TW202105596A - 基板固定裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種基板固定裝置包括：一底板；一靜電吸附構件，其吸附並固持一基板；一支撐構件，其裝設於該底板上以支撐該靜電吸附構件；及一黏著層，其將該靜電吸附構件以黏著方式結合至該底板。該支撐構件直接接觸該底板及該靜電吸附構件。該支撐構件之一彈性模數高於該黏著層之一彈性模數。

Description

基板固定裝置及其製造方法
本申請案主張2019年6月13日申請之日本專利申請案第2019-110515號的優先權，該等專利申請案之全部內容以引用之方式併入本文中。
本揭示內容係關於一種基板固定裝置及一種用於製造該基板固定裝置之方法。
通常，在用於製造基板固定裝置之方法中，靜電吸附構件係藉由使用黏著層以黏著方式結合至底板。在黏著結合期間，由底板、黏著層及靜電吸附構件形成之結構本體被置放於表面板上以便使靜電吸附構件之吸附面與表面板接觸，且然後負載被施加至底板之下部面。此外，在底板與表面板之間的平面圖中，間隔物被設置於黏著層外部，以便使底板之下部面與靜電吸附構件之吸附面彼此平行(參看例如JP-A-2000-183143及JP-A-2016-012608)。
然而，在藉由前述方法製造之基板固定裝置中，可能無法在靜電吸附構件之吸附面中獲得令人滿意的均一溫度特性。亦即，可能會造成靜電吸附構件之吸附面之溫度變化。
某些具體例提供一種基板固定裝置。該基板固定裝置包括：一底板；一靜電吸附構件，其吸附並固持一基板；一支撐構件，其裝設於該底板上以支撐該靜電吸附構件；及一黏著層，其將該靜電吸附構件以黏著方式結合至該底板。該支撐構件直接接觸該底板及該靜電吸附構件。該支撐構件之一彈性模數高於該黏著層之一彈性模數。
本發明人已進行透徹的研究以便深究先前技術之基板固定裝置中的靜電吸附構件之吸附面之溫度變化的原因。結果，已變得明顯的是，靜電吸附構件之厚度可能不均勻，且在此類情況下，黏著層之厚度之平面內均一性受損以藉此導致靜電吸附構件之吸附面之溫度變化。
本揭示內容已基於此類發現而實現。本揭示內容係改善黏著層之厚度之平面內均一性，且即使在靜電吸附構件之厚度不均勻時亦改善靜電吸附構件之吸附面之溫度均一性。
本揭示內容之具體例將在下文參見附圖予以特定地描述。附帶言之，因為在本揭示內容之實施方式及附圖中具有實質上相同功能構造的組成元件對應地且各別地由相同符號表示，所以可省略關於該等組成元件之重複描述。
[基板固定裝置之結構] 圖1為以簡化方式例示根據具體例之基板固定裝置的剖面圖。參見圖1，基板固定裝置1具有作為主要組成元件之底板10、黏著層20、支撐柱結構本體21及靜電吸附構件50。
底板10為用於在其上安裝靜電吸附構件50之構件。例如，底板10具有金屬板11及樹脂層12，樹脂層12設置於金屬板11上。金屬板11可被製成為例如約20 mm至50 mm厚。金屬板11係例如由鋁形成，且亦可用作用於控制電漿之電極等等。用於使在電漿狀態下產生之離子等等與諸如吸附於靜電吸附構件50上之晶圓之基板碰撞的能量可由饋送至金屬板11之預定高頻功率來控制，使得該基板可被高效地蝕刻。
水通路15設置於金屬板11內部。冷卻水引入部15a設置於水通路15之一個端處，且冷卻水排出部15b設置於水通路15之另一端處。水通路15連接至設置於基板固定裝置1外部之冷卻水控制裝置(未顯示)。冷卻水控制裝置(未顯示)將冷卻水自冷卻水引入部15a引入至水通路15中，並將冷卻水自冷卻水排出部15b排出。冷卻水在水通路15中循環以將金屬板11冷卻。因此，吸附於靜電吸附構件50上之基板可被冷卻。用於引入惰性氣體以將吸附於靜電吸附構件50上之基板冷卻的氣體通路或其類似者以及水通路15可設置於金屬板11中。
樹脂層12用於調節基板固定裝置1之熱阻。樹脂層12可被省去。
靜電吸附構件50具有加熱部30及靜電夾盤40，靜電夾盤40用以吸附並固持諸如為待吸附目標之晶圓之基板。
加熱部30具有絕緣層31及數個產熱元件32，產熱元件32建置於絕緣層31中。每一產熱元件32被覆蓋有絕緣層31以免受外部的影響。軋製合金較佳地用作產熱元件32之材料。藉由使用軋製合金，產熱元件32之各厚度間之變化可被減小，使得產熱分佈可得到改善。附帶言之，產熱元件32並不始終必須建置於絕緣層31之厚度方向中心部分中，而是可根據要求規格相對於絕緣層31之厚度方向中心部分不均勻地分佈於底板10側上或靜電夾盤40側上。
每一產熱元件32之比電阻較佳地在10 μΩ/cm至70 μΩ/cm之範圍內，更佳地在10 μΩ/cm至50 μΩ/cm之範圍內。若比電阻為約100 μΩ/cm之基於NiCr之產熱元件被使用，則在20 Ω至50 Ω佈線設計中，佈線將為1 mm至2 mm長及約50 μm厚，從而使得難以獲得產熱元件之較精細的圖案。使產熱元件32之比電阻在10 μΩ/cm至70 μΩ/cm之範圍內，以低於基於NiCr之產熱元件之比電阻。因此，在與前述佈線設計相同或相似的20 Ω至50 Ω佈線設計中，可使產熱元件32之圖案為較精細的。附帶言之，當比電阻小於10 μΩ/cm時，產熱特性將會不利地變差。
CN49(康銅)(Cu/Ni/Mn/Fe合金)、Zeranin (Cu/Mn/Sn合金)、Manganin (Cu/Mn/Ni合金)等等可被列為合適地用於產熱元件32之軋製合金的特定實施例。附帶言之，CN49 (康銅)之比電阻為約50 μΩ/cm，Zeranin之比電阻為約29 μΩ/cm，且Manganin之比電阻為約44 μΩ/cm。考慮到藉由蝕刻產生之佈線可成形性，較佳地使每一產熱元件32之厚度不大於60 μm。
例如，具有高熱導率及高熱阻之環氧樹脂、雙馬來醯亞胺-三嗪樹脂或其類似者可用作絕緣層31之材料。較佳地使絕緣層31之熱導率不低於3 W/(m•K)。藉由在絕緣層31中含有氧化鋁、氮化鋁或其類似者之填充劑，絕緣層31之熱導率可被改善。此外，較佳地使絕緣層31之玻璃轉移溫度(Tg)不低於250℃。此外，較佳地使絕緣層31之厚度在約100 μm至約150 μm之範圍內。較佳地使絕緣層31之厚度變化不大於±10%。
附帶言之，為了在高溫下改善產熱元件32與絕緣層31之間的緊密黏著性，每一產熱元件32之至少一個面(上部面及下部面中之一者或兩者)較佳地被粗糙化。理所當然的是，產熱元件32之上部面及下部面兩者可被粗糙化。在此情況下，對產熱元件32之上部面使用的粗糙化方法可不同於對產熱元件32之下部面使用的粗糙化方法。每一粗糙化方法並不受特定地限制。使用蝕刻之方法、使用基於耦合劑之表面改質技術之方法、使用由波長不長於355 nm之UV-YAG雷射進行之點處理之方法等等可被例證為粗糙化方法。
靜電夾盤40吸附並固持諸如為待吸附目標之晶圓之基板。例如，可使為待由靜電夾盤40吸附之目標之基板的直徑為約8吋、12吋或18吋。
靜電夾盤40設置於加熱部30上。靜電夾盤40具有基底本體41及數個靜電電極42。靜電夾盤40為例如約翰遜-拉貝克(Johesen-Rahbek)型靜電夾盤。附帶言之，靜電夾盤40可為庫侖力型靜電夾盤。
基底本體41為介電質。例如，諸如氧化鋁(Al2 O3 )及氮化鋁(AlN)之陶瓷可用作基底本體41。例如，可使基底本體41為約1 mm至10 mm厚。例如，可使基底本體41之相對介電常數在1 kHz之頻率下為約9至10。靜電夾盤40與加熱部30之絕緣層31彼此直接結合。因為加熱部30與靜電夾盤40彼此不經由黏著劑結合，所以基板固定裝置1之耐熱溫度可被改善。儘管加熱部30與靜電夾盤40彼此經由黏著劑結合所處之基板固定裝置之耐熱溫度為約150℃，但可使基板固定裝置1中之耐熱溫度為約200℃。
靜電電極42為待建置於基底本體41中之薄膜電極。靜電電極42連接至設置於基板固定裝置1外部之電力供應器。當預定電壓被施加至靜電電極42時，由靜電產生之吸附力出現於靜電電極42與諸如晶圓之基板之間，使得基板可被吸附並固持於靜電夾盤40上。隨著施加至靜電電極42之電壓變高，吸附固持力變強。每一靜電電極42可為單極形狀或雙極形狀。例如，鎢、鉬或其類似者可用作靜電電極42之材料。
黏著層20將加熱部30以黏著方式結合至底板10。例如，基於聚矽氧之黏著劑可用作黏著層20之材料。例如，可使黏著層20為約0.1 mm至3 mm厚。黏著層20之熱導率較佳地不低於2 W/(m•K)。黏著層20可由一個層形成或可由複數個層形成。例如，黏著層20被形成為雙層結構，其中例如熱導率高之黏著劑與彈性模數低之黏著劑彼此組合。因此，有可能得減小自黏著層20與由鋁製成之金屬板11之間的熱膨脹之差產生的應力的效果。
每一支撐柱結構本體21將靜電吸附構件50支撐於底板10上。支撐柱結構本體21之彈性模數高於黏著層20之彈性模數。支撐柱結構本體21之彈性模數較佳地為黏著層20之彈性模數的十倍或更多倍。例如，支撐柱結構本體21之彈性模數不低於數百MPa，且黏著層20之彈性模數不高於數十MPa。支撐柱結構本體21可充當底板10與靜電吸附構件50之間的間隔物以改善黏著層20之厚度之平面內均一性。支撐柱結構本體21為支撐構件之實施例。
[用於製造基板固定裝置之方法] 圖2A至圖5B為例示根據具體例之用於製造基板固定裝置之方法的視圖。根據具體例之用於製造基板固定裝置之方法將參見圖2A至圖5B予以描述。附帶言之，圖2A至圖3B及圖5A係在相對於圖1垂直地倒置之狀態下繪製的。
首先，在圖2A所示之步驟中，靜電電極42建置於基底本體41中所處之靜電夾盤40藉由熟知的製造方法予以生產，該製造方法包括以下步驟：在生坯片材中加工通孔，用導電膏填充通孔，形成作為靜電電極之圖案，沈積並燒結另一生坯片材，修平表面等等。附帶言之，為了改善與絕緣樹脂膜311 (參看圖2B)之緊密黏著性，絕緣樹脂膜311將被層壓所處的靜電夾盤40之面可藉由噴砂處理或其類似者被粗糙化。如此形成之基底本體41之厚度可能不均勻。
接下來，在圖2B所示之步驟中，絕緣樹脂膜311被直接層壓於靜電夾盤40上。層壓於真空中之絕緣樹脂膜311係合適的，以便使有可能抑制空隙之夾帶。絕緣樹脂膜311未固化，但預先保持於半固化狀態(B階段)。絕緣樹脂膜311藉由處於半固化狀態之絕緣樹脂膜311之壓敏黏著力暫時固定至靜電夾盤40上。
例如，具有高熱導率及高熱阻之環氧樹脂、雙馬來醯亞胺-三嗪樹脂或其類似者可用作絕緣樹脂膜311之材料。較佳地使絕緣樹脂膜311之熱導率不低於3 W/(m•K)。由於絕緣樹脂膜311中含有氧化鋁、氮化鋁或其類似者之填充劑，故絕緣樹脂膜311之熱導率可被改善。此外，較佳地使絕緣樹脂膜311之玻璃轉移溫度不低於250℃。此外，自增強熱傳導效能(增大熱傳導速度)之觀點來看，較佳地使絕緣樹脂膜311之厚度不大於60 μm，且較佳地使絕緣樹脂膜311之厚度變化不大於±10%。
接下來，在圖2C所示之步驟中，金屬箔321被裝設於絕緣樹脂膜311上。被例證為產熱元件32之材料的軋製合金可用作金屬箔片321之材料。考慮到藉由蝕刻之佈線可成形性，較佳地使金屬箔321之厚度不大於60 μm。金屬箔321藉由處於半固化狀態之絕緣樹脂膜311之壓敏黏著力暫時固定於絕緣樹脂膜311上。
附帶言之，在金屬箔321被裝設於絕緣樹脂膜311上之前，金屬箔321之至少一個面(上部面及下部面中之一者或兩者)較佳地被粗糙化。理所當然的是，金屬箔321之上部面及下部面兩者可被粗糙化。在此情況下，對金屬箔321之上部面使用的粗糙化方法可不同於對金屬箔321之下部面使用的粗糙化方法。每一粗糙化方法並不受特定地限制。使用蝕刻之方法、使用基於耦合劑之表面改質技術之方法、使用由波長不長於355 nm之UV-YAG雷射進行之點處理之方法等等可被例證為粗糙化方法。
此外，在使用點處理之方法中，金屬箔321之必要的區域可被選擇性地粗糙化。因此，在使用點處理之方法中，金屬箔321之整個區域不必被粗糙化，但其只要使留作產熱元件32之最小區域被粗糙化即可。亦即，沒有必要使將藉由蝕刻移除之平坦區域粗糙化。
接下來，在圖2D所示之步驟中，金屬箔321被圖案化以便形成產熱元件32。特定言之，例如，抗蝕劑被形成為遍及金屬箔321，且抗蝕劑被暴露於光並被顯影，使得僅覆蓋留作產熱元件32之部分的抗蝕劑圖案被形成。接下來，金屬箔321之未覆蓋有抗蝕劑圖案之部分藉由蝕刻被移除。例如，氯化銅蝕刻溶液、氯化鐵蝕刻溶液或其類似者可用作用於移除金屬箔321之蝕刻溶液。
然後，抗蝕劑圖案藉由剝離溶液被剝掉。因此，產熱元件32被形成於絕緣樹脂膜311上之預定位置處(光微影)。因為產熱元件32藉由光微影被形成，所以產熱元件32之各橫向尺寸間之變化可被減小，使得產熱分佈可被改善。附帶言之，藉由蝕刻形成之每一熱產生元件32可被例如實質上塑形為類似於梯形剖面。在此情況下，例如，可使接觸絕緣樹脂膜311之面的佈線寬度與同該面相對之面的佈線寬度之間的差為約10 μm至50 μm。由於產熱元件32各自被實質上塑形為類似於簡單的梯形剖面，故產熱分佈可被改善。
接下來，在圖3A所示之步驟中，絕緣樹脂膜312被層壓於絕緣樹脂膜311上以覆蓋產熱元件32。層壓於真空中之絕緣樹脂膜312係合適的，以便使有可能抑制空隙之夾帶。例如，可使絕緣樹脂膜312之材料與絕緣樹脂膜311之材料相似或相同。然而，絕緣樹脂膜312之厚度可在絕緣樹脂膜312可覆蓋產熱元件32之範圍內被合適地確定。因此，絕緣樹脂膜312之厚度並不始終必須與絕緣樹脂膜311之厚度相同。
接下來，在圖3B所示之步驟中，絕緣樹脂膜311及312被加熱至固化溫度或更高並被固化，同時絕緣樹脂膜311及312被按壓抵靠靜電夾盤40。因此，絕緣樹脂膜311及312整合至絕緣層31中。產熱元件32被覆蓋有絕緣層31所處之加熱部30被形成使得加熱部30之絕緣層31與靜電夾盤40彼此直接結合。考慮到返回至常溫時之應力，較佳地使絕緣樹脂膜311及312之加熱溫度不高於200℃。
附帶言之，絕緣樹脂膜311及312被熱固化，同時被按壓抵靠靜電夾盤40。因此，受產熱元件32之存在/不存在影響的絕緣層31之上部面(不接觸靜電夾盤40之側上的面)之不規則性可被減小及修平。較佳地使絕緣層31之上部面之不規則性不大於7 μm。因為使絕緣層31之上部面之不規則性不大於7 μm，所以氣泡可被防止在下一步驟中包括於絕緣層31與黏著層20之間。亦即，絕緣層31與黏著層20之間的黏著性可被防止變差。
以此方式，靜電吸附構件50可予以生產。
如圖4A所示，與靜電吸附構件50分開，底板10以以下方式予以生產。亦即，水通路15或其類似者已被預先形成所處之金屬板11予以製備，且樹脂層12被形成於金屬板11上。接下來，藉由使用分配器60或其類似者，由為支撐柱結構本體21之材料之樹脂製成的柱狀本體22被以半固化狀態(B階段)形成於預定位置處，其中支撐柱結構本體21將形成於樹脂層12上。接下來，藉由使用烘箱或其類似者，柱狀本體22被加熱至固化溫度或更高以便固化。柱狀本體22被形成為在高度上高於支撐柱結構本體21。
接下來，如圖4B所示，藉由使用研磨機或其類似者，柱狀本體22之遠端被研磨，直至柱狀本體22變為支撐柱結構本體21之高度。結果，支撐柱結構本體21被獲得。
接下來，如圖4C所示，黏著層20被以半固化狀態(B階段)形成於底板10上。靜電吸附構件50被垂直地倒置，且然後靜電吸附構件50被裝設於黏著層20上，使得加熱部30面向黏著層20。
接下來，如圖5A所示，圖4C所示之所得結構本體被置放於表面板70上。在此時間期間，圖4C所示之結構本體被垂直地倒置，且圖4C所示之結構本體然後被置放於表面板70上，以便使靜電夾盤40之上部面面向表面板70之上部面。當負載被施加至金屬板11之下部面時，黏著層20藉由烘箱或其類似者被加熱至固化溫度或更高以便固化。亦即，靜電吸附構件50及底板10在經加熱時被按壓，以便使黏著層20固化。
接下來，負載被解開。如圖5B所示，靜電夾盤40之上部面(吸附面)被接地以便使靜電夾盤40之上部面與金屬板11之下部面平行。
以此方式，基板固定裝置1可予以製造。
在本具體例中，當黏著層20固化時，支撐柱結構本體21充當底板10與靜電吸附構件50之間的間隔物。因此，黏著層20之厚度之極佳平面內均一性可被獲得。因此，靜電夾盤40之吸附面之溫度變化可被抑制，使得極佳均一溫度特性可被獲得。
儘管支撐柱結構本體21之數目不受限制，但例如支撐柱結構本體21在垂直於基板固定裝置1之厚度方向的平面中設置於不在同一直線上之至少三個點處。就此而言，例如，在二十個或更多個點處之支撐柱結構本體21可替代地裝設於底板10上。此外，支撐柱結構本體21之所有高度相同。因為由支撐柱結構本體21在垂直於基板固定裝置1之厚度方向的平面中佔據的比率較高，所以黏著層20之厚度之均一性可被增強，使得極佳均一溫度特性可被獲得。另一方面，因為由支撐柱結構本體21在垂直於基板固定裝置1之厚度方向的平面中佔據的比率較低，所以由黏著層20佔據的比率較高，使得底板10與靜電吸附構件50之間的黏著力較強。由支撐柱結構本體21在垂直於基板固定裝置1之厚度方向的平面中佔據的比率較佳地考慮到此等事實被確定。
此外，支撐柱結構本體21可相對於底板10之中心點以點對稱被裝設(參看圖6A)。在此情況下，黏著層20之厚度之均一性可被增強。另外，每一支撐柱結構本體21之直徑可在3 mm至10 mm之範圍內。
另外，如圖6B所示，支撐柱結構本體21可裝設於底板10之中心點上並裝設於中心對應於底板10之中心點的圓之圓周上。如圖6C所示，支撐柱結構本體21可裝設於底板10之中心點上並裝設於兩個同心圓之圓周上，每一同心圓之中心對應於底板10之中心點。
黏著層12、黏著層20及支撐柱結構本體21之材料不受限制。例如，聚矽氧樹脂、環氧樹脂、丙烯酸類樹脂及聚醯亞胺樹脂被列為黏著層12、黏著層20及支撐柱結構本體21之材料。彼等樹脂之複合材料可用於樹脂層12、黏著層20及支撐柱結構本體21。如上文所描述，支撐柱結構本體21之彈性模數高於黏著層20之彈性模數。因此，支撐柱結構本體21之樹脂的平均分子量較佳地高於黏著層20之樹脂的平均分子量。此外，支撐柱結構本體21之樹脂之交聯點的數目較佳地大於黏著層20之樹脂之交聯點的數目。此外，填充劑可含於黏著層20及支撐柱結構本體21中。支撐柱結構本體21相較於黏著層20較佳地含有較大量之填充劑。替代地，支撐柱結構本體21可含有填充劑，而黏著層20不含有填充劑。二氧化矽、氧化鋁、氮化鋁等等被列為填充劑材料之實施例。
此外，樹脂層12之彈性模數較佳地高於黏著層20之彈性模數。此係為了均一地維持黏著層20之厚度。樹脂層12之樹脂的平均分子量較佳地高於黏著層20之樹脂的平均分子量。此外，樹脂層12之樹脂之交聯點的數目較佳地大於黏著層20之樹脂之交聯點的數目。此外，填充劑可含於樹脂層12中。樹脂層12相較於黏著層20較佳地含有較大量之填充劑。樹脂層12可含有填充劑，而黏著層20不含有填充劑。
支撐柱結構本體21之熱導率與黏著層20之熱導率之間的差較佳地小，例如不高於2 W/(m•K)，更佳地不高於1 W/(m•K)。此係為了在吸附面中獲得極佳均一溫度特性。樹脂層12之熱導率不受限制。有可能根據基板固定裝置1中所需之熱導率合適地選擇樹脂層12之材料。
支撐柱結構本體21之熱膨脹係數較佳地與黏著層20之熱膨脹係數處於相同位準，例如不小於黏著層20之熱膨脹係數的0.1倍且不大於其10倍。此係為了在加熱期間獲得極佳形狀穩定性。
金屬板11之表面可藉由氧化鋁噴塗等等被絕緣。藉由絕緣處理，金屬板11與靜電電極42之間的放電可被更確切地抑制。
產熱元件32可建置於基底本體41中，而不提供絕緣層31。此外，加熱部30可被省去。在此等情況下，黏著層20將基底本體41以黏著方式結合至底板10。
儘管較佳具體例等等已在上文予以詳細地描述，但本揭示內容不限於前述具體例等等，且各種修改及替換可被添加至前述具體例等等，而不脫離申請專利範圍中所陳述之範圍。
1:基板固定裝置 10:底板 11:金屬板 12:樹脂層 15:水通路 15a:冷卻水引入部 15b:冷卻水排出部 20:黏著層 21:支撐柱結構本體 22:柱狀本體 30:加熱部 31:絕緣層 32:產熱元件 40:靜電夾盤 41:基底本體 42:靜電電極 50:靜電吸附構件 60:分配器 70:表面板 311,312:絕緣樹脂膜 321:金屬箔
圖1為以簡化方式例示根據具體例之基板固定裝置的剖面圖； 圖2A至圖2D為例示根據具體例之用於製造基板固定裝置之方法的視圖(部分1)； 圖3A及圖3B為例示根據具體例之用於製造基板固定裝置之方法的視圖(部分2)； 圖4A至圖4C為例示根據具體例之用於製造基板固定裝置之方法的視圖(部分3)； 圖5A及圖5B為例示根據具體例之用於製造基板固定裝置之方法的視圖(部分4)； 圖6A例示裝設於底板上之支撐柱結構本體之佈局的第一實施例； 圖6B例示裝設於底板上之支撐柱結構本體之佈局的第二實施例；且 圖6C例示裝設於底板上之支撐柱結構本體之佈局的第三實施例。
1:基板固定裝置
10:底板
11:金屬板
12:樹脂層
15:水通路
15a:冷卻水引入部
15b:冷卻水排出部
20:黏著層
21:支撐柱結構本體
30:加熱部
31:絕緣層
32:產熱元件
40:靜電夾盤
41:基底本體
42:靜電電極
50:靜電吸附構件

Claims (16)

  1. 一種基板固定裝置，其包含： 一底板； 一靜電吸附構件，其吸附並固持一基板； 一支撐構件，其裝設於該底板上以支撐該靜電吸附構件；及 一黏著層，其將該靜電吸附構件以黏著方式結合至該底板， 其中， 該支撐構件直接接觸該底板及該靜電吸附構件，且 該支撐構件之一彈性模數高於該黏著層之一彈性模數。
  2. 如請求項1之基板固定裝置，其中， 該支撐構件之該彈性模數為該黏著層之該彈性模數的十倍或更多倍。
  3. 如請求項1或2之基板固定裝置，其中， 該靜電吸附構件包含一靜電夾盤。
  4. 如請求項3之基板固定裝置，其中， 該靜電吸附構件進一步包含在該底板與該靜電夾盤之間的一加熱部。
  5. 如請求項1或2之基板固定裝置，其中， 該底板包含： 一金屬基底本體，及 一樹脂層，其設置於該金屬基底本體上及該金屬基底本體與該靜電吸附構件之間。
  6. 如請求項1或2之基板固定裝置，其中， 該支撐構件之熱導率與該黏著層之熱導率之間的一差不高於2 W/(m•K)。
  7. 如請求項1或2之基板固定裝置，其中， 該支撐構件之一熱膨脹係數不小於該黏著層之一熱膨脹係數的0.1倍且不大於其10倍。
  8. 如請求項1或2之基板固定裝置，其中， 該黏著層設置於該靜電吸附構件與該底板之間以便覆蓋該支撐構件。
  9. 如請求項5之基板固定裝置，其中， 該支撐構件直接接觸該樹脂層。
  10. 如請求項1或2之基板固定裝置，其中， 該支撐構件包含複數個支撐構件，且 該複數個支撐構件相對於該底板之一中心點以一點對稱被裝設。
  11. 如請求項1或2之基板固定裝置，其中， 該支撐構件包含複數個支撐構件，且 該複數個支撐構件之高度實質上相同。
  12. 一種用於製造一基板固定裝置之方法， 該方法包含： 將一半固化黏著層及一支撐構件設置於一靜電吸附構件與一底板之間，其中，該靜電吸附構件被構造成吸附並固持一基板，且該支撐構件被構造成支撐該靜電吸附構件；及 將該靜電吸附構件及該底板按壓及加熱以便使該黏著層固化； 其中， 該支撐構件直接接觸該底板及該靜電吸附構件，且 該支撐構件之一彈性模數高於該黏著層之一彈性模數。
  13. 如請求項12之方法，其中， 該支撐構件之該彈性模數為該黏著層之該彈性模數的十倍或更多倍。
  14. 如請求項12或13之方法，其中， 該支撐構件之熱導率與該黏著層之熱導率之間的一差不高於2 W/(m•K)。
  15. 如請求項12或13之方法，其中， 該支撐構件之一熱膨脹係數不小於該黏著層之一熱膨脹係數的0.1倍且不大於其10倍。
  16. 如請求項12或13之方法，其進一步包含： 在使該黏著層固化之後研磨該靜電吸附構件之一吸附面。
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