TW202106733A - 光固化性組成物 - Google Patents
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Abstract
光固化性組成物能包含聚合性材料和光起始劑，其中至少90 wt%之該聚合性材料可包含包括芳香族基團之丙烯酸酯單體。該光固化性組成物能具有不大於15 mPa·s之黏度，在固化後該光固化性組成物之總碳含量能為至少73%，且歐尼西值(Ohnishi number)可以不大於3.0。
Description
本揭示內容係關於一種光固化性組成物，尤其是關於用於噴墨適應平面化(inkjet adaptive planarization)之光固化性組成物。
噴墨適應平面化(IAP)是一種藉由以下方式將基底(例如含電路之晶圓)表面平面化的製程：將光固化性組成物之液滴噴射在該基底表面上，且使平的上層(superstrate)與所添加之液體直接接觸以形成平的液體層。該平的液體層典型地在UV光暴露下固化，且在移除該上層後，獲得能進行後續之處理步驟(例如燒烤、蝕刻、及/或進一步沉積步驟)的平表面。有需要經改良之IAP材料，其能獲得具有高的抗蝕刻性、高機械強度、及良好熱穩定性的平的經光固化層。
在一具體例中，一種光固化性組成物能包含聚合性材料以及光起始劑，其中至少90 wt%之該聚合性材料包含包括芳香族基團之丙烯酸酯單體；且在固化後該光固化性組成物之總碳含量能為至少70%。
在一態樣中，至少99 wt%之該聚合性材料能包含包括芳香族環結構之單體。
在另一態樣中，至少10 wt%之該聚合性材料能為含芳香族基團之雙官能丙烯酸酯。
在進一步態樣中，該含芳香族基團之雙官能丙烯酸酯單體能為雙酚A二甲基丙烯酸酯(BPADMA)。
在進一步態樣中，該聚合性材料包括至少三個不同類型之丙烯酸酯單體，其中該至少三個不同類型之丙烯酸酯單體之每一者含有芳香族基團。
在另一態樣中，該聚合性材料能包括選自下列之至少二種單體類型：丙烯酸苄酯(BA)、甲基丙烯酸苄酯(BMA)、甲基丙烯酸1-萘酯(1-NMA)、雙酚A二甲基丙烯酸酯(BPADMA)、二乙烯基苯(DVB)、或丙烯酸1-萘酯(1-NA)。在一特別態樣中，該光固化性組成物能包括至少BA和BPADMA。在另一特別態樣中，該光固化性組成物能包括至少BA和BPADMA及另外之1-NA或1-NMA。
在另一特別態樣中，該聚合性材料能包括至少3 wt%之二乙烯基苯。
在另一態樣中，本揭示內容之光固化性組成物能具有不大於15 mPa·s之黏度。
在一具體例中，一種積層體能包含基底和覆蓋該基底之經光固化之層，其中該經光固化之層包含至少73%之總碳含量以及不大於3.0之歐尼西值(Ohnishi number)。
在一態樣中，該積層體之該經光固化之層能藉由UV固化光固化性組成物而製得，其中該光固化性組成物包含聚合性材料以及光起始劑，其中至少90 wt%之該聚合性材料包含包括芳香族基團之丙烯酸酯單體。
在另一態樣中，該積層體之該經光固化之層在250℃下加熱60秒之後具有不大於5.5%之重量損失。
在進一步態樣中，該積層體之該經光固化之層能具有至少0.3 GPa之硬度。
在另一進一步態樣中，該經光固化之層能具有至少4.5 GPa之儲存模數(Storage Modulus)。
在另一具體例中，一種使經光固化之層形成在基底上之方法能包含：將一層光固化性組成物施加在該基底上；使該固化性組成物與上層(superstrate)接觸；使該光固化性組成物照光以形成經光固化之層；及從該經光固化之產物移除該上層。該方法之該光固化性組成物能包含聚合性材料以及光起始劑，其中至少90 wt%之該聚合性材料包含包括芳香族基團之丙烯酸酯單體。在一態樣中，該經光固化之層的總碳含量能為至少70%。
在另一態樣中，在形成經光固化之層的方法中所用之光固化性組成物能具有不大於15 mPa·s之黏度。
在另一態樣中，在形成經光固化之層的方法中所用之聚合性材料能包括選自下列之至少二種單體類型：丙烯酸苄酯(BA)、甲基丙烯酸苄酯(BMA)、甲基丙烯酸1-萘酯(1-NMA)、雙酚A二甲基丙烯酸酯(BPADMA)、二乙烯基苯(DVB)、或丙烯酸1-萘酯(1-NA)。
在一態樣中，藉由該方法所得之該經光固化之層能具有不大於3.0之歐尼西值。
在另一態樣中，該方法之該經光固化之層能具有至少0.3 GPa之硬度。
詳細說明
提供以下說明以輔助了解在此所揭示之教導且將著重於該教導之特定實施和具體例。提供此重點以幫助描述該教導且不應被解釋成對該教導之範圍或適用性的限制。
除非另外定義，否則在此所用之所有技術和科學用語具有如一般熟練本發明所屬之技藝者所普遍了解的相同意義。該等材料、方法、和實例僅是說明性的且無意為限制性的。在未於此描述之程度上，關於特定材料和處理作為的很多細節是常見的且可在教科書和在壓印和微影技藝內的其他來源中被發現。
在此所用的，用語「包含」、「包括」、「具有」、或彼之任何其他變化語意圖要非排他性的包括。例如，包含列述之特徵的製程、方法、物件、或設備無須僅受限於那些特徵，而是可包括未明白地列述或此等製程、方法、物件、或設備所固有之其他特徵。
在此所用的，且除非有明確的相反陳述，「或」是包括性的或而非排他性的或。例如，條件A或B係藉由以下之任一者所滿足：A是真的(或存在的)且B是假的(或不存在的)，A是假的(或不存在的)且B是真的(或存在的)，以及A和B都是真的(或存在的)。
並且，「一(a)」或「一(an)」之使用是用來描述在此所述之元件以及成分。這僅為方便之故且給予本發明之範圍的一般概念。此描述應被解讀成包括一種或至少一種且單數型也包括多數型，除非彼明顯是其他意義。
本揭示內容是關於一種包含聚合性材料之光固化性組成物，其中該聚合性材料包括大量之具有芳香族基團之丙烯酸酯單體。該光固化性組成物能特別適用於IAP中以供製作具有意外高之蝕刻穩定性、良好機械強度和熱穩定性之平面的經固化的層。
在一具體例中，至少90 wt%之該聚合性材料能於其化學結構中包括含有芳香族基團之丙烯酸系單體。在另外態樣中，含有芳香族基團之丙烯酸系單體的量能為以該聚合性材料之總重量計至少92 wt%、或至少94 wt%、或至少96 wt%、或至少98 wt%、或至少99 wt%、或100 wt%。
包含芳香族基團之丙烯酸系單體之一些非限制性實例能為：丙烯酸苄酯(BA)、甲基丙烯酸苄酯(BMA)、甲基丙烯酸1-萘酯(1-NMA)、雙酚A二甲基丙烯酸酯(BPADMA)、丙烯酸1-萘酯(1-NA)、丙烯酸2-萘酯(2-NA)、9,9-雙[4-(2-丙烯醯氧基乙氧基)苯基]氟(A-BPEF)、甲基丙烯酸9-茀酯(9-FMA)、丙烯酸9-茀酯(9-FA)、丙烯酸鄰-苯基苄酯(o-PBA)、雙酚A二丙烯酸酯(BPADA)、或丙烯酸1,1’-[1,1’-聯萘]-2,2’-二基酯(BNDA)。
在一具體例中，至少10 wt%之該聚合性材料能包括含有芳香族基團之雙官能丙烯酸酯。在某一特別態樣中，該含有芳香族基團之雙官能丙烯酸酯可能是雙酚A二甲基丙烯酸酯(BPADMA)。
在另一具體例中，單官能、雙官能或三官能單體能被包含在不具有丙烯酸酯基團但也含有芳香族基團之該聚合性材料中。關於此等單體之非限制性實例能為甲基丙烯酸酯、乙烯基醚、乙烯基酯、及其他以芳香族基團取代之烯烴單體。在一特別態樣中，二乙烯基苯能為該聚合性材料之部分，該二乙烯基苯包括與作為活性官能基團之二個乙烯基基團鍵結的苯環。在一態樣中，在該聚合性材料中二乙烯基苯之量以聚合性材料之總量計能為至少5 wt%。
在另一具體例中，該聚合性材料能包括至少二個不同類型之包括芳香族基團之丙烯酸酯單體，諸如至少三個、至少四個、或至少五個不同類型之包括芳香族基團的丙烯酸酯單體。
該聚合性材料能進一步包括一或多種單體、寡聚物、或聚合物，彼等之每單體單元不含有芳香族基團且包括單官能或多官能基團。在一具體例中，不包括芳香族基團之聚合性化合物的量以該聚合性材料之總重量計能在0.1 wt%至10 wt%之間，諸如以該聚合性材料之總重量計能在1 wt%與8 wt%之間，或在2 wt%與5 wt%之間。不包括芳香族基團之聚合性化合物的某些非限制性實例能為：丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸異莰酯、丙烯酸硬脂醯酯、或彼之任何組合。
對於選擇單體，在固化前維持該聚合物組成物之低黏度是重要的。在一具體例中，該固化性組成物之黏度能為不大於20 mPa·s，諸如不大於15 mPa·s，不大於12 mPa·s，不大於10 mPa·s，不大於9 mPa·s，或不大於8 mPa·s。在其他某些具體例中，該黏度可為至少2 mPa·s，諸如至少3 mPa·s，至少4 mPa·s，或至少5 mPa·s。在特佳態樣中，該固化性組成物能具有不大於15 mPa·s之黏度。在此使用的，所有黏度值係關於在23℃之溫度下，以使用布氏黏度計(Brookfield viscometer)之布氏方法，在200 rpm下測得之黏度。
在該光固化性組成物中之聚合性材料的量以該組成物之總重量計能為至少5 wt%，諸如至少10 wt%、至少15 wt%、至少20 wt%、至少30 wt%、至少50 wt%、至少60 wt%、至少70 wt%、至少80 wt%、或至少90 wt%、或至少95 wt%。在其他態樣中，聚合性材料之量以該光固化性組成物之總重量計可以不大於98 wt%，諸如不大於97 wt%、不大於95 wt%、不大於93 wt%、不大於90 wt%、或不大於85 wt%。聚合性材料之量能為在以上註明之最小值和最大值之任一者之間的值。在特別態樣中，聚合性化合物之量能為至少70 wt%且不大於98 wt%。
該光固化性組成物能進一步含有一或多種隨意的添加劑。隨意的添加劑的非限制性實例能為穩定劑、分散劑、溶劑、介面活性劑、抑制劑或彼之任何組合。
令人意外地發現：藉由選擇含有芳香族基團之聚合性單體的某些組合，能製造光固化性組成物，其具有少於10 mPa·s之所需的低黏度，但獲得具有高的抗蝕刻性、在UV固化期間低的收縮率、及優越的機械穩定性和熱穩定性的經固化材料。
在一具體例中，該光固化性組成物能被施加在基底上以形成經光固化之層。在此使用的，基底和覆蓋在該基底上之光固化性之層的組合被稱為積層體。
在一態樣中，該積層體之該經光固化之層能具有不大於3.0之歐尼西值(Ohnishi number)，諸如不大於2.9、不大於2.8、不大於2.7、或不大於2.6。在另一態樣中，該歐尼西值可為至少1.8，諸如至少1.9、至少2.0、至少2.1、至少2.2、或至少2.3。
在另一態樣中，該積層體之該經光固化之層能具有至少0.3 GPa之硬度，諸如至少0.32 GPa、至少0.34 GPa、至少0.36 GPa、或至少0.38 GPa。
在進一步態樣中，該經光固化之層的儲存模數能為至少4.5 GPa，諸如至少4.6 GPa、至少4.7 GPa、至少4.8 GPa、至少4.9 GPa、至少5.0 GPa、或至少5.1 GPa。
該積層體之該經光固化之層能進一步具有良好熱穩定性。在一態樣中，若以20℃/min之速度加熱至250℃之溫度且在250℃下維持60秒，則該經光固化之層能具有不大於6 %之重量損失，諸如不大於5.5 %、不大於5.0 %、不大於4 %、不大於3 %、或不大於2.5 %。
包括該光固化性材料之芳香族基團的單體之選擇能導致在該經光固化之層中高的碳含量。在一具體例中，該經光固化之層的碳含量可為至少70%，諸如至少72%、至少73%、至少74%、至少75%、至少76%、或至少77%。在特別態樣中，該碳含量是至少73%。
在另一態樣中，該積層體之經光固化之層的玻璃轉換溫度能為至少80℃，諸如至少85℃、至少90℃、至少100℃、至少110℃、至少120℃、或至少130℃。
在一特別具體例中，該經光固化之層能具有至少70%之碳含量，至少85℃之玻璃轉換溫度，以及不大於3.0之歐尼西值。
本揭示內容進一步關於一種形成經光固化之層的方法。該方法能包含施加一層上述光固化性組成物在基底上，使該光固化性組成物與模板(template)或上層接觸；將該光固化性組成物照光以形成經光固化之層；及從該經光固化之層移除該模板或該上層。
可對該基底和該經固化之層進行另外處理，例如蝕刻製程，以將圖像轉移於該基底中，該圖像對應於在該經固化之層及/或在該經固化之層下方之圖案化之層之一或二者中的圖案。能對該基底進一步進行已知之用於裝置(物件)製造的步驟及製程，包括例如固化、氧化、層形成、沉積、摻雜、平面化、蝕刻、形成性材料的移除、切塊(dicing)、黏合、封裝、及類似者。
可進一步使用該經光固化之層作為半導體裝置(諸如LSI、系統LSI、DRAM、SDRAM、RDRAM、或D-RDRAM)之層間絕緣膜，或作為在半導體製程中使用之阻劑膜。
在該等實例中進一步闡明的，令人意外地發現：在光固化性組成物中含芳香族基團之聚合性單體的某些組合能具有尤其極適合IAP處理的性質。本揭示內容之光固化性組成物能具有少於15 mPa·s之所需的低黏度且能形成具有高機械強度、高熱穩定性和低收縮率的經光固化之層。
實例
以下非限制性實例闡明在此所述之觀念。
實例
1
光固化性IAP組成物的製備。
藉由結合至少三個不同類型之含有芳香族基團的聚合性單體(參見表1)、光起始劑(2.88 wt% 之得自LabNetworks之Irgacure 819)、及二種界面活性劑(0.96 wt%之得自Daniel lab LLC之FS2000M1和得自Chemguard之Chemguard S554-100的混合物)以供每一樣本而製備十種光固化性組成物(樣本S1至S10)。使用以下含有芳香族基團之聚合性單體以供製作該光固化性組成物：丙烯酸苄酯(BA)；甲基丙烯酸1-萘酯(1-NMA)、丙烯酸1-萘酯(1-NA)；雙酚A二甲基丙烯酸酯(BPADMA)；及二乙烯基苯(DVB)、9,9-雙[4-(2-丙烯醯氧基乙氧基)苯基]氟(A-BPEF)、甲基丙烯酸9-茀酯(9-FMA)、丙烯酸9-茀酯(9-FA)、丙烯酸鄰-苯基苄酯(o-PBA)、雙酚A二丙烯酸酯(BPADA)、或丙烯酸1,1’-[1,1’-聯萘]-2,2’-二基酯(BNDA)。樣本S1至S10之特定單體類型和單體之量被摘述於表1中。
樣本S1至S10之經試驗的性質諸如黏度、在固化期間的UV收縮率、在固化後之玻璃轉換溫度Tg、碳值、及歐尼西值被摘述於表2中。在施加約100 nm厚之該光固化性組成物之液膜於玻璃基底上，且使該液膜受到4 mW/cm2
之UV光強度且使之固化600秒(此對應於2.4 J/cm2
之固化能量劑量)之後進行該固化。
表2進一步包括得自熱解重量分析(TGA)之數項樣本數據，該分析係藉由在以每分鐘20℃之速度加熱至250℃且將溫度維持在此溫度下歷60秒之期間測量該樣本之重量損失。進行此調查以模擬該晶圓燒烤處理。在不局限於理論下，在該樣本於250℃下之熱處理期間之重量損失的變化能指明：與在具有較高重量損失之樣本(例如S1)中相比，在具有較低重量損失之樣本(例如樣本S2、S3、和S9)中，較大程度之單體被聚合。
該等樣本之黏度係在23℃下使用具有心軸尺寸#18之布氏黏度計LVDV-II + Pro在200 rpm下測量。關於該黏度試驗，將約6-7 mL之樣本液體添加於樣本池中，至足以覆蓋該心軸頭。關於所有的黏度試驗，進行至少三次測量且計算平均值。
利用與UV固化系統和加熱器偶合之Anton Paar MCR-301流變計進行該收縮率測量。關於該試驗，將7 μl滴之該試驗樣本添加在板上且釋放溫度控制罩以隔離該滴及該測量單元。設計該樣本之量以獲得比該樣本層稍微高0.1 mm之厚度(以下也稱為高度)。藉由將目標高度預先設定至0.1 mm，該測量單元向下移至該設定值，使過量之阻劑流動離開該板。這保證：在固化之前，該液態阻劑之確實高度是0.1 mm。之後，該阻劑以365 nm之4 mW/cm2
之UV功率固化600秒。在該阻劑固化之後，該高度再次被測量且根據等式(1)計算線性收縮率。
實例
2
在實例1中描述之經光固化樣本S1和S2的機械性質係藉由使用Hysitron TI 950摩擦壓頭(Triboindenter)的奈米壓印而被試驗。
經試驗之平均接觸深度、平均儲存模數、和平均硬度的摘要係在表3中顯示。
作為比較，試驗比較用樣本C1，其為用於奈米壓印微影術(NIL)的典型阻劑材料。該比較用樣本C1含有以下成分：33.3 wt%之量的丙烯酸異莰酯(IBOA)、19.4 wt%之量的丙烯酸二環戊烯酯(DCPA)、22.2 wt%之量的丙烯酸苄酯(BA)、18.5 wt%之量的二丙烯酸新戊二醇酯(A-NPG)、0.925 wt%之量的光起始劑Irgacure 907、1.85 wt%之量的Irgacure 651、及3.79 wt%之量的介面活性劑。比較用樣本C1具有7 mPa·s之黏度、在固化期間4.2%之UV收縮率、71%之碳含量、90℃之玻璃轉換溫度、和3.27之歐尼西值。
結果顯示二樣本(S1和S2)具有與比較用樣本C1相比更高之硬度和更高之儲存模數。
利用與Hamamatsu Lightningcure LC8 UV來源偶合之Anton-Paar MCR-301流變計測量該儲存模數和玻璃轉換溫度。該樣本以藉由Hamamatsu 365 nm UV功率計所控制之在365 nm下的1.0 mW/cm2
的UV強度照射。使用名為RheoPlus的軟體以控制該流變計且進行數據分析。該溫度係藉由Julabo F25-ME水單元所控制且被設定至23℃作為開始溫度。對於每一樣本試驗，將7 μl阻劑樣本添加在定位在該流變計之測量系統正下方之玻璃板上。在開始UV輻射之前，在玻璃板與測量單元之間的距離被減小至0.1 mm之間隙。持續該UV輻射暴露直到該儲存模數達到平線區(platean)，且該平線區的高度被記錄為在表3中所列之儲存模數。
在完成該UV固化之後，該經固化之樣本的溫度藉由經控制之加熱而提高，以測量該儲存模數之變化與該溫度之關係而獲得玻璃轉換溫度Tg
。對應於切線(θ)之最大值的溫度被認為是玻璃轉換溫度Tg
。
該硬度係藉由壓印至200nm而利用Hysitron TI 950摩擦壓頭所測量之負荷曲線並使用位移控制之負荷函數(displacement controlled loading function)來計算。在壓印期間測量力，由此能獲得該負荷曲線。硬度(H)係根據以下等式：H = Pmax
/Ac
計算，其中Pmax
是最大施力，且Ac
是藉由尖端面積函數(tip area function)所測定之接觸面積。
實例
3
抗蝕刻性之調查
對於該抗蝕刻性之研究，每樣本約100 nm厚的液膜被印刷在Imprio I300工具之空白模板上。該經印刷之液膜被光固化且後續進行氧蝕刻。使用具有以下電漿化學之Trion Oracle Etch系統進行該蝕刻處理：使用在10 mtorr下之RIE激發的O2
氬電漿。對每一樣本之總處理時間是約60秒。
在該蝕刻處理後，測量到在蝕刻期間在該100 nm膜之厚度方向上所移除之材料的量。
該蝕刻試驗結果之摘要係顯示在表4以及圖1中。能見到：樣本S1相較於比較用樣本C1，是更抗氧蝕刻的。特別地，樣本S1達到約43 nm之蝕刻深度(在該膜厚度方向上移除之材料)，但比較用樣本C1較不抵抗該蝕刻暴露且深度損失約55 nm。因此，樣本S1相較於比較用樣本C1在抗蝕刻性上多21.4%。
在對100 nm厚之經固化層進行在250℃下之燒烤處理90秒之後，但在該蝕刻之前，能觀察到極類似之蝕刻行為。雖然樣本S1在氧蝕刻期間在該膜之厚度方向上損失約41 nm的材料，比較用樣本C1具有約53 nm之材料移除。
蝕刻實驗之結果對應於該經試驗樣本之經計算的歐尼西值。具有高抗蝕刻性之樣本具有低於3之歐尼西值，尤其是不大於2.6(參見S1和S3)，且具有較低抗蝕刻性之該比較用樣本C1具有大於3之歐尼西值(參見C1)。
該歐尼西值(ON)已知是經驗參數且被計算成在該聚合物重複單元中之原子總個數(Nt
)除以在該單元中碳原子個數(NC
)與氧原子個數(NO
)的差之比，ON=Nt
/(NC
-NO
)。為計算該歐尼西值，假定該經固化之材料含有100 wt%之藉由加成聚合(在聚合期間沒有損失原子)所形成之該經聚合的單體單元。
實例
4
在燒烤以及UV收縮後，與厚度改變相關之不同固化強度的比較。
與實例1中者類似的，樣本S2之100 nm厚的膜被形成且在不同UV強度(參見表4)下固化，直至達到2.4 J/cm2
之總劑量固化能量。在該固化後，對該經固化樣本進行在250℃下之熱處理90秒(燒烤)，且測量該樣本層之厚度改變。在表4中可見到的，最低UV固化強度(4 mW/ cm2
)造成在該燒烤處理期間層厚度之最小改變(6.5%)。將該UV強度提高至15 mW/cm2
使厚度減少額外提高約1.5% (7.98%)。
另外調查在固化樣本S2期間所施加之光強度是否影響在UV固化後該光固化性組成物之收縮率。在表5中可見到的，將該光強度從4 mW/cm2
改變至100 mW/cm2
僅極小地影響該收縮率結果。鑒於不同之經施加光強度，收縮率差異小於1%。
在此所述之具體例的規格以及說明意圖要提供不同具體例之結構的一般了解。該規格以及說明不意欲作為詳盡且全面地描述使用在此所述之結構或方法之設備以及系統的所有元素和特徵。也可提供被結合在單一具體例中的不同具體例，且相反地，為簡潔之故在單一具體例之上下文中所描述的不同特徵也可分開地被提供或以子結合方式被提供。另外，以範圍方式陳述之數值的引用包括在該範圍內之每一個數值。只在研讀本說明書之後，很多其他具體例對熟練之技術人員是明顯的。其他具體例可被使用且從該揭示內容所衍生，使得結構的取代、合邏輯的取代或其他改變可在不偏離本揭示內容之範圍下完成。因此，該揭示內容是要被視為說明性的而非限制性的。
具體例藉由實例闡明且不限於附圖中。
[圖1] 包括一個闡明藉由氧蝕刻以從根據具體例之經固化樣本之層所移除之材料的量且比較彼與在用於NIL之商業阻劑樣品的氧蝕刻期間所移除之材料。
精熟之技術人員知道：在該等圖中之元件係被簡單清楚地闡明且無須按比例描繪。例如，在該等圖中一些元件的尺寸可相對其他元件被擴大，以幫助了解本發明之具體例。
Claims (20)
- 一種光固化性組成物，其包含聚合性材料以及光起始劑，其中 至少90 wt%之該聚合性材料包含包括芳香族基團之丙烯酸酯單體； 且在固化後該光固化性組成物之總碳含量為至少70%。
- 如請求項1之光固化性組成物，其中至少99 wt%之該聚合性材料包含包括芳香族環結構之單體化合物。
- 如請求項1之光固化性組成物，其中至少10 wt%之該聚合性材料是含芳香族基團之雙官能丙烯酸酯。
- 如請求項3之光固化性組成物，其中該含芳香族基團之雙官能丙烯酸酯單體是雙酚A二甲基丙烯酸酯(BPADMA)。
- 如請求項1之光固化性組成物，其中該聚合性材料包括至少三個不同類型之包括芳香族基團的丙烯酸酯單體。
- 如請求項1之光固化性組成物，其中該聚合性材料包括至少3 wt%之二乙烯基苯。
- 如請求項1之光固化性組成物，其中該聚合性材料包括選自下列之至少二種單體類型：丙烯酸苄酯(BA)、甲基丙烯酸苄酯(BMA)、甲基丙烯酸1-萘酯(1-NMA)、雙酚A二甲基丙烯酸酯(BPADMA)、二乙烯基苯(DVB)、或丙烯酸1-萘酯(1-NA)。
- 如請求項7之光固化性組成物，其中該聚合性材料包括至少BA以及BPADMA。
- 如請求項8之光固化性組成物，其中該聚合性材料進一步包括1-NA或1-NMA。
- 如請求項1之光固化性組成物，其中該光固化性組成物之黏度不大於15 mPa·s。
- 一種包含基底和覆蓋該基底之經光固化之層的積層體，其中該經光固化之層包含至少73%之總碳含量以及不大於3.0之歐尼西值(Ohnishi number)。
- 如請求項11之積層體，其中該經光固化之層係藉由UV固化光固化性組成物而製成，該光固化性組成物包含聚合性材料以及光起始劑，其中至少90 wt%之該聚合性材料包含包括芳香族基團之丙烯酸酯單體。
- 如請求項11之積層體，其中該經光固化之層在250℃下加熱60秒之後具有不大於5.5%之重量損失。
- 如請求項11之積層體，其中該經光固化之層具有至少0.3 GPa之硬度。
- 如請求項11之積層體，其中該經光固化之層具有至少4.5 GPa之儲存模數(Storage Modulus)。
- 一種使經光固化之層形成在基底上之方法，其包含： 將光固化性組成物之層施加在該基底上，其中該光固化性組成物包含聚合性材料以及光起始劑，其中至少90 wt%之該聚合性材料包含包括芳香族基團之丙烯酸酯單體； 使該光固化性組成物與上層(superstrate)接觸； 使該光固化性組成物照光以形成經光固化之層；及 從該經光固化之產物移除該上層， 其中該經光固化之層的總碳含量是至少70%。
- 如請求項16之方法，其中該光固化性組成物具有不大於15 mPa·s之黏度。
- 如請求項16之方法，其中該聚合性材料包括選自下列之至少二種單體類型：丙烯酸苄酯(BA)、甲基丙烯酸苄酯(BMA)、甲基丙烯酸1-萘酯(1-NMA)、雙酚A二甲基丙烯酸酯(BPADMA)、二乙烯基苯(DVB)、或丙烯酸1-萘酯(1-NA)。
- 如請求項16之方法，其中該經光固化之層具有不大於3.0之歐尼西值。
- 如請求項16之方法，其中該經光固化之層具有至少0.3 GPa之硬度。
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