TW202119121A - 半色調相移型空白光罩、其製造方法及半色調相移型光罩 - Google Patents

半色調相移型空白光罩、其製造方法及半色調相移型光罩 Download PDF

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Abstract

本發明的解決手段為一種半色調相移型空白光罩，其係具有透明基板、與至少包含1層包含矽、氮及氧而成之層的半色調相移膜，半色調相移膜對於波長200nm以下的曝光光之相移量為150~200°，透過率為20%以上，半色調相移膜的表面粗糙度RMS為0.8nm以下，從遮罩圖型形成區域之透過率的最大值Tmax 及最小值Tmin ，藉由(Tmax -Tmin )/(Tmax +Tmin )×100所算出之透過率的面內變異為2%以下。 本發明的效果為可提供一種確保作為將波長200nm以下之光作為曝光光之半色調相移膜所必要之相位差與透過率，且具備透過率的面內均一性高之半色調相移膜的半色調相移型空白光罩及半色調相移型光罩。

Description

半色調相移型空白光罩、其製造方法及半色調相移型光罩
本發明係關於適合作為半導體積體電路等之製造等所使用之半色調相移型光罩的原料之半色調相移型空白光罩、其製造方法，及半色調相移型光罩。
於半導體技術之領域，用以圖型之進一步微細化的研究開發正進展。尤其是於近年來，伴隨大規模積體電路之高積體化，進行電路圖型之微細化或配線圖型之細線化、用以構成元件之層間配線之接觸孔圖型的微細化等，逐漸提高對微細加工技術的要求。伴隨此，即使在微細加工時之光微影步驟所使用之光罩的製造技術之領域，亦正逐漸成為尋求更微細，且形成正確之電路圖型(遮罩圖型)之技術的開發。
一般藉由光微影技術於半導體基板上形成圖型時，進行縮小投影。因此，光罩所形成之圖型的尺寸，通常成為半導體基板上所形成之圖型的尺寸之4倍左右。在今日之光微影技術領域，描繪之電路圖型的尺寸，成為遠低於曝光所使用之光的波長。因此，單純將電路圖型的尺寸成為4倍，形成光罩圖型的情況下，成為因曝光時所產生之光的干涉等之影響，於半導體基板上之抗蝕膜無法轉印原本之形狀的結果。
因此，藉由將光罩所形成之圖型成為較實際之電路圖型更為複雜之形狀，亦有減輕上述之光的干涉等之影響的情況。作為如此之圖型形狀，例如有於實際之電路圖型實施光學鄰近效果修正(OPC：Optical Proximity Correction)之形狀。又，為了滿足圖型之微細化與高精度化，亦應用變形照明、液浸技術、雙重曝光(Double patterning lithography)等之技術。
作為解析度提昇技術(RET：Resolution Enhancement Technology)之一，係使用相移法。相移法係於光罩上形成使位相大約反轉180°之膜的圖型，利用光之干涉提昇對比的方法。作為應用此之光罩之一，為半色調相移型光罩。半色調相移型光罩係對於石英等之曝光光，於透明的基板之上，使位相大約反轉180°，形成具有不利於圖型形成左右之透過率的半色調相移膜之光罩圖型。作為半色調相移型光罩，提案有具有包含矽化鉬氧化物(MoSiO)、矽化鉬氧化氮化物(MoSiON)而成之半色調相移膜者等(日本特開平7-140635號公報(專利文獻1))。
又，藉由光微影技術，為了得到更微細的像，變成於曝光光源使用更短波長者，於現在最先端之實用加工步驟，曝光光源從KrF準分子雷射光(248nm)轉移為ArF準分子雷射光(193nm)。
又，報告有伴隨在圖型轉印之ArF準分子雷射光之曝光照射量的增加，因應累積之照射能量，而改變遮罩之圖型線寬(Thomas Faure et al., “Characterization of binary mask and attenuated phase shift mask blanks for 32nm mask fabrication”, Proc. Of SPIE, vol. 7122, pp712209-1~712209-12(非專利文獻1))。此係長時間照射ArF準分子雷射光時，累積照射能量增大，因被認為是圖型材質之氧化物的物質導致之層，有成長於膜圖型之外側，圖型寬變更的問題。
根據上述Thomas Faure等之報告(非專利文獻1)，指摘在電路之圖型曝光，於為了延伸焦點深度有用之遮罩技術即半色調相移型光罩，尤其是因上述ArF準分子雷射光之照射導致之MoSi系材料膜等之因伴隨過渡金屬矽系材料膜的變質之圖型尺寸變動導致之劣化(以下，稱為圖型尺寸變動劣化)大。因此，為了長時間使用高價之光罩，對因ArF準分子雷射光之照射導致之圖型尺寸變動劣化的對策成為必要。
於將ArF準分子雷射光作為光源之微影所使用之光罩，在半色調相移型光罩，以往使用過渡金屬矽系材料，通常使用含有鉬之矽系材料。此過渡金屬矽系材料的主要構成元素為過渡金屬與矽，進而，作為輕元素，有含有氮及/或氧者(例如日本特開平7-140635號公報(專利文獻1))，進而，係少量加入碳或氫等之元素者。
惟，於使用如此之過渡金屬矽系材料之光罩大量照射高能量光的情況下，因高能量光之照射導致之圖型尺寸變動劣化大，導致光罩之使用壽命較所要求者更短。又，ArF準分子雷射光藉由照射在過渡金屬矽系材料膜之光罩圖型，曝光所使用之光罩圖型的線寬變更一事，成為問題，亦已成為使用有包含未使用過渡金屬之矽與氮而成之半色調相移型光罩。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平7-140635號公報 [專利文獻2]日本特開2007-33469號公報 [專利文獻3]日本特開2007-233179號公報 [專利文獻4]日本特開2007-241065號公報 [非專利文獻]
[非專利文獻1]Thomas Faure et al., “Characterization of binary mask and attenuated phase shift mask blanks for 32nm mask fabrication”, Proc. Of SPIE, vol. 7122, pp712209-1~712209-12
[發明欲解決之課題]
半色調相移膜之透過率目前為止雖已使用20%以下，例如6%左右者。但於最近，亦研究高透過率者。透過率越高之膜，藉由干涉之光的阻尼效果越增大，於形成微細之圖型時，有變成有利的情況。又，半色調相移膜主要雖藉由反應性濺鍍成膜，但將透過率定為20%以上，於膜含有氧是有效果的，尤其是將透過率定為25%以上時，有必要於膜含有氧。
將包含矽、氮及氧而成之膜藉由濺鍍形成時，與氮氣體一起使用氧氣體作為反應性氣體時，為了提高透過率，有必要於成膜時導入大量的反應性氣體。又，成膜半色調相移膜後，即使熱處理的情況，亦產生有必要提高設定熱處理溫度的情況。由此等之理由來看，將包含矽、氮及氧而成之膜藉由濺鍍形成時，透過率之面內變異容易增大。
本發明係為了解決述課題而完成者，以提供一種具有膜質均一性良好，尤其是透過率之面內均一性高之半色調相移膜的半色調相移型空白光罩及半色調相移型光罩、以及製造這般的半色調相移型空白光罩之方法作為目的。 [用以解決課題之手段]
本發明者們，首先發現包含矽、氮及氧而成之膜之透過率的面內分布變異的要因之一為膜之表面粗糙度。亦即，於表面粗糙度高之膜，半色調相移膜於大氣中之操作時，在熱處理之含有氧的環境下等之膜的表面與氧氣體接觸的狀態，由於與氧氣體接觸的面積廣闊，氧化容易進行，故表面粗糙度高之膜有增大面內之透過率的變異的傾向。另一方面，發現由於氮並未如氧反應性那麼高，故於半色調相移膜之大氣中的操作時，在熱處理之含有氮之環境下等之膜的表面與氮氣體接觸的狀態，膜之表面粗糙度高時，氮對面內之透過率的均一性所帶來的影響雖小，但於氮，對於膜之面內之透過率的變異，有與氧不同的影響的情況。亦即，將包含矽、氮及氧而成之膜藉由濺鍍成膜時，於氮氣體的導入量少的濺鍍條件，對於矽靶的表面之氮化產生分布，此成為增大膜之面內之透過率的變異的要因。
本發明者們為了解決上述課題，經努力研究的結果，發現藉由將對於波長200nm以下之曝光光的相移量為150°以上200°以下，且透過率為20%以上之半色調相移膜，作為至少包含1層包含矽、氮及氧而成之層的半色調相移膜，並將半色調相移膜之基板面的表面粗糙度RMS定為0.8nm以下，成為半色調相移膜之基板面的遮罩圖型形成區域之透過率的面內變異為2%以下，即具有透過率之面內均一性高的半色調相移膜的半色調相移型空白光罩。
而且，發現藉由於腔室內設置1個以上之矽靶，並導入氬氣體與氮氣體與氧氣體進行濺鍍來形成半色調相移膜之包含矽、氮及氧而成之層時，較佳為藉由增加後減少導入腔室內之氮氣體流量掃掠時，在藉由氮氣體流量、與濺鍍電壓值或濺鍍電流值所形成之滯後曲線，該濺鍍電壓值或濺鍍電流值係藉由氮氣體流量的掃掠，以上述1個以上之矽靶之任一者的靶測定而成，以濺鍍狀態進行濺鍍之過渡模式來實施，該濺鍍狀態係相當於在超過表示滯後之反應性氣體流量的下限，且未滿上限的範圍之區域，尤其是藉由此時將腔室內壓力定為0.05Pa以上且未滿0.15Pa，可製作具有透過率之面內均一性高之半色調相移膜的半色調相移型空白光罩，而終至完成本發明。
據此，本發明係提供一種以下之半色調相移型空白光罩、半色調相移型空白光罩之製造方法，及半色調相移型光罩。 1.一種半色調相移型空白光罩，其特徵為具有透明基板、與形成於該透明基板上之至少包含1層包含矽、氮及氧而成之層的半色調相移膜， 該半色調相移膜對於波長200nm以下的曝光光之相移量為150°以上200°以下，且透過率為20%以上， 上述半色調相移膜之基板面的表面粗糙度RMS為0.8nm以下，且從遮罩圖型形成區域之透過率的最大值Tmax 及最小值Tmin ，藉由下述式所算出之透過率的面內變異為2%以下， (Tmax -Tmin )/(Tmax +Tmin )×100。 2.一種半色調相移型空白光罩，其特徵為上述包含矽、氮及氧而成之層之氮及氧之合計的含有率為50原子%以上。 3.一種半色調相移型空白光罩，其特徵為上述包含矽、氮及氧而成之層的氧含有率為15原子%以上。 4.一種半色調相移型空白光罩，其特徵為於上述半色調相移膜之上，具有包含以包含鉻之材料形成的單層或複數層而成之第2層。 5.一種半色調相移型光罩，其特徵為使用上述半色調相移型空白光罩形成。 6.一種半色調相移型空白光罩之製造方法，其係上述半色調相移型空白光罩之製造方法，其特徵為 包含藉由濺鍍，成膜上述半色調相移膜之步驟， 在該步驟，藉由於腔室內，設置1個以上之矽靶，導入氬氣體與氮氣體與氧氣體，進行濺鍍而形成上述包含矽、氮及氧而成之層。 7.一種製造方法，其特徵為將形成上述包含矽、氮及氧而成之層的濺鍍，在滯後曲線，以於在超過表示滯後之反應性氣體流量的下限，且未滿上限的範圍的濺鍍狀態進行濺鍍之過渡模式來實施，該滯後曲線係將導入腔室內之氮氣體流量藉由增加後減少，進行掃掠時，藉由上述氮氣體流量、與藉由該氮氣體流量的掃掠，以任一者的矽靶測定的濺鍍電壓值或濺鍍電流值所形成。 8.一種製造方法，其特徵為在形成上述包含矽、氮及氧而成之層之濺鍍的腔室內壓力為0.05Pa以上且未滿0.15Pa。 9.一種製造方法，其特徵為成膜上述半色調相移膜後，以200℃以上500℃以下的溫度熱處理5分鐘以上。 [發明效果]
根據本發明，可提供一種確保作為將ArF準分子雷射等之波長200nm以下之光作為曝光光之半色調相移膜所必要之相位差、與透過率，且具備膜質均一性良好，尤其是透過率的面內均一性高之半色調相移膜的半色調相移型空白光罩及半色調相移型光罩。
以下，針對本發明進一步詳細說明。 本發明之半色調相移型空白光罩係具有石英基板等之形成於透明基板上之半色調相移膜。又，本發明之半色調相移型光罩係具有石英基板等之形成於透明基板上之半色調相移膜之遮罩圖型(光罩圖型)。
在本發明，透明基板，例如適合為在SEMI規格所規定之6英寸平方、厚度0.25英寸之被稱為6025基板的透明基板，使用SI單位系的情況下，通常表記為152mm平方、厚度6.35mm之透明基板。
圖1(A)係表示本發明之半色調相移型空白光罩的一例之剖面圖，此半色調相移型空白光罩100係具備透明基板10、與透明基板10上所形成之半色調相移膜1。又，圖1(B)係表示本發明之半色調相移型光罩的一例之剖面圖，此半色調相移型光罩101係具備透明基板10、與透明基板10上所形成之半色調相移膜圖型11。半色調相移型光罩可藉由使用半色調相移型空白光罩，形成其半色調相移膜之圖型獲得。
本發明之半色調相移膜係在指定之膜厚，對於ArF準分子雷射(波長193nm)等之波長200nm以下之曝光光，給予指定之相位差(相移量)、與指定之透過率的膜。在本發明，半色調相移膜係以至少包含1層包含矽、氮及氧而成之層的方式構成。包含矽、氮及氧而成之層較佳為排除不可避免的雜質，實質上以此等3種之元素構成。
半色調相移膜若能滿足作為半色調相移膜所需要之相位差及透過率即可，可以單層構成亦可以複數層構成。半色調相移膜以複數層構成時，更佳為全部之層為包含矽、氮及氧而成之層。即使在單層及複數層之任一種情況下，構成單層或複數層之各個層可為單一組成層(組成於厚度方向未變化之層)，亦可為組成傾斜層(組成於厚度方向變化之層)。
本發明之半色調相移膜對於曝光光之相位差，在存在半色調相移膜的部分(相移部)、與未存在半色調相移膜的部分之邊界部，分別藉由通過之曝光光的相位差，干涉曝光光，若為可增大對比之相位差即可，相位差若為150°以上，尤其是170°以上，且為200°以下，尤其是190°以下即可。另一方面，本發明之半色調相移膜對於曝光光之透過率，可成為20%以上，較佳為25%以上且為90%以下，尤其是70%以下。相位差及透過率於形成半色調相移膜之基板面的遮罩圖型的區域(遮罩圖型形成區域)的全體，若能滿足上述範圍即可。在本發明，遮罩圖型形成區域為6025基板時，可成為中央部135mm平方，尤其是132mm平方的範圍內。
半色調相移膜之表面粗糙度雖亦取決於透明基板的表面粗糙度，但本發明之半色調相移膜之基板面，尤其是遮罩圖型形成區域的表面粗糙度RMS為0.8nm以下，並以0.5nm以下，尤其是0.3nm以下較佳。在本發明，表面粗糙度RMS的測定可預先測定半色調相移膜之基板面的表面粗糙度的傾向，並以表面粗糙度RMS為最大的部分之值表示。例如，將半色調相移膜藉由濺鍍形成時，基板面中心部的表面粗糙度變最高時，若基板面中心部的表面粗糙度RMS為上述範圍內，則可將半色調相移膜之基板面全體的表面粗糙度RMS定為上述範圍內。此基板面中心部可從基板的主表面(膜形成面)所形成之半色調相移膜之中心，定為20mm的範圍內。此表面粗糙度RMS的下限雖並非被特別限定者，但較佳為0.05nm以上。未滿0.05nm時，有降低半色調相移膜與透明基板的密著性之虞。
本發明之半色調相移膜之基板面的遮罩圖型形成區域之透過率的面內變異為2%以下，較佳為1%以下。此透過率的面內變異係從基板面的遮罩圖型形成區域之透過率的最大值Tmax 及最小值Tmin ，藉由下述式算出之值。 (Tmax -Tmin )/(Tmax +Tmin )×100 在本發明，藉由將基板面的表面粗糙度RMS定為上述範圍，而成為透過率之面內均一性高之半色調相移型光罩。尚，透過率之面內變異的下限理想上雖為0%，但現實上的下限雖並非被特別限定者，但為0.3%以上。
在構成本發明之半色調相移膜的包含矽、氮及氧而成之層，以氮及氧之合計的含有率為50原子%以上，尤其是53原子%以上，特別是55原子%以上較佳，並以60原子%以下，尤其是58原子%以下較佳。又，在構成本發明之半色調相移膜的包含矽、氮及氧而成之層，以氧含有率超過10原子%，尤其是15原子%以上，特別是20原子%以上較佳，並以40原子%以下，尤其是30原子%以下較佳。氧含有率為10%以下時，有得不到20%以上的透過率之虞。
本發明之半色調相移膜之全體的厚度越薄越容易形成微細之圖型，可成為120nm以下，尤其是100nm以下。另一方面，半色調相移膜之膜厚的下限對於曝光光，於得到必要之光學特性的範圍設定，雖並未特別限制，但一般而言成為50nm以上。
將半色調相移膜定為複數層時，為了抑制半色調相移膜之膜質變化，作為其表面側(與透明基板疏離之側)的最表面部之層，可設置表面氧化層。此表面氧化層之氧含有率可為20原子%以上，進而亦可為50原子%以上。作為形成表面氧化層之方法，具體而言，除了藉由大氣氧化(自然氧化)之氧化之外，作為強制性進行氧化處理之方法，可列舉將藉由濺鍍形成之膜藉由臭氧氣體或臭氧水處理之方法，或氧氣體環境等之氧存在環境中藉由烤箱加熱、燈退火、雷射加熱等，加熱至300℃以上之方法等。此表面氧化層之厚度以10nm以下，尤其是5nm以下，特別是3nm以下較佳，通常以1nm以上得到作為氧化層之效果。表面氧化層雖亦可於濺鍍步驟增加氧量而形成，但為了成為缺陷更少之層，較佳為藉由前述之大氣氧化或氧化處理而形成。
本發明之半色調相移膜雖可適用公知之成膜手法進行成膜，但較佳為藉由容易得到均質性優異之膜的濺鍍法成膜，雖可使用DC濺鍍、RF濺鍍之任一種方法，但更佳為磁控管濺鍍。靶與濺鍍氣體可因應層構成或組成適當選擇。作為靶，使用矽靶、氮化矽靶、包含矽與氮化矽雙方之靶等之包含矽之靶即可。氮及氧的含有率可藉由於濺鍍氣體，使用氮氣體(N2 氣體)、氧氣體(O2 氣體)、氧化氮氣體(N2 O氣體、NO氣體、NO2 氣體)等作為反應性氣體，並適當調整導入量，進行反應性濺鍍來調整。進而，於濺鍍氣體，作為稀有氣體，亦可使用氦氣體、氖氣體、氬氣體等。
本發明之半色調相移型空白光罩在藉由濺鍍成膜半色調相移膜之步驟，可藉由於腔室內，設置1個以上之矽靶，導入氬氣體與氮氣體與氧氣體進行濺鍍而形成包含矽、氮及氧而成之層來製造。此時，較佳為一邊使基板自轉，尤其是將通過基板面(成膜膜之面)的中心之軸作為回轉軸，使基板自轉一邊進行成膜。
在本發明之半色調相移型空白光罩之製造方法，較佳為在形成包含矽、氮及氧而成之層的濺鍍，藉由增加後減少導入腔室內之氮氣體流量，進行掃掠時，在藉由氮氣體流量、與濺鍍電壓值或濺鍍電流值所形成之滯後曲線，來設定成膜條件(濺鍍條件)，該濺鍍電壓值或濺鍍電流值係藉由該氮氣體流量的掃掠，以1個以上之矽靶之任一者的矽靶測定而成。
於真空或減壓下，於腔室內使用靶與惰性氣體與反應性氣體實施反應性濺鍍時，將施加在靶之電力與惰性氣體的流量定為一定，從反應性氣體未供給的狀態緩緩增加反應性氣體的流量時，藉由增加反應性氣體，緩緩減少濺鍍電壓(靶電壓)。此電壓的減少係表示一開始經過緩慢(以小的斜率)減少，然後，急速(以大的斜率)減少的區域，再次緩慢(以小的斜率)減少之動作。另一方面，增加反應性氣體的流量，上述之電壓再次經過緩慢減少之區域後，使其反轉減少反應性氣體的流量時，藉由減少反應性氣體，緩緩增加濺鍍電壓。此電壓的增加，係表示一開始經過緩慢(以小的斜率)增加，然後，急速(以大的斜率)增加的區域，再次緩慢(以小的斜率)增加之動作。然而，增加反應性氣體的流量時之濺鍍電壓、與減少反應性氣體的流量時之濺鍍電壓，在上述之急速(以大的斜率)減少及增加的區域並不一致，減少反應性氣體的流量時之濺鍍電壓者被測定為低。
又，於真空或減壓下，於腔室內使用靶與反應性氣體實施反應性濺鍍時，將施加在靶之電力與惰性氣體的流量定為一定，從反應性氣體未供給的狀態緩緩增加反應性氣體的流量時，藉由增加反應性氣體，緩緩增加濺鍍電流(靶電流)。此電流的增加係表示一開始經過緩慢(以小的斜率)增加，然後，急速(以大的斜率)增加的區域，再次緩慢(以小的斜率)增加之動作。另一方面，增加反應性氣體的流量，上述之電壓再次經過緩慢增加之區域後，使其反轉減少反應性氣體的流量時，藉由減少反應性氣體，緩緩減少濺鍍電流。此電流的減少，係表示一開始經過緩慢(以小的斜率)減少，然後，急速(以大的斜率)減少的區域，再次緩慢(以小的斜率)減少之動作。然而，增加反應性氣體的流量時之濺鍍電流、與減少反應性氣體的流量時之濺鍍電流，在上述之急速(以大的斜率)增加及減少的區域並不一致，減少反應性氣體的流量時之濺鍍電流者被測定為高。
如此，在反應性濺鍍，將施加在靶之電力與惰性氣體的流量定為一定，藉由使導入腔室內之反應性氣體流量增加後減少，進行掃掠時，藉由反應性氣體流量、與反應性氣體流量的掃掠所測定之濺鍍電壓值或濺鍍電流值於使反應性氣體增加時與減少時並未一致，係表示與已知作為磁氣滯後曲線(B-H曲線)之滯後曲線類似，即所謂滯後，例如形成如圖3所示之滯後曲線。
在本發明，較佳為在滯後曲線，將反應性氣體流量為滯後區域的下限以下之範圍的濺鍍狀態定為金屬模式，將反應性氣體流量為滯後區域的上限以上之範圍的濺鍍狀態定為反應模式，將反應模式與反應模式之間的範圍即將超過反應性氣體流量的下限且未滿上限的範圍的濺鍍狀態定為過渡模式，將包含矽、氮及氧而成之層以過渡模式實施。此時，尤其是適合將腔室內壓力定為0.05Pa以上，尤其是0.08Pa以上且未滿0.15Pa，尤其是0.13Pa以下。腔室內壓力未滿0.05Pa時有於濺鍍時引起放電不良之虞。半色調相移膜之表面粗糙度RMS受到成膜時之腔室內壓力的影響，通常有對腔室內壓力成比例的傾向。腔室內壓力較低較佳，腔室內壓力脫離上述範圍為高時，有無法充分減低表面粗糙度RMS之虞。另一方面，腔室內壓力脫離上述範圍為低時，有引起成膜速度的降低的情況，又，藉由後述之熱處理，有膜應力可能會增大的情況。
較佳為成膜半色調相移膜後，以200℃以上500℃以下之溫度熱處理(退火處理)5分鐘以上。熱處理時間通常為24小時以下。熱處理可於濺鍍腔室內實施，又，亦可轉移至與濺鍍腔室不同之熱處理爐實施。熱處理的環境可為氦氣體、氬氣體等之惰性氣體環境、真空下，亦可為氧氣體環境等之氧存在環境。藉由進行熱處理，可減低膜應力，又，可減低因從半色調相移型空白光罩，在製造半色調相移型光罩之步驟的熱處理導致之膜質變化。尤其是藉由將包含矽、氮及氧而成之層藉由過渡模式之濺鍍形成，並藉由減低半色調相移膜之表面粗糙度RMS，由於包含：包含矽、氮及氧而成之層的半色調相移膜面內之氧氮化度分布安定，故於本發明之半色調相移膜，即使進行這般的熱處理，面內之膜質分布亦難以劣化，實施熱處理的優點大。
可於本發明之半色調相移型空白光罩的半色調相移膜之上，設置包含單層或複數層而成之第2層。第2層通常與半色調相移膜相鄰來設置。作為此第2層，具體而言，可列舉遮光膜、遮光膜與抗反射膜的組合、在半色調相移膜之圖型形成用作硬遮罩之加工輔助膜等。又，設置後述之第3層時，亦可將此第2層作為在第3層之圖型形成用作蝕刻阻止層之加工輔助膜(蝕刻阻止層膜)利用。作為第2層之材料，適合為包含鉻之材料。
作為這般的半色調相移型空白光罩，具體而言，可列舉圖2(A)所示者。圖2(A)係表示本發明之半色調相移型空白光罩之一例的剖面圖，此半色調相移型空白光罩100係具備透明基板10、與透明基板10上所形成之半色調相移膜1、與半色調相移膜1上所形成之第2層2。
於本發明之半色調相移型空白光罩，可於半色調相移膜之上，作為第2層，設置於遮光膜或半色調相移膜用作用以形成圖型之硬遮罩的蝕刻遮罩膜。又，作為第2層，亦可組合遮光膜與抗反射膜來設置。藉由設置包含遮光膜之第2層，可於半色調相移型光罩設置完全遮光曝光光之區域。此遮光膜及抗反射膜亦可作為在蝕刻之加工輔助膜利用。針對遮光膜及抗反射膜之膜構成及材料，雖有多數之報告(例如，日本特開2007-33469號公報(專利文獻2)、日本特開2007-233179號公報(專利文獻3)等)，但作為較佳之遮光膜與抗反射膜之組合的膜構成，例如，可列舉設置包含鉻之材料的遮光膜，進而，設置減低來自遮光膜之反射的包含鉻之材料的抗反射膜者等。遮光膜及抗反射膜皆可為以單層構成，亦可為以複數層構成。作為遮光膜或抗反射膜之包含鉻之材料，可列舉鉻單質、鉻氧化物(CrO)、鉻氮化物(CrN)、鉻碳化物(CrC)、鉻氧化氮化物(CrON)、鉻氧化碳化物(CrOC)、鉻氮化碳化物(CrNC)、鉻氧化氮化碳化物(CrONC)等之鉻化合物等。尚，於此，表示包含鉻之材料的化學式係表示構成元素者，並非意指構成元素的組成比(在以下之包含鉻之材料相同)。
第2層為遮光膜，或為遮光膜與抗反射膜的組合時，以遮光膜之鉻化合物中之鉻的含有率為40原子%以上，尤其是60原子%以上，且為未滿100原子%，尤其是99原子%以下，特別是90原子%以下較佳。以氧的含有率為60原子%以下，尤其是40原子%以下較佳，更佳為1原子%以上。以氮的含有率為50原子%以下，尤其是40原子%以下較佳，更佳為1原子%以上。以碳的含有率為20原子%以下，尤其是10原子%以下較佳，有必要調整蝕刻速度時，更佳為1原子%以上。此情況下，以鉻、氧、氮及碳之合計的含有率為95原子%以上，尤其是99原子%以上，特別是100原子%較佳。
又，第2層為遮光膜與抗反射膜的組合時，抗反射膜較佳為鉻化合物，並以鉻化合物中之鉻的含有率為30原子%以上，尤其是35原子%以上，且為70原子%以下，尤其是50原子%以下較佳。氧的含有率較佳為60原子%以下，並以1原子%以上，尤其是20原子%以上更佳。氮的含有率以50原子%以下，尤其是30原子%以下較佳，並以1原子%以上，尤其是3原子%以上更佳。碳的含有率以20原子%以下，尤其是5原子%以下較佳，有必要調整蝕刻速度時，更佳為1原子%以上。此情況下，以鉻、氧、氮及碳之合計的含有率為95原子%以上，尤其是99原子%以上，特別是100原子%較佳。
第2層為遮光膜，或為遮光膜與抗反射膜的組合時，第2層之膜厚通常為20~100nm，較佳為40~70nm。又，以對於波長200nm以下之曝光光的半色調相移膜與第2層之合計的光學濃度成為2.0以上，尤其是成為2.5以上，特別是成為3.0以上的方式進行較佳。
可於本發明之半色調相移型空白光罩的第2層之上，設置包含單層或複數層而成之第3層。第3層通常與第2層相鄰來設置。作為此第3層，具體而言，可列舉在第2層之圖型形成用作硬遮罩之加工輔助膜、遮光膜、遮光膜與抗反射膜的組合等。作為第3層之材料，適合為包含矽之材料，尤其是以未包含鉻者較佳。
作為這般的半色調相移型空白光罩，具體而言，可列舉圖2(B)所示者。圖2(B)係表示本發明之半色調相移型空白光罩之一例的剖面圖，此半色調相移型空白光罩100係具備透明基板10、與透明基板10上所形成之半色調相移膜1、與半色調相移膜1上所形成之第2層2、與第2層2上所形成之第3層3。
第2層為遮光膜，或為遮光膜與抗反射膜的組合時，作為第3層，可在第2層之圖型形成設置用作硬遮罩之加工輔助膜(蝕刻遮罩膜)。又，設置後述之第4層時，亦可將此第3層作為在第4層之圖型形成用作蝕刻阻止層之加工輔助膜(蝕刻阻止層膜)利用。此加工輔助膜係與第2層蝕刻特性不同之材料，例如對適用在包含鉻之材料的蝕刻之氯系乾蝕刻具有耐性之材料，具體而言，較佳為成為可用SF6 或CF4 等之氟系氣體蝕刻之包含矽之材料。作為包含矽之材料，具體而言，可列舉矽單質、包含矽、與氮及氧之一者或雙方之材料、包含矽與過渡金屬之材料、包含矽、與氮及氧之一者或雙方、與過渡金屬之材料等之矽化合物等，作為過渡金屬，可列舉鉬、鉭、鋯等。
第3層為加工輔助膜時，加工輔助膜較佳為矽化合物，以矽化合物中之矽的含有率為20原子%以上，尤其是33原子%以上，且為95原子%以下，尤其是80原子%以下較佳。以氮的含有率為50原子%以下，尤其是30原子%以下較佳，更佳為1原子%以上。以氧的含有率為70原子%以下，尤其是66原子%以下較佳，有必要調整蝕刻速度時，更佳為1原子%以上，再更佳為20原子%以上。雖可含有過渡金屬亦可不含有過渡金屬，但含有過渡金屬時，以其含有率為35原子%以下，尤其是20原子%以下較佳。此情況下，以矽、氧、氮及過渡金屬之合計的含有率為95原子%以上，尤其是99原子%以上，特別是100原子%較佳。
第2層為遮光膜，或為遮光膜與抗反射膜的組合，第3層為加工輔助膜時，第2層之膜厚通常為20~100nm，較佳為40~70nm，第3層之膜厚通常為1~30nm，較佳為2~15nm。又，以對於波長200nm以下之曝光光的半色調相移膜與第2層之合計的光學濃度成為2.0以上，尤其是成為2.5以上，特別是成為3.0以上的方式進行較佳。
又，第2層為加工輔助膜時，作為第3層，可設置遮光膜。又，作為第3層，亦可組合遮光膜與抗反射膜設置。此情況下，第2層係在半色調相移膜之圖型形成用作硬遮罩之加工輔助膜(蝕刻遮罩膜)，亦可作為在第3層之圖型形成用作蝕刻阻止層之加工輔助膜(蝕刻阻止層膜)利用。作為加工輔助膜之例，可列舉以如日本特開2007-241065號公報(專利文獻4)所示之包含鉻之材料構成的膜。加工輔助膜可為以單層構成，亦可為以複數層構成。作為加工輔助膜之包含鉻之材料，可列舉鉻單質、鉻氧化物(CrO)、鉻氮化物(CrN)、鉻碳化物(CrC)、鉻氧化氮化物(CrON)、鉻氧化碳化物(CrOC)、鉻氮化碳化物(CrNC)、鉻氧化氮化碳化物(CrONC)等之鉻化合物等。
第2層為加工輔助膜時，以第2層之鉻化合物中之鉻的含有率為40原子%以上，尤其是50原子%以上，且為100原子%以下，尤其是99原子%以下，特別是90原子%以下較佳。以氧的含有率為60原子%以下，尤其是55原子%以下較佳，有必要調整蝕刻速度時，更佳為1原子%以上。以氮的含有率為50原子%以下，尤其是40原子%以下較佳，更佳為1原子%以上。以碳的含有率為20原子%以下，尤其是10原子%以下較佳，有必要調整蝕刻速度時，更佳為1原子%以上。此情況下，以鉻、氧、氮及碳之合計的含有率為95原子%以上，尤其是99原子%以上，特別是100原子%較佳。
另一方面，第3層之遮光膜及抗反射膜係與第2層蝕刻特性不同之材料，例如對適用在包含鉻之材料的蝕刻之氯系乾蝕刻具有耐性之材料，具體而言，較佳為成為可用SF6 或CF4 等之氟系氣體蝕刻之包含矽之材料。作為包含矽之材料，具體而言，可列舉矽單質、包含矽、與氮及氧之一者或雙方之材料、包含矽與過渡金屬之材料、包含矽、與氮及氧之一者或雙方、與過渡金屬之材料等之矽化合物等，作為過渡金屬，可列舉鉬、鉭、鋯等。
第3層為遮光膜，或為遮光膜與抗反射膜的組合時，遮光膜及抗反射膜較佳為矽化合物，以矽化合物中之矽的含有率為10原子%以上，尤其是30原子%以上，且未滿100原子%，尤其是95原子%以下較佳。以氮的含有率為50原子%以下，尤其是40原子%以下，特別是20原子%以下較佳，有必要調整蝕刻速度時，更佳為1原子%以上。以氧的含有率為60原子%以下，尤其是30原子%以下較佳，有必要調整蝕刻速度時，較佳為1原子%以上。以過渡金屬的含有率為35原子%以下，尤其是20原子%以下較佳，更佳為1原子%以上。此情況下，以矽、氧、氮及過渡金屬之合計的含有率為95原子%以上，尤其是99原子%以上，特別是100原子%較佳。
第2層為加工輔助膜，第3層為遮光膜，或為遮光膜與抗反射膜的組合時，第2層之膜厚通常為1~20nm，較佳為2~10nm，第3層之膜厚通常為20~100nm，較佳為30~70nm。又，以對於波長200nm以下之曝光光的半色調相移膜與第2層與第3層之合計的光學濃度成為2.0以上，尤其是成為2.5以上，特別是成為3.0以上的方式進行較佳。
可於本發明之半色調相移型空白光罩的第3層之上，設置包含單層或複數層而成之第4層。第4層通常與第3層相鄰來設置。作為此第4層，具體而言，可列舉在第3層之圖型形成，用作硬遮罩之加工輔助膜等。作為第4層之材料，適合為包含鉻之材料。
作為這般的半色調相移型空白光罩，具體而言，可列舉圖2(C)所示者。圖2(C)係表示本發明之半色調相移型空白光罩之一例的剖面圖，此半色調相移型空白光罩100係具備透明基板10、與透明基板10上所形成之半色調相移膜1、與半色調相移膜1上所形成之第2層2、與第2層2上所形成之第3層3、與第3層3上所形成之第4層4。
第3層為遮光膜，或為遮光膜與抗反射膜的組合時，作為第4層，可在第3層之圖型形成，設置用作硬遮罩之加工輔助膜(蝕刻遮罩膜)。此加工輔助膜係與第3層蝕刻特性不同之材料，例如對適用在包含矽之材料的蝕刻之氟系乾蝕刻具有耐性之材料，具體而言，較佳為成為可用含有氧之氯系氣體蝕刻之包含鉻之材料。作為包含鉻之材料，具體而言，可列舉鉻單質、鉻氧化物(CrO)、鉻氮化物(CrN)、鉻碳化物(CrC)、鉻氧化氮化物(CrON)、鉻氧化碳化物(CrOC)、鉻氮化碳化物(CrNC)、鉻氧化氮化碳化物(CrONC)等之鉻化合物等。
第4層為加工輔助膜時，以第4層中之鉻的含有率為40原子%以上，尤其是50原子%以上，且為100原子%以下，尤其是99原子%以下，特別是90原子%以下較佳。以氧的含有率為60原子%以下，尤其是40原子%以下較佳，有必要調整蝕刻速度時，更佳為1原子%以上。以氮的含有率為50原子%以下，尤其是40原子%以下較佳，有必要調整蝕刻速度時，更佳為1原子%以上。以碳的含有率為20原子%以下，尤其是10原子%以下較佳，有必要調整蝕刻速度時，更佳為1原子%以上。此情況下，以鉻、氧、氮及碳之合計的含有率為95原子%以上，尤其是99原子%以上，特別是100原子%較佳。
第2層為加工輔助膜，第3層為遮光膜，或為遮光膜與抗反射膜的組合，第4層為加工輔助膜時，第2層之膜厚通常為1~20nm，較佳為2~10nm，第3層之膜厚通常為20~100nm，較佳為30~70nm，第4層之膜厚通常為1~50nm，較佳為2~30nm。又，以對於波長200nm以下之曝光光的半色調相移膜與第2層與第3層之合計的光學濃度成為2.0以上，尤其是成為2.5以上，特別是成為3.0以上的方式進行較佳。
以第2層及第4層之包含鉻之材料構成的膜，係使用鉻靶、於鉻添加選自氧、氮及碳中之任1種或2種以上之靶等，於Ar、He、Ne等之稀有氣體，因應成膜之膜的組成，可藉由使用適當添加選自含有氧之氣體、含有氮之氣體、含有碳之氣體等之反應性氣體的濺鍍氣體之反應性濺鍍進行成膜。
另一方面，以第3層之包含矽之材料構成之膜，係使用矽靶、氮化矽靶、包含矽與氮化矽雙方之靶、過渡金屬靶、矽與過渡金屬的複合靶等，於Ar、He、Ne等之稀有氣體，因應成膜之膜的組成，可藉由使用適當添加選自含有氧之氣體、含有氮之氣體、含有碳之氣體等之反應性氣體的濺鍍氣體之反應性濺鍍進行成膜。
本發明之半色調相移型光罩可從半色調相移型空白光罩藉由常法製造。例如，於半色調相移膜之上，作為第2層，係於形成包含鉻之材料的膜之半色調相移型空白光罩，例如可於下述之步驟製造半色調相移型光罩。
首先，於半色調相移型空白光罩之第2層上，成膜電子束抗蝕膜，進行藉由電子束之圖型描繪後，藉由指定之顯影操作得到抗蝕圖型。其次，將所得之抗蝕圖型作為蝕刻遮罩，藉由含有氧之氯系乾蝕刻，轉印抗蝕圖型於第2層，而得到第2層之圖型。其次，將所得之第2層之圖型作為蝕刻遮罩，藉由氟系乾蝕刻，轉印第2層之圖型於半色調相移膜，而得到半色調相移膜圖型。於此，必須殘留第2層之一部分的情況下，將保護該部分之抗蝕圖型形成於第2層之上後，藉由含有氧之氯系乾蝕刻，去除未以抗蝕圖型保護之部分的第2層。而且，將抗蝕圖型藉由常法去除，可得到半色調相移型光罩。
又，於半色調相移膜之上，形成包含鉻之材料的遮光膜，或遮光膜與抗反射膜的組合作為第2層，於第2層之上，作為第3層，係於形成包含矽之材料的加工輔助膜之半色調相移型空白光罩，例如可於下述之步驟製造半色調相移型光罩。
首先，於半色調相移型空白光罩的第3層之上，成膜電子束抗蝕膜，進行藉由電子束之圖型描繪後，藉由指定之顯影操作得到抗蝕圖型。其次，將所得之抗蝕圖型作為蝕刻遮罩，藉由氟系乾蝕刻，轉印抗蝕圖型於第3層，而得到第3層之圖型。其次，將所得之第3層之圖型作為蝕刻遮罩，藉由含有氧之氯系乾蝕刻，轉印第3層之圖型於第2層，而得到第2層之圖型。其次，去除抗蝕圖型後，將所得之第2層之圖型作為蝕刻遮罩，藉由氟系乾蝕刻，轉印第2層之圖型於半色調相移膜，得到半色調相移膜圖型，同時去除第3層之圖型。其次，將保護殘留第2層之部分的抗蝕圖型形成於第2層之上後，藉由含有氧之氯系乾蝕刻，去除未以抗蝕圖型保護之部分的第2層。而且，將抗蝕圖型藉由常法去除，可得到半色調相移型光罩。
另一方面，於半色調相移膜之上，形成包含鉻之材料的加工輔助膜作為第2層，並於第2層之上，作為第3層，係於形成包含矽之材料的遮光膜，或遮光膜與抗反射膜的組合之半色調相移型空白光罩，例如可以下述之步驟製造半色調相移型光罩。
首先，於半色調相移型空白光罩的第3層之上，成膜電子束抗蝕膜，進行藉由電子束之圖型描繪後，藉由指定之顯影操作得到抗蝕圖型。其次，將所得之抗蝕圖型作為蝕刻遮罩，藉由氟系乾蝕刻，轉印抗蝕圖型於第3層，而得到第3層之圖型。其次，將所得之第3層之圖型作為蝕刻遮罩，藉由含有氧之氯系乾蝕刻，轉印第3層之圖型於第2層，而得到去除半色調相移膜之部分的第2層所去除之第2層之圖型。其次，去除抗蝕圖型，將保護殘留第3層之部分的抗蝕圖型形成於第3層之上後，將所得之第2層之圖型作為蝕刻遮罩，藉由氟系乾蝕刻，轉印第2層之圖型於半色調相移膜，得到半色調相移膜圖型，同時去除未以抗蝕圖型保護之部分的第3層。其次，將抗蝕圖型藉由常法去除，而且藉由含有氧之氯系乾蝕刻，去除第3層所去除之部分的第2層，可得到半色調相移型光罩。
進而，於半色調相移膜之上，形成包含鉻之材料的加工輔助膜作為第2層，並於第2層之上，形成包含矽之材料的遮光膜，或遮光膜與抗反射膜的組合作為第3層，進而，於第3層之上，作為第4層，係於形成包含鉻之材料的加工輔助膜之半色調相移型空白光罩，例如可以下述之步驟製造半色調相移型光罩。
首先，於半色調相移型空白光罩的第4層之上，成膜電子束抗蝕膜，進行藉由電子束之圖型描繪後，藉由指定之顯影操作得到抗蝕圖型。其次，將所得之抗蝕圖型作為蝕刻遮罩，藉由含有氧之氯系乾蝕刻，轉印抗蝕圖型於第4層，而得到第4層之圖型。其次，將所得之第4層之圖型作為蝕刻遮罩，藉由氟系乾蝕刻，轉印第4層之圖型於第3層，而得到第3層之圖型。其次，去除抗蝕圖型，將保護殘留第3層之部分的抗蝕圖型形成於第4層之上後，將所得之第3層之圖型作為蝕刻遮罩，藉由含有氧之氯系乾蝕刻，轉印第3層之圖型於第2層，而得到第2層之圖型，同時去除未以抗蝕圖型保護之部分的第4層。其次，將第2層之圖型作為蝕刻遮罩，藉由氟系乾蝕刻，轉印第2層之圖型於半色調相移膜，得到半色調相移膜圖型，同時去除未以抗蝕圖型保護之部分的第3層。其次，將抗蝕圖型藉由常法去除。而且，藉由含有氧之氯系乾蝕刻，去除第3層所去除之部分的第2層、與去除抗蝕圖型所去除之部分的第4層，可得到半色調相移型光罩。 [實施例]
以下，雖表示實施例及比較例，具體說明本發明，但本發明並非被限定於以下之實施例。
[實施例1~9、比較例1~7] 藉由於濺鍍裝置之腔室內設置6025石英基板(152mm平方、厚度6.35mm之石英基板)，使用矽靶及作為濺鍍靶，使用氬氣體、氮氣體及氧氣體作為濺鍍氣體，將施加在矽靶之電力及氬氣體及氧氣體的流量定為一定，使氮氣體的流量變化時，測定矽靶所流動之電流，而得到滯後曲線。具體而言，對矽靶施加表1所示之電力，將氬氣體及氧氣體設定在表1所示之流量，將氮氣體以10SCCM往腔室內流動的狀態開始濺鍍，使氮氣體流量最終增加至50SCCM，然後，將氮流量相反從50SCCM減少至10SCCM。將於實施例5及6所得之滯後曲線示於圖3。
其次，於6025石英基板上，使用矽靶作為濺鍍靶，使用氮氣體與氧氣體與氬氣體作為濺鍍氣體，根據於上述所得之滯後曲線，對矽靶施加表1所示之電力，將氬氣體、氮氣體及氧氣體設定在表1所示之流量，將腔室內壓力(成膜時壓力)設定在表1所示之壓力，成膜以表2所示之膜厚的包含矽、氮及氧而成之單層構成之半色調相移膜。將適用之濺鍍的成膜模式示於表1。其次，對於所得之半色調相移膜，以氮氣體及氧氣體與大氣分壓定為相同程度之環境下、表1所示之溫度及時間進行熱處理，而得到半色調相移型空白光罩。
Figure 02_image001
所得之半色調相移膜之表面粗糙度RMS係以Pacific Nanotechnology公司製之原子力顯微鏡(AFM) NANO-IM-8測定。表面粗糙度RMS係表示於基板面內最大之基板面中心部之值。所得之半色調相移膜之遮罩圖型形成區域之相位差(相移量)及透過率係以LASERTEC股份有限公司製之相位差/透過率測定裝置MPM193測定。於相位差及透過率之面內之平均值、以及從透過率之最大值Tmax 及最小值Tmin ，藉由下述式， (Tmax -Tmin )/(Tmax +Tmin )×100 算出透過率之面內變異。所得之半色調相移膜之組成藉由XPS測定。所得之半色調相移膜之熱處理後之ΔTIR係以CORNING製之平面度測試儀(Flatness tester)TropelR Ultra FlatTM 200Mask測定。將此等之結果示於表2。
Figure 02_image003
藉由成膜條件，表面粗糙度RMS雖變化，但於反應模式之濺鍍，係表面粗糙度RMS高，作為結果，變成透過率之面內變異超過2%。又，針對以500℃熱處理之實施例及比較例、合計13例，將繪製對於表面粗糙度RMS之透過率的面內變異之圖表示於圖4。從圖表瞭解到表面粗糙度RMS、與透過率之面內變異之間有相關，藉由抑制表面粗糙度RMS，可抑制透過率之面內變異，在高透過率之半色調相移膜，成為面內均一性高之半色調相移膜。而且，瞭解到減低表面粗糙度RMS及透過率之面內變異的高透過率之半色調相移膜，藉由將藉由濺鍍之成膜條件設定在過渡模式，可適當得到。
1:半色調相移膜 2:第2層 3:第3層 4:第4層 10:透明基板 11:半色調相移膜圖型 100:半色調相移型空白光罩 101:半色調相移型光罩
[圖1]係表示本發明之半色調相移型空白光罩及半色調相移型光罩之一例的剖面圖。 [圖2]係表示本發明之半色調相移型空白光罩之其他例的剖面圖。 [圖3]係表示於實施例5及6所得之滯後曲線(相對於氮氣體流量之矽靶的電流值)之圖。 [圖4]係繪製對於在實施例及比較例之表面粗糙度RMS的透過率之面內變異的圖表。

Claims (9)

  1. 一種半色調相移型空白光罩，其特徵為具有透明基板、與形成於該透明基板上之至少包含1層包含矽、氮及氧而成之層的半色調相移膜， 該半色調相移膜對於波長200nm以下的曝光光之相移量為150°以上200°以下，且透過率為20%以上， 上述半色調相移膜之基板面的表面粗糙度RMS為0.8nm以下，且從遮罩圖型形成區域之透過率的最大值Tmax 及最小值Tmin ，藉由下述式所算出之透過率的面內變異為2%以下， (Tmax -Tmin )/(Tmax +Tmin )×100。
  2. 如請求項1之半色調相移型空白光罩，其中，上述包含矽、氮及氧而成之層之氮及氧之合計的含有率為50原子%以上。
  3. 如請求項1或2之半色調相移型空白光罩，其中，上述包含矽、氮及氧而成之層的氧含有率為15原子%以上。
  4. 如請求項1或2之半色調相移型空白光罩，其係於上述半色調相移膜之上，具有包含以包含鉻之材料形成的單層或複數層而成之第2層。
  5. 一種半色調相移型光罩，其特徵為使用如請求項1至4中任一項之半色調相移型空白光罩所形成。
  6. 一種半色調相移型空白光罩之製造方法，其係如請求項1至4中任一項之半色調相移型空白光罩之製造方法，其特徵為 包含藉由濺鍍，成膜上述半色調相移膜之步驟， 在該步驟，藉由於腔室內，設置1個以上之矽靶，導入氬氣體與氮氣體與氧氣體，進行濺鍍而形成上述包含矽、氮及氧而成之層。
  7. 如請求項6之製造方法，其係將形成上述包含矽、氮及氧而成之層的濺鍍，在滯後曲線，以於在超過表示滯後之反應性氣體流量的下限，且未滿上限的範圍的濺鍍狀態進行濺鍍之過渡模式來實施，該滯後曲線係將導入腔室內之氮氣體流量藉由增加後減少，進行掃掠時，藉由上述氮氣體流量、與藉由該氮氣體流量的掃掠，以任一者的矽靶測定的濺鍍電壓值或濺鍍電流值所形成。
  8. 如請求項7之製造方法，其中，在形成上述包含矽、氮及氧而成之層之濺鍍的腔室內壓力為0.05Pa以上且未滿0.15Pa。
  9. 如請求項8之製造方法，其中，成膜上述半色調相移膜後，以200℃以上500℃以下的溫度熱處理5分鐘以上。
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