TW202125843A - 感測器及其形成方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種感測器，包括具有第一半導體層、第二半導體層、及配置於第一半導體層與第二半導體層之間的掩埋絕緣體層的基板。感測器還可包括配置於第一半導體層中的光二極體；及以串聯方式與光二極體電性連接的淬熄電阻元件。淬熄電阻元件配置於第二半導體層中，且淬熄電阻元件配置於光二極體上方但藉由掩埋絕緣體層而與光二極體隔開。

Description

感測器及其形成方法
本發明的揭露大致係關於感測器及形成感測器之方法。
單一光子崩潰二極體(single-photon avalanche diodes,SPAD，或Geiger類型崩潰二極體)，其能夠偵測單一光子並對其進行時間取樣(time-sampling)，達到高偵測效率及時差解析度(timing resolution)，且能廣泛運用在顯微鏡、生物醫療診斷、太空望遠鏡、及消費性電子產品上。
單一光子崩潰二極體係基於p-n接面，該p-n接面在超過接面的擊穿電壓VB的操作電壓Vop下被反向偏壓。在這種偏壓下，注入空乏層的單一電荷載子會觸發自持崩潰，從而產生宏觀程度的電流。如果主要載子係光生(photo-generated)的，則崩潰脈衝的前緣將標記偵測到之光子的到達時間。高崩潰電流可能會導致裝置的永久損害。因此，崩潰電流必須被淬熄(quenched)以避免因為過熱而損害裝置。於是，單一光子崩潰二極體通常需要適當的淬熄電子零件，例如，具有超過100k歐姆之電阻的鎮流淬熄電阻器，以藉由迅速將接面的反向偏壓降低到擊穿電壓以下而在 崩潰累積(avalanche build-up)後以立即中斷崩潰過程。為了偵測另一個光子，再次提升反向偏壓會再次升高到擊穿電壓以上。
基於標準互補金屬氧化物半導體(CMOS)技術的單一光子崩潰二極體由於具有與標準互補金屬氧化物半導體製程的相容性，因此是一種具成本效益的解決方案。傳統的塊矽互補金屬氧化物半導體之單一光子崩潰二極體通常與表面多晶矽淬熄電阻器集成在一起，這可能造成相對較低的填充因子(填充因子：感光面積與總成像面積或總像素面積的比率)，從而導致光子偵測效率(PDE)低。為了獲得高填充因子及高光子偵測效率，可能需要背光照射(backside illumination,BSI)。
根據各種非限定的實施例，提供一種感測器。感測器可包括具有第一半導體層、第二半導體層、及配置於第一半導體層與第二半導體層之間的掩埋絕緣體層的基板。感測器還可包括配置於第一半導體層中的光二極體；以及以串聯方式與光二極體電性連接的淬熄電阻元件。淬熄電阻元件配置於第二半導體層中，且淬熄電阻元件配置於光二極體上方但藉由掩埋絕緣體層而與光二極體隔開。
根據各種非限定的實施例，提供一種形成感測器的方法。該方法包括提供基板，其中，基板包括第一半導體層、第二半導體層、及配置於第一半導體層與第二半導體層之間的掩埋絕緣體層。該方法還可包括形成光二極體於該第一半導體層中；以及形成淬熄電阻元件於第二半導體 層中。淬熄電阻元件係以串聯方式與光二極體電性連接；且淬熄電阻元件配置於光二極體上方但藉由掩埋絕緣體層而與光二極體隔開。
100,200,600,850:感測器
110:基板、多層基板、絕緣體上覆半導體基板
112:第一半導體層
114:第二半導體層、頂部單晶半導體層
116:掩埋絕緣體層
120:光二極體
130:淬熄電阻元件、片段、電阻元件、淬熄電阻器
221:光入射表面、頂表面
222:第一導電區、區、P型區
224:第二導電區、區、N型區、深N井
226:第三導電區
242:陽極
244:陰極
252,254,256:隔離區域
260:介電層、層間介電層
262:接觸件
264:通孔
370:輸出節點
500:電路組構
700:圖表
702,704,706:曲線
800:感測器晶片、感測器
810:單一光子崩潰二極體
820:淬熄電阻器
830:數位電子零件
860:集成的單一光子崩潰二極體與淬熄電阻器
870:數位電子零件
900:流程圖
902,904,906:步驟
附圖中，相同的元件符號通常是指於不同視圖中相同的元件。並且，圖式並不一定按比例繪製，而是將重點放在說明本發明的原理上。現在僅出於示例的目的，將參考以下附圖來說明本發明的實施例，其中：
圖1顯示為本發明各種非限定實施例中之感測器的示意圖。
圖2顯示為本發明各種非限定實施例中之感測器的橫截面圖。
圖3顯示為本發明各種非限定實施例中圖2之感測器的俯視圖。
圖4顯示為本發明各種非限定實施例中圖2及圖3之感測器的等效電路。
圖5顯示為本發明各種非限定實施例中之感測器的等效電路。
圖6顯示為本發明各種實施例中之感測器的俯視圖。
圖7顯示為本發明各種非限定實施例中之在不同摻雜濃度下的淬熄電阻元件的電阻(R)與長度(L)的關係的圖表。
圖8A顯示為習知技術的感測器晶片；圖8B顯示為本發明各種非限定實施例中之感測器。
圖9顯示為本發明各種非限定實施例中之形成感測器的方法之流程圖。
下面參考附圖中示出的非限定實施例，更完整地解釋本發明的各態樣及其某些特徵、優點和細節。習知材料、製造工具、處理技術等的描述皆省略，以免不必要地模糊本發明。然而，應該理解，實施方式和具體示例雖然只是出本發明的各個態樣，但是僅以舉例說明的方式給出，而不是以限制的方式給出。根據本揭露，在基本發明概念的精神及/或範圍內之各種替代、修改、添加及/或配置對於所屬領域具通常知識者而言將是顯而易見的。
如在整個說明書及申請專利範圍中所使用的，近似語言可以用於修改可允許變化而不造成與之相關的基本功能發生變化的定量表示。因此，由一個或多個術語(例如“約”)修飾的值不限於所指定的精確值。在某些情況下，近似語言可對應於測量數值的儀器的精度。
在此使用的術語僅用於描述特殊例子為目的，而不企圖侷限本發明。如本文所使用的，單數形式的“一”、“一個”和“該”也旨在包括複數形式，除非內文有明確指出。還將理解的是，術語“包括”(及任何形式的包括，例如“包含”和“包括”)、“具有”(及任何形式的具有，例如“具有”和“含有”)、“包含”(及任何形式的包含，例如“包括”和“包含”)都是開放式連綴動詞。所以，“包括”、“具有”、“包含”、或“含有”一或多個步驟或元件的方法或裝置擁有一或多個步驟或元件，但不限於僅擁有那 一或多個步驟或元件。相似地，“包括”、“具有”、“包含”、“含有”一或多個特徵的方法的步驟或裝置的元件擁有一或多個特徵，但不限於僅擁有那一或多個步驟或元件。此外，以特定方式配置的裝置或結構係至少以該方式配置，但也可以未列出的方式配置。
在用以指兩個物理元件時，本文中的術語“連接”(或“耦接”)是指兩個物理元件之間的直接連接或通過一或多個中介元件的連接。
應當理解，術語“在...上”、“在...上方”、“在...下方”、“頂部”、“底部”、“向下”、“側面”、“背面”、“左側”、“右側”、“前側”、“橫向”、“側向”、“上”、“下”在用於以下描述時是用於方便描述且有助於了解相對位置或方向，而無意限制任何裝置或結構、或任何裝置或結構的任何部件的取向。另外，除非上下文另外明確指出，否則單數術語“一”、“一個”和“該”包括複數形式。相似地，除非上下文另外明確指出，否則用詞“或”旨在包括“和”。
下文描述裝置的非限定實施例對於相應的方法也類似有效，反之亦然。再者，應當理解，下文描述的實施例可被結合；舉例來說，一實施例的一部件可與另一實施例的一部件結合。
應當理解，在此描述的用於特定裝置的任何特性也可用於此文描述的任何裝置。應當理解，在此描述的用於特定方法的任何特性也可用於此文描述的任何方法。此外，應當理解，對於在此描述的任何裝置或方法，不一定必須將所描述的所有組件或步驟都含括於裝置或方法中，而是可以僅含括一些(但非全部)組件或步驟。
各種非限定實施例與感測器相關，例如，光感測器，如基於光感測器的單一光子崩潰二極體(SPAD)。
圖1顯示為根據本發明各種非限定實施例中之感測器100的示意圖。
如圖1所示，感測器100可包括基板110。基板110可包括第一半導體層112、第二半導體層114、和配置於第一半導體層112及第二半導體層114之間的掩埋絕緣體層116。感測器100還可包括配置於第一半導體層112中的光二極體120；以及與光二極體120以串聯方式電性連接的淬熄電阻元件130。淬熄電阻元件130配置於第二半導體層114中，且淬熄電阻元件130配置於光二極體120上方但藉由掩埋絕緣體層116而與光二極體120隔開。
根據各種非限定實施例，提供一種集成的感測器100，其中，光二極體120及淬熄電阻元件130被集成在多層基板110的個別半導體層中，其中淬熄電阻元件130與光二極體120重疊。以這種方式，可藉由各種非限定實施例的感測器100來實現較小的足跡(footprint)。據此，可藉由各種非限定實施例的感測器100來實現較高的填充因子(填充因子：感光面積與總成像或總像素面積的比率)。因此，也可藉由感測器100來實現較高的光子偵側效率(PDE)，如光子偵側效率(PDE)=填充因子(FF)X光子偵側可能性(PDP；photon detection probability)。
根據各種非限定實施例，基板110的第一半導體層112可包括但不限於矽(Si)、鍺(Ge)、矽鍺(SiGe)、或其組合的材料。
根據各種非限定實施例，基板110的第二半導體層114可包括但不限於矽、鍺、矽鍺、鍺錫(GeSn)、石墨烯、砷化銦鎵(InGaAs)、硫化鎘(CdS)或其組合的材料。
在各種非限定實施例中，基板110的第二半導體層114可包括單晶半導體材料。
根據各種非限定實施例，基板110的掩埋絕緣體層116可包括但不限於氧化矽、氮化矽、氧化鋁、氧化釔、或其組合的材料。
根據各種非限定實施例，基板110可為絕緣體上覆半導體基板。在各種非限定的實施例中，可提供或形成絕緣體上覆半導體基板110以使基板110的第二半導體層114可為單晶半導體層。在非限定實施例中，基板110可為絕緣體上覆矽(SOI)基板，其中，第二半導體層114可包括單晶矽。在各種非限定實施例中，基板110可為全空乏絕緣體上覆矽(fully-depleted silicon-on-insulator,FD-SOI)基板。
絕緣體上覆半導體基板110的例子可包括但不限於絕緣體上覆矽(SOI)基板、絕緣體上覆鍺(GeOI)基板、絕緣體上覆矽鍺(SiGe-OI)基板、絕緣體上覆鍺錫(GeSnOI)基板、絕緣體上覆石墨烯(graphene-OI)基板、絕緣體上覆砷化銦鎵(InGaAs-OI)基板、絕緣體上覆硫化鎘(CdS)基板，或其組合。
根據各種非限定實施例，淬熄電阻元件130可自第二半導體層114形成，並且可包括與第二半導體層114相同的材料。在各種非限定實施例中，淬熄電阻元件130可由單晶半導體材料形成。在各種非限定實 施例中，淬熄電阻元件130可包括單晶矽電阻器。在各種非限定實施例中，淬熄電阻元件130可包括其他類型的淬熄電子零件，如淬熄電晶體。
根據各種非限定實施例，淬熄電阻元件130的長度或摻雜濃度之至少其中一者係配置成提供所欲之淬熄電阻。換句話說，可藉由調整淬熄電阻元件130的長度和摻雜濃度的任一者或兩者而可調整淬熄電阻。在各種非限定實施例中，淬熄電阻元件130的摻雜濃度可在從約1e16cm-3至約1e17cm-3的範圍內。在各種非限定實施例中，淬熄電阻元件130及第二半導體層114可具有相同的摻雜濃度或不同的摻雜濃度。淬熄電阻元件130的長度可在從約1奈米至約10微米的範圍內，例如從2奈米至1微米，例如從5奈米至500奈米，例如從10奈米至100奈米，例如從30奈米至50奈米。在各種非限定實施例中，所欲之淬熄電阻可等於或高於100k歐姆。在各種非限定實施例中，所欲之淬熄電阻可在從約100k歐姆至約10M歐姆的範圍內。
根據各種非限定實施例，淬熄電阻元件130的寬度可在約1奈米至約1000奈米的範圍內，例如從2奈米至500奈米，例如從5奈米至50奈米。在非限定實施例中，淬熄電阻元件130的寬度可在約6奈米至約8奈米的範圍內。淬熄電阻元件130之寬度/長度(W/L)比率可在約1/100至約1/10的範圍內。淬熄電阻元件130的厚度可在約1奈米至約10微米的範圍內，例如從2奈米至1微米，例如從5奈米至500奈米，例如從6奈米至10奈米。在非限定實施例中，淬熄電阻元件130的厚度可在約6奈米至約8奈米的範圍內。
根據各種非限定實施例，淬熄電阻元件130的尺寸，例如，淬熄電阻元件130的長度或面積，係實質地較光二極體120的尺寸小，使得光二極體120只有一小部分(例如，低於50%，例如，低於20%，例如，低於10%，例如，低於1%，例如，低於0.1%)被配置於其上的淬熄電阻元件130所覆蓋。在各種非限定實施例中，光二極體120的直徑或寬度可在約10奈米至約100微米的範圍內，例如從約100奈米至約10微米，例如從約200奈米至約900奈米。在非限定實施例中，光二極體120可具有約10微米之直徑，這比可具有約100奈米的長度及約10奈米的寬度之淬熄電阻元件130要大得多。
雖然以上非限定實施例描述用於淬熄電阻元件130及光二極體120的尺寸的示例範圍，但應當理解，淬熄電阻元件130及光二極體120的尺寸可基於設計選擇或需求或技術改良，而配置為比上述示例的數值範圍較大或較小。
根據各種非限定實施例，光二極體120可包括單一光子崩潰二極體(SPAD)，其配置為被反向偏壓以用於光子偵側。
根據各種非限定實施例，光二極體120具有配置於掩埋絕緣體層116下方的光入射表面。淬熄電阻元件130配置於光二極體120的光入射表面上方，而第二半導體層114係實質地不存在於光二極體120的光入射表面上方，以使光二極體120的光入射表面配置成接收通過掩埋絕緣體層116的光。根據各種非限定實施例，用於感測器100的讀出電路(可避免光入射或阻擋光照明)係不存在於光二極體120的光入射表面上方，以使光二極體120的光入射表面配置成接收通過掩埋絕緣體層116的光。在各 種實施例中，讀出電路可配置成感應光二極體120被進來的光子所觸發的崩潰電流，並產生相應的輸出訊號(例如，數位輸出脈衝)以指示偵測到進來之光子。在各種非限定實施例中，讀出電路可包括時間至數位轉換器(time-to-digital converter，TDC)。
在圖1所示之非限定實施例中，光二極體120中與掩埋絕緣體層116接觸的頂表面可為光入射表面，而第二半導體層114係實質地不存在於光二極體120的光入射表面上方，例如，僅僅與淬熄電阻元件130一起覆蓋光二極體120的光入射表面之充分小的部分。在各種非限定實施例中，除了形成於其中的淬熄電阻元件130之外，第二半導體層114可完全地不存在於光二極體120的光入射表面上方，如圖2所示之非限定實施例。在各種非限定實施例中，光二極體120的光入射表面上方的掩埋絕緣體層116可實質地曝露，換句話說，第二半導體層114及其他電子零件(例如，用於感測器100的讀出電路)不會出現在光二極體120的光入射表面上方的掩埋絕緣體層116的實質部分上，致能(enabling)感測器100的前面照射(front side illumination,FSI)，其中，光通過掩埋絕緣體層116而傳輸到光二極體120的前表面。
根據各種非限定實施例，感測器100還可包括與光二極體120的P型區電性連接的陽極(圖1未示)，以及與光二極體120的N型區電性連接的陰極(圖1未示)。陽極及陰極可配置於光二極體120的周圍且經由至少部分地配置於第一半導體層112中的隔離區域(圖1未示)而彼此隔開。
根據各種非限定實施例，淬熄電阻元件130可經由至少部分地配置於第一半導體層112中的另一隔離區域而與陽極及陰極隔開。
圖2顯示為本發明之各種非限定實施例中之感測器200的橫截面圖，圖3顯示為本發明之各種非限定實施例中之感測器200的俯視圖。感測器200相似於圖1的感測器100，且因此共同特徵以相同的元件符號標註。參考圖1所述之各種實施例對於圖2及圖3的感測器200也類似有效，反之亦然。
相似於感測器100，感測器200可包括具有第一半導體層112、第二半導體層114、及配置於第一半導體層112與第二半導體層114之間的掩埋絕緣體層116的基板110。感測器200還可包括配置於第一半導體層112中的光二極體120；以及以串聯方式與光二極體120電性連接的淬熄電阻元件130。淬熄電阻元件130配置於第二半導體層114中，並且淬熄電阻元件130配置於光二極體120上方但藉由掩埋絕緣體層116而與光二極體120隔開。
如上各種非限定實施例所述，基板110可為絕緣體上覆半導體基板，其可被提供或形成以使基板110的第二半導體層114可為單晶半導體層。絕緣體上覆半導體基板110的範例可包括但不限於絕緣體上覆矽(SOI)基板、絕緣體上覆鍺(GeOI)基板、絕緣體上覆矽鍺(SiGe-OI)基板、絕緣體上覆鍺錫(GeSnOI)基板、絕緣體上覆石墨烯(graphene-OI)基板、絕緣體上覆砷化銦鎵(InGaAs-OI)基板、絕緣體上覆硫化鎘基板，或其組合。在非限定實施例中，基板110可為絕緣體上覆矽基板，其中，第二半導體層 114可包括單晶矽。在各種非限定實施例中，基板110可為全空乏絕緣體上覆矽(FD-SOI)基板。
根據各種非限定實施例，淬熄電阻元件130可形成於第二半導體層114中或從第二半導體層114形成，且可包括與第二半導體層114相同的材料。在各種非限定實施例中，淬熄電阻元件130可由單晶半導體材料形成。在各種非限定實施例中，淬熄電阻元件130可包括單晶矽電阻器。在各種非限定實施例中，淬熄電阻元件130可包括其他類型的淬熄電子零件，如淬熄電晶體。
根據各種非限定實施例，光二極體120可包括單一光子崩潰二極體(SPAD)，其配置成被反向偏壓以用於光子偵測。
根據各種非限定實施例，光二極體120可包括第一導電區222及第二導電區224以形成P-N接面。在各種非限定實施例中，第一導電區222可為P型區，而第二導電區224可為N型區。在各種非限定實施例中，導電類型可相反，使得第一導電區222與第二導電區224可分別為N型區及P型區。
在此描述之各種非限定實施例中，第二導電區224可為配置於第一半導體層112中的深N井，而第一導電區222可為配置於深N井224上方的P井。應當理解，第一導電區222及第二導電區224的導電類型在其他實施例中可相反。
在各種非限定實施例中，P型區222及N型區224之其中一者或兩者可包括不同摻雜濃度的一或多個區域。舉例來說，P型區222可包括配置於P井區上方的P+區。N型區224可包括配置於N井區下方的 N+區。在各種非限定實施例中，第一導電區222及第二導電區224可以各種適當組構配置而形成單一光子崩潰二極體。
根據各種非限定實施例，光二極體120具有配置於掩埋絕緣體層116下方的光入射表面221。光入射表面221係為光二極體120的頂表面或前表面，從該側接收進來的光或光子。
根據各種非限定實施例，淬熄電阻元件130配置於光二極體120之光入射表面221上方，而第二半導體層114係實質地不存在於光二極體120的光入射表面221上方，以使光二極體120之光入射表面221配置成接收通過掩埋絕緣體層116的光。根據各種非限定實施例，用於感測器200的讀出電路可避免光入射或阻擋光照明，讀出電路係不存在於光二極體120的光入射表面221上方，從而致能光二極體120的前面照射。在各種非限定實施例中，讀出電路可包括時間至數位轉換器。
不同於圖1的非限定實施例，其中，第二半導體層114部分地維持在掩埋絕緣體層116上方，圖2之感測器200中的第二半導體層114除了形成於其中的淬熄電阻元件130以外完全地被移除。例如，淬熄電阻元件130可以例如藉由蝕刻第二半導體層114以形成期望或預定形狀的淬熄電阻元件130而形成。在圖2之非限定實施例中，第二半導體層114之剩餘部分可被移除以使得第二半導體層114中僅形成淬熄電阻元件130的部分配置且維持於光二極體120及掩埋絕緣體層116上方。據此，光二極體120的光入射表面上方的掩埋絕緣體層116可實質地曝露。換句話說，第二半導體層114及其他電子零件(例如，用於感測器200的讀出電路)， 其可避免光入射或阻擋光照明，係不存在於光二極體120之光入射表面221上方的掩埋絕緣體層116之實質部分上，從而致能感測器200的前面照射。
如圖3中感測器200的俯視圖所示，淬熄電阻元件130呈半圓形而配置於光二極體120之頂表面上方，其在圖2之橫截面圖中沿著圖3之A-A’線示出為兩個片段130。在各種非限定實施例中，淬熄電阻元件130可為任何適當的形狀，其範例可包括但不限於弧形、圓形、鰭形、奈米線形、奈米帶形、正方形、矩形等。淬熄電阻元件130的形狀及/或長度可配置或調整用於電阻最佳化。
根據各種非限定實施例，淬熄電阻元件130的尺寸，例如，淬熄電阻元件130的長度或面積，係實質地較光二極體120的尺寸小，使得光二極體120只有一小部分(例如，低於50%，例如，低於20%，例如，低於10%，例如，低於1%，例如，低於0.1%)被配置於其上的淬熄電阻元件130所覆蓋。在各種非限定實施例中，光二極體120的直徑或寬度可在從約10奈米至約100微米的範圍內，例如從約100奈米至約10微米，例如從約200奈米至約900奈米。在非限定實施例中，光二極體120可具有約10微米之直徑，這比具有約100奈米的長度及約10奈米的寬度之淬熄電阻元件130要大得多。
如圖3之非限定實施例所示，光二極體120可為圓形。應當理解，光二極體120可以其他適當形狀形成，如正方形或矩形。由於配置於光二極體120上方的淬熄電阻元件130的尺寸相對小，故光二極體120的實質大部分能接收從前側而來的入射光。淬熄電阻元件130可位於靠近 如圖3之非限定實施例所示之光二極體120的周圍，或由於其小尺寸而可配置於光二極體120之頂表面221上方的任何適當位置。
根據各種非限定實施例，淬熄電阻元件130之長度或摻雜濃度之至少一者係配置成提供所欲之淬熄電阻(例如，從約100k歐姆至10M歐姆的範圍內)。在各種非限定實施例中，淬熄電阻元件130的摻雜濃度可為在約1e16cm-3至約1e17cm-3的範圍內。淬熄電阻元件130的長度可在從約1奈米至10微米的範圍內，例如從2奈米至1微米，例如從5奈米至500奈米，例如從10奈米至100奈米，例如從30奈米至50奈米。
根據各種非限定實施例，感測器200還可包括與光二極體120之P型區222電性連接的陽極242，及與光二極體120之N型區224電性連接的陰極244。應當理解，陽極242及陰極244的位置在非限定實施例中可互換，其中，區222係為N型區，且區24係為P型區，如上文所述。
在各種非限定實施例中，陽極242可配置於光二極體120的P型區222上，例如，與P型區222直接接觸。陰極244可配置於光二極體120的N型區224上方。陰極244可經由配置在第一半導體層112中的第三導電區226而與光二極體120的N型區224電性連接。第三導電區226可為非限定實施例中的N井，其中，區224係為N型區，或其可為非限定實施例中的P井，其中，區224係為P型區。第三導電區226可配置於陰極244與N型區224之間。
根據各種非限定實施例，陽極242與陰極244可如圖2及圖3所示配置於光二極體120的周圍上方。陽極242及陰極244配置於光 二極體120的周圍上方可理解為陽極242及陰極244配置於光二極體120之上且靠近光二極體120之周圍。從俯視圖觀之，陽極242及陰極244之一或兩者可配置於圖3之非限定實施例中所示光二極體120內但靠近光二極體120的周圍，或可配置於在其他非限定實施例中至少部分地重疊於光二極體120之周圍。陽極242及陰極244可經由至少部分地配置於第一半導體層112的隔離區域252而彼此隔開。隔離區域252可橫向地配置於陽極242與陰極244之間。在各種非限定實施例中，隔離區域252可為淺溝槽隔離(STI)。在各種非限定實施例中，陽極242及陰極244可為光二極體120的周圍上方的圓環(例如，圖3所示)或矩形環之形狀，實質地對應於光二極體120的形狀。
根據各種非限定實施例，淬熄電阻元件130可經由至少部分地配置於第一半導體層112中的另一隔離區域254而與陽極及陰極隔開。另一隔離區域254可為淺溝槽隔離(STI)。另一隔離區域254可橫向地配置於電阻元件130與陽極242、陰極244之間。
根據各種非限定實施例，額外的隔離區域256可配置於至少部分地環繞光二極體120的周圍及至少部分地在第一半導體層112中，以將光二極體120與相鄰的組件隔開，相鄰的組件係例如另一感測器，具有與感測器200相似的結構且配置於相同的基板110中。
在各種非限定實施例中，各種組件之間的電性連接可藉由配置於介電層260(例如，層間介電(inter-layer dielectric,ILD)層260)中的多個接觸件262和通孔264所提供。介電層260可配置於掩埋絕緣體層116 上方，且覆蓋包括淬熄電阻元件130、陽極242、陰極244、隔離區域252、254、256等個別組件。
在如圖2及圖3所示之各種非限定實施例中，淬熄電阻元件130可具有經由一或多個通孔264及接觸件262而與地(GND)電性連接於的一個端子。淬熄電阻元件130可具有經由一或多個通孔264及接觸件262而與陽極242電性連接的另一端子，從而經由陽極242而與光二極體120串聯連接。在如圖3所示之各種非限定實施例中，淬熄電阻元件130及陽極242連接至輸出節點370，輸出節點370可進一步連接至讀出電路(圖2及圖3未示)，如時間至數位轉換器(TDC)。為了簡化，讀出電路及完整的後段製程(back end of line)金屬線未顯示於圖3中。
圖4顯示為本發明之各種非限定實施例中之感測器200的等效電路400。如圖4所示，淬熄電阻元件130的一個端子被接地，而淬熄電阻元件130的另一端子經由陽極242而與光二極體120以串聯方式電性連接，其中，陽極242連接至輸出節點370以用於電性連接至時間至數位轉換器。操作電壓VOP(其超過擊穿電壓VB一超出電壓VE)可施加於陰極244以對光二極體120反向偏壓。在反向偏壓的電壓VOP處，光生載子可觸發大崩潰電流。崩潰電流的前緣可被時間至數位轉換器感測，而與崩潰累積同步的數位輸出脈衝可藉由指示偵測到進來的光子之時間至數位轉換器產生。然後，淬熄電阻元件120停止自持崩潰電流，以避免損傷光二極體130並偵測後續的光子。
雖然圖4顯示為感測器200的電路組構，但應當理解感測器200可根據各種非限定實施例的其他合適電路組構配置。圖5顯示為根據各種非限定實施例的感測器200的電路組構500。
如圖5所示，淬熄電阻元件130係以串聯方式與相似於圖4之電路組構的光二極體120電性連接。不同於圖4的實施例，光二極體120係通過圖5之電路組構500中的陽極而接地。淬熄電阻元件130的一個端子配置成在操作電壓VOP偏壓。淬熄電阻元件130的另一端子係經由陰極244以串聯方式與光二極體120電性連接，其中，陰極244係連接至輸出節點370以用於電性連接至時間至數位轉換器。
如圖2及圖3的實施例所示，淬熄電阻元件130係為半圓形。圖6係顯示各種實施例之感測器600之俯視圖，其中，淬熄電阻元件130可為短弧形。感測器600係相似於圖1至3之感測器100、200，且因此共同特徵係以相同的元件符號標示。參考圖1至5描述的各種實施例對於圖6的感測器600也類似地有效，反之亦然。
如圖6所示，感測器600係相似於感測器200，且包括配置於光二極體120上方的淬熄電阻元件130。陽極242及陰極244可配置於光二極體120的周圍上方，且可分別與光二極體120之P型區及N型區電性連接。如圖6之各種非限定實施例所示，淬熄電阻元件130可為短弧，其具有較圖3之半圓形的淬熄電阻元件130長度小許多的長度。據此，在感測器600中，相較於圖3所示之半圓形的淬熄電阻元件130，光二極體120之光入射表面的較小面積被淬熄電阻元件130遮蔽而有較大空間提供給光照明。
在各種非限定實施例中，淬熄電阻元件130的形狀可根據淬熄電阻元件130之長度及摻雜濃度之一或兩者來組構或選擇，其也可根據所欲之淬熄電阻來組構或選擇。
圖7顯示圖表700，說明根據各種非限定實施例，在不同摻雜濃度下的淬熄電阻元件之電阻(R)與長度(L)的關係。
在圖7之非限定實施例中，淬熄電阻元件的個別數值可使用上文所述各種非限定實施例中之淬熄電阻元件130來測量。淬熄電阻元件130可形成於基板110之第二半導體層114上，其中基板110可為22奈米的全空乏絕緣體上覆矽基板。配置或形成有淬熄電阻元件130之基板110的第二半導體層114可為具有約6-8奈米厚度的摻雜矽層，例如，7奈米。光二極體120可具有約0.3微米的直徑，而淬熄電阻元件130的關鍵尺寸(CD)可約為50奈米。
如圖7所示，水平軸代表淬熄電阻元件130的長度(L)，且垂直軸代表淬熄電阻元件130的電阻(R)。曲線702、704、706分別表示摻雜濃度為1e16cm-3、5e16cm-3、及1e17cm-3時淬熄電阻元件130的電阻(R)與長度(L)之間的關係。在給定長度情況下，當摻雜濃度從1e17cm-3減少至1e16cm-3時，淬熄電阻元件130的電阻會增加。在給定摻雜濃度情況下，當淬熄電阻元件130的長度增加時，淬熄電阻元件130的電阻會增加。根據圖7的圖表，淬熄電阻元件130配置在較長長度及較低摻雜濃度可提供較大的電阻。
如圖7所示，當淬熄電阻元件130的長度大於約0.03微米時，各種非限定實施例提供之淬熄電阻元件130係能針對所有摻雜濃度提供所欲之淬熄電阻RQ>100k歐姆。
根據圖7所示之結果，提供於上述各種非限定實施例之感測器100、200、600中的淬熄電阻元件130可達到可調整的淬熄電阻並且以短長度滿足淬熄電阻的要求(例如，約100k歐姆至10M歐姆)。可以用各種形狀(例如，弧形、圓形、正方形、矩形、鰭形、奈米線形、奈米帶形等)形成在基板110之頂部單晶半導體層114中所形成的淬熄電阻元件130，用於電阻最佳化。
在示例的非限定實施例中，淬熄電阻元件130可為圖6之感測器600所示的弧形形狀，其中，淬熄電阻元件130可為形成於全空乏絕緣體上覆矽(FD-SOI)基板中的1/32圓，其頂部矽層具有約7奈米的厚度以及約1e16cm-3的摻雜濃度。如下文表1的案例1所示，具有長度約0.03微米的淬熄電阻元件130能提供約840k歐姆的電阻。因此，根據各種非限定實施例的感測器600能達到低填充因子及前面照射。
表1還顯示傳統多晶矽(Poly-Si)淬熄電阻在不同形狀上的參數。在案例2中，傳統多晶矽淬熄電阻為圓形形狀，且提供38k歐姆電阻於0.94微米長度及100奈米厚度。可觀察到，傳統多晶矽淬熄電阻器具有比各種非限定實施例之淬熄電阻器130大更多的尺寸，但提供小很多的電阻，低於要求的至少100k歐姆的淬熄電阻。為了滿足淬熄電阻的要求，傳統多晶矽淬熄電阻器的尺寸需要大大地增加，從而會消耗光二極體外更多的空間且導致感測器的低填充因子。
在案例3中，傳統的多晶矽淬熄電阻器為線圈的形狀，且提供105k歐姆電阻於2.1微米長度及100奈米厚度。可觀察到，案例3之傳統多晶矽淬熄電阻具有比各種非限定實施例之淬熄電阻器130大很多的尺寸，但僅能提供比由各種非限定實施例之較小的淬熄電阻器130提供的淬熄電阻840k歐姆低得多的電阻。案例3之傳統線圈形狀的多晶矽淬熄電阻器具有能覆蓋光二極體整個光入射表面及阻擋光照明的大尺寸，因此前面照射是不可能的。
Figure 109125805-A0202-12-0021-1
圖8A顯示為習知技術之感測器晶片800，感測器晶片800包括橫向排列的單一光子崩潰二極體810、淬熄電阻器(QR)820及數位電子零件830。感測器晶片800的足跡為100%，包括25%的單一光子崩潰二極體810、25%的淬熄電阻器、以及50%的數位電子零件(足跡=單一光子崩潰二極體810+淬熄電阻器+數位=100%)。根據方程式“填充因子(除了數位外)=單一光子崩潰二極體/(單一光子崩潰二極體+淬熄電阻器)=50%”，不包括數位電子零件的填充因子為50%。根據方程式“填充因 子=單一光子崩潰二極體/足跡=25%”，感測器晶片800的填充因子為25%。
圖8B顯示根據各種非限定實施例之感測器850。感測器850可為上述各種實施例中的感測器100、200、600。感測器850包括單一光子崩潰二極體及淬熄電阻器，它們集成於多層基板的個別半導體層中。淬熄電阻器配置於單一光子崩潰二極體上方且與單一光子崩潰二極體重疊。據此，集成的單一光子崩潰二極體與淬熄電阻器860佔據感測器850之25%的空間，節省習知技術的感測器800之淬熄電阻器820消耗的25%的空間。感測器850還可包括數位電子零件870(例如，時間至數位轉換器)，其消耗50%的空間。據此，感測器850的足跡為75%(足跡=單一光子崩潰二極體+淬熄電阻器+數位=75%)。根據方程式“填充因子(數位除外)=單一光子崩潰二極體/(單一光子崩潰二極體+淬熄電阻器)=100%”，排除數位電子零件的填充因子為100%。根據方程式“填充因子=單一光子崩潰二極體/足跡=25%/75%=33%”，感測器晶片850的填充因子為33%。
相較於習知技術的感測器800，各種非限定實施例的感測器850達到高達50%的填充因子(數位電子零件除外)且基於0.13微米的互補金屬氧化物半導體節省25%的足跡。
上述各種非限定實施例提供集成的感測器100、200、600、850，其中，光二極體120與淬熄電阻元件130係集成於多層基板110的個別半導體層中，淬熄電阻元件130與光二極體120重疊。在這種方式下，能藉由各種非限定實施例之感測器100、200、600、850達成較小的足跡。 再者，藉由提供淬熄電阻元件130於多層基板110的第二半導體層114中，在小尺寸或小面積中的淬熄電阻元件130能達到所欲之高淬熄電阻，且據此光二極體120中只有一小部分被淬熄電阻元件130重疊或覆蓋。因此，能藉由各種非限定實施例之感測器100、200、600、850來實現較高的填充因子及較高的光子偵測效率。
根據各種非限定實施例，可提供感測器陣列，其中，可以陣列或矩陣的形式佈置多個感測器100、200、600。多個感測器100、200、600可並聯電性連接，並且可以共享如圖8B所示之常見的數位電子零件870。
接下來，將描述根據各種非限定實施例之形成感測器100、200、600、850之方法。
圖9顯示為說明根據各種非限定實施例之形成感測器的方法之流程圖900。可使用該方法以形成上述各種非限定實施例中之感測器100、200、600、850。有關感測器的各種非限定實施例對於相應的方法是類似有效的，反之亦然。
在步驟902處，可提供基板。基板可包括第一半導體層、第二半導體層、及配置於第一半導體層與第二半導體層之間的掩埋絕緣體層。
在步驟904處，光二極體可形成於第一半導體層中。
在步驟906處，淬熄電阻元件可形成於第二半導體層中。淬熄電阻元件以串聯方式與光二極體電性連接；且淬熄電阻元件配置於光二極體上方但藉由掩埋絕緣體層而與光二極體隔開。
如上各種非限定實施例所述，基板可為絕緣體上覆半導體基板，可將其製備或形成為使基板的第二半導體層可為單晶半導體層。例如，絕緣體上覆半導體基板可使用注氧隔離(SIMOX,separation by implantation of oxygen)方法、晶圓接合、或種晶方法製備或形成。絕緣體上覆半導體基板的實施例可包括但不限於絕緣體上覆矽(SOI)基板、絕緣體上覆鍺(GeOI)基板、絕緣體上覆矽鍺(SiGe-OI)基板、絕緣體上覆鍺錫(GeSnOI)基板、絕緣體上覆石墨烯(graphene-OI)基板、絕緣體上覆砷化銦鎵(InGaAs-OI)基板、絕緣體上覆硫化鎘基板，或其組合。根據各種非限定實施例，第二半導體層可包括單晶半導體材料。在非限定實施例中，基板可為絕緣體上覆矽基板，其中，第二半導體層可包括單晶矽。在各種非限定實施例中，基板可為全空乏絕緣體上覆矽(FD-SOI)基板。
根據各種非限定實施例，淬熄電阻元件可從第二半導體層形成，且可包括與第二半導體層相同的材料。在各種非限定實施例中，第二半導體層可被蝕刻以形成配置於光二極體上方之淬熄電阻元件。
在各種非限定實施例中，淬熄電阻元件可由單晶半導體材料形成。在各種非限定實施例中，形成淬熄電阻元件可包括形成單晶矽電阻器。在各種非限定實施例中，淬熄電阻元件可形成如其他類型的淬熄電子零件，例如，淬熄電晶體。
根據各種非限定實施例，形成淬熄電阻元件可包括配置淬熄電阻元件之長度或摻雜濃度之至少一者以提供所欲之淬熄電阻。換句話說，淬熄電阻可藉由調整淬熄電阻元件之長度及摻雜濃度之一者或兩者來調整。在各種非限定實施例中，淬熄電阻元件的摻雜濃度可在從約1e16cm-3 至約1e17cm-3的範圍內。在各種非限定實施例中，淬熄電阻元件及第二半導體層可具有相同的摻雜濃度或不同的摻雜濃度。淬熄電阻元件的長度可在從約1奈米至10微米的範圍內，例如從2奈米至1微米，例如從5奈米至500奈米，例如從10奈米至100奈米，例如從30奈米至50奈米。在各種非限定實施例中，所欲之淬熄電阻元件可等於或高於100k歐姆。在各種非限定實施例中，所欲之淬熄電阻可在從約100k歐姆至約10M歐姆的範圍內。
根據各種非限定實施例，淬熄電阻元件的寬度可形成在約1奈米至約1000奈米的範圍內，例如從2奈米至500奈米，例如從5奈米至50奈米。在非限定實施例中，淬熄電阻元件130的寬度可在約6奈米至約8奈米的範圍內。淬熄電阻元件之寬度/長度(W/L)比率可在約1/100至約1/10的範圍內。淬熄電阻元件的厚度可形成在約1奈米至約10微米的範圍內，例如從2奈米至1微米，例如從5奈米至500奈米，例如從6奈米至10奈米。在非限定範例中，淬熄電阻元件130的厚度可在約6奈米至約8奈米的範圍內。
根據各種非限定實施例，淬熄電阻元件的尺寸，例如，淬熄電阻元件的長度或面積，係形成為實質比光二極體的尺寸小，以使光二極體只有一小部分(例如，低於50%，例如，低於20%，例如，低於10%，例如，低於1%，例如，低於0.1%)被配置於其上的淬熄電阻元件所覆蓋。在各種非限定實施例中，光二極體的直徑或寬度可在約10奈米至約100微米的範圍內，例如從約100奈米至約10微米，例如從約200奈米至約900 奈米。在非限定實施例中，光二極體120可具有約10微米之直徑，這比具有約100奈米的長度及約10奈米的寬度之淬熄電阻元件130大得多。
雖然上述的非限定實施例描述用於淬熄電阻元件及光二極體的尺寸的示例範圍，但應當理解，淬熄電阻元件及光二極體的尺寸可基於設計選擇或需求或技術改良，而形成比上述示例數值範圍較大或較小的尺寸。
根據各種非限定實施例，形成光二極體可包括形成單一光子崩潰二極體，其配置成被反向偏壓以用於光子偵側。
根據各種非限定實施例，光二極體具有配置於掩埋絕緣體層下方的光入射表面。形成淬熄電阻元件可包括蝕刻第二半導體層以形成淬熄電阻元件於光二極體的光入射表面上方，並實質地移除光二極體的光入射表面上方的第二半導體層，且用於感測器之讀出電路可不存在於光二極體的光入射表面上方，以使光二極體的光入射表面配置成接收通過掩埋絕緣體層的光。在各種實施例中，第二半導體層可被蝕刻以僅僅與如圖1所示之淬熄電阻元件一起覆蓋光二極體之光入射表面的充分小的部分。在各種非限定實施例中，第二半導體層，除了形成於其中的淬熄電阻元件之外，可如圖2所示之非限定實施例被完全地蝕刻掉。在各種非限定實施例中，光二極體的光入射表面上方的掩埋絕緣體層可實質地曝露，換句話說，第二半導體層及其他電子零件(例如，讀出電路)不會出現在光二極體的光入射表面上方的掩埋絕緣體層的實質部分上，這致能感測器的前面照射，其中，光通過掩埋絕緣體層而傳輸到光二極體的前表面。
根據各種非限定實施例，該方法還可包括形成陽極以與光二極體的P型區電性連接，以及形成陰極以與光二極體的N型區電性連接。陽極及陰極可配置於光二極體的周圍上方且經由至少部分地配置於第一半導體層中的隔離區域而彼此隔開。隔離區域可形成為淺溝槽隔離，且可橫向地配置於陽極與陰極之間。
根據各種非限定實施例，該方法還可包括形成另一隔離區域，其至少部分地配置於第一半導體層中，以將淬熄電阻元件與陽極和陰極隔開。另一感測器可形成為淺溝槽隔離，且可橫向地配置於淬熄電阻元件與陽極及陰極之間。
根據上述各種非限定實施例，提供具有較高填充因子及較高光子偵測效率之感測器100、200、600、850。根據各種非限定實施例形成感測器100、200、600、850之方法係與互補金屬氧化物半導體兼容，因此提供具有成本效益的製造解決方案。根據各種非限定實施例之感測器100、200、600、850可廣泛地使用在顯微鏡、生物醫療診斷、太空望遠鏡、及消費性電子產品上。感測器之應用範例可包括嵌入式量子安全性、晶片上optolab(optolab-on-chip)、三維視覺、近紅外成像(near infrared imaging,NIRI)、飛行時間正子斷層掃描(time-of-flight positron emission tomography,TOF PET)、螢光壽命成像顯微鏡(fluorescence lifetime imaging microscopy,FLIM)、超解析度基態耗損顯微鏡(ground state depletion microscopy followed by individual molecule return,GSDIM)、時間解析拉曼光譜(time-resolved Raman spectroscopy)、單光子發射電腦 斷層掃描(single-photon emission computed tomography,SPECT)、螢光相關光譜(fluorescence correlation spectroscopy,FCS)等。
以下示例屬於額外的實施例。
範例1可為感測器包括：具有第一半導體層、第二半導體層、及配置於第一半導體層與第二半導體層之間的掩埋絕緣體層的基板；配置於第一半導體層中的光二極體；及以串聯方式與光二極體電性連接的淬熄電阻元件。淬熄電阻元件配置於第二半導體層中，且淬熄電阻元件配置於光二極體上方但藉由掩埋絕緣體層而與光二極體隔開。
範例2中，範例1之標的可選地包括第一半導體層，其可包括材料，例如但不限於矽、鍺、矽鍺、或其組合。
範例3中，範例1或範例2之標的可選地包括第二半導體層，其可包括材料，例如但不限於，矽、鍺、矽鍺、鍺錫、石墨烯、砷化銦鎵、硫化鎘或其組合。
範例4中，範例1至3中任一者之標的可選地包括第二半導體層及淬熄電阻元件，其可包括單晶半導體材料。
範例5中，範例1至4中任一者之標的可選地包括掩埋絕緣體層，其可包括材料，例如但不限於，氧化矽、氮化矽、氧化鋁、氧化釔或其組合。
範例6中，範例1至5中任一者之標的可選地包括淬熄電阻元件，可包括單晶矽電阻器。
範例7中，範例1至6中任一者之標的可選地包括淬熄電阻元件之長度或摻雜濃度之至少一者可配置以提供所欲之淬熄電阻。
範例8中，範例7之標的可選地包括淬熄電阻元件的長度，配置於約1奈米至約10微米的範圍內；淬熄電阻元件的摻雜濃度可配置於約1e16cm-3至約1e17cm-3的範圍內。
範例9中，範例1至8中任一者之標的可選地包括光二極體，其可包括單一光子崩潰二極體。
範例10中，範例1至9中任一者之標的可選地包括光二極體，其具有配置於掩埋絕緣體層下方的光入射表面，其中，淬熄電阻元件配置於光二極體的光入射表面上方，且其中，第二半導體層與用於感測器之讀出電路實質地不存在於光二極體的光入射表面上方，以使光二極體的光入射表面配置成接收通過掩埋絕緣體層的光。
範例11中，範例1至10中任一者之標的可選地包括感測器，其還可包括與光二極體之P型區電性連接的陽極，及與光二極體之N型區電性連接的陰極。陽極及陰極配置於光二極體的周圍上方且經由至少部分地配置於第一半導體層中的隔離區域而彼此隔開。
範例12中，範例11之標的可選地包括淬熄電阻元件，其經由至少部分地配置於第一半導體層中之另一隔離區域而與陽極和陰極隔開。
範例13可為形成感測器之方法。該方法包括：提供基板，其中，基板包括第一半導體層、第二半導體層、及配置於第一半導體層與第二半導體層之間的掩埋絕緣體層；形成光二極體於第一半導體層中；以及形成淬熄電阻元件於第二半導體層中。淬熄電阻元件以串聯方式與光二 極體電性連接；以及淬熄電阻元件配置於光二極體上方但藉由掩埋絕緣體層而與光二極體隔開。
範例14中，範例13之標的可選地包括第二半導體層與淬熄電阻元件，它們可包括單晶半導體材料。
範例15中，範例13或範例14之標的可選地包括形成淬熄電阻元件，這可包括形成單晶矽電阻器。
範例16中，範例13至15中任一者之標的可選地包括形成淬熄電阻元件，其可包括蝕刻第二半導體層以形成配置於光二極體上方的淬熄電阻元件。
範例17中，範例13至16中任一者之標的可選地包括形成淬熄電阻元件，其可包括配置淬熄電阻元件之長度或摻雜濃度之至少一者以提供所欲之淬熄電阻。
範例18中，範例13至17中任一者之標的可選地包括光二極體，其具有配置於掩埋絕緣體層下方的光入射表面。形成淬熄電阻元件還可包括蝕刻第二半導體層以形成淬熄電阻元件於光二極體的光入射表面上方，並實質地移除光二極體的光入射表面上方的第二半導體層，且用於感測器之讀出電路可不存在於光二極體的光入射表面上方，以使光二極體的光入射表面配置成接收通過掩埋絕緣體層的光。
範例19中，範例13至18中任一者之標的可選地包括，該方法還可包括形成陽極以與光二極體的P型區電性連接；以及形成陰極以與光二極體的N型區電性連接。陽極及陰極可配置於光二極體的周圍上方且經由至少部分地配置於第一半導體層中的隔離區域而彼此隔開。
範例20中，範例19之標的可選地包括，該方法還可包括形成至少部分地配置於第一半導體層中以將淬熄電阻元件與陽極及陰極隔開之另一隔離區域。
在不脫離本發明之精神或必要特徵的情況下，本發明可以其他特定形式實施。因此，前述實施例在所有方面皆可視為是說明性的，而非限制在此描述的本發明。因此，本發明之保護範圍由所附申請專利範圍而非由前述實施例所指示，且申請專利範圍內之等效涵義及範圍都應被包含於其中。
110:基板、多層基板、絕緣體上覆半導體基板
112:第一半導體層
114:第二半導體層、頂部單晶半導體層
116:掩埋絕緣體層
120:光二極體
130:淬熄電阻元件、片段、電阻元件、淬熄電阻器
200:感測器
221:光入射表面
222:第一導電區、區、P型區
224:第二導電區、區、N型區、深N井
226:第三導電區
242:陽極
244:陰極
252,254,256:隔離區域
260:介電層、層間介電層
262:接觸件
264:通孔

Claims (20)

  1. 一種感測器，包括：
    基板，包括第一半導體層、第二半導體層、及配置於該第一半導體層與該第二半導體層之間的掩埋絕緣體層；
    光二極體，配置於該第一半導體層中；以及
    淬熄電阻元件，以串聯方式與該光二極體電性連接；
    其中，該淬熄電阻元件配置於該第二半導體層中，且其中，該淬熄電阻元件配置於該光二極體上方但藉由該掩埋絕緣體層而與該光二極體隔開。
  2. 如請求項1所述之感測器，其中，該第一半導體層包括矽、鍺、矽-鍺、或其組合。
  3. 如請求項1所述之感測器，其中，該第二半導體層包括矽、鍺、矽-鍺、鍺-錫、石墨烯、砷化銦鎵、硫化鎘、或其組合。
  4. 如請求項1所述之感測器，其中，該第二半導體層及該淬熄電阻元件包括單晶半導體材料。
  5. 如請求項1所述之感測器，其中，該掩埋絕緣體層包括氧化矽、氮化矽、氧化鋁、氧化釔、或其組合。
  6. 如請求項1所述之感測器，其中，該淬熄電阻元件包括單晶矽電阻器。
  7. 如請求項1所述之感測器，其中，該淬熄電阻元件的長度或摻雜濃度之至少其中一者組構成提供所欲之淬熄電阻。
  8. 如請求項7所述之感測器，其中，該淬熄電阻元件的該長度係組構在約1奈米至約10微米的範圍；
    其中，該淬熄電阻元件的該摻雜濃度係組構在約1e16cm-3至約1e17cm-3的範圍。
  9. 如請求項1所述之感測器，其中，該光二極體包括單一光子崩潰二極體。
  10. 如請求項1所述之感測器，其中，該光二極體具有配置於該掩埋絕緣體層下方的光入射表面，其中，該淬熄電阻元件配置於該光二極體之該光入射表面上方，且其中，該第二半導體層及用於該感測器之讀出電路實質地不存在於該光二極體的該光入射表面上方，以使該光二極體的該光入射表面組構成接收通過該掩埋絕緣體層的光。
  11. 如請求項1所述之感測器，進一步包括：陽極，與該光二極體的P型區電性連接，以及陰極，與該光二極體的N型區電性連接；其中，該陽極及該陰極配置於該光二極體的周圍上方，且經由至少部分地配置在該第一半導體層中的隔離區域而彼此隔開。
  12. 如請求項11所述之感測器，其中，該淬熄電阻元件經由至少部分地配置在該第一半導體層中的另一隔離區域而與該陽極及該陰極隔開。
  13. 一種形成感測器之方法，該方法包括：
    提供基板，其中，該基板包括第一半導體層、第二半導體層、及配置於該第一半導體層與該第二半導體層之間的掩埋絕緣體層；
    形成光二極體於該第一半導體層中；以及
    形成淬熄電阻元件於該第二半導體層中；其中，該淬熄電阻元件以串聯方式與該光二極體電性連接；且其中，該淬熄電阻元件配置於該光二極體上方但藉由該掩埋絕緣體層而與該光二極體隔開。
  14. 如請求項13所述之方法，其中，該第二半導體層及該淬熄電阻元件包括單晶半導體材料。
  15. 如請求項13所述之方法，其中，形成該淬熄電阻元件包括形成單晶矽電阻器。
  16. 如請求項13所述之方法，其中，形成該淬熄電阻元件包括：
    蝕刻該第二半導體層以形成配置於該光二極體上方之該淬熄電阻元件。
  17. 如請求項13所述之方法，其中，形成該淬熄電阻元件包括組構該淬熄電阻元件的長度或摻雜濃度之至少其中一者以提供所欲之淬熄電阻。
  18. 如請求項13所述之方法，其中，該光二極體具有配置於該掩埋絕緣體層下方的光入射表面，其中，形成該淬熄電阻元件包括蝕刻該第二半導體層以形成該淬熄電阻元件於該光二極體之該光入射表面上方，且實質地移除該光二極體之該光入射表面上方的該第二半導體層，其中，用於該感測器之讀出電路不存在於該光二極體的該光入射表面上方，以使該光二極體的該光入射表面組構成接收通過該掩埋絕緣體層的光。
  19. 如請求項13所述之方法，進一步包括：
    形成與該光二極體的P型區電性連接的陽極；以及
    形成與該光二極體的N型區電性連接的陰極，其中，該陽極及該陰極配置於該光二極體的周圍上方，且經由至少部分地配置在該第一半導體層中的隔離區域而彼此隔開。
  20. 如請求項19所述之方法，進一步包括：形成至少部分地配置在該第一半導體層中的另一隔離區域，以將該淬熄電阻元件與該陽極及該陰極隔開。
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