TW202125872A - 發光裝置的修補方法 - Google Patents

發光裝置的修補方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202125872A
TW202125872A TW108148154A TW108148154A TW202125872A TW 202125872 A TW202125872 A TW 202125872A TW 108148154 A TW108148154 A TW 108148154A TW 108148154 A TW108148154 A TW 108148154A TW 202125872 A TW202125872 A TW 202125872A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
emitting unit
electrode
emitting
insulating material
Prior art date
Application number
TW108148154A
Other languages
English (en)
Inventor
謝明勳
Original Assignee
晶元光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 晶元光電股份有限公司 filed Critical 晶元光電股份有限公司
Priority to TW108148154A priority Critical patent/TW202125872A/zh
Priority to CN202011451801.1A priority patent/CN113054069A/zh
Priority to US17/130,712 priority patent/US11777052B2/en
Priority to KR1020200181801A priority patent/KR20210086507A/ko
Publication of TW202125872A publication Critical patent/TW202125872A/zh
Priority to US18/375,882 priority patent/US20240030373A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/385—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/799—Apparatus for disconnecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/22—Connection or disconnection of sub-entities or redundant parts of a device in response to a measurement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一種發光裝置的修補方法，包含至少如後步驟：（1）提供一發光裝置，發光裝置包含乘載板以及至少一個發光單元；（2）以雷射破壞發光單元並在承載板上形成一移除面；（3）平坦化移除面；（4）將一新的發光單元利用接合材料固定在平坦化的移除面上。

Description

發光裝置的修補方法
本發明係關於一種發光裝置及其製造方法，尤關於一種移除並置換發光裝置中損壞的發光單元的製造方法。
發光二極體（Light-Emitting Diode；LED）具有低耗電量、低發熱量、操作壽命長、耐撞擊、體積小以及反應速度快等特性，因此廣泛應用於各種需要使用發光元件的領域，例如，車輛、家電、顯示屏及照明燈具等。
LED屬於一種單色光（monochromatic light），可以做為顯示器中的像素（pixel）。例如可作為戶外或室內顯示屏的像素。其中，提高顯示器的解析度是目前技術發展趨勢之一。為了提高解析度，將衍伸出許多的技術問題。例如，將做為像素的LED微小化時，當LED不具成長基板或是僅具有減薄基板時，LED自身的機械強度降低容易破裂。顯示器上做為像素的LED數量龐大且尺寸甚小，若遇到像素損壞需要維修時，將不容易移除、置換損壞的LED。
一種發光裝置的修補方法，包含至少如後步驟：（1）提供一發光裝置，發光裝置包含乘載板以及至少一個發光單元；（2）以雷射破壞發光單元並在承載板上形成一移除面；（3）平坦化移除面；（4）將一新的發光單元利用接合材料固定在平坦化的移除面上。
一種發光元件，包含一承載板、一發光單元位於該承載板上。承載板包含第一電極墊以及第二電極墊。發光單元包含第一電極以及第二電極。第一電極以及第二電極位於發光單元的下側，且面對承載板。第一導電體位於第一電極以及第一電極墊之間。第二導電體位於第二電極以及第二電極墊之間。絕緣材料位於承載板以及發光單元之間，且圍繞第一導電體以及第二導電體。其中，絕緣材料具有一不平滑、且具有尖點的外側表面。
以下實施例將伴隨著圖式說明本發明之概念，在圖式或說明中，相似或相同之部分係使用相同之標號，並且在圖式中，元件之形狀、厚度或高度在合理範圍內可擴大或縮小。本發明所列舉之各實施例僅用以說明本發明，並非用以限制本發明之範圍。對本發明所作之任何顯而易知之修飾或變更皆不脫離本發明之精神與範圍。
第1A～1B圖為依據本發明一實施例的發光裝置之部分示意圖。第1A圖顯示發光裝置100具有一損壞、待修復的發光單元10的部分上視示意圖。發光裝置100包含承載板3、第一電極墊31、第二電極墊32、第一導電線313、第二導電線323、第一導電體21、第二導電體22、絕緣材料23、以及發光單元10。第一電極墊31以及第二電極墊32位於承載板3上，發光單元10固接於第一電極墊31以及第二電極墊32之上。第一導電線313自第一電極墊31向外延伸且具有小於第一電極墊31的寬度，第二導電線323自第二電極墊32向外延伸且具有小於第一電極墊32的寬度。絕緣材料23圍繞發光單元10的四周，並填補於第一電極墊31與第二電極墊32之間。於第1A圖（上視圖）中，絕緣材料23外輪廓環繞區域的面積略大於發光單元10的面積（以下稱為「投影面積」）。絕緣材料23的投影面積與發光單元10的投影面積的比值約為1～1.5。絕緣材料23的投影面積大小以不碰觸到相鄰發光單元10或環繞相鄰發光單元10之絕緣材料23尤佳。第一電極墊31的外側壁314以及第二電極墊32外側壁324被絕緣材料23圍繞。第一導電體21具有一部分215自第一電極墊31延伸至第一導電線313上，且未被絕緣材料23覆蓋。第二導電體22具有一部分225自第二電極墊32延伸至第二導電線323上，且未被絕緣材料23覆蓋。
第1B圖為第1A圖沿著AA'線的剖面示意圖。發光裝置100包含承載板3以及發光單元20固接於承載板3之上。發光單元10為一半導體發光元件，例如：發光二極體（Light-Emitting Diode；LED）、雷射二極體（Laser Diode），其包含依序位於基板11下方的第一半導體層12、活性層13、以及第二半導體層14。第一半導體層12及第二半導體層14，可分別提供電子、電洞，使電子、電洞於活性層13中復合（Recombination）以發出光線。第一半導體層12、活性層13、及第二半導體層14可包含Ⅲ-Ⅴ族半導體材料，例如Alx Iny Ga（ 1-x-y ） N或Alx Iny Ga（ 1-x-y ） P，其中0≦x、 y≦1；（x+y）≦1。依據活性層13之材料，發光單元10可發出一峰值介於610 nm及650 nm之間的紅光、峰值介於530 nm及570 nm之間的綠光、峰值介於450 nm及490 nm之間的藍光、峰值介於400nm及450 nm之間的紫光、或是峰值介於280 nm及400 nm之間的紫外光。發光單元10具有第一電極15以及第二電極16。第一電極15以及第二電極16皆位於發光單元10相對於出光面17的下側。第一電極15首先電性連接至第一半導體層12，第二電極16首先電性連接至第二半導體層14。第一電極15以及第二電極16的下表面151、161相對於承載板3的上表面可以位在相同或不同的水平高度上，但是兩者以大體上共平面尤佳，可利於將發光裝置100的出光面17維持在固定方向上，例如平行於承載板3。在另一個實施例中，，第一電極15以及第二電極16的下表面151、161不共平面，第一電極15的下表面151相對於承載板3的上表面略高於第二電極16的下表面161。承載板3上具有第一電極墊31與發光單元10的第一電極15相對、以及第二電極墊32與發光單元10的第二電極16相對。第一電極墊31的寬度大於第一電極15的寬度，第二電極墊32的寬度大於第二電極16的寬度。於一上視圖方向（圖未示），第一電極墊31的投影面積大於第一電極15的投影面積，第二電極墊32的投影面積大於第二電極16的投影面積。第一電極15以及第二電極16的材料可以是金屬，例如金（Au）、銀（Ag）、銅（Cu）、鉻（Cr）、鋁（Al）、鉑（Pt）、鎳（Ni）、鈦（Ti）、錫（Sn）、或其合金、或其疊層組合。
發光單元10與承載板3之間具有一接合（bonding）材料。接合材料包含第一導電體21、第二導電體22、以及絕緣材料23。第一導電體21位於第一電極15以及第一電極墊31之間。第二導電體22位於第二電極16以及第二電極墊32之間。取決於製程條件，第一導電體21內可能具有複數個離散的孔洞216，第二導電體22內也可能具有複數個離散的孔洞226。孔洞216、226裡面可以是氣體、絕緣材料、或其組合。以第一電極15、第一導電體21、以及第一電極墊31的連接結構為例，第一電極15的下表面151完全被第一導電體21覆蓋。第一導電體21內的多數或每個孔洞216彼此不相連，且未同時碰觸第一電極15以及第一電極墊31。第一電極15具有一內側表面152面向第二電極16，且部分被第一導電體21覆蓋。第一電極15具有一外側表面153朝向發光單元10的最外側表面18，且部分被第一導電體21覆蓋。第一電極墊31具有一內側表面311朝向第二電極墊32，且部分被第一導電體21覆蓋。第一導電體21具有一外側表面212朝向發光單元10的最外側表面18，具有一有峰部211的弧形表面。以承載板3的上表面為基準，峰部211較第一電極15的下表面151高。在一實施例中，第一電極墊31的外側壁314朝向發光單元10的最外側表面18，部分的外側壁314被第一導電體21覆蓋。
第一導電體21的外側表面212具有第一部份自峰部211往上朝第一電極15的下表面延伸，以及第二部分自峰部211往下朝第一電極墊31延伸。第一導電體21的外側表面212與第一電極墊31之間具有一角度 θ1，角度 θ1沿著外側表面212向第一電極15的外側表面153的方向逐漸增加。第一導電體21具有一內側表面213面向第二電極16，具有一內凹或外凸的輪廓。第一導電體21的內側表面213與第一電極墊31之間具有一角度θ2。以承載板3的上表面為基準，第一導電體21的寬度漸漸變小，且在同一個水平高度下，θ2 ＞ θ1。第一導電體21與第一電極墊31的接觸寬度（於第1B圖中，接觸寬度相當於第一電極墊31的寬度）大約是第一電極15寬度的1～3倍，較佳為1～2倍。第二電極16、第二導電體22、以及第二電極墊32的連接結構關係如同第一電極15、第一導電體21、以及第一電極墊31的連接結構，可參考前述段落，不再說明。第一導電體21較佳地僅與第一電極15直接接觸，不與發光單元10的其他部分接觸，例如：第一半導體層12、活性層13、第二半導體層14。第二導電體22較佳地僅與第二電極16直接接觸，而不與發光單元10的其他部分接觸，例如：第一半導體層12、活性層13、第二半導體層14。
絕緣材料23圍繞或覆蓋第一導電體21、第二導電體22、第一電極15、第二電極16、發光單元10的部分最外側表面18、第一電極墊31的內側表面311及部分上表面312、以及第二電極墊32的內側表面321及部分上表面322。在一實施例中，絕緣材料23完全覆蓋發光單元10的第一半導體層12、活性層13、第二半導體層14的側表面，但僅覆蓋基板11的部分側表面。絕緣材料23可以增強發光單元10和承載板3之間的接合強度，也可以避免或減緩導電體21、22因環境物質而氧化，還可避免導電體21、22在高溫環境下因材料軟化或融化造成短路的問題。換言之，固化後的絕緣材料23的熔點較佳地高於固化後的導電體21、22的熔點。絕緣材料23的外側表面231與承載板3之間具有一角度 θ3，角度 θ3沿著外側表面231向靠近發光單元10的方向逐漸增加。在第1B圖中，以承載板3為基準，同一個水平高度下，θ3 ＞ θ1。取決於製程條件，位於第一導電體21、第二導電體22之間的絕緣材料23具有至少一個孔洞236。孔洞236內可以是氣體、構成導電體之材料、或其組合。在另一實施例中，位於第一導電體21、第二導電體22之間的絕緣材料23不具有孔洞。
第一導電體21以及第二導電體22可以包含低熔點的金屬或低液化熔點（liquidus point）的合金，其熔點或液化溫度低於210℃。金屬材料可以是元素、化合物、或合金，例如：鉍（Bi）、錫（Sn）、銀（Ag）、銦（In）、或其合金。在一實施例中，低熔點的金屬或低液化熔點合金的熔點或液化溫度低於170℃。低液化熔點合金的材料可以是錫銦合金或錫鉍合金。絕緣材料23可以是熱固性聚合物，例如：環氧樹脂（epoxy）、矽氧樹脂（silicone）、聚甲基丙烯酸甲酯、以及環硫化物（episulfide）。絕緣材料23可以在固化溫度下固化。在本實施例中，第一導電體21以及第二導電體22的熔點低於絕緣材料23的固化溫度，例如，第一導電體／第二導電體含有錫鉍（BiSn）合金，熔點溫度大約為138度。
在一實施例中，絕緣材料23為透光，質地為透明或半透明。在另一實施例中，絕緣材料23 可以加入吸光物質，使絕緣材料23呈現深色，例如黑色、灰色。當發光裝置100被應用於顯示器時，深色的絕緣材料可以增加顯示器的對比度。在另一實施例中，絕緣材料23可以加入高反射物質，使絕緣材料呈現淺色，例如：白色，用以向上反射朝承載板3方向前進的光線，可以增加發光裝置100在出光面17上方的發光強度。吸光物質可以為碳黑、或是深色顏料。高反射物質可以為氧化矽、氧化鈦（titanium oxide）、氧化鋅、氧化鋁、硫酸鋇或碳酸鈣。
第1C圖是根據本發明另一實施例，沿著第1A圖中AA'線的剖面示意圖。發光裝置100包含承載板3以及發光單元20固接於承載板3之上。發光單元20包含依序位於基板11下方的第一半導體層12、活性層13、以及第二半導體層14。保護層19覆蓋第一半導體層12的部份下表面以及部分側表面、活性層13的側表面、以及第二半導體層14的部份下表面以及側表面。發光單元20具有第一電極15以及第二電極16皆位於發光單元20相對於出光面17的下側。第一電極15與第一半導體層12電性連接，覆蓋第一半導體層12的部份下表面、保護層19的側表面、以及保護層19的部分下表面。相較於第1B圖中的發光單元10，第一電極15與第二半導體層14重疊得以爭取到較大的面積與，且活性層13的面積也可以較大。換句話說，第1C圖中的具有保護層19的發光單元20，可以具有較大的發光面積，較大的電極面積，有助於在後續固晶的製程獲得較佳的固接良率。以承載板3的上表面為基準，部分的第一電極15與第二半導體層14、活性層13、以及第一半導體層12互相重疊。第一電極15藉由保護層19與第二電極16以及第二半導體層14電性絕緣。第一電極15與第二電極16的下表面151、161相對於承載板3的上表面可以位在相同或不同的水平高度上，但是兩者以大體上共平面尤佳，可利於將發光裝置100的出光面17維持在固定方向上，例如平行於承載板3。第一導電體21較佳地僅與第一電極15直接接觸，不與發光單元20的其他部分接觸，例如：保護層19、第一半導體層12、活性層13、第二半導體層14。第二導電體22較佳地僅與第二電極16直接接觸，不與發光單元20的其他部分接觸，例如：保護層19、第一半導體層12、活性層13、第二半導體層14。第一導電體21、第二導電體22、第二電極16、第一電極墊31、第二電極墊32、以及絕緣材料23的材料、結構與第1B圖相同，可參考前述段落，不再說明。
在另一個實施例中，第一導電體21或/及第二導電體22的外側表面212、222不具有峰部，如第1D圖所示。第1D圖是是顯示沿著第1A圖中AA'線的剖面示意圖。發光裝置100包含承載板3以及發光單元20固接於承載板3之上。發光單元20的材料以及結構說明可以參考前述第1C圖的相關段落。發光單元20與承載板3之間具有一接合（bonding）材料。接合材料包含第一導電體21、第二導電體22、以及絕緣材料23。第一導電體21位於第一電極15以及第一電極墊31之間。第二導電體22位於第二電極16以及第二電極墊32之間。取決於製程條件，第一導電體21內可能具有複數個離散的孔洞216，第二導電體22內也可能具有複數個離散的孔洞226。孔洞216、226裡面可以是氣體、絕緣材料、或其組合。以第一電極15、第一導電體21、以及第一電極墊31的連接結構為例，第一電極15的下表面151完全被第一導電體21覆蓋。第一導電體21內的多數或每個孔洞216彼此不相連，且未同時碰觸第一電極15以及第一電極墊31。第一導電體21的外側表面212以及第二導電體22的外側表面222不具有峰部，但具有一弧形的表面。第一導電體21的外側表面212自第一電極15往第一電極墊31延伸，且具有一內凹的弧面。第二導電體22的外側表面222自第二電極16往第二電極墊32延伸，且具有一內凹的弧面。以承載板3的上表面為基準，第一導電體21的外側表面212與第一電極墊31之間具有一角度 θ1，角度 θ1沿著外側表面212向第一電極15的外側表面153的方向逐漸增加。第一導電體21具有一內側表面213面向第二電極16，具有一內凹或外凸的輪廓。第一導電體21的內側表面213與第一電極墊31之間具有一角度 θ2。以承載板3的上表面為基準，第一導電體21的寬度漸漸變小，且當在同一個水平高度下，θ2 ＞ θ1。第一導電體21與第一電極墊31的接觸寬度（於第1D圖中，接觸寬度相當於第一電極墊31的寬度）大約是第一電極15寬度的1～3倍，較佳為1～2倍。第二導電體22、以及第二電極墊32的連接結構關係如同第一電極15、第一導電體21、以及第一電極墊31的連接結構，可參考前述段落，不再說明。第一電極15、第二電極16、第一電極墊31、第二電極墊32、絕緣材料32的材料以及結構與第1B圖相同，可參考前述段落，不再說明。
在另一個實施例中，絕緣材料23不覆蓋發光單元20的最外側表面18，如第1E圖所示。第1E圖是顯示沿著第1A圖中AA'線的剖面示意圖。發光裝置100包含承載板3以及發光單元20固接於承載板3之上。發光單元20的材料以及結構說明可以參考前述第1C圖的相關段落。發光單元10與承載板3之間具有一接合（bonding）材料。接合材料包含第一導電體21、第二導電體22、以及絕緣材料23。第一導電體21位於第一電極15以及第一電極墊31之間。第二導電體22位於第二電極16以及第二電極墊32之間。取決於製程條件，第一導電體21內可能具有複數個離散的孔洞216，第二導電體22內可能具有複數個離散的孔洞226。孔洞216、226裡面可以是氣體或是、絕緣材料、或其組合。以第一電極15、第一導電體21、以及第一電極墊31的連接結構為例，第一電極15的下表面151完全被第一導電體21覆蓋。第一導電體21內的每個孔洞216彼此不相連，且未同時碰觸第一電極15以及第一電極墊31。第一電極15具有一內側表面152面向第二電極16，且部分被第一導電體21覆蓋。第一電極15具有一外側表面153朝向發光單元10的最外側表面18，且部分被第一導電體21覆蓋。第一電極墊31具有一內側表面311朝向第二電極墊32，且部分被第一導電體21覆蓋。在一實施例中，第一電極墊31的外側壁314朝向發光單元10的最外側表面18，部分的外側壁314被第一導電體21覆蓋。第一導電體21具有一外側表面212朝向發光單元10的最外側表面18，最外側表面18具有一凹狀的弧面。第一導電體21的外側表面212與第一電極墊31之間具有一角度 θ1，角度 θ1沿著外側表面212向第一電極15的外側表面153的方向逐漸增加。第一導電體21具有一內側表面213面向第二電極16，具有一內凹或外凸的輪廓。第一導電體21的內側表面213與第一電極墊31之間具有一角度 θ2。以承載板3的上表面為基準，第一導電體21的寬度漸漸變小，且當在同一個水平高度下，θ2 ＞ θ1。第一導電體21與第一電極墊31的接觸寬度（於第1E圖中，接觸寬度相當於第一電極墊31的寬度）大約是第一電極15寬度的1～3倍，較佳為1～2倍。第二電極16、第二導電體22、以及第二電極墊32的連接結構關係如同第一電極15、第一導電體21、以及第一電極墊31的連接結構，可參考前述段落，不再說明。
絕緣材料23圍繞第一導電體21、第二導電體22、第一電極15、第二電極16、第一電極墊31的內側表面311及部分上表面312、以及第二電極墊的內側表面321及部分上表面322。絕緣材料23覆蓋發光單元20的下表面201，未覆蓋發光單元20的最外側表面18。在另一實施例中，發光單元20靠近最外側表面18的下表面未被絕緣材料23覆蓋（圖未示）。換句話說，發光單元20靠近最外側表面18的下表面暴露於絕緣材料23之外。以承載板3的上表面為基準，絕緣材料23的外側表面231具有一凹部235內縮於發光單元20的最外側表面18。絕緣材料23的外側表面231與承載板3之間具有一角度 θ3，角度 θ3沿著外側表面231向靠近發光單元10的方向逐漸增加。在一剖面中，以承載板3的上表面為基準，同一個水平高度下，θ3 ＞ θ1。
第2～3圖顯示移除損壞、待修復發光單元10或發光單元20的示意圖。如第2圖所示，提供一雷射能量L1照射於欲移除的發光單元上，用以移除發光單元、部分的第一導電體21、部分的第二導電體22、以及絕緣材料23。雷射L1照射次數不限於一次，雷射的位置也不限於固定的位置。當雷射擊發的次數大於1次時，每次雷射的波段與能量可以相同、或波段相同但能量不同、或是波段不同但能量相同、或波段與能量均不同。在一實施例中，雷射L1照射兩次不同的位置，一次照射第一導電體21的上方，另一次照射第二導電體22的上方，用以移除發光單元。在另一實施例中，雷射L1照射三次，第一次先照射第一導電體21與第二導電體22的中間位置，用以移除發光單元。之後再分別照射第一導電體21以及第二導電體的上方，用以移除殘留的發光單元。移除發光單元後，承載板3上方仍舊包含有第一電極墊31、第二電極墊32、殘留的第一導電體21'、殘留的第二導電體22'、以及殘留的絕緣材料23'。第一電極墊31以及第二電極墊32並未被雷射L1移除，且其上方被第一導電體21'、第二導電體22'、以及絕緣材料23'覆蓋。移除發光單元後，第一導電體21'、第二導電體22'、以及絕緣材料23'上方具有一暴露的粗糙移除面S1。移除面S1包含第一導電體21'的上表面214、第二導電體22'的上表面224、以及絕緣材料23'的上表面232。絕緣材料23'的上表面232圍繞第一導電體21'的上表面214與第二導電體22'的上表面224。
利用雷射L1移除發光單元時，於移除面S1上會有發光單元的殘留物或是因為雷射產生的新生成物，因此需對暴露的粗糙移除面S1進行清潔及/或平坦化製程，例如拋光（polish process）、噴砂（blasting）、蝕刻、或是照射雷射，將移除面S1平坦化成移除面S2，並清除移除面S1上多餘的殘留物或是新生成物，如第3圖所示。移除面S2的粗糙度較移除面S1的粗糙度小，因此後續固接另一無損壞的發光單元會與承載板3有較佳的接合力。在一實施例中，平坦化製程使用雷射L2，雷射L2波段可以與移除發光單元的雷射L1波段相同但能量不同、或是波段不同。搭配雷射能量的大小，雷射L2的照射時間可以與雷射L1不同或是相同。在進行平坦化製程時，第一電極墊31以及第二電極墊32上方仍被第一導電體21'、第二導電體22'、以及絕緣材料23'覆蓋。上述粗糙度的量測可以粗糙表面的一剖面中，分區成多個相等水平距離的線段，量得此線段中最高波峰與最低波谷的距離，並定義此距離為最大粗糙度高度（Maximum Height of the Profile）。根據所有線段量得的最大粗糙度高度的平均值可以定義此表面的粗糙度。當最大粗糙度高度越大，表面越粗糙。換言之，由肉眼觀之，粗糙表面上的複數個凹面與凸面的高低落差越大，表面越粗糙。
在一實施例中，參考第2圖，當移除發光單元的雷射L1照射三次時，第一次先照射第一導電體21與第二導電體22的中間位置，用以移除大部分的發光單元後。之後再分別照射第一導電體21以及第二導電體的上方，用以移除殘留的發光單元。若執行上述步驟後也一併完成平坦化製程，則無須再進行如第3圖的平坦化製程。
雷射L1及/或L2可以為脈衝式雷射，雷射波段可以為紅外光或是綠光，例如：波長1064 nm ± 0.5 nm的紅外光、波長532 nm ± 0.5 nm的綠光。脈衝重複率（Repetition Ratio）可以為1 Hz～100 Hz或是1 KHz～10 KHz。脈衝寬度（Pulse Width）≤ 15 ns。輸出的脈衝能量 ≥ 4mJ。在一實施例中，L1及/或L2為1064 nm的紅外光，輸出的脈衝能量 ≥ 8mJ，脈衝寬度（Pulse Width）≤ 12 ns，脈衝重複率（Repetition Ratio）1 Hz～100 Hz。在另一實施例中，L1及/或L2為532 nm的綠光，輸出的脈衝能量 ≥ 4 mJ，脈衝寬度（Pulse Width） ≤ 12 ns，脈衝重複率（Repetition Ratio）1 Hz～100 Hz。
在另一實施例中，可以使用銑刀（圖未示）取代雷射執行前述之移除與平坦化製程，利用適當大小的銑刀刨除損壞、待修復發光單元10或發光單元20並平坦化移除面S1、S2。在銑切的過程中，為了避免切屑汙染移除面或鄰近區域，可利用吸塵裝置，將銑切產生切屑自移除面S1、S2除移。
第4～5圖為根據本發明一實施例中，新發光單元被放置在移除面S2上之示意圖。第4A、4B圖是以替換一個新的發光單元20為例，在其他實施例，也可以替換一個新的發光單元10。如第4A圖所示，於移除面S2上，第一導電體21'的上表面214以及第二導電體22'的上表面224上提供接合（bonding）材料2用於固接另一發光單元。新的發光單元20的第一電極15、第二電極16分別與承載板上第一導電體21'、第二導電體22'彼此相對。接合材料2具有物理性分離的兩個部分，分別塗佈在第一電極15與第一導電體21'之間、以及第二電極16與第二導電體22'之間。接合材料2覆蓋在移除面S2之上，且完全或是部分覆蓋第一導電體21'的上表面214、以及第二導電體22'的上表面224。接合材料2覆蓋的範圍以不超過移除面S2的最外側邊尤佳。第4B圖顯示另一實施例，接合材料2以一體化的型態形成在第一導電體21'、第二導電體22'上。第4B圖中，接合材料2連續不間斷地分佈在第一導電體21'以及第二導電體22'的上表面214、224上。接合材料2覆蓋在移除面S2之上，且完全或是部分覆蓋第一導電體21'的上表面214、與第二導電體22'的上表面224。接合材料2覆蓋的範圍以不超過移除面S2的最外側邊尤佳。固化前的接合材料2包括絕緣材料25以及分散在絕緣材料25中的複數個離散的導電粒子24。
導電粒子24可以包含低熔點的金屬或低液化熔點（liquidus point）的合金，其熔點或液化溫度低於210℃。金屬材料可以是元素、化合物、或合金，例如：鉍（Bi）、錫（Sn）、銀（Ag）、銦（In）、或其合金。在一實施例中，低熔點的金屬或低液化熔點合金的熔點或液化溫度低於170℃。低液化熔點合金的材料可以是錫銦合金或錫鉍合金。絕緣材料25可以是熱固性聚合物，例如：環氧樹脂（epoxy）、矽氧樹脂（silicone）、聚甲基丙烯酸甲酯、以及環硫化物（episulfide）。在一實施例中，導電粒子24的熔點低於絕緣材料25的固化溫度。如第4A～4B圖所示，在加熱（固化）步驟之前，導電粒子24的尺寸定義為導電粒子24的直徑（可以為平均直徑、最大直徑、最小直徑），介於1 μm～20 μm之間，例如：2 μm、10 μm。導電粒子24相對於接合材料2的重量比介於30 %至80 %之間。在一實施例中，導電粒子24的直徑大致為2 μm時，導電粒子24相對於接合材料2的重量比介於30 %至70 %之間。在另一實施例中，導電粒子24的直徑大致為10 μm時，導電粒子24相對於接合材料2的重量比介於40 %至80 %之間。第一電極15與第二電極16之間的最短距離優選地是導電粒子24尺寸的兩倍以上。
接合發光單元20於移除面S2的方法包括一加熱固化步驟。在加熱過程中，接合材料2或製程環境的溫度不高於170℃，因此較不會影響發光單元20的可靠度。絕緣材料25的黏度會先下降再上升，且導電粒子24會熔融並聚集在發光單元20的第一電極15與第一導電體21'之間或周圍、以及/或者第二電極16與第二導電體22'之間或周圍。加熱的方式可以提供一能量，局部加熱接合材料2，使發光單元20藉由接合材料2與承載板3接合。在一實施例中，能量可以為雷射L3（標示在FIG.4A~4B, 已刪除開頭的FIG.5A～5B的敘述），例如：紅外光、UV光。雷射L3可以與雷射L1、L2波段相同但能量不同、或是波段不同。搭配雷射能量的大小，雷射L3的照射時間可以與雷射L1、L2不同或是相同。由於能量主要加熱接合材料2的區域，不會或僅些微加熱發光單元20，因此較不會影響發光單元20或是承載板3上其他元件的可靠度。
第5A圖為根據本發明一實施例中，接合材料2被固化後的狀態。接合材料2被加熱固化後，第4A～4B圖中接合材料中的導電粒子24聚集在第一電極15與第一導電體21'之間形成第三導電體26、以及第二電極16與第二導電體22'之間形成第四導電體27。絕緣材料25固化為第二絕緣材料28圍繞第三導電體26以及第四導電體27，且覆蓋發光單元20的部分最外側表面18。第三導電體26與第一導電體21'的上表面214直接接觸，且與第一導電體21'共同形成第一導電體21。第四導電體27與第二導電體22'的上表面224直接接觸，且與第二導電體22'共同形成第二導電體22。第二絕緣材料28與絕緣材料23'的上表面232直接接觸，且與絕緣材料23'共同形成絕緣材料23。第三導電體26的內側表面262與第一導電體21'的內側表面213'共同形成一連續的平滑內側表面213，第三導電體26的外側表面261與第一導電體21'的外側表面212'共同形成一連續的平滑外側表面212。第二絕緣材料28的外側表面281與絕緣材料23'的外側表面231'共同形成一連續的平滑外側表面231。換句話說，接合另一發光單元20於移除面S2之後，接合材料2固化後與第一導電體21'、第二導電體22'、以及絕緣材料23'共同形成如第1D圖的第一導電體21、第二導電體22、以及絕緣材料23。第一導電體21、第二導電體22、以及絕緣材料23的形狀以及關係可以參考前述第1D圖相對應的段落說明。
第5B圖為依據本發明另一實施例，新發光單元被固接於承載板3上移除面S2的部分示意圖。加熱固化接合材料2後，第二絕緣材料28未覆蓋發光單元20的最外側表面18。第二絕緣材料28與絕緣材料23'的上表面232直接接觸，且與絕緣材料23'共同形成絕緣材料23。第二絕緣材料28的外側表面281與絕緣材料23'的外側表面231'共同形成一連續的平滑外側表面231。外觀與前述第1E圖相同或近似，絕緣材料23的外側表面231具有一凹部235內縮於發光單元20的最外側表面18。第一導電體21、第二導電體22、以及絕緣材料23的形狀以及關係可以參考前述第1E圖相對應的段落說明。第5A、5B圖以發光單元20為例子，在其他實施例，發光單元20也可以為發光單元10。
若改變第4A～4B圖中接合材料2的量，第5A圖與第5B圖中絕緣材料23的外側表面231可能不是一個連續的平滑表面，。第6A圖顯示一實施例，固接新的發光單元20之後，絕緣材料23的外側表面231不覆蓋發光單元20的最外側表面18，且具有一不平滑的表面。外側表面231包含第二絕緣材料28的外側表面281、絕緣材料23'的上表面232、以及絕緣材料23'的外側表面231'。外側表面281具有一內凹表面，自上表面232往發光單元20延伸，並具有一凹部282內縮於發光單元20的最外側表面18。外側表面231'具有一弧面，自承載板3往上表面232延伸並與其相接。絕緣材料23的外側表面231具有弧形的外側表面281、弧形的外側表面231'、以及一較平坦且以大致平行承載板3方向的上表面232連接外側表面281以及外側表面231'。不平滑的絕緣材料23的外側表面231具有至少一個外凸或是內凹的尖點，使絕緣材料23的外側表面231呈現不平滑的表面。如第6A圖顯示，絕緣材料23的外側表面231具有內凹的第一尖點233位於外側表面281以及上表面232連接處、以及外凸的第二尖點234位於上表面232以及外側表面231'連接處。第一尖點233相對於第二尖點234較靠近第一導電體21。發光單元20、第一導電體21、第二導電體22、第一電極墊、第二電極墊32的詳細說明可以參考前述第1E圖相對應的段落說明。
絕緣材料23不平滑的外側表面231也可以不包含絕緣材料23'的上表面232，例如第6B～6C圖所示。第6B圖為根據本發明另一實施例，新的發光單元20被固定至承載板3後的狀態。絕緣材料23的外側表面231為一不平滑的表面，包含第二絕緣材料28的外側表面281、以及絕緣材料23'的外側表面231'。外側表面281為一弧面，自外側表面231'往發光單元20延伸，並具有一凹部282內縮於發光單元20的最外側表面18。外側表面231'為一弧面，自承載板3往外側表面281延伸並與其相接。絕緣材料23的外側表面231僅具有一外凸的第一尖點233位於外側表面281以及外側表面231'連接處。發光單元20、第一導電體21、第二導電體22、第一電極墊、第二電極墊32的詳細說明可以參考前述第1E圖相對應的段落說明。
第6C圖為根據本發明另一實施例中新的發光單元20被固定至承載板3後的狀態。絕緣材料23的外側表面231為一不平滑的表面，包含第二絕緣材料28的外側表面281、以及絕緣材料23'的外側表面231'。外側表面281為一曲面，自外側表面231'往發光單元20延伸。外側表面231'為一弧面，自承載板3往外側表面281延伸並與其相接。絕緣材料23的外側表面231具有內凹的第一尖點233位於外側表面281以及外側表面231'連接處。外側表面281具有一凹部282內縮於發光單元20的最外側表面18，以及一凸部283位於發光單元20最外側表面18之外。凸部283相較於凹部282較靠近第一尖點233。在一剖面中，第一尖點233的高度可以大體上與第一電極墊31的上表面312同高，或是低於第一電極墊31的上表面312。
第7A、7B圖為根據本發明另一實施例中，發光裝置100移除損壞、待修復發光單元後，將另一新的發光單元固接在承載板3上移除面S2之部分示意圖。第7A、7B圖以發光單元20為例子，在其他實施例，發光單元20也可以被發光單元10取代。第7A圖顯示，發光單元20的第一電極15下方具有第一導電凸塊41與第一電極15直接接觸，發光單元20的第二電極16下方具有第二導電凸塊42與第二電極16直接接觸。第一導電凸塊41、第二導電凸塊42的厚度約1～12微米。在一實施例中，第一導電凸塊41、第二導電凸塊42的厚度約2～10微米。第一導電凸塊41、第二導電凸塊42的材料可以是低熔點的金屬或低液化熔點（liquidus point ）的合金。金屬例如是錫或銦，合金例如是金錫合金。在一實施例中，第一導電凸塊41、第二導電凸塊42各具有一平坦的底表面，如此在後續與承載板3接合的製程中，可以較平穩地放在承載板3上。在另一實施例中，第一導電凸塊41、第二導電凸塊42的形狀由上至下的寬度漸窄，此形狀是例如，圓錐狀、角錐狀。接合（bonding）材料2'用於將發光單元20固定於移除面S2上。第一導電凸塊41與殘留在承載板上的第一導電體21'彼此相對，第二導電凸塊42與殘留在承載板上的第二導電體22'彼此相對。接合材料2'具有物理性分離的兩個部分，分別塗佈在第一導電凸塊41與第一導電體21'之間、以及第二導電凸塊42與第二導電體22'之間。接合材料2'僅包含或者幾乎只有包含絕緣材料25。絕緣材料25可以是熱固性聚合物，例如：環氧樹脂（epoxy）、矽氧樹脂（silicone）、聚甲基丙烯酸甲酯、以及環硫化物（episulfide）。絕緣材料25可以在固化溫度下固化。第7B圖顯示另一實施例，接合材料2'可以一體化的方式形成在第一導電體21'、第二導電體22'上。第7B圖中顯示，接合材料2'連續不間斷地分佈在第一導電體21'、第二導電體22'上。接合材料2'覆蓋在移除面S2之上，且完全或是部分覆蓋第一導電體21'的上表面214、與第二導電體22'的上表面224。接合材料2'覆蓋的範圍以不超過移除面S2的最外側邊尤佳。
接合發光單元20於移除面S2的方法包括一加熱固化步驟。加熱固化的步驟與前述第4A～4B圖中相似，可參考前述對應的段落。加熱固化時，第一導電凸塊41、第二導電凸塊42會熔融並與承載板上第一導電體21'、第二導電體22'連接，並與之共同形成如第5～6圖中第一導電體21、第二導電體22的結構。接合材料2'與絕緣材料23'共同形成如第5～6圖中的絕緣材料23。詳細的結構說明可參考前述第5～6圖相對應的段落。
第8圖為根據本發明一實施例中一發光模組1000之上視示意圖。發光模組1000可以包括承載板3，以及複數個發光單元30固接在承載板3上。發光單元30可以是前述發光單元10、發光單元20、或是其他可以發出光線的半導體發光元件。發光模組1000可以為一顯示面板或是顯示器面板的其中一個發光模塊。顯示面板可用於手錶、手機、儀錶板、監視器、電視、廣告看板及/或電影院等對於顯示靜態或動態畫面有需求的應用領域，也可用於投影機、車燈等對於投射靜態或動態影像有需求的應用領域。複數個發光單元30可以包含發出不同顏色的發光單元，例如：可發出紅光、綠光、以及藍光的發光單元，或可發出青色（Cyan）、紅光、綠光、以及藍光的發光單元，或可發出黃色、紅光、綠光、以及藍光的發光單元，或可發出白色、紅光、綠光、以及藍光的發光單元。在另一實施例，發光模組1000與發光單元同側的部分區域可以放置感測元件，可用於影像辨識、環境光線偵測、鄰近發光單元30發光特性監控、壓力偵測等感測應用。在另一實施例，發光模組1000與發光單元同側的部分區域可以放置驅動元件，以驅動一個或多個鄰近驅動元件的發光單元30。在另一實施例中，部分的發光單元30可以發出紅外光，用於傳輸控制訊號。在一實施例中，發光模組1000中的發光單元可用於光通訊，發光模組1000與發光單元同側的部分區域可以放置光通訊傳輸與接收通訊模組。光通訊傳輸模組可根據傳送訊號的內容動態的調整發光單元的光強度、發光時間。光通訊接收模組用以分析收到的光通訊訊號。在一實施例中，發光模組1000是用於對顯示靜態或動態畫面有需求的應用領域之中，發光單元30之間可以於承載板3的表面形成一層吸光層（圖未示），例如，黑色塗層，可增加顯示面板的對比度。
第8圖顯示發光模組1000中有至少1個發光單元30或是上述其他元件損壞、待修補，並使用如前述第2～3圖所示的移除方式將其移除，再使用前述第4圖的方式重新固接一或多個新的發光單元或／及其他元件。移除的方式可以一次一個依序移除，也可以批次的大量移除。重新固接的方式可以一次一個依序固接，也可以批次的大量固接。雷射的發光波段、雷射次數、及／或能量可以根據待移除發光單元或是元件的材料性質進行調整。在一實施例中，當要移除的材料為Alx Iny Ga（ 1-x-y ） P（其中0 ≦ x、 y ≦ 1；（x+y）≦1）時，雷射的擊發次數為2次以上，例如3次、4次。當要移除的材料為Alx Iny Ga（ 1-x-y ） N（其中0 ≦ x、 y ≦ 1；（x+y）≦1）時，雷射擊發的次數為2次以下。換言之，移除不同材料的雷射擊發條件可以不同也可以相同。承載板3上有各種尺寸或材料的線路，要移除安放在不同的線路上的材料需找尋適合的雷射參數，例如，面積越大的線路可能需要較大能量、較大密度、較長照射時間、或較高頻率的雷射。不同的材料也可能需要使用不同波段的雷射方能將其移除。
第9圖為依據本發明一實施例修復發光裝置中損壞的發光單元或元件之流程示意圖。Step1是先於承載板3定位損壞發光單元或元件的位置，第8圖為該步驟的上視示意圖。Step2為利用雷射移除Step1中被定位損壞的發光單元或元件，並暴露出移除面。移除的方式可以一次一個依序移除，或是批次的一次大量移除。該移除步驟僅移除發光單元或元件以及部分的接合材料，而部分的接合材料仍留在承載板上，且承載板上的電極墊仍被接合材料覆蓋不暴露於外，第2圖為執行Step2後發光裝置的部分剖面示意圖。Step3是平坦化Step2所暴露的移除面，使移除面平坦化，第3圖為執行Step3後發光裝置的部分剖面示意圖。Step4為形成接合材料於移除面上，第4A、4B圖為執行Step4後發光裝置的部分剖面示意圖。Step5是設置新的發光單元於接合材料上，並加熱固化接合材料使發光單元固接於承載板上，第5～6圖為執行Step5後發光裝置的部分剖面示意圖。
第10A、10B圖為根據本發明一實施例中一發光陣列2000。發光陣列2000承載固接到發光模組上的發光單元、或是承載製作顯示器用的像素封裝體的發光單元。位於發光陣列2000上的發光單元可以依後續模組或是封裝體設計的需求按照特定的順序矩陣式的排列，或是具有相似的光電特性標準。第10A圖為發光陣列2000之上視示意圖，發光陣列2000可以包括承載板3，以及複數個發光單元30按照特定的順序矩陣式的排列在承載板3上。發光單元30可以是前述發光單元10、發光單元20、或是其他可以發出光線的發光元件。複數個發光單元30可以是具有相同光電特性的發光單元的陣列，也可以是具有發出不同顏色的發光單元，例如：可發出紅光、綠光、藍光、黃色、或青色的發光二極體，其可做為顯示面板的畫素。第10B圖為發光陣列2000之部分剖面示意圖，承載板3包含支撐體33、以及暫時載體34位於支撐體33上。支撐體33的厚度較暫時載體34厚，且硬度也較暫時載體34硬。發光單元30的第一電極15以及第二電極16位於發光單元相對於承載板3的一側上。支撐體33可以為玻璃（Glass）或藍寶石（Sapphire）等透明硬質材料。暫時載體34可以為熱移除膠帶（thermal release tape）、光解膠膜（UV tape）、化學移除膠帶（Chemical release tape）、耐熱膠帶、或藍膜（Blue Tape）。當承載板3上的發光單元陣列有部分發光單元損壞或是排列錯誤，也可以使用前述第2~3圖的方式移除。
第11A～11F圖為依據本發明一實施例修復發光陣列2000的步驟示意圖。參考第11A圖，於承載板3上定位待修補的發光單元的位置，並以前述第2~3圖的雷射移除待修補的發光單元。移除的方式可以一次一個依序移除，或是批次的一次大量移除。參考第11B圖，承載板3中的暫時載體34上因為經過雷射移除，有部分的空缺沒有發光單元，且該空缺處的暫時載體34表面因為雷射照射的關係，有可能會有部分的接著特性被改變。參考第11C圖，翻轉第11B圖的結構，且提供暫時承載板5，使發光單元30的第一電極15、第二電極16面向暫時承載板5的方向並固定在暫時承載板5上。暫時承載板5可以包含支撐體52、以及暫時載體51位於支撐體52上。支撐體52以及暫時載體51的材料類似於支撐體33以及暫時載體34的材料，可以參考前述相關段落。接著，參考第11D圖，移除承載板3。移除暫時載體34的方法可以使用照光、加熱、蝕刻等方式。參考第11E圖，於被雷射移除發光單元30的空缺處，設置新的發光單元30'於暫時承載板5上。最後，參考第11F圖，翻轉第11E圖，且提供另一承載板3'，承載板3'的材料特性與第11A圖中的承載板3相同。使發光單元30、30'相對於第一電極15、第二電極16的相對側固著在承載板3'，並移除暫時承載板5，則可以獲得一修復完成的發光陣列2000。
第12A～12D圖為依據本發明另一實施例修復發光陣列2001中待修補的發光單元之步驟示意圖。參考第12A圖，發光單元30的第一電極15、第二電極16面向承載板3的方向固定在承載板3上。於承載板3上定位待修補的發光單元的位置，並以前述第2~3圖的雷射移除待修補的發光單元。移除的方式可以一次一個依序移除，或是批次的一次大量移除。參考第12B圖，移除待修補的發光單元後，承載板3中的暫時載體34上具有部分的空缺。適當調整移除發光單元30的雷射能量，發光陣列2001在移除待修補的發光單元後，承載板3上的暫時載體34表面未被雷射能量破壞而保持原本的接著特性。參考第12C圖，於被雷射移除發光單元30的空缺處，設置新的發光單元30'於承載板3上，則可以獲得一修復完成的發光陣列2001。
第12D圖為修復完成後的發光陣列2001的示意圖。在進行後續應用組裝時，當所有發光單元30、30'從承載板3移轉至發光模組或是像素封裝體後，承載板3的上視示意圖。承載板3上具有複數個發光單元30電極所產生的第一壓印痕跡35、以及發光單元30'電極所產生的第二壓印痕跡36。未進行雷射移除修補步驟時，所有發光單元30在承載板3上形成的痕跡為第一壓印痕跡35。雷射移除待修補的發光單元後，新的發光單元30'設置在承載板3上形成的痕跡為第二壓印痕跡36。第二壓印痕跡36與同位置的第一壓印痕跡35不同，且大部分互相重疊，不與其他相鄰的第一壓印痕跡35重疊。第二壓印痕跡36與同位置的第一壓印痕跡35重疊的面積大於第二壓印痕跡的80 %。
第13A～13D圖為依據本發明另一實施例修復發光陣列2002中待修補的發光單元之步驟示意圖。參考第13A圖，發光單元30的第一電極15以及第二電極16位於發光單元30相對於承載板3的一側上。於承載板3上定位待修補的發光單元的位置，並以前述第2~3圖的雷射移除待修補的發光單元。移除的方式可以一次一個依序移除，或是批次的一次大量移除。參考第13B圖，移除待修補的發光單元後，承載板3中的暫時載體34上具有部分的空缺。適當調整移除發光單元30的雷射能量，發光陣列2002在移除待修補的發光單元後，承載板3上的暫時載體34表面未被雷射能量破壞而保持原本的接著特性。參考第13C圖，於被雷射移除發光單元30的空缺處，設置新的發光單元30'於承載板3上，則可以獲得一修復完成的發光陣列2002。
第13D圖顯示，發光陣列2002的發光單元是以電極朝上與承載板3接觸的方式排列在承載板3上。因此當發光單元移轉至另一接收基板後，承載板3上具有複數個發光單元出光面一側所產生的第一壓印痕跡35、以及第二壓印痕跡36。未進行雷射移除步驟，發光單元在承載板3上形成的痕跡為第一壓印痕跡35。雷射移除待修補的發光單元後，新的發光單元設置在承載板3上形成的痕跡為第二壓印痕跡36。第二壓印痕跡36與第一壓印痕跡35具有大部分互相重疊，重疊的面積大於第二壓印痕跡的80 %，且不與其他相鄰的第一壓印痕跡35重疊。換句話說，承載板3上，修補過發光單元的位置上會有複數個壓印痕跡，未修補過的位置上僅會有一個壓印痕跡。
以上所述之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即舉凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。
2、2':接合材料 3、3':承載板 5:暫時承載板 10、20、30、30':發光單元 11:基板 12:第一半導體層 13:活性層 14:第二半導體層 15:第一電極 16:第二電極 17:出光面 18:最外側表面 19:保護層 21、21':第一導電體 22、22':第二導電體 23、23'、25:絕緣材料 24:導電粒子 26:第三導電體 27:第四導電體 28:第二絕緣材料 31:第一電極墊 32:第二電極墊 33、33'、52:支撐體 34、34'、51:暫時載體 35:第一壓印痕跡 36:第二壓印痕跡 41:第一導電凸塊 42:第二導電凸塊 100:發光裝置 151、161、201:下表面 152、213、213'、262、311、321:內側表面 153、212、212'、222、231、231'、261、281:外側表面 211:峰部 214、224、232、312、322:上表面 215、225:部分 216、226、236:孔洞 233:第一尖點 234:第二尖點 235、282:凹部 283:凸部 313:第一導電線 314、324:外側壁 323:第二導電線 1000:發光模組 2000:發光陣列 L1、L2、L3:雷射 S1、S2:移除面 θ1、θ2、θ3:角度
第1A圖為依據本發明一實施例的發光裝置之部分上視示意圖。 第1B圖為依據本發明一實施例的發光裝置之部分剖面示意圖。 第1C圖為依據本發明另一實施例的發光裝置之部分剖面示意圖。 第1D圖為依據本發明另一實施例的發光裝置之部分剖面示意圖。 第1E圖為依據本發明另一實施例的發光裝置之部分剖面示意圖。 第2～3圖為依據本發明一實施例移除發光單元之步驟。 第4A圖為依據本發明一實施例固接發光單元之部分剖面示意圖。 第4B圖為依據本發明另一實施例固接發光單元之部分剖面示意圖。 第5A圖為依據本發明一實施例的發光裝置之部分剖面示意圖。 第5B圖為依據本發明另一實施例的發光裝置之部分剖面示意圖。 第6A～6C圖為依據本發明另數個實施例的發光裝置之部分剖面示意圖。 第7A圖為依據本發明一實施例固接發光單元之部分剖面示意圖。 第7B圖為依據本發明另一實施例固接發光單元之部分剖面示意圖。 第8圖為依據本發明一實施例發光裝置之上視示意圖。 第9圖為依據本發明一實施例修復發光裝置中損壞的發光單元之流程示意圖。 第10A～10B圖為依據本發明一實施例發光陣列之示意圖。 第11A～11F圖為依據本發明一實施例修復發光陣列中損壞的發光單元之示意圖。 第12A～12D圖為依據本發明另一實施例修復發光陣列中損壞的發光單元之示意圖。 第13A～13D圖為依據本發明一實施例修復後發光裝置的承載板之示意圖。

Claims (10)

  1. 一發光裝置的修補方法，包含： 提供一發光裝置，該發光裝置包含一承載板以及至少一個發光單元； 破壞該至少一個發光單元，並於該承載板上形成一移除面； 平坦化該移除面； 提供一接合材料； 透過該接合材料固定一新的發光單元於被平坦化後的該移除面。
  2. 如申請專利範圍第1項的修補方法，其中，照射該雷射能量的次數至少一次。
  3. 如申請專利範圍第1項的修補方法，其中，照射該雷射能量的次數大於一次時，每次的照射位置不同。
  4. 如申請專利範圍第1項的修補方法，其中，該承載板與該至少一個發光單元間具有一導電體使該承載板與該至少一個發光單元形成電性連接、以及一絕緣材料圍繞該導電體。
  5. 如申請專利範圍第4項的修補方法，其中，照射該雷射能量形成該移除面，該移除面暴露出該導電體。
  6. 一種發光元件，包含： 一承載板，包含一第一電極墊以及一第二電極墊； 一發光單元位於該承載板上，包含一第一電極以及一第二電極位於該發光單元的下側面對該承載板； 一第一導電體位於該第一電極以及該第一電極墊之間； 一第二導電體位於該第二電極以及該第二電極墊之間； 一絕緣材料位於該承載板以及該發光單元之間，圍繞該第一導電體以及該第二導電體； 其中，該絕緣材料具有一第一外側表面，該第一外側表面為不平滑，且具有一尖點的表面。
  7. 如申請專利範圍第6項的發光元件，其中，該第一導電體具有一第二外側表面，該第二外側表面為一平滑的表面。
  8. 如申請專利範圍第6項的發光元件，其中，該發光單元具有一第三外側表面，該第一外側表面具有一凹部內縮於該第三外側表面。
  9. 如申請專利範圍第7項的發光元件，其中，該第二外側表面具有一峰部靠近該第一電極。
  10. 如申請專利範圍第7項的發光元件，其中，該第一外側表面具有一大致平行該承載板的表面。
TW108148154A 2019-12-27 2019-12-27 發光裝置的修補方法 TW202125872A (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW108148154A TW202125872A (zh) 2019-12-27 2019-12-27 發光裝置的修補方法
CN202011451801.1A CN113054069A (zh) 2019-12-27 2020-12-10 发光装置的修补方法
US17/130,712 US11777052B2 (en) 2019-12-27 2020-12-22 Method of repairing the light emitting device
KR1020200181801A KR20210086507A (ko) 2019-12-27 2020-12-23 발광장치의 수리 방법
US18/375,882 US20240030373A1 (en) 2019-12-27 2023-10-02 Method of repairing the light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW108148154A TW202125872A (zh) 2019-12-27 2019-12-27 發光裝置的修補方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202125872A true TW202125872A (zh) 2021-07-01

Family

ID=76508088

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108148154A TW202125872A (zh) 2019-12-27 2019-12-27 發光裝置的修補方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US11777052B2 (zh)
KR (1) KR20210086507A (zh)
CN (1) CN113054069A (zh)
TW (1) TW202125872A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI838993B (zh) * 2022-10-31 2024-04-11 大陸商深超光電（深圳）有限公司 顯示面板修補裝置及顯示面板修補方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI807544B (zh) * 2021-12-17 2023-07-01 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9704780B2 (en) * 2012-12-11 2017-07-11 STATS ChipPAC, Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming low profile fan-out package with vertical interconnection units
TWI662638B (zh) * 2017-04-21 2019-06-11 台灣愛司帝科技股份有限公司 半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置
GB2566309B (en) * 2017-09-08 2021-06-16 Xaar Technology Ltd A method for the manufacture of a MEMS device
US11916041B2 (en) * 2019-01-04 2024-02-27 Asti Global Inc., Taiwan Method for repairing a light-emitting device and a method for manufacturing an LED panel
TWI690102B (zh) * 2019-01-04 2020-04-01 友達光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
US11127720B2 (en) * 2019-01-21 2021-09-21 Nanosys, Inc. Pixel repair method for a direct view display device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI838993B (zh) * 2022-10-31 2024-04-11 大陸商深超光電（深圳）有限公司 顯示面板修補裝置及顯示面板修補方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20210202793A1 (en) 2021-07-01
KR20210086507A (ko) 2021-07-08
US20240030373A1 (en) 2024-01-25
US11777052B2 (en) 2023-10-03
CN113054069A (zh) 2021-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20240030373A1 (en) Method of repairing the light emitting device
TWI555239B (zh) 光電元件與其製造方法
CN107039573B (zh) 发光元件及其制造方法
US11430925B2 (en) Light-emitting device having package structure with quantum dot material and manufacturing method thereof
US11024782B2 (en) Light-emitting device, manufacturing method thereof and display module using the same
US20230207769A1 (en) Light-emitting device, manufacturing method thereof and display module using the same
TW201729434A (zh) 一種發光元件及其製造方法
US10749076B2 (en) Light-emitting device
TW201635599A (zh) 發光裝置
JP6065586B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
US20230068569A1 (en) Method for soldering electronic component and method for manufacturing led display
KR20190098709A (ko) 발광 장치, 그 제조 방법 및 디스플레이 모듈
CN111092072A (zh) 发光元件
TWI775888B (zh) 發光裝置、其製造方法及顯示模組
CN217086613U (zh) 一种微型led芯片检测结构
TWI801756B (zh) 發光模組與由發光模組拼接而成的發光裝置
TWI830637B (zh) 發光元件及其顯示模組
JP2008306129A (ja) 光電変換装置の製造方法
TW202109914A (zh) 發光裝置、其製造方法及顯示模組
CN111668361A (zh) 封装结构及其制造方法与电子装置
TW202418618A (zh) 發光元件及其顯示模組