TW202107742A - 散熱基板及其製作方法 - Google Patents

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Abstract

一種散熱基板，包括基板、導熱元件、絕緣填充材料、第一線路層以及第二線路層。基板具有第一表面、與第一表面相對的第二表面以及連通第一表面與第二表面的穿槽。導熱元件配置於基板的穿槽內。導熱元件包括絕緣材料層以及至少一金屬層。絕緣填充材料填充於基板的穿槽內，用以將導熱元件固定於基板的穿槽內。第一線路層配置於基板的第一表面上且暴露出部分導熱元件。第二線路層配置於基板的第二表面上。第一線路層與金屬層分別位於絕緣材料層的相對兩側。

Description

散熱基板及其製作方法
本發明是有關於一種基板結構及其製作方法，且特別是有關於一種散熱基板及其製作方法。
一般來說，散熱基板主要是由多層圖案化線路層與至少一絕緣層所構成，其中絕緣層配置於相鄰的二圖案化線路層之間用以達到絕緣的效果。當發熱元件(例如發光二極體)固定於散熱基板上時，發熱元件所產生的熱可經由圖案化線路層以及絕緣層而傳遞至外界，以進行散熱。然而，由於絕緣層的導熱率較差，所以發熱元件所產生的熱經由絕緣層而傳遞至外界時，會造成熱阻(thermal resistance)增加，進而導致散熱不易。
本發明提供一種散熱基板，包括內埋式導熱元件，可同時具備有絕緣特性以及高散熱的效果。
本發明提供一種散熱基板的製作方法，用以製作上述的散熱基板。
本發明的散熱基板包括基板、導熱元件、絕緣填充材料、第一線路層以及第二線路層。基板具有第一表面、與第一表面相對的第二表面以及連通第一表面與第二表面的穿槽。導熱元件配置於基板的穿槽內。導熱元件包括絕緣材料層以及至少一金屬層。絕緣填充材料填充於基板的穿槽內，用以將導熱元件固定於基板的穿槽內。第一線路層配置於基板的第一表面上且暴露出部分導熱元件。第二線路層配置於基板的第二表面上。第一線路層與金屬層分別位於絕緣材料層的相對兩側。
在本發明的一實施例中，上述的導熱元件的厚度為T1，絕緣材料層的厚度為T2，且T2>1/2T1。
在本發明的一實施例中，上述的導熱元件更包括第一導電層。第一導電層配置於第一線路層與絕緣材料層之間，且暴露出部分絕緣材料層。
在本發明的一實施例中，上述的導熱元件更包括金屬接合層。金屬接合層配置於絕緣材料層與金屬層之間，用以連接絕緣材料層與金屬層。
在本發明的一實施例中，上述的導熱元件更包括第二導電層。第二導電層配置於絕緣材料層與金屬接合層之間。
在本發明的一實施例中，上述的導熱元件的散熱係數大於基板的散熱係數，且絕緣材料層的散熱係數大於基板的散熱係數。
在本發明的一實施例中，上述的絕緣材料層的材質包括陶瓷、矽、碳化矽、鑽石或樹脂。
本發明的散熱基板的製作方法包括以下步驟。提供基板。基板具有第一表面以及與第一表面相對的第二表面。形成穿槽，且穿槽連通基板的第一表面與第二表面。配置導熱元件於基板的穿槽內。導熱元件包括絕緣材料層以及至少一金屬層。填充絕緣填充材料於基板的穿槽內，用以將導熱元件固定於基板的穿槽內。形成第一線路層於基板的第一表面上且暴露出部分導熱元件。形成第二線路層於基板的第二表面上。第一線路層與金屬層分別位於絕緣材料層的相對兩側。
基於上述，本發明提供一種散熱基板及其製作方法，其中，由於散熱基板包括內埋式導熱元件，且導熱元件包括絕緣材料層以及至少一金屬層，因而使得導熱元件可同時具備有絕緣特性以及高散熱的效果。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A至圖1D繪示為本發明一實施例的ㄧ種散熱基板的製作方法的剖面示意圖。請參照圖1A，首先，提供基板110。基板110具有第一表面111以及與第一表面111相對的第二表面112。在本實施例中，基板110的材質例如是有機材料，但並不以此為限。
接著，請參照圖1B，在基板110中形成穿槽113，以使穿槽113連通基板110的第一表面111與第二表面112。其中，形成穿槽113的方法例如是沖切或以開槽(routing)方式，但並不以此為限。
請參照圖1C，在基板110的穿槽113內配置導熱元件120，以形成內埋式的導熱元件120。接著，填充絕緣填充材料130於基板110的穿槽113內，也就是將絕緣填充材料130填充於導熱元件120與基板110之間的間隙，以使絕緣填充材料130包圍導熱元件120，進而將導熱元件120固定於基板110的穿槽113內。
具體來說，在本實施例中，導熱元件120至少包括絕緣材料層121以及至少一金屬層122(圖1C示意地繪示為一層)。其中，導熱元件120的散熱係數大於基板110的散熱係數，且絕緣材料層121的散熱係數大於基板110的散熱係數。舉例來說，導熱元件120的散熱係數例如是200~400 W/m*K，較佳地，導熱元件120的散熱係數為250 W/m*K；絕緣材料層121的散熱係數例如是0.5~200 W/m*K，較佳地，絕緣材料層121的散熱係數為180 W/m*K；基板110的散熱係數例如是0.5 W/m*K。此外，絕緣材料層121的材質包括陶瓷、矽、碳化矽、鑽石、樹脂或其他適合的絕緣材料，但並不以此為限，只要使絕緣材料層121的散熱係數能大於基板110的散熱係數即可。金屬層122的材質包括銅、金或其他具有高散熱係數的金屬。
更具體來說，在本實施例中，導熱元件120的厚度為T1，絕緣材料層121的厚度為T2，金屬層122的厚度為T3。其中，由於T2>T3，且T2>1/2T1，使得導熱元件120同時具備有絕緣特性以及高散熱的效果。更進一步來說，在一些實施例中，由於絕緣材料層121的材料成本顯著地高於金屬層122的材料成本，因此，使導熱元件120中的絕緣材料層121的厚度T2小於金屬層122的厚度T3，且使絕緣材料層121的厚度T2小於1/2導熱元件120的厚度T1時，可有效地節省材料成本。舉例來說，由於陶瓷的標準品的厚度為0.38 mm，而超過0.38 mm則會變的相當昂貴，而造成材料成本大幅增加，因此，在一些實施例中，當基板110的厚度T1>1mm且絕緣材料層121為陶瓷時，使絕緣材料層121的厚度T2≦1/2T1(0.5 mm)，則還可具有節省成本的效果。
然後，請參照圖1D，在基板110的第一表面111上形成第一線路層140，並在基板110的第二表面112上形成第二線路層150，以使第一線路層140與第二線路層150分別位於導熱元件120的相對兩側。第一線路層140覆蓋基板110的第一表面111、絕緣填充材料130以及部分的絕緣材料層121。在一些實施例中，第一線路層140可暴露出部分導熱元件120。第一線路層140與金屬層122分別位於絕緣材料層121的相對兩側。第二線路層150覆蓋基板110的第二表面112、絕緣填充材料130以及金屬層122。在本實施例中，形成第一線路層140及第二線路層150的方法例如是電鍍法，但並不以此為限。至此，已完成散熱基板100的製作。
簡言之，本實施例的散熱基板100包括基板110、導熱元件120、絕緣填充材料130、第一線路層140以及第二線路層150。基板110具有第一表面111、與第一表面111相對的第二表面112以及連通第一表面111與第二表面112的穿槽113。導熱元件120配置於基板110的穿槽113內。導熱元件120包括絕緣材料層121以及至少一金屬層122。絕緣填充材料130填充於基板110的穿槽113內，用以將導熱元件120固定於基板110的穿槽113內。第一線路層140配置於基板110的第一表面111上且暴露出部分導熱元件120。第二線路層150配置於基板110的第二表面112上。第一線路層140與金屬層122分別位於絕緣材料層121的相對兩側。其中，由於散熱基板100包括內埋式導熱元件120，且導熱元件120包括絕緣材料層121以及至少一金屬層122，因而使得導熱元件120可同時具備有絕緣特性以及高散熱的效果。
值得說明的是，本實施例的散熱基板100可用來承載一發熱元件(未繪示)並提供良好的散熱效果。發熱元件例如是一電子晶片或一光電元件，但並不以此為限。其中，電子晶片可以是一積體電路晶片，其例如為一繪圖晶片、一記憶體晶片、一半導體晶片等單一晶片或是一晶片模組。光電元件例如是一發光二極體(LED)、一雷射二極體或一氣體放電光源等。
舉例來說，以發光二極體(LED)作為發熱元件為例，可將發光二極體配置於本實施例的散熱基板100的第一線路層140上，並使發光二極體對應於導熱元件120設置。接著，例如是以打線接合的方式使發光二極體電性連接至散熱基板100的第一線路層140。因此，發光二極體所產生的熱可透過其下方的導熱元件120而快速地傳遞至外界。如此一來，本實施例的散熱基板100可以有效地排除發光二極體所產生的熱，進而改善發光二極體的使用效率與使用壽命。
需要說明的是，雖然上述是以發光二極體作為發熱元件為例，並以打線接合的方式使發光二極體電性連接至散熱基板100的第一線路層140，但本發明並不限定發熱元件的型態以及發熱元件與散熱基板100的接合形態。也就是說，在其他實施例中，發熱元件也可以透過多個凸塊(未繪示)以覆晶接合的方式而電性連接至散熱基板的第一線路層。在一些實施例中，發熱元件可為一晶片封裝體(未繪示)，並以表面黏著技術(SMT)安裝至散熱基板。
以下將列舉其他實施例以作為說明。在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖2繪示為本發明另一實施例的ㄧ種散熱基板的剖面示意圖。請同時參考圖1D與圖2，本實施例的散熱基板100a與圖1D中的散熱基板100相似，惟二者主要差異之處在於：散熱基板100a的導熱元件120a更包括第一導電層123，以覆蓋絕緣材料層121。第一導電層123配置於第一線路層140與絕緣材料層121之間。第一導電層123與金屬層122分別位於絕緣材料層121的相對兩側。在一些實施例中，第一導電層123可暴露出部分絕緣材料層121。第一導電層123的材質例如是銅，但並不以此為限。
圖3繪示為本發明另一實施例的ㄧ種散熱基板的剖面示意圖。請同時參考圖2與圖3，本實施例的散熱基板100b與圖2中的散熱基板100a相似，惟二者主要差異之處在於：散熱基板100b的導熱元件120b更包括金屬接合層124。金屬接合層124配置於絕緣材料層121與金屬層122之間，用以連接絕緣材料層121與金屬層122。金屬接合層124的材質例如是錫膏或金，但並不以此為限。
圖4繪示為本發明另一實施例的ㄧ種散熱基板的剖面示意圖。請同時參考圖3與圖4，本實施例的散熱基板100c與圖3中的散熱基板100b相似，惟二者主要差異之處在於：散熱基板100c的導熱元件120c更包括第二導電層125。第二導電層125配置於絕緣材料層121與金屬接合層124之間。第二導電層125的材質例如是銅，但並不以此為限。
綜上所述，本發明提供一種散熱基板及其製作方法，其中，由於散熱基板包括內埋式導熱元件，且導熱元件包括絕緣材料層以及至少一金屬層，因而使得導熱元件可同時具備有絕緣特性以及高散熱的效果。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、100a、100b、100c:散熱基板 110:基板 111:第一表面 112:第二表面 113:穿槽 120、120a、120b、120c:導熱元件 121:絕緣材料層 122:金屬層 123:第一導電層 124:金屬接合層 125:第二導電層 130:絕緣填充材料 140:第一線路層 150:第二線路層 T1、T2、T3:厚度
圖1A至圖1D繪示為本發明一實施例的ㄧ種散熱基板的製作方法的剖面示意圖。 圖2繪示為本發明另一實施例的ㄧ種散熱基板的剖面示意圖。 圖3繪示為本發明另一實施例的ㄧ種散熱基板的剖面示意圖。 圖4繪示為本發明另一實施例的ㄧ種散熱基板的剖面示意圖。
100:散熱基板
110:基板
111:第一表面
112:第二表面
113:穿槽
120:導熱元件
121:絕緣材料層
122:金屬層
130:絕緣填充材料
140:第一線路層
150:第二線路層

Claims (10)

  1. 一種散熱基板，包括： 一基板，具有一第一表面、與該第一表面相對的一第二表面以及連通該第一表面與該第二表面的一穿槽； 一導熱元件，配置於該基板的該穿槽內，該導熱元件包括一絕緣材料層以及至少一金屬層； 一絕緣填充材料，填充於該基板的該穿槽內，用以將該導熱元件固定於該基板的該穿槽內； 一第一線路層，配置於該基板的該第一表面上且暴露出部分該導熱元件；以及 一第二線路層，配置於該基板的該第二表面上，其中該第一線路層與該金屬層分別位於該絕緣材料層的相對兩側。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的散熱基板，其中該導熱元件的厚度為T1，該絕緣材料層的厚度為T2，且T2>1/2T1。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的散熱基板，其中該導熱元件更包括一第一導電層，配置於該第一線路層與該絕緣材料層之間，且暴露出部分該絕緣材料層。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的散熱基板，其中該導熱元件更包括一金屬接合層，配置於該絕緣材料層與該金屬層之間，用以連接該絕緣材料層與該金屬層。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的散熱基板，其中該導熱元件更包括一第二導電層，配置於該絕緣材料層與該金屬接合層之間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的散熱基板，其中該導熱元件的散熱係數大於該基板的散熱係數，且該絕緣材料層的散熱係數大於該基板的散熱係數。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的散熱基板，其中該絕緣材料層的材質包括陶瓷、矽、碳化矽、鑽石或樹脂。
  8. 一種散熱基板的製作方法，包括： 提供一基板，該基板具有一第一表面以及與該第一表面相對的一第二表面； 形成一穿槽，連通該基板的該第一表面與該第二表面； 配置一導熱元件於該基板的該穿槽內，該導熱元件包括一絕緣材料層以及至少一金屬層； 填充一絕緣填充材料於該基板的該穿槽內，用以將該導熱元件固定於該基板的該穿槽內； 形成一第一線路層於該基板的該第一表面上且暴露出部分該導熱元件；以及 形成一第二線路層於該基板的該第二表面上，其中該第一線路層與該金屬層分別位於該絕緣材料層的相對兩側。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的散熱基板的製作方法，其中該導熱元件的厚度為T1，該絕緣材料層的厚度為T2，且T2>1/2T1。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的散熱基板的製作方法，其中該導熱元件的散熱係數大於該基板的散熱係數，且該絕緣材料層的散熱係數大於該基板的散熱係數。
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CN115884526B (zh) * 2022-09-06 2023-09-15 珠海越亚半导体股份有限公司 一种高散热混合基板制作方法及半导体结构

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6449158B1 (en) * 2001-12-20 2002-09-10 Motorola, Inc. Method and apparatus for securing an electronic power device to a heat spreader
TWI408837B (zh) * 2011-02-08 2013-09-11 Subtron Technology Co Ltd 封裝載板及其製作方法
TWI505755B (zh) * 2012-04-13 2015-10-21 Subtron Technology Co Ltd 封裝載板及其製作方法
TWI584420B (zh) * 2015-09-16 2017-05-21 旭德科技股份有限公司 封裝載板及其製作方法
CN107623986A (zh) * 2017-10-12 2018-01-23 许明杰 散热电路板和制备散热电路板的方法
US10643919B2 (en) * 2017-11-08 2020-05-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Fan-out semiconductor package
CN108133915B (zh) * 2017-12-21 2020-04-03 乐健科技（珠海）有限公司 功率器件内置且双面散热的功率模组及其制备方法

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