,使得實現偵測基板之至少對準標記。繼續地,同樣亦可偵測基板固持器之位置。
本發明之一核心構想尤其係達成將對準減少至僅一單一對準軸,同時增加對準至少兩個基板之對準精度。一封閉設計中之裝置之佈局增加裝置之剛性,最小化振動能力且實現偵測至少兩個(更佳地三個)對準標記,其等與基板之線性移動件齊平地配置。
由於對準軸尤其與裝載及卸載方向重合,所以省略橫向於裝載及卸載方向之額外移動。歸因於與基板固持器上之可直接偵測之對準標記之組合及相關性,另外改良對準精度。
在裝置之一較佳實施例中,至少兩個偵測單元可經配置於裝置之一主縱向軸上。在本發明之一進一步較佳實施例中,至少兩個偵測單元可經配置為具有較佳共同焦點之一上偵測單元及一下偵測單元。
在裝置之一較佳實施例中,具有獨立移動單元之上偵測單元及下偵測單元可經結合至一框架或入口,使得尤其可執行聚焦及校準方法,使用該等聚焦及校準方法可尤其重新調整一共同焦點。
在裝置之一較佳實施例中,偵測單元之移動單元可在一全域(尤其框架固定)座標系統中之主座標方向x、y、z上移動。偵測單元之移動單元在基板之平面中(即,在x及y方向上)之行進路徑小於20 mm,較佳地小於10 mm,尤其較佳地小於5 mm。
在一較佳實施例中,偵測單元之移動單元可尤其在z方向上移動達超過5 mm,較佳地超過10 mm,尤其超過20 mm,使得同樣可實現非標準化基板堆疊之聚焦。
在一替代實施例中,基板之高度可藉由基板固持器之定位來補償,使得使用小於1 mm,較佳地小於0.5 mm之聚焦路徑。
在裝置之一較佳實施例中,偵測單元之移動單元可尤其經設計為無間隙(play-free)固態接頭或導軌。
在一不同實施例中,全部類型之進一步偵測構件可經附接在入口中,尤其固定至框架。
此外,根據本發明之裝置含有至少一個量測系統,較佳地具有針對各移動軸之量測單元,其等可尤其實現為距離量測系統及/或角度量測系統。
可使用觸覺(即,基於觸控)或非觸覺量測方法兩者。量測標準(量測單位)可作為一實體物件存在,尤其作為一標度,或隱含地存在於量測方法中,如所使用輻射之波長。
可選擇且使用至少一個量測系統來達成對準精度。量測系統實施量測方法。特定言之,可使用 •  電感方法,及/或 •  電容方法,及/或 •  電阻方法,及/或 •  比較方法,特定言之光學影像辨識方法,及/或 •  增量或絕對方法(特定言之使用玻璃標準作為標度,或干涉儀,特定言之雷射干涉儀,或使用磁性標準),及/或 •  過渡時間方法(都卜勒(Doppler)方法、飛行時間測距方法)或其他時間偵測方法,及/或 •  三角量測方法,特定言之雷射三角量測,及/或 •  自動聚焦方法,及/或 •  強度量測方法,諸如光纖測距儀。
此外,較佳地根據PCT/EP2016/070289,一較佳實施例含有至少一個額外量測系統,其偵測基板之至少一者及/或基板固持器之一者相對於一定義參考(尤其相對於框架)之X-Y位置及/或對準位置及/或角位置。
一尤其較佳實施例含有用於全部基板固持器之額外量測系統,其等偵測兩個基板固持器及/或基板相對於一定義參考(尤其相對於框架)之X-Y位置及/或對準位置及/或角度位置。
尤其由天然硬石或一礦物鑄件或球狀石墨鑄鐵或液力黏結混凝土構成之一零件(其尤其以主動或被動振動阻尼及/或振動隔離方式及/或憑藉振動吸收而直立)可被理解為一框架。框架可含有進一步固持及/或導引功能性。特定言之,壓縮空氣管線可容納在框架內部之框架體積中。此外,電線及連接可容納在框架體積中。此外,上部結構之緊固元件及/或錨固點可尤其以一主動適配及/或材料接合方式結合在框架中。
在尤其較佳實施例中,可在一次成型方法中產生框架,尤其填充一陰模。在尤其較佳實施例中,在填充期間,框架可具有芯體。
在尤其較佳實施例中,框架可含有一平整度標準。在框架之尤其較佳實施例中,可模製一平整度標準,使得平整度標準可複製多次。
根據本發明,量測值可尤其彼此組合及/或彼此參考及/或相互關聯,使得藉由量測一對準標記,可得出關於各自另一對準標記之位置之一結論。
根據本發明,量測值可彼此相互關聯,使得在各情況中,對準標記相對於彼此之相對位置作為值存在,該等值容許參考框架。
在根據本發明之一較佳實施例中,在入口沿著三個座標軸通過之期間尤其連續地量測基板固持器之位置,使得偵測基板之真實導引路徑。在計算基板相對於彼此之對準位置時,將真實導引路徑作為一校正因數納入考慮。
在根據本發明之另一較佳實施例中,在相對於參考之一點(或位置或量測點或視野) (尤其第一基板上之第一對準標記及/或第二基板上之第二對準標記)處偵測一基板固持器之位置。
在根據本發明之另一較佳實施例中,在相對於參考之恰好兩個點處偵測一基板固持器之位置。
在根據本發明之一進一步實施例中,在相對於參考之恰好三個點處偵測一基板固持器之位置且隨之判定基板固持器之位置(position及location)。
針對一個點或兩個點或三個點或任何所要數目個點處之一位置判定,較佳地可使用藉由相機系統及施加在基板固持器上之圖案之光學圖案辨識。在對準期間尤其連續地在一即時系統中偵測圖案。
在另一較佳實施例中,基板固持器之位置判定可藉由雷射干涉儀而發生。雷射干涉量測可藉由干涉來實現一極其準確非接觸長度量測。一雷射干涉儀實現藉由量測位置改變(位移量測)、傾斜角改變(角度量測)、平整度(位移及角度量測)、正交性(角度量測)及動力學(在多光束干涉儀之情況中量測速度)而檢查基板固持器之線性移動件。
特定言之,傾斜角改變之量測實現偵測一線性軸承上之滑架之一傾斜。直線度量測容許偵測或精確偵測線性軸承上之滑軌之水平或垂直偏差。
因此,可判定子系統之相對移動(將各自干涉儀緊固至框架及所量測物件,尤其基板固持器)。針對位移量測,例如可使用雙頻雷射方法。在此情況中,可在多至1 m/s之一最大行進速度下達成少至5 nm,更佳地少至1 nm (歸因於多重反射之使用)之量測解析度。雙頻雷射同樣用於角度量測。
藉由使用複數個平行整合單頻雷射干涉儀而產生一進一步可能性。此處,在基板固持器之複數個點處判定位移。在此情況中,可達成少至0.1 nm之量測解析度。可從量測光束彼此之間隔及發生之位移之差異來判定角度改變。
若使用具有三個量測光束之干涉儀(三光束干涉儀),則在兩個軸上判定基板固持器之角位置及其位移。在根據本發明之裝置之一較佳實施例中,使用一三光束干涉儀。
視需要,可使用自動準直器進行用於判定基板固持器之位置之一額外角度量測。
若使用經組合量測系統,則可將一絕對及增量位移感測器之量測值與至少一個干涉儀之量測值相互關聯且以一相互補充之方式使用。因此,可增加一絕對定位之精度。
所列出之量測方法同樣可用於位置判定。
根據本發明,亦可想到反轉,尤其藉由將偵測單元附接在基板固持器上且將對準標準附接在框架上。
因此,可在任何所要時間點(尤其永久地)進行偵測、分析及開放迴路控制(及/或封閉迴路控制),尤其連續地(及/或以一時間離散方式以一足夠高時脈頻率數位地)為開放迴路控制單元及/或封閉迴路控制單元供應量測值。
例如,可藉由光學影像辨識及/或圖案辨識來偵測基板上之一對準標記。特定言之,同時,可偵測相關聯基板固持器之位置及/或對準狀態及全部相關封閉迴路控制參數且將其等保存於一矩陣中並進一步處理。
在裝置之一較佳實施例中,可使用至少一個干涉儀光束,尤其使用至少兩個干涉儀光束,在最佳情況中使用至少三個干涉儀光束量測基板固持器之位置。同時,可藉由增量編碼器量測基板固持器之位置值。參考此等位置值且量測從一給定位置開始之路徑之增長。歸因於干涉儀之相對值與增量位移感測器之讀數之組合,直至框架之位置值可被參考為中性平面及/或中性位置。
針對至少一個點處之x-y位置判定,在根據本發明之另一實施例中,至少一個干涉儀可與一相應建構(尤其整塊)之反射體一起使用以用於偵測基板固持器之x-y位置(position及/或location)判定。為此,可使用三個干涉儀光束。
干涉儀光束之數目可尤其等於反射體之反射表面之數目。然而,根據本發明,亦可想到藉由複數個干涉儀光束將一延伸反射表面(尤其一整塊光學鏡)用作反射體。
尤其由一單塊形成之基板固持器較佳地具有以下功能之至少兩者: •  藉由一真空(真空軌道、連接)之基板緊固, •  藉由機械及/或液壓及/或壓電及/或熱電及/或電熱致動元件使基板變形之形狀補償,較佳地根據EP2656378B1、WO2014191033A1及WO2019057286A1之實施例。 •  位置(position及/或location)判定(量測標準、反射表面及/或稜鏡(尤其用於干涉量測之反射體)、配準標記及/或配準標記場、以一平坦方式為平面建構之量測標準、體積標準(尤其位準))。 •  移動(導引路徑)。
根據本發明之不僅用於精細調整之移動裝置尤其經建構為機器人系統,較佳地具有增量位移感測器。用於輔助移動之此等移動裝置之精度與用於對準基板堆疊之精度解耦,使得以小於1 mm,較佳地小於500微米,尤其較佳地小於150微米之低重複精度執行輔助移動。
根據本發明之用於(橫向)對準(精細調整)之移動裝置之開放迴路及/或封閉迴路控制尤其係基於使用其他量測構件偵測到之x-y位置及/或對準位置來實行。此等移動裝置之精度較佳地小於200 nm,進一步較佳地小於100 nm,尤其較佳地小於50 nm,非常尤其較佳地小於20 nm,進一步較佳地小於10 nm,在理想情況中小於1 nm。使用兩個量測入口之安裝
在根據本發明之另一實施例中,偵測單元(尤其連同其等之移動單元)經整合至兩個全封閉入口中,該兩個全封閉入口尤其以一剛性、抗扭方式彼此連接。
此處,實施例亦尤其使用從光源至對準標記之一清晰光學路徑來偵測對準標記,類似於WO2014202106A1。
裝置具有兩個入口,該兩個入口以大於一個基板直徑之一彼此間隔剛性地彼此連接。類似於US6214692B1之實施例(其在下文中被稱為SmartView對準器(SVA)),彼此相對放置且具有一共同焦平面之至少兩個光學偵測構件以一可調整方式配置於入口中。
具有偵測構件之一第一封閉入口經定位於行進路徑之端部處,其在基板之邊緣處一個接一個地偵測對準標記。為此,將基板裝載於基板固持器上,相較於SVA旋轉90度,使得對準標記與線性移動件齊平地一個接一個配置。
上基板固持器及下基板固持器在各情況中從基板之覆蓋位置繼續到達偵測構件且曝露具有對準標記之邊緣。
一第二封閉入口容許如裝載或卸載移動般穿越各自基板固持器。
此處,基板同樣在單一對準軸上移動,以便將對準標記帶至第二入口之光學路徑中。
基板相對於彼此之對準尤其間接地基於定位於基板之接觸表面上之對準標記而發生。相對基板之相對側上之對準標記尤其彼此互補。
在此實施例中,亦可增加對準精度,因為另外進行應用於待對準基板之一者或應用於基板固持器之一額外(尤其第三)對準標記的偵測。
額外對準標記較佳地應用於基板固持器。基板固持器之位置偵測遞送待對準基板之位置及對準狀態之校正值。歸因於額外量測值及與其他偵測單元之至少一個量測值之相關性,對準精度增加。歸因於接觸表面之間的接合介面中之經量測對準標記之至少一者與在基板之對準期間亦可見之基板固持器上之一對準標記之相關性,在對準期間實現一對準標記之直接可觀察性及因此一即時量測及封閉迴路控制。在一較佳實施例中,額外量測系統係一雷射干涉儀,較佳地一三光束干涉儀。
在一較佳實施例中,將進一步偵測構件附接在入口中,尤其固定至框架。上文針對裝置詳述之方法適用於實施例:使用單入口及柱之安裝
根據本發明之另一裝置具有一單入口(如先前描述)及一柱(C形設計),其等尤其以大於一個基板直徑之一間隔剛性地彼此連接。
此處,偵測單元經整合於入口及柱中。此處,實施例亦尤其使用從光源至對準標記之一清晰光學路徑來偵測對準標記,類似於WO2014202106A1。
具有偵測構件之一柱較佳地定位於行進路徑之端部處,其在基板之邊緣處一個接一個地偵測對準標記。為此,將基板裝載於基板固持器上,相較於SVA旋轉90度,使得對準標記與線性移動件齊平地一個接一個配置。
上基板固持器及下基板固持器在各情況中從基板之覆蓋位置繼續到達偵測構件且曝露具有對準標記之邊緣。
如先前描述,單入口使得可如裝載或卸載移動般跨越各自基板固持器。
此處,基板同樣在單一對準軸上移動,以便將對準標記帶至單入口及柱之光學路徑中。
基板相對於彼此之對準尤其間接地基於定位於基板之接觸表面上之對準標記而發生。相對基板之相對側上之對準標記尤其彼此互補。
在此實施例中,亦可增加對準精度,因為另外進行應用於待對準基板之一者或應用於基板固持器之一額外(尤其第三)對準標記。
額外對準標記較佳地應用於基板固持器。基板固持器之位置偵測遞送待對準基板之位置及對準狀態之校正值。歸因於額外量測值及與其他偵測單元之至少一個量測值之相關性,對準精度增加。歸因於接觸表面之間的接合介面中之經量測對準標記之至少一者與在基板之對準期間亦可見之基板固持器上之一對準標記之相關性,在對準期間實現一對準標記之直接可觀察性及因此一即時量測及封閉迴路控制。在一較佳實施例中,額外量測系統係一雷射干涉儀,較佳地一三光束干涉儀。
在一較佳實施例中,將進一步偵測構件附接在單入口中及柱中,尤其固定至框架。上文針對裝置詳述之方法適用於實施例:方法
藉由裝置之單入口實施例來說明根據本發明之方法之一例示性實施例。在此情況中,一個接一個地裝載基板且將其等與基板固持器一起以一掃描移動推動通過入口,使得以一相關方式偵測基板固持器上之各自對準標記及參考之位置。
基於基板之對準標記實行一影像至影像對準。另外檢查對準精度,因為基板固持器之位置藉由額外對準標記而給出關於基板之位置之資訊且藉由校正因數將基板固持器之實際位置納入考慮。
根據本發明之方法之一重複實施例包括以下尤其至少部分循序及/或同時步驟,尤其以下程序: 1) 將第一/下基板之一接觸表面裝載至第一/下基板固持器上,其中對準標記經配置於平行於直線導引之相對側(接觸側)上,即,與基板之線性移動件齊平。 2) 尤其使用用於粗略調整之移動裝置將第一/下基板與基板固持器一起移動至單入口上之光學系統之一第一/上偵測單元之一偵測位置之視野中。 3) 特定言之,尤其藉由三光束干涉儀在整個行進路徑期間量測第一/下基板固持器。位移及角度尤其給出關於基板固持器在線性軸承上之位置及傾斜之資訊。 4) 尤其藉由圖案辨識來偵測第一對準標記。 5) 同時,尤其藉由與第一偵測單元之同步,藉由根據本發明之一額外量測系統(具有第三偵測單元)來偵測第一基板固持器之X-Y位置及/或對準位置。位移及角度尤其給出關於基板固持器在線性軸承上之位置(location、position)及角度(傾斜,即,俯仰及橫擺角)之資訊。 6) 尤其藉由圖案辨識來偵測第二對準標記。 7) 同時,尤其藉由與第一偵測單元之同步,藉由根據本發明之一額外量測系統(尤其一三光束干涉儀(具有第三偵測單元))來偵測第一基板固持器之X-Y位置及俯仰及橫擺角及/或對準位置。 8) 將第一/下基板固持器移出光學系統之視野(用於偵測之光束路徑)。 9) 將第二/上基板裝載至第二/上基板固持器上。此方法步驟可已在先前方法步驟之一者之前實行。 10)   第二/上基板固持器與第二/上基板一起行進至單入口且進入至光學系統之視野中。 11)   特定言之,藉由三光束干涉儀在整個行進路徑期間量測第二/上基板固持器。位移及角度尤其給出關於基板固持器在線性軸承上之位置及傾斜之資訊。 12)   光學系統之第二/下偵測單元尋找及偵測第二/上基板上之對準標記。在此情況中,光學系統不機械地移動,然而可想到聚焦之一校正。然而,較佳地,不實行聚焦移動。 13)   同時,尤其藉由與第二偵測單元之同步,藉由根據本發明之一額外量測系統(尤其一三光束干涉儀(具有第三偵測單元))來偵測第二基板固持器之X-Y位置及俯仰及橫擺角及/或對準位置。 14)   尤其藉由圖案辨識來偵測第二對準標記。 15)   同時,尤其藉由與第二偵測單元之同步,藉由根據本發明之一額外量測系統(尤其一三光束干涉儀(具有第三偵測單元))來偵測第二基板固持器之X-Y位置及俯仰及橫擺角及/或對準位置。 16)   控制及分析電腦判定對準誤差,其中參考公開文獻US6214692B1 (Smart View)及US9418882B2 (Enhanced Smart View)中之揭示內容。尤其從對準誤差產生一對準誤差向量。隨後,尤其計算至少一個校正向量。校正向量可為平行且相對於對準誤差向量之一向量,使得對準誤差向量與校正向量之總和係零。在特殊情況中,在計算校正向量時可將進一步參數納入考慮,使得結果不同於零。 17)   藉由精細定位而對準 18)   對位移/扭轉進行校正 19)   選用方法步驟:接合基板。接合亦可為一預接合或臨時接合。預接合指示接合結合,其仍允許在已發生預接合步驟之後分離基板(尤其晶圓),而不會對表面造成不可修復之損害。 20)   從裝置卸載基板堆疊。
基板之裝載序列可為任意的。一些方法步驟(諸如基板之裝載)可同時實行。額外量測系統可偵測上基板固持器及下基板固持器及/或上基板及下基板兩者之位置(position及/或location)。
亦可在一真空中操作根據本發明之裝置。因此,可在一真空叢集或高真空叢集中使用裝置。
裝置之功能及/或材料部分之全部技術可行組合及/或置換及倍增以及方法步驟或方法之至少一者之相關聯改變被視為已揭示。
只要在本文及/或圖之隨附描述中揭示裝置特徵,則此等裝置特徵亦應被視為被揭示為方法特徵,且反之亦然。
在圖1至圖4中,個別組件之比率係不成比例的。根據本發明之特徵在圖1至圖4中未按比例繪製,以便能夠更好地繪示個別特徵之功能。
圖1及圖2展示根據本發明之裝置1、1’之兩項實施例之示意性橫截面。此等具有: -  一第一/上偵測單元2、2’,其呈一第一/上光學元件之形式, -  一第二/下偵測單元3、3’,其呈一第二/下光學元件之形式, -  一第三偵測單元4,其呈一三光束干涉儀之形式, -  一第一/下基座,其呈一基板固持器6之形式或具有一下基板固持器6, -  一第二/上基座,其呈一基板固持器5之形式或具有一上基板固持器5, -  一第一/下移動裝置8,其用於第一/下基板固持器6, -  一第二/上移動裝置7,其用於第二/上基板固持器5,及 -  一第三移動裝置9,其用於第三偵測單元4。
根據圖1及圖2之裝置1、1’能夠將基板14 (第一/下基板)及20 (第二/上基板) (圖1及圖2中未繪示)及/或基板堆疊相對於彼此對準且將其等彼此結合。此結合亦可為一臨時結合(被稱為一預接合)。
下文描述之圖1至圖4中之功能組件之可能移動/自由度在某種程度上亦象徵性地繪示為箭頭。針對根據圖1及圖2之第一/下基座6及第二/上基座5,至少一個Y平移單元、一個X平移單元、一個Z平移單元及一個φ旋轉單元係可行的。
一φ旋轉單元容許所裝載基板14、20圍繞其之表面法線旋轉。所使用之全部旋轉單元之可再現定位能力之解析度尤其優於1°,偏好優於0.1°,更偏好優於0.01°,最偏好優於0.001°且最佳地優於0.0001°。
所使用之全部平移單元之可再現定位能力之解析度尤其優於100 µm,偏好優於10 µm,更偏好優於1 μm,最偏好優於100 nm且最佳地優於1 nm。
在根據圖1之實施例中,第一偵測單元2及第二偵測單元3無法在全部三個空間方向X、Y及Z上移動。偵測單元2、3靜態地安裝於量測入口21中。
在根據圖2之實施例中,第一偵測單元2’及第二偵測單元3’能夠在全部三個空間方向上移動。在另一實施例中,亦可安裝旋轉單元,此容許光學軸圍繞三個相互正交之軸旋轉。
根據圖1及圖2之第一及第二偵測單元2、2’、3、3’可在相反方向上偵測一焦平面10。根據圖4之共同焦點10p構成一第一基板及一第二基板之一理想化接合平面之一點。
根據圖1及圖2之裝置1、1’提供用於基板之移動之額外偵測之構件,尤其藉由憑藉一額外第三量測裝置4進行長度量測、俯仰角量測及橫擺角量測及直線度量測,該額外第三量測裝置4係指至少一個固定(尤其靜止)參考點或一參考且因此實現判定一校正因數。
在一較佳實施例中,使用一三光束干涉儀或一校準雷射干涉儀4實行基板14、20之移動之額外偵測。量測系統4使用一新穎、額外光學路徑。為此,在一較佳實施例中,較佳地將一額外(尤其第三)對準標記12應用於基板固持器5、6。在使用干涉儀4的情況下,根據圖3a及圖3b實行一同時長度量測及俯仰及橫擺角偵測17。
在另一較佳實施例中,額外第三量測裝置4 (尤其一雷射干涉儀)係靜止的或固定至框架。
在裝置之另一較佳實施例中,可使用固定至框架之至少一個雷射干涉儀,較佳地使用固定至框架之兩個雷射干涉儀量測基板固持器及/或基板之位置。
基板固持器5、6之位置偵測遞送待對準基板14、20之位置及對準狀態之校正值。歸因於額外量測值及與其他偵測單元2、2’、3、3’之至少一個量測值之相關性,對準精度增加。歸因於接觸表面之間的接合介面中之根據圖3a及圖3b之經量測對準標記15、16之至少一者與在基板之對準期間亦可見之基板固持器5、6上之一對準標記12之相關性,在對準期間實現對準標記12之直接可觀察性及因此一即時量測及封閉迴路控制。在根據本發明之一第一程序步驟中,根據圖3a,第一/下基板固持器6或第一/下移動裝置8沿著用於第一/下移動裝置之一線性導軌18b (根據圖4)行進,直至第一/下基板之左或第一對準標記15定位於上量測裝置2或光學元件之觀察區域中。
平移單元及旋轉單元之移動係可偵測的且將偵測資料傳輸至中央控制單元以進行進一步處理及控制。
在根據本發明之一第二程序步驟中,根據圖3b,第一/下基板固持器6或第一/下移動裝置8進一步沿著用於第一/下移動裝置8之線性導軌18b (參見圖4)行進,直至第一/下基板14之右或第二對準標記16定位於上量測裝置2 (即,上光學元件)之觀察區域中。
在根據本發明之一第三程序步驟中(其未繪示),第二/上基板固持器5或第二/上移動裝置7沿著用於第二/上移動裝置7之一線性導軌18a (根據圖4)行進,直至第二/上基板20之左或第一對準標記定位於下量測裝置3 (即,下光學元件)之觀察區域中。
在根據本發明之一第四程序步驟中(未繪示),第二/上基板固持器5或第二/上移動裝置7進一步沿著用於第二/上移動裝置7之線性導軌18a (參見圖4)行進,直至第二/上基板20之右或第二對準標記定位於下量測裝置3 (即,下光學元件)之觀察區域中。
根據本發明,光學元件尤其經控制,使得可藉由光學元件辨識、偵測及保存對準標記相對於光學軸之位置。
一封閉設計中之裝置之佈局增加裝置1、1’之剛性且最小化振動能力。儘可能精確地將基板固持器5、6之一導引方向相對於彼此對準係足夠的。在此情況中,一三光束干涉儀4實現藉由量測位置改變(位移量測)、傾斜角改變(角度量測)、平整度(位移及角度量測)、正交性(角度量測)及動力學(速度量測)而檢查基板固持器5、6之線性移動件。
特定言之,傾斜角改變之量測實現偵測一線性軸承上之滑架之一傾斜。直線度量測容許偵測或精確偵測線性軸承上之滑軌之水平或垂直偏差。從基板14、20之對準標記15、16之位置(position及/或location)值及基板固持器5、6上之對準標記12導出或計算位置特徵。
接觸表面之間的接合介面中之根據圖3a及圖3b之經量測對準標記15、16之至少一者與在基板14、20之對準期間亦可見之基板固持器5、6上之一對準標記12之相關性在對準期間實現位置資料之一連續直接相關性及因此即時量測及封閉迴路控制。相較於習知安裝,位置校正增加精度。
用於(橫向)對準(精細調整)之移動裝置之開放迴路及/或封閉迴路控制尤其係基於使用其他量測構件偵測到之X-Y位置及/或對準位置來實行。此等移動裝置之精度較佳地小於200 nm,較佳地小於100 nm,尤其較佳地小於50 nm,非常尤其較佳地小於20 nm,進一步較佳地小於10 nm,在理想情況中小於1 nm。
在判定全部必要參數之後,在最後一個步驟中發生兩個基板14、20之一對準。
基板14、20相對於彼此之對準尤其間接地基於定位於基板14、20之接觸表面上之對準標記15、16而發生。
藉由移動裝置7、8使基板固持器5、6以位置且尤其位置受控形式移動,直至從偵測單元(光學元件)之位置值及基板固持器5、6 (三光束干涉儀)之當前位置(position及/或location)計算之對準誤差被最小化或在理想情況中被消除。替代地,定義一中止準則。
接著,最終,兩個基板14、20之接觸發生,較佳地僅藉由基板基座5、6之(若干) Z平移單元之一移動。
在一特定實施例中,裝置1、1’可定位於一真空腔或一外殼中。裝置1、1’亦可為一叢集之部分。
圖4展示實施例4之一示意性透視圖。第一/上偵測單元2及(視需要)進一步上偵測單元及/或感測器及/或量測單元2w經整合於一單入口21中。類似地,第二/下偵測單元3及(視需要)進一步下偵測單元及/或感測器及/或量測單元3w亦經整合於單入口21或框架11中。
此外,根據圖4之實施例具有: -  複數個偵測單元4 (固定至框架),其等在各情況中呈用於下基板固持器5及上基板固持器6之一三光束干涉儀之形式, -  一第一/下基座,其呈一基板固持器6之形式或具有一下基板固持器6,用於將第一/下基板14安裝(尤其靜態地固定)在背離待接合側之一安裝側上, -  一第二/上基座,其呈一基板固持器5之形式或具有一上基板固持器5,用於將第二/上基板20安裝(尤其靜態地固定)在背離待接合側之一安裝側上, -  一第一/下移動裝置8,其用於第一/下基板固持器6, -  一第二/上移動裝置7,其用於第二/上基板固持器5。
圖4展示用於第二/上移動裝置之線性導軌18a及用於第一/下移動裝置之線性導軌18b,其等具有固定軸承22及導引元件23。
第一/下基板14之第一對準標記15及第二對準標記16本質上平行於基板14、20之主裝載方向對準。此方向由線性導軌18a及18b給出。用於圍繞全部三個空間軸之校正移動之精細驅動器19可用於基板14、20。
1:裝置 1’:裝置 2:第一/上偵測單元 2’:第一/上偵測單元 2w:進一步上偵測單元及/或感測器及/或量測單元 3:第二/下偵測單元 3’:第二/下偵測單元 3w:進一步下偵測單元及/或感測器及/或量測單元 4:第三偵測單元/第三量測裝置/干涉儀/量測系統 5:第二/上基板固持器 6:第一/下基板固持器 7:用於基板固持器之第二/上移動裝置 8:用於第三偵測單元之第一/下移動裝置 9:用於第三偵測單元之第三移動裝置 10:理論焦平面 10p:理論焦點 11:框架 12:第三對準標記 14:第一/下基板 15:第一/下基板之第一對準標記 16:第一/下基板之第二對準標記 17:藉由三光束干涉儀之同時長度量測及俯仰及橫擺角偵測 18a:用於第二/上移動裝置之線性導軌 18b:用於第一/下移動裝置之線性導軌 19:精細驅動器 20:第二/上基板 21:單入口 22:固定軸承 23:導引元件
本發明之進一步優點、特徵及細節由較佳例示性實施例之以下描述以及基於圖式得出。在圖中: 圖1展示根據本發明之裝置之一第一實施例之一示意性橫截面圖解, 圖2展示根據本發明之裝置之一第二實施例之一示意性橫截面圖解, 圖3a展示在一第一方法步驟中之根據圖1之第一實施例之一示意性放大橫截面圖解, 圖3b展示在一第二方法步驟中之根據圖1之第一實施例之一示意性放大橫截面圖解,及 圖4展示根據本發明之裝置之一例示性實施例之一示意性透視圖。 在圖中,使用相同元件符號標記相同組件或具有相同功能之組件。
1:裝置
2:第一/上偵測單元
3:第二/下偵測單元
4:第三偵測單元/第三量測裝置/干涉儀/量測系統
5:第二/上基板固持器
6:第一/下基板固持器
7:用於基板固持器之第二/上移動裝置
8:用於第三偵測單元之第一/下移動裝置
9:用於第三偵測單元之第三移動裝置
10:理論焦平面
11:框架
12:第三對準標記
21:單入口

Claims (16)

  1. 一種用於對準基板(14、20)之方法,其中 發生對準標記(12、15、16)之一偵測,且 依據該等對準標記(12、15、16)之該偵測而將該等基板(14、20)相對於彼此對準, 其特徵在於至少兩個對準標記(12、15、16)與該等基板(14、20)之一線性移動件(18a、18b)齊平地配置。
  2. 如請求項1之方法,其中至少三個對準標記與該等基板(14、20)之該線性移動件(18a、18b)齊平地配置。
  3. 如請求項1或2之方法,其中至少一個對準標記(12、15、16)經配置於一基板固持器(5、6)處或其上。
  4. 如請求項1或2之方法,其中至少兩個對準標記(15、16)經配置於一基板(14、20)上且至少一個對準標記(12)經配置於一基板固持器(5、6)上,其中該等對準標記(12、15、16)與該等基板(14、20)之該線性移動件(18a、18b)齊平地配置。
  5. 如請求項1或2之方法,其中用於偵測該等對準標記(12、15、16)之偵測單元(2、2’、3、3’、3w)經配置於至少一個環形量測入口(21)中,較佳地配置於至少一個全封閉環形量測入口(21)中。
  6. 如請求項1或2之方法,其中用於偵測該等對準標記(12、15、16)之偵測單元(2、2’、3、3’、3w)經配置於兩個環形量測入口(21)中,較佳地配置於兩個全封閉環形量測入口(21)中。
  7. 如請求項1或2之方法,其中用於偵測該等對準標記(12、15、16)之偵測單元(2、2’、3、3’、3w)經配置於一環形量測入口(21)中,較佳地配置於一全封閉環形量測入口(21)中及一C形柱中。
  8. 如請求項1或2之方法,其中該對準沿著一單一對準軸發生,其中該對準軸平行於該等基板(14、20)之裝載及卸載方向延伸。
  9. 一種用於對準基板(14、20)且用於實行如前述請求項中任一項之方法之裝置(1、1’),其中可實行對準標記(12、15、16)之一偵測且可依據該等對準標記(12、15、16)之該偵測而將該等基板(14、20)相對於彼此對準,其特徵在於至少兩個對準標記(12、15、16)與該等基板(14、20)之一線性移動件(18a、18b)齊平地配置。
  10. 如請求項9之裝置(1、1’),其中至少三個對準標記(12、15、16)與該等基板(14、20)之該線性移動件(18a、18b)齊平地配置。
  11. 如請求項9或10之裝置(1、1’),其中至少一個對準標記(12、15、16)經配置於一基板固持器(5、6)處或其上。
  12. 如請求項9或10之裝置(1、1’),其中至少兩個對準標記(15、16)經配置於一基板(14、20)上且至少一個對準標記(12)經配置於一基板固持器(5、6)上,其中該等對準標記(12、15、16)與該等基板(14、20)之該線性移動件(18a、18b)齊平地配置。
  13. 如請求項9或10之裝置(1、1’),其中用於偵測該等對準標記(12、15、16)之偵測單元(2、2’、3、3’、3w)經配置於至少一個環形量測入口(21)中,較佳地配置於至少一個全封閉環形量測入口(21)中。
  14. 如請求項9或10之裝置(1、1’),其中用於偵測該等對準標記(12、15、16)之偵測單元(2、2’、3、3’、3w)經配置於兩個環形量測入口(21)中,較佳地配置於兩個全封閉環形量測入口(21)中。
  15. 如請求項9或10之裝置(1、1’),其中用於偵測該等對準標記(12、15、16)之偵測單元(2、2’、3、3’、3w)經配置於一環形量測入口(21)中,較佳地配置於一全封閉環形量測入口(21)中及一C形柱中。
  16. 如請求項9或10之裝置(1、1’),其中該對準沿著一單一對準軸發生,其中該對準軸平行於該等基板(14、20)之裝載及卸載方向延伸。
TW109142555A 2019-12-10 2020-12-03 對準基板之方法及裝置 TW202127568A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
WOPCT/EP2019/084471 2019-12-10
PCT/EP2019/084471 WO2021115574A1 (de) 2019-12-10 2019-12-10 Verfahren und vorrichtung zur ausrichtung von substraten

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202127568A true TW202127568A (zh) 2021-07-16

Family

ID=68848292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109142555A TW202127568A (zh) 2019-12-10 2020-12-03 對準基板之方法及裝置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US12106993B2 (zh)
EP (1) EP4073835A1 (zh)
JP (1) JP7507860B2 (zh)
KR (1) KR20220113358A (zh)
CN (1) CN114730719A (zh)
TW (1) TW202127568A (zh)
WO (1) WO2021115574A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113990790A (zh) * 2021-12-24 2022-01-28 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 键合系统和键合方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113782472A (zh) * 2021-09-09 2021-12-10 南京卓胜自动化设备有限公司 硅片料盒装置
DE102023201892A1 (de) * 2023-03-02 2024-09-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Ausrichten von zwei Bauteilen und Verfahren zum Ansprengen von zwei Bauteilen

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT405775B (de) * 1998-01-13 1999-11-25 Thallner Erich Verfahren und vorrichtung zum ausgerichteten zusammenführen von scheibenförmigen halbleitersubstraten
TWI478271B (zh) * 2007-08-10 2015-03-21 尼康股份有限公司 Substrate bonding device and substrate bonding method
JP2009054962A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Nikon Corp 位置決め検出装置
WO2010023935A1 (ja) * 2008-08-29 2010-03-04 株式会社ニコン 基板位置合わせ装置、基板位置合わせ方法および積層型半導体の製造方法
JP5540605B2 (ja) * 2009-08-28 2014-07-02 株式会社ニコン 位置合わせ装置および基板貼り合わせ装置
EP2299472B1 (de) * 2009-09-22 2020-07-08 EV Group E. Thallner GmbH Vorrichtung zum Ausrichten zweier Substrate
JP5614081B2 (ja) * 2010-04-13 2014-10-29 株式会社ニコン 基板位置合わせ装置、基板位置合わせ方法、基板貼り合わせ装置、積層半導体装置製造方法及び積層半導体装置
KR101583894B1 (ko) * 2010-09-03 2016-01-08 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 웨지 에러를 줄이기 위한 장치 및 방법
KR101866622B1 (ko) 2010-12-20 2018-06-11 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단
JP5845618B2 (ja) * 2011-04-27 2016-01-20 株式会社ニコン 基板貼り合わせ装置、基板貼り合わせ方法および重ね合わせ基板
WO2014064944A1 (ja) * 2012-10-26 2014-05-01 株式会社ニコン 基板貼り合わせ装置、位置合わせ装置、基板貼り合わせ方法、位置合わせ方法、及び、積層半導体装置の製造方法
KR102092432B1 (ko) 2013-03-27 2020-03-24 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 기판 스택을 취급하기 위한 장치 및 방법과 보유 장치
EP3404699A1 (de) 2013-05-29 2018-11-21 EV Group E. Thallner GmbH Vorrichtung und verfahren zum bonden von substraten
KR101708143B1 (ko) 2013-06-17 2017-02-17 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 기판 정렬 장치 및 방법
KR101741384B1 (ko) 2013-12-06 2017-05-29 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 기질들을 정렬하기 위한 장치 및 방법
JP5943030B2 (ja) * 2014-04-23 2016-06-29 株式会社ニコン 基板重ね合わせ装置、基板重ね合わせ方法、及びデバイスの製造方法
EP3734650B1 (de) 2016-08-29 2023-09-27 EV Group E. Thallner GmbH Verfahren und vorrichtung zum ausrichten von substraten
US10954122B2 (en) 2017-03-16 2021-03-23 Ev Group E. Thallner Gmbh Method for bonding of at least three substrates
KR102240536B1 (ko) 2017-09-21 2021-04-15 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 기판을 접합하기 위한 장치 및 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113990790A (zh) * 2021-12-24 2022-01-28 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 键合系统和键合方法
CN113990790B (zh) * 2021-12-24 2022-03-18 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 键合系统和键合方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20230018538A1 (en) 2023-01-19
JP2023517415A (ja) 2023-04-26
KR20220113358A (ko) 2022-08-12
WO2021115574A1 (de) 2021-06-17
US12106993B2 (en) 2024-10-01
CN114730719A (zh) 2022-07-08
JP7507860B2 (ja) 2024-06-28
EP4073835A1 (de) 2022-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI778973B (zh) 用於對準基板之方法及裝置
TW202127568A (zh) 對準基板之方法及裝置
US8139219B2 (en) Apparatus and method for semiconductor wafer alignment
US7562686B2 (en) Method and system for 3D alignment in wafer scale integration
KR20100063000A (ko) 기판접합장치 및 기판접합방법
Clark et al. Laser-based sensing, measurement, and misalignment control of coupled linear and angular motion for ultrahigh precision movement
CN103837080A (zh) 面向微装配的亚微米精度同轴共焦对准检测方法与装置
US11754934B2 (en) Projection exposure apparatus for semiconductor lithography having an optical element with sensor reference and method for aligning the sensor reference
JP2006118867A (ja) 走査型プローブ顕微鏡及びそれを用いた計測方法
JP5893154B2 (ja) 基板の形状変化の測定
TW202326921A (zh) 用於基板之對準的方法及裝置
US11480742B1 (en) Micro device mass transfer tool
Ye et al. Laser scanning confocal image alignment assists sub-micron accuracy micro-assembly
JP2021044573A (ja) 基板を位置合わせする方法および装置
TWI846090B (zh) 用於調整偵測構件之裝置及方法
Wertjanz et al. Range extension for large-scale robotic precision 3-D measurements in vibration-prone environments
TW202435351A (zh) 用於調整偵測構件之裝置及方法
US12131922B1 (en) Micro device mass transfer tool
JP2004537058A (ja) 光学系、特に対物レンズ光学系を測定するためのシステム