TW202109810A - 封裝結構及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種封裝結構，包括金屬層、絕緣複合層、封膠、晶片、線路層結構及保護層。絕緣複合層配置於金屬層上。封膠結合於絕緣複合層上。晶片嵌埋於封膠中，並具有多個外露於封膠的電極墊。線路層結構形成於封膠及晶片上。線路層結構包括至少一介電層以及至少一線路層。介電層具有多個導電盲孔，並與封膠具有相同的一材料組成。線路層位於介電層上並延伸至導電盲孔中，且最底層之線路層藉由導電盲孔電性連接於電極墊。保護層形成於線路層結構上。保護層具有多個開口，使得線路層結構之部分表面外露於開口中。

Description

封裝結構及其製造方法

本發明是有關於一種封裝結構及其製造方法。

隨著半導體封裝技術的演進，除了傳統打線式(Wire bonding)半導體封裝技術以外，目前半導體裝置(Semiconductor device)已開發出不同的封裝型態，例如直接在封裝基板(package substrate)中嵌埋並電性整合具有積體電路之半導體晶片，以縮減整體體積並提昇電性功能。

為了符合縮短導線長度及降低整體結構厚度、及因應高頻化、微小化的趨勢要求，遂發展出於無核心層(coreless)之承載板上對嵌埋晶片基板進行加工的方法。然而，由於無核心層之承載板缺乏硬質之核心板體作支撐，導致強度不足，因而整體結構容易發生翹曲(warpage)現象。

有鑑於此，本發明之一目的在於提出一種可解決上述問題的封裝結構及其製造方法。

為了達到上述目的，本發明之一態樣是提供一 種封裝結構。此封裝結構包含金屬層、絕緣複合層、封膠、晶片、線路層結構以及保護層。絕緣複合層配置於金屬層上。封膠結合於絕緣複合層上。晶片嵌埋於封膠中。晶片具有多個電極墊，電極墊外露於封膠。線路層結構形成於封膠以及晶片上。線路層結構包括至少一介電層以及至少一線路層。介電層具有多個導電盲孔。介電層與封膠具有相同的一材料組成。線路層位於介電層上並延伸至導電盲孔中，且最底層之線路層藉由導電盲孔電性連接於電極墊。保護層形成於線路層結構上。保護層具有多個開口，使得線路層結構之部分表面外露於開口中。

根據本發明的一或多個實施方式，介電層與封膠的材料包含樹脂、玻璃纖維及感光介電材料。

根據本發明的一或多個實施方式，樹脂包含酚醛樹脂、環氧樹脂、聚亞醯胺樹脂及聚四氟乙烯。

根據本發明的一或多個實施方式，晶片具有一晶片底面，晶片底面外露於封膠。

根據本發明的一或多個實施方式，絕緣複合層包含一複合材料，複合材料包含一絕緣無機材料及一有機材料。

根據本發明的一或多個實施方式，絕緣複合層為一仿珍珠層。

本發明的另一態樣是提供一種封裝結構的製造方法，包含以下步驟：提供承載板，承載板包含支持層、第一剝離層、第二剝離層以及多個金屬層，第一剝離層及第二剝離層分別配置於支持層的相對兩表面上，金屬層配置於第一剝 離層及第二剝離層上；配置一絕緣複合層於各金屬層上；結合一嵌埋晶片基板於各絕緣複合層上，其中各嵌埋晶片基板包括一晶片以及一封膠，晶片嵌埋於封膠中，且晶片具有多個電極墊，電極墊外露於封膠；形成一線路層結構於各嵌埋晶片基板上，其中各線路層結構包括至少一介電層以及至少一線路層，介電層具有多個導電盲孔，介電層與封膠具有相同的一材料組成，線路層位於介電層上並延伸至導電盲孔中，且線路層藉由導電盲孔電性連接於電極墊；形成一保護層於線路層結構上，其中保護層具有多個開口，使得線路層結構之部分表面外露於開口中；移除支持層、第一剝離層及第二剝離層，以形成兩封裝基板；以及切割封裝基板，以得到多個封裝結構。

根據本發明的一或多個實施方式，配置嵌埋晶片基板於絕緣複合層上的步驟包括：研磨嵌埋晶片基板的封膠的一底面至外露出晶片的一底面，以形成一研磨後的嵌埋晶片基板；以及配置研磨後的嵌埋晶片基板於絕緣複合層上。

根據本發明的一或多個實施方式，介電層與封膠的材料包含樹脂、玻璃纖維及感光介電材料。

根據本發明的一或多個實施方式，樹脂包含酚醛樹脂、環氧樹脂、聚亞醯胺樹脂及聚四氟乙烯。

10‧‧‧方法

100‧‧‧封裝基板

100A‧‧‧封裝結構

100B‧‧‧封裝結構

110‧‧‧承載板

112‧‧‧支持層

114‧‧‧第一剝離層

116‧‧‧第二剝離層

118‧‧‧金屬層

120‧‧‧絕緣複合層

130‧‧‧封膠

130S‧‧‧底面

140‧‧‧晶片

140a‧‧‧第一表面

140b‧‧‧第二表面(底面)

142‧‧‧晶片基板

144‧‧‧電極墊

150‧‧‧第一線路層結構

152‧‧‧第一介電層

152a‧‧‧第一導電盲孔

154‧‧‧第一線路層

20‧‧‧嵌埋晶片基板

250‧‧‧第二線路層結構

252‧‧‧第二介電層

252a‧‧‧第二導電盲孔

254‧‧‧第二線路層

160‧‧‧保護層

162‧‧‧開口

CL‧‧‧切線

S01~S07‧‧‧步驟

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖繪示本發明一實施方式之封裝結構的製造方法的流程圖。

第2~9圖繪示本發明之一實施方式之製造方法中各製程階段的剖面示意圖。

第10圖繪示本發明之另一實施方式之封裝結構的剖面示意圖。

以下將以圖式揭露本發明之多個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

本發明之一態樣是提供一種封裝結構的製造方法，藉由此製造方法所得到的封裝結構具有較高的結構強度，能夠防止承載板產生翹曲現象，從而得以提升製程良率及封裝結構的可靠度。第1圖繪示本發明一實施方式之封裝結構100的製造方法10的流程圖，第2~9圖繪示方法10中各製程階段的剖面示意圖。如第1圖所示，方法10包含步驟S01至步驟S07。

首先執行步驟S01。如第2圖所示，提供承載板110。具體的說，承載板110包含支持層112、第一剝離層114、第二剝離層116以及多個金屬層118。第一剝離層114及第二剝離層116分別配置於支持層112的相對兩表面上，且金屬層118配置於第一剝離層114及第二剝離層116上。 在某些實施方式中，支持層112之材質例如可以是雙順丁烯二酸醯亞胺/三氮阱(Bismaleimide triazine，BT)等的有機聚合材料，且支持層112亦可為相對兩表面全面結合有介電材(例如為預浸材(prepreg))之銅箔基板(Copper Clad Laminate，CCL)(圖未示)。在某些實施方式中，第一剝離層114和第二剝離層116可各自為離型膜(release film)，或者可運用其他技術來提供剝離層114/116，如：Mitsui、Nippon-Denk、Furukawa、或Olin等公司所提供之銅箔結合剝離層等材料。在某些實施方式中，金屬層118的厚度例如可選自1微米至10微米的範圍，但不限於此，且金屬層118之材質例如可為銅、鋁、鎳、銀、金或其合金，但不限於此。在其他實施方式中，金屬層118不侷限為單層，也可以為多層金屬層118的疊層。

在另外某些實施方式中，支持層112之相對兩表面與第一剝離層114或第二剝離層116之間亦可包括另一金屬層(圖未示)。上述另一金屬層的厚度可為5微米至40微米，其材料可相同或不同於金屬層118，例如可為銅、鋁、鎳、銀、金或其合金，但不限於此。

接著執行步驟S02。如第3圖所示，配置絕緣複合層120於金屬層118上。可以理解的是，步驟S02及其後續的步驟S03~S07可形成在承載板110的某一表面上，也可以形成在承載板110的相對兩表面上。在本實施方式中，將以承載板110的雙面製作為例說明。在多個實施方式中，絕緣複合層120包含複合材料，且此複合材料包含絕緣無機材 料及有機材料。進一步來說，絕緣無機材料可以為陶瓷材料，例如包括氧化鋯、碳化矽、氮化矽、氧化鋁、氧化矽或前述之組合，而有機材料可以為高分子材料，例如包括環氧樹脂、聚亞醯胺、液晶聚合物、甲基丙烯酸酯型樹脂、聚丙烯酸酯型樹脂、烯丙基型樹脂、乙烯苯基型樹脂、聚矽氧烷型樹脂、聚烯烴型樹脂、聚胺型樹脂、聚醚型樹脂或前述之組合。在一實施例中，陶瓷材料可以是陶瓷層片、陶瓷粉末、陶瓷微顆粒或陶瓷奈米顆粒等，但本實施例的陶瓷材料並不以此為限。

在陶瓷粉末實施例中，絕緣複合層120的製作方法可運用真空浸漬技術將高分子材料浸滲於陶瓷粉末中，以製備出由陶瓷粉末與高分子材料組成之複合材料所構成的絕緣複合層120。在高分子材料例如是環氧系樹脂和醯亞胺系樹脂的感光性樹脂組合物的實施例中，例如透過熱壓合或者真空浸漬後照射紫外光及加熱的方式將絕緣複合層120配置於金屬層118上。

在陶瓷層片實施例中，絕緣複合層120例如可為一仿珍珠層(imitation nacreous layer)，其製作方法可運用真空浸漬技術將高分子材料浸滲於陶瓷層片中，以製備出由陶瓷層片與高分子材料組成之複合材料所構成的絕緣複合層120。然而，本實施例的絕緣複合層120的製造方法並不以此為限，亦可採用其他能夠使高分子材料與陶瓷材料形成複合材料的方法。在陶瓷層片實施例中，更詳細而言，絕緣複合層120包含有機物與無機物的複合組成(例如高分 子材料與陶瓷層片的複合組成)，基於有機物對無機物的黏附作用，絕緣複合層120的陶瓷層片具有片狀、磚狀或其組合排列的微觀層疊結構，這種排列抑制了橫向破裂力量的傳導，進而顯著地增加其硬度。如此一來，使得材質較為堅固且具有較高的彈性模量，能夠提高陶瓷強度並改善陶瓷脆性，同時具有極好的韌性。

此處，絕緣複合層120的楊氏係數例如為介於20GPa至100GPa之間。相較於習知常用的介電層(其楊氏係數不大於10GPa)以及封裝材料(其楊氏係數不大於20GPa)而言，本實施例的絕緣複合層120具有極好的硬度，可有效強化封裝結構的結構強度。

執行步驟S03。參照第4圖，結合嵌埋晶片基板20於絕緣複合層120上。具體來說，嵌埋晶片基板20可分別配置於兩面絕緣複合層120的兩相對表面上。嵌埋晶片基板20包含封膠130及晶片140。晶片140嵌埋於封膠130中，並具有第一表面140a以及與其相對的第二表面140b。晶片140包含晶片基板142及多個電極墊144。在多個實施方式中，電極墊144外露於第一表面140a，且第二表面140b被封膠130覆蓋。值得注意的是，電極墊144亦外露於封膠130。晶片140例如可以是主動元件(active element)或被動元件(passive elements)、數位電路或類比電路等積體電路的電子元件(electronic cormponents)、內埋式晶片模組(ECM)、動態隨機存取記憶體(DRAM)元件、靜態隨機存取記憶體(SRAM)元件、光電元件(opto electronic devices)、微機電系統(Micro Electro Mechanical Systems,MEMS)、微流體系統(micro fluidic systems)、或利用熱、光線及壓力等物理量變化來測量的物理感測器(physical sensor)、射頻元件(RF circuits)、加速計(accelerators)、陀螺儀(gyroscopes)、微制動器(micro actuators)、表面聲波元件、壓力感測器(pressure sensors)等，但不以此為限。第4圖中的晶片140僅以示意，實際長寬高尺寸依照產品需求調整，不以此為限。

在多個實施方式中，封膠130之材質可包含樹脂與玻璃纖維。舉例來說，樹脂可為酚醛樹脂、環氧樹脂、聚亞醯胺樹脂或聚四氟乙烯。或者，封膠130之材質也可包含感光介電材料(Photo-imageable Dielectric)。

在某些實施方式中，結合嵌埋晶片基板20於絕緣複合層120上的方法例如可藉由一黏著層(圖未示)來進行。具體而言，可先將黏著層黏著於嵌埋晶片基板20之底面20S，再將嵌埋晶片基板20結合於絕緣複合層120上。在一實施例中，上述之黏著層可包括散熱性強或耐高溫之散熱劑，但本發明不以此為限。

執行步驟S04。參照第5圖，形成第一線路層結構150於嵌埋晶片基板20上。第一線路層結構150包含至少一第一介電層152以及至少一第一線路層154。可以理解的是，構成線路層結構150之最小單位為一介電層以及一線路層，本發明所屬技術領域中具有通常知識者可以視實際需要彈性選擇介電層以及線路層的層數。第一介電層152具有多 個第一導電盲孔152a。第一線路層154位於第一介電層152上，並連接或延伸至第一導電盲孔152a中。最底層之第一線路層154藉由第一導電盲孔152a電性連接於電極墊144。

在多個實施方式中，第一介電層152之材質可包含樹脂與玻璃纖維。舉例來說，樹脂可為酚醛樹脂、環氧樹脂、聚亞醯胺樹脂或聚四氟乙烯。或者，第一介電層152之材質也可包含感光介電材料(Photo-imageable Dielectric)。值得注意的是，在本發明中，封膠130與第一介電層152具有相同的材料組成。相較於傳統技術中封膠與介電層為異質材料的作法，本發明通過使得封膠130與第一介電層152具有相同的材料組成，能夠避免異質材料的接觸面之間存在斷面所造成的張力不均勻問題，從而增加整體結構的強度，使得在後續製程中對嵌埋晶片基板進行加工時，封裝結構不容易發生翹曲(warpage)。

在一些實施方式中，形成第一介電層152的方法例如可為層壓(Lamination)、塗佈或其他合適的製程。在一些實施方式中，形成製作第一導電盲孔152a所需盲孔的方法包括但不限於，對第一介電層152使用雷射燒蝕(Laser ablation)形成盲孔，或是當第一介電層152之材質選用感光介電材料時，使用曝光顯影以形成盲孔，用於製作第一導電盲孔152a。

在一些實施方式中，形成第一線路層154的方式包括但不限於先在第一介電層152上形成例如是乾膜的光阻層(圖未示)，再經由微影製程對光阻層進行圖案化，以 露出部分的第一介電層152。接著進行電鍍製程形成第一線路層154。隨後移除圖案化光阻層。在一實施例中，第一線路層154與第一導電盲孔152a之材質例如可為銅。在其他實施方式中，可於形成第一線路層154之前，先在第一介電層152上形成晶種層(seed layer)(圖未示)。晶種層可為單層結構或是由不同材料之子層所組成的多層結構，例如可為包含鈦層以及位於鈦層上的銅層之金屬層。晶種層的形成方法包括但不限於物理方式，例如濺鍍鈦銅，或者化學方式，例如化鍍鈀銅加電鍍銅。

值得注意的是，如第6圖所示，在另一些實施方式中，方法10也可包含形成第二線路層結構250於嵌埋晶片基板20上方。具體來說，第二線路層結構250包含至少一第二介電層252以及至少一第二線路層254。第二介電層252具有多個第二導電盲孔252a。第二線路層254位於第二介電層252上，並連接或延伸至第二導電盲孔252a中，且最底層之第二線路層254藉由第二導電盲孔252a電性連接於電極墊144。可以理解的是，構成第二線路層結構250之最小層別數為一介電層以及一線路層，本發明所屬技術領域中具有通常知識者可以視實際需要彈性選擇介電層以及線路層的層數。

有關第二介電層252、第二線路層254以及第二導電盲孔252a之形成方法和材質例如可分別與前述第一介電層152、第一線路層154以及第一導電盲孔152a之形成方法和材質相同，在此不再贅述。換言之，在本發明中，封膠 130、第一介電層152及第二介電層252可具有相同的材料組成。

接著執行步驟S05。如第7圖所示，形成保護層160於第二線路層結構250上。保護層160具有多個開口162，使得第二線路層結構250之部分表面外露於開口162中。具體而言，如第9圖所示，第二線路層結構250最外層之第二線路層254之部分表面外露於開口162中。在多個實施方式中，保護層160之材質可為防焊材料，也可為樹脂材料，例如環氧樹脂。或者，保護層160之材質也可與上述第一介電層152或第二介電層252的材質一致。保護層160的形成方法可例如為貼合、印刷或塗佈等方式。

接著，執行步驟S06。如第8圖所示，移除支持層112、第一剝離層114及第二剝離層116，以形成兩個封裝結構100。因此，相較於傳統單面製作容易因為結構的不對稱而導致發生翹曲現象的問題，本發明的方法10藉由同時於支持層112之相對兩表面上進行相同製程來形成上下對稱的兩封裝結構100，可以避免支持層112兩端發生翹曲現象，從而能夠提升整體封裝結構的可靠度。不僅如此，由於封裝結構100之底部具有金屬層118，因此晶片140所產生的熱能可以藉由金屬層118的傳導而排除，進而達到散熱的效果。

接下來，執行步驟S07。如第9圖所示，切割各封裝基板100，以得到複數個封裝結構100A。在一些實施方式中，切割各封裝基板100的方式包括沿著第8圖中的切線CL 切割各封裝基板100，以得到複數個封裝結構100A。應理解的是，若每個封裝基板100能夠產生N個封裝結構100A，則經由上述製造方法10所形成的兩個封裝基板100就能產生2N個封裝結構100A，因而能夠有效地提升產品生產的數量。

本發明之另一態樣是提供一種封裝結構。第9圖繪示本發明一實施方式之封裝結構100A的剖面示意圖。封裝結構100A包含金屬層118、絕緣複合層120、封膠130、晶片140、第一線路層結構150以及保護層160。絕緣複合層120配置於金屬層118上。封膠130結合於絕緣複合層120上。晶片140嵌埋於封膠130中。晶片140具有多個電極墊144，電極墊144外露於封膠130。第一線路層結構150形成於封膠130以及晶片140上。第一線路層結構150包括至少一第一介電層152以及至少一第一線路層154。第一介電層152具有多個第一導電盲孔152a。第一介電層152與封膠130具有相同的一材料組成。第一線路層154位於第一介電層152上並延伸至第一導電盲孔152a中，且最底層之第一線路層154藉由第一導電盲孔152a電性連接於電極墊144。可以理解的是，構成第一線路層結構150之最小層別數為一介電層以及一線路層，本發明所屬技術領域中具有通常知識者可以視實際需要彈性選擇介電層以及線路層的層數。保護層160形成於第一線路層154結構上。保護層160具有多個開口162，使得第一線路層154結構之部分表面外露於開口162中。

金屬層118、絕緣複合層120、封膠130、晶片140、第一線路層結構150以及保護層160之形成方法和材質 已清楚描述於上文，在此不再贅述。值得注意的是，在本發明中，封膠130與第一介電層152具有相同的材料組成。相較於傳統技術中封膠與介電層為異質材料的作法，本發明通過使得封膠130與第一介電層152具有相同的材料組成，能夠避免異質材料的接觸面之間存在斷面所造成的張力不均勻問題，從而增加整體結構的強度，使得在後續製程中對嵌埋晶片基板進行加工時，封裝結構不容易發生翹曲(warpage)。

在另一些實施方式中，封裝結構100A包含第二線路層結構250。第二線路層結構250位於嵌埋晶片基板20上方。第二線路層結構250包含至少一第二介電層252以及至少一第二線路層254。第二介電層252具有多個第二導電盲孔252a。第二線路層254位於第二介電層252上，並連接或延伸至第二導電盲孔252a中，且最底層之第二線路層254藉由第二導電盲孔252a電性連接於電極墊144。可以理解的是，構成第二線路層結構250之最小層別數為一介電層以及一線路層，本發明所屬技術領域中具有通常知識者可以視實際需要彈性選擇介電層以及線路層的層數。封膠130、第一介電層152及第二介電層252可具有相同的材料組成。

第10圖為本發明另一實施方式之封裝結構100B的剖面示意圖。本實施方式的封裝結構100B的製造方法與上述的封裝結構100A的製造方法相似，兩者的差異在於第4圖所示的步驟S03中，在結合嵌埋晶片基板20於絕緣複合層120上時，更包括以下子步驟：研磨封膠130的一底面130S至外露出該晶片140的一底面(第二表面)140b；以及配置研磨後的 嵌埋晶片基板20於該絕緣複合層120上，以形成一研磨後的嵌埋晶片基板12A。研磨封膠的底面130S的方法包括但不限於化學機械研磨(Chemical-Mechanical Polishing，CMP)。結合研磨後的嵌埋晶片基板12A結合至絕緣複合層120上的方法包括但不限於在研磨後的嵌埋晶片基板12A與絕緣複合層120之間設置一黏著層(圖未示)。

值得注意的是，在本實施方式的封裝結構100B中，由於晶片的底面(第二表面)140b外露於封膠130，不但使金屬層118能夠更有效地傳導晶片140所產生的熱能，從而進一步提升散熱效果，同時也減少了封裝結構100B的厚度，有利於產品的薄型化設計。

綜上所述，在本發明的封裝結構及其製造方法中，由於封膠、第一介電層及第二介電層具有相同的材料組成，因此相較於傳統技術中封膠與介電層為異質材料的作法，本發明的封裝結構能夠避免異質材料的接觸面之間存在斷面所造成的張力不均勻問題，從而增加整體結構的強度，使得在後續製程中對嵌埋晶片基板進行加工時，封裝結構不容易發生翹曲(warpage)。

此外，本發明的封裝結構及其製造方法係在絕緣複合層上形成封裝基板，也就是說，可將絕緣複合層視為一強化層，其相較於一般的介電層及封裝材料具有較高的硬度。因此，本發明的封裝結構及其製造方法可透過絕緣複合層來強化整體的結構強度，以防止承載板產生翹曲現象，藉此不但可以提升製程良率，也能提升封裝結構的可靠度。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並不用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作各種的更動與潤飾，因此本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100A‧‧‧封裝結構

118‧‧‧金屬層

120‧‧‧絕緣複合層

130‧‧‧封膠

140‧‧‧晶片

142‧‧‧晶片基板

144‧‧‧電極墊

150‧‧‧第一線路層結構

152‧‧‧第一介電層

152a‧‧‧第一導電盲孔

154‧‧‧第一線路層

20‧‧‧嵌埋晶片基板

250‧‧‧第二線路層結構

252‧‧‧第二介電層

252a‧‧‧第二導電盲孔

254‧‧‧第二線路層

160‧‧‧保護層

162‧‧‧開口

Claims (10)

1. 一種封裝結構，包括：一金屬層；一絕緣複合層，配置於該金屬層上；一封膠，結合於該絕緣複合層上；一晶片，嵌埋於該封膠中，且該晶片具有多個電極墊，該些電極墊外露於該封膠；一線路層結構，形成於該封膠以及該晶片上，其中該線路層結構包括至少一介電層以及至少一線路層，該介電層具有多個導電盲孔，該介電層與該封膠具有相同的一材料組成，該線路層位於該介電層上，並延伸至該些導電盲孔中，且最底層之該線路層藉由該些導電盲孔電性連接於該些電極墊；以及一保護層，形成於該線路層結構上，其中該保護層具有多個開口，使得該線路層結構之部分表面外露於該些開口中。
2. 如請求項1所述之封裝結構，其中該介電層與該封膠的材料包含樹脂、玻璃纖維及感光介電材料。
3. 如請求項2所述之封裝結構，其中該樹脂包含酚醛樹脂、環氧樹脂、聚亞醯胺樹脂及聚四氟乙烯。
4. 如請求項1所述之封裝結構，其中該晶片具有一晶片底面，該晶片底面外露於該封膠。
5. 如請求項1所述之封裝結構，其中該絕緣複合層包含一複合材料，該複合材料包含一絕緣無機材料及一有機材料。
6. 如請求項1所述之封裝結構，其中該絕緣複合層為一仿珍珠層。
7. 一種製造封裝結構的方法，包括：提供一承載板，該承載板包含一支持層、一第一剝離層、一第二剝離層以及多個金屬層，該第一剝離層及該第二剝離層分別配置於該支持層的相對兩表面上，以及該金屬層配置於該第一剝離層及該第二剝離層上；配置一絕緣複合層於各該金屬層上；結合一嵌埋晶片基板於各該絕緣複合層上，其中各該嵌埋晶片基板包括一晶片以及一封膠，該晶片嵌埋於該封膠中，且該晶片具有多個電極墊，該些電極墊外露於該封膠；形成一線路層結構於各該嵌埋晶片基板上，其中各該線路層結構包括至少一介電層以及至少一線路層，該介電層具有多個導電盲孔，該介電層與該封膠具有相同的一材料組成，該線路層位於該介電層上並延伸至該些導電盲孔中，且該線路層藉由該些導電盲孔電性連接於該些電極墊；形成一保護層於該線路層結構上，其中該保護層具有多個開口，使得該線路層結構之部分表面外露於該些開口中；移除該支持層、該第一剝離層及該第二剝離層，以形成兩封裝基板；以及 切割該些封裝基板，以得到多個封裝結構。
8. 如請求項7所述之方法，其中配置該嵌埋晶片基板於該絕緣複合層上的步驟包括：研磨該嵌埋晶片基板的該封膠的一底面至外露出該晶片的一底面，以形成一研磨後的嵌埋晶片基板；以及配置該研磨後的嵌埋晶片基板於該絕緣複合層上。
9. 如請求項7所述之方法，其中該介電層與該封膠的材料包含樹脂、玻璃纖維及感光介電材料。
10. 如請求項9所述之方法，其中該樹脂包含酚醛樹脂、環氧樹脂、聚亞醯胺樹脂及聚四氟乙烯。

Images