TW202120727A - 可流動cvd薄膜之表面粗糙度 - Google Patents
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Abstract
藉在沉積可流動CVD薄膜之前於基板表面上進行表面處理來形成平滑之超薄可流動CVD薄膜的方法可改善均勻性及整體之薄膜平滑度。可透過任何合適的固化製程來固化可流動CVD薄膜,以形成平滑之可流動CVD薄膜。
Description
本案大體上係關於沉積薄膜之方法。特別地,本案係關於用於改善可流動化學氣相沉積(CVD)薄膜的表面粗糙度之製程。
在微電子元件製造中,對於許多應用而言,需要無空隙地填充深寬比(AR)大於10:1的窄溝槽。其中一種應用係用於淺溝槽隔離(STI)。對於此種應用,薄膜需要在整個溝槽中具有高品質(例如,具有小於2之濕蝕刻速率比)且滲漏要非常低。隨著結構尺寸的減小與深寬比的增加,所沉積之可流動CVD薄膜的後固化方法變得困難。導致整個填充溝槽中的薄膜組成發生變化。
傳統的介電膜電漿輔助化學氣相沈積(PECVD)會在狹窄溝槽的頂部形成「蘑菇形」薄膜。 這是由於電漿無法穿透進入較深之溝槽。結果導致從頂部封住狹窄的溝槽,而在溝槽的底部形成空隙。
可流動化學氣相沉積(FCVD)已被廣泛地用於先進世代之半導體元件中。隨著特徵尺寸的減小,與先前之節點(例如<500Å或<300Å)相比,可大幅減少FCVD膜所需的間隙填充量。沉積具有平滑均勻表面以及高間隙填充效能之FCVD薄膜係至關重要但相當困難。因此,需要能改善可流動CVD薄膜的表面粗糙度之方法。
本案之一或更多個實施例係涉及處理方法。於一個實施例中,處理方法包括:用電漿對一基板表面進行預處理,以形成平滑之預處理基板表面;藉由將該預處理基板表面暴露於前驅物及反應物,在該預處理基板表面上形成一可流動CVD薄膜;以及固化該可流動CVD薄膜。
本案之其他實施例係涉及處理方法,該處理方法包括:用電漿對一基板表面進行預處理,以形成平滑之預處理基板表面;使三矽基胺(TSA)流過經預處理之基板,隨後再使氨(NH3
)流過以形成經處理之基板;藉由將該經處理之基板暴露於前驅物及反應物,在該經處理之基板上形成一可流動CVD薄膜,該可流動CVD薄膜的厚度在約5nm至約50nm之範圍內;以及固化該可流動CVD薄膜。
本案之另外實施例係涉及處理方法,該處理方法包括:用電漿對一基板表面進行預處理,以形成平滑之預處理基板表面;使三矽基胺(TSA)流過經預處理之基板,隨後再使氨(NH3
)及氧(O2
)流過以形成一可流動CVD薄膜,該可流動CVD薄膜的厚度在約5nm至約50nm之範圍內;去除氧(O2
);停止氨(NH3
)流,同時繼續使TSA流過經處理之基板;以及固化該可流動CVD薄膜。
在描述本發明的幾個示例性實施例之前,應當理解到本發明並不限於下文中所敘述之構造或處理步驟的細節。本發明亦包含其他實施例,並且能夠透過各種方式來實施或執行。
如本文中所述,「基板」係指在製造過程中,於其上進行膜處理之任何基板或形成於基板上的材料表面。例如,能夠於其上進行處理之基板表面包括諸如矽、氧化矽、應變矽、絕緣體上覆矽(SOI)、碳摻雜氧化矽、非晶矽、摻雜矽、鍺、砷化鎵、玻璃、藍寶石等之材料,以及任何其他諸如金屬、金屬氮化物、金屬合金及其他導電材料之材料,視應用情況而定。基板包括但不限於半導體晶片。可將基板暴露於預處理過程中以拋光、蝕刻、還原、氧化、羥基化、退火、UV固化、電子束固化及/或烘烤基板表面。除了直接在基板本身的表面上所進行的薄膜處理之外,於本發明中所揭示之任何薄膜處理步驟亦可在形成於基板上的底層上進行,如以下詳述,且用語「基板表面」意欲包括於上下文中所述之該類底層。因此,例如當一膜/層或一部分膜/層被沉積於基板表面上時,新沉積的膜/層之暴露表面即成為基板表面。
本案之實施例提供了能改善可流動CVD薄膜的表面粗糙度之方法。部分實施例有利地提供了涉及可在群集工具環境中進行的循環沉積處理製程之方法。部分實施例有利地提供了無接縫之高品質低粗糙度薄膜,其可用於填充具有小尺寸的高深寬比(AR)溝槽/特徵。
於一或更多個實施例中,於可流動化學氣相沉積(FCVD)之前在基板表面上的表面處理有利地改善了初始成核的均勻性,並改善了可流動CVD薄膜之整體平滑度。於一或更多個實施例中,發現到使用惰性或反應性氣體進行電漿處理是有效的。於一或更多個實施例中,電漿預處理係透過遠端電漿源(RPS)、電容耦合電漿(CCP)或電感耦合電漿(ICP)與諸如氬(Ar)、氦(He)、氨(NH3
)、氮(N2
)、氫(H2
)或其混合物之周圍環境所進行。於一或更多個實施例中,可透過改變引入反應物之順序、改變反應物之流量比、以及改變沉積過程中反應物在腔室內的滯留時間來進一步改善初始成核之平滑度。
於一或更多個實施例中,結束可流動CVD薄膜沉積之方式對於使沉積平滑至關重要。於一或更多個實施例中,於沉積結束時快速去除自由基殘基並避免在非偏好之製程狀態中發生反應可顯著地降低表面粗糙度。
本案之一或更多個實施例係涉及沉積能夠填充高深寬比結構(例如,AR> 8:1)的可流動CVD薄膜之製程。本案之多個實施例提供了在形成可流動CVD薄膜之前預處理基板表面以形成平滑表面之方法。
為便於說明,描述了應用於間隙填充之可流動CVD薄膜沉積。然而,本領域技術人員將理解,所描述之前驅物及方法並不限於間隙填充應用,且可用於任何可流動CVD薄膜之形成。第1圖繪示了具有特徵110之基板100的局部剖面圖。為便於說明,圖式中繪示了具有單一特徵之基板。然而,本領域技術人員將理解,亦可存在有大於一個特徵。特徵110的形狀可為任何合適的形狀,包括但不限於溝槽及圓柱形通孔。如本文中所述,用語「特徵」意指任何刻意形成的表面不規則。特徵之適當範例包括但不限於具有一頂部、兩個側壁、及一底部之溝槽,以及具有一頂部及兩個側壁之尖峰。特徵可具有任何合適的深寬比(特徵深度與特徵寬度之比值)。於部分實施例中,深寬比係大於或等於約5:1、10:1、15:1、20:1、25:1、30:1、35:1或40:1。
於一或更多個實施例中,基板100具有基板表面120。至少一個特徵110於基板表面120中形成開口。特徵110係自基板表面120延伸一深度D至底表面112。特徵110具有界定特徵110的寬度W之第一側壁114及第二側壁116。由側壁與底部所形成之開口區域亦稱為間隙。
本案之一或更多個實施例係涉及處理方法,其中提供了具有至少一個特徵之基板表面。如本文中所述,用語「提供」係指將基板置於適當的位置或環境中以供進一步處理。
如第2圖所示,於基板表面120、以及至少一個特徵110之第一側壁114、第二側壁116、及底表面112上形成可流動CVD薄膜150。可流動CVD薄膜150填充了至少一個特徵110,從而實質上無接縫形成。所謂接縫係指於特徵110的側壁之間(但不一定是在正中間)所形成的間隙。如本文中所述,用語「實質上無接縫」係指於側壁之間的薄膜中所形成的任何間隙皆小於側壁橫截面積之約1%。
可透過任何合適的製程來形成可流動CVD薄膜150。於部分實施例中,係藉由電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)來形成可流動CVD薄膜。換言之,可透過電漿輔助化學氣相沉積製程來沉積可流動CVD薄膜。
本案之實施例有利地提供了對基板表面進行預處理,以形成平滑的預處理基板表面之方法,該預處理基板表面可用於沉積可流動CVD薄膜。於一或更多個實施例中,使用電漿對基板表面進行預處理以形成平滑之預處理基板表面,該預處理基板表面具有能夠促進平滑度之化學鍵。隨後透過將預處理基板表面暴露於前驅物及反應物,在預處理基板表面上形成可流動CVD薄膜。然後將該可流動CVD薄膜固化。
於一或更多個實施例中,用於預處理基板表面的電漿包括氬(Ar)、氦(He)、氫(H2
)、氮(N2
)、氨(NH3
)中之一或更多者。
於一或更多個實施例中,對基板表面的預處理係在約5 mTorr至約100 mTorr的壓力下進行。對基板表面的預處理可在約25℃(或環境溫度)至約400℃的溫度範圍內進行。
本案之實施例係涉及處理方法,其包括將預處理基板表面暴露於前驅物及共反應物以沉積可流動CVD薄膜。於一或更多個實施例中,前驅物包含三矽基胺(TSA)。因此,於一或更多個實施例中,係使用例如氬(Ar)、氦(He)、氫(H2
)、氮(N2
)或氨(NH3
)之電漿對基板表面進行預處理,並使三矽基胺(TSA)流過預處理基板表面。於使TSA流過預處理基板表面之後,使氨(NH3
)流過基板表面,以在基板表面上形成可流動CVD薄膜。於一或更多個實施例中,TSA/NH3
的比率在約5:1至約30:1之範圍內。
於一或更多個實施例中,係在氧(O2
)的存在下進行TSA及NH3
的流動。於一或更多個實施例中,氧(O2
)存在的目的是為了形成氧化矽(SiOx
)薄膜。於一或更多個實施例中,氨(NH3
)存在的目的是為了形成氮化矽(SiNx
)薄膜。
於其他實施例中,TSA及NH3
的流動是在實質上不存在氧(O2
)的情況下進行。換言之,於一或更多個實施例中,當TSA及NH3
流過基板表面時,基板表面實質上不含有氧(O2
)。如本文中所述,用語「實質上不存在」或「實質上不含有」係指基板表面周圍的大氣中所存在的氧少於5%,包括少於4%、少於3%、少於2%、少於1%、及少於0.5%。
於一或更多個實施例中,係在約0.3Torr至約1Torr的壓力範圍下,使TSA流過基板表面以在基板上形成可流動CVD薄膜。於一或更多個實施例中,係在約25℃(或環境溫度)至約100℃的溫度範圍內,使TSA流過基板表面以在基板上形成可流動CVD薄膜(亦即,形成經處理之基板)。
於一或更多個實施例中,形成於預處理基板表面上之可流動CVD薄膜的厚度在約5nm至約50nm之範圍內,包括約10nm、約15nm、約20nm、約25nm、約30nm、約35nm、約40nm、約45nm。於一或更多個實施例中,可流動CVD薄膜為超薄且具有小於或等於約50nm之厚度。
於部分實施例中,處理方法進一步包括自基板環境中去除氧(O2
)並停止氨(NH3
)流,同時繼續使三矽基胺(TSA)流過形成有可流動CVD薄膜之經處理基板。在不受理論束縛的前提下,據信此終結程序能夠改善可流動CVD薄膜的表面粗糙度。於一或更多個實施例中,原子力顯微鏡(AFM)影像顯示粗糙度改善了至少三到四倍。
於一或更多個實施例中,可將三矽基胺(TSA)前驅物汽化至CVD腔室,並將合適的共反應物(例如,氨(NH3
)、氧(O2
)、二氧化碳(CO2
)、一氧化碳(CO)、氬(Ar)、氦(He)、氫(H2
)或其任意組合)透過例如遠端電漿源(RPS)輸送至該腔室,遠端電漿源可產生電漿活性物種作為共反應物。經電漿活化之共反應物分子(自由基)具有高能量,並且可於氣相中與三矽基胺(TSA)前驅物分子反應,形成相應之可流動聚合物。於部分實施例中,使用包括NH3
、O2
、CO2
、CO、Ar、He、H2
中之一或更多者的電漿氣體來產生電漿。
於一或更多個實施例中,可於處理腔室內產生或點燃電漿(例如,直接電漿),或可於處理腔室外產生電漿並使其流入處理腔室內(例如,遠端電漿)。
參照第2圖,可於任何合適之溫度下形成可流動CVD薄膜150。於部分實施例中,可流動CVD薄膜150係於約10℃至約100℃的溫度範圍內形成。可將溫度維持在較低溫,以保留所形成元件之熱預算。於部分實施例中,可流動CVD薄膜係於低於約300℃、250℃、200℃、150℃、100℃、75℃、50℃、25℃或0℃之溫度下形成。
可透過改變反應性氣體之組成來調整可流動CVD薄膜的組成。於部分實施例中,可流動CVD薄膜包括碳化矽(SiC)、碳氧化矽(SiOC)、碳氮化矽(SiCN)、碳氮氧化矽(SiOCN)、氧化矽(SiO)、及氮化矽(SiN)中之一或更多者。為形成含氧膜,共反應物可包含例如氧、臭氧、水中之一或更多者。為形成含氮膜,共反應物可包含例如氨、聯胺、NO2
、N2
中之一或更多者。為形成含碳膜,反應性氣體可包括例如丙烯及乙炔中之一或更多者。本領域技術人員將理解,可將物種之組合或其他物種包含於反應性氣體混合物中以改變可流動CVD薄膜的組成。
可流動CVD薄膜可沉積於晶圓上(晶圓之溫度可為-10℃至200℃),且由於其流動性,聚合物將會流過溝槽並填充間隙。隨後對這些薄膜進行諸如臭氧/UV/蒸汽退火/NH3
退火之固化步驟,以獲得穩定的薄膜。於一或更多個實施例中,在形成可流動CVD薄膜150之後,可將薄膜固化以使可流動CVD薄膜凝固並形成實質上無接縫之間隙填充。於一或更多個實施例中,固化可流動CVD薄膜包括將可流動CVD薄膜暴露於臭氧、UV光、蒸汽退火、氨退火、氧電漿中之一或更多者。於部分實施例中,係透過將可流動CVD薄膜暴露於UV固化製程中來固化該可流動CVD薄膜。UV固化製程可在約10℃至約550℃之溫度範圍內進行。可於充分固化可流動CVD薄膜所需之任何適當時間範圍內進行UV固化製程。可用不同的參數來進行UV固化,例如功率、溫度、環境。於部分實施例中,UV固化係於乙炔/乙烯環境中進行。
於部分實施例中,固化可流動CVD薄膜包括熱退火。可於任何合適的溫度及任何合適的環境下進行熱退火。於部分實施例中,可流動CVD薄膜係透過在乙炔/乙烯環境中進行熱退火而固化。
於部分實施例中,固化可流動CVD薄膜包括暴露於電漿或電子束。用於固化薄膜之電漿暴露包括PECVD電漿以外之電漿。電漿物種及處理腔室可為相同,但電漿固化係與PECVD製程不同之步驟。
於部分實施例中,固化可流動CVD薄膜包括將可流動CVD薄膜暴露於蒸汽退火及/或氧電漿。使用蒸汽退火及/或氧電漿能夠減少可流動CVD薄膜的碳含量,使得固化後之薄膜具有比剛沉積時之可流動CVD薄膜更低之碳含量。使用蒸汽退火及/或氧電漿可將所沉積之可流動SiC、SiCN、或SiOC薄膜轉變為SiO。
於部分實施例中,可將三矽基胺(TSA)前驅物於可流動的過程中與另一種前驅物並用(例如,與另一種含矽前驅物共流),以沉積各種組成之薄膜。例如,含有矽及烴基的前驅物可與三矽基胺(TSA)/NH3
製程一起使用,以將碳併入可流動CVD薄膜中。於一或更多個實施例中,由TSA/NH3
製程獲得之可流動CVD薄膜為SiO或SiN膜。透過添加包含碳及矽的前驅物,可沉積SiOC、SiCON、或SiCN薄膜。
於部分實施例中,可流動CVD薄膜可摻雜有另一種元素。例如,於一或更多個實施例中,可流動CVD薄膜可摻雜有硼(B)、砷(As)、或磷(P)中之一或更多者。可流動CVD薄膜可摻雜有硼(B)及磷(P)之類的元素以改善薄膜性質。含有硼及磷的前驅物可於沉積過程中與三矽基胺(TSA)及氨(NH3
)前驅物共流,亦可於沉積完成後滲入。含硼前驅物可為氨基硼烷/硼烷化合物,而含磷前驅物可為磷酸/亞磷酸化合物。於部分實施例中,摻雜可流動CVD薄膜包括使摻雜劑前驅物與三矽基胺(TSA)及氨(NH3
)前驅物共流。於部分實施例中,摻雜可流動CVD薄膜包括於另外的製程中注入摻雜元素。
根據一或更多個實施例,係於形成層之前及/或之後對基板進行處理。該處理可於同一腔室中、或於一或更多個各別處理腔室中進行。於部分實施例中,係將基板從第一腔室移至各別的第二腔室以進行進一步處理。基板可直接從第一腔室移至各別的處理腔室,或可從第一腔室移至一或更多個傳送腔室,然後再移至各別的處理腔室。因此,處理設備可包含與傳送站連通之多個腔室。此類設備可稱之為「群集工具」或「群集系統」等。
通常,群集工具為包括多個腔室的模組化系統,該等腔室可執行各種功能,包括基板之中心定位及定向、脫氣、退火、沉積、電漿處理、UV固化及/或蝕刻。根據一或更多個實施例,群集工具至少包括第一腔室及中央傳送腔室。中央傳送腔室可容納機器人,該機器人可於處理室及負載鎖定腔室之間傳送基板。傳送腔室通常保持在真空條件下,並提供中間階段,用於將基板從一個腔室傳送至另一腔室及/或位於群集工具前端之負載鎖定腔室。適用於本案之兩個知名群集工具為Centura®及Endura®,兩者皆可從位於美國加州聖塔克拉拉之應用材料公司獲得。然而,為了進行如本案所述製程之特定步驟,可變更腔室之實際配置及組合。其他可使用之處理腔室包括但不限於循環層沉積(CLD)、原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、蝕刻、預清潔、化學清潔、例如RTP之熱處理、電漿氮化、脫氣、定向、羥基化及其他基板處理製程。藉由在群集工具的腔室中進行處理,可在無需於沉積後續薄膜之前進行氧化的情況下,避免基板表面受到大氣中的雜質污染。
根據一或更多個實施例,基板係連續地處於真空或「負載鎖定」條件下,且當從一個腔室移動至另一個腔室時,不暴露於環境空氣中。因此,傳送腔室係處於真空環境,並在真空壓力下被「抽空」。惰性氣體可存在於處理腔室或傳輸腔室中。於部分實施例中,惰性氣體係用作為吹洗氣體以除去部分或全部反應物。根據一或更多個實施例,於沉積腔室之出口處注入吹洗氣體以防止反應物從沉積腔室移動至轉移腔室及/或其他的處理腔室。因此,惰性氣體流在腔室的出口處形成了簾幕。
基板可於單一基板沉積腔室中進行處理,於該基板沉積腔室中,單個基板被裝載、處理、並卸載,然後再處理下一個基板。基板亦可藉由類似輸送帶系統的連續方式進行處理,其中多個基板分別被裝載至腔室的第一部分、移動通過腔室、並從腔室的第二部分卸載。腔室的形狀及相關的輸送帶系統可形成直線路徑或彎曲路徑。另外,處理腔室可為圓盤傳送帶,其中多個基板繞著中心軸移動並在整個圓盤傳送帶路徑上暴露於沉積、蝕刻、退火、清潔等製程。
於處理期間,可加熱或冷卻基板。此類加熱或冷卻可透過任何合適的方式實現,包括但不限於改變基板支撐件的溫度、以及使經加熱或冷卻之氣體流至基板表面。於部分實施例中,基板支撐件包括加熱器/冷卻器,該加熱器/冷卻器可被控制以傳導的方式改變基板溫度。在一或更多個實施例中,所使用的氣體(反應性氣體或惰性氣體)被加熱或冷卻以局部地改變基板溫度。於部分實施例中,加熱器/冷卻器係被設置於腔室內鄰近基板表面處,以對流的方式改變基板溫度。
於處理期間,基板亦可為靜止的或旋轉的。旋轉的基板可(繞著基板軸線)連續地旋轉、或以不連續的步驟旋轉。例如,可於整個處理過程中旋轉基板,或可在暴露於不同的反應性氣體或吹洗氣體之間使基板進行少量旋轉。在處理過程中(無論是連續地或逐步地)旋轉基板可藉由使例如氣流幾何形狀的局部變異影響最小化,以幫助產生更均勻的沉積或蝕刻。
於本案整個說明書中,「一個實施例」、「某些實施例」、「一或更多個實施例」或「一實施例」係指結合該實施例所描述之特定特徵、結構、材料或特性係包含於本案的至少一個實施例。因此,於本案整個說明書中各處出現之諸如「於一或更多個實施例中」、「於某些實施例中」、「於一個實施例中」或「於一實施例中」等用語不一定是指本案中之相同實施例。此外,於一或更多個實施例中,可以任何合適的方式來組合特定之特徵、結構、材料或特性。
儘管已參考特定實施例對本案進行描述,應當理解到該等實施例僅為本案之原理及應用的說明。對於本領域技術人員將顯而易見的是,在不脫離本案之精神及範疇的情況下,可對本案之方法及裝置進行各種修改及變化。因此,本案意欲包括在所附申請專利範圍及其均等物範圍內之修改及變化。
100:基板
110:特徵
112:底表面
114:第一側壁
116:第二側壁
120:基板表面
150:可流動CVD薄膜
D:深度
W:寬度
為更詳細地理解本發明之上述特徵,可透過參考實施例來對簡要概述如上之本發明進行更具體的描述,其中部分實施例係繪示於隨附圖式中。然而應注意到,隨附圖式僅繪示出本發明之典型實施例,因此不應被視為對本發明範圍的限制,本發明亦包含其他等效實施例。
第1圖為根據本案之一或更多個實施例的基板之剖面圖。
第2圖為根據本案之一或更多個實施例的基板之剖面圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
100:基板
110:特徵
112:底表面
114:第一側壁
116:第二側壁
120:基板表面
150:可流動CVD薄膜
Claims (20)
- 一種處理方法,包括以下步驟: 用電漿對一基板表面進行預處理,以形成平滑之預處理基板表面; 藉由將該預處理基板表面暴露於一前驅物及一反應物,在該預處理基板表面上形成一可流動CVD薄膜;以及 固化該可流動CVD薄膜。
- 如請求項1所述之方法,其中該電漿包括氬(Ar)、氦(He)、氫(H2 )、氮(N2 )、氨(NH3 )中之一或更多者。
- 如請求項1所述之方法,其中對該基板表面的預處理係在約5 mTorr至約100 mTorr的壓力下進行。
- 如請求項3所述之方法,其中對該基板表面的預處理係在約25℃至約400℃的溫度下進行。
- 如請求項1所述之方法,進一步包括以下步驟:於形成可流動CVD薄膜之前,使三矽基胺(TSA)流過經預處理之基板,隨後再使氨(NH3 )流過以形成經處理之基板。
- 如請求項5所述之方法,其中TSA/NH3 的比率在約5:1至約30:1之範圍內。
- 如請求項5所述之方法,其中係在氧(O2 )的存在下進行TSA及NH3 的流動。
- 如請求項5所述之方法,其中TSA及NH3 的流動是在實質上不存在氧(O2 )的情況下進行。
- 如請求項5所述之方法,其中形成經處理之基板係在約0.3Torr至約1Torr的壓力下進行。
- 如請求項9所述之方法,其中形成經處理之基板係在約25℃至約100℃的溫度下進行。
- 如請求項1所述之方法,其中該可流動CVD薄膜的厚度在約5nm至約50nm之範圍內。
- 如請求項7所述之方法,進一步包括以下步驟: 去除氧(O2 );以及 停止氨(NH3 )流,同時繼續使TSA流過經處理之基板。
- 一種處理方法,包括以下步驟: 用電漿對一基板表面進行預處理,以形成平滑之預處理基板表面; 使三矽基胺(TSA)流過經預處理之基板,隨後再使氨(NH3 )流過以形成經處理之基板; 藉由將該經處理之基板暴露於一前驅物及一反應物,在該經處理之基板上形成一可流動CVD薄膜,該可流動CVD薄膜的厚度在約5nm至約50nm之範圍內;以及 固化該可流動CVD薄膜。
- 如請求項13所述之方法,其中TSA/NH3 的比率在約5:1至約30:1之範圍內。
- 如請求項13所述之方法,其中係在氧(O2 )的存在下進行TSA及NH3 的流動。
- 如請求項13所述之方法,其中TSA及NH3 的流動是在實質上不存在氧(O2 )的情況下進行。
- 如請求項13所述之方法,其中形成經處理之基板係在約0.3Torr至約1Torr的壓力下進行。
- 如請求項17所述之方法,其中形成經處理之基板係在約10℃至約100℃的溫度下進行。
- 如請求項15所述之方法,進一步包括以下步驟: 去除氧(O2 );以及 停止氨(NH3 )流,同時繼續使TSA流過經處理之基板。
- 一種處理方法,包括以下步驟: 用電漿對一基板表面進行預處理,以形成平滑之預處理基板表面; 使三矽基胺(TSA)流過經預處理之基板,隨後再使氨(NH3 )及氧(O2 )流過以形成一可流動CVD薄膜,該可流動CVD薄膜的厚度在約5nm至約50nm之範圍內; 去除氧(O2 ); 停止氨(NH3 )流,同時繼續使TSA流過經處理之基板;以及 固化該可流動CVD薄膜。
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