TW202112143A - 保護罩構件及具備此之構件供給用片材 - Google Patents

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井上健郎
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Abstract

本發明之保護罩構件係配置於具有形成有開口之面之對象物之該面以防止異物進入上述開口之構件，且由積層體構成，該積層體包含：保護膜，其具有將保護罩構件配置於上述面時覆蓋該開口之形狀；基材膜，其與保護膜接合；及第1黏著層，其將保護罩構件固定於上述面；且保護罩構件之外周面於積層體之積層方向上具有階差，保護罩構件之第1部分於階差中相比保護罩構件之第2部分更朝外側突出，保護罩構件之第1部分於將保護罩構件配置於上述面時位於較階差更遠離上述面之側，保護罩構件之第2部分位於較階差更接近上述面之側，保護膜及基材膜位於第1部分。本發明之保護罩構件能夠抑制對象物之損傷並且去除。

Description

保護罩構件及具備此之構件供給用片材
本發明係關於一種保護罩構件及用以供給該構件之構件供給用片材，該保護罩構件配置於具有形成有開口之面之對象物之該面，以防止異物進入上述開口。
已知有一種保護罩構件，其配置於具有形成有開口之面之對象物之該面，以防止異物進入上述開口。專利文獻1中揭示有如下構件，具備：多孔質膜，其以聚四氟乙烯(以下記為「PTFE」)為主成分，容許聲音通過但阻止水滴等異物通過；及耐熱性雙面黏著片材，其配置於多孔質膜之至少一主面上之被限制之區域，以便將多孔質膜固定於其他零件。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2007-81881號公報
[發明所欲解決之問題]
不僅於作為製品之對象物之使用時，於對象物之製造時或組裝至其他物品時亦要求防止異物進入開口。為了相應該要求，考慮與製品同樣地配置保護罩構件。但是，配置之保護罩構件不同於製品，存在因如下等理由而適當地於製造或組裝後去除，所述理由如下：(1)於對象物之製造時或組裝時保護罩構件變差；(2)要求之保護罩構件之性能與作為製品之對象物之使用時不同；以及(3)於作為製品之對象物之使用時無需保護罩構件。考慮該去除係藉由利用夾具或手抓持保護罩構件而機械性地實施。但是，先前之構件並未對去除進行過任何考慮。因此，存在如下情形：抓持時已破損之保護罩構件之破片進入開口而導致對象物受損，或夾具未適當地抓持保護罩構件而弄傷對象物之面。
本發明之目的在於提供一種能夠抑制對象物之損傷並且去除之保護罩構件。 [解決問題之技術手段]
本發明提供一種保護罩構件(第1保護罩構件)，其係配置於具有形成有開口之面之對象物之上述面，以防止異物進入上述開口，且由積層體構成，該積層體包含： 保護膜，其具有將上述保護罩構件配置於上述面時覆蓋上述開口之形狀； 基材膜，其與上述保護膜接合；及 第1黏著層，其將上述保護罩構件固定於上述面；且 上述保護罩構件之外周面於上述積層體之積層方向上具有階差， 上述保護罩構件之第1部分於上述階差中相比上述保護罩構件之第2部分更向外側突出，上述保護罩構件之第1部分於將上述保護罩構件配置於上述面時位於較上述階差更遠離上述面之側，上述保護罩構件之第2部分位於較上述階差更接近上述面之側， 上述保護膜及上述基材膜位於上述第1部分。
自另一方面而言，本發明提供一種構件供給用片材， 其具備基材片材、以及配置於上述基材片材上之1個或2個以上之保護罩構件，且 上述保護罩構件係上述第1保護罩構件。 [發明之效果]
第1保護罩構件於距配置有該構件之對象物之面更遠之位置，具有較第2部分向外側突出且包含保護膜及基材膜之第1部分。該構件能夠藉由抓持向外側突出之第1部分而去除。藉此，能夠更確實地抓持構件，並且抑制抓持時構件之破損。又，藉由與保護膜接合之基材膜，抑制去除時之保護膜之損傷。因此，能夠抑制對象物之損傷並且進行去除。
以下，一面參照圖式一面對實施方式進行說明。本發明並不限定於以下之實施方式。
[第1保護罩構件] 將第1保護罩構件之一例示於圖1A及圖1B。圖1B係自第1黏著層5側(面向對象物之配置面側)觀察圖1A之保護罩構件1(1A)所得之俯視圖。圖1A示出圖1B之剖面A-A。保護罩構件1A係配置於具有形成有開口之面之對象物之該面以防止異物進入上述開口之構件。保護罩構件1A由包含保護膜2、基材膜3及第1黏著層5之積層體構成。保護膜2具有將保護罩構件1A配置於上述面時覆蓋上述開口之形狀。基材膜3利用第2黏著層4與保護膜2接合。於基材膜3之與保護膜2側為相反側之面設置第1黏著層5。基材膜3位於保護膜2與第1黏著層5之間。藉由基材膜3，自上述面去除保護罩構件1A時保護膜2得到補強。保護罩構件1A藉由第1黏著層5固定於上述面。
保護罩構件1A之外周面6於包含保護膜2、基材膜3及第1黏著層5之積層體之積層方向上具有階差7。保護罩構件1A具有第1部分8A及第2部分8B，該第1部分8A於將保護罩構件1A配置於上述面時位於較階差7更遠離該面之側，該第2部分8B位於較階差7更接近該面之側。第1部分8A於階差7中較第2部分8B更向外側突出。保護膜2及基材膜3位於第1部分8A。第1黏著層5位於第2部分8B。再者，於本說明書中，外側意指於積層體之積層方向(以下記為「積層方向」)上觀察，遠離保護罩構件之中心之方向。又，內側意指於積層方向上觀察，接近保護罩構件之中心之方向。「於積層方向上觀察」意指沿著積層方向觀察。
保護罩構件1A之外周面6具有形成於圓周方向之一部分區間之階差7。於積層方向上觀察(圖1B)，階差7將第1部分8A之外周9上之2點(P、Q)連結成直線狀。外周9於積層方向上觀察為圓，階差7將該圓上之點(P、Q)連成弦。點(P、Q)之中心角α約90°。但是，階差7之形狀及數量並不限定於該例。於積層方向上觀察，階差7亦可將點(P、Q)連成非直線狀、例如曲線狀或鋸齒狀。又，中心角α並不限定於90°。將階差7之形狀或數不同之保護罩構件1之變化例示於圖2A及圖2B、以及圖3A及圖3B。
圖2A及圖2B之保護罩構件1B除階差7之數量以外，具有與保護罩構件1A相同之構成。保護罩構件1B之外周面6具有2個階差7A、7B。階差7A、7B分別形成於外周面6之圓周方向之一部分區間。於積層方向上觀察，階差7A、7B隔著保護罩構件1B之中心而對向。於保護罩構件1B中，能夠藉由抓持階差7A中向外側突出之第1部分8A及/或階差7B中向外側突出之第1部分8A進行去除。再者，圖2B係自第1黏著層5側於積層方向上觀察圖2A之保護罩構件1B所得之俯視圖。圖2A示出圖2B之剖面A-A。
圖3A及圖3B所示之保護罩構件1C除階差7之形狀不同以外，具有與保護罩構件1A相同之構成。於積層方向上觀察，保護罩構件1C之階差7具有由自第1部分8A之外周9上之2點(P、Q)分別向內側延伸而相交之2條線段(R、S)構成之形狀。線段(R、S)分別相當於自多邊形之1個頂點T延伸之邊之一部分。多邊形為正方形或矩形，線段(R、S)相交之角度∠PTQ為約90°。但是，多邊形並不限定於正方形及矩形，角度∠PTQ亦可不為90°。再者，圖3B係自第1黏著層5側於積層方向上觀察圖3A之保護罩構件1C所得之俯視圖。圖3A示出圖3B之剖面A-A。
保護罩構件1A、1B、1C之形狀於積層方向上觀察為圓。但是，保護罩構件1之形狀並不限定於上述例，例如，亦可於積層方向上觀察為包含正方形及長方形之多邊形、以及橢圓。多邊形可為正三角形、正五邊形、正六邊形、正七邊形及正八邊形等正多邊形。亦可將多邊形之角變圓。
將具有長方形形狀之保護罩構件1之一例示於圖4A及圖4B。圖4A及圖4B之保護罩構件1D於積層方向上觀察之形狀為長方形，除此以外，具有與保護罩構件1A相同之構成。再者，保護罩構件1D之階差7於積層方向上觀察，以與長方形之第1部分8A之外周9之短邊平行之方式呈直線狀延伸。階差7之形狀並不限定於該例。階差7例如可於積層方向上觀察，以不與外周9之短邊平行之方式呈直線狀延伸，亦可呈非直線狀(例如曲線狀)延伸。
保護罩構件1A、1B、1C之第1部分8A之形狀於積層方向上觀察為圓，階差7係藉由第2部分8B之外周10較第1部分8A之外周9更向內側後退而形成。第1部分8A之形狀於積層方向上觀察為橢圓或正多邊形之情形時，階差7亦可藉由第2部分8B之外周10較第1部分8A之外周9更向內側後退而形成。於該等態樣中，向內側後退之部分中第2部分8B之寬度(於積層方向上觀察之寬度)變窄，因此能夠更確實且穩定地實施藉由抓持第1部分8A進行之去除。
將保護罩構件1之不同於上述之另一例示於圖5A及圖5B。圖5A及圖5B之保護罩構件1E除階差7之形狀不同以外，具有與保護罩構件1A相同之構成。保護罩構件1E之第2部分8B之外周10於積層方向上觀察為圓，階差7將該圓上之2點(P、Q)連成弧。階差7係藉由第1部分8A之外周9較第2部分8B之外周10更向外側突出而形成。第2部分8B之形狀於積層方向上觀察為橢圓或正多邊形之情形時，階差7亦可藉由第1部分8A之外周9較第2部分8B之外周10更向外側突出而形成。
外周面6亦可具有遍及圓周方向之所有區間而形成之階差7。
第1部分8A中向外側突出之區域之深度D1 例如為0.1～20 mm，亦可為0.5～20 mm、1～15 mm，進而為1～10 mm。深度D1 於積層方向上觀察相當於上述區域中之第1部分8A之外周9與第2部分8B之外周10之間的最大距離。對於形成於外周面6之圓周方向之一部分區間之階差7，上述區域之最大寬度(於積層方向上觀察之寬度)W1 例如為0.1～20 mm，亦可為0.5～20 mm、1～15 mm，進而為1～10 mm。但是，深度D1 及寬度W1 根據供配置保護罩構件1之對象物之種類，亦可為更大值。再者，於深度D1 及/或寬度W1 、尤其是深度D1 處於上述範圍之情形時，更確實地抑制保護罩構件1之損傷並且自對象物去除。又，於上述區域，藉由高溫下之處理產生下述捲曲之保護罩構件1表現出深度D1 及/或寬度W1 、尤其是深度D1 越大則捲曲之程度(捲曲率)越增大之傾向。
第1部分8A中向外側突出之區域之寬度W1 相對於深度D1 之比W1 /D1 例如為0.1～10，亦可為0.5～8.0，進而為1.0～5.0。於比W1 /D1 處於上述範圍之情形時，可更確實地抑制保護罩構件1之損傷並且自對象物去除。
將第1部分8A之面積設為100%，第1部分8A中向外側突出之區域之面積(於積層方向上觀察之面積，以下相同)例如為3～50%，亦可為5～40%。於第1部分8A具有2個以上之上述區域之情形時，可為各區域之面積之合計處於上述範圍。於上述區域之面積處於該等範圍之情形時，可更確實地抑制保護罩構件1之損傷並且自對象物去除。
保護膜2可於厚度方向上不具有透氣性，亦可具有厚度方向之透氣性。於保護膜2具有厚度方向之透氣性之情形時，藉由配置保護罩構件1，可防止異物進入對象物之開口且確保與該開口之間之透氣性。由於確保了透氣性，例如能夠經由對象物之開口調整壓力或緩和壓力變動。以下示出緩和壓力變動之一例。存在如下情形：於以覆蓋設置於電路基板之貫通孔之一開口之方式配置半導體元件之狀態下，實施回流焊等加熱處理。此處，藉由以覆蓋另一開口之方式配置保護罩構件1，可抑制加熱處理時異物經由貫通孔進入元件。若保護膜2具有厚度方向之透氣性，則因加熱所導致之貫通孔內之壓力上升得到緩和，可防止因壓力上升所導致之元件損傷。半導體元件之例有麥克風、壓力感測器、加速度感測器等微機械系統(以下記為「MEMS」)。該等元件具有透氣或能夠供聲音通過之開口，該開口能夠以面向上述貫通孔之方式配置於電路基板。
具有厚度方向之透氣性之保護膜2之該透氣度係由依據日本工業標準(以下記為「JIS」)L1096中規定之透氣性測定B法(哥雷式方法)求出之透氣度(以下記為「哥雷式透氣度」)表示，例如為100秒/100 mL以下。
構成保護膜2之材料之例為金屬、樹脂及該等之複合材料。
能夠構成保護膜2之樹脂之例為聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等聚酯；聚矽氧樹脂、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯硫醚、聚醚醚酮(PEEK)、氟樹脂。氟樹脂之例為PTFE、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)、四氟乙烯-乙烯共聚物(ETFE)。但是，樹脂並不限定於上述例。
能夠保護膜2之金屬之例為不鏽鋼及鋁。
保護膜2可由耐熱性材料構成。於該情形時，能夠藉由構成保護罩構件1之其他層之材料，更確實地應對回流焊等高溫下之處理。耐熱性材料之例為金屬及耐熱性樹脂。耐熱性樹脂典型而言具有150℃以上之熔點。耐熱性樹脂之熔點可為160℃以上、200℃以上、250℃以上、260℃以上，進而可為300℃以上。耐熱性樹脂之例為聚矽氧樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯硫醚、PEEK及氟樹脂。氟樹脂可為PTFE。PTFE之耐熱性尤其優異。
具有厚度方向之透氣性之保護膜2亦可包含延伸多孔質膜。延伸多孔質膜可為氟樹脂之延伸多孔質膜、尤其是PTFE延伸多孔質膜。PTFE延伸多孔質膜通常係使包含PTFE粒子之膏狀擠出物或鑄膜延伸而形成。PTFE延伸多孔質膜亦存在如下情形：由PTFE之微細纖維構成，與纖維相比具有PTFE處於凝聚狀態之節點。根據PTFE延伸多孔質膜，能夠以較高之水準兼顧防止異物進入之性能及透氣性。保護膜2可使用公知之延伸多孔質膜。
具有厚度方向之透氣性之保護膜2亦可包含形成有連接兩個主面之複數個貫通孔之穿孔膜。穿孔膜可為於具有非多孔質之基質結構之原膜例如無孔膜設置有複數個貫通孔之膜。穿孔膜亦可除上述複數個貫通孔以外，不具有厚度方向之透氣路徑。貫通孔亦可沿穿孔膜之厚度方向延伸，此時，可以是沿厚度方向呈直線狀延伸之直通孔。貫通孔之開口之形狀於垂直於穿孔膜之主面觀察，可為圓或橢圓。穿孔膜例如可藉由利用對原膜之雷射加工、或離子束照射及其後續之化學蝕刻的開孔加工而形成。
具有厚度方向之透氣性之保護膜2亦可包含不織布、織布、篩網、網狀物。
保護膜2並不限定於上述例。
保護罩構件1A～1C、1E之保護膜2之形狀於積層方向上觀察為圓。保護罩構件1D之保護膜2之形狀於積層方向上觀察為長方形。但是，保護膜2之形狀並不限定於上述例，例如，於積層方向上觀察，亦可為包含正方形及長方形之多邊形、以及橢圓。多邊形可為正多邊形。亦可將多邊形之角變圓。
保護膜2之厚度例如為1～100 μm。
保護膜2之面積例如為175 mm2 以下。保護膜2之面積處於該範圍之保護罩構件1例如適於配置於通常具有小徑開口之MEMS或電路基板。保護膜2之面積之下限例如為0.20 mm2 以上。但是，保護膜2之面積根據供配置保護罩構件1之對象物之種類，亦可為更大值。
構成基材膜3之材料之例為金屬、樹脂及該等之複合材料。能夠構成基材膜3之材料之具體例與能夠構成保護膜2之材料之具體例相同。構成保護膜2之材料與構成基材膜3之材料亦可互不相同。
基材膜3亦可由耐熱性材料構成。於該情形時，根據構成保護罩構件1之其他層之材料，能夠更確實地應對回流焊等高溫下之處理。耐熱性材料之具體例如在保護膜2之說明中所述。
保護罩構件1A～1E之基材膜3於積層方向上觀察，具有與保護膜2之外周一致之外周。又，保護罩構件1A～1E之基材膜3於積層方向上觀察，具有與保護膜2之周緣部相對應之形狀。保護罩構件1A～1C、1E為環狀，保護罩構件1D為邊框狀。保護膜2之基材膜3側之面於不與基材膜3相接之區域露出。於保護膜2具有厚度方向之透氣性之情形時，可將該區域設為保護罩構件1之透氣區域。但是，基材膜3之形狀並不限定於上述例。
透氣區域之面積例如為20 mm2 以下。透氣區域之面積處於該範圍之保護罩構件例如適於配置於通常具有小徑開口之MEMS或電路基板。透氣區域之面積之下限例如為0.008 mm2 以上。但是，透氣區域之面積根據供配置保護罩構件1之對象物之種類，亦可為更大範圍。
基材膜3之厚度例如為5～200 μm。
保護罩構件1A～1E之基材膜3位於保護膜2與第1黏著層5之間。但是，基材膜3之位置並不限定於該例。基材膜3亦可配置於保護膜2之上表面。再者，上表面意指於將保護罩構件配置於對象物之面時，距對象物更遠側之面。下表面意指於將保護罩構件配置於對象物之面時，更接近對象物之側之面。
基材膜3亦可具有較保護膜2高之強度。於該情形時，可更確實地抑制去除保護罩構件1時之保護膜2之破損。強度例如可作為拉伸斷裂強度或凝聚破壞強度進行評估。
保護罩構件1A～1E之保護膜2與基材膜3藉由第2黏著層4接合。第2黏著層4例如為黏著劑或接著劑之塗佈層。黏著劑之例為丙烯酸系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、環氧系黏著劑及橡膠系黏著劑。於必須考慮高溫下使用保護罩構件1之情形時，較佳為選擇耐熱性優異之丙烯酸系黏著劑或聚矽氧系黏著劑、尤其是聚矽氧系黏著劑。
丙烯酸系黏著劑例如為日本專利特開2005-105212號公報中揭示之黏著劑。聚矽氧系黏著劑例如為日本專利特開2003-313516號公報中揭示之黏著劑(包括作為比較例揭示者)。
第2黏著層4可為單層，亦可具有包含2層以上之黏著層之積層構造。
第2黏著層4可為雙面黏著膠帶。雙面黏著膠帶可為具有基材、及設置於基材之兩面之黏著層的含基材之膠帶，亦可為不含基材之無基材膠帶。第2黏著層4亦可具有單面膠帶與另一黏著層之積層構造，該單面膠帶具有基材及設置於基材之單面之黏著層，該另一黏著層係於基材之與上述黏著層側為相反側之面塗佈黏著劑而成。
亦可將膠帶之基材及黏著層分別用作基材膜3及第2黏著層4。基材膜3亦可不為膠帶所含之層。
膠帶之基材例如為樹脂、金屬或該等之複合材料之膜、不織布或發泡體。膠帶之基材可由耐熱性材料構成。於該情形時，根據構成保護罩構件1之其他層之材料，能夠更確實地應對回流焊等高溫下之處理。耐熱性材料之具體例如在保護膜2之說明中所述。
保護罩構件1A～1E之第2黏著層4之形狀於積層方向上觀察，與基材膜3之形狀相同。但是，第2黏著層4之形狀並不限定於該例。例如，亦可藉由於積層方向上觀察具有點狀、格子狀或波狀之形狀之第2黏著層4將保護膜2與基材膜3接合。
保護膜2與基材膜3之接合方法並不限定於上述例。保護膜2與基材膜3亦可不經由第2黏著層4而藉由加熱熔接及超音波熔接等各種熔接法接合。
藉由保護膜2及基材膜3之組合，例如，可藉由高溫下之處理，使第1部分8A中之向外側突出之區域朝遠離對象物之面之方向(以下將該方向記為「上方」)彎曲(捲曲)。換言之，第1部分8A可具有階差7中向外側突出之區域因加熱而向上方捲曲之構成。藉由向上方捲曲，可更確實地實施保護罩構件1之去除。
例如，能夠以如下方式選擇使保護膜2及/或基材膜3產生向上方之捲曲。但是，產生捲曲之方法並不限定於該等例。 (1)選擇熱膨脹係數相對較小之保護膜2及熱膨脹係數相對較大之基材膜3。藉由接合之兩層之間之熱膨脹係數之差異，產生捲曲。 (2)作為保護膜2，選擇具有孔隙及/或貫通孔之膜。該膜之具體例為具有厚度方向之透氣性的膜。具有孔隙及/或貫通孔之膜容易因熱而收縮。藉由該收縮，產生捲曲。
於第1部分8A於積層方向上觀察為圓、橢圓或正多邊形，階差7係藉由第2部分8B之外周10較第1部分之外周9向內側後退而形成之情形時，容易產生捲曲。又，於階差7於積層方向上觀察呈直線狀延伸之情形時，容易產生捲曲。
關於保護罩構件1，將該構件1固定於不鏽鋼板之表面，於自25℃以升溫速度1℃/s加熱處理至260℃時，第1部分8A之向外側突出之區域所產生之捲曲之程度表示為捲曲率，可為110%以上，亦可為130%以上、200%以上、250%以上、300%以上、350%以上、400%以上，進而可為450%以上。捲曲率根據以不鏽鋼板之上述表面為基準之上述區域之最大高度(將加熱處理前設為H0 ，將加熱處理後設為H1 )，利用式：捲曲率(%)＝H1 /H0 ×100求出。再者，保護罩構件1固定於不鏽鋼板係利用第1黏著層5進行。
第1部分8A之向外側突出之區域之上表面及/或下表面較佳為非黏著性。於該情形時，可防止去除保護罩構件1之夾具或手與該區域接著，可更確實且穩定地實施保護罩構件1之去除。
第1黏著層5除其形狀外，可具有與第2黏著層4相同之構成。例如，第1黏著層5可由雙面黏著膠帶構成，亦可具有單面膠帶與於該膠帶之與黏著層側為相反側之基材之面塗佈黏著劑而成的另一黏著層的積層構造。於該情形時，另一黏著層可位於保護膜2側，亦可位於面向對象物之配置面側。但是，第1黏著層5之與對象物相接之側亦可為弱黏著性面。於該情形時，可用更小之力實施保護罩構件1之去除。
保護罩構件1A～1E之第1黏著層5位於第2部分8B。但是，第1黏著層5之位置並不限定於該例。於將保護罩構件1配置於對象物之面時，第1黏著層5可位於較第2部分8B更接近對象物之位置。
於將保護罩構件1配置於對象物之面時，於積層方向上觀察，保護罩構件1A～1E之第1黏著層5具有包圍對象物之開口之形狀。但是，第1黏著層5之形狀只要可將保護罩構件1固定於對象物，則並不限定於上述例。
第1黏著層5之厚度例如為10～200 μm。
保護罩構件1之面積例如為175 mm2 以下。面積處於該範圍之保護罩構件1例如適於配置於通常具有小徑開口之MEMS或電路基板。保護罩構件1之面積之下限例如為0.20 mm2 以上。但是，保護罩構件1之面積根據配置之對象物之種類，可為更大值。再者，保護罩構件1之面積越小，去除越困難。因此，於保護罩構件1之面積處於上述範圍之情形時，本發明之效果尤其顯著。
保護罩構件1只要能夠獲得本發明之效果，則亦可具備除上述以外之任意層。
能夠配置保護罩構件1之對象物例如為上述電路基板。對象物可為MEMS等半導體元件。MEMS可為於封裝之表面具有透氣孔的非密封系元件。MEMS之透氣孔之孔徑通常較小。非密封系MEMS之例為檢測氣壓、濕度、氣體、氣流等之各種感測器以及揚聲器或麥克風等電音響轉換元件。但是，對象物並不限定於上述例。
能夠配置保護罩構件1之對象物之面典型而言為對象物之表面。面可為平面，亦可為曲面。又，對象物之開口可為凹部之開口，亦可為貫通孔之開口。
配置有保護罩構件1之對象物之處理可為高溫下或低溫下之處理。
保護罩構件1例如可藉由保護膜2、基材膜3及第1黏著層5之形狀加工及積層而製造。
保護罩構件1可於配置於剝離紙或剝離襯墊等剝離片材上之狀態下供給。剝離片材上亦可配置複數個保護罩構件1。對剝離片材之配置可利用保護罩構件1所具備之黏著層(例如第1黏著層5)。又，亦可於剝離片材的配置保護罩構件1之面設置弱黏著層，經由該弱黏著層配置保護罩構件1。關於剝離片材為基材片材之構件供給用片材，將於下文敍述。
將使用保護罩構件1之態樣之一例示於圖6。
如圖6(a)所示，於具有開口32之對象物31之表面33，以保護膜2覆蓋開口32之方式配置保護罩構件1。保護罩構件1通常以於積層方向上觀察，第1黏著層5不覆及開口32之方式配置。其次，對配置有保護罩構件1之對象物31實施特定之處理(圖6(b))。處理後，自表面33去除保護罩構件1(圖6(c))。
使用保護罩構件1之態樣並不限定於上述例。例如，處理後，保護罩構件1可未必去除，可殘留於表面33。亦能夠以保護罩構件1殘留於表面33之狀態流通或使用對象物31。保護罩構件1可於對象物之流通及/或使用後之任意時點去除。
[第2保護罩構件] 自不同於上述之另一方面而言，本發明提供一種保護罩構件(第2保護罩構件)，其配置於具有形成有開口之面之對象物之上述面，以防止異物進入上述開口，且由積層體構成，該積層體包含： 保護膜，其具有於上述保護罩構件配置於上述面時覆蓋上述開口之形狀；及 黏著層(第3黏著層)，其將上述保護罩構件固定於上述面； 上述保護罩構件之面向上述面之配置面之一部分為低黏著面及/或非黏著面。
第2保護罩構件中，面向對象物之配置面之一部分為低黏著面及/或非黏著面。因此，利用低黏著面及/或非黏著面，更順利地自對象物剝離，藉此可抑制破損並且去除該構件。因此，能夠抑制對象物之損傷並去除。
以下，說明第2保護罩構件之實施方式。再者，關於第2保護罩構件所含之層或構件中與第1保護罩構件1共通之層或構件，附加相同符號而省略重複之說明。
將第2保護罩構件之一例示於圖7A及圖7B。圖7B係自第3黏著層52側(面向對象物之配置面60側)觀察圖7A之保護罩構件51(51A)所得之俯視圖。圖7A示出圖7B之剖面A-A。保護罩構件51A係配置於具有形成有開口之面之對象物之該面以防止異物進入上述開口之構件。保護罩構件51A由包含保護膜2及第3黏著層52之積層體構成。保護膜2具有於保護罩構件51A配置於上述面時覆蓋上述開口之形狀。保護膜2與第3黏著層52互相接合。保護罩構件51A利用第3黏著層52固定於上述面。
保護罩構件51A之配置面60之一部分(部分61)為低黏著面及/或非黏著面，較佳為非黏著面。再者，低黏著面意指黏著性較配置面60之其他部分62低之面。
保護罩構件51A之部分61可為使第3黏著層52之黏著性降低後之處理面。處理面亦可為喪失黏著性之失活面。黏著層之處理面例如可藉由以下方法形成。但是，形成處理面之方法並不限定於以下所示之例。 [I]對黏著層中欲形成處理面之部分進行電漿處理。藉由電漿處理，該部分所含之黏著劑變差，藉此形成處理面。 [II]對黏著層中欲形成處理面之部分所含之黏著劑聚合物實施接枝聚合或共聚等進一步之聚合處理，使該部分改性。 [III]預先使黏著層包含紫外線吸收劑及/或熱發泡劑，對欲形成處理面之部分照射紫外線及/或施加熱，使該部分改性。 [IV]使黏著層中欲形成處理面之部分與黏著性降低劑接觸。於黏著劑層為丙烯酸系之情形時，黏著性降低劑例如為包含聚矽氧化合物之溶液。接觸例如可藉由塗佈或噴霧實施。
於積層體之積層方向觀察，保護罩構件51A之部分61由配置面60之外周63之一部分區間E-F及連結區間E-F之兩端(E、F)之線64包圍。線64構成部分61與部分62之邊界。外周63於積層方向上觀察為圓，作為直線之線64將兩端(E、F)連成弦。兩端(E、F)之中心角α為約90°。保護罩構件51A及其配置面60具有1個部分61。但是，部分61之形狀、數量及配置、外周63中之兩端(E、F)之位置、以及線64之態樣等並不限定於上述例。保護罩構件51A及配置面60亦可具有2個以上之部分61。線64亦可為非直線、例如曲線，亦可將兩端(E、F)連成鋸齒狀。中心角α並不限定於90°。
部分61之最大寬度(於積層方向上觀察之寬度)W2 例如為0.1～20 mm，亦可為0.5～20 mm、1～15 mm，進而為1～10 mm。部分61之深度D2 例如為0.1～20 mm，亦可為0.5～20 mm、1～15 mm，進而為1～10 mm。深度D2 於積層方向上觀察，相當於外周63與線64之間之最大距離。但是，寬度W2 及深度D2 根據供配置保護罩構件51A之對象物之種類，可為更大值。再者，於深度D2 及/或寬度W2 、尤其是深度D2 處於上述範圍之情形時，可更確實地抑制保護罩構件51之損傷並且自對象物去除。又，關於部分61，藉由高溫下之處理產生下述捲曲之保護罩構件51表現出深度D2 及/或寬度W2 、尤其是深度D2 越變大則捲曲之程度(捲曲率)越增大之傾向。
部分61之寬度W2 相對於深度D2 之比W2 /D2 例如為0.1～10，亦可為0.5～8.0，進而為1.0～5.0。於比W2 /D2 處於上述範圍之情形時，可更確實地抑制保護罩構件51之損傷並且自對象物去除。
將配置面60之面積設為100%，部分61之面積(於積層方向上觀察之面積，以下相同)例如為3～50%，亦可為5～40%。於配置面60具有2個以上之部分61之情形時，亦可為各部分61之面積之合計處於上述範圍。於部分61之面積處於該等範圍之情形時，可更確實地抑制保護罩構件51之損傷並且自對象物去除。
第3黏著層52只要具有部分61，則可具有與第1保護罩構件1之第1黏著層5及/或第2黏著層4相同之構成。再者，第1保護罩構件1之第1黏著層5之配置面亦可具有部分61。
保護膜2之第3黏著層52側之面於不與第3黏著層52相接之區域露出。於保護膜2具有厚度方向之透氣性之情形時，可將該區域設為保護罩構件51A之透氣區域。透氣區域之面積例如為20 mm2 以下。透氣區域之面積處於該範圍之保護罩構件例如適於配置於通常具有小徑開口之MEMS或電路基板。透氣區域之面積之下限例如為0.008 mm2 以上。但是，透氣區域之面積根據供配置保護罩構件51A之對象物之種類，可為更大範圍。
部分61之態樣只要為低黏著面及/或非黏著面，則並不限定於上述例。將部分61之態樣不同之例示於圖8A～圖11。
圖8A及圖8B之保護罩構件51(51B)藉由配置於第3黏著層52之與保護膜2側為相反側之主面65之構件53構成部分61，除此以外，具有與保護罩構件51A相同之構成。
構件53於配置於主面65之狀態下，構成配置面60之面具有低黏著面及/或非黏著面。構件53中構成配置面60之面亦可不形成黏著層。構件53可由低黏著性及/或非黏著性材料構成。低黏著性材料意指具有較構成配置面60之其他部分62之材料低之黏著性。構件53例如為膜。構成構件53之膜除其形狀以外，可具有與第1保護罩構件1之基材膜3相同之構成。構件53可由耐熱性材料構成。耐熱性材料之具體例如在保護膜2之說明中所述。構件53之厚度例如為5～100 μm。
圖9A及圖9B之保護罩構件51(51C)於沿保護膜2之主面觀察時，與保護膜2之一部分區域66重疊地配置著第3黏著層52，與保護膜2之另一部分區域67重疊地配置著不同於第3黏著層52之構件54，且部分61係由構件54構成，除此以外，具有與保護罩構件51A相同之構成。圖9A及圖9B之配置面60由第3黏著層52及構件54構成。但是，配置面60亦可由第3黏著層52、構件54及進而其他構件構成。
構件54可具有與構件53相同之構成。構件54之厚度例如為5～100 μm。構件54之厚度亦可與第3黏著層52之厚度相同。
圖10之保護罩構件51(51D)除部分61之數量及配置不同以外，具有與保護罩構件51A相同之構成。保護罩構件51D之配置面60具有2個部分61(61A、61B)。部分61A、61B之形狀分別與保護罩構件51A之部分61相同。部分61A、61B隔著保護罩構件51D之中心而對向。保護罩構件51D自部分61A側及部分61B側之任一側，均能夠更順利地進行去除。
圖11之保護罩構件51(51E)除部分61之形狀不同以外，具有與保護罩構件51A相同之構成。保護罩構件51E之部分61於積層方向上觀察，由配置面60之外周63之一部分區間E-F及線64包圍，該線64由分別自區間E-F之兩端(E、F)向內側延伸而相交之兩個線段(H、G)構成且連結兩端(E、F)。線段(H、G)分別相當於自多邊形之1個頂點I延伸之邊之一部分。多邊形為正方形或矩形，線段(H、G)相交之角度∠EIF為約90°。但是，多邊形並不限定於正方形及矩形，角度∠EIF亦可不為90°。
保護罩構件51A～51E之形狀於積層方向上觀察為圓。但是，保護罩構件51之形狀並不限定於上述例，例如亦可於積層方向上觀察為包含正方形及長方形之多邊形、以及橢圓。多邊形可為正三角形、正五邊形、正六邊形、正七邊形及正八邊形等正多邊形。亦可將多邊形之角變圓。
將具有長方形形狀之保護罩構件51之一例示於圖12。圖12之保護罩構件51F於積層方向上觀察之形狀為長方形，除此以外，具有與保護罩構件51A相同之構成。保護罩構件51F之部分61於積層方向上觀察為長方形。作為直線之線64於積層方向上觀察沿著保護罩構件51F之短邊方向延伸。部分61之形狀並不限定於該例。又，線64於積層方向上觀察可為不與上述短邊平行之直線，亦可不為直線(例如曲線)。
保護罩構件51只要能夠獲得本發明之效果，則亦可具備除上述以外之任意層。
將具備除上述以外之層之保護罩構件51之一例示於圖13。圖13之保護罩構件51G之積層體進而包含基材膜55及第4黏著層56。基材膜55藉由第4黏著層56與保護膜2接合。基材膜55中與保護膜2側為相反側之面設置著第3黏著層52。基材膜55位於保護膜2與第3黏著層52之間。藉由基材膜55，於自對象物之面去除保護罩構件51時，保護膜2得以補強。
將具備除上述以外之層之保護罩構件51之另一例示於圖14。圖14之保護罩構件51H藉由配置於第3黏著層52中與基材膜55側為相反側之主面65之構件53構成部分61，除此以外，具有與保護罩構件51G相同之構成。構件53可採用之構成如上所述。
基材膜55可具有與基材膜3相同之構成。第4黏著層56可具有與第2黏著層4相同之構成。
保護罩構件51之面積可採用與第1保護罩構件1相同之範圍。但是，保護罩構件51之面積根據配置之對象物之種類，可為較上述範圍大之值。再者，保護罩構件51之面積越小則越難去除之方面與第1保護罩構件1相同。
具備基材膜55之保護罩構件51與保護罩構件1同樣地，藉由保護膜2及基材膜55之組合，例如可藉由高溫下之處理，使部分61向上方彎曲(捲曲)。換言之，保護罩構件51可具有部分61能夠向上方捲曲之構成。藉由向上方捲曲，可更確實得實施保護罩構件51之去除。保護膜2及基材膜55之組合之例與保護罩構件1中之保護膜2及基材膜3之組合之例相同。
關於保護罩構件51，將該構件51固定於不鏽鋼板之表面，於自25℃以升溫速度1℃/s加熱處理至260℃時部分61能夠產生之捲曲之程度表示為捲曲率，可為110%以上，亦可為130%以上、200%以上、250%以上，進而可為290%以上。捲曲率根據以不鏽鋼板之上述表面為基準之部分61之最大高度(將加熱處理前設為H0 ，將加熱處理後設為H1 )，利用式：捲曲率(%)＝H1 /H0 ×100求出。再者，保護罩構件51固定於不鏽鋼板係利用第3黏著層52進行。
能夠配置保護罩構件51之對象物及對象物之面、以及配置有保護罩構件51之對象物之處理等與第1保護罩構件1相同。
保護罩構件51例如可藉由保護膜2及第3黏著層52之形狀加工及積層、以及配置面60中之部分61之形成而製造。
保護罩構件51與第1保護罩構件1同樣地，可於配置於剝離紙或剝離襯墊等剝離片材上之狀態下供給。其具體態樣與第1保護罩構件1之情形相同。
將使用保護罩構件51之態樣之一例示於圖15。
如圖15(a)所示，於具有開口32之對象物31之表面33，以保護膜2覆蓋開口32之方式配置保護罩構件51。保護罩構件51通常以於積層方向上觀察，第3黏著層52不覆及開口32之方式配置。其次，對配置有保護罩構件51之對象物31實施特定之處理(圖15(b))。處理後，自表面33去除保護罩構件51(圖15(c))。去除可自保護罩構件51之配置面60中之部分61側實施。
使用保護罩構件51之態樣與第1保護罩構件1同樣地不限定於上述例。
本發明揭示以下之各項α～ζ所示之第2保護罩構件。
[α] 一種保護罩構件，其配置於具有形成有開口之面之對象物之上述面，以防止異物進入上述開口，且由積層體構成，該積層體包含： 保護膜，其具有於上述保護罩構件配置於上述面時覆蓋上述開口之形狀；及 黏著層(第3黏著層)，其將上述保護罩構件固定於上述面； 上述保護罩構件中面向上述面之配置面之一部分為低黏著面及/或非黏著面。
[β] 如項α之保護罩構件，其中上述配置面之一部分係使上述黏著層之黏著性降低後之處理面。
[γ] 如項α之保護罩構件，其中上述配置面之一部分係由配置於上述黏著層之與上述保護膜側為相反側之主面的另一構件構成。
[δ] 如項α之保護罩構件，其中垂直於上述保護膜之主面觀察時， 與上述保護膜之一部分區域重疊地配置著上述黏著層，與上述保護膜之另一部分區域重疊地配置著不同於上述黏著層之另一構件， 上述配置面之一部分係由上述另一構件構成。
[ε] 如項γ或δ之保護罩構件，其中上述另一構件為膜。
[ζ] 如項α至ε中任一項之保護罩構件，其中上述配置面之一部分於上述積層體之積層方向觀察，由上述配置面之外周之一部分區間及連結該區間之兩端之線包圍。
[構件供給用片材] 將本發明之構件供給用片材之一例示於圖16。圖16之構件供給用片材11具備基材片材12、以及配置於基材片材12上之複數個保護罩構件1。構件供給用片材11係用以供給保護罩構件1之片材。根據構件供給用片材11，例如對於配置於對象物之面之步驟，可有效率地供給保護罩構件1。
於圖16之例中，基材片材12上配置著2個以上之保護罩構件1。配置於基材片材12上之保護罩構件1之數量亦可為1。
構成基材片材12之材料之例為紙、金屬、樹脂及該等之複合材料。金屬例如為不鏽鋼及鋁。樹脂例如為PET等聚酯、聚乙烯及聚丙烯等聚烯烴。但是，構成基材片材12之材料並不限定於上述例。
保護罩構件1可經由該構件1所具備之黏著層(例如第1黏著層5)配置於基材片材12。此時，亦可對基材片材12中之保護罩構件1之配置面，實施使自基材片材12之脫模性提高之脫模處理。脫模處理可藉由公知之方法實施。
保護罩構件1亦可經由設置於基材片材12中之保護罩構件1之配置面的黏著層、典型而言為弱黏著層而配置於基材片材12上。
基材片材12之厚度例如為1～200 μm。
圖16之構件供給用片材11及基材片材12為帶狀。複數個保護罩構件1沿一方向(基材片材12之延伸方向)串聯地配置於帶狀基材片材12上。但是，構件供給用片材11之形狀、基材片材12之形狀及基材片材12中之保護罩構件1之配置之形態並不限定於該例。例如，亦可為具有包含長方形及正方形之多邊形、圓或橢圓等各種形狀的單片狀構件供給用片材11及/或基材片材12。於該情形時，複數個保護罩構件1於垂直於配置面觀察時，可呈鋸齒狀配置，亦可以保護罩構件1之中心位於配置面上之假想格子之交點(格子點)之方式規則配置。格子之例為正方格子、斜方格子、菱形格子。帶狀構件供給用片材11亦可製成捲繞於捲芯而成之捲繞體(卷盤)。再者，保護罩構件1之中心可定義為垂直於基材片材12之表面觀察時之該構件1之形狀之重心。
構件供給用片材11可於基材片材12上配置保護罩構件1而製造。
配置於基材片材12上之保護罩構件亦可代替第1保護罩構件1而為第2保護罩構件51。本發明之構件供給用片材能夠採用之態樣於配置之保護罩構件為第1保護罩構件1之情形以及為第2保護罩構件51之情形時均相同。又，亦可於基材片材12上配置第1保護罩構件1及第2保護罩構件51兩者。本發明之構件供給用片材具備基材片材12、以及配置於基材片材12上之1個或2個以上之第1保護罩構件1及/或第2保護罩構件51。 實施例
以下，藉由實施例進一步詳細地說明本發明。本發明並不限定於以下之實施例所示之態樣。
對本實施例中製作或使用之保護膜、基材膜、黏著層及保護罩構件之評估法進行說明。
[厚度] 保護膜、基材膜及黏著層之厚度係作為對3個部位之測定點利用針盤式厚度規(Mitutoyo製造，測定端子直徑Φ＝10 mm)測得之值之平均值求出。測定溫度設為25±5℃，測定濕度設為65±20%RH。
[尺寸] 保護罩構件之尺寸(深度D1 、D2 及D3 以及寬度W1 、W2 及W3 )利用測定投影機(Mitutoyo製造之PJ-H30)進行測定並確認。測定溫度設為25±5℃，測定濕度設為65±20%RH。又，根據確認之各深度及各寬度算出面積A1 、A2 及A3 (面積A＝深度D×寬度W)。
[線膨脹係數] 保護膜及基材膜之線膨脹係數α(160-200℃)藉由使用熱分析裝置(NETZSCH製造之TMA4000SA)之熱機械分析(TMA)進行評估。試片之形狀設為寬4 mm×長25 mm之長方形。將準備之試片安裝於上述熱分析裝置，根據TMA曲線(橫軸：溫度，縱軸：試片之長度)，利用下式算出線膨脹係數，TMA曲線係一面向試片之長度方向施加固定之拉伸負載(0.5 gf)一面自25℃以升溫速度10℃/分加熱至260℃而獲得。安裝試片之夾頭間距離設為20 mm。又，將保護膜及基材膜之MD(Machine direction，機械)及TD(Transverse direction，橫向)之各方向作為試片之長度方向而求得線膨脹係數，將該線膨脹係數之平均值作為保護膜及基材膜之線膨脹係數α。下述式中之T1 為160℃，T2 為200℃，L0 為試片之初始長度，L1 為溫度T1 下之試片之長度，L2 為溫度T2 下之試片之長度。
[數1]
Figure 02_image003
[透氣度] 保護膜之厚度方向之透氣度係依據JIS L1096中規定之透氣性測定B法(哥雷式方法)而作為哥雷式透氣度求出。
[捲曲率] 對配置於對象物之面之保護罩構件進行加熱處理時，該構件之一部分區域或部分朝遠離對象物之面之方向(上方)彎曲(捲曲)之程度即捲曲率如下所述進行評估。
將製作之保護罩構件經由露出於與保護膜為相反側之面之黏著層而固定於不鏽鋼板之表面。其次，將保護罩構件連同不鏽鋼板一起收容至靜止型回焊爐(奧原電氣製造之SAR500A)，自25℃以升溫速度1℃/s加熱處理至260℃。使用數位顯微鏡(Nikon製造之PMFSC)，自保護罩構件之側觀察加熱處理前後之上述一部分區域或部分之捲曲程度。根據所得之顯微鏡像，求出以不鏽鋼板之上述表面為基準之保護罩構件之捲曲區域(捲曲部分)之最大高度(加熱處理前：H0 ，加熱處理後：H1 )，利用下式，算出保護罩構件之捲曲率。再者，比較例1、2之保護罩構件未產生因上述加熱處理而向上方彎曲之區域及部分。因此，比較例1、2之保護罩構件之捲曲率設為H0 ＝H1 即100%。 捲曲率(%)＝H1 /H0 ×100
[剝離作業性] 保護罩構件之剝離作業性如下所述進行評估。將製作之保護罩構件經由露出於與保護膜為相反側之面之黏著層而固定於多氯聯苯板之表面。其次，將保護罩構件連同多氯聯苯板收容至靜止型回焊爐(奧原電氣製造之SAR500A)，自25℃以升溫速度1℃/s加熱處理至260℃。其次，自然冷卻至25℃後，實施藉由前端部之寬度為1 mm之金屬製鑷子把持保護罩構件並自多氯聯苯板剝離而去除之剝離作業，藉由目視確認是否由於該作業於多氯聯苯之固定面產生損傷。將未產生損傷之情形設為可(○)，將產生損傷之情形設為不可(×)。再者，實施例1～5之保護罩構件係藉由把持第1部分8A中向外側突出之區域而剝離。實施例6之保護罩構件係藉由把持保護膜及部分61而剝離。比較例1之保護罩構件不具有第1部分8A及部分61，因此藉由把持構件之側面而剝離。比較例2之保護罩構件藉由把持保護膜中向外側突出之部分而嘗試剝離。
[保護膜之準備] 如下所述準備PTFE延伸多孔質膜A作為保護膜。將PTFE Fine Power(大金工業製造之聚四氟乙烯PTFE F-104)100重量份及作為成形助劑之正十二烷(Japan Energy製造)20重量份均勻地混合，使用汽缸將獲得之混合物壓縮後，進行活塞式擠出成形，形成片狀混合物。其次，使形成之片狀混合物通過一對金屬輥而軋製成厚度0.15 mm，進而藉由150℃之加熱去除成形助劑，形成帶狀PTFE片材成形體。其次，以延伸溫度360℃、延伸倍率10倍將形成之片材成形體沿長度方向延伸後，以延伸溫度150℃、延伸倍率10倍沿寬度方向延伸，獲得PTFE延伸多孔質膜A。PTFE延伸多孔質膜A之厚度為25 μm，厚度方向之透氣度藉由哥雷式透氣度表示為0.2秒/100 mL，線膨脹係數為-393×10-6 /℃。
如下所述準備PTFE延伸多孔質膜B作為其他保護膜。於PTFE分散液(PTFE粉末之濃度40重量%，PTFE粉末之平均粒徑0.2 μm，相對於100重量份之PTFE含有6重量份之非離子性界面活性劑)中，相對於100重量份之PTFE添加1重量份之氟系界面活性劑(DIC公司製造之MEGAFAC F-142D)。其次，將長條之聚醯亞胺膜(厚度125 μm)浸漬於PTFE分散液中並提拉，於該膜上形成PTFE分散液之塗佈膜。此時，藉由計量棒，將塗佈膜之厚度設為20 μm。其次，對塗佈膜以100℃加熱1分鐘，繼而以390℃加熱1分鐘，藉此使分散液所含之水蒸發而進行去除，並且使剩餘之PTFE粒子彼此互相黏結而獲得PTFE膜。進而重複上述浸漬及加熱2次後，自聚醯亞胺膜剝離PTFE膜(厚度25 μm)。其次，藉由拉幅機將獲得之PTFE膜沿寬度方向以2倍之延伸倍率延伸。進而，沿長度方向以2.5倍之軋製倍率軋製PTFE膜。藉此，獲得PTFE延伸多孔質膜B。輥軋製裝置中之輥之設定溫度設為170℃。延伸溫度設為170℃。PTFE延伸多孔質膜B之厚度為10 μm，厚度方向之透氣度藉由哥雷式透氣度表示為100秒/100 mL，線膨脹係數為-750×10-6 /℃。
[基材膜之準備] 準備聚醯亞胺膜(東麗杜邦製造之Kapton)作為基材膜。基材膜之厚度為25 μm，線膨脹係數為14×10-6 /℃。
(實施例1) 藉由聚矽氧黏著劑(Dow Toray製造，作為過氧化物硬化型之SH4280，過氧化物之調配量1.2重量份)將PTFE延伸多孔質膜A及基材膜接合而製成積層體。聚矽氧黏著劑之硬化條件設為200℃及3分鐘。利用聚矽氧黏著劑形成之黏著層(第2黏著層4)之厚度設為25 μm。其次，將積層體切成寬10 mm及長100 mm之長方形，形成第1部分8A。其次，將切成寬10 mm及長90 mm之長方形之雙面黏著膠帶(日東電工製造之No.585，厚度50 μm)作為第1黏著層5而與基材膜接合。第1黏著層5之接合以於第1部分8A與第1黏著層5之間一條短邊及兩條長邊一致之方式實施。如此，獲得圖4A、4B所示之長方形保護罩構件(第1部分8A中向外側突出之區域之寬度W1 為10 mm，深度D1 為10 mm，面積A1 為100 mm2 )。再者，雖使用具有厚度方向之透氣性之保護膜，但目的係評估保護罩構件之捲曲率及剝離作業性，因此第2黏著層4、基材膜及第1黏著層5製成不具有厚度方向之透氣性之形狀。因此，製作之保護罩構件不具有厚度方向之透氣性(以後之實施例及比較例中亦相同)。
(實施例2) 將與實施例1同樣製作而成之積層體切成寬5 mm及長50 mm之長方形，形成第1部分8A。其次，將切成寬5 mm及長45 mm之長方形之雙面黏著膠帶(日東電工製造之No.585，厚度50 μm)作為第1黏著層5而與基材膜接合。第1黏著層5之接合以於第1部分8A及第1黏著層5之間一條短邊及兩條長邊一致之方式實施。如此，獲得圖4A、4B所示之長方形保護罩構件(第1部分8A中向外側突出之區域之寬度W1 為5 mm，深度D1 為5 mm，面積A1 為25 mm2 )。
(實施例3) 將與實施例1同樣製作而成之積層體切成寬2.5 mm及長25 mm之長方形，形成第1部分8A。其次，將切成寬2.5 mm及長24.5 mm之長方形之雙面黏著膠帶(日東電工製造之No.585，厚度50 μm)作為第1黏著層5而與基材膜接合。第1黏著層5之接合以於第1部分8A與第1黏著層5之間一條短邊及兩條長邊一致之方式實施。如此，獲得圖4A、4B所示之長方形保護罩構件(第1部分8A中向外側突出之區域之寬度W1 為2.5 mm，深度D1 為0.5 mm，面積A1 為1.25 mm2 )。
(實施例4) 將與實施例1同樣製作而成之積層體切成寬1.0 mm及長10 mm之長方形，形成第1部分8A。其次，將切成寬1.0 mm及長9.5 mm之長方形之雙面黏著膠帶(日東電工製造之No.585，厚度50 μm)作為第1黏著層5而與基材膜接合。第1黏著層5之接合以於第1部分8A與第1黏著層5之間一條短邊及兩條長邊一致之方式實施。如此，獲得圖4A、4B所示之長方形保護罩構件(第1部分8A中向外側突出之區域之寬度W1 為1.0 mm，深度D1 為0.5 mm，面積A1 為0.5 mm2 )。
(比較例1) 將與實施例1同樣製作而成之積層體切成寬10 mm及長100 mm之長方形。其次，將切成寬10 mm及長100 mm之長方形之雙面黏著膠帶(日東電工製造之No.585，厚度50 μm)作為黏著層而與基材膜接合。黏著層之接合以沿積層體之積層方向觀察時積層體之外周與黏著層之外周一致之方式實施。如此，獲得不具有向外側突出之區域之長方形保護罩構件。
(變化例) 將與實施例1同樣製作而成之積層體切成寬10 mm及長100 mm之長方形。其次，將切成寬10 mm及長100 mm之長方形之雙面黏著膠帶(日東電工製造之No.585，厚度50 μm)作為第3黏著層52而與基材膜接合。第3黏著層52之接合以沿積層體之積層方向觀察時積層體之外周與第3黏著層52之外周一致之方式實施。其次，將另一具有一邊10 mm之正方形形狀之聚醯亞胺膜(東麗杜邦製造之Kapton，厚度25 μm)作為構件53配置於第3黏著層52之露出面。配置係以另一聚醯亞胺膜之三邊與第3黏著層52之一條短邊及兩條長邊一致之方式實施。如此，獲得藉由作為構件53之聚醯亞胺膜將作為非黏著面之部分61形成於黏著面60之圖14所示之長方形保護罩構件(部分61之寬度W2 為10 mm，深度D2 為10 mm，面積A2 為100 mm2 )。
(比較例2) 於基材膜103(寬10 mm×長100 mm之長方形)之一主面藉由實施例1中使用之聚矽氧黏著劑接合作為保護膜101之PTFE延伸多孔質膜A(寬10 mm及長120 mm之長方形)，獲得積層體。聚矽氧黏著劑之硬化條件設為與實施例1相同。利用聚矽氧黏著劑形成之黏著層102之厚度設為25 μm。接合係以沿積層體之積層方向觀察時基材膜103及保護膜101之長邊及中心一致之方式實施。其次，將切成寬10 mm及長100 mm之長方形之雙面黏著膠帶(日東電工製造之No.585，厚度50 μm)作為黏著層104而與基材膜接合。黏著層104之接合以於積層方向上觀察時基材膜103之外周與黏著層104之外周一致之方式實施。如此，獲得保護膜101具有於積層方向上觀察時自基材膜103及黏著層102、104之外周向外側突出之部分105之保護罩構件100(參照圖17A及圖17B)。保護膜101中突出部分105之寬度W3 為10 mm，深度D3 為10 mm，面積A3 為100 mm2 。
(實施例5) 使用PTFE延伸多孔質膜B代替PTFE延伸多孔質膜A作為保護膜，除此以外，與實施例1同樣地獲得圖4A、4B所示之長方形保護罩構件(第1部分8A中向外側突出之區域之寬度W1 為10 mm，深度D1 為10 mm，面積A1 為100 mm2 )。
將關於製作之各保護罩構件之評估結果示於以下之表1。
[表1]
   實施例 變化例 比較例
1 2 3 4 5 1 2
線膨脹係數×10-6 /℃ 保護膜 -393 -393 -393 -393 -750 -393 -393 -393
基材膜 14 14 14 14 14 14 14 14
突出區域或部分61 寬度W(mm) 10 5 2.5 1.0 10 10 - 10
深度D(mm) 10 5 0.5 0.5 10 10 - 10
W/D 1.0 1.0 5.0 2.0 1.0 1.0 - 1.0
面積A(mm2 ) 100 25 1.25 0.5 100 100 - 100
捲曲率(%) 389 260 137 114 456 290 100 100
剝離作業性 ○ ○ ○ ○ ○ ○ × ×*1)
* 1 ) 把持之保護膜凝聚破壞，因此無法剝離
如表1所示，實施例及變化例之保護罩構件可確保剝離作業性。捲曲率越大，剝離作業性越良好。實施例之保護罩構件中，第1部分8A中向外側突出之區域之面積越大，又，保護膜與基材膜之線膨脹係數之差越大，則捲曲率變得越大。 [產業上之可利用性]
本發明之保護罩構件例如可用於製造具備MEMS等半導體元件之電路基板。
1:保護罩構件 1A:保護罩構件 1B:保護罩構件 1C:保護罩構件 1D:保護罩構件 1E:保護罩構件 2:保護膜 3:基材膜 4:第2黏著層 5:第1黏著層 6:外周面 7:階差 7A:階差 7B:階差 8A:第1部分 8B:第2部分 9:外周 10:外周 11:構件供給用片材 12:基材片材 31:對象物 32:開口 33:表面 51:保護罩構件 51A:保護罩構件 51B:保護罩構件 51C:保護罩構件 51D:保護罩構件 51E:保護罩構件 51F:保護罩構件 51G:保護罩構件 51H:保護罩構件 52:第3黏著層 53:構件 54:構件 55:基材膜 56:第4黏著層 60:配置面 61:部分 61A:部分 61B:部分 62:部分 63:外周 64:線 65:主面 66:2之一部分區域 67:2之另一部分區域 100:保護罩構件 101:保護膜 102:黏著層 103:基材膜 104:黏著層 105:部分
圖1A係模式性地表示第1保護罩構件之一例之剖視圖。 圖1B係自第1黏著層5側觀察圖1A之保護罩構件所得之俯視圖。 圖2A係模式性地表示第1保護罩構件之另一例之剖視圖。 圖2B係自第1黏著層5側觀察圖2A之保護罩構件所得之俯視圖。 圖3A係模式性地表示第1保護罩構件之又一例之剖視圖。 圖3B係自第1黏著層5側觀察圖3A之保護罩構件所得之俯視圖。 圖4A係模式性地表示第1保護罩構件之再一例之剖視圖。 圖4B係自第1黏著層5側觀察圖4A之保護罩構件所得之俯視圖。 圖5A係模式性地表示第1保護罩構件之不同於上述之另一例之剖視圖。 圖5B係自第1黏著層5側觀察圖5A之保護罩構件所得之俯視圖。 圖6(a)～(c)係模式性地表示第1保護罩構件之使用態樣之一例之步驟圖。 圖7A係模式性地表示第2保護罩構件之一例之剖視圖。 圖7B係自第3黏著層52側觀察圖7A之保護罩構件所得之俯視圖。 圖8A係模式性地表示第2保護罩構件之另一例之剖視圖。 圖8B係自第3黏著層52側觀察圖8A之保護罩構件所得之俯視圖。 圖9A係模式性地表示第2保護罩構件之又一例之剖視圖。 圖9B係自第3黏著層52側觀察圖9A之保護罩構件所得之俯視圖。 圖10係模式性地表示第2保護罩構件之再一例之俯視圖。 圖11係模式性地表示第2保護罩構件之不同於上述之另一例之俯視圖。 圖12係模式性地表示第2保護罩構件之不同於上述之另一例之俯視圖。 圖13係模式性地表示第2保護罩構件之不同於上述之另一例之剖視圖。 圖14係模式性地表示第2保護罩構件之不同於上述之另一例之剖視圖。 圖15(a)～(c)係模式性地表示第2保護罩構件之使用態樣之一例之步驟圖。 圖16係模式性地表示本發明之構件供給用片材之一例之立體圖。 圖17A係模式性地表示比較例2中製作之保護罩構件之剖視圖。 圖17B係自黏著層104側觀察圖17A之保護罩構件所得之俯視圖。
1:保護罩構件
1A:保護罩構件
2:保護膜
3:基材膜
4:第2黏著層
5:第1黏著層
6:外周面
7:階差
8A:第1部分
8B:第2部分

Claims (14)

  1. 一種保護罩構件，其配置於具有形成有開口之面之對象物之上述面，以防止異物進入上述開口，且由積層體構成，該積層體包含： 保護膜，其具有於上述保護罩構件配置於上述面時覆蓋上述開口之形狀； 基材膜，其與上述保護膜接合；及 第1黏著層，其將上述保護罩構件固定於上述面； 上述保護罩構件之外周面於上述積層體之積層方向上有階差， 上述保護罩構件之第1部分於上述階差中相比上述保護罩構件之第2部分更朝外側突出，上述保護罩構件之第1部分於將上述保護罩構件配置於上述面時位於較上述階差更遠離上述面之側，上述保護罩構件之第2部分位於較上述階差更接近上述面之側 上述保護膜及上述基材膜位於上述第1部分。
  2. 如請求項1之保護罩構件，其中上述保護膜具有厚度方向之透氣性。
  3. 如請求項1或2之保護罩構件，其中上述保護膜由耐熱性材料構成。
  4. 如請求項1之保護罩構件，其中上述保護膜包含聚四氟乙烯延伸多孔質膜。
  5. 如請求項1至4中任一項之保護罩構件，其中上述基材膜位於上述保護膜與上述第1黏著層之間。
  6. 如請求項1至5中任一項之保護罩構件，其中沿上述積層方向觀察，上述基材膜具有與上述保護膜之外周一致之外周。
  7. 如請求項1至6中任一項之保護罩構件，其中上述基材膜由耐熱性材料構成。
  8. 如請求項1至7中任一項之保護罩構件，其中上述保護膜與上述基材膜藉由第2黏著層接合。
  9. 如請求項1至8中任一項之保護罩構件，其中上述第1黏著層位於上述第2部分。
  10. 如請求項1至9中任一項之保護罩構件，其中上述第1黏著層由雙面黏著膠帶構成。
  11. 如請求項1至10中任一項之保護罩構件，其中上述外周面具有形成於上述外周面之圓周方向之一部分區間的上述階差。
  12. 如請求項1至11中任一項之保護罩構件，其中沿上述積層方向觀察，上述第1部分為圓、橢圓或正多邊形， 上述階差係藉由上述第2部分之外周較上述第1部分之外周向內側後退而形成。
  13. 如請求項1至12中任一項之保護罩構件，其中上述保護膜之面積為175 mm2 以下。
  14. 一種構件供給用片材，其具備基材片材、以及配置於上述基材片材上之1個或2個以上之保護罩構件，且 上述保護罩構件係如請求項1至13中任一項之保護罩構件。
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